TW201817490A - 雜質去除裝置及具備該雜質去除裝置之循環氣體回收純化系統 - Google Patents

雜質去除裝置及具備該雜質去除裝置之循環氣體回收純化系統 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種雜質去除裝置，其於將自準分子雷射裝置排出之含有第1惰性氣體及氖之廢氣送往後段之製程時，可基於廢氣中之雜質濃度而控制是否進行去除處理及是否進行外部氣體排出。雜質去除裝置具備：雜質濃度偵測部，其對通過廢氣之排出管線之廢氣中之雜質濃度進行測定；轉換部，其基於由雜質濃度偵測部所測得之結果，將廢氣中之雜質藉由電漿分解而轉換為其他物質；以及去除部，其使經轉換部轉換之物質與特定反應劑發生反應而自廢氣中予以去除。雜質去除裝置亦可具備放出管線，該放出管線用來：基於由雜質濃度偵測部所測得之結果而將廢氣放出至外部氣體。

Description

雜質去除裝置及具備該雜質去除裝置之循環氣體回收純化系統
本發明係關於一種例如可自廢氣中去除雜質之雜質去除裝置、及具備該雜質去除裝置之循環氣體回收純化系統，上述廢氣係自使用含有惰性氣體及氖之混合氣體的準分子雷射裝置排出。
於對自準分子雷射振盪器排出之氣體進行再利用之步驟中，作為去除氟化合物之方法之一例，有專利文獻1。
又，作為分解廢氣中之CF4之方法，於專利文獻2中揭示有使用無聲放電之方法，於非專利文獻1中揭示有藉由電暈放電之方法。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-92920號公報
[專利文獻2]日本特開2006-110461號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]T.IEEE Japan、Vol.117-A、No.10(1997)「藉由電暈放 電去除準分子氣體中之氣體狀雜質」
專利文獻1之雜質去除裝置中，具有將含有CF4之雜質藉由沸石等予以去除之步驟，但於含有高濃度之CF4之廢氣被導入之情形時，存在無法完全分解CF4之問題。因此，準分子雷射裝置中所產生之CF4會隨著回收純化步驟之反覆而使CF4濃度逐漸上升，從而成為準分子雷射裝置中雷射脈衝輸出能量下降等問題之原因。又，存在於CF4分解時產生新的雜質即氧之問題。
專利文獻2之將廢氣中之CF4藉由無聲放電予以分解之方法，係可對相對較高濃度之CF4進行分解處理者，但存在分解後會存在固定量之CF4之問題。
非專利文獻1之將廢氣中之CF4藉由電暈放電予以分解之方法，存在電極易氟化而劣化之問題。
本發明係有鑒於上述現狀而完成者，其目的在於提供一種雜質去除裝置，該雜質去除裝置例如在將自準分子雷射裝置排出之含有第1惰性氣體及氖之廢氣送往後段之製程時，可基於廢氣中之雜質(例如CF4、N2、He等)濃度而控制是否進行去除處理及是否進行外部氣體排出。
又，本發明之目的在於提供一種循環氣體回收純化系統，其具備上述雜質去除裝置，例如可於殘留所需之惰性氣體之情況下將雜質自廢氣中去除，並將循環氣體(例如惰性氣體及氖)供給至製造系統。
本發明之雜質去除裝置從廢氣中去除雜質，該廢氣係自準分子雷射裝置排出之至少含有氖及第1惰性氣體者，該雜質去除裝置具有：雜質濃度偵測部，其對通過上述廢氣之排出管線的上述廢氣中之上述雜質之濃度進行測定；轉換部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，將上述廢氣中之上述雜質藉由電漿分解而轉換為其他物質；以及去除部，其使經上述轉換部轉換之物質與特定反應劑發生反應而自上述廢氣中予以去除。
上述雜質去除裝置亦可具備放出管線，其用於基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果而將上述廢氣放出至外部氣體。
上述雜質去除裝置亦可具備旁通管線，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，而將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。
上述雜質去除裝置亦可具備處理選擇部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。
上述雜質去除裝置亦可進行：於由上述處理選擇部選擇了上述第1處理之情形時，利用上述放出管線而將上述廢氣放出至外部氣體，於由上述處理選擇部選擇了上述第2處理之情形時，藉由設置於去除處理管線之上述轉換部及上述去除部，自上述廢氣中去除雜質，上述去除 處理管線係用於將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統，於由上述處理選擇部選擇了上述第3處理之情形時，利用上述旁通管線，將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。
上述雜質去除裝置亦可具備閥控制部，其控制閥之開閉，以使得於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至上述放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往上述去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往上述旁通管線。
上述發明中，雜質濃度偵測部既可配置於排出管線之配管中，亦可配置於進行濃度測定之空間內，還可配置於排出管線上所設置之緩衝槽中。
上述發明中，放出管線例如亦可具有配管、外部氣體排出用通氣裝置、自動開閉閥等而構成。
上述發明中，轉換部較佳為無聲放電裝置。
上述發明中，特定反應劑例如為金屬系反應劑或氣體吸收系反應劑等。作為金屬系反應劑，例如可列舉Ag系、Cu系之反應劑。作為氣體吸收系反應劑，例如可列舉酸性氣體吸收反應劑，例如可列舉將以鹼石灰為代表之含氧物質用於反應劑。
上述發明中，去除處理管線例如亦可具有配管、自動開閉閥、無聲放電裝置、集氣器(去除裝置)等而構成。
上述發明中，旁通管線亦可具有配管與自動開閉閥而構成。
上述發明中，循環氣體例如係主成分為氖且含有第1惰性氣體(例如 Ar、Kr)之主成分為氖之氣體等。
根據該構成，可對自準分子雷射裝置送出之廢氣中之雜質(例如CF4)濃度進行測定，並根據測定結果對廢氣選擇進行3種處理。本發明中，可選擇性地進行排出至外部氣體之第1處理、執行雜質之去除處理之第2處理、及將廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統之第3處理。例如可以如下方式構成：於雜質濃度為高於特定濃度範圍(例如10ppm~120ppm)之高濃度時放出至外部氣體，若雜質濃度處於特定濃度範圍(例如10ppm~120ppm)則去除雜質，若雜質濃度未達特定濃度範圍(例如10ppm~120ppm)，則直接將廢氣送入後段之循環氣體回收純化系統。
即，可僅將含有特定濃度之雜質之廢氣送往後段之循環氣體回收純化系統，因此可確實地於循環氣體回收純化系統中進行雜質去除。又，可抑制雜質去除裝置之去除部或循環氣體回收純化系統內之雜質去除機構於早期發生性能劣化的現象，減少維護次數。
並且，於自半導體製造裝置(例如準分子雷射裝置)排出之廢氣之循環處理中，藉由設置雜質去除裝置與循環氣體回收純化系統，從而可將經雜質去除之循環氣體供給至半導體製造裝置(例如準分子雷射裝置)。
上述發明中，亦可具有流量測定部，該流量測定部對導入至上述去除處理管線中之上述廢氣之流量進行測定。上述流量測定部亦可設於較上述雜質濃度偵測部之測定位置為下游側之上述排出管線L2或上述去除處理管線。
亦可具有更換時期判斷部，該更換時期判斷部基於上述流量測定部之 測定值與上述雜質濃度偵測部之測定值而算出上述雜質之量，以求出上述去除部之上述特定反應劑之更換時期。
根據該構成，可根據來自準分子雷射裝置之廢氣之流量與廢氣中之雜質濃度，得到被導入至雜質去除部之雜質量，因此可視填充於上述去除部中之特定反應劑之量而求出更換時期。藉此，可於超出上述金屬系反應劑去除經上述轉換部轉換之物質之能力之前實施金屬系反應劑之更換，從而可抑制未被完全去除之物質殘留於所回收之純化氣體中之現象。
上述發明中，上述閥亦可為由上述閥控制部所控制之自動開閉閥。作為上述閥，例如亦可為四通閥、四通切換閥。上述閥亦可為分別設於上述放出管線、上述去除處理管線及上述旁通管線之閘閥。
根據該構成，依照上述閥控制部之控制，可將來自準分子雷射裝置之廢氣分別分配並導出至放出管線、去除處理管線或旁通管線。
上述發明中，上述雜質例如含有CF4、N2、He、CH4中之任一種或多種。第1惰性氣體及氖只要未特別明示為雜質，則並非雜質。
上述發明中，亦可進行下述控制，即，於上述雜質濃度偵測部測定上述廢氣中之CF4之濃度之情形時，於CF4之濃度為第1臨限值以上之情形時，上述處理選擇部選擇上述第1處理，於CF4之濃度大於較上述第1臨限值為小之第2臨限值且未達上述第1臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第2處理，於CF4之濃度未達上述第2臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第3處理。
上述發明中，「第1臨限值」例如為80ppm~110ppm之間之任意數值，較佳為90ppm~100ppm之間之任意數值，更佳為100ppm。
上述發明中，「第2臨限值」例如為5ppm~15ppm之間之任意數值，較佳為8ppm~12ppm之間之任意數值，更佳為10ppm。
本發明中，除特別明示有質量或重量之情形時以外，則濃度表示體積濃度。
上述廢氣之主成分為氖，第1惰性氣體相對於總量為1~10%，較佳為1~8%。作為廢氣中之雜質，例如可列舉CF4、N2、He、CH4。廢氣中之CF4濃度料想為1ppm~500ppm之範圍。
於CF4濃度為第1臨限值(例如100ppm)以上之情形時，上述處理選擇部選擇第1處理。上述第1處理係將廢氣藉由上述放出管線而排出至系統外。
當固定量(例如100ppm)以上之CF4被導入至轉換部時，廢氣中所含之CF4之一部分不會被轉換而無法完全去除，但若設為此種構成，藉由將CF4去除有可能變得不夠充分之廢氣預先排出至系統外，從而可進行完全的去除。
又，當高濃度之CF4被導入至雜質去除裝置時，會產生下述等問題，即，自上述轉換部排出之其他物質之量增加，特定反應劑(例如金屬系反應劑、氣體吸收系反應劑)之更換頻率提高，發生配管、閥等之腐蝕，因此以不使第1臨限值以上之濃度之CF4導入至雜質去除裝置之方式減輕該等問題。第1臨限值之值亦可根據轉換部之能力而設定。
於CF4濃度大於較第1臨限值為小之第2臨限值(例如10ppm)且未 達上述第1臨限值之情形時，選擇上述第2處理。第2處理係將廢氣自上述去除處理管線導入至上述轉換部。於轉換部中，CF4藉由電漿分解而轉換為其他物質(F2、其他氟化合物)，上述其他物質則藉由與特定反應劑(例如金屬系反應劑、氣體吸收系反應劑)之反應而去除。
於CF4濃度未達第2臨限值之情形時，選擇上述第3處理，第3處理係使上述轉換部旁通，而將廢氣直接導入至連接於上述雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。這是因為：若為未達第2臨限值之濃度之CF4，則可利用設置於上述雜質去除裝置後段之上述循環氣體回收純化系統內之雜質去除部予以去除。
作為CF4之電漿分解法，較佳為選擇無聲放電。又，藉由採用無聲放電作為CF4分解方式，與存在因電極之氟化引起之劣化之電暈放電之情形相比，有維護容易，且可長期持續穩定運轉之優點。
作為藉由電漿分解而產生之物質例如氟系雜的之去除方法，於本發明中採用特定反應劑(例如金屬系反應劑、氣體吸收系反應劑)。本發明中，金屬系反應劑較氣體吸收系反應劑為佳。於使用氣體吸收系反應劑之情形時，有可能因其與氟系雜質之反應產生氧(或氧化物)，於此情形時，較佳為於循環氣體回收純化系統中設置去除氧(或氧化物)之去除部(脫氧去除裝置)。一般而言，作為廢氣中之雜質，多含有氧，因此氧去除部一般已設置，因而為此新設置之情形少。
亦可進行下述控制，即，於上述雜質濃度偵測部測定上述廢氣中之CF4、N2及He之濃度之情形時，當為下述(a)、(b)或(c)之情形時，上述處理選擇部選擇上述第1處理： (a)He濃度為第3臨限值以上，(b)CF4或N2之任一者為上述第1臨限值(例如80ppm~110ppm之間之任意數值，較佳為90ppm~100ppm)以上，(c)He濃度未達第3臨限值，且CF4或N2之任一者為上述第2臨限值(例如5ppm~15ppm之間之任意數值，較佳為8ppm~12ppm)以上且未達上述第1臨限值，且濃度之大小關係為N2>(1/2)×CF4。
當為(d)He濃度未達第3臨限值，N2或CF4之濃度為上述第2臨限值以上且未達上述第1臨限值，且濃度之大小關係為N2<(1/2)×CF4之情形時，上述處理選擇部選擇上述第2處理。
當為(e)He濃度未達第3臨限值，且N2或CF4之濃度未達上述第2臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第3處理。
上述發明中，「第3臨限值」例如為0.5%~1.5%之間之任意值，較佳為0.8%~1.2%之間之任意值，更佳為1.0%。
作為上述廢氣中之雜質，亦可測定CF4、N2及He之濃度。上述廢氣中之CF4及N2濃度料想為1ppm~500ppm之範圍，He濃度料想為0.01~5.0%之範圍。
於CF4或N2濃度為例如100ppm以上或He濃度為例如1%以上之情形時，雷射強度會下降，因此，於CF4或N2濃度為第1臨限值(例如100ppm)以上之情形時或He濃度為第3臨限值(例如1%)以上之情形時，上述處理選擇部選擇第1處理，上述第1處理係將廢氣藉由上述放出管線而排出至系統外。
即使於He濃度未達第3臨限值、CF4及N2濃度大於較第1臨限值為小 之第2臨限值(例如10ppm)且未達上述第1臨限值之情形時，若N2濃度為CF4濃度之2倍以上，則於上述轉換部之電漿放電過程中所產生之離子量中，氮離子量相對於碳離子量而有利。於此情形時，經上述轉換部轉換之氮離子較碳離子而優先與廢氣中所含之氧或氧離子發生反應，生成氮氧化物。因此，於N2濃度為CF4濃度之2倍以上之情形時，上述處理選擇部選擇第1處理，上述第1處理係將廢氣藉由上述放出管線而排出至系統外。
另一方面，於He濃度未達第3臨限值未達、CF4及N2濃度為第2臨限值以上且未達第1臨限值、且N2濃度未達CF4濃度之2倍之情形時，可藉由電漿放電進行轉換，由該轉換生成之氮氧化物產生量亦少，因此選擇上述第2處理，第2處理係將廢氣自上述去除處理管線導入至上述轉換部。
於He濃度未達第3臨限值未達且CF4及N2濃度未達第2臨限值之情形時，選擇上述第3處理，第3處理係使上述轉換部旁通，而將廢氣直接導入至連接於上述雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。這是因為：若為未達第2臨限值之濃度之CF4、N2，則可利用設置於上述雜質去除裝置後段之上述循環氣體回收純化系統內之雜質去除部予以去除。
設置於上述雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統係從製造系統所排出且經由上述雜質去除裝質送出之廢氣中回收純化循環氣體者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；準分子雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該準分子雷射裝置排出之廢氣。
作為準分子雷射裝置，例如可列舉ArF準分子雷射裝置、KrF準分子雷射裝置、XeF準分子雷射裝置。根據準分子雷射裝置來設定雜 質去除裝置中的轉換部與去除部之規格及其性能，進而設定循環氣體回收純化系統中的雜質去除機構之規格及其性能。
第1發明之循環氣體回收純化系統從廢氣中回收純化循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，該廢氣係自如下所述之製造系統所排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；準分子雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該準分子雷射裝置排出之廢氣，該循環氣體回收純化系統至少具備：第1雜質去除部，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除部，其配置於較上述第1雜質去除部要靠廢氣路徑下游側，自上述第1雜質去除後之廢氣中去除第2雜質。
上述排出管線亦可為如下者，即，至少以大氣壓以上且上述第1壓力以下之第2壓力來排出自準分子雷射裝置排出之廢氣的排出管線。
上述循環氣體回收純化系統具備上述雜質去除裝置，上述雜質去除裝置亦可具有下述複數個構成中之1個或2個以上之構成，即：雜質濃度偵測部，其對上述廢氣所流經之排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統； 放出管線，其用於在由上述處理選擇部選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至外部氣體；去除處理管線，其用於在由上述處理選擇部選擇了上述第2處理之情形時，自上述廢氣中去除雜質，且將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；轉換部，其設於上述去除處理管線，且將上述廢氣中之上述雜質藉由電漿分解而轉換為其他物質；去除部，其設於上述去除處理管線，且使經上述轉換部轉換之物質與特定反應劑(例如金屬系反應劑或氣體吸收系反應劑)發生反應而自上述廢氣中予以去除；旁通管線，其於由上述處理選擇部選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；以及閥控制部，其控制閥之開閉，以使得於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至上述放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往上述去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往上述旁通管線。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：回收容器，其配置於廢氣路徑(L3)中，貯存上述廢氣，該廢氣路徑(L3)係自與上述雜質去除裝置之去除處理管線及旁通管線連接之排出管線(係指上述去除處理管線及上述旁通管線匯流後之排出管線)分支而延伸；以及壓縮機，其配置於較上述回收容器靠廢氣路徑下游側，使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：配置於較上述壓縮機靠廢氣路 徑下游側，對被送往廢氣路徑下游且經壓縮機升壓之上述廢氣之流量進行調整之廢氣流量調整部、或對上述廢氣之流量進行測定之廢氣流量計。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備升壓容器，其配置於較上述第2雜質去除部要靠純化氣體路徑下游側，貯存經實施上述第1雜質之去除處理及上述第2雜質之去除處理之純化氣體。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備純化氣體壓力調整部，其配置於較上述升壓容器靠純化氣體路徑下游側，將自上述升壓容器送出之上述純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。又，於無升壓容器之情形時，亦可於經實施上述第2雜質之去除處理之純化氣體所流經之純化氣體路徑中，配置上述純化氣體壓力調整部。
上述循環氣體回收純化系統於經實施上述第2雜質之去除處理之純化氣體所流經之純化氣體路徑中，既可具有對純化氣體之壓力進行測定之壓力計，亦可具有用以限制為特定壓力之壓力調整閥。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：配置於較上述純化氣體壓力調整部或上述壓力調整閥靠純化氣體路徑下游側或純化氣體路徑上游側，對供給至上述製造系統之上述供給管線的上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整部、或對純化氣體之流量進行測定之流量計。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：於經實施上述第2雜質之去除處理之純化氣體所流經之純化氣體路徑中，對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整部、或對純化氣體之流量進行測定之流量計。
根據上述構成之較佳實施形態，藉由具備回收容器而貯存廢 氣且達到固定量後，可利用壓縮機使其升壓至第1壓力以上之固定壓力，且藉由廢氣流量調整部將固定流量之廢氣連續送入後段之第1雜質去除部、第2雜質去除部，因此可確保第1、第2雜質之去除處理性能，從而較佳地獲得第1惰性氣體及氖氣之純化氣體(亦稱作「循環氣體」)。
並且，利用升壓容器貯存純化氣體且達到固定量後，可將利用純化氣體壓力調整部(或壓力調整閥)調整為第1壓力(與第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)之純化氣體及/或利用純化氣體流量調整部設為固定流量之純化氣體送入供給管線，因此可精度良好地控制混合惰性氣體與純化氣體之混合。因而，可利用較習知簡單的構成來連接於半導體製造裝置等製造系統，自廢氣中分離第1、第2雜質，回收循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，並再次供給至製造系統。
第2發明之循環氣體回收純化系統從廢氣中回收純化循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，該廢氣係自如下所述之製造系統排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；準分子雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該準分子雷射裝置排出之廢氣，該循環氣體回收純化系統至少具備：第1雜質去除部，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除部，其配置於較上述第1雜質去除部要靠廢氣路徑下游側，自上述第1雜質去除後之廢氣中去除第2雜質。
上述排出管線亦可為如下者，即，至少以大氣壓以上且上述第1壓力以下之第2壓力來排出自準分子雷射裝置排出之廢氣的排出管線。
上述循環氣體回收純化系統具備上述雜質去除裝置，上述雜質去除裝置亦可具有下述複數個構成中之1個或2個以上之構成，即：雜質濃度偵測部，其對上述廢氣所流經之上述排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；放出管線，其用於在由上述處理選擇部選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至外部氣體；去除處理管線，其用於在由上述處理選擇部選擇了上述第2處理之情形時，自上述廢氣中去除雜質，且將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；轉換部，其設於上述去除處理管線，且將上述廢氣中之上述雜質藉由電漿分解而轉換為其他物質；去除部，其設於上述去除處理管線，且使經上述轉換部轉換之物質與特定反應劑(例如金屬系反應劑或氣體吸收系反應劑)發生反應而自上述廢氣中予以去除；旁通管線，其於由上述處理選擇部選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；以及閥控制部，其控制閥之開閉，以使得於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至上述放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往上述去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述 廢氣送往上述旁通管線。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：回收容器，其配置於廢氣路徑(L3)中，貯存上述廢氣，該廢氣路徑(L3)係自與上述雜質去除裝置之去除處理管線及旁通管線連接之上述排出管線(係指上述去除處理管線及上述旁通管線匯流後之排出管線)分支而延伸；以及壓縮機，其配置於較上述回收容器靠廢氣路徑下游側，使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：升壓容器，其配置於較上述壓縮機靠廢氣路徑下游側，貯存經上述壓縮機升壓之上述廢氣；以及配置於較上述升壓容器靠廢氣路徑下游側，對被送往廢氣路徑下游之上述廢氣之流量進行調整之廢氣流量調整部、或對上述廢氣之流量進行測定之廢氣流量計。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：純化氣體壓力調整部，其配置於較上述第2雜質去除部要靠純化氣體路徑下游側，將自上述第2雜質去除部送出之純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。
上述循環氣體回收純化系統於經實施上述第2雜質之去除處理之純化氣體所流經之純化氣體路徑中，既可具有對純化氣體之壓力進行測定之壓力計，亦可具有用以限制為特定壓力之壓力調整閥。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：配置於較上述純化氣體壓力調 整部或上述壓力調整閥靠純化氣體路徑下游側或純化氣體路徑上流側，對供給至上述製造系統之上述供給管線的上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整部、或對純化氣體之流量進行測定之流量計。
上述循環氣體回收純化系統亦可具備：於經實施上述第2雜質之去除處理之純化氣體所流經之純化氣體路徑中，對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整部、或對純化氣體之流量進行測定之流量計。
根據上述構成之較佳實施形態，藉由具備回收容器而貯存廢氣且達到固定量後，可利用壓縮機使其升壓至第1壓力以上之固定壓力後貯存於升壓容器中，且藉由廢氣流量調整部將固定流量之廢氣連續送入後段之第1雜質去除部、第2雜質去除部，因此可確保第1、第2雜質之去除處理性能，從而較佳地獲得第1惰性氣體及氖氣之純化氣體(亦稱作「循環氣體」)。
並且，可將“利用配置於第2雜質去除部後段之純化氣體壓力調整部(或壓力調整閥)而調整為第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)之純化氣體及/或利用純化氣體流量調整部而設為固定流量之純化氣體”送入供給管線，因此可精度良好地控制混合惰性氣體與純化氣體之混合。因而，可利用較習知簡單的構成來連接於半導體製造裝置等製造系統，自廢氣中分離第1、第2雜質，回收循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，並再次供給至製造系統。
於上述第2發明之循環氣體回收純化系統中，較佳為上述升壓容器配置於較上述壓縮機靠廢氣路徑下游側之最近處。「最近處」例如是：連結壓縮機與升壓容器之配管之長度為50m以內，較佳為30m以內， 更佳為20m以內。
於上述第1、2發明之循環氣體回收純化系統中，作為上述純化氣體壓力調整部，例如可列舉減壓閥、背壓閥。
於上述第1、2發明之循環氣體回收純化系統中，例示以下構成。
上述混合惰性氣體之主成分為氖，第1惰性氣體相對於總量為1~10%，較佳為1~8%。於混合惰性氣體中亦可含有雜質。作為混合惰性氣體中之雜質，例如可列舉氮、氧、一氧化碳、二氧化碳、水等。
上述第1惰性氣體例如包含氬(Ar)、氙(Xe)、氪(Kr)中之任一種或複數種。
於循環氣體中，含有作為主成分之氖氣及第1惰性氣體。只要未特別明示，則第1惰性氣體不會自廢氣中被實質上去除，而仍作為純化氣體(循環氣體)之一部分被回收。
第1惰性氣體之摻合比例如可列舉：相對於混合惰性氣體總量而氬為1~5%、相對於混合惰性氣體總量而氙為1~15%，且氙為1ppm~100ppm。上述製造系統例如可列舉半導體曝光裝置等半導體製造裝置、精密加工裝置、外科醫療裝置等。
上述雷射裝置例如可列舉具備氪-氟(KrF)準分子雷射振盪器之裝置、具備氬-氟(ArF)準分子雷射振盪器之裝置。
較佳為，於上述廢氣路徑上之上述背壓閥之前後配置閘閥。控制部亦可控制背壓閥。
上述第1壓力係對應於製造系統之規格而設定，但通常為高於大氣壓 之壓力，例如可例示以錶壓計為300KPa以上~700KPa之範圍，較佳為400KPa以上~700KPa之範圍，更佳為500KPa以上~700KPa之範圍。
上述第2壓力為大氣壓以上且上述第1壓力以下，例如可列舉以錶壓計為50KPa~200KPa之範圍。
上述第3壓力為大於上述第1壓力之值，例如是第1壓力與第3壓力之差以錶壓計為50KPa~150KPa之範圍。
上述壓縮機較佳為基於配置於該廢氣路徑下游側之壓力計之測定值來控制廢氣壓力之構成。控制部亦可控制壓縮機。
較佳為，上述廢氣流量調整部具有氣體流量計與氣體流量調整閥，根據氣體流量計之測定值來調整閥，以控制氣體流量。控制部亦可控制廢氣流量調整部。
上述第1雜質係於廢氣成分中含有最多之雜質，例如可列舉氧。
上述第1雜質去除部於第1雜質為氧之情形時為脫氧裝置，可例示填充有氧化錳反應劑或氧化銅反應劑之構成。作為氧化錳反應劑，可列舉一氧化錳MnO等之反應劑、二氧化錳MnO2之反應劑、以吸附劑為基礎之氧化錳反應劑。作為氧化銅反應劑，例如可列舉氧化銅CuO等之反應劑、以吸附劑為基礎之氧化銅反應劑。
上述第2雜質係於廢氣成分中除含有最多之雜質以外的成分，例如可列舉氮、一氧化碳、二氧化碳、水、CF4、CH4、He等。
上述第2雜質去除部於第2雜質為氧以外之成分(氮、一氧化碳、二氧化碳、水、CF4、CH4、He之情形時，可列舉填充有化學吸附劑之集氣器。
較佳為，第1、第2雜質去除部之配置係對應於廢氣含量(或可利用去 除部予以去除之量)而配置，且將用於去除含量多之雜質之去除部配置於前段。
上述減壓閥較佳為如下構成，即，基於配置於該純化氣體路徑下游側之壓力計之測定值來控制純化氣體之壓力之構成。循環氣體回收純化系統所具有之控制部亦可控制減壓閥。
較佳為，上述純化氣體流量調整部具有氣體流量計與氣體流量調整閥，根據氣體流量計之測定值來調整閥，以控制氣體流量。循環氣體回收純化系統所具有之控制部亦可控制純化氣體流量調整部。
上述廢氣路徑是指從上述排出管線或自排出管線分支之位置直至上述雜質去除部為止的廢氣之流通路徑(配管)。
上述純化氣體路徑是指自上述雜質去除部直至與上述供給管線匯流之位置為止的純化氣體之流通路徑(配管)。
上述供給管線亦可更具有以第1壓力供給鹵素(F2)氣體之鹵素供給管線。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，進而具有：通氣路徑，係將自上述第2雜質去除部送出之純化氣體排出至大氣中之路徑。通氣路徑被設為自純化氣體路徑分支，且於通氣路徑中配置自動閘閥或手動閘閥。第1發明中，例如於超過上述升壓容器之貯存容量之情形時可以如下方式進行調整，即，打開自動閘閥或手動閘閥而將純化氣體排出至大氣中。可於升壓容器中配置檢測貯存容量之偵測部，控制部基於偵測部之偵測而進行打開自動閘閥之控制。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，於上述第1惰性氣體為氪(Kr)之情形時，混合惰性氣體含有氪與氖，循環氣體(純化氣體)亦含有氪與氖。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，於上述廢氣中，含有上述第1惰性氣體之氬(Ar)、作為第2惰性氣體之氙(Xe)，且更具有：氙去除部，其於上述第1雜質去除部與上述第2雜質去除部之間，去除上述氙；以及輔助惰性氣體供給路徑，其於較上述純化氣體流量調整部為純化氣體路徑下游之位置處，將氖與氙之輔助惰性氣體供給至純化氣體路徑。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，亦可具有：循環氣體罐，其於較上述輔助惰性氣體供給路徑與上述純化氣體路徑匯流之位置為下游之上述純化氣體路徑中，貯存被送入上述供給管線之由純化氣體及輔助惰性氣體構成之循環氣體。藉由於循環氣體罐中臨時貯存，可使氣體濃度為固定，從而可控制循環氣體之導入量。
於上述循環氣體罐之入口及出口設置有控制閥(自動開閉閘閥)，於對循環氣體進行貯存處理及導入處理時，控制閥之開閉由控制部進行控制。
根據該構成，係於混合惰性氣體中含有氙之情形時，進而配置氙去除部之構成。於第1雜質為氧而剩餘雜質為第2雜質之情形時，廢氣中之氙含量少於氧含量、且多於第2雜質之含量之可能性高，因此較佳 為於第1雜質去除部與上述第2雜質去除部之間配置氙去除部。氙去除部例如可列舉填充有活性碳或沸石系吸附劑之構成。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，更具有：輔助容器，其配置於上述輔助惰性氣體供給路徑中，貯存氖與氙之輔助惰性氣體；輔助惰性氣體壓力調整部，其配置於上述輔助惰性氣體供給路徑中，將自上述輔助容器送出之輔助惰性氣體之壓力調整為上述第1壓力；以及輔助惰性氣體流量調整部，其配置於上述輔助惰性氣體供給路徑中，調整上述輔助惰性氣體之流量。
根據該構成，輔助惰性氣體之主成分為氖，氙含量相對於總量為固定比(例如10%)。但是，於輔助惰性氣體中亦可含有微量之雜質。藉此，可進行調整，以使氙含量多之輔助惰性氣體混合於氙被去除之純化氣體(含有第1惰性氣體之主成分氖氣)中，而成為供給管線側之混合惰性氣體中之氙含量。
上述輔助惰性氣體壓力調整部(例如輔助惰性氣體減壓閥)較佳為下述構成，即，基於較其配置於輔助惰性氣體供給路徑下游側之壓力計之測定值來控制輔助惰性氣體之壓力。循環氣體回收純化系統所具有之控制部亦可控制輔助惰性氣體壓力調整部(例如輔助惰性氣體減壓閥)。
較佳為，上述輔助惰性氣體流量調整部具有氣體流量計與氣體流量調整閥，根據氣體流量計之測定值來調整閥，以調整氣體流量。循環氣體回收純化系統所具有之控制部亦可控制輔助惰性氣體流量調整部。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，更具有：緩衝容器，其配置於上述排出管線中，且貯存自上述製造系統以第2壓力排出之至少含有氧之廢氣；以及預備通氣路徑，其係將自上述緩衝容器送出之上述廢氣排出至大氣中之路徑。預備通氣路徑被設為自排出管線分支，且於預備通氣路徑中配置自動閘閥或手動閘閥。藉此，例如於超過上述回收容器之貯存容量之情形時，可以打開自動閘閥或手動閘閥而將廢氣排出至大氣中的方式進行調整。可於回收容器中配置檢測貯存容量之偵測部，控制部進行基於偵測部之偵測打開自動閘閥之控制。或者，於背壓閥未打開之情形時，當超過緩衝容器之貯存容量時，可以打開自動閘閥或手動閘閥而排出至大氣中的方式進行調整。可於緩衝容器中配置檢測貯存容量之偵測部，控制部以基於偵測部之偵測打開自動閘閥的方式進行控制。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，具有：供給容器，其配置於上述供給管線，且貯存上述混合惰性氣體；混合惰性氣體減壓機構，其配置於上述供給管線，且將自上述供給容器送出之混合惰性氣體之壓力減壓至上述第1壓力；以及混合惰性氣體流量調整部，其配置於上述供給管線，且對自上述供給容器送出之上述混合惰性氣體之供給量進行控制。
較佳為，上述混合惰性氣體減壓機構係配置於上述供給容器與上述混合惰性氣體流量調整部之間。
上述混合惰性氣體減壓機構較佳為如下構成，即，基於較其配置於供給管線下游側之壓力計之測定值來控制混合惰性氣體之壓力之構成。製造系統之控制部或循環氣體回收純化系統所具有之控制部亦可控制混合惰性氣體減壓機構。
作為上述混合惰性氣體減壓機構，例如可列舉減壓閥。
較佳為，上述混合惰性氣體流量調整部具有氣體流量計與氣體流量調整閥，根據氣體流量計之測定值來調整閥，以調整氣體流量。
較佳為，上述純化氣體路徑較上述混合惰性氣體流量調整部而連接於供給管線下游側。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，可列舉以下構成。
亦可具有相對於上述第1雜質去除部之第1旁通管線。
亦可具有相對於上述第2雜質去除部之第2旁通管線。
亦可具有相對於上述氙去除部之第3旁通管線。
於第1~第3旁通管線中分別配置有閘閥。為於旁通處理時時開放閘閥之構成。
上述第1雜質去除部亦可至少於其上游側具有閘閥。
上述第2雜質去除部亦可至少於其上游側具有閘閥。
上述氙去除部亦可至少於其上游側具有閘閥。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，既可為將供給氣體與純化氣體同時供給至製造系統之構成，亦可為僅供給純化氣體之構成。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，亦可為基於來自製造系統之控制部之命令信號，循環氣體回收純化系統之控制部控制各要素之構成。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，氙去除部亦可為下述構成，即，2個氙去除部並列配置，其中一者進行吸附處理，另一者進行再生處理。
作為上述第1、第2發明之循環氣體回收純化系統之一實施形態，更具有：溫度調整部，其較上述廢氣流量調整部而於廢氣路徑上游側或廢氣路徑下游側調整上述廢氣之溫度。作為溫度調整部，例如可列舉熱交換器。
作為上述第1發明之一實施形態，溫度調整部配置於較上述壓縮機靠廢氣路徑下游側，較佳為配置於上述壓縮機與上述廢氣流量調整部之間。
作為上述第2發明之一實施形態，溫度調整部配置於較上述升壓容器靠廢氣路徑下游側，較佳為配置於上述升壓容器與上述廢氣流量調整部之間。
根據該構成，可將廢氣溫度調整為特定溫度。例如，可將與經壓縮機升壓一同上升之廢氣溫度(例如60~80℃)調整為特定溫度(例如15~35℃)。又，可將廢氣溫度調整為適合於後段之各種去除部中之去除作用的溫度範圍。
第3發明之循環氣體回收純化方法從廢氣中回收純化循環氣體，該廢氣係自如下所述之製造系統排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；雷射 裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該雷射裝置排出之廢氣。
上述排出管線亦可為至少以大氣壓以上且第1壓力以下之第2壓力而排出廢氣的排出管線。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含下述複數個步驟內的1個或2個以上之步驟，即：雜質濃度偵測步驟，其對上述廢氣所流經之排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇步驟，其基於上述雜質濃度偵測步驟中測定之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；閥控制步驟，其控制閥之開閉，以於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往旁通管線；第1雜質去除步驟，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除步驟，其自上述第1雜質去除步驟中之上述第1雜質去除後之廢氣去除第2雜質。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：第1回收步驟，其將自上述排出管線分支地延伸之廢氣路徑中所配置之上述廢氣貯存於回收容器中； 升壓步驟，其使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力；以及廢氣流量調整步驟，其對在上述升壓步驟中經升壓之上述廢氣之流量進行調整。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：第2回收步驟，其將經實施上述第1雜質去除步驟及第2雜質去除步驟之各處理之純化氣體貯存於升壓容器中。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體壓力調整步驟，其將自上述升壓容器送出之上述純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。又，於上述純化氣體壓力調整步驟之前，亦可包含對自上述升壓容器送出之上述純化氣體之流量進行測定之純化氣體流量測定步驟、或對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整步驟。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體流量調整步驟，其對上述純化氣體之流量進行調整，該純化氣體係於上述純化氣體壓力調整步驟中經壓力調整、且被供給至上述製造系統之上述供給管線的上述純化氣體；或者純化氣體流量測定步驟，其對上述純化氣體之流量進行測定。
根據該構成，藉由具備回收容器而貯存廢氣且達到固定量後，可使其升壓至第1壓力以上(較佳為超過第1壓力)之固定壓力，且藉由廢氣流量調整步驟而使固定流量之廢氣於後段之第1雜質去除步驟、第2雜質去除步驟中進行連續處理，因此可確保第1、第2雜質之去除處理 性能，從而較佳地獲得第1惰性氣體及氖氣之純化氣體(循環氣體)。
並且，利用升壓容器貯存純化氣體且達到固定量後，可將“於純化氣體壓力調整步驟中調整為第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)，且藉由純化氣體流量調整步驟將固定流量之純化氣體”送入供給管線，因此可精度良好地控制混合惰性氣體與純化氣體之混合。因而，可利用較習知簡單的構成而於半導體製造裝置等製造系統中，自廢氣中分離第1、第2雜質，回收循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，並再次供給至製造系統。
第4發明之循環氣體回收純化方法從廢氣中回收純化循環氣體，該廢氣係自如下所述之製造系統排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該雷射裝置排出之廢氣。
上述排出管線亦可為至少以大氣壓以上且第1壓力以下之第2壓力而排出廢氣之排出管線。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含下述複數個步驟內的1個或2個以上之步驟，即：雜質濃度偵測步驟，其對上述廢氣所流經之排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇步驟，其基於上述雜質濃度偵測步驟中測定之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜 質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；閥控制步驟，其控制閥之開閉，以於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往旁通管線；第1雜質去除步驟，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除步驟，其自上述第1雜質去除步驟中之上述第1雜質去除後之廢氣去除第2雜質。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：第1回收步驟，其將自上述排出管線分支地延伸之廢氣路徑中所配置之上述廢氣貯存於回收容器中；以及升壓步驟，其使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：第2回收步驟，其將於上述升壓步驟中經升壓之上述廢氣貯存於升壓容器中；以及廢氣流量調整步驟，其對自上述升壓容器送出之上述廢氣之流量進行調整。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體壓力調整步驟，其將經實施上述第2雜質去除步驟之處理之純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。又，於上述純化氣體壓力調整步驟之前，亦 可包含對自上述升壓容器送出之上述純化氣體之流量進行測定之純化氣體流量測定步驟、或對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整步驟。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體流量調整步驟，其對上述純化氣體之流量進行調整，該純化氣體係於上述純化氣體壓力調整步驟中經壓力調整、且被供給至上述製造系統之上述供給管線之上述純化氣體；或者純化氣體流量測定步驟，其對上述純化氣體之流量進行測定。
根據該構成，藉由具備回收容器而貯存廢氣且達到固定量後，可利用壓縮機使其升壓至第1壓力以上(較佳為超過第1壓力)之固定壓力後，使其貯存於升壓容器中，且藉由廢氣流量調整步驟而使固定流量之廢氣於後段之第1雜質去除步驟、第2雜質去除步驟中進行連續處理，因此可確保第1、第2雜質之去除處理性能，從而較佳地獲得第1惰性氣體及氖氣之純化氣體(循環氣體)。
並且，可於第2雜質去除步驟之後段使其調整為第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)，且藉由純化氣體流量調整步驟將固定流量之純化氣體送入供給管線，因此可精度良好地控制混合惰性氣體與純化氣體之混合。因而，可利用較習知簡單的構成而連接於半導體製造裝置等製造系統，自廢氣中分離第1、第2雜質，回收循環氣體(例如第1惰性氣體及氖)，並再次供給至製造系統。
於上述第4發明之循環氣體回收純化方法中，較佳為上述第2回收步驟將於上述升壓步驟之升壓處理之後經升壓之上述廢氣貯存於升 壓容器中。經升壓處理之廢氣被貯存於升壓容器為止之時間為5分鐘以內，較佳為3分鐘以內，更佳為1分鐘以內。
作為上述第3、第4發明之循環氣體回收純化方法之一實施形態，更包含：排出步驟，其將經過上述第2雜質去除步驟之純化氣體自通氣路徑排出至大氣中。
作為上述第3、第4發明之循環氣體回收純化方法之一實施形態，上述第1惰性氣體為氬(Ar)，進而含有氙(Xe)作為第2惰性氣體，於上述第1雜質去除步驟與上述第2雜質去除步驟之間，更包含：氙去除步驟，其去除上述氙；以及輔助惰性氣體供給步驟，其於上述純化氣體流量調整步驟後之純化氣體路徑中，供給氖與氙之輔助惰性氣體。
作為上述第3、第4發明之循環氣體回收純化方法之一實施形態，更包含：輔助惰性氣體壓力調整步驟，其將包含氖與氙之輔助惰性氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)；以及輔助惰性氣體流量調整步驟，其控制上述輔助惰性氣體之供給量。
作為上述第3、第4發明之循環氣體回收純化方法之一實施形態，於上述升壓步驟與上述廢氣流量調整步驟之間，更包含使上述廢氣之溫度下降之熱交換步驟。
1‧‧‧半導體製造系統
2‧‧‧循環氣體回收純化系統
10‧‧‧供給容器
14‧‧‧緩衝容器
21‧‧‧背壓閥
22‧‧‧回收容器
23‧‧‧壓縮機
24‧‧‧廢氣流量調整部
25‧‧‧升壓容器
26‧‧‧純化氣體流量調整部
61‧‧‧氧去除部
62‧‧‧氙去除部
63‧‧‧雜質去除部
200‧‧‧雜質去除裝置
210‧‧‧緩衝槽
211‧‧‧雜質濃度偵測部
L1‧‧‧供給管線
L2‧‧‧排出管線
L3、L4‧‧‧廢氣路徑
L5‧‧‧純化氣體路徑
L20‧‧‧放出管線
L30‧‧‧去除處理管線
L40‧‧‧旁通管線
圖1係表示實施形態1之製造系統及循環氣體回收純化系統之構成例之圖。
圖2係表示實施形態2之製造系統及循環氣體回收純化系統之構成例之圖。
(循環氣體回收純化系統)
使用圖1對實施形態1之循環氣體回收純化系統2進行說明。循環氣體回收純化系統2具備雜質去除裝置200，使該雜質去除裝置200配置於製造系統1之後段。本實施形態中，製造系統1具有準分子雷射振盪器，利用含有氙、氬且環境氣體為氖氣之混合惰性氣體。本實施形態中，作為混合惰性氣體，例如氖為主要成分，相對於總量而氙為5~50ppm、氬為3.0~4.0%(亦有時含有雜質)。本實施形態中，作為循環氣體而回收者為含有第1惰性氣體之主成分氖氣。
混合惰性氣體自供給容器10通過供給管線L1而以第1壓力供給至製造系統1之半導體製造裝置。於供給管線L1中，依序配置有供給閥11、閘閥11a(有無皆可)、混合惰性氣體流量調整部12、供給用閘閥13。混合惰性氣體流量調整部12具有氣體流量計與氣體流量調整閥，根據氣體流量計之測定值來調整閥，以控制氣體流量。製造系統側之控制部例如於僅將後述之純化氣體(循環氣體)供給至半導體製造裝置時，以關閉供給閥11及/或供給用閘閥11a之方式進行控制。第1壓力係根據製造系統1之規格而設定，例如為500KPa至700KPa。後述之純化氣體路徑L5較 混合惰性氣體流量調整部12及供給用閘閥13而連接於供給管線上游側，例如連接於混合惰性氣體流量調整部12與供給用閘閥11a之間。
又，用於供給鹵素之鹵素供給管線(未圖示)係以連接於供給管線L1之方式設置。又，於供給容器10內之混合惰性氣體之壓力大於第1壓力之情形時，利用配置於較混合惰性氣體流量調整部12靠上游側之混合惰性氣體減壓閥(未圖示)來將混合惰性氣體之壓力減壓至第1壓力。
自半導體製造裝置排出之廢氣係以大氣壓以上且上述第1壓力以下之第2壓力進行排出。該第2壓力亦是根據製造系統之規格而設定。作為第2壓力，例如為50~100KPa。所排出之廢氣中混入有雜質。作為雜質，例如可列舉氮、氧、一氧化碳、二氧化碳、水、CF4、He、CH4等。
廢氣係通過與半導體製造裝置連接之排出管線L2而排出。於排出管線L2中，配置有雜質去除裝置200與緩衝容器14，於緩衝容器14中以達到固定量之方式貯存廢氣。藉由設置緩衝容器14，可將特定容量之廢氣連續地送入後段之回收容器22。
(雜質去除裝置)
對雜質去除裝置200進行說明。
於排出管線L2中配置有緩衝槽210，於緩衝槽210中設有雜質濃度偵測部211。廢氣流入該緩衝槽210中，雜質濃度偵測部211對廢氣中之雜質濃度進行測定。廢氣係以氖為主成分，含有氬、氪，亦有時含有5%以下之氦、CF4、N2、其他雜質作為雜質。作為雜質濃度偵測部211，例如可使用氣相層析法、熱傳導式濃度感測器、半導體式濃度感測器等。
設有放出管線L20，其用於將廢氣自緩衝槽210放出至外部 氣體。放出管線L20由配管、外部氣體排出用通氣裝置、自動開閉閥221構成。
又，於緩衝槽210之下游，排出管線L2分支為去除處理管線L30與旁通管線L40。去除處理管線L30係用於自廢氣中去除雜質，且將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統2之管線。
去除處理管線L30包含自動開閉閥231、將廢氣中之雜質利用電漿分解而轉換為其他物質之無聲放電裝置232、使經無聲放電裝置232轉換之物質與金屬系反應劑發生反應而自廢氣中予以去除之集氣器233、及配管。
無聲放電裝置232將廢氣中之CF4分解為F2、其他氟化合物。然後，該等物質被導入集氣器233，與填充於集氣器233中之金屬系反應劑發生反應而吸附，藉此被去除。未被集氣器233吸附去除之雜質之一部分於循環氣體回收純化系統2內之雜質去除部中被去除。作為其他實施形態，亦可取代金屬系反應劑而使用氣體吸收系反應劑。
旁通管線L40係用於將廢氣不進行去除處理而直接送往連接於雜質去除裝置200後段之循環氣體回收純化系統2之管線。旁通管線L40係由自動開閉閥241與配管構成。
處理選擇部250基於由雜質濃度偵測部211所測定之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中的任一種，該第1處理係排出至外部氣體，該第2處理係執行去除處理，該第3處理係將廢氣送入連接於雜質去除裝置200後段之循環氣體回收純化系統2。
閥控制部251於藉由處理選擇部250之判斷而選擇了第1處理之情形時，進行關閉其他自動開閉閥231、241而打開自動開閉閥221之控制，使廢氣放出至放出管線L20。閥控制部251於藉由處理選擇部250之判斷而選擇了第2處理之情形時，進行關閉其他自動開閉閥221、241而打開自動開閉閥231之控制，將廢氣送往去除處理管線L30。閥控制部251於藉由處理選擇部250之判斷而選擇了第3處理之情形時，進行關閉其他自動開閉閥221、231而打開自動開閉閥241之控制，將廢氣送往旁通管線L40。於圖1中，處理選擇部250及閥控制部251構成雜質去除裝置200之一部分，但並不限於此，亦可構成為主控制部60之一部分。
於去除處理管線L30中設有流量測定部212。作為流量測定部212，可使用質量流量計。更換時期判斷部252基於流量測定部212之測定值與雜質濃度偵測部211之測定值而算出雜質之量，以求出集氣器233之金屬系反應劑之更換時期。所求出之更換時期可被輸出至輸入/輸出介面等，以告知給操作者。
又，作為其他實施形態，亦可於緩衝槽210下游之排出管線L2(且較去除處理管線L30與旁通管線L40之分支為上游之排出管線L2)中設置流量測定部212。於此情形時，可分別測定流入至去除處理管線L30與旁通管線L40之廢氣流量。
本實施形態中之處理選擇之判斷如下。
雜質濃度偵測部211測定廢氣中之CF4之濃度。於此情形時，當CF4之濃度為第1臨限值(例如100ppm)以上時，處理選擇部250選擇第1處理，當CF4之濃度較小於第1臨限值之第2臨限值(例如10ppm)為大 且未達第1臨限值時，處理選擇部250選擇第2處理，當CF4之濃度未達第2臨限值時，處理選擇部250選擇第3處理。
又，作為其他實施形態，雜質濃度偵測部211測定廢氣中之CF4、N2及He之濃度。於此情形時，當為下述(a)、(b)或(c)之情形時，處理選擇部250選擇第1處理：(a)He濃度為第3臨限值(例如1.0%)以上，(b)CF4或N2之任一者為上述第1臨限值(例如100ppm)以上，(c)He濃度未達第3臨限值，且CF4或N2之任一者為上述第2臨限值(例如10ppm)以上且未達第1臨限值未達，且濃度之大小關係為N2>(1/2)×CF4。
當為(d)He濃度未達第3臨限值，N2或CF4之濃度為上述第2臨限值以上且未達上述第1臨限值，且濃度之大小關係為N2<(1/2)×CF4之情形時，處理選擇部250選擇第2處理。
當為(e)He濃度未達第3臨限值，且N2或CF4之濃度未達上述第2臨限值之情形時，處理選擇部250選擇第3處理。
再者，並不限定於上述金屬系反應劑，亦可使用氣體吸收系反應劑來取代上述金屬系反應劑。
處理選擇部250、閥控制部251、更換時期判斷部252亦可為如下構成，即，具有CPU(或MPU)等硬體、電路、記憶韌體與軟體程式之記憶體等，並藉由與軟體之協動而進行動作之構成。
回到循環氣體回收純化系統2之說明。
於不自排出管線L2之緩衝容器14送往後段之回收容器22之情形時， 可預先關閉第1閘閥30，並打開配置於預備通氣路徑L21中之預備通氣閥15而將廢氣排出至大氣中。製造系統側之控制部141以如下方式進行控制，即，基於檢測配置於緩衝容器14中之貯存容量的偵測部之偵測而打開預備通氣閥15。
廢氣路徑L3於預備通氣閥15之上游側自排出管線L2分支。於廢氣路徑L3中，依序配置有第1閘閥30、背壓閥(背壓調節器)21、第2閘閥31、回收容器22。預先關閉預備通氣閥15，打開第1閘閥30、背壓閥(背壓調節器)21、第2閘閥31而使廢氣貯存於回收容器22中。閥控制部61控制第1閘閥30、背壓閥(背壓調節器)21、第2閘閥31之閥開閉。
於較回收容器22為下游側之廢氣路徑L3中，依序配置有壓縮機23、熱交換器50、第3閘閥32、廢氣流量調整部24。亦可較壓縮機23而於上游側設有安全閥51。再者，亦可取代廢氣流量調整部24而設置測定廢氣流量之氣體流量計。
壓縮機23使自回收容器22送出之廢氣之壓力升壓至第3壓力。第3壓力例如為較第1壓力高50KPa~150KPa左右之壓力。壓力控制部62基於裝入至壓縮機23中之壓力計、或配置於較壓縮機23靠下游之壓力計之測定值，來控制廢氣之壓力。
熱交換器50使廢氣之溫度下降至特定溫度。可使與經壓縮機23升壓一同上升之廢氣溫度(例如60~80℃)下降至特定溫度(例如15~35℃)，例如使廢氣溫度下降至適合於後段之各種去除部中之去除作用之溫度範圍。氣體溫度控制部63基於裝入至熱交換器50中之氣體溫度測 定器、或配置於較熱交換器50靠下游之氣體溫度測定器之測定值，來控制廢氣之溫度。閥控制部61控制第3閘閥32之閥開閉。
廢氣流量調整部24對被送入後段之氧去除部81之廢氣流量進行調整。廢氣流量調整部24具有氣體流量計與氣體流量調整閥，廢氣流量控制部64根據氣體流量計之測定值來調整氣體流量調整閥，以控制廢氣之流量。
於較廢氣流量調整部24為下游側之廢氣路徑L4中，依序配置有氧去除部81、氙去除部82、雜質去除部83。廢氣流量調整部24亦可僅執行測定廢氣流量之流量計之功能。
氧去除部81係自廢氣去除氧且填充有氧化錳反應劑之脫氧裝置。作為氧化錳反應劑，可列舉一氧化錳MnO等反應劑、二氧化錳MnO2之反應劑。於氧去除部81之上游側及下游側分別配置有入口閥33、出口閥34，且設有自入口閥33之上游側分支並於出口閥34之下游側與廢氣路徑L4匯流之第1旁通管線B1。於第1旁通管線B1中配置有第1旁通閥35。於不使用氧去除部81之情形時，關閉入口閥33及出口閥34，打開第1旁通管線B1。閥控制部61控制入口閥33、出口閥34、第1旁通閥35之閥開閉。
氙去除部82係去除氙且填充有活性碳之脫氙裝置。於氙去除部82之上游側及下游側分別配置有入口閥36、出口閥37，且設有自入口閥36之上游側分支並於出口閥37之下游側與廢氣路徑L4匯流之第2旁通管線B2。於第2旁通管線B2中配置有第2旁通閥38。於不使用氙去除部82之情形時，關閉入口閥36及出口閥37，打開第2旁通管線B2。閥控 制部61控制入口閥36、出口閥37、第2旁通閥38之閥開閉。
雜質去除部83係去除氧、氙以外之雜質(例如氮、一氧化碳、二氧化碳、水、CF4、CH4)且填充有化學吸附劑之集氣器。於雜質去除部83之上游側及下游側分別配置有入口閥39、出口閥40，且設有自入口閥39之上游側分支並於出口閥40之下游側與純化氣體路徑L5匯流之第3旁通管線B3。於第3旁通管線B3中配置有第3旁通閥41。於不使用雜質去除部83之情形時，關閉入口閥39及出口閥40，打開第3旁通管線B3。閥控制部61控制入口閥39、出口閥40、第3旁通閥41之閥開閉。
通過雜質去除部83之氣體係氧、氙、及雜質已被去除之純化氣體(含有第1惰性氣體之主成分氖氣)。純化氣體通過純化氣體路徑L5被供給至供給管線L1。於不送往後述之升壓容器25之情形時，可關閉第4閘閥42，而打開配置於純化氣體通氣路徑L51中之通氣閥43，以將純化氣體排出至大氣中。例如以如下方式進行控制，即，以閥控制部61基於檢測配置於升壓容器25中之貯存容量的偵測部之偵測，來關閉第4閘閥42，打開通氣閥43之方式。
於純化氣體路徑L5中，依序配置有第4閘閥42、升壓容器25、第5閘閥44、減壓閥52(相當於純化氣體壓力調整部)、純化氣體流量調整部26、第6閘閥45、第7閘閥46、循環氣體罐28、第9閘閥48。
升壓容器25貯存純化氣體。可使純化氣體貯存至特定量，將特定量之純化氣體統一送入供給管線L1。
壓力控制部65基於配置於純化氣體路徑L5下游側之壓力計或裝入至減壓閥52中之壓力計之測定值來控制減壓閥52，以控制純化氣 體之壓力。升壓容器25之純化氣體為第3壓力之氣體，因此必須減壓至與供給管線L1之供給氣體相同之壓力(第1壓力)。
純化氣體流量調整部26具有氣體流量計與氣體流量調整閥，純化氣體控制部66根據氣體流量計之測定值來調整氣體流量調整閥，以控制純化氣體之流量。藉此，可將送入至供給管線L1之純化氣體之供給量控制為固定。純化氣體流量調整部26亦可僅執行氣體流量計之功能。
設有與第6閘閥45下游側之純化氣體路徑L5匯流之輔助惰性氣體供給路徑L6。於輔助惰性氣體供給路徑L6中，依序配置有填充有氖與氙之輔助惰性氣體之輔助容器71、供給閥53、輔助惰性氣體減壓閥(相當於輔助惰性氣體壓力調整部)54、輔助惰性氣體流量調整部72、第8閘閥47。
輔助惰性氣體之主成分為氖，氙含量相對於總量為固定比(例如10%)。但於輔助惰性氣體中亦可含有微量之雜質。
壓力控制部65基於配置於輔助惰性氣體供給路徑L6下游側之壓力計、或裝入至減壓閥54中之壓力計之測定值，控制輔助惰性氣體減壓閥54，以控制輔助惰性氣體之壓力。於輔助容器71內之輔助惰性氣體之壓力大於第1壓力之情形時，被減壓至第1壓力。
上述輔助惰性氣體流量調整部72具有氣體流量計與氣體流量調整閥，純化氣體控制部66根據氣體流量計之測定值來調整氣體流量調整閥，以控制輔助惰性氣體之流量。純化氣體控制部66控制輔助惰性氣體之流量與純化氣體之流量，以成為與混合惰性氣體(氬、氙、氖)為相同摻合量之含氙氣體(主成分氖)。
本實施形態中，於純化氣體路徑L5中，設有貯存由純化氣體及輔助惰性氣體構成之循環氣體之循環氣體罐28、其入口側之第7閘閥46、及其出口側之第9閘閥48。純化氣體與輔助惰性氣體於循環氣體罐28內混合，並穩定為固定濃度。當向供給管線L1導入循環氣體時，藉由先儲存於罐中，從而可控制導入量。閥控制部61控制第7閘閥46與第9閘閥48等(根據需要，亦控制其他閥)之閥開閉。
再者，作為其他實施形態，純化氣體與輔助惰性氣體亦可於純化氣體路徑L5之配管內進行混合，並送入至供給管線L1。閥控制部61控制供給閥53、第8閘閥47之閥開閉。
又，亦可為省去循環氣體罐28之構成。
控制部60亦可為具有CPU(或MPU)等硬體、電路、記憶韌體與軟體程式之記憶體等，並藉由與軟體之協動進行動作之構成。控制部60具有符號61~66之各控制部之功能。
(實施形態2)
參照圖2說明實施形態2之循環氣體回收純化系統。與實施形態1相同之符號具有相同之功能，但於實施形態2中，為升壓容器25配置於壓縮機23後段之構成。實施形態2之雜質去除裝置200係與實施形態1同樣之構成。
升壓容器25配置於較壓縮機23靠廢氣路徑下游側之最近處，貯存經壓縮機23升壓之廢氣。廢氣流量調整部24配置於較升壓容器25靠廢氣路徑下游側，對被送往廢氣路徑下游之廢氣流量進行調整。減壓閥52配置於較雜質去除部83靠純化氣體路徑下游側，使自雜質去除部83 送出之純化氣體之壓力減壓至第1壓力。
(其他實施形態)
於實施形態1、2中，對含有氙之混合惰性氣體進行了說明，但並不限於此，於不含氙之混合惰性氣體(例如Ar-Ne氣體、Kr-Ne氣體)之廢氣之情形時，不需要氙去除部82、輔助惰性氣體路徑L6、輔助容器71、供給閥53、輔助惰性氣體減壓閥54、輔助惰性氣體流量調整部72、第8閘閥47，而使用第2旁通管線B2，藉由關閉第8閘閥47等，從而可構成為於純化處理時不發揮功能。
實施形態1、2中，係氙去除部82為一個之構成，但亦可為具有2個氙去除部，該等並聯配置，其中一者進行去除處理，而另一者進行再生處理之構成。
實施形態1、2中，具備熱交換器50，但亦可不具備熱交換器50。
實施形態1、2中，配置於供給管線L1中之混合惰性氣體流量調整部12、供給用閘閥13亦可構成第1惰性氣體及氖回收純化系統2之一部分。於此情形時，為控制部60控制混合惰性氣體流量調整部12、供給用閘閥13之構成。
實施形態1、2中，配置於排出管線L2中之緩衝容器14、預備通氣閥15亦可構成循環氣體回收純化系統2之一部分。於此情形時，為控制部60控制緩衝容器14、預備通氣閥15之構成。
實施形態1、2中，亦可為取代減壓閥52而僅有壓力計之構成。
實施形態1、2中，純化氣體流量調整部26亦可為氣體流量計。減壓閥52亦可較純化氣體流量調整部26或氣體流量計而設置於純化氣體路徑之下游側。
(循環氣體回收純化方法)
本實施形態係一種循環氣體回收純化方法，其從廢氣中回收純化第1惰性氣體及氖，該廢氣係自如下所述之製造系統排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少以大氣壓以上且該第1壓力以下之第2壓力而排出自該雷射裝置排出之廢氣。
第1循環氣體回收純化方法包含如下步驟：雜質濃度偵測步驟，其對上述廢氣所流經之排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇步驟，其基於上述雜質濃度偵測步驟中測定之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；閥控制步驟，其控制閥之開閉，以於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往旁通管線；第1雜質去除步驟，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除步驟，其自上述第1雜質去除步驟中之上述第1雜質去 除後之廢氣去除第2雜質。
上述循環氣體回收純化方法亦可更包含：第1回收步驟，其將自上述排出管線分支地延伸之廢氣路徑中所配置之上述廢氣貯存於回收容器中；升壓步驟，其使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力；以及廢氣流量調整步驟，其對在上述升壓步驟中經升壓之上述廢氣之流量進行調整。
上述循環氣體回收純化方法亦可更包含：第2回收步驟，其將經實施上述第1雜質去除步驟及第2雜質去除步驟之各處理的純化氣體貯存於升壓容器中。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體壓力調整步驟，其將自上述升壓容器送出之上述純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。又，於上述純化氣體壓力調整步驟之前，亦可包含純化氣體流量測定步驟、或對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整步驟，該純化氣體流量測定步驟為：對自上述升壓容器送出之上述純化氣體之流量進行測定。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體流量調整步驟，其對上述純化氣體之流量進行調整，該純化氣體係於上述純化氣體壓力調整步驟中經壓力調整且被供給至上述製造系統之上述供給管線之上述純化氣體；或者純化氣體流量測定步驟，其對上 述純化氣體之流量進行測定。
第2循環氣體回收純化方法包含：雜質濃度偵測步驟，其對上述廢氣所流經之排出管線之上述廢氣中之上述雜質濃度進行測定；處理選擇步驟，其基於上述雜質濃度偵測步驟中測定之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統；閥控制步驟，其控制閥之開閉，以於選擇了上述第1處理之情形時，將上述廢氣放出至放出管線，於選擇了上述第2處理之情形時，將上述廢氣送往去除處理管線，於選擇了上述第3處理之情形時，將上述廢氣送往旁通管線；第1雜質去除步驟，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除步驟，其自上述第1雜質去除步驟中之上述第1雜質去除後之廢氣去除第2雜質。
上述循環氣體回收純化方法亦可更包含：第1回收步驟，其將自上述排出管線分支地延伸之廢氣路徑中所配置之上述廢氣貯存於回收容器中；以及升壓步驟，其使自上述回收容器送出之上述廢氣之壓力升壓至第3壓力。
上述循環氣體回收純化方法亦可更包含：第2回收步驟，其將於上述升壓步驟中經升壓之上述廢氣貯存於升壓 容器中；以及廢氣流量調整步驟，其對自上述升壓容器送出之上述廢氣之流量進行調整。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體壓力調整步驟，其將經實施上述第2雜質去除步驟之處理之純化氣體之壓力調整為上述第1壓力(與該第1壓力相同之壓力、實質上相同之壓力、或更高之壓力)。又，於上述純化氣體壓力調整步驟之前，亦可包含對自上述升壓容器送出之上述純化氣體之流量進行測定之純化氣體流量測定步驟、或對上述純化氣體之流量進行調整之純化氣體流量調整步驟。
上述循環氣體回收純化方法亦可包含：純化氣體流量調整步驟，其對上述純化氣體之流量進行調整，該純化氣體係於上述純化氣體壓力調整步驟中經壓力調整且被供給至上述製造系統之上述供給管線之上述純化氣體；或者純化氣體流量測定步驟，其對上述純化氣體之流量進行測定。
作為上述實施形態，於上述升壓步驟與上述廢氣流量調整步驟之間，亦可更包含使上述廢氣之溫度下降之熱交換步驟。
作為上述實施形態，亦可更包含將經過上述第2雜質去除步驟之純化氣體自通氣路徑排出至大氣中之排出步驟。
作為上述實施形態，上述第1惰性氣體為氬(Ar)，進而含有氙(Xe)作為第2惰性氣體，於上述第1雜質去除步驟與上述第2雜質去除步驟之間，亦可更包含：氙去除步驟，其去除上述氙；以及輔助惰性 氣體供給步驟，其對上述純化氣體流量調整步驟後之純化氣體路徑供給氖與氙之輔助惰性氣體。
作為上述實施形態，亦可更包含：緩衝步驟，其配置於上述排出管線中，且將自上述製造系統以第2壓力排出之至少含有氧之廢氣貯存於緩衝容器中；以及預備通氣步驟，其將自上述緩衝容器送出之上述廢氣自預備通氣路徑排出至大氣中。
作為上述實施形態，亦可更包含：貯存步驟，其配置於上述供給管線中，且將上述混合惰性氣體貯存於供給容器中；減壓步驟，其配置於上述供給管線中，且將自上述供給容器送出之混合惰性氣體之壓力減壓至上述第1壓力；以及混合惰性氣體流量調整步驟，其配置於上述供給管線中，且對自上述供給容器送出之上述混合惰性氣體之流量進行調整。

Claims (7)

  1. 一種雜質去除裝置，其從廢氣中去除雜質，該廢氣係自準分子雷射裝置排出之至少含有氖及第1惰性氣體者，該雜質去除裝置具有：雜質濃度偵測部，其對通過上述廢氣之排出管線的上述廢氣中之上述雜質之濃度進行測定；轉換部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，將上述廢氣中之上述雜質藉由電漿分解而轉換為其他物質；以及去除部，其使經上述轉換部轉換之物質與特定反應劑發生反應而自上述廢氣中予以去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之雜質去除裝置，其更具有：放出管線，其用於基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果而將上述廢氣放出至外部氣體；及/或旁通管線，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。
  3. 如申請專利範圍第2項之雜質去除裝置，其更具有：處理選擇部，其基於由上述雜質濃度偵測部所測得之結果，選擇第1處理、第2處理及第3處理中之任一者，上述第1處理係排出至外部氣體，上述第2處理係執行去除處理，上述第3處理係將上述廢氣送入連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統，於由上述處理選擇部選擇了上述第1處理之情形時，利用上述放出管線而將上述廢氣放出至外部氣體，於由上述處理選擇部選擇了上述第2處理之情形時，藉由去除處 理管線中所設之上述轉換部及上述去除部，自上述廢氣中去除雜質，上述去除處理管線係用於將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統，於由上述處理選擇部選擇了上述第3處理之情形時，利用上述旁通管線，將上述廢氣送往連接於雜質去除裝置後段之循環氣體回收純化系統。
  4. 如申請專利範圍第1至3中任一項之雜質去除裝置，其更具備：流量測定部，其測定上述廢氣之流量；以及更換時期判斷部，其基於上述流量測定部之測定值與上述雜質濃度偵測部之測定值而算出上述雜質之量，以求出上述去除部中上述特定反應劑之更換時期。
  5. 如申請專利範圍第3項之雜質去除裝置，其中，於上述雜質濃度偵測部測定上述廢氣中之CF 4之濃度之情形時，於CF 4之濃度為第1臨限值以上之情形時，上述處理選擇部選擇上述第1處理，於CF 4之濃度大於較上述第1臨限值為小之第2臨限值且未達上述第1臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第2處理，於CF 4之濃度未達上述第2臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第3處理。
  6. 如申請專利範圍第3項之雜質去除裝置，其中，於上述雜質濃度偵測部測定上述廢氣中之CF 4、N 2及He之濃度之情形時，當為下述(a)、(b)或(c)之情形時，上述處理選擇部選擇 上述第1處理：(a)He濃度為第3臨限值以上，(b)CF 4或N 2之任一者為上述第1臨限值以上，(c)He濃度未達第3臨限值，CF 4或N 2之任一者為上述第2臨限值以上且未達上述第1臨限值，且濃度之大小關係為N 2>(1/2)×CF 4，當為(d)He濃度未達第3臨限值，N 2或CF 4之濃度為上述第2臨限值以上且未達上述第1臨限值，且濃度之大小關係為N 2<(1/2)×CF 4之情形時，上述處理選擇部選擇上述第2處理，當為(e)He濃度未達第3臨限值，且N 2或CF 4之濃度未達上述第2臨限值之情形時，上述處理選擇部選擇上述第3處理。
  7. 一種循環氣體回收純化系統，其從廢氣中回收純化循環氣體，該廢氣係自如下所述之製造系統排出者，該製造系統具有：供給管線，其以第1壓力供給至少含有氖與第1惰性氣體之混合惰性氣體；準分子雷射裝置，其利用該混合惰性氣體；以及排出管線，其至少排出自該準分子雷射裝置排出之廢氣，該循環氣體回收純化系統具備申請專利範圍第1至6項中任一項之雜質去除裝置，循環氣體回收純化系統更具有：第1雜質去除部，其自上述廢氣中去除第1雜質；以及第2雜質去除部，其配置於較上述第1雜質去除部要靠廢氣路徑下游側，自上述第1雜質去除後之廢氣中去除第2雜質。
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