TW201817161A - 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 - Google Patents
具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201817161A TW201817161A TW105133460A TW105133460A TW201817161A TW 201817161 A TW201817161 A TW 201817161A TW 105133460 A TW105133460 A TW 105133460A TW 105133460 A TW105133460 A TW 105133460A TW 201817161 A TW201817161 A TW 201817161A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- edge
- region
- adjustment structure
- quality adjustment
- mass
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/583—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques comprising a plurality of piezoelectric layers acoustically coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/588—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
一種具有質量調整結構之體聲波共振器，包括：一支撐層、一底金屬層、一壓電層、一頂金屬層以及一質量調整結構。其中支撐層係形成於一基板之上，支撐層具有一空腔，空腔具有一頂部內表面；底金屬層係形成於支撐層之上；壓電層係形成於底金屬層之上；頂金屬層係形成於壓電層之上；其中一聲波共振區域係由頂金屬層、壓電層、底金屬層、支撐層以及空腔之投影之一重疊區域所定義，聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域；其中質量調整結構包括一邊緣質量調整結構，邊緣質量調整結構係形成於頂部內表面上邊緣區域之內。
Description
本發明係有關一種具有質量調整結構之體聲波共振器，係具有增強體聲波共振器之共振膜之機械強度、增強體聲波共振器之品質因子、並可抑制寄生模態等優點。
請參閱第10圖，其係為習知技術之一體聲波共振器之一具體實施例。包括：一基板90、一底電極91、一壓電層92、一頂電極93、一空腔94以及一環狀壓電層凹槽95。其中底電極91係形成於基板90之上；壓電層92係形成於底電極91之上；頂電極93係形成於壓電層92之上；空腔94係形成於底電極91之下基板90之上。其中頂電極93、壓電層92以及底電極91重疊之部分係為體聲波共振器之共振膜。其中，沿著體聲波共振器之共振膜之周邊圍繞一圈將壓電層92之材料移除，而形成環狀壓電層凹槽95。藉由環狀壓電層凹槽95之形成，使得體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變。由於體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變，當入射波於體聲波共振器之共振膜之周邊反射時，反射波與入射波之比例會有所改變。藉由設計 適當之寬度、深度之環狀壓電層凹槽95，可以調整反射波與入射波之比例，進而增強體聲波共振器之品質因子(Q Factor)。
由於體聲波共振器之共振膜之寬度通常遠大於空腔94之深度，因此在體聲波共振器之共振膜係由頂電極93、壓電層92以及底電極91所構成之情況下，尤其是金屬所構成之頂電極93以及底電極91，使得體聲波共振器之共振膜受到應力影響時較易向下彎曲，因而有可能使底電極91之底部接觸到基板90，影響到體聲波共振器之特性。移除壓電層92之材料以形成環狀壓電層凹槽95，會影響到體聲波共振器之共振膜之機械結構強度，使得體聲波共振器之共振膜受到應力影響時更易向下彎曲，此外體聲波共振器之共振膜之機械強度不足，甚至可能會造成體聲波共振器之共振膜塌陷。
由於聲波係在體聲波共振器之共振膜內傳導共振，因此，體聲波共振器之共振膜之頂電極93、壓電層92以及底電極91之整體平整度良好與否將直接影響到體聲波共振器之共振特性。在另一習知技術之體聲波共振器之實施例中，係於底電極91之上表面之邊緣形成一凸起結構，藉由此凸起結構使得體聲波共振器之共振膜之周邊之邊界條件改變，進而使得反射波與入射波之比例改變。藉由設計適當之此凸起結構之尺寸，可以調整反射波與入射波之比例，進而增強體聲波共振器之品質因子。然而，將此凸起結構形成於底電極91之上表面之邊緣，在製程當中，會使得壓電層92之平整度變差，進而影響到體聲波共振器之共振膜整體之平整度，因此聲波在體聲波共振器之共振膜內傳導之特性會受到影響，使得體聲波共振器之共振特性受到不利之影響。
有鑑於此，發明人開發出更佳之設計，能夠避免上述的缺點，以兼顧使用彈性與經濟性等考量，因此遂有本發明之產生。
本發明所欲解決之技術問題在於能增強體聲波共振器之共振膜之機械結構強度，避免影響到聲波共振器之共振膜之整體平整度，並同時增強體聲波共振器之品質因子。
為解決前述問題，以達到所預期之功效，本發明提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器，包括：一支撐層、一底金屬層、一壓電層、一頂金屬層以及一質量調整結構。其中支撐層係形成於一基板之上，其中支撐層具有一空腔，空腔具有一頂部內表面；底金屬層係形成於支撐層之上；壓電層係形成於底金屬層之上；頂金屬層係形成於壓電層之上；其中一聲波共振區域係由頂金屬層、壓電層、底金屬層、支撐層以及空腔之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域；其中質量調整結構包括一邊緣質量調整結構，邊緣質量調整結構係形成於頂部內表面上邊緣區域之內。其中邊緣質量調整結構具有一厚度以及一寬度。藉由質量調整結構(包括邊緣質量調整結構)，使得體聲波共振器之聲波共振區域內之頂金屬層、壓電層以及底金屬層所形成之一聲波共振膜之周邊之邊界條件改變。當入射波於聲波共振膜之周邊反射時，由於聲波共振膜之周邊之邊界條件之改變，使得反射波與入射波之比例產生改變。藉由設計調整質量調整結構之尺寸(如設計調整邊緣質量調整結構之厚度或寬度)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效 地增強體聲波共振器之品質因子，並可同時抑制寄生模態(Spurious Mode)。此外，支撐層係可有效增強體聲波共振器之機械結構強度，以避免於受到應力影響時體聲波共振器向下彎曲而接觸到基板，影響到體聲波共振器之特性，此外增強了體聲波共振器之聲波共振膜之機械強度，可避免體聲波共振器之聲波共振膜塌陷。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；且其中邊緣質量調整結構之一厚度係不等於中央質量調整結構之一厚度。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；且其中邊緣質量調整結構包含一第一邊緣質量調整次結構，第一邊緣質量調整次結構係形成於第一邊緣次區域之內。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中邊緣質量調整結構更包含一第二邊緣質量調整次結構，其中第二邊緣質量調整次結構係形成於第二邊緣次區域之內；其中第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於第一邊緣質量調整次結構之一厚度；且其中第二邊緣質量調整次結構之厚度係不等於中央質量調整結構之一厚度。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中邊緣質量調整結構包含一第二邊緣質量調整次結構；其中邊緣區域係 劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；且其中第二邊緣質量調整次結構係形成於第二邊緣次區域之內。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；且其中第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於中央質量調整結構之一厚度。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中邊緣質量調整結構更包含一第一邊緣質量調整次結構，其中第一邊緣質量調整次結構係形成於第一邊緣次區域之內；且其中第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於第一邊緣質量調整次結構之一厚度。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該質量調整結構係由一金屬材料、一絕緣體材料或一半導體材料所構成。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)以及釕(Ru)；絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽(Silicon Oxide)、氮化矽(Silicon Nitride)、氮化鋁(Aluminum Nitride)、以及高分子聚合物(polymer)；半導體材料係包括選自以下群組之至少一者：砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(InGaP)、砷化銦鎵(InGaAs)以及磷化銦(InP)。
於一實施例中，前述之具有質量調整結構之體聲波共振器， 其中構成支撐層之材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物。
此外，本發明更提供一種體聲波濾波器，包括複數個體聲波共振器。其中前述複數個體聲波共振器係形成於一基板之上，其中前述複數個體聲波共振器之每一者包括：一支撐層、一底金屬層、一壓電層以及一頂金屬層。其中支撐層係形成於基板之上，其中支撐層具有一空腔，空腔具有一頂部內表面；底金屬層係形成於支撐層之上；壓電層係形成於底金屬層之上；頂金屬層係形成於壓電層之上；其中一聲波共振區域係由頂金屬層、壓電層、底金屬層、支撐層以及空腔之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域。其中前述複數個體聲波共振器中之至少兩者係分別具有一質量調整結構，其中質量調整結構具有以下幾何構形之其中之一：幾何構形1：質量調整結構包括一邊緣質量調整結構，其中邊緣質量調整結構係形成於頂部內表面上邊緣區域之內；且其中邊緣質量調整結構具有一厚度以及一寬度；幾何構形2：質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一邊緣質量調整結構；其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；邊緣質量調整結構係形成於頂部內表面上邊緣區域之內；其中中央質量調整結構具有一厚度；其中邊緣質量調整結構具有一厚度以及一寬度；且其中邊緣質量調整結構之厚度係不等於中央質量調整結構之厚度；幾何構形3：質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一第一邊緣質量調整次結構；其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域 以及第一邊緣次區域之間；其中第一邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第一邊緣次區域之內；其中第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；且其中中央質量調整結構具有一厚度；幾何構形4：質量調整結構包括一中央質量調整結構、一第一邊緣質量調整次結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；其中第一邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第一邊緣次區域之內；第二邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第二邊緣次區域之內；其中第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中中央質量調整結構具有一厚度；其中第二邊緣質量調整次結構之厚度係不等於第一邊緣質量調整次結構之厚度；且其中第二邊緣質量調整次結構之厚度係不等於中央質量調整結構之厚度；幾何構形5：質量調整結構包括一第二邊緣質量調整次結構；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；其中第二邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第二邊緣次區域之內；且其中第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；幾何構形6：質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中中央質量調整結構係形成於頂部內表面上中央區域之內；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；其中第二邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表 面上第二邊緣次區域之內；其中第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中中央質量調整結構具有一厚度；且其中第二邊緣質量調整次結構之厚度係不等於中央質量調整結構之厚度；以及幾何構形7：質量調整結構包括一第一邊緣質量調整次結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間；其中第一邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第一邊緣次區域之內；其中第二邊緣質量調整次結構係形成於頂部內表面上第二邊緣次區域之內；其中第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；且其中第二邊緣質量調整次結構之厚度係不等於第一邊緣質量調整次結構之厚度。其中前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器中之至少兩者，其所具有之質量調整結構係具有非全同之幾何構形。一般而言，體聲波濾波器包括兩種體聲波共振器，第一種為一具有較高頻率之串聯體聲波共振器；第二種為一具有較低頻率之並聯體聲波共振器。由於質量調整結構會使得體聲波共振器之聲波共振膜之周邊之邊界條件改變，進而影響到反射波與入射波之比例。因此，不同形狀設計之質量調整結構，或是相同形狀設計但尺寸不同之質量調整結構，會使得聲波共振膜之周邊之邊界條件之改變有所不同，進而使得反射波與入射波之比例之改變也不同。故，可藉由分別設計調整體聲波濾波器之至少有兩個前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器(其所具有之質量調整結構係具有非全同之幾何構形)，藉由其所具有之非全同之幾何構形之質量調整結構，來分別調整體聲波濾波器之具有不同頻率之兩種體聲波共振器(包 括具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器)，使得體聲波濾波器之具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器皆可分別有效地增強其體聲波共振器之品質因子，並可同時抑制寄生模態。
於一實施例中，前述之體聲波濾波器，其中前述質量調整結構之每一者係由一金屬材料、一絕緣體材料或一半導體材料所構成。
於一實施例中，前述之體聲波濾波器，其中金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦、鉬、鉑、鋁、金、鎢以及釕；絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物；半導體材料係包括選自以下群組之至少一者：砷化鎵、磷化銦鎵、磷化銦鎵以及磷化銦。
於一實施例中，前述之體聲波濾波器，其中構成支撐層之材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物。
為進一步了解本發明，以下舉較佳之實施例，配合圖式、圖號，將本發明之具體構成內容及其所達成的功效詳細說明如下。
1、1’‧‧‧體聲波共振器
10‧‧‧基板
20‧‧‧支撐層
22、22’‧‧‧空腔之頂部內表面
30、30’‧‧‧底金屬層
40、40’‧‧‧壓電層
50、50’‧‧‧頂金屬層
60、60’‧‧‧空腔
7、7’‧‧‧聲波共振區域
70、70’‧‧‧中央區域
71、71’‧‧‧邊緣區域
711‧‧‧第一邊緣次區域
712‧‧‧第二邊緣次區域
8、8’‧‧‧質量調整結構
80、80’‧‧‧中央質量調整結構
81、81’‧‧‧邊緣質量調整結構
811‧‧‧第一邊緣質量調整次結構
812‧‧‧第二邊緣質量調整次結構812
90‧‧‧基板
91‧‧‧底電極
92‧‧‧壓電層
93‧‧‧頂電極
94‧‧‧空腔
95‧‧‧環狀壓電層凹槽
D1、D1’‧‧‧邊緣質量調整結構之寬度
D11‧‧‧第一邊緣質量調整次結構之寬度
D12‧‧‧第二邊緣質量調整次結構之寬度
T0、T0’‧‧‧中央質量調整結構之厚度
T1、T1’‧‧‧邊緣質量調整結構之厚度
T11‧‧‧第一邊緣質量調整次結構之厚度
T12‧‧‧第二邊緣質量調整次結構之厚度
第1圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形1)之體聲波共振器之一具體實施例。
第2圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形2)之體聲波共 振器之另一具體實施例。
第3圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形3)之體聲波共振器之又一具體實施例。
第4圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形4)之體聲波共振器之再一具體實施例。
第5圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形5)之體聲波共振器之另一具體實施例。
第6圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形6)之體聲波共振器之又一具體實施例。
第7圖係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形7)之體聲波共振器之再一具體實施例。
第8圖、第9圖係為本發明之一種體聲波濾波器之具體實施例。
第10圖係為習知技術之一體聲波共振器之一具體實施例。
本發明提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器，包括：一支撐層、一底金屬層、一壓電層、一頂金屬層以及一質量調整結構。其中支撐層係形成於基板之上，其中支撐層具有一空腔，空腔具有一頂部內表面；底金屬層係形成於支撐層之上；壓電層係形成於底金屬層之上；頂金屬層係形成於壓電層之上。其中一聲波共振區域係由頂金屬層、壓電層、底金屬層、支撐層以及空腔之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域。其中邊緣區域係被劃分為一第一 邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，第二邊緣次區域係介於中央區域以及第一邊緣次區域之間。其中質量調整結構係形成於頂部內表面上且形成於(1)邊緣區域之內、(2)邊緣區域之內以及中央區域之內、(3)第一邊緣次區域之內以及中央區域之內、(4)第一邊緣次區域之內、第二邊緣次區域之內以及中央區域之內、(5)第二邊緣次區域之內、(6)第二邊緣次區域之內以及中央區域之內、或(7)第一邊緣次區域之內以及第二邊緣次區域之內。由於本發明之質量調整結構係形成於空腔之頂部內表面上(係與支撐層相連接)，並不會影響到體聲波共振器之頂金屬層、壓電層以及底金屬層之整體平整度。且其中，本發明之設計係可在將底金屬層係形成於支撐層之上之前，先對支撐層之上表面進行一化學機械拋光(CPM：Chemical Mechanical Polishing)程序，藉此可提高支撐層之上表面之平整度，並同時提高體聲波共振器之頂金屬層、壓電層以及底金屬層之整體平整度，進而提高體聲波共振器之共振特性。
請參閱第1圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形1)之體聲波共振器之一具體實施例。一體聲波共振器1係形成於一基板10之上，體聲波共振器1包括：一支撐層20、一底金屬層30、一壓電層40、一頂金屬層50以及一質量調整結構8。其中支撐層20係形成於基板10之上，其中支撐層20具有一空腔60，空腔60具有一頂部內表面22；底金屬層30係形成於支撐層20之上；壓電層40係形成於底金屬層30之上；頂金屬層50係形成於壓電層40之上。其中一聲波共振區域7係由頂金屬層50、壓電層40、底金屬層30、支撐層20以及空腔60之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域7係劃分為一邊緣區域71以及一中央區域70。其中本實施例之質量調 整結構8具有一幾何構形1。幾何構形1：質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81；其中邊緣質量調整結構81係形成於頂部內表面22上邊緣區域71之內；其中邊緣質量調整結構81具有一厚度T1以及一寬度D1。藉由質量調整結構8，使得體聲波共振器1之聲波共振區域7內之頂金屬層50、壓電層40以及底金屬層30所形成之一聲波共振膜之周邊之邊界條件改變。當入射波於聲波共振膜之周邊反射時，由於聲波共振膜之周邊之邊界條件之改變，使得反射波與入射波之比例產生改變。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整邊緣質量調整結構81之厚度T1或寬度D1)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。此外，支撐層20係可有效增強體聲波共振器1之機械結構強度，以避免於受到應力影響時體聲波共振器1向下彎曲而接觸到基板10，影響到體聲波共振器1之特性，此外增強了體聲波共振器1之聲波共振膜之機械強度，可避免體聲波共振器1之聲波共振膜塌陷。
在一些實施例中，質量調整結構8係可由金屬材料、絕緣體材料或半導體材料所構成；其中金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦(Ti)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、鎢(W)以及釕(Ru)；其中絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽(Silicon Oxide)、氮化矽(Silicon Nitride)、氮化鋁(Aluminum Nitride)以及高分子聚合物(Polymer)，其中高分子聚合物材料係可包括苯并環丁烷(BCB：Benzo Cyclobutane)；其中半導體材料係包括選自以下群組之至少一者：砷化鎵(GaAs)、磷化銦鎵(InGaP)、砷化銦鎵(InGaAs)以及磷化銦(InP)。
在一些實施例中，質量調整結構8係包含前述之材料之組 合，例如，包含了前述之金屬材料以及前述之絕緣體材料之組合。例如，在一實施例中之第一邊緣質量調整次結構811係由前述之金屬材料所構成，而其中央質量調整結構80係由前述之絕緣體材料。又例如，另一實施例中之邊緣質量調整結構81係由前述之金屬材料以及前述之絕緣體材料之層疊而成。
在本發明之實施例中，底金屬層30之材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦、鉬、鉑、鋁、金、鎢以及釕；頂金屬層50之材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦、鉬、鉑、鋁、金、鎢以及釕；壓電層40之材料係包括選自以下群組之至少一者：氮化鋁以及氧化鋅(Zinc Oxide)。在本發明之實施例中，支撐層20之材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物；其中高分子聚合物材料係可包括苯并環丁烷。
請參閱第2圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形2)之體聲波共振器之另一具體實施例。此實施例之主要結構係與第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形2。幾何構形2：質量調整結構8包括：一中央質量調整結構80以及一邊緣質量調整結構81。其中中央質量調整結構80係形成於空腔60之頂部內表面22上中央區域70之內。其中邊緣質量調整結構81係形成於空腔60之頂部內表面22上邊緣區域71之內。其中中央質量調整結構80具有一厚度T0。其中邊緣質量調整結構81具有一厚度T1及一寬度D1。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整邊緣質量調整結構81之厚度T1或寬度D1、或中央質量調整結構80之厚度T0)，係可調整適當之反射波與入 射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。在本實施例中，邊緣質量調整結構81之厚度T1係大於中央質量調整結構80之厚度T0。在另一實施例中，邊緣質量調整結構81之厚度T1係小於中央質量調整結構80之厚度T0。在又一實施例中，邊緣質量調整結構81之厚度T1係不等於中央質量調整結構80之厚度T0。
請參閱第3圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形3)之體聲波共振器之又一具體實施例。此實施例之主要結構係與第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形3。幾何構形3：質量調整結構8包括：一中央質量調整結構80以及一第一邊緣質量調整次結構811。其中中央質量調整結構80係形成於空腔60之頂部內表面22上中央區域70之內。其中邊緣區域71係被劃分為一第一邊緣次區域711以及一第二邊緣次區域712，第二邊緣次區域712係介於中央區域70以及第一邊緣次區域711之間。其中第一邊緣質量調整次結構811係形成於空腔60之頂部內表面22上第一邊緣次區域711之內。且其中並無質量調整結構8形成於第二邊緣次區域712之內，亦即第3圖之實施例中之第一邊緣質量調整次結構811係為第1圖之實施例當中之邊緣質量調整結構81之一部分。其中第一邊緣質量調整次結構811具有一厚度T11以及一寬度D11。中央質量調整結構80具有一厚度T0。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11或寬度D11、或中央質量調整結構80之厚度T0)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。在本實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11係大於中央質 量調整結構80之厚度T0。在另一實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11係小於中央質量調整結構80之厚度T0。在又一實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11係等於中央質量調整結構80之厚度T0。
請參閱第4圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形4)之體聲波共振器之再一具體實施例。此實施例之主要結構係與第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形4。幾何構形4：質量調整結構8包括一中央質量調整結構80、一第一邊緣質量調整次結構811以及一第二邊緣質量調整次結構812。其中中央質量調整結構80係形成於空腔60之頂部內表面22上中央區域70之內。其中邊緣區域71係被劃分為一第一邊緣次區域711以及一第二邊緣次區域712，第二邊緣次區域712係介於中央區域70以及第一邊緣次區域711之間。其中第一邊緣質量調整次結構811係形成於空腔60之頂部內表面22上第一邊緣次區域711之內。第二邊緣質量調整次結構812係形成於空腔60之頂部內表面22上第二邊緣次區域712之內。其中第一邊緣質量調整次結構811具有一厚度T11以及一寬度D11。第二邊緣質量調整次結構812具有一厚度T12以及一寬度D12。中央質量調整結構80具有一厚度T0。其中第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係不等於第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11；且第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係不等於中央質量調整結構80之厚度T0。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11或寬度D11、或第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12或寬度D12、或中央質量調整結構80之厚度T0)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同 時抑制寄生模態。在本實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11、第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12以及中央質量調整結構80之厚度T0之間之關係為T11>T0>T12。在其他之實施例中，其中有關T11、T12、T0之限制條件係為：T12不等於T11(亦即，T12係可大於或小於T11)，且T12不等於T0(亦即，T12係可大於或小於T0)；而T11與T0之關係並無限制，亦即，T11係可大於、等於或小於T0。
請參閱第5圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形5)之體聲波共振器之另一具體實施例。此實施例之主要結構係與第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形5。幾何構形5：質量調整結構8包括一第二邊緣質量調整次結構812。其中邊緣區域71係被劃分為一第一邊緣次區域711以及一第二邊緣次區域712，第二邊緣次區域712係介於中央區域70以及第一邊緣次區域711之間。其中第二邊緣質量調整次結構812係形成於空腔60之頂部內表面22上第二邊緣次區域712之內。且其中並無質量調整結構8形成於第一邊緣次區域711之內，亦即第5圖之實施例中之第二邊緣質量調整次結構812係為第1圖之實施例當中之邊緣質量調整結構81之一部分。其中第二邊緣質量調整次結構812具有一厚度T12以及一寬度D12。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12或寬度D12)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。
請參閱第6圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形6)之體聲波共振器之又一具體實施例。此實施例之主要結構係與 第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形6。幾何構形6：質量調整結構8包括一中央質量調整結構80以及一第二邊緣質量調整次結構812。中央質量調整結構80係形成於空腔60之頂部內表面22上中央區域70之內。其中邊緣區域71係被劃分為一第一邊緣次區域711以及一第二邊緣次區域712，第二邊緣次區域712係介於中央區域70以及第一邊緣次區域711之間。第二邊緣質量調整次結構812係形成於空腔60之頂部內表面22上第二邊緣次區域812之內。且其中並無質量調整結構8形成於第一邊緣次區域711之內，亦即第6圖之實施例中之第二邊緣質量調整次結構812係為第1圖之實施例當中之邊緣質量調整結構81之一部分。其中第二邊緣質量調整次結構812具有一厚度T12以及一寬度D12。中央質量調整結構80具有一厚度T0。其中第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係不等於中央質量調整結構80之厚度T0。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12或寬度D12、或中央質量調整結構80之厚度T0)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。在本實施例中，第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係大於中央質量調整結構80之厚度T0。在另一實施例中，第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係小於中央質量調整結構80之厚度T0。
請參閱第7圖，其係為本發明之一種具有質量調整結構(幾何構形7)之體聲波共振器之再一具體實施例。此實施例之主要結構係與第1圖所示之實施例大致相同，惟，其中本實施例之質量調整結構8具有一幾何構形7。幾何構形7：質量調整結構8包括一第一邊緣質量調整次結構 811以及一第二邊緣質量調整次結構812。其中邊緣區域71係被劃分為一第一邊緣次區域711以及一第二邊緣次區域712，第二邊緣次區域712係介於中央區域70以及第一邊緣次區域711之間。其中第一邊緣質量調整次結構811係形成於空腔60之頂部內表面22上第一邊緣次區域711之內。第二邊緣質量調整次結構812係形成於空腔60之頂部內表面22上第二邊緣次區域712之內。其中第一邊緣質量調整次結構811具有一厚度T11以及一寬度D11。第二邊緣質量調整次結構812具有一厚度T12以及一寬度D12。其中第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12係不等於第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11。藉由設計調整質量調整結構8之尺寸(於本實施例中，如，設計調整第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11或寬度D11、或第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12或寬度D12)，係可調整適當之反射波與入射波之比例，進而有效地增強體聲波共振器1之品質因子，並可同時抑制寄生模態。在本實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11係大於第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12。在另一實施例中，第一邊緣質量調整次結構811之厚度T11係小於第二邊緣質量調整次結構812之厚度T12。
本發明更提供一種體聲波濾波器包括複數個體聲波共振器，係形成於一基板之上。其中前述複數個體聲波共振器中之每一個體聲波共振器包括如第1圖所示之結構中之一支撐層20、一底金屬層30、一壓電層40以及一頂金屬層50。其中支撐層20係形成於基板10之上，其中支撐層20具有一空腔60，空腔60具有一頂部內表面22；底金屬層30係形成於支撐層20之上；壓電層40係形成於底金屬層30之上；頂金屬層50係形成於壓電層40之上。其中一聲波共振區域7係由頂金屬層50、壓電層40、底金屬層30、支 撐層20以及空腔60之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域7係劃分為一邊緣區域71以及一中央區域70。其中在前述複數個體聲波共振器中之至少兩者具有一質量調整結構8，且其所具有之質量調整結構8係可具有幾何構形1~幾何構形7之其中之任一幾何構形(如第1圖~第7圖中所示之質量調整結構8)。且其中前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器1中之至少兩者，其所具有之質量調整結構8係分別具有非全同之幾何構形。在此，所謂非全同之幾何構形包括兩種類型：第一種類型：前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器1中之至少兩者，其所具有之質量調整結構8係分別具有不同之幾何構形(例如第8圖之實施例，其中一個具有幾何構形1，另一個具有幾何構形2，稍後將於第8圖之實施例中做詳細說明)；第二種類型：前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器1中之至少兩者，其所具有之質量調整結構8係具有相同之幾何構形，且至少部分尺寸並不相同(例如第9圖之實施例，兩者皆具有幾何構形1，然而邊緣質量調整結構81之厚度T1或寬度D1並不相同，稍後將於第9圖之實施例中做詳細說明)。一般而言，體聲波濾波器包括兩種體聲波共振器，第一種為一具有較高頻率之串聯體聲波共振器；第二種為一具有較低頻率之並聯體聲波共振器。由於質量調整結構會使得體聲波共振器之聲波共振膜之周邊之邊界條件改變，進而影響到反射波與入射波之比例。因此，不同形狀設計之質量調整結構，或是相同形狀設計但尺寸不同之質量調整結構，會使得聲波共振膜之周邊之邊界條件之改變有所不同，進而使得反射波與入射波之比例之改變也不同。故，可藉由分別設計調整體聲波濾波器之至少兩個前述至少兩個具有質量調整結構之體聲波共振器(其所具有之質量調整結構係具 有非全同之幾何構形)，藉由其所具有之非全同之幾何構形之質量調整結構，來分別調整具有不同頻率之兩種體聲波共振器(包括具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器)，使得體聲波濾波器之具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器皆可分別有效地增強其體聲波共振器之品質因子，並可同時抑制寄生模態。
請參閱第8圖，其係為本發明之一種體聲波濾波器之一具體實施例。第8圖之實施例顯示兩個本發明之一種具有質量調整結構之體聲波共振器，其所具有之質量調整結構係分別具有不同之幾何構形(亦即第一種類型之非全同之幾何構形)。其中包括一體聲波共振器1以及一體聲波共振器1’，其中體聲波共振器1以及體聲波共振器1’係形成於同一基板20之上。在此實施例中，體聲波共振器1係可為具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器之其中之一，而體聲波共振器1’則為其中之另一。其中體聲波共振器1之結構係與第1圖所示之實施例相同，包括：一支撐層20、一底金屬層30、一壓電層40、一頂金屬層50、一空腔60以及一質量調整結構8。其中支撐層20係形成於基板10之上；底金屬層30係形成於支撐層20之上；壓電層40係形成於底金屬層30之上；頂金屬層50係形成於壓電層40之上。其中空腔60係形成於支撐層20之下。其中一聲波共振區域7係由頂金屬層50、壓電層40、底金屬層30、支撐層20以及空腔60之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域7係劃分為一邊緣區域71以及一中央區域70。其中質量調整結構8具有一幾何構形1，質量調整結構8包括一邊緣質量調整結構81；其中邊緣質量調整結構81係形成於空腔60之一頂部 內表面22上邊緣區域71之內；其中邊緣質量調整結構81具有一厚度T1及一寬度D1。其中體聲波共振器1’之結構係與第2圖所示之實施例相同，包括：支撐層20、一底金屬層30’、一壓電層40’、一頂金屬層50’、一空腔60’以及一質量調整結構8’。其中支撐層20係形成於基板10之上；底金屬層30’係形成於支撐層20之上；壓電層40’係形成於底金屬層30’之上；頂金屬層50’係形成於壓電層40’之上。其中空腔60’係形成於支撐層20之下。其中一聲波共振區域7’係由頂金屬層50’、壓電層40’、底金屬層30’、支撐層20以及空腔60’之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域7’係劃分為一邊緣區域71’以及一中央區域70’。其中質量調整結構8’具有一幾何構形2，質量調整結構8’包括一中央質量調整結構80’以及一邊緣質量調整結構81’。其中中央質量調整結構80’係形成於空腔60’之一頂部內表面22’上中央區域70’之內；其中中央質量調整結構80’具有一厚度T0’。其中邊緣質量調整結構81’係形成於空腔60’之頂部內表面22’上邊緣區域71’之內；其中邊緣質量調整結構81’具有一厚度T1’及一寬度D1’。其中質量調整結構8以及質量調整結構8’係分別具有不同之幾何構形，係為第一種類型之非全同之幾何構形。在一些實施例中，只要體聲波濾波器所包括之體聲波共振器當中，有兩個體聲波共振器之質量調整結構係分別具有不同之幾何構形，即屬於第一種類型之非全同之幾何構形。
請參閱第9圖，其係為本發明之一種體聲波濾波器之另一具體實施例。第9圖之實施例顯示兩個本發明之一種具有質量調整結構之體聲波共振器，其所具有之質量調整結構係具有相同之幾何構形，且至少有部分尺寸並不相同(亦即第二種類型之非全同之幾何構形)。第9圖之實施例 之主要結構係與第8圖所示之實施例大致相同，惟，其中一體聲波共振器1’之結構係與第1圖所示之實施例相同。在此實施例中，體聲波共振器1係可為具有較高頻率之串聯體聲波共振器以及具有較低頻率之並聯體聲波共振器之其中之一，而體聲波共振器1’則為其中之另一。其中體聲波共振器1’係形成於同一基板20之上，包括：一支撐層20、一底金屬層30’、一壓電層40’、一頂金屬層50’、一空腔60’以及一質量調整結構8’。其中支撐層20係形成於基板10之上；底金屬層30’係形成於支撐層20之上；壓電層40’係形成於底金屬層30’之上；頂金屬層50’係形成於壓電層40’之上。其中空腔60’係形成於支撐層20之下。其中一聲波共振區域7’係由頂金屬層50’、壓電層40’、底金屬層30’、支撐層20以及空腔60’之投影之一重疊區域所定義，其中聲波共振區域7’係劃分為一邊緣區域71’以及一中央區域70’；其中質量調整結構8’具有一幾何構形1，質量調整結構8’包括一邊緣質量調整結構81’。其中邊緣質量調整結構81’係形成於空腔60’之一頂部內表面22’上邊緣區域71’之內；其中邊緣質量調整結構81’具有一厚度T1’及一寬度D1’。其中質量調整結構8以及質量調整結構8’皆具有幾何構形1，然而其中邊緣質量調整結構81之厚度T1係小於邊緣質量調整結構81’之厚度T1’，邊緣質量調整結構81之寬度D1係大於邊緣質量調整結構81’之寬度D1’，因此係屬於第二種類型之非全同之幾何構形。在一些實施例中，只要體聲波濾波器所包括之體聲波共振器當中，有兩個體聲波共振器之質量調整結構係具有相同之幾何構形，且至少部分尺寸並不相同(例如，邊緣質量調整結構之寬度或厚度不同，或中央質量調整結構之厚度不同等等)，此即屬於第二種類型之非全同之幾何構形。
以上所述乃是本發明之具體實施例及所運用之技術手段，根據本文的揭露或教導可衍生推導出許多的變更與修正，仍可視為本發明之構想所作之等效改變，其所產生之作用仍未超出說明書及圖式所涵蓋之實質精神，均應視為在本發明之技術範疇之內，合先陳明。
綜上所述，依上文所揭示之內容，本發明確可達到發明之預期目的，提供一種具有質量調整結構之體聲波共振器，極具產業上利用之價植，爰依法提出發明專利申請。
Claims (14)
- 一種具有質量調整結構之體聲波共振器，包括：一支撐層，係形成於一基板之上，其中該支撐層具有一空腔，該空腔具有一頂部內表面；一底金屬層，係形成於該支撐層之上；一壓電層，係形成於該底金屬層之上；一頂金屬層，係形成於該壓電層之上，其中一聲波共振區域係由該頂金屬層、該壓電層、該底金屬層、該支撐層以及該空腔之投影之一重疊區域所定義，其中該聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域；以及一質量調整結構，其中該質量調整結構包括一邊緣質量調整結構，該邊緣質量調整結構係形成於該頂部內表面上該邊緣區域之內。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；且其中該邊緣質量調整結構之一厚度係不等於該中央質量調整結構之一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；且其中該邊緣質量調整結構包含一第一邊緣質量調整次結構，該第一邊緣質量調整次結構係形成於該第一邊緣 次區域之內。
- 如申請專利範圍第3項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該邊緣質量調整結構更包含一第二邊緣質量調整次結構，其中該第二邊緣質量調整次結構係形成於該第二邊緣次區域之內；其中該第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於該第一邊緣質量調整次結構之一厚度；且其中該第二邊緣質量調整次結構之該厚度係不等於該中央質量調整結構之一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該邊緣質量調整結構包含一第二邊緣質量調整次結構；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；且其中該第二邊緣質量調整次結構係形成於該第二邊緣次區域之內。
- 如申請專利範圍第5項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該質量調整結構更包括一中央質量調整結構，其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；且其中該第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於該中央質量調整結構之一厚度。
- 如申請專利範圍第5項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該邊緣質量調整結構更包含一第一邊緣質量調整次結構，其中該第一邊緣質量調整次結構係形成於該第一邊緣次區域之內；且其中該第二邊緣質量調整次結構之一厚度係不等於該第一邊緣質量調整次結構之一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該質量調整結構係由一金屬材料、一絕緣體材料或一半導體材料所構成。
- 如申請專利範圍第8項所述之具有質量調整結構之體聲波共振器，其中該金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦、鉬、鉑、鋁、金、鎢以及釕；該絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物；該半導體材料係包括選自以下群組之至少一者：砷化鎵、磷化銦鎵、砷化銦鎵以及磷化銦。
- 如申請專利範圍第1項所述之體聲波濾波器，其中構成該支撐層之材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物。
- 一種體聲波濾波器，包括：複數個體聲波共振器，係形成於一基板之上，其中該複數個體聲波共振器之每一者包括：一支撐層，係形成於該基板之上，其中該支撐層具有一空腔，該空腔具有一頂部內表面；一底金屬層，係形成於該支撐層之上；一壓電層，係形成於該底金屬層之上；以及一頂金屬層，係形成於該壓電層之上，其中一聲波共振區域係由該頂金屬層、該壓電層、該底金屬層、該支撐層以及該空腔之投影之一重疊區域所定義，其中該聲波共振區域係劃分為一邊緣區域以及一中央區域；其中該複數個體聲波共振器中之至少兩者係分別具有一質量調整結構，其中該質量調整結構具有以下幾何構形之其中之一：幾何構形1：該質量調整結構包括一邊緣質量調整結構，其中 該邊緣質量調整結構係形成於該頂部內表面上該邊緣區域之內；且其中該邊緣質量調整結構具有一厚度以及一寬度；幾何構形2：該質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一邊緣質量調整結構；其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；該邊緣質量調整結構係形成於該頂部內表面上該邊緣區域之內；其中該中央質量調整結構具有一厚度；其中該邊緣質量調整結構具有一厚度以及一寬度；且其中該邊緣質量調整結構之該厚度係不等於該中央質量調整結構之該厚度；幾何構形3：該質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一第一邊緣質量調整次結構；其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；其中該第一邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第一邊緣次區域之內；其中該第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；且其中該中央質量調整結構具有一厚度；幾何構形4：該質量調整結構包括一中央質量調整結構、一第一邊緣質量調整次結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；其中該第一邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第 一邊緣次區域之內；該第二邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第二邊緣次區域之內；其中該第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中該第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中該中央質量調整結構具有一厚度；其中該第二邊緣質量調整次結構之該厚度係不等於該第一邊緣質量調整次結構之該厚度；且其中該第二邊緣質量調整次結構之該厚度係不等於該中央質量調整結構之該厚度；幾何構形5：該質量調整結構包括一第二邊緣質量調整次結構；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；其中該第二邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第二邊緣次區域之內；且其中該第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；幾何構形6：該質量調整結構包括一中央質量調整結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中該中央質量調整結構係形成於該頂部內表面上該中央區域之內；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；其中該第二邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第二邊緣次區域之內；其中該第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中該中央質量調整結構具有一厚度；且其中該第二邊緣質量調整次結構之該厚度係不等於該中央質量調整結構之該厚度；以及 幾何構形7：該質量調整結構包括一第一邊緣質量調整次結構以及一第二邊緣質量調整次結構；其中該邊緣區域係劃分為一第一邊緣次區域以及一第二邊緣次區域，其中該第二邊緣次區域係介於該中央區域以及該第一邊緣次區域之間；其中該第一邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第一邊緣次區域之內；其中該第二邊緣質量調整次結構係形成於該頂部內表面上該第二邊緣次區域之內；其中該第一邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；其中該第二邊緣質量調整次結構具有一厚度以及一寬度；且其中該第二邊緣質量調整次結構之該厚度係不等於該第一邊緣質量調整次結構之該厚度；其中前述質量調整結構中之至少兩者係具有非全同之幾何構形。
- 如申請專利範圍第11項所述之體聲波濾波器，其中該質量調整結構之每一者係由一金屬材料、一絕緣體材料或一半導體材料所構成。
- 如申請專利範圍第12項所述之體聲波濾波器，其中該金屬材料係包括選自以下群組之至少一者：鈦、鉬、鉑、鋁、金、鎢以及釕；該絕緣體材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物；該半導體材料係包括選自以下群組之至少一者：砷化鎵、磷化銦鎵、磷化銦鎵以及磷化銦。
- 如申請專利範圍第11項所述之體聲波濾波器，其中構成該支撐層之材料係包括選自以下群組之至少一者：氧化矽、氮化矽、氮化鋁以及高分子聚合物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105133460A TWI632772B (zh) | 2016-10-17 | 2016-10-17 | 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 |
| US15/430,315 US10250228B2 (en) | 2016-10-17 | 2017-02-10 | Bulk acoustic wave resonator with a mass adjustment structure and its application to bulk acoustic wave filter |
| JP2017062188A JP6505152B2 (ja) | 2016-10-17 | 2017-03-28 | 質量調整構造付きバルク音波共振器およびバルク音波フィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105133460A TWI632772B (zh) | 2016-10-17 | 2016-10-17 | 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201817161A true TW201817161A (zh) | 2018-05-01 |
| TWI632772B TWI632772B (zh) | 2018-08-11 |
Family
ID=61904123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105133460A TWI632772B (zh) | 2016-10-17 | 2016-10-17 | 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10250228B2 (zh) |
| JP (1) | JP6505152B2 (zh) |
| TW (1) | TWI632772B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111010108A (zh) * | 2019-03-02 | 2020-04-14 | 天津大学 | 带凹陷和空气翼结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| TWI735999B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-08-11 | 南韓商三星電機股份有限公司 | 體聲波諧振器 |
| CN113556098A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-10-26 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器封装结构 |
| US11677381B2 (en) | 2021-10-19 | 2023-06-13 | Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator structure and fabricating method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI611604B (zh) | 2017-01-03 | 2018-01-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 體聲波濾波器及調諧體聲波濾波器之體聲波共振器之方法 |
| JP7385996B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-11-24 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| KR102609139B1 (ko) | 2020-10-13 | 2023-12-05 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| CN112967940B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-06-24 | 苏州汉天下电子有限公司 | 一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000244029A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体素子 |
| US6662419B2 (en) * | 2001-12-17 | 2003-12-16 | Intel Corporation | Method for fabricating film bulk acoustic resonators to achieve high-Q and low loss |
| US20040027030A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-12 | Li-Peng Wang | Manufacturing film bulk acoustic resonator filters |
| JP4395892B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-01-13 | 宇部興産株式会社 | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| KR100662865B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법 |
| JP4025306B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器の製造方法 |
| JP2006319796A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 薄膜バルク波音響共振器 |
| US7893793B2 (en) * | 2006-08-25 | 2011-02-22 | Panasonic Corporation | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| US7538477B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-05-26 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-layer transducers with annular contacts |
| TW200835003A (en) * | 2007-02-01 | 2008-08-16 | Chung Shan Inst Of Science | Structure of thin-film acoustic-wave component and radio-frequency communication component and their manufacturing method thereof |
| JP2008236671A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
| JP5013227B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2012-08-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜フィルタ |
| US7728485B2 (en) * | 2008-05-30 | 2010-06-01 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave device and a method of its manufacturing |
| WO2010095640A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP5319491B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2013-10-16 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子 |
| US20120025337A1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd | Mems transducer device having stress mitigation structure and method of fabricating the same |
| CN103296992B (zh) * | 2013-06-28 | 2016-02-10 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法 |
| WO2015190429A1 (ja) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 |
| JP6594619B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-10-23 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| CN205249154U (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-18 | 王天乐 | 一种薄膜体声波谐振器及一种滤波器、振荡器、无线收发器 |
-
2016
- 2016-10-17 TW TW105133460A patent/TWI632772B/zh active
-
2017
- 2017-02-10 US US15/430,315 patent/US10250228B2/en active Active
- 2017-03-28 JP JP2017062188A patent/JP6505152B2/ja active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI735999B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-08-11 | 南韓商三星電機股份有限公司 | 體聲波諧振器 |
| CN111010108A (zh) * | 2019-03-02 | 2020-04-14 | 天津大学 | 带凹陷和空气翼结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN113556098A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-10-26 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器封装结构 |
| CN113556098B (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-14 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器封装结构 |
| US11677381B2 (en) | 2021-10-19 | 2023-06-13 | Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator structure and fabricating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10250228B2 (en) | 2019-04-02 |
| JP6505152B2 (ja) | 2019-04-24 |
| US20180109240A1 (en) | 2018-04-19 |
| TWI632772B (zh) | 2018-08-11 |
| JP2018067902A (ja) | 2018-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI632772B (zh) | 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 | |
| EP4087130A1 (en) | Bulk acoustic resonator with bottom electrode as gap electrode, and filter and electronic device | |
| US7129806B2 (en) | Thin film bulk acoustic wave resonator and production method of the same | |
| CN107404304B (zh) | 声波谐振器及其制造方法 | |
| JP5104867B2 (ja) | 圧電振動子 | |
| JP6373418B2 (ja) | 音響共振器及びその製造方法 | |
| US20180191322A1 (en) | Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure | |
| US9385303B2 (en) | Resonator and fabricating method thereof | |
| US9929714B2 (en) | Temperature compensated bulk acoustic wave resonator with a high coupling coefficient | |
| JP2018110379A (ja) | 質量調整構造付きバルク音響波共振装置の製造方法 | |
| US20210250012A1 (en) | Support Structure for Bulk Acoustic Wave Resonator | |
| US11057017B2 (en) | Bulk-acoustic wave resonator | |
| US11742825B2 (en) | Bulk acoustic wave resonators having convex surfaces, and methods of forming the same | |
| JP2012039420A5 (zh) | ||
| CN110868171B (zh) | 谐振器、晶片及谐振器制造方法 | |
| JP2020113983A5 (zh) | ||
| US11664783B2 (en) | Resonator and semiconductor device | |
| CN108023563B (zh) | 具质量调整结构的体声波共振器及其应用于体声波滤波器 | |
| JP5125590B2 (ja) | 圧電振動デバイスの周波数調整方法 | |
| CN111404509A (zh) | 薄膜体声波谐振器 | |
| US8456258B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator disposed on a substrate having a buried cavity formed therein providing different substrate thicknesses underneath the resonator | |
| WO2021036758A1 (zh) | 一种体声波谐振器 | |
| CN209659252U (zh) | 谐振器及半导体器件 | |
| WO2020181976A1 (zh) | 带弧形结构的薄膜封装的mems器件组件及电子设备 | |
| US11558025B2 (en) | Bulk-acoustic wave resonator |