TW201815848A - 側鏈型液晶聚合物、液晶組成物、相位差膜、相位差膜之製造方法、轉印用積層體、光學構件、光學構件之製造方法及顯示裝置 - Google Patents

側鏈型液晶聚合物、液晶組成物、相位差膜、相位差膜之製造方法、轉印用積層體、光學構件、光學構件之製造方法及顯示裝置 Download PDF

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Abstract

本發明係有關於一種側鏈型液晶聚合物，具有2種以上之下列通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元，該液晶性構成單元具有含液晶性部分之側鏈；前述2種以上之下列通式(I)所示構成單元包含：構成單元(a)，其以下列通式(I)表示；及構成單元(b)，其以下列通式(I)表示且L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數與前述構成單元(a)相異。

Description

側鏈型液晶聚合物、液晶組成物、相位差膜、相位差膜之製造方法、轉印用積層體、光學構件、光學構件之製造方法及顯示裝置
本揭示內容係有關於側鏈型液晶聚合物、液晶組成物、相位差膜及其製造方法、轉印用積層體、光學構件及其製造方法以及顯示裝置。
迄今，關於液晶顯示裝置或發光顯示裝置等顯示裝置，已提出將各種光學構件配置於面板之面的結構。又，在這類光學構件方面，已提出利用液晶材料設定相位差的結構。
例如在有機發光顯示裝置等發光顯示裝置中，設置有反射性優良的金屬電極，以效率良好地利用發光層的光。另一方面，外界光線的反射(外光反射)會因使用該金屬電極而變大，故發光顯示裝置中具有用於抑制該外光反射的圓偏光板等。
穿過偏光板的光具有光學各向異性，於顯示裝置中，該各向異性會成為對比度隨視角降低等狀況的原因。對此，已知一藉由使用相位差膜來改善視角的方法，尤其是正C型的相位差膜(正C板)。
正C板係可藉由例如將板內的棒狀液晶分子相對於該板面作垂直配向而得。 例如，於專利文獻1中揭示一種相位差板，其具有由垂面配向液晶性組成物所形成的垂面配向液晶膜，而該垂面配向液晶性組成物係含有特定的垂面配向性側鏈型液晶聚合物與光聚合性液晶化合物而成。
先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本特開2003-149441號公報
發明欲解決之課題 本揭示內容之實施形態目的在於提供：一種側鏈型液晶聚合物及含有該側鏈型液晶聚合物的液晶組成物，所述側鏈型液晶聚合物可形成耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種相位差膜及其製造方法，該相位差膜具有耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種轉印用積層體，用以轉印耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種具有該相位差膜之光學構件及其製造方法；以及一種顯示裝置。
用以解決課題之手段 本揭示內容之一實施形態係提供一種側鏈型液晶聚合物，其具有2種以上之下述通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元，該液晶性構成單元具有含液晶性部分之側鏈； 前述2種以上之下述通式(I)所示構成單元包含： 構成單元(a)，其以下述通式(I)表示；及 構成單元(b)，其以下述通式(I)表示且L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數與前述構成單元(a)不同。
[化1] 通式(I)(通式(I)中，R1 表示氫原子或甲基，R2 表示-L1 -R3 或-L1’ -R4 所示基團，L1 表示-(CH2 )n -所示連結基，L1’ 表示-(C2 H4 O)n’ -所示連結基，R3 表示可具有取代基之甲基、可具有烷基之芳基或-OR5 ，R4 及R5 係各自獨立表示可具有取代基之烷基或可具有取代基之芳基，n及n’係各自獨立為1以上且18以下之整數。)
本揭示內容之一實施形態提供一種側鏈型液晶聚合物，其中前述液晶性構成單元含有下述通式(II)所示構成單元。
[化2] 通式(II)(通式(II)中，R11 表示氫原子或甲基，R12 表示-(CH2 )m -或-(C2 H4 O)m’ -所示基團。L2 表示直接鍵結或-O-、-O-C(＝O)-抑或-C(＝O)-O-所示連結基，Ar2 表示可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基，多個L2 及Ar2 可各自相同亦可相異。R13 表示-F、-Cl、-CN、-OCF3 、-OCF2 H、-NCO、-NCS、-NO2 、-NHC(＝O)-R14 、-C(＝O)-OR14 、-OH、-SH、-CHO、-SO3 H、-NR14 2 、-R15 或-OR15 ，R14 表示氫原子或碳原子數1以上且6以下之烷基，R15 表示碳原子數1以上且6以下之烷基。a為2以上且4以下之整數，m及m’係各自獨立為2以上且10以下之整數。)
本揭示內容之一實施形態，係提供一種液晶組成物，其含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物及光聚合引發劑。
本揭示內容之一實施形態係提供一種具有相位差層的相位差膜，並且 前述相位差層含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物。
本揭示內容之一實施形態係提供一種具有相位差層的相位差膜，並且 前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物。
本揭示內容之一實施形態係提供一種相位差膜之製造方法，係藉由包含下述步驟而形成相位差層： 成膜步驟，將含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物與光聚合引發劑的液晶組成物成膜； 配向步驟，令前述已成膜之前述液晶組成物中之前述側鏈型液晶聚合物所具有的液晶性構成單元與前述聚合性液晶化合物配向；及 聚合步驟，於前述配向步驟後，令前述聚合性液晶化合物聚合。
本揭示內容之一實施形態係提供一種轉印用積層體，其具有相位差層與支撐體，該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層， 前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物， 前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用。
本揭示內容之一實施形態係提供一種光學構件，係於前述本揭示內容之相位差膜上配有偏光板者。
本揭示內容之一實施形態係提供一種光學構件之製造方法，具有下述步驟： 準備轉印用積層體之步驟，該轉印用積層體具有相位差層與支撐體，該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層，前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有前述本揭示內容之一實施形態的側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物，並且，前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用； 轉印步驟，使至少含偏光板之被轉印體與前述轉印用積層體之前述相位差層相對，將前述轉印用積層體轉印至前述被轉印體上；及 剝離步驟，從已轉印至前述被轉印體上之前述轉印用積層體剝離前述支撐體。
又，本揭示內容之一實施形態係提供一種顯示裝置，具有前述本揭示內容之一實施形態之相位差膜，或具有於該相位差膜上配有偏光板的光學構件。
發明效果 根據本揭示內容之實施形態，可提供：一種側鏈型液晶聚合物及含有該側鏈型液晶聚合物的液晶組成物，所述側鏈型液晶聚合物可形成耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種相位差膜及其製造方法，該相位差膜具有耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種轉印用積層體，用以轉印耐彎曲性優異且相位差値之面內均一性高的相位差層；一種具有該相位差膜之光學構件及其製造方法；以及一種顯示裝置。
以下，一邊參照圖式一邊說明本揭示內容之實施形態或實施例等。惟，本揭示內容能夠以多種不同態樣來實施，並不限定性解釋為以下所例示之實施形態或實施例等記載內容。又，在圖式方面，為了使說明更加明確，各部之幅寬、厚度及形狀等相較於實際的態樣有時會示意性表示，其僅作為一例，並不使本揭示內容之解釋受限。又，本說明書與各圖中，和已示圖式相關且與前述相同的元件要素會賦予相同的符號，並適當省略詳細說明。又，為方便說明，有時會使用上方或下方此類語句來說明，惟上下方向逆轉亦可。 本說明書中，當某一構件或某區域等之某構造設為在另一構件或另一區域等之另一構造之「上(或下)」時，只要沒有特別的限定，就不僅只於直接在另一構造上(或直接在另一構造下)的情形，還包括在另一構造的上方(或下方)的情形，亦即也包括在某構造與另一構造的上方(或下方)之間還含有其他構成要素的情形。
本揭示內容中，配向控制力意指使相位差層中之液晶化合物排列成特定方向的交互作用。 本揭示內容中，(甲基)丙烯酸系表示各種丙烯酸系及甲基丙烯酸系，(甲基)丙烯酸酯表示各種丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯醯基表示各種丙烯醯基及甲基丙烯醯基。 又，本說明書中的「板」、「片」、「膜」之用語，並不僅憑稱呼上的差異就彼此相互區別，而「膜面(板面、片面)」是指當整體性且宏觀性來看待作為對象的膜狀(板狀、片狀)構件時，與作為對象之膜狀構件(板狀構件、片狀構件)的平面方向一致的面。
A.側鏈型液晶聚合物 本揭示內容之側鏈型液晶聚合物具有2種以上之下述通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元，該液晶性構成單元具有含液晶性部分之側鏈； 前述2種以上之下述通式(I)所示構成單元包含： 構成單元(a)，其以下述通式(I)表示；及 構成單元(b)，其以下述通式(I)表示且L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數與前述構成單元(a)不同。 即，本揭示內容之側鏈型液晶聚合物包含共聚物，該共聚物具有下述通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元，所述通式(I)所示構成單元為至少L1 及L1’ 所示連結基之碳原子數不同的2種以上構成單元。 此外，本揭示內容之側鏈型液晶聚合物在下述通式(I)所示構成單元方面亦可具有3種以上之L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數不同的構成單元。即，本揭示內容之側鏈型液晶聚合物除了前述構成單元(a)及前述構成單元(b)以外，亦可進一步含有1種以上之與前述構成單元(a)及前述構成單元(b)在L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數上不同的下述通式(I)所示構成單元。
[化3] 通式(I)(通式(I)中，R1 表示氫原子或甲基，R2 表示-L1 -R3 或-L1’ -R4 所示基團，L1 表示-(CH2 )n -所示連結基，L1’ 表示-(C2 H4 O)n’ -所示連結基，R3 表示可具有取代基之甲基、可具有烷基之芳基或-OR5 ，R4 及R5 係各自獨立表示可具有取代基之烷基或可具有取代基之芳基，n及n’係各自獨立為1以上且18以下之整數。)
上述通式(I)中，R2 表示-L1 -R3 或-L1’ -R4 所示基團，而L1 表示-(CH2 )n -所示連結基，L1’ 表示-(C2 H4 O)n’ -所示連結基，並且R2 於側鏈型液晶聚合物分子中包含L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數不同的2種以上構成單元。 本揭示內容之實施形態中，側鏈型液晶聚合物含有L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數不同的2種以上構成單元，因此與後述之聚合性液晶化合物具有優異相溶性。又，上述通式(I)中的R2 ，容易順著液晶性構成單元於側鏈所具有的液晶性部分而配置，因此會配置成相對於基材或配向膜呈垂直方向延伸，並於短側鏈的上方形成被長側鏈圍繞的空隙。推測由於聚合性液晶化合物容易進入該空隙，故該聚合性液晶化合物會容易進行垂直配向，而可獲得相位差値之面內均一性高的相位差層。又，推測本揭示內容之側鏈型液晶聚合物是藉由「通式(I)所示構成單元具有的L1 或L1’ 所示連結基為柔軟的結構」與「具有前述空隙」兩者的加乘效果而能夠形成耐彎曲性強不易破裂的相位差層。再者，推測本揭示內容之側鏈型液晶聚合物容易讓聚合性液晶化合物進入前述空隙而垂直配向，並可使既已垂直配向的聚合性液晶化合物移動困難，從而，聚合性液晶化合物變得即便在低溫下也容易進行垂直配向，故也有製程裕度增廣的效果。
通式(I)所示構成單元之R2 的組合可舉例如下： 「包含(A)-(CH2 )n1 -R3 及-(CH2 )n2 -R3 且n1與n2為不同數值」的組合； 「包含(B)-(C2 H4 O)n1’ -R4 及-(C2 H4 O)n2’ -R4 且n1’與n2’為不同數值」的組合； 「包含(C)-(CH2 )n1 -R3 及-(C2 H4 O)n2’ -R4 且n1與n2’為不同數值」的組合； 上述(A)、(B)、(C)亦可進一步包含其他之通式(I)所示構成單元。 又，多個R3 及多個R4 係不依賴n或n’之數而獨立存在，該多個R3 及多個R4 彼此可為相同亦可不同。
R3 為甲基時可具有的取代基係可舉例如氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子。 R3 為芳基時沒有特別限定，惟就耐彎曲性及相位差値之面內均一性的觀點而言，以碳原子數6以上且20以下的芳基為宜，具體上可舉如苯基、萘基、蒽基等，當中又以苯基或萘基為佳，苯基較佳。 R3 為芳基時可具有的烷基沒有特別限定，惟就耐彎曲性及相位差値之面內均一性的觀點而言，以碳原子數1以上且12以下之烷基為佳，碳原子數5以上且10以下之烷基較佳。又，該烷基可為直鏈烷基，亦可為含分枝或環結構的烷基。該烷基的具體例可舉如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、環戊基、環己基、環己基甲基、環己基乙基、環己基丙基、甲基環己基、乙基環己基、丙基環己基等。該烷基所具有的氫原子可被鹵素原子取代。
R4 及R5 為烷基時沒有特別限定，惟就耐彎曲性及相位差値之面內均一性的觀點而言，以碳原子數1以上且12以下之烷基為佳，且該烷基可為直鏈烷基，亦可為含分枝或環結構的烷基。具體上可舉如與上述「R3 為芳基時可具有的烷基」所例示者相同的烷基。R4 及R5 為烷基時可具有的取代基係可舉例如鹵素原子。又，R4 及R5 為芳基時係可舉如與R3 相同之芳基。R4 及R5 為芳基時可具有的取代基可舉例如烷基、鹵素原子等。該烷基、鹵素原子，可舉例如與上述R3 中可具有之作為取代基的烷基、鹵素原子所例示者相同之物。
通式(I)所示構成單元之具體例可列舉如下，惟不限於此。
[化4]
通式(I)所示構成單元中，n及n’係各自獨立為1以上且18以下之整數，而適宜的是n及n’係各自獨立為2以上之整數。又，n’宜在10以下。 又，通式(I)所示構成單元中，n及n’値的組合沒有特別限定，惟就耐彎曲性及相位差値之面內均一性的觀點而言，構成L1 或L1’ 所示連結基的碳原子數與氧原子數合計值的差達3以上為佳，達5以上較佳。更為適宜的是，構成L1 或L1’ 所示連結基的碳原子數之差達3以上為佳，達5以上較佳。 具體舉例言之，在具有長度不同的-(CH2 )n -所示連結基的情況下，當2種以上的n之中以最大值為nM 且最小值為nm 時，nM 與nm 的差(nM -nm )係3以上為佳，5以上較佳。 又，在具有長度不同的-(C2 H4 O)n’ -所示連結基的情況下，當2種以上的n’之中以最大值為n’M 且最小值為n’m 時，n’M 與n’m 的差(n’M -n’m )係1以上為佳，2以上較佳，3以上更佳。 藉由滿足上述關係，便會形成足以供聚合性液晶化合物進入的空隙，而聚合性液晶化合物的垂直配向性提高、相位差値之面內均一性提升，且相位差層具柔軟性並亦提升耐彎曲性。
又，通式(I)所示構成單元中，L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數不同的2種以上構成單元的比率沒有特別限定，惟具有最多碳原子數之前述連結基的構成單元與具有最低碳原子數之前述連結基的構成單元的比例以莫耳比計宜為1：9~9：1，且2：8~8：2較佳。
本揭示內容之實施形態中，液晶性構成單元具有含液晶性部分的側鏈，該液晶性部分即展現液晶性的部分。液晶性構成單元宜為於側鏈含有展現液晶性之液晶原的構成單元。液晶性構成單元宜為於液晶原基團(mesogen group)隔著間隔基(spacer)鍵結有聚合性基且展現液晶性之化合物所衍生的構成單元。本揭示內容所謂的液晶原，是展現液晶性般的高剛直性部位，可舉例如具有2個以上環結構(宜為3個以上環結構)且環結構彼此以直接鍵結來連結、或是該環結構係隔著1原子至3原子來連結的部分結構。藉由在側鏈具有此類展現液晶性的部位，該液晶性構成單元就會容易進行垂直配向。 前述環結構可為苯、萘、蒽等芳香環，亦可為環戊基、環己基等環狀的脂肪族烴。 又，當該環結構係隔著1原子至3原子來連結時，該連結部的構造可舉如-O-、-S-、-O-C(＝O)-、-C(＝O)-O-、-O-C(＝O)-O-、-NR-C(＝O)-、-C(＝O)-NR-、-O-C(＝O)-NR-、-NR-C(＝O)-O-、-NR-C(＝O)-NR-、-O-NR-、或是-NR-O-(R為氫原子或烴基)等。 其等當中，作為液晶原宜為下述棒狀液晶原：前述環結構的連結係以呈棒狀的方式連接，若為苯係以對位連接，若為萘則以2,6位連接。
又，液晶性構成單元為於側鏈含有展現液晶性之液晶原的構成單元時，從垂直配向性此點來看，該構成單元之側鏈的末端宜為極性基或具有烷基。此類極性基的具體例可舉如-F、-Cl、-CN、-OCF3 、-OCF2 H、-NCO、-NCS、-NO2 、-NHC(＝O)-R’、-C(＝O)-OR’、-OH、-SH、-CHO、-SO3 H、-NR’2 、-R” 、或-OR” (R’為氫原子或烴基，R” 為烷基)等。 本揭示內容之實施形態中，液晶性構成單元可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。
液晶性構成單元，宜為可與前述通式(I)聚合且具有含乙烯性雙鍵之基團的單體所衍生的構成單元。此類具有含乙烯性雙鍵之基團的單體，可舉例如(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、(甲基)丙烯醯胺、馬來醯亞胺、乙烯醚或乙烯酯等的衍生物。從垂直配向性的觀點來看，液晶性構成單元以上述中由(甲基)丙烯酸酯衍生物衍生的構成單元為佳。
就本揭示內容之實施形態而言，從垂直配向性此點來看，液晶性構成單元當中宜含下述通式(II)所示構成單元。
[化5] 通式(II)(通式(II)中，R11 表示氫原子或甲基，R12 表示-(CH2 )m -或-(C2 H4 O)m’ -所示基團。L2 表示直接鍵結或-O-、-O-C(＝O)-抑或-C(＝O)-O-所示連結基，Ar2 表示可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基，多個L2 及Ar2 可各自相同亦可相異。R13 表示-F、-Cl、-CN、-OCF3 、-OCF2 H、-NCO、-NCS、-NO2 、-NHC(＝O)-R14 、-C(＝O)-OR14 、-OH、-SH、-CHO、-SO3 H、-NR14 2 、-R15 或-OR15 ，R14 表示氫原子或碳原子數1以上且6以下之烷基，R15 表示碳原子數1以上且6以下之烷基。a為2以上且4以下之整數，m及m’係各自獨立為2以上且10以下之整數。)
R12 的m及m’係各自獨立為2以上且10以下之整數。從垂直配向性的觀點來看，當中以m及m’為2以上且8以下為佳，進而2以上且6以下為佳。
Ar2 方面，可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基係可舉如伸苯基、伸萘基等，當中以伸苯基較佳。該伸芳基可具有之R13 以外的取代基係可舉如碳原子數1以上且5以下之烷基及氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子等。
R13 中的R14 為氫原子或碳原子數1以上且6以下之烷基，惟當中以氫原子或碳原子數1以上且3以下之烷基為佳。又，R13 中的R15 為碳原子數1以上且6以下之烷基，惟當中以碳原子數1以上且5以下之烷基為佳。
通式(II)所示液晶性構成單元的適宜具體例可舉例如下述化學式(II-1)、(II-2)及(II-3)所示者等，惟不限於此。
[化6] 化學式(II－1)(m1為2以上且6以下之整數。) 化學式(II－2)(m2為2以上且6以下之整數。) 化學式(II－3)(m3為2以上且6以下之整數。)
本揭示內容之實施形態中，側鏈型液晶聚合物可為嵌段共聚物，具有由通式(I)所示構成單元構成的嵌段部、與由液晶性構成單元構成的嵌段部；側鏈型液晶聚合物亦可為通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元不規則排列的無規共聚物。本實施形態中，從提高聚合性液晶化合物之垂直配向性或相位差値之面內均一性並使相位差層難以破裂的觀點來看，則以無規共聚物為佳。
側鏈型液晶聚合物中，通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元的存在比沒有特別限定，惟通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元之比以莫耳比計宜為1：9 ~ 9：1，且2：8 ~ 8：2較佳。
(3)其他構成單元 本揭示內容之實施形態中，在不損及本實施形態之效果的範圍內，本揭示內容之側鏈型液晶聚合物除了上述通式(I)所示構成單元及上述液晶性構成單元外，亦可具有非屬上述通式(I)所示構成單元及上述液晶性構成單元任一者的構成單元。藉由在本揭示內容之側鏈型液晶聚合物中含有其他構成單元，可提高例如溶劑溶解性、耐熱性、反應性等。 此等其他構成單元可為1種亦可為2種以上。該其他構成單元的含有率宜相對於100莫耳%之整體側鏈型液晶聚合物在0莫耳%以上且30莫耳%以下的範圍內，在0莫耳%以上且20莫耳%以下的範圍內較佳。上述構成單元的含有率一旦較高，相對地液晶性構成單元及上述通式(I)所示構成單元的含有率就會變低，而會有變得難以獲得本實施形態之前述效果的情 形。
本揭示內容之實施形態中，側鏈型液晶聚合物的質量平均分子量Mw沒有特別限定，惟在500以上且60000以下之範圍內為佳，3000以上且55000以下之範圍內較佳，4000以上且40000以下之範圍內更佳。藉由在上述範圍內，液晶組成物的安定性便優良，且形成相位差層時的操作性優良。
此外，上述質量平均分子量Mw係利用GPC(凝膠滲透層析法)測出之値。測定係如下進行：使用東曹(股)製HLC-8120GPC，溶出溶劑設為已添加0.01莫耳/升之溴化鋰的N-甲基吡咯啶酮，校正曲線用聚苯乙烯標準品設為Mw377400、210500、96000、50400、206500、10850、5460、2930、1300、580(以上為Polymer Laboratories公司製 Easi PS-2系列)及Mw1090000(東曹(股)製)，測定管柱設為TSK-GEL ALPHA-M×2管(東曹(股)製)。
(側鏈型液晶聚合物的製造) 本實施形態中，前述側鏈型液晶聚合物之製造方法並未特別限定，可例如以下述方式進行：將可衍生前述通式(I)所示構成單元的單體與可衍生液晶性構成單元的單體以所欲比率進行混合，並利用公知的聚合手段使其聚合成所欲的平均分子量。 又，在作成嵌段共聚物的情形時，可舉例如下述諸方法：將可衍生前述通式(I)所示構成單元的單體與可衍生液晶性構成單元的單體分別利用公知的聚合手段進行聚合後，將所得之各聚合物連結；又可，將可衍生前述通式(I)所示構成單元的單體或可衍生液晶性構成單元的單體中之一者以公知聚合手段聚合後，加入另一單體進一步進行聚合。 上述聚合手段可採用一般用於聚合具乙烯基之化合物的方法，例如可使用陰離子聚合或活性自由基聚合等。就本實施形態而言，當中係以使用「J.Am.Chem.Soc.」105，5706(1983)所揭基團轉移聚合(GTP)此種進行活性聚合的方法為佳。若使用該方法，就很容易將分子量、分子量分布等作成所欲範圍，故可使所得側鏈型液晶聚合物的特性均一化。
本揭示內容中，側鏈型液晶聚合物的結構係可組合核磁共振分光法(NMR)與熱分解型氣相層析質量分析法(Py-GC-MS)及基質輔助雷射脫附離子化飛行時間型質量分析法(MALDI-TOFMS)中之至少一者來進行解析。利用Py-GC-MS或MALDI-TOFMS，可確認含有連結基之碳原子數不同的2種以上構成單元。
B.液晶組成物 本揭示內容之液晶組成物，係含有前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物與光聚合引發劑的液晶組成物。
本揭示內容之液晶組成物由於容易垂直配向，故可獲得相位差値之面內均一性優良同時又難以破裂、耐彎曲性強的相位差層。
該液晶組成物在發揮如此效果之作用方面尚有未解明之部分，但推測如下。 本揭示內容之液晶組成物的側鏈型液晶聚合物除了具有液晶性構成單元外，還具有：上述通式(I)所示構成單元中-(CH2 )n -所示連結基或-(C2 H4 O)n’ -所示連結基之碳原子數不同(即前述連結基長度不同)的2種以上構成單元。 在將含有該側鏈型液晶聚合物的液晶組成物作成塗膜時，推測該側鏈型液晶聚合物的側鏈係朝相對於塗膜面內方向呈正交的方向配向。本揭示內容之側鏈型液晶聚合物如前所述，包含通式(I)所示構成單元中長度不同之2種以上構成單元，故推測在短側鏈的上方會形成被長側鏈圍繞的空隙，聚合性液晶化合物容易進入該空隙並垂直配向，而且既已垂直配向之聚合性液晶化合物會變得難以移動。推測是因該等緣由，本揭示內容之液晶組成物即便在低溫下仍容易垂直配向，且經垂直配向之聚合性液晶化合物均勻地配置。 又，本揭示內容之側鏈型液晶聚合物，由於通式(I)所示構成單元具有的L1 或L1’ 所示連結基為柔軟的結構，而且又含有如前述之長度不同的2種以上構成單元，故容易出現空隙。推測是藉由所述柔軟結構與適當空隙之加乘效果，讓所得相位差層之耐彎曲性強而不易破裂。 如此，依據本揭示內容之液晶組成物，可獲得耐彎曲性優良且相位差値之面內均一性高的相位差層，即便在例如顯示部分為柔軟可變形的可撓性顯示裝置等亦可適於使用。又，本揭示內容之液晶組成物由於聚合性液晶化合物在低溫下容易垂直配向，故亦獲得製程裕度增廣的效果。
本揭示內容中的液晶組成物係至少含有側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物與光聚合引發劑，而在不損及效果的範圍下亦可進一步含有其他成分。以下，就構成液晶組成物之各成分依序加以說明。
＜側鏈型液晶聚合物＞ 本揭示內容之液晶組成物中，側鏈型液晶聚合物可為和前述「A.側鏈型液晶聚合物」所述者相同，故在此省略其說明。 本揭示內容之液晶組成物中，前述側鏈型液晶聚合物可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。本實施形態中，從獲得一種液晶析出受抑並能使液晶可配向之溫度範圍擴大的液晶組成物此點來看，上述側鏈型液晶聚合物的含有比例宜相對於100質量份之液晶組成物固體成分為3質量份以上且80質量份以下，5質量份以上且70質量份以下較佳，10質量份以上且60質量份以下更佳。 此外，本揭示內容所謂的固體成分是除了溶劑外的所有成分，例如後述之聚合性液晶化合物即便為液狀亦將其包含在固體成分中。
＜聚合性液晶化合物＞ 本揭示內容之實施形態中，聚合性液晶化合物可從習知物中適當選擇使用。本實施形態中，就與前述側鏈型液晶聚合物的組合而言，從垂直配向性或相位差層耐久性的觀點來看，宜為在液晶原之至少一末端具有聚合性基的聚合性液晶化合物，又以在液晶原兩末端具有聚合性基的聚合性液晶化合物較佳。 聚合性液晶化合物所具有的液晶原，可作成與前述側鏈型液晶聚合物之液晶性構成單元所具有的液晶原相同之物。 聚合性液晶化合物所具有的聚合性基可舉例如環氧乙烷環、氧呾環等含環狀醚之基團及含乙烯性雙鍵之基團等，當中從展現光硬化性且操作性優良的觀點來看，係以含乙烯性雙鍵之基團為佳。含乙烯性雙鍵之基團可舉如乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯基等，其中以(甲基)丙烯醯基為佳。
本實施形態中，從垂直配向性的觀點來看，聚合性液晶化合物當中係以選自於下述通式(III)所示化合物及下述通式(IV)所示化合物之1種以上化合物為佳。
[化7] 通式(III)(通式(III)中，R21 表示氫原子或甲基，R22 表示-(CH2 )p -或-(C2 H4 O)p’ -所示基團。L3 表示直接鍵結或-O-、-O-C(＝O)-抑或-C(＝O)-O-所示連結基，Ar3 表示可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基，多個L3 及Ar3 可各自相同亦可相異。R23 表示-F、-Cl、-CN、-OCF3 、-OCF2 H、-NCO、-NCS、-NO2 、-NHC(＝O)-R24 、-C(＝O)-OR24 、-OH、-SH、-CHO、-SO3 H、-NR14 2 、-R25 或-OR25 ，R14 表示氫原子或碳原子數1以上且6以下之烷基，R25 表示碳原子數1以上且6以下之烷基。b為2以上且4以下之整數，p及p’係各自獨立為2以上且10以下之整數。
[化8] 通式(IV)(通式(IV)中，R31 及R32 係各自獨立表示氫原子或甲基，R33 表示-(CH2 )q -或-(C2 H4 O)q’ -所示基團，R34 表示-(CH2 )r -或-(OC2 H4 )r’ -所示基團。L4 表示直接鍵結或-O-、-O-C(＝O)-抑或-C(＝O)-O-所示連結基，Ar4 表示可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基，多個L4 及Ar4 可各自相同亦可相異。c為2以上且4以下之整數，q、q’、r及r’係各自獨立為2以上且10以下之整數。)
通式(III)中的p和p’以及通式(IV)中的q、q’、r及r’，從垂直配向性的觀點來看，係2以上且8以下為佳，2以上且6以下較佳，2以上且5以下更佳。 L3 及L4 可定為和前述通式(II)的L2 相同者。 又，Ar3 及Ar4 可定為和前述通式(II)之Ar2 相同者。
聚合性液晶化合物所含之液晶原結構，宜使用下述化學式(V-1)~(V-4)所示之部分結構，當中又宜使用含有3個以上環結構之選自於由下述化學式(V-1)、(V-2)及(V-4)所構成群組中之至少1種化學式所示之部分結構。下述化學式(V-1)~(V-4)所示之部分結構中，伸苯基或伸萘基內的氫原子亦可由碳數1以上且3以下之烷基或鹵素原子所取代。
[化9]
通式(III)所示化合物及通式(IV)所示化合物的適宜具體例可舉如下述化學式(1)~(17)所示之物，惟不限於此。
[化10]g為2以上且5以下之整數
本實施形態中，聚合性液晶化合物可單獨使用1種或將2種以上組合使用。 本實施形態中，從耐彎曲性提高且相位差値之面內均一性優良的觀點來看，聚合性液晶化合物的含有比例宜相對於100質量份之組成物固體成分為20質量份以上且95質量份以下，30質量份以上且90質量份以下較佳，40質量份以上且90質量份以下更佳。
＜光聚合引發劑＞ 本實施形態中，光聚合引發劑可從習知物中適當選擇使用。此類光聚合引發劑的具體例宜舉例如包括9-氧硫等之芳香族酮類、α-胺基烷基酚類、α-羥基酮類、醯基膦氧化物類、肟酯類、芳香族鎓鹽類、有機過氧化物、硫代化合物、六芳基雙咪唑化合物、酮肟酯化合物、硼酸鹽化合物、吖嗪鎓(azinium)化合物、茂金屬化合物、活性酯化合物、具有碳鹵鍵的化合物及烷基胺化合物等，當中又宜為選自於由醯基膦氧化物系聚合引發劑、α-胺基烷基酚系聚合引發劑、α-羥基酮系聚合引發劑及肟酯系聚合引發劑所構成群組中之至少1種。
醯基膦氧化物系聚合引發劑可舉例如雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基-膦氧化物(例如商品名：IRGACURE 819，BASF公司製)、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基苯基膦氧化物、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-膦氧化物(商品名：Lucirin TPO：BASF公司製等)等。
又，α-胺基烷基酚系聚合引發劑可舉例如2-甲基-1-(4-甲基硫苯基)-2-嗎福林基丙-1-酮(例如IRGACURE 907，BASF公司製)、2-苄基-2-(二甲基胺基)-1-(4-嗎福林基苯基)-1-丁酮(例如IRGACURE 369，BASF公司製)、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎福林基)苯基]-1-丁酮(IRGACURE 379EG，BASF公司製)等。
又，α-羥基酮系聚合引發劑可舉例如2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮(例如商品名：IRGACURE 127，BASF公司製等)、2-羥基-4’-羥基乙氧基-2-甲基丙醯苯(例如商品名：IRGACURE 2959，BASF公司製等)、1-羥基-環己基-苯基-酮(例如商品名：IRGACURE 184，BASF公司製等)、寡聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮}(例如商品名：ESACURE ONE，Lamberti公司製等)等。
肟酯系聚合引發劑可舉如1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫)-,2-(O-苯甲醯基肟)](商品名：IRGACURE OXE-01，BASF製)；乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(o-乙醯肟)(商品名：IRGACURE OXE-02，BASF製)；甲酮,乙酮,1-[9-乙基-6-(1,3-二氧五環烷,4-(2-甲氧基苯氧基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(o-乙醯肟)(商品名ADEKA OPT-N-1919，ADEKA公司製)等。
本實施形態中，光聚合引發劑可單獨使用1種或將2種以上組合使用。 本實施形態中，從促進前述聚合性液晶化合物之硬化此點來看，光聚合引發劑的含有比例宜相對於100質量份之液晶組成物固體成分為0.1質量份以上且10質量份以下，1質量份以上且8質量份以下較佳。
＜其它成分＞ 本實施形態之液晶組成物，在不損及效果的範圍下可進一步含有其他成分。具體而言，作為其他成分，可含有調平劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、光安定化劑，從塗敷性之觀點來看可含有溶劑等。其等可從習知材料適當選擇使用。 調平劑宜使用氟系或聚矽氧系的調平劑。調平劑的具體例可舉例如日本特開2010-122325號公報所記載之DIC(股)製MEGAFAC系列，邁圖高新材料日本公司製TSF系列，及NEOS(股)製FTERGENT系列等。本實施形態中，在使用調平劑時，其含有率宜定為相對於100質量份之液晶組成物固體成分為0.001質量份以上且5質量份以下。
本實施形態之液晶組成物，從塗敷性此點來看，可因應需要而含有溶劑。溶劑從能夠將液晶組成物所含各成分溶解乃至分散的習知溶劑中適當選擇即可。具體而言，可舉例如下述諸等：己烷、環己烷等烴系溶劑；甲乙酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；四氫呋喃、丙二醇單乙基醚(PGME)等醚系溶劑；氯仿、二氯甲烷等鹵化烷基系溶劑；醋酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等酯系溶劑；N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑；及二甲基亞碸等亞碸系溶劑；甲醇、乙醇及丙醇等醇系溶劑。本實施形態中，溶劑可單獨使用1種或組合2種以上作成混合溶劑使用。
本實施形態之液晶組成物適於製造液晶配向膜，且因側鏈型液晶聚合物易於垂直配向，隨之聚合性液晶化合物便易於垂直配向，故適於製造正C型相位差層。
C.相位差膜 本揭示內容之相位差膜為具有相位差層的相位差膜，前述相位差層包含液晶組成物的硬化物，而該液晶組成物含有前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物。 此外，前述相位差層雖典型地為由前述液晶組成物之硬化物所構成者，但只要不損及本實施形態之效果，亦可含有其他組份。 又，前述本揭示內容之使用了側鏈型液晶聚合物的相位差膜，可舉如具有相位差層且前述相位差層包含前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物的相位差膜。 本揭示內容之實施形態的相位差膜，由於其相位差層包含前述本實施形態之液晶組成物的硬化物、或至少包含前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物，故具有下述特徵：相位差値之面內均一性高而光學特性優良，同時柔軟而不易破裂。 以下說明所述相位差膜之結構。
參照圖式，就相位差膜之層結構予以說明。圖1~圖3各別表示本揭示內容之相位差膜之一實施形態。圖1例示之相位差膜10之一實施形態，係一於基材2上依序積層有配向膜3與相位差層1的相位差膜。圖2例示之相位差膜10之一實施形態，係一僅由相位差層1構成之相位差膜。又圖3例示之相位差膜10之一實施形態係於基材2’上直接形成相位差層1。圖3例示之相位差膜中，可在基材2’之相位差層1側表面施以表現配向控制力的手段。 此外，含有側鏈型液晶聚合物(其具有前述通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元)與聚合性液晶化合物的液晶組成物，如前所述，由於前述側鏈型液晶聚合物易於垂直配向且隨之前述聚合性液晶化合物亦易於垂直配向，故即便不使用配向膜仍能顯示垂直配向性。
1.相位差層 本揭示內容之實施形態的相位差層1，係包含含有前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物的液晶組成物之硬化物，或者至少包含前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物。 在此，前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物，可分別與前述本揭示內容之實施形態的液晶組成物中所說明者相同，故在此省略其說明。
相位差層宜在前述側鏈型液晶聚合物所具有的液晶性構成單元與聚合性液晶化合物已垂直配向的狀態下進行硬化。本揭示內容之實施形態的液晶組成物之硬化物中，包含前述聚合性液晶化合物之至少一部分聚合性基已經聚合的結構。由於包含此種前述聚合性液晶化合物之至少一部分聚合性基已經聚合的結構，本實施形態之相位差層係一耐久性提升之相位差層。
此外，相位差層所含液晶性構成單元可由能獲得分子結構資料的公知分析方法中採用1種以上的方法來加以確認，如核磁共振法(NMR)、紅外線分光法(IR)、氣相層析-質量分析法(GC-MS)、X射線光電子分光法(XPS)、飛行時間型二次離子質量分析法(TOF-SIMS)等。 又，可藉由以自動雙折射測定裝置(例如王子計測機器股份公司製，商品名：KOBRA-WR)測定相位差，來確認聚合性液晶化合物係呈垂直配向。
相位差可利用自動雙折射測定裝置(例如，王子計測機器股份公司製，商品名：KOBRA-WR)來測定。使測定光線對相位差層表面垂直或斜向入射，從其光學相位差與測定光線之入射角度的圖表，可確認使相位差層之相位差增加的各向異性。
又，可藉由從相位差層採樣材料進行分析，來確認相位差層包含前述本揭示內容之實施形態之液晶組成物所含側鏈型液晶聚合物、及前述聚合性液晶化合物之至少一部分聚合性基已聚合的結構。在分析方法方面，可適宜使用NMR、IR、GC-MS、XPS、TOF-SIMS及其等之組合的方法。
該相位差層可含有光聚合引發劑、調平劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、光安定化劑等其他成分。就光聚合引發劑這等在為使前述聚合性液晶化合物所具有之聚合性基發生反應而照光時可能會完全分解的成分而言，也有並未包含於相位差層中的情形。
相位差層的厚度可視用途來作適當設定。而當中係0.1μm以上且5μm以下為佳，0.5μm以上且3μm以下較佳。
2.配向膜 本說明書所謂的配向膜，是用於使相位差層所含液晶性成分朝一定方向配置排列的層。 由於前述本揭示內容之實施形態之液晶組成物容易垂直配向，故宜使用垂直配向膜作為本揭示內容之實施形態所用的配向膜。 垂直配向膜為如下述之配向膜：藉由作成塗膜設置，而具有使相位差層所含液晶性成分之液晶原長軸垂直配向的機能者。
垂直配向膜為具有垂直方向之配向控制力的配向膜，可應用在供製作C板之用的各種垂直配向膜、VA液晶顯示裝置等適用之各種垂直配向膜，例如可應用聚醯亞胺配向膜、利用LB膜之配向膜等。具體上，作為配向膜的構成材料可應用例如卵磷脂、矽烷系界面活性劑、鈦酸鹽/酯系界面活性劑、吡啶鎓鹽系高分子界面活性劑、正十八基三乙氧基矽烷等矽烷偶合劑系垂直配向膜用組成物、側鏈有長鏈烷基或脂環式結構之可溶性聚醯亞胺及側鏈有長鏈烷基或脂環式結構的聚醯胺酸等聚醯亞胺系垂直配向膜用組成物。 此外，垂直配向膜用組成物可適宜使用JSR(股)製聚醯亞胺系垂直配向膜用組成物「JALS-2021」或「JALS-204」、日產化學工業(股)製「RN-1517」、「SE-1211」、「EXPOA-018」等市售品。又，日本特開2015-191143所記載之垂直配向膜亦可。
配向膜之形成方法沒有特別限定，惟例如可在後述之基材上塗佈後述之配向膜用組成物，並藉由賦予配向控制力而作成配向膜。對配向膜賦予配向控制力的手段，可定為習知方法。
配向膜的厚度，只要適宜設定使相位差層中的液晶性成分能朝一定方向配置排列即可。配向膜之厚度通常在1nm以上且10μm以下之範圍內，而在60nm以上且5μm以下之範圍內為佳。
3.基材 本實施形態中，基材可舉如玻璃基材、金屬箔、樹脂基材等。當中以具有透明性之基材為佳，可從習知透明基材中適當選擇。作為透明基材，除了玻璃基材外可舉如使用下列樹脂所形成的透明樹脂基材：三醋酸纖維素等醋酸纖維素系樹脂；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸等聚酯系樹脂；聚丙烯、聚乙烯、聚甲基戊烯等烯烴系樹脂；丙烯酸系樹脂；聚胺甲酸乙酯系樹脂；聚醚碸或聚碳酸酯；聚碸；聚醚；聚醚酮；丙烯腈；甲基丙烯腈；環烯烴聚合物；環烯烴共聚物等。
上述透明基材，於可見光區域的穿透率係80%以上為佳，90%以上較佳。在此，透明基材的穿透率可利用JIS K7361-1(塑膠-透明材料之全光穿透率試驗方法)來測定。
又，在以捲對捲方式形成相位差層時，透明基材宜為能捲取成卷狀之具可撓性的可彎曲材。 此種可彎曲材可例示如纖維素衍生物、降莰烯系聚合物、環烯烴系聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、聚芳酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碸、聚醚碸、非晶質聚烯烴、改質丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯、環氧樹脂、聚碳酸酯、聚酯類等。當中就本實施形態而言以使用纖維素衍生物或聚對苯二甲酸乙二酯為佳。這是因為纖維素衍生物在光學的各向同性尤為優異，故可作成光學特性優良之物。又，從透明性高且機械特性優良之觀點來看則以聚對苯二甲酸乙二酯為佳。
用於本實施形態之基材的厚度，因應相位差膜的用途等，只要在可賦予必要之自我支撐性的範圍內即無特別限定，通常在大約10μm以上且200μm以下的範圍內。 當中以基材厚度在25μm以上且125μm以下之範圍內為佳，其中又以30μm以上且100μm以下的範圍內為佳。這是因為厚度一旦較上述範圍更厚，就會例如在形成長條狀的相位差膜後，於裁切加工、作成單片相位差膜時，有加工屑增加或是裁切刀變得磨耗過快的狀況。
本實施形態所用基材的結構，並不僅限於由單一層所構成的結構，具有多層積層而成的結構亦可。在具有多層積層而成的結構時，可為同一組成之層所積層，亦可為具不同組成之多層所積層。 例如，在本實施形態所用配向膜含有紫外線硬化性樹脂的情況下，亦可於基材上形成底塗層以提高透明基材與該紫外線硬化性樹脂的接著性。該底塗層只要是對基材及紫外線硬化性樹脂兩者均有接著性、在可見光學上為透明並可使紫外線通過者即可，可適當選用例如氯化乙烯/醋酸乙烯酯共聚物系、胺甲酸乙酯系等。
又，在未設置垂直配向膜的情形時，可於基材上積層錨定塗覆層。可利用該錨定塗覆層來提高基材的強度，而可確保良好的垂直配向性。錨定塗覆層材料可使用金屬烷氧化物，尤其是金屬矽氧烷溶膠。金屬烷氧化物通常作成醇系溶液來使用。錨定塗覆層需要均勻且具柔軟性的膜，故錨定塗覆層的厚度以0.04μm以上且2μm以下程度為佳，0.05μm以上且0.2μm以下程度較佳。 在前述基材具有錨定塗覆層時，基材與錨定塗覆層之間可進一步積層黏結劑層，或使錨定塗覆層含有可強化與基材之密著性的材料，藉以提高基材與錨定塗覆層的密著性。用於形成前述黏結劑層的黏結劑材料，係可無特別限制地使用可提高基材與錨定塗覆層之密著性之物。黏結劑材料可例示如矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋯偶合劑等。
4.用途 本揭示內容之相位差膜，適用於作為具正C型相位差層的相位差膜。本揭示內容之相位差膜，適用於作為例如視角補償膜，且適合使用於如後述之各種顯示裝置用之光學構件。
D.相位差膜之製造方法 本揭示內容之實施形態的相位差膜之製造方法，可舉例如具有形成相位差層之步驟的製造方法，其係藉由下列步驟而形成相位差層： 成膜步驟，將前述本揭示內容之實施形態之液晶組成物成膜； 配向步驟，令前述已成膜之前述液晶組成物中之前述側鏈型液晶聚合物所具有的液晶性構成單元與前述聚合性液晶化合物配向；及 聚合步驟，於前述配向步驟後，將前述聚合性液晶化合物聚合。 該液晶組成物可使用與前述「B.液晶組成物」相同之物，故在此省略其說明。
(1)液晶組成物之成膜步驟 於支撐體上均勻地塗佈液晶組成物而形成成膜。 此處的「支撐體上」可於前述基材上，亦可在具有前述配向膜之基材的配向膜上。
塗佈方法可適當選擇，只要是能以所欲厚度精度良好地成膜的方法即可。可舉例如凹版塗佈法、反向塗佈法、刮刀塗佈法、浸塗法、噴塗法、氣刀塗佈法、旋塗法、輥塗法、列印法、浸漬拉升法、淋幕式塗佈法、模塗法、澆鑄塗佈法、線棒塗佈法、擠壓塗佈法、E型塗佈方法等。
(2)使液晶性成分配向之步驟 接著進行加熱調整至已成膜之液晶組成物中之側鏈型液晶聚合物所具有的液晶性構成單元與聚合性液晶化合物可垂直配向的溫度。利用該加熱處理，可使側鏈型液晶聚合物所具液晶性構成單元與聚合性液晶化合物垂直配向並乾燥，並可在保持前述配向狀態的狀態下固定化。 可垂直配向的溫度因液晶組成物中各物質而異，故有適當調整的必要。舉例而言，宜於40℃以上且200℃以下的範圍內進行，更宜於40℃以上且100℃以下的範圍內進行。本實施形態之液晶組成物，由於具有前述側鏈型液晶聚合物，故可垂直配向的溫度範圍廣，溫度管理容易。 加熱手段方面，可適當選用公知的加熱、乾燥手段。 又，加熱時間適當選擇即可，舉例來說可在10秒以上且2小時以內的範圍內選擇，並宜為20秒以上且30分鐘以內之範圍內。
(3)使聚合性液晶化合物聚合的步驟 已於前述配向步驟在保持液晶性成分之配向狀態的狀態下經固定化的塗膜，可藉由例如照光來使聚合性液晶化合物聚合，而可獲得含有前述液晶組成物之硬化物的相位差層。 照光方面適宜使用紫外線照射。紫外線照射可使用從超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀灯、碳弧燈、氙弧燈、金屬鹵素燈等光線發射的紫外線。能量射線源的照射量係適當選擇即可，在紫外線波長365nm下的累積曝光量宜於例如10mJ/cm2 以上且10000mJ/cm2 以下的範圍內。
E.轉印用積層體 本揭示內容之轉印用積層體具備相位差層與支撐體，該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層， 前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物；並且 前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用。 此外，前述相位差層雖典型地為由前述液晶組成物之硬化物所構成者，但只要不損及本實施形態之效果，亦可含有其他組份。 又，使用了前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物的轉印用積層體可舉如下述轉印用積層體：具備相位差層與支撐體，該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層， 前述相位差層包含前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物，並且 前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用。
上述本實施形態之轉印用積層體，由於相位差層含有前述液晶組成物之硬化物、或至少含有前述本揭示內容之側鏈型液晶聚合物，故具有耐彎曲性優良且相位差値之面內均一性高的相位差層，並且由於聚合性液晶化合物變得即便在低溫下仍易於垂直配向，故製程裕度寬廣，量產性提升。根據上述本實施形態之轉印用積層體，便可在其他任意之光學構件等轉印不含基材之薄膜，例如本揭示內容之相位差層。 根據本實施形態之轉印用積層體，可提供例如圖2例示之僅由相位差層1構成之相位差膜10，或是如圖5例示般不含基材之配向膜23與相位差層21積層成之積層體26所構成的相位差膜。即，只要至少可剝離前述相位差層，則亦可於供用於轉印用積層體之轉印的相位差層上積層有配向膜等。 以下，說明此種轉印用積層體之結構，惟前述本揭示內容之實施形態之液晶組成物方面則如前所述故在此省略說明。
參照圖式，就轉印用積層體之層結構予以說明。圖4及圖5各別表示本揭示內容之轉印用積層體之一實施形態。 圖4例示之轉印用積層體20之一實施形態是作成供轉印用之相位差層16與以可剝離方式支撐前述相位差層之支撐體15，係一在第二基材12上依序積層有配向膜13與相位差層11的轉印用積層體。圖4例示之轉印用積層體係下述轉印用積層體之例：藉由讓第二基材12與配向膜13之剝離強度大於配向膜13與相位差層11之剝離強度，而能夠在配向膜與相位差層之界面17剝離並使相位差層11(16)轉印。 圖5例示之轉印用積層體30之一實施形態是作成供轉印用之相位差層26與以可剝離方式支撐前述相位差層之支撐體25，係一在第二基材22上依序積層有配向膜23與相位差層21的轉印用積層體。圖5例示之轉印用積層體係下述轉印用積層體之例：藉由讓第二基材22與配向膜23之剝離強度小於配向膜23與相位差層21之剝離強度，而能夠在第二基材22與配向膜23之界面27剝離並轉印相位差層21及配向膜23，作為供轉印用之相位差層26。
舉例來說，第二基材與配向膜之剝離強度是較配向膜與相位差層之剝離強度來得大或小，可從進行相位差層的剝離會在哪個界面剝離來確認。而在哪個界面剝離，可利用例如IR等來分析。
又，圖6例示之轉印用積層體40之一實施形態是作成供轉印用之相位差層36與以可剝離方式支撐前述相位差層之支撐體35，係一在第二基材32上依序積層有相位差層31的轉印用積層體。
以下，就本實施形態予以說明，惟相位差層方面可作成與前述「C.相位差膜」所述相位層相同之物，故在此省略其說明。 又，配向膜及基材亦可使用與前述「C.相位差膜」所述配向膜及基材相同之物，惟調整剝離強度的方法可舉例如下述方法。
為了獲得圖4例示之轉印用積層體20，要使第二基材12與配向膜13之剝離強度大於配向膜13與相位差層11之剝離強度，對此可使用例如下述方法：將配向膜形成用組成物所含溶劑定為可溶解第二基材之物。宜使用樹脂基材作為該第二基材，亦可對基材表面進行用以提高接著性的表面處理。此種情況下，可使樹脂基材及配向膜的密著性提升。 又，為了降低配向膜與相位差層之剝離強度以使基材與配向膜之剝離強度變得大於配向膜與相位差層之剝離強度，亦宜使配向膜的耐溶劑性相對較高。在配向膜的耐溶劑性相對較高的情況下，在將液晶組成物塗佈於配向膜上形成相位差層時，由於配向膜會難以被液晶組成物中的溶劑所溶解，故可使配向膜及相位差層的密著性降低。
另一方面，為使第二基材22與配向膜23之剝離強度小於配向膜23與相位差層21之剝離強度以獲得圖5例示之轉印用積層體30，可例如在基材表面施以離型處理，或亦可形成有離型層。藉此，可提高基材的剝離性，而可使基材與配向層之剝離強度小於配向層與相位差層之剝離強度。 離型處理可舉例如氟處理、聚矽氧處理等表面處理。 離型層之材料可舉例如氟系離型劑、聚矽氧系離型劑、蠟系離型劑等。離型層之形成方法可舉例如將離型劑以浸塗法、噴塗法、輥塗法等塗佈法進行塗佈的方法。 又，為了獲得圖6例示之轉印用積層體40，視需要亦可在基材表面施加離型處理或形成有離型層。
轉印用積層體所用基材可具有亦可不具有可撓性，惟從容易剝離基材來看，以具有可撓性為佳。 轉印用積層體所用基材的厚度，從兼顧充分的自我支撐強度、以及盡可能適應於本實施形態之轉印用積層體的製造及轉印步驟的可撓性來看，一般而言，在上述材料為片材的情況下宜在20μm以上且200μm以下的範圍內。
本揭示內容之轉印用積層體可提供的相位差層，適合使用在與前述相位差膜相同的用途上，可將正C型相位差層轉印在各種顯示裝置用光學構件，對於提供薄膜光學構件來說甚是合用。
F.光學構件 本揭示內容之光學構件，係於前述本揭示內容之相位差膜上配有偏光板者。
參照圖式，說明本實施形態之光學構件。圖7為表示光學構件之一實施形態的示意性剖面圖。 圖7之光學構件60之例，係於前述本揭示內容之相位差膜10上配置有偏光板50。相位差膜10與偏光板50之間，視需要亦可具有黏著層(接著層)(未示於圖)。
本實施形態中，偏光板是僅通過以特定方向振動之光的板狀物，可從習知偏光板中適當選用。可使用例如利用碘或染料染色並延伸而成的聚乙烯醇膜、聚乙烯甲醛膜、聚乙烯縮醛膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物系皂化膜等。 又，本實施形態中，黏著層(接著層)用黏著劑或接著劑係從習知物中作適當選擇即可，適合使用感壓接著劑(黏著劑)、2液硬化型接著劑、紫外線硬化型接著劑、熱硬化型接著劑、熱熔融型接著劑等任何接著形態之物。
本實施形態之光學構件中，除了偏光板外，亦可進一步具有配備習知光學構件的其他層。作為該其他層，舉例來說，除了與前述本實施形態之相位差層不同的其他相位差層外，尚可舉如抗反射層、擴散層、防眩層、抗靜電層、保護膜等，惟不限於此。
本實施形態之光學構件，舉例來說，可作為抑制外光反射之光學構件來使用。積層有前述本揭示內容之相位差膜與圓偏光板的本揭示內容之光學構件，適合用於例如發光顯示裝置用之用以抑制外光反射的光學構件，又亦可適合作為各種顯示裝置用之廣視角偏光板來使用。
G.光學構件之製造方法 本揭示內容之光學構件之製造方法沒有特別限定，可適當選用將偏光板積層在前述本揭示內容之相位差膜上的方法。可舉例如在前述本揭示內容之相位差膜上隔著黏著層或接著層而積層偏光板的製造方法等。
又，本揭示內容之一實施形態之光學構件之製造方法，係可舉如具有下述步驟之光學構件之製造方法： 準備轉印用積層體之步驟，準備前述本揭示內容之轉印用積層體； 轉印步驟，使至少含偏光板之被轉印體與前述轉印用積層體之前述相位差層相對，將前述轉印用積層體轉印至前述被轉印體上；及 剝離步驟，從已轉印至前述被轉印體上之前述轉印用積層體剝離前述支撐體。
依據使用了前述轉印用積層體之本揭示內容之一實施形態的光學構件之製造方法，可獲得一光學構件，其具有偏光板、與前述本揭示內容之相位差膜中僅只前述相位差層。 本揭示內容之一實施形態之光學構件之製造方法所用轉印用積層體，可作成和前述「E.轉印用積層體」所說明者相同之物，故在此省略其說明。 又，本揭示內容之一實施形態的光學構件之製造方法所用被轉印體，典型上可舉如具有接著層與偏光板的被轉印體，惟不限於此，可進一步具有和前述「本揭示內容之一實施形態之光學構件可具有的其他層」相同的層。
H.顯示裝置 本揭示內容之顯示裝置，特徵在於具有前述本揭示內容之相位差膜，或具有於該相位差膜上配有偏光板的光學構件。 即，本揭示內容之顯示裝置，特徵在於具有前述本揭示內容之相位差膜或前述本揭示內容之光學構件。 顯示裝置可舉例如發光顯示裝置、液晶顯示裝置等，惟不限定於此。
其中，又因具備前述本揭示內容之相位差膜或前述本揭示內容之光學構件，所以特別是依序具有透明電極層、發光層與電極層的有機發光顯示裝置等發光顯示裝置會具有抑制外光反射並同時提升視角的效果。
參照圖式說明一實施形態之發光顯示裝置之例。圖8為表示有機發光顯示裝置之一實施形態的示意性剖面圖。 圖8之有機發光顯示裝置100之例，係於前述相位差膜10之出射光面側配置有偏光板50，並在相反側之面上依序具有透明電極層71、發光層72與電極層73。 發光層72係可舉例如從透明電極層71側起依序積層電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子注入層的結構等。本實施形態中，透明電極層、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子注入層、電極層及其他構造可適當使用公眾所知之物。如此製成之發光顯示裝置，可適用於例如被動式驅動方式之有機EL顯示器、抑或主動式驅動方式之有機EL顯示器。 此外，本揭示內容之顯示裝置，並不限定於上述結構，可作成經適當選擇之公知結構。
[實施例] (合成例1：液晶單體1的合成) 首先依照下述流程圖1，合成4-[2-(丙烯醯氧基)乙氧基]苯甲酸。
[化11] 流程圖1
接著，依照下述流程圖2，獲得下述化學式(1)所示液晶單體1。具體而言，在上述所得之4-[2-(丙烯醯氧基)乙氧基]苯甲酸(179.4g，759.4mmol)、4’-氰基-4-羥基聯苯(148.3g，759.4mmol)、N,N-二甲基胺基吡啶(DMAP)(2.7g，22.8mmol)的二氯甲烷(DCM)(950mL)懸浮液中，滴入N,N-二環己基碳二醯亞胺(DCC)(170.8g，827.8mmol)的二氯甲烷(130mL)溶液。滴入結束後，攪拌12小時，將沉澱物過濾後餾除溶劑。於所得之粗製物加入甲醇(1.8L)，在室溫下攪拌1小時，進行懸浮精製。經由將沉澱物過濾並使所得結晶乾燥，以產率92.9%(301.1g，728.3mmol)獲得4’-氰基-4-{4-[2-(丙烯醯氧基)乙氧基]苯甲酸酯}(下述化學式(1))。
[化12] 流程圖2
(合成例2：液晶單體2的合成) 上述合成例1中，除了使用6-氯-1-正己醇替換2-溴乙醇以外，以和合成例1相同方式獲得下述化學式(2)所示液晶單體2。
[化13]
(合成例3：液晶單體3的合成) 首先依照下述流程圖3，獲得下述化學式(A)所示4-丙氧基羰基苯基＝4-羥基苯甲酸酯。具體而言，係於4-乙醯氧基苯甲酸(524.8g，2.9mol)、4-羥基苯甲酸丙酯(500g，2.8mol)、N,N-二甲基胺基吡啶(DMAP)(20.3g，0.2mmol)的二氯甲烷(2.5L)懸浮液中，滴入N,N-二環己基碳二醯亞胺(DCC)(601.3g，2.9mol)的二氯甲烷(450mL)溶液。滴入結束後，攪拌12小時，將沉澱物過濾後餾除溶劑。於所得之油狀物中加入甲醇(3.4L)使其溶解，然後於冷卻下緩慢滴入碳酸鉀(446.1g，3.2mol)的水(1.7L)溶液。將反應混合物攪拌1小時後，以35%鹽酸(325mL)中和，將所析出之結晶過濾並使粗製物乾燥，藉此以2階段72.9%(602.2g，2.0mol)之產率獲得4-丙氧基羰基苯基-4-羥基苯甲酸酯。將利用上述方法之4-丙氧基羰基苯基-4-羥基苯甲酸酯的合成反覆進行2次。
[化14] 流程圖3
接著，依照下述流程圖4，獲得下述化學式(3)所示液晶單體3。具體而言，係於4-丙氧基羰基苯基-4-羥基苯甲酸酯(664g，2.3mol)、4-[6-(丙烯醯氧基)己基氧基]苯甲酸(650g，2.2mol)、N,N-二甲基胺基吡啶(DMAP)(7.9g，0.1mol)的二氯甲烷(2.8L)懸浮液中，滴入N,N-二環己基碳二醯亞胺(DCC)(489.0g，2.4mol)的二氯甲烷(400mL)溶液。滴入結束後，攪拌1夜，將沉澱物過濾後餾除溶劑。於所得之粗製物加入甲醇(5.0L)使其溶解，然後在冷卻下攪拌5小時。將所析出之結晶過濾並使所得結晶乾燥，藉此以產率87.7%(1091g，2.0mol)獲得4-[(4-丙氧基羰基苯基氧基羰基)苯基-4-[6-(丙烯醯氧基)己基氧基]苯甲酸酯。
[化15] 流程圖4
(合成例4：單體A的合成) 於已遮光之2L的四頸燒瓶中投入4-戊基酚(82.5g，502mmol)、3-氯-1-丙醇(49.8g，527mmol)、碳酸鉀(83.3g，603mmol)、N,N-二甲基甲醯胺(210mL)，升溫至100℃攪拌37小時。之後將該反應液靜置冷卻至室溫，加水(413mL)攪拌10分鐘。然後再添加醋酸乙酯(350mL)攪拌5分鐘後，進行分液。以醋酸乙酯(350mL)對分離出的水層進行再萃取，經合併的有機層則以水(413mL)洗淨。之後以水(413mL)與飽和食鹽水(150mL)洗淨有機層，藉由分液將水層去除後餾除溶劑。將殘渣以矽膠層析法精製，餾除溶劑從而獲得113.0g醚化物A。將利用上述方法之醚化物A的合成反覆進行2次。 接著，於已遮光之2L的四頸燒瓶中投入前述醚化物A(114.5g，392mmol)、N,N-二甲基苯胺(52.3g，432mmol)，N,N-二甲基乙醯胺(26.2g)、四氫呋喃(375mL)，並冷卻至內溫15℃以下為止。於該混合液中滴入以四氫呋喃(13mL)溶解丙烯醯氯(56.8g，628mmol)而成的溶液，於25℃下攪拌5小時。之後，將反應液滴入水(1.2L)中，後然加入醋酸乙酯(1.0L)進行萃取，其後餾除有機層的溶劑。將殘渣以矽膠層析法精製，餾除溶劑從而獲得114g之下述化學式(A)所示單體A。
[化16] 化學式(A)
(合成例5：單體B的合成) 使用8-氯-1-正辛醇替代前述合成例4中的3-氯-1-丙醇，此外以和合成例4相同的方式獲得下述化學式(B)所示單體B。
[化17] 化學式(B)
(合成例6：單體C的合成) 使用4-(反式-4-丙基環己基)酚替代前述合成例4中的4-戊基酚，此外以和合成例4相同方式獲得下述化學式(C)所示單體C。
[化18] 化學式(C)
(合成例7：單體D的合成) 使用4-(反式-4-丙基環己基)酚替代前述合成例5中的4-戊基酚，此外以和合成例5相同的方式，獲得下述化學式(D)所示單體D。
[化19] 化學式(D)
分別使用丙烯酸乙酯(下述化學式(E))作為單體E、使用丙烯酸己酯(下述化學式(F))作為單體F、使用丙烯酸十八酯(下述化學式(G)作為單體G(均為東京化成社製)。
[化20] 化學式(E)　　　　　化學式(F)　　　　　　化學式(G)
又，使用日立化成社製壬基苯氧基聚乙二醇丙烯酸酯(下述化學式(H))作為單體H。該單體H係下述化學式(H)中之n’為1~8的混合物，至少包含n’為4之單體與n’為8之單體，且n’的平均為4。
[化21] 化學式(H)n'≒4
又，使用日立化成社製壬基苯氧基聚乙二醇丙烯酸酯(下述化學式(I))作為單體I。該單體I係下述化學式(I)中之n’為1~12的混合物，至少包含n’為8之單體與n’為12之單體，且n’的平均為8。
[化22] 化學式(I)n'≒8
又，使用日立化成社製壬基苯氧基聚乙二醇丙烯酸酯(下述化學式(J))作為單體J。該單體J至少包含下述化學式(J)中之n'為16之單體與n’為17之單體。
[化23] 化學式(J)n'＝16及17
又，分別使用丙烯酸十二酯(下述化學式(K))作為單體K及使用丙烯酸十六酯(下述化學式(L))作為單體L(均為東京化成社製)。
[化24] 化學式(K)　　　　　化學式(L)
(製造例1：側鏈型液晶聚合物的合成) 依照表1組合前述液晶單體1~3及前述單體A~L，合成側鏈型液晶聚合物。以下有時將單體A~單體L稱為非液晶單體。 具體說明側鏈型液晶聚合物A-06的合成例。 將單體A與單體B以莫耳比50：50組合，並將該等非液晶單體以其等合計值與液晶單體2之莫耳比成為35：65的方式組合來加以混合，且添加N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)，在40℃下攪拌使其溶解。溶解後冷卻至24℃，加入偶氮雙異丁腈(AIBN)於同溫下使其溶解。在已加溫至80℃的DMAc中歷時30分鐘滴入上述反應溶液，滴完後在80℃下攪拌6小時。反應結束後冷卻至室溫，然後滴入正在攪拌甲醇之另一容器中攪拌20分鐘。去除上澄液後將漿料過濾，將所得之粗製物再次於甲醇中攪拌20分鐘，並進行上澄液的去除與過濾。經由乾燥所得結晶，以產率76.5%獲得側鏈型液晶聚合物A-06。 針對所得之側鏈型液晶聚合物A-06，利用前述GPC測定質量平均分子量Mw，並利用1 H-NMR進行結構解析。又，利用前述Py-GC-MS及MALDI-TOFMS，確認側鏈型液晶聚合物A-06含有源自於單體A的構成單元與源自於單體B的構成單元。 ＜鏈型液晶聚合物A-06＞ 質量平均分子量Mw：74001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.81(m,烷基-H)，2.33(bs,苄基-H)，3.57~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.12(bs,CN-C＝CH-)
(製造例2~18：側鏈型液晶聚合物的合成) 將前述側鏈型液晶聚合物A-06之合成例中的非液晶單體之組合與配比變更如表1，並依表1選擇液晶單體，此外以和前述側鏈型液晶聚合物A-06之合成例相同方式進行，獲得側鏈型液晶聚合物A-01~A-05及側鏈型液晶聚合物A-07~A-18。此外，前述側鏈型液晶聚合物A-01~A-18任一者之非液晶單體與液晶單體的比率以莫耳比計均為35：65。 針對所得之側鏈型液晶聚合物，以和上述側鏈型液晶聚合物A-06同樣方式測定質量平均分子量，進行結構解析。又，利用Py-GC-MS乃至MALDI-TOFMS，確認包含源自於所使用之2種或3種非液晶單體的構成單元。以下，顯示測定結果。
＜側鏈型液晶聚合物A-01＞ 質量平均分子量Mw：80001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.88(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-02＞ 質量平均分子量Mw：42001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.58~1.89(m,烷基-H)，3.63~4.20(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-03＞ 質量平均分子量Mw：78001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.82(m,烷基-H)，3.63~4.20(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-04＞ 質量平均分子量Mw：550001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.55~1.89(m,烷基-H)，3.61~4.27(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.18(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-05＞ 質量平均分子量Mw：82001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.61~1.82(m,烷基-H)，3.63~4.34(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.18(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-07＞ 質量平均分子量Mw：82001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.58~1.89 (m,烷基-H)，2.45(bs,苄基-H)，3.61~4.21(m,-O-CH2-)，6.67~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-08＞ 質量平均分子量Mw：81001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.59~1.84(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.72(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-09＞ 質量平均分子量Mw：81001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.88(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-10＞ 質量平均分子量Mw：78001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.88(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.98~7.72(m,芳香烴-H)
＜側鏈型液晶聚合物A-11＞ 質量平均分子量Mw：73001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.55~1.66(m,烷基-H)，2.49(bs,苄基-H)，3.77~4.17(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.11(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-12＞ 質量平均分子量Mw：82001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.72(m,烷基-H)，2.50(bs,苄基-H)，3.78~4.17(m,-O-CH2-)，6.76~7.73(m,芳香烴-H)，8.15(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-13＞ 質量平均分子量Mw：76001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.55~1.88(m,烷基-H)，2.32(bs,苄基-H)，3.77~4.17(m,-O-CH2-)，6.80~7.70(m,芳香烴-H)，8.11(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-14＞ 質量平均分子量Mw：76001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.57~1.74(m,烷基-H)，2.44(bs,苄基-H)，3.63~4.20(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.11(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-15＞ 質量平均分子量Mw：96001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.61~1.71(m,烷基-H)，2.51(bs,苄基-H)，3.60~4.31(m,-O-CH2-)，6.81~7.70(m,芳香烴-H)，8.15(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-16＞ 質量平均分子量Mw：89001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.53~1.74(m,烷基-H)，2.29(bs,苄基-H)，3.13~4.59(m,-O-CH2-)，6.72~7.75(m,芳香烴-H)，8.12(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-17＞ 質量平均分子量Mw：78001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.60~1.88(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
＜側鏈型液晶聚合物A-18＞ 質量平均分子量Mw：76001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.55~1.84(m,烷基-H)，3.63~4.32(m,-O-CH2-)，6.80~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
(比較製造例1：側鏈型液晶聚合物A-X1的合成) 將前述側鏈型液晶聚合物A-06之合成例中的非液晶單體變更如表1所示，此外以和前述側鏈型液晶聚合物A-06之合成例相同方式進行，獲得側鏈型液晶聚合物A-X1。 針對所得側鏈型液晶聚合物A-X1，以和上述側鏈型液晶聚合物A-06同樣方式測定質量平均分子量，進行結構解析。 ＜側鏈型液晶聚合物A-X1＞ 質量平均分子量Mw：86001 H-NMR(400MHz, DMSO-d6, TMS)：0.55~1.89(m,烷基-H)，3.65~4.23(m,-O-CH2-)，6.79~7.73(m,芳香烴-H)，8.17(bs,CN-C＝CH-)
[表1]
準備下述化學式B-01及下述化學式B-02之化合物，作為聚合性液晶化合物。
[化25] 化學式B－01化學式B-02
準備下述C-01及下述C-02(均為BASF公司製)，作為光聚合引發劑。 C-01：IRGACURE 907 C-02：IRGACURE 184
又，作為調平劑，係準備D-01：含氟界面活性劑(DIC公司製，MEGAFAC F-554)。
(實施例1：液晶組成物的調製) 將側鏈型液晶聚合物(A-01)50質量份、光聚合性液晶化合物(B-01)50質量份及光聚合引發劑(C-01：汽巴精化公司製，IRGACURE 907)4質量份溶解於環己酮400質量份中，調製出液晶組成物1。
(實施例2~23：液晶組成物2~23的調製) 將實施例1中各成分之組成依表2變更，此外以和實施例1相同的方式製得液晶組成物2~23。
(比較例1~2：比較液晶組成物X1~X2的調製) 將實施例1中各成分之組成依表2變更，此外以和實施例1相同的方式製得比較液晶組成物X1~X2。
［評價］ (相位差膜乃至轉印用積層體的製作) 調製下述混合物以作為垂直配向膜用組成物：將2-苯氧基乙基丙烯酸酯、四氫呋喃甲基丙烯酸酯、二新戊四醇三丙烯酸酯與雙(2-乙烯基氧基乙基)醚以1：1：4：5之質量比混合，再以4質量%的比率添加作為聚合引發劑的Lucirin TPO(BASF公司製)， 形成混合物。 使用厚度38μm的PET基材，在其一面塗覆前述垂直配向膜用組成物形成3μm膜厚，並照射20mJ/cm2 之紫外線，製作出配向膜。 接著在所形成的配向膜上，藉模頭塗佈法將前述實施例及比較例之液晶組成物分別塗佈在配向膜上，且塗敷時調整流量以使測定波長550nm下之厚度相位差Rth(550)變成-100nm，藉此使液晶組成物成膜。然後，以表2所示乾燥溫度乾燥120秒後照射紫外線(UV)形成相位差層，從而獲得相位差膜乃至轉印用積層體。 厚度相位差値之測定，係將相位差層轉印至附黏膠之玻璃上並使用王子計測機器(股)公司製KOBRA-WR來測定。
＜面內均一性評價＞ 將上述所得相位差膜乃至轉印用積層體之相位差層轉印至附黏膠之玻璃上，使用王子計測機器(股)公司製 KOBRA-WR，測定波長550nm之光的相位差値Rth。於相位差層表面設定10cm見方之範圍，在該範圍內就10點各別進行測定，利用所得相位差値的最大値與最小値之差值(ΔRth)評價面內均一性。結果顯示於表2。 (評價基準) A：ΔRth在2nm以下。 B：ΔRth大於2nm且在3nm以下。 C：ΔRth大於3nm。 上述面內均一性評價為A或B時，相位差値之面內均一性優良。
＜撓曲評價＞ 將上述所得之相位差膜乃至轉印用積層體分別作成50mm×100mm的試驗片，將該試驗片以塗膜面朝外側的方式設置於軸彎曲試驗器，使用直徑2mm之圓軸將其撓曲，以直至產生破裂為止的撓曲次數來評價抗撓曲性。結果顯示於表2。 (評價基準) A：撓曲10萬次以上仍未產生破裂。 B：撓曲5萬次以上且未滿10萬次下產生破裂。 C：在撓曲未滿5萬次下產生破裂。 上述撓曲評價為A或B時，耐彎曲性優良。
[表2]
［結果彙整］ 從表2的結果清楚顯示，包含本揭示內容之側鏈型液晶聚合物(其含有L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數不同的2種以上前述通式(I)所示構成單元、與具有含液晶性部分之側鏈的液晶性構成單元)的實施例1~23之相位差膜，係相位差値之面內均一性優良且耐彎曲性亦優良。
1‧‧‧相位差層
2、2’‧‧‧基材
3‧‧‧配向膜
10‧‧‧相位差膜
11、21、31‧‧‧相位差層
12、22、32‧‧‧第二基材
13、23、33‧‧‧配向膜
15、25、35‧‧‧可剝離之支撐體
16、26、36‧‧‧供轉印用之相位層
17‧‧‧配向膜與相位差層之界面
27‧‧‧第二基材與配向膜之界面
20、30、40‧‧‧轉印用積層體
50‧‧‧偏光板
60‧‧‧光學構件
71‧‧‧透明電極層
72‧‧‧發光層
73‧‧‧電極層
100‧‧‧發光顯示裝置
圖1為表示相位差膜之一實施形態的示意性剖面圖。 圖2為表示相位差膜之一實施形態的示意性剖面圖。 圖3為表示相位差膜之一實施形態的示意性剖面圖。 圖4為表示轉印用積層體之一實施形態的示意性剖面圖。 圖5為表示轉印用積層體之一實施形態的示意性剖面圖。 圖6為表示轉印用積層體之一實施形態的示意性剖面圖。 圖7為表示光學構件之一實施形態的示意性剖面圖。 圖8為表示顯示裝置之一實施形態的示意性剖面圖。

Claims (10)

  1. 一種側鏈型液晶聚合物，具有2種以上之下述通式(I)所示構成單元與液晶性構成單元，該液晶性構成單元具有含液晶性部分之側鏈； 前述2種以上之下述通式(I)所示構成單元包含： 構成單元(a)，其以下述通式(I)表示；及 構成單元(b)，其以下述通式(I)表示且L1 或L1’ 所示連結基之碳原子數與前述構成單元(a)不同； [化1] 通式(I)(通式(I)中，R1 表示氫原子或甲基，R2 表示-L1 -R3 或-L1’ -R4 所示基團，L1 表示-(CH2 )n -所示連結基，L1’ 表示-(C2 H4 O)n’ -所示連結基，R3 表示可具有取代基之甲基、可具有烷基之芳基或-OR5 ，R4 及R5 係各自獨立表示可具有取代基之烷基或可具有取代基之芳基，n及n’係各自獨立為1以上且18以下之整數)。
  2. 如請求項1之側鏈型液晶聚合物，其中前述液晶性構成單元含有下述通式(II)所示構成單元： [化2] 通式(II)(通式(II)中，R11 表示氫原子或甲基，R12 表示-(CH2 )m -或-(C2 H4 O)m’ -所示基團；L2 表示直接鍵結或-O-、-O-C(＝O)-抑或-C(＝O)-O-所示連結基，Ar2 表示可具有取代基之碳原子數6以上且10以下之伸芳基，多個L2 及Ar2 可各自相同亦可相異；R13 表示-F、-Cl、-CN、-OCF3 、-OCF2 H、-NCO、-NCS、-NO2 、-NHC(＝O)-R14 、-C(＝O)-OR14 、-OH、-SH、-CHO、-SO3 H、-NR14 2 、-R15 或-OR15 ，R14 表示氫原子或碳原子數1以上且6以下之烷基，R15 表示碳原子數1以上且6以下之烷基；a為2以上且4以下之整數，m及m’係各自獨立為2以上且10以下之整數)。
  3. 一種液晶組成物，含有如前述請求項1或2之側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物與光聚合引發劑。
  4. 一種相位差膜，具有相位差層，且前述相位差層含有如請求項1或2之側鏈型液晶聚合物。
  5. 一種相位差膜，具有相位差層，且前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有如前述請求項1或2之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物。
  6. 一種相位差膜之製造方法，係藉由具有下述步驟而形成相位差層： 成膜步驟，將含有如請求項1或2之側鏈型液晶聚合物、聚合性液晶化合物與光聚合引發劑的液晶組成物成膜； 配向步驟，令前述已成膜之前述液晶組成物中之前述側鏈型液晶聚合物所具有的液晶性構成單元與前述聚合性液晶化合物配向；及 聚合步驟，於前述配向步驟後，令前述聚合性液晶化合物聚合。
  7. 一種轉印用積層體，具有相位差層與支撐體，且該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層，前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有如請求項1或2之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物，並且 前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用。
  8. 一種光學構件，係於如請求項5之相位差膜上配有偏光板者。
  9. 一種光學構件之製造方法，具有下述步驟： 準備轉印用積層體之步驟，該轉印用積層體具有相位差層與支撐體該支撐體係以可剝離方式支撐前述相位差層，前述相位差層包含液晶組成物之硬化物，該液晶組成物含有如請求項1或2之側鏈型液晶聚合物與聚合性液晶化合物，並且，前述轉印用積層體係供轉印前述相位差層之用； 轉印步驟，使至少含偏光板之被轉印體與前述轉印用積層體之前述相位差層相對，將前述轉印用積層體轉印至前述被轉印體上；及 剝離步驟，從已轉印至前述被轉印體上之前述轉印用積層體剝離前述支撐體。
  10. 一種顯示裝置，具有如請求項5之相位差膜，或具有在該相位差膜上配有偏光板之光學構件。
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