TW201811883A - 顆粒的塗佈方法 - Google Patents
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Abstract
本申請案是有關於一種顆粒的塗佈方法、一種光學膜、及一種製造主動液晶裝置的方法。在本申請案的所述顆粒的塗佈方法中,可在維持所述顆粒的形狀的同時將所述顆粒均勻地塗佈於基材上並進行固定。藉由以上方法而生產的本發明的光學膜可具有優異的顆粒分散度。一種利用以上方法來製造主動液晶裝置的方法可在簡化製造製程並防止重力缺陷的同時均勻地維持單元空隙。
Description
本申請案是有關於一種顆粒的塗佈方法、一種光學膜、及一種製造主動液晶裝置的方法。
本申請案主張於2016年6月7日提出申請的韓國專利申請案第10-2016-0070564號的優先權的權利,所述韓國專利申請案的揭露內容全文併入本案供參考。
為獲得液晶顯示元件中的均勻螢幕,間隙壁用於保持薄膜電晶體基材與彩色濾光片基材之間的空隙,亦為單元空隙常數(cell gap constant)。
在使用球間隙壁(ball spacer)作為所述間隙壁的情形中,將所述間隙壁與配向膜混合並將所述間隙壁塗佈於膜上的方法相較於使用柱間隙壁(column spacer)的方法具有製程簡單且成本低的優點,但存在難以對所述間隙壁進行塗佈而使得分散不均的問題。需要一種解決此種問題的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:韓國專利公開案第2012-0082310號
[技術問題] 本申請案提供一種其中可在維持顆粒的形狀的同時將顆粒均勻地塗佈並固定於基材上的顆粒的塗佈方法、一種藉由以上方法而生產的具有優異顆粒分散度的光學膜、以及一種利用以上方法來製造主動液晶裝置的方法,所述方法具有簡單製程且能夠在防止重力缺陷的同時均勻地維持單元空隙。 [技術解決方案]
本申請案是有關於一種顆粒的塗佈方法。所述顆粒的塗佈方法可為例如一種能夠在維持顆粒的形狀的同時將顆粒均勻地塗佈並固定於基材上的方法。
顆粒的塗佈的示例性方法包括將塗佈組成物塗佈於基材上、然後進行乾燥及固化的製程。所述基材可為具有3奈米至100奈米的表面粗糙度(Ra)的基材。所述塗佈組成物包含微粒、可固化樹脂及溶劑,且可將所述塗佈組成物塗佈於所述基材上,並接著進行乾燥及固化。
本申請案的所述顆粒的塗佈方法包括以下製程:將包含微粒、可固化樹脂、及溶劑的塗佈組成物塗佈於表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材上、然後進行乾燥及固化,以使得可在維持顆粒的形狀的同時將所述顆粒均勻地塗佈並固定於所述基材上。
圖1為說明性地示出以闡釋一種將顆粒塗佈於基材上的方法的圖。圖1說明性地示出其中在表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材100上塗佈有塗佈組成物200的狀態。在本說明書中,用語「表面粗糙度(surface roughness;Ra)為3奈米至100奈米的基材」可意指例如表面粗糙度滿足上述範圍的基材以及其中藉由如下所述的方法而形成有滿足上述範圍的表面粗糙度的基材。
所述基材中的表面粗糙度的下限可為3奈米或大於3奈米、4奈米或大於4奈米、5奈米或大於5奈米。若所述基材的表面粗糙度過小,則可能難以在維持微粒的形狀的同時均勻地塗佈所述微粒。具體而言,當將微粒塗佈至具有過小表面粗糙度的基材時,所述微粒自身在對溶劑進行乾燥的製程中發生聚合,為維持單元空隙常數必須塗佈相對大量的微粒,且因聚合造成尺寸增大而存在明顯的問題。
所述基材中的表面粗糙度的上限可為100奈米或小於100奈米、75奈米或小於75奈米、50奈米或小於50奈米、25奈米或小於25奈米、20奈米或小於20奈米、或者16奈米或小於16奈米。若所述基材的表面粗糙度過大,則二或更多個微粒之間的平面中的不均勻度非常大,因而可直觀地識別出所述微粒。在此種情形中,當使用微粒來保持主動液晶裝置的單元空隙時,可能會劣化主動液晶裝置的光學效能。舉例而言,當主動液晶裝置的單元空隙為3微米時,使用折射各向異性(refractive anisotropy)為0.1的液晶的裝置可具有300奈米的相差(phase difference)。然而,當所述基材的表面粗糙度超過100奈米時,所述裝置端視微粒的位置而具有10奈米的相差的差異。因此,若所述基材的表面粗糙度沿基材表面的某一部分而變為輕微不均勻的,則可能存在顯而易見的問題。
表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的所述基材可藉由以下製程a)至製程d)中的任一者來生產。
a)將包含奈米顆粒、可固化樹脂及溶劑的組成物塗佈於基材上,然後進行乾燥及固化; b)利用模具來形成基材; c)利用部分侵蝕性溶劑來侵蝕平坦的基材;以及 d)對平坦的基材施加物理力。
所述基材可包括基材膜。所述基材膜的類型並無特別限制,且舉例而言可使用選自由以下組成的群組的一者:聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、及聚醯亞胺。
所述基材可更包括形成於所述基材膜上的導電層。舉例而言,可藉由利用製程a)至製程d)中的任一者將所述基材膜的表面粗糙度直接調整至3奈米至100奈米來生產所述基材,抑或可藉由直接調整所述導電層的表面粗糙度來生產所述基材,抑或可藉由利用製程a)至製程d)中的任一者將所述基材膜的表面粗糙度調整至3奈米至100奈米並接著形成所述導電層來生產所述基材。
在一個實例中,可藉由a)將包含奈米顆粒及可固化樹脂的可固化組成物塗佈於基材上、然後進行乾燥及固化的製程來生產表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材。
圖2為說明性地示出根據一個實施例的具有人工形成的表面粗糙度的基材的圖。圖2說明性地示出基材100,基材100包括其中在基材膜110上塗佈有包含奈米顆粒121、可固化樹脂122及溶劑的組成物的塗層120。
在本說明書中,用語「奈米」可意指以奈米(nm)為單位的大小,且例如意指1奈米至小於1,000奈米的大小,但並非僅限於此。另外,在本文中用語「奈米顆粒」可意指平均粒徑是以奈米(nm)為單位的顆粒,且例如意指平均粒徑為1奈米至小於1,000奈米的顆粒,但並非僅限於此。
奈米顆粒可以分散於可固化樹脂中的狀態存在。舉例而言,以100重量份(parts by weight)的所述可固化樹脂計,在所述可固化樹脂中可包含0.1重量份至20重量份、以及0.1重量份至10重量份、或0.1重量份至5重量份、或者1重量份至3重量份的量的奈米顆粒。藉由在所述可固化組成物中包含處於上述範圍內的奈米顆粒,所述基材上可具有優異的表面粗糙度,且可藉由將微粒均勻地塗佈於基材上而均勻地形成所述主動液晶裝置的單元空隙。
可使用一或多個選自由聚合物、碳、金屬、複合物及氧化物組成的群組的顆粒作為所述種類的奈米顆粒,但並非僅限於此。
所述奈米顆粒的粒徑可慮及本申請案的目的來加以適當選擇。舉例而言,所述奈米顆粒的粒徑可為1奈米至小於1000奈米。所述奈米顆粒的粒徑的下限在上述範圍內可為10奈米或大於10奈米、或者100奈米或大於100奈米,且所述奈米顆粒的粒徑的上限在上述範圍內可為800奈米或小於800奈米、或者600奈米或小於600奈米。
所述可固化樹脂意指藉由紫外線來進行固化的樹脂,且所述可固化樹脂可為包含丙烯酸官能基的可固化樹脂。舉例而言,可使用反應性丙烯酸酯寡聚物、多官能丙烯酸酯單體、或其混合物作為所述可固化樹脂。在一個實例中,可使用胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧丙烯酸酯寡聚物、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、或其混合物作為所述反應性丙烯酸酯寡聚物。
另外,作為所述多官能丙烯酸酯單體,可使用二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三亞甲基丙基三丙烯酸酯(trimethylene propyl triacrylate)、丙氧基化甘油三丙烯酸酯、三甲基丙烷乙氧基三丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、丙氧基化甘油三丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯或其混合物。
所述可固化樹脂可包括光配向樹脂。在本說明書中,用語「光配向樹脂」可意指例如藉由因光照射發生光異構化反應(photo-isomerization reaction)、光降解反應(photo-degradation reaction)、或光二聚反應(photo-dimerization reaction)而進行定向並表現出液晶定向的化合物。舉例而言,所述光配向樹脂可為藉由因經偏振紫外線照射發生光二聚反應而表現出液晶定向的樹脂。
在本說明書中,用語「液晶定向」可意指能夠在預定方向上對與配向膜、光配向樹脂、或所述樹脂的反應物相鄰的液晶分子、液晶化合物或其前驅物進行定向的性質。
可使用此項技術中已知的各種樹脂作為光配向樹脂,但並非僅限於此。作為光配向樹脂,可使用例如選自由聚醯胺、聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚醯胺酸及聚桂皮酸酯組成的群組的至少一者。
在本說明書中,用語「可固化樹脂的層」可意指例如在將包含奈米顆粒及可固化樹脂的組成物塗佈於基材膜上、然後進行乾燥及固化的製程中,除所塗佈組成物的奈米顆粒的大小外僅示出所述可固化樹脂的厚度的層。可固化樹脂122可具有50奈米至500奈米的層厚度。所述可固化樹脂中的層厚度的上限在上述範圍內可為400奈米或小於400奈米、或者300奈米或小於300奈米,且所述可固化樹脂中的層厚度的下限可為100奈米或大於100奈米、或者200奈米或大於200奈米。藉由使所述可固化樹脂的層厚度滿足上述範圍,奈米顆粒的粒徑大於所述可固化樹脂的層厚度,以使得可形成所述基材的表面粗糙度。
可利用已知塗佈方法作為所述組成物的塗佈方法,且舉例而言可利用旋塗(spin coating)、棒塗(bar coating)、輥塗(roll coating)、凹版塗佈(gravure coating)、刮塗(blade coating)等。可藉由以下方式來固化所述組成物:經由以上方法將所述組成物塗佈於所述基材膜上,且接著在約50℃至100℃的溫度下在烘箱中將所塗佈組成物乾燥約1分鐘至3分鐘,然後進行紫外線照射。紫外線照射並非僅限於此,且例如可藉由使用紫外線照射設備(熔合燈(fusion lamp),D燈泡)以大約10毫瓦/平方公分至500毫瓦/平方公分的紫外線進行照射來執行。
在另一實例中,可藉由b)利用模具形成基材的製程來生產表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材。舉例而言,可藉由以下方式來形成表面粗糙度:將可模製可固化樹脂塗佈於基材膜上,將所述可模製可固化樹脂與具有能夠在上述範圍內形成表面粗糙度的圖案的模具黏合在一起,且接著對其施加壓力。
在另一實例中,可藉由c)利用部分侵蝕性溶劑部分地侵蝕平坦的基材的製程來生產表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的所述基材。舉例而言,可藉由以下方式來形成表面粗糙度:利用對基材膜或額外塗層具有溶解度的溶劑對基材膜或額外塗層進行塗佈、然後進行乾燥。
在另一實例中,可藉由d)對平坦的基材施加物理力的製程來生產表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的所述基材。舉例而言,可藉由以下方式來形成表面粗糙度:將可模製可固化樹脂塗佈於基材膜上,且接著對所述可模製可固化樹脂施加壓力以在上述範圍內形成表面粗糙度。
在本說明書中,用語「微」可意指以微米(μm)為單位的大小,且可意指例如1微米至小於1,000微米的大小,但並非僅限於此。另外,在本文中用語「微粒」可意指平均粒徑是以微米(μm)為單位的顆粒,且可意指例如平均粒徑處於1微米至小於1,000微米範圍內的顆粒,但並非僅限於此。
微粒可以固定於所述基材上的狀態被分散且以所述狀態存在。在本說明書中,用語「固定」意指物件等被牢固地黏附。微粒可用於藉由以固定於具有表面粗糙度(Ra)的基材上的狀態被分散而均勻地形成主動液晶裝置的單元空隙,所述表面粗糙度(Ra)是藉由製程a)至製程d)中的任一種方法來形成。
可使用選自由聚合物、碳、複合物及氧化物組成的群組的至少一者作為所述種類的微粒。
所述微粒的粒徑可慮及本申請案的目的來加以適宜地選擇。舉例而言,微粒可具有1微米至小於100微米、3微米至80微米、5微米至50微米、或8微米至30微米的粒徑。微粒可藉由具有處於上述範圍內的粒徑而以固定於所述基材上的狀態被分散且以所述狀態存在。
若所述微粒的粒徑太小,則當使用所述微粒作為液晶裝置的球間隙壁時單元空隙變得太小,且因此由於光學膜的變形而可能很難達成所期望液晶裝置的單元空隙。當為了使光學膜的變形最小化而塗佈更多微粒時,可能存在液晶裝置的透射率降低的問題。另外,若所述微粒的粒徑太小,則下文將闡述的主動液晶裝置中被佔用的配向膜的量太大而無法照原樣保持所述顆粒的形狀。因此,可能難以藉由所述微粒來維持主動液晶裝置的單元空隙。此外,若為解決所述問題而減少用於固定所述微粒的配向膜的量,則可能存在所述微粒因外部因素而容易分離的問題。此外,若所述微粒的粒徑太大,則即使所述微粒被均勻地分散亦可直觀地觀察到所述微粒,因而使液晶裝置的光學效能劣化。
所述微粒的密度為0.61克/立方公分至2.1克/立方公分,所述微粒的密度可大於溶劑的密度。舉例而言,所述微粒中的密度的下限可為0.7克/立方公分或大於0.7克/立方公分、0.8克/立方公分或大於0.8克/立方公分、或者0.9克/立方公分或大於0.9克/立方公分,且所述微粒中的密度的上限可為1.5克/立方公分或小於1.5克/立方公分。藉由具有密度處於上述範圍內且較溶劑的密度大的所述微粒,在將包含所述微粒、所述可固化樹脂、及所述溶劑的塗佈組成物塗佈於所述基材上、然後進行乾燥的製程中,所述微粒具有至所述基材的表面的快速沈降速度,以使得可因所述基材的表面粗糙度而產生立體阻礙的效果。
在一個實例中,所述微粒的密度與所述溶劑的密度之間的差值可為0.01克/立方公分至0.60克/立方公分、以及0.05克/立方公分至0.50克/立方公分、0.10克/立方公分至0.40克/立方公分、或者0.15克/立方公分至0.30克/立方公分。
所述溶劑可具有0.6克/立方公分至1.5克/立方公分、以及0.7克/立方公分至1.3克/立方公分、0.8克/立方公分至1.1克/立方公分、或者0.9克/立方公分至1.0克/立方公分的密度。藉由具有密度處於上述範圍內且較微粒的密度小的溶劑,在將包含所述微粒、所述可固化樹脂及所述溶劑的塗佈組成物塗佈於基材上、然後進行乾燥的製程中,所述微粒具有至所述基材的表面的快速沈降速度,以使得可因所述基材的表面粗糙度而產生立體阻礙的效果。
可在將包含所述微粒、所述可固化樹脂及所述溶劑的塗佈組成物塗佈於所述基材上之後進行所述溶劑的蒸發。此時,當基材表面的粗糙度充當立體阻礙時,可防止所述微粒隨著所述溶劑的流動而移動。舉例而言,所述溶劑可具有40℃至250℃、以及60℃至200℃、或者80℃至150℃的沸點。
可使用密度小於上述微粒的密度的溶劑作為所述種類的溶劑,且舉例而言,可使用選自由以下組成的群組的一或多者:脂肪族類,例如正己烷、庚烷、及辛烷;芳香族類,例如苯、甲苯、及二甲苯;氯化物,例如二氯甲烷、三氯甲烷、及四氯甲烷;醇類,例如乙醇、異丙醇、及丁醇;酯類,例如乙酸乙酯、乙酸丙酯、及丙二醇甲醚乙酸酯(propylene glycol methyl ether acetate,PGMEA);酮類,例如甲基乙基酮(methyl ethyl ketone,MEK)、甲基異丁基酮(methyl isobutyl ketone,MIBK)、環己酮、及環戊酮;以及醚類,例如四氫呋喃、石油醚、1,2-二甲氧基乙烷(1,2-dimethoxy ethane,DME)、及二乙二醇二甲醚(二甘二甲醚)。
在將包含所述微粒、所述可固化樹脂、及所述溶劑的所述塗佈組成物塗佈於所述基材上、然後進行乾燥及固化的製程中,所述塗佈組成物可具有10奈米至1000奈米、以及30奈米至800奈米、50奈米至500奈米、或者80奈米至300奈米的塗佈厚度。藉由使所述塗佈組成物的塗佈厚度滿足上述範圍,可在維持所述顆粒的形狀的同時將所述顆粒均勻地塗佈及固定於所述基材上,藉此可生產如下文所述的具有優異顆粒分散度的光學膜,且此外可均勻地形成包括所述光學膜的主動液晶裝置的單元空隙,簡化製造製程並防止重力缺陷。
可利用已知塗佈方法作為所述塗佈組成物的塗佈方法,且舉例而言可利用旋塗、棒塗、輥塗、凹版塗佈、刮塗等。可藉由以下方式來固化所述塗佈組成物:經由以上方法將所述塗佈組成物塗佈於所述基材上,且接著在約80°C至130°C的溫度下在烘箱中將所塗佈組成物乾燥約1分鐘至3分鐘,然後進行紫外線照射。紫外線照射並非僅限於此,且例如可藉由使用紫外線照射設備(熔合燈,D燈泡)以大約10毫瓦/平方公分至500毫瓦/平方公分的紫外線進行照射來執行。
以100重量份的所述溶劑計,所述塗佈組成物可包含0.1重量份至10重量份的量的所述微粒。具體而言,以100重量份的所述溶劑計,微粒含量的下限在上述範圍內可為0.5重量份或大於0.5重量份、或者0.1重量份或大於0.1重量份,且微粒含量的上限在上述範圍內可為8重量份或小於8重量份、或者5重量份或小於5重量份。當所述塗佈組成物包含處於上述範圍內的微粒時,可將所述微粒均勻地塗佈於所述基材上以均勻地形成主動液晶裝置的單元空隙,以簡化製造製程並防止重力缺陷。
本申請案亦是有關於一種光學膜。舉例而言,所述光學膜是有關於一種藉由如上所述的顆粒的塗佈方法而生產的光學膜。因此,下文將闡述的所述光學膜的詳細內容可同樣適用於在顆粒的塗佈方法中所述的內容。藉由以上方法而生產的光學膜可具有優異的顆粒分散度。
所述光學膜包含表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材以及塗佈於所述基材上的微粒。此時,所述微粒可具有0.5至2的分散度。所述微粒的分散度在上述範圍內可為0.55至1.80、0.60至1.50、0.65至1.30、或0.70至1.00。當所述微粒具有處於上述範圍內的分散度時,可均勻地形成包括所述光學膜的主動液晶裝置的單元空隙,以簡化製造製程並防止重力缺陷。
本申請案亦是有關於一種製造主動液晶裝置的方法。以上製造方法是有關於例如一種利用如上所述的顆粒的塗佈方法來製造主動液晶裝置的方法。因此,如下所述的製造主動液晶裝置的方法的詳細內容可同樣適用於在顆粒的塗佈方法中所述的內容。藉由以上方法而製造的主動液晶裝置可在簡化製造製程並防止重力缺陷的同時均勻地維持單元空隙。
所述製造主動液晶裝置的方法可包括以下製程:將包含微粒、光配向樹脂、及溶劑的塗佈組成物塗佈於表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的下部基材上、然後進行乾燥及固化以形成光配向膜,以及在所述光配向膜上形成液晶層。
在本說明書中,所述主動裝置意指需要用於操作的能量源且具有當前輸入訊號及以往輸入訊號的輸出功能的裝置。
本文中的所述主動液晶裝置意指用於利用液晶的光學性質對入射光進行調節的裝置,液晶的所述光學性質取決於藉由對所述液晶層施加能量源而誘發的液晶排列的改變。所述能量源可為例如電壓。
所述液晶層可包含此項技術中以各種方式已知的用於達成本申請案的目的的液晶化合物,但並非僅限於此。舉例而言,可利用已知液晶化合物來形成所述液晶層。
本申請案的所述製造主動液晶裝置的方法可更包括將上部基材積層於所述液晶層上的製程。此時,所述微粒可用作維持所述下部基材與所述上部基材之間的空隙的間隙壁。
所述下部基材或所述上部基材可包括基材膜及位於所述基材膜上的電極層。所述電極層可包括此項技術中以各種已知的用於達成本申請案的目的的電極,且可包含例如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)。 [本發明的效果]
本申請案的所述顆粒的塗佈方法可在維持顆粒的形狀的同時將所述顆粒均勻地塗佈並固定於基材上。藉由以上方法而生產的光學膜可具有優異的顆粒分散度。利用以上方法來製造主動液晶裝置的所述方法可在簡化製造製程並防止重力缺陷的同時均勻地維持單元空隙。
以下,將藉由根據本申請案的實例及不符合本申請案的比較例更詳細地闡述本申請案,但本申請案的範圍並非由以下實例限制。
以下,利用以下方式對實例及比較例中的物理性質進行了評估。1 、粗糙度量測
對於在球間隙壁組成物的塗佈之前的基材,使用原子力顯微鏡(NX10,帕克系統公司(Park systems))設備對10微米×10微米的面積中的表面粗糙度(Ra)值進行了量測。2 、分散度評估
對於利用球間隙壁而被固定的基材,使用放大率為×40的光學顯微鏡(BX51,奧林巴斯有限公司(OLYMPUS Co., Ltd.))對參考面積(1平方毫米)中的球間隙壁的數目進行了量測,且接著將藉由使未凝聚的球間隙壁的數目除以球間隙壁的總數目而獲得的值評估為分散度。實例 1 基材的生產
將粒徑為370奈米的聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)顆粒(XX-52BQ,積水公司(SEKISUI))與來自本申請人的配向膜(5-降冰片烯-2-甲基-(4-甲氧基桂皮酸酯))在環己酮的溶劑(環己酮為99%,大井化金有限公司(DAEJUNG Chemicals & Metals Co., Ltd.))中進行了混合,以製備奈米顆粒組成物(溶劑:聚甲基丙烯酸甲酯顆粒:來自本申請人的配向膜的重量比=100:0.1:4)。利用邁爾棒(mayer bar)(# 4)在聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,PET,125微米的科茲莫什(COSMOSHINE)® A4300,東洋紡公司(TOYOBO))基材膜(寬度×長度=100毫米×100毫米)上將奈米顆粒組成物塗佈至約10微米的厚度。在約80℃下在烘箱中將所塗佈組成物乾燥了約2分鐘。利用強度為約200毫瓦/平方公分的紫外線對經乾燥組成物照射了10秒以固化所述基材。球間隙壁的塗佈
將密度為1.19克/立方公分且粒徑為12微米的球間隙壁(KBN-512,積水公司(SEKISUI))及來自本申請人的配向膜(5-降冰片烯-2-甲基-(4-甲氧基桂皮酸酯))添加至密度為0.948克/立方公分的環己酮的溶劑(環己酮為99%,大井化金有限公司)中,然後進行混合,以製備球間隙壁組成物(溶劑:球間隙壁:來自本申請人的配向膜的重量比=100:1:2)。利用邁爾棒(# 10)在如上所生產的基材上將球間隙壁組成物塗佈至約25微米的厚度。在約100°C下在烘箱中將所塗佈組成物乾燥了約2分鐘。利用強度為約200毫瓦/平方公分的紫外線對經乾燥組成物照射了10秒並進行了固化,以將所述球間隙壁塗佈於所述基材上。將球間隙壁固定於基材上並以分散狀態進行塗佈。實例 2
除了將基材膜改變為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,TH46H,SKC公司(SKC),長度×寬度=100毫米×100毫米)以外,以與實例1相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。實例 3
除了將基材膜改變為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,U48,東麗公司(Toray),長度×寬度=100毫米×100毫米)以外,以與實例1相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。實例 4
除了將球間隙壁組成物直接塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,COSMOSHINE® A4300,東洋紡公司)基材膜上、且進行了乾燥及固化以外,以與實例1相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。實例 5
除了將間隙壁組成物直接塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,U48,東麗公司)基材膜上、且進行了乾燥及固化以外,以與實例3相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。比較例 1
除了在製造基材時不混合有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)顆粒以外,以與實例1相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。比較例 2
除了將球間隙壁組成物直接塗佈於聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET,TH46H,SKC公司)基材膜上、且進行了乾燥及固化以外,以與實例2相同的方式對球間隙壁進行了塗佈。 [表1]
如表1及圖3至圖7所示,可確認到,利用滿足本申請案的表面粗糙度的基材的實例1至實例5中的球間隙壁相較於利用不滿足本申請案的表面粗糙度的基材的比較例1及比較例2,具有優異的分散度。
100‧‧‧基材
110‧‧‧基材膜
120‧‧‧塗層
121‧‧‧奈米顆粒
122‧‧‧可固化樹脂
200‧‧‧塗佈組成物
圖1為說明性地示出以闡釋一種將顆粒塗佈於基材上的方法的圖。 圖2為說明性地示出根據一個實施例的具有人工形成的表面粗糙度的基材的圖。 圖3示出在實例1至實例5中生產的基材的原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope,AFM)影像。 圖4示出在比較例1及比較例2中生產的基材的原子力顯微鏡影像。 圖5示出在實例1至實例5中生產的基材的光學顯微鏡(optical microscope,OM)影像。 圖6示出在比較例1及比較例2中生產的基材的光學顯微鏡影像。 圖7示出在實例1至實例5以及比較例1及比較例2中生產的基材的粗糙度及微粒分散度的曲線圖。
Claims (15)
- 一種顆粒的塗佈方法,包括將包含微粒、可固化樹脂及溶劑的塗佈組成物塗佈於表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的基材上、然後進行乾燥及固化的製程。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的所述基材是藉由以下製程a)至製程d)中的任一者來生產: a)將包含奈米顆粒、可固化樹脂及溶劑的組成物塗佈於基材上,然後進行乾燥及固化; b)利用模具來形成基材; c)利用部分侵蝕性溶劑來侵蝕平坦的基材;以及 d)對平坦的基材施加物理力。
- 如申請專利範圍第2項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述基材包括選自由以下組成的群組的一個基材膜:聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、及聚醯亞胺。
- 如申請專利範圍第3項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述基材更包括形成於所述基材膜上的導電層,且所述基材是藉由以下方式而生產:藉由所述製程a)至所述製程d)中的任一者將所述基材膜的所述表面粗糙度調整至3奈米至100奈米,且接著在所述基材膜上形成所述導電層。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述微粒是以固定於所述基材上的狀態被分散。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述微粒具有1微米至小於100微米的粒徑。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述微粒具有0.61克/立方公分至2.1克/立方公分的密度,且所述微粒的所述密度大於所述溶劑的所述密度。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述溶劑包括一或多種選自由以下組成的群組的溶劑:脂肪族類,包括正己烷、庚烷、及辛烷;芳香族類,包括苯、甲苯、及二甲苯;氯化物,包括二氯甲烷、三氯甲烷、及四氯甲烷;醇類,包括乙醇、異丙醇、及丁醇;酯類,包括乙酸乙酯、乙酸丙酯、及丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA);酮類,包括甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、環己酮、及環戊酮;以及醚類,包括四氫呋喃、石油醚、1,2-二甲氧基乙烷(DME)、及二乙二醇二甲醚(二甘二甲醚)。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中所述塗佈組成物具有10奈米至1000奈米的塗佈厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的顆粒的塗佈方法, 其中以100重量份的所述溶劑計,所述塗佈組成物包含0.1重量份至10重量份的量的所述微粒。
- 一種光學膜,包含 基材,具有3奈米至100奈米的表面粗糙度(Ra);以及 微粒,分散於所述基材上,其中所述微粒具有0.5至2的分散度。
- 如申請專利範圍第11項所述的光學膜, 其中所述微粒固定於所述基材上且以分散狀態存在。
- 一種製造主動液晶裝置的方法,其包括以下製程:將包含微粒、光配向樹脂、及溶劑的塗佈組成物塗佈於表面粗糙度(Ra)為3奈米至100奈米的下部基材上、然後進行乾燥及固化以形成光配向膜,以及在所述光配向膜上形成液晶層。
- 如申請專利範圍第13項所述的製造主動液晶裝置的方法, 更包括將上部基材積層於所述液晶層上的製程,其中所述微粒用作維持所述下部基材與所述上部基材之間的空隙的間隙壁。
- 如申請專利範圍第14項所述的製造主動液晶裝置的方法, 其中所述下部基材或所述上部基材包括基材膜及位於所述基材膜上的電極層。
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