TW201810756A - 顯示設備 - Google Patents

顯示設備 Download PDF

Info

Publication number
TW201810756A
TW201810756A TW106114547A TW106114547A TW201810756A TW 201810756 A TW201810756 A TW 201810756A TW 106114547 A TW106114547 A TW 106114547A TW 106114547 A TW106114547 A TW 106114547A TW 201810756 A TW201810756 A TW 201810756A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective film
area
film substrate
display device
layer
Prior art date
Application number
TW106114547A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI740936B (zh
Inventor
李相月
姜盛球
金辰奎
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201810756A publication Critical patent/TW201810756A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI740936B publication Critical patent/TWI740936B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

一種能於製造和其使用期間減少不良率的顯示設備包括基板、顯示單元以及保護膜。基板包含顯示區和外圍區,外圍區位於顯示區之外;顯示單元位於基板的上表面之上,以對應該顯示區;保護膜包括保護膜基底以及黏附層,保護膜經由黏附層附著於基板的下表面,其中,保護膜基底包括第一保護膜基底以及第二保護膜基底,第一保護膜基底至少對應顯示區,而第二保護膜基底具有的物理特性異於第一保護膜基底的物理特性並對應至少一部分的外圍區。

Description

顯示設備
相關申請案的交互參照。
本申請案主張於西元2016年06月02日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2016-0068856號的優先權及效益,其揭露內容藉由引用併入本文。
一個或多個實施例關於顯示設備,且特別是關於一種能於製造和其使用期間減少不良率的顯示設備。
通常來說,顯示設備包括位於基板上的顯示單元。除此之外,保護膜黏附於基板的下表面。
然而,根據習知的顯示設備,缺陷可發生於顯示設備的製造期間、使用製造後的顯示設備期間或顯示設備的使用期限期間。可用黏附於基板下表面的保護膜減少許多缺陷。
一個或多個實施例包括一種能於製造和其使用期間減少不良率的顯示設備。
其他態樣將在下文詳細地描述中闡述,且部分將從描述顯而易見,或可藉由實施所呈現的實施例而習得。
根據一個或多個實施例,本發明的顯示設備包括:基板、顯示單元以及保護膜。基板包含顯示區和外圍區,外圍區位於顯示區之外;顯示單元設置於基板的上表面之上,以對應顯示區;保護膜包括保護膜基底和黏附層,保護膜經由黏附層附著於基板的下表面,其中,保護膜基底包括第一保護膜基底以及第二保護膜基底,第一保護膜基底至少對應顯示區,而第二保護膜基底具有的物理特性異於第一保護膜基底的物理特性並對應至少一部分的外圍區。
第二保護膜基底具有的光穿透率可大於第一保護膜基底的光穿透率。
第一保護膜基底具有的熱阻可大於第二保護膜基底的熱阻。第一保護膜基底具有的熱變形溫度可大於第二保護膜基底的熱變形溫度。
顯示設備更可包括電子裝置或印刷電路板,其設置於基板的上表面之上,以對應外圍區包含的電子裝置區,其中第二保護膜基底至少可對應電子裝置區。
第二保護膜基底可延伸至遠離顯示區之基板邊緣。
朝向電子裝置區的方向的第一保護膜基底的第一端部可與朝向顯示區的方向的第二保護膜基底的第二端部表面接觸。在朝向電子裝置區的方向上,第一端部和第二端部可對應顯示區邊緣。或者,在朝向顯示區的方向上,第一端部和第二端部可對應電子裝置區邊緣。
另一個更進一步之供選擇的方案為,在朝向電子裝置區的方向上,第一保護膜基底的第一端部可對應顯示區的邊緣。
在朝向顯示區的方向上,第二保護膜基底的第二端部可對應電子裝置區的邊緣。
朝向電子裝置區的方向上的第一保護膜基底的第一端部可與朝向顯示區的方向上的第二保護膜基底的第二端部彼此隔開。黏附層可包括第一黏附層和第二黏附層,第一黏附層對應第一保護膜基底而第二黏附層對應第二保護膜基底,且朝向電子裝置區的方向上的第一黏附層的端部可與朝向顯示區的方向上的第二黏附層的端部彼此隔開。
黏附層可包括第一黏附層和第二黏附層,第一黏附層對應第一保護膜基底而第二黏附層對應第二保護膜基底,而第二黏附層具有的物理特性異於第一黏附層的物理特性並對應第二保護膜基底。
外圍區可包括彎曲區,且基板於彎曲區彎曲。第一保護膜基底可對應彎曲區。
至少可部分移除第一保護膜基底之對應彎曲區的一部分。
第一保護膜基底之對應彎曲區的一部分可包括複數個開口或複數個溝槽。
在與彎曲的基板的上表面平行的一虛擬表面中,各開口或各溝槽沿著從顯示區往外圍區的方向延伸。從複數個開口或複數個溝槽中,位於彎曲區的中心部分的複數個開口或複數個溝槽具有的面積可大於位在鄰近彎曲區邊緣的複數個開口或複數個溝槽的面積。
複數個開口或複數個溝槽的內側表面可未垂直於基板的上表面。
其中,第一保護膜基底的一部分包括複數個開口或複數個溝槽,且其具有的面積可小於彎曲區的面積。其中,第一保護膜基底的一部分可包括複數個開口或複數個溝槽,且其具有的面積可等於彎曲區的面積。其中,第一保護膜基底的一部分包括複數個開口或複數個溝槽,且其具有的面積可大於彎曲區的面積。
第二保護膜基底可對應彎曲區以及鄰近彎曲區的一部分。
至少可部分移除第二保護膜基底之對應彎曲區的一部分。
第二保護膜基底之對應彎曲區的一部分可包括複數個開口或複數個溝槽。在與彎曲的基板的上表面平行的一虛擬表面中,各開口或各溝槽沿著從顯示區往外圍區的方向延伸。從複數個開口或複數個溝槽中,位於彎曲區的中心部分的複數個開口或複數個溝槽具有的面積可大於位在鄰近彎曲區邊緣的複數個開口或複數個溝槽的面積。
黏附層可包括對應彎曲區的開口。開口可填充空氣。保護膜基底可包括對應黏附層開口的開口。
黏附層可包括對應彎曲區的複數個開口。第一保護膜基底可對應彎曲區,且第一保護膜基底可包括複數個開口或複數個溝槽對應黏附層的複數個開口。第二保護膜可對應彎曲區以及鄰近彎曲區的部分,且第二保護膜基底可包括複數個開口或複數個溝槽對應黏附層的複數個開口。
將詳細參考繪示在附圖中的例示性實施例,其中,全文中相同的元件符號指稱相同的元件。於此方面,本實施例可具有不同形式且不應理解為限制於本文所列舉的描述。因此,如下參考附圖所描述的實施例僅用以解釋本揭露的態樣。本文使用的用語「及/或(and/or)」包含一或多個相關所列舉項目的任何以及所有組合。例如「至少其一(at least one of)」之表述語於元件列表之前修改所有元件列表而非修改列表中的個別元件。
下文中,將藉由參考附圖解釋本發明概念的例示性實施例,以詳細描述本揭露。圖式中相同的元件符號代表相同元件。
在附圖中,為了方便解釋可誇大部件的尺寸。換句話說,由於為了方便解釋任意繪示圖式中的部件的厚度和尺寸,下列實施例未限制於此。
在下列實例中,x軸、y軸和z軸未限制於直角坐標系的三軸,而可廣義詮釋。舉例來說,x軸、y軸和z軸可互相垂直,或可表示未互相垂直的三個不同方向。
第1圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖。如第1圖所示,顯示設備根據實施例包括基板100、顯示單元DU以及保護膜170。
基板100包括顯示區DA以及顯示區DA之外的外圍區PA。基板100可包括具有可撓性或可彎曲性的特性之各種材料,舉例來說,例如聚醚碸(polyethersulfone, PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide, PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide, PPS)、聚芳香酯(polyarylate, PAR)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)以及醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate, CAP)之高分子樹脂。此外,於一些實施例中,基板100可包括多層結構。
顯示單元DU設置於基板100的上表面之上(於+z方向上)以對應顯示區DA。顯示單元DU可包括例如有機發光裝置或薄膜電晶體之顯示裝置。將參考後述的實施例描述顯示單元DU的例示性配置。
保護膜170包括保護膜基底171以及黏附層172。保護膜170經由黏附層172附著於基板100的下表面(於-z方向上)。亦即,保護膜170相對於顯示單元DU(+z方向)而位於基板的下表面之上(-z方向)。保護膜170的黏附層172可例如包括感壓膠(PSA)。
具有黏附層172的保護膜170包含的保護膜基底171可包括第一保護膜基底171a以及第二保護膜基底171b。第一保護膜基底171a及第二保護膜基底171b彼此可在相同平面。此外,如第1圖所示,第一保護膜基底171a至少可對應顯示區DA,而第二保護膜基底171b可對應至少一部分的外圍區PA。亦即,第一保護膜基底171a具有的面積可大於或等於顯示區DA的面積。在第1圖中,描繪第一保護膜基底171a對應鄰近顯示區DA之外圍區PA的一部分以及顯示區DA。
在上述保護膜基底171中,第一保護膜基底171a及第二保護膜基底171b彼此可具有不同的物理特性。詳細地,第二保護膜基底171b的光穿透率可大於第一保護膜基底171a的光穿透率。再者,第一保護膜基底171a的熱阻可高於第二保護膜基底171b的熱阻。更詳細地,第一保護膜基底171a於發生變形時的熱變形溫度可高於第二保護膜基底171b於發生變形時的熱變形溫度。
如第1圖所示,顯示設備更可包括例如驅動積體電路(IC)之電子裝置800。電子裝置800位於基板100的外圍區PA之上。詳細地,安置電子裝置800於基板100的上表面之上(+z方向上),以對應基板100的外圍區PA所包含的電子裝置區(EDA)。於第1圖中,為了方便描述而未繪示基板100的上表面(+z方向上)之上的接線及/或接墊,且電子裝置800可電性連接於未繪示的接線及/或接墊。
電子裝置800可透過異向性導電膜(ACF)黏附於基板100上。亦即,異向性導電膜包含的導電球700接觸基板100上的接線及/或接墊,且凸塊接點810同時設置於電子裝置800的主體820下,以電性連接接線及/或接墊和凸塊接點810。因此,電子裝置800可電性連接於接線及/或接墊。於此,為了檢查電子裝置800是否電性連接於接線及/或接墊,可執行壓力標記測試。假如電子裝置未正確地連接於接線及/或接墊,這將為缺陷並可造成顯示設備的故障。
壓力標記測試可以檢查例如電子裝置800安裝在基板100上時所施加的壓力對導電球700造成損壞的程度。導電球的損壞可意味導電球700可被壓入並介於電子裝置800的凸塊接點810和基板100上的接線及/或接墊之間,而因此被加壓,據此,可相應地假定電子裝置800電性連接於基板100上的接線及/或接墊。
為了執行壓力標記測試,電子裝置800的對應保護膜170的部分可具有光穿透特性。亦即,保護膜170具有對應電子裝置之帶有高穿透率的部分,從而可透過保護膜170及基板100確認導電球700的狀態。為達成此目的,第二保護膜基底171b至少對應電子裝置800位於其中的電子裝置區EDA,並可設定第二保護膜基底171b具有高穿透率。因此,當第二保護膜基底171b的光穿透率大於第一保護膜基底171a的光穿透率且基板100也透射光時,接著可執行壓力標記測試以判定電子裝置800是否正確地連接於基板100上的接線及/或接墊。
此外,顯示設備可於其製程期間接受各種可靠度測試。這係為了於製造顯示設備期間且使用前評估於各種狀況下使用製造完成後的顯示設備將是否可能有任何問題。可靠度測試可例如包括評估在高溫下顯示設備是否為有缺陷的或在潮濕狀況下顯示設備是否為有缺陷的。亦即,可需要顯示設備中元件的特定特性,以讓顯示設備於高溫或潮濕狀況下測試時維持不變。特別是,假如顯示設備於顯示區DA中具有可撓性或可彎曲性的特性,則可需要可靠度測試評估於可撓性或可彎曲性的損失。
為達成此目的,可改善對應顯示區DA的第一保護膜基底171a的熱阻。因此,第一保護膜基底171a的熱阻可大於第二保護膜基底171b的熱阻。詳細地,第一保護膜基底171a於發生變形時的熱變形溫度可高於第二保護膜基底171b於發生變形時的熱變形溫度。如此,保護膜170之對應顯示區DA的部分可於可靠度測試期間未變形。
因為第二保護膜基底171b對應顯示區DA的外側區,第一保護膜基底171a的可撓性應於可靠度測試期間降低,則顯示區DA的可撓性或可彎曲性可未降低。因此,觀察顯示區DA的使用者將認定顯示設備的整體可撓性或可彎曲性為保持穩定的。
保護膜170的保護膜基底171可包括聚醯亞胺以及聚乙烯。特別是,第一保護膜基底171a可包括聚醯亞胺,而第二保護膜基底171b可包括聚乙烯。通常聚乙烯具有的光穿透率高於聚醯亞胺的光穿透率。因此,包括聚乙烯之第二保護膜基底171b具有的光穿透率可高於包括聚醯亞胺之第一保護膜基底171a的光穿透率。此外,聚乙烯的熱變形溫度約80℃,而聚醯亞胺的熱變形溫度遠高於80℃。因此,包括聚醯亞胺之第一保護膜基底171a具有的熱阻大於包括聚乙烯之第二保護膜基底171b的熱阻。
根據實施例,保護膜170盡可能覆蓋基板100的下表面(-z方向上),以充分保護基板100的下表面(-z方向上)。因此,如第1圖所示,第二保護膜基底171b可延伸至遠離顯示區DA(+x方向)之基板100邊緣。於第1圖中,在相對於顯示區DA的方向上,基板100的端部表面與第二保護膜基底171b的端部表面齊平。
此外,如第1圖所示,朝向電子裝置區EDA的方向上(+x方向)的第一保護膜基底171a的第一端部可與朝向顯示區DA的方向上(-x方向)的第二保護膜基底171b的第二端部表面接觸。如此,保護膜170可保護大部分基板100的下表面。於此實例中,第一端部和第二端部可如第1圖所示位於外圍區PA中,但未限制於此。亦即,如第2圖所示,第2圖為根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,第一端部和第二端部可位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。於此實例中,在朝向電子裝置區EDA的方向上,第一端部和第二端部對應顯示區DA的邊緣。此外,第2圖描繪顯示區DA具有的面積大於顯示單元DU的面積。於第3圖的實例中,第3圖為根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,顯示區DA的邊緣對應顯示單元DU的邊緣,第一端部和第二端部也可位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。
具有高光穿透率的第二保護膜基底171b至少可對應電子裝置區EDA。因此,如第4圖所示,第4圖為根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,朝向顯示區DA的方向上(-x方向),第一端部和第二端部可對應電子裝置區EDA的邊緣。於此實例中,藉由具有優異的光穿透率之第二保護膜基底171b,可充分執行壓力標記測試檢查電子裝置800的安裝狀態,且具有優異的熱阻之第一保護膜基底171a盡量可同時保護基板100的下表面(-z方向上)。
到目前為止,如上描述顯示設備包括電子裝置800的實例,但一個或多個實施例未限制於此。舉例來說,如第5圖所示,第5圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,顯示設備可包括印刷電路板900。印刷電路板900也藉由異向性導電膜黏附於基板100上。亦即,異向性導電膜的導電球700接觸基板100上的接線及/或接墊(未繪示),且凸塊接點910同時位於印刷電路板900的主體920的下面部分之上,以電性連接接線及/或接墊和凸塊接點910。因此,印刷電路板900可電性連接接線及/或接墊。
於此實例中,也可執行壓力標記測試檢查印刷電路板900是否電性連接於接線及/或接墊。為達成此目的,第二保護膜基底171b至少可對應印刷電路板900位於其內之電子裝置區EDA;以及保護膜170之對應電子裝置區EDA的部分,亦即第二保護膜基底171b可具有優異的光穿透率。因此,第二保護膜基底171b的光穿透率可大於第一保護膜基底171a的光穿透率。印刷電路板900可延伸至基板100外。因此,印刷電路板900位於電子裝置區EDA內之描述可理解為意味印刷電路板900之電性連接基板100的部分位於電子裝置區EDA內。
如參考第2圖至第4圖之上述實施例可進行的修改,根據第5圖的實施例的顯示設備也可以相同的方式進行修改。亦即,朝向電子裝置區EDA的方向 (+x方向)上的第一保護膜基底171a的第一端部可與朝向顯示區DA的方向 (-x方向) 上的第二保護膜基底171b的第二端部互相表面接觸;且第一端部和第二端部可如第2圖所示位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。此外,於第5圖中,顯示區DA出示具有的面積大於顯示單元DU面積。然而,顯示區DA的邊緣可對應顯示單元DU的邊緣,且第一端部和第二端部可如第3圖所示位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。具有優異的光穿透率之第二保護膜基底171b至少可對應電子裝置區EDA。因此,相似於第4圖所示的實例,朝向顯示區DA的方向上(-x方向),第一端部和第二端部可對應電子裝置區EDA的邊緣。
顯示設備可包括電子裝置800以及印刷電路板900,且於此實例中,電子裝置800以及印刷電路板900可位於電子裝置區EDA中。於此,印刷電路板900位於電子裝置區EDA中可意味印刷電路板900之電性連接基板100 的部分位於電子裝置區EDA內。
前文描述保護膜基底171包括第一保護膜基底171a和第二保護膜基底171b之實例;然而,一個或多個實施例未限制於此。舉例來說,如第6圖所示,第6圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,黏附層172可包括第一黏附層172a以及第二黏附層172b。於此實例中,第一黏附層172a可對應第一保護膜基底171a,而第二黏附層172b可對應第二保護膜基底171b。此外,第一黏附層172a和第二黏附層172b彼此可具有不同的物理特性。
舉例來說,第二黏附層172b的光穿透率可大於第一黏附層172a的光穿透率。再者,第一黏附層172a的熱阻可高於第二黏附層172b的熱阻。更詳細地,第一黏附層172a於發生變形時的熱變形溫度可高於第二黏附層172b於發生變形時的熱變形溫度。這可應用於上述實施例及其修改例,並也可應用於之後將描述的實施例及其修改例。
此外,於第1圖至第6圖中,朝向電子裝置區EDA的方向上(+x方向)的第一保護膜基底171a的第一端部與朝向顯示區DA的方向上(-x方向)的第二保護膜基底171b的第二端部表面接觸,但不限於此。如第7圖所示,第7圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,第一保護膜基底171a和第二保護膜基底171b至少可部分彼此隔開。亦即,朝向電子裝置區EDA的方向上(+x方向)的第一保護膜基底171a的第一端部與朝向顯示區DA的方向上(-x方向)的第二保護膜基底171b的第二端部可彼此隔開。於此實例中,朝向第二保護膜基底171b的方向上,第一保護膜基底171a的第一端部可位於外圍區PA中,或位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。如此,第一保護膜基底171a可保護於顯示區DA方向上(-z方向上)的基板100的下表面。
此外,於第7圖中,顯示區DA出示具有的面積大於顯示單元DU的面積。然而,如第8圖所示,第8圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,顯示區DA的邊緣可對應顯示單元DU的邊緣。再者,根據單一實施例,第一端部可位於顯示區DA和外圍區PA之間的邊界。
具有高光穿透率之第二保護膜基底171b至少可對應電子裝置區EDA。如第9圖所示,第9圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,第一端部可位於外圍區PA中,而第二端部可對應朝向顯示區DA方向上(-x方向)的電子裝置區EDA的邊緣。於此實例中,藉由具有優異的光穿透率之第二保護膜基底171b,可充分執行壓力標記測試檢查電子裝置800的安裝狀態,且具有優異的熱阻之第一保護膜基底171a盡量可同時保護基板100的下表面(-z方向上)。
第7圖至第9圖繪示保護膜基底171的第一保護膜基底171a和保護膜基底171的第二保護膜基底171b至少可部分彼此隔開。如第10圖所示,第10圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖,黏附層172也可包括第一黏附層172a以及第二黏附層172b,其中,第一黏附層172a和第二黏附層172b至少可部分彼此隔開。
亦即,朝向電子裝置區EDA的方向上(+x方向)的第一保護膜基底171a的第一端部與朝向顯示區DA的方向上(-x方向)的第二保護膜基底171b的第二端部可彼此隔開,且在朝向電子裝置區EDA的方向上(+x方向)對應第一保護膜基底171a的第一黏附層172a的端部和在朝向顯示區DA的方向上對應第二保護膜基底171b的第二黏附層172b的端部可彼此隔開。
上述顯示設備的基板100具有實質平坦形狀,但未限於此。如第11圖所示,第11圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分透視示意圖,可彎曲部分顯示設備,亦即基板100的部分,使得基板100的部分可具有彎曲形狀,且顯示設備也從而可具有彎曲形狀。
如第11圖所示,根據實施例之顯示設備的基板100包括彎曲區BA,彎曲區BA朝向第一方向(+y方向)延伸。相交於第一方向的第二方向(+x方向)中,彎曲區BA介於第一區1A和第二區2A之間。第一區1A如上述至少可包括顯示區DA。基板100圍繞彎曲軸BAX彎曲,彎曲軸BAX如第11圖所示在第一方向(+y方向)延伸。
第12圖係第11圖所示的部分顯示設備的實例之剖面示意圖。如上所述,於彎曲區BA彎曲基板100,但為了方便描述而未於第12圖繪示基板100彎曲。這也可應用於之後將描述的實施例和其修改例。
如第12圖所示,基板100的第一區1A包括顯示區DA。除了顯示區DA外,第一區1A如第12圖所示更可包括顯示區DA外的外圍區PA的一部分。第二區2A也可包括外圍區PA。顯示單元DU(見於第1圖)包括例如有機發光裝置300之顯示裝置,且薄膜電晶體210可位於第一區1A中。顯示單元DU可只包括安置在顯示區DA中的部件,或可包括安置在外圍區PA中且第一區1A包含的部件。基板100於第一區1A和第二區2A之間具有彎曲區BA,並在彎曲區BA彎曲以具有如第11圖所示的形狀。
於顯示區DA中,除了例如有機發光裝置300之顯示裝置之外,與有機發光裝置300電性連接的薄膜電晶體210可位於顯示區DA中。有機發光裝置300電性連接於薄膜電晶體210可理解為像素電極310電性連接於薄膜電晶體210。在一些實施例中,薄膜電晶體(未繪示)也可位於基板100的顯示區DA外的外圍區PA上。舉例來說,位於外圍區PA上的薄膜電晶體可為電路單元的一部分,以控制施加於顯示區DA的電子訊號。
薄膜電晶體210可包括半導體層211、閘極電極213、源極電極215a以及汲極電極215b,而半導體層211包括非晶矽、多晶矽或有機半導體材料。為了確保閘極電極213和半導體層211之間的絕緣,閘極絕緣層120可設置於半導體層211和閘極電極213之間,其中閘極絕緣層120包括例如二氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽之無機材料。此外,絕緣夾層130可位於閘極電極213之上;而源極電極215a和汲極電極215b可位於絕緣夾層130之上,其中絕緣夾層130包括例如二氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽之無機材料。包括無機材料之絕緣層可透過化學氣相沉積法(CVD)或原子層沉積法(ALD)形成。這可應用於將在下文描述的其他實施例及其修改例。
緩衝層110可設置於具有上述結構之薄膜電晶體210和基板100之間。緩衝層110可包括例如二氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽之無機材料。緩衝層110可改善基板100的上表面的平坦度(例如平坦化),或可遇防或降低雜質從基板100滲入薄膜電晶體210的半導體層211。
平坦化層140可安置於薄膜電晶體210之上。舉例來說,如第12圖所示,當有機發光裝置300安置於薄膜電晶體210之上時,平坦化層140可平坦化覆蓋薄膜電晶體210的保護層之上層部分。平坦化層140可包括例如壓克力(acryl)、苯環丁烯(benzocyclobutene, BCB)或六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane, HMDSO)之有機材料。第12圖所示的平坦化層140具有單層結構;然而,可以各種方式修改平坦化層140;舉例來說,平坦化層140可具有多層結構。此外,如第12圖所示,平坦化層140可於顯示區DA外具有開口,使得顯示區DA中的平坦化層140部分和第二區2A中的平坦化層140部分可彼此完全分離。因此,外部的雜質不可經由平坦化層140抵達顯示區DA。
在顯示區DA中,有機發光裝置300可位於平坦化層140之上。有機發光裝置300包括像素電極310、相對電極330以及介於像素電極310和相對電極330之間的中間層320,且中間層320包括發光層。如第12圖所示,像素電極310可經由平坦化層140中形成的開口接觸源極電極215a和汲極電極215b之其一,並電性連接薄膜電晶體210。
像素定義層150可位於平坦化層140之上。像素定義層150包括分別對應子像素的開口,亦即,至少一個開口暴露像素電極310的中心部分,以界定像素。再者,第12圖所示的實施例中,像素定義層150增加像素電極310邊緣和於像素電極310之上的相對電極330之間的距離,以預防於像素電極310的邊緣產生弧光(arc)。像素定義層150可包括例如聚醯亞胺(PI)或六甲基二矽氧烷(HMDSO)之有機材料。
有機發光裝置300的中間層320可包括低分子量有機材料或聚合物材料。當中間層320包括低分子量有機材料,發光層可包括以單層結構或多層結構呈現之電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL),且有機材料的實例可包括銅酞青(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二(苯基)聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)以及三-8-羥基喹啉合鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3 )。低分子量有機材料可藉由真空沉積法沉積。
當中間層320包括高分子材料,中間層320可包括電洞傳輸層HTL和發光層EML。於此,電洞傳輸層HTL可包括聚二氧乙基噻吩(PEDOT),而發光層EML可包括以聚對苯乙炔(poly-phenylene vinylene, PPV)為基底或聚芴(polyfluorene)為基底之聚合物材料。可使用網板印刷法、噴墨印刷法或雷射誘發熱成像(laser induced thermal imaging, LITI)法形成中間層320。
然而,中間層320未限制於上述實例,並可具有各種其他結構。此外,中間層320可包括遍及複數個像素電極310之一體成形的層或對應各像素電極310圖案化的層。
相對電極330安置於顯示區DA上方,並如第12圖所示可覆蓋顯示區DA。亦即,相對電極330可相對於複數個有機發光裝置300一體成形,以對應複數個像素電極310。
由於有機發光裝置300可能易於受到外來濕氣或氧氣損害,封裝層400可覆蓋有機發光裝置300以保護有機發光裝置300。封裝層400覆蓋顯示區DA,並可延伸至顯示區DA的外側。如第12圖所示,封裝層400可包括第一無機封裝層410、有機封裝層420以及第二無機封裝層430。
第一無機封裝層410覆蓋相對電極330,並可包括二氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。在一些實施例中,例如覆蓋層之其他層可安置於第一無機封裝層410和相對電極330之間。因為第一無機封裝層410根據其下面的結構形成,第一無機封裝層410可如第12圖所示具有不平整的上表面。有機封裝層420可覆蓋第一無機封裝層410,而不像第一無機封裝層410和有機封裝層420可具有平整的上表面。更詳細地,在對應顯示區DA的部分,有機封裝層420可實質具有平整的上表面。有機封裝層420可包括從聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、聚乙烯磺酸鹽(polyethylene sulfonate)、聚甲醛(polyoxymethylene)、聚芳香酯(polyarylate)以及六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane)之組成群中選定的至少一種材料。第二無機封裝層430覆蓋有機封裝層420,並可包括二氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽。於顯示區DA外側的第二無機封裝層430的邊緣,第二無機封裝層430可接觸第一無機封裝層410,使得有機封裝層420不暴露在外側。
如上所述,因為封裝層400包括第一無機封裝層410、有機封裝層420以及第二無機封裝層430,即使上述多層結構中的封裝層400中有斷裂,斷裂於第一無機封裝層410和有機封裝層420之間或有機封裝層420和第二無機封裝層430之間可仍為不相連的。如此,可預防或降低外來濕氣或氧氣可滲透至顯示區DA之路徑形成。
在一些實施例中,可於封裝層400上安置各種圖案的觸控電極以執行觸控螢幕功能或觸控保護層以保護觸控電極層。此外,偏振片520可經由光學透明黏膠510(OCA)黏附於封裝層400上。假如封裝層400上有觸控電極或觸控保護層,光學透明黏膠510和偏振片520係位於觸控電極或觸控保護層上方。此外,可黏附印刷電路板(未繪示)或電子晶片(未繪示)於第二區2A。於第12圖中,於相對於顯示區DA的方向上(亦即,+x方向)省略基板100的部分。此外,彎曲的保護層600(BPL)可設置於顯示區DA外。
偏振片520可減少外來光的反射。舉例來說,當穿越偏振片520的外來光被相對電極330的上表面反射並接著再次穿越偏振片520時,外來光穿越偏振片520兩次並改變外來光的相位。因此,由於反射光的相位異於開始進入偏振片520的外來光的相位,出現破壞性干涉,並從而可減少外來光的反射和提升能見度。光學透明黏膠510和偏振片520可如第12圖所示覆蓋平坦化層140中的開口。根據一個或多個實施例之顯示設備實質上可未包括偏振片520;亦即,可用其他元件取代偏振片520。舉例來說,可省略偏振片520,而可改為使用黑色矩陣和彩色濾波器,以減少外來光的反射。
此外,包含無機材料之緩衝層110、閘極絕緣層120以及絕緣夾層130可共同稱為無機絕緣層。如第12圖所示,無機絕緣層可包括對應彎曲區BA的開口。亦即,緩衝層110、閘極絕緣層120和絕緣夾層130分別可包括對應彎曲區BA的開口110a、開口120a以及開口130a。對應彎曲區BA的那些開口可意味開口與彎曲區BA重疊。於此,開口的面積可大於彎曲區BA的面積。舉例來說,於第12圖中,開口的寬度OW可大於彎曲區BA的寬度。於此,可界定開口的面積為緩衝層110之開口110a、閘極絕緣層120之開口120a和絕緣夾層130之開口130a中的最小面積。於第12圖中,可用緩衝層110中的開口110a的面積界定開口的面積。
在第12圖中,緩衝層110之開口110a的內側表面和閘極絕緣層120中之開口120a的內側表面互相對應,但一個或多個實施例不限於此。舉例來說,閘極絕緣層120之開口120a的面積可大於緩衝層110中之開口110a的面積。於此實例中,也可界定開口的面積為緩衝層110之開口110a、閘極絕緣層120之開口120a和絕緣夾層130之開口130a中的最小面積。
依據第12圖的實施例之顯示設備包括有機材料層160,有機材料層160至少部分填充無機絕緣層中的開口。在第12圖中,有機材料層160完整填充開口。此外,根據實施例之顯示設備包括第一導電層215c,第一導電層215c從第一區1A穿越彎曲區BA延伸至第二區2A,且位於有機材料層160之上。假如省略有機材料層160,第一導電層215c可設置於例如絕緣夾層130之無機絕緣層上。藉由使用與源極電極215a或汲極電極215b相同材料,第一導電層215c可與源極電極215a或汲極電極215b同時形成。
如上所述,雖然第12圖為了方便描述而繪示顯示設備於未彎曲的狀態,但根據實施例之顯示設備的實際狀態為如第11圖所示於彎曲區BA彎曲基板100。為此,先如第12圖所示製造顯示設備,使得基板100為平坦的,並接著於彎曲區BA彎曲基板,使得顯示設備可具有如第11圖所示的形狀。於彎曲區BA彎曲基板100期間,第一導電層215c可能承受拉應力。然而,根據本實施例的顯示設備,可減少或預防第一導電層215c於彎曲程序期間出現缺陷。
假如包含緩衝層110、閘極絕緣層120及/或絕緣夾層130之無機絕緣層未包括對應彎曲區BA的開口,但無機絕緣層從第一區1A至第二區2A連續延伸,且第一導電層215c設置於上述的無機絕緣層上,而由於無機絕緣層的硬度大於有機材料層,接著第一導電層215c可能於彎曲基板100期間承受大量的拉應力,並從而可能形成斷裂於彎曲區BA的無機絕緣層中。當無機絕緣層中出現斷裂,設置於無機絕緣層上的第一導電層215c中也可出現斷裂,而因此在前述安置結構中大量增加第一導電層215c中產生例如不相連之缺陷的可能性。
然而,根據本實施例的顯示設備,無機絕緣層具有對應彎曲區BA的開口,且對應彎曲區BA之第一導電層215c的部分設置於有機材料層160上,而有機材料層160至少部分填充無機絕緣層的開口。因為無機絕緣層包括對應彎曲區BA的開口,於無機絕緣層出現斷裂的可能性係非常低的,且有機材料層160由於有機材料固有的特性而不太可能斷裂。因此,由於第一導電層215c設置於有機材料層160上,可預防或降低有機材料層160上對應彎曲區BA的第一導電層215c的部分發生斷裂。因為有機材料層160比無機材料層柔軟,有機材料層160可吸收由於彎曲基板100產生的拉應力,並從而減少在第一導電層215c上的拉應力集中度。
除了第一導電層215c之外,根據本實施例之顯示設備可包括第二導電層213a以及第二導電層213b。在異於第一導電層215c的層高度之層高度上,於第一區1A或第二區2A中形成第二導電層213a和第二導電層213b,且第二導電層213a和第二導電層213b可電性連接於第一導電層215c。於第12圖中,第二導電層213a和第二導電層213b可包括與薄膜電晶體210的閘極電極213相同的材料,並可與閘極電極213在同一層,亦即,第二導電層213a和第二導電層213b設置於閘極絕緣層120上。此外,第一導電層215c透過形成於絕緣夾層130中的接觸孔接觸第二導電層213a和第二導電層213b。另外,第二導電層213a位於第一區1A中,而第二導電層213b位於第二區2A中。
位於第一區1A上的第二導電層213a可電性連接顯示區DA中的薄膜電晶體210,並且第一導電層215c從而透過第二導電層213a可電性連接顯示區DA中的薄膜電晶體210。位於第二區2A上的第二導電層213b也可透過第一導電層215c電性連接顯示區DA中的薄膜電晶體210。如此,位於顯示區DA外側的第二導電層213a和第二導電層213b可電性連接顯示區DA中的元件或可朝向顯示區DA延伸,使得至少一些第二導電層213a的部分及/或第二導電層213b的部分可位於顯示區DA中。
如上所述,雖然第12圖為了方便描述而繪示顯示設備於未彎曲的狀態,但根據實施例之顯示設備的實際狀態為如第11圖所示於彎曲區BA彎曲基板100。為此,先如第12圖所示製造顯示設備,使得基板100為平坦的,並接著於彎曲區BA彎曲基板,使得顯示設備可具有如第11圖所示的形狀。於彎曲區BA彎曲基板100期間,彎曲區BA中的元件可承受拉應力。
因此,橫跨彎曲區BA的第一導電層215c包括具有高應變率的材料,從而可預防例如第一導電層215c中斷裂或第一導電層215c的不相連之缺陷。此外,第二導電層213a和第二導電層213b包括具有低於第一導電層215c的應變率之材料,且其電學特性/物理特性異於第一導電層215c的電學特性/物理特性,且於第一區1A或第二區2A中形成第二導電層213a和第二導電層213b,並可從而改善顯示設備中的電子訊號傳輸效率或可於製造顯示設備程序期間降低缺陷率。舉例來說,第二導電層213a和第二導電層213b可包括鉬,而第一導電層215c可包括鋁。在一些實施例中,第一導電層215c、第二導電層213a及/或第二導電層213b可分別具有多層結構。
不像第12圖的實例,位於第二區域2A中,至少一部分的第二導電層213b的上層部分可未由平坦化層140覆蓋,但其可暴露於外側以電性連接各種電子裝置或印刷電路板。
此外,如第12圖所示,於+z方向上,有機材料層160可在其至少一部分的上表面中具有不平整表面160a。由於有機材料層160包含不平整表面160a,位於有機材料層160上的第一導電層215c可具有對應有機材料層160的不平整表面160a形狀之上表面及/或下表面。
如上所述,當在製程期間於彎曲區BA彎曲基板100,第一導電層215c可能承受拉應力。所以,假如第一導電層215c的上表面及/或下表面具有對應有機材料層160的不平整表面160a的形狀,可減少第一導電層215c承受的大量拉應力。亦即,透過柔軟的有機材料層160的形狀變形,可減少於彎曲程序期間產生的拉應力。於此,至少可於彎曲程序前變形具有不平整表面的第一導電層215c,以對應有機材料層160由於彎曲程序而變形的形狀;並從而可預防例如第一導電層215c中不相連之缺陷發生。
再者,因為至少可於有機材料層160的上表面中形成部分不平整表面160a(+z方向上),所以可增加有機材料層160的上表面的表面面積和有機材料層的開口中之第一導電層215c的下表面及上表面的表面面積。有機材料層160的上表面及第一導電層215c的下表面及上表面之寬大的表面面積可意味大的變形容許量,其讓由於彎曲基板100造成的拉應力減少。
因為第一導電層215c設置於有機材料層160上時,第一導電層215c的下表面具有對應有機材料層160的不平整表面160a之形狀。然而,第一導電層215c的上表面可具有不平整表面,其具有獨立於有機材料層160的不平整表面160a形狀之形狀。
可以各種方式形成設置於有機材料層160的上表面(在+z方向)中的不平整表面160a。舉例來說,當形成有機材料層160時,可使用光阻材料;其中,藉由利用狹縫光罩(slit mask)或半色調光罩(half-tone mask),可改變其上表面為平整的有機材料層160不同位置的曝光量(photo exposure),從而可多於其他部分蝕刻(移除)特定部分。蝕刻較多的部分可為有機材料層160的上表面中的凹陷部分。根據實施例使用於製造顯示設備的方法未限制於上述實例。舉例來說,形成具有平整上表面的有機材料層160後,可藉由乾式蝕刻法移除特定部分,及/或可使用其他方法移除特定部分。
有機材料層160於其上表面中可具有不平整表面160a(+z方向上)。舉例來說,有機材料層160於其上表面中(+z方向上)可包括複數個溝槽,其中複數個溝槽於第一方向(+y方向)上延伸。於此,有機材料層160上之第一導電層215c的上表面形狀對應於有機材料層160的上表面形狀。
有機材料層160可僅於無機絕緣層的開口內具有不平整表面160a。於第12圖中,有機材料層160的不平整表面160a的寬度UEW小於無機絕緣層的開口的寬度OW。假如有機材料層160的不平整表面160a設置於鄰近緩衝層110中開口110a的內側表面、閘極絕緣層120中的開口120a的內側表面或絕緣夾層130中的開口130a的內側表面,例如於此狀況中,有機材料層160於無機絕緣層中開口的內側及外側之各處具有不平整表面160a,且假如有機材料層160於下陷部分上具有的厚度薄於突出部分上的厚度,則於緩衝層110中的開口110a的內側表面、閘極絕緣層120中的開口110a的內側表面或絕緣夾層130中的開口130a的內側表面之對應有機材料層160的下陷部分的附近位置,有機材料層160可為不相連的。因此,有機材料層160的不平整表面160a可僅設置於無機絕緣層的開口內,使得於緩衝層110中的開口110a的內側表面、閘極絕緣層120中的開口110a的內側表面或絕緣夾層130中的開口130a的內側表面之附近,有機材料層160可為相連的。
如上所述,為了不在彎曲區BA的第一導電層215c中造成不相連,有機材料層160可於彎曲區BA之上具有不平整表面160a。因此,有機材料層160的不平整表面160a的面積可大於彎曲區域BA的面積並小於無機絕緣層的開口的面積。亦即,如第12圖所示,有機材料層160的不平整表面160a的寬度UEW大於彎曲區域BA的寬度並小於開口的寬度OW。
假如緩衝層110、閘極絕緣層120和絕緣夾層130之其一包括有機絕緣材料,則可同時形成有機材料層160以及包含有機絕緣材料的層;且包含有機絕緣材料的層也可與有機材料層160一體形成。有機絕緣材料可包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚乙烯磺酸鹽、聚甲醛、聚芳香酯及六甲基二矽氧烷。
此外,彎曲的保護層600可位於顯示區DA外。亦即,彎曲的保護層600可位於至少對應彎曲區BA的第一導電層215c上方。
當彎曲堆疊結構,於堆疊結構中具有應力抵銷平面。假如沒有彎曲的保護層600,由於第一導電層215c的位置可未對應應力抵銷平面,而第一導電層215c於彎曲區BA中承受過度的拉應力。然而,藉由形成彎曲的保護層600以及調整彎曲的保護層600的厚度和模量,可調整包括基板100、第一導電層215c和彎曲的保護層600之堆疊結構中的應力抵銷平面位置。因此,經由彎曲的保護層600改變應力抵銷平面的位置於第一導電層215c附近,從而可減少第一導電層215c承受的拉應力。
彎曲的保護層600可不像第12圖的實例而延伸至顯示設備中的基板的端部。舉例來說,於第二區2A中,第一導電層215c、第二導電層213b及/或電性連接第一導電層215c和第二導電層213b之其他導電層至少部分可不被絕緣夾層130或平坦化層140覆蓋,但可電性連接各種電子裝置或印刷電路板。因此,第一導電層215c、第二導電層213b及/或電性連接第一導電層215c和第二導電層213b之其他導電層可具有許多部分以電性連接各種電子裝置或印刷電路板。於此,需保護電性連接部分免受例如濕氣之外部雜質滲入,且彎曲的保護層600也可從而作為保護層覆蓋電性連接部分。為達成此目的,彎曲的保護層600可例如延伸至顯示設備的基板100的端部。
再者,於第12圖中,朝向顯示區DA的方向(-x方向)的彎曲的保護層600的端部的上表面與在+z方向上的偏振片520的上表面重合,一個或多個實施例不限於此。舉例來說,顯示區DA方向(-x方向)上的彎曲的保護層60的端部可部分覆蓋偏振片520的端部的上表面。於另一個實例中,顯示區DA方向(-x方向)上的彎曲的保護層600的端部可未接觸偏振片520及/或光學透明黏膠510。於後述的實例中,形成彎曲的保護層600期間或之後,可預防彎曲的保護層600產生的氣體朝向顯示區DA方向(-x方向)移動以及氣體造成例如有機發光裝置300之顯示裝置劣化。
假設如第12圖所示,朝向顯示區DA的方向(-x方向)的彎曲的保護層600的端部的上表面與在+z方向上的偏振片520的上表面重合、假設在顯示區DA的方向(-x方向)上的彎曲的保護層600的端部部分地覆蓋偏振片520的端部的上表面、或假設在顯示區DA的方向(-x方向)上的彎曲的保護層600的端部接觸光學透明黏膠510,則彎曲的保護層600之面向顯示區DA的方向(-x方向)的端部部分的厚度可大於彎曲的保護層600之其他部分的厚度。因為可利用液相材料或膏狀材料並硬化其形成彎曲的保護層600,透過硬化程序可將彎曲的保護層600的體積變小。於此,假如彎曲的保護層600之面向顯示區DA的方向(-x方向)的端部部分與偏振片520及/或光學透明黏膠510接觸,則彎曲的保護層600部分固定在與偏振片520及/或光學透明黏膠510接觸的位置,並從而於彎曲的保護層600之剩餘部分中發生其體積減少。因此,彎曲的保護層600之面向顯示區DA的方向(-x方向)的端部部分厚度可大於彎曲的保護層600之其他部分厚度。
於上述中,緩衝層110、閘極絕緣層120和絕緣夾層130描述為分別具有對應彎曲區BA的開口110a、開口120a以及開口130a,但一種或多種實施例未限於此。舉例來說,緩衝層110可與第一區1A、彎曲區BA及第二區2A之各處一體形成而沒有開口,並且僅閘極絕緣層120和絕緣夾層130可具有開口120a以及開口130a。於此實例中,包含緩衝層110、閘極絕緣層120和絕緣夾層130之無機絕緣層可具有溝槽而非開口,而有機材料層160可理解為填充無機絕緣層的溝槽。亦即,可以溝槽取代上述無機絕緣層的開口。
根據本實施例之顯示設備也包括保護膜170。保護膜170包括保護膜基底171以及黏附層172,且參考上述第1圖至第9圖詳細描述其許多例示性替代結構。
可應用參考第11圖以及第12圖描述的配置結構於其他實施例,其稍後將與其修改例一起描述。
假如於彎曲區BA彎曲基板100,保護膜170也於彎曲區BA彎曲。然而,保護膜170由於其機械強度而不可完整彎曲;且假如彎曲保護膜170,保護膜170從而讓基板100承受應力,其可造成基板100中例如斷裂之缺陷。因此,為了預防上述缺陷,對應彎曲區BA的保護膜基底171的一部分可包括複數個開口或複數個溝槽。當保護膜基底171包括複數個開口或複數個溝槽時,於彎曲區BA可充分地執行保護膜基底171的彎曲。在下文中,為了方便解釋,將於下文描述保護膜基底171包括複數個開口之實例,但一個或多個實施例不限於此。舉例來說,保護膜基底171可包括複數個溝槽而非複數個開口。
詳細地,如第13圖所示,第13圖係根據本發明實施例之顯示設備中的保護膜170的一部分的平面示意圖,保護膜170的一部分亦即保護膜基底171,第一保護膜基底171a可對應彎曲區BA。亦即,第一保護膜基底171a可對應彎曲區BA及第二區2A的一部分和顯示區DA。於此實例中,如第13圖所示,第一保護膜基底171a可未對應與電子裝置800相應的部分,而是第二保護膜基底171b對應電子裝置800。第13圖也繪示視窗區(window view area, WVA),視窗區為包含顯示區的一區域,並可理解為設置於顯示單元DU上方視窗的光透射區,以保護顯示單元DU。
於此,第一保護膜基底171a之對應彎曲區BA的部分可包括複數個開口171a'。根據本實施例的顯示設備的保護膜基底171和基板100於彎曲區BA彎曲,但第13圖為了方便描述而繪示保護膜基底171為平坦狀態,且此將應用於其他實施例,其稍後將與其修改例一起描述。
複數個開口171a'形成於其中的第一保護膜基底171a的部分P1可具有的面積如第13圖所示小於彎曲區BA的面積,於此實例中,保護基板100比彎曲基板100重要。然而,於彎曲基板100比保護基板100重要的實例中,則如第14圖所示,第14圖係根據本發明實施例之顯示設備中保護膜部分的平面示意圖,複數個開口171a'形成於其中的第一保護膜基底171a的部分P1可具有的面積等於彎曲區BA的面積。再者,如第15圖所示,第15圖係根據本發明實施例之顯示設備中保護膜部分的平面示意圖,複數個開口171a'形成於其中的第一保護膜基底171a的部分P1可具有的面積大於彎曲區BA的面積。
此外,如第13圖至第15圖所示,第一保護膜基底171a的開口171a'未朝彎曲軸BAX延伸的方向上(y軸方向)延伸,即垂直於將第一區1A和第二區2A連接的軸(x軸方向)的方向。當考慮到彎曲區BA的橫截面具有包含x軸並垂直於x軸之平面(yz平面),第一保護膜基底171a具有不連續形狀。
假如第一保護膜基底171a的開口171a'於彎曲軸BAX延伸的方向上(y軸方向)延伸,則可充分地執行保護膜基底171的彎曲,但在彎曲區BA中,第一保護膜基底171a讓基板100承受的應力可能不均衡。這可能於基板100中造成例如斷裂之缺陷。另外,假如彎曲的保護層600未具有一致的厚度,彎曲區BA內的第一導電層215c由於彎曲的保護層600產生的應力而可出現斷裂。然而,當第一保護膜基底171a的開口171a'未於彎曲軸BAX延伸的方向上(y軸方向)延伸時,第一保護膜基底171a可充分支撐基板100而也容易於彎曲區BA彎曲,並從而可降低第一導電層215c或基板100上由於具有不平整表面的彎曲的保護層600所造成的應力影響。
如第16圖所示,第16圖係根據本發明實施例之顯示設備中的第一保護膜基底171a的部分平面示意圖,在與彎曲基板100的上表面平行的虛擬曲面中,第一保護膜基底171a的各開口171a'可沿著從顯示區DA往外圍區PA的方向延伸。因為第16圖為了方便描述而繪示第一保護膜基底171a為平坦狀態,顯示各開口171a'在x軸方向上延伸。
如第17圖所示,第17圖係根據本發明實施例之顯示設備中的第一保護膜基底171a的部分平面示意圖,各開口171a'可具有圓形形狀或相似圓形的形狀,並且複數個開口171a'可以配置為鋸齒樣式。此外,如第18圖所示,第18圖係根據本發明實施例之顯示設備中的第一保護膜基底171a的部分平面示意圖,從第一保護膜基底171a的複數個開口171a'中,位於彎曲區BA的中心部分的各開口具有的面積可大於位在鄰近彎曲區BA邊緣的各開口的面積。於後面的實例中,第一保護膜基底171a可易於彎曲區BA的中心部分彎曲;且於彎曲區BA的其他部分中,可易於充分支撐基板100時彎曲第一保護膜基底171a。
此外,如第19圖所示,第19圖係沿著第13圖的線XIX-XIX截取的顯示設備的剖面示意圖,複數個開口171a'的內側表面可未垂直於基板100的上表面(+z方向上)。
如上所述,雖然顯示設備於第12圖及第13圖中未繪示其於彎曲狀態中,根據本實施例的顯示設備如第11圖所示於彎曲區BA彎曲。因為保護膜基底171也於彎曲區BA彎曲,即使提供複數個開口171a',其內仍可有應力。應力可造成保護膜170從基板100分離。然而,根據實施例的顯示設備,複數個開口171a'的內側表面未垂直於基板100的上表面(+z方向上),其大量減少內側應力。亦即,於鄰近第一保護膜基底171a的開口171a'處減少第一保護膜基底171a的厚度,並從而可大量降低第一保護膜基底171a的內側應力量。
第12圖至第19圖繪示第一保護膜基底171a對應彎曲區BA,但一個或多個實施例不限於此。舉例來說,如第20圖所示,第20圖係根據本發明實施例之部分顯示設備之實例的剖面示意圖,第二保護膜基底171b可對應彎曲區BA及鄰近彎曲區BA的部分。此外,第二保護膜基底171b之對應彎曲區BA的部分可包括複數個開口或複數個溝槽。於此實例中,在與彎曲基板100的上表面平行的虛擬曲面中,各開口或各溝槽可沿著從顯示區DA往外圍區PA的方向延伸(如第16圖的實例)。此外,如第18圖的實例所示,從複數個開口或複數個溝槽中,位於彎曲區BA的中心部分的各開口或各溝槽具有的面積可大於位在鄰近彎曲區BA邊緣的各開口或各溝槽的面積。
第13圖至第19圖繪示第一保護膜基底171a包括複數個開口171a',但一個或多個實施例不限於此。舉例來說,至少可部分移除第一保護膜基底171a之對應彎曲區BA的部分,以便取得對應彎曲區BA的一個開口或一個溝槽。當第二保護膜基底171b可如第20圖所示對應彎曲區BA及鄰近彎曲區BA的部分時,至少可部分移除第二保護膜基底171b之對應彎曲區BA的部分,並可從而取得對應彎曲區BA的一個開口或一個溝槽。
第21圖係根據本發明實施例之部分顯示設備之實例的剖面示意圖。如第21圖所示,根據實施例的顯示設備,保護膜170的黏附層172可包括對應彎曲區BA的開口172'。於此實例中,開口172'可填充空氣。另外,保護膜基底171也可包括對應黏附層172的開口172'之開口。
保護膜170的黏附層172的一部分可包括對應彎曲區BA的複數個開口。此外,當第一保護膜基底171a對應彎曲區BA時,黏附層172可如第19圖所示包括對應第一保護膜基底171a的複數個開口171a'之複數個開口。亦即,相等地,第一保護膜基底171a包括對應黏附層172的複數個開口之複數個開口171a'。
另外,於此實例中,保護膜170的黏附層172包括對應彎曲區BA的複數個開口,其可替代為對應彎曲區BA的第二保護膜基底171b而非第一保護膜基底171a。於此實例中,黏附層172也可包括對應第二保護膜基底171b的複數個開口之複數個開口。再者,相等地,第二保護膜基底171b包括對應黏附層172的複數個開口之複數個開口。
應理解的是本文描述的實施例應視為描述性觀念而非用於限制本發明的範圍。各實施例的態樣或特徵之敘述通常應視為可用於其他實施例中可應用的替代態樣或替代特徵。
雖然已參考圖式描述一個或多個實施例,所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是可在其中做各種形式上及細節上的改變而未悖離下述申請專利範圍所界定的範疇和精神。
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧絕緣夾層
140‧‧‧平坦化層
150‧‧‧像素定義層
160‧‧‧有機材料層
170‧‧‧保護膜
171‧‧‧保護膜基底
172‧‧‧黏附層
210‧‧‧薄膜電晶體
211‧‧‧半導體層
213‧‧‧閘極電極
300‧‧‧有機發光裝置
310‧‧‧像素電極
320‧‧‧中間層
330‧‧‧相對電極
400‧‧‧封裝層
410‧‧‧第一無機封裝層
420‧‧‧有機封裝層
430‧‧‧第二無機封裝層
510‧‧‧光學透明黏膠
520‧‧‧偏振片
600‧‧‧彎曲的保護層
700‧‧‧導電球
800‧‧‧電子裝置
900‧‧‧印刷電路板
810、910‧‧‧凸塊接點
820、920‧‧‧主體
1A‧‧‧第一區
2A‧‧‧第二區
110a、120a、130a、171a'、172'‧‧‧開口
160a‧‧‧不平整表面
171a‧‧‧第一保護膜基底
171b‧‧‧第二保護膜基底
172a‧‧‧第一黏附層
172b‧‧‧第二黏附層
213a‧‧‧第二導電層
213b‧‧‧第二導電層
215a‧‧‧源極電極
215b‧‧‧汲極電極
215c‧‧‧第一導電層
BA‧‧‧彎曲區
BAX‧‧‧彎曲軸
DA‧‧‧顯示區
DU‧‧‧顯示單元
EDA‧‧‧電子裝置區
OW‧‧‧寬度
PA‧‧‧外圍區
UEW‧‧‧寬度
WVA‧‧‧視窗區
P1‧‧‧部分
本發明前述的技術態樣及/或其他態樣將從下列實施例的描述並結合其附圖變得顯而易見及更容易理解,其中:
第1圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第2圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第3圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第4圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第5圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第6圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第7圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第8圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第9圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第10圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分剖面示意圖;
第11圖係根據本發明實施例之顯示設備的部分透視示意圖;
第12圖係第11圖所示的部分顯示設備的實例之剖面示意圖;
第13圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第14圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第15圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第16圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第17圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第18圖係根據本發明實施例之顯示設備包括的保護膜的部分平面示意圖;
第19圖係沿著第13圖的線XIX-XIX截取的顯示設備的剖面示意圖;
第20圖係根據本發明實施例之部分顯示設備之實例的剖面示意圖;
第21圖係根據本發明實施例之部分顯示設備之實例的剖面示意圖。
100‧‧‧基板
170‧‧‧保護膜
171‧‧‧保護膜基底
171a‧‧‧第一保護膜基底
171b‧‧‧第二保護膜基底
172‧‧‧黏附層
700‧‧‧導電球
800‧‧‧電子裝置
810‧‧‧凸塊接點
820‧‧‧主體
DA‧‧‧顯示區
DU‧‧‧顯示單元
EDA‧‧‧電子裝置區
PA‧‧‧外圍區

Claims (35)

  1. 一種顯示設備,其包含: 一基板,包含一顯示區和一外圍區,該外圍區位於該顯示區之外; 一顯示單元,該基板的一上表面之上,以對應該顯示區;以及 一保護膜,包括一保護膜基底以及一黏附層,該保護膜經由該黏附層附著於該基板的一下表面, 其中,該保護膜基底包括一第一保護膜基底以及一第二保護膜基底,該第一保護膜基底至少對應該顯示區,而該第二保護膜基底具有的物理特性異於該第一保護膜基底的物理特性並對應至少一部分的該外圍區。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該第二保護膜基底具有的一光穿透率大於該第一保護膜基底的一光穿透率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該第一保護膜基底具有的一熱阻大於該第二保護膜基底的一熱阻。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示設備,其中該第一保護膜基底具有的一熱變形溫度大於該第二保護膜基底的一熱變形溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,更包括一電子裝置或一印刷電路板,其位於該基板的該上表面之上,以對應該外圍區包含的一電子裝置區, 其中該第二保護膜基底至少對應該電子裝置區。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備,其中該第二保護膜基底延伸至遠離該顯示區之該基板的一邊緣。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備,其中朝向該電子裝置區的方向上的該第一保護膜基底的一第一端部與朝向該顯示區的方向上的該第二保護膜基底的一第二端部表面接觸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備,其中,朝向該電子裝置區的方向上,該第一端部和該第二端部對應該顯示區的一邊緣。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備,其中,朝向該顯示區的方向上,該第一端部和該第二端部對應該電子裝置區的一邊緣。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備,其中,在朝向該電子裝置區的方向上,該第一保護膜基底的一第一端部對應該顯示區的一邊緣。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備,其中,在朝向該顯示區的方向上,該第二保護膜基底的一第二端部對應該電子裝置區的一邊緣。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之顯示設備,其中,朝向該電子裝置區的方向上的該第一保護膜基底的一第一端部與朝向該顯示區的方向上的該第二保護膜基底的一第二端部彼此隔開。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示設備,其中,該黏附層包括一第一黏附層和一第二黏附層,該第一黏附層對應該第一保護膜基底而該第二黏附層對應該第二保護膜基底,且朝向該電子裝置區的方向上的該第一黏附層的端部與朝向該顯示區的方向上的該第二黏附層的端部彼此隔開。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該黏附層包括一第一黏附層和一第二黏附層,該第一黏附層對應該第一保護膜基底,而該第二黏附層具有的一物理特性異於該第一黏附層的一物理特性並對應該第二保護膜基底。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備,其中該外圍區包括一彎曲區,且該基板於該彎曲區彎曲。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示設備,其中該第一保護膜基底對應該彎曲區。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示設備,其中,至少部分移除該第一保護膜基底之對應該彎曲區的一部分。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之顯示設備,其中該第一保護膜基底之對應該彎曲區的一部分包括複數個開口或複數個溝槽。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,在與彎曲的該基板的上表面平行的一虛擬表面中,各該開口或各該溝槽沿著從該顯示區往該外圍區的方向延伸。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,從該複數個開口或該複數個溝槽中,位於該彎曲區的一中心部分的該複數個開口或該複數個溝槽具有的面積大於位在鄰近該彎曲區邊緣的該複數個開口或該複數個溝槽的面積。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,該複數個開口或該複數個溝槽的內側表面非垂直於該基板的該上表面。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,該第一保護膜基底的一部分包括該複數個開口或該複數個溝槽,且其具有的一面積小於該彎曲區的一面積。
  23. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,該第一保護膜基底的一部分包括該複數個開口或該複數個溝槽,且其具有的一面積等於該彎曲區的一面積。
  24. 如申請專利範圍第18項所述之顯示設備,其中,該第一保護膜基底的一部分包括該複數個開口或該複數個溝槽,且其具有的一面積大於該彎曲區的一面積。
  25. 如申請專利範圍第15項所述之顯示設備,其中,該第二保護膜基底對應該彎曲區以及鄰近該彎曲區的一部分。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之顯示設備,其中,至少部分移除該第二保護膜基底之對應該彎曲區的一部分。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之顯示設備,其中,該第二保護膜基底之對應該彎曲區的一部分包括複數個開口或複數個溝槽。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之顯示設備,在與彎曲的該基板的上表面平行的一虛擬表面中,各該開口或各該溝槽沿著從該顯示區往該外圍區的方向延伸。
  29. 如申請專利範圍第27項所述之顯示設備,從該複數個開口或該複數個溝槽中,位於該彎曲區的一中心部分的該複數個開口或該複數個溝槽具有的面積大於位在鄰近該彎曲區邊緣的該複數個開口或該複數個溝槽的面積。
  30. 如申請專利範圍第15項所述之顯示設備,其中,該黏附層包括對應該彎曲區的一開口。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之顯示設備,其中,該開口填充空氣。
  32. 如申請專利範圍第30項所述之顯示設備,其中,該保護膜基底包括對應該黏附層的該開口之一開口。
  33. 如申請專利範圍第15項所述之顯示設備,其中,該黏附層包括對應該彎曲區的複數個開口。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之顯示設備,其中,該第一保護膜基底對應該彎曲區,且該第一保護膜基底包括複數個開口或複數個溝槽,該複數個開口或該複數個溝槽對應該黏附層的該複數個開口。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之顯示設備,其中,該第二保護膜基底對應該彎曲區以及鄰近該彎曲區的一部分,且該第二保護膜基底包括複數個開口或複數個溝槽,該複數個開口或該複數個溝槽對應該黏附層的該複數個開口。
TW106114547A 2016-06-02 2017-05-02 顯示設備 TWI740936B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160068856A KR102559837B1 (ko) 2016-06-02 2016-06-02 디스플레이 장치
KR10-2016-0068856 2016-06-02
??10-2016-0068856 2016-06-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201810756A true TW201810756A (zh) 2018-03-16
TWI740936B TWI740936B (zh) 2021-10-01

Family

ID=58707338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106114547A TWI740936B (zh) 2016-06-02 2017-05-02 顯示設備

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10170505B2 (zh)
EP (1) EP3252838B1 (zh)
JP (1) JP7017321B2 (zh)
KR (1) KR102559837B1 (zh)
CN (1) CN107464800B (zh)
TW (1) TWI740936B (zh)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102414940B1 (ko) 2017-10-31 2022-06-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
CN109755256B (zh) * 2017-11-01 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置
JP6917873B2 (ja) * 2017-11-24 2021-08-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102576772B1 (ko) 2018-01-09 2023-09-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 필름, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2019124811A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI651698B (zh) * 2018-01-17 2019-02-21 友達光電股份有限公司 可撓性顯示器及其製造方法
KR102494730B1 (ko) 2018-02-01 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 베이스 필름의 제조 방법
KR102554240B1 (ko) * 2018-02-14 2023-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11380222B2 (en) * 2018-03-27 2022-07-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102555446B1 (ko) * 2018-04-26 2023-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN208077535U (zh) * 2018-04-28 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
US12019480B2 (en) * 2018-09-28 2024-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Rollable electronic device with slit that separates terminal portions
US20220006049A1 (en) * 2018-09-28 2022-01-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method thereof
KR102670077B1 (ko) * 2018-10-05 2024-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN109461374B (zh) * 2018-11-12 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制作方法
KR20200057853A (ko) * 2018-11-16 2020-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113272880A (zh) * 2019-01-11 2021-08-17 Lg伊诺特有限公司 用于显示器的基板
CN109951950A (zh) * 2019-04-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性电路板和显示装置
CN118015925A (zh) * 2019-07-29 2024-05-10 Lg伊诺特有限公司 显示基板及包括该显示基板的显示装置
CN110491882B (zh) * 2019-08-08 2022-04-05 武汉天马微电子有限公司 柔性电路板、显示面板及显示装置
WO2021029568A1 (ko) * 2019-08-13 2021-02-18 엘지이노텍 주식회사 디스플레이용 기판
KR20210046917A (ko) * 2019-10-18 2021-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111063260B (zh) * 2019-12-27 2021-12-24 武汉天马微电子有限公司 一种显示装置及其弯折方法
KR20210085131A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 엘지이노텍 주식회사 탄성 부재
KR20210101343A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102560960B1 (ko) 2020-05-25 2023-07-31 닛토덴코 가부시키가이샤 광학 부재용 점착 테이프
CN113838838A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 群创光电股份有限公司 显示装置
CN112863339B (zh) 2021-01-12 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可拉伸显示面板及显示装置
JP2022121890A (ja) 2021-02-09 2022-08-22 日東電工株式会社 光学部材用粘着テープ
JP2023036474A (ja) 2021-09-02 2023-03-14 株式会社Joled 表示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7928654B2 (en) * 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101876540B1 (ko) * 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
US9419065B2 (en) 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
KR102117890B1 (ko) 2012-12-28 2020-06-02 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치 제조 방법
US9834708B2 (en) * 2013-07-08 2017-12-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Adhesive composition for polarizing plate, adhesive film for polarizing plate comprising the same, polarizing plate comprising the same and display device comprising the same
KR102077525B1 (ko) 2013-07-30 2020-02-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
US9515099B2 (en) * 2014-07-31 2016-12-06 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
US9349758B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with divided power lines and manufacturing method for the same
KR102312297B1 (ko) 2014-10-20 2021-10-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US9627463B2 (en) * 2014-11-28 2017-04-18 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with space reducing wire configuration
US9356087B1 (en) * 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
KR102462424B1 (ko) * 2014-12-30 2022-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102513332B1 (ko) * 2015-09-25 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널
KR101797728B1 (ko) * 2016-03-11 2017-11-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102449220B1 (ko) * 2016-03-21 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102559838B1 (ko) * 2016-04-08 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102572720B1 (ko) * 2016-05-03 2023-08-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20180018972A (ko) * 2016-08-12 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102405120B1 (ko) * 2016-09-29 2022-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102673478B1 (ko) * 2016-11-25 2024-06-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180066378A (ko) * 2016-12-08 2018-06-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10608024B2 (en) 2020-03-31
CN107464800B (zh) 2023-05-12
US20190172855A1 (en) 2019-06-06
EP3252838B1 (en) 2020-10-28
US10170505B2 (en) 2019-01-01
KR20170137260A (ko) 2017-12-13
EP3252838A1 (en) 2017-12-06
KR102559837B1 (ko) 2023-07-27
CN107464800A (zh) 2017-12-12
TWI740936B (zh) 2021-10-01
JP2017219843A (ja) 2017-12-14
US20170352692A1 (en) 2017-12-07
JP7017321B2 (ja) 2022-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI740936B (zh) 顯示設備
US11139454B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107275508B (zh) 显示设备
US11264577B2 (en) Display device
CN107464818B (zh) 具有减少的缺陷的显示设备
TWI764890B (zh) 顯示裝置
KR102557892B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102536250B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102559838B1 (ko) 디스플레이 장치
TW201818538A (zh) 具有減少缺陷的顯示設備
KR102411537B1 (ko) 디스플레이 장치 제조방법 및 디스플레이 장치