TW201731136A - 密封結構、有機電致發光顯示裝置及感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明的密封結構1具備：第1基板2，其具有主面2a；框狀的第1金屬層11，其沿第1基板2的邊緣被設置在主面2a上；框狀的黏接層12，其被設置於第1金屬層11上；第2基板4，其位於黏接層12的上方，且具有與主面2a對置的主面4a；以及，元件部5，其在主面2a上且被設置於由第1基板2、第1金屬層11、黏接層12及第2基板4所包圍而被密封的密封空間S內。黏接層12含有烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，並且黏接層12黏接於第1金屬層11。

Description

密封結構、有機電致發光顯示裝置及感測器
本發明關於一種密封結構、有機電致發光顯示裝置以及感測器。
近年，作為顯示裝置，有一種使用了含有有機EL材料（EL：Electro-Luminescence（電致發光））的有機EL元件之自發光型顯示裝置備受人們的關注。由於該有機EL元件若有水分浸入則會劣化，因而會對該有機EL元件採取一些措施以保護該有機EL元件免受外部氣體影響。例如，在下述專利文獻1中記載了一種密封結構，其使用由紫外線固化型樹脂製成的黏接劑與密封基板來對設置於玻璃基板上的有機EL元件進行密封。
專利文獻1：日本特開2004－152511號公報。
在上述專利文獻1中，使用環氧樹脂作為黏接劑。若黏接劑由環氧樹脂等具有極性基團的樹脂構成，則水分容易在該黏接劑內擴散。因此，在上述專利文獻1的密封結構中，水分有可能經由黏接劑浸入到被密封的區域內。另一方面，若使用由不具有極性基團的樹脂等製成的黏接劑，則根據構成基板的材料，黏接劑有時無法良好地黏接於該基板。此時，可能會造成基板從黏接劑剝離。
本發明的目的在於提供一種能夠抑制基板剝離和水分浸入的密封結構、有機EL顯示裝置以及感測器。
本發明的一種態樣所涉及的密封結構具備：第1基板，其具有第1主面；框狀的第1金屬層，其沿第1基板的邊緣而被設置在第1主面上；框狀的黏接層，其被設置於第1金屬層上；第2基板，其位於黏接層的上方且具有與第1主面對置的第2主面；以及，元件部，其位於第1主面上，且被設置於由第1基板、第1金屬層、黏接層及第2基板所包圍而被密封的密封空間內，黏接層含有烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，並且黏接層黏接於第1金屬層。
在該密封結構中，由於黏接層含有不具有極性基團的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因而水分難以在該黏接層內擴散。因此，水分難以浸入到被設置於由第1基板、第1金屬層、黏接層及第2基板所包圍而被密封的密封空間內的元件部。而且，黏接層黏接於第1金屬層。一般而言，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂製成的黏接層對金屬會展現出良好的黏接性。因此，例如即使是在黏接層難以黏接於第1基板的情況下，由於該黏接層能夠良好地黏接於被設置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從黏接層剝離的情形。
並且，上述密封結構還可以具備被設置於第2主面上的框狀的第2金屬層，並且黏接層黏接於第2金屬層。此時，例如即使是在黏接層難以黏接於第2基板的情況下，由於該黏接層能夠良好地黏接於被設置在第2主面上的第2金屬層，因而能夠抑制第2基板從黏接層剝離的情形。
並且，第2基板可以是金屬基板，且黏接層黏接於第2主面。此時，黏接層能夠良好地黏接於第2主面，因而能夠抑制第2基板從黏接層剝離的情形。
並且，第1金屬層中的黏接有黏接層的面可以是設置有凸部和凹部之凹凸面。此時，黏接層與第1金屬層的界面的面積變大。藉此，從外部經由該界面到密封空間的距離變長。因此，水分便難以經由該界面浸入到密封空間。除此之外，由於黏接層與第1金屬層接觸的面積增加，因而黏接層相對於第1金屬層的黏接力得到提高。
並且，凸部的平均節距可以是10nm以上且1μm以下，且凸部相對於凹部的平均高度可以是50nm以上且1μm以下。此時，水分更加難以經由該界面浸入到密封空間。
並且，黏接層由烴類樹脂構成，烴類樹脂可以是烯烴樹脂。
並且，黏接層由非極性熱塑性樹脂構成，非極性熱塑性樹脂可以是氟系樹脂。
並且，第1基板可以是玻璃基板、陶瓷基板或者半導體基板。此時，黏接層難以黏接於第1基板。但是，由於黏接層能夠良好地黏接於被設置於第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從黏接層剝離的情形。
本發明的另一種態樣所涉及的有機EL顯示裝置具備上述的其中一個段落中所記載的一種密封結構，並且元件部具有有機EL元件。
在該有機EL顯示裝置中，由於在密封結構內設置有有機EL元件，並且黏接層含有不具有極性基團的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因此，水分難以在該黏接劑內擴散。因此，水分難以浸入到被設置於由第1基板、第1金屬層、黏接層和第2基板所包圍而被密封的空間內的有機EL元件。並且，黏接層黏接於第1金屬層。一般而言，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂製成的黏接層會對金屬展現出良好的黏接性。因此，例如即使是在黏接層難以黏接於第1基板的情況下，由於該黏接層能夠良好地黏接於被設置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從黏接層剝離的情形。
本發明的另一種態樣所涉及的感測器具有上述的其中一個段落中所記載的一種密封結構，並且元件部具有感測器元件。
在該感測器中，在密封結構內設置有感測器元件，並且黏接層含有不具有極性基團的烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，因此，水分難以在該黏接層內擴散。因此，水分難以浸入到被設置於由第1基板、第1金屬層、黏接層和第2基板所包圍而被密封的空間內的感測器元件。並且，黏接層黏接於第1金屬層。一般而言，由烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂製成的黏接層會對金屬展現出良好的黏接性。因此，例如即使是在黏接層難以黏接於第1基板的情況下，由於該黏接層能夠良好地黏接於被設置在第1主面上的第1金屬層，因而能夠抑制第1基板從黏接層剝離的情形。
根據本發明的一種態樣，能夠提供一種抑制基板剝離和水分浸入的密封結構、有機EL顯示裝置以及感測器。
以下，參照隨附圖式對本發明的有效的實施型態進行詳細說明。另外，在以下的說明中，對同一要件或者具有同一功能的要件標注相同的符號，並且省略重複說明。
第1圖是表示實施型態所涉及的密封結構的概略俯視圖。第2圖是沿第1圖的α－α線的剖視圖。如第1圖以及第2圖所示，密封結構1具備：具有主面（第1主面）2a的第1基板2、被設置於第1基板2上的框狀的密封部3、位於密封部3的上方且具有與主面2a對置的主面（第2主面）4a的第2基板4、被設置於由第1基板2、密封部3及第2基板4所包圍而被密封的密封空間S內的元件部5、被設置於密封空間S內的乾燥劑6。
第1基板2是俯視時大致呈矩形形狀的基板。因此，第1基板2的主面2a大致呈矩形形狀。可以使用例如玻璃基板、陶瓷基板或者半導體基板作為第1基板2。另外，第1基板2可以具有透光性以及撓性等。在本實施型態中，第1基板2使用玻璃基板。
密封部3是接合第1基板2與第2基板4的部分。密封部3沿著第1基板2的邊緣被設置在該第1基板2的主面2a上。密封部3具有：被設置於主面2a上的框狀的第1金屬層11、被設置於第1金屬層11上的框狀的黏接層12、被設置於黏接層12上且與第1金屬層11對置的第2金屬層13。在密封部3中，第1金屬層11的與第2金屬層13對置的對置面11a和黏接層12的與第1金屬層11對置的主面12a以沒有間隙的方式緊貼在一起。另外，第2金屬層13的與第1金屬層11對置的對置面13a和黏接層12的與第2金屬層13對置的主面12b以沒有間隙的方式緊貼在一起。
第1金屬層11被沿著第1基板2的主面2a的邊緣設置且具有框狀的形狀。第1金屬層11例如透過將被設置於主面2a上的金屬膜圖案化成框狀而形成。該金屬膜例如透過真空蒸鍍法或者濺鍍法等而形成。第1金屬層11例如為鉬層、鈮層、鋁層、鎳層或者鉻層等各種金屬層。第1金屬層11可以是單層結構也可以是層疊結構。第1金屬層11的厚度例如為50nm以上。另外，第1金屬層11的寬度例如為1μm以上且2mm以下，較佳為100μm以上且1mm以下。
黏接層12是由黏接於第1金屬層11以及第2金屬層13的黏接劑所構成的框狀的層。黏接層12所包含的黏接劑透過加熱得以熔融從而發揮黏接性，並且含有不具有羥基以及羧基等極性基團的有機化合物。例如可以使用烯烴樹脂等烴類樹脂或者氟系樹脂等非極性熱塑性樹脂作為這種有機化合物。在本實施型態中，使用烯烴膜作為黏接層12。黏接層12的厚度例如為50μm以上且300μm以下。另外，黏接層12的寬度例如為1μm以上且2mm以下，較佳為100μm以上且1mm以下。
在本實施型態中，黏接層12的邊緣超出第1金屬層11的邊緣以及第2金屬層13的邊緣，但是，黏接層12的邊緣也可以與第1金屬層11的邊緣以及第2金屬層13的邊緣對齊。另外，在將黏接層12配置於第1金屬層11上之前，可以對黏接層12中的與第1金屬層11接觸的主面12a以及與第2金屬層13接觸的主面12b中的至少一個主面實施大氣壓電漿處理。所謂的大氣壓電漿處理，是指例如對黏接層12照射電漿化後的氣體的處理。例如使用氦氣作為電漿化的氣體。透過對黏接層12實施大氣壓電漿處理，黏接層12中的被電漿化後的氣體照射過的表面得到活化。透過將黏接層12中的被活化過的表面作為黏接面，可以利用化學性黏接而牢固地將該表面與第1金屬層11和第2金屬層13中的至少一個金屬層接合。另外，上述所謂的活化，是指在表面生成懸空鍵（不飽和鍵）、或者是在該表面產生自由基。另外，也可以對黏接層12照射臭氧氣體，從而代替大氣壓電漿處理。
第2金屬層13被沿著第2基板4的主面4a的邊緣設置且具有框狀的形狀。第2金屬層13例如透過將被設置於主面4a上的金屬膜圖案化成框狀而形成。該金屬膜例如透過真空蒸鍍法或者濺鍍法等而形成。第2金屬層13例如為鉬層、鈮層、鋁層、鎳層或者鉻層等各種金屬層。第2金屬層13可以是單層結構也可以是層疊結構。第2金屬層13的厚度例如為50nm以上。另外，第2金屬層13的寬度例如為1μm以上且2mm以下，較佳為100μm以上且1mm以下。在本實施型態中，第2金屬層13的寬度與第1金屬層11的寬度一致，但是第2金屬層13的寬度也可以與第1金屬層11的寬度不同。
第2基板4是俯視時大致呈矩形形狀的基板。因此，第2基板4的主面4a大致呈矩形形狀。如上述，主面4a與第1基板2的主面2a對置。並且，主面4a的形狀與主面2a的形狀大致相同。因此，被設置於該主面4a上的第2金屬層13位於與第1金屬層11對置並且與黏接層12黏接的位置。可以使用例如玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或者金屬基板作為第2基板4。另外，第2基板4可以具有透光性以及撓性等。在第2基板4為塑膠基板的情況下，例如使用具有耐熱性的聚醯亞胺基板等。另外，金屬基板是至少含有金屬元素的基板，也可以是由合金製成的基板。另外，金屬基板也可以是以金屬或者合金為主成分的基板。可以使用例如銅板、鉬板或者不銹鋼板等作為金屬基板。在本實施型態中，使用玻璃基板作為第2基板4。
元件部5位於密封空間S內，且具有被形成於第1基板2的主面2a上的電性元件、配線、電子電路以及電子部件等。電氣元件是透過電力供給而發揮某些功能的元件，例如具有發光元件以及感測器元件等中的任意一個元件。電子電路例如是為了驅動電性元件而運作的電路。該電子電路例如由被形成於主面2a上的電阻、電晶體以及電容器等所構成。電子部件例如是積體電路等。在本實施型態中，在元件部5內形成有一個或者複個有機EL元件，以作為容易因水分浸入而劣化的元件。因此，密封結構1構成有機EL顯示裝置。
乾燥劑6吸附密封空間S內的水分。乾燥劑6位於於密封空間S內，且被形成於第2基板4的主面4a上。乾燥劑6是片狀或者粉體狀等的固體、或者是凝膠狀。乾燥劑6可以是無機物也可以是有機物。另外，在第2基板4具有透光性的情況下，乾燥劑6也可以具備透光性。使用直鏈狀或者環狀的有機金屬化合物作為具備透光性的乾燥劑。該有機金屬化合物例如包含鋁、鑭、釔、鎵、矽或者鍺中的任意一種。
根據以上說明的本實施方式型態所涉及的密封結構1，黏接層12是由烴類樹脂製成的烯烴膜。藉此，黏接層12不具有極性基團，水分難以在該黏接層12內擴散。因此，水分難以浸入到被設置於由第1基板2、密封部3及第2基板4所包圍而被密封的密封空間S內的元件部5，其中，該密封部3具有第1金屬層11、黏接層12及第2金屬層13。另外，黏接層12與第1金屬層11以及第2金屬層13黏接。一般而言，由烴類樹脂製成的黏接層12會對金屬展現出良好的黏接性。因而，例如，即使在黏接層12難以黏接於第1基板2以及第2基板4中的一方或雙方的情況下，由於該黏接層12能夠良好地黏接於被設置於主面2a上的第1金屬層11，因而能夠抑制第1基板2從黏接層12剝離的情形。此外，由於黏接層12能夠良好地黏接於被設置於主面4a上的第2金屬層13，因而能夠抑制第2基板4從黏接層12剝離的情形。
並且，第1基板2可以是玻璃基板、陶瓷基板或者半導體基板。此時，黏接層12難以與第1基板2黏接。但是，由於黏接層12能夠良好地黏接於被設置於主面2a上的第1金屬層11，因而能夠抑制第1基板2從黏接層12剝離的情形。
另外，可以在密封空間S內設置乾燥劑6。此時，由於密封空間S內的水分被乾燥劑6吸附，因而水分便不能輕易浸入到元件部5。
以下，說明上述實施型態的第1變化例～第3變化例。在第1變化例～第3變化例的說明中，主要針對與上述實施型態不同之處進行說明。
第3圖是表示第1變化例所涉及的密封結構的概略剖視圖。如第3圖所示，密封結構1A的第2基板4A為金屬基板。另外，密封部3A僅具有第1金屬層11和黏接層12。因此，在第2基板4A的主面4a上並未設置有第2金屬層13，主面4a直接黏接於黏接層12。
根據上述第1變化例，黏接層12對金屬基板也就是第2基板4A展現出良好的黏接性。因此，與上述實施型態相同，能夠實現抑制第2基板4A從黏接層12剝離的作用效果。此外，由於密封部3A可以不具有第2金屬層13，因而能夠簡單地形成該密封部3A。
第4圖（a）是表示第2變化例所涉及的密封結構的密封部的概略放大剖視圖。如第4圖（a）所示，在密封結構1B的密封部3中，第1金屬層11A的對置面11a是設置有複數個凸部21以及複數個凹部22的凹凸面。凸部21以及凹部22例如透過使用硫酸-雙氧水等腐蝕劑的濕式蝕刻或者RIE（反應離子蝕刻）等乾式蝕刻而得到。凸部21的高度可以相同也可以不同，凹部22的深度可以相同也可以不同，凸部21彼此之間的節距可以相同也可以不同。另外，凸部21以及凹部22可以密集設置在第1金屬層11A的一部分區域，也可以分散設置凸部21以及凹部22。
相鄰的凸部21之間的平均節距P1為10nm以上且1μm以下。該平均節距P1是相鄰的凸部21的頂點之間的俯視時的平均距離。另外，凸部21相對於凹部22的平均高度H1為50nm以上且1μm以下。平均高度H1是指從凹部22的底點到凸部21的頂點為止的平均高度。凸部21以及凹部22沿第1金屬層11A的寬度方向延伸，並且以通過平均高度H1的中心的中心線C1為基準來決定凸部21以及凹部22。具體而言，在第1金屬層11A的厚度方向上，將比中心線C1更靠第2基板4側作為凸部21，將比中心線C1更靠第1基板2側作為凹部22。另外，以下將第1金屬層11A的寬度方向簡稱為寬度方向，將第1金屬層11A的厚度方向簡稱為厚度方向。
與第1金屬層11A相同，第2金屬層13A的對置面13a是設置有複數個凸部31和複數個凹部32的凹凸面。與凸部21以及凹部22相同，凸部31以及凹部32例如透過濕式蝕刻或者乾式蝕刻而得到。因此，凸部31的高度可以相同也可以不同，凹部32的深度可以相同也可以不同，凸部31彼此之間的節距可以相同也可以不同。相鄰的凸部31之間的平均節距P2為10nm以上且1μm以下。該平均節距P2是指相鄰的凸部31的頂點之間的俯視時的平均距離。並且，凸部31相對於凹部32的平均高度H2為50nm以上且1μm以下。平均高度H2是指從凹部32的底點到凸部31的頂點為止的平均高度。凸部31以及凹部32沿寬度方向延伸，並且以通過平均高度H2的中心的中心線C2為基準來決定凸部31以及凹部32。具體而言，在厚度方向上，將比中心線C2更靠第1基板2側作為凸部31，將比中心線C2更靠第2基板4側作為凹部32。
在上述第2變化例中，也能夠獲得與上述實施型態相同的作用效果。並且，黏接有黏接層12的對置面11a是凸部21以及凹部22連續交替設置的凹凸面。因此，黏接層12的主面12a與對置面11a的界面的面積變大。藉此，從外部經由該界面到密封空間S的距離變長。因此，水分難以經由上述界面浸入到密封空間S。除此之外，由於黏接層12與第1金屬層11A接觸的面積增加，因而黏接層12相對於第1金屬層11A的黏接力得到提高。
並且，透過將平均節距P1以及平均高度H1設定在上述範圍內，能夠更好地抑制水分經由黏接層12的主面12a與第1金屬層11A的對置面11a的界面而浸入到密封空間S的情形。
而且，與第1金屬層11A相同，黏接有黏接層12的對置面13a是凸部31以及凹部32連續交替設置的凹凸面。因此，黏接層12的主面12b與對置面13a的界面的面積變大。藉此，從外部經由該界面到密封空間S的距離變長。因此，水分難以經由上述界面浸入到密封空間S。除此之外，由於黏接層12與第2金屬層13A接觸的面積增加，因而黏接層12相對於第2金屬層13A的黏接力得到提高。而且，透過將平均節距P2以及平均高度H2設定在上述範圍，能夠更好地抑制水分經由主面12b與對置面13a的界面而浸入到密封空間S的情形。
在第2變化例中，凸部21與凹部32彼此對置，凹部22與凸部31彼此對置。在此情況下，能夠避免黏接層12出現不均勻，因而能夠抑制第1金屬層11A與黏接層12之間的剝離情形，並且能夠抑制第2金屬層13A與黏接層12之間的剝離情形。但是，也可以使凸部21與凸部31彼此對置，還可以使凹部22與凹部32彼此對置。
第4圖（b）是表示第3變化例所涉及的密封結構的密封部的概略放大剖視圖。如第4圖（b）所示，密封結構1C的第2基板4B是金屬基板。並且，密封部3A僅具有第1金屬層11A和黏接層12。因此，在第2基板4A的主面4a上並未設置有第2金屬層13，主面4a直接黏接於黏接層12。
在第2基板4B的主面4a中，黏接有黏接層12的區域4b是設置有複數個凸部41和複數個凹部42的凹凸面。與凸部21和凹部22相同，凸部41和凹部42例如透過濕式蝕刻或者乾式蝕刻而得到。因此，凸部41的高度可以相同也可以不同，凹部42的深度可以相同也可以不同，凸部41彼此之間的節距可以相同也可以不同。相鄰的凸部41之間的平均節距P3為10nm以上且1μm以下。該平均節距P3是指相鄰的凸部41的頂點之間的俯視時的平均距離。另外，凸部41相對於凹部42的平均高度H3為50nm以上且1μm以下。平均高度H3是指從凹部42的底點到凸部41的頂點為止的平均高度。凸部41和凹部42沿寬度方向延伸，並且以通過平均高度H3的中心的中心線C3為基準來決定凸部41以及凹部42。具體而言，在厚度方向上，將比中心線C3更靠第1基板2側作為凸部41，將比中心線C3更靠第2基板4B側作為凹部42。
在上述第3變化例中，也可以得到與上述第2變化例相同的作用效果。除此之外，與第1變化例相同，在第3變化例中，密封部3A也可以不具有第2金屬層13，因而能夠簡單地形成該密封部3A。
另外，透過將平均節距P3以及平均高度H3設定在上述範圍，能夠更好地抑制水分經由黏接層12的主面12a與第2基板4B的主面4a的界面而浸入密封空間S的情形。
在第3變化例中，凸部21與凹部42彼此對置，凹部22與凸部41彼此對置。在此情況下，能夠避免黏接層12出現不均勻，因而能夠抑制第1金屬層11A與黏接層12之間的剝離情形，並且能夠抑制第2基板4B與黏接層12之間的剝離情形。但是，也可以使凸部21與凸部41彼此對置，還可以使凹部22與凹部42彼此對置。
本發明的密封結構並不限定於上述實施型態和變化例，還可以存在其他各種變化。例如，本發明的元件部5也可以具有MEMS(微機電系統)等感測器以代替顯示元件。此時，上述密封結構成為感測器。另外，元件部5也可以具有顯示元件以及感測器元件這兩者，還可以具有其他有機電子器件（有機半導體元件或者色素增感型太陽能電池等）。
另外，在上述實施型態以及上述變化例中，黏接層12也可以不是被形成為框狀的膜。例如，黏接層12也可以是使液體狀的黏接劑固化之後形成的部件。此時，例如可以在第1金屬層上塗布黏接劑，並將第2金屬層接合於該黏接劑上，然後透過熱處理等使黏接劑固化。另外，除了黏接劑之外，黏接層12還可以含有各種添加物。例如，作為添加物可例舉出無機填料或者表面活性劑。在含有無機填料的黏接層12內，水分更加難以擴散。在含有表面活性劑的黏接層12與第1金屬層的界面以及該黏接層12與第2金屬層的界面，水分更加難以浸入。另外，在由氟系樹脂等非極性熱塑性樹脂來構成黏接層12的情況下，也能夠得到與上述實施型態以及上述變化例相同的效果。
另外，在第2變化例中，亦可僅有第1金屬層11A的對置面11a與第2金屬層13A的對置面13a中的其中一個面為凹凸面。同樣地，在第3變化例中，亦可僅有第2基板4B的區域4b為凹凸面。另外，第3變化例的區域4b也可以形成於整個主面4a。換言之，凸部41以及凹部42可以連續交替形成在整個主面4a上。
另外，在上述第2變化例中，平均節距P1、P2以及平均高度H1、H2中的至少一個設定在上述範圍即可。同樣地，在上述第3變化例中，平均節距P1、P3以及平均高度H1、H3中的至少一個設定在上述範圍即可。
另外，在上述實施型態以及上述第1變化例～第3變化例中，第1金屬層可以是不連續的。亦即，第1金屬層的一部分可以中斷。此時，可以在第1基板上的未設置有第1金屬層的部分設置與元件部5連接的引出配線等。
[實施例] 下面，透過以下的實施例進一步詳細說明本發明，但是本發明並不限定於這些例子。
（實施例1） 第5圖是表示實施例所涉及的密封結構的概略剖視圖。如第5圖所示，製備了藉由框狀的密封部3來黏接第1基板2A與第2基板4而成的密封結構101，其中，該第1基板2A在主面2a的中央部設置有凹陷51，第2基板4具有與該凹陷51對置的主面4。下面對該密封結構101的製造方法進行說明。
首先，製備第1基板2A與第2基板4，其中該第1基板2A在主面2a的中央部設置有凹陷51，且該第2基板4具有與該凹陷51對置的主面4a。接著，在主面2a上形成由鉬所構成的金屬膜，並且在主面4a上形成由鉬所構成的金屬膜。接著，分別將上述金屬膜圖案化，形成沿主面2a的邊緣的框狀的第1金屬層11，並且形成沿主面4a的邊緣的框狀的第2金屬層13。接著，將第1基板2A在50％aq的硫酸-雙氧水中浸泡10分鐘，藉此形成對置面11a為凹凸面的第1金屬層11A。同樣地，將第2基板4在50％aq的硫酸-雙氧水中浸泡10分鐘，藉此形成對置面13a為凹凸面的第2金屬層13A。接著，在露點為－70℃的手模式操作箱內，在凹陷51中填充約100mg的乾燥劑52也就是片狀的氧化鈣（CaO）。接著，使用將環烯烴聚合物（日本瑞翁株式會社制ZEONOR、注冊商標）成型為框狀的膜狀的黏接層12來暫時固定第1基板2A與第2基板4。此時，透過第1金屬層11A的對置面11a與第2金屬層13A的對置面13a來夾持黏接層12。然後，在惰性氣體中且在160℃以上的條件下進行熱處理。藉此，使黏接層12與第1金屬層11A以及第2金屬層13A熔敷，從而得到密封結構101。
（實施例2） 除了預先對膜狀的黏接層12實施大氣壓電漿處理以外，透過與實施例1相同的手法製備了密封結構。在大氣壓電漿處理中，首先對氦氣施加頻率為10kHz的10kV的交流電壓，從而使該氦氣電漿化。接著，向大氣中噴射該電漿化後的氦氣，使其照射於黏接層12的表面。
（比較例） 使用環氧樹脂系黏接劑（Nagase ChemteX株式會社制XNR5516）來代替密封部3而將第1基板2A與第2基板4接合，從而得到密封結構。在本比較例中，在第1基板2A的主面2a上並未形成第1金屬層11，且在第2基板4的主面4a上並未形成第2金屬層13。因此，在本比較例中，第1基板2A以及第2基板4並未浸泡於硫酸-雙氧水。
（高溫高濕試驗） 分別對實施例1的密封結構101、實施例2的密封結構和比較例的密封結構進行高溫高濕試驗，並測量被填充於各密封結構內的乾燥劑的重量變化。在高溫高濕試驗中，將各個密封結構靜止放置在溫度為85℃、濕度為85％的條件下300個小時。
第6圖是表示實施例1、2和比較例的乾燥劑的重量變化的圖表。在第6圖中，縱軸表示乾燥劑的水分增加量，橫軸表示試驗時間。另外，曲線61表示實施例1的測量結果，曲線62表示實施例2的測量結果，曲線63表示比較例的測量結果。在比較例中，在進行了300小時的高溫高濕試驗後，乾燥劑的重量增加了約0.00025g（0.25mg）。與此相對，在實施例1中，乾燥劑的重量增加了約0.0001g（0.1mg）。並且，在實施例2中，並未確認到乾燥劑的重量增加。因此，證實了在使用經過大氣壓電漿處理之後的黏接層12的實施例2的密封結構中，水分最難以浸入到密封空間S內。
1‧‧‧密封結構
1A‧‧‧密封結構
1B‧‧‧密封結構
1C‧‧‧密封結構
2‧‧‧第1基板
2a‧‧‧主面(第1主面)
2A‧‧‧第1基板
3‧‧‧密封部
3A‧‧‧密封部
4‧‧‧第2基板
4a‧‧‧主面(第2主面)
4A‧‧‧第2基板
4B‧‧‧第2基板
5‧‧‧元件部
6‧‧‧乾燥劑
11‧‧‧第1金屬層
11a‧‧‧對置面
11A‧‧‧第1金屬層
12‧‧‧黏接層
12a‧‧‧主面
12b‧‧‧主面
13‧‧‧第2金屬層
13a‧‧‧對置面
13A‧‧‧第2金屬層
21‧‧‧凸部
22‧‧‧凹部
31‧‧‧凸部
32‧‧‧凹部
41‧‧‧凸部
42‧‧‧凹部
51‧‧‧凹陷
52‧‧‧乾燥劑
61‧‧‧曲線
62‧‧‧曲線
63‧‧‧曲線
101‧‧‧密封結構
C1‧‧‧中心線
C2‧‧‧中心線
C3‧‧‧中心線
H1‧‧‧平均高度
H2‧‧‧平均高度
H3‧‧‧平均高度
P‧‧‧平均節距
P1‧‧‧平均節距
P2‧‧‧平均節距
P3‧‧‧平均節距
S‧‧‧密封空間
第1圖是表示實施型態所涉及的密封結構的概略俯視圖。 第2圖是沿第1圖的α－α線的剖視圖。 第3圖是表示第1變化例所涉及的密封結構的概略剖視圖。 第4圖（a）是表示第2變化例所涉及的密封結構的密封部的概略放大剖視圖，第4圖（b）是表示第3變化例所涉及的密封結構的密封部的概略放大剖視圖。 第5圖是表示實施例所涉及的密封結構的概略剖視圖。 第6圖是表示實施例1、2和比較例的乾燥劑的重量變化的圖表。
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1‧‧‧密封結構
2‧‧‧第1基板
2a‧‧‧主面(第1主面)
3‧‧‧密封部
4‧‧‧第2基板
4a‧‧‧主面(第2主面)
5‧‧‧元件部
6‧‧‧乾燥劑
11‧‧‧第1金屬層
11a‧‧‧對置面
12‧‧‧黏接層
12a‧‧‧主面
12b‧‧‧主面
13‧‧‧第2金屬層
13a‧‧‧對置面
S‧‧‧密封空間

Claims (10)

  1. 一種密封結構，其具備： 第1基板，其具有第1主面；框狀的第1金屬層，其沿前述第1基板的邊緣被設置在前述第1主面上；框狀的黏接層，其被設置於前述第1金屬層上；第2基板，其位於前述黏接層的上方，且具有與前述第1主面對置的第2主面；以及，元件部，其在前述第1主面上，且被設置於由前述第1基板、前述第1金屬層、前述黏接層及前述第2基板所包圍而被密封的密封空間內；其中，前述黏接層含有烴類樹脂或者非極性熱塑性樹脂，並且前述黏接層黏接於前述第1金屬層。
  2. 如請求項1所述的密封結構，其中更具備： 框狀的第2金屬層，其被設置於前述第2主面上；並且，前述黏接層黏接於前述第2金屬層。
  3. 如請求項1所述的密封結構，其中： 前述第2基板為金屬基板；前述黏接層黏接於前述第2主面。
  4. 如請求項1至3中任一項所述的密封結構，其中： 前述第1金屬層中的前述黏接層所黏接的面為設置有凸部和凹部之凹凸面。
  5. 如請求項4所述的密封結構，其中： 前述凸部的平均節距為10nm以上且1μm以下；前述凸部相對於前述凹部的平均高度為50nm以上且1μm以下。
  6. 如請求項1至5中任一項所述的密封結構，其中： 前述黏接層由前述烴類樹脂製成；前述烴類樹脂為烯烴樹脂。
  7. 如請求項1至5中任一項所述的密封結構，其中： 前述黏接層由前述非極性熱塑性樹脂製成；前述非極性熱塑性樹脂為氟系樹脂。
  8. 如請求項1至7中任一項所述的密封結構，其中： 前述第1基板為玻璃基板、陶瓷基板或者半導體基板。
  9. 一種有機電致發光顯示裝置，其具備請求項1至8中任一項所述的密封結構； 並且，前述元件部具有有機電致發光元件。
  10. 一種感測器，其具備請求項1至8中任一項所述的密封結構； 並且，前述元件部具有感測器元件。
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