TW201724072A - 主動矩陣有機發光二極體之驅動電路及其顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本揭露提出一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路及其顯示面板，該驅動電路包括一資料寫入電晶體、一驅動電晶體、一第一儲存電容、一發光電晶體、及一第二儲存電容。資料寫入電晶體具有一第一控制端連接一第一控制訊號、一第一端連接一資料線、及一第二端。驅動電晶體具有一第二控制端連接至該第二端、一第三端、及一第四端。第一儲存電容連接該第二控制端與該第四端。發光電晶體具有一第三控制端連接一第二控制訊號、一第五端連接至一高電位、及一第六端連接至該第三端。第二儲存電容連接至該第五端及該第四端，並由該第四端耦合至一有機發光二極體元件。

Description

主動矩陣有機發光二極體之驅動電路及其顯示面板
本揭露係關於液晶顯示裝置之技術領域，尤指一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路及其顯示面板。
主動矩陣有機發光二極體(AMOLE)畫素之驅動電晶體依背板製程技術可區分為P-type及N-type驅動型式。圖1為習知2T1C(two transistors one capacitor)的N-type驅動電晶體之畫素電路，其搭配一反向(Inverted)OLED元件。
N-type驅動電晶體NTFT_dri之閘源極電壓(Vgs)所對應之電壓為資料電位及低電位ELVSS之電壓。低電位ELVSS為一固定相對低電位且不隨時間變化。對於習知N-type驅動電晶體NTFt_dri而言，其會有驅動電晶體之臨界電壓偏移(threshold voltage deviation)的現象。亦即，N-type驅動電晶體的臨界電壓(threshold voltage,Vt)因多晶結晶製程，容易造成區域性之Vt變異。亦即對二尺寸相同之N-type驅動電晶體而言，當輸入同等驅動電壓時，卻無法輸出相同之電流，而造成亮度不均匀(mura)或均勻性不佳之問題。因此，習知之畫素電路仍有予以改善的空間。
本揭露之目的主要係在提供一主動矩陣有機發光二極體之驅動電路及其顯示面板，其於發光電晶體係使用多晶矽電晶體。多晶矽電晶體於導通時可提供較大的電流，具有較大的驅動能力，以驅動一有機發光二極體。同時驅動電晶體改用氧化物半導體電晶體，以提供較低的漏電流，如此可消除驅動電流路徑上的驅動電晶體的控制端的電壓變動，進而使該驅動電晶體可提供穩定的驅動電流至一有機發光二極體，而可改善習知技術亮度不均匀(mura)或均勻性不佳之問題。同時本揭露提出電晶體共享閘極(commonly-shared gate)的堆疊式結構(stack-up structure)，可有效地節省電路佈局(layout)的面積。
依據本揭露之一特色，本揭露提出一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路，包括一資料寫入電晶體、一驅動電晶體、一第一儲存電容、一發光電晶體、及一第二儲存電容。該資料寫入電晶體具有一第一控制端連接一第一控制訊號、一第一端連接一資料線、及一第二端。該驅動電晶體具有一第二控制端連接至該第二端、一第三端、及一第四端。該第一儲存電容連接該第二控制端與該第四端。該發光電晶體具有一第三控制端連接一第二控制訊號、一第五端連接至一高電位、及一第六端連接至該第三端。該第二儲存電容連接至該第五端及該第四端，並由該第四端耦合至一有機發光二極體元件。
依據本揭露之另一特色，本揭露提出一種顯示面板，該顯示面板係一有機發光二極體顯示面板，其具有複數個主動矩陣有機發光二極體之驅動電路，該等主動矩陣有機發光二極體之驅動電路包含一資料寫入電晶體、一驅動電晶體、一第一儲存電容、一發光電晶體、及一第二儲存電容。該資料寫入電晶體具有一第一控制端連接一第一控制訊號、一第一端連接一資料線、及一 第二端。該驅動電晶體具有一第二控制端連接至該第二端、一第三端、及一第四端。該第一儲存電容連接該第二控制端與該第四端。該發光電晶體具有一第三控制端連接一第二控制訊號、一第五端連接至一高電位、及一第六端連接至該第三端。該第二儲存電容連接至該第五端及該第四端，並由該第四端耦合至一有機發光二極體元件。
NTFT_dri‧‧‧驅動電晶體
ELVSS‧‧‧低電位
100‧‧‧顯示面板
200‧‧‧主動矩陣有機發光二極體之驅動電路
(T2)‧‧‧資料寫入電晶體
(T1)‧‧‧驅動電晶體
(Cst)‧‧‧第一儲存電容
(T4)‧‧‧發光電晶體
(C1)‧‧‧第二儲存電容
(T3)‧‧‧重置電晶體
(D1)‧‧‧有機發光二極體
(c1)‧‧‧第一控制端
(a1)‧‧‧第一端
(b1)‧‧‧第二端
(c2)‧‧‧第二控制端
(a2)‧‧‧第三端
(b2)‧‧‧第四端
(c3)‧‧‧第三控制端
(a3)‧‧‧第五端
(b3)‧‧‧第六端
(c4)‧‧‧第四控制端
(a4)‧‧‧第七端
(b4)‧‧‧第八端
(ELVDD)‧‧‧高電位
(ELVSS)‧‧‧低電位
(Sn)‧‧‧第一控制訊號
(En)‧‧‧第二控制訊號
(RST)‧‧‧重置訊號
(Vini)‧‧‧初始訊號
(Data)‧‧‧資料線
(Vrei)‧‧‧參考電位
(Voled)‧‧‧陽極電壓
(Vdata)‧‧‧資料寫入電位
(T5)‧‧‧補償電晶體
(c5)‧‧‧第五控制端
(a5)‧‧‧第九端
(b5)‧‧‧第十端
(T4’)‧‧‧電晶體
(c6)‧‧‧第六控制端
(a6)‧‧‧第十一端
(b6)‧‧‧第十二端
(C2)‧‧‧第一儲存電容
(Sn[n])‧‧‧第一控制訊號
(Sn[n+3])‧‧‧第二控制訊號
(En[n])‧‧‧第三控制訊號
(Vref)‧‧‧參考電位
(VSS)‧‧‧控制低電位
(VDD)‧‧‧控制高電位
(T4)‧‧‧第一發光電晶體
(T6)‧‧‧第二發光電晶體
(C)‧‧‧第一儲存電容
X‧‧‧節點
Y‧‧‧節點
W‧‧‧節點
(tft6)‧‧‧資料寫入電晶體
(tft1)‧‧‧驅動電晶體
(Cst)‧‧‧第一儲存電容
(tft4)‧‧‧第一發光電晶體
(tft5)‧‧‧補償電晶體
(tft2)‧‧‧重置電晶體
(tft3)‧‧‧第二發光電晶體
(PVDD)‧‧‧高電位
(G2)‧‧‧第一控制訊號
(EMIT)‧‧‧第二控制訊號
(VI)‧‧‧第三控制訊號
(G1)‧‧‧第四控制訊號
(XEMIT)‧‧‧第一控制訊號
(PVDD)‧‧‧高電位
(EMIT)‧‧‧第二控制訊號
(VREF)‧‧‧參考電位
(G1)‧‧‧第三控制訊號
(PVEE)‧‧‧低電位
圖1為習知2T1C的P-type驅動電晶體之畫素電路的示意圖。
圖2係本揭露之顯示面板的示意圖。
圖3係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的電路圖。
圖4a至圖4d係本揭露之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖5係多晶矽電晶體、氧化物半導體電晶體、及非晶矽電晶體於導通及關閉時之電流的示意圖。
圖6係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的模擬示意圖。
圖7係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的模擬結果示意圖。
圖8係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的模擬結果示意圖。
圖9係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之一應用示意圖。
圖10係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之另一應用示意圖。
圖11係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之再一應用示意圖。
圖12係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的另一電路圖。
圖13係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之一應用示意圖。
圖14係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之另一應用示意圖。
圖15係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之再一應用示意圖。
圖16係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的又一電路圖。
圖17係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之一應用示意圖。
圖18係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之另一應用示意圖。
圖19係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之再一應用示意圖。
圖20a至圖20d係本揭露之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖21係本揭露補償電晶體對有機發光二極體元件的電流進行補償的示意圖。
圖22係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的又一電路圖。
圖23係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之一應用示意圖。
圖24係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之另一應用示意圖。
圖25係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之再一應用示意圖。
圖26係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖27係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之一應用示意圖。
圖28係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之另一應用示意圖。
圖29係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之又一應用示意圖。
圖30係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖31係本揭露圖30之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖32係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖33係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的又一電路圖。
圖34係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖35係本揭露圖34之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖36係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖37a至圖37c係本揭露圖36之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖38係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路的更一電路圖。
圖39a至圖39c係本揭露圖38之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路之時序示意圖。
圖2係本揭露之顯示面板的示意圖。該顯示面板100係一有機發光二極體顯示面板，具有複數個主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200，該等主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200係用以驅動對應之一有機發光二極體元件以進行顯示，如圖3所示係其中一主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之電路圖。圖3係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的電路圖，如圖3所示，該驅動電路200包括有一資料寫入電晶體(T2)、一驅動電晶體(T1)、一第一儲存電容(Cst)、一發光電晶體(T4)、一第二儲存電容(C1)、及一重置電晶體(T3)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
該資料寫入電晶體(T2)具有一第一控制端(c1)連接一第一控制訊號(Sn)、一第一端(a1)連接一資料線(Data)、及一第二端(b1)。該驅動電晶體(T1)具有一第二控制端(c2)連接至該第二端(b1)、一第三端(a2)、及一第四端(b2)。該第一儲存電容(Cst)連接該第二控制端(c2)與該第四端(b2)。
該發光電晶體(T4)具有一第三控制端(c3)連接一第二控制訊號(En)、一第五端(a3)連接至一高電位(ELVDD)、及一第六端(b3)連接至該第三端(a2)。該第二儲存電容(C1)連接至該第五端(a3)及該第四端(b2)，並由該第四端(b2)耦合至一有機發光二極體元件(D1)。該重置電晶體(T3)具有一第四控制端(c4)連接一重置訊號(RST)、一第七端(a4)連接一初始訊號(Vini)、及一第八端(b4)連接 至該第四端(b2)。該有機發光二極體元件(D1)的一陽極端耦合至該第四端(b2)，其一陰極端連接至一低電位(ELVSS)。
圖4a至圖4d係本揭露之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。於一預充(Pre-charge)週期時，該重置訊號(RST)、該第一控制訊號(Sn)、及該第二控制訊號(En)為一控制高電位(VDD)，資料線(Data)的電壓為一參考電位(Vref)。該控制高電位(VDD)的電壓位準可相同於該高電位(ELVDD)的電壓位準，亦可異於該高電位(ELVDD)的電壓位準。該參考電位(Vref)的電壓位準可相同於該高電位(ELVDD)的電壓位準，亦可異於該高電位(ELVDD)的電壓位準。
如圖4a所示，於該預充(Pre-charge)週期時，該資料寫入電晶體(T2)、該驅動電晶體(T1)、該發光電晶體(T4)、及該重置電晶體(T3)係導通，資料線(Data)上為一參考電位(Vref)，因此節點G上的電壓為Vref，節點S上的電壓為Vini。
於一補償(Compensation)週期時，第一控制訊號(Sn)及第二控制訊號(En)為控制高電位(VDD)，該重置訊號(RST)為一控制低電位(VSS)、資料線(Data)的電壓為參考電位(Vref)。該控制低電位(VSS)的電壓位準可相同於該低電位ELVSS的電壓位準，亦可異於該低電位ELVSS的電壓位準。
如圖4b所示，於該補償週期時，該資料寫入電晶體(T2)、該驅動電晶體(T1)、及該發光電晶體(T4)係導通，該重置電晶體(T3)係關閉，資料線(Data)上為一參考電位(Vref)，因此節點G上的電壓為Vref，節點S上的電壓為Vref-Vt，當中，Vt為該驅動電晶體(T1)的臨界電壓(threshold voltage,Vt)。
於一資料寫入(Data writing)週期時，第一控制訊號(Sn)為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(En)及重置訊號(RST)為控制低電位(VSS)、資料線(Data)的電壓為一資料寫入電位(Vdata)。
如圖4c所示，於該資料寫入週期時，該資料寫入電晶體(T2)、該驅動電晶體(T1)係導通，該發光電晶體(T4)及該重置電晶體(T3)係關閉，資料線(Data)上為資料寫入電位(Vdata)，因此節點G上的電壓為Vdata，節點S上的電壓為Vref-Vt+f(Vdata-Vref)，當中，f為Cst/(Cst+C1)，Cst為第一儲存電容(Cst)的電容值，C1為第二儲存電容(C1)的電容值。
於一發光(Emitting)週期時，第二控制訊號(En)為控制高電位(VDD)，第一控制訊號(Sn)及該重置訊號(RST)為控制低電位(VSS)。
如圖4d所示，於該發光週期時，該驅動電晶體(T1)及該發光電晶體(T4)係導通，該資料寫入電晶體(T2)及該重置電晶體(T3)係關閉，因此節點G上的電壓為Vdata+Voled-[Vref-Vt+f(Vdata-Vref)]，節點S上的電壓為Voled，當中，Voled為該有機發光二極體元件(D1)的陽極電壓。由於節點G上的電壓具有臨界電壓(Vt)，因此在該發光週期時可補償因多晶結晶製程中所造成區域性之Vt變異及補償有機發光二極體之跨壓(Voled)，而使該有機發光二極體元件(D1)的亮度均匀，解決習知亮度不均匀(mura)的問題。
圖5係多晶矽電晶體、氧化物半導體電晶體、及非晶矽(a-Si)電晶體於導通及關閉時之電流的示意圖。如圖5所示，多晶矽電晶體於導通時有較大的電流，氧化物半導體電晶體於關閉時，其漏電流遠小於多晶矽電晶體及非晶矽(a-Si)電晶體的漏電流。因此，於一實施例中，驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)需有較佳的一致性(uniformity)，資料寫入電晶體(T2)需要較少的漏電流，因此驅動電晶體(T1)、及資料寫入電晶體(T2)可為氧化物半導體電晶體。該氧化物半導體電晶體可為氧化銦鎵鋅(IGZO)電晶體。發光電晶體(T4)需有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性，因此發光電晶體(T4)可為多晶矽電晶體。該多晶矽電晶體可為低溫多晶矽(LTPS)電晶體。重置電晶體(T3)可為多晶矽電晶體，以減少電路佈局(layout)的面積。
圖6係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的模擬示意圖，其係模擬驅動電路200於發光週期時，驅動電晶體(T1)及發光電晶體(T4)的電流。圖6的上半圖係驅動電晶體(T1)及發光電晶體(T4)均為氧化物半導體電晶體時的電流，圖6的下半圖係驅動電晶體(T1)為氧化物半導體電晶體、發光電晶體(T4)為多晶矽電晶體時的電流。
於發光週期時，驅動電晶體(T1)的電流控制有機發光二極體元件(D1)上的電流大小，而發光電晶體(T4)則控制有機發光二極體元件(D1)的發光時間，因此需確保發光電晶體(T4)的電流大於驅動電晶體(T1)的電流。由圖6可知，發光電晶體(T4)使用多晶矽電晶體時，其驅動電流為80nA，而發光電晶體(T4)使用氧化物半導體電晶體時，其驅動電流為43nA。因此，發光電晶體(T4)需有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性，故發光電晶體(T4)可為多晶矽電晶體。驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)需有較佳的一致性(uniformity)，因此驅動電晶體(T1)較佳為氧化物半導體電晶體。
圖7係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的模擬結果示意圖。其係對資料寫入電晶體(T2)及重置電晶體(T3)的模擬結果示意圖，以作為選取資料寫入電晶體(T2)及重置電晶體(T3)的依據。如圖7所示，VGS表示驅動電晶體(T1)的閘極及源極電壓，VGS peak to peak表示每一圖框的VGS電壓差異。如圖7所示，當Vdata為0.3伏特(V)，寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體時，VGS peak to peak為108.78mV，寫入電晶體(T2)為氧化物半導體電晶體時，VGS peak to peak為16.123mV。當Vdata為2伏特(V)，寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體時，VGS peak to peak為87.84mV，寫入電晶體(T2)為氧化物半導體電晶體時，VGS peak to peak為8.1521mV。因此可知，當寫入電晶體(T2)為氧化物半導體電晶體時，有較好的VGS peak to peak穩定性。
如圖7所示，重置電晶體(T3)為多晶矽電晶體或氧化物半導體電晶體，對於VGS peak to peak並沒有很大的差別。
圖8係本揭露主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的模擬結果示意圖。其係對資料寫入電晶體(T2)的模擬結果示意圖，以作為選取資料寫入電晶體(T2)的依據。如圖8所示，當Vdata為0.3伏特(V)，寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體時，預充時間(Pre-charge time)為5.0129微秒(μs)，寫入電晶體(T2)為氧化物半導體電晶體時，預充時問為12.9646微秒(μs)。因此，在另一實施例中，驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體。發光電晶體(T4)需有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性，因此發光電晶體(T4)可為多晶矽電晶體。重置電晶體(T3)可為多晶矽電晶體，以減少電路佈局(layout)的面積。資料寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體，以減少預充時間。
圖9係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之一應用示意圖，其中，驅動電路200之該重置電晶體(T3)係與另一驅動電路共用，而該二驅動電路具有相同架構，該重置電晶體(T3)為氧化物半導體電晶體。如圖9所示，藉由次畫素A的驅動電路與次畫素B的驅動電路共用該重置電晶體(T3)，而可大量減少電晶體的數目。例如應用於高解析度面板時，以FHD面板為例，其具有1080X1920X3=6220800個次畫素(sub-pixel)，故需6,220,800個驅動電路。如以本揭露之技術，由於兩個驅動電路可節省一個電晶體，故其可節省3,110,400個電晶體。
圖10係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之另一應用示意圖，其中，驅動電路200之該重置電晶體(T3)係與另一驅動電路共用，而該二驅動電路具有相同架構。如圖10所示，次畫素A的驅動電路的料寫入電晶體(T2)為P型多晶矽電晶體，次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)為N型氧化物半導體電晶體。次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)及次畫素B 的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)均由相同的第一控制訊號(Sn)所控制。次畫素A的驅動電路與次畫素B的驅動電路的發光電晶體(T4)可為P型多晶矽電晶體或N型多晶矽電晶體，其中，次畫素A的驅動電路與次畫素B的驅動電路的發光電晶體(T4)可為P型多晶矽電晶體。
圖11係本揭露圖3之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之再一應用示意圖，其中，驅動電路200之該重置電晶體(T3)係與另一驅動電路共用，而該二驅動電路具有相同架構。該二驅動電路的發光電晶體(T4)為P型多晶矽電晶體，該二驅動電路的驅動電晶體(T1)為N型氧化物半導體電晶體。
如圖11所示，次畫素A的驅動電路及次畫素B的驅動電路的發光電晶體(T4)為P型多晶矽電晶體，次畫素A的驅動電路及次畫素B的驅動電路的發光電晶體(T4)為驅動電晶體(T1)為N型氧化物半導體電晶體。次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)為P型多晶矽電晶體，次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)為N型氧化物半導體電晶體。次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)及次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)均由相同的第一控制訊號(Sn)所控制。
如圖11所示，次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)係一底部閘極的結構(bottom gate structure)，次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)係一頂部閘極的結構(top gate structure)。且次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)及次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)共享閘極(commonly-shared gate)，如圖11所示，由於次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)及次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)共用閘極(GE)，因此在電路佈局(layout)時，次畫素A的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)及次畫素B的驅動電路的資料寫入電晶體(T2)具有堆疊式結構(stack-up structure)，可有效地節省電路佈局(layout)的面積。
圖12係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的另一電路圖。其與圖3主要區別在於新增一補償電晶體(T5)。補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接一感測補償訊號(compensated/sensing)、一第九端(a5)連接至一感測補償訊號線(compensated/sensing line)、及一第十端(b5)連接至該第四端(b2)。其餘元件的連接方式可參考圖3中元件的連接方式，不再贅述。
如圖12所示，該發光電晶體(T4)可為多晶矽電晶體。驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體。資料寫入電晶體(T2)、重置電晶體(T3)、及補償電晶體(T5)可為氧化物半導體電晶體或多晶矽電晶體。
圖13係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之一應用示意圖。其係相似於圖12，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為P型電晶體，該補償電晶體(T5)為N型電晶體。
圖14係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之另一應用示意圖。其係相似於圖12，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為N型電晶體，該補償電晶體(T5)為P型電晶體。
圖15係本揭露圖12之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之再一應用示意圖。其係相似於圖12，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第一控制訊號(Sn)。
圖16係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的又一電路圖。其與圖12主要區別在於補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接一感測補償訊號(compensated/sensing)、一第九端(a5)連接至該第四端(b2)、及一第十端(b5)連接至資料線(Data)。其餘元件的連接方式可參考圖12中元件的連接方式，不再贅述。
圖17係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之一應用示意圖。其係相似於圖16，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為P型電晶體，該補償電晶體(T5)為N型電晶體。
圖18係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之另一應用示意圖。其係相似於圖16，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為N型電晶體，該補償電晶體(T5)為P型電晶體。
圖19係本揭露圖16之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之再一應用示意圖。其係相似於圖16，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第一控制訊號(Sn)。
圖20a至圖20d係本揭露之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。其係對應圖15之電路的運作之時序示意圖。其工作原理及各節點電壓與圖4a至圖4d相似，在此不再贅述。
該補償電晶體(T5)主要係補償該有機發光二極體元件(D1)的電流。其補償的時間並非在圖20中的預充(Pre-charge)週期、補償(Compensation)週期、資料寫入(Data writing)週期、發光(Emitting)週期中的任一週期。而係當一面板開機時，對該有機發光二極體元件(D1)的電流進行感測/補償。圖21係本揭露補償電晶體(T5)對該有機發光二極體元件(D1)的電流進行補償的示意圖。其係以圖12及圖15中的電路為例。其先將驅動電晶體(T1)、資料寫入電晶體(T2)、重置電晶體(T3)、及發光電晶體(T4)關閉，並將補償電晶體(T5)導通，此時一外部感測裝置(圖未示)感測流經有機發光二極體元件(D1)的電流，以決定補償電流的大小，並算出對應的電壓Vgs5。於補償時，經由感測補償訊號(compensated/sensing)施加電壓Vgs5至補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)，以補償有機發光二極體元件 (D1)的電流。圖21係以圖12及圖15中的電路為例，其他電路的有機發光二極體元件(D1)的電流補償原理相似，不再贅述。
圖22係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的又一電路圖。其與圖3主要區別在於新增一補償電晶體(T5)及一電晶體(T4’)。補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接一感測補償訊號(compensated/sensing)、一第九端(a5)連接至一感測補償訊號線(compensated/sensing line)、及一第十端(b5)連接至該有機發光二極體元件(D1)。該電晶體(T4’)具有一第六控制端(c6)連接至該第二控制訊號(En)、一第十一端(a6)連接至該第四端(b2)、一第十二端(b6)連接至該第十端(b5)及該有機發光二極體元件(D1)。其餘元件的連接方式可參考圖3中元件的連接方式，不再贅述。
如圖22所示，該發光電晶體(T4)及該電晶體(T4’)可為多晶矽電晶體。驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體。資料寫入電晶體(T2)、重置電晶體(T3)、及補償電晶體(T5)可為氧化物半導體電晶體或多晶矽電晶體。
圖23係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之一應用示意圖。其係相似於圖22，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為P型電晶體，該補償電晶體(T5)為N型電晶體。
圖24係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之另一應用示意圖。其係相似於圖22，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為N型電晶體，該補償電晶體(T5)為P型電晶體。
圖25係本揭露圖22之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之再一應用示意圖。其係相似於圖22，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第一控制訊號(Sn)。
圖26係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖。其與圖3主要區別在於新增一補償電晶體(T5)及一電晶體(T4’)。補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接一感測補償訊號(compensated/sensing)、一第九端(a5)、及一第十端(b5)連接至該資料線(Data)。該電晶體(T4’)具有一第六控制端(c6)連接該第二控制訊號(En)、一第十一端(a6)連接至該第四端(b2)、一第十二端(b6)連接至該第九端(a5)及該有機發光二極體元件(D1)。其餘元件的連接方式可參考圖3中元件的連接方式，不再贅述。
如圖26所示，該發光電晶體(T4)及該電晶體(T4’)可為多晶矽電晶體。驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體。資料寫入電晶體(T2)、重置電晶體(T3)、及補償電晶體(T5)可為氧化物半導體電晶體或多晶矽電晶體。
圖27係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之一應用示意圖。其係相似於圖26，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為P型電晶體，該補償電晶體(T5)為N型電晶體。
圖28係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之另一應用示意圖。其係相似於圖26，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第二控制訊號(En)。此時，該發光電晶體(T4)為N型電晶體，該補償電晶體(T5)為P型電晶體。
圖29係本揭露圖26之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之又一應用示意圖。其係相似於圖26，但移除感測補償訊號(compensated/sensing)，並將補償電晶體(T5)的第五控制端(c5)連接至第一控制訊號(Sn)。
圖30係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖，如圖30所示，該驅動電路200包括有一資料寫入電晶體(T2)、一驅動電晶體(T1)、一第一儲存電容(C2)、一發光電晶體(T4)、一補償電晶體(T5)、 一第二儲存電容(C1)、及一重置電晶體(T3)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
該資料寫入電晶體(T2)具有一第一控制端(c1)連接一第一控制訊號(Sn[n])、一第一端(a1)連接一資料線(Data)、及一第二端(b1)。該驅動電晶體(T1)具有一第二控制端(c2)連接至該第二端(b1)、一第三端(a2)連接至一高電位(ELVDD)、及一第四端(b2)。該第二儲存電容(C1)的一端連接該第二控制端(c2)與該第二端(b1)。
該發光電晶體(T4)具有一第三控制端(c3)連接至一第二控制訊號(Sn[n+3])、一第五端(a3)連接至該第二控制端(c2)與該第二端(b1)、及一第六端(b3)連接至該第二儲存電容(C1)的另一端。該補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接至一第三控制訊號(En[n])、一第九端(a5)連接至一參考電位(Vref)、及一第十端(b5)連接至該第六端(b3)及該第一儲存電容(C2)的一端。該第一儲存電容(C2)的另一端連接至該第四端(b2)及該有機發光二極體(D1)。
該重置電晶體(T3)具有一第四控制端(c4)連接至該第一控制訊號(Sn[n])、一第七端(a4)連接至一初始訊號(Vini)、及一第八端(b4)連接至該第四端(b2)。該有機發光二極體元件(D1)的一陽極端耦合至該第四端(b2)，其一陰極端連接至一低電位(ELVSS)。
圖31係本揭露圖30之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。如圖31所示，於該預充(Pre-charge)週期時，第一控制訊號(Sn[n])及第三控制訊號(En[n])為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(Sn[n+3])為控制低電位(VSS)，因此，該資料寫入電晶體(T2)、該驅動電晶體(T1)、該補償電晶體(T5)、及該重置電晶體(T3)係導通，該發光電晶體(T4)係關閉，資料線(Data)上為一資料寫入電位(Vdata)，因此節點G上的電壓為Vdata，節點S上的電壓為Vini。節點W上的電壓為參考電位(Vref)。
於一補償(Compensation)週期時，第一控制訊號(Sn[n])及第二控制訊號(Sn[n+3])為控制低電位(VSS)，第三控制訊號(En[n])為控制高電位(VDD)，因此，該驅動電晶體(T1)及該補償電晶體(T5)係導通，該資料寫入電晶體(T2)、該重置電晶體(T3)及該發光電晶體(T4)係關閉，因此節點G上的電壓為Vdata，節點S上的電壓為Vdata-Vt，節點W上的電壓為參考電位(Vref)。
於一發光(Emitting)週期時，第一控制訊號(Sn[n])及第三控制訊號(En[n])為控制低電位(VSS)，第二控制訊號(Sn[n+3])為控制高電位(VDD)，因此，該驅動電晶體(T1)及該發光電晶體(T4)係導通，該資料寫入電晶體(T2)、該重置電晶體(T3)及該補償電晶體(T5)係關閉，因此節點G上的電壓為Vref+[Voled-(Vdata-Vt)]，節點S上的電壓為Voled，節點W上的電壓為參考電位(Vref)。如圖4所示，於該發光週期時，由於節點G上的電壓具有臨界電壓(Vt)，因此在該發光週期時可補償因多晶結晶製程中所造成區域性之Vt變異，而使該有機發光二極體元件(D1)的亮度均匀，解決習知亮度不均匀(mura)的問題。
於一實施例中，圖30的驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體，以使驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)具有較佳的一致性(uniformity)。發光電晶體(T4)為多晶矽電晶體，使其具有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性。該重置電晶體(T3)為多晶矽電晶體，以減少電路佈局(layout)的面積。資料寫入電晶體(T2)及該補償電晶體(T5)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
於另一實施例中，圖30的驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體，以使驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)具有較佳的一致性(uniformity)。發光電晶體(T4)為多晶矽電晶體，使其具有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性。該重置電晶體(T3)為多晶矽電晶體，以減少電路佈局(layout)的面積。資料 寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體，以減少預充時間。該補償電晶體(T5)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
圖32係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖。如圖32所示，該驅動電路200包括有一切換電晶體(PTFT_sw)、一驅動電晶體(PTFT_dri)、一第一儲存電容(Cst)、及一補償電晶體(NTFT_comp)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
以圖32的驅動電路200，首先，於一步驟(A)中，掃描線(Scan/Scan2)為控制低電位(VSS)，切換電晶體(PTFT_sw)導通，驅動電晶體(PTFT_dri)及一補償電晶體(NTFT_comp)關閉，資料線(Data)上的電壓對第一儲存電容(Cst)充電。
於一步驟(B)中，掃描線(Scan/Scan2)為控制高電位(VDD)，切換電晶體(PTFT_sw)關閉，驅動電晶體(PTFT_dri)及一補償電晶體(NTFT_comp)導通，一高電位(ELVDD)經由驅動電晶體(PTFT_dri)以驅動一有機發光二極體(D1)。此時，補償電晶體(NTFT_comp)導通，補償線(Compensate)可經由補償電晶體(NTFT_comp)而補償該有機發光二極體元件(D1)的電流。
補償電晶體(NTFT_comp)的運作原理與圖21類似。其係當一面板開機時，對該有機發光二極體元件(D1)的電流進行感測/補償。其先將切換電晶體(PTFT_sw)關閉及驅動電晶體(PTFT_dri)關閉，並將補償電晶體(NTFT_comp)導通，此時一外部感測裝置(圖未示)感測流經有機發光二極體元件(D1)的電流，以決定補償電流的大小，並算出對應的電壓Vgs。於補償時，經由掃描線(Scan/Scan2)施加電壓Vgs至補償電晶體(NTFT_comp)的一控制端(c)，補償線(Compensate)的電流可經由補償電晶體(NTFT_comp)而補償該有機發光二極體元件(D1)的電流。
於圖32中，切換電晶體(PTFT_sw)可為P型多晶矽電晶體，補償電晶體(NTFT_comp)可為N型氧化物半導體電晶體，驅動電晶體(PTFT_dri)可為多 晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。如圖32所示，補償電晶體(NTFT_comp)係一底部閘極的結構(bottom gate structure)，切換電晶體(PTFT_sw)係一頂部閘極的結構(top gate structure)。且補償電晶體(NTFT_comp)及切換電晶體(PTFT_sw)共享閘極(commonly-shared gate)，亦即，補償電晶體(NTFT_comp)及切換電晶體(PTFT_sw)共用閘極(GE)。因此在電路佈局(layout)時，補償電晶體(NTFT_comp)及切換電晶體(PTFT_sw)具有堆疊式結構(stack-up structure)，可有效地節省電路佈局(layout)的面積。
圖33係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的又一電路圖。其與圖32的差別在於：切換電晶體(NTFT_sw)係為N型氧化物半導體電晶體，補償電晶體(PTFT_comp)係為P型多晶矽電晶體。
圖34係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖，如圖34所示，該驅動電路200包括有一資料寫入電晶體(T2)、一驅動電晶體(T1)、一第一儲存電容(C)、一第一發光電晶體(T4)、一補償電晶體(T5)、一重置電晶體(T3)、及一第二發光電晶體(T6)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
該資料寫入電晶體(T2)具有一第一控制端(c1)連接一第一控制訊號(SCAN1)、一第一端(a1)連接一資料線(Data)、及一第二端(b1)。該驅動電晶體(T1)具有一第二控制端(c2)連接至該第一儲存電容(C)的一端、一第三端(a2)、及一第四端(b2)連接至第二端(b1)。
該第一發光電晶體(T4)具有一第三控制端(c3)連接一第二控制訊號(EM1)、一第五端(a3)連接至一高電位(ELVDD)、及一第六端(b3)連接至該第三端(a2)。該補償電晶體(T5)具有一第五控制端(c5)連接至一第三控制訊號(SCAN2)、一第九端(a5)連接至該第六端(b3)、及一第十端(b5)連接至該第二控制端(c2)及該第一儲存電容(C)的一端。
該重置電晶體(T3)具有一第四控制端(c4)連接該第三控制訊號(SCAN2)、一第七端(a4)連接一初始訊號(Vini)、及一第八端(b4)連接至該該第一儲存電容(C)的另一端及該有機發光二極體元件(D1)。該第二發光電晶體(T6)具有一第六控制端(c3)連接一第四控制訊號(EM2)、一第十一端(a6)連接至該第四端(b2)及第二端(b1)、及一第十二端(b6)連接至該第八端(b4)及該有機發光二極體元件(D1)。
圖35係本揭露圖34之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。如圖35所示，於一重置(Reset)週期時，第一控制訊號(SCAN1)及第四控制訊號(EM2)為控制低電位(VSS)，第二控制訊號(EM1)及第三控制訊號(SCAN2)為控制高電位(VDD)，因此，該資料寫入電晶體(T2)及第二發光電晶體(T6)係關閉，該驅動電晶體(T1)、該補償電晶體(T5)、該第一發光電晶體(T4)及該重置電晶體(T3)係導通。
於一資料寫入及補償(Data Input +Vt Compensation)週期時，第二控制訊號(EM1)及第四控制訊號(EM2)為控制低電位(VSS)，第一控制訊號(SCAN1)及第三控制訊號(SCAN2)為控制高電位(VDD)，因此，該第一發光電晶體(T4)及第二發光電晶體(T6)係關閉，該資料寫入電晶體(T2)、該驅動電晶體(T1)、該補償電晶體(T5)及該重置電晶體(T3)係導通。
於一發光(Emitting)週期時，第二控制訊號(EM1)及第四控制訊號(EM2)為控制高電位(VDD)，第一控制訊號(SCAN1)及第三控制訊號(SCAN2)為控制低電位(VSS)，因此，該資料寫入電晶體(T2)、該補償電晶體(T5)及該重置電晶體(T3)係關閉，該驅動電晶體(T1)、該第一發光電晶體(T4)及第二發光電晶體(T6)係導通。其臨界電壓(Vt)補償原理與圖4相似，係熟於該技術者基於本揭露之揭露所能得知。因此在該發光週期時可補償因多晶結晶製程中所造成區域 性之Vt變異，而使該有機發光二極體元件(D1)的亮度均匀，解決習知亮度不均匀(mura)的問題。
於一實施例中，圖34的第一發光電晶體(T4)及第二發光電晶體(T6)可為多晶矽電晶體，資料寫入電晶體(T2)、驅動電晶體(T1)、補償電晶體(T5)及重置電晶體(T3)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
於另一實施例中，圖34的第一發光電晶體(T4)及第二發光電晶體(T6)為多晶矽電晶體，使其有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性。驅動電晶體(T1)可為氧化物半導體電晶體，以使驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)具有較佳的一致性(uniformity)。該重置電晶體(T3)為多晶矽電晶體，以減少電路佈局(layout)的面積。資料寫入電晶體(T2)為多晶矽電晶體，以減少預充時間。該補償電晶體(T5)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
圖36係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖，如圖36所示，該驅動電路200包括有一資料寫入電晶體(tft6)、一驅動電晶體(tft1)、一第一儲存電容(Cst)、一第一發光電晶體(tft4)、一補償電晶體(tft5)、一重置電晶體(tft2)、及一第二發光電晶體(tft3)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
該資料寫入電晶體(tft6)具有一第一控制端(c1)連接一第一控制訊號(G2)、一第一端(a1)連接一資料線(Data)、及一第二端(b1)。該驅動電晶體(tft1)具有一第二控制端(c2)、一第三端(a2)連接至一高電位(PVDD)、及一第四端(b2)連接至第一儲存電容(Cst)的一端。
該第一發光電晶體(tft4)具有一第三控制端(c3)連接一第二控制訊號(EMIT)、一第五端(a3)連接至該驅動電晶體(tft1)的第二控制端(c2)、及一第六端(b3)連接至該第一儲存電容(Cst)的另一端。該補償電晶體(tft5)具有一第五控制 端(c5)連接至第一控制訊號(G2)、一第九端(a5)連接至一第三控制訊號(VI)、及一第十端(b5)連接至該驅動電晶體(tft1)的第二控制端(c2)。
該重置電晶體(tft2)具有一第四控制端(c4)連接一第四控制訊號(G1)、一第七端(a4)連接至該驅動電晶體(tft1)的第四端(b2)及該第一儲存電容(Cst)的一端、及一第八端(b4)連接至該有機發光二極體元件(D1)的陰極端。該第二發光電晶體(tft3)具有一第六控制端(c6)連接該第二控制訊號(EMIT)、一第十一端(a6)連接至該驅動電晶體(tft1)的第四端(b2)、及一第十二端(b6)連接至該有機發光二極體元件(D1)的陽極端。
圖37a至圖37c係本揭露圖36之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。如圖37a所示，於一重置(Reset)週期時，第一控制訊號(G2)及第四控制訊號(G1)為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(EMIT)及第三控制訊號(VI)為控制低電位(VSS)，因此，該第一發光電晶體(tft4)、該驅動電晶體(tft1)及第二發光電晶體(tft3)係關閉，該資料寫入電晶體(tft6)、該補償電晶體(tft5)及該重置電晶體(tft2)係導通。故節點X上的電壓為Vdata、節點Y上的電壓為PVEE，其中，Vdata為資料線(Data)的電壓，PVEE為一低電位。需注意的是，此時，第三控制訊號(VI)的電壓為一低電位VI_L，該低電位VI_L會使該驅動電晶體(tft1)關閉，以防止該有機發光二極體(D1)發光。
如圖37b所示，於一補償(Vt Compensation)週期時，第一控制訊號(G2)、及第三控制訊號(VI)為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(EMIT)、及第四控制訊號(G1)為控制低電位(VSS)，因此，該第一發光電晶體(tft4)、該重置電晶體(tft2)及第二發光電晶體(tft3)係關閉，該資料寫入電晶體(tft6)、該驅動電晶體(tft1)、及該補償電晶體(tft5)係導通。故節點X上的電壓為Vdata、節點Y上的電壓為VI_H-Vt1，其中，VI_H為第三控制訊號(VI)的一高電壓，Vt1為該驅動電晶體(tft1)的臨界電壓(threshold voltage,Vt)。
如圖37c所示，於一發光(Emitting)週期時，第一控制訊號(G2)、及第四控制訊號(G1)為控制低電位(VSS)，第二控制訊號(EMIT)、及第三控制訊號(VI)為控制高電位(VDD)，因此，該重置電晶體(tft2)、該補償電晶體(tft5)及該資料寫入電晶體(tft6)係關閉，該驅動電晶體(tft1)、第二發光電晶體(tft3)、及該第一發光電晶體(tft4)係導通。故節點X上的電壓為Vdata+Voled-VI_H+Vt1、節點Y上的電壓為Voled，其中，Voled為有機發光二極體(D1)陽極端的電壓。由於該第一發光電晶體(tft4)係導通，所以，節點W上的電壓約為節點X上的電壓，亦即節點W上的電壓為Vdata+Voled-VI_H+Vt1。因此該驅動電晶體(tft1)閘極與源極的電壓Vgs為Vdata-VI_H+Vt1。由於節點W上的電壓具有臨界電壓(Vt1)，因此在該發光週期時可補償因多晶結晶製程中所造成區域性之Vt變異，而使該有機發光二極體元件(D1)的亮度均匀，解決習知亮度不均匀(mura)的問題。
於一實施例中，圖36的第一發光電晶體(tft4)及第二發光電晶體(tft3)可為多晶矽電晶體，驅動電晶體(tft1)可為氧化物半導體電晶體，重置電晶體(tft2)、驅動電晶體(T1)、補償電晶體(tft5)及資料寫入電晶體(tft6)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
圖38係本揭露之一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200的更一電路圖，如圖38所示，該驅動電路200包括有一資料寫入電晶體(tft6)、一驅動電晶體(tft1)、一第一儲存電容(Cst)、一第一發光電晶體(tft4)、一補償電晶體(tft5)、一重置電晶體(tft2)、及一第二發光電晶體(tft3)，其係用以驅動一有機發光二極體(D1)。
該資料寫入電晶體(tft6)具有一第一控制端(c1)連接一第一控制訊號(XEMIT)、一第一端(a1)連接一資料線(Data)、及一第二端(b1)。該驅動電晶體(tft1)具有一第二控制端(c2)連接至第二端(b1)、一第三端(a2)連接至一高電位(PVDD)、及一第四端(b2)連接至第一儲存電容(Cst)的一端。
該第一發光電晶體(tft4)具有一第三控制端(c3)連接一第二控制訊號(EMIT)、一第五端(a3)連接至該第二控制端(c2)、及一第六端(b3)連接至該第一儲存電容(Cst)的另一端。該補償電晶體(tft5)具有一第五控制端(c5)連接至第一控制訊號(XEMIT)、一第九端(a5)連接至該第二控制訊號(EMIT)、及一第十端(b5)連接至一參考電位(VREF)。
該重置電晶體(tft2)具有一第四控制端(c4)連接一第三控制訊號(G1)、一第七端(a4)連接至該第四端(b2)及該第一儲存電容(Cst)的一端、及一第八端(b4)連接至該有機發光二極體元件(D1)的陰極端。該第二發光電晶體(tft3)具有一第六控制端(c6)連接該第二控制訊號(EMIT)、一第十一端(a6)連接至該第四端(b2)、及一第十二端(b6)連接至該有機發光二極體元件(D1)的陽極端。
圖39a至圖39c係本揭露圖38之主動矩陣有機發光二極體之驅動電路200之時序示意圖。如圖39a所示，於一重置(Reset)週期時，第一控制訊號(XEMIT)及第三控制訊號(G1)為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(EMIT)及資料線(Data)為控制低電位(VSS)，因此，該驅動電晶體(tft1)、第二發光電晶體(tft3)及該第一發光電晶體(tft4)係關閉，該資料寫入電晶體(tft6)、該補償電晶體(tft5)及該重置電晶體(tft2)係導通。故節點X上的電壓為VREF、節點Y上的電壓為PVEE、節點W上的電壓為Vdata_L，其中，Vdata_L為資料線(Data)的電壓，其係一低電位，PVEE為一低電位，VREF為該參考電位(VREF)。需注意的是，此時，節點W上的電壓為一低電位Vdata_L，該低電位Vdata_L會使該驅動電晶體(tft1)關閉，以防止該有機發光二極體(D1)發光。
如圖39b所示，於一補償(Vt Compensation)週期時，第一控制訊號(XEMIT)及資料線(Data)為控制高電位(VDD)，第二控制訊號(EMIT)及第三控制訊號(G1)為控制低電位(VSS)，因此，該第一發光電晶體(tft4)、該重置電晶體(tft2)及第二發光電晶體(tft3)係關閉，該資料寫入電晶體(tft6)、該驅動電晶體(tft1)、 及該補償電晶體(tft5)係導通。故節點X上的電壓為VREF、節點Y上的電壓為Vdata_H-Vt1、節點W上的電壓為Vdata_H，其中，Vdata_H為資料線(Data)的一高電壓，Vt1為該驅動電晶體(tft1)的臨界電壓(threshold voltage,Vt)。
如圖39c所示，於一發光(Emitting)週期時，第一控制訊號(XEMIT)、資料線(Data)、及第三控制訊號(G1)為控制低電位(VSS)，第二控制訊號(EMIT)為控制高電位(VDD)，因此，該重置電晶體(tft2)、該補償電晶體(tft5)及該資料寫入電晶體(tft6)係關閉，該驅動電晶體(tft1)、第二發光電晶體(tft3)、及該第一發光電晶體(tft4)係導通。由於該第一發光電晶體(tft4)係導通，故節點W上的電壓為節點X上的電壓，節點X上的電壓為VREF+Voled-Vdata_H+Vt1、節點Y上的電壓為Voled，其中，Voled為有機發光二極體(D1)陽極端的電壓。亦即節點W上的電壓為VREF+Voled-Vdata_H+Vt1。因此該驅動電晶體(tft1)閘極與源極的電壓Vgs為VREF-Vdata_H+Vt1。亦即，流經該驅動電晶體(tft1)的電流為，其中，為金屬氧化物半導體場效電晶體轉導參數(MOSFET transconductance parameter)。在電流公式中，由於沒有Vt1一項，表示已經進行Vt補償。亦即，由於節點W上的電壓具有臨界電壓(Vt1)，因此在該發光週期時可補償因多晶結晶製程中所造成區域性之Vt變異，而使該有機發光二極體元件(D1)的亮度均匀，解決習知亮度不均匀(mura)的問題。
於一實施例中，圖38的第一發光電晶體(tft4)及第二發光電晶體(tft3)可為多晶矽電晶體，驅動電晶體(tft1)可為氧化物半導體電晶體，重置電晶體(tft2)、驅動電晶體(T1)、補償電晶體(tft5)及資料寫入電晶體(tft6)可為多晶矽電晶體或是氧化物半導體電晶體。
於本說明書中，一些符號既代表一訊號名稱，亦代表該訊號的電壓。例如Vini代表初始訊號，亦代表初始訊號的電壓。其他訊號亦是如此，不再贅述。
由上述說明可知，發光電晶體(T4)需有較好的電子移動(Electron Mobility)及穩定性，因此發光電晶體(T4)為多晶矽電晶體。LTPS電晶體於導通時可提供較大的電流，具有較大的驅動能力，以驅動該有機發光二極體(D1)。而驅動電晶體(T1)的臨界電壓(Vt)需有較佳的一致性(uniformity)，故將其改用氧化物半導體電晶體，如此可消除驅動電晶體(T1)的控制端(g)的電壓變動，進而使該第一電晶體(T1)可提供穩定的驅動電流至該有機發光二極體(D1)，據此改善習知技術亮度不均匀(mura)或均勻性不佳之問題。此外，本揭露具有電晶體共享閘極(commonly-shared gate)的堆疊式結構(stack-up structure)，可有效地節省電路佈局(layout)的面積。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
200‧‧‧主動矩陣有機發光二極體之驅動電路
(T2)‧‧‧資料寫入電晶體
(T1)‧‧‧驅動電晶體
(Cst)‧‧‧第一儲存電容
(T4)‧‧‧發光電晶體
(C1)‧‧‧第二儲存電容
(T3)‧‧‧重置電晶體
(D1)‧‧‧有機發光二極體
(c1)‧‧‧第一控制端
(a1)‧‧‧第一端
(b1)‧‧‧第二端
(c2)‧‧‧第二控制端
(a2)‧‧‧第三端
(b2)‧‧‧第四端
(c3)‧‧‧第三控制端
(a3)‧‧‧第五端
(b3)‧‧‧第六端
(c4)‧‧‧第四控制端
(a4)‧‧‧第七端
(b4)‧‧‧第八端
(Data)‧‧‧資料線
(ELVDD)‧‧‧高電位
(ELVSS)‧‧‧低電位
(Sn)‧‧‧第一控制訊號
(En)‧‧‧第二控制訊號
(RST)‧‧‧重置訊號
(Vini)‧‧‧初始訊號

Claims (10)

  1. 一種主動矩陣有機發光二極體之驅動電路，包含：一資料寫入電晶體，其具有一第一控制端連接一第一控制訊號、一第一端連接一資料線、及一第二端；一驅動電晶體，其具有一第二控制端連接至該第二端、一第三端、及一第四端；一第一儲存電容，連接該第二控制端與該第四端；一發光電晶體，其具有一第三控制端連接一第二控制訊號、一第五端連接至一高電位、及一第六端連接至該第三端；以及一第二儲存電容，連接至該第五端及該第四端，並由該第四端耦合至一有機發光二極體元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之驅動電路，其更包含一重置電晶體，其具有一第四控制端連接一重置訊號、一第七端連接一初始訊號、及一第八端連接至該第四端，其中，該驅動電晶體為氧化物半導體電晶體，該發光電晶體及該重置電晶體為多晶矽電晶體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其中，，該重置電晶體係與另一驅動電路共用，該另一驅動電路與該驅動電路具有相同架構，該重置電晶體為氧化物半導體電晶體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之驅動電路，其中，該驅動電路的該資料寫入電晶體為P型多晶矽電晶體，該另一驅動電路的資料寫入電晶體為N型氧化物半導體電晶體。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之驅動電路，其中，該驅動電路與該另一驅動電路的發光電晶體為P型多晶矽電晶體，該驅動電路與該另一驅動電路的驅動電晶體為N型氧化物半導體電晶體。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其更包含：一補償電晶體，其具有一第五控制端連接一感測補償訊號、一第九端連接至一感測補償訊號線、及一第十端連接至該第四端。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其更包含：一補償電晶體，其具有一第五控制端連接一感測補償訊號、一第九端連接至該第四端、及一第十端連接至該資料線。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其更包含：一補償電晶體，其具有一第五控制端連接一感測補償訊號、一第九端連接至一感測補償訊號線、及一第十端；及一電晶體，其具有一第六控制端連接該第二控制訊號、一第十一端連接至該第四端、一第十二端連接至該第十端。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其更包含：一補償電晶體，其具有一第五控制端連接一感測補償訊號、一第九端、及一第十端連接至該資料線；及一電晶體，其具有一第六控制端連接該第三控制端、一第十一端連接至該第四端、一第十二端連接至該第九端。
  10. 一種顯示面板，該顯示面板係一有機發光二極體顯示面板，其具有複數個主動矩陣有機發光二極體之驅動電路，該等主動矩陣有機發光二極體之驅動電路包含：一資料寫入電晶體，其具有一第一控制端連接一第一控制訊號、一第一端連接一資料線、及一第二端； 一驅動電晶體，其具有一第二控制端連接至該第二端、一第三端、及一第四端；一第一儲存電容，連接該第二控制端與該第四端；一發光電晶體，其具有一第三控制端連接一第二控制訊號、一第五端連接至一高電位、及一第六端連接至該第三端；以及一第二儲存電容，連接至該第五端及該第四端，並由該第四端耦合至一有機發光二極體元件。
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