TW201709271A - 耐熱性有機高分子層之剝離方法及可撓性佈線板之製造方法 - Google Patents

耐熱性有機高分子層之剝離方法及可撓性佈線板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之課題係提供一種不使用雷射，而容易且充分地將耐熱性有機高分子層自玻璃基板等基板剝離之方法。 本發明之剝離方法係藉由對在基板上形成有至少1層之耐熱性有機高分子層之積層體，照射連續之廣波長區域之光線，而於上述基板與上述耐熱性有機高分子層之界面進行剝離之耐熱性有機高分子層之剝離方法，且於上述積層體中，與上述基板接觸而形成含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A。

Description

耐熱性有機高分子層之剝離方法及可撓性佈線板之製造方法
本發明係關於一種將耐熱性有機高分子層自基板剝離之方法，例如於製造於耐熱性有機高分子層(例如聚醯亞胺薄膜)之表面形成有電子元件之可撓性裝置或可撓性佈線板時較為有用。
習知，於液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)、電漿顯示面板(PDP，Plasma Display Panel)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器(OLED，Organic Light Emitting Diode(有機發光二極體))等平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)及電子紙等電子裝置之領域中，主要使用於玻璃基板上形成有電子元件者。然而，由於玻璃基板剛直，缺乏柔軟度，故而有難以實現可撓性之問題。
因此，已知有使用具有可撓性、且具有耐熱性之聚醯亞胺等耐熱性有機高分子材料作為基板之方法。例如，提出有將具有可撓性之耐熱性聚醯亞胺等塗膜形成於透光性優異之載體用玻璃基板上，將該塗膜用作用以形成電子元件之基板或佈線用基板之方法。
於此種形成有聚醯亞胺塗膜之玻璃基板中，將玻璃基板用作載體用基板。因此，揭示有藉由在聚醯亞胺塗膜之表面形成 電子元件後，對相接於玻璃基板之聚醯亞胺界面照射雷射，而將聚醯亞胺薄膜自玻璃基板剝離之方法(專利文獻1、2)。然而，該方法具有難以應對設備之大型化或雷射處理需要較長時間之問題。
此處，提出有不使用雷射之剝離方法。例如，於專利文獻3、4中，提出有利用來自氙閃光燈等之光線之方法。該方法係製作於玻璃基板之表面設置鉬薄膜或矽薄膜等光熱轉換膜，且於該表面上設置有有機高分子層之積層體，於其上形成電子元件後，自玻璃基板側照射來自氙閃光燈等之光線，而欲將光熱轉換層上之有機高分子層剝離者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-203219號公報
[專利文獻2]日本專利特表2007-512568號公報
[專利文獻3]日本專利特開2013-235196號公報
[專利文獻4]日本專利特開2013-145808號公報
然而，於如專利文獻3、4中記載之方法中，剝離性未必充分。又，難以將形成有光熱轉換層之玻璃基板多次重複使用。
因此，本發明係解決上述課題者，目的在於提供一種不使用雷射，而容易且充分地將耐熱性有機高分子層自玻璃基板等基板剝離之方法。
本發明者等人為了解決上述課題而努力研究，結果發現：藉由將包含基板與耐熱性有機高分子層之積層體之構成設為特定者，並且照射特定之光線而使上述課題得到解決，從而完成本發明。
即，本發明係將下述設為主旨者。
一種剝離方法，其係藉由對在基板上形成有至少1層之耐熱性有機高分子層之積層體照射連續之廣波長區域之光線，而於上述基板與上述耐熱性有機高分子層之界面進行剝離之耐熱性有機高分子層之剝離方法，且於上述積層體中，與上述基板接觸而形成含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A。
又，本發明亦係關於一種可撓性佈線板之製造方法，其特徵在於：對在基板上依序形成含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A、不含上述填料之耐熱性有機高分子層B及電子元件而成之積層體，應用上述剝離方法。
根據本發明之剝離方法，可不使用雷射，而容易且充分地將耐熱性有機高分子層自基板剝離。因此，本發明之剝離方法係於可撓性裝置及可撓性佈線板之製造中較為有用。耐熱性有機高分子層已被剝離之基板可重複使用。
以下，詳細地說明本發明。
本發明係關於一種將積層於基板上之耐熱性有機高 分子層剝離之方法。詳細而言，於基板與耐熱性有機高分子層之界面處進行剝離。
作為基板，可使用：玻璃基板、單晶基板或多晶基板。作為玻璃基板，例如可使用：包含鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃等之基板等，該等之中，較佳為無鹼玻璃基板，亦可使用石英玻璃。該等玻璃基板亦可進行矽烷偶合劑處理等公知之表面處理。作為單晶基板，例如可使用包含石英、藍寶石等之基板等，作為多晶基板，可使用將該等製成多晶之基板等。通常，基板只要使所照射之波長區域之光線中之至少一部分之波長區域之光線穿透即可，較佳為對近紅外區域之波長具有穿透性。
關於基板之厚度，就基板之處理性及生產性之觀點而言，較佳為0.3~5.0mm，特佳為0.3~3.0mm。
積層於基板之耐熱性有機高分子層係包含至少1層之耐熱性有機高分子層者，作為與基板接觸之耐熱性有機高分子層，包含含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層(本說明書中，稱作「耐熱性有機高分子層A」)。亦可於積層於基板之耐熱性有機高分子層A之表面，形成所有之耐熱性有機高分子層。
就將本發明之剝離方法應用於可撓性佈線板之製造方法之觀點而言，積層於基板之耐熱性有機高分子層較佳為自基板側依序至少包含耐熱性有機高分子層A及不含具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層(本說明書中，稱作「耐熱性有機高分子層B」)，更佳為進而於耐熱性有機高分子層B之表面形成佈線等電子元件。
於本發明中，於基板以直接接觸之方式形成之耐熱性 有機高分子層A含有耐熱性有機高分子及具有光熱轉換能力之填料。
所謂本發明之方法中所使用之耐熱性有機高分子，係指利用DSC(Differential Scanning Calorimetry，示差掃描熱析法)所測得之玻璃轉移溫度(Tg)為250℃以上之有機高分子。作為耐熱性有機高分子，具體而言，可列舉：聚醯亞胺、聚醯亞胺改質體(聚醯胺醯亞胺、聚酯醯亞胺等)、聚苯并咪唑、聚苯并唑、芳族聚醯胺等。該等之中，較佳為聚醯亞胺。
作為上述聚醯亞胺，較佳為使用將作為其前驅物之聚醯胺酸(以下，有時簡稱為「PAA」)熱硬化所獲得之聚醯亞胺。PAA係使大致等莫耳之成為原料之四羧酸二酐與二胺於溶劑中反應而獲得。
作為上述四羧酸二酐，例如可列舉：均苯四甲酸、3,3',4,4'-聯苯四羧酸、3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸、3,3',4,4'-二苯基碸四羧酸、3,3',4,4'-二苯基醚四羧酸、2,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸、2,3,6,7-萘四羧酸、1,4,5,7-萘四羧酸、1,2,5,6-萘四羧酸、3,3',4,4'-二苯基甲烷四羧酸、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷、3,4,9,10-四羧基苝、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]六氟丙烷、1,2,3,4-環丁烷四羧酸、1,2,4,5-環戊烷四羧酸、1,2,4,5-環己烷四羧酸、雙環[2,2,2]-7-辛烯-2,3,5,6-四羧酸之二酐。該等之中，較佳為均苯四甲酸二酐(PMDA)及3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)。該等四羧酸二酐可單獨使用或以兩種以上之混合物之形式使用。
作為上述二胺，例如可列舉：對苯二胺(PDA)、間苯 二胺、3,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯醚(DADE)、4,4'-二胺基二苯甲烷、3,3'-二甲基-4,4'-二胺基二苯甲烷、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、1,2-雙(苯胺基)乙烷、二胺基二苯基碸、二胺基苯甲醯苯胺、二胺基苯甲酸酯、二胺基二苯硫醚、2,2-雙(對胺基苯基)丙烷、2,2-雙(對胺基苯基)六氟丙烷、1,5-二胺基萘、二胺基甲苯、二胺基三氟甲苯、1,4-雙(對胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(對胺基苯氧基)聯苯、二胺基蒽醌、4,4'-雙(3-胺基苯氧基苯基)二苯基碸等，較佳為PDA及DADE。該等二胺可單獨使用或以兩種以上之混合物之形式使用。
所謂耐熱性有機高分子層A中所含有之具有光熱轉換能力之填料，係指吸收包含近紅外區域之波長之光線，而使其本身發熱之填料。該填料之種類並無特別限制，具體而言，可列舉：碳粒子(石墨、碳黑、碳奈米管、碳奈米片、石墨烯、類鑽碳等)、金屬氧化物粒子(氧化鐵、氧化鎳、氧化銅等)、金屬(鈦、鋁、鉬等)、矽粒子、有機顏料(苯胺黑系、酞菁系等)等。該等之中，較佳為碳粒子、及矽粒子。具有光熱轉換能力之填料可單獨使用或以兩種以上之混合物之形式使用。
所使用之填料是否具有光熱轉換能力亦可藉由以下之方法進行判定。
光熱轉換能力之判定方法：首先，於基板上形成相對於被膜質量含有30質量%之填料之厚度30μm左右之耐熱性有機高分子被膜。對其自基板側照射來自氙閃光燈之光線，將照射前後之含有填料之耐熱性有機高分子被膜與基板之接著強度進行比較，藉此進行判定。若照射後之接著強度與 照射前之接著強度相比降低50%以上，則判定該填料具有光熱轉換能力。反之，若照射後之接著強度之降低率未滿50%，則判定該填料不具有光熱轉換能力。此處，作為光線之照射條件，設為與本案實施例1中所採用之照射條件相同之條件。接著強度係使用藉由基於JIS K6854-2進行180°剝離試驗而測得之值。
具有光熱轉換能力之填料之平均粒徑範圍較佳為設為0.01~2μm左右，更佳為設為0.02~1μm，進而較佳為設為0.02~0.5μm。此處，平均粒徑係指利用雷射繞射法所測得之體積基準之測定值。粒子形狀為不定形狀、球狀、角狀、線狀等，並無限制，較佳為不定形狀。此種填料之調配量較佳為相對於耐熱性有機高分子層A之總質量，設為5~50質量%，更佳為設為10~40質量%。
作為耐熱性有機高分子層A之厚度，較佳為設為0.1~5μm，更佳為設為0.2~4μm，進而較佳為設為0.5~4μm。
耐熱性有機高分子層B較佳為形成於耐熱性有機高分子層A之表面。雖然耐熱性有機高分子層B含有耐熱性有機高分子，但不含如上所述之具有光熱轉換能力之填料。所謂耐熱性有機高分子層B不含具有光熱轉換能力之填料，係指具有該光熱轉換能力之填料之含量相對於耐熱性有機高分子層B之總質量為未滿5質量%之狀態。於耐熱性有機高分子層B中，通常於聚醯亞胺薄膜製造時所使用之作為公知之添加劑(例如滑劑等)之不具有光熱轉換能力之填料亦可含有任意量。
耐熱性有機高分子層B中所含之耐熱性有機高分子亦可於與耐熱性有機高分子層A中所含之耐熱性有機高分子相同之範圍內，自該耐熱性有機高分子層A獨立地選擇，較佳為聚醯亞 胺。於耐熱性有機高分子層B中聚醯亞胺可為耐熱性有機高分子層A之說明中所例示之聚醯亞胺，較佳為與耐熱性有機高分子層A之說明中所例示之較佳之聚醯亞胺相同之聚醯亞胺。
作為耐熱性有機高分子層B之厚度，較佳為設為5~100μm左右。
本發明中所使用之積層體係於基板上至少形成耐熱性有機高分子層A而成者，較佳為於基板上依序至少形成耐熱性有機高分子層A及耐熱性有機高分子層B而成者。此種較佳之積層體例如係藉由於基板上塗佈將具有上述光熱轉換能力之填料均勻調配而成之耐熱性有機高分子層A形成用PAA溶液(以下，有時簡稱為「PAA-1」)並使之乾燥後，於該塗膜表面塗佈不含上述填料之耐熱性有機高分子層B形成用PAA溶液(以下，有時簡稱為「PAA-2」)並使之乾燥，其後將PAA熱硬化而獲得。再者，於該等PAA溶液中，亦可視需要將如各種界面活性劑或有機矽烷偶合劑之公知之添加物於不損害本發明之效果之範圍內添加。
PAA溶液例如可藉由使大致等莫耳之四羧酸二酐與芳香族二胺於溶劑中發生聚合反應而獲得。只要為將PAA溶解之溶劑，則所使用溶劑並無限制，例如可使用：醯胺系溶劑、尿素系溶劑、醚系溶劑等。
作為醯胺系溶劑之具體例，可列舉：N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)等。又，作為尿素系溶劑之具體例，可列舉：四甲基尿素、四乙基尿素、二甲基乙烯尿素、二甲基丙烯尿素等。又，作為醚系溶劑之具體例，可列舉：2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-(甲氧基甲氧基) 乙氧基乙醇、2-異丙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、四氫呋喃甲醇、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇、三乙二醇單乙醚、四乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、二丙二醇、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、三丙二醇單甲醚、聚乙二醇、聚丙二醇、四氫呋喃、二烷、1,2-二甲氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等。該等溶劑可單獨使用或混合兩種以上使用。該等之中，較佳為NMP及DMAc。
作為製造PAA溶液時之反應溫度，較佳為-30~70℃，更佳為-15~50℃。又，於該反應中，單體及溶劑之添加順序並無特別限制，可為任意順序。作為PAA溶液之固形份濃度，較佳為1~50質量%，更佳為5~30質量%。該PAA亦可部分地醯亞胺化。又，於本發明中，PAA溶液於25℃下之黏度較佳為0.05~150Pa．s，更佳為0.1~100Pa．s。黏度只要根據塗敷方法，藉由適當稀釋等已知之手段而調整即可。再者，該等PAA溶液亦可使用市售品。
於製造本發明中較佳之積層體時，具體而言，首先，將PAA-1塗佈於基板上，進行乾燥。繼而，於該塗膜上塗佈PAA-2並乾燥後，一併進行熱硬化。作為塗佈後之乾燥溫度，較佳為將PAA-1、PAA-2一同設為80~200℃，更佳為設為80~150℃。又，作為熱硬化溫度，較佳為設為350~520℃，更佳為設為350~450℃，進而較佳為設為380~450℃，更進一步較佳為設為380~420℃。再者，較佳為如上所述般PAA-1之塗佈、乾燥後，不進行熱硬化而塗佈PAA-2。藉由以如此之方式進行，耐熱性有機高分子層A與耐熱性有機高分子層B之界面處之接著強度提高，可獲得經牢固 地一體化之耐熱性有機高分子被膜。
作為向基板塗佈PAA-1之塗佈方法及向PAA-1塗膜之塗佈PAA-2之塗佈方法，可使用浸漬塗佈機、棒式塗佈機、旋轉塗佈機、模嘴塗佈機、噴塗機等公知之方法，以連續式或批次式進行塗佈。
於本發明中，藉由對以如上所述之方式獲得之積層體之耐熱性有機高分子層A，自光源照射連續之廣波長區域之光線，可容易且充分地將耐熱性有機高分子層A自基板剝離。作為基板，較佳為使用對至少近紅外區域、更理想為填料所吸收之波長區域之光具有穿透性之基板。光線較佳為自基板側照射。照射後，藉由公知之方法、例如使用驅動輥、機器臂等機械裝置之方法或藉由手動之方法，而將基板自積層體完全分離。此處，剝離係僅於耐熱性有機高分子層A與基板之界面處產生。由於耐熱性有機高分子層A中所含有之具有光熱轉換能力之填料吸收光線而迅速發熱，故而構成耐熱性有機高分子層A之耐熱性有機高分子之溫度迅速上升而膨脹。因此，考慮耐熱性有機高分子層A與基板之界面之接著強度大幅降低，導致耐熱性有機高分子層之剝離較為容易。於本發明中，不僅對由如矽薄膜等之光熱轉換物質本身所構成之膜進行光照射，亦對含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A進行光照射。因此，認為由於可引起相對大之膨脹，故而可容易且充分地將耐熱性有機高分子層A剝離。
所謂照射連續之廣波長區域之光線，係指與單一波長之雷射不同，於波長為相對寬廣之範圍照射連續之光線。所照射之光線之波長區域只要至少包含上述具有光熱轉換能力之填料所可 吸收之波長區域即可，通常包含近紅外區域之波長區域。較佳之波長區域包含自紫外至紅外之連續之波長光譜範圍。
作為照射此種光線之光源，較佳為使用閃光燈。作為閃光燈之具體例，可列舉：氙燈或鹵素燈。其中，較佳為具有自紫外至紅外之連續之光譜，可瞬間獲得大光量，並且能夠高速重複發光之氙閃光燈。
照射條件只要為可達成基板與耐熱性有機高分子層A之剝離，則無特別限定。例如，使用照射時間(脈衝寬度)為0.05毫秒以上且100毫秒以下左右，照射能量為1J/cm2以上且20J/cm2以下左右之極短且較強之閃光即可。又，只要達成基板與耐熱性有機高分子層A之剝離，則閃光燈之照射次數可僅為1次，亦可照射數次。作為較佳之照射能量具有下限之原因，可列舉：無法使耐熱性有機高分子層A之與基板之界面充分升溫之方面。因此，只要於基板與耐熱性有機高分子層A之界面，充足使界面之接著力充分降低，則作為照射能量，亦可採用低於1J/cm2之照射條件。作為較佳之照射能量具有上限之原因，可列舉如下方面：只要賦予該上限程度之照射能量，則在可達成基板與耐熱性有機高分子層A之剝離之程度之前，於基板與耐熱性有機高分子層A之界面，充足使界面之接著力降低，無需賦予該上限以上之照射能量；又，藉由不輸出超額之照射能量而抑制氙閃光燈之消耗電力增加，亦有助於燈長壽命化；並且藉由不對耐熱性有機高分子層A賦予超額之照射能量而抑制對安裝於耐熱性有機高分子層A之裝置等之損害等。因此，根據耐熱性有機高分子層A之膜厚或組成、用作基板之材料之特性等各種條件，而於滿足上述方面之照射能量高於20J/cm2之情形時， 20J/cm2以上之照射能量亦被用作較佳之條件。
如上所述，根據本發明之剝離方法，可不使用雷射，而容易且充分地將耐熱性有機高分子層自基板剝離。
本發明之耐熱性有機高分子層之剝離方法於可撓性佈線板之製造中較為有用。詳細而言，於在基板上依序形成有耐熱性有機高分子層A及耐熱性有機高分子層B之上述積層體中，於耐熱性有機高分子層B之表面預先形成所需之佈線等電子元件。電子元件、尤其是有機EL容易因水分而受到劣化，故而視需要可於電氣元件形成前於耐熱性有機高分子層B上使阻氣膜成膜。藉由對該積層體應用上述剝離方法，可於基板與耐熱性有機高分子層A之界面引起剝離，而容易地製造可撓性佈線板。
[實施例]
以下，基於實施例具體地說明本發明，但本發明並不受該等實施例限定。
<聚醯亞胺前驅物溶液之製備>
以如下方式製備實施例及比較例中所使用之PAA(聚醯亞胺前驅物)溶液。
<不含填料之聚醯亞胺前驅物溶液PAA-2之製備>
向玻璃製反應容器中，於氮氣環境下，投入PDA(0.6莫耳)與經脫水之DMAc(聚合溶劑)並攪拌，使PDA溶解。一面利用套管將該溶液冷卻至30℃以下，一面緩緩添加BPDA(0.6莫耳)後，於50℃下使其聚合反應100分鐘，藉此獲得聚醯亞胺前驅物溶液 PAA-2。PAA-2之固形份濃度為15質量%，藉由凝膠滲透層析法(GPC)之聚苯乙烯之重量平均分子量(Mw)為62000。
<含有填料之聚醯亞胺前驅物溶液PAA-1之製備> (PAA-1-1)
向PAA-2中添加碳黑(平均粒徑：0.03μm，CTE：3.0ppm/℃)與經脫水之DMAc(稀釋溶劑)，使用行星式混合機進行60分鐘混合處理，獲得固形份為16質量%且碳黑含量相對於總固形份為30質量%的含有填料之聚醯亞胺前驅物溶液PAA-1-1。
(PAA-1-2)
將碳黑含量相對於總固形份設為50質量%，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-2。
(PAA-1-3)
將碳黑含量相對於總固形份設為10質量%，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-3。
(PAA-1-4)
使用石墨粒子(平均粒徑：0.3μm，CTE：3.2ppm/℃)作為填料，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-4。
(PAA-1-5)
將石墨粒子含量相對於總固形份設為10質量%，除此以外，藉 由與PAA-1-4之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-5。
(PAA-1-6)
使用矽粒子(平均粒徑：0.5μm，CTE：4.7ppm/℃)作為填料，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-6。
(PAA-1-7)
使用二氧化矽粒子(平均粒徑：0.5μm，CTE：0.5ppm/℃)作為填料，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-7。
(PAA-1-8)
使用玻璃粒子(平均粒徑：1μm，CTE：4.0ppm/℃)作為填料，除此以外，藉由與PAA-1-1之製造方法相同之方法，獲得PAA-1-8。
[實施例1]
於厚度0.7mm之無鹼玻璃基板(Corning公司製造之Eagle 2000)上，藉由檯式塗佈機塗佈PAA-1-1，於130℃下乾燥10分鐘而形成PAA被膜。繼而，恢復至室溫(25℃)，於該PAA被膜上，藉由檯式塗佈機塗佈PAA-2，於130下乾燥10分鐘而形成第2層之PAA被膜。繼而，於氮氣氣流下，歷時2小時自100℃升溫至400℃後，於400℃下熱處理2小時，使PAA熱硬化而醯亞胺化。藉此，獲得於該玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)、層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層 體L-1(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。
於積層體L-1中，以如下之方式評價聚醯亞胺被膜與玻璃基板之界面於氙閃光燈照射前後之剝離特性。即，分別基於JIS K6854並藉由180°剝離試驗，對未照射之積層體L-1、及照射過氙閃光燈之積層體L-1之聚醯亞胺被膜與玻璃基板之界面之接著強度進行測定。於所照射之積層體之接著強度為未照射之積層體之接著強度之50%以下之情形時，將剝離特性判定為「良好」，於超過50%之情形時，將剝離特性判定為「不良」。將其結果示於表1。再者，氙閃光燈照射係於照射時間(脈衝寬度)為0.5毫秒以上且1毫秒以下，且照射能量為3J/cm2以上且7J/cm2以下之條件下，自玻璃基板側進行照射。
[實施例2]
使用PAA-1-2作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-2(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-2之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[實施例3]
使用PAA-1-3作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度2μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-3(聚醯亞胺被膜之厚度：22μm)。將積層體L-3之剝離 特性之評價與實施例1同樣地進行。
[實施例4]
使用PAA-1-4作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-4(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-4之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[實施例5]
使用PAA-1-5作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度2μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-5(聚醯亞胺被膜之厚度：22μm)。將積層體L-5之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[實施例6]
使用PAA-1-6作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-6(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-6之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[比較例1]
使用不含填料之PAA-2作為層-1形成用溶液，除此以外，以與實施例1相同之方式，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(不含填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-7(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-7之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[比較例2]
使用PAA-1-7作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-8(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-8之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[比較例3]
於上述無鹼玻璃基板之表面上藉由檯式塗佈機以熱硬化後之被膜之厚度成為23μm之方式塗佈PAA-2，於130℃下乾燥10分鐘而形成PAA被膜。繼而，於氮氣氣流下歷時2小時自100℃升溫至400℃後，於400℃下熱處理2小時，使PAA熱硬化而醯亞胺化。藉此，獲得於該玻璃基板上以單層形成有不含填料之聚醯亞胺之積層體L-9(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-9之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[比較例4]
使用PAA-1-8作為層-1形成用溶液，除此以外，藉由與實施例 1相同之方法，獲得於玻璃基板上依序形成有層-1(含有填料之聚醯亞胺層：厚度3μm)及層-2(不含填料之聚醯亞胺層：厚度20μm)之積層體L-10(聚醯亞胺被膜之厚度：23μm)。將積層體L-10之剝離特性之評價與實施例1同樣地進行。
[光熱轉換能力之判定]
於各實施例/比較例中，將層-1之形成中所使用之填料之光熱轉換能力依據上述「光熱轉換能力之判定方法」進行判定。於「光熱轉換能力之判定方法」中，耐熱性有機高分子被膜之形成只要並無特別說明，則依據各實施例/比較例之層-1之形成方法進行。
如表1所示般，本發明之積層體L-1~L-6由於在與玻璃基板接觸之層-1中含有具有光熱轉換能力之填料，故而判定剝離特性良好。相對於此，在比較例2中所示之積層體L-8之層-1中，由於含有不具有光熱轉換能力之填料，故而判定剝離特性不良。又，於不含填料之聚醯亞胺被膜中，即便如比較例3之積層體L-9 般為單層，抑或如比較例1之積層體L-7般為兩層，亦判定剝離特性不良。
(產業上之可利用性)
本發明之耐熱性有機高分子層之剝離方法係於可撓性裝置、可撓性佈線板及可撓性基板之製造中較為有用。

Claims (9)

  1. 一種剝離方法，其係藉由對在基板上形成有至少1層之耐熱性有機高分子層之積層體照射連續之廣波長區域之光線，而於上述基板與上述耐熱性有機高分子層之界面進行剝離之耐熱性有機高分子層之剝離方法，且於上述積層體中與上述基板接觸而形成含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A。
  2. 如請求項1之剝離方法，其中，於上述積層體中，於上述基板上依序至少形成有上述耐熱性有機高分子層A，及不含上述填料之耐熱性有機高分子層B。
  3. 如請求項1或2之剝離方法，其中，上述耐熱性有機高分子為聚醯亞胺。
  4. 如請求項1至3中任一項之剝離方法，其中，照射上述光線之光源為閃光燈。
  5. 如請求項1至4中任一項之剝離方法，其中，自基板側對上述積層體照射上述光線，且上述基板係使上述所照射之波長區域之光線中之至少一部分之波長區域之光線穿透。
  6. 如請求項5之剝離方法，其中，上述基板為玻璃基板、多晶基板或單晶基板。
  7. 如請求項1至6中任一項之剝離方法，其中，上述具有光熱轉換能力之填料為選自由石墨、碳黑、碳奈米管、碳奈米片、石墨烯、類鑽碳、氧化鐵、氧化鎳、氧化銅、鈦、鋁、鉬、矽粒子、苯胺黑系顏料、酞菁系顏料所組成之群中之1種以上之填料。
  8. 如請求項1至7中任一項之剝離方法，其中，上述耐熱性有機高分子層A係相對於其總質量以5~50質量%之量含有上述填料。
  9. 一種可撓性裝置或可撓性佈線板之製造方法，其係對在基板上依序形成含有具有光熱轉換能力之填料之耐熱性有機高分子層A、不含上述填料之耐熱性有機高分子層B及電子元件而成之積層體，應用如請求項1至8中任一項之剝離方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI834388B (zh) * 2021-12-28 2024-03-01 日商斯庫林集團股份有限公司 層狀構造之製造方法、電子裝置之製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102355032B1 (ko) * 2020-05-25 2022-01-26 한국생산기술연구원 Xfl 리프트 오프 장치
JP2023098471A (ja) * 2021-12-28 2023-07-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光熱変換層インク組成物及び積層体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1165380A (ja) * 1997-08-13 1999-03-05 Ricoh Co Ltd 被記録材の再生装置
JP2003177229A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルター付回路基板の形成方法及びカラーフィルター付回路基板
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
JP5619461B2 (ja) * 2010-03-31 2014-11-05 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 光路長調整層転写シート、並びに有機電界発光装置及びその製造方法
JP5864926B2 (ja) * 2011-07-14 2016-02-17 東京応化工業株式会社 積層体、分離方法、及び製造方法
JP2013145808A (ja) * 2012-01-13 2013-07-25 Sharp Corp 剥離方法、液晶ディスプレイの製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、およびタッチパネルの製造方法
JP6126360B2 (ja) * 2012-11-26 2017-05-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離補助方法
KR101977992B1 (ko) * 2012-12-14 2019-05-13 도레이첨단소재 주식회사 레이저 열전사용 도너 필름
JP2014120664A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 剥離補助方法および剥離補助装置
CN103700662B (zh) * 2013-12-09 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法
JP6354338B2 (ja) * 2014-05-30 2018-07-11 東レ株式会社 積層体、積層体の製造方法、及びこれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI834388B (zh) * 2021-12-28 2024-03-01 日商斯庫林集團股份有限公司 層狀構造之製造方法、電子裝置之製造方法

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