TW201708487A - 密封樹脂片材 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種同時實現填充性與再剝離性之密封樹脂片材。本發明係關於一種密封樹脂片材，其於25℃下之黏著力為150g以下，且50℃~150℃之溫度範圍內之最低熔融黏度為50Pa‧s以下。密封樹脂片材較佳為包含平均粒徑為0.1~10μm之無機填充劑。密封樹脂片材較佳為相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述無機填充劑65~85重量%。

Description

密封樹脂片材
本發明係關於一種密封樹脂片材。
目前，伴隨於行動電話等移動設備之普及，電子設備中所使用之電路基板之小型化、高功能化之需求程度正在增強。為了應對上述需求，業界正在謀求多層印刷配線板等中之電子零件之安裝密度的提昇，推進電子零件自身之小型化或配線等之微細化。
對於多層印刷配線板之絕緣層等，要求能夠填充微細之電子零件或配線之層壓性，結果作為考慮到該性能之樹脂組合物，提出有含有氰酸酯樹脂、環氧樹脂、熱塑性樹脂、滑石及二氧化矽之印刷配線板用樹脂組合物(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-202865號公報
作為電子零件之安裝密度之提昇對策，業界正在推進電子零件自身之小型化或配線等之微細化以及與電子零件之配置相關之研究。例如，逐步發展將迄今為止一直安裝於基板表面之電子零件埋入並內建於基板內部(厚度方向之範圍內)的內建電子零件之基板技術。
作為內建電子零件之基板之製造程序，研究有如下程序：在設 置於基板上之開口部內配置1個以上的電子零件，以覆蓋開口部之方式將密封用密封樹脂片材配置於基板上，自密封用密封樹脂片材之上表面側進行加熱壓製而使密封樹脂片材流動從而填充基板之開口部，最後使密封樹脂片材熱硬化。藉此，於1片基板上形成複數個開口部，在該等開口部配置特定數目之電子零件，利用能夠被覆基板整體之1片密封用密封樹脂片材埋入開口部及電子零件，藉此能夠一併製作將複數個電子零件內建於1片基板之內建電子零件之基板。
若考慮如上所述之製造程序，則作為內建電子零件之基板用密封樹脂片材之要求特性，要求基板之開口部之填充性、以及於在配置於基板上之密封樹脂片材產生位置偏移之情形時能夠剝離並將密封樹脂片材重新貼合於正確位置上之再剝離性。
為了改善填充性(流動性)，密封樹脂片材之低黏度化較為有效，作為低黏度化之對策，可列舉降低填料含量，若降低填料含量，則有較強地表現有機成分之性質之傾向，於該情形時，產生因有機成分所引起之黏性(黏膩性)導致再剝離性降低。相對於此，若提昇填料含量，則彈性模數提高而再剝離性提昇，但是密封樹脂片材之黏度上升，填充性下降。如此，填充性與再剝離性有取捨之關係，而強烈要求同時實現該等之密封樹脂片材。
本發明之目的在於提供一種同時實現填充性與再剝離性之密封樹脂片材。
本發明者等人進行了潛心研究，結果發現，藉由採用下述構成，能夠解決上述問題，從而完成本發明。
即，本發明係關於一種密封樹脂片材，其於25℃下之黏著力為150g以下，且50℃~150℃之溫度範圍內之最低熔融黏度為50Pa‧s以下。
關於該密封樹脂片材，將25℃下之黏著力(以下，僅稱為「黏著力」)設為150g以下，因此能夠發揮良好之再剝離性。同時，將50℃~150℃之溫度範圍內之最低熔融黏度(以下，僅稱為「最低熔融黏度」)設為50Pa‧s以下，因此能夠實現密封樹脂片材之低黏度化，發揮優異之填充性。若黏著力過大，則有即便於將密封樹脂片材配置於基板上後欲進行剝離，亦難以自基板剝離，視情形密封樹脂片材破損之虞。關於最低熔融黏度，由於在開口部之內部配置電子零件，因此電子零件之表面結構自不待言，亦必需緊密地填充開口部之內壁與電子零件之間的空隙。若最低熔融黏度過高，則有利用密封樹脂片材之開口部之填充變得不充分，於開口部之內部產生空隙，耐回流焊性等下降，導致內建電子零件之基板之可靠性降低之虞。
該密封樹脂片材較佳為包含平均粒徑為0.1~10μm之無機填充劑。又，該密封樹脂片材較佳為相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述無機填充劑65~85重量%。根據該等構成，可容易地同時實現由黏著力之控制獲得之再剝離性與由最低熔融黏度之控制獲得之填充性。
該密封樹脂片材較佳為包含下述化學式(1)所表示之環氧樹脂。
(式中，R1~R4分別獨立為氫或甲基。惟R1~R4全部為氫之情形除外)
於有機成分中存在如下化合物，該化合物係結晶性較低，即便於暫時熱熔解後進行冷卻，亦不會恢復至熔解前之結晶狀態而成為結晶性更低之狀態。結晶性較低之有機成分存在黏性提高而再剝離性降 低之情形。作為有機成分之上述化學式(1)所表示之環氧樹脂(以下，僅稱為「結晶性環氧樹脂」)即便於熱熔解後，亦可維持結晶性，因此能夠抑制黏性之增加，能夠使再剝離性變得良好。
該密封樹脂片材較佳為相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述化學式(1)所表示之環氧樹脂5~15重量%。藉由將結晶性環氧樹脂之含量設為上述範圍，能夠以更高之水準發揮再剝離性與填充性。
該密封樹脂片材較佳為於上述化學式(1)中，R1~R4全部為甲基。藉此，結晶性環氧樹脂之骨架之剛性提高，結晶性亦提高，能夠更高效地發揮良好之再剝離性。
該密封樹脂片材可為內建電子零件之基板中之電子零件密封用，亦可為層間絕緣用。該密封樹脂片材能夠較佳地應用於要求再剝離性與填充性之製程。
1‧‧‧基板
2‧‧‧電子零件
3‧‧‧密封樹脂片材
10‧‧‧內建電子零件之基板
O‧‧‧開口部
圖1A係模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。
圖1B係模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。
圖1C係模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。
圖1D係模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。
圖1E係模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之一實施形態之偏光板進行 說明。惟於圖之一部分或全部，省略了無需說明之部分，又，為了容易地進行說明，存在以放大或縮小等方式進行圖示之部分。
《密封樹脂片材》
本發明之一實施形態之密封樹脂片材3(參照圖1D)為具有一定厚度之片狀物，其俯視形狀為圓形、矩形、正方形等，能夠根據基板形狀而適當選擇。代表性而言，密封樹脂片材3係以積層於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜等支持體(未圖示)上之狀態提供。再者，為了對支持體容易地進行密封樹脂片材3之剝離，亦可實施脫模處理。
密封樹脂片材於25℃下之黏著力較佳為150g以下，更佳為140g以下，進而較佳為130g以下。藉由將黏著力設為上述範圍，能夠達成良好之再剝離性。再者，雖然黏著力越小越好，但就將密封樹脂片材配置於基板後之作業性或填充性(流動性)等觀點而言，較佳為0g以上，更佳為5g以上。
密封樹脂片材3於50℃~150℃之溫度範圍內之最低熔融黏度較佳為50Pa‧s以下，更佳為40Pa‧s以下，進而較佳為30Pa‧s以下。藉由將密封樹脂片材3之最低熔融黏度設為上述範圍，能夠提昇對於基板之開口部之填充性而抑制空隙之產生，能夠獲得可靠性較高之內建電子零件之基板。另一方面，若最低熔融黏度過低，則有片材形狀之維持變得困難或常溫下之黏著力上升之虞，因此較佳為1Pa‧s以上，更佳為3Pa‧s以上。
密封樹脂片材3較佳為包含環氧樹脂及酚樹脂。藉此，獲得良好之熱硬化性。
作為環氧樹脂，並無特別限定。例如可使用三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改性雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改性雙酚F型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、苯氧樹脂等 各種環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
就確保環氧樹脂硬化後之韌性及環氧樹脂之反應性之觀點而言，較佳為環氧當量為150~250、軟化點或熔點為50~130℃的於常溫下為固形者，就可靠性之觀點而言，更佳為三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。其中，較佳為聯苯型環氧樹脂，尤佳為包含下述化學式(1)所表示之環氧樹脂。
(式中，R1~R4分別獨立為氫或甲基。惟R1~R4全部為氫之情形除外)
於有機成分中，存在結晶性低，即便於暫時熱熔解後被冷卻亦不恢復至熔解前之結晶狀態而成為結晶性更低之狀態之化合物。結晶性低之有機成分存在黏性提高而再剝離性降低之情況。作為有機成分之上述化學式(1)所表示之環氧樹脂即便於熱熔解後，亦可維持結晶性，因此能夠抑制黏性之增加，能夠使再剝離性變得良好。
密封樹脂片材較佳為相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述化學式(1)所表示之環氧樹脂5~15重量%，更佳為包含8~12重量%。藉由將結晶性環氧樹脂之含量設為上述範圍，能夠以更高之水準發揮再剝離性與填充性。
該密封樹脂片材較佳為於上述化學式(1)中，R1~R4全部為甲基。藉此，結晶性環氧樹脂之骨架之剛性提高而結晶性亦提高，能夠更高效地發揮良好之再剝離性。
酚樹脂只要為於與環氧樹脂之間產生硬化反應者，則並無特別限定。例如可使用酚系酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基 樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂等。該等酚樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
作為酚樹脂，就與環氧樹脂之反應性之觀點而言，較佳為使用羥基當量為70~250、軟化點為50~110℃者，其中，就硬化反應性較高之觀點而言，可較佳地使用酚系酚醛清漆樹脂。又，就可靠性之觀點而言，亦能夠較佳地使用如苯酚芳烷基樹脂或聯苯芳烷基樹脂之低吸濕性者。
關於環氧樹脂與酚樹脂之調配比率，就硬化反應性之觀點而言，較佳為以相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，酚樹脂中的羥基之合計成為0.7~1.5當量之方式進行調配，更佳為0.9~1.2當量。
密封樹脂片材中之環氧樹脂與酚樹脂之合計含量之下限較佳為10重量%以上，更佳為12重量%以上。若為10重量%以上，則良好地獲得對於電子裝置、基板等之接著力。另一方面，上述合計含量之上限較佳為30重量%以下，更佳為28重量%以下。若為30重量%以下，則能夠降低密封樹脂片材之吸濕性。
密封樹脂片材3只要滿足耐溶劑性，則亦可包含熱塑性樹脂。
密封樹脂片材較佳為包含無機填充劑。無機填充劑之形狀並無特別限定，可為球狀(包含橢圓球狀)、多面體狀、多角柱狀、不定形狀等任意之形狀，就中空結構附近之高填充狀態之達成或適度之流動性之觀點而言，較佳為球狀。
無機質填充劑並無特別限定，可使用先前公知之各種填充劑，例如可列舉：石英玻璃、滑石、二氧化矽(熔融二氧化矽或晶質二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，就能夠良好地降低線膨脹係數之理由而言，較佳為二氧化矽、氧化鋁，更佳為二氧化矽。
作為二氧化矽，較佳為二氧化矽粉末，更佳為熔融二氧化矽粉 末。作為熔融二氧化矽粉末，可列舉：球狀熔融二氧化矽粉末、破碎熔融二氧化矽粉末，就流動性之觀點而言，較佳為球狀熔融二氧化矽粉末。
無機填充劑之平均粒徑較佳為使用0.1~10μm之範圍者，更佳為使用0.5~5μm之範圍者。再者，平均粒徑可藉由使用自母群任意地抽選之試樣並利用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置進行測定而導出。若無機填充劑之平均粒徑過小，則有密封樹脂片材之黏度變高而填充性下降，或黏著力增加之傾向，若過大，則存在基板之開口部之空隙的填充變得不充分之情況。
密封樹脂片材較佳為相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述無機填充劑65~85重量%，更佳為包含70~83重量%。藉由將無機填充劑之含量設為上述範圍，能夠容易地同時實現由黏著力之控制獲得之再剝離性與由最低熔融黏度之控制獲得之填充性。
密封樹脂片材3較佳為包含硬化促進劑。
作為硬化促進劑，只要為促進環氧樹脂與酚樹脂之硬化者，則並無特別限定，例如可列舉：三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻等有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，就即便於混練時溫度上升，亦不會急遽地進行硬化反應，能夠良好地製作密封樹脂片材3之理由而言，較佳為2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑。
硬化促進劑之含量相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份，較佳為0.1~5重量份。
密封樹脂片材3較佳為包含阻燃劑成分。藉此，能夠降低因零件短路或發熱等而起火時之燃燒擴大。作為阻燃劑組成成分，例如可使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合化金 屬氫氧化物等各種金屬氫氧化物；磷腈系阻燃劑等。
密封樹脂片材3較佳為包含矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，並無特別限定，可列舉3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等。
密封樹脂片材3中之矽烷偶合劑之含量較佳為0.1~3重量%。若上述含量為0.1重量%以上，則能夠提高硬化後之密封樹脂片材之強度，並且能夠降低吸水率。另一方面，若上述含量為3重量%以下，則能夠抑制釋氣之產生。
密封樹脂片材3較佳為包含顏料。作為顏料，並無特別限定，可列舉碳黑等。
密封樹脂片材3中之顏料之含量較佳為0.1~2重量%。若為0.1重量%以上，則可獲得良好之標記性。另一方面，若為2重量%以下，則能夠確保硬化後之密封樹脂片材之強度。
再者，於樹脂組合物中，除上述各成分以外，亦可視需要適當調配其他添加劑。
《密封樹脂片材之製造方法》
密封樹脂片材3之製造方法並無特別限定，較佳為製備混練物並將所獲得之混練物加工成片狀之方法。具體而言，藉由利用混合輥、加壓式捏合機、擠出機等公知之混練機對上述各成分進行熔融混練而製備混練物，並將所獲得之混練物加工成片狀。作為混練條件，溫度較佳為上述各成分之軟化點以上，例如為30~150℃，若考慮環氧樹脂之熱硬化性，則較佳為40~140℃，進而較佳為60~120℃。時間例如為1~30分鐘，較佳為5~15分鐘。
混練較佳為於減壓條件下(減壓環境下)進行。減壓條件下之壓力之上限較佳為0.1kg/cm2以下，更佳為0.05kg/cm2以下。減壓條件下之壓力之下限越低越好，但就生產性或物理極限而言，亦可為1×10-4kg/cm2以上。藉此，能夠防止氣體向混練物中之混入，能夠抑制所獲 得之混練物中之氣孔之產生。
熔融混練後之混練物較佳為不冷卻而直接於高溫狀態下進行加工。作為加工方法，並無特別限定，可列舉：平板壓製法、T型模頭擠出法、輥壓延法、輥混練法、吹脹擠出法、共擠出法、壓延成形法等。作為加工溫度，較佳為上述各成分之軟化點以上，若考慮環氧樹脂之熱硬化性及成形性，則例如為40~150℃，較佳為50~140℃，進而較佳為70~120℃下。
密封樹脂片材3之厚度並無特別限定，較佳為50~700μm。若於上述範圍內，則能夠良好地填充基板之開口部。又，藉由將密封樹脂片材設為薄型，能夠降低發熱量，不易引起硬化收縮。其結果，能夠降低封裝翹曲量，獲得可靠性更高之內建電子零件之基板。
密封樹脂片材3可為單層結構，亦可為積層有2層以上之密封樹脂片材之多層結構，但就無層間剝離之虞、片材厚之均勻性高、易於實現低吸濕化之理由而言，較佳為單層結構。
密封樹脂片材3如上所述般可為內建電子零件之基板中之電子零件密封用，亦可為多層電路基板中之層間絕緣用。進而，亦可使用於SAW(Surface Acoustic Wave，表面聲波)過濾器；壓力感測器、振動感測器等MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)；LSI(Large Scale Integration，大規模積體電路)等IC(Integrated Circuit，積體電路)、電晶體等半導體；電容器；電阻；CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)感測器等表面安裝型電子裝置之密封。
《內建電子零件之基板之製造方法》
圖1A~圖1E分別模式性地表示本發明之一實施形態之內建電子零件之基板之製造方法的一步驟之圖。作為內建電子零件之基板之製造程序，並無特別限定，但可較佳地採用如下程序：在設置於基板1 上之開口部O內配置1個以上之電子零件2，以覆蓋開口部O之方式將密封樹脂片材3配置於基板1上，自密封樹脂片材3之上表面側進行加熱壓製，使密封樹脂片材流動而填充基板1之開口部O，並使密封樹脂片材3熱硬化。
(基板準備步驟)
作為基板1(參照圖1A)，並無特別限定，例如可列舉：銅基板等金屬基板、(多層)印刷配線基板、陶瓷基板、矽基板等。
(開口部形成步驟)
其次，於基板1形成開口部O(參照圖1B)。開口部O之形成方法並無特別限定，可列舉蝕刻或雷射加工、沖切加工等。對於1片基板形成之開口部之個數亦無特別限定，只要根據目標內建電子零件之基板之設計而適當變更即可。
(電子零件配置步驟)
如圖1C所示，在形成於基板1之開口部O之內部配置1個以上之電子零件2。作為電子零件，亦無任何限定，可使用半導體晶片或電容器、感測器裝置、發光元件、振動元件等任意之電子零件。於圖1C中，對於1個開口部O配置1個電子零件2，但對於1個開口部配置之電子零件之個數並不限定於1個，只要根據目標內建電子零件之基板之設計而適當變更即可。
(填充步驟)
於填充步驟中，如圖1D及圖1E所示，以覆蓋開口部O之方式將密封樹脂片材3積層於基板1上，其次，自密封樹脂片材3之上表面側進行加熱壓製，使密封樹脂片材3流動而填充基板1之開口部O，填充後使密封樹脂片材3熱硬化。
作為對密封樹脂片材3進行加熱壓製而填充開口部O時之加熱壓製條件，溫度例如為50~100℃，較佳為60~90℃下，壓力例如為0.1 ~3.0MPa，較佳為0.5~2.5MPa，時間例如為5~120分鐘，較佳為10~60分鐘。又，若考慮密封樹脂片材3對於開口部O之內壁及電子零件2之密接性及追隨性之提昇，較佳為於減壓條件下(例如以表壓計為-90~-100kPaG)下進行壓製。
開口部之埋入完成後，對密封樹脂片材3進行熱硬化處理。作為熱硬化處理之條件，加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為120℃以上。另一方面，加熱溫度之上限較佳為200℃以下，更佳為190℃以下。加熱時間較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上。另一方面，加熱時間之上限較佳為120分鐘以下，更佳為60分鐘以下。又，亦可視需要進行加壓，較佳為0.5MPa以上，更佳為1.0MPa以上。另一方面，上限較佳為5.0MPa以下，更佳為3.0MPa以下。藉此，獲得於基板1之內部埋入有電子零件2之內建電子零件之基板10。
[實施例]
以下，例示性地詳細說明本發明之較佳之實施例。惟本實施例中所記載之材料或調配量等只要無特別限定性之記載，則主旨並非將本發明之範圍僅限定於該等。
對實施例中所使用之成分進行說明。
環氧樹脂1：三菱化學公司製造之YX4000H(聯苯型環氧樹脂、環氧當量190g/eq.)
環氧樹脂2：新日鐵化學(股)製造之YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂、環氧當量200g/eq.)
環氧樹脂3：三菱化學公司製造之Epikote 828(環氧當量190g/eq.)
酚樹脂1：明和化成公司製造之MEH-7500-3S(羥基當量103g/eq.)
酚樹脂2：明和化成公司製造之MEH-7851-SS(具有聯苯芳烷基骨架之酚樹脂、羥基當量203g/eq.)
熱塑性樹脂：Kaneka股份有限公司製造之SIBSTER 072T(苯乙烯- 異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)
無機填充劑1：電氣化學工業公司製造之FB-5SDC(熔融球狀二氧化矽、平均粒徑5μm)
無機填充劑2：電氣化學工業公司製造之FB-9454FC(熔融球狀二氧化矽、平均粒徑17μm)
無機填充劑3：Admatechs(股)製造之SO-25R(熔融球狀二氧化矽、平均粒徑0.5μm)
碳黑：三菱化學公司製造之#20
硬化促進劑：四國化成工業公司製造之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑)
矽烷偶合劑：信越化學公司製造之KBM-403(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)
[實施例1~4及比較例1~3]
根據表1中所記載之調配比，調配各成分，並利用輥式混練機於60~120℃、10分鐘、減壓條件下(0.01kg/cm2)進行熔融混練而製備混練物。其次，藉由平板壓製法而使所獲得之混練物成形為片狀(100mm×100mm)，製作厚度200μm之密封樹脂片材。
(評價)
對所製作之密封樹脂片材評價以下之項目。將結果示於表1。
(最低熔融黏度)
將自各密封樹脂片材沖裁成直徑25mm之圓形者積層5片而製作直徑25mm、厚度1mm之圓柱形測定樣品。關於該測定樣品之最低熔融黏度，於利用Rheometric Scientific公司製造之黏彈性測定裝置「ARES」(測定條件：測定溫度範圍50~150℃、升溫速度10℃/min、頻率1Hz、應變量10%)追蹤黏度變化時，測定黏度之最低值。
(黏著力)
將自未硬化之各密封樹脂片材沖裁成直徑25mm之圓形者設為測定樣品(直徑25mm、厚度200μm)。使用RSA3(TA Instruments公司製造)作為評價裝置，對平行板壓縮幾何形狀(TA Instruments公司製造)之上側板(直徑8mm)自挾入至上側板與下側板(直徑25mm)之間的樣品剝離時之荷重進行測定，並設為黏著力。具體而言，於測定樣品之單面貼附雙面膠帶，將膠帶面貼附於夾具之下側板。於該狀態下保持5分鐘以使樣品周圍溫度穩定於25℃，使上側板接近測定樣品直至稍微接觸之距離為止。使上側板自此處進一步壓抵於測定樣品而對上側板施加100N之荷重，此時，以使上側板自測定樣品剝離之方式使上側板反轉。將上側板自測定樣品剝離時之最大荷重(接著力)設為黏著力。
(再剝離性)
於室溫(25℃)條件下，在100×100mm見方、厚度0.5mm之SUS板上，以將隔離膜剝離之狀態配置各密封樹脂片材並靜置3分鐘。其後，將能夠於不產生密封樹脂片材之斷裂、破裂、殘渣之情況下再次將密封樹脂片材自SUS板剝離之情形評價為「○」，將產生密封樹脂片材之斷裂、破裂、殘渣之情形評價為「×」。
(樹脂填充性)
於150mm×150mm之銅板(厚度500μm)上，利用蝕刻製作10mm×8mm之圖案(開口部)。於經圖案化之銅板上設置密封樹脂片材，在100℃下進行100kN、30秒之真空壓製而使樹脂填充於圖案(開口部)內。其後，利用光學顯微鏡(20倍)觀察圖案(開口部)內之正面及背面，將不產生空隙或空隙之最大直徑為1μm以下之情形評價為「○」，將空隙之最大直徑超過1μm之情形評價為「×」。
[表1]
根據表1，可知實施例1~4之密封樹脂片材係再剝離性及樹脂填充性均良好。另一方面，於比較例1~3中，成為再剝離性及樹脂填充性中之任一者或兩者較差之結果。
1‧‧‧基板
2‧‧‧電子零件
3‧‧‧密封樹脂片材
10‧‧‧內建電子零件之基板

Claims (9)

  1. 一種密封樹脂片材，其於25℃下之黏著力為150g以下，且50℃~150℃之溫度範圍內之最低熔融黏度為50Pa‧s以下。
  2. 如請求項1之密封樹脂片材，其包含平均粒徑為0.1~10μm之無機填充劑。
  3. 如請求項2之密封樹脂片材，其相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述無機填充劑65~85重量%。
  4. 如請求項1至3中任一項之密封樹脂片材，其包含下述化學式(1)所表示之環氧樹脂： (式中，R1~R4分別獨立為氫或甲基；惟R1~R4全部為氫之情形除外)。
  5. 如請求項4之密封樹脂片材，其相對於上述密封樹脂片材之總固形物成分重量而包含上述化學式(1)所表示之環氧樹脂5~15重量%。
  6. 如請求項4之密封樹脂片材，其中上述化學式(1)中，R1~R4全部為甲基。
  7. 如請求項5之密封樹脂片材，其中於上述化學式(1)中，R1~R4全部為甲基。
  8. 如請求項1至3中任一項之密封樹脂片材，其係內建電子零件之基板中之電子零件密封用。
  9. 如請求項1至3中任一項之密封樹脂片材，其係層間絕緣用。
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