TW201704828A

TW201704828A - 顯示器

Info

Publication number: TW201704828A
Application number: TW104124442A
Authority: TW
Inventors: 陳彥良
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2015-07-28
Filing date: 2015-07-28
Publication date: 2017-02-01
Also published as: US9798195B2; US20170031195A1; CN105068333B; TWI572958B; CN105068333A

Abstract

一種顯示器，其包括第一基板、多條掃描線、多條資料線、多個畫素結構、保護層、凸塊、第二基板以及間隙物。掃描線、資料線、畫素結構以及保護層位於第一基板上。凸塊配置於第一基板上。第二基板與第一基板相對設置。間隙物配置於第二基板上且與凸塊至少部分重疊。凸塊與間隙物中的一者具有第一形狀，凸塊與間隙物中的另一者具有第二形狀，其中第一形狀在第一方向上的兩側長度大於中間長度。

Description

顯示器

本發明是有關於一種顯示器，且特別是有關於一種具有特定形狀的間隙物或凸塊的顯示器。

隨著科技的進步，體積龐大的陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)顯示器已經漸漸地走入歷史。因此，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有機發光二極體顯示器(Organic Light Emitting Diode display，OLED display)、電泳顯示器(Electro-Phoretic Display，EPD)、電漿顯示器(Plasma Display Panel，PDP)等顯示面板則逐漸地成為未來顯示器之主流。

為了精準地控制顯示面板的主動元件陣列基板與對向基板之間隙(cell gap)，通常會在兩個基板之間加入間隙物以支撐間隙。一般來說，顯示面板被彎曲或按壓時(例如進行移動間隙物測試(moving PS test)時)會造成間隙物的錯位(或滑動)，而錯位的間隙物有可能會刮傷顯示區域的主動元件陣列基板上的膜層，或者是使得主動元件陣列基板上的配向層的配向效果不良，因而導致顯示面板發生暗態漏光等問題。再者，若間隙物在斜向方向上錯位，由於間隙物有可能會不對稱地刮傷相鄰的兩個畫素區，導致前述的暗態漏光問題更為嚴重。因此，增加顯示面板中間隙物的錯位容許量實為研發者所欲達成的目標之一。

本發明提供一種顯示器，可提高間隙物的錯位容許量，以改善顯示器的暗態漏光現象。

本發明提出一種顯示器。顯示器包括第一基板、多條掃描線、多條資料線、多個畫素結構、保護層、凸塊、第二基板以及間隙物。掃描線、資料線、畫素結構以及保護層位於第一基板上。凸塊配置於第一基板上。第二基板與第一基板相對設置。間隙物配置於第二基板上且與凸塊至少部分重疊。凸塊與間隙物中的一者具有第一形狀，凸塊與間隙物中的另一者具有第二形狀，其中第一形狀在第一方向上的兩側長度大於中間長度。

基於上述，本發明的凸塊與間隙物中的一者具有兩側長度大於中間長度的特殊形狀，當間隙物斜向錯位時，此特殊形狀可增加間隙物與凸塊之間的接觸面積，維持面板間隙，避免間隙物刮傷顯示區域，進而提高間隙物的錯位容許量。如此一來，可改善顯示器因間隙物錯位所致的暗態漏光等問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為依照本發明一實施例的顯示器的剖面示意圖。圖2A與圖2B為依照本發明一實施例的顯示器的上視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣，而圖2B則提供了黑矩陣BM與其它構件之間的配置關係。圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖1至圖3B，本實施例的顯示器包括第一基板100、第二基板200以及位於第一基板100與第二基板200之間的顯示介質層300、凸塊114(請參照圖3A與圖3B)以及間隙物PS(請參照圖3A與圖3B)。第一基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或其類似材質。第一基板100上例如是設置有畫素陣列層110，其詳細結構將於後續段落說明。

第二基板200設置於第一基板100之對向。第二基板200的材質可各自為玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料，其可與第一基板100具有相同或不同之材質，本發明不以此為限。第二基板200上例如是配置有彩色濾光陣列層210，其詳細結構將於後續段落說明。

顯示介質層300例如是液晶材料。換言之，本實施例的顯示器例如是液晶顯示器。然而，本發明並不限於此。在其他實施例中，顯示介質120亦可以是其他的顯示材料，諸如有機發光二極體材料、無機發光二極體材料、電泳顯示材料、螢光材料、磷光材料、電漿材料等。

為了清楚地說明，圖2A是以繪示出具有2×2個畫素結構之陣列的畫素陣列層110以及對應之彩色濾光陣列層為例，但本發明所屬領域中具有通常知識者應可以理解，圖1之畫素陣列層110實際上是由多個畫素結構排成之陣列所構成。

請同時參照圖2A、圖3A以及圖3B，在本實施例中，畫素陣列層110包括多條掃描線SL、多條資料線DL、多個畫素結構以及保護層PV。

掃描線SL與資料線DL位於第一基板100上。掃描線SL與資料線DL的延伸方向不相同，在本實施例中，掃描線SL的延伸方向與資料線DL的延伸方向例如是垂直。如圖2A所示，在本實施例中，資料線DL例如是沿第一方向D1延伸，而掃描線SL例如是沿第二方向D2延伸，且第一方向D1與第二方向D2例如是實質上互相垂直。此外，掃描線SL與資料線DL是位於不相同的膜層，且兩者之間夾有絕緣層(未繪示)。掃描線SL與資料線DL主要用來傳遞驅動此畫素結構的驅動訊號。掃描線SL與資料線DL的材料包括導電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其他其堆疊層等。

畫素結構位於第一基板100上。畫素結構P與掃描線SL以及資料線DL電性連接。詳言之，畫素結構包含主動元件T以及與主動元件T電性連接之畫素電極PE。主動元件T例如是薄膜電晶體，其包括閘極G、閘絕緣層GI、通道層CH、源極S以及汲極D。閘極G位於第一基板100上，閘絕緣層GI位於閘極G上，且通道層CH位於閘絕緣層GI上，且閘絕緣層GI位於通道層CH與閘極G之間。源極S以及汲極D分別位於閘極G上方的通道層CH兩側。閘極G、源極S以及汲極D的材料包括導電材料，諸如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、其堆疊層等。通道層CH的材料包括半導體，諸如非晶矽半導體、金屬氧化物半導體、有機半導體等。閘絕緣層GI的材料包括無機材料、有機材料、上述之組合或其堆疊層，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽。

在本實施例中，是以主動元件T為底部閘極型薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限，在其他實施例中主動元件T可為頂部閘極型薄膜電晶體或其他類型的主動元件。再者，本實施例是以每一畫素結構具有一個主動元件為例，但本發明不以此為限。

在本實施例中，保護層PV例如是覆蓋掃描線SL、資料線DL以及主動元件T，凸塊114配置於保護層PV上。在本實施例中，凸塊114與保護層PV例如是共同具有至少一開口C，開口C暴露出主動元件T之汲極D。畫素電極PE例如是順應地配置於凸塊114上，且畫素電極PE經由開口C電性連接與主動元件T之汲極D（如圖3B所示）。在本實施例中，凸塊114例如是位於一條掃描線SL以及一條資料線DL之間的交錯處且具有厚度H1，其中凸塊114例如是重疊於兩個相鄰的畫素結構P，如圖2A、圖2B、圖3A、圖3B所示。

凸塊114與保護層PV之材料例如是絕緣材料，包括無機材料、有機材料、上述之組合或其堆疊層，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、上述之組合或其他合適的材料，有機材料例如是聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其他合適的材料、上述之組合或其他合適的材料。在本實施例中，凸塊114與保護層PV例如是具有相同材料。詳言之，凸塊114例如是與保護層PV一體成形。舉例來說，於第一基板100上形成絕緣材料層，接著通過微影蝕刻製程對絕緣材料層進行圖案化，以形成局部凸出的絕緣材料層，其中實質上平坦的絕緣材料層為保護層PV，而局部凸出的絕緣材料層則為凸塊114。其中，微影蝕刻製程例如是半調式微影蝕刻製程（half-tone mask process，HTM process）。而後，更包括於保護層PV與凸塊114中形成開口C，以及於保護層PV與凸塊114上形成畫素電極PE。開口C的形成方式例如是微影蝕刻製程，但本發明不限於此。畫素電極PE可為穿透式畫素電極、反射式畫素電極或是半穿透半反射式畫素電極。

在本實施例中，畫素陣列層110例如是更包括共用線CL，其位於畫素區域邊緣。共用線CL可與畫素電極PE耦合以形成儲存電容器(未標示)。共用線CL與資料線DL、閘極G以及掃描線SL彼此電性絕緣。在本實施例中，是以共用線CL與掃描線SL位於相同膜層，而與資料線DL位於不同膜層為例，然本發明不限於此。在其他實施例中，共用線CL也可以與資料線DL位於相同膜層，而與掃描線SL與位於不同膜層。

請參照圖3A與圖3B，彩色濾光陣列層210例如是包括多個濾光圖案211、黑矩陣BM以及覆蓋層212。濾光圖案211位於第二基板200上，且例如是分別對應第一基板100上之畫素陣列層110的單一畫素結構設置。濾光圖案211可為紅色濾光圖案、綠色濾光圖案或藍色濾光圖案。

黑矩陣BM配置於第二基板200上，且位於濾光圖案211之間。具體來說，黑矩陣BM定義出多個分別對應於畫素結構的單元區域(未標示)，而濾光圖案211分別配置於這些單元區域中。在本實施例中，如圖2A、圖2B、圖3A以及圖3B所示，黑矩陣BM例如是遮蔽間隙物PS以及凸塊114，黑矩陣BM例如是與掃描線SL、資料線DL、主動元件T、凸塊114以及間隙物PS重疊配置，以避免前述不透光構件降低畫素結構的開口率。在本實施例中，位於掃描線SL與資料線DL交錯處的黑矩陣BM例如是與其下方的凸塊114具有相似的構型。

覆蓋層212配置於第二基板200上，且例如是覆蓋濾光圖案211與黑矩陣BM。覆蓋層212之材料例如是絕緣材料，可參照前文針對保護層PV所述，於此不贅述。

間隙物PS例如是位於第二基板200上且具有厚度H2。其中，間隙物PS與凸塊114至少部份重疊，且重疊於黑矩陣BM。在本實施例中，如圖3B所示，間隙物PS例如是位於開口C上方並與開口C重疊。

除此之外，如圖3B所示，間隙物PS與凸塊114之間夾有畫素電極PE。因此，在間隙物PS與凸塊114相互重疊之區域中，未被畫素電極PE所覆蓋之凸塊114與間隙物PS之間例如是不接觸(即：存在一間隙)。換言之，間隙物PS藉由與畫素電極PE接觸，而被畫素電極PE所支撐，故部份未與畫素結構PE接觸之間隙物PS例如是懸空於凸塊114上方(如圖3A以及圖3B所示)。然而，當間隙物PS在受到外力擠壓時，間隙物PS亦可與上述未被畫素電極PE所覆蓋之凸塊114接觸。

在本實施例中，顯示器例如是更包括配向層214，其配置於顯示介質層300與彩色濾光層210之間。因此，間隙物PS例如是位於配向層214與凸塊114之間(如圖3A以及圖3B所示)，然本發明不限於此。在一實施例中，配向層(未繪示)也可位於顯示介質層300與畫素陣列層110之間，諸如覆蓋保護層PV與畫素電極PE，使得配向層位於間隙物PS與凸塊114之間。在另一實施例中(未繪示)，顯示器可具有分別位於第一基板100側與第二基板200側的配向層(未繪示)，如此間隙物PS位於兩配向層之間。

圖4至圖6分別為圖2A的區域R中凸塊與間隙物的相對位置之放大示意圖。請參照圖4至圖6，凸塊114與間隙物PS中的一者具有第一形狀10，且凸塊114與間隙物PS中的另一者具有第二形狀20。在本實施例中，係以間隙物PS具有第一形狀10，凸塊114具有第二形狀20為例，且在第一方向D1上，第一形狀10的兩側10a之長度大於中間10b之長度。其中，第一形狀10的所述兩側10a在第一方向D1上延伸，中間10b位於兩側10a之間。

如此一來，當第一基板100與第二基板200因顯示器被彎曲或按壓而發生錯位時，間隙物PS與凸塊114之間例如是具有較大的接觸面積。舉例來說，當第一基板100與第二基板200未錯位時，如圖4所示，間隙物PS與凸塊114例如是未偏移而完全重疊。當第一基板100與第二基板200之間的錯位程度較大時，如圖5所示，間隙物PS與凸塊114例如是部分重疊，其中第一形狀10的兩側10a與第二形狀20部分重疊。當第一基板100與第二基板200之間的錯位程度更大時，如圖6所示，間隙物PS與凸塊114例如是嚴重偏移而部分重疊，其中第一形狀10的兩側10a中之一者例如是與凸塊114重疊，而第一形狀10的兩側10a中之另一者以及中間10b例如是不與凸塊114重疊。

雖然在前述的實施例中是以第一形狀10與第二形狀20具有圖2A所示的構型為例，但本發明不以此為限，第一形狀10與第二形狀20可依需求而具有多種不同設計。舉例來說，如圖7A至圖7D所示，第一形狀10也可以是I形柱狀(如圖7A所示)、H形柱狀(如圖7B所示)、由多個圓形構成的形狀(如圖7C所示)或啞鈴型柱狀(如圖7D所示)，其中第一形狀10的兩側10a之長度大於中間10b之長度。再者，如圖8A至圖8C所示，第二形狀20例如是包括主體部20a與至少一延伸部20b，其中主體部20a沿著第二方向D2延伸，延伸部20b由主體部20a的中間沿著第一方向D1延伸。再者，第二形狀20也可以具有圖8D至圖8F所示的形狀，其例如是適用於需較高解析度(resolution；即pixel per inch (PPI))的顯示器中。

在本實施例中，是以間隙物PS具有第一形狀10，凸塊114具有第二形狀20，以及第一方向D1為資料線DL的延伸方向，第二方向D2為掃描線SL的延伸方向為例來進行說明，但本發明不限於此。也就是說，在一實施例(未繪示)中，間隙物PS例如是具有第二形狀20，而凸塊114具有第一形狀10。再者，在另一實施例中，如圖9A以及9B所示，第一方向D1’也可以是掃描線SL的延伸方向，第二方向D2’例如是資料線DL的延伸方向。其中，在第一方向D1’上，第一形狀10的兩側區域之長度大於中間區域之長度。第二形狀20的主體部20a沿著第二方向D2’延伸，延伸部20b沿著第一方向D1’延伸。在本實施例中，凸塊114例如是不具有開口C，且間隙物PS未位於開口C上方。

在上述的實施例中，凸塊114與間隙物PS中的一者具有兩側長度大於中間長度的第一形狀10，且凸塊114與間隙物PS中的另一者具有與第一形狀10搭配的第二形狀20。如此一來，當第一基板100與第二基板200因顯示器被彎曲或按壓而發生錯位時，間隙物PS與凸塊114之間可具有較大的接觸面積並維持面板間隙，避免間隙物刮傷顯示區域。因此，間隙物PS具有增加錯位容許量，能避免間隙物PS刮傷諸如配向層等位於顯示區域的膜層，進而可大幅改善顯示器的暗態漏光等問題。再者，由於間隙物PS與凸塊114的配置實質上與黑矩陣BM、掃描線SL與資料線DL等不透光構件重疊，因此不會影響顯示器的開口率。

圖10A為第一傳統顯示器的上視示意圖，其作為後續實驗中的比較例1。圖10B為沿圖10A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖10C為沿圖10A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖10A之傳統顯示器與繪示在圖2A之本發明實施例的顯示器相似；為清楚起見，相同或相似的元件以相同或相似的元件符號表示，且不再重複說明。圖10A之比較例1的顯示器結構與圖2A之本發明實施例的顯示器結構不相同之處在於，圖10A之比較例1的顯示器不具有凸塊114，且是以間隙物PS’來取代圖2A的間隙物PS。

請同時參照圖10A至圖10C，比較例1中的間隙物PS’例如是配置於第二基板200上且具有厚度H2’。更具體來說，間隙物PS’位於一條資料線DL以及一條掃描線SL的交錯處，且重疊於黑矩陣BM’。其中，在比較例1中，間隙物PS’未與開口C重疊，如圖10A與圖10C所示。此外，間隙物PS’的形狀例如是圓形。位於掃描線SL與資料線DL交錯處的黑矩陣BM’例如是與其下方的間隙物PS’具有相似的構型。除此之外，如圖10C所示，間隙物PS’與保護層PV之間例如是夾有畫素電極PE。因此，未被畫素電極PE所覆蓋之保護層PV與間隙物PS’之間例如是不相接觸(即：存在一間隙)。換言之，間隙物PS’藉由與畫素電極PE接觸，而被畫素電極PE所支撐，故部份未與畫素結構PE接觸之間隙物PS’例如是懸空於保護層PV上方(如圖10B以及圖10C所示)。然而，當間隙物PS’在受到外力擠壓時，間隙物PS亦可與上述未被畫素電極PE所覆蓋之保護層PV接觸。

圖11A為第二傳統顯示器的上視示意圖，其作為後續實驗中的比較例2。圖11B為沿圖11A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖11C為沿圖11A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖11A之傳統顯示器與繪示在圖2A之本發明實施例的顯示器相似；為清楚起見，相同或相似的元件以相同或相似的元件符號表示，且不再重複說明。圖11A之比較例2的顯示器結構與圖2A之本發明實施例的顯示器結構不相同之處在於，圖11A之比較例2的顯示器是以凸塊114”以及間隙物PS”來取代圖2A的凸塊114以及間隙物PS。請同時參照圖11A至圖11C，比較例2中的凸塊114”配置於保護層PV上，且凸塊114”不具有開口（如圖11C所示）。其中，凸塊114”例如是位於一條掃描線SL以及一條資料線DL之間的交錯處且具有厚度H1”，其中凸塊114”例如是重疊於兩個相鄰的畫素結構P，如圖11A、圖11C所示。另一方面，間隙物PS”例如是位於第二基板200上且具有厚度H2”。其中，間隙物PS”位於一條資料線DL以及一條掃描線SL的交錯處並重疊於黑矩陣BM”，且間隙物PS”與凸塊114”重疊。在比較例2中，間隙物PS”是位於開口C上方並與開口C部份重疊，如圖11A與圖11C所示。此外，間隙物PS”的形狀例如橢圓形。位於掃描線SL與資料線DL交錯處的黑矩陣BM’’例如是與其下方的間隙物PS’具有相似的構型。除此之外，如圖11C所示，間隙物PS”與凸塊114”之間例如是夾有畫素電極PE。因此，在間隙物PS”與凸塊114”相互重疊之區域中，未被畫素電極PE所覆蓋之凸塊114”與間隙物PS”之間例如是不接觸(即：存在一間隙)。換言之，間隙物PS”藉由與畫素電極PE接觸，而被畫素電極PE所支撐，故部份未與畫素結構PE接觸之間隙物PS”例如是懸空於凸塊114”上方(如圖11B以及圖11C所示)。當然，間隙物PS”在受到外力擠壓時，間隙物PS”亦可與上述未被畫素電極PE所覆蓋之凸塊114”接觸。

圖12為本發明一實驗例的顯示器之間隙物的錯位容許量與顯示器種類的關係曲線圖，其中橫軸表示具有不同解析度的顯示器種類，由左至右依序為解析度逐漸增加的第一至第三種顯示器，第一種顯示器為全高清晰度(Full High Definition，FHD)、第二種顯示器為廣角四倍高清晰度(Wide Quad High Definition，WQHD)以及第三種顯示器為超高清晰度(Ultra High Definition，UHD)，縱軸表示顯示器之間隙物的錯位容許量。如圖12所示，曲線C(實線)表示本發明一實施例之顯示器的測量曲線，曲線A(虛線)以及曲線B(虛線)分別代表繪示於圖10A至圖10C的比較例1以及繪示於圖11A至圖11C的比較例2之顯示器的量測曲線。在此實驗例中，曲線A至曲線C所代表的各顯示器在於兩個基板之間具有構形不同的間隙物及/或凸塊。由圖12可知，在具有相同解析度的顯示器中，相較於比較例1以及比較例2的顯示器，本發明之顯示器的間隙物具有較大的錯位容許量。

圖13為本發明一實驗例的顯示器之黑矩陣在第一方向上的最大長度與顯示器種類的關係曲線圖，其中橫軸可以參照針對圖12所述，縱軸表示顯示器之黑矩陣在第一方向上的最大長度。如圖13所示，曲線C(實線)表示本發明一實驗例之顯示器的測量曲線，曲線A(虛線)以及曲線B(虛線)分別表示比較例1以及比較例2之顯示器的量測曲線。如上述，曲線A至曲線C所代表的各顯示器在於兩個基板之間的間隙物及/或凸塊的構形不同。由圖13可知，在間隙物具有相同的移動量時，相較於比較例1以及比較例2之顯示器，本發明之顯示器具有較大的開口率，因此具有較佳的顯示品質。具體來說，在本實驗中，比較例1-2與本實驗例皆使用同一固定形狀之黑矩陣，本發明之實施例可藉由凸塊與間隙物中的一者在第一方向上具有兩側長度大於中間長度之特殊形狀，而讓間隙物具有較大的錯位容許量。因此，為使得比較例1以及比較例2具有如同本發明之實驗例的錯位容許量時，需額外增加黑矩陣之面積以增加間隙物的錯位容許量。因此，由於比較例1以及比較例2之黑矩陣面積的增加，使其顯示器的開口率隨之下降。

綜上所述，凸塊與間隙物中的一者具有兩側長度大於中間長度的特殊形狀，當間隙物斜向錯位時，此特殊形狀使得間隙物與凸塊之間可具有較大的接觸面積，維持面板間隙，避免間隙物刮傷顯示區域，進而增加間隙物的錯位容許量。如此一來，當兩側基板因顯示器被彎曲或按壓等而發生錯位時，能避免間隙物刮傷諸如配向層等位於顯示區域的膜層，進而可大幅改善顯示器的暗態漏光等問題。再者，由於間隙物與凸塊的配置實質上與黑矩陣、掃描線與資料線等不透光構件重疊，因此不會影響顯示器的開口率。因此，本發明的顯示器具有較佳的開口率與顯示品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧第一形狀
10a‧‧‧兩側
10b‧‧‧中間
20‧‧‧第二形狀
20a‧‧‧主體部
20b‧‧‧延伸部
100‧‧‧第一基板
110‧‧‧畫素陣列層
114、114”‧‧‧凸塊
200‧‧‧第二基板
210‧‧‧彩色濾光陣列層
211‧‧‧濾光圖案
212‧‧‧覆蓋層
214‧‧‧配向層
300‧‧‧顯示介質層
AA’‧‧‧剖面線
BB’‧‧‧剖面線
BM、BM’、BM”‧‧‧黑矩陣
C‧‧‧開口
CH‧‧‧通道層
CL‧‧‧共用線
D1、D1’‧‧‧第一方向
D2、D2’‧‧‧第二方向
D‧‧‧汲極
DL‧‧‧資料線
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘絕緣層
H1、H1”、H2、H2’、H2”‧‧‧厚度
P‧‧‧畫素結構
PE‧‧‧畫素電極
PS、PS’、PS”‧‧‧間隙物
PV‧‧‧保護層
S‧‧‧源極
SL‧‧‧掃描線
T‧‧‧主動元件

圖1為依照本發明一實施例的顯示器的剖面示意圖。圖2A與圖2B分別為依照本發明一實施例的顯示器的上視示意圖，其中圖2A中省略繪示黑矩陣。圖3A為沿圖2A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖3B為沿圖2A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖4為圖2A的區域R中凸塊與間隙物之間的相對位置之放大示意圖。圖5為圖2A的區域R中凸塊與間隙物之間的相對位置之放大示意圖。圖6為圖2A的區域R中凸塊與間隙物之間的相對位置之放大示意圖。圖7A至圖7D分別為本發明之第一形狀的示意圖。圖8A至圖8F分別為本發明之第二形狀的示意圖。圖9A與圖9B為依照本發明另一實施例的顯示器的上視示意圖，其中圖9A中省略繪示黑矩陣。圖10A為第一傳統顯示器的上視示意圖。圖10B為沿圖10A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖10C為沿圖10A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖11A為第二傳統顯示器的上視示意圖。圖11B為沿圖11A的剖面線A-A’的剖面示意圖。圖11C為沿圖11A的剖面線B-B’的剖面示意圖。圖12為本發明一實驗例的顯示器之間隙物的錯位容許量與顯示器種類的關係曲線圖。圖13為本發明一實驗例的顯示器之黑矩陣在第一方向上的最大長度與顯示器種類的關係曲線圖。

10‧‧‧第一形狀

20‧‧‧第二形狀

114‧‧‧凸塊

AA’‧‧‧剖面線

BB’‧‧‧剖面線

C‧‧‧開口

CH‧‧‧通道層

CL‧‧‧共用線

D‧‧‧汲極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

DL‧‧‧資料線

G‧‧‧閘極

PE‧‧‧畫素電極

PS‧‧‧間隙物

S‧‧‧源極

SL‧‧‧掃描線

T‧‧‧主動元件

Claims

一種顯示器，包括：一第一基板；多條掃描線、多條資料線、多個畫素結構以及一保護層位於該第一基板上；一凸塊，配置於該第一基板上；一第二基板，與該第一基板相對設置；以及一間隙物，配置於該第二基板上且與該凸塊至少部分重疊，該凸塊與該間隙物中的一者具有一第一形狀，該凸塊與該間隙物中的另一者具有一第二形狀，其中該第一形狀在一第一方向上的兩側長度大於中間長度。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一方向為該資料線的延伸方向。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第一方向為該掃瞄線的延伸方向。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第二形狀包括橢圓形柱狀、矩形柱狀或菱形柱狀，該第一形狀為I型柱狀、H型柱狀或啞鈴型柱狀。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該第二形狀包括一主體部與至少一延伸部，該主體部沿一第二方向延伸，該至少一延伸部由該主體部的中間沿該第一方向延伸。
如申請專利範圍第5項所述的顯示器，其中該第一方向為該資料線的延伸方向，該第二方向為該掃描線的延伸方向。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該間隙物具有該第一形狀，該凸塊具有該第二形狀。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該凸塊具有該第一形狀，該間隙物具有該第二形狀。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該凸塊與該保護層具有相同材料。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該凸塊以及該保護層共同具有至少一開口，該間隙物位於該至少一開口上方並與其重疊。
如申請專利範圍第10項所述的顯示器，其中該畫素結構包括一主動元件以及一畫素電極，該畫素電極經由該至少一開口與該主動元件電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，更包括一配向層，設置於該第二基板上，其中該間隙物配置於該配向層與該凸塊之間。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，更包括一黑矩陣，設置於該第二基板上，其中該黑矩陣遮蔽該間隙物與該凸塊。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該凸塊重疊於兩個相鄰的畫素結構。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該凸塊位於該些掃描線中之一者與該些資料線中之一者的交錯處。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該間隙物與該凸塊係完全重疊。
如申請專利範圍第1項所述的顯示器，其中該間隙物與該凸塊係部分重疊。
如申請專利範圍第17項所述的顯示器，其中該間隙物具有該第一形狀，該兩側中之一者係與該凸塊重疊，該兩側中之另一者以及該中間係不與該凸塊重疊。