TW201702734A - 光罩基底及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之解決手段為，一種光罩基底，其係在對於曝光光線為透明的基板上形成由單層或複數層構成的膜，構成單層及複數層之各層分別由光學機能膜及加工輔助膜中選出，由單層或複數層構成的膜係不形成於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於基板之主表面。本發明之效果為，可提供粒子缺陷少，尤其是特定尺寸之粒子缺陷的數目為零個之光罩基底。

Description

光罩基底及其製造方法

本發明係關於用以製造在製造半導體積體電路等時使用之光罩(轉印用光罩)的素材之光罩基底及其製造方法。

於半導體製造時所使用之光遮罩等之成為光罩(轉印用光罩)的素材之光罩基底，係要求於表面無粒子或針孔等之缺陷，其所要求之缺陷尺寸係伴隨著圖型之微細化，而要求有使大於0.1μm之尺寸的缺陷成為零個。

作為如此之微小的缺陷之發生原因，可推測多數個要因，為了查明所有的要因與缺陷之因果關係，各個要因之個別實驗乃為必要，因此非常困難，但作為光罩基底之缺陷發生的一個要因，可推測特別是在以濺鍍所致之成膜中，附著於光罩基底之斜角面或側面的膜。於光罩基底之製造步驟中，若對光罩基底用之基板或光罩基底進行處理，則必定會留下接觸痕。由於若將處理時之接觸位 置設為主表面或背面之在使用光罩的曝光中所使用之部分，則接觸痕會成為損傷或顆粒等之缺陷的要因，因此處理時之接觸位置一般係設為基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、以及與背面的斜角面之邊界部。

基板之斜角面或側面係此等部分並非為對使用由光罩基底所製造之光罩的圖型轉印有貢獻之部位，因此，通常不會作為缺陷檢查的對象，又，以往之缺陷檢查裝置係將形成於基板之主表面的膜作為對象，因此於基板之斜角面或側面中，即使有損傷或顆粒等，亦無法精度高的檢查。因此，並不清楚此等部位之膜的形成狀態。

又，於光罩基底中，若於基板或膜存在損傷或顆粒，則形成於其正上方(與基板離間之側)的膜在損傷或顆粒存在的部分附著力會變弱，因而變得容易剝離。若於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、或者與背面的斜角面之邊界部形成膜，此部位的膜剝離，而剝落的膜繞入光罩基底主表面，則會成為顆粒缺陷，而成為光罩基底之缺陷增加的要因。推測在此部位之膜的剝離可能是因光罩製造之洗淨步驟或裝置內外之搬運步驟、由光罩基底製造光罩之步驟等所引起。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-032823號公報

本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於，提供粒子缺陷少，尤其是特定尺寸之粒子缺陷的數目為零個之光罩基底及其製造方法。

本發明者們為了解決上述課題而再三努力探討的結果，發現於對曝光光線為透明的基板上，形成由單層或複數層所構成的膜，構成單層或複數層之各層，分別為由光學機能膜及加工輔助膜所選出的光罩基底中，若由單層或複數層所構成的膜不形成於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面之邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於基板之主表面，則在製造光罩基底的過程，於基板之處理中，即使與基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面之邊界部、或與背面的斜角面之邊界部接觸，而於此部位殘留接觸痕，也不會發生起因於形成在此接觸痕上的膜之顆粒缺陷，又，於光罩自體之處理中，即使與基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面之邊界部、或與背面的斜角面之邊界部接觸，由於在接觸到的部分不存在膜，因此不會發生起因於此接觸的顆粒缺陷，而可提供顆粒缺陷少，尤其是特定尺寸之粒子缺陷的數目為零個之光罩基底，因而完成本發明。

因而，本發明係提供以下之光罩基底及其製 造方法。

1.

一種光罩基底，其係在對於曝光光線為透明的基板上，形成由單層或複數層構成的膜，構成上述單層及複數層之各層，分別由光學機能膜及加工輔助膜中選出的光罩基底，其特徵為，上述由單層或複數層構成的膜係不形成於上述基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於上述基板之主表面。

2.

如請求項1之光罩基底，其中，上述由單層或複數層構成的膜並未形成在從上述基板之主表面的基板之側面起0.6mm以內的範圍。

3.

如請求項1或2之光罩基底，其中，在對於曝光光線為透明的基板上形成由複數層構成的膜，於構成上述複數層之鄰接的2層全部，從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更不廣。

4.

如請求項3之光罩基底，其中，在對於曝光光線為透明的基板上形成由複數層構成的膜，於構成上述複數層之鄰接的2層之任一層，從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更窄，且上述基板側之層的表面露出。

5.

如請求項4之光罩基底，其中，從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更窄的上述鄰接之2層中，上述基板側之層係以具有導電性之膜、從上述基板離間之側的層係以不具有導電性之膜所分別構成，且從上述基板離間之側的層不形成於從上述基板之主表面的基板之側面起2mm以內之範圍。

6.

如請求項5之光罩基底，其中，上述具有導電性之膜的薄片電阻為150kΩ/□以下。

7.

如請求項2至6中任一項之光罩基底，其中，上述複數層之最表層係以將氧化矽作為主成分之材料所構成的膜。

8.

如請求項1至7中任一項之光罩基底，其中，上述光學機能膜係由以包含矽之材料所構成的相位偏移膜、以包含矽之材料所構成的遮光膜及以包含鉻之材料所構成的遮光膜中選出。

9.

如請求項1至8中任一項之光罩基底，其中，上述加工輔助膜係由以包含矽之材料所構成的硬光罩膜及以包含鉻之材料所構成的硬光罩膜中選出。

10.

如請求項1至9中任一項之光罩基底，其係進一步具有抗蝕膜。

11.

一種光罩基底之製造方法，其係製造如請求項1至10中任一項之光罩基底的方法，其特徵為，為了避免上述由單層或複數層構成的膜形成於上述基板之特定部位，而將遮蔽構件以覆蓋上述基板之上述特定部位的方式以非接觸狀態鄰近地配設，藉由濺鍍將上述由單層或複數層構成的膜進行成膜。

依據本發明，可提供粒子缺陷少，尤其是特定尺寸之粒子缺陷的數目為零個之光罩基底。

1‧‧‧光遮罩基底

11‧‧‧透明基板

12‧‧‧相位偏移膜

13‧‧‧遮光膜

14‧‧‧硬光罩膜

2‧‧‧遮蔽構件

21‧‧‧支撐構件

3‧‧‧基座

31‧‧‧治具

[第1圖]係顯示本發明之光罩基底之例的剖面圖。

[第2圖]係顯示於製造本發明之光罩基底時設有遮蔽構件的樣態之一例的剖面圖。

以下，針對本發明更詳細地說明。

本發明之光罩基底係於石英基板等對曝光光線為透明的基板上，形成由單層所構成之膜(亦即，單層構造之 膜)或者複數層，例如，由2~4層所構成之膜(亦即，複數層構造之層合膜)的光遮罩基底等之光罩基底，構成單層及複數層之各層係分別由設置於光遮罩基底的光學機能膜及加工輔助膜所選出的膜構成。

本發明之光罩基底係以由光學機能膜及加工輔助膜所選出的膜構成之單層構造的膜或複數層構造的層合膜不形成於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於基板之主表面。在此，與主表面的斜角面的邊界部係相當於主表面之外周緣部，單層構造之膜或複數層構造之層合膜係僅形成於比外周緣部更內側處。另外，於本發明之光遮罩基底中，單層構造之膜及複數層構造之層合膜並不成膜於基板之背面。例如，於以濺鍍所進行之成膜中，於主表面之成膜時，濺鍍粒子實質上並不會繞入而附著在背面，尤其是與背面的斜角面之邊界部的背面之外周緣部以外的範圍。

被使用於光罩基底之基板通常使用板狀的四角型基板，尤其是正方形的基板，其表面係藉由光學機能膜及加工輔助膜所成膜之主表面、背面(相對於主表面而為背面之面)及側面(基板之厚度方向的4面)、以及設於主表面或背面與側面之間的斜角面(通常，表背側各有4個合計8面)所構成。例如，於作為LSI用之光遮罩基底用之基板一般所使用的6吋方型基板(6025基板：152mm×152mm×6.35mm)中係於主表面與側面之間、及背 面與側面之間以相對於側面為約45°之傾斜設有寬0.5mm左右之斜角面(亦稱為C面)。另一方面，作為光學機能膜係可列舉：遮光膜、包含抗反射膜之遮光膜、半色調相位偏移膜等之相位偏移膜等，作為加工輔助膜係可列舉：硬光罩膜(蝕刻光罩膜)、蝕刻阻擋膜、導電膜等。

於光罩基底之製造步驟中，若將光罩基底用之基板或者光罩基底進行處理，則必定會殘留接觸痕，此乃成為缺陷之要因，因此，處理時之接觸位置係設為基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、以及與背面的斜角面之邊界部。因此，於本發明之光罩基底中，於此等部位不形成以由光學機能膜及加工輔助膜所選出之膜構成的單層構造之膜或複數層構造之層合膜，而僅形成於主表面。於本發明中，雖於與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部不形成上述單層構造之膜或複數層構造之層合膜，但與主表面的斜角面的邊界部的範圍較佳係設為從基板之主表面的基板之側面起0.6mm以內之範圍，上述單層構造之膜或複數層構造之層合膜形成的範圍較佳係在從基板之主表面的基板之側面起比0.6mm更內側(基板之中心側)，且避免到達主表面與斜角面之邊界。另外，此情況中之從基板的側面起之距離係從將對象之側面延長的假想平面起之主表面的面方向之距離。

如此之光罩基底方面，作為於透明基板之上形成有由單層所構成之膜者係可列舉例如：於透明基板之上形成有遮光膜的光遮罩基底。又，作為於透明基板之上 形成有由複數層所構成之膜者係可列舉：於透明基板之上形成相位偏移膜，於相位偏移膜之上形成有遮光膜的相位偏移光罩基底、於透明基板之上形成相位偏移膜，於相位偏移膜之上形成遮光膜，於遮光膜之上形成有硬光罩膜的相位偏移光罩基底、於透明基板之上形成遮光膜，於遮光膜之上形成有硬光罩膜的光遮罩基底等。

具體而言係可列舉第1圖(A)或第1圖(B)所示者。第1圖(A)及第1圖(B)係顯示本發明之光罩基底之一例的剖面圖。第1圖(A)係顯示於透明基板11上形成有層合膜的光罩基底1，該層合膜係由作為光學機能膜之相位偏移膜12及遮光膜13依序層合而成的2層所構成者。又，第1圖(B)係顯示於透明基板11上形成有層合膜的光罩基底1，該層合膜係由作為光學機能膜之遮光膜13及作為加工輔助膜之硬光罩膜14依序層合而成的2層所構成者。於任一之光遮罩基底中，層合膜皆不形成於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於上述基板之主表面。

藉由如此地形成由形成於光遮罩基底的光學機能膜及加工輔助膜所選出的膜構成之單層構造之膜或複數層構造之層合膜，在製造光罩基底的過程，於基板之處理中，即使與基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、或者與背面的斜角面之邊界部接觸，而於此部位殘留接觸痕，亦不會發生起因於形成於此接觸痕上之膜的 粒子缺陷，又，於光罩基底自體之處理中，即使與基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、或與背面的斜角面之邊界部接觸，由於在接觸到的部分不存在膜，因此不會發生起因於此接觸的粒子缺陷，而可提供粒子缺陷少，尤其是特定尺寸之粒子缺陷的數目為零個之光罩基底。

於層合複數之膜的光罩基底中，在上層之膜的形成範圍比下層之膜的形成範圍更廣的情況，於上層係存在與其正下方之膜接觸的部分、以及與比上層之正下方的膜更下方之膜或與基板接觸的部分之兩者，於此情況中，兩者係與上層接觸的底層之材質不同。尤其，於藉由濺鍍所形成之濺鍍膜中，若底層之材質不同，則形成於其上之上層的膜之應力會不同，因此，不同材質之邊界會成為特異部分，而有在該部分引起上層之膜的應力集中之可能性。膜之應力集中係成為膜剝落的原因，剝落的膜可能成為光罩基底及光罩之缺陷的要因。為了減低如此之缺陷的要因，較佳係於層合複數層之膜的光罩基底中，於構成複數層之鄰接的2層全部，從基板離間之側的層之形成範圍比基板側的層之形成範圍更不廣，亦即，相同或較窄。

又，一般而言，光罩基底係於製作光罩的步驟中，進一步將抗蝕膜進形成膜，對於具有抗蝕膜之光罩基底，使用電子束曝光機來將抗蝕膜進行圖型化。在使用電子束曝光機的情況，為了避免藉由入射至光罩基底的電子束，而使光罩基底充電，一般而言，至少設置1層具有 導電性的膜作為構成光罩基底的膜。並且，為了防止以電子束描繪機入射至光罩基底的電子導致的充電，一般係使用以取得接地的銷接觸光罩基底之主表面的外周緣部。

因此，於層合複數層之膜的光罩基底中，較佳係於構成複數層之鄰接的2層全部，從基板離間之側的層之形成範圍比基板側的層之形成範圍更不廣，亦即，相同或較窄，進而，於構成複數層之鄰接的2層之任一層中，從基板離間之側的層之形成範圍比基板側之層的形成範圍更窄，而使基板側之層的表面露出。尤其，更佳係從基板離間之側的層不形成在從基板之主表面的基板之側面起2mm以內，特別是3mm以內之範圍，從基板離間之側的層所形成的範圍較佳係設為比從基板之主表面的基板之側面起2mm更內側(基板之中心側)，特別是比3mm更內側。另外，此情況中之從基板的側面起之距離亦為從將對象之側面延長的假想平面起之主表面的面方向之距離。

作為如此之光罩基底具體而言係可列舉第1圖(C)或第1圖(D)所示者。第1圖(C)及第1圖(D)係顯示本發明之光罩基底之一例的剖面圖。第1圖(C)係顯示於透明基板11上形成有層合膜的光罩基底1，該層合膜係由作為光學機能膜之相位偏移膜12及遮光膜13，與作為加工輔助膜之硬光罩膜14依序層合而成的3層所構成者。又，第1圖(D)係顯示於透明基板11上形成有層合膜的光罩基底1，該層合膜係由作為光學機能膜之遮光膜13及作為加工輔助膜之硬光罩膜14依序層合 而成的2層所構成者。於任一之光遮罩基底中，層合膜皆不形成於基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，而僅形成於上述基板之主表面。進而，於任一光遮罩基底中，構成複數層之鄰接的2層當中，於遮光膜與硬光罩膜中，硬光罩膜之形成範圍比遮光膜之形成範圍更窄，而使遮光膜之表面露出。

尤其，於從基板離間之側的層之形成範圍比基板側的層之形成範圍更窄之鄰接的2層中，在基板側之層為具有導電性之膜的情況，如此之構造的層合膜即使在從基板離間之側的層為不具有導電性之膜的情況，亦可於具有導電性之膜使接地銷直接接觸於露出的基板側之層，故為佳。在此，較佳係具有導電性之膜的薄片電阻為150kΩ/□以下，尤其是10kΩ/□以下，不具有導電性之膜的薄片電阻為1MΩ/□以上，尤其是100MΩ/□以上。

於本發明之光罩基底中，作為光學機能膜係可列舉：以包含矽之材料所構成的相位偏移膜、以包含矽之材料所構成的遮光膜、以包含鉻之材料所構成的遮光膜等。又，作為加工輔助膜係可列舉：以包含矽之材料所構成的硬光罩膜、以包含鉻之材料所構成的硬光罩膜等。

作為光學機能膜及硬光罩膜之組合，更具體而言係可列舉：依序層合有包含矽之相位偏移膜及包含鉻之遮光膜的構造、依序層合有包含矽之相位偏移膜、包含鉻之遮光膜及包含矽之硬光罩膜的構造等，作為本發明之光罩基底係以於透明基板上層合有此等之膜的相位偏移光 罩基底特別適宜。又，亦可列舉：包含含鉻之遮光膜的構造，例如，依序層合有包含鉻之遮光膜及包含矽之硬光罩膜的構造、包含含矽之遮光膜的構造，例如，依序層合有包含矽之遮光膜及包含鉻之硬光罩膜的構造等，作為本發明之光罩基底亦以於透明基板上層合有此等之膜的二元光罩基底較適宜。尤其，於光罩圖型之微細化中，特別適宜使用微細圖型之加工性佳，且包含Si之遮光膜者。

例如，在依序層合有包含矽之相位偏移膜、包含鉻之遮光膜及包含矽之硬光罩膜的構造之情況，若可將不顯示導電性之相位偏移膜廣泛地形成於排除與主表面的斜角面的邊界部的主表面之內側的範圍，於相位偏移膜之上，將顯示導電性之遮光膜形成於與相位偏移膜相同或稍微窄的範圍，進一步，於遮光膜之上，將不顯示導電性之硬光罩膜以使遮光膜之表面露出的方式形成於比遮光膜之形成範圍更窄的範圍，使電子束描繪機之接地銷直接接觸遮光膜，則可構成有利於電子束描繪之接地的光罩基底。尤其，藉由將複數層如此地構成，即使複數層之最表層為使用以不具有導電性之氧化矽作為主成分的材料，特別是以氧化矽所構成的膜作為硬光罩膜的情況，亦可構成有利於電子束描繪之接地的光罩基底，因此，本發明係於複數層之最表層為以將氧化矽作為主成分之材料所構成的膜中特別有效。

本發明之光罩基底係可藉由為了避免由單層或複數層所構成之膜形成於基板之特定的部位，亦即，基 板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，將遮蔽構件以覆蓋基板之上述特定部位的方式以非接觸狀態接近地配設，藉由濺鍍將由單層或複數層所構成之膜進行成膜而製造。具體而言係如第2圖所示般，可藉由以遮蔽透明基板11之主表面的與主表面的斜角面的邊界部及其更外側之範圍的方式，於透明基板11及濺鍍靶(未圖示)之間，將遮蔽構件(遮蔽板)2與透明基板11以非接觸狀態接近地配置，並朝向基板之主表面進行濺鍍而成膜。另外，於第2圖中，21係遮蔽構件之支撐構件，3係載置透明基板之基座，31係用以將透明基板以點或線作支撐的治具。在欲變更膜之成膜範圍的情況係只要適當變更遮蔽構件之開口範圍即可。例如，在使用6吋方型基板的情況，若使用具有150mm平方之開口範圍的遮蔽構件，則可將成膜範圍設為比從基板之主表面的側面起1mm更內側之範圍，又，若使用具有146mm平方之開口範圍的遮蔽構件，則可將成膜範圍設為比從基板之主表面的側面起3mm更內側之範圍。

[實施例]

以下，雖顯示實施例及比較例，針對本發明具體地進行說明，但本發明並不限定於以下實施例。

[實施例1]

於152mm平方之6025石英基板上，使開口範圍為 150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Mo、Si、O及N的相位偏移膜藉由濺鍍以75nm之厚度進行成膜。接著，於相位偏移膜之上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Cr、O及N之遮光膜藉由濺鍍以44nm之厚度進行成膜，而得到形成有由包含矽之相位偏移膜與包含鉻之遮光膜層合而成的2層所構成之膜的第1圖(A)所示之樣態的相位偏移光罩基底。

[實施例2]

於152mm平方之6025石英基板上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Mo、Si及N的遮光膜藉由濺鍍以47nm之厚度進行成膜。接著，於遮光膜之上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Cr、O及N之硬光罩膜藉由濺鍍以4nm之厚度進行成膜，而得到形成有由包含矽之遮光膜與包含鉻之硬光罩膜層合而成的2層所構成之膜的第1圖(B)所示之樣態的光遮罩基底。

[實施例3]

於152mm平方之6025石英基板上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置 於基板之正上方，將包含Mo、Si、O及N的相位偏移膜藉由濺鍍以75nm之厚度進行成膜。接著，於相位偏移膜之上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Cr、O及N的遮光膜藉由濺鍍以44nm之厚度進行成膜。接著，於遮光膜之上，使開口範圍為146mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Si及O之硬光罩膜藉由濺鍍以5nm之厚度進行成膜，而得到形成有由包含矽之相位偏移膜與包含鉻之遮光膜與包含矽之硬光罩膜層合而成的3層所構成之膜的第1圖(C)所示之樣態的相位偏移光罩基底。

[實施例4]

於152mm平方之6025石英基板上，使開口範圍為150mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Mo、Si及N的遮光膜藉由濺鍍以70nm之厚度進行成膜。接著，於遮光膜之上，使開口範圍為146mm平方之遮蔽板以避免與基板接觸的方式接近地配置於基板之正上方，將包含Cr、O及N之硬光罩膜藉由濺鍍以10nm之厚度進行成膜，而得到形成有由包含矽之遮光膜與包含鉻之硬光罩膜層合而成的2層所構成之膜的第1圖(D)所示之樣態的光遮罩基底。

對於實施例1、3所得之相位偏移光罩基底及實施例2、4所得之光遮罩基底，針對基板之側面、斜角 面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，實施在明亮處以目視之外觀檢查，結果於任一光罩基底中，於此等之部位皆無確認到膜。又，針對此等之部位，雖亦實施在暗室中藉由聚光燈進行之目視的外觀檢查，但於任一光罩基底中，皆無觀察到強光亮部分。

[比較例1]

於152mm平方之6025石英基板上，不使用遮蔽板，而將包含Cr、O及N之遮光膜藉由濺鍍以70nm之厚度進行成膜，而得到形成有由包含鉻之遮光膜的單層所構成之膜的二元光罩基底。

對於所得之二元光罩基底，針對基板之側面、斜角面、與主表面的斜角面的邊界部、及與背面的斜角面之邊界部，實施在明亮處以目視之外觀檢查，結果於此等之部位皆確認到膜。又，針對此等之部位，實施在暗室中藉由聚光燈進行之目視的外觀檢查，結果於與主表面的斜角面的邊界部觀察到強光亮的部分。若調查此強光亮的部分之位置，則與成膜前在洗淨機內進行處理時為了將基板作保持所接觸的部分一致，而可確認到因將光罩基底用之基板作保持所造成的損傷或粒子上形成有膜一事。

1‧‧‧光遮罩基底

11‧‧‧透明基板

12‧‧‧相位偏移膜

13‧‧‧遮光膜

14‧‧‧硬光罩膜

Claims (11)

1. 一種光罩基底，其係在對於曝光光線為透明的基板上，形成由單層或複數層構成的膜，構成上述單層及複數層之各層，分別由光學機能膜及加工輔助膜中選出者，其特徵為，上述由單層或複數層構成的膜，不形成於上述基板之側面、斜角面、與主表面之斜角面之邊界部、及與背面之斜角面之邊界部，而僅形成於上述基板之主表面。
2. 如請求項1之光罩基底，其中，上述由單層或複數層構成的膜並未形成在從上述基板之主表面的基板之側面起0.6mm以內的範圍。
3. 如請求項1或2之光罩基底，其中，在對於曝光光線為透明的基板上形成由複數層構成的膜，於構成上述複數層所鄰接的2層全部，從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更不廣。
4. 如請求項3之光罩基底，其中，在對於曝光光線為透明的基板上形成由複數層構成的膜，於構成上述複數層所鄰接的2層之任一層，從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更窄，且上述基板側之層的表面露出。
5. 如請求項4之光罩基底，其中，於從上述基板離間之側的層之形成範圍比上述基板側的層之形成範圍更窄的上述鄰接之2層時，上述基板側之層係以具有導電性之膜分別構成，從上述基板離間之側的層係以不具有導電性之膜所構成，從上述基板離間之側的層不形成於從上述基 板之主表面的基板之側面起2mm以內之範圍。
6. 如請求項5之光罩基底，其中，上述具有導電性之膜的薄片電阻為150kΩ/□以下。
7. 如請求項1或2之光罩基底，其中，上述複數層之最表層係以將氧化矽作為主成分之材料構成的膜。
8. 如請求項1或2之光罩基底，其中，上述光學機能膜係由以包含矽之材料構成的相位偏移膜、以包含矽之材料構成的遮光膜及以包含鉻之材料構成的遮光膜中選出者。
9. 如請求項1或2之光罩基底，其中，上述加工輔助膜係由以包含矽之材料所構成的硬光罩膜及以包含鉻之材料所構成的硬光罩膜中選出。
10. 如請求項1或2之光罩基底，其係進一步具有抗蝕膜。
11. 一種光罩基底之製造方法，其係製造如請求項1至10中任一項之光罩基底的方法，其特徵為如由上述單層或複數層構成的膜不形成於上述基板之特定部位，以遮蔽構件覆蓋上述基板之上述特定部位般非接觸狀態下鄰近地配設，藉由濺鍍將由上述單層或複數層構成的膜進行成膜。