TW201632351A - 模內成形用轉印薄膜及其製造方法 - Google Patents

Abstract

模內成形用轉印薄膜係具有：基底薄膜、剝離層、及反射防止層。剝離層係具有：與基底薄膜相接的第1面、及該第1面的背側的第2面。反射防止層係與剝離層的第2面相接。反射防止層係具有：具有有機鏈的第1樹脂；及包含在該第1樹脂中，折射率比第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子。在反射防止層中，至少在與剝離層的界面，設有第1樹脂的有機鏈的一部分被分解而形成的複數空隙。空隙的各個係比低折射率微粒子的各個為較小。

Description

模內成形用轉印薄膜及其製造方法

本發明係關於被使用在模內成形的轉印薄膜及其製造方法。

近年來使用多數電視、行動機器用顯示器、汽車導航系統用顯示器、觸控面板顯示器等顯示器。在該等顯示器的表面，一般施行反射防止(Anti-Reflection，以下稱為AR)處理，俾以減低因外光所致之表面反射光且抑制反射眩光。以AR處理方法而言，係使用：在顯示器所使用的基材表面直接塗敷AR材料的方法、藉由蒸鍍、濺鍍等來進行處理的方法、使經AR處理的薄膜轉印在基材表面的方法等。依用途來使用如上所示之各式各樣的AR處理法。

其中，在樹脂成形品的顯示器或蓋透鏡，近年來以廉價且可大量生產的方法之一而言，適用插入成形法。在插入成形法中，首先，使用預成形用模具，將預先經AR處理的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜進行預成形。之後，將經預成形之附AR的PET薄膜安置在射出成形用的 模具內。接著，使附AR的PET薄膜以一體成形轉印在聚碳酸酯(PC)樹脂等射出成形樹脂的表面。

一邊參照圖7，一邊說明在插入成形中所使用的一般插入成形用AR薄膜。圖7係習知之插入成形用的AR薄膜100的剖面圖。AR薄膜100係具有：基底薄膜101、AR層102、硬塗層103、及接著層104。

基底薄膜101係以PET或丙烯酸薄膜所形成。AR層102係具有減少在成形品的最表面的外光反射的功能。AR層102亦可由折射率不同的複數層所形成。硬塗層103係作為用以使AR層102賦予強度及硬度的保護層來發揮功能。接著層104係發揮使熔融後的樹脂接著在基底薄膜101的作用。如以上所示AR薄膜100係由複數層所構成。

接著，一邊參照圖7、圖8，一邊說明使AR薄膜100轉印在成形品表面的製程。圖8係按每個工程說明插入成形的製程的圖。

在工程A-1中，首先，在預成形用的固定模1A與可動模2A之間配置AR薄膜100。AR薄膜100為單片薄膜。此時，AR薄膜100係以AR層102朝向可動模2A的方式作配置。此外，以在可動模2A形成開口的吸引孔4吸引AR薄膜100。接著，在工程A-2，使可動模2A運轉，進行合模，將AR薄膜100進行預成形。之後，在工程A-3中，將可動模2A恢復成原來，將經預成形的AR薄膜100由模內取出。

接著，在工程B-1中，將經預成形的AR薄膜100配置在正式成形用的可動模2B與固定模1B之間。此時，AR薄膜100係AR層102以朝向形成有吸引孔4之開口的可動模2B的方式作配置。此時，以吸引孔4吸引經預成形的AR薄膜100。接著，在工程B-2中進行合模。在工程B-3中，由在固定模1B空出的澆口5，將熔融的樹脂6流入至模內，與設在與AR薄膜100的AR層102為相反面的接著層104相接著。在工程B-4中，進行開模，且以未圖示的突出銷，由模內取出與AR薄膜100一體成形的插入成形品105。

接著，在工程C-1中，將插入成形品105的端部的不需要的薄膜部位，以專用的切割器106進行修整。在修整結束的工程C-2中，最終之附AR的插入成形品105C即完成。

以作為基底薄膜101所使用的PET薄膜而言，主要採用2軸延伸薄膜。2軸延伸薄膜係一邊朝向與進給方向呈垂直的寬幅方向施加延伸一邊予以製造。因此，在薄膜內部容易殘留殘留應力，在PET薄膜的面內，殘留應力分布容易變得不均一。若有殘留應力大的部位、及小的部位，在PET薄膜內部會產生折射率差。在殘留應力大的部位，由於在PET薄膜內部，折射率差大，因此光的反射大。另一方面，在殘留應力小的部位，相較於殘留應力大的部位，PET薄膜內部的折射率差較小，光的反射量亦較小。

若在蓋透鏡使用包含如上所示之PET薄膜作為基底薄膜101的AR薄膜100，會產生如下所示之問題。亦即，若使影像由顯示器的內側投影，當由內側入射至蓋透鏡內的光進入至PET薄膜時，在殘留應力大的場所與小的場所，光的反射方式會改變。結果，若通過殘留應力大的部位與殘留應力小的部位的光分別進入至人的眼腈時，各個部位的光的反射量的差在顯示器上形成為顏色不均被辨識。

因此，存在殘留應力大的部位的AR薄膜並無法使用，被作為不良品進行處理。此外，若為插入成形，成形工程亦包含依序進行預成形工程、正式成形工程、修整工程等眾多工程。

為解決上述課題，有使用不需要進行預成形及修整工程且未使薄膜轉印而僅使AR層轉印的模內成形方式的情形。

接著，一邊參照圖9，一邊說明在模內成形中所使用的一般轉印型AR薄膜的構成。圖9係一般轉印型的AR薄膜301的剖面圖。AR薄膜301為連續薄膜。AR薄膜301大致區分為由未被轉印至成形品的載體層302、及被轉印至成形品的表面的轉印層303所構成。載體層302係具有：基底薄膜201、及剝離層202。轉印層303係具有：AR層203、硬塗層204、及接著層205的功能膜層。

基底薄膜201係以PET或丙烯酸薄膜等所形成，發揮將AR薄膜301連續供給至模具內的作用。剝離層202 係發揮使基底薄膜201及被轉印至成形品的轉印層303剝離的作用。AR層203係減少外光在成形品的最表面的反射。硬塗層204係用以使AR層203賦予強度及硬度的保護層。接著層205係發揮使經熔融的樹脂接著在轉印層303的作用。其中，若硬塗層204亦具有與熔融樹脂的接著功能，接著層205並不需要特別重新形成。如以上所示AR薄膜301係由複數層所構成。

接著，一邊參照圖9、圖10，一邊說明使AR薄膜301以模內成形工法轉印在成形品表面的製程。圖10係按每個工程說明連續模內成形的製程的圖。

在工程A中，首先，在固定模1與可動模2之間，使用進給裝置3將AR薄膜301傳送至預定位置。此時，AR薄膜301係以基底薄膜201朝向可動模2的方式作配置。此外，亦可以AR薄膜301容易在模具成型的方式，將AR薄膜301以未圖示的加熱器預熱之後，再送入至模具內。在將AR薄膜301送至預定位置之後，在工程B中，係以在可動模2的空腔面所空出的吸引孔4來吸引AR薄膜301，且對可動模2的空腔面將AR薄膜301進行成型。此時，以未圖示的薄膜按壓機構，將AR薄膜301的外周固定定位。之後，在工程C中，移動可動模2來進行合模。接著，在工程D中，由固定模1的澆口5，朝向AR薄膜301的接著層205注入經熔融的樹脂6，在模具內的空腔內填充經熔融的樹脂6。

經熔融的樹脂6的填充一完成，在工程E中，將經熔 融的樹脂6冷卻至預定溫度。在工程F中，使可動模2運轉而開模，且取出模內成形品7。此時，AR薄膜301的載體層302由模內成形品7被剝落，僅被轉印轉印層303。結果，在模內成形品7的最表面被轉印AR層203。之後，在工程G中，推出被設在固定模1的突出銷8，由模具內取出模內成形品7。在工程H中，首先，阻止藉由吸引孔4而將AR薄膜301的載體層302吸附至可動模2的空腔內，以備接下來的成形。接著，藉由進給裝置3，將在AR薄膜301中使用在接下來的成形的部分傳送至預定位置。反覆以上的一連串動作來連續成形。

若為模內成形方式，作為基底薄膜201的PET等係作為用以將轉印層303送入至模具內的載體來發揮功能。亦即，基底薄膜201並未被轉印至模內成形品7。因此，在上述插入成形中成為課題的PET內的殘留應力的問題即被解決。此外，在模具內從最初即直接送入AR薄膜301進行射出成形，僅由模內取出模內成形品7，即可使轉印層303轉印在模內成形品7的表面。因此，不需要薄膜的預成形及成形後的修整工程。因此，模內成形方式係生產性高，比插入成形方式為更高效率(參照例如日本特開2012-096412號公報)。

本發明係提供可將剝離層與功能層之間的剝離強度輕易地最適化的模內成形用的轉印薄膜及其製造方法。

本發明之模內成形用轉印薄膜係具有：基底薄膜、剝離層、及反射防止層。剝離層係具有：與基底薄膜相接的第1面、及該第1面的背側的第2面。反射防止層係與剝離層的第2面相接。反射防止層係具有：具有有機鏈的第1樹脂；及包含在該第1樹脂中，折射率比第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子。在反射防止層中，至少在與剝離層的界面，設有第1樹脂的有機鏈的一部分被分解而形成的複數空隙。空隙的各個係比低折射率微粒子的各個為較小。

此外，在本發明之轉印型薄膜之製造方法中，首先，依序積層：基底薄膜、剝離層、在具有有機鏈的第1樹脂中包含折射率比第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子的反射防止層、及光觸媒層。接著，對光觸媒層照射紫外線而在反射防止層中至少與剝離層的界面形成比低折射率微粒子的各個為較小的複數空隙。此時，藉由紫外線的照射，在光觸媒層生成電子，電子進入至前述反射防止層，將有機鏈的一部分分解而形成空隙。調整藉由此時的紫外線的照射量所形成的空隙的量。

如以上所示，藉由本發明之轉印薄膜及轉印薄膜之製造方法，不易發生模內成形時對成形品表面的轉印不良，可使剝離層與AR層等功能層之間的剝離強度成為最適。而且，可進行剝離層與功能層之間的剝離強度的微調整。

1‧‧‧固定模

1A‧‧‧固定模

1B‧‧‧固定模

2‧‧‧可動模

2A‧‧‧可動模

2B‧‧‧可動模

3‧‧‧進給裝置

4‧‧‧吸引孔

5‧‧‧澆口

6‧‧‧樹脂

7‧‧‧模內成形品

8‧‧‧突出銷

100‧‧‧AR薄膜

101‧‧‧基底薄膜

102‧‧‧AR層

103‧‧‧硬塗層

104‧‧‧接著層

105‧‧‧插入成形品

105C‧‧‧附AR的插入成形品

106‧‧‧切割器

110‧‧‧轉印型AR薄膜(AR薄膜)

111‧‧‧AR層

112‧‧‧光觸媒層

113‧‧‧引體層

114‧‧‧低折射率微粒子(第1粒子)

115A‧‧‧樹脂基質

115B‧‧‧樹脂基質

116‧‧‧光觸媒微粒子(第2粒子)

117‧‧‧有機鏈

118‧‧‧電子

119‧‧‧空隙

120‧‧‧放捲部

121‧‧‧收捲部

122‧‧‧凹版滾筒

123‧‧‧刮刀

124‧‧‧液皿

125‧‧‧導引滾筒

126‧‧‧轉印型AR薄膜(AR薄膜)

127‧‧‧光觸媒層

201‧‧‧基底薄膜

202‧‧‧剝離層

203‧‧‧AR層

204‧‧‧硬塗層

205‧‧‧接著層

210‧‧‧基底薄膜

211‧‧‧熱乾燥爐

212‧‧‧紫外線照射部

213‧‧‧金屬鹵素燈

214‧‧‧紫外線

301‧‧‧AR薄膜

302‧‧‧載體層

303‧‧‧轉印層

圖1A係本發明之實施形態1中的轉印型AR薄膜的剖面圖。

圖1B係本發明之實施形態1中的轉印型AR薄膜的層構成的剖面圖。

圖2係顯示本發明之實施形態1中的AR層的塗佈裝置的構成的圖。

圖3係顯示本發明之實施形態1中的光觸媒層的塗佈裝置的構成的圖。

圖4係按每個工程說明本發明之實施形態1中的空隙的形成製程的圖。

圖5係本發明之實施形態1中的最終形態的轉印型AR薄膜的剖面圖。

圖6係說明本發明之實施形態2中的光觸媒層的塗佈工程的圖。

圖7係習知之插入成形用AR薄膜的剖面圖。

圖8係按每個工程說明插入成形的製程的圖。

圖9係一般的轉印型AR薄膜的剖面圖。

圖10係按每個工程說明連續模內成形的製程的圖。

在說明本發明之實施形態之前，簡單說明習知之轉印型AR薄膜中的問題點。在前述的一般轉印型的AR薄膜301中，由耐候性、塗膜強度的觀點來看，有以作為無機系材料的矽氧樹脂等熱硬化性樹脂來形成AR層203的情 形。在如上所示之情形下，適用溶膠凝膠法作為AR材料用的塗敷液。若使用以溶膠凝膠法所形成的塗敷液，可以濕式塗敷形成AR層203。亦即，可以凹版塗敷、模具塗敷等來形成100nm左右的薄層AR層203。

若在剝離層202上塗佈AR材料，AR材料中所含有的熱硬化性的矽氧樹脂會起熱硬化反應，若反應進行，形成3次元交聯構造。此時，AR材料進入至存在於剝離層202上的微細凹凸，若熱硬化反應進行，藉由存在於剝離層202上或剝離層202內的微細凹凸，在剝離層202與AR層203之間，接點會增加。結果，剝離層202與AR層203的密接性變佳，AR層203難以由剝離層202剝落。若剝離層202與AR層203之間的剝離強度變得過大，在成形時應被轉印在成形樹脂表面的AR層203未順利地由剝離層202剝離，AR層203未完全由剝離層202脫模，在剝離層202上殘留AR層203的一部分，容易發生轉印不良。

如上所示，若在成形時，剝離層202與AR層203之間的剝離強度過大，AR層203未漂亮地被轉印至成形品表面時，必須進行減小剝離層202與AR層203之間的剝離強度的調整。以習知之AR薄膜301減小剝離層202與AR層203之間的剝離強度時，一般而言，藉由變更剝離層202的材料組成、或變更剝離層202的厚度，來調整剝離層202的剝離強度。因此，必須按積層在剝離層202上的每個材料，每次進行最適化。在該最適化時，特定積層 在剝離層202上的材料，以不斷試驗及失敗來反覆變更剝離層202的材料組成及厚度。因此，至最適化為止耗費時間。亦即，無法依各式各樣的條件，即時且具有自由度地調整剝離強度，若一旦決定組成等，即無法調整剝離強度，且無法輕易地將剝離強度最適化。

以下一邊參照圖示，一邊說明本發明之實施形態。

(實施形態1)

圖1A、圖1B分別為本發明之實施形態1中的轉印型AR薄膜(以下為AR薄膜)110、126的剖面圖。AR薄膜110係分別具有光觸媒層112及硬塗層204，圖1A係亦顯示AR層111及光觸媒層112的放大圖。AR薄膜126係具有亦作為硬塗層來發揮功能的光觸媒層127，圖1B係亦顯示光觸媒層127及AR層111的放大圖。在圖1A、圖1B中，關於與圖7~圖9為相同的構成要素，係使用相同符號，且省略說明。

圖1A所示之AR薄膜110基本上具有：基底薄膜201、剝離層202、作為反射防止層的AR層111、光觸媒層112、後硬化型的硬塗層204、引體層113、接著層205，該等層係依該順序作積層。此外，在基底薄膜201之與AR層111為相反側，亦可視需要而設置帶電防止層。

一般而言，以基底薄膜201而言，係可使用平均厚度20~100μm的PET薄膜或丙烯酸薄膜等。在以下說明 中，係使用平均厚度50μm的PET薄膜。

剝離層202以一般的三聚氰胺樹脂、烯烴樹脂等所形成，其平均厚度為0.03~0.15μm。在以下說明中，係使用三聚氰胺樹脂而形成為平均厚度1μm。

接著說明AR層111。如圖1A的部分放大圖所示，AR層111係具有：由第1樹脂所形成的樹脂基質115A；及在樹脂基質115A含有(分散)，由無機材料所形成的複數低折射率微粒子(以下為第1粒子)114。

第1粒子114係具有比構成樹脂基質115A的第1樹脂為更低的折射率。具體而言，第1粒子114的折射率為1.2以上、1.4以下。以第1粒子114的材質而言，可列舉：多孔質二氧化矽、中空二氧化矽、氟化鎂、冰晶石等。除了該等之外，若呈現同樣的低折射率，即不需要限定於該等。此外，亦可將該等單獨使用或併用2種類以上。

第1樹脂為例如硬化性樹脂的矽氧樹脂。亦可以單體使用在分子內具有有機鏈的例如烷基矽氧樹脂而形成樹脂基質115A。或者，亦可併用複數在分子內具有不同種類的有機鏈的矽氧樹脂而形成樹脂基質115A。以在分子內具有有機鏈的矽氧樹脂而言，係列舉具有加水分解性甲矽烷基的矽氧樹脂。如上所示之矽氧樹脂係可由有機加水分解縮合物及其部分加水分解物之中至少一方進行調製。在加水分解縮合性化合物的分子，係具有有機鏈、及與該有機鏈的兩末端的各個相鍵結的加水分解性甲矽烷基。此 外，在有機鏈亦可鍵結取代基。以有機鏈而言，列舉：伸烷基、氟化伸烷基、醚基、乙烯基、環氧基、胺基、甲基丙烯基、巰基等，亦可使用具有該等的矽氧樹脂作為第1樹脂。此外，亦可以不含有有機鏈的矽氧樹脂為主體，併用具有有機鏈的矽烷偶合劑。亦可單獨或併用2種類以上之具有該等有機鏈的矽氧樹脂而作為第1樹脂來使用。亦可單獨使用不含有有機鏈的矽氧樹脂與具有有機鏈的矽烷偶合劑，或者併用2種類以上的具有不同種類的有機鏈的矽烷偶合劑。此外，亦可對AR層111同時賦予其他功能，例如防污及耐指紋性等。此時，亦可一起添加氟矽氧樹脂等撥水劑、帶電防止劑及具有帶電防止效果的金屬氧化物微粒子等添加劑。

AR層111的平均厚度為0.05μm以上、0.15μm以下，較佳為以0.08μm以上、0.12μm以下所形成為宜。若平均厚度比0.05μm為更薄，AR層111的膜的強度容易變弱，若比0.15μm為更厚，在可見光域的AR層111的反射率變高，無法獲得反射防止的效果。

在AR層111中，第1粒子114對第1樹脂的重量比係決定AR層111的折射率。若使用具有0.04μm的平均粒子徑的多孔質二氧化矽作為第1粒子114，若以固形分100質量%比率進行換算，上述重量比係以30質量%以上、85質量%以下為宜。較佳為40質量%以上、80質量%以下。若使第1粒子114在40質量%以上、80質量%以下的範圍含有，AR層111本身的折射率係成為1.31~ 1.38左右。

若上述重量比少於30質量%，AR層111未充分低折射率化，難以發揮所需的反射防止性能。此外，若多孔質二氧化矽的重量比多於85質量%，AR層111的機械強度變弱，且耐磨性降低。亦即，無法獲得充分的塗膜強度。

以被分散在樹脂基質115A中的第1粒子114而言，係可使用溶膠類型、球狀類型、多孔質類型等。第1粒子114的平均粒子徑係以0.01μm以上、0.1μm以下為宜。若平均粒子徑小於0.01μm，難以將AR層111的折射率調整為預定之期望的值。若平均粒子徑大於0.1μm，當將AR層111以凹版塗敷機等進行塗佈時，容易發生第1粒子114的凝集物，在所塗佈的薄膜上的塗膜面，容易發生因凝集物而起的外觀不良。

接著，說明光觸媒層112。如圖1A的部分放大圖所示，光觸媒層112係具有：以第2樹脂形成的樹脂基質115B；及在樹脂基質115B含有(分散)的複數光觸媒微粒子(以下為第2粒子)116。以第2粒子116而言，係以使用例如可相較容易取得的氧化鈦、氧化鋅為佳。但是，以光觸媒而言，除了氧化錫、氧化鐵、氧化鋯、氧化鎢、氧化鉻、氧化鉬、氧化釕、氧化鍺、氧化鉛、氧化鎘、氧化銅、氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化錳、氧化鈷、氧化銠、氧化鎳、氧化錸等金屬氧化物之外，亦可以鈦酸鍶等代用。但是，除了該等之外，若為達成相同效果的材料，並不需要限定於該等。此外，可將該等第2粒子 116單獨或併用二種類以上。

構成樹脂基質115B的第2樹脂為例如未含有有機鏈的矽氧樹脂等。由光觸媒層112的折射率的觀點來看，若欲製作更為高折射率的光觸媒層112，亦可將其他金屬烷氧化物(例如鈦、二氧化鋯等)等單獨或併用而形成樹脂基質115B。

光觸媒層112的平均厚度係以0.01μm以上、0.3μm以下為佳，較佳為0.03μm以上、0.15μm以下。若平均厚度比0.01μm為更薄，光觸媒層112的光觸媒作用會變弱，如後所述在將AR層111內的有機物分解時，並不充分。此外，使用無機系的熱硬化性樹脂作為第2樹脂，若平均厚度大於0.3μm，光觸媒層112的可撓性會降低，在模內成形時破損而容易發生微小裂痕。

在光觸媒層112中，第2粒子116對第2樹脂的重量比係決定光觸媒作用及折射率。若使用直徑為0.05μm的氧化鈦作為第2粒子116，若以固形分100質量%比率進行換算，上述重量比係以20質量%以上、90質量%以下為宜。較佳為50質量%以上、80質量%以下。若上述重量比少於20質量%，光觸媒層112的光觸媒作用未被充分呈現。此外，若上述重量比多於90質量%，樹脂分變少，與其他層的密接性等機械強度會降低。

以第2粒子116而言，藉由使用相較容易取得的氧化鈦、氧化鋅，光觸媒層112的折射率亦可較高，高折射率層可配置在AR層111的下部。因此，在光學設計上，以 AR薄膜110而言，可製作外光反射率較低、且對表面的反射眩光較少的轉印型AR薄膜。

此外，以被分散在樹脂基質115B中的第2粒子116而言，亦可使用溶膠類型、球狀類型、多孔質類型等。第2粒子116的平均粒子徑係以0.01μm以上、0.1μm以下為宜。若平均粒子徑小於0.01μm，難以充分獲得光觸媒層112的光觸媒效果。若平均粒子徑大於0.1μm，當以凹版塗敷機等塗佈光觸媒層112時，第2粒子116的凝集物容易形成，在薄膜上成為因第2粒子116而起的外觀不良發生的要因。

硬塗層204係紫外線硬化型的後硬化型，以乾燥後的平均厚度為2μm以上、10μm以下的方式形成。若硬塗層204的平均厚度小於2μm，成形後無法獲得充分硬度。此外，若大於10μm，在模內成形時難以切開，成為發生毛邊的原因。紫外線硬化型的後硬化型的硬塗層204係藉由在模內成形後照射紫外線而硬化。因此，在模內成形前的AR薄膜110的狀態下，構成硬塗層204的紫外線硬化型的樹脂並未完全被光硬化(聚合)，在未硬化或半硬化的狀態下存在。硬塗層204係在模內成形後使用金屬鹵素燈而被光硬化(聚合)。引體層113與接著層205係分別以乾燥後的平均厚度成為1μm以上、10μm以下的方式形成。此外，關於該等層，可由單層亦可由複數層形成，並不成問題。

若欲賦予設計性、隱蔽性等，係可在引體層113與接 著層205之間，適當視需要，以適當厚度形成未圖示的裝飾用印刷層。引體層113、印刷層、接著層205係可利用凹版塗敷機、缺角輪塗敷機、滾筒塗敷、凹版印刷、網版印刷、噴墨印刷等來形成。此外，印刷層係可藉由墨水以外的金屬蒸鍍、濺鍍、塗裝等藉由所求的設計，每次以適當的工法形成。亦可形成為在硬塗層204亦賦予引體層113、接著層205的功能，而省略引體層113、接著層205的構成。

另一方面，如前所述，圖1B所示之AR薄膜126係具有：兼用圖1A所示的光觸媒層112及硬塗層204的光觸媒層127。亦即，光觸媒層127係含有第2粒子116，亦作為保護層或硬塗層來發揮功能。如部分放大圖所示，光觸媒層127係在AR層111之上，形成為比AR層111為更厚。其平均厚度係以2μm以上、10μm以下為宜。若平均厚度比2μm為更薄，難以出現用以支撐AR層111的充分硬度，若比10μm為更厚，在轉印時難以切開，容易發生毛邊。

光觸媒層127係比AR層111充分厚，即使以藉由第2粒子116所得之光觸媒作用，亦難以分解。因此，亦可使用熱可塑性、熱硬化性、紫外線及電子線硬化系的丙烯酸樹脂等為相對耐久性較高的有機樹脂，來形成光觸媒層127。此外，若欲賦予設計性、隱蔽性等，與圖1A同樣地，可在引體層113與接著層205之間，適當視需要，以適當厚度形成未圖示的裝飾用印刷層。形成引體層113、 印刷層、接著層205的方法係如前所述。

接著，一邊參照圖1A~圖2，一邊說明製作AR層111時的AR液的塗佈製程。圖2係顯示AR薄膜110中的AR液的塗佈裝置的構成的圖。在圖2中，關於與圖1A、圖1B及圖7~圖9為相同的構成要素，係使用相同符號，且省略說明。

首先，準備附剝離層的基底薄膜210，將剝離層朝向塗佈面作配置。塗佈裝置係具有：基底薄膜210的放捲部120、及收捲部121。放捲部120係為了塗佈AR液而連續供給基底薄膜210。收捲部121係捲繞被塗佈AR液的基底薄膜210。基底薄膜210係連續以圖2中以X1、X2所示方向被搬送。此外，為了防止因搬送時的剝離帶電所致之對基底薄膜210的皺褶發生，在基底薄膜210中與剝離層為相反側的面預先形成有帶電防止層(未圖示)。

基底薄膜210係例如以PET薄膜所形成。除此之外，亦可使用聚丙烯氰、聚胺酯、聚烯烴、聚碳酸酯、三醋酸纖維素等素材所形成的塑膠膜或塑膠片等。構成基底薄膜210的PET薄膜的平均厚度係依目的而作適當選擇，惟在捲撓式(roll-to-roll)塗佈中使用時的平均厚度係以20μm以上、250μm以下為佳。若平均厚度小於20μm，搬送時的張力控制較難，PET薄膜塑性變形而產生延伸皺褶。或者，當在基底薄膜210上積層各種層時，因塗劑乾燥時的熱硬化收縮等，PET薄膜容易翹曲，在後工程的處理變得較難。此外，若平均厚度大於250μm，在 捲筒製作時，塗佈長度變長，捲筒捲繞時的捲筒的捲繞芯徑會過大。因此，在後工程中難以處理或作為PET薄膜的成本亦變高。但是，亦可不限於上述範圍，而依需求、用途，使用上述範圍以外的平均厚度的PET薄膜、其他樹脂薄膜，亦不成問題。在本實施形態中，係以捲撓式塗佈設備塗佈AR層111，且使用平均厚度50μm的PET薄膜作為基底薄膜210。

對基底薄膜210中設有剝離層202的面塗佈AR液。因此，使用凹版塗敷機進行塗佈。塗佈部係由：用以將AR液塗佈在剝離層202上的凹版滾筒122、及導引滾筒125所構成。導引滾筒125係當以凹版滾筒122對基底薄膜210轉印AR液時，對基底薄膜210施加張力。因此，導引滾筒125與凹版滾筒122係以在該等之間夾著基底薄膜210的方式作配置。導引滾筒125係此外亦為了引導基底薄膜210、或為了維持張力而被配置在所需部位等。在凹版滾筒122係以螺旋狀形成有未圖示的深度數十μm的溝槽，AR液被供給至該溝槽之中。此外，凹版滾筒122係如圖2所示順時鐘旋轉。凹版滾筒122浸在液皿124內的AR液時，AR液被供給至凹版滾筒122的螺旋狀溝槽。接著，刮刀123由凹版滾筒122的表面刮取AR液至預定液量，在與剝離層202相接觸之前，AR液係成為僅殘留在凹版滾筒122的溝槽之中的狀態。之後，凹版滾筒122與剝離層202相接觸時，凹版滾筒122的溝槽內的AR液被轉印至剝離層202上，在剝離層202上形成AR 液的濕式狀態的膜。如上所示，形成均一擴展在基底薄膜210之上的AR層111。

其中，以AR液的塗佈方法而言，除了凹版印刷以外，亦可使用模具塗敷、壓延塗敷(calendar coating)、滾筒塗敷等其他所有塗佈方式。

在接下來的工程中，為了使剝離層202上的AR液熱硬化，基底薄膜210係被搬送至熱乾燥爐211。以熱乾燥爐211而言，係可使用溫風爐或紅外線加熱器(IR)爐、或併用熱風及IR的熱乾燥爐等一般裝置。在本實施形態中，係使用熱風循環爐，將AR層111以150℃熱乾燥1分鐘，並且使其熱硬化。如上所示將折射率為1.36、乾燥後的平均厚度為0.1μm的AR層111形成在剝離層202上。

在本實施形態中所使用的AR液係包含多孔質二氧化矽溶膠作為第1粒子114，包含烷基矽烷作為結合劑。使該等分散在水中，添加硝酸進行加水分解，且以固形分成為5%的方式以異丙醇稀釋而調製AR液。因此，在該例中，AR層111係含有少量的矽氧烷鍵。

接著，一邊參照圖1A、圖1B、圖3、圖4，一邊說明光觸媒塗料的塗佈製程。圖3係顯示光觸媒層112的塗佈裝置的構成的圖。圖4係按每個工程來說明空隙形成製程的圖。在圖3、圖4中，針對與圖1A~圖2及圖7~圖9為相同的構成要素，係使用相同符號，且省略說明。在圖3中，與圖2的AR液的塗佈製程同樣地，光觸媒塗料 的塗佈製程亦以捲撓式方式的凹版塗敷機進行塗佈。

首先，在放捲部120，以AR層111成為塗佈面的方式配置塗佈有AR層111的基底薄膜210。接著，將光觸媒塗料塗佈在基底薄膜210的AR層111上。光觸媒塗料係主要含有氧化鈦作為第2粒子116，含有矽氧樹脂作為結合劑。在以乾燥後的平均厚度為0.12μm的方式以凹版塗敷機塗佈光觸媒塗料之後，藉由熱乾燥爐211，以150℃熱乾燥2分鐘，並且使其熱硬化。光觸媒層112的折射率為1.80。如上所示，在AR層111上，均一地形成光觸媒層112。

之後，以被配置在熱乾燥爐211之後的紫外線照射部212，藉由金屬鹵素燈213，對光觸媒層112照射紫外線。以紫外線燈而言，亦可使用低壓水銀、高壓水銀、LED-UV燈等。

接著，一邊參照圖4，一邊說明可進行基底薄膜210上的剝離層202與AR層111之間的剝離強度的調整的機制。在圖3中，若基底薄膜210被搬送至紫外線照射部212，如工程(a)所示，紫外線214由金屬鹵素燈213被照射至光觸媒層112。此時，如工程(b)所示，反應性高的電子118由光觸媒層112中的第2粒子116被大量放出至外部，因此，形成為在光觸媒層112內發生多數反應性高的電子118的狀態。在形成光觸媒層112的樹脂基質115B並不存在有機鏈，而僅存在矽氧烷鍵。電子118由於能量小於矽氧烷鍵，因此在光觸媒層112內，係在樹脂 基質115B與電子118之間並不會發生氧化還原反應。因此，被放出的電子118係在光觸媒層112中到處移動，移動至鄰接的AR層111內。

構成AR層111的樹脂基質115A中的有機鏈的鍵結能係小於矽氧烷鍵，而且亦小於電子118所具有的能量。因此，在能量高的電子118、與鍵結能小於電子118的能量的有機鏈117之間係發生氧化還原反應，由有機鏈117奪取+電荷，電子118即安定化。結果，被奪取+電荷的有機鏈117的鍵結會在樹脂基質115A內脫落。亦即，樹脂基質115A中的有機鏈117被分解。由第2粒子116出現的大量電子118在與AR層111中的有機鏈117之間反覆氧化還原反應，反覆由AR層111中的樹脂基質115A所存在的有機鏈117奪取+電子。結果，在AR層111內，樹脂基質115A的有機鏈117的分子鍵結接連被切斷，AR層111中的有機鏈117的分解進展。

藉由如上所示之反應，在最終照射完特定積算光量的紫外線214的工程(c)中，係可在AR層111內的樹脂基質115A中的有機鏈117被分解的部位形成空隙119。結果，在AR層111內生成比第1粒子114的大小更為微小的無數空隙119。如上所示，在微觀的視點中，在有機鏈117被分解而消失的部位，在AR層111內發生空隙119。因此，空隙119的各個結果係存在於2個有機鏈117的各個的末端之間。第1粒子114及空隙119的大小係指第1粒子114及空隙119中的直徑成為最大的部分的 長度。

藉由如上所示所生成的空隙119，在剝離層202與AR層111之間形成不具接點的部位，剝離層202與AR層111之間的密接性會降低。如上所示，在AR薄膜110，係以在剝離層202與AR層111之間所生成的空隙119的效果，剝離層202與AR層111之間的剝離強度會變小。AR層111中的有機鏈117的分解量係關係到剝離層202與AR層111之間的剝離強度。因此，藉由適當調整被照射在光觸媒層112的紫外線214的能量，可調整AR層111中的有機鏈117的分解量，且可調整空隙119的形成量。

接著，說明AR層111中的有機鏈117的分解量的其他調整方法。

在該方法中，係以2種類矽氧樹脂的混合物構成AR層111的樹脂基質。其中一方矽氧樹脂係在AR層111熱硬化反應後，形成含有有機鏈117的分子構造。另一方矽氧樹脂係在AR層111熱硬化反應後，形成不含有有機鏈117的分子構造。後者的矽氧樹脂之例係包含矽酸甲酯或四乙氧基矽烷。

若形成如上所示之樹脂基質，由於熱硬化反應已經在熱乾燥爐211結束，因此在以矽酸甲酯或四乙氧基矽烷形成有AR層111中的樹脂基質的部位並沒有有機鏈117。因此，即使對光觸媒層112照射紫外線214，在熱硬化反應後成為不含有有機鏈117的分子構造的矽氧樹脂並不會 被分解。另一方面，藉由對光觸媒層112照射紫外線214，在熱硬化反應後成為含有有機鏈117的分子構造的矽氧樹脂即被分解。

如上所示，藉由在熱硬化反應後含有有機鏈117的矽氧樹脂、及成為在熱硬化反應後未含有有機鏈117的分子構造的矽氧樹脂的混合物，構成AR層111的樹脂基質，可調整AR層111中的空隙量。

此外，為了使AR層111中的有機鏈117的分解更有效率地促進，亦可使第2粒子116含有至剝離層202。如此一來，在對圖4的光觸媒層112照射紫外線214時，光觸媒作用由剝離層202與光觸媒層112的2方向朝AR層111發揮作用，AR層111中的有機鏈可在短時間內效率佳地分解。其中，若欲將剝離層202保持平滑，以構成剝離層202的樹脂而言，若使用矽氧樹脂等無機系樹脂即可。此時，可由藉由第2粒子116所致之光觸媒作用，來防止剝離層202分解。

在本實施形態中，在製作光觸媒層112之後，以紫外線照射部212照射由金屬鹵素燈213所發生的紫外線214。此時，將紫外線214的波長設為365nm，以積算光量成為1200mJ/cm²的方式調整照射時間。照射至光觸媒層112的紫外線的積算光量係以700mJ/cm²以上、5000mJ/cm²以下為宜。若積算光量比700mJ/cm²為更少，不會發生在以藉由光觸媒層112所致之光觸媒作用使AR層111內的有機鏈117分解時為充分數量的電子118。此 外，若積算光量大於5000mJ/cm²，成為基底薄膜201劣化的要因。但是，積算光量並非被限定在上述範圍，若藉由所使用的基底薄膜201的種類、光觸媒層112內所包含的第2粒子116的量、AR層111內的有機鏈117的含有量及所求出的AR層111內的有機鏈117的分解量來適當調整即可。若可得藉由形成空隙119所得之效果，積算光量即使在上述範圍外亦不會有問題。

在圖4所示之工程(c)之後，與一邊參照圖2一邊說明的AR層111的塗佈製程相同地，以乾燥後的平均厚度成為5μm的方式以凹版塗敷機塗佈後硬化型的硬塗層204。之後，以成為乾燥後的平均厚度2μm的方式以凹版塗敷機塗佈可與射出成形用樹脂的聚碳酸酯相接著的接著層205。

將以上製程所形成之AR薄膜110的剖面圖顯示於圖5。在AR薄膜110，係在剝離層202與AR層111的界面，在AR層111存在比第1粒子114的大小更為微小的無數空隙119。在形成無數空隙119的區域中，在剝離層202與AR層111之間沒有接點，因此成為密接性低的狀態。結果，在AR薄膜110中，藉由在剝離層202與AR層111之間無數存在的空隙119，剝離層202與AR層111之間的剝離強度比習知之轉印型AR薄膜為更小。此外，藉由所照射的紫外線量，可調整所形成的空隙119的量，因此可輕易調整剝離強度，且使剝離強度為最適。

此外，藉由在AR層111內所形成的無數空隙119， 在AR層111內形成空氣層，AR層111的折射率係變得更小。此外，在AR層111與光觸媒層112的界面，在空隙119中，被配置在AR層111之上的光觸媒層112的一部分形成為由AR層111露出的狀態。藉此，在AR層111被轉印至成形品之後，若使紫外線照射至AR層111的表面，藉由光觸媒層112的光觸媒效果，亦可使附在AR層111的表面的有機物等汚染物分解。此外，在AR層111被轉印至成形品之後，若欲由光觸媒層112的光觸媒作用保護硬塗層204，在光觸媒層112與硬塗層204之間視需要以適當厚度設置1層由無機材料所形成的防護層(未圖示)即可。藉由設置防護層，硬塗層204並不會受到光觸媒層112的光觸媒作用的影響。

相較於不具光觸媒層112之習知之轉印型AR薄膜，剝離層202與AR層111之間的剝離強度小，因此若使用AR薄膜110，藉由聚碳酸酯樹脂來實施模內成形時，當由剝離層202將AR層111脫模時，難以發生AR層111對成形品的轉印不良，可安定地轉印AR層111。

(實施形態2)

在轉印型AR薄膜中，轉印至成形品之部位的剝離層與AR層之間的剝離強度係被設定為相對較小的狀態。但是，若未被轉印的部位的剝離層與AR層之間的剝離強度小，轉印層容易由剝離層被剝落，在使轉印型AR薄膜的寬幅相一致時，藉由狹縫工程，包含AR層的轉印層由剝 離層被剝落，成為因轉印層而起的粉飛散的要因。如上所示之粉飛散至薄膜的狹縫時，若一部分混入至狹縫加工中的轉印型AR薄膜捲筒內，其會形成為異物，混入的粉會附著在轉印型AR薄膜面。若在如上所示之狀態下，轉印型AR薄膜直接被捲繞，該部位的轉印層會變形成凹凸，發生印刷不良。因此，進行狹縫加工的部位的剝離層與AR層之間的剝離強度係以保持為比被轉印的部位為更大為佳。

但是，在習知之剝離層與AR層之間的剝離強度的調整法中，形成有剝離層的薄膜全體的剝離強度基本上在面內被調整為相同。因此，若欲在薄膜面內變更轉印型AR薄膜的剝離強度，形成在同一薄膜上的剝離層與AR層之間的剝離強度係成為相同程度的值。因此，要在轉印型AR薄膜面內改變僅有特定部位的剝離層與AR層之間的剝離強度乃極為困難。

在本發明之實施形態2中，一邊參照圖1A、圖6，一邊說明將剝離層與AR層之間的剝離強度輕易地最適化，並且亦解決如上所述之課題之轉印薄膜及轉印薄膜之製造方法。

圖6係說明本實施形態中之光觸媒層之塗佈工程的圖。在圖6中，針對與圖1A~圖4及圖7~圖9相同的構成要素，係使用相同符號，且省略說明。

使用與圖3所示之實施形態1相同之附剝離層的基底薄膜210，至塗佈AR層111的工程為止係與實施形態1 為相同，以捲撓式(Roll to Roll)的凹版塗敷機，將AR層111塗佈在基底薄膜210的剝離層。在光觸媒層112的塗佈中，在光觸媒層112的熱乾燥工程後，以紫外線照射部212的金屬鹵素燈213對光觸媒層112照射紫外線214的工程係以接下來的製程進行。在圖6中，以顯示在紫外線照射部212內對光觸媒層112照射紫外線214的樣子的部分放大圖而言，顯示(a)及(b)之2種構成。部分放大圖(a)、(b)係由與紫外線214的照射方向呈正交的方向觀看照射紫外線214時的紫外線照射部212的內部的平面圖。以下將與以箭號所示之基底薄膜210的進給方向呈垂直的方向稱為寬幅方向。

當以凹版塗敷機塗佈時，在寬幅方向的兩端部，相較於中心部，塗劑的塗佈量較多。因此，在寬幅方向的中心部及端部，塗膜的厚度不同。為了在完成品的轉印型AR薄膜的中心部及端部，使高度(厚度)相一致，必須將轉印型AR薄膜薄膜進行狹縫加工。亦即，轉印型AR薄膜完成後，將基底薄膜210的兩端進行狹縫加工而使轉印型AR薄膜的表面的凸部消失。如上所示，將轉印型AR薄膜捲筒的中心部與端部的高度，亦即轉印型AR薄膜捲筒的中心部與端部的厚度相配合。

在狹縫加工時，AR層111由剝離層202剝離，包含AR層111的轉印層的一部分由剝離層202被剝落，成為粉而在周圍飛散即為問題。如上所述，若飛散的粉混入至狹縫加工中的轉印型AR薄膜捲筒內，在混入粉的部位， 因粉而形成凹凸，使轉印型AR薄膜的轉印層變形、或在後工程的裝飾印刷及成形工程成為異物，而發生不良品。因此，為防止發生粉，以剝離層202與AR層111之間的剝離強度較大為佳。

在本實施形態中，為了抑制在轉印型AR薄膜的狹縫加工時發生粉，如圖6(a)所示，使用比形成有AR層111及光觸媒層112的基底薄膜210的塗佈寬幅為更小的寬幅的金屬鹵素燈213，將紫外線214照射至光觸媒層112。或者，使用照射強度相較於中心部的紫外線照射量(照度)，以端部的紫外線照射量(照度)為較弱的金屬鹵素燈213。藉由使用如上所示之金屬鹵素燈213，將藉由光觸媒層112所致之AR層111中的有機鏈117的分解量，相較於中心部，以在兩端部較為減少。藉此在寬幅方向的兩端部，可將剝離層202與AR層111之間的剝離強度，保持在比寬幅方向的中心部為較大的狀態。因此，在狹縫加工時，難以由剝離層202剝落包含AR層111的轉印層，抑制粉的發生。藉此，可減低在狹縫加工之對轉印型AR薄膜捲筒內混入粉。

此外，有使用寬幅大的基底薄膜210來加大塗佈寬幅，例如在轉印型AR薄膜完成後，寬幅方向的中心部亦進行狹縫加工，以寬幅方向分割成2個以上的情形。在如上所示之情形下，如圖6(b)所示，以對端部與中心部的光觸媒層112的紫外線照射量減少的方式配合狹縫寬幅，設置2個金屬鹵素燈213。或者，使用1個金屬鹵素 燈213，僅有中心部調整紫外線量。因此，亦可在金屬鹵素燈213中，在相當於進行狹縫加工的場所之處，附上可調整為特定紫外線能量的紫外線截止濾波器，對光觸媒層112照射紫外線214。藉此，在轉印型AR薄膜的寬幅方向的兩端部與中心部，可減少AR層111中的有機鏈117的分解量。結果，可將該部位的剝離層202與AR層111之間的剝離強度保持在比轉印的其他部位為更大的狀態。藉此，與圖6(a)所示構成同樣地，在狹縫加工時，可抑制因在狹縫部位由剝離層202剝落之包含AR層111的轉印層所致之粉的發生。因此，可防止狹縫加工時的粉飛散，且可防止因狹縫加工中對轉印型AR薄膜捲筒內的粉飛散所致之異物混入。

如上所示，可一邊輕易地將剝離層202與AR層111之間的剝離強度最適化，一邊在AR薄膜110的狹縫加工時，防止粉飛散。

其中，在本實施形態中，係在寬幅方向的中央部及兩端部調整紫外線214的照射量，但是亦可紫外線214的照射量為一定，在中央部及端部改變AR層111中的有機鏈117的量，藉此調整剝離強度。

如以上所示，藉由本實施形態所得之模內成形用轉印薄膜亦即AR薄膜110(126)係具有：基底薄膜201、剝離層202、及作為反射防止層的AR層111。剝離層202係具有：與基底薄膜201相接的第1面、及該第1面的背側的第2面。AR層111係與剝離層202的第2面相接。 AR層111係具有：具有有機鏈117的第1樹脂(樹脂基質115A)；及包含在該第1樹脂中且折射率比第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子114。在AR層111中，至少在與剝離層202的界面，設有第1樹脂的有機鏈117的一部分被分解而形成的複數空隙119。空隙119的各個係比低折射率微粒子114的各個為更小。

AR薄膜110(126)較佳為另外具有：與相對AR層111之與剝離層202相接的表面的背面相接，具有大於有機鏈117的鍵結能的鍵結能的第2樹脂(樹脂基質115B)；及第2樹脂中所含有的光觸媒微粒子116的光觸媒層112(127)。第2樹脂係以具有矽氧烷鍵為更佳，亦以空隙119亦被形成在AR層111與光觸媒層112的界面，藉由空隙119，光觸媒層112由AR層111露出為更佳。

此外，AR層111的平均厚度係以0.05μm以上、0.15μm以下為佳，其折射率係以1.31以上、1.38以下為佳。

此外，剝離層202亦以含有光觸媒微粒子116為佳。

此外，剝離層202與AR層111之間的剝離強度以相較於1個寬幅方向中的中心部，在兩端部為較大為佳，AR層111亦以相較於上述寬幅方向中的中心部，以在兩端部，在第1樹脂中含有較多有機鏈117為佳。

在藉由本實施形態所為之轉印型薄膜之製造方法中，首先，依序積層：基底薄膜201；剝離層202；在具有有 機鏈117的第1樹脂中包含折射率低於第1樹脂的複數低折射率微粒子114的AR層111；及光觸媒層112。接著，對光觸媒層112照射紫外線而在AR層111中之至少與剝離層202的界面，形成小於低折射率微粒子114的各個的複數空隙119。此時，藉由紫外線的照射，在光觸媒層112生成電子，電子進入至AR層111而將有機鏈117的一部分分解而形成空隙119。藉由此時的紫外線的照射量，調整所形成的空隙119的量。

其中，在光觸媒層112之被照射紫外線的面，設置紫外線的照射量互相不同的第1部位及第2部位。藉此，可以和AR層111與剝離層202的界面呈平行的方向，使在對應第1部位的部分所形成的空隙119的量、與在對應第2部位的部分所形成的空隙119的量不同。

如以上所示，藉由本發明，可將剝離層與功能層之間的剝離強度調整為最適。因此，有用於在模內成形所使用的轉印薄膜及其製造方法等。

111‧‧‧AR層

112‧‧‧光觸媒層

114‧‧‧低折射率微粒子(第1粒子)

115A‧‧‧樹脂基質

115B‧‧‧樹脂基質

116‧‧‧光觸媒微粒子(第2粒子)

117‧‧‧有機鏈

118‧‧‧電子

119‧‧‧空隙

201‧‧‧基底薄膜

202‧‧‧剝離層

210‧‧‧基底薄膜

213‧‧‧金屬鹵素燈

214‧‧‧紫外線

Claims (10)

1. 一種模內成形用轉印薄膜，其係具備有：基底薄膜；剝離層，其係具有：與前述基底薄膜相接的第1面、及前述第1面的背側的第2面；及反射防止層，其係具有：與前述剝離層的前述第2面相接，且具有有機鏈的第1樹脂；及包含在前述第1樹脂中，且折射率比前述第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子，在前述反射防止層中，至少在與前述剝離層的界面設有前述有機鏈的一部分被分解而形成的複數空隙，前述複數空隙的各個係比前述複數低折射率微粒子的各個為較小。
2. 如申請專利範圍第1項之模內成形用轉印薄膜，其中，另外具備有：光觸媒層，其係具有：與相對前述反射防止層之與前述剝離層相接的表面的背面相接，且具有比前述有機鏈的鍵結能為較大的鍵結能的第2樹脂；及第2樹脂中所含有的光觸媒微粒子。
3. 如申請專利範圍第2項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述第2樹脂係具有矽氧烷鍵。
4. 如申請專利範圍第2項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述空隙係亦形成在前述反射防止層與前述光觸媒層的界面，藉由前述空隙，前述光觸媒層由前述反射防止層露出。
5. 如申請專利範圍第1項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述反射防止層的平均厚度為0.05μm以上、0.15μm以下，前述反射防止層的折射率為1.31以上、1.38以下。
6. 如申請專利範圍第1項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述剝離層含有光觸媒微粒子。
7. 如申請專利範圍第1項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述剝離層與前述反射防止層之間的剝離強度相較於1個寬幅方向中的中心部，以在兩端部為較大。
8. 如申請專利範圍第1項之模內成形用轉印薄膜，其中，前述反射防止層係相較於1個寬幅方向中的中心部，在兩端部，在前述第1樹脂中含有較多前述有機鏈。
9. 一種模內成形用轉印薄膜之製造方法，其係具備有：依序積層：基底薄膜、剝離層、及在具有有機鏈的第1樹脂中包含折射率比前述第1樹脂為較低的複數低折射率微粒子的反射防止層、及光觸媒層的步驟；及對前述光觸媒層照射紫外線而在前述反射防止層中至少與前述剝離層的界面形成比前述複數低折射率微粒子的各個為較小的複數空隙的步驟，藉由前述紫外線的照射，在前述光觸媒層生成電子，前述電子進入至前述反射防止層，將前述有機鏈的一部分分解而形成前述空隙，且調整藉由前述紫外線的照射量所形成的前述空隙的量。
10. 如申請專利範圍第9項之模內成形用轉印薄膜之製造方法，其中，在前述光觸媒層之被照射前述紫外線的面，設置前述紫外線的照射量為互相不同的第1部位及第2部位，藉此在與前述反射防止層與前述剝離層的界面呈平行的方向，使在對應前述第1部位的部分所形成的前述空隙的量、及在對應前述第2部位的部分所形成的前述空隙的量為不同。