TW201631017A - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種樹脂組成物，該樹脂組成物所得到的硬化物係可形成翹曲抑制性及污點除去性為優異之同時對表面為高剝離強度的導體層。 解決課題之本發明之樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、或包含(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂， □(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。

Description

樹脂組成物
本發明係有關樹脂組成物。又係有關包含該樹脂組成物的薄片狀層合材料、多層印刷配線板及半導體裝置。
近年來隨著電子機器之小型化、高性能化之進展，半導體封裝基板中的增層(build-up layer)被複數層化，而要求著配線的微細化及高密度化。
對此已實施有各種的對策。例如，專利文獻1中揭示一種樹脂組成物，其係包含聯苯芳烷基型環氧樹脂、特定的硬化劑、特定的無機填充材、與特定的苯氧基樹脂，可維持低熱膨脹率之同時經硬化而得到的絕緣層表面的粗糙度為安定且低、可形成具有高剝離強度的導體層、可適合使用於焊錫耐熱性為優異的電路基板的絕緣層之形成。然而，對於樹脂組成物所得到的硬化物係可形成充分的翹曲抑制性及污點除去性為優異之同時對表面為高剝離強度的導體層，則未有任何記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-89038號公報
本發明所欲解決之課題係提供一種樹脂組成物，該樹脂組成物所得到的硬化物係可形成翹曲抑制性及污點除去性為優異之同時對表面為高剝離強度的導體層。
本發明人經深入研究之結果發現，藉由一種樹脂組成物(以下亦稱為「第一樣態的樹脂組成物」)，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂，(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上，或藉由一種樹脂組成物(以下亦稱為「第二樣態的樹脂組成物」)，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂，
(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上，藉由上述「第一樣態的樹脂組成物」、「第二樣態的樹脂組成物」可解決上述課題，因而完成本發明。
即，本發明為包含下述內容。
[1].一種樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂，(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。
[2].如上述[1]之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂的含有量為3~20質量%。
[3].如上述[1]或[2]之樹脂組成物，其中，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂係具有聯苯二亞甲基骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂。
[4].如上述[1]~[3]中任一項之樹脂組成物，其中，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂 係具有下述一般式(2)的構造單位的環氧樹脂，
(式中，R為縮水甘油氧基，m為2)。
[5].如上述[1]~[4]中任一項之樹脂組成物，其中，(A)環氧樹脂係進而包含(A3)其他的環氧樹脂。
[6].如上述[1]~[5]中任一項之樹脂組成物，其中，(B)硬化劑係活性酯系硬化劑。
[7].如上述[1]~[6]中任一項之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(B)硬化劑的含有量為3~20質量%。
[8].上述[1]~[7]中任一項之樹脂組成物，其係進而包含(C)無機填充劑。
[9].如上述[8]之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(C)無機填充材的含有量為50質量%以上。
[10].如上述[8]或[9]之樹脂組成物，其中，(C)無機填充材的平均粒徑為0.01~5μm。
[11].如上述[1]~[10]中任一項之樹脂組成物，其係多層印刷配線板的絕緣層形成用樹脂組成物。
[12].一種薄片狀層合材料，其係使用上述[1]~[11]中 任一項之樹脂組成物而成。
[13].一種硬化物，其係將上述[1]~[11]中任一項之樹脂組成物熱硬化而成。
[14].如上述[13]之硬化物，其中，藉由鍍敷於硬化物表面形成導體層，該硬化物表面與該導體層的鍍敷剝離強度為0.25~1.0kgf/cm。
[15].如上述[13]或[14]之硬化物，其中，硬化物表面為粗化處理後的表面，該粗化處理後的表面的算術平均粗糙度為10~250nm，且均方根粗糙度為20~350nm。
[16].一種多層印刷配線板，其係藉由上述[13]~[15]中任一項之硬化物來形成絕緣層。
[17].一種半導體裝置，其係使用上述[16]之多層印刷配線板而成。
[18].一種樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物， (A)環氧樹脂係包含(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂，
(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。
[19].如上述[18]之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂的含有量為3~20質量%。
[20].如上述[18]或[19]之樹脂組成物，其中，(A)環氧樹脂係進而包含(A3)其他的環氧樹脂。
[21].如上述[18]~[20]中任一項之樹脂組成物，其中，(B)硬化劑係活性酯系硬化劑。
[22].如上述[18]~[21]中任一項之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(B)硬化劑的含有量為3~20質量%。
[23].上述[18]~[22]中任一項之樹脂組成物，其係進而包含(C)無機填充劑。
[24].如上述[23]之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(C)無機填充材的含有量為50質量%以上。
[25].如上述[23]或[24]之樹脂組成物，其中，(C)無機填充材的平均粒徑為0.01~5μm。
[26].如上述[18]~[25]中任一項之樹脂組成物，其係多層印刷配線板的絕緣層形成用樹脂組成物。
[27].一種薄片狀層合材料，其係使用上述[18]~[26]中任一項之樹脂組成物而成。
[28].一種硬化物，其係將上述[18]~[26]中任一項之樹脂組成物熱硬化而成。
[29].如上述[28]之硬化物，其中，藉由鍍敷於硬化 物表面形成導體層，該硬化物表面與該導體層的鍍敷剝離強度為0.25~1.0kgf/cm。
[30].如上述[28]或[29]之硬化物，其中，硬化物表面為粗化處理後的表面，該粗化處理後的表面的算術平均粗糙度為10~250nm，且均方根粗糙度為20~350nm。
[31].一種多層印刷配線板，其係藉由上述[28]~[30]中任一項之硬化物來形成絕緣層。
[32].一種半導體裝置，其係使用上述[31]之多層印刷配線板而成。
藉由本發明可提供一種樹脂組成物，該樹脂組成物所得到的硬化物係可形成翹曲抑制性及污點除去性為優異且對表面為高剝離強度的導體層。
[實施發明之最佳形態]
本說明書中所謂的「硬化物」，若未特別告知時則意味著將本發明的樹脂組成物熱硬化而成的硬化物；又，「硬化物」為形成絕緣層，典型而言如形成電路基板(層合板、多層印刷配線板等)中的絕緣層。
又，本發明中所謂的「硬化物之翹曲」係包含：藉由硬化物所形成的絕緣層之翹曲、或包含藉由硬化物所形成的絕緣層的電路基板(層合板、多層印刷配線板等)之翹 曲之概念。
以下對於本發明的樹脂組成物的調配成分詳細說明。
<(A)環氧樹脂>
使用於本發明的(A)環氧樹脂係包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、或包含(A2)一般式(1)：
所表示的環氧樹脂。
該等2個環氧樹脂((A1)、(A2))，係於一分子內具有縮水甘油氧基苯骨架、及與該縮水甘油氧基苯骨架中的苯環為另外的芳香環骨架(苯環)之化合物，此點為共通點。
當(A)環氧樹脂包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂時，藉由該(A1)環氧樹脂具有的聯苯骨架，可有效地提升硬化物與導體層之密著性，藉由具有二縮水甘油氧基苯骨架，可有效地提升硬化物之翹曲抑止性(特別是在對硬化物施以焊錫回流步驟之翹曲抑制性)及硬化物之污點除去性。
又，當(A)環氧樹脂包含(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂時，由於該(A2)環氧樹脂具有剛硬之骨架，可有效地抑制在對硬化物施以焊錫回流步驟等之翹曲，又，藉由具有氮元素(=N-)，可有效地提升硬化物之污點除去性。
作為(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂，以具有聯苯二亞甲基骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂為較佳，以具有下述一般式(2)的構造單位的環氧樹脂為更佳。
(式中，R為縮水甘油氧基，m為2)。
(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂係可使用市售品，例如作為具有上述一般式(2)的構造單位的環氧樹脂，可舉例如下述式(3)所表示者。如此般的環氧樹脂係由日本化藥(股)以「NC3500」等的名稱市售著。
式(3)中的重複單位數n、l，n以平均值而言為1~15(較佳為1~7，又較佳為1~4)之數；l以平均值而言為0~15(較佳為0~7，又較佳為0~4)之數。又，n與l之比率(l/n)為0~15，較佳為0.5~5。又，n與l之和為30以下(為較佳為14以下，又較佳為8以下)。
(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂之環氧當量未特別限制，以100~2000為較佳，以100~1000為又較佳，以130~500為更佳，以150~270為特佳。藉由環氧當量為位於該較佳的範圍，可使硬化物的交聯密度提升，並提升硬化物的去污點性或翹曲抑制性。尚，本發明中，環氧當量(g/eq)係意味著含有1當量的環氧基的樹脂之質量，可依據JIS K7236：2001來進行測定。
(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂，於150℃之ICI熔融黏度未特別限制，較佳為0.1~0.5Pa‧s。藉此具有可使樹脂組成物中的無機填充材成為高調配等之優點。尚，本發明中ICI熔融黏度之測定可使用ICI錐板黏度計(高溫用)來測定。
本發明的樹脂組成物(第一樣態的樹脂組成物)中，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的 環氧樹脂的含有量未特別限定，就硬化物與導體層之密著性之提升、在焊錫回流步驟的硬化物之翹曲抑制性等之觀點而言，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，以3質量%以上為較佳，6質量%以上為又較佳。另一方面，就樹脂組成物之可撓性(特以提升使用樹脂組成物所形成的接著薄膜之可撓性)之觀點而言，以20質量%以下為較佳，15質量%以下為又較佳。
(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂，係包含鍵結於2個苯環的分別的縮水甘油氧基對於與苯環的含氮五員環之鍵結為位於鄰位或對位者，以下述式(4)所表示的環氧樹脂為較佳。
該式(4)的環氧樹脂，如以日本化藥(股)製「WHR-991S」的名稱市售著。
(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂之環氧當量未特別限制，以100~2000為較佳，100~1000為又較佳，130~500為更佳，150~270為特佳。藉由環氧當量為位於該較佳的範圍，可使硬化物的交聯密度提升，並提升硬化物的去污點性或翹曲抑制性。
(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂，於 150℃之ICI熔融黏度未特別限制，較佳為0.1~0.5Pa‧s。藉此具有可使樹脂組成物中的無機填充材成為高調配等之優點。
本發明的樹脂組成物(第二樣態的樹脂組成物)中，(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂的含有量未特別限定，就硬化物與導體層之密著性之提升、在焊錫回流步驟的硬化物之翹曲抑制性等之觀點而言，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，以3質量%以上為較佳，6質量%以上為又較佳。另一方面，就樹脂組成物之可撓性(特以提升使用樹脂組成物所形成的接著薄膜之可撓性)之觀點而言，以20質量%以下為較佳，15質量%以下為又較佳。
本發明的樹脂組成物中，在可發揮本發明效果之範圍內，因應所需亦可併用(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、或(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂、與該等以外的(A3)其他的環氧樹脂。
即，本發明的(A)環氧樹脂，在第一樣態的樹脂組成物中包含：(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂單獨的實施形態；以及併用(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂與(A3)其他的環氧樹脂的實施形態。又，第二樣態的樹脂組成物中包含：(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂單獨的實施形態；以及併用(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂 與(A3)其他的環氧樹脂的實施形態。
作為(A3)其他的環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環的環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂等。該等可使用1種或2種以上，其中以雙酚A型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂為較佳。又，(A3)其他的環氧樹脂之環氧當量，以100~2000為較佳，100~1000為又較佳，130~500為更佳，130~270為特佳。
併用(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、與(A3)其他的環氧樹脂時，或併用(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂、與(A3)其他的環氧樹脂時，就硬化物與導體層之密著性之提升、在焊錫回流步驟的硬化物之翹曲抑制性等之觀點而言，樹脂組成物中的(A)環氧樹脂的含有量，係以將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，較佳為10~40質量%，又較佳為13~30質量%。該(A)環氧樹脂的含有量中， (A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、與(A3)其他的環氧樹脂之比例((A1)：(A3))、或(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂、與(A3)其他的環氧樹脂之比例((A2)：(A3))，以1：0.3~1：3(質量比)為較佳，1：0.5~1：2(質量比)為又較佳。
尚，本發明的樹脂組成物中，可使用(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂來取代(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂之一部分，亦可使用(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂來取代(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂之一部分。即，可併用(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂、與(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂。
<(B)硬化劑>
使用於本發明的(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。就所謂抑制硬化物之翹曲、貢獻於粗化處理後的硬化物的低粗糙度化之觀點而言，以活性酯系硬化劑為較佳。又，將活性酯系硬化劑使用作為環氧樹脂組成物的硬化劑時，一般而言，環氧樹脂組成物的硬化物於加工後具有容易殘留污點之傾向，但本發明的樹脂組成物中，即使是硬化物的加工後的污點除去性亦為良好。
作為苯酚系硬化劑係未特別限制，以使用選擇自由聯苯型硬化劑、萘型硬化劑、酚酚醛型硬化劑、伸萘基醚型硬化劑、含有三嗪骨架之苯酚系硬化劑之1種以上為較佳。具體而言，可舉例聯苯型硬化劑的MEH-7700、MEH-7810、MEH-7851(明和化成(股)製)、萘型硬化劑的NHN、CBN、GPH(日本化藥(股)製)、SN170、SN180、SN190、SN475、SN485、SN495、SN375、SN395(新日鐵化學(股)製)、EXB9500(DIC(股)製)、酚酚醛型硬化劑的TD2090(DIC(股)製)、伸萘基醚型硬化劑的EXB-6000(DIC(股)製)、含有三嗪骨架之苯酚系硬化劑的LA3018、LA7052、LA7054、LA1356(DIC(股)製)等。該等係可1種或2種以上來使用。
作為氰酸酯系硬化劑係未特別限制，可舉例酚醛型(酚酚醛型、烷基酚酚醛型等)氰酸酯系硬化劑、雙環戊二烯型氰酸酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯系硬化劑、及該等已進行一部分三嗪化的預聚物等。氰酸酯系硬化劑的重量平均分子量係未特別限定，以500~4500為較佳、以600~3000為又較佳。作為氰酸酯系硬化劑的具體例，可舉例如雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯(寡聚物(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙 (4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、酚酚醛、甲酚酚醛、含有雙環戊二烯構造之酚樹脂等所衍生的多官能氰酸酯樹脂、該等氰酸酯樹脂已進行一部分三嗪化的預聚物等。該等係可1種或2種以上來使用。作為市售的氰酸酯樹脂，可舉例酚酚醛型多官能氰酸酯樹脂(Lonza Japan(股)製、PT30S、氰酸酯當量124)、雙酚A二氰酸酯的一部分或全部已進行三嗪化而成為三聚體的預聚物(Lonza Japan(股)製、BA230S、氰酸酯當量232)、含有雙環戊二烯構造之氰酸酯樹脂(Lonza Japan(股)製、DT-4000、DT-7000)等。
作為活性酯系硬化劑係未特別限制，一般以使用將苯酚酯類、苯硫酚酯類、N-羥胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之在1分子中具有2個以上反應活性較高的酯基之化合物為較佳。該活性酯系硬化劑係以羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物予以縮合反應而所得者為較佳。特別是就耐熱性提升之觀點而言，以由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑為較佳、以羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑為又較佳。作為羧酸化合物，可舉例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、焦蜜石酸二酐等。作為苯酚化合物或萘酚化合物，可舉例氫醌、間苯二酚、雙酚 A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯基酮、三羥基二苯基酮、四羥基二苯基酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯基二酚、酚酚醛等。活性酯系硬化劑係可1種或可2種以上來使用。作為活性酯系硬化劑，具體而言以包含二環戊二烯基二酚構造之活性酯系硬化劑、包含萘構造之活性酯系硬化劑、酚酚醛的乙醯化物之活性酯系硬化劑、酚酚醛的苯甲醯化物之活性酯系硬化劑等為較佳，其中，就剝離強度提升為優異之點而言，以包含二環戊二烯基二酚構造之活性酯系硬化劑為又較佳。作為活性酯系硬化劑係可使用日本特開2004-277460號公報所揭示的活性酯系硬化劑、又亦可使用市售者。作為市售品，可舉例作為包含二環戊二烯基二酚構造之EXB9451、EXB9460、EXB9460S-65T、HPC8000-65T(DIC(股)製、活性基當量約223)、作為酚酚醛的乙醯化物之活性酯系硬化劑之DC808(三菱化學(股)製、活性基當量約149)、作為酚酚醛的苯甲醯化物之活性酯系硬化劑之YLH1026(三菱化學(股)製、活性基當量約200)、YLH1030(三菱化學(股)製、活性基當量約201)、YLH1048(三菱化學(股)製、活性基當量約245)等。
作為包含二環戊二烯基二酚構造之活性酯系硬化劑，更具體而言，可舉例下式(5)之化合物。
(式中，R為芳基、k係表示0或1、n以重複單位的平均而言為0.05~2.5)。
作為R的芳基係可舉例苯基、萘基，就使硬化物的介電正切降低、使耐熱性提升之觀點而言，R係以萘基為較佳，另一方面，k係以0為較佳，又，n係以0.25~1.5為較佳。
(B)硬化劑係可1種或可組合2種以上來使用，(B)硬化劑的含有量，就硬化物之翹曲抑制性及粗化處理後的硬化物的低粗糙度化之觀點而言，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，以3~20質量%為較佳、5~15質量%為又較佳。
本發明的樹脂組成物中，(A)環氧樹脂的環氧基之合計數與(B)硬化劑的反應基之合計數之比例，以1：0.2~1：2為較佳、1：0.3~1：1.5為又較佳、1：0.4~1：1為更佳。尚，所謂環氧樹脂的環氧基之合計數，係指對於全部的環氧樹脂，將存在於樹脂組成物中的各環氧樹脂的固形分質量除以環氧當量所得之值之合計值；所謂硬化劑的反應基之合計數，係指對於全部的硬化劑，將存在於樹脂組成物中的各硬化劑的固形分質量除以反應基當量所得之值之合計值。
<(C)無機填充材>
本發明的樹脂組成物係藉由使進而含有(C)無機填充材，可使翹曲抑制提升。作為無機填充劑係未特別限定，可舉例如矽石、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣等。其中，以無定形矽石、粉碎矽石、熔融矽石、結晶矽石、合成矽石、中空矽石、球狀矽石等之矽石為較佳，特別是就使絕緣層的表面粗糙度降低之點而言，以熔融矽石、球狀矽石為又較佳、球狀熔融矽石為更佳。該等係可1種或可組合2種以上來使用。作為市售的球狀熔融矽石可舉例(股)Admatechs製「SOC2」、「SOC1」等。
(C)無機填充材的平均粒徑係未特別限定，就粗化處理後的硬化物的表面將成為低粗糙度，而可能進行微細配線形成之觀點而言，以5μm以下為較佳、3μm以下為又較佳、2μm以下為更佳、1μm以下為進而更佳、0.8μm以下為特更佳、0.6μm以下為特佳。另一方面，將樹脂組成物製成樹脂清漆時，就為了防止清漆的黏度提升而致操作性降低之觀點而言，以0.01μm以上為較佳、0.03μm以上為又較佳、0.05μm以上為更佳、0.07μm以上為進而更佳、0.1μm以上為特更佳。上述無機填充材的平均粒徑係可藉由根據米氏(Mie)散射理論之雷射繞射‧散射法來進行測定。具體而言，藉由雷射繞射 散射式粒度分布測定裝置，將無機填充材的粒度分布以體積基準製成，可藉由將其平均值粒徑設為平均粒徑來進行測定。測定樣品係較佳可使用藉由超音波使無機填充材分散於水中者。作為雷射繞射散射式粒度分布測定裝置係可使用(股)堀場製作所製LA-950等。
(C)無機填充材的含有量，就提高硬化物之翹曲的抑制效果之點而言，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，以40質量%以上為較佳、50質量%以上為又較佳、60質量%以上為更佳、70質量%以上為進而更佳。另一方面，就防止硬化物變脆或防止硬化物表面上所形成的導體層之剝離強度之降低之點而言，以90質量%以下為較佳、85質量%以下為又較佳、80質量%以下為更佳。特別是包含無機填充材為50質量%以上的樹脂組成物之硬化物，一般而言，其表面上所形成的導體層之剝離強度將易於降低，但本發明的樹脂組成物中，可同時兼具硬化物之翹曲抑制效果、與硬化物表面上所形成的導體層之剝離強度。
(C)無機填充材係以表面處理劑進行表面處理為較佳，作為表面處理劑，具體而言可舉例胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、苯乙烯基矽烷系偶合劑、丙烯酸酯矽烷系偶合劑、異氰酸酯矽烷系偶合劑、硫醚矽烷系偶合劑、乙烯基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等。其中，以胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、矽烷系偶 合劑、有機矽氮烷化合物為較佳。作為市售品，可舉例信越化學工業(股)製「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。表面處理劑係可1種或可2種以上來使用。藉由使用以該表面處理劑進行表面處理的無機填充材，可提升於(C)無機填充材的樹脂組成物中之分散性、樹脂組成物之耐濕性。
以表面處理劑將無機填充材進行表面處理之方法係未特別限定，可舉例乾式法或濕式法。作為乾式法，可舉例如於旋轉混合器中裝入無機填充材，一邊攪拌一邊滴下或噴霧表面處理劑的醇溶液或水溶液後，進而攪拌並藉由篩分來分級，之後藉由加熱使表面處理劑與無機填充材進行脫水縮合之方法。作為濕式法，可舉例如將包含無機填充材與有機溶媒之漿料一邊攪拌一邊於該漿料中添加表面處理劑並攪拌後，藉由過濾、乾燥及篩分來進行分級，之後藉由加熱使表面處理劑與無機填充材進行脫水縮合之方法。又，藉由於包含無機填充材之樹脂組成物中添加表面處理劑之整體摻混法亦可進行表面處理。
尚，將完成表面處理的無機填充材(即，已經以表面處理劑進行表面處理的無機填充材)添加於樹脂 組成物中為較佳。藉由如此般之方式，可更進而提高於(C)無機填充材的樹脂組成物中之分散性。
<(D)高分子樹脂>
本發明的樹脂組成物中係可進而含有(D)高分子樹脂。藉由使含有高分子樹脂，可使硬化物的機械強度提升，又，可使將樹脂組成物以接著薄膜的形態來使用時之薄膜成型能力提升。作為該(D)高分子樹脂，可舉例苯氧基樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂，其中，以苯氧基樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂為較佳、苯氧基樹脂為又較佳。(D)高分子樹脂係可使用1種或2種以上。苯氧基樹脂係可具有環氧基，環氧當量係以6000~30000為較佳。
(D)高分子樹脂的重量平均分子量係以8000~200000的範圍內為較佳、12000~100000的範圍內為又較佳、20000~60000的範圍內為更佳。尚本發明之重量平均分子量係以凝膠滲透層析法(GPC)法(聚苯乙烯換算)來測定。藉由GPC法之重量平均分子量，具體而言，使用將作為測定裝置之(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A、作為管柱之昭和電工(股)公司製Shodex K-800P/K-804L/K-804L、作為移動相之三氯甲烷等，以管柱溫度40℃來進行測定，可使用標準聚苯乙烯的檢量線 來算出。
本發明的樹脂組成物中調配(D)高分子樹脂時，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，以0.1~10質量%為較佳、0.5~5質量%為又較佳。若為此範圍內時，可發揮樹脂組成物的薄膜成型能力或硬化物的機械強度提升之效果，進而可更發揮樹脂組成物的熔融黏度之上昇、或使濕式粗化步驟後之絕緣層表面的粗糙度降低之效果。
<(E)硬化促進劑>
本發明的樹脂組成物中可進而含有(E)硬化促進劑，可使(A)環氧樹脂與(B)硬化劑有效率的硬化。作為(E)硬化促進劑係未特別限定，可舉例胺系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、鏻系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
作為胺系硬化促進劑係未特別限定，可舉例三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺甲基)苯酚、1,8-二吖雙環[5,4,0]-十一烯(以下，簡略記為DBU)等之胺化合物等。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
作為胍系硬化促進劑係未特別限定，可舉例二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基 胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
作為咪唑系硬化促進劑係未特別限定，可舉例2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5羥基甲基咪唑、2,3-二羥基-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
作為鏻系硬化促進劑係未特別限定，可舉例三苯基膦、鏻硼酸鹽化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
本發明的樹脂組成物中調配硬化促進劑(除了金屬系硬化促進劑以外)時，相對於環氧樹脂與硬化劑的合計量100質量份，以0.005~1質量份的範圍內為較佳、0.01~0.5質量份的範圍內為又較佳。若為此範圍內時，可更有效率的熱硬化、且樹脂清漆之保存穩定性亦為提升。
作為金屬系硬化促進劑係未特別限定，可舉例鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可舉例鈷(II)乙醯丙酮酸、鈷(III)乙醯丙酮酸等之有機鈷錯合物、銅(II)乙醯丙酮酸等之有機銅錯合物、鋅(II)乙醯丙酮酸等之有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯丙酮酸等之有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯丙酮酸等之有機鎳錯合物、錳(II)乙醯丙酮酸等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，可舉例辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。該等係可1種或可組合2種以上來使用。
本發明的樹脂組成物中調配金屬系硬化促進劑時，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時， 根據金屬系硬化觸媒之金屬的含有量以25~500ppm的範圍內為較佳、40~200ppm的範圍內為又較佳。若為此範圍內時，可形成對絕緣層表面之密著性更加優異之導體層、且樹脂清漆之保存穩定性亦為提升。
<(F)其他的成分>
本發明的樹脂組成物中，在不阻礙本發明的效果之範圍內，因應所需亦可調配其他的成分。作為其他的成分，可舉例乙烯基苄基化合物、丙烯酸化合物、馬來醯亞胺化合物、嵌段異氰酸酯化合物之類的熱硬化性樹脂、聚矽氧粉末、尼龍粉末、氟樹脂粉末、橡膠粒子等之有機填充劑、膨潤土、皂土等之增稠劑、聚矽氧系、氟系、高分子系之消泡劑或調平劑、酞菁藍、酞菁綠、碘綠、雙偶氮黃、碳黑等之著色劑、磷系化合物、金屬氫氧化物等之耐燃劑。
本發明的樹脂組成物係將上述成分做適宜混合，又，因應所需亦可藉由三輥、球磨機、珠磨機、混砂機等之混練方法、或超強混合機(Super mixer)、行星式混合器等之攪拌方法經由混練或混合來進行調製。又，本發明的樹脂組成物係可藉由將上述成分溶解乃至分散在有機溶劑中，來調製作為樹脂清漆，又於沒有添加有機溶劑而所調製的樹脂組成物中，進而藉由添加有機溶劑亦可調製作為樹脂清漆。
本發明的樹脂組成物係因為該硬化物將可形 成翹曲抑制性及污點除去性為優異、且對表面為高剝離強度的導體層，可適合使用作為多層印刷配線板的絕緣層形成用樹脂組成物。又，可適合使用作為用於藉由鍍敷而形成導體層之樹脂組成物(特別是藉由鍍敷而形成導體層之多層印刷配線板的絕緣層形成用樹脂組成物)、又，亦可適合作為多層印刷配線板的電路埋置用樹脂組成物、多層印刷配線板的增層形成用樹脂組成物等。
本發明的樹脂組成物係可使用作為熱硬化而成之硬化物。熱硬化之條件係因應樹脂組成物中之樹脂成分的種類、含有量等來適宜選擇即可，較佳為以90℃~220℃ 20分~180分、又較佳為以150℃~210℃ 30~120分的範圍內來選擇。又，分成2階段以上來進行熱硬化亦可。
<薄片狀層合材料>
本發明的樹脂組成物係藉由以清漆狀態塗布於電路基板上亦可供於絕緣層形成，但就工業上而言，以作成接著薄膜、預浸體等之薄片狀材料之形態來供於絕緣層形成者為較佳。即，製作使用本發明的樹脂組成物的接著薄膜、預浸體等，以將該接著薄膜、預浸體等層壓(層合)於電路基板上後進行絕緣層形成者為較佳。尚，使用本發明的樹脂組成物的接著薄膜、預浸體等之薄片狀材料由於層壓(層合)於電路基板上使用，故稱作為「薄片狀層合材料」。樹脂組成物之軟化點，就薄片狀層合材料的層壓性 之觀點而言以40~150℃為較佳。
(接著薄膜)
本發明的接著薄膜係在支撐體上形成藉由本發明的樹脂組成物之樹脂組成物層者，對該業者可藉由周知的方法，例如在有機溶劑中將樹脂組成物溶解乃至分散的樹脂清漆，使用模塗布機等塗布在支撐體上，進而藉由加熱、或吹入熱風等使有機溶劑乾燥後，在支撐體上形成樹脂組成物層而來製造。
作為有機溶劑，可舉例如丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纖劑、丙二醇單甲醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、賽珞蘇、丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯、二甲苯等之芳香族烴基類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之胺系溶媒等。有機溶劑係可1種或可組合2種以上來使用。
乾燥條件係未特別限定，對樹脂組成物層之有機溶劑的含有量為10質量%以下，為較佳以成為5質量%以下之方式使其乾燥。清漆中之有機溶劑量，依有機溶劑的沸點而異，例如藉由將包含30~60質量%的有機溶劑之清漆，以50~150℃3~10分左右使其乾燥而可形成樹脂組成物層。
接著薄膜中所形成的樹脂組成物層的厚度係未特別限定，以超過電路基板所具有的導體層的厚度以上 為較佳。具有電路基板之導體層的厚度係因為通常在5~70μm的範圍內，故樹脂組成物層係以具有10~100μm的厚度者為較佳。就薄膜化之觀點而言，以15~80μm為又較佳、20~50μm為更佳。
作為支撐體，可舉例聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯基等之聚烯烴的薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下，有時簡稱「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯的薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜等之各種塑膠薄膜。有亦可使用脫模紙、或銅箔、鋁箔等之金屬箔等。其中，就泛用性之點而言，以塑膠薄膜為較佳、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜為又較佳。對支撐體及後述之保護薄膜亦可施予褪光處理、電暈處理等之表面處理。又，以聚矽氧樹脂系脫模劑、醇酸樹脂系脫模劑、氟樹脂系脫模劑等之脫模劑來施予脫模處理亦可。
支撐體的厚度係未特別限定，以10~150μm為較佳、25~50μm為又較佳。
在樹脂組成物層的不密著支撐體的面上，進而可層合依支撐體為基準的保護薄膜。保護薄膜的厚度係未特別限定例如為1~40μm。藉由層合保護薄膜，可防止對樹脂組成物層的表面上的灰塵等之附著或傷痕。接著薄膜係亦可捲成輥狀來儲藏。
(預浸體)
本發明的預浸體係可藉由熱熔法或溶劑法來使本發明 的樹脂組成物浸漬於薄片狀補強基材中，並藉由加熱後使其半硬化所製造。即，本發明的預浸體係於薄片狀補強基材中浸漬本發明的樹脂組成物而成之預浸體。作為薄片狀補強基材係可使用由例如玻璃布或芳香族聚醯胺纖維等之經常使用作為預浸體用纖維之纖維所構成者。
熱熔法係樹脂組成物未溶解於有機溶劑中，一旦先塗布在支撐體上，再將此者層壓在薄片狀補強基材上，或藉由模塗布機直接塗布在薄片狀補強基材上來製造預浸體之方法。又，溶劑法係與接著薄膜相同之方式將樹脂溶解於有機溶劑中來調製樹脂清漆，且於此清漆中浸漬薄片狀補強基材，並使樹脂清漆浸漬於薄片狀補強基材中之後使其乾燥之方法。又，亦可從薄片狀補強基材的雙面，藉由於加熱、加壓條件下來連續地熱層壓接著薄膜，以調製預浸體。與接著薄膜同樣地亦可使用支撐體或保護薄膜等。即，本發明的預浸體係包含附有支撐體的預浸體(支撐體/預浸體之層合體)、附有支撐體及保護薄膜的預浸體(支撐體/預浸體/保護薄膜之層合體)，實用上以附有該支撐體的預浸體、附有支撐體及保護薄膜的預浸體為適合。
<使用薄片狀層合材料的多層印刷配線板>
接著，說明使用以如上述般之方式所製造的薄片狀層合材料來製造多層印刷配線板之方法之例子。
首先，使用真空貼合機將薄片狀層合材料層 壓(層合)在電路基板的單面或雙面上。作為電路基板所使用之基板，可舉例如玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等。尚，於此所謂「電路基板」係指，如上述般的基板的單面或雙面形成有經圖型加工的導體層(電路)者。又，導體層與絕緣層交替地層合而成的多層印刷配線板中，連該多層印刷配線板之最外層的單面或雙面成為經圖型加工的導體層(電路)者，亦包含在於此所謂的電路基板中。尚對導體層表面藉由黑化處理、銅蝕刻等來事先施予粗化處理亦可。
於上述層壓中若薄片狀層合材料具有保護薄膜時，除去該保護薄膜後，因應所需將薄片狀層合材料及電路基板預熱，將薄片狀層合材料一邊加壓及加熱，一邊層壓於電路基板上。本發明的薄片狀層合材料係適合使用藉由真空層壓法在減壓下來進行層壓於電路基板上之方法。層壓之條件係未特別限定，例如將層壓溫度(層壓溫度)較佳為設定70~140℃、將層壓壓力(層壓壓力)較佳為設定1~11kgf/cm2(9.8×104~107.9×104N/m2)、將層壓時間(層壓時間)較佳為設定5~180秒、以在空氣壓20mmHg(26.7hPa)以下的減壓下來進行層壓為較佳。 又，層壓之方法係可為分批式亦可為使用輥之連續式。真空層壓係可使用市售的真空貼合機來進行。作為市售的真空貼合機，可舉例如Nichigo-Morton(股)製真空貼合機、(股)名機製作所製真空加壓式貼合機、(股)日立 Industries製輥式乾式塗布、日立AIC(股)製真空貼合機等。
將薄片狀層合材料層壓於電路基板後，冷卻至室溫附近後，在將支撐體進行剝離時係藉由剝離、且將薄片狀層合材料之樹脂組成物做熱硬化來形成硬化物，從而可於電路基板上形成絕緣層。熱硬化之條件係如前述般。形成絕緣層後，若硬化前沒有將支撐體進行剝離時，因應所需於此亦可進行剝離。
又，使用真空壓製機亦可將薄片狀層合材料層合在電路基板的單面或雙面上。減壓下來進行加熱及加壓之層合步驟，係可使用一般的真空熱壓製機來進行。例如可藉由從支撐體層側來壓製經加熱的SUS板等之金屬板之方式來進行。壓製條件通常為將減壓度設為1×10-2MPa以下，較佳設為1×10-3MPa以下之減壓下。加熱及加壓係亦可1階段來進行，但就控制樹脂的滲出之觀點而言，以將條件分成為2階段以上來進行者為較佳。例如將第1階段的壓製以溫度為70~150℃、壓力為1~15kgf/cm2的範圍內、將第2階段的壓製以溫度為150~200℃、壓力為1~40kgf/cm2的範圍內來進行為較佳。各階段的時間係以30~120分來進行為較佳。以如此般之方式，藉由將薄片狀層合材料之樹脂組成物做熱硬化，可於電路基板上形成絕緣層。作為市售的真空熱壓製機，可舉例如MNPC-V-750-5-200(股)名機製作所製)、VH1-1603(北川精機(股)製)等。
尚，電路基板上所形成的絕緣層，若薄片狀層合材料為接著薄膜時，樹脂組成物層係由經熱硬化的硬化物所成，若薄片狀層合材料為預浸體時，係薄片狀補強基材、與浸漬於薄片狀補強基材的樹脂組成物經熱硬化的硬化物所得的複合體。若絕緣層為該複合體時，絕緣層的表面係藉由樹脂組成物的硬化物而形成。
接著，對於電路基板上所形成的絕緣層進行打孔加工來形成通孔洞、穿通孔。打洞加工係藉由例如鑽孔、雷射、電漿等之周知的方法，又因應所需可組合該等之方法來進行，但藉由碳酸氣體雷射、YAG雷射等之雷射的打洞加工為最一般的方法。於打洞加工前沒有將支撐體進行剝離時，將於此來進行剝離。
接著，對絕緣層表面進行粗化處理。若乾式的粗化處理時係可舉例電漿處理等，若濕式的粗化處理時，可舉例依序進行將藉由膨脹液之膨脹處理、藉由氧化劑之粗化處理及藉由中和液之中和處理之方法。就以濕式的粗化處理，於絕緣層表面上一邊形成凸凹的錨(anchor)，一邊可除去通孔洞內的污點之點而言為較佳。藉由膨脹液之膨脹處理係以50~80℃下5~20分鐘(較佳為以55~70℃下8~15分鐘)，使絕緣層浸漬於膨脹液中來進行。作為膨脹液，可舉例鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，作為該鹼溶液，可舉例如氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。作為市售的膨脹液，可舉例如Atotech Japan(股)製的Swelling Dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth P)、Swelling Dip Securiganth SBU(Swelling Dip Securiganth SBU)等。藉由氧化劑之粗化處理係以60~85℃下10~30分鐘(較佳為以70~80℃下15~25分鐘)，使絕緣層浸漬於氧化劑溶液中來進行。作為氧化劑，可舉例如於氫氧化鈉的水溶液中溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉的鹼性過錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。又，鹼性過錳酸溶液之過錳酸鹽的濃度係以設為5~10重量%為較佳。作為市售的氧化劑，可舉例如Atotech Japan(股)製的concentrates compact CP、Dosing Solution security Gans P等之鹼性過錳酸溶液。藉由中和液之中和處理係以30~50℃下3~10分鐘(較佳為以35~45℃下3~8分鐘)，使其浸漬於中和液中來進行。作為中和液，以酸性的水溶液為較佳，作為市售品可舉例Atotech Japan(股)製的reduction Solutions Shin security Gantt P。
於此，粗化處理後的絕緣層的表面，即硬化物表面的算術平均粗糙度(Ra值)，就微細配線形成之觀點而言，以250nm以下為較佳、200nm以下為又較佳、150nm以下為更佳。又，算術平均粗糙度(Ra值)的下限值係未特別限制，通常為10nm以上或30nm以上。進而，因為硬化物表面的均方根粗糙度(Rq值)係可反映硬化物表面之局部的狀態，故藉由掌握Rq值將可確認是否為緻密且平滑的硬化物表面。因為均方根粗糙度(Rq值)係設為緻密且平滑的硬化物表面，故以350nm以下 為較佳、280nm以下為又較佳、200nm以下為更佳。又，均方根粗糙度(Rq值)的下限值，就使剝離強度安定化之觀點而言，以20nm以上為較佳、40nm以上為又較佳。算術平均粗糙度(Ra值)及均方根粗糙度(Rq值)，係以後述「算術平均粗糙度(Ra值)、均方根粗糙度(Rq值)之測定」所記載般，使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製WYKONT3300)，藉由VSI接觸模式、50倍透鏡，可將測定範圍設為121μm×92μm來進行測定。
接著，藉由乾式鍍敷或濕式鍍敷，可於粗化處理後的絕緣層上形成導體層。作為乾式鍍敷可使用蒸鍍、濺鍍、離子蒸鍍法等之周知的方法。作為濕式鍍敷，可舉例：組合無電解鍍敷與電解鍍敷來形成導體層之方法、形成與導體層相反圖型的鍍敷抗蝕層並僅以無電解鍍敷來形成導體層之方法等。於粗化處理後的絕緣層上形成導體層後，為了使導體層之密著性提升故以進行退火處理為較佳。退火處理係以140~200℃下進行30~90分鐘為較佳、以150~200℃下進行30~60分鐘為又較佳。
為了使硬化物(絕緣層)與導體層可充分的密著，故鍍敷剝離強度係以0.25kgf/cm以上為較佳、0.30kgf/cm以上為又較佳、0.40kgf/cm以上為更佳。鍍敷剝離強度之上限值係越高越好，未特別限制但一般以成為1.0kgf/cm以下，0.8kgf/cm以下，0.6kgf/cm以下等。
作為之後的圖型形成之方法，可使用例如業者所周知的消去處理法、半加成法等，藉由重複多次上述一連串的步驟，可作成將增層多段地層合的多層印刷配線板。
又，說明使用如上述般之方式所製造的薄片狀層合材料來製造多層印刷配線板之方法的其他的例子。
與上述相同之方式，使用真空貼合機將薄片狀層合材料層壓於電路基板的單面或雙面上後，冷卻在室溫附近後，將支撐體進行剝離、且進而層壓銅箔。層壓係與上述條件為相同。
接著，與上述相同之方式，藉由形成硬化物(其係將樹脂組成物進行熱硬化而成)，而於電路基板上形成絕緣層。藉此，將銅箔層合於硬化物表面上。熱硬化之條件係與上述條件為相同。
之後，適當進行打孔加工等，並以消去處理法等來形成配線圖型，可作成將增層多段地層合的多層印刷配線板。
<半導體裝置>
藉由使用本發明的多層印刷配線板可製造成半導體裝置。於本發明的多層印刷配線板的導通部位，藉由安裝半導體晶片可製造成半導體裝置。所謂「導通部位」係指「多層印刷配線板之傳導電氣信號的部位」，且該場所可於表面、亦可為埋置的部位任一皆可。又，半導體晶片係 只要是將半導體作為材料的電氣電路元件即可，未特別限定。
製造本發明的半導體裝置時之半導體晶片的安裝方法係只要半導體晶片能有效地發揮功能即可，未特別限定，具體而言可舉例導線接合安裝方法、倒裝晶片安裝方法、藉由無凸塊增層(BBUL)之安裝方法、藉由異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、藉由非導電性薄膜(NCF)之安裝方法等。
[實施例]
以下，使用實施例更詳細地說明本發明，但本發明並非限定於該等之實施例。尚，於下述記載中未另外註明時，「份」及「%」係分別為「質量份」及「質量%」之意。
<測定‧評估方法>
首先，對於本說明書中之物性評估的測定‧評估方法來作說明。
[表面粗糙度的測定‧評估用基板之調製] (1)電路基板之基底處理
使用微蝕刻劑(Mec(股)製「CZ8100」)，將形成電路的玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅層合板(銅箔的厚度18μm、基板的厚度0.4mm、Panasonic(股)製 「R1515A」)的雙面蝕刻1μm來進行銅表面之粗化處理。
(2)接著薄膜之層合
由實施例及比較例所製作的接著薄膜來剝離保護薄膜。使用分批式真空加壓貼合機((股)Nichigo-Morton製2段式增層貼合機「CVP700」)，以樹脂組成物層與電路基板接合之方式，將樹脂組成物層所露出的接著薄膜層合於電路基板的雙面上。層合係由30秒鐘減壓至氣壓為13hPa以下後，藉由以110℃、壓力0.74MPa下使其層壓30秒鐘來實施。接著，以大氣壓下、110℃、壓力0.5MPa將已層合的接著薄膜熱壓製60秒鐘使其平滑化。
(3)樹脂組成物層之硬化
接著薄膜之層合後，使樹脂組成物層熱硬化於電路基板的雙面上形成硬化體。此時，實施例1、3、4、6及比較例1、3，係關於在附有支撐體之PET薄膜之狀態下使樹脂組成物層熱硬化。實施例2、5及比較例2，係關於在剝離支撐體之PET薄膜後，使樹脂組成物層熱硬化。
樹脂組成物層之熱硬化係藉由以下熱硬化處理來實施。以100℃(投入100℃的烘箱後)30分鐘，接著以175℃(移至175℃的烘箱後)30分鐘使其熱硬化。之後於室溫環境下取出基板。
(4)通孔洞之形成
如實施例1、3、4、6及比較例1、3之情形時，在附有支撐體之狀態下，使用CO2雷射加工機(日立Via Mechanics(股)製「LC-2E21B/1C」)，以遮罩徑1.60mm、焦距偏差值0.050、脈衝寬度25μs、動力0.66W、孔徑13、投射數2、脈衝間歇模式之條件下將絕緣層打洞形成通孔洞。絕緣層表面之通孔洞的最大徑(直徑)為50μm。通孔洞成型後剝離支撐體(PET薄膜)。
如實施例2、5及比較例2之情形時，使用CO2雷射加工機(日立Via Mechanics(股)製「LC-2E21B/1C」)，對已露出的絕緣層表面以遮罩徑1.40mm、焦距偏差值0.075、脈衝寬度7μs、動力0.08W、孔徑14、投射數5、循環模式之條件下將絕緣層打洞形成通孔洞。絕緣層表面之通孔洞的最大徑(直徑)相同為50μm。
(5)粗化處理
將形成通孔洞的基板浸漬於膨脹液(Atotech Japan(股)製「Swelling Dip Securiganth P」、包含二乙二醇單丁基醚及氫氧化鈉之水溶液)中以60℃下5分鐘(實施例3及比較例3)或10分鐘(實施例1、2及比較例1、2)，於氧化劑(Atotech Japan(股)製「concentrates compact CP」、KMnO4：60g/L、NaOH：40g/L的水溶液)中以80℃下20分鐘，最後於中和液(Atotech Japan(股)製「reduction solutions Security Gantt P」、硫酸 水溶液)以40℃下5分鐘後，以80℃使其乾燥30分鐘而在電路基板的雙面上形成粗化硬化體。將所得的基板稱作為「評估基板A」。
(6)藉由半加成工法之導體層之形成
依下述步驟順序，在絕緣層表面上形成具有所期望的電路圖型之導體層。
將評估基板A浸漬於包含PdCl2之無電解鍍敷液中以40℃下5分鐘，接著於無電解銅鍍敷液中以25℃下20分鐘。將所得的基板以150℃加熱30分鐘來進行退火處理後，形成圖型形成用感光性乾薄膜。藉由曝光、顯影將乾薄膜來做圖型形成後，進行硫酸銅電解鍍敷並形成厚度30μm的導體層。將乾薄膜剝離後，用閃蝕(flash etching)除去不需要的無電解銅鍍敷，以190℃加熱60分鐘將形成導體圖型的基板進行退火處理。將所得的基板作為「評估基板B」。
[算術平均粗糙度(Ra)及均方根粗糙度(Rq)之測定]
使用非接觸型表面粗糙度計(Veeco Instruments公司製「WYKO NT3300」)，對評估基板A以VSI接觸模式、50倍透鏡進行測定，依以測定範圍121μm×92μm所得之數值可求得Ra值及Rq值。藉由求得分別随機所選之10點的平均值來作為測定值。
[鍍敷導體層的拉伸剝離強度(剝離強度)之測定]
於評估基板B的導體層上，裁切出寬10mm、長度100mm之部分，將此一端剝開以夾片器(股份有限公司TSE自動型試驗機「AC-50C-SL」)夾住，在室溫中測定以50mm/分的速度沿垂直方向拉伸剝離35mm時之荷重(kgf/cm)。
[通孔洞底部的污點之評估]
用掃描電子顯微鏡((股)日立High-Technologies製、S-4800)來觀察評估基板A的通孔洞底部，由所得的影像來測定從通孔洞底部的壁面的最大污點長度。將評估基準表示於以下。
評估基準：
○：最大污點長度為未滿3μm
×：最大污點長度為3μm以上
[翹曲評估用基板之調製] (1)內層基板之準備
作為內層基板係準備將玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅層合板的雙面銅箔全部除去的塗層板(厚度100μm、三菱瓦斯化學(股)製「HL832NSF-LCA」)。
(2)接著薄膜之層合
使用分批式真空加壓貼合機(Nichigo-Morton(股)製2段式增層貼合機CVP700)，將實施例及比較例所製作的接著薄膜，以樹脂組成物層與內層基板接合之方式，層合於內層基板的雙面上。層合係由30秒鐘減壓至氣壓為13hPa以下後，藉由以110℃、壓力0.74MPa下使其層壓30秒鐘來實施。接著，以大氣壓下、110℃、壓力0.5MPa將已層合的接著薄膜熱壓製60秒鐘使其平滑化。
(3)樹脂組成物層之硬化
接著薄膜之層合後，由基板的雙面剝離支撐體。接著，以190℃下90分鐘的硬化條件，使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。將所得的基板作為「評估基板C」。
[翹曲之評估]
將評估基板C裁切成45mm方形的個片後(n=5)，通過一次再現波峰溫度260℃的焊錫回流溫度之回流裝置(日本Antom(股)製「HAS-6116」)(回流溫度曲線係依據IPC/JEDEC J-STD-020C)。接著，使用陰影疊紋裝置(Akrometrix製「TherMoire AXP」)，以依據IPC/JEDEC J-STD-020C(波峰溫度260℃)的回流溫度曲線來加熱基板下面，並根據配置在基板上面的格子線來測定基板中央的10mm方形部分之位移。翹曲係依據以下評估基準來進行評估。
評估基準：
◎：針對全部5個樣品，所有溫度範圍之位移資料的最大高度與最少高度之差異為未滿30μm
○：針對全部5個樣品，所有溫度範圍之位移資料的最大高度與最少高度之差異為未滿30~50μm
×：針對至少1個樣品，所有溫度範圍之位移資料的最大高度與最小高度之差異為50μm以上
<實施例1>
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型的1：1混合品)5份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032SS」、環氧當量約144)5份、聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)5份、環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)20份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固形分30質量%的環己酮：甲基乙基酮(MEK)的1：1溶液)10份，於溶劑石油腦30份、環己酮5份中一邊攪拌，一邊使其加熱熔解。冷卻至室溫後，於此中混合含有三嗪骨架的甲酚酚醛系硬化劑(羥基當量151、DIC(股)製「LA-3018-50P」、固形分50%的2-甲氧基丙醇溶液)8份、活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223、不揮發成分65質量%的甲苯溶液)20份、胺系硬化促進劑(4- 二甲基胺吡啶(DMAP)、固形分5質量%的MEK溶液)1.5份、咪唑系硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)、固形分5質量%的MEK溶液)1份、耐燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-噁-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球形矽石((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每單位表面積的碳量0.38mg/m2)180份，利用高速旋轉混合器均勻地分散後，以濾筒(ROKITECNO製「SHP050」)過濾後調製樹脂清漆1。
作為支撐體係準備經醇酸樹脂系脫模劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫模處理的PET薄膜(TORAY(股)製「Lumirror T6AM」、厚度38μm、軟化點130℃)。藉由模塗布機於該支撐體的脫模面上塗布樹脂清漆1，以80℃~110℃(平均100℃)下使其乾燥4.5分鐘而形成樹脂組成物層。樹脂組成物層的厚度為35μm。接著，與樹脂組成物層的支撐體無接合的面上，以該保護薄膜的粗面與樹脂組成物層接合之方式來層合作為保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子特殊紙(股)製「Alphand MA-411」、厚度15μm)而可得到接著薄膜1。
<實施例2>
將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型的 1：1混合品)5份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032SS」、環氧當量約144)5份、聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)5份、環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206)15份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固形分30質量%的環己酮：甲基乙基酮(MEK)的1：1溶液)10份，於溶劑石油腦20份、環己酮5份中一邊攪拌，一邊使其加熱熔解。冷卻至室溫後，於此中混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223、不揮發成分65質量%的甲苯溶液)15份、雙酚A二氰酸酯之預聚物(Lonza Japan(股)製「BA230S75」、氰酸酯當量約232、不揮發分75質量%的MEK溶液)30份、胺系硬化促進劑(4-二甲基胺吡啶(DMAP)、固形分5質量%的MEK溶液)0.6份、硬化促進劑(東京化成(股)製、鈷(III)乙醯丙酮酸、固形分1質量%的MEK溶液)4份、以室溫使橡膠粒子(Ganz Chemical(股)製、AC3816N)2份於溶劑石油腦10份中膨脹12小時者、耐燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-噁-10-磷雜菲-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理的球形矽石((股)Admatechs製「SO-C1」、平均粒徑0.25μm、每單位表面積的碳量0.36mg/m2)150份，利用高速旋轉混合器均勻地分散 後，以濾筒(ROKITECNO製「SHP030」)過濾後調製樹脂清漆2。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆2以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜2。
<實施例3>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7760」、環氧當量238)10份、伸萘基醚型環氧樹脂(DIC(股)製「EXA-7311-G4S」、環氧當量186)5份、聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)5份、環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206)15份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YX7553BH30」、固形分30質量%的環己酮：甲基乙基酮(MEK)的1：1溶液)10份，於溶劑石油腦20份、環己酮5份中一邊攪拌，一邊使其加熱熔解。冷卻至室溫後，於此中混合含有三嗪骨架的酚酚醛系硬化劑(羥基當量125、DIC(股)製「LA-7054」、固形分60%的MEK溶液)5份、萘酚系硬化劑(新日鐵住金化學(股)製「SN-485」、羥基當量215、固形分60%的MEK溶液)24份、聚乙烯基丁縮醛樹脂(玻璃移轉溫度105℃、積水化學工業(股)製「KS-1」)之固形分15%的乙醇與甲苯的1：1之混合溶液10份、胺系硬化促進劑(DMAP、固形分5質量%的MEK溶液)1份、咪唑系硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)、固形分 5質量%的MEK溶液)0.5份、以室溫使橡膠粒子(Ganz Chemical(股)製、AC3816N)2份於溶劑石油腦10份中膨脹12小時者、經苯基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製「KBM103」)表面處理的球形矽石(電氣化學工業(股)製「UFP-30」、平均粒徑0.1μm、每單位表面積的碳量0.22mg/m2)60份，利用高速旋轉混合器均勻地分散後，以濾筒(ROKITECNO製「SHP030」)過濾後調製樹脂清漆3。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆3以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜3。
<實施例4>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)20份，變更成為環氧樹脂(日本化藥(股)製「WHR-991S」、環氧當量265、於150℃之ICI熔融黏度0.9Pa‧s)20份以外，與實施例1相同之方式來調製樹脂清漆4。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆4以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜4。
<實施例5>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)15份，變更成為環氧樹脂(日本化藥(股)製「WHR-991S」、 環氧當量265、於150℃之ICI熔融黏度0.9Pa‧s)15份以外，與實施例2相同之方式來調製樹脂清漆5。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆5以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜5。
<實施例6>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)15份，變更成為環氧樹脂(日本化藥(股)製「WHR-991S」、環氧當量265、於150℃之ICI熔融黏度0.9Pa‧s)15份以外，與實施例3相同之方式來調製樹脂清漆6。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆6以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜6。
<比較例1>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)20份，變更成為聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」、環氧當量288、於150℃之ICI熔融黏度0.32Pa‧s)20份以外，與實施例1相同之方式來調製樹脂清漆7。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆7以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜7。
<比較例2>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)15份，變更成為聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」、環氧當量288)15份以外，與實施例2相同之方式來調製樹脂清漆8。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆8以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜8。
<比較例3>
除了將環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC-3500」、環氧當量206、於150℃之ICI熔融黏度0.37Pa‧s)15份，變更成為聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」、環氧當量288)15份以外，與實施例3相同之方式來調製樹脂清漆9。
除了將樹脂清漆1變更成為樹脂清漆9以外，與實施例1相同之方式來製作接著薄膜9。
將實施例1~6、比較例1~3之評估結果表示於下述表1中。

Claims (19)

  1. 一種樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂，(B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。
  2. 一種樹脂組成物，其係含有(A)環氧樹脂及(B)硬化劑的樹脂組成物，(A)環氧樹脂係包含(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂， (B)硬化劑係包含選自苯酚系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及活性酯系硬化劑之1種以上。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂的含有量為3~20質量%。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂係具有聯苯二亞甲基骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(A1)具有聯苯骨架及二縮水甘油氧基苯骨架的環氧樹脂係具有下述一般式(1)的構造單位的環氧樹脂， (式中，R為縮水甘油氧基，m為2)。
  6. 如請求項2之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(A2)一般式(1)所表示的環氧樹脂的含有量為3~20質量%。
  7. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，(A)環氧樹脂係進而包含(A3)其他的環氧樹脂。
  8. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，(B)硬化劑為活性酯系硬化劑。
  9. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(B)硬化劑的含有量為3~20質量%。
  10. 如請求項1或2之樹脂組成物，其係進而包含(C)無機填充劑。
  11. 如請求項10之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物中的不揮發成分設為100質量%時，(C)無機填充材的含有量為50質量%以上。
  12. 如請求項10之樹脂組成物，其中，(C)無機填 充材的平均粒徑為0.01~5μm。
  13. 如請求項1或2之樹脂組成物，其係多層印刷配線板的絕緣層形成用樹脂組成物。
  14. 一種薄片狀層合材料，其係使用請求項1或2之樹脂組成物而成。
  15. 一種硬化物，其係將請求項1或2之樹脂組成物熱硬化而成。
  16. 如請求項15之硬化物，其中，藉由鍍敷於硬化物表面形成導體層，該硬化物表面與該導體層的鍍敷剝離強度為0.25~1.0kgf/cm。
  17. 如請求項16之硬化物，其中，硬化物表面為粗化處理後的表面，該粗化處理後的表面的算術平均粗糙度為10~250nm，且均方根粗糙度為20~350nm。
  18. 一種多層印刷配線板，其係藉由請求項15之硬化物來形成絕緣層。
  19. 一種半導體裝置，其係使用請求項18之多層印刷配線板而成。
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