TW201630198A - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種半導體裝置及其製造方法，其中，提供可降低消耗電力之半導體裝置及其製造方法。 半導體裝置係具備：Si(矽)基板，和加以形成於Si基板表面之SiC(碳化矽)層，和加以形成於SiC層表面之AlN(氮化鋁)層，和加以形成於AlN層的表面之n型GaN(氮化鎵)層，和加以形成於GaN層的表面側之第1電極，和加以形成於Si基板(1)的背面側之第2電極。流動於第1電極與第2電極之間的電流的大小係依存於第1電極與第2電極之間的電壓。

Description

半導體裝置及其製造方法
本發明係有關半導體裝置及其製造方法，更特定而言，係有關具備SiC(碳化矽)層之半導體裝置及其製造方法。
SiC係比較於Si(矽)，能帶隙為大，而具有高絕緣破壞電場強度。因此，SiC係作為具有高耐壓之半導體裝置的材料而被加以期待。另外，3C-SiC(具有3C型之結晶構造的SiC)係從與GaN(氮化鎵)的晶格常數接近之情況，可作為為了使GaN成長之緩衝層而使用者。GaN之絕緣破壞電場強度係較SiC之絕緣破壞電場為大之故，由將3C-SiC作為緩衝層者，可實現更高耐壓之GaN之半導體裝置。
作為為了使SiC層成長之基材基板，係Si基板或塊狀之SiC基板則被廣泛使用。其中，SiC基板係在目前僅存在有4英吋程度的構成，而具有大口徑化困難的問題。對於為了以廉價取得大口徑之SiC層，係作為基材基板而使用Si基板者為佳。
包含GaN之以往的半導體裝置係例如加以揭示於下記專利文獻1。對於下記專利文獻1係加以揭示有具備：Si基板，和加以形成於Si基板上之緩衝層，和加以形成於緩衝層上之GaN所成之n型半導體層，和加以形成於n型半導體層上之InGaN(氮化銦鎵)所成之活性層，和加以形成於活性層上之GaN所成之p型半導體層，和加以形成於p型半導體層上之陽極電極，和加以形成於Si基板之陰極電極的半導體裝置。緩衝層係為交互層積AlN(氮化鋁)所成之第1層，和GaN所成之第2層者。
另外，對於下記專利文獻2及3係加以揭示有對於SiC層上形成GaN層的方法。對於專利文獻2係加以揭示有具備：於SiC上，在以較GaN成膜温度為高溫下，將AlxInyGa1-x-yN(0<x≦1，0≦y≦1，x+y≦1)層進行成膜，之後以GaN成膜温度，將GaN進行成膜之第1工程，和在以較GaN成膜温度為低溫下，將AlxInyGa1-x-yN(0<x≦1，0≦y≦1，x+y≦1)層進行成膜，之後以GaN成膜温度，將GaN進行成膜之第2工程。
對於專利文獻3係加以揭示具備：準備加以形成有膜厚2nm以上3.5μm以下之SiC單結晶薄膜於表面的Si基板，將加以形成有SiC單結晶薄膜之Si基板，加熱至特定的成長溫度，形成Al、In、Ga、及N之中至少2成分所成之緩衝層的工程，和於緩衝層上，以較緩衝層的成長溫度為低的溫度，呈成為特定之密度地形成經由 GaN結晶之三次元核的工程，和以較緩衝層的成長溫度為低的溫度，使經由GaN結晶之三次元核橫方向成長而作為連續性的GaN單結晶膜之工程的半導體基板之製造方法。緩衝層係為膜厚不足15nm，而組成為AlxInyGa1-x-yN(0.05≦x≦1，0≦y≦0.5，x+y≦1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2003-60234號公報
專利文獻2：日本特開2013-179121號公報
專利文獻3：日本特開2014-76925號公報
使用GaN層而製作含有縱型的裝置之半導體裝置之情況，對於以往的技術係有縱方向(垂直於基板表面之方向)的電性阻抗為高，消耗電力為大之問題。
本發明係為了解決上述課題之構成，其目的係提供：可降低消耗電力之半導體裝置及其製造方法。
依據本發明之一狀況之半導體裝置係具備：導電體層，和加以形成於導電體層表面之SiC層，和加以形成於SiC層表面之AlxGa1-xN(0<x≦1)層，和加以形 成於AlxGa1-xN層表面之第1導電型的AlyGa1-yN(0≦y<1、y<x)層，和加以形成於AlyGa1-yN層表面側之第1電極，和加以形成於導電體層背面側之第2電極，而流動於第1電極與第2電極之間的電流的大小係依存於第1電極與第2電極之間的電壓。
在上述半導體裝置中，理想係更具備加以形成於AlyGa1-yN層表面之複合層，而複合層係包含AlmGa1-mN(0<m≦1、y<m)層，和加以形成於AlmGa1-mN層表面之AlnGa1-nN(0≦n<1、n<x、n<m)層，第1電極係加以形成於較自導電體層最遠之AlnGa1-nN層為表面側。
在上述半導體裝置中，理想係各AlyGa1-yN層及AlnGa1-nN層係具有n型的導電型，而對於各AlyGa1-yN層及AlnGa1-nN層係加以摻雜Si。
在上述半導體裝置中，理想係各AlyGa1-yN層及AlnGa1-nN層之厚度係為50nm以上5μm以下。
在上述半導體裝置中，理想係各AlxGa1-xN層及AlmGa1-mN層之厚度係較0為大而15nm以下。
在上述半導體裝置中，理想係複合層為1層以上4層以下。
在上述半導體裝置中，理想係導電體層為Si基板。
依據本發明之其他狀況之半導體裝置的製造方法係具備：準備包含導電體層，和加以形成於導電體層表面之SiC層之基板的工程，和於SiC層表面，將 AlxGa1-xN(0<x≦1)層成膜之工程，和於AlxGa1-xN層表面，將第1導電型之AlyGa1-yN層(0≦y<1、y<x)進行成膜之工程，和於AlyGa1-yN層表面，以較AlyGa1-yN層之成膜溫度為低溫而將AlmGa1-mN(0<m≦1、y<m)層進行成膜之工程，和於AlmGa1-mN層表面，以較AlmGa1-mN層之成膜溫度為高溫而將AlnGa1-nN層(0≦n<1、n<x、n<m)層進行成膜之工程，和於AlnGa1-nN層表面側，形成第1電極之工程，和於AlnGa1-nN層背面側，形成第2電極之工程，而流動於第1電極與第2電極之間的電流的大小係依存於第1電極與第2電極之間的電壓。
在上述製造方法中，理想係在將AlyGa1-yN層成膜之工程中，於AlyGa1-yN層之成膜中摻雜Si。
在上述製造方法中，理想係在將AlnGa1-nN層成膜之工程中，於AlnGa1-nN層之成膜中摻雜Si。
在上述製造方法中，理想係在將AlxGa1-xN層，AlyGa1-yN層，AlmGa1-mN層，及AlnGa1-nN層進行成膜之後，除去導電體層之工程，和在除去導電體層之後，形成第2電極之工程中，於AlnGa1-nN層之背面側，形成第2電極。
在上述製造方法，理想係在除去導電體層之工程中，除去基板。
在上述製造方法，理想係在除去導電體層之工程中，殘留自基板最遠的AlnGa1-nN層，而除去加以形成於AlnGa1-nN層背面側之所有的層。
如根據本發明，可提供可降低消耗電力之半導體裝置及其製造方法。
1‧‧‧Si(矽)基板
1a‧‧‧Si基板的表面
1b‧‧‧Si基板的背面
2‧‧‧SiC(碳化矽)層
3、5‧‧‧AlN(氮化鋁)層
3a‧‧‧AlN層的背面
4、6‧‧‧GaN(氮化鎵)層
7a、7b‧‧‧複合層
8‧‧‧包含Si基板與SiC層之構造(基板)
9、10‧‧‧電極
9a‧‧‧電極的表面
21‧‧‧支持基板
I‧‧‧電流
圖1係顯示在本發明之第1實施形態的半導體裝置之構成的剖面圖。
圖2係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之構成的剖面圖。
圖3係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之製造方法之第1工程的剖面圖。
圖4係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之製造方法之第2工程的剖面圖。
圖5係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之製造方法之第3工程的剖面圖。
圖6係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之製造方法之第4工程的剖面圖。
以下，依據圖面而說明本發明之實施形態。在之後的說明中，構成半導體裝置之各層的「表面」係指圖中上側的面，而「背面」係指圖中下側的面。「加以形 成於表面」係指接觸表面而加以形成者，而「加以形成於背面」係指接觸背面而加以形成者。「表面側」係意味包含與「表面」接觸之位置，和與「表面」拉開距離之圖中上側的位置之位置。「背面側」係意味包含與「背面」接觸之位置，和與「背面」拉開距離之圖中下側的位置之位置。
〔第1實施形態〕
圖1係顯示在本發明之第1實施形態的半導體裝置之構成的剖面圖。
參照圖1，在本實施形態之半導體裝置係包含肖特基位障二極體。半導體裝置係具備：Si基板1，和SiC層2，和AlN層3，和GaN層4，和AlN層5，和GaN層6，和電極9及10。
Si基板1(導電體層之一例)係由n型之Si而成。Si基板1係具有表面1a及背面1b。Si基板1之表面1a係在Si結晶的(111)面而加以構成。
SiC層2係加以形成於Si基板1的表面1a。Si基板1係例如，由3C-SiC、4H-SiC、或6H-SiC等而成。特別是，SiC層2則為加以磊晶成長於Si基板1上之情況，一般而言，SiC層2係經由3C-SiC而成。SiC層2之厚度係例如為2nm以上3.5μm以下。
SiC層2係於由碳化Si基板1之表面者而加以得到之SiC所成之基材層上，使用MBE(分子束磊晶) 法、CVD(化學蒸鍍)法、或LPE(液相磊晶)法等，經由使SiC加以同質磊晶成長之時而加以形成亦可。SiC層2係僅經由碳化Si基板1的表面而加以形成亦可。更且，SiC層2係經由夾持緩衝層而於Si基板1表面上，使SiC加以異質磊晶成長之時而加以形成亦可。
AlN層(HT(High Temperature)-AlN層)3係加以形成於SiC層2的表面。AlN層3係達成作為緩和SiC層2與GaN層4之晶格常數的差之緩衝層的機能。AlN層3係例如，使用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法而加以形成。AlN層3之成長溫度係例如，作為1100℃以上1300℃以下。AlN層3之成膜溫度係為任意，而與後述之GaN層4之成膜溫度同程度的溫度亦可，但較後述之GaN層4之成膜溫度為高者為佳。AlN層3之成長溫度係例如，作為1100℃以上1300℃以下。此時，作為Al源氣體係例如，加以使用TMA(Tri Methyl Aluminium)，或TEA(Tri Ethyl Aluminium)等。作為N源氣體，係例如加以使用NH3(氨)。AlN層3之厚度係較0為大而15nm以下者為佳。經由此，降低加以形成於AlN層3內之錯位，可將GaN層4之結晶性作為良好者。加上，可縮短對於AlN層3之形成所需之時間。
然而，AlN層3係經由可由Ga原子而置換Al原子之一部分，而作為AlxGa1-xN(0<x≦1)層亦可。但對於為了確保GaN層4之結晶性，AlxGa1-xN係為AlN者(未由Ga原子而置換Al原子者)為佳。
GaN層4係加以形成於AlN層3的表面。GaN層4係加以摻雜Si，具有n型的導電型。GaN層4之厚度係50nm以上5μm以下者為佳。GaN層4之厚度係200nm以上2μm以下者為更佳。經由此，抑制基板的彎曲同時，可得到高品質之GaN層者。
GaN層4係例如，使用MOCVD法，以接下來的方法加以形成。首先，呈成為特定的密度地形成經由GaN結晶之三次元核。接著，以較AlN層3之成長溫度為低之溫度，使經由GaN結晶之三次元核進行橫方向成長而作成連續性的GaN單結晶膜。此時，作為Ga源氣體係例如，加以使用TMG(Tri Methyl Gallium)，或TEG(Tri Ethyl Gallium)等。作為N源氣體，係例如加以使用NH3(氨)。作為Si源氣體，係例如加以使用SiH4(矽甲烷)。如此方法，經由在GaN層4之成膜中摻雜Si之時，可以簡易的方法而製作n型之GaN層4者。
形成三次元核之工程，及使經由GaN結晶之三次元核進行橫方向成長之工程的處理溫度(GaN層4之成膜溫度)係例如，900℃以上1200℃以下。
然而，GaN層4係經由以Al原子而置換Ga原子之一部分之時，作為AlyGa1-yN層(0≦y<1、y<x、理想為y≦0.2、更理想為y≦0.1)亦可。但對於為了確保GaN層4之結晶性，AlyGa1-yN層係為GaN者(未由Al原子而置換Ga原子者)為佳。
AlN層(LT(Low Temperature)-AlN層)5 係加以形成於GaN層4的表面。AlN層5係保持維持GaN的結晶性，達成作為抑制基板的彎曲之中間層之機能。AlN層5係例如，使用MOCVD法而加以形成。AlN層5之成長溫度係作為較GaN層4及6之成膜溫度為低溫。AlN層5之厚度係較0為大而20nm以下者為佳。AlN層5之厚度係15nm以下者為更佳。
然而，AlN層5係經由可由Ga原子而置換Al原子之一部分，而作為AlmGa1-mN(0<m≦1、y<m)層亦可。但對於為了確保GaN層6之結晶性，AlmGa1-mN層係為AlN者(未由Ga原子而置換Al原子者)為佳。x的值與m的值係亦可為同一或相互不同。
GaN層6係加以形成於AlN層5的表面。GaN層4係加以摻雜Si，具有n型的導電型。GaN層6係亦包含成膜溫度，以和GaN層4同樣的方法加以形成。GaN層6之厚度係50nm以上5μm以下者為佳。然而，GaN層6之Si摻雜濃度係因應形成之裝置的種類，而作為與其他的GaN層2及GaN層4不同的值亦可。
然而，GaN層6係經由可由Al原子而置換Ga原子之一部分，而作為AlnGa1-nN層(0≦n<1、n<x、n<m)亦可。但對於為了確保GaN層4之結晶性，AlnGa1-nN層係為GaN者(未由Al原子而置換Ga原子者)為佳。GaN層6之n型不純物濃度係較GaN層4之n型不純物濃度為低亦可。另外，GaN層6之上部的n型不純物濃度則較GaN層6之下部的n型不純物濃度為低亦可。y的值 與n的值係亦可為同一或相互不同。
AlN層5與GaN層6係構成複合層7。加以形成於GaN層4表面側之複合層的數(在此係1層)係為任意，但1層以上4層以下者為佳。複數之複合層則進行層積而加以形成之情況，電極9係加以形成於較存在於自SiC層2最離開之位置的複合層之GaN層6為表面側。複數之複合層中的各層之m的值或n的值係相互不同亦可。
電極9係為陽極電極，而加以形成於GaN層6表面。電極9係與GaN層6肖特基接觸。電極9係例如，由Au(金)而成。電極9係例如，經由蒸鍍法，MOCVD法，或濺鍍法等而加以形成。
電極10係陰極電極，加以形成於Si基板1之背面1b。電極10係例如，由Al等而成。電極10係例如，經由蒸鍍法，MOCVD法，或濺鍍法等而加以形成。
在本實施形態之半導體裝置係如以下進行動作。在加以接地電極10之狀態，當賦予正的電位於電極9時，自電極9流動有電流I至電極10。AlN層3及5係為薄之故，電子係可經由穿隧效果而通過各AlN層3及5者。電流I之大小係依存於電極9與電極10之間的電壓。
在本實施形態之半導體裝置係由以下的方法加以製造。準備包含Si基板1，和SiC層2之構造(基板)8。於SiC層2表面形成AlN層3。於AlN層3表 面，以較AlN層3之成膜溫度為低溫將GaN層4進行成膜。於GaN層4表面形成AlN層5。於AlN層5表面，以較AlN層5之成膜溫度為低溫將GaN層6進行成膜。於GaN層6表面(AlN層3之表面側)形成電極9。於Si基板1之背面1b(AlN層3之背面側)形成電極10。
AlN的晶格常數係僅較GaN之晶格常數為低。因此，如本實施形態，將AlN層3作為基材而形成GaN層4時，對於GaN層4加上壓縮應力，對於GaN層4不易產生有斷裂。經由此，可得到良質之結晶的GaN層4，而可降低GaN層4之電性阻抗者。在另一方面，AlN層3係與其他層做比較，具有高電性阻抗。在本實施形態中，經由形成AlN層3於SiC層2上之時，將加以形成於AlN層3表面之GaN層4之結晶保持為良質之同時，可縮小AlN層3之厚度者。其結果，加以降低電極9與電極10之間的電性阻抗，而可降低半導體裝置之消耗電力者。另外，經由形成SiC層2於Si基板1上之時，可以廉價而得到大口徑之半導體裝置者。更且，經由形成SiC層2於Si基板1上之時，即使薄化AlN層3，亦可防止經由因Ga與Si之反應引起之回熔蝕刻之缺陷的發生者。
〔第2實施形態〕
圖2係顯示在本發明之第2實施形態的半導體裝置之構成的剖面圖。
參照圖2，在本實施形態的半導體裝置係在加 以除去Si基板及SiC層的點中，與第1實施形態之半導體裝置之構成不同。電極10係加以形成於AlN層3的背面側。電極10與AlN層3係亦可直接接觸，而夾持任意之導電體亦可。
在本實施形態之半導體裝置的上述以外之構成係因與第1實施形態的半導體裝置之構成同樣之故，對於同一構件係附上同一符號，而未加以反覆其說明。
接著，使用圖3~圖6，對於本實施形態之半導體裝置之製造方法加以說明。
參照圖3，以與第1實施形態之製造方法同樣的方法，形成Si基板1，和SiC層2，和AlN層3，和GaN層4，和AlN層5，和GaN層6，和電極9。對於在圖案化電極9時，於電極9之表面9a形成光阻劑之情況，係未除去此光阻劑而作為保護膜殘留者為佳。
參照圖4，例如，使用電子臘等之接著劑，貼上支持基板21於電極9之表面9a。支持基板21係例如，由Si或SiC等而成。
參照圖5，經由例如使用熱硝酸或沸硝酸等之濕蝕刻，而除去Si基板1。接著，經由乾蝕刻等而除去SiC層2。經由此，加以除去基板8而露出有AlN層3之背面3a。然而，未除去SiC層2而殘留亦可。基板8之除去係如在形成AlN層3及GaN層4之後加以進行即可。更且，殘留自基板8最遠之GaN層(位於圖中最上方之GaN層)，而除去加以形成於所殘留之GaN層背面 側之所有的層亦可。
參照圖6，使用Ag(銀)電糊等之導電性接著劑，於AlN層3之背面3a(對於殘留SiC層之情況，係除去加以形成於SiC層2之背面、自基板8最遠之GaN層之背面側的所有的層之情況，自基板8最遠的GaN層之背面)，貼上電極10。接著，經由例如進行加熱之時，除去支持基板21。接著，例如，使用丙酮等之溶劑，除去殘存於電極9之表面9a的接著劑及保護膜。經由以上，得到圖2所示之半導體裝置。然而，作為電極10，亦可貼上導電性則較基板1為高之基板者。
如根據本實施形態，可得到與第1實施形態同樣之效果者。加上，半導體裝置之厚度則成為除了Si基板及SiC層之厚度之故，可謀求半導體裝置之薄型化，而可降低縱方向之電性阻抗者。
〔其他〕
構成半導體裝置之各層的厚度係使用橢圓偏光量測器而加以測定。橢圓偏光量測器係將偏光的入射光照射至測定對象，將來自測定對象的反射光受光。在S偏光與P偏光中有著相位的偏差或反射率的不同之故，反射光之偏光狀態係成為與入射光的偏光狀態不同者。此偏光狀態的變化係依存於入射光的波長，入射角度，膜的光學常數，及膜厚等。橢圓偏光量測器係自所得到之反射光，依據入射光的波長或入射角而算出膜的光學常數或膜厚。
在上述之實施形態中，導電體層係為Si基板以外者亦可。導電體層係例如由Cu(銅)或Al等之金屬，或GaAs(砷化鎵)、Ge(鍺)、或Si等之導電性的半導體層而成亦可。
在各上述實施形態中，加以省略AlN層5及GaN層6，直接形成電極9於GaN層4表面亦可。對於此情況，係可簡略化製造工程，可將半導體裝置作為簡易之構成者。另外，於GaN層6之表面側，更加以層積AlN層及GaN層亦可。對於此情況，係可提升GaN層之結晶的品質者。
加以形成於半導體裝置之裝置係如為任意之縱型的裝置即可，除上述肖特基位障二極體之其他，亦可為MOSFET、LED(Light Emitting Diode)、閘流電晶體，或半導體雷射等。半導體裝置係流動至加以形成於AlyGa1-yN層之表面側的第1電極，和加以形成於Si基板之背面側的第2電極之間的電流之大小，則如依存於第1電極與第2電極之間的電壓者即可。
上述之實施形態係認為例示在所有的點，並非限制性的構成。本發明之範圍係並非上述之說明，而經由申請專利範圍所示，特意包含有與申請專利範圍均等意味及在範圍內之所有的變更者。
1‧‧‧Si(矽)基板
1a‧‧‧Si基板的表面
1b‧‧‧Si基板的背面
2‧‧‧SiC(碳化矽)層
3、5‧‧‧AlN(氮化鋁)層
4、6‧‧‧GaN(氮化鎵)層
7‧‧‧複合層
8‧‧‧包含Si基板與SiC層之構造(基板)
9、10‧‧‧電極
I‧‧‧電流

Claims (13)

  1. 一種半導體裝置，其特徵為具備：導電體層，和加以形成於前述導電體層表面之SiC層，和加以形成於前述SiC層表面之AlxGa1-xN(0<x≦1)層，和加以形成於前述AlxGa1-xN層表面之第1導電型的AlyGa1-yN(0≦y<1、y<x)層，和加以形成於前述AlyGa1-yN層表面側之第1電極，和加以形成於前述導電體層背面側之第2電極，流動於前述第1電極與前述第2電極之間的電流的大小係依存於前述第1電極與前述第2電極之間的電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，更具備加以形成於前述AlyGa1-yN層表面之複合層，前述複合層係包含AlmGa1-mN(0<m≦1、y<m)層，和加以形成於前述AlmGa1-mN層表面之AlnGa1-nN(0≦n<1、n<x、n<m)層，前述第1電極係加以形成於較自前述導電體層最遠之前述AlnGa1-nN層為表面側。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之半導體裝置，其中，前述各AlyGa1-yN層及前述AlnGa1-nN層係具有n型的導電型，而對於前述各AlyGa1-yN層及前述AlnGa1-nN層係加以摻雜Si。
  4. 如申請專利範圍第2項記載之半導體裝置，其中， 前述各AlyGa1-yN層及前述AlnGa1-nN層之厚度係為50nm以上5μm以下。
  5. 如申請專利範圍第2項記載之半導體裝置，其中，前述各AlxGa1-xN層及前述AlmGa1-mN層之厚度係較0為大而15nm以下。
  6. 如申請專利範圍第2項記載之半導體裝置，其中，前述複合層為1層以上4層以下。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置，其中，前述導電體層為Si基板。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具備：準備包含導電體層，和加以形成於前述導電體層表面之SiC層之基板的工程，和於前述SiC層表面，將AlxGa1-xN(0<x≦1)層成膜之工程，和於前述AlxGa1-xN層表面，將第1導電型之AlyGa1-yN層(0≦y<1、y<x)進行成膜之工程，和於前述AlyGa1-yN層表面，以較前述AlyGa1-yN層之成膜溫度為低溫而將AlmGa1-mN(0<m≦1、y<m)層進行成膜之工程，和於前述AlmGa1-mN層表面，以較前述AlmGa1-mN層之成膜溫度為高溫而將AlnGa1-nN(0≦n<1、n<x、n<m)層進行成膜之工程，和於前述AlnGa1-nN層表面側，形成第1電極之工程， 和於前述AlnGa1-nN層背面側，形成第2電極之工程，而流動於前述第1電極與前述第2電極之間的電流的大小係依存於前述第1電極與前述第2電極之間的電壓。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在將前述AlyGa1-yN層成膜之工程中，於前述AlyGa1-yN層之成膜中摻雜Si。
  10. 如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在將前述AlnGa1-nN層成膜之工程中，於AlnGa1-nN層之成膜中摻雜Si。
  11. 如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在將前述AlxGa1-xN層，前述AlyGa1-yN層，前述AlmGa1-mN層，及前述AlnGa1-nN層進行成膜之後，除去前述導電體層之工程，和在除去前述導電體層之後，形成前述第2電極之工程中，於前述AlnGa1-nN層之背面側，形成前述第2電極。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在除去前述導電體層之工程中，除去前述基板。
  13. 如申請專利範圍第12項記載之半導體裝置之製造方法，其中，在除去前述導電體層之工程中，殘留自前述基板最遠的前述AlnGa1-nN層，而除去加以形成於前述AlnGa1-nN層背面側之所有的層。
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