JP6156833B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
このように、GaN薄膜中の欠陥密度、特に貫通転位の転位密度を大幅に低減させるとともに、反り・クラックが少なく安価で大口径の基板を得ることができる半導体基板の製造方法および半導体基板は現在のところ提供されていなかったのが実情である。
Si基板の表面に膜厚2nm以上3.5μm以下のSiC単結晶薄膜が形成された半導体基板を準備し、
上記SiC単結晶薄膜が形成された半導体基板を所定の成長温度に加熱して、Al、In、Ga、Nのうち少なくとも2成分から成るバッファー層を形成する工程と、
上記バッファー層上に、上記バッファー層の成長温度より低いGaN成膜温度で、GaN結晶による三次元核を所定の密度となるように形成させる工程と、
上記GaN成膜温度で、GaN結晶による三次元核を横方向成長させて連続的なGaN単結晶膜にする工程とを有し、
上記バッファー層は、膜厚が15nm未満、組成がAlxInyGa1−x−yN(0.05≦x≦1,0≦y≦0.5,x+y≦1)であるとともに、
上記連続的なGaN単結晶膜にする工程の後に、
上記GaN成膜温度よりも低温下かつ800℃以上でAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)層を成膜したのち上記GaN成膜温度でGaN単結晶膜を成膜する工程を1回以上行う工程を有することを要旨とする。
本発明者らは、GaN薄膜が形成された半導体基板について、メルトバック・エッチングの問題を解消するとともに結晶性を改善し、大口径のものを安価に得ようと研究を重ねた。そして、少なくとも表面にSi単結晶層を有する基板をベースとしてSiC層を形成し、さらにバッファー層を積層した上に形成した三次元核を横方向成長させることにより、待ち望まれた品質の半導体基板が得られることを見出し、本発明を完成した。
このようにすることにより、GaN薄膜中の欠陥密度、特に貫通転位の転位密度を大幅に低減させる、かつ安価で大口径の基板を得ることができる。
Si基板に対してGaN薄膜を形成した半導体基板の欠陥密度を低減し、安価で大口径の基板を得ることができる。
上記GaN成膜温度よりも低温下かつ800℃以上でAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)層を成膜したのち上記GaN成膜温度でGaN単結晶膜を成膜する工程を1回以上行う工程を有するため、
最終製品としての半導体基板の反りが軽減される。
GaN薄膜中の欠陥密度、特に貫通転位の転位密度を大幅に低減させる、かつ安価で大口径の基板を得ることができる。
GaN薄膜中の欠陥密度、特に貫通転位の転位密度を大幅に低減させる、かつ安価で大口径の基板を得ることができる。
(0004)面におけるX線回折ピークの半値幅が700arcsec以下であり、
(1−100)面におけるX線回折ピークの半値幅が、(0004)面におけるX線回折線の半値幅の1.5倍未満である場合には、
GaN薄膜中の欠陥密度、特に貫通転位の転位密度を大幅に低減させる、かつ安価で大口径の基板を得ることができる。
本実施形態では、ベース基板として、基板の表面に膜厚2nm以上3.5μm以下のSiC単結晶薄膜が形成された半導体基板を準備する。上記基板としては、少なくとも表面にSi層を有する半導体基板である。例えば、表面にSiC単結晶薄膜が形成されたSi基板や、絶縁体上にSiC/Siヘテロ接合界面を有し表面にSiC単結晶が形成された基板を用いることができる。以下、基板としてSi基板を使用した例を説明する。
必要に応じて表面の清浄化処理を行った出発基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して基板表面の単結晶シリコン層を単結晶SiC層に変成させる。このとき、清浄化処理を行った出発基板をアニールし、引き続き単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させてから、基板表面の単結晶シリコン層を単結晶SiC層に変成させてもよい。必要に応じて、上記単結晶SiC層をシード層として、SiCをエピタキシャル成長させることができる。出発基板としては、単結晶Si基板、SOI基板等を用いることができる。
バッファー層を形成するに先立って、必要に応じてベース基板のクリーニングを行う。
上記SiC単結晶薄膜が形成されたSi基板を所定の成長温度に加熱して、Al、In、Ga、Nのうち少なくとも2成分から成るバッファー層を形成する。上記バッファー層は、例えばエピタキシャル成長によって形成させる。
Ga源ガスとしては、例えば、TMG(tri methyl gallium:Ga(CH3)3)やTEG(Tri ethyl gallium:Ga(C2H5)3)を用いることができる。
N源ガスとしては、例えば、アンモニアNH3を用いることができる。
In源ガスとしては、例えば、TMI(Tri methyl indium:In(CH3)3)を用いることができる。
上記バッファー層上に、上記バッファー層の成長温度より低い温度で、GaN結晶による三次元核を所定の密度となるように形成させる。
上記バッファー層の成長温度より低い温度で、GaN結晶による三次元核を横方向成長させて連続的なGaN単結晶膜にする。
N源ガスとしては、例えば、アンモニアNH3を用いることができる。
三次元核の密度が、1×109個/cm2を超えると、その後のエピタキシャル成長において横方向だけでなく厚み方向にも結晶が成長してしまい、形成されるGaN単結晶膜の結晶性が悪くなるからである。三次元核の密度を1×109個/cm2以下とすることでGaNの結晶性が極めて良好になる。
このとき、Al源ガスとしては、例えば、TMA(Tri methyl aluminium:Al(CH3)3)やTEA(Tri ethyl aluminium:Al(C2H5)3)を用いることができる。
Ga源ガスとしては、例えば、TMG(tri methyl gallium:Ga(CH3)3)やTEG(Tri ethyl gallium:Ga(C2H5)3)を用いることができる。
N源ガスとしては、例えば、アンモニアNH3を用いることができる。
In源ガスとしては、例えば、TMI(Tri methyl indium:In(CH3)3)を用いることができる。
(0004)面におけるX線回折ピークの半値幅が700arcsec以下であり、
(1−100)面におけるX線回折ピークの半値幅が、(0004)面におけるX線回折線の半値幅の1.5倍未満である。
上記Si基板の表面に、膜厚2nm以上3.5μm以下のSiC単結晶薄膜が形成される。
上記SiC単結晶薄膜上に、組成がAlxInyGa1−x−yN(0.05≦x≦1,0≦y≦0.5,x+y≦1)、膜厚が15nm未満のバッファー層が形成される。
上記バッファー層上に形成されたGaN単結晶膜は、
(0004)面におけるX線回折ピークの半値幅が700arcsec以下であり、
(1−100)面におけるX線回折ピークの半値幅が、(0004)面におけるX線回折線の半値幅の1.5倍未満である。
〔ベース基板〕
本実施例では、ベース基板として、表面に膜厚100nmのSiC単結晶薄膜が形成されたSi基板を準備した。
上記ベース基板を雰囲気炉内に装入し、1200℃に昇温して10分間加熱保持することによりクリーニングを行った。昇温開始からクリーニングの間は、雰囲気ガスとしてH2を導入した。
クリーニング終了後、炉内にH2とTMAに加えて、その後さらにNH3を導入し、1200℃で2.5分間加熱して、SiC層の上にAlNバッファー層をエピタキシャル成長によって形成した。
バッファー層の形成が終わると、TMAの導入を停止して温度を1080℃に降下し、TMGの導入を開始し、H2とNH3は引き続き導入を続ける。この状態で40分間保持し、第1層目のGaN層を積層する。
GaNの形成を終えると、H2およびTMGの導入を停止し、NH3およびN2の導入を開始して降温を始める。300℃まで温度が下がると、NH3およびN2の導入を停止し、H2を再び導入し始めて室温まで降温する。
図4は、本実施形態の半導体基板の製造方法の一実施例を説明する加熱チャートである。横軸を処理時間、縦軸を処理温度とした。
第1層目のGaN層の積層を終えると、TMGの導入を停止してから温度を1050℃に降下し、TMAの導入を開始する。H2とNH3は引き続き導入を続ける。所定時間経過ののち、TMAの導入を停止し、温度を1080℃に昇温する。この間を6分間とし、第1層目のAlN中間層を積層する。
温度が1080℃に昇温されて、AlN中間層の形成が終わると、TMGの導入を開始する。H2とNH3は引き続き導入を続ける。この状態で30分間保持し、第2層目のGaN層を積層する。
第2層目のGaN層の積層を終えると、TMGの導入を停止してから温度を1050℃に降下し、TMAの導入を開始する。H2とNH3は引き続き導入を続ける。所定時間経過ののち、TMAの導入を停止し、温度を1080℃に昇温する。この間を6分間とし、第2層目のAlN中間層を積層する。
温度が1080℃に昇温されて、AlN中間層の形成が終わると、TMGの導入を開始する。H2とNH3は引き続き導入を続ける。この状態で60分間保持し、第3層目のGaN層を積層する。
GaNの形成を終えると、H2およびTMGの導入を停止し、NH3およびN2の導入を開始して降温を始める。300℃まで温度が下がると、NH3およびN2の導入を停止し、H2を再び導入し始めて室温まで降温する。
バッファー層の成膜時間を5分にする以外はサンプル2と同様にした。10nmのAlNバッファー層となった以外はサンプル1と同様の基板が得られた。
バッファー層の成膜時間を10分にする以外はサンプル2と同様にした。20nmのAlNバッファー層となった以外はサンプル1と同様の基板が得られた。
Claims (5)
- 基板上にGaN単結晶膜を成長させる半導体基板の製造方法であって、
Si基板の表面に膜厚2nm以上3.5μm以下のSiC単結晶薄膜が形成された半導体基板を準備し、
上記SiC単結晶薄膜が形成された半導体基板を所定の成長温度に加熱して、Al、In、Ga、Nのうち少なくとも2成分から成るバッファー層を形成する工程と、
上記バッファー層上に、上記バッファー層の成長温度より低いGaN成膜温度で、GaN結晶による三次元核を所定の密度となるように形成させる工程と、
上記GaN成膜温度で、GaN結晶による三次元核を横方向成長させて連続的なGaN単結晶膜にする工程とを有し、
上記バッファー層は、膜厚が15nm未満、組成がAlxInyGa1−x−yN(0.05≦x≦1,0≦y≦0.5,x+y≦1)であるとともに、
上記連続的なGaN単結晶膜にする工程の後に、
上記GaN成膜温度よりも低温下かつ800℃以上でAlxInyGa1−x−yN(0<x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)層を成膜したのち上記GaN成膜温度でGaN単結晶膜を成膜する工程を1回以上行う工程を有する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 上記SiC単結晶薄膜の厚みが0.7μm以下である
請求項1記載の半導体基板の製造方法。 - 上記バッファー層の組成がAlNである
請求項1または2記載の半導体基板の製造方法。 - メルトバック・エッチングが95%以上の面積で生じない
請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 上記GaN単結晶膜は、
(0004)面におけるX線回折ピークの半値幅が700arcsec以下であり、
(1−100)面におけるX線回折ピークの半値幅が、(0004)面におけるX線回折線の半値幅の1.5倍未満である
請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
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