TW201624692A - 電光裝置及電子機器 - Google Patents

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TW201624692A TW104143222A TW104143222A TW201624692A TW 201624692 A TW201624692 A TW 201624692A TW 104143222 A TW104143222 A TW 104143222A TW 104143222 A TW104143222 A TW 104143222A TW 201624692 A TW201624692 A TW 201624692A
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Abstract

本發明之電光裝置具備元件基板，該元件基板包含將具有發光元件之像素以矩陣狀排列之顯示區域。發光元件具有於絕緣層上積層有反射電極、保護層、光路調整層、第1電極、發光層及第2電極之構造。反射電極係分割配置於每個像素，於分割配置於每個像素之各反射電極之間形成間隙。保護層覆蓋於形成有間隙之反射電極之面上，且包含被埋入至間隙之埋入絕緣膜。

Description

電光裝置及電子機器
本發明係關於電光裝置及電子機器。
作為電光裝置之一例，曾提出將使用有機電致發光(EL：Electro Luminescence)元件之像素以矩陣狀配置於元件基板之顯示區域之有機EL裝置(例如，參照專利文獻1、2)。
具體而言，於專利文獻1中揭示有一種頂部發光構造之有機EL裝置，其具備：依序積層有第1電極(像素電極)、發光層及第2電極(對向電極)之有機EL元件；與第1電極電性連接之電源線；及切換第1電極與電源線之電性連接之開關元件(電晶體)；且於具有光反射性之電源線(反射層)上重疊配置第1電極。
另一方面，於專利文獻2中揭示有一種有機EL裝置，其具備依序積層有反射層、光路調整層、第1電極(像素電極)、發光層及第2電極(對向電極)之共振構造(空腔構造)之有機EL元件；且使發光層所發出之光於反射層與第2電極之間反覆反射，並根據經光路調整層調整之反射層與第2電極之間的光學距離，增強特定波長(共振波長)之光且射出光。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-321815號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-089444號公報
另，於上述專利文獻2所記載之有機EL裝置中，於配置於每個像素之各反射電極之間形成有開口。光路調整層係以覆蓋形成有該開口之反射電極之面上之方式配置。因此，於光路調整層，形成有反映該開口之形狀之凹部(凹凸)。
但，於形成有此種凹部之位置及其附近，難以準確進行藉由光路調整層調整反射電極與第1電極之間之光路。且，因配置於光路調整層上之第1電極為避免凹部所產生之影響而必須相對於反射電極縮小。因此，既然使第1電極較反射電極縮小，則會導致發光面積(像素之開口率)相應變小。
本發明之一態樣係鑑於此種先前之情況而提出者，目的之一在於提供可準確進行反射電極與第1電極之間之光路調整且可提高像素之開口率之電光裝置、及具備此種電光裝置之電子機器。
本發明之一態樣之電光裝置具備元件基板，其包含將複數個像素以矩陣狀排列之顯示區域。元件基板係於每個像素具有發光元件與驅動發光元件之電晶體。發光元件係介隔絕緣層而配置於電晶體上，且具有積層有反射電極、保護層、光路調整層、第1電極、發光層、第2電極之構造。反射電極係分割配置於每個像素。於分割配置於每個像素之各反射電極之間形成間隙。保護層包含被埋入至間隙之埋入絕緣膜。
根據該構成，因可將保護層之與光路調整層相接之側之面上平坦化，故藉由於每個像素調整光路調整層之厚度，可準確進行反射電極與第1電極之間之光路調整。藉此，可進行藉由共振構造形成之色 再現性良好之發光元件之發光動作。且，根據該構成，因配置於保護層之面上之光路調整層亦被平坦化，故可將配置於該光路調整層之面上之第1電極之端部靠近反射電極之端部而定位。藉此，可增大發光面積(像素之開口率)。
又，可構成為：於上述電光裝置中，經由貫通絕緣層而配置之第1接觸電極而將電晶體與反射電極電性連接，經由貫通保護層而配置之第2接觸電極而將反射電極與第1電極電性連接。
根據該構成，因電晶體與第1電極經由反射電極而電性連接，故反射電極與第1電極為相同電位。藉此，可控制自電晶體經由反射電極而施加至第1電極之電位，並進行可靠度較高之發光元件之發光動作。又，根據該構成，可謀求成品率之進一步提高。
又，可構成為：於上述電光裝置中，保護層進而具備：設置於反射電極與埋入絕緣膜之間之第1絕緣膜、與設置於第1絕緣膜及埋入絕緣膜上之第2絕緣膜；光路調整層係以至少一部分之端部位於第2絕緣膜之面上之方式配置。
根據該構成，於將光路調整層圖案化為特定形狀時，可保護埋入絕緣膜，並使第2絕緣膜作為光路調整層之蝕刻終止層發揮功能。
又，可構成為：於上述電光裝置中，第2絕緣膜含有氮化矽，光路調整層含有氧化矽。
根據該構成，可藉由使用例如氟系氣體之乾式蝕刻，相對於氮化矽選擇性地蝕刻氧化矽。因此，於將光路調整層圖案化為特定形狀時，可使第2絕緣膜作為光路調整層之蝕刻終止層發揮功能。
又，可構成為：於上述電光裝置中，光路調整層之至少一部分之端部位於埋入絕緣膜之上方。
根據該構成，於將光路調整層圖案化為特定形狀時，可保護埋入絕緣膜，並使第2絕緣膜作為光路調整層之蝕刻終止層發揮功能， 且提高各像素之開口率。
又，可構成為：於上述電光裝置中，形成有貫通光路調整層及保護層之接觸孔，第2接觸電極具有以埋入至接觸孔之狀態與反射電極連接之第1接觸部、及以配置於保護層之面上之狀態與第1電極連接之第2接觸部。
根據該構成，可經由第2接觸電極使反射電極與第1電極確實連接。
又，可構成為：於上述電光裝置中，光路調整層之至少一部分之端部位於第2接觸電極之面上。
根據該構成，於將光路調整層圖案化為特定形狀時，可使第2接觸電極作為光路調整層之蝕刻終止層發揮功能，且提高各像素之開口率。
又，可構成為：於上述電光裝置中，於反射電極之面上配置有增反射層。
根據該構成，可提高反射電極所產生之反射特性。
又，本發明之一態樣之電子機器其特徵在於具備上述任一種電光裝置。
根據該構成，可提供具備可準確進行反射電極與第1電極之間之光路調整，並可提高像素之開口率之電光裝置之電子機器。
6‧‧‧電源線
8‧‧‧電源線
10‧‧‧元件基板
12‧‧‧掃描線
14‧‧‧資料線
19‧‧‧電源線
20‧‧‧像素
20B‧‧‧像素
20G‧‧‧像素
20R‧‧‧像素
21‧‧‧電容
28‧‧‧第1接觸電極
29‧‧‧像素分離層
29CT‧‧‧開口
30‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30B‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30G‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30R‧‧‧有機EL元件(發光元件)
31‧‧‧像素電極(第1電極)
32‧‧‧發光功能層(發光層)
33‧‧‧對向電極(第2電極)
34‧‧‧層間絕緣層(絕緣層)
35‧‧‧反射電極
35a‧‧‧第1層
35b‧‧‧第2層
35CT‧‧‧間隙
36‧‧‧增反射層
37‧‧‧保護層
37a‧‧‧凹部
38‧‧‧光路調整層
38a‧‧‧絕緣膜
38b‧‧‧絕緣膜
39‧‧‧第1絕緣膜
39a‧‧‧凹部
40‧‧‧埋入絕緣膜
41‧‧‧第2接觸電極
41a‧‧‧第1接觸部
41b‧‧‧第2接觸部
41CT‧‧‧接觸孔
41EL‧‧‧導電膜
42‧‧‧第2絕緣膜
43‧‧‧遮罩層
44‧‧‧第3絕緣膜
48‧‧‧埋入絕緣膜
49‧‧‧密封層(鈍化膜)
50‧‧‧彩色濾光片層
50B‧‧‧藍色之彩色濾光片層
50G‧‧‧綠色之彩色濾光片層
50R‧‧‧紅色之彩色濾光片層
70‧‧‧保護基板
100‧‧‧有機EL裝置(電光裝置)
100A‧‧‧有機EL裝置(電光裝置)
100B‧‧‧有機EL裝置(電光裝置)
101‧‧‧資料線驅動電路
102‧‧‧掃描線驅動電路
103‧‧‧外部連接用端子
104‧‧‧可撓性配線基板
110‧‧‧像素電路
121‧‧‧電晶體
122‧‧‧電晶體
123‧‧‧電晶體
124‧‧‧電晶體
125‧‧‧電晶體
1000‧‧‧頭戴式顯示器(電子機器)
1001‧‧‧顯示部
A-A’‧‧‧線段
B-B’‧‧‧線段
C-C’‧‧‧線段
Ctr1‧‧‧控制信號
Ctr2‧‧‧控制信號
D-D’‧‧‧線段
E‧‧‧顯示區域
Gcmp‧‧‧控制信號
Gel‧‧‧控制信號
Gorst‧‧‧控制信號
Gwr‧‧‧掃描信號
Gwr(1)~Gwr(m)‧‧‧掃描信號
M‧‧‧觀察者
Vct‧‧‧電位
Vd(1)~Vd(n)‧‧‧資料信號
Vel‧‧‧電位
Vorst‧‧‧重置電位
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z(+)‧‧‧方向
圖1係顯示本發明之一實施形態之有機EL裝置之構成之俯視圖。
圖2係顯示圖1所示之有機EL裝置所具備之元件基板之構成之電路圖。
圖3係顯示圖1所示之有機EL裝置所具備之像素電路之構成之電路圖。
圖4係顯示圖1所示之有機EL裝置所具備之像素之構成之俯視 圖。
圖5(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之第1實施形態之剖視圖，(b)係將(a)中所示之一部分像素放大之剖視圖。
圖6(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之第1實施形態之剖視圖，(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之第1實施形態之剖視圖，(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之第1實施形態之剖視圖。
圖7(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之第2實施形態之剖視圖，(b)將(a)中所示之一部分像素放大之剖視圖。
圖8(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之第2實施形態之剖視圖，(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之第2實施形態之剖視圖，(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之第2實施形態之剖視圖。
圖9(a)~(d)係用於說明第2實施形態之有機EL裝置之製造步驟之剖視圖。
圖10(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之第3實施形態之剖視圖，(b)係將(a)中所示之一部分像素放大之剖視圖。
圖11(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之第3實施形態之剖視圖，(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之第3實施形態之剖視圖，(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之第3實施形態之剖視圖。
圖12係顯示具備圖1所示之有機EL裝置之電子機器之一例之概略圖。
以下，對本發明之實施形態，參照圖式進行詳細說明。
另，本實施形態係顯示本發明之一態樣者，並非限定本發明，而可於本發明之技術思想之範圍內進行任意變更。此外，於以下之各圖中，為了將各層或各部位設為圖式上可辨識之程度之大小，使各層或各部位之縮尺與實際有所不同。
[第1實施形態] (有機EL裝置)
作為本發明之第1實施形態，圖1所示之有機EL裝置100係作為本發明之「電光裝置」之一例而顯示之自發光型之顯示裝置。另，圖1係示意性顯示有機EL裝置100之構成之俯視圖。
首先，參照圖1，對本實施形態之有機EL裝置100之概要進行說明。
有機EL裝置100係如圖1所示般，包含元件基板10與保護基板70。元件裝置10與保護基板70係以相互對向之狀態，藉由省略圖示之接著劑接合。另，對接著劑，可使用例如環氧樹脂或丙烯酸樹脂等。
元件基板10具有顯示區域E，其係作為發光元件，以矩陣狀排列配置有發出藍色(B：Blue)光之有機EL元件30B之像素20B、配置有發出綠色(G：Green)光之有機EL元件30G之像素20G、及配置有發出紅色(R：Red)光之有機EL元件30R之像素20R。
於有機EL裝置100中，像素20B、像素20G及像素20R成為顯示單位而提供全彩之顯示。另，於以下之說明中，有將像素20B、像素20G及像素20R統一作為像素20處理之情形，有將有機EL元件30B、有機EL元件30G及有機EL元件30R統一作為有機EL元件30處理之情形。
於顯示區域E，設置有彩色濾光片層50。於彩色濾光片層50中，於像素20B之有機EL元件30B上配置有藍色之彩色濾光片層50B，於像素20G之有機EL元件30G上配置有綠色之彩色濾光片層50G，於像素20R之有機EL元件30R上配置有紅色之彩色濾光片層50R。
於本實施形態中，可獲得相同顏色之發光之像素20排列於Y方向(第1方向)，可獲得不同顏色之發光之像素20排列於相對於Y方向交叉(正交)之X方向(第2方向)。因此，像素20之配置成為所謂條紋方式。 根據該像素之排列，有機EL元件30B、有機EL元件30G及有機EL元件30R分別以條紋狀配置；藍色之彩色濾光片層50B、綠色之彩色濾光片層50G及紅色之彩色濾光片層50R亦以條紋狀配置。另，像素20之配置並非限定於條紋方式，而亦可為馬賽克方式、三角形方式。
有機EL裝置100具有頂部發光構造。因此，有機EL元件30所發出之光透過元件基板10之彩色濾光片層50而自保護基板70之側作為顯示光射出。
因有機EL裝置100為頂部發光構造，故對元件基板10之基材，除了透明之石英基板或玻璃基板等以外，亦可使用不透明之陶瓷基板或半導體基板等。另，於本實施形態中，使用矽基板(半導體基板)作為元件基板10之基材。
於顯示區域E之外側，沿元件基板10之長邊側之一邊，排列有複數個外部連接用端子103。於複數個外部連接用端子103與顯示區域E之間，設置有資料線驅動電路101。於元件基板10之短邊側之兩邊與顯示區域E之間，設置有掃描線驅動電路102。另，於以下之說明中，將沿著元件基板10之長邊之方向設為X方向，將沿著元件基板10之短邊之方向設為Y方向，將自保護基板70朝著元件基板10之方向設為Z(+)方向。
保護基板70係較元件基板10小，且以露出外部連接用端子103之方式與元件基板10對向配置。外部連接用端子103與可撓性配線基板104連接。藉此，有機EL裝置100可經由可撓性配線基板104而與外部電路(未圖示)電性連接。
保護基板70係透光性之基板，可使用石英基板或玻璃基板等。保護基板70具有保護配置於顯示區域E之有機EL元件30避免損傷之作用，設置為較顯示區域E更寬。
圖2係顯示元件基板10之構成之電路圖。於元件基板10，如圖2 所示般，m列之掃描線12係朝X方向延伸而設置，n行之資料線14係朝Y方向延伸而設置。且，於元件基板10，沿資料線14，於每行將電源線19朝Y方向延伸而設置。
於元件基板10，對應m列之掃描線12與n行之資料線14之交叉部而設置有像素電路110。像素電路110構成像素20之一部分。於顯示區域E，將m列×n行之像素電路110以矩陣狀排列。
對電源線19供給(供電)初始化用之重置電位Vorst。進而，雖省略圖示，但與掃描線12並行而設置有供給控制信號Gcmp、Gel、Gorst之3條控制線。
掃描線12電性連接於掃描線驅動電路102。資料線14電性連接於資料線驅動電路101。對掃描線驅動電路102，供給用於控制掃描線驅動電路102之控制信號Ctr1。對資料線驅動電路101，供給用於控制資料線驅動電路101之控制信號Ctr2。
掃描線驅動電路102係根據控制信號Ctr1而產生於圖框期間用於逐列掃描掃描線12之掃描信號Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、...、Gwr(m-1)、Gwr(m)。進而，掃描線驅動電路102係除了掃描信號Gwr之外，亦對控制線供給控制信號Gcmp、Gel、Gorst。另，所謂圖框期間，係指以有機EL裝置100顯示1幀(cut)量之圖像的期間，例如若同步信號所包含之垂直同步信號之頻率為120Hz，則1圖框期間為約8.3毫秒。
資料線驅動電路101係相對於位於由掃描線驅動電路102選擇之列之像素電路110，將與該像素電路110之諧調資料相應之電位之資料信號Vd(1)、Vd(2)、...、Vd(n)供給至第1、2、...、n行之資料線14。
圖3係顯示像素電路110之構成之電路圖。像素電路110係如圖3所示般，具有：P通道MOS型之電晶體121、122、123、124、125、有機EL元件30、及電容21。對像素電路110，供給上述之掃描信號 Gwr、及控制信號Gcmp、Gel、Gorst等。
有機EL元件30具有由相互對向之像素電極(第1電極)31與對向電極(第2電極)33夾著發光功能層(發光層)32之構造。
像素電極31係對發光功能層32供給電洞之陽極，由具有光透過性之導電材料形成。於本實施形態中，作為像素電極31，形成有例如膜厚200nm之ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)膜。像素電極31電性連接於電晶體124之汲極及電晶體125之源極或汲極之一者。
對向電極33係對發光功能層32供給電子之陰極，由例如鎂(Mg)與銀(Ag)之合金等具有光透過性與光反射性之導電材料形成。對向電極33係跨越複數個像素20而設置之共通電極，電性連接於電源線8。對電源線8，供給於像素電路110中成為電源之低位側之電位Vct。
發光功能層32具有自像素電極31之側起依序積層之電洞注入層、電洞輸送層、有機發光層、及電子輸送層等。於有機EL元件30中，將自像素電極31供給之電洞、與自對向電極33供給之電子於發光功能層32中耦合，藉此發光功能層32發光。
又，於元件基板10，與各電源線19交叉且朝X方向延伸而設置有電源線6。另，電源線6可朝Y方向延伸而設置，亦可以朝X方向及Y方向之兩者延伸之方式設置。電晶體121其源極電性連接於電源線6，汲極分別電性連接於電晶體123之源極或汲極之另一者、與電晶體124之源極。且，對電源線6，供給於像素電路110中成為電源之高位側之電位Vel。又，於電源線6，電性連接有電容21之一端。電晶體121係作為流通與電晶體121之閘極及源極間之電壓相應之電流之驅動電晶體而發揮功能。
電晶體122其閘極電性連接於掃描線12，源極或汲極之一者電性連接於資料線14。且，電晶體122其源極或汲極之另一者分別電性連接於電晶體121之閘極、電容21之另一端、及電晶體123之源極或汲極 之一者。電晶體122電性連接於電晶體121之閘極與資料線14之間，作為控制電晶體121之閘極與資料線14之間之電性連接之寫入電晶體而發揮功能。
電晶體123其閘極電性連接於控制線，且被供給控制信號Gcmp。電晶體123係作為控制電晶體121之閘極及汲極之間之電性連接之、閾值補償電晶體而發揮功能。
電晶體124其閘極電性連接於控制線，且被供給控制信號Gel。電晶體124其汲極分別電性連接於電晶體125之源極或汲極之一者及有機EL元件30之像素電極31。電晶體124係作為控制電晶體121之汲極與有機EL元件30之像素電極31之間之電性連接之、發光控制電晶體發揮功能。
電晶體125其閘極電性連接於控制線，且被供給控制信號Gorst。且，電晶體125之源極或汲極之另一者電性連接於電源線19，且被供給重置電位Vorst。電晶體125係作為控制電源線19與有機EL元件30之像素電極31之間之電性連接之初始化電晶體而發揮功能。
圖4係顯示像素20(画素20B、20G、20R)之構成之俯視圖。圖5(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之像素20B、20G、20R之沿著X方向之剖視圖。圖5(b)係將圖5(a)中所示之一部分之像素20R放大之剖視圖。圖6(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之像素20B之沿著Y方向之剖視圖。圖6(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之像素20G之沿著Y方向之剖視圖。圖6(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之像素20R之沿著Y方向之剖視圖。
各像素20B、20G、20R係如圖4及圖5(a)、(b)所示，各者係以於俯視下呈矩形狀，且短邊方向與X方向(長邊方向與Y方向)平行之方式配置。且，於各有機EL元件30B、30G、30R之間，設置有像素分離層29。
像素分離層29包含絕緣材料，使相鄰之有機EL元件30B、30G、30R之間電性絕緣。於本實施形態中，作為像素分離層29，形成有例如膜厚25nm之氧化矽(SiO2)膜。像素分離層29係以覆蓋各像素20B、20G、20R之像素電極31之周緣部之方式設置。亦即，於像素分離層29，設置有使各像素20B、20G、20R之像素電極31之一部分露出之開口29CT。開口29CT係於俯視下呈矩形狀，且規定各像素20之發光區域。
配置於各像素20B、20G、20R之有機EL元件30B、30G、30R係如圖5(a)、(b)及圖6(a)~(c)所示，具有於層間絕緣層(絕緣層)34上積層有反射電極35、增反射層36、保護層37、光路調整層38、像素電極31、發光功能層32、及對向電極33之共振構造(空腔構造)。另，於圖4、圖5(a)、(b)及圖6(a)~(c)中省略上述之發光功能層32及對向電極33之圖示。
於共振構造中，可使發光功能層32所發出之光於反射電極35與對向電極33之間反復反射，並根據經光路調整層38調整之反射電極35與對向電極33之間之光學距離，使特定波長(共振波長)之光增強且射出。
對層間絕緣層34，可使用例如氧化矽(SiO2)等之絕緣材料。另，於圖5(a)中，於層間絕緣層34之下方僅顯示有電晶體124，但於層間絕緣層34之下方，除了電晶體124以外，亦配置有掃描線12、資料線14、電源線19、控制線、電源線6、構成像素電極110之電晶體121、122、123、124、125、及電容21等。於層間絕緣層34之表面，根據該等電晶體或配線等而有可能形成凹凸，較佳為將供形成反射電極35之表面平坦化。
反射電極35係分割配置於每個像素20。亦即，反射電極35設置於像素20B、20G、20R之各者。且，於相鄰之各反射電極35之間，形 成有間隙35CT。因此，構成為於相鄰之各反射電極35之間設置有間隙35CT，且於每個像素20電性分離，並可施加不同之電位。
反射電極35包含具有光反射性之導電材料，俯視下形成為矩形狀。反射電極35較像素電極31大，規定各像素20之反射區域。於本實施形態中，作為反射電極35，例如於成為第1層35a之膜厚30nm之鈦(Ti)膜上，形成有成為第2層35b之膜厚100nm之鋁(Al)與銅(Cu)之合金(AlCu)膜。
反射電極35係經由貫通層間絕緣層34而配置之第1接觸電極28(參照圖3及圖5(a))而與上述電晶體124之汲極電性連接。且，反射電極35係經由第1接觸電極28而與電晶體125之源極或汲極之一者(未圖示)電性連接。對第1接觸電極28，可使用例如鎢(W)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)等之導電材料。於本實施形態中，反射電極35之第1層35a係與第1接觸電極28連接。
增反射層36係用於提高反射電極35之反射特性者，包含例如具有光透過性之絕緣材料。增反射層36係以覆蓋反射電極35之面上之方式配置。於本實施形態中，作為增反射層36，形成有例如膜厚40nm之氧化矽(SiO2)膜。
保護層37係以覆蓋形成有間隙35CT之反射電極35之面上之方式設置。保護層37具有第1絕緣膜39與埋入絕緣膜40。第1絕緣膜39設置於增反射層36、反射電極35及層間絕緣層34之面上，沿間隙35CT而形成。因此，第1絕緣膜39具有與間隙35CT對應之凹部39a。埋入絕緣膜40係以填入凹部39a之方式形成。保護層37之與光路調整層38相接之側之面上係藉由被埋入至凹部37a之埋入絕緣膜而被平坦化。於本實施形態中，作為第1絕緣膜39，形成有例如膜厚80nm之氮化矽(SiN)膜，作為埋入絕緣膜40，形成有氧化矽(SiO2)膜。
光路調整層38具有配置於保護層37之面上之絕緣膜38a、38b。光 路調整層38係對每個像素20B、20G、20R，進行與反射電極35和對向電極33之間的光學距離相應之光路調整。
具體而言，光路調整層38之膜厚係以像素20B、像素20G、像素20R之順序增大。亦即，於像素20B中，如圖6(a)所示，以例如共振波長(亮度為最大之峰值波長)成為470nm之方式，而省略絕緣膜38a、38b。於像素20G中，如圖6(b)所示，以例如共振波長成為540nm之方式，而設置有絕緣膜38a。於像素20R中，如圖6(c)所示，以例如共振波長成為610nm之方式，而設置有絕緣膜38a、38b。於本實施形態中，作為絕緣膜38a，形成有例如膜厚40nm之氧化矽(SiO2)，作為絕緣膜38b，形成有例如膜厚50nm之氧化矽(SiO2)。且，增反射層36及保護層37亦進行與反射電極35和對向電極33之間的光學距離相應之光路調整，例如，於像素20B中，增反射層36及保護層37之膜厚係以例如共振波長(亮度為最大之峰值波長)成為470nm之方式設定。
藉此，自像素20B發出以470nm為峰值波長之藍色(B：Blue)光，自像素20G發出以540nm為峰值波長之綠色(G：Green)光，自像素20R發出以610nm為峰值波長之紅色(R：Red)光。於有機EL裝置100中，藉由具有此種共振構造之有機EL元件30，提高自各像素20所發出之顯示光之色純度。
光路調整層38設置於各有機EL元件30B、30G、30R之間。具體而言，光路調整層38係以與埋入絕緣膜40同種之材料構成，光路調整層38係以覆蓋埋入絕緣膜40之方式設置。根據此種構成，不會損害保護層37之像素電極31側之表面之平坦性，即可根據共振波長對光路調整層38進行加工。於本實施形態中，光路調整層38及埋入絕緣膜40係由氧化矽(SiO2)構成。
於光路調整層38上，如圖5(a)、(b)及圖6(a)~(c)所示，配置有像素電極31。像素電極31係經由第2接觸電極41而與反射電極35電性連 接。具體而言，以貫通保護層37及增反射層36之方式，設置有接觸孔41CT。接觸孔41CT位於俯視下與開口29CT未重疊之區域、亦即形成有像素分離層29之區域之下方。
第2接觸電極41具有第1接觸部41a與第2接觸部41b。第1接觸部41a置於接觸孔41CT內，且與反射電極35之第2層35b連接。第2接觸部41b配置於保護層37之面上，且與像素電極31連接。於本實施形態中，形成有例如氮化鈦(TiN)膜作為第2接觸電極41，且以第2接觸部41b之厚度成為50nm之方式形成。
如圖5(a)、(b)及圖6(a)~(c)所示，光路調整層38之一部分係以與第2接觸電極41重疊之方式形成。根據此種構成，不會損害保護層37之像素電極31側之表面之平坦性，即可於各有機EL元件30B、30G、30R之間之區域之附近配置第2接觸電極41。藉此，可縮小對發光無貢獻之區域，從而可提高各像素20之開口率。
如圖6(a)所示，於像素20B中，構成光路調整層38之絕緣膜38a、38b設置於第2接觸電極41之一部分或與埋入絕緣膜40重疊之區域。構成光路調整層38之絕緣膜38a、38b並未設置於第2接觸電極41之一部分之面上，該部位中構成像素電極31之導電材料積層於第2接觸電極41，且構成像素電極31之導電材料與第2接觸電極41相接。
如圖6(b)所示，於像素20G中，構成光路調整層38之絕緣膜38a設置於第2接觸電極41之一部分或與埋入絕緣膜40重疊之區域。且，於絕緣膜38b，設置有接觸孔，構成像素電極31之導電材料配置於該接觸孔內，像素電極31與第2接觸電極41連接。於像素20G中，構成光路調整層38之絕緣膜38b係除了該接觸孔之外，設置於大致整面。更具體而言，構成光路調整層38之絕緣膜38a設置於第2接觸電極41之一部分、反射電極35或與埋入絕緣膜40重疊之區域。
如圖6(c)所示，於像素20R中，構成光路調整層38之絕緣膜38a、 38b設置於第2接觸電極41之一部分、反射電極35或與埋入絕緣膜40重疊之區域。且，於絕緣膜38a、38b，設置有接觸孔，構成像素電極31之導電材料配置於該接觸孔內，像素電極31與第2接觸電極41連接。
另，雖省略圖示，但於像素電極31上，配置有上述之發光功能層32及對向電極33，進而於其上配置覆蓋元件基板10之面上、且將有機EL元件30之面上平坦化之密封層(鈍化膜)49，藉此抑制水分或氧等侵入至有機EL元件30。上述彩色濾光片層50配置於該密封層49之面上。
然而，於本實施形態之有機EL裝置100中，構成為：電晶體124與反射電極35經由上述第1接觸電極28而電性連接，反射電極35與像素電極31經由第2接觸電極41而電性連接。亦即，像素電極31係經由反射電極35而與電晶體124電性連接。第1接觸電極28、反射電極35、第2接觸電極41及像素電極31係於忽略該等構件之電阻或接觸電阻之情形時，實質上為相同之電位。
藉此，於本實施形態之有機EL裝置100中，由於可避免於上述先前之電源線(反射電極)與第1電極(像素電極)短路(short)之情形時，電源線之電位被直接施加至第1電極之問題，故而可謀求成品率之進一步提高。
亦即，於本實施形態之有機EL裝置100中，與如先前般之電源線之一部分構成反射電極之情形、或使電源線與反射電極電性連接之情形不同，藉由使反射電極35與像素電極31電性連接，反射電極35與像素電極31成為相同之電位。藉此，可避免於反射電極35與像素電極31之間之絕緣膜(增反射層36或保護膜37、光路調整層38等)產生缺陷等而於電源線與像素電極之間短路(short)之狀況。
又，於本實施形態之有機EL裝置100中，可藉由此種構成，控制自電晶體124經由反射電極35而施加至像素電極31之電位，並進行可 靠度較高之有機EL元件30之發光動作。
又，於本實施形態之有機EL裝置100中，因由上述保護層37保護反射電極35，並可容易地進行藉由光路調整層38進行之反射電極35與像素電極31之間之光路調整，故可進行藉由上述共振構造形成之色再現性良好之有機EL元件30之發光動作。
進而，於本實施形態之有機EL裝置100中，因上述保護層37之與光路調整層38相接之側之面上被平坦化，故可於每個像素20準確進行藉由光路調整層38進行之反射電極35與像素電極31之間之光路調整。藉此，可進行藉由上述共振構造形成之色再現性良好之有機EL元件30之發光動作。
又，於本實施形態之有機EL裝置100中，藉由使上述光路調整層38覆蓋埋入絕緣膜40之面上，於將光路調整層38圖案化為特定形狀時，可保護埋入絕緣膜40。
此處，對光路調整層38(絕緣膜38a、38b)及埋入絕緣膜48，使用相同種類之材料，對第1絕緣膜39，使用與光路調整層38及埋入絕緣膜48不同之材料。於本實施形態中，對光路調整層38(絕緣膜38a、38b)及埋入絕緣膜48，使用氧化矽(SiO2)，對第1絕緣膜39，使用蝕刻速率較氧化矽(SiO2)低之氮化矽(SiN)。
於該情形時，可藉由使用例如氟系氣體之乾式蝕刻，相對於氮化矽而選擇性地蝕刻氧化矽。且，以光路調整層38(絕緣膜38a、38b)之至少一部分之端部位於第1絕緣膜39之面上之方式配置。藉此，可使第1絕緣膜39作為光路調整層38之蝕刻終止層發揮功能。
又，於本實施形態之有機EL裝置100中，上述接觸電極41具有：第1接觸部41a，其係以被埋入至接觸孔41CT之狀態與反射電極35連接；及第2接觸部41b，其係以覆蓋光路調整層38之面上之狀態與像素電極31連接。於該情形時，可經由第2接觸電極41而使反射電極35與 像素電極31確實連接。
進而，於本實施形態之有機EL裝置100中，藉由使上述光路調整層38之至少一部分之端部位於第2接觸部41b之面上，於將光路調整層38圖案化為特定之形狀時，可使第2接觸部41b作為光路調整層38之蝕刻終止層發揮功能，且提高各像素20之開口率。
[第2實施形態] (有機EL裝置)
其次，作為本發明之第2實施形態，對圖7及圖8所示之有機EL裝置100A進行說明。另，於以下之說明中，關於與上述有機EL裝置100同等之部位，省略說明，且於圖式中標註相同之符號。
圖7(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之像素20B、20G、20R之沿著X方向之剖視圖。圖7(b)係將圖7(a)中所示之一部分之像素20R放大之剖視圖。圖8(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之像素20B之沿著Y方向之剖視圖。圖8(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之像素20G之沿著Y方向之剖視圖。圖8(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之像素20R之沿著Y方向之剖視圖。
第2實施形態之有機EL裝置100A係如圖7(a)、(b)及圖8(a)~(c)所示，在具備第2絕緣膜42之點上，與上述第1實施形態之有機EL裝置100不同。
各像素20B、20G、20R係如圖4及圖7(a)、(b)所示，各者係以於俯視下呈矩形狀，且短邊方向與X方向(長邊方向與Y方向)平行之方式配置。且，於各有機EL元件30B、30G、30R之間，設置有像素分離層29。
保護層37係以覆蓋形成有間隙35CT之反射電極35之面上之方式設置。保護層37係除了第1絕緣膜39及埋入絕緣膜40之外，亦具備第2絕緣膜42。第2絕緣膜42設置於第2接觸部41b與第1絕緣膜39之間。
第1絕緣膜39設置於增反射層36、反射電極35及層間絕緣層34之面上，沿間隙35CT而形成。因此，第1絕緣膜39具有與間隙35CT對應之凹部39a。埋入絕緣膜40係以填入凹部39a之方式形成。
又，第2絕緣膜42被圖案化為與第2接觸部41b相同之形狀。亦即，第2絕緣膜42配置於第1絕緣膜39與第2接觸部41b之間，且具有俯視下與第2接觸部41b一致之形狀。
於本實施形態中，作為第1絕緣膜39，形成有例如膜厚80nm之氮化矽(SiN)膜，作為埋入絕緣膜40，形成有氧化矽(SiO2)膜，作為第2絕緣膜42，形成有例如膜厚50nm之氧化矽(SiO2)膜。
另，雖省略圖示，但與第1實施形態同樣地，於像素電極31上，配置有上述之發光功能層32及對向電極33，進而於其上配置覆蓋元件基板10之面上、且將有機EL元件30之面上平坦化之密封層(鈍化膜)49，藉此抑制水分或氧等侵入至有機EL元件30。上述彩色濾光片層50配置於該密封層49之面上。
然而，於本實施形態之有機EL裝置100A中，於將上述第2接觸電極41圖案化為特定形狀時，可使第1絕緣膜39作為第2絕緣膜42之蝕刻終止層發揮功能。藉此，即使於第2絕緣膜42被圖案化為與第2接觸部41b相同之形狀之情形時，亦可防止位於該第2絕緣膜42之下方之第1絕緣膜39之厚度產生不均。
(有機EL裝置之製造方法)
具體而言，對第2實施形態之有機EL裝置100A之製造方法，參照圖9(a)~(d)進行說明。另，圖9(a)~(d)係用於說明上述有機EL裝置100A之構成中之、保護層37及第2接觸電極41之製造步驟之剖視圖。
於本實施形態中，首先，如圖9(a)所示，作為保護層37，於反射電極35上形成覆蓋增反射層36之面上之第1絕緣膜39，於形成被埋入至凹部39a之埋入絕緣膜40後，形成覆蓋第1絕緣膜39之藉由埋入絕緣 膜40被平坦化之面上之第2絕緣膜42。另，於本實施形態中，如上所述，作為第1絕緣膜39，形成有例如膜厚80nm之氮化矽(SiN)膜，作為埋入絕緣膜40，形成有氧化矽(SiO2)膜，作為第2絕緣膜42，形成例如膜厚50nm之氧化矽(SiO2)膜。
其次，如圖9(b)所示，於形成貫通增反射層36、第1絕緣膜39及第2絕緣膜42之接觸孔41CT後，以被埋入至該接觸孔41CT之狀態，形成覆蓋第2絕緣膜42之面上之導電膜41EL。另，於本實施形態中，如上所述，作為導電膜41EL，形成有厚度50nm之氮化鈦(TiN)膜。
接著，如圖9(c)所示，於導電膜41EL之面上塗佈抗蝕劑後，使用光微影技術形成與第2接觸部41b對應之形狀之遮罩層43。其後，蝕刻導電膜41EL及第2絕緣膜42直至露出第1絕緣膜39之表面為止。
此時，可藉由使用氟系氣體之乾式蝕刻，相對於第1絕緣膜(氮化矽膜)39，將蝕刻速率低於該第1絕緣膜39之第2絕緣膜(氧化矽膜)42選擇性地蝕刻。因此，於本實施形態中，藉由提高第1絕緣膜39與第2絕緣膜42之蝕刻選擇比(第2絕緣膜42之蝕刻速率/第1絕緣膜39之蝕刻速率)，可使第1絕緣膜39作為第2絕緣膜42之蝕刻終止層發揮功能。
接著，如圖9(d)所示，去除遮罩層43。藉此，形成第2接觸電極41，其具有以被埋入至接觸孔41CT之狀態與反射電極35連接之第1接觸部41a、及以配置於第2絕緣膜42之面上之狀態與像素電極31連接之第2接觸部41b。
如以上般，於第2實施形態之有機EL裝置100中，即使將上述第2絕緣膜42圖案化為與第2接觸部41b相同之形狀之情形時，亦可防止位於該第2絕緣膜42之下方之第1絕緣膜39之厚度產生不均。因此，於該有機EL裝置100A中，因藉由調整配置於保護層37之面上之光路調整層38之厚度，可準確進行反射電極35與像素電極31之間的光路調整，故可進行利用共振構造之色再現性良好之有機EL元件30之發光動 作。
[第3實施形態] (有機EL裝置)
其次，作為本發明之第3實施形態，對圖10及圖11所示之有機EL裝置100B進行說明。另，於以下之說明中，對於與上述有機EL裝置100、100A同等之部位省略說明，且於圖式中標註相同之符號。
圖10(a)係依據圖4中所示之線段A-A’之像素20B、20G、20R之沿著X方向之剖視圖。圖10(b)係將圖10(a)中所示之一部分之像素20R放大之剖視圖。圖11(a)係依據圖4中所示之線段B-B’之像素20B之沿著Y方向之剖視圖。圖11(b)係依據圖4中所示之線段C-C’之像素20G之沿著Y方向之剖視圖。圖11(c)係依據圖4中所示之線段D-D’之像素20R之沿著Y方向之剖視圖。
第3實施形態之有機EL裝置100B係如圖10(a)、(b)及圖11(a)~(c)所示，在具備第3絕緣膜44之點上，與上述第2實施形態之有機EL裝置100A不同。再者，光路調整層38之配置與第1實施形態之有機EL裝置100或上述第2實施形態之有機EL裝置100A不同。
各像素20B、20G、20R係如圖4及圖10(a)、(b)所示，各者係以於俯視下呈矩形狀、且短邊方向與X方向(長邊方向與Y方向)平行之方式配置。且，於各有機EL元件30B、30G、30R之間，設置有像素分離層29。
保護層37係以覆蓋形成有間隙35CT之反射電極35之面上之方式設置。保護層37具備第1絕緣膜39、埋入絕緣膜40、第2絕緣膜42、及第3絕緣膜44。
第1絕緣膜39設置於增反射層36、反射電極35及層間絕緣層34之面上，沿間隙35CT而形成。因此，第1絕緣膜39具有與間隙35CT對應之凹部39a。埋入絕緣膜40係以填入凹部39a之方式形成。
又，第2絕緣膜42設置於第2接觸部41b與第3絕緣膜44之間，且被圖案化為與第2接觸部41b相同之形狀。亦即，第2絕緣膜42配置於第1絕緣膜39與第2接觸部41b之間，且具有俯視下與第2接觸部41b一致之形狀。
第3絕緣膜44係以覆蓋第1絕緣膜39之藉由埋入絕緣膜40而被平坦化之面上之方式形成。保護層37其與光路調整層38相接之側之面上係藉由第3絕緣膜44而被平坦化。於本實施形態中，作為第1絕緣膜39，形成有例如膜厚80nm之氮化矽(SiN)膜，作為埋入絕緣膜40，形成有氧化矽(SiO2)膜，作為第2絕緣膜42，形成有例如膜厚50nm之氧化矽(SiO2)膜，作為第3絕緣膜44，形成有例如膜厚80nm之氮化矽(SiN)膜。
光路調整層38(絕緣膜38a、38b)之端部位於埋入絕緣膜40上。於光路調整層38之端部與埋入絕緣膜40之間，設置有第3絕緣膜44。埋入絕緣膜40及光路調整層38係以同種材料構成，且以與第3絕緣膜44不同之材料構成。於本實施形態中，埋入絕緣膜40及光路調整層38係氧化矽(SiO2)，第2絕緣膜42係氮化矽(SiN)膜。因此，不會損害保護層37之表面之平滑性，即可以因每個像素20而異之膜厚形成光路調整層38。
於像素20B中，以例如共振波長(亮度為最大之峰值波長)成為470nm之方式，將增反射層36、第1絕緣膜39及第3絕緣膜44設置於反射電極35與像素電極31之間。於像素20G中，以例如共振波長成為540nm之方式，將增反射層36、第1絕緣膜39、第3絕緣膜44及絕緣膜38a設置於反射電極35與像素電極31之間。於像素20R中，以例如共振波長成為610nm之方式，將增反射層36、第1絕緣膜39、第3絕緣膜44、絕緣膜38a及絕緣膜38b設置於反射電極35與像素電極31之間。
且，光路調整層38(絕緣膜38a、38b)之端部位於像素20R與像素 20G之間、像素20G與像素20B之間、像素20B與像素20R之間。於本實施形態中，如圖1所示，因像素20之配置成為條紋方式，故光路調整層38之端部以朝Y方向延伸之條紋狀設置。如圖10(a)、(b)所示，光路調整層38之端部係於X方向之相鄰之反射電極35之間隙35CT中，位於埋入絕緣膜40之上方。
如圖10(a)及圖11(a)所示，於像素20B中，構成光路調整層38之絕緣膜38a、38b並非遍及大致整面而配置。因此，構成像素電極31之導電材料配置於第2接觸電極41之面上，構成像素電極31之導電材料與第2接觸電極41相接。
如此般，構成像素電極31之導電材料形成於第2接觸電極41上及第3絕緣膜44上。像素分離層29之一部分積層於第3絕緣膜44上。於圖6(a)或圖8(a)中，絕緣膜38a、38b設置於相鄰之像素B間，如圖10(a)所示，於本實施形態中，不需要相鄰之像素B間之光路調整層38。因此，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，可將發光功能層32、對向電極33、彩色濾光片層50B等形成於更平坦之面。
如圖10(a)及圖11(b)所示，於像素20G中，構成光路調整層38之絕緣膜38a並非遍及大致整面而配置。又，設置有設置於絕緣膜38b之接觸孔，構成像素電極31之導電材料配置於該接觸孔內，像素電極31與第2接觸電極41連接。
於像素20G中，構成光路調整層38之絕緣膜38b係除了該接觸孔之外，設置於大致整面。更具體而言，構成光路調整層38之絕緣膜38b係以與第2接觸電極41之一部分重疊之方式設置，且於反射電極35或埋入絕緣膜40之上方積層於第3絕緣膜44上。於圖6(b)或圖8(b)中，絕緣膜38a設置於相鄰之像素G間，如圖10(a)所示，本實施形態中，不需要相鄰之像素G間之絕緣膜38a。因此，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，可將發光功能層32、對向電極33及彩色濾光片層50G等 形成於更平坦之面。
如圖10(a)、(b)及圖11(c)所示，於像素20R中，設置有設置於絕緣膜38a、38b之接觸孔，構成像素電極31之導電材料配置於該接觸孔內，像素電極31與第2接觸電極41連接。於像素20R中，構成光路調整層38之絕緣膜38a、38b係除了該接觸孔之外，設置於大致整面。更具體而言，構成光路調整層38之絕緣膜38a、38b係以與第2接觸電極41之一部分重疊之方式設置，且於反射電極35或埋入絕緣膜40之上方積層於第3絕緣膜44上。
另，雖省略圖示，但於像素電極31上，配置有上述之發光功能層32及對向電極33，進而於其上配置覆蓋元件基板10之面上、且將有機EL元件30之面上平坦化之密封層(鈍化膜)49，藉此抑制水分或氧等侵入至有機EL元件30。上述彩色濾光片層50配置於該密封層49之面上。
然而，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，因上述保護層37之與光路調整層38相接之側之面上被平坦化，故藉由於每個像素20調整光路調整層38之厚度，可準確進行反射電極35與像素電極31之間之光路調整。藉此，可進行藉由上述共振構造形成之色再現性良好之有機EL元件30之發光動作。
又，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，因配置於上述保護層37之面上之光路調整層38亦被平坦化，故可將配置於該光路調整層38之面上之像素電極31之端部靠近凹部39a而配置。藉此，可增大像素20之開口率、亦即規定上述像素20之發光區域之開口29CT之開口面積(發光面積)。
又，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，以光路調整層38(絕緣膜38a、38b)之至少一部分之端部位於上述第3絕緣膜44之面上之方式配置。其中，對光路調整層38(絕緣膜38a、38b)及埋入絕緣膜48， 使用氧化矽(SiO2)，對第2絕緣膜42，使用蝕刻速率較氧化矽(SiO2)低之氮化矽(SiN)。
於該情形時，可藉由使用例如氟系氣體之乾式蝕刻，相對於氮化矽選擇性地蝕刻氧化矽。因此，於將光路調整層38圖案化為特定之形狀時，可保護埋入絕緣膜40，且使第2絕緣膜42作為光路調整層38之蝕刻終止層發揮功能。
於上述實施形態中，如圖5(a)、(b)或圖7(a)、(b)所示，光路調整層38係以自重疊於有機EL元件30R之反射電極35之區域、到達至與埋入絕緣膜40或反射電極35之間隙35CT重疊之區域、進而到達至與相鄰之有機EL元件30B之反射電極35重疊之區域之方式配置。相對於此，於第3實施形態之有機EL裝置100B中，因如圖10(a)、(b)所示具有第3絕緣膜44，故光路調整層38並未與相鄰之有機EL元件30B之反射電極35重疊，而可以自重疊於有機EL元件30R之反射電極35之區域到達至與埋入絕緣膜40之一部分重疊之區域之方式配置。因此，不需要有機EL元件30B之反射電極35及光路調整層38所重疊之區域。此處，雖對像素20B/像素20R間進行說明，但像素20R/像素20G間、像素20G/像素20B間亦為同樣之情形。因此，可縮小對發光無貢獻之區域，而可提高各像素20之開口率。
(電子機器)
圖12係作為具備上述有機EL裝置100之電子機器之一例，顯示頭戴式顯示器1000之概略圖。
頭戴式顯示器1000係如圖12所示，具有與左右眼對應而設之2個顯示部1001。觀察者M藉由將頭戴式顯示器1000如眼鏡般佩戴於頭部，而可觀看顯示部1001所顯示之文字或圖像等。例如，若於左右之顯示部1001顯示考慮到視差之圖像，則亦可觀賞到立體影像。
對顯示部1001，使用上述有機EL裝置100。於上述有機EL裝置 100中，可提高上述有機EL元件30之動作可靠度，且可謀求成品率之進一步提高。因此，藉由於顯示部1001搭載上述有機EL裝置100，可提供可抑制點缺陷之發生且為高品質顯示之頭戴式顯示器1000。
另，本發明未必限定於上述實施形態，而可於不脫離本發明之主旨之範圍內加以各種變更。
具體而言，作為應用本發明之電光裝置，並非限定於具備有機EL元件作為上述發光元件之有機EL裝置，而亦可將本發明廣泛應用於具備例如無機EL元件或LED等之自發光型之發光元件之電光裝置。
又，作為應用本發明之電子機器，並非限定於上述頭戴式顯示器，可例舉對平視顯示器、或數位相機之電子取景器、便攜式資訊終端、導航器等之顯示部使用應用本發明之電光裝置之電子機器。
10‧‧‧元件基板
20‧‧‧像素
20B‧‧‧像素
20G‧‧‧像素
20R‧‧‧像素
28‧‧‧第1接觸電極
29‧‧‧像素分離層
29CT‧‧‧開口
30‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30B‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30G‧‧‧有機EL元件(發光元件)
30R‧‧‧有機EL元件(發光元件)
31‧‧‧像素電極(第1電極)
34‧‧‧層間絕緣層(絕緣層)
35‧‧‧反射電極
35a‧‧‧第1層
35b‧‧‧第2層
35CT‧‧‧間隙
36‧‧‧增反射層
37‧‧‧保護層
38‧‧‧光路調整層
38a‧‧‧絕緣膜
38b‧‧‧絕緣膜
39‧‧‧第1絕緣膜
39a‧‧‧凹部
40‧‧‧埋入絕緣膜
100‧‧‧有機EL裝置(電光裝置)
124‧‧‧電晶體
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z(+)‧‧‧方向

Claims (9)

  1. 一種電光裝置，其特徵在於具備：元件基板，其包含將複數個像素以矩陣狀排列之顯示區域；且上述元件基板係於上述每個像素具有發光元件與驅動上述發光元件之電晶體；上述發光元件係介隔絕緣層而配置於上述電晶體上，且具有積層有反射電極、保護層、光路調整層、第1電極、發光層、第2電極之構造；上述反射電極係分割配置於上述每個像素；於分割配置於上述每個像素之各上述反射電極之間形成間隙；且上述保護層覆蓋於配置有上述反射電極之面上，且包含被埋入至上述間隙之埋入絕緣膜。
  2. 如請求項1之電光裝置，其中經由貫通上述絕緣層而配置之第1接觸電極而將上述電晶體與上述反射電極電性連接；且經由貫通上述保護層而配置之第2接觸電極而將上述反射電極與上述第1電極電性連接。
  3. 如請求項1或2之電光裝置，其中上述保護層進而具備：設置於上述反射電極與上述埋入絕緣膜之間之第1絕緣膜、與設置於上述第1絕緣膜及上述埋入絕緣膜上之第2絕緣膜；且上述光路調整層係以至少一部分之端部位於上述第2絕緣膜之面上之方式配置。
  4. 如請求項3之電光裝置，其中上述第2絕緣膜含有氮化矽；且上述光路調整層含有氧化矽。
  5. 如請求項3或4之電光裝置，其中上述光路調整層之至少一部分之端部位於上述埋入絕緣膜之上方。
  6. 如請求項1至5中任一項之電光裝置，其中形成有貫通上述光路調整層及上述保護層之接觸孔；且上述第2接觸電極具有以埋入至上述接觸孔之狀態與上述反射電極連接之第1接觸部、及以配置於上述保護層之面上之狀態與上述第1電極連接之第2接觸部。
  7. 如請求項6之電光裝置，其中上述光路調整層之至少一部分之端部位於上述第2接觸部之面上。
  8. 如請求項1至7中任一項之電光裝置，其中於上述反射電極之面上配置有增反射層。
  9. 一種電子機器，其特徵在於具備如請求項1至8中任一項之電光裝置。
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