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Abstract
【解決手段】 青色を発する有機EL素子11と、緑色を発する有機EL素子12と、赤色を発する有機EL素子13と、を有する表示装置であって、赤色を発する有機EL素子13の上に、膜厚d1が以下の式Aを満たす光学調整層5が設けられている。
(4m1−2φ1/π−3)λ1/(8n1)<d1<(4m1−2φ1/π−1)λ1/(8n1) ・・・式A
ここで、λ1は赤色を発する有機EL素子13から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n1は最大ピーク波長λ1における光学調整層5の屈折率、φ1は赤色を発する有機EL素子13から出射される光が光学調整層5の第2電極4とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m1は正の整数である。
【選択図】 図1
Description
(4m1−2φ1/π−3)λ1/(8n1)<d1<(4m1−2φ1/π−1)λ1/(8n1) ・・・式A
ここで、λ1は前記赤色を発する有機EL素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n1は前記最大ピーク波長λ1における前記第1光学調整層の屈折率、φ1は前記赤色を発する有機EL素子から出射される光が前記第1光学調整層の前記第2電極とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m1は正の整数である。
2n1d1/λ1+φ1/2π=m1−1/2 ・・・式1
ここで、λ1は有機EL素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n1は最大ピーク波長λ1における光学調整層5の屈折率である。また、φ1は赤色を発する有機EL素子13から出射される光が光学調整層5の第2電極4とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m1は正の整数である。
(4m1−2φ1/π−3)λ1/(8n1)<d1<(4m1−2φ1/π−1)λ1/(8n1) ・・・式A
この構成により、赤色を発する有機発光素子の共振効果が弱められ、色度や発光効率等の特性が変化しにくくなりロバスト性が高くなる。また、光学調整層5が赤色を発する有機EL素子13にのみ配置された場合であってもよい。
(8m1−4φ1/π−5)λ1/(16n1)≦d1≦(8m1−4φ1/π−3)λ1/(16n1) ・・・式A’
なお、図2の特性は、Agを含む金属薄膜を用いる場合には顕著であるが、膜厚5nm以上20nm以下の金属薄膜は総じて短波長側ほど反射率が低いため、Ag薄膜あるいはAgを含む金属薄膜に限られるわけではない。また、赤色を発する有機EL素子13の共振効果が他の色を発する有機EL素子よりも大きいものであれば本発明を適用できる。例えば、共振器構造を有する有機EL素子で、赤色を発する有機EL素子が他の色を発する素子よりも高次の光干渉効果を利用する共振器構造を有する場合が挙げられる。
(4m2−2φ2/π−1)λ2/(8n2)<d2<(4m2−2φ2/π+1)λ2/(8n2) ・・・式B
ここで、λ2は青色を発する有機EL素子11から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n2は最大ピーク波長λ2における第2光学調整層52の屈折率である。また、φ2は青色を発する有機EL素子11から出射される光が第1光学調整層51と第2光学調整層52との界面で反射される際の位相シフト量と第2光学調整層52の第1光学調整層51とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和である。そして、m2は正の整数である。
(8m2−4φ2/π−1)λ2/(16n2)≦d2≦(8m2−4φ2/π+1)λ2/(16n2) ・・・式B’
2n2d2/λ2+φ2/2π=m2 ・・・式B’’
これは、図2で示されるように、光取り出し電極となる第2電極を5nm以上20nm以下の金属薄膜で構成する場合には、その第2電極の反射率が短波長領域で小さくなっていることに着目したものである。式B、式B’,式B’’を満たすように第2光学調整層52を構成することにより、青色の波長において第2光学調整層52の両界面で反射される際の位相が近くなり、青色を発する有機EL素子11の共振効果を強めることができ、青色の光取り出し効率が向上する。
(4m3−2φ3/π−1)λ2/(8n3)<d3<(4m3−2φ3/π+1)λ2/(8n3) ・・・式C
ここで、n3は上述した最大ピーク波長λ2における第3光学調整層53の屈折率である。また、φ3は青色を発する有機EL素子11から出射される光が第2光学調整層52と第3光学調整層53との界面で反射される際の位相シフト量と第3光学調整層53の第2光学調整層52とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和である。そして、m3は正の整数である。
(8m3−4φ3/π−1)λ3/(16n3)≦d3≦(8m3−4φ3/π+1)λ3/(16n3) ・・・式C’
2n3d3/λ3+φ3/2π=m3 ・・・式C’’
(4m4−2φ4/π−1)λ2/(8n4)<d1<(4m4−2φ4/π+1)λ2/(8n4) ・・・式D
(8m4−4φ4/π−1)λ2/(16n4)≦d1≦(8m4−4φ4/π+1)λ2/(16n4) ・・・式D’
2n4d1/λ2+φ4/2π=m4 ・・・式D’’
ここで、λ2は青色を発する有機EL素子11から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n4は最大ピーク波長λ2における光学調整層5(もしくは第1光学調整層51)の屈折率である。φ4は青色を発する有機EL素子11から出射される光が光学調整層5(第1光学調整層51)の第2電極4とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m4は正の整数である。
(4m5−2φ5/π−3)λ1/(8n5)<d2<(4m5−2φ5/π−1)λ1/(8n5) ・・・式E
(8m5−4φ5/π−5)λ1/(16n5)≦d2≦(8m5−4φ5/π−3)λ1/(16n5) ・・・式E’
2n5d2/λ1+φ5/2π=m5−1/2 ・・・式E’’
ここで、λ1は赤色を発する有機EL素子13から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n5は最大ピーク波長λ1における第2光学調整層52の屈折率である。φ5は赤色を発する有機EL素子13から出射される光が第1光学調整層51と第2光学調整層52との界面で反射される際の位相シフト量と第2光学調整層52の第1光学調整層51とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和である。m5は正の整数である。
(4m6−2φ6/π−3)λ1/(8n6)<d3<(4m6−2φ6/π−1)λ1/(8n6) ・・・式F
(8m6−4φ6/π−5)λ1/(16n6)≦d3≦(8m6−4φ6/π−3)λ1/(16n6) ・・・式F’
2n6d3/λ1+φ6/2π=m6−1/2 ・・・式F’’
ここで、λ1は赤色を発する有機EL素子13から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n6は最大ピーク波長λ1における第3光学調整層53の屈折率である。φ6は赤色を発する有機EL素子13から出射される光が第2光学調整層52と第3光学調整層53との界面で反射される際の位相シフト量と第3光学調整層53の第2光学調整層52とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和である。m6は正の整数である。
R=(nA−nB)2/(nA+nB)2 ・・・式2
また、光学調整層5は、高屈折率層(屈折率が1.7より大きい)と低屈折率層(屈折率が1.7以下)が交互に積層された構成であることが望ましい。また、第1光学調整層51が高屈折率層なら第2光学調整層52は低屈折率層が好ましい。また、光学調整層5内の、保護層6と接する層の屈折率は保護層6の屈折率よりも大きいことが好ましく、その屈折率差は0.5以上であることが好ましい。
本実施例における表示装置は、図1(a)、(b)で示すように青色、緑色、赤色を発する有機EL素子(11,12,13)を有する。基板1の上に、各有機EL素子に対応する第1電極2が配置されている。そして、第1電極2の上には、発光層31を有する有機化合物層3が配置されている。なお、有機化合物層3の膜厚は各色毎で共振効果を利用するため最適化されている。有機化合物層3の上には、金属薄膜からなる第2電極4が各有機EL素子に渡って配置されている。
本実施例は、図1(c)のように、実施例1に対して、光学調整層5が第1光学調整層51と第2光学調整層52と第3光学調整層53とから構成されている点で異なる。また、第1光学調整層51と第2光学調整層52と第3光学調整層53と保護層6の材料、屈折率及び膜厚は表3に示す。
3 有機化合物層
4 第2電極
5 光学調整層
51 第1光学調整層
52 第2光学調整層
53 第3光学調整層
Claims (12)
- 青色を発する有機EL素子と、緑色を発する有機EL素子と、赤色を発する有機EL素子と、を有する表示装置であって、
各有機EL素子が、第1電極と発光層と第2電極とを有し、
前記有機EL素子から発せられる光が前記第2電極から出射され、
前記赤色を発する有機EL素子の第2電極の上に、第1光学調整層を有し、
前記第1光学調整層の膜厚d1は、以下の式Aを満たすことを特徴とする表示装置。
(4m1−2φ1/π−3)λ1/(8n1)<d1<(4m1−2φ1/π−1)λ1/(8n1) ・・・式A
ここで、λ1は前記赤色を発する有機EL素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n1は前記最大ピーク波長λ1における前記第1光学調整層の屈折率、φ1は前記赤色を発する有機EL素子から出射される光が前記第1光学調整層の前記第2電極とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m1は正の整数である。 - 前記第1光学調整層が青色を発する有機EL素子と緑色を発する有機EL素子に渡って共通の膜厚で配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 各色の有機EL素子に配置された前記第1光学調整層の上に第2光学調整層をさらに有し、
前記第1光学調整層と前記第2光学調整層は、互いに異なる屈折率を有し、
前記第2光学調整層の膜厚d2は、以下の式Bを満たすことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
(4m2−2φ2/π−1)λ2/(8n2)<d2<(4m2−2φ2/π+1)λ2/(8n2) ・・・式B
ここで、λ2は青色を発する有機EL素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n2は前記最大ピーク波長λ2における前記第2光学調整層の屈折率、φ2は前記青色を発する有機EL素子から出射される光が前記第1光学調整層と前記第2光学調整層との界面で反射される際の位相シフト量と前記第2光学調整層の前記第1光学調整層とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和、m2は正の整数である。 - 前記第2電極は、膜厚5nm以上20nm以下の金属からなる電極であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第2電極は、Agを含むことを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 各色の有機EL素子に配置された前記第2光学調整層の上に第3光学調整層をさらに有し、前記第3光学調整層は、前記第2光学調整層とは屈折率が異なり、前記第3光学調整層の膜厚d3は、以下の式Cを満たすことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の表示装置。
(4m3−2φ3/π−1)λ2/(8n3)<d3<(4m3−2φ3/π+1)λ2/(8n3) ・・・式C
ここで、n3は前記最大ピーク波長λ2における前記第3光学調整層の屈折率、φ3は前記青色を発する有機EL素子から出射される光が前記第2光学調整層と前記第3光学調整層との界面で反射される際の位相シフト量と前記第3光学調整層の前記第2光学調整層とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和、m3は正の整数である。 - 前記第1光学調整層の膜厚d1は、以下の式Dを満たすことを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。
(4m4−2φ4/π−1)λ2/(8n4)<d1<(4m4−2φ4/π+1)λ2/(8n4) ・・・式D
ここで、λ2は前記青色を発する有機EL素子から取り出される光のスペクトルの最大ピーク波長、n4は前記最大ピーク波長λ2における前記第1光学調整層の屈折率、φ4は前記青色を発する有機EL素子から出射される光が前記第1光学調整層の前記第2電極とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量、m4は正の整数である。 - 前記第1光学調整層の膜厚d1は、以下の式A’および式D’を満たすことを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
(8m1−4φ1/π−5)λ1/(16n1)≦d1≦(8m1−4φ1/π−3)λ1/(16n1) ・・・式A’
(8m4−4φ4/π−1)λ2/(16n4)≦d1≦(8m4−4φ4/π+1)λ2/(16n4) ・・・式D’ - 前記第2光学調整層の膜厚d2は、以下の式Eを満たすことを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
(4m5−2φ5/π−3)λ1/(8n5)<d2<(4m5−2φ5/π−1)λ1/(8n5) ・・・式E
ここで、n5は前記最大ピーク波長λ1における第2光学調整層の屈折率、φ5は前記赤色を発する有機EL素子から出射される光が前記第1光学調整層と前記第2光学調整層との界面で反射される際の位相シフト量と前記第2光学調整層の前記第1光学調整層とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和、m5は正の整数である。 - 前記第2光学調整層の膜厚d2は、以下の式B’および式E’を満たすことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
(8m2−4φ2/π−1)λ2/(16n2)≦d2≦(8m2−4φ2/π+1)λ2/(16n2) ・・・式B’
(8m5−4φ5/π−5)λ1/(16n5)≦d2≦(8m5−4φ5/π−3)λ1/(16n5) ・・・式E’ - 前記第3光学調整層の膜厚d3は、以下の式Fを満たすことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
(4m6−2φ6/π−3)λ1/(8n6)<d3<(4m6−2φ6/π−1)λ1/(8n6) ・・・式F
ここで、n6は前記最大ピーク波長λ1における前記第3光学調整層の屈折率、φ6は前記赤色を発する有機EL素子から出射される光が前記第2光学調整層と前記第3光学調整層との界面で反射される際の位相シフト量と前記第3光学調整層の前記第2光学調整層とは反対側の界面で反射される際の位相シフト量との和、m6は正の整数である。 - 前記第3光学調整層の膜厚d3は、以下の式C’および式F’を満たすことを特徴とする請求項11に記載の表示装置。
(8m3−4φ3/π−1)λ3/(16n3)≦d3≦(8m3−4φ3/π+1)λ3/(16n3) ・・・式C’
(8m6−4φ6/π−5)λ1/(16n6)≦d3≦(8m6−4φ6/π−3)λ1/(16n6) ・・・式F’
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157226A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | 有機el素子及びこれを用いた表示装置 |
US9570520B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2018098137A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101695376B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2017-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN104218169B (zh) * | 2013-05-30 | 2017-04-12 | 群创光电股份有限公司 | 有机发光装置以及包含其的影像显示系统 |
CN103915571A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-07-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置 |
JP6358078B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN114975815A (zh) * | 2021-02-25 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置、车辆 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004917A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
WO2008114707A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Nec Corporation | 面発光型半導体レーザ |
JP2009158140A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Sony Corp | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置並びに照明装置 |
JP2009283246A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子に用いられる光学部材およびそれを備えたエレクトロルミネッセント素子 |
WO2010009716A2 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung |
JP2010060930A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Seiko Epson Corp | 光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3703028B2 (ja) | 2002-10-04 | 2005-10-05 | ソニー株式会社 | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
JP4179119B2 (ja) | 2003-09-19 | 2008-11-12 | ソニー株式会社 | 有機発光装置の製造方法 |
WO2005086541A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JP4876453B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-02-15 | ソニー株式会社 | 有機発光素子および有機発光装置 |
JP2008210665A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Canon Inc | 有機発光素子及びそれを用いた表示装置 |
JPWO2011055440A1 (ja) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
-
2011
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004917A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
WO2008114707A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Nec Corporation | 面発光型半導体レーザ |
JP2009158140A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Sony Corp | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置並びに照明装置 |
JP2009283246A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子に用いられる光学部材およびそれを備えたエレクトロルミネッセント素子 |
WO2010009716A2 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung |
JP2011529244A (ja) * | 2008-07-25 | 2011-12-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ビーム放射装置およびビーム放射装置を製造する方法 |
JP2010060930A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Seiko Epson Corp | 光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157226A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | 有機el素子及びこれを用いた表示装置 |
US9570520B2 (en) | 2014-12-05 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2018098137A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US10811464B2 (en) | 2016-12-16 | 2020-10-20 | Japan Display Inc. | Organic el display device |
US11251230B2 (en) | 2016-12-16 | 2022-02-15 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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