TW201620015A - 晶片及薄膜表面溫度控制方法 - Google Patents

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Abstract

一種氣相沉積系統與其晶片及薄膜溫度的控制方法。一承載盤繞著一中心軸旋轉，該承載盤包含複數個晶片承載器分別承載一晶片並進行自轉。一製程氣體靠近該晶片的一第一表面經加熱反應形成一薄膜沉積在該第一表面上。一均熱板設置於相對該晶片第一表面的一第二表面。一或多個溫度測量器用於獲得該均熱板相對於該晶片的一反面溫度。以該反面溫度推測該晶片的一晶片端溫度。

Description

晶片及薄膜表面溫度控制方法
本發明係關於一種氣相沉積系統與其晶片及薄膜溫度的控制方法。
金屬有機化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition， MOCVD)，其原理是利用承載氣體(carrier gas)攜帶氣相反應物，或是前驅物進入裝有晶片的腔體中，晶片下方的承載盤(susceptor)以特定加熱方式加熱晶片及接近晶片的氣體使其溫度升高，而高溫會觸發單一或是數種氣體間的化學反應式，使通常為氣態的反應物被轉換為固態的生成物，並沈積在晶片表面上。
在金屬有機化學氣相沈積的製程中，晶片端的溫度控制，是影響製程良率的重要因素。美國專利 US2013/0343426揭露一種氮化鎵沈積系統的溫度控制，其採用雙波長非接觸式溫度感測器70測量晶片承載盤上的溫度以及晶片的表面溫度，並透過特定波長的熱輻射訊號或是吸收偏移的裝置80測量磊晶過程中薄膜的溫度。由於測量的溫度區為製程區，當晶片表面因為塵粒在磊晶過程中附著在其表面時，其熱輻射訊號受塵粒的影響使光訊號變弱，導致溫度讀值低於實際溫度。如果以此錯誤溫度進行回授控制，會導致所設定控制的目標溫度比原來預期的實際溫度高。如此，除了影響製程良率，也造成系統加熱的溫度過高，如超過腔體內部各元件能承受的溫度，將損害到反應爐內元件的壽命。
本發明係關於一種沉積系統與其晶片及薄膜溫度的控制方法，可避免晶片端溫度的測量，受到製程的干擾。
根據本發明一實施例，一種化學氣相沉積溫度控制系統包含一承載盤、複數個晶片承載器、一製程氣體、一均熱板，以及一或多個溫度測量器。該承載盤繞著一中心軸旋轉。該複數個晶片承載器位於該承載盤，每個該晶片承載器承載一晶片，並進行自轉。該製程氣體靠近該晶片的一第一表面，經加熱反應形成一薄膜沉積在該第一表面上。該均熱板設置於該晶片一第二表面，用於加熱該晶片，該第二表面相對於該第一表面。該一或多個溫度測量器設置於接近該第二表面的一側，用於獲得該均熱板相對於該晶片的一反面溫度，並以該反面溫度推測該晶片的一晶片端溫度。
在一實施例，該化學氣相沉積系統是一種晶片朝上的金屬有機化學氣相沉積系統。
在一實施例，該化學氣相沉積系統是一種晶片朝下的金屬有機化學氣相沉積系統。
根據本發明另一實施例，一種化學氣相沉積薄膜溫度的控制方法包含下列步驟：提供一承載盤繞著一中心軸旋轉，該承載盤包含複數個晶片承載器分別承載一晶片並進行自轉；提供一製程氣體靠近該晶片的一第一表面並經加熱反應形成一薄膜沉積在該第一表面上；提供一均熱板於該晶片相對於該第一表面的一第二表面；提供一或多個溫度測量器於接近該第二表面的一側，用於獲得該均熱板相對於該晶片的一反面溫度；以及以該反面溫度推測該晶片的一晶片端溫度。
以下將詳述本案的各實施例，並配合圖式作為例示。在一些實施例中，圖中顯示的範例可依照比例，但在其他實施例中，不需要按照比例。在一些實施例中，相同或相似的元件符號可代表相同、相似，或類比的元件及/或元素，但在某些實施例中，也可以表示不同的元件。在一些實施例中，描述方向的名詞，可根據字面意義解釋，但在其他實施例中，也可以不根據字面意義解釋。此外，為了清楚表示本發明的某些元件，圖示中可能省略部分元件。在說明書的描述中，為了使讀者對本發明有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本發明可能在省略部分或全部這些特定細節的前提下，仍可實施。
圖1為局部示意圖，顯示根據本發明一較佳實施例的化學沈積系統與方法。本實施例是一種晶片朝下(Face Down)的架構，但相同原理可應用在晶片朝上(Face Up)的沈積系統。
如圖1所示，沉積系統，例如金屬有機化學汽相沉積系統，包含承載盤18及晶片承載器16，兩者分別進行公轉及自轉。圖示僅顯示沉積系統的一半，另一半對稱分布於中心軸15的另一側。一承載盤驅動系統100帶動承載盤18繞著中心軸15進行公轉。晶片承載器16承載晶片。晶片承載器16的正面或下方一定距離處，具有對向板13，而對向板13與晶片承載器16之間，具有製程區域11。製程氣體12通過製程區域11，經加熱反應後，部分反應生成物沉積在晶片10表面上形成薄膜，其餘則通過排氣區14排出。此外，晶片承載器16的背面具有加熱器8，例如均熱板8，用於加熱晶片10。晶片承載器16與均熱板8之間，可具有(空氣)間隙9。
如圖1所示，均熱板8上方一固定距離處，具有一或多個溫度測量器20(包含21/22/23)，例如遠紅外線溫度測量器20，用於測量均熱板背面(上方)的溫度。在本實施例，均熱板上方具有三個遠紅外線溫度測量器21/22/23，分別透過三個視窗201/202/203，測量均熱板上方，也就是於晶片相反側的表面的內圈301、中圈302，以及外圈303的溫度。此處內圈、中圈，以及外圈是指承載盤18公轉時，與中心軸的距離。
透過以上機制，當承載盤18旋轉一圈時，可得到均熱板上方的一或多個溫度，例如內圈301、中圈302、外圈303溫度。再透過取樣，可得到各晶片位置的均熱板上方溫度，並透過一演算法取得單點溫度、多點平均溫度，或多點個別溫度。
如圖1所示，均熱板8下方一固定距離處，具有一或多個溫度測量器30(可包含31/32/33)，例如遠紅外線溫度測量器30，用於測量「晶片端溫度」。
「晶片端溫度」，例如，晶片表面上磊晶薄膜的溫度，是需要被及時監控的參數。依據晶片10基板的種類與測量波長等因素，遠紅外線溫度測量器30所測得的晶片端溫度不同，說明如下。如果晶片10的基板對於溫度測量器30為透明，例如，晶片10基板為藍寶石基板，則溫度測量器30看穿藍寶石基板，測量的是均熱板8的下表面溫度。如果晶片10的基板對於溫度測量器30為不透明，例如，晶片10基板為矽基板，則溫度測量器30測量的是晶片10的(下)表面溫度。
如果溫度測量器30採用特定波長來量取熱輻射訊號，且磊晶薄膜材料對於此波長可全部吸收，則測量的是晶片10上磊晶薄膜的表面溫度。例如，在一實施例，溫度測量器30的波長範圍為450至400nm，使得溫度測量器30可測量晶片10上磊晶薄膜的表面溫度。
在一實施例，均熱板8下方具有三個遠紅外線溫度測量器31/32/33，分別透過三個視窗211/212/213，測量均熱板下方表面的內圈溫度311、中圈溫度312，以及外圈溫度313。透過以上機制，當承載盤18旋轉一圈時，可得到均熱板下方的一或多個溫度，例如內圈溫度301、中圈溫度302、外圈溫度303。再透過取樣，可得到各晶片位置的均熱板下方溫度，並透過一演算法取得單點溫度、多點平均溫度，或多點個別溫度。
在一實施例，均熱板8下方具有三個遠紅外線溫度測量器31/32/33，分別透過三個視窗211/212/213，測量晶片(下方)表面的內圈溫度321、中圈溫度322，以及外圈溫度323。透過以上機制，當承載盤18旋轉一圈時，可得到各晶片下方的一或多個溫度，例如內圈溫度321、中圈溫度322、外圈溫度323。再透過取樣，可得到各晶片位置的晶片下方表面溫度，並透過一演算法取得單點溫度、多點平均溫度，或多點個別溫度。
每個加熱器，例如內圈、外圈、中圈加熱器1/2/3，可連接一熱源7，例如，熱電偶或光管4/5/6。加熱器1/2/3分別連接熱電偶或光管4/5/6，其連接溫度控制系統70。溫度控制系統70包含內圈熱電偶PID 71 (proportional-integral-derivative controller，比例積分微分控制器)、中圈熱電偶PID 72、中圈遠紅外線溫度測量器PID73、外圈熱電偶PID74、全部熱電偶PID75，以及或全部遠紅外線溫度測量器PID76。此外，一或多個電源供應器，例如內圈電源供應器81、中圈電源供應器82、外圈電源供應器83，分別提供電流至內圈加熱器1，中圈加熱器2，外圈加熱器3。
如果製程氣體12含有氨氣，且加熱器1/2/3無任何保護鍍膜或未使用非金屬材質製造，則加熱器1/2/3會被氨氣攻擊，而降低使用壽命。在本實施例，一透明遮板50可存在於加熱器1/2/3及承載盤18之間；加熱時，加熱器1/2/3的熱輻射穿過透明遮板50。透明遮板50可為藍寶石材質，為一體式結構或是多片組裝而成，用於保護加熱器1/2/3在製程中不被氨氣所攻擊。但在另一實施例中，加熱器1/2/3的材質可保護免於遭受氨氣攻擊，因而不需要透明遮板50。加熱時，加熱器1/2/3發出熱輻射穿透透明遮板50，傳至均熱板8上方，接著再熱傳導至均熱板8下方，再透過空氣間隙9加熱到加熱目標，晶片10。
當加熱器與被加熱目標物距離愈遠時，則要控制被加熱目標物愈困難，以及被加熱目標物會因為製程條件的影響產生溫度讀值的變異性。例如，沉積磊晶氮化鎵(GaN)薄膜時，此時熱輻射的訊號，會因為不同氮化鎵薄膜厚度而產生一干涉現象，使得溫度讀值有所變化，此可透過下列方式校正：(1)透過晶片端溫度測量器30的放射率校正來校準溫度；(2)利用450至400 nmUV波段的溫度測量器測量GaN薄膜表面溫度；(3)透過白光光源測量不同波長的穿透率的位移以得到薄膜的表面溫度。
然而，在製程調整參數過程，當有塵粒或是表面因製程關係而變得粗糙，皆會影響晶片的溫度讀值。而本發明以均熱板8上方溫度做回授控制，可避免這個缺失。
由於遠紅外線溫度測量器20所測得均熱板上方溫度，與晶片端溫度測量器30所測「晶片端溫度」存在一溫度差∆T。在進行製程之前，先取得均熱板上方溫度與晶片端溫度測量器30所測得的晶片溫度，接著將反應爐的製程參數調整至製程條件，經過一段時間，進行溫度校正，此時會得到遠紅外線溫度測量器20所測均熱板上方溫度T1和晶片端溫度測量器30所測晶片端溫度T2。
做溫度控制時，溫度T1可分成四種模式，以內圈為例，說明如下：(1)當晶片10移動經過視窗201時可由遠紅外線溫度測量器量21到均熱板8上方的301內圈溫度，並即時輸出相對應晶片10之8均熱板上部之301內圈溫度。假設承載盤18共有11個晶片，則承載盤18公轉一圈時會輸出11片相對應晶片10之均熱板8上方的內圈溫度301。(2)當晶片10移動經過視窗201時可由遠紅外線溫度測量器21量到均熱板8上方的內圈溫度301，並即時輸出每一片相對應晶片10的均熱板8上方的內圈溫度301的「平均溫度」。假設承載盤18共有11片晶片10，則承載盤18公轉時，當晶片10移動至視窗201時，會輸出此11片晶片10的均熱板8上方的內圈溫度301的平均溫度。(3)當承載盤18公轉移動經過視窗201時可由21遠紅外線溫度測量器量到承載盤18上表面溫度，並即時輸出相對應承載盤18上表面溫度；(4)當承載盤18公轉移動經過視窗201時可由遠紅外線溫度測量器量21到承載盤18上表面溫度，並即時輸出相對應各個位置的承載盤18上表面溫度的平均溫度。在本實施例，採用(1)模式，即時測量均熱板8上方的內圈溫度301、中圈溫度302、以及外圈溫度303。
類似T1，做溫度控制時，溫度T2可分成四種模式，以內圈為例，並假設晶片相對於晶片端溫度測量器30為透明(如藍寶石基板)，說明如下：(1)當晶片10移動經過視窗211時，由晶片端溫度測量器31量到均熱板8下方(下表面)的內圈溫度311，並即時輸出相對應晶片10的均熱板8下方的內圈溫度311。假設承載盤18共有11片晶片10，則承載盤18公轉一圈時會輸出11片相對應10晶片之8均熱板下部之311內圈溫度。(2)當晶片10移動經過視窗211時可由晶片端溫度測量器測量器31量到均熱板8下方的內圈溫度33，並即時輸出所有晶片10的均熱板8下方的內圈溫度311的平均溫度。假設承載盤18共有11片晶片，則承載盤18公轉使晶片10移動至視窗211時，輸出此11片晶片10的均熱板8下方的內圈溫度311的平均溫度。(3)當承載盤18公轉移動經過視窗201時，晶片端溫度測量器301量到承載盤18的下表面溫度，並即時輸出相對應承載盤18的下表面溫度。(4)當承載盤18公轉移動經過視窗211時，晶片端溫度測量器31量到承載盤18的下表面溫度，並即時輸出相對應各個位置的承載盤18下表面溫度的平均溫度。在本實施例中，採用(2)模式，以獲得均熱板8下方的內圈溫度311的平均溫度。
假設晶片10相對於晶片端溫度測量器30為不透明，如矽基板，則溫度T2的四種模式，以內圈為例說明如下：(1)當晶片10移動經過視窗211時，晶片端溫度測量器31量到晶片10的內圈表面溫度321，並即時輸出晶片10的內圈表面溫度321。假設承載盤18有11片晶片，則承載盤18公轉一圈時，會輸出11片相對應晶片10的(晶片)內圈表面溫度321。(2)當晶片10移動經過視窗211時，晶片端溫度測量器測量器31量到晶片10的內圈表面溫度321，並即時輸出每一片相對應晶片10的內圈表面溫度321的平均溫度。假設承載盤18共有11片晶片，則承載盤18公轉使晶片10移動至視窗211時，會輸出此11片相對應晶片10的晶片內圈表面溫度321的平均溫度。(3)當承載盤18公轉移動經過視窗211時，晶片端溫度測量器31量到承載盤18的下表面溫度，並即時輸出相對應承載盤18的下表面溫度；(4) 當承載盤18公轉移動經過視窗211時，晶片端溫度測量器31量到承載盤18下表面溫度，並即時輸出相對應各個位置的承載盤18下表面溫度的平均溫度。在本實施例，採用(2)模式，以獲得晶片10下方的內圈溫度321的平均溫度。
當開始製程時，從設定溫度值SET1與晶片端溫度測量器30所測晶片端溫度T2得到一溫度差∆T，將此溫度差∆T補償至遠紅外線溫度測量器20所測均熱板上方溫度T1，以T1+∆T作為遠紅外線溫度測量器20的設定溫度，利用此設定溫度做回授溫度控制機制。接著，如此反覆迭代做回授控制，使∆T趨近零，使得T1+∆T = T1，以獲得所需要控制晶片端之溫度測量器30所量到的製程溫度。由於加熱器1/2/3在低溫時由熱電偶或光管7進行控制，當控制到一製程溫度時，可切換由遠紅外線溫度測量器20所量得之溫度回授至全部遠紅外線溫度測量器 PID 76來控制輸出全部電源供應器80功率至各對應加熱器1/2/3。
如圖2所示，上述溫度控制方法可以用特定某一圈的遠紅外線溫度測量器21/22/23，例如中圈遠紅外線溫度測量器22，其所測溫度，不僅用來控制中圈熱源(如熱電偶或光管)5的設定溫度，也用來控制其餘兩圈的熱源4/6的設定溫度。或者，如圖3所示，在較佳實施例中，內圈、中圈、外圈遠紅外線溫度測量器21/22/23是獨立控制，同一時間全部為遠紅外線溫度測量器20進行回授控制溫度；同一時間可以全部切換成由熱源7(如熱電偶或光管)進行回授控制溫度。
圖5顯示根據本發明另一實施例的沉積系統與方法。此沉積系統與前述系統的差異在於，此系統是一種晶片朝上的系統。其中，遠紅外線溫度器21/22/23測量均熱板8下方表面，或稱均熱板8反面的內圈、中圈，以及外圈溫度301/302/303，而晶片端溫度測量器31/32/33測量晶片端溫度T2，如果晶片對於晶片端溫度測量器31/32/33是透明，則T2為均熱板8上方表面，或稱均熱板8正面的內圈、中圈，以及外圈溫度311/312/313；如果晶片對於晶片端溫度測量器31/32/33是不透明，則T2為晶片8表面的內圈、中圈，以及外圈溫度321/322/323。此外，也可透過前述的方法，使得T2所測為晶片上磊晶薄膜的表面溫度。此沉積系統的詳細溫度控制方法與前述相同，不再贅述。
如圖6所示，在圖5的沉積系統中，上述溫度控制方法可以用特定某一圈的遠紅外線溫度測量器21/22/23，例如中圈遠紅外線溫度測量器22，其所測溫度，不僅用來控制中圈熱源(如熱電偶或光管)5的設定溫度，也用來控制其餘兩圈的熱源4/6的設定溫度。或者，如圖7所示，在較佳實施例中，內圈、中圈、外圈遠紅外線溫度測量器21/22/23是獨立控制，同一時間全部為遠紅外線溫度測量器20進行回授控制溫度；同一時間可以全部切換成由熱源7(如熱電偶或光管)進行回授控制溫度。
本發明實施例以均熱板相對於晶片的表面溫度做回授控制，由於此溫度非製程區域，不會受到製程影響，產生放射率的變化，而造成溫度讀值的變異。
本說明書所揭露的每個/全部實施例，本領域熟悉技藝人士可據此做各種修飾、變化、結合、交換、省略、替代、相等變化，只要不會互斥者，皆屬於本發明的概念，屬於本發明的範圍。可對應或與本案所述實施例特徵相關的結構或方法，及/或發明人或受讓人任何申請中、放棄，或已核准的申請案，皆併入本文，視為本案說明書的一部分。所併入的部分，包含其對應、相關及其修飾的部分或全部，(1)可操作的及/或可建構的(2)根據熟悉本領域技藝人士修飾成可操作的及/或可建構的(3)實施/製造/使用或結合本案說明書、本案相關申請案，以及根據熟悉本領域技藝人士的常識和判斷的任何部分。
除非特別說明，一些條件句或字詞，例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也許(might)」，或「可(may)」，通常是試圖表達本案實施例具有，但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件，或步驟。在其他實施例中，這些特徵、元件，或步驟可能是不需要的。
本文前述的文件，其內容皆併入本文，視為本案說明書的一部分。本發明提供的實施例，僅作為例示，不是用於限制本發明的範圍。本發明所提到的特徵或其他特徵包含方法步驟與技術，可與相關申請案所述的特徵或結構做任何結合或變更，部分的或全部的，其可視為本案不等的、分開的、不可替代的實施例。本發明所揭露的特徵與方法其對應或相關者，包含可從文中導出不互斥者，以及熟悉本領域技藝人士所做修飾者，其部分或全部，可以是(1)可操作的及/或可建構的(2)根據熟悉本領域技藝人士的知識修飾成可操作的及/或可建構的(3)實施/製造/使用或結合本案說明書的任何部分，包含(I)本發明或相關結構與方法的任何一個或更多部分，及/或(II)本發明所述任何一或多個發明概念及其部分的內容的任何變更及/或組合，包含所述任何一或多個特徵或實施例的內容的任何變更及/或組合。
1‧‧‧(內圈)加熱器
2‧‧‧(中圈)加熱器
3‧‧‧(外圈)加熱器
4‧‧‧(內圈)熱電偶或光管
5‧‧‧(中圈)熱電偶或光管
6‧‧‧(外圈)熱電偶或光管
7‧‧‧熱源/全部熱電偶或光管
8‧‧‧均熱板
9‧‧‧空氣間隙
10‧‧‧晶片
11‧‧‧製程區域
12‧‧‧製程氣體
13‧‧‧對向板
14‧‧‧排氣區
15‧‧‧中心軸
16‧‧‧晶片承載器
17‧‧‧中心齒輪件
18‧‧‧承載盤
19‧‧‧頂板
20‧‧‧全部遠紅外線溫度測量器
21‧‧‧(內圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
22‧‧‧(中圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
23‧‧‧(外圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
30‧‧‧晶片端的溫度測量器
31‧‧‧(內圈)溫度測量器
32‧‧‧(中圈)溫度測量器
33‧‧‧(外圈)溫度測量器
50‧‧‧透明遮板
70‧‧‧溫度控制系統
71‧‧‧內圈熱電偶PID
72‧‧‧中圈熱電偶PID
73‧‧‧中圈遠紅外線溫度測量器PID
74‧‧‧外圈熱電偶PID
75‧‧‧全部熱電偶PID
76‧‧‧全部遠紅外線溫度測量器PID
80‧‧‧全部電源供應器
81‧‧‧外圈電源供應器
82‧‧‧中圈電源供應器
83‧‧‧內圈電源供應器
100‧‧‧承載盤驅動系統
圖1為局部方塊示意圖，顯示根據本發明一較佳實施例的(晶片朝下)氣相沉積系統與方法。 圖2為示意圖，顯示圖1實施例的一種溫度控制機構與方法。 圖3為示意圖，顯示圖1實施例的另一種溫度控制機構與方法。 圖4為局部方塊示意圖，顯示根據本發明另一實施例的(晶片朝上)氣相沉積系統與方法。 圖5為示意圖，顯示圖4實施例的一種溫度控制機構與方法。 圖6為示意圖，顯示圖4實施例的另一種溫度控制機構與方法。
1‧‧‧(內圈)加熱器
2‧‧‧(中圈)加熱器
3‧‧‧(外圈)加熱器
4‧‧‧(內圈)熱電偶或光管
5‧‧‧(中圈)熱電偶或光管
6‧‧‧(外圈)熱電偶或光管
7‧‧‧熱源/全部熱電偶或光管
8‧‧‧均熱板
9‧‧‧空氣間隙
10‧‧‧晶片
11‧‧‧製程區域
12‧‧‧製程氣體
13‧‧‧對向板
14‧‧‧排氣區
15‧‧‧中心軸
16‧‧‧晶片承載器
17‧‧‧中心齒輪件
18‧‧‧承載盤
19‧‧‧頂板
20‧‧‧全部遠紅外線溫度測量器
21‧‧‧(內圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
22‧‧‧(中圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
23‧‧‧(外圈)溫度測量器/遠紅外線溫度測量器
30‧‧‧晶片端的溫度測量器
31‧‧‧(內圈)溫度測量器
32‧‧‧(中圈)溫度測量器
33‧‧‧(外圈)溫度測量器
50‧‧‧透明遮板
70‧‧‧溫度控制系統
71‧‧‧內圈熱電偶PID
72‧‧‧中圈熱電偶PID
73‧‧‧中圈遠紅外線溫度測量器PID
74‧‧‧外圈熱電偶PID
75‧‧‧全部熱電偶PID
76‧‧‧全部遠紅外線溫度測量器PID
80‧‧‧全部電源供應器
81‧‧‧外圈電源供應器
82‧‧‧中圈電源供應器
83‧‧‧內圈電源供應器
100‧‧‧承載盤驅動系統

Claims (10)

  1. 一種化學氣相沉積之晶片及薄膜溫度的控制系統，包含： 一承載盤，繞著一中心軸旋轉； 複數個晶片承載器，位於該承載盤，每個該晶片承載器承載一晶片，並進行自轉； 一製程氣體，靠近該晶片的一第一表面，經加熱反應形成一薄膜沉積在該第一表面上； 一均熱板，設置於該晶片一第二表面，用於加熱該晶片，該第二表面相對於該第一表面； 一或多個溫度測量器，設置於接近該第二表面的一側，用於獲得該均熱板相對於該晶片的一反面溫度，並以該反面溫度推測該晶片的一晶片端溫度。
  2. 如請求項1的系統，尚包含一或多個晶片端溫度測量器，設置於接近該第一表面的一側，以測量該晶片的該晶片端溫度。
  3. 如請求項1的系統，該晶片端溫度是該晶片的該第一表面的溫度。
  4. 如請求項1的系統，該晶片端溫度是該均熱板面向該晶片的一正面溫度。
  5. 如請求項1的系統，該晶片端溫度是該薄膜的表面溫度。
  6. 如請求項1的系統，是一種晶片朝上的金屬有機化學氣相沉積系統。
  7. 如請求項1的系統，是一種晶片朝下的金屬有機化學氣相沉積系統。
  8. 如請求項1的化學氣相沉積系統，該一或多個溫度測量器為三個遠紅外線溫度測量器，分別測量該均熱板相對於該晶片的內圈、中圈，以及外圈反面溫度。
  9. 一種化學氣相沉積之晶片及薄膜溫度的控制方法，包含下列步驟：             提供一承載盤繞著一中心軸旋轉，該承載盤包含複數個晶片承載器分別承載一晶片並進行自轉；             提供一製程氣體靠近該晶片的一第一表面並經加熱反應形成一薄膜沉積在該第一表面上；             提供一均熱板於該晶片相對於該第一表面的一第二表面；             提供一或多個溫度測量器於接近該第二表面的一側，用於獲得該均熱板相對於該晶片的一反面溫度；以及             以該反面溫度推測該晶片的一晶片端溫度。
  10. 如請求項9的控制方法，其功該晶片端溫度包含該晶片溫度及薄膜的表面溫度。
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