TW201618067A - 像素電路以及顯示器裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種像素電路，其包括：一開關電晶體，其傳導性由一供應至控制端子之驅動信號控制；一驅動佈線，其經調適成用以傳播該驅動信號；及一資料佈線，其經調適成用以傳播一資料信號。該驅動佈線係形成於一第一佈線層上且連接至該開關電晶體之該控制端子。該資料佈線係形成於一第二佈線層上且連接至該開關電晶體之一第一端子。使用一多層佈線結構以使該第二佈線層係形成於一不同於其上形成有該第一佈線層之層的層上。

Description

像素電路以及顯示器裝置
本發明關於一種顯示器裝置，例如一有機EL(電致發光)顯示器，其具有配置成一矩陣形式之像素電路，該等像素電路之每一個具有一電光元件，其亮度係由一電流控制。本發明特別關於一種所謂主動式矩陣顯示器裝置，其中流過一電光元件之電流係由一佈置於各像素電路中之絕緣閘極場效電晶體控制。
本發明包括在2007年2月14日向日本專利局申請的日本專利申請案JP 2007-033509的相關標的，該案之全文以引用的方式併入本文中。
一影像顯示器裝置例如液晶顯示器係藉由根據待顯示之影像資訊控制各像素之光學強度來顯示一像素。此方式對於有機EL及其他顯示器亦如是。然而，有機EL顯示器係一所謂自然發光顯示器，其在各像素電路中具有一發光元件。此類型顯示器提供包括高影像可見度、不需要背光及高反應速度之優點。
再者，有機EL顯示器明顯不同於液晶顯示器及其他類型顯示器之處在於各發光元件之亮度係由一流過其間以提供色彩層次之電流來控制。亦即，發光元件為電流控制式。
如同液晶顯示器，有機EL顯示器可由單純或主動矩陣驅動。然而，應該注意的係，儘管前者之結構單純，其有包括難以實施一大型、高解析度顯示器之缺點。因此，近年來主動矩陣顯示器之發展正在大 步向前。在此類型顯示器中，流過各像素電路中之電光元件的電流係由一提供在該相同像素電路中之主動元件控制，該主動元件通常為一TFT(薄膜電晶體)。
圖1係方塊圖，其說明一典型有機EL顯示器裝置之組態。
一顯示器裝置1包括一像素陣列區段2，其具有配置成一m×n矩陣之像素電路(PXLC)2a。顯示器裝置1進一步包括一水平選擇器(HSEL)3、寫入掃描器(WSCN)4、資料佈線DTL1至DTLn及掃描線WSL1至WSLm。資料佈線DTL1至DTLn係由水平選擇器3選擇，且其供應一與亮度資訊相當之資料信號。掃描線WSL1至WSLm係由寫入掃描器4選擇性驅動。
應該注意的係水平選擇器3及寫入掃描器4可以使用(例如)一MOSIC而形成於一多晶矽上或像素周圍。
圖2係電路圖，其說明圖1中之像素電路2a的一組態範例(其參考例如USP5,684,365及日本專利特許公開第Hei 8-234683號)。
圖2中之像素電路2a為大多數電路之最單純組態，其係一所謂雙電晶體驅動電路。
圖2中之像素電路2a包括p通道薄膜場效電晶體(下文稱為"TFT")11及12、一電容器C11、及一為發光元件之有機EL元件(OLED)13。在圖2中，DTL及WSL分別代表資料佈線及掃描線。
一有機EL元件通常具有整流能力。因此，其有時候稱為一OLED(有機發光二極體)。儘管在圖2及其他圖式中係以一二極體符號表示，該有機EL元件並非必定要在以下之說明中提供整流能力。
在圖2中，TFT 11將其源極連接至一供應電位VCC。發光元件13將其陰極連接至一接地電位GND。圖2中之像素電路2a以以下所述方式操作。
步驟ST1：
掃描線WSL係置於一選擇狀態(在此情形中為下拉至低位準)。接著，一寫入電位Vdata施加於資料佈線DTL。結果，TFT 12導通，其將電容器C11充電或放電及令TFT 11之閘極電位變成Vdata。
步驟ST2：
掃描線WSL係置於一未選擇狀態(在此情形中為上拉至高位準)。此舉使資料佈線DTL及TFT 11係彼此電隔離。然而，TFT 11之閘極電位係由電容器C11維持恆定。
步驟ST3：
流過TFT 11及發光元件13之電流值相當於TFT 11之一閘極至源極電壓Vgs。因此，發光元件13持續以相當於該電流之亮度發光。
經調適成用以選擇掃描線WSL且將已提供於資料佈線之亮度資訊傳送至像素電路之操作係在下文稱為"寫入"。
如上所述，一旦電位Vdata被寫入時，圖2所示像素電路2a中之發光元件13持續以一恆定亮度發光。發光元件13依此持續到電位Vdata被重寫。
如上所述，像素電路2a藉由改變電壓施加於用作一驅動電晶體之TFT 11之閘極來控制流過發光元件13之電流值。
此時，p通道驅動電晶體將其源極連接至供應電位VCC。結果，此TFT 11一直在飽和區內操作。因此，TFT 11用作一恆定電流源，其電流具有以下等式1中所示之值。
(等式1)Ids=1/2*μ(W/L)Cox(Vgs-|Vth|)2…(1)
在此，μ為載體遷移率，Cox為每單位面積之閘極電容，W為閘極寬度，L為閘極長度，Vgs為TFT 11之閘極至源極電壓，及Vth為TFT 11之臨限值。
藉由一單純矩陣影像顯示器裝置，各發光元件僅在被選擇時瞬間 發光。對比之下，藉由一主動矩陣顯示器裝置，發光元件可在寫入完成後持續發光，如上所述。因此，一主動矩陣顯示器裝置相較於一單純矩陣顯示器裝置時，其可提供高峰值亮度及降低之峰值電流，使得當此類型顯示器裝置使用在一大型、高解析度顯示器時其特別有利。
圖3係說明有機EL元件之電流對電壓(I-V)特徵之長期變化的視圖。在圖3中，由一實線顯示之曲線代表初始狀態特徵，而由一虛線顯示之曲線代表長期變化後之特徵。
有機EL元件之I-V特徵通常在經過圖3中所說明之時間後惡化。
然而，圖2中所示之雙電晶體驅動電路係由一恆定電流驅動。因此，一恆定電流持續流過有機EL元件。此可使有機EL元件免於發光亮度之長期惡化，即使若係其I-V特徵之惡化。
附帶地，圖2中之像素電路2a包括p通道TFT。然而，若相同電路2a包括n通道TFT，則現有之非晶矽(a-Si)程序可用於製造TFT。此可針對TFT基板而提供降低之成本。
接著，一基本像素電路將描述於後，其中p通道TFT係由n通道TFT替代。
圖4係電路圖，其說明一像素電路包括n通道TFT以代替圖2中所示之p通道TFT。
圖4中所示之一像素電路2b包括n通道TFT 21及22、一電容器C21、及一為發光元件之有機EL元件(OLED)23。在圖4中，DTL及WSL分別代表資料佈線及掃描線。
在像素電路2b中，TFT 21用作一驅動電晶體。TFT 21將其汲極連接至供應電位VCC，且其源極連接至EL元件23之陽極，因而形成一源極隨耦器電路。
圖5係說明用作一驅動電晶體之TFT 21之一操作點及在初始狀態之EL元件23的視圖。在圖5中，TFT 21之一汲極至源極電壓Vds係沿著 水平軸繪製，且其之一汲極至源極電流Ids係沿著垂直軸繪製。
如圖5中所說明，源極電壓係由用作一驅動電晶體之TFT 21之該操作點及EL元件23決定。此電壓視閘極電壓而改變。
TFT 21係在飽和區內驅動。結果，等式1中所示之電流Ids流過TFT 21。電流Ids相關於Vgs，而該Vgs係與該操作點之源極電壓相關聯。
上述像素電路係所有電路中最單純者。然而，實際上，電路包含額外組件，例如一與該有機EL元件串聯連接以用作為一驅動電晶體之TFT，及經調適成用以抵銷遷移率與臨限值之其他TFT。
針對這些TFT，由提供在主動矩陣有機EL顯示面板二側或一側上之垂直掃描器產生一閘極脈衝。此脈衝信號係傳輸通過佈線，且施加於配置成一矩陣形式之像素電路中之一所需TFT。
若此脈衝信號施加於二或多個TFT，則信號施加之時序係很重要。
然而，如圖6中所說明，一經由一緩衝器40以將脈衝信號施加於像素電路2a中之電晶體(TFT)之閘極的驅動佈線41係一般由Mo(鉬)構成。一佈線電阻r引起一脈衝延遲及暫態變化。此導致一時滯，造成陰影與條帶。相隔於掃描器之距離越大，在像素電路2a之電晶體閘極中造成之佈線之電阻越大。
此導致例如面板之二端之間之一遷移率校正週期差異，其係一亮度差異所致。
再者，因為遷移率校正週期與一最佳值偏離一誤差，使遷移率校正未能校正一些像素之遷移率之變化，因此在螢幕上造成可見之條紋。
本發明需要提供一種像素電路以及使用該像素電路之顯示器裝置，其能夠抑制由一閘極脈衝供應通過之佈線之電阻引起之陰影與條帶。
根據本發明之一第一具體實施例之一像素電路包括至少一開關電晶體，其傳導性係由一供應至該控制端子之驅動信號控制；一驅動佈線，其經調適成用以傳播該驅動信號；及一資料佈線，其經調適成用以傳播一資料信號。該驅動佈線係形成於一第一佈線層上且連接至該開關電晶體之該控制端子。該資料佈線係形成於一第二佈線層上且連接至該開關電晶體之一第一端子。一多層佈線結構係用於使該第二佈線層係形成於一層上且該層不同於該第一佈線層係形成於其上者。
較佳地，該驅動佈線層係由與該資料佈線層相同之材料形成。
較佳地，該驅動佈線層係由Al(鋁)形成。
根據本發明之一第二具體實施例之一顯示器裝置，其包括配置成一矩陣形式之複數個像素電路。該複數個像素電路之每一個包括至少一開關電晶體，其傳導性係由一供應至該控制端子之驅動信號控制；一驅動佈線，其經調適成用以傳播該驅動信號；一資料佈線，其經調適成用以傳播一資料信號，及一電光元件，其亮度隨著流動電流改變而改變。該顯示器裝置進一步包括一第一掃描器，其經調適成用以將該驅動信號輸出至該驅動佈線上；及一第二掃描器，其經調適成用以將該資料信號輸出至該資料佈線上。該驅動佈線係形成於一第一佈線層上。該驅動佈線係連接至該開關電晶體之該控制端子及該第一掃描器。該資料佈線係形成於一第二佈線層上。該資料佈線係連接至該開關電晶體之一第一端子及該第二掃描器。一多層佈線結構係用於使該第二佈線層係形成於一層上且該層不同於該第一佈線層係形成於其上者。
較佳地，該驅動佈線層係由與該資料佈線層相同之材料形成。
較佳地，該驅動佈線層係由Al(鋁)形成。
根據本具體實施例，一種像素電路包括至少一開關電晶體、驅動佈線及資料佈線。該像素電路具有一多層佈線結構，使得該驅動佈線 係形成於一第一佈線層上，且該資料佈線係形成於一第二佈線層上。
本具體實施例可抑制由一閘極脈衝供應通過之佈線之電阻引起之陰影與條帶。
1‧‧‧顯示器裝置
2‧‧‧像素陣列區段
2a‧‧‧像素電路(PXLC)
2b‧‧‧像素電路
3‧‧‧水平選擇器(HSEL)
4‧‧‧寫入掃描器(WSCN)
11‧‧‧p通道薄膜場效電晶體(TFT)
12‧‧‧p通道薄膜場效電晶體(TFT)
13‧‧‧有機EL元件(OLED)
21‧‧‧n通道TFT
22‧‧‧n通道TFT
23‧‧‧有機EL元件(OLED)
40‧‧‧緩衝器
41‧‧‧驅動佈線
100‧‧‧顯示器裝置
101‧‧‧像素電路
102‧‧‧像素陣列區段
103‧‧‧水平選擇器(HSEL)
104‧‧‧寫入掃描器(WSCN)
105‧‧‧驅動掃描器(DSCN)
106‧‧‧第一自動歸零電路(AZRD1)
107‧‧‧第二自動歸零電路(AZRD2)
111‧‧‧p通道TFT
112‧‧‧n通道TFT
113‧‧‧n通道TFT
114‧‧‧n通道TFT
114a‧‧‧閘極區段
115‧‧‧n通道TFT
116‧‧‧發光元件(OLED)
200‧‧‧驅動佈線
201‧‧‧Al/Mo(鋁/鉬)接觸
202‧‧‧Al/Poly(鋁/多晶矽)接觸
301‧‧‧新層
302‧‧‧Al/Al(新層)接觸
1041‧‧‧緩衝器
C11‧‧‧電容器
C12‧‧‧電容器
C111‧‧‧電容器
DSL‧‧‧驅動線
DTL‧‧‧資料佈線
DTL1至DTLn‧‧‧資料佈線
ND111‧‧‧節點
ND112‧‧‧節點
NT1‧‧‧NMOS電晶體
PT1‧‧‧PMOS電晶體
WSL‧‧‧掃描線
WSL1至WSLm‧‧‧掃描線
圖1係方塊圖，其說明一典型有機EL顯示器裝置之組態；圖2係電路圖，其說明圖1中所示之一像素電路的組態範例；圖3係說明一有機EL元件之電流對電壓(I-V)特徵之長期變化的視圖；圖4係電路圖，其說明一像素電路包括一n通道TFT以代替圖2中所示之p通道TFT；圖5係說明用作一驅動電晶體之TFT 21之一操作點及EL元件23在初始狀態的視圖；圖6係用於描述由佈線電阻造成之缺點的視圖；圖7係方塊圖，其說明一使用根據本發明之一具體實施例之像素電路的有機EL顯示器裝置之組態；圖8係電路圖，其說明根據本具體實施例之像素電路的具體組態；圖9係用於描述一針對陰影與條帶之補救辦法之一第一範例的視圖；圖10A及10B係用於描述一由一佈線圖案引起之短路的視圖；圖11係說明一使用一多層佈線結構之組態範例的視圖；及圖12A至12F係用於描述本具體實施例之操作的時序圖。
本發明之一具體實施例將參考附圖描述如下。
圖7係方塊圖，其說明一使用根據本發明之一具體實施例之像素電路的有機EL顯示器裝置之組態。
圖8係電路圖，其說明根據本具體實施例之像素電路的具體組態。
一顯示器裝置100包括一像素陣列區段102，其具有配置成一m×n矩陣之像素電路101。顯示器裝置100進一步包括一水平選擇器(HSEL)103、寫入掃描器(WSCN)104、驅動掃描器(DSCN)105、及第一及第二自動歸零電路(AZRD1)106及(AZRD2)107。顯示器裝置100進一步包括資料佈線DTL、掃描線WSL及驅動線DSL。資料佈線DTL係由水平選擇器103選擇，且其供應一與亮度資訊相當之資料信號。掃描線WSL係由寫入掃描器104選擇及驅動，且用作一第一驅動佈線。驅動線DSL係由驅動掃描器105選擇及驅動，且用作一第二驅動佈線。顯示器裝置100進一步包括第一及第二自動歸零線AZL1及AZL2。第一及第二自動歸零線AZL1及AZL2係分別由第一及第二自動歸零電路(AZRD1)106及107選擇及驅動。
根據本具體實施例之像素電路101包括一p通道TFT 111、n通道TFT 112至115、一電容器C111、包括一有機EL元件(OLED：電光元件)之發光元件116、及第一及第二節點ND111及ND112。
一第一開關電晶體係由TFT 114形成，第二開關電晶體由TFT 113形成，第三開關電晶體由TFT 115形成，及第四開關電晶體則由TFT 111形成。
應該注意的係供應電壓VCC(供應電位)之供應線對應於一第一參考電位，且接地電位GND對應於一第二參考電位。再者，VSS1對應於一第四參考電位，及VSS2對應於一第三參考電位。
在像素電路101中，用作一驅動電晶體之TFT 111、TFT 112、第一節點ND111及發光元件(OLED)116係串聯連接於第一參考電位(在本具體實施例中為供應電位VCC)與第二參考電位(在本具體實施例中為接地電位GND)之間。更明確地說，發光元件116將其陰極連接至接地電位GND且其陽極連接至第一節點ND111。TFT 112將其源極連接至第一節點ND111。TFT 111將其汲極連接至TFT 112之汲極且其源極連接至 供應電位VCC。
TFT 112將其閘極連接至第二節點ND112。TFT 111將其閘極連接至驅動線DSL。
TFT 113將其汲極連接至第一節點111及C111之第一電極。TFT 113將其源極連接至一固定電位VSS2且其閘極連接至第二自動歸零線AZL2。電容器C111將其第二電極連接至第二節點ND112。
TFT 114將其源極與汲極連接於資料佈線DTL與第二節點ND112之間。TFT 114將其閘極連接至掃描線WSL。
再者，TFT 115將其源極與汲極連接於第二節點ND112與預定電位VSS1之間。TFT 115將其閘極連接至第一自動歸零線AZL1。
如上所述，在根據本具體實施例之像素電路101中，電容器C111係在TFT 112之閘極與源極之間連接為一像素電容，以用作一驅動電晶體。TFT 112之源極電位係經由在一非發光週期期間用作一開關電晶體之TFT 113，而連接至該固定電位。再者，TFT 112之閘極與汲極係連接在一起，從而允許臨限值Vth之校正。
在根據本具體實施例之顯示器裝置100中，一具有低於鉬之電阻之電阻的材料係用於閘極佈線，該閘極佈線係從垂直掃描器之最終階段(輸出階段)接到像素電路101中之TFT(電晶體)之閘極。鉬典型上係用在此用途。此防止由一脈衝延遲引起之陰影與條帶，該脈衝延遲則來自佈線之電阻，一驅動脈衝通過該佈線供應至像素電路101中之TFT閘極。
此項針對陰影與條帶之補救辦法係在該等佈線(亦即，掃描線WSL、驅動線DSL及第一及第二自動歸零線AZL1及AZL2)之中至少施加於掃描線WSL。
該補救辦法之一第一範例將描述如下。在此描述中，將顯示該補救辦法施加於掃描線WSL之一情形。
圖9係用於描述一針對陰影與條帶之補救辦法之範例的視圖。
在圖9中，1041表示寫入掃描器104之一最終階段(輸出階段)緩衝器。該緩衝器係形成為一用於PMOS及NMOS電晶體PT1及NT1之CMOS緩衝器。另一方面，用作像素電路101之一開關電晶體的TFT 114之閘極係連接至寫入掃描器104之該最終階段。掃描線WSL之一驅動佈線200具有一電阻r'。
在本範例中，鋁係用於掃描線WSL(驅動佈線200)及資料佈線DTL。由鋁構成之掃描線WSL之佈線電阻r'係低於由鉬構成之相同線WSL之電阻r。電阻r'大約為電阻r的十分之一。
如上所述，鋁係用於該補救辦法之本範例中之掃描線WSL及資料佈線DTL二者，因而抑制脈衝信號延遲及暫態變化。
附帶地，鉬典型上用於掃描線WSL而鋁用於資料佈線DTL。這些佈線及像素電路101皆布局在一半導體基板上。然而，使用相同材料(亦即，鋁)用於如同在本範例中之掃描線WSL及資料佈線DTL，其在掃描線WSL與資料佈線DTL之一交叉點造成一短路。
該等佈線中之此短路將參考圖10A及10B來描述。
圖10A及10B係用於描述一由一佈線圖案引起之短路的視圖。
圖10A說明當鉬用於掃描線WSL(驅動佈線200)且鋁用於資料佈線DTL時，TFT 114之一閘極區段114a(參考圖9)周圍的結構。另一方面，圖10B說明當鋁用於掃描線WSL及資料佈線DTL二者時，TFT 114之閘極區段114a周圍的結構。在圖10A及10B中，201表示一Al/Mo(鋁/鉬)接觸及202表示一Al/Poly(鋁/多晶矽)接觸。
如圖10A中所說明，掃描線WSL由鉬形成及資料佈線DTL由鋁形成。結果，無短路發生於掃描線WSL與資料佈線DTL之一交叉點。然而，若掃描線WSL與資料佈線DTL皆由鋁形成，如圖10B中所說明，則一短路即發生於該兩者之一交叉點。
為了避免發生在掃描線WSL與資料佈線DTL之一交叉點處的短路，本範例採用一多層佈線結構於掃描線WSL與資料佈線DTL。
此多層佈線結構將參考圖11來描述。
圖11係說明一使用一多層佈線結構之組態範例的視圖。
如圖11中所說明，資料佈線DTL使用一材料(例如TiAl)以產生一新層301。結果，在此組態中，新層301係提供於該第二佈線層上，其高度係高於掃描線WSL(驅動佈線200)提供於上之該第一佈線層。再者，一Al/Al(新層)接觸302係在此組態中提供於新層301上。新層301係經由接觸件302以連接至TFT 114之第一端子。更進一步，掃描線WSL係在此組態中連接至TFT 114之閘極區段114a。在本補救辦法之本範例中，資料佈線DTL使用新層301傳輸資料信號，且該驅動佈線傳輸驅動信號。
應該注意的係掃描線WSL與新層301二者皆由相同材料(亦即，鋁)構成。在此情形中，可以使用典型之TFT程序。
如上所述，當掃描線WSL與資料佈線DTL二者皆由鋁構成時，一多層佈線結構使其得以避免該等佈線交叉所產生之一短路。
上述組態之操作將接著參考圖12A至12F來描述，且其強調於該像素電路之操作。
圖12A說明一施加於驅動線DSL之驅動信號DS，圖12B說明一施加於掃描線WSL之驅動信號WS，圖12C說明一施加於第一自動歸零線AZL1之驅動信號AZ1，圖12D說明一施加於第二自動歸零線AZL2之驅動信號AZ2，圖12E說明第二節點ND 112之電位，及圖12F說明第一節點ND 111之電位。
由驅動掃描器105施加於驅動線DSL之該驅動信號係維持在高位準。由寫入掃描器104施加於驅動線WSL之驅動信號WS係維持在低位準。由第一自動歸零電路106施加於第一自動歸零線AZL1之驅動信號 AZ1係維持在低位準。由第二自動歸零電路107施加於第二自動歸零線AZL2之驅動信號AZ2係維持在高位準。
結果，TFT 113接通，其導致一電流流過TFT 113。此舉使TFT 112之一源極電位Vs(節點ND 111之電位)降低至VSS2。因此，施加於發光元件116之電壓變成零，導致相同元件116停止發光。
在此情形中，即使TFT 114接通，由電容器C111固持之電壓(亦即TFT 112之閘極電壓)保持不變。
接著，在EL發光元件116之非發光週期期間，施加於第一自動歸零線AZL1之驅動信號AZ1被上拉至高位準，而施加於第二自動歸零線AZL2之驅動信號AZ2維持在高位準。此舉使第二節點ND 112之電位降低至VSS1。
接著，在施加於第二自動歸零線AZL2之驅動信號AZ2被切換回到低位準後，由驅動掃描器105施加於驅動線DSL之驅動信號DS僅以一預定時間週期切換回至低位準。
此舉導致TFT 113切斷且TFT 115及112接通。結果，一電流流過TFT 112及111，其將第一節點ND 111之電位升高。
接著，由驅動掃描器105施加於驅動線DSL之驅動信號DS切換至高位準，且驅動信號AZ1切換至低位準。
因此，驅動電晶體TFT 112之臨限值Vth被校正，使第二及第一節點ND 112及ND 111之間之電位差成為Vth。
此狀況維持一預定時間週期，隨後由寫入掃描器104施加於掃描線WSL之驅動信號WS係維持在高位準。資料係從資料佈線DTL寫入至節點ND 112。當驅動信號WS在高位準時，由驅動掃描器105施加於驅動線DSL之驅動信號DS被切換至低位準。接著，驅動信號WS暫時切換至低位準。
此時，TFT 112接通且TFT 114切斷，以允許校正遷移率。
在此情形下，TFT 114切斷。TFT 112之閘極至源極電壓係恆定。結果，恆定電流Ids從TFT 112流入EL發光元件116。此舉使第一節點ND 111之電位上升至一電壓Vx，其中電流Ids流過EL發光元件116，導致相同元件116發光。
再者，在本電路中，若其發光時間長，則該EL元件之電流對電壓(I-V)特徵改變。此導致該第一節點ND 111之電位亦改變。然而，TFT 112之閘極至源極電壓Vgs係維持恆定。結果，流過EL發光元件116之電流保持不變。因此，即使相同元件116之I-V特徵惡化，恆定電流Ids仍持續流動。結果，相同元件116之亮度保持不變。
當該像素電路具有一多層佈線結構時，該掃描線(驅動佈線)及該資料佈線(新層)係如補救辦法之本範例所述由鋁形成，則該補救辦法係施加於整個面板，以防止因為該佈線電阻而由一驅動信號(脈衝)造成之陰影與條帶。此確保具最低陰影與條帶之高品質影像。
該補救辦法之一第二範例將描述於後。在本範例中，一多層佈線結構係使用如同第一範例。掃描線WSL(驅動佈線200)由Ag(銀)形成，且資料佈線DTL由鋁形成。
由銀構成之掃描線WSL之一佈線電阻r"係低於由鉬構成之相同線WSL之電阻r。此舉抑制脈衝信號延遲及暫態變化，因而提供與該補救辦法之第一範例相同的效果。
再者，當一多層佈線結構係使用如同第一及第二範例，且一電阻較低於鋁之材料被用於新層301時，本具體實施例提供與該補救辦法之第一及第二範例相同的效果。例如，銀係用於新層301。
此保佈線電阻在信號傳播上之衝擊減低，因而提供具最低陰影與條帶之高品質影像。
熟諳此技術者應瞭解，只要在文後申請專利範圍或其等效內容的範疇內，可進行取決於設計要求及其他因素的各種不同修改、組合、 次組合及變更。
114a‧‧‧閘極區段
200‧‧‧驅動佈線
201‧‧‧Al/Mo(鋁/鉬)接觸
202‧‧‧Al/Poly(鋁/多晶矽)接觸
301‧‧‧新層
302‧‧‧Al/Al(新層)接觸
DTL‧‧‧資料佈線

Claims (25)

  1. 一種具有一多層佈線結構之顯示裝置，其包含：複數個像素電路，其形成於一顯示區域中；一第一佈線，其經安置以延伸穿過該顯示區域且經組態以傳播一控制電壓；及一第二佈線，其經安置以延伸穿過該顯示區域且經組態以傳播一預定電壓，其中該複數個像素電路之至少一者包括：一電光元件；一開關電晶體，其包括一控制端子、一通道部分及一第一電流端子，該控制端子電連接至該第一佈線，且該第一電流端子電連接至該第二佈線；一電容元件，其電連接至該開關電晶體，以便經由該開關電晶體接收取決於該預定電壓之一電壓，及其中該第一佈線係一第一層之一部分，該第二佈線係一第二層之一部分，該第二層不同於該第一層，及一第一中間佈線係一第三層之一部分，該第三層不同於該第二層與一第四層，該通道部分及該第一電流端子係該第四層之部分，該第一中間佈線在該第一電流端子與該第二佈線之間電連接。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中該第一佈線及該第二佈線包括相同材料。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中該第一佈線及該第二佈線包括鋁。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中該第二佈線包括銀及該第一中間佈線包括鋁。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中該開關電晶體包括一第二電流端 子，該第二電流端子係該第四層之一部分，該第三層係在該第四層上方之一層，及該二層係在該第三層上方之一層。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中該第二佈線包括銀及該第一中間佈線包括鋁。
  7. 如請求項5之顯示裝置，其中該通道部分包括一多晶矽。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中該控制端子包括複數個閘極電極，該複數個閘極電極之每一者係該第一佈線之一部分。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中該複數個閘極電極之至少一者係該第一佈線之一突出部分。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中藉由利用一鋁-鉬接點及一鋁-半導體接點以形成自該第二佈線至該電容元件之一電路徑。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中該複數個像素電路之每一者包括個別由佈線控制之複數個電晶體，其中該等佈線包括用於控制一影像電壓資料之一取樣操作之一掃描線，該影像電壓資料透過一信號線傳播。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中該第一佈線對應於該掃描線。
  13. 如請求項11之顯示裝置，其中該第二佈線對應於該信號線，該預定電壓對應於該影像電壓資料，及該光電元件經組態以回應該影像電壓資料之一值而發射光。
  14. 如請求項1之顯示裝置，其中該光電元件係一發光元件，及該複數個像素電路之該至少一者進一步包括一驅動電晶體，該驅動電晶體耦接至該電容元件且經組態以提供一驅動電流至該發光元件。
  15. 如請求項14之顯示裝置，其中該複數個像素電路之該至少一者經組態以執行一校正操作，以便在一校正週期期間補償該驅動電晶體之一特性與該驅動電流之一相關性，該校正週期之一操作時序 係取決於至少該控制電壓。
  16. 如請求項14之顯示裝置，其中該第一佈線包括較鉬為低之一低電阻材料，藉此降低導致陰影與條帶之該控制電壓之一傳播延遲。
  17. 如請求項1之顯示裝置，其中該開關電晶體包括一第二電流端子，其經由一第二中間佈線電連接至該電容元件之一電極。
  18. 如請求項17之顯示裝置，其中該第二中間佈線經由一鋁-鉬接點連接至一電極。
  19. 如請求項1之顯示裝置，其進一步包含：一第一電路，其經組態以輸出一控制電壓至該第一佈線上；及一第二電路，其經組態以輸出一預定電壓至該第二佈線上，其中該複數個像素電路以一矩陣形式安置於該顯示區域上，該第一電路安置於鄰接該顯示區域之一垂直周邊區域，及該第二電路安置於鄰接該顯示區域之一水平周邊區域。
  20. 如請求項1之顯示裝置，其中該第一中間佈線沒有與形成於該第二層上之任何佈線交叉。
  21. 一種顯示裝置，其包含：複數個像素電路，其在一顯示區域上形成一矩陣；複數個第一佈線，其經組態以延伸穿過該顯示區域，該等第一佈線之每一者經組態以傳播一控制電壓；複數個第二佈線，其延伸穿過該顯示區域，該等第二佈線之每一者經組態以傳播一預定電壓，及其中該複數個像素電路之至少一者包括：一電光元件；一開關電晶體；一電容元件；一驅動電晶體， 其中該開關電晶體包括：一控制端子；一第一電流端子；一第二電流端子；及一通道部分，其中該控制端子電連接至該等第一佈線之一者，該控制端子包括複數個閘極電極，該複數個閘極電極之每一者係該等第一佈線之該者之一部分；該第一電流端子經由一第一中間佈線電連接至該等第二佈線之一相對應者；該第二電流端子經由一第二中間佈線電連接至一電極；該通道部分、該第一電流端子及該第二電流端子係一第四層之部分；該電容元件電連接至該開關電晶體且經組態以經由該開關電晶體接收該預定電壓；該驅動電晶體耦接至該電容元件且經組態以提供一驅動電流至該光電元件；該第一佈線係一第一層，該第二佈線係一第二層之一部分，該第二層不同於該第一層；及該第一中間佈線係一第三層之一部分，該第三層係不同於該第二層及該第四層之一層。
  22. 如請求項21之顯示裝置，其中該第二佈線包括銀，及該第一中間佈線包括鋁。
  23. 如請求項21之顯示裝置，其中該第一中間佈線沒有與形成於該第二層上之任何佈線交叉。
  24. 如請求項21之顯示裝置，其中該複數個像素電路之該至少一者經組態以執行一校正操作，以便在一校正週期期間補償該驅動電晶體之一特性與該驅動電流之一相關性，該校正週期之一操作時序係取決於該控制電壓之至少一改變。
  25. 如請求項21之顯示裝置，其中該等第一佈線及該等第二佈線包括一相同材料。
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