TW201602736A - 微影裝置、轉移一基板的方法及器件製造方法 - Google Patents

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赫伯 馬里 希格斯
德 翰 羅納德 凡
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葛本 派特司
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保羅 凡東京
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Abstract

一種微影裝置包含：一基板台、曝光後處置模組、一基板處置機器人及一乾燥站。該基板台經組態以針對一曝光程序而支撐一基板。該曝光後處置模組係用於在曝光後處置該基板。該基板處置機器人經組態以將該基板自該基板台沿著一基板卸載路徑轉移至該曝光後處置模組中。該乾燥站經組態以自該基板之一表面主動地移除液體。該乾燥站定位於該基板卸載路徑中。該乾燥站定位於該曝光後處置模組中。該曝光後處置模組可為一晶圓處置器。

Description

微影裝置、轉移一基板的方法及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置、一種轉移一基板的方法及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。
在浸潤微影中，液體(例如，水)可在曝光程序之後遺留於基板上之抗蝕劑上。液體可造成抗蝕劑劣化。抗蝕劑之劣化可引起餘留有液體之缺陷。
需要縮減由餘留液體造成之缺陷，而不會不利地影響微影裝置之產出率。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以針對一曝光程序而支撐一基板，在該曝光程序中將該基板曝光至一輻射光束以經由一液體而形成一圖案；一曝光後處置模組，其用於在曝光後處置該基板；一基板處置機器人，其經組態以將該基板自該基板台沿著一基板卸載路徑轉移至該曝光後處置模組中；及一乾燥站，其經組態以自該基板之一表面主動地移除液體；其中該乾燥站定位於該基板卸載路徑中及定位於該曝光後處置模組中，使得 該基板可在沿著該基板卸載路徑之轉移期間完全地通過該乾燥站。
根據本發明之一態樣，提供一種在一微影裝置中轉移一基板的方法，該方法包含：針對一曝光程序而在一基板台上支撐一基板，在該曝光程序中將該基板曝光至一輻射光束以經由一液體而形成一圖案；將該基板自該基板台沿著一基板卸載路徑轉移至一曝光後處置模組中以用於在曝光後處置該基板；及一乾燥站自該基板之一表面主動地移除液體；其中在該基板卸載路徑中及在該曝光後處置模組中執行液體之該主動移除，使得該基板在沿著該基板卸載路徑之轉移期間完全地通過該乾燥站。
11‧‧‧空間
13‧‧‧液體入口/出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧氣體密封件
41‧‧‧基板處置機器人
42‧‧‧機器人臂
43‧‧‧固持器
44‧‧‧定位器部件
45‧‧‧乾燥站致動器
46‧‧‧基板W之表面
50‧‧‧浸潤液體之小滴
51‧‧‧基板處置器感測器
53‧‧‧主體構件
72‧‧‧供應通口
73‧‧‧回收通口
74‧‧‧通道
75‧‧‧液體供應裝置
79‧‧‧通道
80‧‧‧液體回收裝置
81‧‧‧回收腔室
83‧‧‧多孔構件
84‧‧‧孔
90‧‧‧乾燥站
91‧‧‧氣刀
92‧‧‧流供應開口
93‧‧‧流抽取開口
94‧‧‧曝光後處置模組
95‧‧‧曝光模組
96‧‧‧浸潤後沖洗模組
97‧‧‧樞軸點
100‧‧‧微影裝置
110‧‧‧儲存單元
111‧‧‧上部封閉基板容納單元
112‧‧‧下部封閉基板容納單元
113‧‧‧排出單元
114‧‧‧底部容納單元
120‧‧‧基板轉台
140‧‧‧支柱
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BF‧‧‧基座框架
C‧‧‧目標部分
CN‧‧‧聚光器
IH‧‧‧液體限制結構
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧光罩支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件/第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS2‧‧‧第二位置感測器
PW‧‧‧第二定位器件/第二定位器
SF‧‧‧感測器框架
SO‧‧‧源模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件；圖3描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件；圖4及圖5描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件；圖6至圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖9至圖14描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之部件；及圖15及圖16各自描繪根據本發明之一實施例的乾燥站。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置100。微影裝置100包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他合適輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位圖案化器件MA之第一定位器件PM。微影裝置100亦包括基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板 (例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位基板W之第二定位器件PW。微影裝置100進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
光罩支撐結構MT支撐(亦即，承載)圖案化器件MA。光罩支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置100之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。光罩支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。光罩支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。光罩支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束B之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分C中之所要圖案。輔助特徵可置放於圖案化器件MA上以使能夠圖案化隔離型及/或半隔離型設計特徵，就好象該等設計特徵比其實際情況更密集。通常，被賦予至輻射光束B之圖案將對應於目標部分C中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統PS，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
照明系統IL可包括經組態以調整輻射光束B之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱為σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CN。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。照明系統IL可被或可不被認為形成微影裝置100之部件。舉例而言，照明系統IL可為微影裝置100之整體部件，或可為與微影裝置100分離之實體。在後者狀況下，微影裝置100可經組態以允許照明系統IL安裝於其上。視情況，照明系統IL為可拆卸式，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
如此處所描繪，微影裝置100屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，微影裝置100可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置100可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台WT(及/或兩個或兩個以上光罩支撐結構MT，例如，光罩台)之類型。在 此「多載物台」微影裝置100中，可並行地使用額外基板台WT及/或光罩支撐結構MT，或可在一或多個基板台WT及/或光罩支撐結構MT上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT及/或光罩支撐結構MT用於曝光。
圖案化器件MA被固持於光罩支撐結構MT上。輻射光束B入射於圖案化器件MA上。輻射光束B係由圖案化器件MA圖案化。在自圖案化器件MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS。投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。第一定位器PM及第一位置感測器(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。圖1中未明確地展示第一位置感測器。憑藉第二定位器PW及第二位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。
一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部件之長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現光罩支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，光罩支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2來對準圖案化器件MA。可使用基板對準標記P1、P2來對準基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分C，但其可定位於目標部分C之間(此等對準標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上的情形中，光罩對準標記M1、M2可定位於該等晶粒之間。
浸潤技術可用以增加投影系統PS之數值孔徑NA。如圖1所描繪，在一實施例中，微影裝置100屬於如下類型：其中基板W之至少一部 分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間。浸潤液體亦可施加至微影裝置100中之其他空間，例如，在圖案化器件MA與投影系統PS之間。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板W之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間定位於投影系統PS與基板W之間。
參看圖1，照明器IL自源模組SO接收輻射光束。舉例而言，當源模組SO為準分子雷射時，源模組SO與微影裝置100可為分離實體。在此等狀況下，源模組SO不被認為形成微影裝置100之部件，且輻射係憑藉光束遞送系統BD而自源模組SO傳遞至照明系統IL。在一實施例中，光束遞送系統BD包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器。在其他狀況下，舉例而言，當源模組SO為水銀燈時，源模組SO可為微影裝置100之整體部件。源模組SO及照明系統IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱為輻射系統。
可將用於在投影系統PS之最終元件與基板W之間提供液體之配置分類成三種一般類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸漬於液體浴中。
如圖1所描繪，液體供應系統具備液體限制結構IH，液體限制結構IH沿著投影系統PS之最終元件與基板W、基板台WT或此兩者之間的空間之邊界之至少一部分延伸。圖2中說明此配置。圖2所說明且下文所描述之配置可應用於上文所描述且圖1所說明之微影裝置。
圖2示意性地描繪具有液體限制結構IH之局域化液體供應系統或流體處置系統，液體限制結構IH沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，另外或在替代例中，在以下本文中對基板W之表面的參考亦係指基板台WT之表面，除非另有明確敍述)。在一實施例中，密封件形成於液體 限制結構IH與基板W之表面之間。密封件可為諸如氣體密封件16之無接觸密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
液體限制結構IH使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。空間11係由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構IH至少部分地形成。藉由液體入口/出口13而使液體達到在投影系統PS下方且在液體限制結構IH內之空間11中。可藉由液體入口/出口13而移除液體。在一實施例中，取決於掃描方向，兩個液體入口/出口13中之一者供應液體，而另一液體入口/出口13移除液體。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體。在使用期間，氣體密封件16形成於液體限制結構IH之底部與基板W之表面之間。氣體密封件16中之氣體在壓力下經由入口15而提供至液體限制結構IH與基板W之間的間隙。經由出口14而抽取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得向內存在限制液體之高速氣體流。氣體對液體限制結構IH與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統，該專利申請公開案之全文係據此以引用方式併入。在一實施例中，液體限制結構IH不具有氣體密封件。
在局域化區域液體供應系統中，基板W在投影系統PS及該液體供應系統下移動。當將使基板W之邊緣成像時，基板W(或其他物件)之邊緣將在空間11下通過。當將使基板台WT上(或量測台上)之感測器成像時，基板W(或其他物件)之邊緣將在空間11下通過。虛設基板或所謂封閉板可定位於液體供應系統下以使能夠(例如)進行基板調換。當將移動基板台WT使得虛設基板或所謂封閉板可定位於液體供應系統下時，基板W(或其他物件)之邊緣將在空間11下通過。液體可洩漏 至基板W與基板台WT之間的間隙中。可在流體靜壓力或流體動壓力下或在氣刀或其他氣體流產生器件之力下強制此液體。
圖3為描繪根據一實施例之另外液體供應系統或流體處置系統的側視橫截面圖。圖3所說明且下文所描述之配置可應用於上文所描述且圖1所說明之微影裝置100。液體供應系統具備液體限制結構IH，液體限制結構IH沿著投影系統PS之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間11之邊界之至少一部分延伸。(請注意，另外或在替代例中，在以下本文中對基板W之表面的參考亦係指基板台WT之表面，除非另有明確敍述)。
液體限制結構IH使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。空間11係由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的液體限制結構IH至少部分地形成。在一實施例中，液體限制結構IH包含主體構件53及多孔構件83。多孔構件83為板狀且具有複數個孔(亦即，開口或孔隙)。在一實施例中，多孔構件83為篩孔板，其中眾多小孔84係以篩孔而形成。美國專利申請公開案第US 2010/0045949 A1號中揭示此系統，該專利申請公開案之全文係據此以引用方式併入。
主體構件53包含：供應通口72，其能夠將液體供應至空間11；及回收通口73，其能夠自空間11回收液體。供應通口72經由通道74而連接至液體供應裝置75。液體供應裝置75能夠將液體供應至供應通口72。自液體供應裝置75饋送之液體通過對應通道74而供應至供應通口72中之每一者。供應通口72在光學路徑附近安置於面對光學路徑的主體構件53之規定位置處。回收通口73能夠自空間11回收液體。回收通口73經由通道79而連接至液體回收裝置80。液體回收裝置80包含真空系統且能夠藉由經由回收通口73抽吸液體而回收液體。液體回收裝置80通過通道29而回收經由回收通口23回收之液體LQ。多孔構件83安 置於回收通口73中。
在一實施例中，為了將空間11形成為使得在投影系統PS與液體限制結構IH(一方面)及基板W(另一方面)之間具有液體，將液體自供應通口72供應至空間11且將液體限制結構IH中之回收腔室81中之壓力調整為負壓，以便經由多孔構件83之孔84(亦即，回收通口73)而回收液體。執行使用供應通口72之液體供應操作及使用多孔構件83之液體回收操作會在投影系統PS與液體限制結構IH(一方面)及基板W(另一方面)之間形成空間11。
在微影裝置100之使用中，基板W經歷不同微影步驟及程序步驟。可(例如)藉由濕式化學處理而清潔基板W。可將基板W加熱至足以驅散可存在於基板W之表面上之任何濕氣的溫度。可運用抗蝕劑(例如，光阻)層來覆蓋基板W。可預烘烤基板W以驅散過量光阻溶劑。接著曝光基板W，使得將輻射光束B中之圖案轉印至基板W上。 基板W可接著經歷抗蝕劑之顯影、蝕刻及移除。可針對基板W上之另外層重複此等步驟。
如圖1所描繪，在一實施例中，微影裝置100包含基板台WT。基板台WT經組態以針對曝光程序而支撐基板W。在曝光程序中，將基板W曝光至輻射光束B以經由液體(亦即，浸潤液體)而在基板W形成圖案。在一實施例中，提供一種在微影裝置100中轉移基板W之方法。該方法包含針對曝光程序而在基板台WT上支撐基板W。在曝光程序中，將輻射光束B中之圖案轉印至基板W上。
一些液體(例如，水)在曝光程序之後遺留於基板W上之抗蝕劑上。液體可造成抗蝕劑劣化。抗蝕劑之劣化可引起餘留有液體之缺陷。可在每一基板W上形成多個層。即使在單一層中發生缺陷之機率小，但若層之數目大，則發生缺陷之總機率仍可顯著。
在一實施例中，微影裝置100包含曝光後處置模組94(圖6所描 繪)。曝光後處置模組用於在曝光後處置基板W。在曝光程序之後，由曝光後處置模組94處置基板W。舉例而言，在一實施例中，曝光後處置模組94包含至少一個基板處置器感測器51(其亦可被稱為晶圓處置器感測器)。至少一個基板處置器感測器51經組態以量測與基板處置機器人41相關聯之參數(例如，固持器43之部位、固持器43之傾角)。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51安裝於感測器框架SF(圖1所描繪)上。感測器框架SF可被稱為度量衡框架。替代地，在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51安裝於微影裝置100之基座框架BF(圖1所描繪)上。在一實施例中，液體限制結構IH附接至感測器框架SF。在一實施例中，投影系統PS附接至感測器框架SF。 在一實施例中，基板台WT附接至基座框架BF。在一實施例中，感測器框架SF與基座框架BF動態地隔離。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51用以在基板交換期間檢查基板處置機器人41之固持器43之部位及傾角是否在固定容許度內。
在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51包含一或多個(例如，兩個)光學感測器。該等光學感測器經組態以量測固持器43圍繞Y軸之傾角。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51包含一或多個(例如，三個)其他感測器。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51之其他感測器為電容性的。至少一個基板處置器感測器51之其他感測器經組態以量測固持器43在XY平面中之部位。
在一實施例中，微影裝置100包含兩個基板處置機器人41。在一實施例中，微影裝置100包含與每一基板處置機器人41相關聯之兩個基板處置器感測器51。每一基板處置機器人41具有一對關聯基板處置器感測器51。
圖4示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100之部件。在一實施例中，微影裝置100包含基板處置機器人41。基板處置機器人41經 組態以將基板W自基板台WT沿著基板卸載路徑轉移至曝光後處置模組94中。在一實施例中，轉移基板W之方法包含將基板W自基板台WT沿著基板卸載路徑轉移至曝光後處置模組94中以用於在曝光後處置基板W。
如圖4所描繪，在一實施例中，基板處置機器人41包含機器人臂42(或基板處置臂)。在一實施例中，基板處置機器人41包含定位器部件44(圖6所描繪)及固持器43。定位器部件44與固持器43介接。舉例而言，定位器部件44可經由機器人臂42而與固持器43介接。在一實施例中，機器人臂42係由定位器部件44之致動器驅動，且用以在基板台WT與曝光後處置模組94中之卸載銜接件(unloading dock)之間轉移基板W。
在一實施例中，固持器43包含在實質上水平平面中隔開之一對叉形物(prong)。在一實施例中，該等叉形物中之每一者之上部表面或其部分可具備具有藉由雷射燒結而形成之瘤節(burl)的區域。瘤節之使用使能夠使用真空及靜電夾持技術且防止微粒使基板W失真。
在一實施例中，微影裝置100包含乾燥站90。乾燥站90經組態以自基板W之表面46主動地移除液體。舉例而言，浸潤液體之小滴50可存在於基板W之表面46處。乾燥站90經組態以自基板W之表面46主動地移除小滴50。乾燥站90經組態以自基板W之表面46主動地移除液體膜。
在一實施例中，乾燥站90定位於基板卸載路徑中。詳言之，乾燥站90定位於基板卸載路徑中，使得基板W可在沿著基板卸載路徑之轉移期間完全地通過乾燥站90。可在基板卸載路徑中乾燥基板W。本發明之一實施例被預期為達成基板W之乾燥而不使基板W偏離基板台WT與曝光後處置模組94之間的基板卸載路徑。
藉由假設基板W可在沿著基板卸載路徑之轉移期間完全地通過乾 燥站90，沒有必要提供特定部位(例如，固持台)以用於進行乾燥。假設基板W可完全地通過乾燥站90意謂在基板卸載路徑中存在超出乾燥站90之足夠空間以配合基板W。不是如下狀況：基板W在乾燥站90下部分地通過，其中基板W與乾燥站90之間的後續相對運動(例如，基板W之旋轉)允許乾燥基板W之表面46。取而代之，基板W完全地通過乾燥站90，使得在沿著基板卸載路徑轉移基板W之過程期間乾燥基板W。
在一實施例中，乾燥站90定位於曝光後處置模組94中。基板卸載路徑自基板台WT之邊緣延伸至曝光後處置模組94內之部位。基板卸載路徑之部分在曝光後處置模組94內。在一實施例中，乾燥站90定位於在曝光後處置模組94內的基板卸載路徑之部分中。在基板卸載路徑中及在曝光後處置模組94中執行液體之主動移除。
在一實施例中，曝光後處置模組94為基板處置器(其亦可被稱為晶圓處置器)。乾燥站90之類型並不受到特定地限制。藉由假設乾燥站90定位於基板處置器中，本發明之一實施例被預期為達成經曝光基板W之改良型產出率。在一實施例中，乾燥站90經組態以便(例如)藉由定位於基板處置器中而維持產出率。
乾燥站90可被稱為晶圓乾燥器。在一實施例中，乾燥站90在基板處置器中位於基板W退出基板台WT(例如，晶圓台)之處附近。在一實施例中，乾燥站90剛好在基板處置器內部位於基板W退出基板台WT之處附近。
在一實施例中，乾燥站90包含氣刀91、水浴及連續液體流中之一或多者。圖4描繪包含氣刀91之乾燥站90。
圖5描繪包含連續液體流(其可被稱為水線(waterline))之乾燥站90。如圖5所描繪，在一實施例中，乾燥站90包含流供應開口92及流抽取開口93。流供應開口92經組態以將液體流(例如，水)供應至乾燥 站90與基板W之表面46之間的空間。流抽取開口93經組態以自乾燥站90與基板W之表面46之間的空間抽取液體(例如，水)。
流供應開口92及流抽取開口93經組態以將連續液體流提供至乾燥站90與基板W之表面46之間的空間。連續液體流可被稱為水線或水浴。與基板W之表面46接觸的液體流大於小滴50。當液體流與小滴50接觸時，小滴50變為液體流之部分。藉由表面張力，自基板W之表面46主動地移除小滴50。
在一實施例中，乾燥站90包含自基板W之表面46僅抽取液體的液體抽取器(其可被稱為單相抽取器)。替代地，在一實施例中，乾燥站90包含自基板W之表面46抽取液體及氣體兩者的兩相抽取器。
當乾燥站90包含液體浴時，液體浴可由與如上文所描述之液體限制結構IH之配置相似的配置提供。在使用中，將液體(諸如，水)供應至基板W，使得基板W與乾燥站90之液體抽取器之間的間隙被填充有水。在乾燥程序期間繼續提供水以確保基板W與液體抽取器之間的間隙始終被填充有水。填充間隙之水可被稱為水浴。待自基板移除之液體及由乾燥站90供應之水變為單一液體本體(亦即，水浴)。液體抽取器自基板W與乾燥站90之間的間隙抽取水。水浴允許液體抽取器抽取厚度不足夠厚以獨自地跨越基板W與液體抽取器之間的間隙之液體。即使待自基板W之表面46移除之液體的厚度不足夠高以到達液體抽取器，水浴之使用仍幫助確保基板W與液體抽取器之間的間隙被填充。
在一實施例中，乾燥站90包含自基板W之表面46移除液體的氣刀。
在一實施例中，乾燥站包含經組態以加熱基板W之表面46的加熱器。基板W之表面46上的液體變熱且自基板W之表面46蒸發。
在一實施例中，乾燥站90具有乾燥站臂及旋轉器之形式。乾燥 站臂經組態以自基板W之表面46主動地移除液體。旋轉器經組態以使乾燥站臂旋轉通過平行於基板W之表面46的旋轉平面。圖11及圖13中展示且下文進一步詳細地描述乾燥站臂及旋轉器。
在一實施例中，微影裝置100包含經組態以使基板W旋轉之基板轉台120，如圖11所展示。在一實施例中，乾燥站90具有乾燥站臂之形式，乾燥站臂遍及基板轉台120之半徑而延伸，使得乾燥站臂經組態以在基板W於基板轉台120上旋轉時自基板W之表面46主動地移除液體。
在一實施例中，基板卸載路徑實質上筆直。藉由假設基板卸載路徑實質上筆直，基板處置機器人41沿著基板卸載路徑之直線移動引起基板W通過乾燥站90。乾燥站90自基板W之表面主動地移除液體。基板W可自基板台WT直接地移動至基板處置模組94中。可在直接移動期間乾燥基板W。向或自乾燥站90移動基板W未浪費時間。當沿著基板卸載路徑以直線轉移基板W時，基板W通過乾燥站90，使得乾燥站90自基板W之表面46主動地移除液體。本發明之一實施例被預期為達成增加之產出率。
然而，沒有必要使基板卸載路徑實質上筆直。在一實施例中，基板卸載路徑彎曲。藉由假設基板卸載路徑彎曲，微影裝置100內之其他組件之佈局受到較少限定。
如上文所提及且如圖6所描繪，在一實施例中，基板處置機器人41包含定位器部件44及與定位器部件44介接之固持器43。固持器43經組態以固持基板W。在一實施例中，固持器43包含經組態以夾緊基板W之夾緊器。舉例而言，夾緊器可夾緊基板W之邊緣。在一替代實施例中，固持器43包含經組態以夾持基板W之夾持件。舉例而言，夾持件可自下方夾持基板W。夾持件可包含真空吸盤或可為靜電夾持件。定位器部件44可被稱為基板處置機器人41之腕。定位器部件44經組態 以在機器人卸載位置與機器人處置位置之間移動。在機器人卸載位置中，固持器43將基板W固持於基板台WT上。在機器人處置位置中，固持器43將基板W固持於曝光後處置模組94中。在圖4及圖5中，定位器部件44(圖4或圖5中未繪示)位於機器人卸載位置與機器人處置位置之間的部位處。
在基板W之曝光之後，定位器部件44位於機器人卸載位置處且固持器43固持基板W。自基板台WT移除基板W。定位器部件44自機器人卸載位置移動至機器人處置位置。在一實施例中，定位器部件44沿著基板卸載路徑移動。在一實施例中，機器人處置位置在曝光後處置模組94內。
基板台WT之邊緣位於基板卸載路徑之上游末端處。基板卸載路徑之下游末端在曝光後處置模組94內。在一實施例中，乾燥站90在基板卸載路徑中定位於機器人卸載位置上游。定位器部件44不移動經過乾燥站90。當定位器部件44移動朝向基板台WT時，定位器部件44不到達乾燥站90。藉由假設定位器部件44不到達乾燥站90，乾燥站90在定位器部件44之移動範圍外部。乾燥站90不妨礙基板處置機器人41之定位器部件44之移動。
在一實施例中，基板W係由基板處置機器人41實質上水平地移動。在一實施例中，當正在轉移基板W時，固持器43位於基板W下方。在一實施例中，定位器部件44在z方向上之高度大於固持器43在z方向上之高度。在一實施例中，定位器部件44之頂部高於基板W之表面46。在一實施例中，定位器部件44之頂部高於乾燥站90之底部。若乾燥站90在定位器部件44之移動範圍內，則乾燥站90可潛在地妨礙該定位器部件之移動。藉由假設乾燥站90在基板卸載路徑中定位於機器人卸載位置上游，乾燥站90在定位器部件44之移動範圍外部。乾燥站90不妨礙基板處置機器人41之定位器部件44之移動。
在一實施例中，乾燥站90經定位成鄰近於機器人卸載位置。藉由假設乾燥站90經定位成鄰近於機器人卸載位置，乾燥站90可在不妨礙基板處置機器人41之移動的情況下儘可能地接近於基板台WT。本發明之一實施例被預期為達成在不負面地影響產出率的情況下儘可能快地自基板W之表面46移除液體。需要儘可能快地自基板W去除液體(例如，水)。
在自載物台(例如，基板台WT)卸載基板W之後，且在不影響機器(亦即，微影裝置100)之產出率的情況下，可被稱為乾燥器之乾燥站90儘可能快地自基板W移除液體。需要使乾燥站90定位成儘可能地接近於基板W被卸載之位置。需要使基板處置機器人41之移動在乾燥站90之流體流下牽引基板W之表面46。藉由儘可能快地移除小滴50，會最小化抗蝕劑至水小滴之曝露時間，從而縮減發生缺陷之風險。在一實施例中，乾燥站90位於基板處置器(其可被稱為晶圓處置器)中。
乾燥站90之形式可為任何事物，只要其可行即可。圖4及圖5所描繪且上文所描述之兩種類型為簡單乾燥站90之實例。
乾燥站90係與基板處置器相關聯，此係因為使基板台WT帶有基板處置器(例如，在基板台WT處或上方)將負面地影響產出率。此係因為：在曝光程序之後，將在晶圓載物台處需要額外時間以乾燥基板WT。相比於以其他方式，當正在乾燥基板W時，基板W較緩慢地移動。若乾燥站90位於晶圓載物台處(例如，液體限制結構IH處或基板台WT處)，則將需要緩慢地自基板台WT移除基板W以便乾燥基板W。
藉由假設乾燥站90位於曝光後處置模組94中，可較快速地自基板台WT移除基板W。可針對下一曝光程序而較快速地將後續基板W裝載至基板台WT上。本發明之一實施例被預期為達成微影裝置100之產出率改良。
在一實施例中，曝光後處置模組94包含至少一個基板處置器感 測器51。舉例而言，基板處置器感測器51可為基板交換感測器(其可被稱為晶圓交換感測器)。至少一個基板處置器感測器51經組態以量測與基板處置機器人41相關聯之參數。舉例而言，在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51經組態以量測基板處置機器人41之固持器43相對於XY平面的傾角。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51定位於基板卸載路徑中。在一實施例中，當在曝光程序之後正在自基板台WT轉移基板W時，至少一個基板處置器感測器51執行量測。
在一實施例中，乾燥站90定位於至少一個基板處置器感測器51附近。在一實施例中，乾燥站90位於基板交換感測器中/附近。在一實施例中，乾燥站90經定位成鄰近於至少一個基板處置器感測器51。在一實施例中，至少一個基板處置器感測器51附接至感測器框架SF。感測器框架SF定位於基板卸載路徑中。在一實施例中，乾燥站90定位於機器人卸載位置與感測器框架SF之間。在一實施例中，乾燥站90固定至感測器框架SF。藉由假設乾燥站90固定至感測器框架SF，會最小化由乾燥站90採取之空間。
在一實施例中，乾燥站90定位於至少一個基板處置器感測器51與微影裝置100之基座框架BF之間。在一實施例中，基座框架BF包含空氣管道。在一實施例中，乾燥站90定位於空氣管道與至少一個基板處置器感測器51之間。
在一實施例中，乾燥站90具有大於基板W之寬度的寬度。舉例而言，當基板W之寬度為約300毫米時，乾燥站90可具有大於約300毫米之寬度，例如，320毫米。當基板W之寬度為約450毫米時，乾燥站90可具有大於約450毫米之寬度。乾燥站90可自基板W之整個表面46主動地移除液體。當基板W在乾燥站90下方通過時，乾燥站90自基板W之表面46主動地移除液體。
在一實施例中，乾燥站90具有寬度、長度及高度。在一實施例中，乾燥站90狹長，使得寬度大於長度或高度。在一實施例中，寬度大於約300毫米，或大於約450毫米。舉例而言，在一實施例中，乾燥站90之寬度為約320毫米。在一實施例中，長度小於約50毫米，例如，約20毫米。在一實施例中，高度小於約50毫米，例如，約30毫米。
在一實施例中，微影裝置100包含與曝光後處置模組94介接之曝光模組95。基板台WT位於曝光模組95中。液體限制結構IH位於曝光模組95中。在一實施例中，乾燥站90定位於曝光模組95與曝光後處置模組94之間的介面附近或中。
乾燥站90不定位於曝光模組95中，使得在曝光模組95中乾燥基板W未浪費時間。本發明之一實施例被預期為達成經由曝光模組95而增加基板W之產出率。
乾燥站90定位於曝光模組95與曝光後處置模組94之間的介面附近，使得乾燥站90經定位成儘可能地接近於基板台W。藉由將乾燥站90定位成儘可能地接近於基板台W，會最小化小滴50餘留於基板W之表面46上的時間。
可選擇乾燥站90在曝光後處置模組94內之位置，以便最小化與微影裝置100之其他組件的空間衝突。在一實施例中，乾燥站90自曝光模組95與曝光後處置模組94之間的介面隔開。
在一實施例中，乾燥站90包含乾燥站致動器45(圖6所描繪)。乾燥站致動器45經組態以使乾燥站90相對於微影裝置100之靜止組件上下移動。舉例而言，在一實施例中，基板處置器感測器51在微影裝置100之使用期間靜止。乾燥站致動器45經組態以使乾燥站90相對於基板處置器感測器51上下移動。在一實施例中，乾燥站致動器45經組態以使移動乾燥站90相對於基板W上下。乾燥站致動器45經組態以在乾 燥位置與非乾燥位置之間移動乾燥站90。在乾燥位置中，乾燥站90自基板W之表面46主動地移除液體。
藉由提供乾燥站致動器45，乾燥站90可具有乾燥位置，即使基板處置機器人41移動通過乾燥位置，乾燥位置仍將干涉基板處置機器人41之移動。如上文所提及，在一實施例中，基板處置機器人41之定位器部件44不到達乾燥站90，使得乾燥站90在定位器部件44之移動範圍外部。因此，乾燥站90不妨礙基板處置機器人41之定位器部件44之移動。然而，藉由提供乾燥站致動器45，即使基板處置機器人41在X-Y平面中到達乾燥站90，乾燥站90仍不妨礙基板處置機器人41之定位器部件44之移動。在非乾燥位置中，乾燥站90不干涉基板處置機器人41之移動，此係因為乾燥站90及基板處置機器人41在z方向上具有不同位置。在基板處置機器人41在X-Y平面中到達乾燥站90的實施例中，當基板處置機器人41之定位器部件44通過乾燥站90時，乾燥站90位於非乾燥位置中。在定位器部件44已通過乾燥站90之後，乾燥站致動器45可將乾燥站90移動至乾燥位置。當基板W通過乾燥站90時，乾燥站90位於乾燥位置中。
在一實施例中，轉移基板W之方法包含使乾燥站90在乾燥位置與非乾燥位置之間上下(相對於微影裝置100之靜止組件)移動，在乾燥位置中，乾燥站90自基板W之表面46主動地移除液體。
在一實施例中，基板處置機器人41經組態以在基板W通過乾燥站90時縮減基板W通過基板卸載路徑之速度。儘管縮減速度可減低產出率，但可自基板W之表面46移除較高比例之液體。在一實施例中，當基板W通過乾燥站90時，通過基板卸載路徑以縮減之速度轉移基板W。舉例而言，當基板W通過乾燥站90時，基板處置機器人41可以約1ms-1之速度轉移基板W。藉由縮減速度，當基板W通過乾燥站90時，可自基板W之表面46移除較高比例之液體。
在乾燥位置中，乾燥站90與在下方通過之基板W之間的距離理想地儘可能地小。在一實施例中，距離小於約10毫米，且較佳地小於約5毫米。在一實施例中，距離小於約1毫米，例如，約0.3毫米。
在一實施例中，乾燥站90定位於至少一個基板處置器感測器51附近。乾燥站90之部位在基板處置器感測器51被定位的區內。在一實施例中，乾燥站90連接至微影裝置100之固定組件。舉例而言，在一實施例中，乾燥站100連接至圖1所描繪之基座框架BF。
在一實施例中，乾燥站90在微影裝置100內具有固定位置。在此實施例中，乾燥站90在微影裝置100之使用期間或在乾燥站90之使用期間不移動。在微影裝置100之使用中，基板處置機器人41在乾燥站90下自基板台WT轉移基板W，使得乾燥站90自基板W之表面主動地移除液體。乾燥站90具有空氣靜壓軸承以在基板W與乾燥站90之間產生經界定距離。隨著基板W在乾燥站90下移動，自基板W之表面主動地移除液體。
在一實施例中，乾燥站90在基板感測器被定位的區中，且乾燥站90係由乾燥站致動器45在垂直方向上致動。上文關於圖6而描述乾燥站致動器45。基板感測器經組態以量測與基板W相關聯之參數(例如，高度)。基板處置器感測器51可用作基板感測器。替代地，基板感測器可為與基板處置器感測器51分離之感測器。基板感測器定位於基板台WT與乾燥站90之間。在自基板台WT卸載基板W之後，基板W在基板W通過乾燥站90之前通過基板感測器。在一實施例中，基板感測器經組態以量測基板W之高度。在一實施例中，由乾燥站致動器45基於由基板感測器進行之高度量測而致動乾燥站90。在一實施例中，基於由基板感測器進行之高度量測而控制乾燥站致動器45。乾燥站90具有空氣靜壓軸承以在基板W與乾燥站90之間產生經界定距離。儘管乾燥站90係在垂直方向上致動，但乾燥站90在水平方向上靜止。隨著 基板W在乾燥站90下方移動，自基板W主動地移除液體。
在一實施例中，基板處置機器人41之固持器43具有用於增加基板W之平度的形狀。固持器43提供預防基板W之不平度的機械支撐。舉例而言，在一實施例中，固持器43包含支柱140之網路，支柱140在水平方向上延伸，以便在基板W之平面中較廣闊地提供針對基板之機械支撐。圖14中展示支柱。
圖7示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100。如圖7所展示，在一實施例中，微影裝置100包含浸潤後沖洗模組96。浸潤後沖洗模組96與曝光後處置模組94介接。浸潤後沖洗模組96包含浸潤後沖洗站(圖中未繪示)。在浸潤後沖洗模組96中，例如，在浸潤後沖洗站處，可自基板W之表面移除不良水印。不良水印可損害印刷於基板W上之結構。因此，水印可不良地影響產品良率。不良水印可由諸如在曝光程序之後餘留於基板W之表面上之浸潤液體的液體造成。
圖8描繪根據一實施例之微影裝置100。如圖8所描繪，在一實施例中，曝光後處置模組94包含儲存單元110。儲存單元110經組態以儲存複數個基板W。儲存單元110包含複數個基板容納單元。基板W可儲存於儲存單元110之各別基板容納單元中。
圖9示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100之儲存單元110。如圖9所描繪，在一實施例中，儲存單元100包含上部封閉基板容納單元111作為該等基板容納單元中之一者。上部封閉基板容納單元111經組態以儲存或容納封閉基板。在一實施例中，儲存單元110包含下部封閉基板容納單元112作為該等基板容納單元中之一者。下部封閉基板容納單元112經組態以儲存或容納封閉基板。在一實施例中，儲存單元110包含零個、一個或兩個以上基板容納單元以用於儲存封閉基板。
封閉基板可用以在不同基板W之曝光程序之間的時間段期間穩定 化微影裝置100之部件之溫度。舉例而言，可在曝光程序中曝光一批量之基板W。在曝光後續批量之基板W之前，封閉基板可定位於基板台WT上以用於溫度穩定化。舉例而言，封閉基板可有助於穩定化基板台WT之溫度。在一實施例中，可將基板W自浸潤後沖洗模組96裝載至底部容納單元114中。
如圖9所描繪，在一實施例中，儲存單元110包含排出單元113作為該等基板容納單元中之一者。排出單元113經組態以在曝光程序中已曝光基板W之後容納基板W。在一實施例中，基板處置機器人41經組態以將經曝光基板W自基板台WT輸送至排出單元113。在一實施例中，隨後將經曝光基板W自排出單元113輸送至浸潤後沖洗模組96。
如圖9所描繪，在一實施例中，儲存單元110包含底部容納單元114作為該等基板容納單元中之一者。在一實施例中，底部容納單元114經組態以儲存或容納基板W。
如圖10所描繪，在一實施例中，乾燥站90定位於儲存單元110中。在一實施例中，乾燥站90定位於排出單元113之區中。乾燥站90可定位於儲存單元110之其他部件中。舉例而言，乾燥單元可定位於底部容納單元114中。替代地，乾燥站90可定位於用於儲存單元110之排出單元113的進入/退出點處或附近。
圖9及圖10展示基板容納單元之特定配置。然而，儲存單元110以基板容納單元之不同配置而出現。舉例而言，在一實施例中，排出單元113可經配置以位於儲存單元110之頂部處。因此，乾燥站90可定位於儲存單元110之頂部處。
圖11示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100之部件的平面圖。圖11描繪經歷乾燥程序之基板W。如圖11所描繪，在一實施例中，乾燥站90狹長且採取乾燥站臂之形式。乾燥站90經組態以自基板W之表面主動地移除液體。舉例而言，乾燥站90可包含氣刀91或連續 液體流。
如圖11所描繪，在一實施例中，呈乾燥站臂之形式的乾燥站90經組態以圍繞樞軸點97而旋轉。在一實施例中，乾燥站90包含經組態以使呈乾燥站臂之形式的乾燥站90旋轉通過平行於基板W之表面的旋轉平面的旋轉器(圖中未繪示)。當乾燥站90未在使用中時，可使乾燥站90旋轉，使得其縮回至其未定位於排出單元113中之任何基板W上方的位置。當將使用乾燥站90時，使呈乾燥站臂之形式的乾燥站90圍繞樞軸點97而旋轉。
舉例而言，在一實施例中，控制乾燥站90之旋轉，使得乾燥站90之部分定位於基板W之中間或中心點上方。當無需乾燥站90時，可使乾燥站90縮回，使得當正在將基板W轉移至排出單元113中時，乾燥站90不阻礙諸如基板W之其他組件。隨後，當基板W位於排出單元113中之適當位置時，將乾燥站90旋轉至乾燥站90可自基板W之表面主動地移除液體的部位中。
如圖11所描繪，在一實施例中，排出單元113包含基板轉台120。基板轉台120經組態以使基板W旋轉。藉由乾燥站90之旋轉、藉由基板W之旋轉或藉由乾燥站90之旋轉與基板W之旋轉的組合而使基板W相對於乾燥站90移動。
如圖11所描繪，在一實施例中，呈乾燥站臂之形式的乾燥站90遍及基板轉台120之半徑而延伸。乾燥站90在使用中不橫越基板W之外徑而延伸。取而代之，乾燥站90具有剛好大於基板W之半徑的長度。當基板W在基板轉台120上旋轉時，乾燥站90可自基板W之表面主動地移除液體。
在一實施例中，乾燥站90與支撐基板W之基板支撐部件整體地移動。舉例而言，圖11所展示之乾燥站臂可與基板支撐部件整體地形成。在此實施例中，基板支撐部件可形成基板轉台120之部件。圖11 所描繪之基板轉台120之部件形成用於夾緊基板W且使基板W旋轉之旋轉器件。
替代地，基板W可由在基板W下方之板及/或支撐桿支撐。在此實施例中，板及/或支撐桿可形成基板轉台120之部件。此實施例被預期為達成相比於以上段落中描述之乾燥站較不複雜的乾燥站90，此係因為乾燥站90獨立於支撐基板W之板及支撐桿。
在一實施例中，乾燥站90不在平行於基板W之平面中旋轉。在一實施例中，乾燥站90在微影裝置100之使用期間固定於適當位置。在此實施例中，可不提供樞軸點97。在此實施例中，藉由基板W在乾燥站90下方之旋轉而自基板W之表面移除液體。此實施例被預期為達成用於乾燥站90之較簡單構造，此係因為無需使乾燥站90旋轉。
圖12描繪根據一實施例之微影裝置100之部件。如圖12所描繪，在一實施例中，排出單元113不具備基板轉台120。取而代之，在排出單元113內，基板W可實質上靜止。代替使基板W旋轉，乾燥站90經組態以遍及基板W而移動。乾燥站90經組態以在基板W上方水平地平移。隨著乾燥站90橫越且在基板W上方移動，自基板W之表面主動地移除液體。
在圖12中，雙端箭頭展示乾燥站90經組態以移動的方向。該方向並不受到特定地限制。移動方向係水平的。作為一實例，在一實施例中，乾燥站90之移動方向係水平的且垂直於基板W進入排出單元113的水平方向。在一替代實施例中，乾燥站90之移動方向係水平的且平行於基板W進入排出單元113的水平方向。
圖13示意性地描繪根據一實施例之微影裝置100之部件。如圖13所描繪，在一實施例中，乾燥站90採取可圍繞樞軸點97而旋轉之乾燥站臂的形式。如圖13所描繪，在一實施例中，乾燥站90狹長，使得其長於基板W之直徑。此實施例被預期為達成用於儲存單元110之較簡 單構造。詳言之，沒有必要使排出單元113(或容納乾燥站90之其他單元)具有基板轉台120。
在圖13所描繪之構造中，基板W可在排出單元113內實質上靜止。當將使用乾燥站90時，可使乾燥站90遍及基板W之全表面而旋轉。舉例而言，在一實施例中，可使乾燥站90遍及對向至少90°之弧而圍繞樞軸點97旋轉。
圖15及圖16中之每一者描繪根據本發明之一實施例的乾燥單元92。圖15及圖16所展示之乾燥站90之特徵可應用於乾燥站90包含流供應開口92及流抽取開口93的上文所描述之任何實施例。
如圖15所描繪，在一實施例中，乾燥站90包含複數個流供應開口92。流供應開口92狹長，其具有隙縫形狀。流供應開口92之伸長方向相對於乾燥站90之寬度方向及長度方向成斜角。圖15所展示之小箭頭表示自流供應開口92至流抽取開口93之流動方向。
如圖15所展示，流供應開口92可相對於乾燥站之長度方向形成銳角α。因此，垂直於流供應開口92之伸長方向的方向相對於乾燥站90之長度方向產生角度α。在一實施例中，銳角α在約40°至約80°之範圍內。
如圖15所描繪，在一實施例中，乾燥站90包含複數個流抽取開口93。流抽取開口93狹長，其具有隙縫形狀。在一實施例中，流抽取開口93之形狀與流供應開口92之形狀實質上相同。如圖15所描繪，在一實施例中，流抽取開口93相對於乾燥站90之長度方向及寬度方向產生斜角。
如圖15所描繪，在一實施例中，流供應開口92彼此實質上平行。在一實施例中，流抽取開口93彼此實質上平行。在一實施例中，流供應開口92實質上平行於流抽取開口93。本發明之一實施例被預期為達成使乾燥站90相對於基板W之表面46進行掃描所需要之時間的減 低。
在一實施例中，流供應開口92之寬度彼此重疊。此意謂：當在長度方向(其為圖15所展示之乾燥站之短側)上查看乾燥站90時，流供應開口92看來像是彼此重疊。在一實施例中，流抽取開口93相似地在乾燥站90之寬度方向上彼此重疊。寬度方向為圖15所展示之較長側方向。在一實施例中，乾燥站90經配置成使得當乾燥站90以直線移動(在乾燥站90之長度方向上)而相對於基板W之表面46移動時，將基板W之表面46的全寬度曝露至流供應開口92及流抽取開口93。
在一實施例中，流供應開口92自對應流抽取開口93隔開達小於20毫米之距離。在一實施例中，流供應開口92與對應流抽取開口93之間的空間小於約5毫米，且視情況大於約2毫米。本發明之一實施例被預期為達成使乾燥站90相對於基板W之表面46進行掃描所需要之時間的減低。基板W可以較高速度在乾燥站90下通過，同時達成可接受的乾燥效能。每一流供應開口92可相對小，同時達成將基板W之表面46的全寬度曝露至流供應開口92的效應。
圖16描繪針對乾燥站90之流供應開口92及流抽取開口93的替代幾何變化。如圖16所描繪，在一實施例中，乾燥站90包含複數個流供應開口92。每一流供應開口92包含一實質上圓形開口。在一實施例中，乾燥站90包含複數個流抽取開口93，複數個流抽取開口93中之每一者形成圍繞一對應流供應開口92之環。舉例而言，在一實施例中，每一流抽取開口93具有環繞一流供應開口92之環形形狀。本發明之一實施例被預期為達成足夠乾燥效能，同時縮減由流供應開口92供應之流體到達微影裝置100之非預期區段的可能性。
替代地，在一實施例中，流抽取開口93形成用於流供應開口92之較小圓形開口以環繞對應流抽取開口93。在一實施例中，流供應開口92在對應流抽取開口93外部。
如圖16所描繪，在一實施例中，一流供應開口92與一對應流抽取開口93形成一對。在一實施例中，該等對經配置以形成一線。如圖16所描繪，在一實施例中，流供應開口92與流抽取開口93之對經配置以形成交錯式列或線。在一實施例中，流抽取開口或流供應開口92經配置以便在寬度方向上彼此重疊。當乾燥站90相對於基板W移動時，基板W之表面46的全寬度在流供應開口92及/或流抽取開口93下方通過。
在一實施例中，流供應開口92自對應流抽取開口93隔開達小於20毫米之距離。在一實施例中，流供應開口92與對應流抽取開口93之間的空間小於約5毫米，且視情況大於約2毫米。
除非另有敍述，否則上文所描述的本發明之實施例係與使用氣體抑或液體以執行液體自基板之表面之主動移除的乾燥站90相容。舉例而言，在圖4所描繪之構造中，可修改氣刀91，使得提供液體流(代替氣體)。在此實施例中，由液體回收系統回收液體。
可修改圖5所描繪之構造，使得流供應開口92及流抽取開口93在其間提供氣體流(代替液體)。不管乾燥站90之部位，皆可使用氣體或液體以執行液體自基板W之表面之主動移除。
在一實施例中，藉由一器件製造方法而製造一器件，該器件製造方法包含使用如上文所描述之微影裝置100。微影裝置100將圖案自圖案化器件MA轉印至基板W。在一實施例中，器件製造方法包含如上文所描述的轉移基板W之方法。
儘管本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分 別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
42‧‧‧機器人臂
43‧‧‧固持器
44‧‧‧定位器部件
51‧‧‧基板處置器感測器
90‧‧‧乾燥站
94‧‧‧曝光後處置模組
95‧‧‧曝光模組
110‧‧‧儲存單元
IH‧‧‧液體限制結構
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種微影裝置，其包含：一基板台，其經組態以針對一曝光程序而支撐一基板，在該曝光程序中將該基板曝光至一輻射光束以經由一液體而形成一圖案；一曝光後處置模組，其用於在曝光後處置該基板，該曝光後處置模組包含一儲存單元，該儲存單元經組態以將複數個基板儲存於該儲存單元之各別基板容納單元中；一基板處置機器人，其經組態以將該基板自該基板台沿著一基板卸載路徑轉移至該曝光後處置模組中；及一乾燥站，其經組態以自該基板之一表面主動地移除液體；其中該乾燥站定位於該儲存單元中。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該曝光後處置模組為一基板處置器。
  3. 如請求項1或2之微影裝置，其中該基板處置機器人包含一定位器部件及與該定位器部件介接之一固持器，其中該固持器經組態以固持該基板，其中該定位器部件經組態以在該固持器將該基板固持於該基板台上的一機器人卸載位置與該固持器將該基板固持於該曝光後處置模組中的一機器人處置位置之間移動。
  4. 如請求項1、2或3之微影裝置，其中該曝光後處置模組包含經組態以量測與該基板處置機器人相關聯之一參數的至少一個基板處置器感測器，其中該至少一個基板處置器感測器定位於該基板卸載路徑中。
  5. 如請求項1至4中任一項之微影裝置，其中該乾燥站具有以下各者之一形式：一乾燥站臂，其經組態以自該基板之該表面主動 地移除液體；及一旋轉器，其經組態以使該乾燥站臂旋轉通過平行於該基板之該表面的一旋轉平面。
  6. 如請求項1至5中任一項之微影裝置，其進一步包含經組態以使該基板旋轉之一基板轉台，其中該乾燥站具有一乾燥站臂之一形式，該乾燥站臂遍及該基板轉台之一半徑而延伸，使得該乾燥站臂經組態以在該基板於該基板轉台上旋轉時自該基板之該表面主動地移除液體。
  7. 如請求項1至6中任一項之微影裝置，其中該乾燥站定位於該基板自該基板台被卸載的一基板卸載位置附近。
  8. 如請求項1至7中任一項之微影裝置，其中該乾燥站包含一乾燥站致動器，該乾燥站致動器經組態以使該乾燥站在一乾燥位置與一非乾燥位置之間相對於該基板上下移動，在該乾燥位置中，該乾燥站自該基板之該表面主動地移除液體。
  9. 如請求項1至8中任一項之微影裝置，其中該乾燥站包含一氣刀、一水浴及一連續液體流中之一或多者。
  10. 一種在一微影裝置中轉移一基板的方法，該方法包含：針對一曝光程序而支撐一基板，在該曝光程序中將該基板曝光至一輻射光束以經由一液體而形成一圖案；將該基板沿著一基板卸載路徑轉移至一曝光後處置模組中以用於在曝光後處置該基板，該曝光後處置模組包含一儲存單元，該儲存單元經組態以將複數個基板儲存於該儲存單元之各別基板容納單元中；及自該基板之一表面主動地移除液體；其中在該儲存單元中執行液體之該主動移除。
  11. 如請求項10之轉移一基板的方法，其中該曝光後處置模組包含經組態以量測與該基板處置機器人相關聯之一參數的至少一個 基板處置器感測器，其中該至少一個基板處置器感測器定位於該基板卸載路徑中。
  12. 如請求項10或11之轉移一基板的方法，其進一步包含使一乾燥站臂旋轉通過平行於該基板之該表面的一旋轉平面，以便自該基板之該表面主動地移除液體。
  13. 如請求項10、11或12之轉移一基板的方法，其包含使該基板旋轉，其中由一乾燥站臂執行液體之該主動移除，該乾燥站臂遍及基板轉台之一半徑而延伸，使得該乾燥站臂在該基板旋轉時自該基板之該表面主動地移除液體。
  14. 如請求項10至13中任一項之轉移一基板的方法，其進一步包含使執行液體之該主動移除的一乾燥站在一乾燥位置與一非乾燥位置之間相對於該基板上下移動，在該乾燥位置中，該乾燥站自該基板之該表面主動地移除液體。
  15. 如請求項10至14中任一項之轉移一基板的方法，其中使用一氣刀、一水浴及一連續液體流中之一或多者來執行液體之該主動移除。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105717754A (zh) * 2016-04-07 2016-06-29 上海华力微电子有限公司 一种显影装置及使用该显影装置降低水渍缺陷的方法
JP6892727B2 (ja) * 2016-09-26 2021-06-23 カンタツ株式会社 パターン製造装置、パターン製造方法およびパターン製造プログラム
WO2018141713A1 (en) * 2017-02-03 2018-08-09 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus
KR20200056515A (ko) * 2018-11-14 2020-05-25 삼성전자주식회사 기판 건조 방법, 포토레지스트 현상 방법, 그들을 포함하는 포토리소그래피 방법, 및 기판 건조 장치
EP3764165A1 (en) 2019-07-12 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Substrate shape measuring device
US20220382168A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices using a photomask

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
TW446858B (en) 1999-04-21 2001-07-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing
JP2001308003A (ja) 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
US20030012631A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-16 Pencis Christopher H. High temperature substrate transfer robot
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7384484B2 (en) * 2002-11-18 2008-06-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method, substrate processing apparatus and substrate processing system
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1624481A4 (en) 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2005050724A1 (ja) 2003-11-18 2005-06-02 Tokyo Electron Limited 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006080143A (ja) 2004-09-07 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
JP4324527B2 (ja) 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
WO2006038472A1 (ja) * 2004-10-06 2006-04-13 Ebara Corporation 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006310724A (ja) 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100535757C (zh) 2004-12-06 2009-09-02 株式会社迅动 基板处理装置
US8211242B2 (en) 2005-02-07 2012-07-03 Ebara Corporation Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program
JP2006222284A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法
JP2007027545A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Canon Inc 半導体露光装置
JP2007109741A (ja) 2005-10-11 2007-04-26 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP4667252B2 (ja) 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4771816B2 (ja) 2006-01-27 2011-09-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007311439A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4832201B2 (ja) 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100940136B1 (ko) 2006-08-29 2010-02-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP2008066341A (ja) 2006-09-04 2008-03-21 Canon Inc 搬送装置、露光装置及び方法
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US20080212050A1 (en) * 2007-02-06 2008-09-04 Nikon Corporation Apparatus and methods for removing immersion liquid from substrates using temperature gradient
US7817241B2 (en) 2007-07-05 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5192206B2 (ja) 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5166802B2 (ja) 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2009170662A (ja) 2008-01-16 2009-07-30 Nikon Corp 露光ユニット、露光装置、露光システム、露光方法、およびデバイス製造方法
EP2249205B1 (en) * 2008-05-08 2012-03-07 ASML Netherlands BV Immersion lithographic apparatus, drying device, immersion metrology apparatus and device manufacturing method
US20100045949A1 (en) 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
KR101109074B1 (ko) 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
NL2005717A (en) 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.

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