JP2007027545A - 半導体露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】歩留まり低下を防止するとともに、露光装置から搬送されたウエハの処理を行う半導体製造装置或は検査装置の性能悪化の可能性を低減すること、露光装置の構造を簡単化し、スループットを向上し或は露光装置を小型化すること。
【解決手段】半導体露光装置においてウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を備える。前記ウエハ裏面の液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段とは、ウエハ上の液滴を円環状の多孔質体で吸引する或は円環状にドライガスを吹き付けること或は吸引及び吹き付けの組み合わせである。又、エアーナイフでウエハ表面の液切りを行った後ウエハ裏面に回り込んだ液体を多孔質体で吸引することである。
【選択図】図４

Description

本発明は、例えば半導体デバイス或は液晶表示デバイス等のデバイスを製造する際に、感光剤が塗布された基板上に原版のパターンを転写する露光装置及び露光方法に係り、特に、液浸法を用いた露光装置及び露光方法或は露光後の基盤の処理を行う半導体露光装置に関する。

ＬＳＩ或は超ＬＳＩ等の極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造工程において、マスクに形成されたパターンを感光剤が塗布された基板上に縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴いパターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。

露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とが一般的である。

露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行しつつあり、更には１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が進んでいる。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ₂ ）エキシマレーザの開発も行われている。

一方、これらとは全く別な解像力向上技術として液浸法を用いた投影露光方法が注目されつつある。従来は、投影光学系の最終面と露光対象基板（例えばウエハ）面との間の空間は気体で満たされていたが、液浸法では、この空間を液体で満たして投影露光を実施する。液浸法の利点は、例えば、投影光学系とウエハとの間の空間に提供される液体を純水（屈折率１．３３）とし、ウエハに結像する光線の最大入射角が液浸法と従来法で等しいと仮定した場合において、同一波長の光源を用いても、液浸法の解像力が従来法の１．３３倍に向上することである。これは従来法の投影光学系のＮＡを１．３３倍にすることと等価であり、液浸法によれば、従来法では不可能なＮＡ＝１以上の解像力を得ることが可能である。

近年、この液浸法を露光装置に適用する試みがなされているが、液浸法を露光装置に適用した従来例には、例えば、特許文献１に開示されている露光装置がある。図８（ａ）は特許文献１に開示されている露光装置の構成図であるが、図８（ａ）において、液槽（チャンバ）１０９内に液体１３０を満たすことによって、投影光学系１０４の最終面（光学素子７）とウエハ１０２の間の空間が液体１３０で満たされている。又、液曹１０９の中に、ウエハカセット１１０からウエハを搬入しウエハチャック１１２上にセットするためのウエハ搬送装置、粗位置決め装置１１１−１〜１１１−４の一部若しくは全体、ウエハチャック１１２、ＸＹステージ１１３及び微動ステージ１１４がある。

１１５はレーザ干渉計、１１６は微動ステージ１１４上にＸ及びＹ方向（Ｙ方向は不図示）に取り付けられ、微動ステージ１１４の位置を計測するためにレーザ干渉計１１５の光を反射する参照ミラー、１１７はレーザ干渉計１１５の光を通過させるため液曹１０９に設けられた窓、１１８は液曹１０９の外側に設けられ、外部との熱的遮断を保つ断熱材である。

ウエハ１０２の全面の露光が完了すると、これと同時に輸送ポンプ２２が再び作動し、チャンバ９内の液体３０を排出し始める。このとき、液面ゲ−ジ１９が常時液体３０の高さを検知しており、液体３０の高さがウエハチャック１２面より僅かに低くなった時点で、輸送ポンプを停止させる。従って、排出する液体３０の量は僅かである。その後、ウエハチャック１２のバキュームを切り、搬出ハンド１１−４で、ウエハチャック１２上のウエハ２をハンドリングしてウエハカセット１０に収納する。

又、特許文献１に開示されている露光装置では、図８（ｂ）に示すように、ウエハチャック１１２を含む部分のみを液曹１０９内に配置し、或は液曹１０９の底面にウエハチャック１１２を直接構成し、微動ステージ１１４上に液曹１０９を配置した構成例も開示されている。

即ち、特許文献１に開示されている露光装置では、投影光学系１０４の最終面とウエハ１０２全体を液曹１０９の中に配置する方法が開示されている。液浸法を露光装置に適用した他の例には、図９に示すように、投影光学系とウエハ面とで挟まれた空間だけに液体を流し、投影光学系とウエハ面の間の空間を液体で満たす方法が知られている。

図１０は特許文献２に開示されている露光装置と塗布現像装置のインライン接続を示す図である。露光装置のウエハ搬送ロボットは、塗布現像装置からウエハを受け取ると露光ステージへと搬送し、露光後のウエハも同一のロボットが塗布現像装置へと搬送している。又、塗布現像装置の中でもレジストを塗布したウエハを露光装置側インターフェイスへ搬送するロボットが露光後のウエハを加熱部へと搬送している。
特開平６−１２４８７３号公報 特開２００２−０５７１００号公報

しかしながら、上記従来の露光装置においては、露光後に投影光学系とウエハ面の間の空間の液体を排出しても投影レンズ最終面には液体が付着している可能性があり、ウエハをハンドリングする際に投影レンズ最終面に付着した液体がウエハ上に落下する可能性がある。

又、ウエハ上に付着した液体が搬送時にウエハチャックに落下するとローカルデフォーカスの原因となり、歩留まり低下を引き起こす。更に、ウエハチャック交換が必要になり、長時間装置がダウンするのでデバイス生産に与える影響は大きい。又、露光後の濡れたウエハを搬送するときハンドに液体が付着し、次に搬送する露光前のウエハに付着することによるクロスコンタミが発生する。これはローカルデフォーカスの原因となり、歩留まり低下を引き起こすという問題があった。

更に、ウエハに液体が付いている状態で塗布現像装置へ搬送し加熱処理を行うと、液体の蒸発時の気化熱で温度ムラが発生してＣＤ均一性が悪化するという問題があった。又、露光後のウエハが全て濡れていると想定して高速スピン乾燥等を行うと露光装置の構造が複雑化し、コストアップするだけでなく、スループットを低下させるという問題があった。

又、ウエハ表面に付着した液滴をエアーナイフにより吹き飛ばす方法では、吹き飛ばした筈の液滴が基板裏面のエッジ部に回り込むことがあり、搬送ハンドを濡らす可能性があった。

ウエハチャック部は真空吸着により基板を保持しているので僅かに基板裏面のエッジ部分に液体が進入する場合がある。液浸ノズルによる液滴の回収は表面の液体しか取れないのでウエハ搬送ユニットへ搬出されるウエハの裏面エッジ部には液滴が付着している可能性があり、搬送ハンドを濡らす原因となる。

本発明は、上記の種々の課題に鑑みてなされたものであり、液浸法を適用した露光装置及び露光方法の実用性を高めること、例えば、装置ダウンタイムを短縮する、或は歩留まり低下を防止するとともに、露光装置から搬送されたウエハの処理を行う半導体製造装置或は検査装置の性能悪化の可能性を低減すること、又は、露光装置の構造を簡単化し、スループットを向上し或は露光装置を小型化することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、液浸露光装置において、ウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を備えることを特徴とする。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記ウエハ裏面の液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段とは、ウエハ上の液滴を円環状の多孔質体で吸引する或は円環状にドライガスを吹き付けること或は吸引及び吹き付けの組み合わせであることが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記ウエハ表面の液体を除去する手段とは、エアーナイフでウエハ表面の液切りを行った後、ウエハ裏面に回り込んだ液体を多孔質体で吸引することが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、液浸露光装置において、前記ウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を搬送経路中に配置することが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記円環状の多孔質体と前記ウエハ裏面との間に隙間を設けることが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記円環状の多孔質体上に前記ウエハを受け渡す速度を制御することが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記円環状の多孔質体上に前記ウエハを繰り返し複数回受け渡すことが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記円環状の多孔質体は１本或は複数の吸引手段と接続されていることが好ましい。

本発明の好適な実施の形態によれば、前記円環状の多孔質体は複数の吸引手段と接続されており、個別に吸引可能に制御されることが好ましい。

本発明によれば、液浸法を適用した露光装置及び露光方法の実用性を高めること、例えば、トラブルを効果的に防止することにより装置ダウンタイムを短縮することができ、歩留まり低下を防止することができる。更に、露光装置から搬送されたウエハの処理を行う半導体製造装置或は検査装置の性能悪化の可能性を低減すること、又は、露光装置の構造を簡単化し、スループットを向上し或は露光装置を小型化するができる。

本発明の半導体露光装置は、例えば、露光光として紫外光を用い、投影光学系と基板（例えば、ウエハ）間を液体で満たす液浸法が適用されるあらゆる露光方法及び露光装置に有用である。そのような半導体露光装置には、例えば、基板を静止させた状態で該基板に原版のパターンを投影転写する露光装置や、基板と原版とを同期スキャンしながら該基板に該原版のパターンをスリット光によりスキャン露光する露光装置が含まれ得る。

以下、本発明の好適な実施の形態を例示的に説明する。

＜実施の形態１＞
図１は本発明の好適な実施形態の構成を概略的に示す図である。

図１−ａにおいて、ＡｒＦエキシマレーザやＦ₂ レーザ等の露光光源（不図示）から射出された光が照明光学系２に提供される。照明光学系２は、露光光源から提供された光を用いて、レチクル（原版）１の一部をスリット光（スリットを通過したような断面形状を有する光）により照明する。

スリット光によってレチクル１を照明している間、レチクル１を保持しているレチクルステージ（原版ステージ）３とウエハ（基板）９を保持しているウエハステージ（基板ステージ）１０は、一方が他方に同期しながらスキャン移動する。このような同期スキャンを通して、結果としてレチクル１上のパターン全体が投影光学系４を介してウエハ９上に連続的に結像し、ウエハ９表面に塗布されたレジストを感光させる。

レチクルステージ３やウエハステージ１０の二次元的な位置は、参照ミラー１１とレーザー干渉計１２によってリアルタイムに計測される。この計測値に基づいて、ステージ制御装置１３は、レチクル１（レチクルステージ３）やウエハ９（ウエハステージ１０）の位置決めや同期制御を行う。

ウエハステージ１０には、ウエハ９の上下方向（鉛直方向）の位置や回転方向、傾きを調整、変更或は制御する駆動装置が内蔵されており、露光時は、この駆動装置により投影光学系４の焦点面にウエハ９上の露光領域が常に高精度に合致するようにウエハステージ１０が制御される。ここで、ウエハ９上の面の位置（上下方向位置と傾き）は、不図示の光フォーカスセンサーによって計測され、ステージ制御装置１３に提供される。

露光装置本体は、環境チャンバ２８の中に設置されており、露光装置本体を取り巻く環境が所定の温度に保たれる。レチクルステージ３、ウエハステージ１０、干渉計１２を取り巻く空間や、投影レンズ４を取り巻く空間には、更に個別に温度制御された空調空気が吹き込まれて、環境温度が更に高精度に維持される。露光装置本体の正面側にはウエハ搬送部２７が設置されている。

次に、図１−ｂ及び図１−ａを参照しながら、ウエハの搬送工程を説明する。図１−ｂは本発明の好適な実施の形態において、露光装置をウエハ搬送高さで断面をとった上面図であり、ウエハ搬送工程を模式的に示す図である。

先ず、不図示の塗布現像装置のウエハ搬送装置により受け渡し位置Ａ２４に置かれたウエハを搬送ロボット２３がプリアライメント部１９に搬送する。プリアライメント部１９に搭載されたウエハは、水平方向と回転方向の位置決めが行われる。次に、供給ロボット２０がプリアライメント部１９からウエハステージ１０へウエハを搬送する。

ウエハは、ウエハステージ１０上のウエハチャックに真空吸着され、保持された状態で投影光学系４の下の露光開始位置へと移動する。露光開始位置近傍で液体供給ノズル５からウエハ９上に液体が供給される。その後、上述の液浸法による露光が行われる。露光後、液体回収ノズル６によりウエハ９上の液体は回収され、ウエハは、ウエハステージ１０に保持された状態で液体回収ノズル６の下からウエハ回収位置２９へ移動する。

ウエハ回収位置２９のウエハは、回収ロボット２１により回収ステーション２２に搬送される。ウエハ回収位置２９からウエハは回収ステーション２２に搬送される搬送経路上にはエアーナイフ４０が配置されている。ウエハがウエハ回収位置２９から回収ステーション２２に搬送される間にウエハ９上にエアーナイフ４０からドライエアー或は不活性ガスを吹き付ける。搬送ロボット２３は、回収ステーション２２上のウエハを受け渡し部Ｂに搬送する。不図示の塗布現像装置のウエハ搬送装置がウエハを受け渡し部Ｂ上のウエハを塗布現像装置へと搬送する。

塗布現像装置からウエハの供給を受ける代わりに環境チャンバー２８の中にあるウエハキャリアユニット２６から搬送ロボット２３が露光前のウエハを取り出しプリアライメント部１９ヘ搬送し、露光後のウエハを回収ステーション２２から搬送ロボット２３がウエハキャリアユニット２６へ収納しても良い。何れの場合も搬送ロボット２３は露光前のウエハも露光後のウエハも搬送する。

本実施の形態では、投影光学系４とウエハ９との間の空間或は間隙を液体で満たす液浸法は、ウエハ９の上方且つ投影光学系４の近傍に配置された液体供給ノズル５と、投影光学系４を挟んで液体供給ノズル５の反対側に配置された液体回収ノズル６によって実現される。

以下、この実施の形態において実施される液浸法について詳細に説明する。

露光中にウエハ９をスキャンする方向の上流側であって投影光学系４の近傍に液体供給ノズル５が配置されている。ここで、スキャン方向の上流側とは、例えば、ウエハを右から左に向かって左方向（第２方向）に移動させる場合について説明すると、その反対方向（第１方向）である右側である。即ち、スキャン方向（第２方向）を矢印で示した場合に、矢印の始点側の方向（第１方向）が上流側である。投影光学系４を挟んで液体供給ノズル５の反対側（即ち、スキャン方向の下流側）には、液体回収ノズル６が配置されている。

液体供給ノズル５は、供給管１６を介して液体供給装置７と接続されており、同様に液体回収ノズル６は、回収管１７を介して液体回収装置８と接続されている。液体供給装置７は、例えば、液体を貯めるタンク、液体を送り出す圧送装置、液体の供給流量の制御を行う流量制御装置を含み得る。液体供給装置７には、更に、液体の供給温度を制御するための温度制御装置を含むことが好ましい。

液体回収装置８は、例えば、回収した液体を一時的に貯めるタンク、液体を吸い取る吸引装置、液体の回収流量を制御するための流量制御装置を含み得る。液浸制御装置１８は、更に、ウエハステージ１０の現在位置、速度、加速度、目標位置、移動方向といった情報をステージ制御装置１３から受けて、これらの情報に基づいて、液浸の開始や中止、流量等の制御指令を液体供給装置７や液体回収装置８に与える。

投影光学系４とウエハ９の間に液を満たす工程を説明する。

先ず、ウエハ９が静止した状態又は移動している状態で、液体供給ノズル５よりウエハ９上に、例えばほぼ一定流量で液体Ｆを供給し、液体供給ノズル５の下面とウエハ９の上面に液体を密着させることで、十分な液膜を形成する。次に、供給ノズル５より液体を供給し続けたまま、形成した液膜を途切れさせることなくウエハ９の移動を開始する。ウエハ９が移動して露光開始位置に至るとスリット光によるスキャン露光が開始される。ウエハ９が更に移動して露光終了位置に至るとスリット光による露光が終了する。

スリット光による露光が終了すると、液体供給ノズル５からの液体の供給を停止し、ウエハ９をスキャン方向に移動させながら、残った液体を液体回収ノズル６によって回収する。

以上のように、ウエハ９の移動に伴って液膜が広がるように、ウエハ９を移動させながらウエハ９の表面上に連続的に液体を供給する方法によれば、投影光学系４の最終面とウエハ９との間隙を連続的な液膜（途切れない液膜）で満たすことができる。又、このような方法によれば、液膜はウエハに対する相対速度が遅いので、液体回収ノズル６を通して確実に回収され得る。

上記のような液体の供給・回収方法によると露光後のウエハ上の全ての液滴が回収されることが通常である。しかし、液体回収ノズル６或いは投影光学系最終面４ｓに付着した雫がウエハ上に落下する可能性がある。

又、ウエハ端部に落下した雫がウエハチャック外周とウエハ裏面の間に侵入して、ウエハ裏面端部を濡らす可能性がある。これは頻度の低いトラブルであるが、ウエハ上に落下した雫が搬送時にウエハチャックに更に落下するとローカルデフォーカスの原因となり、歩留まり低下を引き起こす。

更に、ウエハチャック交換が必要になり長時間装置がダウンするので、デバイス生産に与える影響は大きい。又、露光後の濡れたウエハを搬送するときハンドに液体が付着すると、次に搬送する露光前のウエハに付着することによるクロスコンタミが発生する。これはローカルデフォーカスの原因となり歩留まり低下を引き起こすという問題があった。

更に、ウエハに液体が付いている状態で塗布現像装置へ搬送し加熱処理を行うと、液体の蒸発時の気化熱で温度ムラが発生してＣＤ均一性が悪化するというプロセス上の問題が発生する。又、露光後のウエハが全て濡れていると想定して高速スピン乾燥等を行うと露光装置の構造が複雑化し、コストアップするだけでなく、スループットを低下させるという問題があった。よって、ウエハ上の液滴を除去及び乾燥させることが必要である。

本発明の露光装置にはウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を具備している。

図２は本発明におけるウエハ表面に付着した液体を除去する手段を表す概要図である。本実施の形態では、ウエハ表面に付着した液体を除去する手段としてエアーナイフ４０を使用している。図１−ｂを参照して前述したようにウエハ回収位置２９からウエハは回収ステーション２２に搬送される搬送経路上にはエアーナイフ４０が配置されている。

ウエハがウエハ回収位置２９から回収ステーション２２に搬送される間にウエハ９上にエアーナイフ４０からドライエアー或は不活性ガスを吹き付ける。このとき、ウエハ９上に液滴があった場合は、液滴はエアーナイフ４０から吹き付けられたガスにより吹き飛ばされ不図示の防水板に付着して、不図示の廃液回収手段により回収される。

しかし、図３に示すように、エアーナイフ４０からドライエアー或は不活性ガスを吹き付けウエハ９上の液滴を吹き飛ばすときに細かい液滴がウエハ裏面端部に回り込み付着する場合がある。ウエハ裏面側にエアーナイフを配置してもウエハ搬送ハンドの陰になる部分はエアーの吹き付けができない。よって、ウエハ裏面に回り込んで付着した液滴は別な手段で除去する必要がある。

図４は本発明におけるウエハ裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を表す概要図である。

不図示のウエハ搬送ハンドにより搬送されたウエハは、ウエハ保持昇降部に受け渡される。ウエハ搬送ハンドが退避した後、ウエハは、ウエハ保持昇降部により下降してウエハ乾燥ステーションに受け渡される。ウエハ乾燥ステーションには、ウエハ端部に対応する位置に円環状の多孔質体がウエハ乾燥ステーションと略同一面に配置されている。多孔質体の下には、液滴を回収するための溝が円環状に構成されており、不図示のバルブ及び気液分離チャンバーを介して真空源に接続されている。

ウエハがウエハ乾燥ステーションに受け渡される際に多孔質体に接続されたバルブを開けることによりウエハ裏面端部に付着した液滴を吸引することにより除去する。又、ウエハ乾燥ステーション上のウエハが撓んでいるとウエハ外周部が均一に多孔質体に接触しなくなり、ウエハ裏面端部の全ての部分の液滴を除去きない。

本発明ではこのような事態に対応すべく、ウエハ乾燥ステーションにウエハを平面矯正するためのバキューム溝が配置されている。平面矯正するためのバキューム溝は、不図示のバルブを介してバキューム源に接続されている。ウエハ乾燥ステーションにウエハを受け渡す際にウエハを真空吸着して平面矯正を行い、ウエハ裏面端部の全ての部分の液滴を除去している。

又、ウエハをウエハ乾燥ステーションに受け渡す際に下降速度が早過ぎると液滴を吸引できない場合がある。よって、ウエハを受け渡す速度を制御することが好ましい。このときの最適速度は多孔質体の面積及び吸引流量等で決まるものである。

本発明では実際に液滴吸引を行い、制御精度や部品精度を考慮して最適速度を決定した。液滴吸引が終了した後にはウエハ保持昇降部によりウエハは再び上昇して不図示の搬送ハンドに受け渡され、搬送される。ウエハ裏面端部の全ての部分の液滴を除去できない場合はウエハ乾燥ステーションへのウエハの受け渡しを複数回行っても良い。又、そのときウエハ保持昇降部を回転させてウエハと多孔質体の当たりを変えても良い。本実施の形態では、ウエハ乾燥ステーションを図１−ｂにおける回収部２２に配置した。

ウエハ乾燥ステーションの位置は上記に限定されるものではなく、露光装置内であればどこでも良い。好ましくは搬送経路中に配置して、且つ、エアーナイフでウエハ表面の液切りを行った後にウエハ裏面に回り込んだ液体を多孔質体で吸引することが良い。本実施の形態においては、多孔質体及びウエハ乾燥ステーションは、ウエハへの金属汚染を考慮して非金属で構成されている。材料としてはフッ素樹脂、ＰＯＭ、ＰＥＥＫ等の樹脂かＳｉＣ等のセラミックスが好ましい。

＜実施の形態２＞
図５は本発明の実施の形態２の構成を概略的に示す図である。

本実施の形態では、ウエハ乾燥ステーションに対して多孔質体を突出させて配置している。この構成ではウエハの平面矯正を多孔質体のＶＡＣ力で行うものであり、ウエハ乾燥ステーションを安価な金属で構成できる利点がある。このとき、ウエハ乾燥ステーションで平面矯正を行わないので平面矯正用のＶＡＣ溝等の加工の必要はない。更に、その平面度等の加工精度も上げる必要はなく、簡便な構成で液滴除去を実現できる。

＜実施の形態３＞
図６は本発明の実施の形態３の構成を概略的に示す図である。

本実施の形態では、ウエハ裏面の液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を構成した。前記ウエハ裏面の液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段とは、ウエハ上の液滴を円環状の多孔質体で吸引する或は円環状にドライガスを吹き付けること或は吸引及び吹き付けの組み合わせであることが好ましい。

以下に構成順に説明する。

本実施の形態では、ウエハ乾燥ステーションの上面に対し多孔質体上面を低く構成している。本構成ではウエハ裏面と多孔質体の間に空気が流れる隙間ができるので液滴の吸収が促進される。この隙間は１ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下にするとウエハ裏面に残る液滴の蒸発が早いので更に好ましい。

又、本実施の形態では、多孔質体と平面矯正用ＶＡＣ溝の間に大気開放部に接続された溝を配置した。この溝により多孔質体に対しウエハ外周部とウエハ内側との両側から空気の流れができて液滴の除去が促進される。又、この溝が無い場合にはウエハ裏面から多孔質体へ液滴が移動する際に平面矯正用のＶＡＣに引っ張られてウエハ中心部へ移動してウエハ裏面中央部を濡らしてしまう可能性があった。よって、この溝は切れ目無く同心円状に構成されるのが好ましい。

更に、図７に示すように、この溝からドライエアー或は不活性ガスを吹くことによってウエハ裏面端部の液滴の蒸発が促進される。このとき、ウエハ裏面端部に均一にドライエアー或は不活性ガスを吹くために噴出し口に多孔質体を配置することが好ましい。

＜実施の形態４＞
実施の形態１で説明したように、ウエハ乾燥ステーションには、ウエハ端部に対応する位置に円環状の多孔質体が配置されている。多孔質体の下には、液滴を回収するための溝が円環状に構成されており、不図示のバルブ及び気液分離チャンバーを介して真空源に接続されている。

実施の形態１では、多孔質体の下の液滴を回収するための溝は１つの円環状の溝であった。溝の長さは３００ｍｍウエハ用の場合１ｍ程度の長さになり、溝幅を２０ｍｍとすると溝の面積は２００平方センチメートルになる。この開口に対し液滴吸引のために真空吸引をした場合にはバキューム元の圧力が大幅に低下する。

そこで、本実施の形態では、多孔質体の下の液滴を回収するための溝を複数に分割して個別にバキューム吸引できるように構成した。更に、液滴吸引の際に分割した個々の部分を順番に吸引することにより時間当たりのバキューム吸引量を少なくしながらウエハ裏面の液滴の回収を実現した。

本発明の実施の形態１の構成を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態１において露光装置をウエハ搬送高さで断面を取った上面図であり、ウエハ搬送工程を模式的に示す図である。 本発明におけるウエハ表面に付着した液体を除去する手段を示す概要図である。 本発明におけるウエハ表面に付着した液体をエアーナイフで除去する手段を示す概要図である。 本発明におけるウエハ裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を示す概要図である。 本発明の実施の形態２の構成を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態３の構成を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態３の構成を概略的に示す図である。 従来の液浸型露光装置の一例を示す図である。 従来の液浸型露光装置の一例を示す図である。 従来の露光装置と塗布現像装置のインライン接続を示す図である。

符号の説明

１ レチクル
２ 照明系
３ レチクルステージ
４ 投影光学系
４ｓ 投影光学系最終面
５ 液体供給ノズル
６ 液体回収ノズル
７ 液体供給装置
８ 液体回収装置
９ ウエハ
１０ ウエハステージ
１１ 参照ミラー
１２ 測距用レーザー干渉計
１３ ステージ制御装置
１４, １５ 定盤
１６ 供給管
１７ 回収管
１８ 液浸制御装置
１９ プリアライメント部
２０ 供給ロボット
２１ 回収ロボット
２２ 回収部
２３ 搬送ロボット
２４ 受け渡し位置Ａ
２５ 受け渡し位置Ｂ
２６ ウエハキャリアユニット
２７ ウエハ搬送部
２８ 環境チャンバー
２９ ウエハ回収位置
４０ エアーナイフ部

Claims (8)

1. 半導体露光装置においてウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を備えることを特徴とする半導体露光装置。
2. 前記ウエハ裏面の液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段とは、ウエハ上の液滴を円環状の多孔質体で吸引する或は円環状にドライガスを吹き付けること或は吸引及び吹き付けの組み合わせであることを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
3. 前記ウエハ表面の蒸発を促進する手段とは、エアーナイフでウエハ表面の液切りを行った後ウエハ裏面に回り込んだ液体を多孔質体で吸引することであることを特徴とする請求項１に記載の半導体露光装置。
4. 前記ウエハ表面及び裏面に付着した液体を除去する手段及び蒸発を促進する手段を搬送経路中に配置することを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
5. 前記円環状の多孔質体と前記ウエハ裏面との間に隙間を設けることを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
6. 前記円環状の多孔質体上に前記ウエハを受け渡す速度を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
7. 前記円環状の多孔質体上に前記ウエハを繰り返し複数回受け渡すことを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
8. 前記円環状の多孔質体は、複数の吸引手段と接続されており、個別に吸引可能に制御されることを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。

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