JP2009170662A - 露光ユニット、露光装置、露光システム、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に残留する液体による悪影響を防止する。
【解決手段】液体Ｌｑを介して基板Ｗ上の第１領域Ｓｈ１を露光光ＥＬ１で露光する第１光学系を備えた露光装置１とともに使用される露光ユニット２であって、基板Ｗ上の第１領域Ｓｈ１とは異なる第２領域Ｓｈ２に露光光ＥＬ２で露光する第２光学系２１と、前記第１光学系と第２光学系２１との間で基板Ｗを搬送する搬送装置３による基板Ｗの搬送経路内に設けられ、前記第１光学系による第１領域Ｓｈ１に対する露光処理が行われた基板Ｗ上の少なくとも第２領域Ｓｈ２を含む部分から液体を除去する液体除去装置４とを備えて構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板を露光光で露光する露光ユニット、該露光ユニットを備える露光装置および露光システム、露光方法、並びに該露光方法を用いるデバイスの製造方法に関する。

半導体素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程においては、転写すべきパターン（デバイスパターン）が形成されたレチクルまたはマスク（以下、これらをレチクルと総称する）を介した光で、フォトレジスト（感光性材料）が塗布されたウエハ等の基板（感光性基板）を露光する露光装置が用いられる。露光装置は、光源、照明光学系、投影光学系、ステージ等を備え、基板が載置されたステージをステップ移動しつつ、露光を繰り返し実施することにより、基板上に配列的に設定される複数のショット領域にレチクルのパターンの像が転写される。

各ショット領域に対する露光方式としては、レチクルおよび基板を静止させた状態で一括露光する静止露光型と、レチクルおよび基板を同期的に相対移動させつつ逐次露光する走査露光型とがある。

また、近時においては、露光波長を実質的に短くし、かつ空気中に比べて焦点深度を大きく（広く）するため、液浸法を利用した液浸型の露光装置が実用化されている。液浸型の露光装置は、投影光学系の下面と基板表面との間を水または有機溶媒等の液体で局所的に満たした状態で露光する装置である。液体は供給ノズルから投影光学系と基板との間に供給され、回収ノズルによって回収されるようになっている。

ところで、フォトリソグラフィ工程の後の工程で行われる化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理において、１枚の基板上で、デバイスパターンの全体を含むショット領域（以下、通常ショット領域という）が配置される領域と、その外側であって、通常ショット領域の全体を包含することができない基板の外周縁の近傍部分（エッジ部）、即ちパターンの露光転写が行われない領域との間に段差が生じるという不具合が生じている。

この不具合は、当該外周縁近傍部分にも、通常ショット領域内に転写されるパターンと同一または該パターンと同程度の密度のパターンを転写することによって、緩和することが可能である。

このため、当該外周縁近傍部分にもショット領域を設定して、露光処理を施すことが行われている。このショット領域は、通常ショット領域とは異なり、その一部が欠けたショット領域であることから「欠けショット領域」、あるいは基板のエッジを含んだショット領域であることから「エッジショット領域」等と呼ばれることがある。

なお、欠けショット領域は、デバイスパターンの全体を含むことができないため、パターンの転写は行うけれども、一般には、製品として用いられることはない領域である。

このような欠けショット領域に対する露光処理は、従来は、通常ショット領域の露光処理と同じ工程において、単一の露光装置によって行われていたが、欠けショット領域を露光処理する分だけ、１枚の基板を処理するための時間が長くなり、スループット（単位時間あたりの処理量）を低下させていた。

このため、通常ショット領域を露光処理する露光ユニットと、これとは独立した、欠けショット領域を露光処理する露光ユニットと、基板をそれぞれ保持可能な２つのステージとを備え（即ち実質的に２台の露光装置を備え）、並行的に露光処理するようにした技術が提案されている（下記特許文献１参照）。

また、欠けショット領域の露光処理には通常ショット領域ほどの高精度が要求されないため、この特許文献１には、通常ショット領域の露光処理よりも欠けショット領域の露光処理の露光条件を緩和すること、あるいは通常ショット領域の露光処理は液浸方式で行い、欠けショット領域の露光処理は液体を介在させずに露光するドライ方式で行うこと等も開示されている。

このように液浸露光方式で通常ショット領域に対する露光処理を行った後に、ドライ方式で欠けショット領域に対する露光処理を行うことは、コストの上昇を抑制しつつスループットの向上を図ることができる点で、優れた技術である。

しかしながら、液浸露光後には、基板上に当該液体に係る液滴が残留している場合があり、その状態で、欠けショット領域に対する露光処理を実施した場合には、所望のパターンを露光転写することができない場合があるとともに、欠けショット領域の露光処理時に周辺装置に悪影響（各種の計測系の計測誤差や錆等の発生等）を与えるおそれがあるという問題があった。

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、基板上の第１領域に対する露光処理の後に、基板上の該第１領域とは異なる第２領域に露光処理を実施する際に、基板上に残留する液体による悪影響を防止することを目的とする。
国際公開ＷＯ２００４／０５３９５１号パンフレット

この項の説明では、後述する実施形態を表す図面に示す部材等を示す符号を括弧を付して付記するが、これは単に理解の容易化のためであり、本発明の各構成要件は、これら部材等を示す符号を付した図面に示す部材等に限定されるものではない。

本発明の第１の観点によると、液体を介して基板（Ｗ）上の第１領域（Ｓｈ１）を第１露光光（ＥＬ１）で露光する第１光学系を備えた露光装置（１）とともに使用される露光ユニット（２）であって、前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域（Ｓｈ２）に第２露光光（ＥＬ２）で露光する第２光学系（２１）と、前記第１光学系と前記第２光学系との間で前記基板を搬送する搬送装置（３）による前記基板の搬送経路内に設けられ、前記第１光学系による前記第１領域に対する露光処理が行われた前記基板上の少なくとも前記第２領域を含む部分から液体を除去する液体除去装置（４）とを備える露光ユニットが提供される。

本発明の第２の観点によると、基板（Ｗ）上の複数の領域（Ｓｈ）を露光する露光装置において、前記基板を保持して２次元平面内を移動可能な基板保持可動体（ＷＴ１，ＷＴ２）と、前記基板を保持する保持機構（ＷＨ１，ＷＨ２）と、前記保持機構から前記基板保持可動体に前記基板を移動する搬送装置（３）と、上述の本発明の第１の観点に係る露光ユニット（２）とを備える露光装置が提供される。

本発明の第３の観点によると、基板（Ｗ）上の第１領域（Ｓｈ１）を第１露光光（ＥＬ１）で露光する第１光学系を備えた露光装置（１）と、前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域（Ｓｈ２）を露光するための上述の本発明の第１の観点に係る露光ユニット（２）とを備える露光システムが提供される。

本発明の第４の観点によると、液体を介して、基板（Ｗ）上の第１領域（Ｓｈ１）を第１露光光（ＥＬ１）で露光する第１露光工程と、前記第１露光工程の後、前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域（Ｓｈ２）を少なくとも含む部分から液体を除去する液体除去工程と、前記液体除去工程の後、前記基板上の前記第２領域を第２露光光（ＥＬ２）で露光する第２露光工程とを含む露光方法が提供される。

本発明の第５の観点によると、デバイスの製造方法であって、感光性基板（Ｗ）を準備する工程（Ｓ１２）と、上述の本発明の第４の観点に係る露光方法を用い、前記感光性基板上の前記第１および第２領域（Ｓｈ１，Ｓｈ２）にそれぞれ所定のパターンを露光する工程（Ｓ１３）と、露光された前記感光性基板を現像し、前記露光されたパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程（Ｓ１３）と、前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する工程（Ｓ１３）とを備えるデバイス製造方法が提供される。

本発明では、液体除去装置または液体除去工程を設けて、基板上の第１領域に対する露光処理の後に、基板上の該第１領域とは異なる第２領域に対する露光処理の前に、基板上の少なくとも第２領域を含む部分から液体を除去するようにしたので、該第２領域を露光処理する際に、基板上に残留する液体による悪影響を防止することができるという効果がある。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。

［露光システム］
図１は本発明の実施形態に係る露光システムの全体構成の概略を模式的に示した図である。この露光システムは、フォトレジスト（感光性材料）が塗布された感光性基板としてのウエハＷ上の第１領域を第１露光光ＥＬ１で露光する第１光学系を備えた第１露光装置１と、この第１露光装置１とともに使用される露光装置（または露光ユニット）として、ウエハＷ上の前記第１領域とは異なる第２領域を第２露光光ＥＬ２で露光する第２光学系２１を備えた第２露光装置２と、第１露光装置１（第１光学系）と第２露光装置２（第２光学系２１）との間でウエハＷを搬送するウエハ搬送ユニット（搬送装置）３とを備えて構成されている。

また、ウエハ搬送ユニット３によるウエハＷの搬送経路内には、第１露光装置１の第１光学系による前記第１領域に対する露光処理が行われたウエハＷ上の少なくとも前記第２領域を含む部分から液体を除去する液体除去ユニット（液体除去装置）４が設けられている。

なお、以下の説明においては、図１に示されたＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｙ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定され、Ｘ軸及びＺ軸が紙面に対して平行となるように設定されている。図中のＸＹＺ直交座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。

この実施形態においては、図２に示されているように、ウエハＷ上には、複数の矩形状のショット領域Ｓｈが配列的に設定されている。

これらのショット領域Ｓｈのうち、図２中、実線で表示されているように、転写すべきパターン（レチクルに形成されたパターンの投影像）の全体が転写されるものを通常ショット領域Ｓｈ１という。

また、図２中、点線で表示で表示されているように、その一部がウエハＷの外周縁（エッジ）Ｅまたはその近傍に位置しているために、該パターンの一部が欠けたあるいは十分な精度を得られない状態で転写されるものを欠けショット領域Ｓｈ２という。

隣接するショット領域Ｓｈ間には、所定幅のスクライブラインが配置され、スクライブライン上にはアライメントマーク等が配置されることが多い。

なお、欠けショット領域は、パターンの全体を含んでいないか、またはその一部が十分な精度となっていないことが多いため、パターンの転写は行うけれども、一般には、製品（デバイス）として用いられることはない領域である。

また、この実施形態においては、第１露光装置１（第１光学系）によって露光処理されるウエハＷ上の第１領域は通常ショット領域Ｓｈ１であるものとし、第２露光装置２（第２光学系２１）によって露光処理されるウエハＷ上の第２領域は欠けショット領域Ｓｈ２であるものとする。

［第１露光装置］
この実施形態の第１露光装置１は、液体を介して通常ショット領域Ｓｈ１を露光する液浸型の露光装置である。また、この第１露光装置１は、投影光学系ＰＬに対してレチクルＲ１を移動するレチクルステージ（不図示）とウエハＷを移動するウエハステージＷＳ１のウエハテーブルＷＴ１とを同期移動（走査）させつつ、レチクルＲ１に形成されたパターンの像をウエハＷ上の通常ショット領域Ｓｈ１に逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。

但し、第１露光装置１は、レチクルＲとウエハＷとを静止させた状態で、ウエハＷの通常ショット領域Ｓｈ１にレチクルＲ１に形成されたパターンの像を一括的に転写するステップ・アンド・リピート方式の露光装置であってもよい。

第１光学系は、投影光学系ＰＬの他、光源および照明光学系（何れも不図示）等を備えて構成されている。

照明光学系は、ＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）等の光源から射出されるレーザ光の断面形状をスキャン（走査）方向に直交する方向に伸びるスリット状に整形するとともに、その照度分布を均一化して露光光ＥＬ１として射出する。

なお、本実施形態では、光源は、ＡｒＦエキシマレーザであるものとするが、これに限られず、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、またはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（波長１５７ｎｍ）、その他の光源を用いることができる。

レチクルＲ１は、不図示のレチクルステージ上に吸着保持されており、レチクルステージの位置は、不図示のレーザ干渉計によって計測される。

レチクルＲ１の位置決めは、レチクルステージを投影光学系ＰＬの光軸方向（Ｚ軸方向）と垂直な平面（ＸＹ平面）内で並進移動させるとともに、Ｚ軸回りに微小回転させる不図示のレチクル駆動装置によって行われる。このレチクル駆動装置は、レチクルＲ１のパターンの像をウエハＷ上に転写する際には、レチクルステージを一定速度で所定のスキャン方向に走査する。

レチクルステージの上方には、レチクルＲ１の周辺に複数形成されたレチクルアライメント用のマークを光電検出する一対のアライメント系（不図示）がスキャン方向に沿ってそれぞれ設けられている。

レンズ等の複数の光学素子を有する投影光学系ＰＬの下方には、ウエハステージＷＳ１が設けられている。ウエハステージＷＳ１は、基板保持可動体としてのウエハテーブルＷＴ１と、ウエハテーブルＷＴ１をＸＹ平面内で２次元移動するとともに、Ｚ軸方向に微小移動させる駆動装置とを備えている。

ウエハテーブルＷＴ１には、ウエハＷを着脱可能に真空吸着する保持機構としてのウエハホルダＷＨ１が設けられており、露光対象としてのウエハＷはウエハホルダＷＨ１に載置され、吸着固定される。

ウエハテーブルＷＴ１のＸおよびＹ軸方向の位置は、不図示のレーザ干渉計によって計測される。ウエハテーブルＷＴ１のＺ軸方向の位置は、後述するオートフォーカス機構（ＡＦ機構）が備えるＡＦセンサ（面位置検出装置）によって計測される。

また、図１では図示を省略しているが、ウエハホルダＷＨ１の中央部には、上下方向（Ｚ軸方向）に上下動可能な不図示のセンタテーブルが設けられている。センタテーブルは、ウエハＷの裏面を真空吸着する吸着口を備え、ウエハステージＷＳ１（ウエハホルダＷＨ１）に対するウエハＷの搬出入を行うための上下動機構であり、第２露光装置２へウエハＷを搬送するためのウエハ搬送ユニット３との間で、またはこの露光システムに隣接して、ウエハＷにフォトレジストを塗布するコータ（塗布装置）および／またはウエハＷ上に露光転写されたパターンを現像するデベロッパ（現像装置）（以下、コータ／デベロッパという）等が設置されている場合には、該コータ／デベロッパ等が備える搬送ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行う。

投影光学系ＰＬの側方には、ウエハＷに形成されたウエハマーク（アライメントマーク）の位置情報を計測するための、オフ・アクシス型のアライメントセンサＡＳ１が設けられている。

アライメントセンサＡＳ１としては、この実施形態では、ウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に受光された対象マークの像と、不図示の指標（センサ内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とを２次元ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等からなる撮像素子（カメラ）で撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のＦＩＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｉｍａｇｅ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）系のセンサが用いられている。

また、投影光学系ＰＬの近傍には、送光光学系１１および受光光学系１２を備えるＡＦセンサ（面位置検出装置）ＡＦ１が設けられている。

このＡＦセンサＡＦ１は、光源からの検出光（複数のスリット光）を被検面としてのウエハＷの表面に斜め方向から照射する送光光学系１１と、ウエハＷの表面での反射光を受光するラインセンサ等からなる検出器を有する受光光学系１２とを備え、該検出器の出力に基づいて、ウエハＷのＺ軸方向の位置を検出する装置である。

この検出結果に基づいて、上述したウエハテーブルＷＴ１がＺ軸方向に駆動され、ウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に正確に位置合わせされる。

なお、ウエハステージＷＳ１のウエハテーブルＷＴ１上には、各種センサのキャリブレーションやベースライン量の計測等に用いられる不図示の基準板が取り付けられている。基準板の表面には、レチクルＲ１のマークとともにアライメント系で検出可能な基準マーク（フィジューシャルマーク）やその他のマークが形成されている。ここで、ベースライン量とは、ウエハＷ上に投影されるレチクルＲ１のパターン像の基準位置（例えば、パターン像の中心）とアライメントセンサＡＳ１の視野中心との距離を示す量である。

この第１露光装置１は、液浸型であるため、投影光学系ＰＬの像面側（ウエハＷ側）の先端部近傍には、図示は省略しているが、液浸機構を構成する液体供給ノズルと、これと対向するように液体回収ノズルとが設けられている。液体供給ノズルは、液体供給装置に供給管を介して接続されており、液体回収ノズルには、液体回収装置に接続された回収管が接続されている。

液体としては、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が透過する超純水が用いられる。

ＡｒＦエキシマレーザ光に対する水の屈折率ｎは、ほぼ１．４４である。この水の中では、露光光ＥＬ１の波長は、１９３ｎｍ×１／ｎ＝約１３４ｎｍに短波長化される。不図示の制御装置が、液体供給装置および液体回収装置を適宜に制御して、液体供給ノズルから液体（純水）を供給するとともに、液体回収ノズルから液体を回収することにより、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に、一定量の液体Ｌｑが保持される。なお、この液体Ｌｑは露光中は常に入れ替わっている。

ウエハＷ上の露光すべき全ての通常ショット領域Ｓｈ１に対する露光処理が終了すると、液体の供給が停止され、ウエハＷ上の液体が回収された後に、ウエハテーブルＷＴ１が所定の受渡位置に移動され、該受渡位置において、ウエハＷは後述するウエハ搬送ユニット３に受け渡される（搬出される）。

［ウエハ搬送ユニット］
ウエハ搬送ユニット３は、第１アーム部３１、第２アーム部３２、ハンド部３３およびロボット本体３４を有する多関節型の搬送ロボットを備えて構成されている。

第１アーム部３１はその一端がロボット本体３４に不図示のモータによって回転駆動される第１関節３５を介して取り付けられ、第２アーム部３２はその一端が第１アーム部３１の他端に不図示のモータによって回転駆動される第２関節３６を介して取り付けられ、ハンド部３３は第２アーム部３２の他端に不図示のモータによって回転駆動される第３関節３７を介して取り付けられている。

ここでは、第１〜第３関節３５，３６，３７は、その回転中心軸がＺ軸に略平行となるように設定されているものとするが、Ｘおよび／またはＹ軸回りにも回転する多軸型の関節であってもよい。

ハンド部３３は例えばＸＹ面内において略Ｕ字状に形成され、その上面にはウエハＷの裏面を真空吸着するための複数の吸着孔（不図示）が設けられている。

第１〜第３関節３５，３６，３７を適宜に回動させることにより、ウエハＷを、第１露光装置１から所定の受渡位置（第１受渡位置）で受け取り、第２露光装置２に所定の受渡位置（第２受渡位置）で渡すことができるようになっている。

また、このウエハ搬送ユニット３は、後述する液体除去ユニット４による液体の除去を実施するための所定の液体除去位置において、ウエハＷを位置決めできるようになっている。

なお、第１露光装置１の第１受渡位置と第２露光装置２の第２受渡位置の高さが異なる場合には、例えば、第１関節３５をＺ軸方向に昇降させる昇降装置をロボット本体３４に設ける等により、ウエハＷをＺ軸方向に移動できるようにすればよい。

また、ウエハ搬送ユニット３は、このような構成のものに限られず、スライダ型のものであってもよいし、他の構成の多関節ロボット等であってもよい。

さらに、ウエハ搬送ユニット３としては、第１露光装置１と第２露光装置２間でウエハＷの受け渡しを行う専用の装置であってもよいが、この露光システムに隣接してコータ／デベロッパ等が設置されている場合には、この露光システムと該コータ／デベロッパ等との間でウエハＷを受け渡すための搬送ユニットと兼用してもよい。

［液体除去ユニット］
ウエハ搬送ユニット３によるウエハＷの搬送経路内には、液体除去ユニット（液体除去装置）４が設けられている。液体除去ユニット４は、液浸型の露光装置である第１露光装置１によって露光処理されたウエハＷ上に、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に供給された液体Ｌｑに係る液滴が残留している場合に、これを除去する装置である。

この液体除去ユニット４は、次工程で行われるウエハＷ上の欠けショット領域Ｓｈ２の第２露光装置２による露光処理に悪影響を与えないため、ウエハＷ上の少なくとも欠けショット領域Ｓｈ２を含む領域から残留する液体を除去するものである。

但し、残留液体の蒸発等によって、第２露光装置２において、各種の計測に誤差を生じたり、錆の発生等の問題をも解消する観点からは、ウエハＷ上の通常ショット領域Ｓｈ１および欠けショット領域Ｓｈ２を含む全体から残留液体を除去するように構成することが好ましい。

液体除去ユニット４としては、ウエハ搬送ユニット３によるウエハＷの搬送経路内の液体除去位置に位置決めされたウエハＷの表面（パターン形成面）に圧縮された気体をノズル４１から噴射して吹き付ける気体吹付装置を例示することができる。

ノズル４１の形状は、特に限定されないが、ウエハＷの表面に全体的に一括的に気体を吹き付けるもの、あるいは噴出させた気体の断面形状が細長い略矩形状となるようにウエハＷの表面の一部に気体を吹き付けるもの等を用いることができる。

後者の場合には、気体の吹付中にウエハＷをウエハ搬送ユニット３によって移動あるいは回転させて、結果としてウエハＷの表面の全面に気体を吹き付けるようにする。

ウエハＷを移動または回転させるのではなく、静止されたウエハＷ上でノズル４１を移動または回転させるようにしてもよい。ウエハＷとノズル４１の両者を相対的に移動させてもよい。

ノズル４１から噴射させる気体は、この露光システムを収容するチャンバー内の気体（空気、窒素、ヘリウム等）と同じものを用いることができる。

この実施形態では、当該チャンバー内は空気であるものとし、このノズル４１から噴射する液体除去のための気体も空気であるものとする。

気体の温度は、気体の吹き付けによってウエハＷになるべく温度変化を生じさせないようにするため、当該チャンバー内に空調のために供給される気体と同じ温度とすることが好ましい。例えば、当該チャンバー内を空調するために供給する気体を分岐させて、該ノズル４１から噴射させるようにできる。当該チャンバー内の気体を循環させるかたちで用いてもよい。

なお、ここでは、ウエハＷへの気体の吹き付けは、ウエハ搬送ユニット３のハンド部３３にウエハＷが吸着保持された状態で、液体除去位置に設定して行うものとするが、この液体除去位置に、上述した第１露光装置１のウエハテーブルＷＴ１に設けられている上述したセンターピンと同様のセンターピンを有する仮置台を設けて、ウエハ搬送ユニット３から一旦この仮置台にウエハＷを受け渡し、液体除去および後述する残留液滴の検査の後に、再度ウエハ搬送ユニット３のハンド部３３に受け渡すようにしてもよい。

ウエハ搬送ユニット３内にウエハＷを予備的にアライメントするプリアライメントユニットを設ける場合には、該プリアライメントユニットのテーブル等とこの仮置台を兼用するようにしてもよい。

また、ノズル４１からの気体の噴出の方向としては、第１露光装置１または第２露光装置２側に気体吹き付けにより飛散する液滴がなるべく向かわないような方向とすることが好ましい。吹き付けた気体を吸引するノズルや囲い等を別途設けて、該液滴の飛散を防止するようにしてもよい。

［検査ユニット］
ウエハ搬送ユニット３によるウエハＷの搬送経路内には、上述した液体除去ユニット４に隣接して、検査ユニット（検査装置）５が設けられている。この検査ユニット５は、液浸型の露光装置である第１露光装置１によって露光処理されたウエハＷ上に、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に供給された液体Ｌｑに係る液滴が残留しているか否かを検査する装置である。

この検査ユニット５は、次工程で行われるウエハＷ上の欠けショット領域Ｓｈ２の第２露光装置２による露光処理に悪影響を与えないようにするため、ウエハＷ上の少なくとも欠けショット領域Ｓｈ２を含む領域に液滴が残留しているか否かを検査する。

この検査ユニット５による残留液滴の有無の検査は、上述した液体除去ユニット４による液体の除去の後に、更に液滴が残留しているか否かを検査するようにしてもよいし、あるいは液体除去ユニット４による液体の除去の前に、ウエハＷ上への残留液滴の有無を検査して、残留液滴がある場合に、上述した液体除去ユニット４による液体の除去を実施するようにしてもよい。

なお、液体除去ユニット４による液体の除去の後に残留液滴の有無を検査し、残留液滴が有ると判断された場合には、エラーウエハとして、当該残留液滴の付着しているウエハＷを第２露光装置２に渡さないで、他の所定の格納場所に格納するようにしてもよいし、再度液体除去ユニット４による液体の除去を実施するようにしてもよい。

検査ユニット５としては、液体除去位置に設定されたウエハＷの表面（パターン形成面）の全体を照明して２次元ＣＣＤカメラ等により一度に撮像して画像解析により残留液滴の有無を検査するようにできる。

また、ウエハＷの一部をライン状に照明する検査用光源と、ラインセンサにより撮像するようにし、撮像中に、ウエハＷをウエハ搬送ユニット３によって移動あるいは回転させて、結果としてウエハＷの表面の全面を撮像するようにしてもよい。

ウエハＷを移動または回転させるのではなく、静止されたウエハＷ上で光源およびセンサを移動または回転させるようにしてもよい。ウエハＷと光源およびセンサの両者を相対的に移動させてもよい。

検査ユニット５としては、図１に模式的に示されているように、ウエハＷの一部をライン状に斜めから照明する光源５１と、残留液滴が存在する場合に該残留液滴で回折または散乱した光を１次元ＣＣＤ等からなるセンサ５２で受光する暗視野方式のものを用いるとよい。

なお、ここでは、ウエハＷへの残留液滴の付着の有無の検査は、上述した液体除去ユニット４による気体の吹き付けのための液体除去位置で行うようにしているが、これと異なる検査位置で行うようにしてもよい。

この液体除去位置または他の検査位置に、上述した第１露光装置１のウエハテーブルＷＴ１のセンターピンと同様のセンターピンを有する仮置台を設けて、ウエハ搬送ユニット３から一旦この仮置台にウエハＷを受け渡し、液体除去の前または後に、残留液滴の有無の検査を行い、再度搬送ユニット３のハンド部３３に受け渡すようしてもよいことは、上述した液体除去ユニット４の場合と同様である。

［第２露光装置］
この実施形態の第２露光装置（露光ユニット）２は、液浸方式の第１露光装置１とは異なり、光学系（第２光学系２１）とウエハＷとの間に存在する気体を介して欠けショット領域Ｓｈ２を露光するドライ方式の露光装置である。

また、この第２露光装置２は、投影光学系としての投影レンズ２６，２８およびレチクルＲ２等を含む第２光学系２１は固定されており、ウエハＷをステップ移動させつつ、第２光学系２１とウエハＷとを静止させた状態で、レチクルＲ２のパターンの像をウエハＷ上の各欠けショット領域Ｓｈ２に一括的に露光転写するステップ・アンド・リピート方式の露光装置である。

但し、第２露光装置２としては、第２光学系２１とウエハＷの何れか一方または双方を相対的に移動して、各欠けショット領域Ｓｈ２にレチクルＲ２のパターンの像を逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式であってもよい。

第２光学系２１は、図３にも示されているように、図外の光源からライトガイド２２を介して導入される露光光ＥＬ２を、レンズ系２３、反射ミラー２４、レチクルＲ２および反射ミラー２５を有する照明光学系と、第１投影レンズ系２６、反射ミラー２７および第２投影レンズ系２８を有する投影光学系とを介して、ウエハＷ上に照射する。

第２露光装置２における露光光ＥＬ２の波長は、第１露光装置１における露光光ＥＬ１と略同一とすることが好ましい。但し、この第２露光装置２では、デバイス製造には用いられることがない欠けショット領域Ｓｈ２を露光するものであるため、第１露光装置１とは異なる波長（長波長）のものを用いてもよい。

なお、本実施形態では、第２露光装置２に用いられる光源は、第１露光装置１と同様にＡｒＦエキシマレーザであるものとするが、これに限られず、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、またはＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（波長１５７ｎｍ）、その他の光源を用いることができるのは、第１露光装置１の場合と同様である。

レチクルＲ２には、第１露光装置１によって通常ショット領域Ｓｈ１に転写されるレチクルＲ１のパターンの像（以下、簡単のため第１パターンということがある）と概略同程度のパターン密度となるように所定の間隔（ピッチ）でラインパターンが配置されたライン・アンド・スペースパターンが形成されている。

レチクルＲ２は、ライン・アンド・スペースパターンのデューティ（線幅および配列間隔等）の異なる複数種類のレチクルを準備し、第１パターンのパターン密度との関係で、適宜取り換えて用いるようにしてもよい。

また、これらの複数種類のレチクルを回転レボルバ等に取り付けて、該レボルバを所定角度だけ回転させることによって、適宜なパターンを、第２光学系２１の光路上に選択的に配置するようにしてもよい。ここでは、レチクルＲ２はその位置の微調整が可能な状態で、第２光学系２１の筐体に固定されているものとする。

図１に示されているように、第２光学系２１の投影光学系（投影レンズ系２８）の下方には、ウエハステージＷＳ２が設けられている。ウエハステージＷＳ２は、基板保持可動体としてのウエハテーブルＷＴ２と、ウエハテーブルＷＴ２をＸＹ平面内で２次元移動するとともに、Ｚ軸方向に微小移動させる駆動装置とを備えている。

ウエハテーブルＷＴ２には、ウエハＷを着脱可能に真空吸着する保持機構としてのウエハホルダＷＨ２が設けられており、露光対象としてのウエハＷはウエハホルダＷＨ２に載置され、吸着固定される。

また、ウエハホルダＷＨ２は、ウエハテーブルＷＴ２上で、３６０度の範囲で９０度毎に位置決め可能に回転させる不図示の回転機構によって支持されている。

ウエハテーブルＷＴ２のＸおよびＹ軸方向の位置は、不図示のレーザ干渉計又はエンコーダによって計測される。ウエハテーブルＷＴ２のＺ軸方向の位置は、後述するオートフォーカス機構（ＡＦ機構）が備えるＡＦセンサ（面位置検出装置）によって計測される。

また、図示は省略しているが、ウエハホルダＷＨ２の中央部には、上下方向（Ｚ軸方向）に上下動可能なセンタテーブルが設けられている。センタテーブルは、その先端にウエハＷを吸着保持するための吸着口を有し、ウエハステージＷＳ２（ウエハホルダＷＨ２）に対するウエハＷの搬出入を行うための上下動機構であり、ウエハ搬送ユニット３との間で、またはこの露光システムに隣接して配置される不図示のコータ／デベロッパ等が備える搬送ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行う。

また、図３に示されているように、ウエハＷ上の所定の２カ所を指向するように、一対のアライメントセンサＡＳ２が設けられている。これらのアライメントセンサＡＳ２は、ウエハＷに形成されたウエハマーク（アライメントマーク）の位置情報を計測するための装置である。

アライメントセンサＡＳ２は、図外の光源（検出用光源）からライトガイドＡ１を介して供給される検出光を、レンズ系Ａ２、反射ミラーＡ３、ハーフプリズムＡ４、反射ミラーＡ５、およびレンズ系Ａ６を介して、ウエハＷ上のアライメントマークを含む所定の視野領域に照射する送光系と、その反射光をレンズ系Ａ６、反射ミラーＡ５、ハーフプリズムＡ４、およびレンズ系Ａ７を介してセンサＡ８に導入する受光系とを備えて構成されている。

これらのアライメントセンサＡＳ２は、それぞれＸおよびＹ軸方向に可動できるようになっており、計測すべきウエハＷ上のアライメントマークの位置に応じて、その位置が変更可能となっている。

検出光は、ウエハＷ上のレジストを感光させないブロードバンドな光である。センサＡ８は２次元ＣＣＤ等からなる撮像素子（カメラ）であり、その受光面に結像されるアライメントマークの像を画像処理して、該アライメントマークの位置を検出する。

一対のアライメントセンサＡＳ２の検出結果に基づいて、ウエハＷのＸ，Ｙ軸方向の位置ずれ量（シフト量）およびＺ軸回りの回転ずれ量が検出され、ウエハステージＷＳ２が駆動されることによって、該ずれ量が補正される。

なお、ウエハＷに形成されたウエハマークの位置情報をアライメントセンサＡＳ２で計測する代わりに、ウエハＷの外形（エッジ）を光学的に検出するプリアライメントユニットを用いてウエハＷのＸ，Ｙ軸方向の位置ずれ量およびＺ軸回りの回転ずれ量を検出してもよい。このようなプリアライメントユニットは、例えば米国特許第６，２２５，０１２号公報や米国特許第６，６２４，４３３号公報に開示されている。

第２光学系２１の近傍には、ＡＦセンサ（面位置検出装置）ＡＦ２が設けられている。このＡＦセンサＡＦ２としては、第１露光装置１が備えるＡＦセンサＡＦ１と同様の送光光学系１１および受光光学系１２を備えるものを用いることができる。

このＡＦセンサＡＦ２の出力に基づいて、ウエハテーブルＷＴ２がＺ軸方向に駆動され、ウエハＷの表面が第２光学系２１の投影光学系（投影レンズ２８）の像面に正確に位置合わせされる。

なお、第２露光装置（露光ユニット）２でウエハＷに転写されるパターン像の焦点深度が十分に深い場合には、ＡＦセンサＡＦ２を用いなくてもよい。

ウエハステージＷＳ２のウエハテーブルＷＴ２上には、図４に示されているように、照度ムラセンサＤ１、照射量センサＤ２、および空間像計測センサＤ３等が設けられている。

ここでは、ウエハＷがウエハホルダＷＨ２上に載置されているか否かにかかわらず、計測できるように、照度ムラセンサＤ１および照射量センサＤ２は、ウエハテーブルＷＴ２上であって、ウエハホルダＷＨ２の外側に設けられている。但し、ウエハＷがウエハホルダＷＨ２に載置されていないときに、計測が行われる場合には、ウエハホルダＷＨ２にそれぞれ貫通穴を設け、ウエハテーブルＷＴ２上の該貫通穴に対応する位置Ｄ１’，Ｄ２’に、これらのセンサを設けてもよい。

照度ムラセンサＤ１は、その上面に設けられたピンホール（不図示）を通過する光の照度を計測するセンサであり、第２光学系２１による投影領域（露光領域）内の複数の位置で、それぞれの照度を計測して、露光光ＥＬ２の第２光学系２１の像面における照度分布（照度ムラ）を計測するためのセンサである。

照射量センサＤ２は、例えば特開平１１−１６８１６号公報およびこれに対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号公報に開示されているようなセンサであり、露光光ＥＬ２の第２光学系２１の像面における照射量を計測するためのセンサである。この照射量センサＤ２による計測結果は、当該像面における照射量が一定となるように、第２光学系２１が備える例えば可変減光器（不図示）等を用いて露光光ＥＬ２の照射量を制御する等のために用いられる。

空間像計測センサＤ３は、例えば特開２００２−１４００５号公報およびこれに対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号公報に開示されているように、２次元ＣＣＤセンサとその上面に略矩形状の開口（またはスリット）とを備え、レチクルＲ２のパターンの第２光学系２１の像面における投影像に対して、センサ（開口）をレチクルＲ２のパターン（ラインパターン）の配列方向にスキャンして、その信号強度の変化から当該投影像のパターンの線幅や間隔を計測するセンサである。

空間像計測センサＤ３は、ウエハテーブルＷＴ２をＺ軸方向に移動させることによって、第２光学系２１の像面位置をも検出することが可能であり、その計測結果は、ＡＦセンサＡＦ２等のキャリブレーションに用いることができる。

なお、ウエハテーブルＷＴ２上には、これらの他に、アライメントセンサで検出可能な基準マーク（フィジューシャルマーク）やその他のマークが形成された基準板等も設けられている。これらの基準マークは、例えば、ウエハＷ上に投影されるレチクルＲ２のパターン像の基準位置（例えば、パターン像の中心）と各アライメントセンサＡＳ２の視野中心との距離を示すベースライン量の計測に用いられる。

第１露光装置１により通常ショット領域Ｓｈ１への露光処理が終了し、ウエハ搬送ユニット３による搬送経路内で液体除去ユニット４により残留液滴が除去され、検査ユニット４により残留液滴の存在が確認されなかったウエハＷは、所定の受渡位置において、ウエハ搬送ユニット３からウエハテーブルＷＴ２のウエハホルダＷＨ２上に渡され、吸着保持される。

次いで、アライメントセンサＡＳ２によってウエハＷ上の所定のアライメントマークが計測され、この計測結果に基づいて、ウエハステージＷＳ２が駆動されて、ウエハＷの第２光学系２１に対するＸ，Ｙ軸方向の位置ずれおよびＺ軸回りの回転ずれが補正される。

その後、ウエハＷ上の最初に露光すべき欠けショット領域Ｓｈ２が第２光学系２１の投影領域に位置決めされ、ＡＦセンサＡＦ２による計測結果に基づいて、ウエハステージＷＳ２によるＺ軸方向の位置が調整され、当該欠けショット領域Ｓｈ２に対してレチクルＲ２のパターンの像が転写される。

次いで、隣接する欠けショット領域Ｓｈ２にステップ移動して、ウエハステージＷＳ２のＸおよびＹ軸方向のストロークとの関係で、露光処理可能な欠けショット領域Ｓｈ２について、以後同様に露光処理をステップ・アンド・リピート方式で繰り返し実施する。

その後、ウエハホルダＷＨ２の回転機構を駆動して、ウエハＷを９０度回転し、同様に露光処理を実施し、以後、さらに９０度ずつ回転しつつ、同様に露光処理を実施する。

全ての露光処理すべき欠けショット領域Ｓｈ２に対する露光処理が終了したならば、所定の受渡位置において、この露光システムに隣接して配置されるコータ／デベロッパ等の他の搬送ユニットに搬出して、以後、ウエハ搬送ユニット３により順次搬入されるウエハＷに対して同様の処理を繰り返し実施する。

上述した実施形態によると、ウエハＷ上の通常ショット領域Ｓｈ１を露光する液浸方式の第１露光装置１とウエハＷ上の欠けショット領域Ｓｈ２を露光するドライ方式の第２露光装置２との間でウエハＷを搬送する搬送ユニット３による搬送経路内に、ウエハＷ上の液体を除去する液体除去ユニット４およびウエハＷ上の液滴の残留の有無を検査する検査ユニット５を設けている。

従って、第１露光装置１による通常ショット領域Ｓｈ１に対する露光処理の後、第２露光装置２による欠けショット領域Ｓｈ２に対する露光処理時に、ウエハＷ上には、液体が残留していることはなく、欠けショット領域Ｓｈ２に対して良好な露光処理を行うことができる。また、液体が残留したウエハＷが第２露光装置２に搬入されることがないので、該液体の蒸発や他の部品等への付着を防止でき、計測誤差の発生や錆の発生等の障害を抑制することができる。

上述した実施形態において、第２露光装置２のウエハステージＷＳ２は、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向への駆動機構に加えて、３６０度の範囲で９０度毎に位置決め可能な回転機構を備えたものであった。この回転機構を設けることにより、ウエハステージＷＳ２のＸおよびＹ軸方向のストロークを小さくでき、ひいては第２露光装置２を小型にできる。

但し、ウエハステージＷＳ２のＸおよびＹ軸方向におけるストロークを拡大してもよい場合には、この回転機構は設けなくてもよい。この場合には、ウエハＷ上の欠けショット領域Ｓｈ２の全てをウエハステージＷＳ２のＸおよびＹ軸方向の移動によって露光処理することができる程度のストロークとする。

ウエハステージＷＳ２のＸおよびＹ軸方向のストロークをこれらの中程度に設定して、回転機構により１８０度の回転を行って、同様に露光処理するようにしてもよい。

また、上述した実施形態では、第２露光装置２について、第２光学系２１は固定されており、ウエハステージＷＳ２によってウエハＷをＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に移動し、Ｚ軸回りに回転させるものとしたが、これらのＸ，Ｙ，Ｚ軸方向の移動およびＺ軸回りの回転のうちの１つ若しくは複数または全部を省略し、第２光学系２１を移動ないし回転させる第２光学系移動機構を設けて、該省略に係るものを、該第２光学系移動機構に負担させるようにしてもよい。

図５は、第２光学系２１を第２光学系移動機構（不図示）によりＸおよびＹ軸方向に移動する構成として、ウエハステージＷＳ２として、Ｚ軸方向の移動およびＺ軸回りの回転を行うものを採用した例である。第２光学系２１がステップ移動しながら、ウエハＷ上の欠けショット領域Ｓｈ２が順次露光される。

また、この図５に示す例では、第２光学系２１と同様の構成を有する第３光学系２１’を設けている。

第３光学系２１’は、ウエハホルダＷＨ２の回転中心に対して、第２光学系２１と略点対称な位置および配置で設置されている。第３光学系２１’は第２光学系移動機構と同様の第３光学系移動機構（不図示）によってＸおよびＹ軸方向に移動できるようになっている。

このように２台の光学系（第２光学系２１、第３光学系２１’）を設けることにより、２つの欠けショット領域Ｓｈ２に対して同時に露光処理を行うことができるとともに、ウエハＷのＺ軸回りの９０度の回転を１回行うだけで、全ての欠けショット領域Ｓｈ２の露光処理が可能となり、欠けショット領域Ｓｈ２の露光処理についてのスループットを向上（約２倍）にすることができる。

また、第２光学系２１と同様の構成の光学系および第２光学系移動機構と同様の構成の移動機構を全部で４つとして、９０度ピッチで配設するようにしてもよく、このようにすれば、ウエハＷをＺ軸回りに回転させる回転機構を設けなくても、全ての欠けショット領域Ｓｈ２を露光処理することが可能となるとともに、４つの欠けショット領域Ｓｈ２に対して同時に露光処理を行うができ、スループットも大幅に向上（約４倍）にすることができる。

上述した実施形態では、第２露光装置２の第２光学系２１は、光路折曲用の３つの反射ミラー（２４，２５，２７）を備えることにより、小型化を図っているが、例えば、図６に示されているように、第２光学系２１を単一の反射ミラーを用いて構成してもよい。

図外の光源からの露光光ＥＬ２は、レンズ系２３、レチクルＲ２、反射ミラー２５、投影レンズ系を有する投影光学系ＰＬ２を介して、ウエハＷ上に導かれる。

なお、図示は省略するが、第２光学系２１は、反射ミラーを一つも用いずに、各光学部材２３，Ｒ２，ＰＬ２等をＺ軸方向に直列に配置した直胴型に構成してもよい。

また、図３または図５では、アライメントセンサＡＳ２は２つ設けていたが、ウエハステージＷＳ２がＸおよびＹ軸方向に移動可能である場合には、図６に示すように、単一のアライメントセンサＡＳ２としてもよい。

上述した実施形態では、第２露光装置２の第２光学系２１には、光源からの光をライトガイド２２を用いて導入していたが、図７に示されているように、光源ＬＳからの光をリレーレンズ系Ｌ１，Ｌ２を介して導入するようにしてもよい。

また、上述した実施形態では、互いに独立した第１露光装置１と第２露光装置２とを備える露光システムについて説明したが、第２露光装置２を露光ユニットとして、第１露光装置１に付属させて全体として露光装置を構成してもよい。この場合において、ウエハステージＷＳ１とウエハステージＷＳ２とを一体として、２つのウエハテーブルを備える、いわゆるツインステージとしてもよい。

また、このような第２露光装置２を、図７に示されているように、上述した露光システムに隣接して配置されるコータ／デベロッパＣ／Ｄ内でウエハＷを搬送する搬送ユニットＴＵに隣接して配置、即ちコータ／デベロッパＣ／Ｄの一部として付属させるようにしてもよい。

なお、図７においては、アライメントセンサＡＳ２、ＡＦセンサＡＦ２（１１，１２）は、図３等に示したものと同様であるが、追加的に、ウエハＷ上に形成されたパターンの線幅を計測する線幅計測ユニットＭＵを備えている。

線幅を計測した結果が設計値に対して良好でない場合には、第２露光装置２がコータ／デベロッパＣ／Ｄ内にあるため、ウエハＷに対して、直ちにレジストの剥離、レジストの再塗布を実施して、第１露光装置１へ送り、第１露光装置１による露光条件等を適宜に変更して露光処理（再利用）することができ、便宜である。

次に、本発明の実施形態の露光システムを使用したデバイスの製造方法について説明する。図８は、本発明の実施形態に係る露光システムを用いたデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産のフローチャートである。

図８に示されるように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、デバイスの機能、性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（レチクル製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。

一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。

次に、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したレチクルとウエハを使用して、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）を行う。このステップ１３では、ウエハ上に感光性材料（フォトレジスト）を塗布して感光性基板とするレジスト塗布処理、上述した露光システム（第１露光装置１、第２露光装置２）を用いた露光処理（通常ショット領域および欠けショット領域への露光処理）、現像処理（露光された感光性基板を現像し、露光されたパターンに対応する形状のマスク層を感光性基板の表面に形成する処理）、およびエッチング処理（該マスク層を介して感光性基板の表面を加工する処理）、必要に応じてＣＭＰ処理等の処理を複数回行って、ウエハ上に回路を形成する。

次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてチップ化する。このステップＳ１４には、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程が含まれる。

最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、製造されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

本発明の実施形態の露光システムの全体構成を模式的に示す図である。 本発明の実施形態のウエハ上に設定される通常ショット領域および欠けショット領域を説明するための図である。 本発明の実施形態の第２露光装置の光学系およびウエハステージの要部の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態の第２露光装置のウエハテーブルの平面図である。 本発明の実施形態の第２露光装置の光学系およびウエハステージの他の構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態の他の光学系を有する第２露光装置の構成を示す図である。 本発明の実施形態の更に他の光学系を有する第２露光装置の構成およびコータ／デベロッパ内に設置した場合の例を示す図である。 本発明の実施形態のデバイス製造工程を示すフローチャートである。

符号の説明

１…第１露光装置、２…第２露光装置（露光ユニット）、３…ウエハ搬送ユニット、４…液体除去ユニット、５…検査ユニット、Ｗ…ウエハ、Ｒ１，Ｒ２…レチクル、ＷＳ１，ＷＳ２…ウエハステージ。

Claims (13)

1. 液体を介して基板上の第１領域を第１露光光で露光する第１光学系を備えた露光装置とともに使用される露光ユニットであって、
   前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域に第２露光光で露光する第２光学系と、
   前記第１光学系と前記第２光学系との間で前記基板を搬送する搬送装置による前記基板の搬送経路内に設けられ、前記第１光学系による前記第１領域に対する露光処理が行われた前記基板上の少なくとも前記第２領域を含む部分から液体を除去する液体除去装置と、
   を備えることを特徴とする露光ユニット。
2. 前記搬送装置による前記搬送経路内に設けられ、前記基板上の少なくとも前記第２領域を含む部分への前記液体の残留付着を検出する検査装置を、更に備えることを特徴とする請求項１に記載の露光ユニット。
3. 前記第１領域は前記基板のエッジ部を含まない内側の領域であり、
   前記第２領域は前記基板の前記エッジ部を含む外側の領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の露光ユニット。
4. 前記第２光学系は、ラインパターンが所定ピッチで形成されたライン・アンド・スペースパターンを露光することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の露光ユニット。
5. 前記第２光学系は、該第２光学系と前記基板との間に存在する気体を介して前記第２領域を露光することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の露光ユニット。
6. 前記液体除去装置は、前記第１光学系による前記第１領域に対する露光処理が行われた前記基板上の少なくとも前記第２領域を含む前記部分に気体を吹き付ける気体吹付装置を備えることを特徴とする請求項５に記載の露光ユニット。
7. 基板上の複数の領域を露光する露光装置において、
   前記基板を保持して２次元平面内を移動可能な基板保持可動体と、
   前記基板を保持する保持機構と、
   前記保持機構から前記基板保持可動体に前記基板を移動する搬送装置と、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の露光ユニットと、
   を備えることを特徴とする露光装置。
8. 基板上の第１領域を第１露光光で露光する第１光学系を備えた露光装置と、
   前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域を露光するための請求項１〜６の何れか一項に記載の露光ユニットとを備えることを特徴とする露光システム。
9. 液体を介して、基板上の第１領域を第１露光光で露光する第１露光工程と、
   前記第１露光工程の後、前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域を少なくとも含む部分から液体を除去する液体除去工程と、
   前記液体除去工程の後、前記基板上の前記第２領域を第２露光光で露光する第２露光工程と、
   を含むことを特徴とする露光方法。
10. 前記液体除去工程の後であって、前記第２露光工程の実施前に、前記基板上の前記第２領域を少なくとも含む部分への前記液体の残留付着を検出する検査工程を、更に含むことを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
11. 前記第２露光工程では、前記第２光学系と前記基板との間に存在する気体を介して前記第２領域を露光することを特徴とする請求項９または１０に記載の露光方法。
12. 前記液体除去行程は、前記露光装置による前記第１領域に対する露光処理が行われた前記基板上の少なくとも前記第２領域を含む前記部分に気体を吹き付ける気体吹付工程を備えることを特徴とする請求項１１に記載の露光方法。
13. デバイスの製造方法であって、
    感光性基板を準備する工程と；
    請求項９〜１２の何れか一項に記載の露光方法を用い、前記感光性基板上の前記第１および第２領域にそれぞれ所定のパターンを露光する工程と；
    露光された前記感光性基板を現像し、前記露光されたパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する工程と；
    前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する工程と；
    を備えることを特徴とするデバイス製造方法。

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