TW201539020A

TW201539020A - 保護膜、保護膜的使用方法以及具有保護膜的透明導電性基板

Info

Publication number: TW201539020A
Application number: TW104107723A
Authority: TW
Inventors: Fuminori Ikeda
Original assignee: Lintec Corp
Priority date: 2014-03-31
Filing date: 2015-03-11
Publication date: 2015-10-16
Also published as: JP2015193099A; CN104946145A

Abstract

一種保護膜，係於在基板的單面設置有導電層之透明導電性基板的單面或雙面配置，該保護膜係具備有：黏著層，係與該透明導電性基板相對向配置；基材，係由聚酯膜所構成；以及帶電防止層，係配置於該黏著層與該基材之間。

Description

保護膜、保護膜的使用方法以及具有保護膜的透明導電性基板

本發明係有關於一種保護膜、保護膜的使用方法以及具有保護膜的透明導電性基板。詳細而言，本發明係關於一種用以保護透明導電性基板的表面之保護膜、保護膜的使用方法以及具有保護膜的透明導電性基板。

本發明係依據2014年3月31日於日本所申請之日本特願2014-071410號主張優先權，並將其內容援用於此。

以往，透明導電性基板係廣泛作為觸控面板、液晶顯示裝置、有機電致發光(有機EL(electroluminescence))裝置、電漿顯示器面板(PDP；plasma display panel)、太陽電池等製品的材料來使用。作為透明導電性基板，一般係使用於基板的單面設置有導電層之基板。以透明導電性基板的基板而言，係使用聚酯(polyester)等膜(film)或玻璃。此外，通常導電層係使用ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)。

在製造透明導電性基板時，係進行用以將透明導電性基板的導電層予以結晶化之步驟、將基板的歪曲予以矯正之步驟、將透明導電性基板的導電層予以圖案化(patterning)之步驟、以及於透明導電性基板上形成電極之步驟等。在這些步驟中，有於透明導電性基板的表面附著異物或髒污之虞。當於透明導電性基板的表面附著異物或髒污時，會有對製品的品質產生不好的影響之情形。

因此，以往，於透明導電性基板的表面貼附保護膜，防止異物或髒污附著於透明導電性基板的表面。

此外，在透明導電性基板的基板為聚酯等膜之情形，亦有貼附保護膜作為用以對基板賦予剛性之支撐體之情形。

以貼附於透明導電性基板的表面之保護膜而言，已知有一種保護膜，係於基材膜的單面側設置有黏著劑層，並於另一面側設置有帶電防止層(antistatic layer)(參照例如專利文獻1)。在專利文獻1所記載的保護膜中，藉由設置帶電防止層，抑制在加熱環境下存在於保護膜的基材膜中之低聚物(oligomer)析出至基材膜之與黏著劑層相反側的面。並且，防止所析出的低聚物造成之保護膜的白濁化。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特許第4137551號公報

保護膜係在無需再保護透明導電性基板的表面之階段從透明導電性基板的表面被剝離。然而，在將導電層予以結晶化之步驟或將歪曲予以矯正之步驟中對貼附有專利文獻1所記載的保護膜之透明導電性基板進行熱處理時，會有存在於保護膜的基材膜中之低聚物通過保護膜的黏著劑層轉移至透明導電性基板的表面而污染透明導電性基板的表面之情形。

此外，於剝離保護膜時產生靜電。此外，有於剝離時的透明導電性基板上形成有具有經過圖案化的配線之電路等之情形。因此，保護膜被要求很高的帶電防止性能，以避免因為伴隨保護膜的剝離之靜電而破壞透明導電性基板上的電路等。

此外，專利文獻1所記載的保護膜係以黏著劑層、基材膜以及帶電防止層之順序積層而成。亦即，於保護膜的帶電防止層與透明導電性基板之間配置有屬於低導電性材料之基材膜。因此，在專利文獻1所記載的保護膜中，在剝離保護膜時難以獲得高的帶電防止性能。

本發明係有鑑於上述問題而研創者，其課題在於提供一種保護膜、保護膜的使用方法以及具有保護膜的透明導電性基板，即使對已貼附有保護膜的透明導電性基板進行熱處理，亦不易產生低聚物從構成保護膜之基材通過黏著層轉移至透明導電性基板之情形，且在剝離保護膜時具有高的帶電防止性能。

本案發明人們為了解決上述課題，進行了仔細地檢討。結果，研究出將帶電防止層配置於黏著層與基材之間來構成保護膜，藉此即使對已貼附有保護膜的透明導電性基板進行熱處理，亦不易產生低聚物從構成保護膜之基材通過黏著劑層轉移至透明導電性基板之情形，且成為具有高的帶電防止性能之保護膜，從而創作出本發明。

亦即，本發明係如下所述。

(1)一種保護膜，係於在基板的單面設置有導電層之透明導電性基板的單面或雙面配置，該保護膜係具備有：黏著層，係與前述透明導電性基板相對向配置；基材，係由聚酯膜所構成；以及帶電防止層，係配置於前述黏著層與前述基材之間。

(2)如(1)所記載之保護膜，其係配置於前述透明導電性基板中之與配置有前述導電層之面相反側的面。

(3)一種保護膜的使用方法，係如(1)所記載之保護膜的使用方法，且包含有：貼合步驟，係於前述透明導電性基板的單面或雙面以使前述保護膜的黏著層與前述透明導電性基板相對向之方式貼合前述透明導電性基板與前述保護膜而成為積層體；熱處理步驟，係將前述積層體予以熱處理；以及剝離步驟，係從前述積層體剝離前述保護膜。

(4)如(3)所記載之保護膜的使用方法，其中前述貼合步驟係於前述透明導電性基板中之與配置前述導電層之面相反側之面，以使前述保護膜的黏著層與前述透明導電性基板相對向之方式貼合前述透明導電性基板與前述保護膜而成為積層體之步驟。

(5)如(3)或(4)所記載之保護膜的使用方法，其中前述熱處理步驟中的熱處理溫度為120℃至150℃。

(6)如(3)或(4)所記載之保護膜的使用方法，其中前述熱處理步驟係選自將前述透明導電性基板的導電層予以結晶化之步驟、將前述基板的歪曲予以矯正之步驟、以及將已印刷於前述透明導電性基板上的電極材料予以燒製之步驟中的至少一個步驟。

(7)一種保護膜的使用，係用以保護於基板的單面設置有導電層之透明導電性基板，前述保護膜係具備有黏著層、由聚酯膜所構成的基材、以及配置於前述黏著層與前述基材之間的帶電防止層，該保護膜的使用係包含有：以使前述黏著層與前述透明導電性基板相對向之方式將前述保護膜貼合於前述透明導電性基板的單面或雙面。

(8)如(7)所記載之保護膜的使用，其中係於前述透明導電性基板中之與配置有前述導電層之面相反側的面貼合前述保護膜。

(9)一種具有保護膜的透明導電性基板，係於基板的單面設置有導電層之透明導電性基板的單面或雙面配置有如(1)或(2)所記載的保護膜。

本發明實施形態之一的保護膜係具備有：黏著層，係與透明導電性基板相對向配置；基材，係由聚酯膜所構成；以及帶電防止層，係配置於前述黏著層與前述基材之間。

此外，本發明實施形態之一的保護膜的另一種態樣為：一種保護膜，係用以保護於基板的單面設置有導電層之透明導電性基板，前述保護膜係包含有黏著層、由聚酯膜所構成的基材、以及帶電防止層，前述帶電防止層係配置於前述黏著層與前述基材之間。

此外，本發明的另一態樣為一種保護膜的使用，係用以保護於基板的單面設置有導電層之透明導電性基板，前述保護膜係具備有黏著層、由聚酯膜所構成的基材、以及配置於前述黏著層與前述基材之間的帶電防止層，該保護膜的使用係包含有：以使前述黏著層與前述透明導電性基板相對向之方式將前述保護膜貼合於前述透明導電性基板的單面或雙面。

因此，在已將貼附有本發明實施形態之一的保護膜之透明導電性基板予以熱處理之情形，藉由帶電防止層防止存在於構成保護膜之基材的聚酯膜中的低聚物通過黏著層轉移至透明導電性基板的表面。因此，依據本發明，能防止將貼附有保護膜的透明導電性基板予以熱處理所造成之透明導電性基板表面的污染。

此外，在使本發明實施形態之一的保護膜貼附於透明導電性基板之情形，成為於構成前述保護膜之基材與前述透明導電性基板之間配置有帶電防止層之狀態。因此，依據本發明的保護膜，與例如將保護膜貼附於透明導電性基板時於帶電防止層與透明導電性基板之間配置導電性低的基材之狀態相比，能在保護膜的透明導電性基板側的面獲得高的帶電防止性能。

因此，能防止將保護膜從透明導電性基板的表面剝離時破壞形成於透明導電性基板上的電路等。此外，能防止因為保護膜帶電所吸引的異物附著於透明導電性基板。

此外，依據本發明實施形態之一的保護膜的使用方法，能藉由保護膜防止異物或髒污附著於透明導電性基板的表面，且能防止將貼附有保護膜的透明導電性基板予以熱處理所造成之透明導電性基板表面的污染，並能防止將保護膜從透明導電性基板的表面剝離時破壞形成於透明導電性基板上的電路等。

1‧‧‧黏著層

1a‧‧‧面

2‧‧‧基材

3‧‧‧帶電防止層

4‧‧‧剝離片

5‧‧‧基板

6‧‧‧導電層

6a‧‧‧配線

8‧‧‧紫外線硬化樹脂層

8a‧‧‧遮罩

9‧‧‧電極

10‧‧‧保護膜

20‧‧‧透明導電性基板

A1、A2‧‧‧具有保護膜的透明導電性基板

圖1係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的一例之剖面示意圖。

圖2係用以說明本發明實施形態之一的具有保護膜的透明導電性基板的一例之剖面示意圖。

圖3係用以說明本發明實施形態之一的具有保護膜的透明導電性基板的另一例之剖面示意圖。

圖4A係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的使用方法的一例之步驟圖的一部分。

圖4B係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的使用方法的一例之步驟圖的一部分。

圖4C係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的使用方法的一例之步驟圖的一部分。

圖4D係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的使用方法的一例之步驟圖的一部分。

以下詳細說明本發明的實施形態之一的保護膜以及保護膜的使用方法。又，以下說明中所例示的材料和尺寸等僅為一例，本發明並未限定於下述說明。在未變更發明的精神之範圍內，本發明可適當地變更並實施。

[保護膜]

圖1係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的一例之剖面示意圖。圖1所示的保護膜10係配置於透明導電性基板的單面或雙面。保護膜10係具備有黏著層1、基材2、以及配置於黏著層1與基材2之間的帶電防止層3。此外，如圖1所示，於保護膜10之黏著層1側的面設置有剝離片4，該剝離片4係用以保護黏著層1之與透明導電性基板相對向配置之側的面1a(在圖1中為上面)。

亦即，本發明實施形態之一的保護膜1的一個態樣為：保護膜係具備有黏著層、基材、以及配置於黏著層與基材之間的帶電防止層。前述保護膜亦可於前述黏著層中之與配置有前述帶電防止層之側的面相反側的面側進一步設置剝離片。

(基材)

基材2係包含有聚酯膜之基材。

以使用於基材2之聚酯而言，能例舉使二羧酸(dicarboxylic acid)或其酯以及二醇(glycol)聚縮合(polycondensation)所製造之聚酯。

以二羧酸而言，能例舉對苯二甲酸(terephthalic acid)、間苯二甲酸(isophthalic acid)、2,6-二羧基萘(2,6-naphthalenedicarboxylic acid)、己二酸(adipic acid)、癸二酸(sebacic acid)、4,4’-聯苯二甲酸(4,4'-diphenyldicarboxylic acid)、1,4-環己基二甲酸 (1,4-cyclohexyldicarboxylic acid)等。

此外，以二醇而言，能例舉乙二醇(ethylene glycol)、二乙二醇(diethylene glycol)、三乙二醇(triethylene glycol)、丙二醇(propylene glycol)、1,4-丁二醇(1,4-butanediol)、新戊二醇(neopentyl glycol)、1,4-環己烷二甲醇(1,4-cyclohexanedimethanol)等。

以使二羧酸或其酯以及二醇聚縮合之方法而言，可任意地使用以往公知的方法來製造，具體而言，例如能使用以下的方法。首先，藉由在芳香族二羧酸(aromatic dicarboxylic acid)的烷基酯(alkyl ester)與二醇之間使酯交換反應之方法，生成芳香族二羧酸的二乙二醇酯(bis-glycol ester)或其聚合物(polymer)。此外，芳香族二羧酸的二乙二醇酯或其低聚合物(low polymer)亦可藉由使芳香族二羧酸與二醇直接酯化之方法來生成。之後，在減壓狀態下將芳香族二羧酸的二乙二醇酯或其低聚合物予以加熱使其聚縮合。

以使用於基材2之聚酯而言，較佳為使用低聚物含量較少者。在此所謂的「低聚物」係指藉由將基材2加熱而從屬於基材2的材料之聚酯分離析出之聚酯來源的複數種低分子化合物(能例舉例如環狀三聚體(cyclic trimer))。所謂「低聚物含量較少」係指例如相對於聚酯的總質量，低聚物的含量為1.5質量%以下。低聚物含量較少的聚酯係例如藉由進行用以在減壓狀態下或惰性氣體流通狀態下於180℃至240℃的溫度將聚酯的切片(chip)保持1小時至20小時之固態聚合(solid state polymerization)而獲得。

以使用於基材2之聚酯而言，較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚2,6萘二甲酸乙二酯(polyethylene 2,6-naphthalate)、聚對苯二甲酸1,4-環己烷二甲醇酯(Polycyclohexylenedimethylene terephthalate；PCT)，尤其較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯。

作為基材2來使用的聚酯膜，除了聚酯之外，亦可因應需要含有添加劑。例如在提升製造作為基材2來使用的聚酯膜時之行進性等目的下，作為基材2來使用的聚酯膜亦可含有粒子。以粒子而言，能例舉：碳酸鈣、高嶺土(kaolin)、二氧化矽(silica)、氧化鋁(aluminium oxide)、氧化鈦、鋁礬土(alumina)、硫酸鋇等無機粒子；丙烯酸樹脂(acrylic resin)、三聚氰二胺樹脂(guanamine resin)等有機粒子；使觸媒殘渣(catalyst residue)粒子化後的析出粒子等。此外，除了該等粒子之外，使用於基材2的聚酯膜亦可包含有各種安定劑、潤滑劑、帶電防止劑等。

亦即，作為基材2來使用的聚酯膜係能因應需要而包含有聚酯以及添加劑。

在包含有前述添加劑之情形時，相對於基材的總質量，前述添加劑的含量較佳為0.0005質量%至1.0質量%。

以使用於基材2之聚酯膜的形成方法而言，能使用以往廣為人知的公知製膜法，並無特別限制。例如使用於基材2之聚酯膜能以下述方法形成。首先，將聚酯的切片予以熔解，藉由輥延伸法(roll stretching method)以60℃至120℃延伸至2至6倍，獲得單軸延伸聚酯膜。接著，在拉幅機(tenter)內於與先前的延伸方向呈直角的方向，以80℃至130℃將單軸延伸聚酯膜延伸至2至6倍。再者，以150℃至250℃對聚酯膜進行1至600秒的熱處理(熱固定)。

使用於基材2之聚酯膜係可為單層，亦可為多層構造。在多層構造的聚酯膜之情形，屬於各層的材料之聚酯亦可分別為不同的聚酯，或者多層構造的一部分或全部亦可為相同的聚酯。

基材2的厚度較佳為12μm至188μm。

(帶電防止層)

帶電防止層3係配置於黏著層1與基材2之間。帶電防止層3係藉由使用公知技術於基材2上塗布含有帶電防止劑之塗布液並使塗布液乾燥之方法所獲得。此外，含有帶電防止劑之塗布液亦可塗布於成為基材2之製造途中的聚酯膜上。

以使用於帶電防止層3之帶電防止劑而言，能使用：聚3,4-二氧乙基噻吩(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)；PEDOT)、聚苯乙烯磺(polystyrensulfonate；PSS)等導電性聚合物；氧化錫、氧化銦等導電性微粒子；陰離子(Anion)性或陽離子(Cation)性的化合物等。此外，以帶電防止劑而言，為了獲得良好的帶電防止性能，亦可使用於分子中的主鏈或側鏈具有季銨鹼(quaternary ammonium base)之化合物。

以具有季銨鹼之化合物而言，具體而言能例舉：吡咯啶環(pirorijiumu ring)、烷基胺(alkylamine)的四級化合物(quaternary compound)、將該等與丙烯酸或甲基丙烯酸(metacrylic acid)予以共聚後的化合物、N-烷胺基丙烯醯胺(N-alkylamino acrylamide)的四級化合物、乙烯苄基三甲基銨鹽(Vinyl benzyl trimethyl ammonium salts)、2-羥基-3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲基銨鹽(2-hydroxy-3-(methacryloyloxy)propyl trimethylammonium salts)等。

作為帶電防止劑來使用之具有季銨鹼之化合物較佳為高分子化合物。具有季銨鹼之化合物的數平均分子量較佳為1000以上，更佳為2000以上，最佳為5000以上。此外，由於具有季銨鹼之化合物的分子量較高，故為了防止含有帶電防止劑之塗布液的黏度變得過高，數平均分子量較佳為500000以下。

亦即，具有季銨鹼之化合物的數平均分子量較佳為 1000以上500000以下，更佳為2000以上500000以下，最佳為5000以上500000以下。

為了提升帶電防止層3的黏結(blocking)性，除了帶電防止劑之外，亦可於含有帶電防止劑之塗布液中含有選自由聚烯烴(polyolefin)系樹脂及氟系樹脂所構成的群組中的至少一種樹脂。

再者，為了謀求塗布液的塗布性之提升，除了帶電防止劑以及選自由聚烯烴系樹脂及氟系樹脂所構成的群組中的至少一種樹脂之外，亦可於含有帶電防止劑之塗布液中含有一種或兩種以上的黏合劑樹脂(binder resin)。

相對於塗布液的總質量，塗布液中的帶電防止劑的含量較佳為0.1質量%至10質量%。

在前述塗布液含有選自由聚烯烴系樹脂及氟系樹脂所構成的群組中的至少一種樹脂之情形，相對於塗布液的總質量，前述樹脂的含量較佳為1質量%至30質量%。

在前述塗布液中含有黏合劑樹脂之情形，相對於塗布液的總質量，前述樹脂的含量較佳為10質量%至90質量%。

以黏合劑樹脂而言，能例舉例如聚酯、聚胺酯(polyurethane)、丙烯酸樹脂、乙烯基樹脂(vinyl resin)、環氧樹脂、醯胺基樹脂(amido resin)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)等。該些黏合劑樹脂亦可為骨架構造藉由共聚等而具有複合構造之樹脂。

以具有複合構造的黏合劑樹脂而言，能例舉例如丙烯酸樹脂接枝(graft)聚酯、丙烯酸樹脂接枝聚胺酯、乙烯基樹脂接枝聚酯、乙烯基樹脂接枝聚胺酯等。

帶電防止層3亦可包含有交聯反應性化合物。交聯反應性化合物係藉由使含有帶電防止劑的塗布液中含有交聯劑並使交聯劑與塗布液中所含有的化合物的官能基進行交聯反應而獲得。藉由使塗布液中含有交聯劑，而改良帶電防止層3的黏結性、耐水性、耐溶劑性、機械性強度等。

以交聯劑而言，能例舉三氯氫胺(melamine)系交聯劑和環氧系交聯劑。以三氯氫胺系交聯劑而言，能例舉已經過烷基醇(alkylol)或烷氧基烷基醇(alkoxyalkylol)化之屬於三氯氫胺系化合物之甲氧基甲基(methoxymethyl)化三氯氫胺、丁氧基甲基(butoxymethyl)化三氯氫胺等，亦可使用已於三氯氫胺的一部分將尿素等予以共縮合的交聯劑。以環氧系交聯劑而言，較佳為使用具有水溶性或水溶化率50%以上的環氧基之化合物。

以添加於塗布液中的交聯劑的量而言，較佳為相對於前述塗布液的總質量為0.01質量%至10質量%。

帶電防止層3亦可因應需要含有消泡劑、塗布性改良劑、增黏劑、有機系潤滑劑、有機粒子、無機粒子等添加劑的至少一種成分。

添加劑的含量較佳為相對於帶電防止層3的總質量為 0.01質量%至1質量%。

保護膜10係藉由於黏著層1與基材2之間具有帶電防止層3而能獲得優異的帶電防止性能。

具體而言，保護膜10的黏著層1側的表面電阻率為1×10¹³Ω以下，較佳為1×10¹²Ω以下。在黏著層1側的表面固有電阻為1×10¹³Ω以下之情形，能有效地防止因為伴隨保護膜10的剝離之靜電而破壞透明導電性基板上的電路等。此外，能防止因為保護膜10帶電所吸引的異物附著於透明導電性基板。

此外，在此所謂的「表面電阻率」係依據JISK6911在23℃ 50%RH(相對濕度)環境下使用表面電阻測量機(ADVANTEST股份有限公司製造，商品名稱為R8252 DIGITAL ELECTROMETER)進行測量而獲得。

此外，從透明導電性基板剝離保護膜10時的剝離帶電壓較佳為0.5kV以下，更佳為0.1kV以下。

此外，在此所謂的「剝離帶電壓」係例如在23℃ 50%RH(相對濕度)環境下使用靜電電位測量器(裝置名稱為STATION-M2，SHISHIDO ELECTROSTATIC,LTD.製造)測量從透明導電性基板剝離保護膜10時之從前述透明導電性基板離開50mm位置的靜電電位而獲得。

此外，屬於本發明實施形態之一的保護膜10較佳為具有耐低聚物性，該耐低聚物性係指：將貼合有透明導電性基板與保護膜10之積層體予以熱處理後，剝離保護膜10 並使用數位顯微鏡以450倍倍率觀察被前述保護膜10貼附之側的前述透明導電性基板的表面時，不會於前述透明導電性基板的表面確認到低聚物的析出之程度。

帶電防止層3的厚度在乾燥厚度下較佳為0.003μm至1.5μm，更佳為0.005μm至0.5μm。當帶電防止層3的厚度為0.003μm以上時，能獲得充分的帶電防止性能。此外，當將帶電防止層3的厚度設為1.5μm以下時，能防止黏結。

(黏著層)

黏著層1為與被貼附保護膜10之透明導電性基板相對向配置之層。亦即，黏著層1係在保護膜10被貼附於透明導電性基板時以與前述透明導電性基板相對向配置之層。黏著層1係在於基材2上形成帶電防止層3後才形成於帶電防止層3中之與形成有基材2之面側相反側的面。黏著層1的形成方法並無特別限制。以黏著層1的形成方法而言，例如能使用下述方法(轉印法)：於經過矽酮(silicone)處理的聚酯膜上塗布含有黏著劑的組成物並使該組成物乾燥藉此形成黏著皮膜後，將所獲得的黏著皮膜轉印至帶電防止層3上。此外，以黏著層1的成形方法而言，亦可使用下述方法(直印法)：直接於帶電防止層3上塗布含有黏著劑的組成物並使該組成物乾燥。

以含有黏著劑的組成物中所含有的黏著劑而言，並無特別限定，能使用丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺甲酸乙酯(urethane)系黏著劑等常用的黏著劑。在上述黏著劑中，較佳為熱處理後黏著力不會變高之黏著劑。以含有黏著劑的組成物中所含有的黏著劑而言，較佳為使用能藉由組成輕易地控制黏著力之丙烯酸系黏著劑。

丙烯酸系黏著劑為以交聯劑使具有交聯性官能基之丙烯酸酯共聚物交聯之黏著劑。

具有交聯性官能基之丙烯酸酯共聚物係已將具有黏著性的主單體(monomer)與具有交聯性官能基的單體予以共聚之共聚物。

為了提升凝聚力，亦可進一步將乙酸乙烯酯(vinyl acetate)、苯乙烯(styrene)、丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)、丙烯腈(acrylonitrile)等予以共聚。

以具有黏著性的主單體而言，能例舉丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸2-乙基己酯(2-ethylhexyl acrylate)、丙烯酸丁酯(butyl acrylate)等。

以交聯性官能基而言，能例舉羥基(hydroxyl group)、羧基(carboxyl group)、環氧基、醯胺基(amido group)等。

以含有羥基的單體而言，能例舉甲基丙烯酸-2-羥基乙基(methacrylic acid 2-hydroxyethyl)、甲基丙烯酸-2-羥基丁基(methacrylic acid 2-hydroxybutyl)、N-羥甲基丙烯醯胺(N-methylolacrylamide)等。

以具有羧基的單體而言，能例舉丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸(itaconic acid)等。

以具有環氧基的單體而言能例舉甲基丙烯酸環氧丙基(methacrylic acid glycidyl)等，以含有醯胺基的單體而言，能例舉丙烯醯胺(acrylamide)、甲基丙烯醯胺(methacrylamide)等。

丙烯酸酯共聚物中之具有交聯性官能基的單體的比例並無特別限制，但相對於具有上述黏著性的主單體100質量分，具有交聯性官能基的單體較佳為0.1質量分至12質量分的比例，更佳為0.5質量分至10量分的比例。

丙烯酸酯共聚物較佳為包含有用以與具有交聯性官能基的單體的官能基進行交聯反應之交聯劑。

以交聯劑而言，能例舉環氧系交聯劑、異氰酸鹽(isocynate)系交聯劑、亞胺(imine)系交聯劑、金屬螯合(metal chelate)系交聯劑等。此外，以交聯劑而言，亦可使用聚醯胺(polyamide)化合物、三氯氫胺樹脂、尿素樹脂、環氧樹脂等。在該等交聯劑中，較佳為使用異氰酸鹽系交聯劑。

交聯劑相對於丙烯酸酯共聚物之比例並無特別限制，較佳為相對於丙烯酸酯共聚物100質量分(固體含量)，以固體含量包含有0.01質量分至10質量分的交聯劑，更佳為以固體含量包含有3質量分以上8質量分以下的交聯劑。

此外，在形成黏著層1時所使用之含有黏著劑的組成物亦可因應需要而包含有黏著賦予劑、可塑劑、填充劑、氧化防止劑、紫外線吸收劑、矽烷偶合劑(silane coupling agent)等。

黏著層1的厚度並無特別限定，較佳為3μm至100μm，更佳為5μm至40μm。當黏著層1的厚度為3μm以上時，黏著層1能獲得充分的黏著力。此外，當黏著層1的厚度為100μm以下時，能防止黏著層1的黏著力變得過高而難以將保護膜從透明導電性基板的表面剝離。

(剝離膜)

剝離片4(在本說明書中亦有稱為「剝離膜」之情形)係用以保護黏著層1中之與透明導電性基板相對向配置之側的面1a(在圖1中為上表面)。亦即，剝離片4係用以保護在將保護膜10貼附於透明導電性基板時的黏著層1中之與前述透明導電性基板相對向配置之側的面1a之片。

以剝離片4而言，能使用例如塑膠膜、紙、布、不織布、網(net)、發泡片、金屬箔、以及該等的層疊(laminate)體等。以剝離片4而言，在該等中較佳為使用表面平滑性優異的塑膠膜。

以塑膠膜而言，較佳為使用聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜等。

為了進一步提升剝離片4從黏著層1的剝離性，較佳為於剝離片4的表面塗布脫模劑(mold releasing agent)。以脫模劑而言，較佳為使用矽酮系、氟系、長鏈烷基(long-chain alkyl)系、或者脂肪酸醯胺(fatty acid amide)系的脫模劑。

此外，亦可因應需要於剝離片4的表面進行二氧化矽粉等所為之脫模及防污處理或帶電防止處理等。

剝離片4的厚度較佳為5μm至200μm，更佳為5μm至100μm。

「具有保護膜的透明導電性基板」

圖2係用以說明本發明實施形態之一的具有保護膜的透明導電性基板的一例之剖面示意圖。圖2所示之具有保護膜的透明導電性基板A1係於透明導電性基板20的單面配置有圖1所示的保護膜10。

圖2所示的透明導電性基板20係作為觸控面板、液晶顯示裝置、有機電致發光(有機EL)裝置、電漿顯示器面板(PDP)、太陽電池等製品的材料來使用。

如圖2所示，透明導電性基板20係具備有基板5以及設置於基板5的單面(在圖2中為上表面)之導電層6。於透明導電性基板20中之與配置有導電層6之面相反側的面貼附有圖1所示的保護膜10。因此，如圖2所示，透明導電性基板20的基板5與保護膜10的黏著層1係相對向配置並黏著。

以透明導電性基板20的基板5而言，較佳為使用膜或玻璃。在將透明導電性基板20作為觸控面板、液晶顯示裝置、有機電致發光(有機EL)裝置、電漿顯示器面板(PDP)、太陽電池等製品的材料來使用之情形，較佳為使用透明材料作為基板5。

以作為基板5來使用之膜的材料而言，例如可例示：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)等聚酯；聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚苯乙烯(polystyrene)或丙烯腈‧苯乙烯共聚物(styrene copolymer)(AS樹脂)等苯乙烯聚合物；具有聚碳酸酯(polycarbonate)、聚乙烯、聚丙烯、環(cyclo)系甚至是降莰烯(norbornene)構造之聚烯烴；如乙烯‧丙烯共聚物之聚烯烴等；能使用該等的一種或兩種以上的組合。

在基板5亦可於與配置有導電層6之面相反側的面設置選自硬塗層(hard coat layer)及防眩光層(anti-glare layer)所構成的群組的至少一個層。

硬塗層係能藉由於基板5中之與配置有導電層6之面相反側的面塗布硬塗劑而獲得。以硬塗劑而言，能使用紫外線(UV)及電子射線硬化型塗料、矽酮系硬塗劑、偶磷氮(phosphazene)樹脂系硬塗劑等。在上述硬塗劑中，從材料成本、形成硬塗層之步驟上的容易性、以及組成的自由度等點而言，較佳為使用UV硬化型塗料。UV硬化型塗料係能使用乙烯基聚合型、聚硫醇(polythiol)‧多烯(polyene)型、環氧型、胺基(amino)‧醇酸(alkyd)型的塗料等。

防眩光層係具有防止光眩、防止反射等功能。以防眩光層而言，係能例舉例如利用折射率差之層，或者於表面形成微細的凹凸形狀而成之層等。

基板5的厚度並無特別限制，較佳為10μm至1000μm，更佳為20μm至500μm。

在具有硬塗層之情形，前述的硬塗層的厚度係無特別限制，較佳為0.1μm至10μm。

在具有防眩光層之情形，前述防眩光層的厚度係無特別限制，較佳為0.01μm至10μm。

以導電層6而言，雖無特別限定，但較佳為由ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)、錫‧銻(antimony)、鋅、錫的氧化物等的金屬氧化物的薄膜所構成之層，或者由金、銀、鈀(palladium)、鋁等的金屬的極薄膜所構成的層。

導電層6係例如能藉由於基板5上進行濺鍍之方法等所形成。此外，導電層6係可在將保護膜10貼附於基板5之前形成，亦可為將保護膜10貼附至基板5之後形成。

導電層6的厚度並無特別限制，較佳為5nm以上，更佳為10nm至200nm。

以將保護膜10貼附於透明導電性基板20的基板5上之方法而言，能例舉下述方法。首先，將設置於保護膜10之與透明導電性基板20相對向配置之側的面1a上的剝離片4(參照圖1)剝離。接著，使透明導電性基板20的基板5與保護膜10的黏著層1相對向，將透明導電性基板20與保護膜10貼合而成為具有保護膜的透明導電性基板A1(積層體)。之後，因應需要將具有保護膜的透明導電性基板A1予以加熱、加壓、或者加熱及加壓。加熱溫度較佳為例如120℃至150℃，加熱時間較佳為例如20分鐘至90分鐘。

(其他例子)

圖3係用以說明本發明實施形態之一的具有保護膜的透明導電性基板的另一例之剖面示意圖。圖3所示的具有保護膜的透明導電性基板A2係於透明導電性基板20的雙面配置有圖1所示的保護膜10。

以將保護膜10貼附於透明導電性基板20的雙面之方法而言，能例舉下述方法。首先，剝離設置於保護膜10(以下亦有稱為「第一保護膜10」之情形)之與透明導電性基板20相對向配置之側的面1a的剝離片4(參照圖1)。接著，使透明導電性基板20的基板5與保護膜10的黏著層1相對向，並使透明導電性基板20的導電層6與前述保護膜10不同的保護膜10(以下亦有稱為「第二保護膜10」之情形)的黏著層1相對向，將透明導電性基板20與第二保護膜10貼合而成為具有保護膜的透明導電性基板A2(以下亦有稱為「積層體」之情形)。如圖3所示，該具有保護膜的透明導電性基板A2係成為於將基材2朝向外側的第一保護膜10與第二保護膜10之間夾著透明導電性基板20之狀態。之後，因應需要將具有保護膜的透明導電性基板A2予以加熱、加壓、或者加熱及加壓。加熱溫度較佳為例如120℃至150℃，加熱時間較佳為例如20分鐘至90分鐘。

圖1所示的保護膜10係具備有：黏著層1，係與透明導電性基板20相對向配置；基材2，係由聚酯膜所構成；以及帶電防止層3，係配置於黏著層1與基材2之間。因此，例如在已將圖2或圖3所示之貼附有保護膜10的透明導電性基板20予以熱處理之情形，藉由帶電防止層3防止存在於基材2的聚酯膜中的低聚物通過黏著層1轉移至透明導電性基板20的表面。因此，能防止因將貼附有保護膜10的透明導電性基板20予以熱處理所造成之透明導電性基板20表面的污染。

此外，在已將圖1所示的保護膜10貼附於透明導電性基板時，成為於構成保護膜10之基材2與透明導電性基板20之間配置有帶電防止層3之狀態。因此，在已將保護膜貼附於透明導電性基板時，相較於在帶電防止層與前述透明導電性基板之間配置導電性較低的基材之情形，能於保護膜10中之透明導電性基板20側的面獲得較高的帶電防止性能。

因此，能防止將保護膜10從透明導電性基板20的表面剝離時破壞形成於透明導電性基板20上的電路等。此外，能防止因為保護膜10帶電所吸引的異物附著於透明導電性基板20。

[保護膜的使用方法]

接著，以使用圖2及圖3所示的透明導電性基板20製造於透明導電性基板20上具有經過圖案化的配線以及電極之製品之情形為例，說明保護膜10的使用方法之一例。

圖4A至圖4D係用以說明本發明實施形態之一的保護膜的使用方法的一例之步驟圖的一部分。首先，以黏著層1與透明導電性基板20相對向之方式於透明導電性基板20的雙面貼合透明導電性基板20與保護膜10，而構成圖3及圖4A所示的具有保護膜的透明導電性基板A2(貼合步驟)。

接著，對圖4A所示之具有保護膜的透明導電性基板A2進行熱處理(熱處理步驟)。此處的熱處理係用以將透明導電性基板20的導電層6予以結晶化，並將基板5的歪曲予以矯正。熱處理溫度及熱處理時間係能因應導電層6或基板5的材料或厚度適當地決定。例如熱處理溫度較佳為120℃至150℃，更佳為140℃至150℃。熱處理時間較佳為20分鐘至90分鐘，更佳為30分鐘至60分鐘。

接著，在具有保護膜的透明導電性基板A2中，剝離配置在透明導電性基板20的導電層6側的保護膜10(剝離步驟)。

之後，如圖4B所示，於透明導電性基板20的導電層6上設置紫外線硬化樹脂層8。接著，將紫外線硬化樹脂層8予以曝光及顯像，形成具有預定形狀的遮罩(mask)8a。接著，如圖4C所示，藉由濕蝕刻(wet etching)等去除未設置有遮罩8a的部分的導電層6。藉此，形成經過圖案化的配線6a。

接著，如圖4D所示，於形成有配線6a的基板5上網版印刷(screen printing)屬於電極材料的銀膏(silver paste)。之後，進行將經過印刷的電極材料予以燒製之熱處理。藉此，形成電極9(熱處理步驟)。此處的熱處理溫度及熱處理時間係能因應電極9的材料或厚度適當地決定。熱處理溫度較佳為120℃至150℃，更佳為120℃至140℃。熱處理時間較佳為20分鐘至90分鐘，更佳為30分鐘至60分鐘。

接著，剝離配置於透明導電性基板20的基板5側的保護膜10(剝離步驟)。

在圖4A至圖4D所示的保護膜10的使用方法中，由於將保護膜10貼附於透明導電性基板20的雙面，因此能藉由保護膜10防止異物或髒污附著於透明導電性基板20的雙面。此外，在剝離配置於透明導電性基板20的導電層6側的保護膜10後，能藉由配置於透明導電性基板20的基板5側的保護膜10防止異物或髒污附著於透明導電性基板20的基板5的表面。

在圖4A至圖4D所示的保護膜10的使用方法中，以熱處理步驟而言，進行將透明導電性基板20的導電層6予以結晶化，並將基板5的歪曲予以矯正之步驟以及將已印刷在透明導電性基板20上的電極材料予以燒製之步驟。亦即，在圖4A至圖4D所示的保護膜10的使用方法中，以熱處理步驟而言，包含有選自下述步驟所構成的群組中的至少一個步驟：將透明導電性基板20的導電層6予以結晶化之步驟、將基板5的歪曲予以矯正之步驟以及將已印刷在透明導電性基板20上的電極材料予以燒製之步驟。

在圖4A至圖4D所示的保護膜10的使用方法中，將單面或雙面貼附有以基材2、帶電防止層3、黏著層1的順序積層的保護膜10的狀態下的透明導電性基板20予以熱處理。因此，藉由帶電防止層3防止存在於基材2的聚酯膜中的低聚物轉移至透明導電性基板20的表面。因此，能防止因為熱處理使產生於基材2的低聚物污染貼附有保護膜10的透明導電性基板20的表面。

此外，在圖4A至圖4D所示的保護膜10的使用方法中，以保護膜10而言，使用在透明導電性基板20側的面中具有高的帶電防止性能之保護膜。因此，於透明導電性基板20上形成經過圖案化的配線6a及電極9後，即使從透明導電性基板20的基板5側的表面剝離保護膜10，亦能防止因為剝離保護膜10時所產生的靜電破壞配線6a等。此外，由於使用具有高的帶電防止性能的保護膜作為保護膜10，因此能防止因為保護膜10帶電所吸引的異物附著於透明導電性基板20。

此外，本發明實施形態之一的保護膜的使用方法中用以將保護膜與透明導電性基板予以貼合而成為積層體之貼合步驟亦可在使用透明導電性基板製造製品時的任意階段進行。此外，本發明實施形態之一的保護膜的使用方法中的熱處理亦可為因應將保護膜貼附於透明導電性基板時的需要而進行之熱處理。

此外，從積層體剝離保護膜之剝離步驟亦可在貼合步驟後的任意階段進行。

「實施例」

於一面形成有帶電防止層之厚度50μm的聚酯膜(商品名稱：PET50AT-50，UNITIKA股份有限公司製)的帶電防止層上以厚度成為10μm的方式塗布丙烯酸系黏著劑的組成物，藉此形成黏著層。以丙烯酸系黏著劑的組成物而言，使用丙烯酸酯共聚物100質量分以及相對於前述丙烯酸酯共聚物100質量分以1質量分調配異氰酸鹽系交聯劑(商品名稱：CORONATE HX)的組成物，該丙烯酸酯共聚物係包含有92質量%的比例的丙烯酸2-乙基己酯作為具有黏著性的主單體、以及8質量%的比例的丙烯酸-2-羥基乙基作為具有交聯性官能基的單體。

藉由上述步驟，獲得於基材上以帶電防止層與黏著層的順序積層的實施例的保護膜。

「比較例」

除了將黏著層形成於與形成有帶電防止層之面相反側的面之外，與實施例同樣地形成黏著層。藉由以上的步驟，獲得基材配置於帶電防止層與黏著層之間的比較例的保護膜。

針對以此種方式所獲得的實施例與比較例的保護膜，藉由下述的方法進行表面電阻率與剝離帶電壓的測量，並進行耐低聚物性的評價。將其結果顯示於表1。

(表面電阻率)

依據JISK6911，在23℃ 50%RH(相對濕度)環境下使用表面電阻測量機(ADVANTEST股份有限公司製，商品名稱：R8252 DIGITAL ELECTROMETER)測量實施例及比較例的保護膜中的黏著層側之面的表面電阻率。

此外，同樣地，測量實施例及比較例的保護膜中之與形成有黏著層之面相反側的面的表面電阻率。

(剝離帶電壓)

對於在厚度125μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜的一面形成ITO膜而成的透明導電性基板，以保護膜的黏著層相對向於與形成有ITO膜的面為相對側的面而配置之方式，貼合前述透明導電性基板與前述保護膜。之後，在23℃ 50%RH(相對濕度)環境下從前述透明導電性基板剝離前述保護膜。使用靜電電位測量器(裝置名稱：STATIRON-M2，SHISHIDO ELECTROSTATIC,LTD.製造)測量此時從前述透明導電性基板離開50mm位置的靜電電位。

(耐低聚物性)

與測量剝離帶電壓之情形同樣，貼合透明導電性基板與保護膜而構成積層體。接著，對前述積層體以150℃進行3小時的熱處理。在23℃ 50%RH環境下將經過熱處理的積層體靜置24小時。之後，從前述透明導電性基板剝離前述保護膜。剝離前述保護膜後，使用數位顯微鏡以450倍的倍率觀察貼附有前述保護膜之側的前述透明導電性基板的表面。

結果，將未於前述透明導電性基板的表面確認到低聚物的析出之情形評價為A，將確認到之情形評價為B。

如表1所示，相較於比較例的保護膜，實施例的保護膜能確認到黏著層側的表面電阻率非常低、剝離帶電壓亦低、在黏著層側的面中能獲得高的帶電防止性能。

此外，依據耐低聚物性的評價，可知使用實施例的保護膜，能防止對貼附有保護膜的透明導電性基板進行熱處理時低聚物從保護膜的基材轉移至透明導電性基板。