TW201534752A - 使用短距離往返動作之材料之空間沉積 - Google Patents

使用短距離往返動作之材料之空間沉積 Download PDF

Info

Publication number
TW201534752A
TW201534752A TW104103788A TW104103788A TW201534752A TW 201534752 A TW201534752 A TW 201534752A TW 104103788 A TW104103788 A TW 104103788A TW 104103788 A TW104103788 A TW 104103788A TW 201534752 A TW201534752 A TW 201534752A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
distance
reactors
gas
relative movement
Prior art date
Application number
TW104103788A
Other languages
English (en)
Inventor
Jeong-Ah Yoon
Suk Yal Cha
Seung-Yeop Baek
Daniel H Lee
Samuel S Pak
Daniel Yang
Sang-In Lee
Original Assignee
Veeco Ald Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Veeco Ald Inc filed Critical Veeco Ald Inc
Publication of TW201534752A publication Critical patent/TW201534752A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明揭示之實施例係關於藉由引起一基板之短距離往返動作來執行在該基板上之材料之沉積。用於將材料注入至基板上之一系列反應器係以一重複方式沿著該基板之長度而配置。在各往返動作期間，承座移動短於該基板之整個長度之一距離。由反應器之一子集對基板之一部分注入材料。因為基板之移動較小，所以包含該承座之一線性沉積裝置可製造成較小。

Description

使用短距離往返動作之材料之空間沉積 相關申請案之交叉參考
本申請案根據35 U.S.C.119(e)規定主張2014年2月6日申請之美國臨時申請案第61/936,554號之優先權，該案之全文以引用的方式併入本文中。
本發明係關於使用汽相沉積將一或多層材料沉積於一基板上。
一原子層沉積(ALD)係用於將一或多層材料沉積於一基板上之一薄膜沉積技術。ALD使用兩種類型的化學品，一種係一源前驅體且另一種係一反應物前驅體。一般而言，ALD包含四個階段：(i)注入一源前驅體；(ii)移除該源前驅體之一物理吸附層；(iii)注入一反應物前驅體；及(iv)移除該反應物前驅體之一物理吸附層。ALD可為可在可獲得所要厚度之一層之前花費延長時間量或許多重複之一緩慢程序。因此，為加快該程序，如美國專利申請公開案第2009/0165715號中所描述之具有一單元模組之一汽相沉積反應器(所謂的一線性注入器)或其他類似裝置可用於加快ALD程序。該單元模組可包含用於一源材料之一注入單元及一排出單元(統稱為一源模組)，以及用於一反應物之一注入單元及一排出單元(統稱為一反應物模組)。為將不同膜或積層沉積於基板上，可將不同源前驅體及/或反應物前驅體注入至不同模組 中。
一空間ALD汽相沉積室具有用於在基板上執行空間ALD之一或多組反應器。空間ALD係指其中將源前驅體、沖洗氣體、反應物前驅體及沖洗氣體循序注入至一移動基板上以在其上形成一層膜的一程序。在該基板通過反應器下方時，該基板經曝露至源前驅體、一沖洗氣體及反應物前驅體。沉積於基板上之源前驅體分子與反應物前驅體分子反應或用該等反應物前驅體分子取代該等源前驅體分子以將一層材料沉積於基板上。在將整個基板曝露至源前驅體或反應物前驅體之後，該基板可經曝露至沖洗氣體以從該基板移除過量源前驅體分子或反應物前驅體分子。
可藉由其中基板在一前進衝程及一返回衝程期間以一不同序列曝露至前驅體分子之一往返移動來移動基板及反應器。為將整個基板曝露至前驅體分子或沖洗氣體，基板或反應器可能不得不行進一長距離。因此，汽相沉積反應器可為非常大以容納基板或反應器之往返移動。
實施例係關於藉由使用短距離往返移動將一層材料沉積於一基板上。一基板與反應器之間的在一第一方向上之達一第一距離之相對移動及該基板與該等反應器之間的在一第二方向上之達一第二距離之相對移動經重複達一預定次數。該第一距離係比該基板之一長度短但比該第二距離長。該第一方向與該第二方向相反。接著，進行該基板與該等反應器之間的在該第一方向上之達短於該基板之該長度的一第三距離之一相對移動及該基板與該等反應器之間的在該第二方向上之達長於該第三距離的一第四距離之一相對移動。在該基板與該等反應器之該等相對移動期間藉由該等反應器之各者注入氣體或自由基。
在一項實施例中，達第三距離之相對移動及達第四距離之相對 移動經重複達一預定次數。
在一項實施例中，第一距離及第四距離係相同的，且第二距離及第三距離係相同的。
在一項實施例中，第一距離與第二距離之間的一差值係與第四距離與第三距離之間的一差值相同。
在一項實施例中，表示第一距離與第二距離之間的該差值之一位移係小於一反應器之一寬度。
在一項實施例中，反應器之一第一子集將源前驅體注入至基板上。該等反應器之一第二子集將反應物前驅體注入至該基板上。該等反應器之一第三子集將沖洗氣體注入至該基板上。
在一項實施例中，藉由空間原子層沉積(ALD)或化學汽相沉積(CVD)將材料層沉積於基板上。
實施例亦係關於一種在藉由反應器將氣體注入至一基板上期間引起該基板進行短距離往返動作之沉積裝置。該沉積裝置包含一承座、一組反應器及一致動器。該承座固持一基板。該等反應器係沿著該承座移動之一方向配置。各反應器將氣體或自由基注入至該基板之一部分上。該致動器耦合至該承座。該承座重複該承座之在一第一方向上之達短於該基板之一長度之一第一距離的移動及該承座之在與該第一方向相反之一第二方向上之達短於該第一距離之一第二距離的移動達一預定次數。該承座亦在該第一方向上移動達短於該基板之該長度之一第三距離，且在該第二方向上移動達長於該第三距離之一第四距離。
實施例亦係關於一種用於在一支撐台上移動之一可撓性基板之沉積裝置。該支撐台具有一平坦頂面。一組反應器係置於該支撐台上方且沿著該可撓性基板移動之方向配置。一滾輪總成係相對於該支撐台固定且使一可撓性基板沿著一第一方向在該支撐台之該平坦頂面上 滑動。一致動器總成引起該支撐台相對於該組反應器之在該第一方向上及在與該第一方向相反之一第二方向上的往返相對移動。
在一項實施例中，在該平坦頂面上滑動之該滾輪之相對速度係低於該支撐台之往返速度。
100‧‧‧線性沉積裝置
110‧‧‧室壁/處理室/壁
114‧‧‧馬達
118‧‧‧支撐柱
120‧‧‧基板
124‧‧‧支撐板
128‧‧‧承座
136‧‧‧反應器/注入器
138‧‧‧伸展桿
210‧‧‧托架
310‧‧‧反應器/注入器
311‧‧‧孔
312‧‧‧通道
314‧‧‧基板
316‧‧‧室
318‧‧‧出口
364‧‧‧管道
366‧‧‧管道
370‧‧‧注入器
371‧‧‧出口
372‧‧‧通道
373‧‧‧孔
374‧‧‧自由基反應器
376‧‧‧內電極
378‧‧‧外電極
380‧‧‧腔
384‧‧‧室
386‧‧‧壓縮區
388‧‧‧壓縮區
390‧‧‧室
410‧‧‧基板
418A至418N‧‧‧反應器
420A至420N‧‧‧注入器
422A至422N‧‧‧注入器
423A至423N‧‧‧注入器
424‧‧‧參考點
428‧‧‧箭頭
432‧‧‧箭頭
612‧‧‧箭頭
616‧‧‧箭頭
618‧‧‧箭頭
640‧‧‧箭頭
1222‧‧‧箭頭
1226‧‧‧箭頭
1230‧‧‧箭頭
1234‧‧‧箭頭
1300‧‧‧沉積裝置
1302‧‧‧支撐台
1304‧‧‧伸展板
1306‧‧‧提升台
1308‧‧‧平台
1310A‧‧‧滾輪總成
1310B‧‧‧滾輪總成
1314‧‧‧往返機構
1344‧‧‧膜/可撓性膜
C‧‧‧中心
DM‧‧‧移動總距離
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧高度
H3‧‧‧高度
H4‧‧‧高度
R1‧‧‧部分
R2‧‧‧部分
R3‧‧‧部分
R4‧‧‧部分
SL‧‧‧衝程距離
SR‧‧‧衝程距離
U‧‧‧寬度/單位距離
X‧‧‧部分
圖(FIG.)1係根據一項實施例之一線性沉積裝置之一截面圖。
圖2係根據一項實施例之一線性沉積裝置之一透視圖。
圖3A係繪示根據一項實施例之一反應器之一截面圖。
圖3B係繪示根據另一實施例之一反應器之一截面圖。
圖4A係繪示根據一項實施例之使用一短距離往返將材料沉積於一基板上之該基板之移動的一圖式。
圖4B係繪示藉由使用圖4A之方法沉積於一基板上的材料之一結構之一截面圖。
圖5係繪示根據一項實施例之使用一短距離往返及偏移一基板而沉積材料之一程序的一流程圖。
圖6係繪示根據一項實施例之使用短距離往返及偏移一基板而將材料沉積於該基板上之該基板之移動的一圖式。
圖7係繪示根據一項實施例之使用具有不同前進衝程距離及返回衝程距離之短距離往返沉積材料之一程序的一流程圖。
圖8至圖11係繪示根據一項實施例之使用具有不同前進衝程距離及返回衝程距離之短距離往返將材料沉積於一基板上之該基板之移動的圖式。
圖12係繪示根據一項實施例之使用其中在一前進子循環及一後退子循環期間起點及終點不同之短距離往返將材料沉積於一基板上之該基板之移動的一圖式。
圖13A係根據一項實施例之移動至用於將一材料沉積於一膜上的 一沉積裝置中之一左端之一支撐台的一示意圖。
圖13B係根據一項實施例之移動至沉積裝置中之一右端之圖13A之支撐台的一示意圖。
在本文中參考附圖描述實施例。然而，本文中所揭示之原理可以許多不同形式體現且不應理解為限於本文中所闡述之實施例。在描述中，可省略熟知特徵及技術之細節以避免不必要地模糊該等實施例之特徵。
在圖式中，該等圖式中之相同元件符號表示相同元件。為清楚起見可誇大圖式之形狀、尺寸及區域以及類似者。
實施例係關於藉由引起一基板之短距離往返移動來執行該基板上之材料之沉積。用於將材料注入至該基板上之一系列反應器係以一重複方式沿著該基板之長度而配置。在各往返移動期間，承座移動短於該基板之整個長度之一距離。藉由反應器之一子集用材料注入該基板之若干部分。因為該基板之移動較小，所以包含該承座之一線性沉積裝置可製造為較小。儘管使用短距離往返動作，仍可藉由混合往返動作與偏移動作或在往返動作期間使基板之前進及返回移動距離不同來提高沉積層之一致性及均勻性。
儘管為了便於闡釋，以下實施例係主要關於相對於反應器移動一基板，然在移動該等反應器時該基板可保持於一靜止位置中。此外，可移動基板及反應器兩者以將材料沉積於該基板上。
此外，儘管以下實施例係描述為主要使用原子層沉積(ALD)來將材料沉積於一基板上，然相同原理亦可應用於沉積材料之其他方法，諸如分子層沉積(MLD)及化學汽相沉積(CVD)。
圖(FIG.)1係根據一項實施例之一線性沉積裝置100之一截面圖。圖2係根據一項實施例之該線性沉積裝置100(為有利於闡釋不具有室 壁110)之一透視圖。除其他組件外，線性沉積裝置100可包含一支撐柱118、處理室110及一或多個反應器136。反應器136可包含注入器及自由基反應器中之一或多者。注入器模組之各者將源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體或此等材料之一組合注入至基板120上。
反應器136可針對一空間ALD程序以及化學汽相沉積(CVD)程序而配置。可藉由將源前驅體、沖洗氣體、反應物前驅體及沖洗氣體循序注入至一基板120上來執行該空間ALD程序。可藉由注入源前驅體及反應物前驅體兩者且在反應器中混合此等前驅體且接著將該等經混合之前驅體注入至基板120上來執行CVD程序。
可將藉由壁110圍封之處理室維持於一真空狀態中以防止污染物影響沉積程序。處理室110含有接納基板120之一承座128。承座128係置於一支撐板124上以用於一滑動移動。支撐板124可包含一溫度控制器(例如，一加熱器或一冷卻器)以控制基板120之溫度。線性沉積裝置100亦可包含有利於將基板120裝載至承座128上或從承座128卸下基板120之升降銷。
在一項實施例中，承座128緊固至托架210，托架210可藉助形成於一伸展桿138上之螺紋而在其上雙向移動。在托架210接納伸展桿138之孔中亦有對應螺紋形成。伸展桿138被緊固至一馬達114之一轉軸，因此伸展桿138隨著馬達114之轉軸旋轉而旋轉。伸展桿138之旋轉引起托架210(且因此引起承座128)在支撐板124上進行一線性移動。該線性移動可包含引起基板移動之支撐板124之短距離往返或偏移動作，如下文參考圖6及圖8至圖12詳細描述。藉由控制馬達114之速度及旋轉方向，可控制承座128之線性移動之速度及方向。使用一馬達114及伸展桿138僅係用以移動承座128之一機構的一實例。可有移動承座128之各種其他方式(例如，在承座128之底部、頂部或側部使用齒輪及小齒輪)。此外，代替移動承座128，承座128亦可保持靜 止而反應器136可被移動。
圖3A係繪示根據一項實施例之一反應器310之一圖式。反應器310可為一注入器，用以將源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體或其組合注入至一基板314上。如所繪示，反應器310經提升高出基板314達高度H1(例如，從0.5mm至3mm)以提供使基板314在反應器310下方通過之足夠間隙。
注入器310經由一管道接納源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體或其等之一組合，且經由形成於注入器310中之一通道312及孔311將該源前驅體注入至其室316中。在室316下方，源前驅體、反應物前驅體、沖洗氣體或其等之一組合與基板314接觸。剩餘氣體係經由一壓縮區(具有一高度H2)排出至出口318。在該壓縮區中，提高氣體流之速度，從而有利於從基板314之表面移除冗餘氣體。
圖3B係繪示根據一項實施例之一注入器370及一自由基反應器374之一圖式。如所繪示，注入器370經提升高出基板314達高度H1，且自由基反應器374經提升高出基板314達高度H4以提供使基板314在注入器370及自由基反應器374下方通過之足夠間隙。
注入器370經由一管道364接納氣體且經由形成於注入器370中之一通道372及孔373將該氣體注入至其室384中。經由注入器370注入之該氣體可為一源前驅體、一反應物前驅體、一沖洗氣體或用於任何其他目的之氣體。在室384內，氣體接著與基板314接觸且執行如前驅體或沖洗氣體之功能。剩餘氣體係經由一壓縮區386(具有高度H2)排放至一出口371。在壓縮區386中，提高氣體流之速度，從而有利於從基板314之表面移除冗餘氣體。
自由基反應器374經由管道366接納氣體。該氣體經注入至一內電極376與一外電極378之間的一腔380中。跨內電極376及外電極378施加電壓使得在將氣體注入至腔380中時，該氣體之電漿在腔380中產 生自由基。接著，該氣體之該等自由基經注入至其中該等自由基與基板314接觸之一室390中。回復至惰性狀態之自由基以及一些冗餘自由基穿過一壓縮區388(具有高度H3)且經由出口371排放。
圖3A及圖3B之反應器僅係闡釋性的。各種其他類型的反應器可用於線性沉積裝置100中。在替代實施例中，反應器可包含僅注入器、僅自由基反應器、按照一不同序列之兩個以上注入器及自由基反應器或若干自由基反應器/注入器。
圖4A係繪示根據一項實施例之沿著一基板410之移動方向配置之一系列注入器136的一圖式。該系列注入器可包含用於將源前驅體注入至基板410上之注入器418A至418N及用於將反應物前驅體注入至基板410上之注入器422A至422N。注入器420A至420N及注入器423A至423N將沖洗氣體注入至基板410上以從基板410移除過量源前驅體分子或反應物前驅體分子。為簡單起見，假定全部注入器具有相同寬度U。儘管並未繪示，然自由基反應器或用於將沖洗氣體注入至基板410上之注入器亦可包含於該系列注入器中。
在基板410上執行原子層沉積(ALD)之一種方式係藉由沿著一個方向(例如，前進方向)移動基板410達一特定衝程距離且接著沿著相反方向(例如，返回方向)返回移動基板410達相同衝程距離。例如，可向右移動基板410達三個單位距離U且接著返回至原始位置，在該原始位置處單位距離U對應於一注入器之寬度。
在基板410之參考點424如箭頭428所展示向右移動達3U時(即，一前進衝程)，該基板之在參考點424右側之一部分(在圖4A中藉由「X」表示)係循序地藉由注入器418A注入一源前驅體，藉由一注入器420A注入一沖洗氣體，藉由注入器422A注入一反應物前驅體且藉由注入器423A注入一沖洗氣體。隨後，在基板410之參考點424如箭頭432所展示向左移動達3U時(即，一返回衝程)，該基板之該相同部 分係以一反向序列曝露至源前驅體、沖洗氣體及反應物前驅體。在此實例中基板410之移動總距離DM係3U，3U係比基板410之整個長度短。
取決於基板410之位置，基板410之不同部分係以一不同序列曝露至材料。然而，藉由進行圖4A中所繪示之基板410之移動，將不同層材料沉積於基板410之不同部分上，如圖4B中所繪示。
基於經注入材料之序列，基板410包含僅吸附有源前驅體之一部分R1、在底部具有一ALD層且在該ALD層上吸附有源前驅體之部分R2、沉積有兩個ALD層之部分R3及在底部具有富有源前驅體之ALD層及在頂部具有一典型ALD層之部分R4。因此，在基板410上之材料之沉積跨基板410之長度(即，移動方向)為不均勻及不一致的。
此不均勻及不一致沉積導致跨基板410之頂面之條紋圖案。在基板410上之材料之該不均勻及不一致沉積可引起該基板之不同部分具有不同性質，諸如不同透明度位準及一膜應力位準。例如，透明沉積層可歸因於跨基板之不同厚度而展示彩色條紋圖案。此外，跨基板之源前驅體或電漿之不同曝光時間可歸因於經吸附之源前驅體或自由基之不同濃度而導致不同組合物或殘餘雜質。
圖5係繪示根據一項實施例之藉由使基板往返達一短距離且接著偏移基板之位置而將一材料沉積於一基板上之一方法的一流程圖。首先，在注入器將前驅體材料注入至基板上時，使該基板沿著一個方向(例如，前進方向)移動520達短於該基板之長度之一第一距離。參考圖6，使基板410上之一參考點424向右移動5個單位，如箭頭616所展示。
接著，在注入器將前驅體材料注入至基板上時，使該基板沿著相反方向(例如，返回方向)移動達相同第一距離。採用圖6之實例，參考點424向左移動5個單位，如藉由箭頭612所展示。
在完成一單一往返動作(如藉由箭頭612、616所指示)之後，使承座之位置偏移540達短於第一距離之一第二距離。在本文中「偏移」係指其中在注入器關閉的情況下移動基板使得無前驅體材料被注入至基板之表面上的一操作。在圖6之實例中，使參考點424向右(即，前進方向)偏移一個單位，如藉由箭頭618所展示。
接著，判定550是否已滿足終止條件。若滿足，則程序終止。若並不滿足，則程序返回至沿著一個方向移動520承座達第一距離。在圖6之實例中，進行四次往返動作以在每個往返動作向右(即，前進方向)逐步移動基板410，其中在各往返動作之間執行一偏移動作。在離原始點最遠之一位置(如藉由箭頭640所指示)處進行一單一往返動作，且接著進行隨後四次往返動作以向左(即，返回方向)逐步移動基板410。
可藉助最初放置於相同位置處之參考點424重複圖6中所指示之動作以將額外層材料沉積於基板410上。替代性地，可使基板410之參考點424偏移達一預定距離(例如，20個單位)且接著圖6中所指示之動作可在該基板之一不同部分上執行ALD程序。
應注意，在圖6之往返動作期間，基板410向右(即，前進方向)移動達5個單位之最大距離。相較於跨基板之整個長度移動該基板之習知方式，圖6中之基板410之移動的整體移動距離顯著減小，且因此即使基板410之尺寸保持相同，汽相沉積反應器之尺寸亦可顯著減小。
在圖6中移動基板之單位數距離僅係闡釋性的。可在往返動作期間移動更多或更少單位之距離。此外，偏移移動亦可比如圖6中所繪示之單位距離長或短。
圖7係繪示根據一項實施例之使用具有不同前進衝程距離及返回衝程距離之短距離往返沉積材料之一程序的一流程圖。該程序包含一前進程序子循環及一後退子循環。
首先，在注入器將前驅體材料注入至基板上時，使該基板沿著一第一方向(例如，前進方向)移動714達短於該基板之長度的一第一距離。接著，在注入器將前驅體材料注入至基板上時，使該基板沿著與該第一方向相反之一第二方向(例如，返回方向)移動718達短於該第一距離之一第二距離。在該第二方向上之該移動結束前進子循環之一單一往返動作。
因為第二距離比第一距離短，所以在結束前進子循環中之各往返動作之後基板以朝向第一方向前進之一位置為終點。接著，判定722是否到達終點(例如，基板之最向前位置)。若還未到達終點，則程序返回至沿著第一方向移動714承座。
若到達終點，則起始後退子循環。首先，使基板在第一方向上移動726達第三距離。該第三距離可與第二距離相同或不同於該第二距離。接著，使基板在第二方向上移動730達第四距離。該第四距離可與第一距離相同或不同於該第一距離。因為該第四距離比該第三距離長，所以在往返動作之後基板以朝向第二方向移動之一位置為終點。接著，判定734是否到達起點(例如，基板之最靠後位置)。若還未到達起點，則程序返回至沿著第一方向移動726承座達第三距離。
圖8係繪示根據一項實施例之基板410之往返動作的一圖式。在圖8中，箭頭指示基板410上之參考點424之起始位置及結束位置。在此實施例中，在一單一往返循環中基板410向右(即，前進方向)移動達6個單位之一第一距離且接著向左(即，返回方向)移動達5個單位之一第二距離。本文中所描述之一單位對應於一單一反應器之寬度。即，在結束一單一往返動作之後，基板410向右前進一個單位。
在圖8之實施例中，基板410重複此等往返動作5次，在前進子循環結束時朝右(即，前進方向)前進5個單位。5次往返動作共同形成前進子循環。
接著，起始一後退子循環。在該後退子循環期間，基板410向右(即，前進方向)移動5個單位接著向左(即，返回方向)移動6個單位。在重複此等往返移動達5次之後，基板410返回至原始位置。
在完成一個前進子循環及一個後退子循環(各子循環由5次往返移動組成)之後，可重複子循環以將額外層材料沉積於基板410上。替代性地，可使基板410之參考點424偏移達一預定距離(例如，20個單位)且接著圖8中所指示之動作可在該基板之一不同部分上執行ALD程序。
相較於圖6之實施例，圖8之實施例產生在基板410上之材料的更均勻沉積。因此，條紋圖案在基板410上較不明顯。亦應注意，在子循環期間基板向右移動最多5個單位。此外，在前進子循環及後退子循環期間不需要關閉注入器之操作。
圖9係繪示根據一項實施例之基板410之往返動作的一圖式。在圖9中，箭頭指示參考點424之起始位置及結束位置。在此實施例中，在一單一往返動作中前進子循環係以向右(即，前進方向)移動基板達5個單位之一第一距離而開始，接著向左(即，返回方向)移動達4個單位之一第二距離。在結束一單一往返循環之後，基板410向右前進一個單位。
在圖9之實施例中，基板410重複此等往返動作4次，在前進子循環結束時朝右(即，前進方向)前進4個單位。
接著，起始一後退子循環，其中基板410向右移動5個單位且接著向左移動6個單位。在重複此等往返移動達4次之後，基板410返回至其原始位置。
在完成一個前進子循環及一個後退子循環(各子循環由4次往返移動組成)之後，可重複子循環以將額外層材料沉積於基板410上。替代性地，可使基板410之參考點424偏移達一預定距離(例如，20個單位) 且接著圖9中所指示之動作可在該基板之一不同部分上執行ALD程序。
應注意，隨著往返移動之前進衝程距離與返回衝程距離之間的位移減小，材料之沉積變得更均勻及更一致。此外，該位移不需要為一整數單位距離。如下文參考圖10及圖11詳細描述，該位移可小於一個單位。
圖10係繪示根據一項實施例之其中位移為0.5個單位之基板410之往返動作的一圖式。在此實施例中，在一單一往返動作中基板向右(即，前進方向)移動達5個單位之一第一距離且接著向左(即，返回方向)返回移動達4.5個單位之一第二距離。即，在結束一單一往返循環之後，基板410前進0.5個單位。
在圖10之實施例中，基板410重複此等往返動作4次，在前進子循環結束時朝右前進2個單位。接著，起始一後退子循環，在該後退子循環期間基板410向右移動5個單位且接著向左移動5.5個單位。在重複此往返移動達4次之後，基板410返回至其原始位置。
在完成一個前進子循環及一個後退子循環之後，可重複此等子循環以將額外層材料沉積於基板410上。
每個往返動作使基板向左或向右前進或後退達0.5個單位係有利的，除其他原因外，此係因為相較於圖8及圖9之實施例，以一更均勻及更一致的方式將材料沉積於基板上。
圖11係繪示根據一項實施例之其中位移為1/3個單位之基板410之往返動作的一圖式。在此實施例中，在一後退子循環期間基板410就前進衝程來說移動4個及2/3個單位且就返回衝程來說移動5個及1/3個單位。前進程序子循環係重複5次且後退子循環亦重複5次。在重複該等前進程序子循環及後退子循環之後，基板410返回至其原始位置。
儘管上文參考圖8至圖11所描述之實施例具有與後退子循環中之 起點及終點重合的在前進子循環中之起點及終點，然其他實施例可使前進程序子循環及後退子循環期間的起點及終點不同。藉由使前進子循環及後退子循環中的起點及終點不同，可移除或減弱由不均勻沉積引起的基板上之條紋圖案。
圖12係繪示根據一項實施例之使用其中在一前進子循環及一後退子循環期間起點及終點不同之短距離往返將材料沉積於一基板上之該基板之移動的一圖式。在圖12之實施例中，程序係藉由使基板410向右(即，前進方向)移動達6個單位而起始且接著向左(即，返回方向)移動達6個單位。在此往返動作期間，基板410經曝露至藉由注入器注入之源前驅體、沖洗氣體及反應物前驅體。
接著，前進子循環係藉由向右(即，前進方向)移動基板410達7個單位而起始且接著向左(即，返回方向)移動基板410達6個單位。因此，在前進子循環中之一單一往返動作之後基板410向右移動一個單位。在前進子循環期間重複往返動作4次以使基板410向右移動達4個單位。
接著，後退子循環係藉由向右移動基板410達5.5個單位(如藉由箭頭1222所展示)而起始且接著向左移動基板410達6個單位(如藉由箭頭1226所展示)。在第一次後退往返動作之後，基板410以向左0.5個單位之一位置為終點。接著，一第二次往返動作向右移動基板410達5個單位(如藉由箭頭1230所展示)且接著向左移動基板410達6個單位(如藉由箭頭1234所展示)。因此，在結束該第二次往返動作之後，基板410以向左1個單位之一位置為終點。
在後退子循環期間又重複與第二次往返動作相同之往返動作達3次，以使基板410從基板410開始前進子循環所處之原始位置向左移動0.5個單位。
在圖12之實施例中，起點及終點在前進子循環及後退子循環中 不同。即，前進子循環中之各往返動作具有不同於後退子循環中之各往返動作之一不同起始位置及結束位置。藉由使前進子循環及後退子循環中之起始位置及結束位置不同，可更一致地將材料沉積於基板410上。
亦可藉由進行前進子循環中之最後往返移動以向右移動達不同於該前進子循環之其他往返移動中向右移動之距離的一距離，來代替進行後退子循環中之第一往返移動以向左移動達不同於該後退子循環之其他往返移動中向左移動之距離的一距離，從而使該前進子循環與該後退子循環之起點及終點不同，如圖12中所展示。例如，在前進子循環之最後往返移動中，基板410可向右移動達6.5個單位或7.5個單位來代替上文參考圖12之實施例所描述之7個單位。在此實例中，在後退子循環之全部往返動作中，基板410可向左移動達6個單位且向右移動達5個單位。在前進子循環或後退子循環中亦可移動基板達無理數倍的單位(例如，7.1U或7.2U或7.3U或7.4U)。
各種前驅體材料可用於使用本文中所描述之實施例將各種材料沉積於基板上。例如，TMA(三甲基鋁)可經注入為源前驅體，且氧自由基(O*)可經注入為反應物前驅體以沉積一層Al2O3，且氮自由基(N*)可經注入為反應物前驅體以藉由一ALD程序將一層AlN沉積於基板上。舉另一實例，TDMAT(四次二甲基胺基鈦：[(CH3)2N]4Ti)或TiCl4可經注入為源前驅體，且氧自由基(O*)或氮自由基(N*)可經注入為反應物前驅體以分別將一層TiO2或TiN沉積於基板上。此外，可使用具有作為源前驅體之二異丙基酰胺基矽烷(SiH3N(C3H7)2)及氧自由基(O*)之SiO2膜或具有(N2O+NH3)混合氣體之遠程電漿。
亦可使用本文中所描述之實施例沉積金屬ALD膜。例如，DMAH(氫化二甲基鋁：Al(CH3)2)可經注入為源前驅體，且氫自由基(H*)可經注入為反應物前驅體以藉由一ALD程序沉積一層Al金屬膜。
圖13A係根據一項實施例之移動至用於將一材料沉積於一膜1344上的一沉積裝置1300中之一左端之一支撐台1302的一示意圖。在圖13A之實施例中，在可撓性膜1344上執行沉積。除其他組件外，沉積裝置1300包含一或多個反應器136、一支撐台1302、一伸展板1304、一提升台1306、一平台1308及滾輪總成1310A、1310B。圖13A之反應器136連同平台1308一起保持於一固定位置中，且具有與圖1之反應器136相同的結構及功能。因此，為簡潔起見在本文中省略反應器136之詳細描述。
支撐台1302、伸展板1304及提升台1306相對於反應器136及平台1308移動以使膜1344曝露至藉由反應器136注入之材料或自由基。支撐台1302具有其上鋪置膜1344之一頂面。膜1344在鋪置於支撐台1302上時可維持一平坦頂面。在沉積程序期間，置於支撐台1302上之膜1344係從滾輪總成1310A展開且滾壓至滾輪總成1310B上。
伸展板1304係固定至支撐台1302及提升台1306，且具有附接至伸展板1304之兩端之滾輪總成1310A、1310B。代替使用一板，任何其他類型之結構(例如，部件)可用於附接在遠離支撐台1302之位置處的滾輪總成1310A、1310B。
提升台1306係置於平台1308與支撐台1302之間。提升台1306可包含往返機構1314(諸如線性馬達、齒條及小齒輪以及一齒輪總成)以使提升台1306連同支撐台1302及伸展板1304能夠相對於反應器136及平台1308移動。在圖13A中，提升台1306從中心「C」向左移動達一衝程距離SL。
圖13B係根據一項實施例之移動至用於將一材料沉積於膜1344上之沉積裝置1300之一右端之圖13A之支撐台1302的一示意圖。在圖13B中，提升台1306從中心「C」向右移動達一衝程距離SR。
在支撐台1302藉由往返機構1314往返移動時，用不同氣體注入 膜1344以沉積多層材料。然而，若僅執行往返動作，則膜1344之不同部分可沉積有不一致及不均勻材料，此係因為該膜之不同部分係以不同序列曝露至不同材料或自由基。因此，在膜1344上執行注入材料或自由基之程序時，滾輪總成1310A、1310B展開或纏繞膜1344以移動膜1344。
自滾輪總成展開或纏繞膜1344可在以下情況下執行：(i)在提升台1306之往返動作期間執行；(ii)在提升台1306相對於平台1308之移動停止時執行；或(iii)在將材料沉積於膜1344上之整個操作期間連續執行。膜1344相對於支撐台1302之線性速度係比提升台1306之往返動作之整體速度慢。
使用此等方法製造之基板可用於各種應用中，諸如顯示裝置或其他電子裝置。取決於應用，亦可使用各種類型的基板。例示性基板包含剛性材料(例如，矽晶圓及玻璃)及可撓性材料(例如，聚合物捲)。此外，基板可為各種形狀及結構。例如，基板可為矩形、圓形或橢圓形。在一非矩形形狀中，基板之「長度」可定義為沿著該基板之較長軸或直徑之距離。
沿著基板之長度配置之反應器系列亦可注入不同源前驅體及反應物前驅體以將不同層材料沉積於該基板上。
當執行短距離往返動作時，沉積於基板上之材料之厚度及組合物可取決於基板之位置而不同。藉由偏移往返動作之位置或進行逐步往返動作，其中該等往返動作之起點與該等往返動作之終點不同，具有相對較一致之厚度及組合物之上層係沉積於基板上。因此，儘管短距離往返動作，一高品質層仍可沉積於基板上。
114‧‧‧馬達
118‧‧‧支撐柱
120‧‧‧基板
124‧‧‧支撐板
128‧‧‧承座
138‧‧‧伸展桿
210‧‧‧托架

Claims (20)

  1. 一種將一層沉積於一基板上之方法，其包括：(a)在由反應器注入氣體期間引起一基板與該等反應器之間的在一第一方向上之達一第一距離的一相對移動，該第一距離比該基板之一長度短；(b)在由該等反應器注入該氣體期間引起該基板與該等反應器之間的在與該第一方向相反之一第二方向上之達一第二距離的一相對移動，該第二距離比該第一距離短；(c)重複(a)及(b)達一第一預定次數；(d)在由該等反應器注入該氣體期間引起該基板與該等反應器之間的在該第一方向上之達一第三距離的一相對移動，該第三距離比該基板之該長度短；(e)在由該等反應器注入該氣體期間引起該基板與該等反應器之間的在該第二方向上之達一第四距離的一相對移動，該第四距離比該第三距離長。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括(f)重複(d)及(e)達一第二預定次數。
  3. 如請求項2之方法，其中該第一距離與該第四距離係相同的，且該第二距離與該第三距離係相同的。
  4. 如請求項2之方法，其中該第一距離與該第二距離之間的一差值係與該第四距離與該第三距離之間的一差值相同。
  5. 如請求項2之方法，其進一步包括重複(a)至(f)達一第三預定次數。
  6. 如請求項2之方法，其中表示該第一距離與該第二距離之間的該差值之一位移係小於一反應器之一寬度。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括：由該等反應器之一第一子集將源前驅體注入至該基板上；由該等反應器之一第二子集將反應物前驅體注入至該基板上；及由該等反應器之一第三子集將沖洗氣體注入至該基板上。
  8. 如請求項1之方法，其中藉由空間原子層沉積(ALD)或化學汽相沉積(CVD)將材料層沉積於該基板上。
  9. 如請求項1之方法，其中將不同材料層或積層沉積於該基板上。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包括：(f)引起該基板與該等反應器之間的在該第一方向上之達不同於該第三距離之一第五距離的一相對移動；(g)引起該基板與該等反應器之間的在該第二方向上之達長於該第五距離之一第六距離的一相對移動；(h)重複(f)及(g)達一第二預定次數。
  11. 如請求項10之方法，其中在(a)引起該基板與該等反應器之間的在該第一方向上之達該第一距離的該相對移動之後且在(b)引起該基板與該等反應器之間的在該第二方向上之達該第二距離的該相對移動之前的該基板之一位置並不與在(f)引起該基板與該等反應器之間的在該第一方向上之達該第五距離的該相對移動之後且在(g)引起該基板與該等反應器之間的在該第二方向上之達該第六距離的該相對移動之前的該基板之一位置重合。
  12. 如請求項1之方法，在該承座之端部處配備一輥式給料機構及一纏繞機構且該輥之該給料速度或纏繞速度係相對地慢於一基板與反應器之間的該相對移動。
  13. 一種沉積裝置，其包括：一承座，其經結構設計以固持一基板； 一組反應器，其等沿著該承座移動之一方向配置，各反應器經結構設計以將氣體或自由基注入至該基板之一部分上；一致動器總成，其耦合至該承座，該致動器總成經結構設計以：(a)重複該承座之在一第一方向上之達短於該基板之一長度之一第一距離的移動及該承座之在與該第一方向相反之一第二方向上之達短於該第一距離之一第二距離的移動達一第一預定次數，(b)在該第一方向上移動該承座達短於該基板之該長度之一第三距離，及(c)在該第二方向上移動該承座達長於該第三距離之一第四距離。
  14. 如請求項13之沉積裝置，其中該致動器進一步經結構設計以重複(b)及(c)達一第二預定次數。
  15. 如請求項13之沉積裝置，其中該等反應器之各者在該第一預定次數及該第二預定次數之重複移動期間繼續注入該氣體或該等自由基。
  16. 如請求項13之沉積裝置，其中該等反應器中之至少一者包括用以下各項形成之一主體：一室，其經結構設計以接納一氣體且注入該氣體至該基板之一部分；一壓縮區，其與室連通；及一出口，其與該壓縮區連通以排放在注入至該基板之該部分之後剩餘的該氣體。
  17. 一種將一材料沉積於一基板上之方法，其包括：(a)在將前驅體材料注入至一基板上時引起該基板與反應器之 間的在一第一方向上之達一第一距離的一相對移動，該第一距離比該基板之一長度短；(b)在將該等前驅體材料注入至該基板上時引起該基板與該等反應器之間的在一第二方向上之達該第一距離的一相對移動；(c)在並未將該前驅體材料注入至該基板上的情況下使該基板之位置偏移達短於該第一距離之一第二距離；及(d)重複步驟(a)至(c)達一預定次數。
  18. 如請求項17之方法，其中該第二距離對應於一反應器之一寬度。
  19. 一種沉積裝置，其包括：一支撐台，其具有一平坦頂面；一組反應器，其等在該支撐台上方且沿著可撓性基板移動之方向配置；一滾輪總成，其相對於該支撐台固定且經結構設計以使一可撓性基板沿著一第一方向在該支撐台之該平坦頂面上滑動；及一致動器總成，其耦合至該支撐台且經結構設計以引起該支撐台相對於該組反應器之在該第一方向上及在與該第一方向相反之一第二方向上之往返相對移動。
  20. 如請求項19之沉積裝置，其中在該平坦頂面上滑動之該滾輪之一相對速度係低於該支撐台之一往返速度。
TW104103788A 2014-02-06 2015-02-04 使用短距離往返動作之材料之空間沉積 TW201534752A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461936554P 2014-02-06 2014-02-06
US14/604,332 US9556514B2 (en) 2014-02-06 2015-01-23 Spatial deposition of material using short-distance reciprocating motions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201534752A true TW201534752A (zh) 2015-09-16

Family

ID=53754334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104103788A TW201534752A (zh) 2014-02-06 2015-02-04 使用短距離往返動作之材料之空間沉積

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9556514B2 (zh)
KR (1) KR101828928B1 (zh)
CN (1) CN106103794B (zh)
TW (1) TW201534752A (zh)
WO (1) WO2015119794A1 (zh)

Families Citing this family (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102336686B1 (ko) * 2014-12-11 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 기상 증착 방법
CN107210053B (zh) * 2015-01-30 2020-08-21 松下知识产权经营株式会社 记录介质搬运装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
FR3046800A1 (fr) * 2016-01-18 2017-07-21 Enhelios Nanotech Procede et dispositif de depot chimique en phase gazeuse a flux alternes.
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
JP7221758B2 (ja) * 2019-03-28 2023-02-14 東レエンジニアリング株式会社 成膜装置、及び成膜方法
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US20210017647A1 (en) * 2019-07-18 2021-01-21 Robert Bosch Gmbh Localized surface coating defect patching process
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
CN112760616B (zh) * 2020-12-22 2022-12-27 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE507320T1 (de) * 2006-03-26 2011-05-15 Lotus Applied Technology Llc Atomlagenabscheidungssystem und verfahren zur beschichtung von flexiblen substraten
US8333839B2 (en) 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
GB2466263B (en) * 2008-12-18 2010-12-15 Eastman Kodak Co Method of differentiation of unexposed and exposed planographic printing plates
US8168546B2 (en) 2009-11-20 2012-05-01 Eastman Kodak Company Method for selective deposition and devices
KR101791033B1 (ko) * 2010-07-23 2017-10-27 로터스 어플라이드 테크놀로지, 엘엘씨 롤-투-롤 박막 증착을 위한 유연한 웹 기재의 한쪽 측면과 접촉하는 기재 이동 메커니즘
US8771791B2 (en) 2010-10-18 2014-07-08 Veeco Ald Inc. Deposition of layer using depositing apparatus with reciprocating susceptor
US9129913B2 (en) * 2010-10-21 2015-09-08 Veeco Ald Inc. Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
US20120225191A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
DE112013001721T5 (de) * 2012-03-29 2014-12-11 Veeco Ald Inc. Abtastung-Einspeiseanordnung-Modul zum Bearbeiten von Substrat
US20130323422A1 (en) * 2012-05-29 2013-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for CVD and ALD with an Elongate Nozzle and Methods Of Use

Also Published As

Publication number Publication date
CN106103794A (zh) 2016-11-09
KR20160106163A (ko) 2016-09-09
US9556514B2 (en) 2017-01-31
WO2015119794A1 (en) 2015-08-13
US20150218698A1 (en) 2015-08-06
KR101828928B1 (ko) 2018-02-13
CN106103794B (zh) 2018-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201534752A (zh) 使用短距離往返動作之材料之空間沉積
KR101511457B1 (ko) 왕복 서셉터를 갖는 증착 장치를 이용한 층의 증착
US8735188B2 (en) Apparatus for atomic layer deposition with sloped purge injection nozzle structure
TWI512134B (zh) 使用氣體混合物之自由基的原子層沈積
KR20160045784A (ko) 시드 전구체를 이용한 고속 원자층 증착 공정
TWI476296B (zh) 在基板上使用自由基之增進的層沈積法
TWI498448B (zh) 在原子層沈積中使用惰性氣體電漿處理基板表面
US20090291211A1 (en) Apparatus for atomic layer deposition and method of atomic layer deposition using the same
US20120114877A1 (en) Radical Reactor with Multiple Plasma Chambers
US8840958B2 (en) Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US9129913B2 (en) Formation of barrier layer on device using atomic layer deposition
US9051637B2 (en) Securing of shadow mask and substrate on susceptor of deposition apparatus
US20160032452A1 (en) Atomic Layer Deposition Method Using Source Precursor Transformed by Hydrogen Radical Exposure
KR101887192B1 (ko) 롤투롤 원자층 증착장치
KR101027754B1 (ko) 원자층 증착장치 및 이를 이용한 원자층 증착방법
CN105018901B (zh) 薄膜沉积装置
KR101141069B1 (ko) 배치형 원자층 증착 장치
KR101570479B1 (ko) 짧은 광 조사를 이용한 원자층 증착 방법 및 장치
KR101768492B1 (ko) 롤투롤 원자 증착 모듈 시스템
KR20160109589A (ko) 전구체의 경쟁흡착을 이용한 원자층 증착방법