TW201529703A - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供可得到介電損耗正切較低之硬化物，且將該硬化物打洞加工後可抑制粗化處理後之通孔(via hole)內污點的樹脂組成物。 解決方法為，含有環氧樹脂，與活性酯化合物，與由烷基化三聚氰胺樹脂及烷氧基烷基化苯酚樹脂所成群中所選出的一種以上之樹脂的樹脂組成物。

Description

樹脂組成物
本發明係有關樹脂組成物。又係有關片狀層合材料、多層印刷配線板、半導體裝置。
近年來隨著電子機器發展小型化、高性能化，而要求多層印刷配線板中配線的微細化及高密度化。另外為了減少傳送損失，而要求絕緣層使用介電損耗正切較低之絕緣材料。
已知的多層印刷配線板之製造技術如，利用電路基板交互層合絕緣層與導體層之組裝方式的製造方法。利用組裝方式之製造方法中，絕緣層例如係由，使用含有樹脂組成物之片狀層合材料將樹脂組成物之層層合於電路基板後，將樹脂組成物熱硬化所形成。其次對所形成的絕緣層進行打洞加工而形成通孔(via hole)(例如專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：特開2008-37957號公報
將絕緣層打洞加工時，通孔內會發生樹脂殘渣(污點)而需藉由粗化處理去除污點。但本發明者們發現，使用含有活性酯化合物的低介電損耗正切之樹脂組成物製作多層印刷配線板時，既使絕緣層打洞加工後對通孔內進行粗化處理，也難去除通道內之污點。
因此本發明所欲解決之課題為，提供可得到介電損耗正切較低之硬化物，且將該硬化物打洞加工後可抑制粗化處理後之通孔內污點的樹脂組成物。
本發明者們為了解決上述課題經專心檢討後發現，除了環氧樹脂與活性酯化合物，另含有烷基化三聚氰胺樹脂及/或烷氧基烷基化苯酚樹脂的特定樹脂組成物可解決上述課題，而完成本發明。
即，本發明係包含下述內容之物。
[1]一種樹脂組成物，其為含有(A)環氧樹脂，與(B)活性酯化合物，與(C)由烷基化三聚氰胺樹脂及烷氧基烷基化苯酚樹脂所成群中所選出的一種以上之樹脂。
[2]如[1]所記載之樹脂組成物，其中以樹脂組成物中之(A)成分與(B)成分的合計量為100質量%時，(C)成分之 含量為0.1質量%~30質量%。
[3]如[1]或[2]所記載之樹脂組成物，其中以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(B)成分之含量為1質量%~30質量%。
[4]如[1]~[3]中任一項所記載之樹脂組成物，其中烷基化三聚氰胺樹脂為，含有下述式(1)所表示之結構單位的三聚氰胺樹脂。
[式中，X1、X2、X3、X4、X5及X6表示各自獨立的氫原子、式：-CH2OH所表示之基、式：-CH2-O-R1所表示之基，或式-CH2-＊所表示之基，其中R1為烷基，＊為鍵結鍵；但X1、X2、X3、X4、X5及X6中至少1個為式：-CH2-O-R1所表示之基]。
[5]如[1]~[4]中任一項所記載之樹脂組成物，其中烷氧基烷基化苯酚樹脂為，含有下述式(2)所表示之結構單位的苯酚樹脂。
[式中，Y表示氫原子或式：-R2-＊所表示之基，其中R2為伸烷基或單鍵結，＊為鍵結鍵，Z1表示式：-CH(R3)-O-R4所表示之基，其中R3為氫原子、烷基、苯基或羥基苯基，R4為烷基，Z2表示式：-R5-＊所表示之基或式：-R6(-＊)2所表示之基，其中R5為伸烷基或單鍵結，R6為鏈烷三基，＊為鍵結鍵，Z3表示可具有取代基之烷基，l、m及n為符合2≦l+m+n≦5且1≦l之整數]。
[6]如[1]~[5]中任一項所記載之樹脂組成物，其中另含有(D)無機填充材料。
[7]如[6]所記載之樹脂組成物，其中(D)無機填充材料之平均粒徑為0.01μm~5μm。
[8]如[6]或[7]所記載之樹脂組成物，其中以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(D)成分之含量為50質量%~85質量%。
[9]如[1]~[8]中任一項所記載之樹脂組成物，其為多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物。
[10]如[1]~[9]中任一項所記載之樹脂組成物，其為 多層印刷配線板之組裝層用樹脂組成物。
[11]一種片狀層合材料，其為含有如[1]~[10]中任一項所記載之樹脂組成物。
[12]一種多層印刷配線板，其為含有藉由如[1]~[10]中任一項所記載之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
[13]一種半導體裝置，其為含有如[12]所記載之多層印刷配線板。
[14]一種多層印刷配線板之製造方法，其為將如[11]所記載之片狀層合材料層合於電路基板上，將樹脂組成物熱硬化形成絕緣層後，對形成於電路基板上之絕緣層進行打洞加工而形成通孔。
本發明之樹脂組成物可得到介電損耗正切較低之硬化物，且將該硬化物打洞加工後可抑制粗化處理後之通孔內污點。
實施發明之形態 [樹脂組成物]
本發明之樹脂組成物為，特徵係含有(A)環氧樹脂，與(B)活性酯化物，與(C)由烷基化三聚氰胺樹脂及烷氧基烷基化苯酚樹脂所成群中所選出的一種以上之樹脂。
<(A)成分>
本發明之樹脂組成物所含有的(A)成分為環氧樹脂。環氧樹脂無特定限定，但較佳為1分子中具有2個以上之環氧基的環氧樹脂。具體例如，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒荼酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧基脂、縮水甘油脂型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、鹵化環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨一種或二種以上組合使用。
其中就提升耐熱性、提升絕緣信賴性、提升與導體層之密合性的觀點，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂。具體如，雙酚A型環氧樹脂(三菱化學(股)製「jER828EL」、「YL980」)、雙酚F型環氧樹脂(三菱化學(股)製「jER806H」、「YL983U」)、雙酚AF型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」)、萘型雙官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032 」、「HP4032D」、「HP4032SS」)、萘型四官能環氧樹脂(DIC(股)製「HP4700」、「HP4710」)、萘酚型環氧樹脂(東都化成(股)製「ESN-475V」)、具有丁二烯結構之環氧樹脂(戴歇爾化學工業(股)製「PB-3600」)、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000H」、「NC3000L」、「NC3100」、三菱化學(股)製「YX4000」、「YL6121」)、聯二甲苯酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000H」、「YX4000HK」)、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製「HP-7200HH」)、蒽型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX8800」)、萘醚型環氧樹脂(DIC(股)「EXA-7310」、「EXA-7311」、「EXA-7311L」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」)、縮水甘油酯型環氧樹脂(那加歇(股)製「EX711」、「EX721」、普林天製「R540」)等。
其中又以併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂為佳，更佳為含有一分子中具有2個以上之環氧基，溫度20℃下液狀之芳香族系環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)，與一分子中具有3個以上之環氧基，溫度20℃下固體狀之芳香族系環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)的態樣。本發明之芳香族系環氧樹脂係指，其分子內具有芳香族環結構之環氧樹脂。環氧樹脂併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，就以片狀層合材料之形態使用樹脂組成物時具有適度可撓性及樹脂組成物之硬化物具有適度斷裂強度之觀點，其添加比例(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)較佳為質量比1：0.1~1：6之範圍，又以1： 0.1~1：5之範圍為佳，更佳為1~0.3~1：4.5之範圍，特佳為1：0.6~1：4之範圍。
本發明之樹脂組成物中，就提升樹脂組成物之硬化物的機械強度及絕緣信賴性的觀點，(A)成分之含量較佳為3質量%~40質量%，又以5質量%~35質量%為佳，更佳為10質量%~30質量%。
又，本發明中樹脂組成物中各成分之含量無另外註明下，係指以組成物中不揮發成分之合計為100質量%之值。
環氧樹脂之環氧當量較佳為50~3000，又以80~2000為佳，更佳為110~1000。其為該範圍時可得具有充分硬化物之交聯密度的表面粗糙度較低之絕緣層。又，環氧當量可依據JIS K7236測定，係為含有1當量之環氧基的樹脂質量。
環氧樹脂之重量平均分子量較佳為100~5000，又以250~3000為佳，更佳為400~1500。該環氧樹脂之重量平均分子量為，藉由凝膠滲透色譜(GPC)法測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
<(B)成分>
本發明之樹脂組成物所含的(B)成分為活性酯化合物。活性酯化合物為，一分子中具有1個以上之活性酯基的化合物，可降低樹脂組成物之介電損耗正切。又，活性酯化合物可減少樹脂組成物之硬化物被粗化處理後之硬化物 表面的二乘平均平方根粗糙度Rq。活性酯化合物較佳為可與環氧樹脂等反應，一分子中具有2個以上之活性酯基的化合物。活性酯化合物一般又以使用苯酚酯類、苯硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等一分子中具有2個以上之反應活性較高的酯基之化合物為佳。活性酯化合物可一種單獨或二種以上組合使用。
就提升耐熱性之觀點較佳為，藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物，與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應所得的活性酯化合物。其中又以羧酸化合物，與由苯酚化合物、萘酚化合物及硫酸化合物中所選出的一種以上反應所得的活性酯化合物為佳，更佳為羧酸化合物，與具有苯酚性羥基之芳香族化合物反應所得，一分子中具有2個以上之活性酯基的芳香族化合物，特佳為一分子中具有至少2個以上之羧基的羧酸化合物，與具有苯酚性羥基之芳香族化合物反應所得的芳香族化合物，且該芳香族化合物之一分子中具有2個以上之活性酯基的芳香族化合物。活性酯化合物可為直鏈狀或支鏈狀。又，一分子中具有至少2個以上之羧基的羧酸化合物為含有脂肪族鏈之化合物時可提高與樹脂組成物之相溶性，為具有芳香環之化合物時可提高耐熱性。
羧酸化合物如，碳原子數1~20(較佳為2~10，更佳為2~8)之脂肪族羧酸、碳原子數7~20(較佳為7~10)之芳香族羧酸。脂肪族羧酸如，乙酸、丙二酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸等。芳香族羧酸如，苯甲酸、酞酸 、間苯二甲酸、對苯二甲酸、均苯四甲酸等。其中就耐熱性之觀點較佳為琥珀酸、馬來酸、衣康酸、酞酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、更佳為間苯二甲酸、對苯二甲酸。
硫羧酸化合物無特別限制，例如硫乙酸、硫苯甲酸等。
苯酚化合物如，碳原子數6~40(較佳為6~30，又以6~23為佳，更佳為6~22)之苯酚化合物，較佳具體例如，氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞啉、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、均苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二苯酚等。苯酚化合物又可使用苯酚酚醛清漆。
萘酚化合物如，碳原子數10~40(較佳為10~30，更佳為10~20)之萘酚化合物，較佳具體例如，α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘等。萘酚化合物又可使用萘酚酚醛清漆。
其中就提升耐熱性、提升溶解性之觀點較佳為，雙酚A、雙酚F、雙酚S、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二萘甲酮、酚酞啉、苯二醇、二環戊二烯型二苯酚、苯酚酚醛清漆，又以兒茶酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲 酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、酚酞啉、苯二醇、二環戊二烯型二苯酚、苯酚酚醛清漆為佳，更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、二環戊二烯型二苯酚、苯酚酚醛清漆，又以1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二環戊二烯型二苯酚、苯酚酚醛清漆更佳，特佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二環戊二烯型二苯酚，最佳為二環戊二烯型二苯酚。
硫醇化合物無特別限制，例如苯硫醇、三嗪二硫醇。
活性酯硬化劑之較佳具體例如，含有二環戊二烯型二苯酚結構之活性酯化合物、含有萘結構之活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯化合物、苯酚酚醛清漆之苯醯化物的活性酯化合物，其中又以含有萘結構之活性酯化合物、含有二環戊二烯型二苯酚結構之活性酯化合物為佳。本發明中「二環戊二烯型二苯酚結構」係表示由伸苯基-二環戊搭烯-伸苯基所形成的二價之結構單位。
含有二環戊二烯型二苯酚結構之活性酯化合物更具體如下式(a)之化合物。
(式中，R為苯基、萘基，k表示0或1，n為重覆單位之平均數的0.05~2.5)。
就降低介電損耗正切、提升耐熱性之觀點，R較佳為萘基，k較佳為0，n較佳為0.25~1.5。
(B)成分可使用特開2004-277460號公報所揭示之活性酯化合物，又可使用市售之活性酯化合物。市售之活性酯化合物如，作為含有二環戊二烯基二苯酚結構之活性酯系硬化劑用的EXB9451、EXB9460、EXB9460S、HPC-8000-65T(DIC(股)製)、作為含有萘結構之活性酯系硬化劑用的EXB9416-70BK(DIC(股)製)、作為苯酚酚醛清漆之乙醯化物的活性酯系硬化劑用的DC808(三菱化學(股)製)，作為含有苯酚酚醛清漆之苯醯化物的活性酯系硬化劑用的YLH1026(三菱化學(股)製)等。
(B)成分之含量就提升耐熱性，且抑制污點發生之觀點較佳為30質量%以下，又以20質量%以下為佳，更佳為15質量%以下。另外就提升撕剝強點之觀點，(B)成分之含量下限較佳為1質量%以上，又以3質量%以上為佳，更佳為5質量%以上。
又，以(A)環氧樹脂之環氧基數為1時，就提升樹脂組成物之機械特性的觀點，(B)活性酯化合物之反應基數較佳為0.2~2，又以0.3~1.5為佳，更佳為0.4~1。此時「環氧樹脂之環氧基數」係指，有關全部環氧樹脂的樹脂組成物中存在之各環氧樹脂的固體成分質量除以環氧 當量之值的合計值。又，「反應基」係指可與環氧基反應之官能基，「活性酯化合物之反應基數」係指樹脂組成物中存在之活性酯化合物的固體成分質量除以反應基當量之值的合計值。
<(C)成分>
本發明之樹脂組成物所含有的(C)成分為，由烷基三聚氰胺樹脂及烷氧基烷基化苯酚樹脂所成群中所選出的一種以上之樹脂。藉由使用該(C)成分，既使使用含有活性酯化合物之低介電損耗正切的樹脂組成物製作多層印刷配線板時，將該樹脂組成物之硬化物打洞加工後也可抑制粗化處理後之通孔內污點。此時本發明之「抑制污點」係指，包含減少打洞加工時所發生的污點量，更易去除粗化處理時之污點等任何意義。
-烷基化三聚氰胺樹脂-
烷基化三聚氰胺樹脂係由，三聚氰胺與甲醛反應而使部分或全部的胺基之氫原子被羥甲基取代後，再與乙醇化合物反應而使部分或全部的羥甲基被轉化為烷氧基甲基所得。
烷基化三聚氰胺樹脂為，具有1個以上之式：-N(-CH2-O-R1)2所表示的官能基、式：-N(-CH2-O-R1)CH2OH所表示的官能基、式：-N(CH2-O-R1)H所表示的官能基。此時上述官能基中之R1 為烷基，較佳例示如後述。例如R1為甲基時，稱為甲基化三聚氰胺樹脂，R1為丁基時稱為丁基化三聚氰胺樹脂。
一實施形態中，烷氧化三聚氰胺樹脂為含有下述式(1)所表示之結構單位的三聚氰胺樹脂。
[式中，X1、X2、X3、X4、X5及X6表示各自獨立的氫原子、式：-CH2OH所表示之基、式：-CH2-O-R1所表示之基，或式：-CH2-＊所表示之基，此時R1為烷基，＊為鍵結鍵，但X1、X2、X3、X4、X5及X6中至少1個為式：-CH2-O-R1所表示之基]。
式：-CH2-O-R1所表示之基中R1為烷基，較佳為碳原子數1~20之烷基，又以碳原子數1~10之烷基為佳，更佳為碳原子數1~6之烷基，特佳為碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~2之烷基，或碳原子數1之烷基。該烷基可為直鏈狀或支鏈狀。該烷基之較佳例示如，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、異丁基、tert-丁基。
式(1)中，X1、X2、X3、X4、X5及X6中至少1個式：-CH2-O-R1所表示之基。較佳之實施形態中，X1、 X2、X3、X4、X5及X6中較佳為2個以上，又以3個以上為佳，更佳為4個以上，式：-CH2-O-R1所表示之基。式(1)中存在複數R1時，該等之碳原子數可相同或相異。
較佳之一實施形態中，烷基化三聚氰胺樹脂含有下述式(1-1)所表示之結構單位作為基本骨架。此時「含有作為基本骨架」係包含，烷基化三聚氰胺樹脂為由下述式(1-1)所表示之結構單位所形成的三聚氰胺樹脂(單體)時，與由2個以上之下述式(1-1)所表示之結構單位聚縮合形成的三聚氰胺(縮合聚合物)時雙方，也包含該單體與該縮合聚合物之混合物。下面有關樹脂之結構單位的「含有作為基本骨架」時也相同。
[式中，R’表示烷基]。
式(1-1)中R’所表示之烷基的碳原子數較佳為1~20，又以1~10為佳，更佳為1~6，特佳為1~4，1~2或1。R’所表示之烷基的較佳例示如，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、sec-丁基、異丁基、tert-丁基。複數之R’ 的碳原子數可相同或相異。
其他較佳之一實施形態中，烷基化三聚氰胺樹脂為含有下述式(1-2)所表示之結構單位作為基本骨架。
[式中，R’與上述同義]。
其他較佳之一實施形態中，烷基化三聚氰胺樹脂為含有下述式(1-3)所表示之結構單位作為基本骨架。
[式中，R’與上述同義]。
其他較佳之一實施形態中，烷基化三聚氰胺 樹脂為含有下述式(1-4)所表示之結構單位作為基本骨架。
[式中，R’與上述同義]。
又，烷基化三聚氰胺樹脂為，可含有上述式(1-1)~式(1-4)所表示之結構單位中2個以上作為基本骨架。因此較佳之一實施形態中，烷基化三聚氰胺樹脂為含有由上述式(1-1)~式(1-4)所表示之結構單位所成群中所選出的1個以上之結構單位作為基本骨架。
烷基化三聚氰胺樹脂之重量平均分子量較佳為300以上，又以350以上為佳，更佳為400以上，又以450以上更佳，特佳為500以上。該重量平均分子量之上限較佳為10000以下，又以5000以下為佳，更佳為3000以下，特佳為2000以下。烷基化三聚氰胺樹脂之重量平均分子量例如可由凝膠滲透色譜(GPC)法(聚苯乙烯換算)測定。
烷基化三聚氰胺樹脂可使用市售品，甲基化三聚氰胺樹脂之市售品如，三和化學(股)製之「尼卡拉 MW-390」、「尼卡拉MW-100LM」及「尼卡拉MX-750LM」、DIC(股)製之「斯帕貝ELM-754」、歐爾內(股)製「賽美爾」等。丁基化三聚氰胺樹脂之市售品如，DIC(股)製之「斯帕貝ELM-753」。異丁基化三聚氰胺樹脂之市售品如，DIC(股)製之「斯帕貝ELM-752」、「斯帕貝E-2125」。
-烷氧基烷基化苯酚樹脂-
烷氧基烷基化苯酚樹脂為，含有具有式：-CN(R3)-O-R4所表示之官能基(式中，R3為氫原子、烷基、苯基或羥基苯基，R4為烷基)的苯酚骨架之苯酚樹脂。此時上述官能基中R3及R4之較佳例示如後述。例如R3為氫原子時，稱為烷氧基甲基化苯酚樹脂。
一實施形態中，烷氧基烷基化苯酚樹脂為含有下述式(2)所表示之結構單位的苯酚樹脂。
[式中，Y表示氫原子或式：-R2-＊所表示之基，此時R2為伸烷基或單鍵結，＊為鍵結鏈， Z1表示式：-CH(R3)-O-R4所表示之基，此時R3為氫原子、烷基、苯基或羥基苯基，R4為烷基，Z2表示式：-R5-＊所表示之基或式：-R6-(-＊)2所表示之基，此時R5為伸烷基或單鍵結，R6為鏈烷三基，＊為鍵結鍵，Z3表示可具有取代基之烷基，l、m及n為符合2≦l+m+n≦5且1≦l之整數]。
式(2)中，Y表示氫原子或式：-R2-＊所表示之基。此時R2為伸烷基或單鍵結，＊為鍵結鍵。R2所表示之伸烷基可為直鏈狀或支鏈狀。R2所表示之伸烷基的碳原子數較佳為1~10，又以1~6為佳，更佳為1~4，特佳為1或2。
較佳之一實施形態中，Y為氫原子。
式(2)中，Z1表示式：-CH(R3)-O-R4所表示之基。此時R3為氫原子、烷基、苯基或羥基苯基，R4為烷基。R3所表示之烷基可為直鏈狀或支鏈狀。R3所表示之烷基的碳原子數較佳為1~3，更佳為1或2。R3較佳為氫原子或碳原子數1~3之烷基，更佳為氫原子。R4所表示之烷基可為直鏈狀或支鏈狀。R4所表示之烷基的碳原子數較佳為1~20，又以1~10為佳，更佳為1~6，特佳為1~4、1~2或1。
式(2)中，Z2表示式：-R5-＊所表示之基或式：-R6(-＊)2所表示之基。此時R5為伸烷基或單鍵結，R6為鏈烷三基，＊為鍵結鍵。R5所表示之伸烷基可為直鏈狀 或支鏈狀。R5所表示之伸烷基的碳原子數較佳為1~10，又以1~6為佳，更佳為1~4，特佳為1或2。R6所表示之鏈烷三基可為直鏈狀或支鏈狀。R6所表示之鏈烷三基的碳原子數較佳為1~10，又以1~6為佳，更佳為1~4，特佳為1或2。
式(2)中，Z3表示可具有取代基之烷基。R3中烷基可為直鏈狀或支鏈狀。Z3中烷基之碳原子數較佳為1~20，又以1~10為佳，更佳為1~6，特佳為1~4。該碳原子數不包含取代基之碳原子數。
Z3中烷基可具有之取代基與特別限定，例如環烷基、芳基、式(2)所表示之結構單位。
作為取代基用之環烷基的碳原子數較佳為3~20，又以3~12為佳，更佳為3~6。該環烷基如，環丙基、環丁基、環戊基及環己基。
作為取代基用之芳基為，由芳香族烴去除1個芳香環上之氫原子所得之基。作為取代基用之芳基的碳原子數較佳為6~24，又以6~18為佳，更佳為6~14，特佳為6~10。該芳基如，苯基、萘基及蒽基。
Z3中烷基可具有複數之取代基。此時接鄰之2個取代基可相互鍵結形成環。例如Z3為具有2個苯基作為取代基之甲基時，2個苯基可相互鍵結形成9H-芴-9-基。
上述取代基可另具有取代基(以下稱為「二次取代基」)。二次取代基無特別記載下，可使用與上述取 代基相同之物。
式(2)中，l、m及n為符合2≦l+m+n≦5且1≦l之整數。l+m+n之值的上限較佳為4以下。l較佳為1、2或3，更佳為1或2。m較佳為0、1、2或3，更佳為0、1或2。n較佳為0、1或2，更佳為0或1。
較佳之一實施形態中，式(2)中a)l=1、m=1、n=0，Y為氫原子，Z2為式：-R6(-＊)2所表示之基，或b)l=1、m=2、n=1，Y為氫原子，Z2為式：-R5-＊所表示之基，或c)l=2、m=0、n=1，Y為氫原子，或d)l=1、m=2、n=0，Y為氫原子，Z2為式：-R5-＊所表示之基，或e)l=1、m=1、n=1，Y為氫原子，Z2為式：-R5-＊所表示之基，或f)l=2、m=1、n=0，Y為式：-R2-＊所表示之基，Z2為式：-R5-＊所表示之基。
烷氧基烷基化苯酚樹脂除了式(2)所表示之結構單位，可含有其他結構單位。該其他結構單位無特別限定，例如式(3)所表示之結構單位、式(4)所表示之結構單位。
[式中，Y、Z2、Z3、n及m與上述同義]。
[式中，Z2、Z3、n及m與上述同義]。
烷氧基烷基化苯酚樹脂為，含有式(2)所表示結構單位以外的結構單位時，以烷氧基烷基化苯酚樹脂之全質量為100質量%時，式(2)所表示之結構單位的含量較佳為10質量%以上，又以20質量%以上為佳，更佳為30質量%以上，又以40質量%以上更佳，特佳為50質量%以上、60質量%以上、70質量%以上、80質量%以上或90質量%以上。式(2)所表示之結構單位的含量上限無特別限制，可為100質量%。
烷氧基烷基化苯酚樹脂之分子量(具有分布時為重量平均分子量)較佳為200以上，更佳為250以上。該分子量之上限較佳為20000以下，又以10000以下為佳，更佳為5000以下。烷氧基烷基化苯酚樹脂之分子量如 ，可藉由凝膠滲透色譜(GPC)法測定。
烷氧基烷基化苯酚樹脂可藉由先前已知之任意方法製造。又，烷氧基烷基化苯酚樹脂可使用市售品。烷氧基烷基化苯酚樹脂之市售品如，可由群榮化學工業(股)、本州化學工業(股)、旭有機材工業(股)般之供給源取得。
本發明之樹脂組成物中(C)成分的含量就防止降低硬化物性之觀點，以(A)成分與(B)成分之合計量為100質量%時，較佳為30質量%以下，又以25質量%以下為佳，更佳為20質量%以下，特佳為15質量%以下。又，就提升污點抑制能之觀點，(C)成分之含量以(A)成分與(B)成分之合計量為100質量%時，較佳為0.1質量%以上，又以0.5質量%以上為佳，更佳為1質量%以上，又以1.5質量%以上更佳，特佳為2質量%以上、2.5質量%以上或3質量%以上。
<(D)無機填充材料>
本發明之樹脂組成物為了降低線熱膨脹率及提升粗化處理時之污點去除性，可另含有(D)無機填充材料。無機填充材料如，二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽酸化物、硫酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯及磷酸鎢酸鋯。其中又以 二氧化矽為佳。二氧化矽較佳為無定型二氧化矽、粉碎二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等，更佳為熔融二氧化矽。又，二氧化矽較佳為球狀之二氧化矽(球形二氧化矽)。該等可一種單獨或二種以上組合使用。市售之球狀熔融二氧化矽如，艾德曼(股)製「SO-C2」、「SO-C1」。
無機填充材料之平均粒徑無特別限定，但就於絕緣層上進行微細配線形成之觀點，及就增加無機填充材料之總表面積下抑制打洞加工時發生污點之觀點較佳為5μm以下，又以3μm以下為佳，更佳為1μm以下，又以0.7μm以下更佳，特佳為0.5μm以下，又以0.4μm以下特佳，最佳為0.3μm以下。另外無機填充材料之平均粒徑的下限值，就以樹脂組成物作為漆用時防止漆之黏度上升及降低處理性的觀點，較佳為0.01μm以上，又以0.03μm以上為佳，更佳為0.05μm以上，又以0.07μm以上更佳，特佳為0.1μm以上。上述無機填充材料之平均粒徑可基於米氏(Mie)散射理論藉由雷射衍射、散射法測定、具體上可藉由雷射衍射散射式粒度分布測定裝置，以體積基準製作無機填充材料之粒度分布，測定其等量徑作為平均粒徑用。測定樣品較佳為，使用藉由超音波將無機填充材料分散於水中之物。雷射衍射散射式粒度分布測定裝置可使用堀場製作所(股)製LA-500、750、950等。
無機填充材料之含量無特別限制，但就防止樹脂組成物以片狀層合材料之形態使用時的可撓性降低之 觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為85質量%以下，又以80質量%以下為佳，更佳為75質量%以下。又，就降低絕緣層之熱膨脹率的觀點，及就增加無機填充材料之總表面積下抑制打洞加工時發生污點，於粗化處理時易去除污點之觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為50質量%以上，又以55質量%以上為佳，更佳為60質量%以上，特佳為65質量%以上。
無機填充材料就提升耐濕性、分散性之觀點，較佳為被胺基矽烷系偶合劑、脲基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、乙烯基矽烷系偶合劑、苯乙烯基矽烷系偶合劑、丙烯酸酯矽烷系偶合劑、異氰酸酯矽烷系偶合劑、硫化物矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之表面處理劑表面處理。其中又以有機矽氮烷化合物表面處理無機填充材料後，再以矽烷偶合劑表面處理，可進一步提升無機填充材料之耐濕性及分散性。該等可一種單獨或二種以上組合使用。
表面處理劑如，3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基甲基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基二甲氧基甲基矽烷等之胺基矽烷系偶合劑、3-脲基丙基三乙氧基矽烷等之脲基矽烷系偶合 劑、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基(二甲氧基)甲基矽烷、環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等之環氧矽烷系偶合劑、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、11-巰基十一烷基三甲氧基矽烷等之巰基矽烷系偶合劑、甲基三甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三嗪矽烷、tert-丁基三甲氧基矽烷等之矽烷系偶合劑、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基甲基二乙氧基矽烷等之乙烯基矽烷系偶合劑、p-苯乙烯基三甲氧基矽烷等之苯乙烯基矽烷系偶合劑、3-丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基二乙氧基矽烷等之丙烯酸酯矽烷系偶合劑、3-異氰酸酯丙基三甲氧基矽烷等之異氰酸酯矽烷系偶合劑、雙(三乙氧基矽烷基丙基)二硫化物、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物等之硫化物矽烷系偶合劑、六甲基矽氮烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、六苯基二矽氮烷、三矽氮烷、環三矽氮烷、2,2,4,4,6,6-六甲基環三矽氮烷、八甲基環四矽氮烷、六丁基二矽氮烷、六辛基二矽氮烷、1,3-二乙基四甲基二矽氮烷、1,3-二-n-辛基四甲基二矽氮烷、1,3-二苯基四甲基二矽氮烷、1,3-二甲基四苯 基二矽氮烷、1,3-二乙基四甲基二矽氮烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-二甲基二矽氮烷、1,3-二丙基四甲基二矽氮烷、六甲基環三矽氮烷、二甲基胺基三甲基矽氮烷、四甲基二矽氮烷等之有機矽氮烷化合物、四-n-丁基鈦酸酯二聚物、鈦-i-丙氧基伸辛基乙醇酸酯、四-n-丁基鈦酸酯、鈦伸辛基乙醇酸酯、二異丙氧基鈦雙(三乙醇胺酸酯)、二羥基鈦雙乳酸酯、二羥基雙(銨乳酸酯)鈦、雙(二辛基焦磷酸酯)伸乙基鈦酸酯、雙(二辛基焦磷酸酯)氧基乙酸酯鈦酸酯、三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、四-n-丁基鈦酸酯、四(2-乙基己基)鈦酸酯、四異丙基雙(二辛基亞磷酸酯)鈦酸酯、四辛基雙(二-十三烷基亞磷酸酯)鈦酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)雙(雙十三烷基)亞磷酸酯鈦酸酯、異丙基三辛醯鈦酸酯、異丙基三枯基苯基鈦酸酯、異丙基三異硬脂醯鈦酸酯、異丙基異硬脂醯二丙烯基鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯基硬脂醯酞酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三-十二烷基苯磺醯鈦酸酯、異丙基三(二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三(N-胺醯乙基‧胺基乙基)鈦酸酯等之鈦酸酯系偶合劑等。其中又以胺基矽烷系偶合劑可得優良耐濕性、分散性、硬化物之特性等而為佳，有機矽氮烷化合物可得優良的提升樹脂漆分散性而為佳。表面處理劑之市售品如，信越化學工業(股)製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573 」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)等。
藉由表面處理劑之表面處理程度可藉由無機填充材料每單位表面積的碳量評估。無機填充材料每單位表面積的碳量，就提升無機填充材料之分散性及使硬化物於粗化處理後之二乘平均平方根粗糙度安定的觀點，較佳為0.02mg/m2以上，又以0.1mg/m2以上為佳，更佳為0.2mg/m2以上。另外就防止樹脂漆之熔融黏度及片狀層合材料之形態下的熔融黏度上升之觀點，較佳為1mg/m2以下，又以0.8mg/m2以下為佳，更佳為0.5mg/m2以下。
無機填充材料每單位表面積的碳量可於藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))對表面處理後之無機填充材料進行洗淨處理後再測定。具體上可以充分量之MEK作為溶劑加入經表面處理劑表面處理後之無機填充材料中，25℃下以超音波洗淨5分鐘，去除上層澄清液後，將固體成分乾燥，再使用碳分析計測定無機填充材料每單位表面積的碳量所得。碳分析計可使用堀場製作所製「EMIA-320V」等。
<(E)硬化促進劑>
本發明之樹脂組成物為了調整硬化時間及硬化溫度等可另含有(E)硬化促進劑。硬化促進劑無特別限定，例如咪唑系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、有機膦化合物、有機鏻鹽化合物等。該等可一種單獨或二種以上組合使用。
咪唑系硬化促進劑如，2-甲基咪唑、2-十一烷 基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-1-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-1(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪三聚異氰酸加成物、2-苯基咪唑三聚異氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯并[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物等環氧樹脂之加成物。該等可一種單獨或二種以上組合使用。
胺系硬化促進劑如，三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6-三(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二氮雜二環(5,4,0)-十一烯(以下簡稱為DBU)等之胺化合物等。該等可一種單獨或二種以上組合使用。
有機膦化合物、有機鏻鹽化合物如，TPP、TPP-K、TPP-S、TPTP-S、TBP-DA、TPP-SCN、TPTP-SCN(北興化學工業(股)商品名)等。該等可一種單獨或二 種以上組合使用。
硬化促進劑之含量就樹脂漆的保存安定性及硬化之效率化的觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為0.01質量%~3質量%，更為0.05質量%~2質量%。
<(F)熱塑性樹脂>
本發明之熱塑性樹脂可另含有(F)熱塑性樹脂。藉由含有熱塑性樹脂可將由該樹脂組成物所得的樹脂漆之黏度調整為較佳範圍，可提高硬化物之可撓性。熱塑性樹脂無特別限定，例如苯氧樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、ABS樹脂等。其中就提升硬化物之可撓性，賦予與導體層之密合性的觀點，較佳為苯氧樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂，更佳為苯氧樹脂。該等可一種單獨或二種以上組合使用。熱塑性樹脂較佳為玻璃化溫度為80℃以上之物。
熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為5000~800000之範圍，又以10000~200000之範圍為佳，更佳為15000~150000之範圍，特佳為20000~100000之範圍。該範圍內可充分發揮薄膜成型能及機械強度之提升效果，也可提升與環氧樹脂之相溶性。又，本發明之重量平均分子量係由凝膠滲透色譜(GPC)法(聚苯乙烯換算)測定。藉由GPC法之重量平均分子量具體上可由，以島津製 作所(股)製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，以昭和電工(股)公司製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，以氯仿等作為移動相之情形下，以管柱溫度40℃測定後，使用標準聚苯乙烯之檢量線算出。
苯氧樹脂如，具有由雙酚A骨架、雙酚下骨架、雙酚S骨架、雙酚乙醯苯骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、芴骨架、二環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、三甲基環己烷骨架中所選出的一種以上之骨架之物。苯氧樹脂可二種以上混合使用。苯氧樹脂之末端可為苯酚性羥基、環氧基等任何官能基。市售品如，三菱化學(股)製1256、4250(含有雙酚A骨架之苯氧樹脂)、三菱化學(股)製YX8100(含有雙酚S骨架之苯氧樹脂)、三菱化學(股)製YX6954(含有雙酚乙醯苯骨架之苯氧樹脂)。市售品又如，新日鐵住金化學(股)製FX280、FX273。三菱化學(股)製YL7553、YL6954、YL6794、YL7213、YL7290、YL7482等。
聚乙烯基縮醛樹脂之具體例如，電氣化學工業(股)製之電化丁縮醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製耶思雷BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。聚醯亞胺樹脂之具體例如，新日本理化(股)製之聚醯亞胺「里卡可SN20」及「里卡可PN20」。又如，二官能性羥基末端之聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四鹼酸酐反應所得的線狀聚醯亞胺(特開2006-37083號公報所記載之物)、含有聚矽氧烷骨架之聚 醯亞胺(特開2002-12667號公報、特開2000-319386號公報所記載之物)等之改質聚醯亞胺。聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例如，東洋紡績(股)製之聚醯胺醯亞胺「拜洛曼HR11NN」及「拜洛曼HR16NN」又如，日立化成工業(股)製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。聚醚碸樹脂之具體例如，住友化學(股)製之聚醚碸「PES5003P」等。聚碸樹脂之具體例如，索爾班(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
熱塑性樹脂之含量無特別限定，就調整片狀層合材料之熔融黏度及樹脂漆黏度之觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，較佳為0.5質量%~30質量%，更佳為1質量%~20質量%。
<(G)硬化劑>
本發明之樹脂組成物可另含有(G)硬化劑(但(B)成分除外)。藉由含有硬化劑可提高樹脂組成物之硬化物的絕緣信賴性、撕剝強度、機械特性。硬化劑無特別限定，例如苯酚系硬化劑、氰酸酯酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、酸酐系硬化劑等。該等可一種單獨或二種以上組合使用。其中就提升污染去除性、提升介電特性之觀點，較佳為苯酚系硬化劑、氰酸酯酯系硬化劑。
苯酚系硬化劑無特別限制，例如苯酚酚醛清漆樹脂、含有三嗪骨架之苯酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清 漆樹脂、萘酚芳烷基型樹脂、含有三嗪骨架之萘酚樹脂、聯苯芳烷基型苯酚樹脂等。例如聯苯芳烷基型苯酚樹脂之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」(明和化成(股)製)、「NHN」、「CBN」、「GPH」(日本化藥(股)製)、萘酚芳烷基型樹脂之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」(東都化成(股)製)、苯酚酚醛清漆樹脂之「TD2090」(DIC(股)製)、含有三嗪骨架之苯酚酚醛清漆樹脂之「LA3018」、「LA7052」、「LA7054」、「LA1356」(DIC(股)製)等。苯酚系硬化劑可一種單獨或二種以上組合使用。
氰酸酯酯系硬化劑無特別限定，例如酚醛清漆型(苯酚酚醛清漆型、烷基苯酚酚清漆型等)氰酸酯酯系硬化劑、二環戊二烯型氰酸酯酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯酯系硬化劑，及該等被部分三嗪化的預聚物等。氰酸酯酯系硬化劑之重量平均分子量無特別限定，較佳為500~4500，更佳為600~3000、氰酸酯酯系硬化劑之具體例如，雙酚A二氰酸酯、聚苯酚氰酸酯(低聚(3-伸甲基-1,5-伸苯基氰酸酯))、4,4’-伸甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、雙(4-氰酸酯苯基)醚等之 二官能氰酸酯樹脂、由苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、含有二環戊二烯結構之苯酚樹脂等所衍生的多官能氰酸酯樹脂，該等氰酸酯樹脂被部分三嗪化的預聚物等。該等可一種單獨或二種以上組合使用。市售之氰酸酯酯樹脂如，苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯酯樹脂(隆札吉(股)製PT30，氰酸酯當量124)、雙酚A二氰酸酯被部分或全部三嗪化而形成三聚物的預聚物(隆札吉(股)製BA230，氰酸酯當量232)、含有二環戊二烯結構之氰酸酯酯樹脂(隆札吉(股)製DT-4000、DT-7000)等。
苯并噁嗪系硬化劑無特別限制，具體例如F-a、P-d(四國化成(股)製)、HFB2006M(昭和高分子(股)製)等。
硬化劑之含量無特別限定，就防止樹脂組成物之硬化物脆化的觀點，以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時較佳為0.5質量%~10質量%，更佳為1質量%~6質量%。
<其他成分>
本發明之樹脂組成物於無損本發明之效果的範圍內，可另含有其他成分。該其他成分如，馬來醯亞胺化合物、雙烯丙基裸醯亞胺化合物、乙烯基苄基樹脂、乙烯基苄基醚樹脂等之熱硬化成分、矽粉末、尼龍粉末、氟粉末等之有機填充劑、黏結劑、皂土等之增黏劑、聚矽氧系、氟系、高分子系之消泡劑或塗平劑、咪唑系、噻唑系、三唑系 、矽烷偶合劑等之密合性賦予劑、磷系化合物、氫氧化金屬物等之難燃劑等。
本發明之樹脂組成物可藉由適當混合上述成分，又必要時可藉由混練方法(例如三座輥、球磨機、珠磨機、砂磨機等)或攪拌方法(例如超混機、行星混合機等)進行混練或混合而得作為樹脂漆用。本發明之樹脂組成物可得介電損耗正切較低之硬化物，且將該硬化物打洞加工後可抑制粗化處理後之通孔內污點。
本發明之樹脂組成物的硬化物之介電損耗正切可由後述「介電損耗正切測定」所記載之方法測定。具體為，藉由空洞共振器攝動法以周波數5.8GHz、測定溫度23℃測定。就防止高周波下發熱、減少信號遲延及信號噪音之觀點，介電損耗正切較佳為0.05以下，又以0.04以下為佳，更佳為0.03以下，又以0.02以下更佳，特佳為0.01以下。另外介電損耗正切之下限值無特別限制，但較佳為0.001以上。
本發明之樹脂組成物的硬化物之算術平均粗糙度Ra可由後述[算術平均粗糙度(Ra)及二乘平均平方根粗糙度(Rq)測定]所記載之方法測定。粗化處理後之絕緣層表面就減輕電氣信號漏失之觀點，較佳為減少表面凹凸。具體為，將樹脂組成物硬化形成絕緣層後，對該絕緣層表面進行粗化處理，所得的該絕緣層表面之算術平均粗糙度Rq較佳為400nm以下，又以350nm以下為佳，更佳為300nm以下，又以250nm以下更佳，特佳為200nm以下 。又，算術平均糙糙度Ra之下限值就與導體層具有良好密合性之觀點，較佳為5nm以上，又以10nm以上為佳，更佳為15nm以上。
本發明之樹脂組成物的硬化物之二乘平均平方根粗糙度Rq可由後述[算術平均粗糙度(Ra)及二乘平均平方根粗糙度(Rq)測定]所記載之方法測定。粗化處理後之絕緣層表面就減輕電氣信號漏失之觀點，較佳為表面凹凸微細化。表現絕緣層表面之凹凸細緻度係為二乘平均平方根粗糙度Rq。藉由該指標不僅為絕緣層表面之凹凸之單純平均值，也可確認絕緣層表面是否具有細緻之凹凸形狀。具體為，將樹脂組成物硬化形成絕緣層後，對該絕緣層表面進行粗化處理，所得的絕緣層表面之二乘平均平方根粗糙度Rq較佳為500nm以下，又以400nm以下為佳，更佳為300nm以下，又以250nm以下更佳，特佳為200nm以下。又，二乘平均平方根粗糙度Rq之下限值就與導體層具有良好密合性之觀點，較佳為7nm以上，又以15nm以上為佳，更佳為20nm以上。
本發明之樹脂組成物的硬化物之線熱膨脹係數可由後述[線熱膨脹係數測定]所記載之方法測定。具體為，藉由拉伸加重法進行熱機械分析，測定25℃~150℃下平面方向之平均線熱膨脹係數。本發明之樹脂組成物可得線熱膨脹係數較低之硬化物，有利於抑制起因於絕緣層與導體層之間的熱線膨脹係數差異之裂化及電路偏差。本發明之樹脂組成物的硬化物較佳為具有25ppm以下之線 熱膨脹係數。線熱膨脹係數之下限無特別限制，一般為1ppm以下。
本發明之樹脂組成物的硬化物之撕剝強度可由後述[電鍍導體層之拉剝強度(撕剝強度)測定]所記載之方法測定。具體為，將樹脂組成物硬化形成絕緣層後進行粗化處理，再於該絕緣層表面上電鍍形成導體層時，所得導體層與絕緣層之撕剝強度較佳為0.4kgf/cm以上，又以0.45kgf/cm以上為佳，更佳為0.5kgf/cm以上。另外上限值無特別限制，一般為1.2kgf/cm以下。
本發明之樹脂組成物的用途無特別限制，可使用於黏著膜、預浸物等之片狀層合材料、電路基板(層合板用途、多層抑制配線板用途等)、焊接光阻劑、止封劑、晶片接合劑、半導體封止劑、埋洞樹脂、構件填埋樹脂等需要樹脂組成物之用途的廣泛範圍。本發明之樹脂組成物為，將硬化物打洞加工後可抑制粗化處理後之通孔內污點。藉此可提升通孔內之電鍍密合力，防止通孔內發生空隙，故可確保多段形成的多層印刷配線板之絕緣層間的導通信賴性。因此本發明之樹脂組成物適用為，製造多層印刷配線板時形成絕緣層用之樹脂組成物(多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物)，更適用為形成組裝層用之樹脂組成物(多層印刷配線板之組裝層用樹脂組成物)，特別適用為藉由電鍍形成導體層用之樹脂組成物(藉由電鍍形成導體層的多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物)。樹脂組成物之軟化點就後述片狀層合材料之層壓性觀點，較 佳為40~150℃。
<片狀層合材料>
本發明之樹脂組成物可以漆狀態塗佈於電路基板上形成絕緣層，但工業上一般又以黏著膜、預浸物等之片狀層合材料之形態使用為佳。即，本發明之片狀層合材料為，含有本發明之樹脂組成物。
(黏著膜)
一實施形態中，本發明之片狀層合材料為黏著膜，該黏著膜為，含有支撐物與形成該支撐物上之樹脂組成物層。該黏著膜可藉由業者已知之方法，例如將本發明之樹脂組成物溶解於有機溶劑調製為樹脂漆後，使用塑膜機等將該樹脂漆塗佈於支撐物上，再藉由加熱或吹入熱風等使有機溶劑乾燥而形成樹脂組成物層所得。
有機溶劑如，丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、溶纖劑、丁基卡必醇等之卡必醇類、甲苯、二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可一種單獨或二種以上組合使用。
乾燥條件無特別限定，較佳為乾燥至樹脂組成物層中有機溶劑之含量為10質量%以下，又以5質量%以下為佳。又，其會因漆中之有機溶劑量、有機溶劑之沸 點而異，例如含有30質量%~60質量%之有機溶劑的漆可藉由50℃~150℃下乾燥3分鐘~10分鐘而形成樹脂組成物層。
樹脂組成物層之厚度較佳為導體層之厚度以上。因電路基板所具有之導體層厚度一般為5μm~70μm之範圍，故樹脂組成物層之厚度較佳為10μm~100μm之範圍。就層薄型化之觀點，樹脂組成物層之厚度更佳為15μm~80μm之範圍。
支撐物如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等之聚烯烴的薄膜，聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下簡稱「PET」)、聚萘二酸乙二醇酯等之聚酯的薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜等各種塑料薄膜。支撐物又可使用離模紙、銅箔、鋁箔等之金屬箔等。其中就泛用性之觀點較佳為塑料薄膜，更佳為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。支撐物及後述之各種保護膜可實施褪光處理、電暈處理等之表面處理。又，可以聚矽氧樹脂系離模劑、醇酸樹脂系離模劑、氟樹脂系離模劑實施離模處理。
支撐物之厚度無特別限定，就於支撐物上進行打洞加工時，既使雷射照射能量較大也不易留樹脂殘渣，可抑制發生污點之觀點，較佳為10μm以上，又以20μm以上為佳，更佳為30μm以上。又，就提升成本完成度及支撐物上進行打洞時可有效率進行打洞之觀點，較佳為150μm以下，又以100μm以下為佳，更佳為50μm以下。
樹脂組成物層之未接觸支撐物的面(即，接觸支撐物之面的相反側面)上，可另層合以支撐物為基準的保護膜。此時黏著膜係包含支撐物，與形成於該支撐物上之樹脂組成物層，與形成於該樹脂組成物層上之保護膜。保護膜之厚度無特別限定，例如可為1μm~40μm。藉由層合保護膜可防止樹脂組成物層表面附著灰塵及受傷。黏著膜可卷成滾筒狀貯藏。
(預浸物)
一實施形態中，本發明之片狀層合材料為預浸物。該預浸物可藉由，以熱熔法或溶劑法使片狀補強基材含浸本發明之樹脂組成物後，加熱半硬化而得。即，預浸物係由片狀補強基材含浸本發明之樹脂組成物而成型。片狀補強基材如，玻璃纖維織布、芳香族聚醯胺不織布、液晶聚合物不織布等之一般作為預浸用基材之物。預浸物較佳以支撐物上設置該預浸物之狀態使用。
熱熔法為，樹脂組成物未溶解於有機溶劑下，一度塗佈於支撐物後，再壓合於片狀補強基材上，或藉由塑模塗佈機直接塗佈於片狀補強基材上等，以製造預浸物之方法。又溶劑法為，將與黏著膜相同之樹脂溶解於有機溶劑中調製樹脂漆後，將片狀補強基材浸漬於該漆中，使片狀補強基材含浸樹脂漆再乾燥之方法。又，可於加熱、加壓條件下將黏著膜連續熱層壓於片狀補強基材之雙面以調製預浸物。支撐物及保護膜可使用與上述接合膜相同 之物。
<使用片狀層合材料之多層印刷配線板>
其次將說明使用本發明之片狀層合材料製造多層印刷配線板一例。
首先使用真空層壓機將片狀層合材料層壓(層合)於電路基板之單面或雙面上。詳細為，使樹脂組成物層或預浸物接合電路基板之方式，將片狀層合材料層壓於電路基板之單面或雙面上。電路基板所使用的基板如，玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等。該電路基板係指，上述般基板之單面或雙面上形成經圖案加工的導體層(電路)之物。又，交互層合導體層與絕緣層以製造多層印刷配線板時，電路基板也包含最外層之單面或雙面具有經圖案加工的導體層(電路)之多層印刷配線板。該導體層之表面可預先實施黑化處理、銅蝕刻等之粗化處理。
片狀層合材料具有保護膜時，去除該保護膜後必要時可將片狀層合材料及電路基板預熱，於加壓加熱的同時將片狀層合材料層壓於電路基板上。較佳之一實施形態中，係藉由真空層壓法，於減壓下將本發明之片狀層合材料層壓於電路基板上。層壓條件無特別限定，例如壓合溫度(層壓溫度)較佳為70℃~140℃，壓合壓力(層壓壓力)較佳為1kgf/cm2~11kgf/cm2(0.098MPa~1.078MPa)，壓合時間(層壓時間)較佳為5秒~180秒，較佳於空氣壓 20mmHg(26.7hPa)之減壓下進行層壓。又，層壓方法可為分批式或連續式。真空層壓可使用市售之真空層壓機進行。市售之真空層壓機如，尼吉哥(股)製真空強化物、尼吉哥(股)製強化層壓機、名機製作所(股)製真空加壓式層壓機、日立因達斯(股)製輥式乾塗機、日立亞艾西(股)製真空層壓機等。
層壓後較佳於常壓下(大氣壓下)，例如藉由熱壓片狀層合材料，對層壓後之片狀層合材料進行平滑化處理。平滑化處理之條件可與上述層壓之加熱壓合條件相同之條件。平滑化處理可使用市售之層壓機進行。又，層壓處理與平滑化處理可使用上述市售之真空層壓機連續進行。
將片狀層合材料層壓於電路基板後冷卻至室溫附近，需剝離支撐物時剝離後，將樹脂組成物熱硬化以形成絕緣層。藉此可於電路基板上形成絕緣層。熱硬化之條件可因應樹脂組成物中之樹脂成分之種類、含量等而適當選擇，較佳為150℃~220℃下20分鐘~180分鐘，更佳為160℃~210℃下30分鐘~120分鐘。此時熱硬化溫度非需固定為上述溫度範圍內一定之溫度，可為最終能形成適當絕緣層下經時改變，或以不同硬化溫度分數次階段進行硬化。形成絕緣層後，硬化前未剝離支撐物時必要時可於此時剝離。
又，可使用真空加壓機將片狀層合材料層合於電路基板之單面或雙面上。減壓下進行加熱及加壓之層 合步驟可使用一般真空熱壓機進行。例如可藉由由支撐物層側加壓經加熱後之SUS板等金屬板的方式進行。加壓條件一般為，減壓度為1×10-2MPa以上，較佳為1×10-3MPa以下之減壓下。加熱及加壓可單階段進行，但就抑制樹脂受污染之觀點較佳為將條件分二階段以上進行。例如，第一階段以溫度70℃~150℃、壓力1kgf/cm2~15kgf/cm2之範圍進行加壓，第二階段以溫度150℃~200℃。壓力1kgf/cm2~40kgf/cm2之範圍進行加壓為佳。各階段之時間較佳為30分鐘~120分鐘。藉由該方法熱硬化樹脂組成物，可於電路基板上形成絕緣層。市售之真空熱壓機如MNPC-V-750-5-200(名機製作所(股)製)、VH1-1603(北川精機(股)製)等。
其次對形成於電路基板上之絕緣層進行打洞加工以形成通孔、穿孔。打洞加工可藉由，例如削切機、雷射、等離子等已知之方法，或必要時組合該等方法進行。其中最普通之方法為使用碳酸氣體雷射、YAG雷射等之雷射進行打洞加工。又以將本發明之片狀層合材料層合於電路基板後，將樹脂組成物熱硬化形成絕緣層，其次由支撐物上對形成於電路基板上之絕緣層進行打洞加工以形成通孔而得多層印刷配線板為佳，打洞加工後較佳為剝離支撐物。藉由該類由支撐物上進行打洞加工以形成通孔，可抑制發生污點。又，為了對應多層印刷配線板之薄型化，通孔之最大徑(直徑)較佳為15μm~70μm，又以20μm~65μm為佳，更佳為25μm~60μm。
其次對絕緣層表面進行粗化處理。乾式之粗化處理如等離子處理等，濕式之粗化處理如依序進行使用膨潤液之膨潤處理、使用氧化劑之粗化處理及使用中和液之中和處理的方法。又可採用乾式、濕式中任何粗化處理，但以濕式之粗化處理法可於絕緣層表面形成凹凸錨，同時去除通孔內污染物而為佳。使用膨潤液之膨潤處理可藉由，例如50℃~80℃下將絕緣層浸漬於膨潤液中5分鐘~20分鐘(較佳為55℃~70℃下8分鐘~15分鐘)之方式進行。膨潤液如鹼溶液、表面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液。該鹼溶液如，氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液等。市售之膨潤液如，艾特提(股)製之斯威林P(Swelling Dip Securiganth P)、斯威林SBU(Swelling Dip Securiganth SBU)等。使用氧化劑之粗化處理可藉由，例如60℃~80℃下將絕緣層浸漬於氧化劑溶液中10分鐘~30分鐘(較佳為70℃~80℃下15分鐘~25分鐘)之方式進行。氧化劑如，高錳酸鉀或高錳酸鈉溶解於氫氧化鈉之水溶液所得的鹼性高錳酸溶液、重鉻酸鹽、臭氧、過氧化氫/硫酸、硝酸等。又，鹼性高錳酸溶液中高錳酸鹽之濃度較佳為5重量%~10重量%。市售之氧化劑如，亞特提(股)製康先特CP、德金固P等之鹼性高錳酸溶液。使用中和液之中和處理可藉由，例如30℃~50℃下將絕緣層浸漬於中和液中3分鐘~10分鐘(較佳為35℃~45℃下3分鐘~8分鐘)之方式進行。中和液較佳為酸性之水溶液，市售品如，艾特提(股)製里達庫P。
接著藉由乾式電鍍或濕式電鍍於絕緣層上形 成導體層。乾式電鍍可使用蒸鍍、濺鍍、離子電鍍等已知之方法。濕式電鍍如，組合無電解電鍍與電解電鍍以形成導體層之方法，形成與導體層相反之圖型的電鍍光阻後，僅以無電解電鍍形成導體層之方法等。形成電路圖型之方法如，可使用業者已知之subtractive法、semiadeiteibu法等。又，重覆數次上述一連串步驟可製造多段層合組裝層之多層印刷配線板。本發明可抑制污點發生，故可確保層間之導通信賴性。因此本發明之片狀層合材料適用於形成多層印刷配線板之組裝層。由此製造之多層印刷配線板為，含有藉由本發明之樹脂組成物的硬化物成型之絕緣層。
<半導體裝置>
使用本發明之多層印刷配線板可製造半導體裝置。藉由將半導體晶片安裝於本發明之多層印刷配線板的導通處可製造半導體裝置。「導通處」係指「多層印刷配線板中傳導電氣信號之處所」，該處所可為表面或填埋處所中任何一種。又，半導體晶片可為以半導體為材料之電氣電路元件無特別限定。本發明之半導體裝置為，含有本發明之多層印刷配線板，詳細為，含有本發明之多層印刷配線板，與安裝於該多層印刷配線板之導通處的半導體晶片。
製造本發明之半導體裝置時的半導體晶片安裝方法可為，能有效發揮半導體晶片機能下無特別限定，具體如金屬絲接合安裝方法、覆晶安裝方法、未撞擊下藉 由組裝層(BBUL)之安裝方法、藉由各向異性導電膜(ACF)之安裝方法、藉由非導電性膜(NCF)之安裝方法等。
實施例
下面將舉實施例更詳細說明本發明，但本發明非限定於該等實施例。又，下述記載中未另外註明下，「份」及「%」各自為「質量份」及「質量%」。
<測定、評估方法>
首先將說明本說明書中之物性評估的測定及評估方法。
[調製測定及評估用基板] (1)電路基板之底層處理
使用微蝕刻劑(美庫(股)製「CZ8100」將形成電路之玻璃布基材環氧樹脂雙面張貼銅之層合板(銅箔之厚度為18μm、基板之厚度為0.3mm、帕那索(股)製「R1515A」)蝕刻1μm後進行銅表面之粗化處理。
(2)層壓黏著膜
由實施例及比較例所製作之黏著膜剝離保護膜。使用分批式真空加壓層壓機(尼吉哥(股)製2段組裝層壓機「CVP700」，以樹脂組成物層接合電路基板之方式，將樹 脂組成物層露出之黏著膜層壓於電路基板雙面上。層壓時係藉由30秒減壓至氣壓為13hPa以下後，於110℃、壓力0.74MPa下壓合30秒之方式實施。其次於大氣壓下、以110℃、壓力0.5MPa將層壓後之黏著膜熱壓60秒使其平滑化。
(3)硬化樹脂組成物層
以100℃下30分鐘後180℃下30分鐘之硬化條件將層壓後之黏合膜的樹脂組成物層硬化，形成絕緣層。
(4)形成通道
使用CO2雷射加工機(日立通道製造(股)製「LC-2E21B/1C」)，以遮罩徑1.60mm、焦距偏差值0.050、脈衝幅寬25μs、動力0.66W、透鏡口徑13、注數2、爆裂型之條件將絕緣層打洞，形成通孔。絕緣層表面之通孔的最大徑(直徑)為50μm。通孔成型後剝離PET膜。
(5)粗化處理
依序將形成絕緣層之電路基板浸漬於膨潤液(亞特提(股)製「斯耶林P」，含有二乙二醇單丁基醚及氫氧化鈉之水溶液)中60℃下10分鐘、粗化液(亞特提(股)製「康先特CP」，KMnO4：60g/L、NaOH：40g/L之水溶液)中80℃下2分鐘，及最後中和液(亞特提(股)製「里達庫P」，硫酸水溶液)中40℃下5分鐘後，80℃下乾燥30分鐘。將 所得基板作為評估基板A用。
(6)藉由semiadeiteibu法形成導體層
依下述步驟於絕緣層表面形成具有所希望之電路圖型的導體層。
依序將評估基板A浸漬於含有PdCl2之無電解電鍍液中40℃下5分鐘，及無電解銅電鍍液中25℃下20分鐘。以150℃將所得之基板加熱30分鐘後進行退火處理，形成蝕刻光阻。藉由蝕刻將蝕刻光阻形成圖型後，進行硫酸銅電解電鍍，形成厚30μm之導體層。以190℃加熱60分鐘形成導體層之基板後進行退火處理。以所得基板作為評估基板B用。
[測定算術平均粗糙度(Ra)及二乘平均平方根粗糙度(Rq)]
使用非接觸型表面粗糙計(彼可因公司製「WYKONT3300」)，以VSI接觸式、50倍透鏡測定評估基板A之測定範圍121μm×92μm的數值再求取Ra值及Rq值。又各自以隨意選擇之10點的平均值作為測定值。
[測定電鍍導體層之拉剝強度(撕剝強度)]
於評估基板B之導體層中切出寬10mm、長100nm之部分後，以剝離挾具(TSE股份公司自動型試驗機「AC-50C-SL」)挾住其一端，測定室溫下以50mm/分鐘之速度朝垂直方向拉剝35mm時之荷重(kgf/cm)。評估基準如下 所述。
評估基準：
○：撕剝強度超過0.45kgf/cm
△：撕剝強度為0.4kgf/cm以上0.45kgf/cm以下
×：撕剝強度未達0.4kgf/cm
[評估通孔底部之污點]
使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察通孔底部四周，由所得之畫像測定通孔底部之壁面的最大污點長。評估基準如下所述。
評估基準：
○：最大污點長度未達3μm
×：最大污點長度為3μm以上
[測定線膨脹係數]
以200℃加熱實施例及比較例所製作之黏著膜90分鐘使樹脂組成物層熱硬化後，剝離PET膜得片狀硬化物。由該硬化物切出寬5mm、長15mm之試驗片後，使用熱機械分析裝置(里加庫(股)製「Thermo Plus TMA8310」)，以拉伸加重法進行熱機械分布。將試驗片安裝於前述裝置中，以荷重1g、升溫速度5℃/分鐘之測定條件連續測定2次。算出第2次測定時由25℃至150℃之平均線熱膨脹係 數(ppm)。評估基準如下所述。
評估基準：
○：平均線熱膨脹係數為25ppm以下
×：平均線熱膨脹係數大於25ppm
[測定介電損耗正切]
以200℃加熱實施例及比較例所製作之黏著膜90分鐘使樹脂組成物層熱硬化後，剝離PET膜得片狀硬化物。由該硬化物切出寬2mm、長80mm之試驗片後，使用空洞共振器攝動法介電率測定裝置(關東應用電子開發(股)製「CP521」)及網路分析器(亞吉連(股)製「E8362B」)，以空洞共振法測定測定周波數5.8GHz之介電損耗正切(tan δ)。測定2枚試驗片後算出平均值。
[調製例1](調製樹脂漆1)
於溶劑油30份中攪拌雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」，環氧當量約169，雙酚A型與雙酚F型之1：1的混合品)5份、雙二甲苯酚型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」，環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」，環氧當量269)5份、二環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製「HP-7200HH」，環氧當量280)5份，及苯氧樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」，固體成分30質量 %之環己酮：甲基乙基酮(MEK)之1：1溶液)8份的同時加熱溶解。冷卻至室溫後，混入活性酯化合物(DIC(股)製「HPC8000-65T」，活性基當量約223之不揮發成分65質量%的甲苯溶液)35份、烷基化三聚氰胺樹脂(三和化學(股)製「尼卡拉MX-750LM」，不揮發成分82質量%，甲基化三聚氰胺樹脂，單體含量35~45%)5份、硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)，固體成分5質量%之MEK溶液)2份、硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)，固體成分10質量%之MEK溶液)1份、難燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」，10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-噁-10-磷酸基菲-10-氧化物，平均粒徑2μm)2份、經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理後之球形二氧化矽(亞德曼(股)製「SOC1」，平均粒徑0.24μm，每單位表面積之碳量0.36mg/m2)125份後，使用高速回轉混合機均勻分散，製作樹脂漆1。
[調製例2](調製樹脂漆2)
除了使用烷基化三聚氰胺樹脂(DIC(股)製「斯帕貝ELM-752」，重量平均分子量約1500，不揮發成分60質量%，異丁基化三聚氰胺樹脂)3份，取代烷基化三聚氰胺樹脂(三和化學(股)製「尼卡拉MX-750LM」，不揮發成分82質量%)5份外，與調製例1相同調製樹脂漆2。
[調製例3](調製樹脂漆3)
除了使用烷氧基烷基化苯酚樹脂(4-(1,1-二甲基乙基)-2,6-雙(甲氧基甲基)-苯酚，固體成分65質量%之甲基異丁基酮溶液，具有下述式所表示之結構的烷氧基甲基化苯酚樹脂)10份，取代烷基化三聚氰胺樹脂(三和化學(股)製「尼卡拉MX-750LM」，不揮發成分82質量%)5份外，與調製例1相同調製樹脂漆3。
[調製例4](調製樹脂漆4)
除了未添加烷基化三聚氰胺樹脂(三和化學(股)製「尼卡拉MX-750LM」，不揮發成分82質量%)5份外，與調製例1相同調製樹脂漆4。
[調製例5](調製樹脂漆5)
除了使用烷基化苯并鳥糞胺樹脂(DIC(股)製「斯帕貝E-1128」，不揮發成分60質量%，異丁基化苯 并鳥糞胺樹脂)3份，取代烷基化三聚氰胺樹脂(三和化學(股)製「尼卡拉MX-750LM」，不揮發成分82質量%)5份外，與調製例1相同調製樹脂漆5。
<實施例1>(製作黏著膜1)
準備作為支撐物之附醇酸樹脂系離模型層的PET膜(杯提庫(股)製「AL5」，厚38μm)。將樹脂漆1均勻塗佈於該支撐物之離模層上，使乾燥後之樹脂組成物層的厚度為25μm後，以80~120℃(平均100℃)乾燥4分鐘。其次將保護膜(王子特殊紙(股)製「亞爾方MA-411」，厚15μm，聚丙樹脂)之平滑面側貼合於樹脂組成物層上，製作具有保護膜/樹脂組成物層/支撐物之層結構的黏著膜1。
<實施例2>(製作黏著膜2)
使用樹脂漆2，與實施例1相同製作黏著膜2。
<實施例3>(製作黏著膜3)
使用樹脂漆3，與實施例1相同製作黏著膜3。
<比較例1>(製作黏著膜4)
使用樹脂漆4，與實施例1相同製作黏著膜4。
<比較例2>(製作黏著膜5)
使用樹脂漆5，與實施例1相同製作黏著膜5。
評估結果如表1所述。
由表1確認實施例1~3之樹脂組成物可得低介電損耗正切之硬化物，具有優良之抑制通孔內污點之特性。又確認實施例1~3之樹脂組成物可得線熱膨脹係數較低之硬化物。另外比較例1及2之樹脂組成物雖可得低介電損耗正切之硬化物，但結果通孔內會殘存污點。比較例2之樹脂組成物的硬化物會有線熱膨脹係數變差之結果 。
[產業上利用可能性]
本發明可提供能得到介電損耗正切較低之硬化物，且將硬化物打洞加工、粗化處理後可抑制通孔內污點之樹脂組成物。又，使用該樹脂組成物可提供片狀層合材料、多層印刷配線板、半導體裝置。另外也可提供搭載該等之電腦、行動電話、數位相機、電視等電氣製品，及電動自行車、電動汽車、電動火車、船舶、飛機等乘載工具。

Claims (14)

  1. 一種樹脂組成物，其為含有(A)環氧樹脂，與(B)活性酯化合物，與(C)由烷基化三聚氰胺樹脂及烷氧基烷基化苯酚樹脂所成群中所選出的一種以上之樹脂。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中以樹脂組成物中之(A)成分與(B)成分的合計量為100質量%時，(C)成分之含量為0.1質量%~30質量%。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中之樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(B)成分之含量為1質量%~30質量%。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中烷基化三聚氰胺樹脂為含有下述式(1)所表示之結構單位的三聚氰胺樹脂 [式中，X1、X2、X3、X4、X5及X6表示各自獨立的氫原子、式：-CH2OH所表示之基、式：-CH2-O-R1所表示之基，或式-CH2-＊所表示之基，其中R1為烷基，＊為鍵結鍵；但X1、X2、X3、X4、X5及X6中至少1個為式：-CH2-O-R1所表示之基]。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中烷氧基烷基化苯酚樹脂為，含有下述式(2)所表示之結構單位的苯酚樹脂 [式中，Y表示氫原子或式：-R2-＊所表示之基，其中R2為伸烷基或單鍵結，＊為鍵結鍵，Z1表示式：-CH(R3)-O-R4所表示之基，其中R3為氫原子、烷基、苯基或羥基苯基，R4為烷基，Z2表示式：-R5-＊所表示之基或式：-R6(-＊)2所表示之基，其中R5為伸烷基或單鍵結，R6為鏈烷三基，＊為鍵結鍵，Z3表示可具有取代基之烷基，l、m及n為符合2≦l+m+n≦5且1≦l之整數]。
  6. 如請求項1之樹脂組成物，其中另含有(D)無機填充材料。
  7. 如請求項6之樹脂組成物，其中(D)無機填充材料之平均粒徑為0.01μm~5μm。
  8. 如請求項6之樹脂組成物，其中以樹脂組成物中之不揮發成分為100質量%時，(D)成分之含量為50質量%~85質量%。
  9. 如請求項1之樹脂組成物，其為多層印刷配線板之絕緣層用樹脂組成物。
  10. 如請求項1之樹脂組成物，其為多層印刷配線板之組裝層用樹脂組成物。
  11. 一種片狀層合材料，其為含有如請求項1~10中任一項之樹脂組成物。
  12. 一種多層印刷配線板，其為含有藉由如請求項1~10中任一項之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
  13. 一種半導體裝置，其為含有如請求項12之多層印刷配線板。
  14. 一種多層印刷配線板之製造方法，其為將如請求項11之片狀層合材料層合於電路基板上，將樹脂組成物熱硬化形成絕緣層後，將形成於電路基板上之絕緣層打洞加工形成通孔。
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