TW201527585A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種基板處理裝置。該基板處理裝置包含：一下腔室，其具有一開放式上側邊；一上腔室，其開啟或關閉該下腔室的該上側邊，該上腔室與該下腔室一起定義一內部空間，其中在一基板上執行一處理；一噴灑頭，其位於該上腔室的下半部上，用於供應一反應氣體進入該內部空間，其中在該噴灑頭與該上腔室之間定義一緩衝空間；一分割構件，其位於該緩衝空間內，將該緩衝空間分割成複數個擴散區域；以及複數個氣體供應口，其位於該上腔室，將該反應氣體供應朝向各擴散區域。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法，尤其係關於其中將一緩衝空間分割成複數個擴散區域，並且在每一擴散區域內都放置一氣體供應口來供應一反應氣體之基板處理裝置及方法。
一半導體裝置包含矽基板上複數個層，該等層透過沉積處理沉積於該基板上。該沉積處理具有許多對於評估該等已沉積層以及選擇一沉積方法來說相當重要的重大問題。
第一個重大問題的範例就是每一沉積層的「品質」。「品質」代表成份、污染程度、缺陷密度以及機械和電氣屬性。該已沉積層的成份可根據沉積條件而改變，這對於獲得一指定成份來說非常重要。
第二個重大問題就是該晶圓之上的一致厚度。尤其是，沉積在具有非平面形狀(其中形成階梯部分)的圖案上一層之厚度非常重要。在此該已沉積膜的厚度是否一致可透過階梯涵蓋率來決定，該涵蓋率定義為該階梯部分上所沉積該膜的最小厚度除以該圖案上所沉積該膜的厚度之比例。
有關沉積的其他問題為一填充空間。這代表一個間隙填充，其中包含氧化物層的絕緣層填入金屬線之間。一間隙提供該等金屬線之間 的實體與電氣隔離。
有關沉積處理的重要議題之一就是均勻性，不均勻的膜會導致該等金屬線上產生高電阻，增加機械受損的可能性。
[先前技術文件]
[專利文件]
專利文件1：第2009-0115355號韓國專利申請案(2009年11月5日)
本發明提供一種確保處理均勻性的基板處理裝置以及基板處理方法。
參閱下列詳細說明以及附圖將可了解本發明的其他目的。
本發明的具體實施例提供基板處理裝置，包含：一下腔室，其具有一開放式上側邊；一上腔室，其開啟或關閉該下腔室的該上側邊，該上腔室與該下腔室一起定義一內部空間，其中在一基板上執行一處理；一噴灑頭，其位於該上腔室的下半部上，用於供應一反應氣體進入該內部空間，其中在該噴灑頭與該上腔室之間定義一緩衝空間；一分割構件，其位於該緩衝空間內，將該緩衝空間分割成複數個擴散區域；以及複數個氣體供應口，其位於該上腔室，將該反應氣體供應朝向該各擴散區域。
在某些具體實施例內，該擴散區域可包含一中央區域以及複數個邊緣區域，並且該分割構件可包含：一內分割構件，位於該擴散區域的該中央區域周邊上，如此該擴散區域分割成定義在其內的該中央區域以及定義在其外的該等邊緣區域；以及複數個連接構件，其連接至該內分割構件之外，以便讓該等邊緣區域彼此阻擋。
在其他具體實施例內，複數個氣體供應口分別連接至該等邊緣區域。
仍舊在其他具體實施例內，該擴散區域可包含一中央區域、複數個中間區域以及複數個邊緣區域，並且該分割構件可包含：一內分割構件，位於該擴散區域的該中央區域周邊上，如此該擴散區域分割成定義在其內的該中央區域以及定義在其外的該等中間區域；複數個內連接構件，其連接至該內分割構件之外，以便讓該等中間區域彼此阻擋；一外分割構件，其與該內分割構件的周邊分離，如此分割成定義在其內的該等中間區域以及定義在其外的該等邊緣區域；以及複數個外連接構件，其連接至該外分割構件之外，以便讓該等邊緣區域彼此阻擋。
在其他具體實施例內，複數個氣體供應口分別連接至該等邊緣區域與該等中間區域。
仍舊在其他具體實施例內，該基板處理裝置可包含：複數個氣體供應管線，每一氣體供應管線都連接至該氣體供應口來供應該反應氣體；複數個流率調整器，每一流率調整器都開啟或關閉該氣體供應管線；以及一控制器，其連接至該流率調整器，以調整通過該氣體供應管線的供應反應氣體量。
在進一步具體實施例內，該控制器可控制該等流率調整器，如此供應至該等氣體供應管線之一者的反應氣體供應量與供應至該等氣體供應管線另一者的反應氣體供應量不同。
仍舊在進一步具體實施例內，該分割構件可與該緩衝空間的一底部表面相隔。
甚至在進一步具體實施例內，該基板處理裝置可包含：一承座，其位於該內部空間內並且其上放置該基板；一排氣環，其沿著該下腔室的一側壁與該下腔室相隔，該排氣環具有定義在該承座之上的複數個排氣孔；以及一支撐構件，其固定至該下腔室的該側壁來支撐該排氣環，其中在該下腔室的該側壁與該排氣環之間定義一排氣空間，與位於該下腔室的該側壁內之一排氣口連通。
在本發明的其他具體實施例內，一種使用位於一腔室內部空間內的一噴灑頭，並且具有其中從外界供應的一反應氣體已擴散之緩衝空間，來處理一基板之基板處理方法，該基板處理方法包含：將該緩衝空間分割成複數個擴散區域來調整反應氣體的供應量，如此供應進入該等擴散區域之一者的反應氣體量與供應進入該等擴散區域另一者的反應氣體量不同，其中該基板對應至該等擴散區域之一者的區域以及該基板對應至該等擴散區域另一者的區域具有不同之處理程度。
在某些具體實施例內，該緩衝空間可具有定義在該噴灑頭中央部分內的一中央區域，以及定義在該中央區域周圍的一邊緣區域。
3‧‧‧內部空間
10‧‧‧下腔室
13‧‧‧排氣通道
15‧‧‧排氣口
17‧‧‧排氣管線
19‧‧‧排氣泵
20‧‧‧上腔室
30‧‧‧承座
35‧‧‧支撐
38‧‧‧伸縮管
40a‧‧‧氣體供應口
40b‧‧‧氣體供應口
40c‧‧‧氣體供應口
40d‧‧‧氣體供應口
42a‧‧‧氣體供應管線
42b‧‧‧氣體供應管線
42c‧‧‧氣體供應管線
42d‧‧‧氣體供應管線
44a‧‧‧流率調整器
44b‧‧‧流率調整器
44c‧‧‧流率調整器
44d‧‧‧流率調整器
50‧‧‧排氣環
53‧‧‧排氣孔
60‧‧‧噴灑頭
65‧‧‧注射孔
70‧‧‧分割構件
70a‧‧‧下方分割構件
70b‧‧‧上方分割構件
71‧‧‧上方板
72‧‧‧上方內分割構件
73‧‧‧下方板
73a‧‧‧下方板
73b‧‧‧圓形凹陷部分
74‧‧‧上方凸緣
75‧‧‧下方緩衝空間
75a‧‧‧圓形下方中央區域
75b‧‧‧扇形下方中間區域
75c‧‧‧邊緣區域
76‧‧‧下方凸緣
77‧‧‧下方緩衝空間
78‧‧‧下方內分割構件
79a‧‧‧上方中央區域
79b‧‧‧上方中間區域
79c‧‧‧邊緣區域
80‧‧‧控制器
88‧‧‧支撐構件
172‧‧‧上方內連接構件
174‧‧‧外連接構件
176‧‧‧下方外連接構件
178‧‧‧下方內連接構件
W‧‧‧基板
在此包含附圖來進一步了解本發明，並且併入以及構成此說明書的一部分。圖式例示本發明的示範具體實施例，並且在搭配內容說明之後可用來解釋本發明原理。圖式中：第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之示意圖；第二圖為第一圖中一下分割構件的透視圖；第三圖為第一圖中一上分割構件的透視圖； 第四圖為例示第一圖中該基板處理裝置的反應氣體流動之示意圖；第五圖為例示第一圖中一基板上該反應氣體流動之示意平面圖；第六圖為根據本發明另一具體實施例的基板處理裝置之示意剖面圖；第七圖為第六圖中一分割構件的透視圖；以及第八圖為例示第六圖中該基板處理裝置的反應氣體流動之示意剖面圖。
此後將更詳細參照附圖來說明本發明的較佳具體實施例。不過，本發明可以有不同形式的修改，並且不受限於此處公佈的具體實施例。而是提供這些具體實施例，如此所揭示範圍更完整，並且將本發明範疇完整傳輸給精通此技術的人士。
此後，將參照第一圖至第八圖來詳細說明本發明的範例具體實施例。不過，本發明可以有不同形式的修改，並且不受限於此處公佈的具體實施例。而是提供這些具體實施例，如此所揭示範圍更完整，並且將本發明範疇完整傳輸給精通此技術的人士。在圖式中，為了清晰起見所以誇大了組件的形狀。
此後雖然說明沉積裝置當成範例，不過本發明範疇並不受限於此。例如：本發明可適用於使用反應氣體來處理基板的許多處理。
第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之示意 圖。如第一圖所例示，一基板處理裝置包含一下腔室10和一上腔室20。下腔室10具有一開放的上側邊。上腔室20打開與關閉該下腔室10的開放式上邊。當上腔室20關閉下腔室10中該開放式上邊時，下腔室10與上腔室20定義出與外界相隔的一內部空間。
一承座30位於下腔室10之內。一基板W放置在承座30上。承座30包含一加熱器(未顯示)。該加熱器透過從外部電源供應的電流，將該基板W加熱至一處理溫度。一支撐35連接至承座30的下半部，以支撐承座30。支撐35通過下腔室10的底部。一伸縮管38可位於支撐35四周，將內部空間3與外界相隔。
一噴灑頭60連接至上腔室20的下半部。噴灑頭60包含具有平板形的一注射部分，以及位於該注射部分之外並且固定至上腔室20的一凸緣部分。該注射部分與該上腔室20相隔，在此於上腔室20與該凸緣部分之間定義一緩衝空間。該凸緣部分具有複數個注射孔65。供應進入該緩衝空間的一反應氣體會透過注射孔65注入內部空間3。該反應氣體可包含氫氣(H2)、氮氣(N2)或一預定的其他惰性氣體。另外，該反應氣體可包含一前驅物氣體，例如矽烷(SiH4)或二氯矽烷(SiH2Cl2)。另外，該反應氣體可包含一摻雜物來源氣體，例如二硼烷(B2H6)或膦(PH3)。
分割構件可位於該緩衝空間內，並且固定至噴灑頭60。該等分割構件可將該緩衝空間分割成複數個擴散區域。該等分割構件與該緩衝空間的一底部表面相隔，定義出與該分割構件底下注射孔65連通的一下方緩衝空間77。下方緩衝空間77可具有大體上與承座30的直徑相同之尺寸。一上方緩衝空間定義在下方緩衝空間77之上，並且由該等分割構件分割成 一中央區域、中間區域以及邊緣區域。稍後將有該等分割構件的詳細說明。
第二圖為第一圖中一下分割構件的透視圖。該等分割構件包含上方與下方分割構件，該上方分割構件位於該下方分割構件上。下方分割構件70a包含具有圓盤形的一下方板73a，下方板73a可具有複數個貫穿孔，允許供應進入該上方緩衝空間的該反應氣體透過該下方貫穿孔進入該下方緩衝空間。從下方板73a的頂端表面下陷之一圓形凹陷部分73b，定義在下方板73a的中央部分內。一下方內分割構件78位於凹陷部分73b內，將凹陷部分73b的空間分割成一個圓形下方中央區域75a以及八個扇形下方中間區域75b。下方內連接構件178從下方內分割構件78的外圓周表面，相對於下方內分割構件78的中央徑向延伸。下方內連接構件178接觸凹陷部分73b的內側壁，將凹陷部分73b的空間分割成八個下方中間區域75b，藉此讓八個下方中間區域75b彼此阻擋。下方內分割構件78和下方內連接構件178可具有大體上與凹陷部分73b的深度相同之厚度。
另外，下方凸緣76沿著下方板73a的邊緣放置，突出下方板73a的頂端表面。下方外連接構件176從下方凸緣76的內側壁，往該徑向方向朝向下方內分割構件78的中央延伸。每一下方外連接構件176都與凹陷部分73b的內側壁相隔。稍後將說明的上方外分割構件74會放置於下方外連接構件176與下方內連接構件178之間，在此下方外連接構件176與凹陷部分73b的內側壁間之距離大體上與上方外分割構件74的寬度相同。當上方外分割構件74如第一圖所示位於下方板73a上時，會在上方外分割構件74之外定義八個扇形邊緣區域79c。下方外連接構件176可將下方板73a的空間分割成八個邊緣區域79c，讓八個邊緣區域79c彼此阻擋。下方外連接構件176具有 大體上與下方凸緣76的高度相同之高度。另外如第二圖內所例示，凹陷部分73b、下方內分割構件78以及下方凸緣76都同心放置。
第三圖為第一圖中一上分割構件的透視圖。如第三圖內所例示，該上方分割構件具有形狀為圓形的一上方板71。上方板71可具有複數個上方貫穿孔，允許供應進入該上方緩衝空間的該反應氣體進入該下方板73a的上側邊。上方內分割構件72可放置在上方板71的中央部分上，將上方板71的區域分割成一上方中央區域79a和上方中間區域79b。上方凸緣74沿著上方板71的邊緣放置。上方內連接構件172往該徑向方向，相對於上方內分割構件72放置於上方內分割構件72與上方凸緣74之間。上方內連接構件172可將上方板71分割成上方中間區域79b，讓上方中間區域79b彼此阻擋。另外，上方內分割構件72與上方凸緣74同心放置。
如第一圖內所例示，上方分割構件70b放置於下方分割構件70a上。如此，該上方緩衝空間分割成下方凸緣76與上方凸緣74之間定義的邊緣區域79c、上方凸緣74與上方和下方內分割構件72和78之間定義的中間區域79b和75b，以及上方與下方內分割構件72與78之內定義的上方中央區域79a和75a。在此，每一該等空間都與下方緩衝空間77連通。
氣體供應口40a、40b、40c和40d都固定至上腔室20，對應至每一該等擴散區域。邊緣氣體供應口40a和40d位於邊緣區域79c之上，並且中間氣體供應口40b和40c位於中間區域79b和75b之上。在當前的具體實施例內，雖然省略中央區域79a和75a之上的該氣體供應口，一分離氣體供應口可放置在中央區域79a和75a之上。每一氣體供應口40a、40b、40c和40d都將該反應氣體供應進入每一該等擴散區域。該供應的反應氣體可透過下方與 上方分割構件70a和70b移入下方緩衝空間77，並且透過注射孔65移入內部空間3。
氣體供應管線42a、42b、42c和42d可分別連接至氣體供應口40a、40b、40c和40d。該反應氣體可透過每一氣體供應管線42a、42b、42c和42d，供應進入每一氣體供應口40a、40b、40c和40d。流率調整器44a、44b、44c和44d可分別放置在氣體供應管線42a、42b、42c和42d內，來調整供應的反應氣體量。在此每一流率調整器44a、44b、44c和44d都可由一控制器80控制。
在當前的具體實施例內，雖然在每一下方板73a與上方板71內定義複數個貫穿孔，不過本發明並不受限於此。例如：可依照需求省略下方板73a和上方板71，來定義具有扇形的開口。在此該開口具有大體上與該擴散區域相同的形狀。該等複數個貫穿孔可用該開口替代。
第四圖為例示第一圖中該基板處理裝置的一反應氣體流之示意圖式，並且第五圖為例示第一圖中一基板上該反應氣體流之示意平面圖。此後，將參照第四圖和第五圖來說明該反應氣體流。
如上述，該等反應氣體可透過每一氣體供應口40a、40b、40c和40d供應進入每一該等擴散區域。因為該等擴散區域往噴灑頭60的徑向方向彼此阻擋，所以可避免供應進入每一該等擴散區域的該反應氣體移動進入其他擴散區域。然後，透過下方分割構件70a移入下方緩衝空間77的該反應氣體可透過注射孔65移至該基板W的表面。
在此如第五圖內所示，該基板W的表面可分成垂直區域(例如十七個垂直區域)。每一該等擴散區域都位於每一該等垂直區域之上，如 此中央區域79a和75a放置在一區域①之上、中間區域79b和75b放置在區域②至⑨之上，並且邊緣區域79c放置在區域⑩至⑰之上。如此，在中間區域79b和75b內的該反應氣體都注入每一區域②至⑨，朝向中央區域75a和75a以及邊緣區域79c移動。另外，邊緣區域79c內的該反應氣體注入每一區域⑩至⑰，朝向中間區域79b和75b以及該基板W之外移動。在此雖然中間區域79b和75b以及邊緣區域79c內的部分反應氣體在下方緩衝空間77內彼此混合，不過大部分反應氣體可如上述注入每一該等區域。因此，在本發明的當前具體實施例內，供應進入該獨立擴散區域的該反應氣體可注入該基板W表面的對應區域。在此，注入每一基板W表面區域的供應反應氣體量可人為調整，以形成具有均勻厚度的薄膜。
詳細來說，透過噴灑頭30的注入孔65注入之該反應氣體會供應至該基板W的上半部。在該基板W受到承座40加熱的狀態下，該反應氣體與該基板W的表面反應以形成該薄膜。在此該薄膜的厚度與透過注射孔65注入的供應反應氣體量成比例。如此，只要供應少量反應氣體，就可在該基板W的一部分表面上形成厚度相對薄之薄膜。另外，只要供應大量反應氣體，就可在該基板W的一部分表面上形成厚度相對厚之薄膜。因此，當該反應氣體均勻供應至該基板W的完整表面上時，則該薄膜具有均勻的厚度。
不過，該薄膜的厚度會與承座30的加熱溫度加上該供應反應氣體量成比例增加或減少。如此，在對應至具有低加熱溫度的承座30之該基板W一部分表面上所形成之該薄膜具有相對薄的厚度，並且在對應至具有高加熱溫度的承座30之該基板W一部分表面上所形成之該薄膜具有相對 厚的厚度。如此，當承座30的加熱溫度一致時，該薄膜具有一致的厚度。因此，具有完全一致加熱溫度的承座30是理想的。
不過實際上，不可能製造出具有完美一致加熱溫度的承座30。尤其是近年來，該基板W尺寸增加而增加承座30的尺寸。如此，會難以在該基板W上實現均勻的溫度分佈。也就是，雖然該基板已經加熱至一處理溫度，不過該加熱器可能損壞或效能降低，並且該加熱器也可能發出局部不均勻的輻射熱。此外，有許多因素影響該薄膜的厚度，因此必須人為調整一部分上述因素，如此形成具有一致厚度的薄膜。如此在本發明的當前具體實施例內，供應反應氣體量可人為不均勻調整，以便在基板W整個表面上形成具有均勻厚度的薄膜。
例如：使用假基板W形成一薄膜，然後測量該薄膜的厚度。在此，可調整供應進入該擴散區域的反應氣體供應量，如此該反應氣體可均勻注入該基板表面的整個區域上。然後，供應進入每一該等擴散區域的反應氣體供應量可與該薄膜的測量厚度成比例調整。如此，當該薄膜的厚度大於該基板W表面特定區域上的參考值時，則可減少供應進入該對應區域之上該擴散區域的反應氣體量。另外，當該薄膜的厚度小於該基板W表面特定區域上的參考值時，則可增加供應進入該對應區域之上該擴散區域的反應氣體量。上述控制器80可根據該薄膜的測量厚度來控制流率調整器44a、44b、44c和44d，來增加或減少供應進入每一該等擴散區域的反應氣體量。例如：該上述參考值可為該薄膜測量厚度的平均值。控制器80可從該薄膜的測量厚度，計算該平均值。當用於調整反應氣體量的處理執行數次時，則可形成具有一致厚度的該薄膜。然後，該基板W可實際應用於稍後 處理。
如第一圖內所例示，支撐構件88固定至下腔室10的側壁。支撐構件88包含一水平部分以及一垂直部分，該水平部分固定至下腔室10的該側壁，該垂直部分可從該水平部分的內末端往上延伸。一排氣環50可位於噴灑頭60的凸緣部分與支撐構件88之間，並且由支撐構件88支撐。排氣環50與下腔室10的內側壁相隔，以在排氣環50與下腔室10的內側壁之間定義出一排氣空間。排氣通道13定義於下腔室10的該側壁內，與該排氣空間連通。一排氣口15與排氣管線17都連接至排氣通道13。如此，可透過位於排氣管線17上的排氣泵19，強迫吸入該未反應氣體與形成該薄膜時產生的該反應副產品，透過排氣環50內定義的複數個排氣孔53移動進入該排氣空間，藉此透過排氣管道13、排氣口15以及排氣管線17排放至外界。
第六圖為根據本發明另一具體實施例的基板處理裝置之示意剖面圖；並且第七圖為第六圖中一分割構件的透視圖。此後將只描述與前述具體實施例不同的組態，因此上述內容可取代本文中省略的說明。
如第六圖和第七圖內所例示，一分割構件70包含一具有圓盤形的下方板73。下方板73可具有複數個貫穿孔，允許供應進入一上方緩衝空間的該反應氣體透過該等貫穿孔進入一下方緩衝空間75。每一內與外分割構件72與74以及一凸緣76都具有環形以及相同中心，內與外分割構件72與74以及凸緣76從下方板73的中央，沿著徑向方向彼此連續相隔，內與外分割構件72與74與凸緣76位於下方板73的頂端表面與上腔室20之間，用於定義一中央區域75a、中間區域75b以及邊緣區域75c。中央區域75a定義在內分割構件72之內，中間區域75b定義在內分割構件72與外分割構件74之間， 另外邊緣區域75c定義在外分割構件74與凸緣76之間。
內連接構件172往一徑向方向，相對於內分割構件72放置於內分割構件72與外分割構件74之間。中間區域75b由內連接構件172分割並彼此阻擋。類似地，外連接構件174往該徑向方向，相對於內分割構件72放置於外分割構件74與凸緣76之間。邊緣區域75c由外連接構件174分割並彼此阻擋。
第八圖為例示第六圖中該基板處理裝置的反應氣體流動之示意剖面圖。如上述，該等反應氣體可透過每一氣體供應口40a、40b、40c和40d供應進入每一該等擴散區域。因為該等擴散區域往噴灑頭60的徑向方向彼此阻擋，所以可避免供應進入每一該等擴散區域的該反應氣體移動進入其他擴散區域。然後，透過分割構件70移入下方緩衝空間75的該反應氣體可透過注射孔65移至該基板W的表面。
根據本發明，可確保處理一致性。
雖然本發明以參考範例具體實施例來詳細說明，不過本發明可在不同的形式內具體實施。如此，底下所公佈的技術理念與申請專利範圍的範疇都不受限於該等較佳具體實施例。
3‧‧‧內部空間
10‧‧‧下腔室
13‧‧‧排氣通道
15‧‧‧排氣口
17‧‧‧排氣管線
19‧‧‧排氣泵
20‧‧‧上腔室
30‧‧‧承座
35‧‧‧支撐
38‧‧‧伸縮管
40a‧‧‧氣體供應口
40b‧‧‧氣體供應口
40c‧‧‧氣體供應口
40d‧‧‧氣體供應口
42a‧‧‧氣體供應管線
42b‧‧‧氣體供應管線
42c‧‧‧氣體供應管線
42d‧‧‧氣體供應管線
44a‧‧‧流率調整器
44b‧‧‧流率調整器
44c‧‧‧流率調整器
44d‧‧‧流率調整器
50‧‧‧排氣環
53‧‧‧排氣孔
60‧‧‧噴灑頭
65‧‧‧注射孔
71‧‧‧上方板
72‧‧‧上方內分割構件
73‧‧‧下方板
74‧‧‧上方外分割構件
74‧‧‧上方凸緣
75‧‧‧下方緩衝空間
76‧‧‧下方凸緣
77‧‧‧下方緩衝空間
80‧‧‧控制器
88‧‧‧支撐構件
W‧‧‧基板

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含：一下腔室，其具有一開放式上側邊；一上腔室，其開啟或關閉該下腔室的該上側邊，該上腔室與該下腔室一起定義一內部空間，其中在一基板上執行一處理；一噴灑頭，其位於該上腔室的下半部上，用於供應一反應氣體進入該內部空間，其中在該噴灑頭與該上腔室之間定義一緩衝空間；一分割構件，其位於該緩衝空間內，將該緩衝空間分割成複數個擴散區域；以及複數個氣體供應口，其位於該上腔室，將該反應氣體供應朝向該各擴散區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該擴散區域包含一中央區域以及複數個邊緣區域，以及該分割構件包含：一內分割構件，位於該擴散區域的該中央區域周邊上，如此該擴散區域分割成定義在其內的該中央區域以及定義在其外的該等邊緣區域；以及複數個連接構件，其連接至該內分割構件之外，以便讓該等邊緣區域彼此阻擋。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該等複數個氣體供應口分別連接至該等邊緣區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該擴散區域包含一中央 區域、複數個中間區域以及複數個邊緣區域，以及該分割構件包含：一內分割構件，位於該擴散區域的該中央區域周邊上，如此該擴散區域分割成定義在其內的該中央區域以及定義在其外的該等中間區域；複數個內連接構件，其連接至該內分割構件之外，以便讓該等中間區域彼此阻擋；一外分割構件，其與該內分割構件的周邊分離，如此分割成定義在其內的該等中間區域以及定義在其外的該等邊緣區域；以及複數個外連接構件，其連接至該外分割構件之外，以便讓該等邊緣區域彼此阻擋。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該等複數個氣體供應口分別連接至該等邊緣區域以及該等中間區域。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項任一項之基板處理裝置，另包含：複數個氣體供應管線，每一氣體供應管線都連接至該氣體供應口來供應該反應氣體；複數個流率調整器，每一流率調整器都開啟或關閉該氣體供應管線；以及一控制器，其連接至該流率調整器，以調整通過該氣體供應管線的供應反應氣體量。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該控制器控制該等流率調整器，如此供應至該等氣體供應管線之一者的反應氣體供應量與供 應至該等氣體供應管線另一者的反應氣體供應量不同。
  8. 如申請專利範圍第1項至第5項任一項之基板處理裝置，其中該分割構件與該緩衝空間的一底部表面相隔。
  9. 如申請專利範圍第1項至第5項任一項之基板處理裝置，另包含：一承座，其位於該內部空間內並且其上放置該基板；一排氣環，其沿著該下腔室的一側壁與該下腔室相隔，該排氣環具有定義在該承座之上的複數個排氣孔；以及一支稱構件，其固定至該下腔室的該側壁，以支撐該排氣環，其中在該下腔室的該側壁與該排氣環之間定義一排氣空間，與位於該下腔室的該側壁內一排氣口連通。
  10. 一種使用位於一腔室內部空間內的一噴灑頭，並且具有其中從外界供應的一反應氣體已擴散之緩衝空間，來處理一基板之基板處理方法，該基板處理方法包含：將該緩衝空間分割成複數個擴散區域來調整反應氣體的供應量，如此供應進入該等擴散區域之一者的反應氣體量與供應進入該等擴散區域另一者的反應氣體量不同，其中該基板對應至該等擴散區域之一者的區域以及該基板對應至該等擴散區域另一者的區域具有不同之處理程度。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中該緩衝空間具有定義在該噴灑頭中央部分內的一中央區域，以及定義在該中央區域周圍的一邊緣區域。
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