KR20180074350A - Ald 박막 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 ALD 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판의 이너 존(inner zone)으로 적어도 하나 이상의 제 1 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 이너 존 가스 공급부; 및 상기 기판의 상기 이너 존을 둘러싸는 테두리 영역인 상기 기판의 아우터 존(outer zone)으로 적어도 하나 이상의 제 2 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 아우터 존 가스 공급부;를 포함할 수 있다.

Description

ALD 박막 증착 장치{Substrate processing ALD}
본 발명은 ALD 박막 증착 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판에 원자층 등의 박막을 증착할 수 있는 ALD 박막 증착 장치에 관한 것이다.
DRAM, Flash memory, V-NAND와 같은 반도체 디바이스 제조에 있어서 ALD(atomic layer deposition, 원자층 증착) 박막 증착 장치가 사용되고 있다. 최근 들어 ALD 공정 및 증착 장치는 적용 스텝 및 범위가 점점 더 확대되고 있다. 대표적으로 TiN, WN, TaN, W과 같은 금속 질화막이나 금속 박막, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2와 같은 금속 산화막 증착 공정에 ALD 공정이 사용되고 있으며 디바이스 내 그 적용 스텝이 점점 더 확대되고 있는 추세이다.
ALD 공정에 대한 사용처가 많아지고 공정 난이도 또한 함께 높아지고 있는데 300mm 웨이퍼 내에서의 박막 증착 균일도, 박막의 순도, 밀도, 스텝커버리지 개선을 위하여 칩 메이커들은 끊임없이 노력하고 있으며 ALD 증착 설비의 공정 능력을 더욱 향상시키는 작업도 활발히 이루어지고 있다. 그런데 두께나 막질의 웨이퍼 내 균일성 개선, 스텝커버리지 개선은 20nm 이하 선폭의 반도체 디바이스 시대로 접어들면서 그 어느 때 보다도 개선이 쉽지 않다.
첫 번째로 해당 ALD process증착 전에 형성된 wafer pattern의 스텝커버리지 난이도가 웨이퍼 edge에서 더 난해하게 형성되어 있는 경우는 단순하게 두께나 step coverage의 균일도를 매우 좋게 형성한다고 해서 최외곽 edge step coverage 개선 문제가 해결되지는 않는다. 이런 경우는 wafer edge에 wafer center 대비 상대적으로 더 많고 강한 압력으로 분사하는 process gas의 주입이 필요하다. 두 번째로 동일한 ALD 박막을 증착하지만 device step별로 다른 showerhead구조나 chamber 구조가 필요한 경우이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세스 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비를 갖는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 하는 ALD 박막 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, ALD 박막 증착 장치가 제공된다. 상기 ALD 박막 증착 장치는, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판의 이너 존(inner zone)으로 적어도 하나 이상의 제 1 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 이너 존 가스 공급부; 및 상기 기판의 상기 이너 존을 둘러싸는 테두리 영역인 상기 기판의 아우터 존(outer zone)으로 적어도 하나 이상의 제 2 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 아우터 존 가스 공급부;를 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 이너 존 가스 공급부는, 상기 기판의 상기 이너 존으로 제 1 소스 가스 라인, 제 1 반응 가스 라인 및 제 1 퍼지 가스 라인이 연결되고, 상기 아우터 존 가스 공급부는, 상기 기판의 상기 아우터 존으로 제 2 소스 가스 라인, 제 2 반응 가스 라인 및 제 2 퍼지 가스 라인이 연결될 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 이너 존 가스 공급부는, 내부에 가스 확산 영역이 형성되도록 상부에 탑 플레이트가 설치되고, 하부에 분사판이 형성되는 샤워 헤드; 상기 기판의 상기 이너 존과 대응되도록 상기 샤워 헤드의 상기 탑 플레이트의 중심부에 수직으로 형성되는 중심 유로; 및 상기 중심 유로와 연결되고, 상기 제 1 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 1 가스 공급 라인은, 상기 중심 유로와 연결되는 제 1 메인 공급 라인; 제 1 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스 공급 라인; 제 2 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급 라인; 및 퍼지 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1 퍼지 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인은, 제 3 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-1 퍼지 가스 공급 라인; 및 제 4 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 1 반응 가스 공급 라인에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-2 퍼지 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 아우터 존 가스 공급부는, 상기 기판의 상기 아우터 존과 대응되도록 상기 샤워 헤드의 상기 탑 플레이트에 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 다수 개의 가스 배출구가 형성되며, 상면에 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 하부 환형 유로; 및 상기 하부 환형 유로와 연결되고, 상기 제 2 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 하부 환형 유로는, 상기 중심 유로의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 전체적으로 원형인 원형링 유로 또는 부분적으로 원형인 부분링 유로일 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 2 가스 공급 라인은, 상기 하부 환형 유로의 상기 가스 유입구와 연결되고, 상기 가스 유입구로부터 상기 중심 유로 방향으로 기울어지게 형성되는 다수 개의 경사 유로;를 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 경사 유로는, 상기 중심 유로를 기준으로 방사 형태로 배치되는 일자형 직선 유로 또는 복수개로 분지된 형태의 분지 유로일 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 하부 환형 유로의 상기 가스 배출구와 이웃하는 가스 배출구 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구가 형성될 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 2 가스 공급 라인은, 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 상부 환형 유로; 상기 가스 유입구와 연결되는 제 2 메인 공급 라인; 제 5 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인; 제 6 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인; 및 퍼지 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2 퍼지 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 상부 환형 유로의 상기 가스 배출구와 이웃하는 가스 배출구 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구가 형성되고, 상기 제 2 메인 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구와 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 메인 공급 라인 및 제 2-2 메인 공급 라인을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 2 퍼지 가스 공급 라인은, 제 8 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인; 및 제 7 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 2 가스 공급 라인은, 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 상부 환형 유로; 제 9 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 상부 환형 유로에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인; 제 10 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 상부 환형 유로에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인; 제 11 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인; 및 제 12 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인;을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구들 중 일부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 소스 가스 공급 라인 및 제 2-2 소스 가스 공급 라인을 포함하고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구들 중 타부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 반응 가스 공급 라인 및 제 2-2 반응 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
상기 ALD 박막 증착 장치에서, 상기 샤워 헤드의 상기 가스 확산 영역을 이너 존 대응 영역과 아우터 존 대응 영역으로 구획할 수 있도록 상기 탑 플레이트와 상기 분사판 사이에 영역 구획 격벽이 설치될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치에 따르면, 기판의 이너 존과 아우터 존에 각각 독립적으로 가스를 공급할 수 있어서 기판의 이너 존과 아우터 존 간의 공정 편차를 줄여서 패턴 형성의 정밀도와 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세스 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비를 갖는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 하는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 공정 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 이너 존 가스 공급부 및 아우터 존 가스 공급부를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 이너 존 가스 공급부 및 아우터 존 가스 공급부를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 1의 ALD 박막 증착 장치의 경사 유로를 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 경사 유로를 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치의 하부 환형 유로를 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(100)를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 ALD 박막 증착 장치(100)의 공정 챔버(10)를 확대하여 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(100)는, 크게 공정 챔버(10)와, 기판 지지부(20)와, 이너 존 가스 공급부(30)와, 아우터 존 가스 공급부(40)포함할 수 있다.
예컨대, 상기 공정 챔버(10)는 내부에 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 것으로서, 상기 기판 지지부(20)와, 상기 이너 존 가스 공급부(30)와, 상기 아우터 존 가스 공급부(40) 등을 지지할 수 있는 충분한 강도와 내구성을 가진 밀폐가 가능한 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 공정 챔버(10)는 일측에 기판(1)이 출입할 수 있는 게이트(G)(gate)가 형성될 수 있고, 이외에도, 도시하지 않았지만, 상기 반응 공간에 진공 압력 등 증착 환경을 제공하기 위한 각종 진공 펌프나 플라즈마 발생 장치 등 공정을 위해 필요한 다양한 장치들이 추가로 설치될 수 있다.
그러나, 이러한 상기 공정 챔버(10)의 형상은 도면에 반드시 국한되지 않고, 장비나 공정 환경이나 스팩 등에 따라서 화학 기상 증착용 챔버나 원자층 증착용 챔버 등 매우 다양한 형상 및 종류의 공정 챔버가 모두 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(200)의 공정 챔버(10)를 나타내는 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(200)는, 상기 샤워 헤드(31)의 상기 가스 확산 영역(A)을 이너 존 대응 영역(A1)과 아우터 존 대응 영역(A2)으로 구획할 수 있도록 상기 탑 플레이트(311)와 상기 분사판(312) 사이에 영역 구획 격벽(70)이 설치될 수 있다.
따라서, 상기 영역 구획 격벽(70)을 상기 샤워 헤드(31)의 가스 확산 영역(A)에 설치하여 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2)에 더욱 독립적으로 가스를 공급할 수 있다.
이외에도, 도 4에 도시된 바와 같이, 예컨대, 텅스텐 증착 공정의 경우, 상기 공정 챔버(10)는 상기 기판(1)의 출입 경로로부터 공정 공간을 구획할 수 있는 에지링(ER)이나 퍼지링(PR) 등이 추가로 설치될 수 있는 등 다양한 형태로 적용될 수 있다.
또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판 지지부(20)는, 상기 공정 챔버(10)에 설치되고 기판(1)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블이나 턴테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 기판 지지부(20)는, 상면에 안착되는 상기 기판(1)을 일정 온도로 가열시킬 수 있고, 또는 공정 가스를 플라즈마화 하기 위한 하부 전극으로의 기능을 할 수 있다.
또한, 상기 기판 지지부(20)는, 상기 기판(1)이 안착되어 지지할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 구조체일 수 있다. 예컨대, 이러한 상기 기판 지지부(20)는, 알루미늄 및 질화 알루미늄 등의 재질로 이루어지는 구조체일 수 있다. 그러나, 상기 기판 지지부(20)는, 도면에 반드시 국한되지 않고, 상기 기판(1)을 지지할 수 있는 매우 다양한 형태나 종류나 재질의 다양한 부재들이 모두 적용될 수 있다.
또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 이너 존 가스 공급부(30)는, 상기 기판(1)의 이너 존(Z1)(inner zone)으로 적어도 하나 이상의 제 1 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버(10)에 설치되는 장치일 수 있다.
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 이너 존 가스 공급부(30)는, 내부에 가스 확산 영역(A)이 형성되도록 상부에 탑 플레이트(311)가 설치되고, 하부에 분사판(312)이 형성되는 샤워 헤드(31)와, 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)의 중심부에 수직으로 형성되는 중심 유로(32) 및 상기 중심 유로(32)와 연결되고, 상기 제 1 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 라인(33)을 포함할 수 있다.
여기서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 샤워 헤드(31)는, 상기 탑 플레이트(311)는 상기 공정 챔버(10)의 상부 구조물의 역할을 담당할 수 있고, 상기 분사판(312)은 복수개의 가스 배출구가 형성되어 상기 가스 배출구를 통해 상기 기판(1)에 소스 가스나 반응 가스나 퍼지 가스 등 각종의 공정 가스를 공급함으로써 상기 기판(1)에 원자층 등의 박막이 형성될 수 있다. 그러나, 이러한 상기 샤워 헤드(31)의 형상은 도면에 반드시 국한되지 않고, 장비나 공정 환경이나 스팩 등에 따라서 매우 다양한 형상 및 종류의 샤워 헤드가 모두 적용될 수 있다.
또한, 예컨대, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 중심 유로(32)는 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)의 중심부에 수직으로 형성되는 일종의 내부 중공부일 수 있다. 이러한 상기 중심 유로에는 각종의 분산판 등이 추가로 설치되어 상기 가스 확산 영역(A)으로 공급되는 각종 공정 가스들의 확산 범위를 보다 넓게 하고, 확산 속도를 더욱 신속하게 할 수 있다.
도 4은 본 발명의 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(300)의 공정 챔버(10)를 나타내는 단면도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(400)의 이너 존 가스 공급부(30) 및 아우터 존 가스 공급부(40)를 나타내는 사시도이다.
또한, 예컨대, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 가스 공급 라인(33)은, 상기 중심 유로(32)와 연결되는 제 1 메인 공급 라인(34)와, 제 1 ALD 밸브(V1)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스 공급 라인(35)와, 제 2 ALD 밸브(V2)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급 라인(36) 및 퍼지 가스 저장소(PG)와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인(34)에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)은, 제 3 제어 밸브(V3)가 설치되고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35)에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-1 퍼지 가스 공급 라인(371) 및 제 4 제어 밸브(V4)가 설치되고, 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-2 퍼지 가스 공급 라인(372)을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고 상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인(37)은 하나의 라인에서 분지되어 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35) 및 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)에 각각 공급되는 것도 가능하다.
여기서, 상술된 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35)은 주로 액상의 유기물을 기상으로 만들어 주는 기화기 등을 포함하는 상기 소스 가스 저장소(SG)가 설치될 수 있고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인(35) 및 상기 제 1 반응 가스 공급 라인(36)는 각각 기화된 가스의 공급량을 조절할 수 있는 MFC(mass flow controller)나 기화된 가스가 저장되는 리저버(R) 등 각종의 장치들이 부수적으로 설치될 수 있다. 이외에도 이러한 가스 공급 라인들에는 압력계 등 각종 장치들이 추가로 설치될 수 있다.
그러나, 이러한 상기 제 1 가스 공급 라인(33)은 도면에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 설치 환경 등에 따라 다양한 형태와 종류의 가스 공급 라인이 적용될 수 있다.
따라서, 이러한 상기 제 1 가스 공급 라인(33)을 이용하여 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1) 방향으로 예컨대, 제 1 소스 가스-제 1 반응 가스의 순서로 교호적으로 공급할 수 있다.한편, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판의 상기 이너 존(Z1)(inner zone)을 둘러싸는 테두리 영역인 상기 기판(1)의 아우터 존(Z2)(outer zone)으로 적어도 하나 이상의 제 2 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버(10)에 설치되는 장치일 수 있다.
여기서, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)으로 제 2 소스 가스, 제 2 반응 가스 및 어느 하나를 교호적으로 공급할 수 있다.
예컨대, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 아우터 존 가스 공급부(40)는, 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2)과 대응되도록 상기 샤워 헤드(31)의 상기 탑 플레이트(311)에 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 다수 개의 가스 배출구(H1)가 형성되며, 상면에 다수 개의 가스 유입구(H2)가 형성되는 하부 환형 유로(41) 및 상기 하부 환형 유로(41)와 연결되고, 상기 제 2 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 라인(44)을 포함할 수 있다.
여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 가스 공급 라인(44)은, 상기 하부 환형 유로(41)의 상기 가스 유입구(H2)와 연결되고, 상기 가스 유입구(H2)로부터 상기 중심 유로(32) 방향으로 기울어지게 형성되는 다수 개의 경사 유로(42)와, 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구(H3)가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구(H4)가 형성되는 상부 환형 유로(43)와, 상기 가스 유입구(H4)와 연결되는 제 2 메인 공급 라인(45)과, 제 5 ALD 밸브(V5)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인(46)과, 제 6 ALD 밸브(V6)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인(47) 및 퍼지 가스 저장소(PG)와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인(45)에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2 퍼지 가스 공급 라인(48)을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 이러한, 상기 경사 유로(42)를 통해 상기 하부 환형 유로(41)로 유입되는 가스들의 분사 압력이 골고루 분산될 수 있도록 상기 하부 환형 유로(41)의 상기 가스 배출구(H1)와 이웃하는 가스 배출구(H1) 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구(H2)가 형성될 수 있다.
또한, 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 공급 라인(45) 및 상기 가스 유입구(H4)를 통해 유입되는 가스들의 분사 압력이 골고루 분산될 수 있도록 상기 상부 환형 유로(43)의 상기 가스 배출구(H3)와 이웃하는 가스 배출구(H3) 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구(H4)가 형성되고, 상기 제 2 메인 공급 라인(45)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)와 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 메인 공급 라인(451) 및 제 2-2 메인 공급 라인(452)을 포함할 수 있다.
또한, 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 퍼지 가스 공급 라인(48)은, 제 8 제어 밸브(V8)가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(46)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인(482) 및 제 7 제어 밸브(V7)가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(47)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인(481)을 포함할 수 있다.
따라서, 이러한 상기 제 2 메인 공급 라인(45)을 이용하여 상기 기판(1)의 상기 아우터 존(Z2) 방향으로 예컨대, 제 2 소스 가스-제 2 반응 가스가 교호적으로 공급될 수 있다.
그러므로, 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2)에 각각 독립적으로 가스들을 공급할 수 있어서 상기 기판(1)의 상기 이너 존(Z1)과 상기 아우터 존(Z2) 간의 공정 편차를 줄여서 패턴 형성의 정밀도와 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 이로 인하여 동일한 공정 챔버를 이용하여 보다 넓은 프로세스 윈도우(process window)를 가짐으로써 공정 마진을 넓혀서 낮은 선택비는 물론이고, 높은 선택비를 갖는 다양한 종류의 기판에 대한 대응을 가능하게 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(500)의 이너 존 가스 공급부(30) 및 아우터 존 가스 공급부(40)를 나타내는 사시도이다.
예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 가스 공급 라인은, 상기 중심 유로(32)를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로(42)와 연결되는 다수 개의 가스 배출구(H3)가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구(H4)가 형성되는 상부 환형 유로(43)와, 제 9 ALD 밸브(V9)가 설치되고, 소스 가스 저장소(SG)와 연결되어 상기 상부 환형 유로(43)에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인(49)과, 제 10 ALD 밸브(V10)가 설치되고, 반응 가스 저장소(RG)와 연결되어 상기 상부 환형 유로(43)에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인(50)과, 제 11 제어 밸브(V11)가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(49)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인(51) 및 제 12 제어 밸브(V12)가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(50)에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인(52)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인(49)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)들 중 일부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 소스 가스 공급 라인(491) 및 제 2-2 소스 가스 공급 라인(492)을 포함할 수 있고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인(50)은 상기 상부 환형 유로(43)의 복수개의 상기 가스 유입구(H4)들 중 타부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 반응 가스 공급 라인(501) 및 제 2-2 반응 가스 공급 라인(502)을 포함할 수 있다.
따라서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스가 각각 동일한 경로를 통해서 2 갈래로 분지되어 상기 상부 환형 유로(43)로 균등하게 유입될 수도 있고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 소스 가스와 상기 제 2 반응 가스가 각각 별도의 경로를 통해서 2 갈래씩 총 4 갈래로 교차 분지되어 상기 상부 환형 유로(43)로 더욱 균등하게 유입될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 매우 다양한 경로를 통해 상기 상부 환형 유로(43)로 유입되게 할 수 있다.
도 7은 도 1의 ALD 박막 증착 장치(100)의 경사 유로(42)를 나타내는 평면도이고, 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(600)의 경사 유로(42)를 나타내는 평면도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 ALD 박막 증착 장치(700)의 하부 환형 유로(41)를 나타내는 평면도이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 예컨대, 상기 하부 환형 유로(41)는, 상기 중심 유로(32)의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 전체적으로 원형인 원형링 유로(411)일 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 장비 환경 등에 따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 하부 환형 유로(41)는 상기 중심 유로(32)의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 부분적으로 원형인 부분링 유로(412)일 수 있다.
또한, 예컨대, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 경사 유로(42)는, 상기 중심 유로(32)를 기준으로 방사 형태로 배치되는 일자형 직선 유로(421)일 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 공정 환경이나 장비 환경 등에 따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 중심 유로(32)를 기준으로 방사 형태로 배치되고, 가스를 보다 균일하게 분산시킬 수 있도록 복수개(도면에서는 2 갈래)로 분지된 형태의 분지 유로(422)일 수 있다
여기서, 이러한 상기 유로들의 형상은 공정 종류 및 사용되는 가스에 따라 최소 요구되는 퍼지 시간 및 퍼지 속도가 다르기 때문에 각 케이스 마다 짧은 퍼지시간을 유지하고 박막의 공정 산포를 좋게 하기 위하여 예컨대, 도6 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 다양한 실시예 중에서 선택적으로 적용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 기판
10: 공정 챔버
20: 기판 지지부
30: 이너 존 가스 공급부
31: 샤워 헤드
32: 중심 유로
40: 아우터 존 가스 공급부
41: 하부 환형 유로
42: 경사 유로
43: 상부 환형 유로
70: 영역 구획 격벽
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700: ALD 박막 증착 장치

Claims (16)

  1. 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판의 이너 존(inner zone)으로 적어도 하나 이상의 제 1 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 이너 존 가스 공급부; 및
    상기 기판의 상기 이너 존을 둘러싸는 테두리 영역인 상기 기판의 아우터 존(outer zone)으로 적어도 하나 이상의 제 2 가스가 공급될 수 있도록 상기 공정 챔버에 설치되는 아우터 존 가스 공급부;
    를 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판에 원자층 증착이 가능하도록 상기 이너 존 가스 공급부는, 상기 기판의 상기 이너 존으로 제 1 소스 가스 라인, 제 1 반응 가스 라인 및 제 1 퍼지 가스 라인이 연결되고, 상기 아우터 존 가스 공급부는, 상기 기판의 상기 아우터 존으로 제 2 소스 가스 라인, 제 2 반응 가스 라인 및 제 2 퍼지 가스 라인이 연결되는, ALD 박막 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이너 존 가스 공급부는,
    내부에 가스 확산 영역이 형성되도록 상부에 탑 플레이트가 설치되고, 하부에 분사판이 형성되는 샤워 헤드;
    상기 기판의 상기 이너 존과 대응되도록 상기 샤워 헤드의 상기 탑 플레이트의 중심부에 수직으로 형성되는 중심 유로; 및
    상기 중심 유로와 연결되고, 상기 제 1 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 공급 라인은,
    상기 중심 유로와 연결되는 제 1 메인 공급 라인;
    제 1 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 소스 가스를 공급하는 제 1 소스 가스 공급 라인;
    제 2 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 공급 라인; 및
    퍼지 가스 저장소와 연결되어 상기 제 1 메인 공급 라인에 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1 퍼지 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 퍼지 가스 공급 라인은,
    제 3 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 1 소스 가스 공급 라인에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-1 퍼지 가스 공급 라인; 및
    제 4 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 1 반응 가스 공급 라인에 상기 제 1 퍼지 가스를 공급하는 제 1-2 퍼지 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 아우터 존 가스 공급부는,
    상기 기판의 상기 아우터 존과 대응되도록 상기 샤워 헤드의 상기 탑 플레이트에 상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 다수 개의 가스 배출구가 형성되며, 상면에 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 하부 환형 유로; 및
    상기 하부 환형 유로와 연결되고, 상기 제 2 가스를 공급하는 제 2 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부 환형 유로는, 상기 중심 유로의 축을 중심으로 일정한 거리에 형성되는 전체적으로 원형인 원형링 유로 또는 부분적으로 원형인 부분링 유로인, ALD 박막 증착 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 공급 라인은,
    상기 하부 환형 유로의 상기 가스 유입구와 연결되고, 상기 가스 유입구로부터 상기 중심 유로 방향으로 기울어지게 형성되는 다수 개의 경사 유로;
    를 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 경사 유로는, 상기 중심 유로를 기준으로 방사 형태로 배치되는 일자형 직선 유로 또는 복수개로 분지된 형태의 분지 유로인, ALD 박막 증착 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부 환형 유로의 상기 가스 배출구와 이웃하는 가스 배출구 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구가 형성되는, ALD 박막 증착 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 공급 라인은,
    상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 상부 환형 유로;
    상기 가스 유입구와 연결되는 제 2 메인 공급 라인;
    제 5 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인;
    제 6 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인; 및
    퍼지 가스 저장소와 연결되어 상기 제 2 메인 공급 라인에 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2 퍼지 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 상부 환형 유로의 상기 가스 배출구와 이웃하는 가스 배출구 사이의 중간 지점의 상방에 상기 가스 유입구가 형성되고,
    상기 제 2 메인 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구와 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 메인 공급 라인 및 제 2-2 메인 공급 라인을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 퍼지 가스 공급 라인은,
    제 7 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인; 및
    제 8 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 공급 라인은,
    상기 중심 유로를 둘러싸는 형상으로 형성되고, 하면에 상기 경사 유로와 연결되는 다수 개의 가스 배출구가 형성되고, 상면에 가스가 유입되는 다수 개의 가스 유입구가 형성되는 상부 환형 유로;
    제 9 ALD 밸브가 설치되고, 소스 가스 저장소와 연결되어 상기 상부 환형 유로에 제 2 소스 가스를 공급하는 제 2 소스 가스 공급 라인;
    제 10 ALD 밸브가 설치되고, 반응 가스 저장소와 연결되어 상기 상부 환형 유로에 제 2 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급 라인;
    제 11 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 소스 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-1 퍼지 가스 공급 라인; 및
    제 12 제어 밸브가 설치되고, 상기 제 2 반응 가스 공급 라인에 상기 제 2 퍼지 가스를 공급하는 제 2-2 퍼지 가스 공급 라인;
    을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 소스 가스 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구들 중 일부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 소스 가스 공급 라인 및 제 2-2 소스 가스 공급 라인을 포함하고,
    상기 제 2 반응 가스 공급 라인은 상기 상부 환형 유로의 복수개의 상기 가스 유입구들 중 타부분과 각각 연결되도록 분지된 제 2-1 반응 가스 공급 라인 및 제 2-2 반응 가스 공급 라인을 포함하는, ALD 박막 증착 장치.
  16. 제 3 항에 있어서,
    상기 샤워 헤드의 상기 가스 확산 영역을 이너 존 대응 영역과 아우터 존 대응 영역으로 구획할 수 있도록 상기 탑 플레이트와 상기 분사판 사이에 영역 구획 격벽이 설치되는, ALD 박막 증착 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020044735A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 서성기 박막증착용 반응용기
KR20080015754A (ko) * 2006-08-15 2008-02-20 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치, 가스 공급 장치, 기판 처리 방법 및 기억매체
KR20090025153A (ko) * 2007-09-05 2009-03-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
KR20100077440A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 주식회사 케이씨텍 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR20140089983A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 주식회사 원익아이피에스 가스 공급 장치 및 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020044735A (ko) * 2000-12-06 2002-06-19 서성기 박막증착용 반응용기
KR20080015754A (ko) * 2006-08-15 2008-02-20 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 장치, 가스 공급 장치, 기판 처리 방법 및 기억매체
KR20090025153A (ko) * 2007-09-05 2009-03-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
KR20100077440A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 주식회사 케이씨텍 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR20140089983A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 주식회사 원익아이피에스 가스 공급 장치 및 기판 처리 장치

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