TW201527581A - 補集裝置及基板處理裝置 - Google Patents

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Shinji Akiyama
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Katsuhiro Kosuga
Takahiro Yamamoto
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Tokyo Electron Ltd
Tohoku Seimitsu Co Ltd
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Abstract

效率良好地去除氣流所包含之反應產物。 捕集裝置係具備有：第1筒狀構件，係具有空間；第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自上游側開口流入之氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉下游側開口之方式配置於第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於下游側捕集構件及第2筒狀構件的上游側開口之間，具有朝下游側捕集構件接近凹陷之凹部。

Description

補集裝置及基板處理裝置
本發明各種面相及實施形態係關於一種捕集裝置及基板處理裝置。
半導體之製造程序中，廣泛地使用以薄膜沉積或蝕刻等為目的而進行電漿處理的基板處理裝置。基板處理裝置舉出有例如進行薄膜沉積處理之CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置，或進行蝕刻處理之電漿蝕刻裝置等電漿處理裝置。
基板處理裝置係具備有例如用以將被處理基板進行電漿處理之處理容器、用以將處理容器內部減壓之排氣裝置，以及將處理容器及排氣裝置加以連接之排氣流道等。
然而，基板處理裝置中，基板處理裝置中，由於流通於排氣流道之氣流會含有因處理容器內電漿反應所產生之反應產物，故便希望能從氣流去除反應產物。此點，在專利文獻1便揭示有一種將內側筒狀構件設置於排氣流道所連接之外側筒狀構件，並以封閉內側筒狀構件之下游側開口之方式來配置篩狀之捕集媒體，使用捕集媒體來捕集氣流中之反應產物的構造。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特許第4944331號公報
然而，以往構造般，僅靠以封閉內側筒狀構件之下游側開口的方式來配置篩狀捕集媒體，是難以效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
本發明一面向相關之捕集裝置係具備有：第1筒狀構件，係具有空間； 第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於該空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自該上游側開口流入之該氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉該下游側開口之方式配置於該第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於該下游側捕集構件及該第2筒狀構件的該上游側開口之間，具有朝該下游側捕集構件接近凹陷之凹部。
依本發明各種面相及實施形態，便能實現可以效率良好地去除氣流所含有的反應產物之捕集裝置及基板處理裝置。
1‧‧‧處理腔室(處理容器)
2‧‧‧下部電極
2a‧‧‧基材
5‧‧‧聚焦環
6‧‧‧靜電夾具
6a‧‧‧電極
6b‧‧‧絕緣層
16‧‧‧上部電極
72‧‧‧排氣管(排氣流道)
73‧‧‧排氣裝置
100‧‧‧捕集裝置
110‧‧‧外側筒狀構件(第1筒狀構件)
120‧‧‧內側筒狀構件(第2筒狀構件)
120a‧‧‧上游側開口
120b‧‧‧下游側開口
130‧‧‧下游側捕集構件
140‧‧‧上游側捕集構件
142‧‧‧凹部
142a‧‧‧貫通孔
圖1係概略顯示一實施形態相關之電漿處理構成之縱剖視圖。
圖2係顯示一實施形態中捕集裝置之詳細構成之剖視圖。
圖3係從內側筒狀構件之上游側開口側來觀看一實施形態中上游側捕集構件之外觀立體圖。
圖4係從下游側捕集構件側來觀看一實施形態中上游側捕集構件之外觀立體圖。
圖5係一實施形態中捕集裝置之變形例的剖視圖。
圖6係一實施形態中捕集裝置之變形例2的剖視圖。
以下，便參照圖式就所揭示之捕集裝置及基板處理裝置來詳細地說明。另外，各圖式中，係對相同或相當之部分賦予相同符號。又，以下中，係以將本案所揭示之基板處理裝置適用於例如進行薄膜沉積處理之電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置，或進行蝕刻處理之電漿蝕刻裝置等之電漿處理裝置為例來加以說明。
所揭示之捕集裝置在一實施形態中，係具備有：第1筒狀構件，係具有空間；第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自上游側開口流入之氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉下游側開口之方式配置於第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於下游側捕集構件及第2筒狀構件的上游側開口之間，具有朝下游側捕集構件接近凹陷之凹部。
所揭示之捕集構件在一實施形態中，上游側捕集構件係形成為凹部之徑會沿著朝下游側捕集構件接近而變小之形狀。
所揭示之捕集構件在一實施形態中，上游側捕集構件係形成為朝下游側捕集構件接近而變尖之圓錐形狀。
所揭示之捕集構件在一實施形態中，上游側捕集構件係沿著朝該下游側捕集構件接近而於該下游側捕集構件與該第2筒狀構件之該上游側開口之間配置有複數個。
所揭示之捕集構件在一實施形態中，複數上游側捕集構件各自含有讓氣流通過之貫通孔，貫通孔的密度及徑之至少一者係在複數上游側捕集構件之間而有所差異。
所揭示之基板處理裝置在一實施形態中，係具備有用以處理被處理基板之處理容器、用以將處理容器內部減壓之排氣裝置、將處理容器及排氣裝置加以連接之排氣流道以及設於排氣流道之捕集裝置之基板處理裝置，其中捕集裝置係具備有：第1筒狀構件，係具有空間；第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自上游側開口流入之氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉下游側開口之方式配置於第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於下游側捕集構件及第2筒狀構件的該上游側開口之間，具有朝下游側捕集構件接近凹陷之凹部。
首先，就電漿處理裝置之整體構成加以說明。圖1係概略顯示一實施形態相關之電漿處理構成之縱剖視圖。
電漿處理裝置係具有構成為氣密而電氣性為接地電位之處理腔室(處理容器)1。此處理腔室1係構成為圓筒狀，而由例如鋁等所構成，並區劃出用以進行電漿處理之電漿處理空間。處理腔室1內係設有載置被處理基板之半導體晶圓W的下部電極2。下部電極2其基材2a為導電性金屬，例如鋁等所加以構成。此下部電極2係透過絕緣板3而被支撐在導體之支撐台4。以包圍下部電極2及支撐台4周圍之方式設有由例如石英等所構成之圓筒狀內壁構件3a。
下部電極2之基材2a係透過第1匹配器11a連接有第1RF電源10a，又，透過第2匹配器11b連接有第2RF電源10b。第1RF電源10a係電漿產生用 者，會從此第1RF電源10a供給既定頻率(27MHz以上，例如40MHz)之高頻電力至下部電極2之基材2a。又，第2RF電源10b係離子吸引用(偏壓用)者，會從此第2RF電源10b供給較第1RF電源10a要低的既定頻率(13.56MHz以下，例如3.2MHz)之高頻電力至下部電極2之基材2a。
下部電極2上方係以透過處理腔室1之電漿處理空間來對向於下部電極2之方式而設有上部電極16。上部電極16及下部電極2係具有一對電極之功能。上部電極16及下部電極2之間的空間便會成為用以產生電漿之電漿處理空間。
支撐台4內部係形成有冷媒流道4a，冷媒流道4a係連接有冷媒入口配管4b、冷媒出口配管4c。然後，藉由於冷媒流道4a中循環適當的冷媒，例如冷卻水等，便可以將支撐台4及下部電極2控制在既定溫度。又，以貫穿下部電極2等之方式，設有用以將氦氣等冷熱傳導用氣體(背側氣體)供給至半導體晶圓W內面側的背側氣體供給配管30，此背側氣體供給配管30係連接至未圖示之背側氣體供給源。藉由該等構成，便可以將載置於下部電極2上面之半導體晶圓W控制在既定溫度。
上部電極16係設於處理腔室1之頂壁部分。上部電極16係具備有本體部16a及構成電極版之上部頂板16b，並透過絕緣性構件45而被支撐在處理腔室1之上部。本體部16a係由導電性材料，例如表面經陽極氧化處理之鋁所構成，而構成為其下部能裝卸自如地支撐上部頂板16b。
本體部16a內部係設有氣體擴散室16c，並以位於此氣體擴散室16c下部之方式，在本體部16a之底部設有多數氣體流通孔16d。又，上部頂板16b係以與上述氣體流通孔16d重疊之方式設有貫穿於該上部頂板16b之厚度方向的氣體導入孔16e。藉由此般構成，被供給至氣體擴散室16c之處理氣體便會透過氣體流通孔16d及氣體導入孔16e而噴淋狀地分散供給至處理腔室1內。另外，本體部16a等係設有用以循環冷媒之未圖示的配管，而可在電漿蝕刻處理中將上部電極16冷卻至所欲溫度。
本體部16a係形成有用以將處理氣體朝氣體擴散室16c導入之氣體導入口16f。此氣體導入口16f係連接有氣體供給配管15a，此氣體供給配管15a之另端係連接有供給蝕刻用處理氣體之處理氣體供給源15。氣體供給配管15a係由上游側依序設有質流控制器(MFC)15b、及開閉閥V1。然後，從處 理氣體供給源15將電漿蝕刻用之處理氣體透過氣體供給配管15a供給至氣體擴散室16c，並從此氣體擴散室16c透過氣體流通孔16d及氣體導入孔16e噴淋狀地分散供給至處理腔室1內。
上部電極16係透過低通過濾器(LPF)51而電性連接有可變直流電源52。此可變直流電源52係藉由ON‧OFF開關53而可進行供電之ON‧OFF。 可變直流電源52之電流、電壓及ON‧OFF開關53之ON、OFF係藉由後述之控制器60來加以控制。另外，如後述般，從第1RF電源10a、第2RF電源10b將高頻施加至下部電極2來於電漿處理空間產生電漿時依需要會藉由控制器60來使得ON‧OFF開關53為ON，而使既定直流電壓施加至上部電極16。
以從處理腔室1之側壁延伸至較上部電極16高度位置要上方之方式來設有圓筒狀之接地導體1a。此圓筒狀之接地導體1a於其上部具有頂壁。
處理腔室1底部係形成有排氣口71，此排氣口71係透過排氣管72而連接有排氣裝置73。排氣管72係將處理腔室1及排氣裝置73加以連接之排氣流道。排氣裝置73係具有真空泵，藉由讓此真空泵作動便可將處理腔室1內減壓至既定真空度。因處理腔室1內之電漿反應所產生之產物(以下稱為「反應產物」)會因排氣裝置73使得處理腔室1內減壓，而隨氣流流通於排氣管72。
又，排氣管72係設有用以從流通於排氣管72之氣流去除反應產物之捕集裝置100。捕集裝置100之詳細構成將於後述。
另一方面，處理腔室1側壁係設有半導體晶圓W之搬出入口74，此搬出入口74係設有將該搬出入口74加以開閉之閘閥75。
途中之76,77係可裝卸自如之沉積物擋件。沉積物擋件76係沿著處理腔室1之內壁面加以設置，具有防止蝕刻副產物(沉積物)附著於處理腔室1之功能，此沉積物擋件76略等同於半導體晶圓W之高度位置係設有直流性接地之導電性構件(GND塊)79，藉此能防止異常放電。
上述構成之電漿處理裝置係藉由控制器60來總括地控制其動作。控制器60係設有具備CPU來控制電漿處理裝置之各部的程序控制器、使用者介面以及記憶部。
控制器60之使用者介面係由工序管理員為了管理電漿蝕刻裝置而進行 指令之輸入操作的鍵盤，或將電漿蝕刻裝置之運作狀況可視化地加以顯示的顯示器等所構成。
控制器60之記憶部係收納有用以在程序控制器之控制下實現於電漿蝕刻裝置所實行之各種處理的控制程式(軟體)，或記憶有處理條件數據等之配方。然後，依需要，以來自控制器60之使用者介面的指示等從記憶部叫出任意配方而在程序控制器實行，便會在控制器60之程序控制器的控制下，進行電漿蝕刻裝置之所欲處理。又，控制程式或處理條件數據等配方可利用儲存在點腦可讀取之電腦記憶媒體(例如硬碟、CD、軟碟、半導體記憶體等)之狀態者，或由其他裝置，例如透過專用迴線來隨時傳送以線上利用。
接著，就排氣管72所設置之捕集裝置100的詳細構成來加以說明。圖2係顯示一實施形態中捕集裝置之詳細構成之剖視圖。圖2的說明中，係將較捕集裝置100要靠處理腔室1之排氣口71側的排氣管72稱為「上游側排氣管72」，將較捕集裝置100要靠排氣裝置73側的排氣管72稱為「下游側排氣管72」。
如圖2所示，捕集裝置100係具有：外側筒狀構件110，係具有內部空間S；以及內側筒狀構件120，係裝卸自如地配置於外側筒狀構件110之內部空間S。又，捕集裝置100係具有配置於內側筒狀構件120內部之下游側捕集構件130及上游側捕集構件140。
外側筒狀構件110係具有上游側端壁111、筒體112及下游側端壁113。 藉由上游側端壁111、筒體112及下游側端壁113所包圍之空間會建構出外側筒狀構件110之內部空間S。
上游側端壁111係以封閉筒體112之上游側開口120a側端部之方式而裝卸自如地裝設於筒體112。更詳細而言，係透過夾具114而裝卸自如地裝設在筒體112之凸緣部112a。上游側端壁11中央係形成有開口111a，開口111a係連接有上游側接頭111b之根端。上游側接頭111b之前端係連接至較捕集裝置100要靠處理腔室1之排氣口71側的排氣管72，亦即上游側的排氣管72。流通於上游側的排氣管72之氣流會透過上游側端壁111之上游側接頭111b及開口111a而朝後述內側筒狀構件120之上游側開口120a導入。
筒體112係包圍內側筒狀構件120側邊之筒狀構件。筒體112之一端係形成有凸緣部112a。凸緣部112a之內壁112a-1係接近而朝後述內側筒狀構 件120之外側面突出，來支撐內側筒狀構件120之外側面。
下游側端壁113係以封閉筒體112之凸緣部112a的相反側端部，亦即筒體112之內側筒狀構件120的下游側開口120b側端部的方式來組裝於筒體112。下游側端壁113中央係形成有開口113a，開口113a係連接有下游側接頭113b之根端。下游側接頭113b的前端係連接至較捕集裝置100要靠排氣裝置73側之排氣管72，亦即下游側排氣管72。從後述內側筒狀構件120之下游側開口120b所流出之氣流會透過下游側端壁113之開口113a及下游側接頭113b，而朝下游側排氣管72導入。又，下游側端壁113之上游側端壁11側表面係形成有用以收納內側筒狀構件120之下游側開口120b側之端部，亦即內側筒狀構件120之底部的收納凹部113c。
內側筒狀構件120之底部係內收納在下游側端壁113之收納凹部113c，外側面係支撐於筒體112之凸緣部112a，且上部係藉由封閉上游側端壁111，來組裝在外側筒狀構件110之內部空間S。另一方面，內側筒狀構件120之上部係由上游側端壁111被釋放，且底部由下游側端壁113之收納凹部113c被釋放，來從外側筒狀構件110之內部空間S脫離。
內側筒狀構件120係具有上游側開口120a及下游側開口120b。上游側開口120a係透過上游側端壁111之上游側接頭111b及開口111a來使得從上游側排氣管72所導入之氣流導入。下游側開口120b會使得來自上游側開口120a所流入之氣流朝下游側排氣管72流出。
下游側捕集構件130係以封閉下游側開口120b之方式配置於內側筒狀構件120之內部。更詳細而言，下游側捕集構件130係配置在內側筒狀構件中，從下游側端壁113朝上游側端壁111而不分離之位置。下游側捕集構件130係由會讓從上游側開口120a所流入之氣流通過，並具有捕集氣流所含有反應產物之功能的材料所形成。例如，下游側捕集構件130係由包含金屬製篩等的網眼狀材料所形成。
上游側捕集構件140係配置在下游側捕集構件130與內側筒狀構件120之上游側開口120a之間。上游側捕集構件140係由會讓從上游側開口120a所流入之氣流通過，並具有捕集氣流所含有反應產物之功能的材料所形成。例如，上游側捕集構件140係由沖壓金屬等之包含讓氣流通過之貫通孔的材料所形成。
圖3係從內側筒狀構件之上游側開口側來觀看一實施形態中上游側捕集構件之外觀立體圖。圖4係從下游側捕集構件側來觀看一實施形態中上游側捕集構件之外觀立體圖。
如圖2~圖4所示，上游側捕集構件140係具有環狀之基部141以及接合於環狀基部141之凹部142。環狀基部141係藉由焊接等組裝在內側筒狀構件120之內側面。
凹部142係朝下游側捕集構件130接近而凹陷。換言之，凹部142係沿著從內側筒狀構件120之上游側開口120a朝下游側捕集構件130所流入之氣流的流向而凹陷。凹部142係形成有讓氣流通過之複數貫通孔142a。貫通孔142a之密度及徑係設定為使得上游側捕集構件140會讓從上游側開口120a所流入之氣流通過，並發揮捕捉氣流所含有反應產物之功能。
又，上游側捕集構件140係形成為凹部142之徑R會沿著朝下游側捕集構件130接近而變小的形狀。此處，所謂凹部142之徑R在假想設有朝下游側捕集構件130接近而延伸之軸線X的情況，係指投射於軸線X所正交之假想平面P的凹部142剖面緣部中，互相對向之緣部彼此的寬度。一實施形態中，如圖2~圖4所示，上游側捕集構件140係形成為朝下游側捕集構件130接近，亦即，在軸線X延伸方向而變尖之圓錐形狀。
接著，就排氣管72所設置之捕集裝置100的作用一範例來加以說明。 處理腔室1內因電漿反應所產生之反應產物會因排氣裝置73使得處理腔室1內減壓，而隨氣流流通於排氣管72。
接著，流通於較捕集裝置100要靠處理腔室1之排氣口71側的排氣管72之氣流會透過上游側端壁111之上游側接頭111b及開口111a而朝內側筒狀構件120之上游側開口120a導入。上游側捕集構件140會讓上游側開口120a所流入之氣流通過，並捕集氣流所含有之反應產物。詳細而言，上游側捕集構件140會以凹部142之複數貫通孔142a讓氣流通過，並以凹部142之複數貫通孔142a以外部分來捕集氣流中之反應產物。此處，凹部142會朝接近下游側捕集構件130而凹陷。藉此，便能抑制從上游側捕集構件140來對氣流作用之朝接近下游側捕集構件130之反向力，故便能避免從上游側捕集構件140朝上游側開口120a之氣流的逆流。
接著，通過上游側捕集構件140之氣流便會到達下游側捕集構件130。 下游側捕集構件130會讓通過上游側捕集構件140之氣流通過，並捕集氣流所含有之上游側捕集構件140未能捕集到的反應產物。
接著，通過上游側捕集構件140及下游側捕集構件130之氣流會經由內側筒狀構件120之下游側開口120b，朝較捕集裝置100要靠排氣裝置73側之排氣管72流出。
以上，依一實施形態之捕集裝置，便會在內側筒狀構件120內部配置下游側捕集構件130，並在下游側捕集構件130與內側筒狀構件120之上游側開口120a之間配置具有朝接近下游側捕集構件130而凹陷之凹部142的上游側捕集構件140。因此，依一實施形態之捕集構件，便能使用雙重捕集構件來捕集氣流所含有之反應產物，並可抑制從上游側捕集構件140作用於氣流之朝接近下游側捕集構件130的反向力。其結果，依一實施形態之捕集裝置，便可效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
又，一實施形態之捕集裝置中，上游側捕集構件140係形成為凹部140的徑R會沿著朝接近下游側捕集構件130而變小的形狀。因此，依一實施形態之捕集構件，便可提升以凹部142來捕集反應產物之能力。其結果，依一實施形態之捕集構件，便可更效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
又，一實施形態之捕集裝置中，上游側捕集構件140係形成為朝接近下游側捕集構件130而變尖的圓錐形狀。於是，在上游側捕集構件140係以沖壓金屬等金屬來形成的情況，則圓錐形狀便是從金屬可容易地形成的形狀之一。因此，依一實施形態之捕集裝置，便能提升上游側捕集構件140之成形性，並提升以凹部142來捕集反應產物的能力。其結果，依一實施形態之捕集裝置，便可削減裝置製造所伴隨之負擔，並效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
(變形例1)
上述一實施形態中，雖顯示了下游側捕集構件130，及在內側筒狀構件120之上游側開口120a之間配置一個上游側捕集構件140之捕集裝置為範例，但不限於此。以下，便就捕集裝置之變形例1來加以說明。圖5係一實施形態之捕集裝置的變形例1之剖視圖。
如圖5所示，變形例1相關之捕集裝置100中，上游側捕集構件140係沿著朝接近下游側捕集構件130而在下游側捕集構件130與內側筒狀構件 120之上游側開口120a之間配置有複數個。本變形例1中，係朝接近下游側捕集構件130，亦即沿著軸線X之延伸方向而配置有3個上游側捕集構件140。圖5中，3個上游側捕集構件140係以沿著軸線X之延伸方向從內側筒狀構件120之上游側開口120a而顯示為上游側捕集構件140-1、上游側捕集構件140-2及上游側捕集構件140-3。上游側捕集構件140-1、上游側捕集構件140-2及上游側捕集構件140-3之各凹部142係形成有讓氣流通過之複數貫通孔142a。本變形例1中，貫通孔142a之密度及徑在上游側捕集構件140-1、上游側捕集構件140-2及上游側捕集構件140-3之間則為相同。
以上，依變形例1之捕集裝置，便會在內側筒狀構件120內部配置下游側捕集構件130，並沿著朝接近下游側捕集構件130而在下游側捕集構件130與內側筒狀構件120之上游側開口120a之間配置複數個上游側捕集構件140。因此，依變形例1之捕集裝置，便可使用4重之捕集構件來捕集氣流所含有之反應產物，並抑制從上游側捕集構件140作用於氣流之朝接近下游側捕集構件130的反向力。其結果，依變形例1之捕集裝置，便可更效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
另外，上述變形例1中，貫通孔142a之密度及徑雖係顯示在上游側捕集構件140-1、上游側捕集構件140-2及上游側捕集構件140-3之間為相同，但不限於此。例如，貫通孔142a之密度及徑的至少任一者亦可在上游側捕集構件140-1、上游側捕集構件140-2及上游側捕集構件140-3之間有所差異。藉此，便可微調整通過複數上游側捕集構件之氣流通過量，或以複數上游側捕集構件所捕集之氣流中的反應產物的捕集量。
(變形例2)
又，上述一實施形態中，雖係顯示下游側捕集構件130係配置於內側筒狀構件120中，不從下游側端壁113朝上游側端部111遠離之位置的範例，但不限於此。以下，便就捕集裝置之變形例2來加以說明。圖6係一實施形態中捕集裝置之變形例2的剖視圖。
如圖6所示，變形例2相關之捕集裝置100中，下游側捕集構件130係配置於內側筒狀構件120之內部中，從下游側端壁113朝上游側端壁11遠離既定距離之位置。此處，較佳地，既定距離乃係25mm~100mm。
以上，依變形例2之捕集裝置，則下游側捕集構件130便會配置在內側 筒狀構件120內部中，從下游側端壁113朝上游側端壁111遠離既定距離之位置。因此，依變形例2之捕集裝置，便可降低內側筒狀構件120內部之壓力損耗，並效率良好地去除氣流所含有之反應產物。
X‧‧‧軸線
P‧‧‧假想平面
R‧‧‧徑
S‧‧‧內部空間
100‧‧‧捕集裝置
110‧‧‧外側筒狀構件(第1筒狀構件)
111‧‧‧上游側端壁
111a‧‧‧開口
111b‧‧‧上游側接頭
112‧‧‧筒體
112a‧‧‧凸緣部
112a-1‧‧‧內壁
113‧‧‧下游側端壁
113a‧‧‧開口
113b‧‧‧下游側接頭
113c‧‧‧收納凹部
114‧‧‧夾具
120‧‧‧內側筒狀構件
120a‧‧‧上游側開口
120b‧‧‧下游側開口
130‧‧‧下游側捕集構件
140‧‧‧上游側捕集構件
141‧‧‧基部
142‧‧‧凹部

Claims (10)

  1. 一種捕集裝置，係具備有：第1筒狀構件，係具有空間；第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於該空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自該上游側開口流入之該氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉該下游側開口之方式配置於該第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於該下游側捕集構件及該第2筒狀構件的該上游側開口之間，具有朝該下游側捕集構件接近凹陷之凹部。
  2. 如申請專利範圍第1項之捕集裝置，其中該上游側捕集構件係形成為該凹部之徑會沿著朝該下游側捕集構件接近而變小之形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項之捕集裝置，其中該上游側捕集構件係形成為朝該下游側捕集構件接近而變尖之圓錐形狀。
  4. 如申請專利範圍第2項之捕集裝置，其中該上游側捕集構件係形成為朝該下游側捕集構件接近而變尖之圓錐形狀。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之捕集裝置，其中該上游側捕集構件係沿著朝該下游側捕集構件接近而於該下游側捕集構件與該第2筒狀構件之該上游側開口之間配置有複數個。
  6. 如申請專利範圍第5項之捕集裝置，其中複數該上游側捕集構件各自含有讓氣流通過之貫通孔；該貫通孔的密度及徑之至少一者係在複數該上游側捕集構件之間而有所差異。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之捕集裝置，其中該第1 筒狀構件係具有：筒體，係圍繞該第2筒狀構件之側邊；該筒體之上游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該上游側開口側端部之方式而裝卸自如地裝設於該筒體；以及該筒體之下游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該下游側開口側端部之方式而裝設於該筒體，與該筒體及該上游側端壁一同建構出該空間；該下游側捕集構件係配置於該第2筒狀構件之內部中，從該下游側端壁朝該上游側端壁遠離既定距離之位置。
  8. 如申請專利範圍第5項中任一項之捕集裝置，其中該第1筒狀構件係具有：筒體，係圍繞該第2筒狀構件之側邊；該筒體之上游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該上游側開口側端部之方式而裝卸自如地裝設於該筒體；以及該筒體之下游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該下游側開口側端部之方式而裝設於該筒體，與該筒體及該上游側端壁一同建構出該空間；該下游側捕集構件係配置於該第2筒狀構件之內部中，從該下游側端壁朝該上游側端壁遠離既定距離之位置。
  9. 如申請專利範圍第6項中任一項之捕集裝置，其中該第1筒狀構件係具有：筒體，係圍繞該第2筒狀構件之側邊；該筒體之上游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該上游側開口側端部之方式而裝卸自如地裝設於該筒體；以及該筒體之下游側端壁，係以封閉該第2筒狀構件的該下游側開口側端部之方式而裝設於該筒體，與該筒體及該上游側端壁一同建構出該空間；該下游側捕集構件係配置於該第2筒狀構件之內部中，從該下游側 端壁朝該上游側端壁遠離既定距離之位置。
  10. 一種基板處理裝置，係具備有用以處理被處理基板之處理容器、用以將該處理容器內部減壓之排氣裝置、將該處理容器及該排氣裝置加以連接之排氣流道以及設於該排氣流道之捕集裝置之基板處理裝置，其中該捕集裝置係具備有：第1筒狀構件，係具有空間；第2筒狀構件，係裝卸自如地配置於該空間，具有讓氣流流入之上游側開口及讓自該上游側開口流入之該氣流流出之下游側開口；下游側捕集構件，係以封閉該下游側開口之方式配置於該第2筒狀構件內部；以及上游側捕集構件，係配置於該下游側捕集構件及該第2筒狀構件的該上游側開口之間，具有朝該下游側捕集構件接近凹陷之凹部。
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