TW201516501A

TW201516501A - 光電混合基板及其製法

Info

Publication number: TW201516501A
Application number: TW103131379A
Authority: TW
Inventors: Naoki Shibata; Yuichi Tsujita
Original assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2013-10-31
Filing date: 2014-09-11
Publication date: 2015-05-01
Also published as: WO2015064225A1; JP2015087634A; KR20160082978A; CN105637395A; KR102267523B1; US9632263B2; CN105637395B; JP6319762B2; US20160231520A1; EP3048462A1; TWI629522B

Abstract

本發明之光電混合基板是在基板之一面設置有電路及光元件，在上述基板之另一面設置有與上述光元件光結合之光波導，在上述基板之設置有電路及光元件的面上，藉由接著層一體地安裝有用以補強基板之補強層。又，上述基板之設有光波導之面上設置有用以將上述電路電性連接至外部之連接墊部。藉由此構成，補強層不會對光元件或光波導產生不良影響，高強度地安裝於基板。

Description

光電混合基板及其製法

發明領域

本發明是關於一種具備安裝有光元件之電路及連接至上述光元件之光波導之光電混合基板及其製法。

發明背景

最近的電子機器等之中，隨著傳送資訊量的增加或是機能的多樣化，會在電路基板上搭載將電信號變換為光信號之VCSEL等之光源或將之進行逆變換之如光電二極體之光接收器等之光元件，於此，常採用組合有光波導等之光配線之物。且隨著電子機器之小型化，會要求配線基板的小型化、高積體化，期望配線基板具備可撓性而可搭載於有限的空間中。此類具有可撓性之光電混合基板，可舉如第7圖所示之構成為例(例如，參照專利文獻1)。此類光電混合基板，在由聚醯亞胺等構成之絕緣層1之表面上，設有由導電圖案構成之電路3，其中一部分作為墊3a被鍍金層4覆蓋，並安裝有光元件5。又，同上述電路3之絕緣層1之端部側之預定部份同樣被鍍金層4覆蓋，成為用以電性連接至外部之連接墊部6。且上述電路3之墊3a、連接墊部6以外之部分被覆蓋層7覆蓋保護。

另一方面，在上述絕緣層1的背面(與電路3之形成面相反側的面)設置有由下包覆層9與核心10與上包覆層11構成之光波導W。且在該光波導W上設置有用以將通過核心10內的光L之光軸與安裝於絕緣層1之表面側之光元件5之光軸結合而將光反射之鏡部12。又，為了在處理時不要在光元件5安裝部周邊施加過度的力，在上述絕緣層1之背面側藉由接著層14設置有由金屬或樹脂等構成之補強層13。

先行技術文獻專利文獻

【專利文獻1】日本國特開2012-42731號公報

發明概要

另外，以往是藉由打線或焊接的方式來進行光元件5之安裝，但最近因為不會有因焊錫或輔助接合之助焊劑對周圍之汙染及定位精度高之理由，常使用藉由超音波倒裝晶片接合進行之安裝。然而，已發現以下之案例：若如上述在絕緣層1之背面側接合有補強層13的狀態下利用超音波進行光元件5之安裝，因超音波產生之左右方向之細微振動，會在低彈性之接著層14產生變形，而無發得到充分的安裝強度。又，可能會發生上述接著層14自身之接著強度變得低下而使補強層13變得容易剝離。

再者，已知使用焊接進行光元件5之安裝時，為了抑制在回焊步驟中產生微孔洞，需要將補強層13在加熱、加壓下強固地接合，但由於補強層13附近配置有光波導W，接著層14會因接合時的加壓、加熱而侵入光波導W之鏡部12，而有對光之反射角度產生影響之虞。

為了避免這些問題，先進行光元件5之安裝，之後利用未形成有光波導W的部分，用雙面膠帶等將補強層13接合於該空間。但由於此方法中補強層13沒有與絕緣層1強固地接合，殘留於該界面的空氣或氣化之溶劑成分等未被充分去除。在之後有回焊步驟的情況，沒有辦法解決容易產生空隙等之問題。

有鑒於上述情況，本發明的目的在於提供一種高強度地接合補強層，不會產生空隙等之構成，及即使使用超音波安裝光元件也不會造成任何接著強度之低下之優異的光電混合基板，以及該光電混合基板之製法。

為了達成上述目的，本發明之第1要旨為一種光電混合基板，是在基板之一面設置有電路及電性連接至該電路之光元件，在上述基板之另一面設置有與上述光元件光結合之光波導，在上述基板之設置有電路及光元件的面上，藉由接著層一體地安裝有用以補強基板之補強層。且在上述基板之設有光波導之面上設置有用以將上述電路電性連接至外部之連接墊部。

又，在本發明中，特別以上述補強層具有藉由接著層一體地安裝於基板面之部分、及於光元件側延伸且覆蓋光元件上面之覆蓋部分之光電混合基板為第2要旨，且其中特別以上述光元件在電路之預定部分是藉由超音波倒裝晶片接合來安裝之光電混合基板為第3要旨。

且，本發明以製造上述第1要旨之光電混合基板之方法，且包含在基板之一面形成電路之步驟、在上述基板的另一面上形成用以將上述電路電性連接至外部之連接墊部之步驟、及在上述基板的另一面上形成光波導之步驟；在上述設有電路、連接墊部及光波導之基板之設有電路的面上，將用以補強基板之補強層藉由接著層在加壓狀態下安裝後，於上述基板之電路部分安裝光元件之光電混合基板之製法為第4要旨。

再者，本發明以製造上述第1要旨或第2要旨之光電混合基板之方法，且包含在基板之一面形成電路之步驟、在上述基板的另一面上形成用以將上述電路電性連接至外部之連接墊部之步驟、及在上述基板的另一面上形成光波導之步驟；於上述基板之電路部分安裝光元件後，在上述設有電路、連接墊部及光波導之基板之設有電路的面上，在加壓狀態下藉由接著層安裝用以補強基板之補強層之光電混合基板之製法為第5要旨。

又，在本發明中，特別以將上述光元件在電路之預定部分藉由超音波倒裝晶片接合來安裝之光電混合基板之製法為第6要旨。

即，以往之光電混合基板中，是在基板的單面上設置電路及用以將該電路電性連接至外部之連接墊部，並在其相反側之面上設置補強層及光波導，但在此構造中，由於在光元件安裝前將補強層在加熱、加壓下強固地接合相當困難，因此打破以往的技術常識，將上述連接墊部設置於與設置有電路的面相反側的面。

藉由此構造，由於可在光元件安裝前，在設置有電路的面上將補強層在加熱、加壓下強固地接合，因此在接合面不會殘留空氣或揮發氣體，在之後的回焊步驟等中不會產生空隙等。又，由於可在不透過接著層或補強層固定光電混合基板的狀態下，藉由超音波倒裝晶片接合安裝光元件，因此不會有因超音波之振動而產生的接著層之變形等的影響，可將光元件具有高接合強度地安裝。再者，補強層本身也不會剝離，可維持良好的接合狀態。且由於光波導與補強層彼此設置於基板的相反側，因此具有即使將補強層在加熱、加壓下強固地接合，此時光波導也不會受到不良影響之優點。

又，由於是在設置有以體積龐大之光元件為首之各種構件之面相同的面上，以避開該等構件的配置方式設置補強層，因此具有可使整體厚度與以往相比較薄之優點。

且，藉由本發明之製法，由於可將在與設置有電路的面相反側的面上設置有連接墊部與光波導之基板固定於光元件安裝用之吸附平台等適當的固定裝置上之狀態下，連續地進行附有接著層之補強層之接合及光元件之安裝，因此，如上所述，不只可以將光元件具有高接合強度地安裝，同時具有提升量產性之優點。又，依據需求，也可先進行光元件之安裝，接著進行附有接著層之補強層之接合，提高了製造步驟的自由度。再者，由於可將上述補強層的接合在加熱、加壓下進行，因此該接合面強固地接合，且如前所述，在之後的回焊步驟等、加熱步驟等中不會產生空隙等。因此，可有效率地生產品質優良的光電混合基板。

又，在本發明之光電混合基板中，特別是，具有上述補強層為具有藉由接著層一體地安裝於基板面之部分、及於光元件側延伸且覆蓋光元件上面之覆蓋部分者，由於光元件的上方被補強層的覆蓋部分保護，因此光元件周邊可保持清潔，相當理想。

又，本發明之光電混合基板中，特別是，上述光元件在電路之預定部分藉由超音波倒裝晶片接合來安裝者，由於沒有因焊錫或輔助接合之助焊劑產生的汙染，可具有高位置精確度地安裝光元件，且沒有補強層、接著層之變形之影響，因此可具有高接合強度地安裝。又，由於補強層的接合強度高，因此不會發生光元件安裝時之音超音波振動在接合部產生變形導致補強層的剝離之情況，可長時間維持優良的品質，相當理想。

1‧‧‧絕緣層

3‧‧‧電路

3a‧‧‧墊

4‧‧‧鍍金層

5‧‧‧光元件

6‧‧‧連接墊部

7‧‧‧覆蓋層

9‧‧‧下包覆層

10‧‧‧核心

11‧‧‧上包覆層

12‧‧‧鏡部

13‧‧‧補強層

14‧‧‧接著層

21‧‧‧基板

22‧‧‧電路

22a‧‧‧墊

23‧‧‧鍍金層

24‧‧‧光元件

25‧‧‧補強層

25a‧‧‧覆蓋部

26‧‧‧接著層

27‧‧‧覆蓋層

28‧‧‧金屬層

28a‧‧‧貫通孔

28’‧‧‧缺口部

30‧‧‧下包覆層

31‧‧‧核心

32‧‧‧上包覆層

33‧‧‧鏡部

34‧‧‧導電層

35‧‧‧鍍金層

36‧‧‧連接墊部

40‧‧‧絕緣基底基材

41‧‧‧接著層

42‧‧‧接著層

43‧‧‧接著層

44‧‧‧覆蓋層

50‧‧‧電路

51‧‧‧電路

52‧‧‧通孔

W‧‧‧光波導

L‧‧‧光

圖1是部分性地表示本發明之光電混合基板之一實施型態之概略剖面圖。

圖2(a)~圖2(f)皆為表示上述光電混合基板之製作步驟之概略說明圖。

圖3(a)、圖3(b)皆為表示上述光電混合基板之製作步驟之概略說明圖。

圖4為部分性地表示本發明之光電混合基板之另一實施型態之概略剖面圖。

圖5為部分性地表示本發明之光電混合基板之又另一實施型態之概略剖面圖。

圖6為部分性地表示本發明之光電混合基板之另一實施型態之概略剖面圖。

圖7為部分性地表示以往之光電混合基板之一例之概略剖面圖。

用以實施發明之形態

接著將基於圖式詳細說明本發明之實施形態。

圖1表示本發明之光電混合基板之一實施形態。該光電混合基板是在基板(由聚醯亞胺等構成之絕緣層)21的表面上設有包含光元件安裝用之墊22a之電路22，光元件24隔著鍍金層23藉由超音波倒裝晶片接合安裝於該墊22a。又，在上述基板21的表面，俯視呈ㄈ字狀的補強層25以包圍光元件24之安裝部的配置方式，透過接著層26一體地接合。又，上述電路22之中，墊22a以外的部分全部藉由覆蓋層27覆蓋保護，且上述接著層26橫跨設有覆蓋層27的部分與沒有覆蓋層27的部分而形成。

又，上述基板21的背面側，即與設有上述電路22 等的面相反側的面上，設置有包含光結合用之貫通孔28a之金屬層28，其下側面設有由下包覆層30、核心31及上包覆層32所構成之光波導W。因此，如本例中基板21的下側面設有金屬層28的情況，本發明之「在一面上設有電路的基板之另一面」，指的不只是「基板的下側面」，還包含了「設於基板下側面之金屬層的下側面」等，即表示在基板下側面設有其他的層的情況，也包含該層的下側面之含意。

又，上述光波導W的上包覆層30進入並充滿至上述金屬層28之貫通孔28a的內側。又，在上述光波導W的端部，為了與基板21的表面側之光元件24光結合，形成有由以45°之角度傾斜之反射面所構成之鏡部33。

再者，上述基板21背面側的金屬層28，其端部被部分地去除使基板21的背面露出，於該露出部分設有由與電路22相同的導電層34及覆蓋該導電層34之鍍金層35所構成之連接墊部36。該連接墊部36藉由通孔(未圖示)與基板21表面側的電路22在厚度方向上電性連接，藉由將具有從外部電源延伸之電路之連接器連接至該部分，使之可對該光電混合基板通電。又，在圖1中，在上述光電混合基板中雖然省略了其右半邊的圖示，其右半邊是設置成與圖示之左側左右對稱的構造(省略說明，以下的圖也相同)。

上述光電混合基板可用例如以下的方式製造。即，首先，如圖2(a)所示，準備平坦的金屬層28。該金屬層28的形成材料，可舉不銹鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、白金、金等為例，但從強度性、可撓性等的觀點來看，以不鏽鋼為佳。又，上述金屬層28的厚度通常宜設定於10~200μm之範圍內。

且於上述金屬層28的表面塗布感光性絕緣樹脂，藉由光刻法形成預定圖案的絕緣層，而成為基板21。上述基板21的厚度通常宜設定於3~50μm之範圍內。且上述基板21，為了進行設於基板21的表面側之光元件24與光波導W之間的光結合而期望具有透明性，宜使用聚醯亞胺樹脂等。其中更宜使用透明度高之氟系列聚醯亞胺樹脂。又，使用不透明的基板21之情況，與金屬層28相同，必須形成光結合用的貫通孔。

接著，如圖2(b)所示，在上述基板21的表面，藉由例如部分加成法形成包含光元件安裝用之墊22a之電路22。即，首先，在上述基板21的表面，藉由濺鍍或是無電解電鍍等形成由銅等構成之金屬膜(未圖示)。該金屬膜成為之後進行電解電鍍時的種子層(成為電解電鍍層形成之生坯之層)。且在上述由基板21及種子層構成之積層體之兩面上貼附乾膜光阻後，在形成有上述種子層之側的乾膜光阻上，藉由光刻法形成電路22之圖案之孔部，在該孔部的底部使上述種子層的表面部分暴露。

之後，藉由電解電鍍，在暴露於上述孔部的底部之上述種子層的表面部分上，積層形成由銅所構成的電解電鍍層(厚度約3~30μm)。之後，將上述乾膜光阻藉由氫氧化鈉水溶液等剝離。之後，將種子層之未形成上述電解電鍍層的部分藉由軟蝕刻除去，殘存之由電解電鍍層與該電解電鍍層之下的種子層所構成之積層部分成為電路22。又，用以形成上述電路22的材料，在此例中是使用銅，但除了銅以外，宜使用鉻、鋁、金、鉭等導電性與延展性良好之金屬材料。

接著，如圖2(c)所示，在電路22的表面形成由鎳等構成之無電解電鍍層(未圖示)後，在電路22之上述光元件安裝用之墊22a以外的部分塗布由聚醯亞胺樹脂等構成之感光性絕緣樹脂，藉由光刻法形成覆蓋層27。覆蓋層27的厚度宜設定於1~20μm之範圍內。即，在上述範圍內，可對電路22產生優良的保護作用。然後，將在上述電路22中，形成有墊22a之上述無電解電鍍層(未圖示)藉由蝕刻除去後，在該除去痕跡上形成由金或鎳所構成之電解電鍍層(在此例中為鍍金層)23。

接著，如圖2(d)所示，在基板21背面之金屬層28之預定位置藉由蝕刻等形成光結合用貫通孔28a，同時形成用來形成連接墊部36之缺口部28’。即，首先在由上述金屬層28、基板21及電路22等構成之積層體之兩面貼附乾膜光阻後，在形成有上述金屬層28之側的乾膜光阻上藉由光刻法形成構成上述貫通孔28a、缺口部28’之圖案之孔部，在該孔部之底部使上述金屬層28之背面部分暴露。且使用對應上述金屬層28之材質之蝕刻用水溶液(例如，不鏽鋼的情況，使用氯化鐵水溶液)，藉由蝕刻將從上述孔部暴露之金屬層28的部分除去，形成上述貫通孔28a與缺口部28’。

接著，如圖2(e)所示，在上述金屬層28之缺口部28’，與上述電路22與墊22a之形成相同，形成將導電層34用鍍金層35覆蓋而成之連接墊部36。另外，在此時也一起形成用來將基板21之表面側之電路22與上述連接墊部36電性連接之通孔(未圖示)。

接著，如圖2(f)所示，在上述金屬層28的背面形成光波導W。即，首先在上述金屬層28的背面(在未形成金屬層28的部分則是基板21的背面)，塗布為下包覆層30之形成材料之感光性樹脂後，將該塗布層藉由照射光曝光並硬化而形成下包覆層30。但，為了將基板21之表面側的光元件24與光波導W光結合，上述下包覆層30之形成材料宜為透明。且進入並填滿金屬層28之光結合用之貫通孔28a之內側。上述下包覆層30之厚度(從金屬層28之背面算起之厚度)宜設定在1~50μm之範圍內。又，上述下包覆層30也可藉由光刻法曝光成預定圖案而形成。

接著，在上述下包覆層30的表面(在圖中為下側面)藉由光刻法形成預定圖案之核心31。上述核心31之厚度宜設定在5~100μm之範圍內。且核心31的寬度宜設定在5~100μm之範圍內。上述核心31的形成材料可舉與上述下包覆層30相同之感光性樹脂為例，可使用折射率比上述下包覆層30及下述之上包覆層32之形成材料大之材料。該折射率的調整，舉例言之，可以考慮下包覆層30、核心31、上包覆層32之各形成材料的種類的選擇或組成比例的方式來進行。

接著，在上述下包覆層30的表面(在圖中為下側面)藉由光刻法形成上包覆層32，使之覆蓋上述核心31。該上包覆層32的厚度(由下包覆層30的表面算起的厚度)在上述核心31的厚度以上，宜設定在10~2000μm之範圍內。上述上包覆層32的形成材料可舉與上述下包覆層30相同之感光性樹脂為例。且形成上述上包覆層32時也可藉由光刻法曝光成預定圖案。

接著，將藉由此法所得之光波導W之對應設置於基板21的表面之墊22a的部分，如圖3(a)所示，藉由雷射加工或切削加工等，形成為相對核心31之長方向傾斜45°之傾斜面而成為鏡部33。

接著，將得到的積層體(在基板21的表面側設有電路22，在基板21的背面側形成有光波導W者)，以載置於光元件安裝用之吸附平台並吸附固定的狀態，如圖3(b)所示，在光元件安裝預定部之周圍之預定區域，接合俯視為ㄈ字狀的補強層25。即，首先準備在剝離片表面藉由接著層26積層有作為補強層25之金屬層或樹脂層之積層片，並將之沖壓成目的形狀而成形。接著，將剝離片剝離，以使補強層25下側面的接著層26露出之狀態，於上述吸附平台上的基板21表面之預定位置，在加熱、加壓下接合。

又，上述補強層25接合時之加熱溫度宜設定為80~230℃。又，其壓力宜設定為0.1~10MPa。若加熱、加壓的條件低於上述範圍，補強層25與基板21之間的接合強度會變得較弱，在之後的光元件24等之安裝時之加熱步驟時，補強層25會有剝離之虞，較不理想。又，若加熱、加壓的條件高於上述範圍，恐有對成為光電混合基板之積層體產生不良影響之虞，較不理想。

又，作為上述補強層25的形成材料，除了不鏽鋼、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、白金、金等金屬材料以外，也可適用聚酰亞胺或聚對苯二甲酸乙二酯、玻璃環氧樹脂等樹脂材料。且，上述補強層25之厚度宜為25~2000μm，更宜為250~1500μm。即，若補強層25太厚，該部分的剛性過高會導致作業性不佳，若太薄恐有無法得到充分的補強效果之虞。

又，作為用以將上述補強層25接合於基板21之接著層26，宜選用對於上述補強層25與基板21兩者展現高接著力之物。例如，宜使用環氧樹脂接著劑、丙烯酸接著劑等。且上述接著層26的厚度宜為5~100μm。即，若接著層26太厚會有作業性降低之虞，若太薄則有無法得到充分之接著強度之虞。

接著，在接合有上述補強層25之積層體之基板21表面之墊22a上，將光元件24藉由超音波導裝晶片接合安裝。藉此可得到圖1所示之光電混合基板。

又，作為上述光元件24之安裝方法，可舉藉由回流焊接、焊點凸塊與焊錫膏之網版印刷之C4接合等之倒裝晶片安裝方法，但如前所述，由於可不透過補強層25或接著該補強層25之接著層26固定基板21，如上所述，藉由超音波倒裝晶片接合來安裝為最佳。若藉由超音波倒裝晶片接合，具有不會因銲錫或輔助接合之助焊劑汙染周圍，以及安裝時位置精確度高之優點。

藉由此方法所得之上述光電混合基板，由於在安裝光元件24之前，在基板21之設有電路22那一面上，補強層25在加熱、加壓下強固地接合，在該接合面不會殘留空氣或揮發氣體等，因此不會降低性能。又，由於可在不透過接著層或補強層固定光電混合基板的狀態下，藉由超音波倒裝晶片接合安裝光元件24，因此不會有因超音波之振動而產生的接著層之變形等的影響，可將光元件24具有高接合強度地安裝。而補強層25本身可維持良好的接合狀態。且由於光波導W與補強層25彼此隔著基板21設置於相反側，因此具有即使將補強層25在加熱、加壓下強固地接合，光波導W也不會受到不良影響之優點。

又，上述光電混合基板，由於體積相對龐大之光元件24等與同樣體積龐大之補強層25設置於基板21的同一面上，具有可使整體厚度與以往相比較薄之優點。

且，藉由上述光電混合基板之製法，由於可將設有電路22、光波導W及連接墊部36之基板21固定於光元件安裝用之吸附平台等，在該狀態下，將接著層25強固地接合於基板21的表面後，接著在相同面上安裝光元件24，因此具有優異量產性之優點。又，依據不同的情況，也可先進行光元件24之安裝，接著進行補強層25之接合，具有製造步驟的自由度較高之優點。

且，由於可將上述補強層25的接合在加熱、加壓下進行，因此不會在該接合面殘留空氣或揮發氣體等，且在之後的步驟中不會產生空隙等。因此，可有效率地生產品質優良的光電混合基板。

又，在上述之例中，如圖2(d)、圖2(e)所示，是將基板21背面側的金屬層28之端部除去，並在該部分形成連接墊部36，但將連接墊部36形成於基板21背面側的方法並不以此為限。舉例言之，如圖4所示，藉由將基板21的端部連同金屬層28除去，使電路22之背面部分向下暴露。且，可藉由將該暴露面覆蓋金屬電鍍層35，形成連接墊部36。該光電混合基板也是在與基板21之設有電路22的面相反側的面上設有連接墊部36可達到與如圖1所示之光電混合基板相同之效果。因此，該構成也包含在本發明之「基板之設有光波導的面上設有連接墊部」之構成。又，其他部分的構成與圖1所示之構成相同，在相同的部分加上相同的元件標號，並省略其說明。

又，上述之例，是將本發明應用於由絕緣層構成之基板21與該基板21背面側設有金屬層28的光電混合基板者，但本發明之基板表面側之積層構成及基板背面側之積層構成可為任何形式，只要是在基板的其中一面側設置電路及補強層，在另一面側設置光波導及連接墊部，即可得到本發明的效果。順帶一提，如圖5所示之在絕緣基底基材40的兩面藉由接著層41、42形成電路50、51，將兩者以通孔52連接，並在背面側設有光波導W之構成之光電混合基板中，也可應用本發明。即，藉由將上述絕緣基底基材40 背面側之電路51之一部分以鍍金層35覆蓋而成為連接墊部36，並在其相反側之絕緣基底基材40表面側藉由接著層26設置補強層25，即可得到本發明的效果。又，在圖中，43為接著層，44為覆蓋層。

此外，在本發明中，補強層25的形狀不需要如上述各例形成為俯視呈ㄈ字狀之形狀，也可使用俯視矩形狀或其他各種形狀。又，如圖6所示，若使用補強層25之中一部分延伸至光元件24側而成為覆蓋光元件24之上面之覆蓋部25a者，可藉由上述補強層25保護光元件24，保持其周圍的清潔，甚為理想。

又，雖然為了得到上述構成之光電混合基板，必須在將光元件24安裝於基板21後再將補強層25接合於基板21，但由於上述補強層25之覆蓋光元件24之覆蓋部25a之下側是空的，不會損傷光元件24，可用充分的力量進行補強層25的接合。

接著，關於實施例與比較例一併作說明。但本發明不限於以下之實施例。

實施例

[實施例1]

依照前述製法之記載製作如圖1所示之構成之光電混合基板。又，在呈帶狀延伸之基板21之一側，安裝ULM公司製之ULM850-10-TT-C0104U作為發光元件，在相反側安裝Albis optoelectronics公司製之PDCA04-70-GS作為受光元件。且接合補強層25時之加熱溫度為160℃，按壓壓力為 3MPa。

[比較例1]

依照前述製法之記載製作如圖7所示之以往的光電混合基板。但，關於各構件之材質或厚度等，依照上述實施例1之構成。又，補強層13對基板1之接合是使用雙面膠帶(日東電工公司製，No.5601)，並以人工方式貼附於基板1。

[補強層之接合強度]

為了評價上述實施例1之物件與比較例1之物件之補強層25、13之接合強度，使用今田製作所公司製之拉伸壓縮試驗機(SV-52NA-2L)測定其剝離強度。其結果為，實施例1之物件之剝離強度為1.3N/mm，比較例1之物件之剝離強度為0.3N/mm。因此可知實施例1之物件具有較佳之接合強度。

[光電混合基板的厚度]

相對於上述實施例1之物件之整體厚度中最大厚度為0.9mm，比較例1之物件之最大厚度為1.1mm，可知實施例1之物件較薄，可因應省空間化之需求。

又，雖然在上述實施例中顯示了本發明之具體形態，但上述實施例僅為範例，並非限定性的解釋。對於熟知此技藝者來說顯而易見的變形全部在本發明的範圍內。

產業上之可利用性

本發明可廣泛應用於高強度地接合補強層、不會產生空隙等之構成，且即使超音波安裝光元件也不會產生任何接著強度低下之問題之優異的光電混合基板及其製法。