TW201513960A - 製得基板之方法 - Google Patents

製得基板之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201513960A
TW201513960A TW103117904A TW103117904A TW201513960A TW 201513960 A TW201513960 A TW 201513960A TW 103117904 A TW103117904 A TW 103117904A TW 103117904 A TW103117904 A TW 103117904A TW 201513960 A TW201513960 A TW 201513960A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
ray
lightning
refractive index
lightning ray
Prior art date
Application number
TW103117904A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI642508B (zh
Inventor
Emmanuel Mimoun
Brice Dubost
Original Assignee
Saint Gobain
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain filed Critical Saint Gobain
Publication of TW201513960A publication Critical patent/TW201513960A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI642508B publication Critical patent/TWI642508B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B27/00—Tempering or quenching glass products
    • C03B27/012—Tempering or quenching glass products by heat treatment, e.g. for crystallisation; Heat treatment of glass products before tempering by cooling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626—Energy control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

在本發明之製得包括折射率調變圖案的透明基板之方法中，透明基板係利用聚焦在該基板上呈至少一道雷射線形式之雷射輻射來照射，其中該基板至少部分吸收該雷射輻射，在該基板與聚焦在該基板上之該雷射線之間在相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向的方向(X)上產生相對移動，及在該相對移動的過程中，該雷射線之功率隨著該相對移動之速度及隨著該相對移動的方向(X)上之圖案尺寸而依時調變。

Description

製得基板之方法
本發明關於製得具有經調變之光學性質的透明基板之方法。本發明亦關於一種處理透明基板以使該基板具有經調變之光學性質的設備，及關於一種具有經調變之光學性質的透明基板。
已知藉由在基板表面上產生紋理或圖案來調變其光學及/或美觀性質。為了產生表面紋理，慣用技術尤其包括雕刻、噴砂或酸蝕。為了產生圖案，慣用技術尤其包括網版印刷或微影術。然而，該等技術不是難以使用大型基板實施且造成相對低生產率之局部化技術，就是不具最佳解析度之全域技術。該等技術中之特定者(尤其是酸蝕及微影術)亦具有因所使用之化學品所導致的風險，此使得其工業規模之用途變複雜。
為了使基板具有特別光學及/或美觀性質，亦已知空間調變該基板之折射率。經由此種折射率調變，特別可能調整基板之光散射性質，尤其是用於光擷取目的(例如用 於OLED(有機發光二極體))，或用於光集中(例如用於太陽能模組)。藉由調變基板之折射率，亦可能調整其光繞射性質，尤其是用於將光重定向之目的。在使用自然光以提供照明之應用中特別尋求重定向光，以使該自然光更佳地分布及改善目視舒適性。在基板之表面上或主體中產生經調變之折射率圖案亦使得基於美觀目的而修改該基板的目視外觀。
得以在礦石玻璃基板中產生經調變之折射率圖案的一種慣用技術為離子交換。使用此技術，藉由該玻璃中所含之至少一種元素與該玻璃接觸之介質所提供的至少一種元素之間的離子交換來使該基板之玻璃基質的組成局部改質。該玻璃中所含之鈉原子尤其可與和該玻璃接觸的銀鹽所提供之銀原子交換。此在電場下藉由遷移進行之離子交換使得在玻璃的厚度中產生具有受控制形狀之區的改變(其中折射率隨區而改變)，而不修改該玻璃之表面的初始凸紋。然而，離子交換具有其為涉及數個步驟之緩慢且昂貴方法的缺點。此外，該基板內該等離子能到達的深度有限。
本發明更特別希望提供一種製得具有經調變之光學性質的透明基板之方法來補救這些缺點，該方法既經濟、簡單及迅速，使得能獲致高生產率，而且保障該基板之光學性質調變的高解析度水準，此方法甚至可應用於大型基 板，此外具有特別高之靈活性以使得能在生產線上對於給定基板或隨基板之光學性質的空間結構做迅速改變。
為此目的，本發明主題之一係一種製得透明基板之方法，該透明基板具有經調變之光學性質並包括折射率調變圖案，該方法之特徵在於透明基板係利用聚焦在該基板上呈至少一道雷射線形式之雷射輻射來照射，其中該基板至少部分吸收該雷射輻射，及在該基板與聚焦在該基板上之該雷射線之間在相對於該雷射線之縱向為橫向的方向上產生相對移動，以及在該相對移動的過程中，該雷射線之功率隨著該相對移動之速度及隨著該相對移動的方向上之圖案尺寸而依時調變。
在本發明前後文中，「雷射線」為聚焦成縱向尺寸大於橫向尺寸之線形式的雷射光束，其係由一或數個雷射源產生，且其在該線之縱向上的所有點係被該(等)雷射源同時照明。如此，該雷射線係藉由該(等)雷射源同時照射該線的整個表面而獲得。
在本發明前後文中，當一方向與其他方法形成非零度角時，該方向相對於該其他方向為橫向。此外，在本發明前後文中，當基板使光至少部分通過彼時，該基板為透明。
應用本發明方法之基板在雷射輻射的波長下必須為具有至少部分吸收性，特別是在此波長下具有至少1%/mm之吸收率，較佳為至少10%/mm。
在本發明前後文中，應用該方法之基板可為裸基板， 但亦可為經塗覆基板，即，其至少一面上包含塗層之基板。當然，甚至在經塗覆基板之情況下，使用本發明方法所產生之折射率調變圖案為該基板本身之折射率的調變圖案。然而，不排除該或各塗層亦會受到該雷射處理影響，但此情況下必然是除了該基板外亦影響前述塗層。僅藉由雷射輻射處理該基板之塗層而不處理該基板本身之情況不包括在本發明範圍內。當該基板係經塗覆時，該或各塗層必須使該雷射輻射朝該基板通過，因此在該雷射輻射之波長下不應有太過之反射性或吸收性。
本發明人已觀察到，當以雷射光束照射透明基板時，該基板之結構局部發生熱成因之永久性改質，其與礦石玻璃基板情況中之熱回火效應相似，從而局部產生該基板之折射率改變。本發明人利用此效應而在基板之表面上或內部中形成折射率調變圖案。實際上，此圖案係藉由將在聚焦平面中具有適當強度之至少一道雷射線聚焦在該基板上，且藉由當該基板與該雷射線相對於彼此移動時及時調變此雷射線之功率而獲得。由於該雷射線之功率隨著時間而改變，該基板之折射率係在該相對移動的過程中空間調變。
本發明之方法使得可藉由隨著介於基板與雷射線之間的相對移動之速度及隨著所希望圖案之空間結構來調整該雷射線之功率的依時調變而在透明基板中產生任何類型之折射率調變圖案。有利的是，此方法可應用於具有任何尺寸之基板，包括大尺寸之基板，原因係該雷射線的長度可 簡單地對應於所希望圖案之尺寸而調整。該雷射線之功率的依時調變特別有回應，從而使得能獲致高解析度水準及高生產率二者。得益於本發明，即使大尺寸之基板亦可快速獲得折射率調變圖案，其並非使用點狀雷射光束掃描之情況。此外，由於可反應性地調變該雷射線之功率，本發明方法使得能在生產線上針對給定基板或隨該線上之基板的折射率之空間調變結構做迅速改變。
該基板可為由礦石玻璃製成之基板，該礦石玻璃尤其選自氧化物玻璃、鹵化物玻璃、硫化物玻璃、硫族化合物玻璃。該氧化物玻璃可為矽酸鹽、硼酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、氟磷酸鹽或鉍酸鹽。該鹵化物玻璃可為BeF2、ZrF4、InF3或Cd-Zn-CI類。該硫化物玻璃可為Ga-La-S。該硫族化合物玻璃可為Se-As。作為變體，該基板可為由有機聚合物(尤其選自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN))，或氟聚合物(諸如四氟乙烯(ETFE))所製成的基板。該基板可為扁平或彎曲形，甚至具有撓性。亦可經著色或未經著色。
該基板有利地至少具有一個大於或等於0.5m(尤其是1m或2m或甚至3m)之尺寸。較佳地，該基板之主面的表面積大於或等於1m2，更佳係大於或等於1.4m2。在有利實施態樣中，經處理之基板為具有1.3m之長度及1.1m之寬度的平行六面體。在由玻璃製成之基板的情況下，該基板之厚度通常介於0.5mm與19mm之間，較佳 介於0.7mm與9mm之間，尤其是介於2mm與8mm之間，或甚至介於4mm與6mm之間。由有機聚合物製成之基板可具有遠遠較小之厚度，例如介於25與100μm之間。
較佳地，該雷射線係藉由包含一或多個雷射源以及成形及重定向之光學器件的模組所產生。
該等雷射源為傳統雷射二極體，或光纖雷射或圓盤形雷射(disc laser)。雷射二極體使得能獲得相對於所供應電功率之高功率密度且體積小。光纖雷射又更小，且所獲得之每單位長度的功率可更高，然而成本較高。
用語「纖維化雷射」意指雷射光產生之位置相對於雷射光供應之位置空間偏移的雷射，該雷射光係利用至少一種光纖供應。
在圓盤形雷射之情況下，雷射光係在呈圓盤形形式之發射介質(諸如Yb：YAG之薄圓盤(約0.1mm厚)所在的共振腔中產生。如此產生之光係耦合至導向處理位點之一或多條光纖。
該或各雷射線之輻射光束的波長有利地在100nm至2000nm，尤其是100至350nm或800至1000nm之範圍。視所處理之塗層的吸收光譜而定，可適當使用發射選自808nm、880nm、915nm、940nm或980nm之波長的功率二極體雷射，或者發射在紫外域(介於100nm與350nm之間，尤其是介於240nm與300nm之間)內的輻射光束之準分子雷射。作為變體，該或各雷射線之輻射 光束的波長可在5μm至15μm(可使用CO2雷射達成)以用於吸收此種輻射的塗層。在圓盤形雷射之情況下，波長為例如1030nm(Yb：YAG雷射之發射波長)。就光纖雷射而言，波長為例如1070nm。
在非纖維化雷射源之情況下，成形及重定向之光學器件較佳包含透鏡及反射鏡，且係用作用以使輻射定位、均質化及聚焦之裝置。該定位裝置具有將由該等雷射源所發射之輻射光束排列成線形式的功能。彼等較佳為反射鏡。均質化裝置具有疊加雷射源之空間輪廓的功能以獲得沿著該線之每單位長度的均勻功率。該均質化裝置較佳包含能使入射光束分離成副光束及使該等副光束重組成均勻線之透鏡。該用於聚焦輻射之聚焦裝置能使輻射呈具有所希望長度及寬度之線形式聚焦至待處理的基板。該聚焦裝置較佳包含會聚透鏡。
在纖維化雷射源之情況下，成形之光學器件較佳係分組成定位在該或各光纖之輸出處的光學頭形式。呈該光學頭形式的成形之光學器件較佳包含透鏡、反射鏡及稜鏡，且係用作變換、均質化及聚焦輻射的裝置。該變換裝置包含反射鏡及/或稜鏡且係用以將在該光纖輸出處所獲得之圓形光束變換成呈線形狀之異向性非圓形光束。為此，該變換裝置提高該光束的軸中之一者(該雷射線的快軸或寬軸)上之品質及降低該光束其他軸(該雷射線之慢軸或長度軸)的品質。均質化裝置疊加雷射源之空間輪廓以獲得沿著該線之每單位長度的均勻功率。該均質化裝置較佳包 含能使入射光束分離成副光束及使該等副光束重組成均勻線之透鏡。最後，該用於聚焦輻射之聚焦裝置使得能將輻射以具有所希望寬度及長度之線形式聚焦在工作平面上，換言之，在待處理基板之表面上或主體中。該聚焦裝置較佳包含聚焦反射鏡或會聚透鏡。
該成形及重定向之光學器件(尤其是定位裝置)可手動調整或使用能遠距設定位置之致動器來調整。該等致動器(通常為馬達或壓電轉換器)可手動控制及/或自動設定。在後者情況下，該等致動器較佳係連接至偵測器及反饋迴路。
該等雷射模組中之至少一些(甚至全部)較佳係排列在經密封且有利地經冷卻(尤其是空氣冷卻)之外罩中以確保其熱安定性。
在本發明前後文中，應暸解雷射線之「長度」為該雷射線之最大尺寸(即，沿著縱向之雷射線的尺寸)，及應暸解雷射線之「寬度」為該雷射線與其縱向垂直的方向上之尺寸。在雷射領域中慣用的，雷射線之寬度w對應於此垂直方向上介於輻射光束的強度最大之該光束的軸與該輻射光束之強度等於最大強度1/e2倍的點之間的距離。若雷射線之縱軸表示為x，寬度分布(表示為w(x))可沿著此軸界定。
根據一種特徵，該或各雷射線之平均寬度係介於10μm與1000μm之間，較佳係介於30μm與200μm之間。本說明全文中，應暸解用語「平均」意指算術平均。在該 雷射線之整個長度上，寬度分布窄以當在基板中產生折射率調變圖案時確保沿著該雷射線的均勻處理。以此方式，介於最大寬度與最小寬度之間的差較佳為該平均寬度之值的至多10%，更佳為至多5%或甚至3%。
該或各雷射線之長度較佳為至少10cm，較佳係在20cm或30cm至3m之範圍。較佳係使用單一雷射線照射該基板之寬度的全部或部分。然而，亦可使用複數道以縱向彼此平行排列之雷射線，該等雷射線可隨意地分開。
根據一特徵，雷射線係使該雷射線之長度對該雷射線之平均寬度的比率大於或等於10，較佳為大於或等於30。在較佳實施態樣中，雷射線之長度對該雷射線之平均寬度的速率介於30與300000之間。
在一實施態樣中，該雷射線係聚焦至基板之表面上。然後本發明方法使得能在該基板之表面上獲得折射率調變圖案。
在其他實施態樣中，該雷射線係聚焦至基板之主體中。然後本發明方法使得能在該基板之厚度中獲得折射率調變圖案。
根據一有利特徵，雷射線之縱向與介於基板與該雷射線之間的相對移動之方向實質上垂直。然而，該雷射線亦可能相對於該相對移動之方向為其他定向，且通常該雷射線的縱向可與該相對移動之方向形成任何非零度角。
在一實施態樣中，雷射線保持固定及基板係在相對於該雷射線之縱向為橫向的方向上平移移動。有利的是，該 基板係在面向該雷射線之實質上為水平的平面中移動。
其他實施態樣亦可能。例如，基板可保持固定，然而雷射線係面向該基板(尤其是使用可移動支架)移動。作為變體，該基板及該雷射線均可移動。介於該基板與該雷射線之間的相對移動亦可為除平移移動以外之移動，例如旋轉移動或平移移動及旋轉移動之組合。該基板亦在不為水平之平面(例如垂直平面)中或以任何其他定向移動。
當基板移動(尤其是平移移動)時，可使用任何機械輸送裝置(例如帶、滾筒、平移盤、氣墊)使之移動。該輸送系統使得能控制及調節該移動之速度。該輸送裝置較佳包含剛性底盤及複數個滾筒。若該基板係由撓性有機聚合物製成，該基板之移動可使用呈一連串滾筒形式之膜前進系統產生。在此情況下，考慮該基板之厚度及因而考慮其撓性以及熱處理會對於任何撓曲之產生的任何影響，可經由適當選擇滾筒之間的距離來確保平坦性。
雷射亦可移動以調整其相對於基板之距離，其特別(但不只)當該基板為彎曲時有用。尤其是，就該或各雷射線而言，較佳係介於該雷射線之聚焦平面與待處理之基板之間的距離之絕對值小於或等於1mm，尤其為0.5mm，或0.3mm及甚至0.1mm。若用於移動該基板或該雷射之系統關於介於該聚焦平面與該基板之間的距離方面不夠精確，較佳係可調整介於該雷射與該基板之間的距離。此調整可為自動的，及尤其可憑藉雷射處理上游所進行之距離測量來調節。
基板及形成該雷射線之雷射源可具有任何可能相對位置，其條件係該基板之表面或主體可經適當照射。當該基板水平排列時，該或各雷射源通常係排列成照射該基板之頂面及/或底面。亦可使用複數個位於該基板之一側上的雷射源，該基板可能水平、垂直或以任何其他傾角定位。此等雷射源可為相同或不同。
介於基板與各雷射線之間的相對移動之速度有利地為至少3m/min，尤其是4m/min或5m/min，甚至6m/min或7m/min，或者8m/min及甚至9m/min或10m/min。為了限制在該基板中產生折射率調變圖案時該基板相對於該雷射線之位置中的不確定性，於該處理期間介於該基板與各雷射線之間的相對移動之速度相對於其標稱值改變至多10 rel%，尤其是2 rel%及甚至1 rel%。
根據一有利特徵，藉由依時調變形成雷射線之一或多個雷射源的輸入電信號而獲得該雷射線之功率的依時調變。在本發明前後文中，應暸解「雷射源之輸入電信號」一詞意指供應至該雷射源之電流或供應至該雷射源之電功率。
從形成雷射線之一或多個雷射源的輸入電信號之依時調變開始之用以獲得該雷射線的功率之依時調變的反應時間或長或短，且視該或各雷射源之開啟或關閉時間而定。如此，以本發明方法可獲致之解析度(即，在相對移動之方向上能獲得的最小圖案尺寸)係由該或各雷射源之開啟及關閉時間、介於該基板與該雷射線之間的該相對移動之 速度、及該雷射線之寬度決定。雷射源之開啟及關閉時間係界定為由該源所發射之功率(在脈衝雷射源之情況下為功率之包封)的標稱值之10%至90%(反之亦然)通過所需的時間。如此，使用開啟及關閉時間為約100μs之雷射源，可獲得在相對移動之方向上的尺寸為約50μm之圖案。使用開啟及關閉時間為約2ms之雷射源，可獲得在相對移動之方向上的尺寸為約1mm之圖案。使用開啟及關閉時間為約20ms之雷射源，可獲得在相對移動之方向上的尺寸為約1cm之圖案。可藉由調變該等雷射源所發射的功率而不完全將之關閉來限制該等雷射源的開啟及關閉時間之影響。
在本發明一實施態樣中，藉由應用雷射源之輸入電信號的依時調變之頻率等於介於基板與雷射線之間的相對移動之速度對圖案週期的比率而獲得具有空間週期性之折射率調變圖案。
在本發明其他實施態樣中，不具空間週期性之折射率調變圖案係藉由在基板與雷射線之間的相對移動過程中改變雷射源之輸入電信號的依時調變而獲得。
有利的是，當雷射線係利用複數個獨立雷射源形成，形成該雷射線之雷射源的輸入電信號之依時調變各不相同。如此可沿著該雷射線局部調整功率，從而在該雷射線之縱向上亦能調變折射率。此使得可進一步提高該基板之折射率的空間調變之靈活性。
根據一特徵，在聚焦平面中之雷射線的每單位面積平 均功率高於或等於103W/cm2。此功率可由提供每單位長度高功率(尤其是高於10W/mm)，以連續波(CW)或準連續波(QCW)模式操作之雷射源，或藉由較低平均功率(尤其是低於100mW/mm)之脈衝雷射源供應。在脈衝雷射源之情況下，由於沒有時間使熱擴散發生之故，用於處理基板之製程更有效率。必須調整聚焦平面中之雷射線的功率以顧及熱擴散效應。較佳地，當使用脈衝雷射源產生功率時，該聚焦平面中之該雷射線的每單位面積之平均功率高於或等於103W/cm2，而當使用連續波或準連續波模式操作之雷射源產生功率時，則高於或等於104W/cm2。
在由礦石玻璃製成之基板的情況下，該基板於該方法期間所經歷的溫度為約400℃，及在由有機聚合物製成之基板的情況下該溫度為約100℃。
在一實施態樣中，形成雷射線之該或各雷射源為連續波或準連續波雷射源。
在其他實施態樣中，形成雷射線之該或各雷射源為脈衝源。在此情況下，所發射之脈衝的功率係依時調變。當該輻射係脈衝時，重複頻率有利地為至少10kHz，尤其是15kHz，甚至20kHz，以與所使用之調變及移動速度相容。
在一實施態樣中，雷射線保持固定且基板至少具有一個第一尺寸及一個第二尺寸，該等尺寸彼此相交，該方法至少包括一個第一步驟及一個第二步驟，其中： - 在該第一步驟中，該基板以與其第一尺寸平行且相對於該雷射線之縱向為橫向平移的方式移動，且該雷射線之功率係依時調變；- 在該第二步驟中，該基板以與其第二尺寸平行且相對於該雷射線之縱向為橫向平移的方式移動，且該雷射線之功率係依時調變。
在此實施態樣中，基板係經歷至少兩個連續之處理步驟，在一方向上之第一步驟及在相對於該第一處理步驟之方向為橫向的方向上之第二步驟。如此，本發明之方法使得該基板之折射率以柵形結構提供，該柵係以至少兩個柵方向產生。
本發明其他主題係一種處理透明基板之設備，其藉由在該基板中產生折射率調變圖案而使該基板具有經調變之光學性質，該設備包含：- 一或多個雷射源及能產生至少一道雷射線之成形及重定向的光學器件；- 當該雷射線係聚焦在該基板上時，能在操作中在介於該基板與該雷射線之間相對於該雷射線之縱向為橫向的方向上產生相對移動的移動裝置；- 用於隨著該相對移動之速度及隨著該相對移動的方向上之圖案尺寸而依時調變該雷射線的功率之裝置。
本發明其他主題係一種透明基板，其具有經調變之光學性質，由未回火之礦石玻璃或由有機聚合物製成，能藉由上述方法製得，該透明基板包含由一系列並列之線或線 部分構成的折射率調變圖案，其中該基板的折射率值隨著該等線而改變，且該基板之相對於該等線之縱向為橫向上量得之折射率值改變的特徵尺寸係為介於10μm與1000μm之間(較佳為介於10μm與200μm之間)的標稱尺寸的倍數。
根據一特徵，實際上具有折射率調變圖案之基板或基板的一部分至少具有一個大於或等於0.5m(尤其是1m或2m或甚至3m)之尺寸。較佳地，該基板之主面的表面積或該基板實際上具有該折射率調變圖案之部分的表面積大於或等於1m2，更佳係大於或等於1.4m2。在有利實施態樣中，經處理之基板為具有1.3m之長度及1.1m之寬度的平行六面體。本發明之優點係甚至對於大尺寸基板而言，可迅速獲得具有高解析度水準的折射率調變圖案。
在一實施態樣中，基板的折射率值隨著線而連續改變。於是，該基板之折射率調變圖案為具有折射率係與該圖案之並列的線或線部分之縱向垂直地連續變化的圖案。此種折射率之連續變化可例如藉由根據正弦或三角型之信號函數來依時調變雷射線的功率而獲得。
根據本發明，折射率調變圖案可僅存在基板之表面上、其一或多個表面上，或存在該基板之主體中。
本發明之特徵及優點將從以下本發明之方法及基板的數個實例實施態樣的說明而變得更明顯，此說明僅以舉例方式提供及參考附圖，該等圖式中：
圖1為根據本發明第一實施態樣之具有經調變之光學性質的基板之俯視圖，該基板係藉由本發明方法獲得，圖1之下半部分顯示所施加作為雷射源之輸入的方波型電功率(實施例1及2)；圖2為根據本發明第二實施態樣之具有經調變之光學性質的基板之俯視圖，該基板係藉由本發明方法獲得，圖2之下半部分顯示所施加作為雷射源之輸入的正弦波型電功率(實施例3)；圖3為根據本發明第三實施態樣之具有經調變之光學性質的基板之俯視圖，該基板係藉由本發明方法獲得，包含在彼此垂直的兩個方向上之兩個連續處理步驟以產生柵，圖3之下半部分顯示所施加作為各處理步驟中之雷射源的輸入之方波型電功率(實施例4)。
實施例1
將本發明方法應用於由透明鈉鈣矽石玻璃所製成的基板(由Saint-Gobain Glass以SGG PLANILUX之名銷售)，其係藉由浮法獲得，然後切成長度L=6m及寬度l=3.3m之矩形。
用以進行該方法之雷射線係由InGaAs雷射二極體之雷射源形成，該InGaAs雷射二極體為發射介於900nm與1000nm之間的波長之準連續波源。該雷射線之長度為 3.3m(即，長度等於該基板之寬度1)，且具有50μm之平均寬度。沿著該雷射線之線寬度均勻，因此介於最大寬度與最小寬度之間的差為該平均值的3%，即1.5μm。
將該基板置於滾筒輸送機上，使之以與其長度平行的方向X行進。該雷射線保持固且定位在該基板之頂面上方，其縱向Y與該基板之行進方向X垂直地延伸(即，橫過該基板之寬度)，延伸橫過該基板的整個寬度。
當該基板係定位在該輸送機上時，該雷射線之聚焦平面的位置係經調整以位在該基板之厚度的中央，在該聚焦平面中之該雷射線的每單位面積平均功率為105W/cm2。
使該基板以10m/min之速度在該雷射線下方行進，此速度變化不超過1 rel%。該基板在該雷射線下方移動之過程中，將作為輸入之方波型電功率Pelec施加至雷射二極體(如圖1之底部所見)，其顯示Pelec隨著時間t之變化。方波型信號Pelec(t)之週期為1.2s，及脈衝長度為300ms。
如圖1所示，如此獲得包含折射率調變圖案之基板，其中與該基板之長度平行鋪放的寬度等於5cm之經處理條係和與該基板之長度平行鋪放的寬度等於15cm之未經處理條交替。該等經處理條之折射率n2相對於未經處理條之折射率n1提高約0.01。
實施例2
如實施例1，將本發明方法應用於由透明鈉鈣矽石玻 璃所製成的基板(由Saint-Gobain Glass以SGG PLANILUX之名銷售)，其係藉由浮法獲得，然後切成長度L=6m及寬度l=3.3m之矩形。
就實施例2而言，用以進行該方法之雷射線係藉由耦合至300μm核心直徑之光纖的圓盤形雷射Yb：YAG之雷射源形成，發射1030nm之波長。該雷射線之長度為3.3m(即，長度等於該基板之寬度1)，且具有50μm之平均寬度。沿著該雷射線之線寬度均勻，因此介於最大寬度與最小寬度之間的差為該平均值的3%，即1.5μm。
將該基板置於滾筒輸送機上，使之以與其長度平行的方向X行進。該雷射線保持固且定位在該基板之頂面上方，其縱向Y與該基板之行進方向X垂直地延伸(即，橫過該基板之寬度)，延伸橫過該基板的整個寬度。
當該基板係定位在該輸送機上時，該雷射線之聚焦平面的位置係經調整以位在該基板之厚度的中央，在該聚焦平面中之該雷射線的每單位面積平均功率為105W/cm2。
使該基板以10m/min之速度在該雷射線下方行進，此速度變化不超過1 rel%。該基板在該雷射線下方移動之過程中，將作為輸入之方波型電功率Pelec的控制電壓施加至雷射源(如圖1之底部所見)，其顯示Pelec隨著時間t之變化。如實施例1，方波型信號Pelec(t)之週期為1.2s，及脈衝長度為300ms。
如此獲得如圖1所示的包含折射率調變圖案之基板，其中與該基板之長度平行鋪放的寬度等於5cm之經處理 條係和與該基板之長度平行鋪放的寬度等於15cm之未經處理條交替。該等經處理條之折射率n2相對於未經處理條之折射率n1提高約0.01。
實施例3
如實施例1，將本發明方法應用於由透明鈉鈣矽石玻璃所製成的基板(由Saint-Gobain Glass以SGG PLANILUX之名銷售)，其係藉由浮法獲得，然後切成長度L=6m及寬度l=3.3m之矩形。
就實施例3而言，用以進行該方法之雷射線係由脈衝雷射源形成，其以400fs之脈衝長度及500kHz之重複速率脈衝，且發射1040nm之波長。該雷射線之長度為3.3m(即，長度等於該基板之寬度1)，且具有50μm之平均寬度。沿著該雷射線之線寬度均勻，因此介於最大寬度與最小寬度之間的差為該平均值的3%，即1.5μm。
將該基板置於滾筒輸送機上，使之以與其長度平行的方向X行進。該雷射線保持固且定位在該基板之頂表面上方，其縱向Y與該基板之行進方向X垂直地延伸(即，橫過該基板之寬度)，延伸橫過該基板的整個寬度。
當該基板係定位在該輸送機上時，該雷射線之聚焦平面的位置係經調整以位在該基板之厚度的中央，在該聚焦平面中之該雷射線的每單位面積平均功率為103W/cm2。
使該基板以10m/min之速度在該雷射線下方行進，此速度變化不超過1 rel%。該基板在該雷射線下方移動之 過程中，將作為輸入之正弦波電功率Pelec施加至雷射二極體(如圖2之底部所見)，其顯示Pelec隨著時間t之變化。該正弦信號Pelec(t)之週期為1.2s，從而使該等雷射源之脈衝的功率能如圖2所示意顯示般依時調變，其中在正弦信號之包封中只顯示少數脈衝。
如圖2所示，如此獲得包含空間週期性為15cm之折射率調變圖案的基板，具有在該基板之長度方向上交替提高及降低的折射率梯度。較高折射率區之折射率n2相對於較低折射率區之折射率n1提高約0.01，其中折射率n1對應於未經處理之基板的折射率。
實施例4
如上述，本發明方法係應用於由透明鈉鈣矽石玻璃所製成的基板(由Saint-Gobain Glass以SGG PLANILUX之名銷售)，其係藉由浮法獲得，然後此時切成側邊長度為3.3m的方形。
在此實施態樣中，該方法包含兩個連續之處理基板的步驟，第一步驟係與第一實施態樣中應用於該基板之處理相同，該基板係與其一側邊C1平行地行進；及第二步驟亦與第一實施態樣中應用於該基板之處理相同，但此時該基板係以與其另一側邊C2平行(與該側邊C1垂直)地行進。該第二步驟係圖示於圖3。
如圖3顯示，如此獲得包含呈柵形式之折射率調變圖案的基板，該柵之線為寬度等於5cm之經處理條，彼等 之間結合側邊長度為15cm之方形未經處理區。該等經處理條之折射率n2相對於該等方形未經處理區之折射率n1提高約0.01。

Claims (23)

  1. 一種製得透明基板之方法，該透明基板具有經調變之光學性質並包括折射率調變圖案，該方法之特徵在於透明基板係利用聚焦在該基板上呈至少一道雷射線形式之雷射輻射來照射，其中該基板至少部分吸收該雷射輻射，及在該基板與聚焦在該基板上之該雷射線之間在相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向的方向(X)上產生相對移動，以及在該相對移動的過程中，該雷射線之功率隨著該相對移動之速度及隨著該相對移動的方向(X)上之圖案尺寸而依時調變。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線係聚焦至該基板之表面上。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線係聚焦至該基板之主體中。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線之縱向(Y)實質上垂直於該相對移動之方向(X)。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線保持固定且該基板係在相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向的方向(X)上平移移動。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線之功率係藉由依時調變形成該雷射線之該或各雷射源的輸入電信號來依時調變。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該折射率調變圖案具有空間週期性且該雷射源之輸入電信號的依時調變 之頻率等於介於該基板與該雷射線之間的該相對移動之速度對該圖案週期的比率。
  8. 如申請專利範圍第6及7項中任一項之方法，其中在該基板與該雷射線的相對移動過程中該雷射源之輸入電信號的依時調變改變。
  9. 如申請專利範圍第6及7項中任一項之方法，其中該雷射線係利用複數個獨立雷射源形成，形成該雷射線之雷射源的輸入電信號之依時調變各不相同。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線之平均寬度為介於10μm與1000μm之間，較佳為介於30μm與200μm之間。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在聚焦平面中之雷射線的每單位面積平均功率高於或等於103W/cm2。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該雷射線之該或各雷射源為連續波雷射源或準連續波雷射源。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成該雷射線之該或各雷射源為脈衝源且所發射之脈衝的功率係依時調變。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該或各雷射線之輻射波長係在100nm至2000nm之範圍或在5μm至15μm之範圍。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射線保持固定且該基板至少具有一個第一尺寸(L；C1)及一個 第二尺寸(l；C2)，該等尺寸彼此相交，該方法至少包括一個第一步驟及一個第二步驟，其中- 在該第一步驟中，該基板以與其第一尺寸(L；C1)平行且相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向平移的方式移動，且該雷射線之功率係依時調變；- 在該第二步驟中，該基板以與其第二尺寸(l；C2)平行且相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向平移的方式移動，且該雷射線之功率係依時調變。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該基板至少具有一個大於1m，尤其是大於3m之尺寸。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該相對移動的速度為每分鐘至少3米。
  18. 一種處理透明基板之設備，其藉由在該基板中產生折射率調變圖案而使該基板具有經調變之光學性質，該設備之特徵在於其包含：- 一或多個雷射源及能產生至少一道雷射線之成形及重定向的光學器件；- 當該雷射線係聚焦在該基板上時，能在操作中在介於該基板與該雷射線之間相對於該雷射線之縱向(Y)為橫向的方向(X)上產生相對移動的移動裝置；- 用於隨著該相對移動之速度(v)及隨著該相對移動的方向(X)上之圖案尺寸而依時調變該雷射線的功率之裝置。
  19. 一種透明基板，其具有經調變之光學性質，由未 回火之礦石玻璃或由有機聚合物製成，能藉由如申請專利範圍第1至17項中任一項之方法製得，該透明基板之特徵在於其包含由一系列並列之線或線部分構成的折射率調變圖案，其中該基板的折射率值隨著該等線而改變，且該基板之相對於該等線之縱向為橫向上之折射率值改變的特徵尺寸係為介於10μm與1000μm之間(較佳為介於10μm與200μm之間)的標稱尺寸的倍數。
  20. 如申請專利範圍第19項之透明基板，其中該基板之主面的表面積或該基板實際上具有該折射率調變圖案之部分的表面積大於或等於1m2，較佳係大於或等於1.4m2。
  21. 如申請專利範圍第19及20項中任一項之透明基板，其中該基板的折射率值隨著該等線而連續改變。
  22. 如申請專利範圍第19及20項中任一項之透明基板，其中該折射率調變圖案係存在於該基板之表面上。
  23. 如申請專利範圍第19及20項中任一項之透明基板，其中該折射率調變圖案係存在於該基板之主體中。
TW103117904A 2013-05-24 2014-05-22 製得基板之方法，可藉其製得之基板，及處理基板之設備 TWI642508B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??1354729 2013-05-24
FR1354729A FR3006068B1 (fr) 2013-05-24 2013-05-24 Procede d'obtention d'un substrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201513960A true TW201513960A (zh) 2015-04-16
TWI642508B TWI642508B (zh) 2018-12-01

Family

ID=48980060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103117904A TWI642508B (zh) 2013-05-24 2014-05-22 製得基板之方法，可藉其製得之基板，及處理基板之設備

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10343945B2 (zh)
EP (1) EP3003632A1 (zh)
JP (1) JP2016526002A (zh)
KR (1) KR20160012180A (zh)
CN (1) CN105408049B (zh)
CA (1) CA2912800A1 (zh)
EA (1) EA201592241A1 (zh)
FR (1) FR3006068B1 (zh)
TW (1) TWI642508B (zh)
WO (1) WO2014188125A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109445017A (zh) * 2019-01-02 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 导光板及其制作方法、背光模组和显示装置
WO2021154698A1 (en) * 2020-01-31 2021-08-05 Corning Incorporated High throughput electro-thermal poling

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3861804A (en) * 1971-04-01 1975-01-21 Xerox Corp Inferometry readout of phase information
GB1523548A (en) * 1976-11-09 1978-09-06 Laser Tech Sa Method for the decoration of a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4309225A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Massachusetts Institute Of Technology Method of crystallizing amorphous material with a moving energy beam
DE69226511T2 (de) * 1992-03-05 1999-01-28 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
CA2241544C (en) * 1996-01-16 2003-09-16 British Telecommunications Public Limited Company Method and device for recording a refractive index pattern in an optical medium
JP4126096B2 (ja) * 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
JP3804734B2 (ja) * 1998-11-05 2006-08-02 株式会社リコー 回折光学素子の製造方法
JP2000203679A (ja) * 1998-11-13 2000-07-25 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板の収納方法
US6555447B2 (en) * 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
US6977137B2 (en) * 1999-07-29 2005-12-20 Corning Incorporated Direct writing of optical devices in silica-based glass using femtosecond pulse lasers
TW503188B (en) * 2000-08-29 2002-09-21 Sumitomo Heavy Industries Marking method, device the optical member marked
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3559827B2 (ja) * 2002-05-24 2004-09-02 独立行政法人理化学研究所 透明材料内部の処理方法およびその装置
CA2396831A1 (en) * 2002-08-02 2004-02-02 Femtonics Corporation Microstructuring optical wave guide devices with femtosecond optical pulses
JP4474108B2 (ja) * 2002-09-02 2010-06-02 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置とその製造方法および製造装置
DE10304382A1 (de) * 2003-02-03 2004-08-12 Schott Glas Photostrukturierbarer Körper sowie Verfahren zur Bearbeitung eines Glases und/oder einer Glaskeramik
SE0300453D0 (sv) * 2003-02-20 2003-02-20 Micronic Laser Systems Ab Pattern generation method
JP4413569B2 (ja) * 2003-09-25 2010-02-10 株式会社 日立ディスプレイズ 表示パネルの製造方法及び表示パネル
WO2011123205A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Imra America, Inc. Laser-based material processing apparatus and methods
US20060039419A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-23 Tan Deshi Method and apparatus for laser trimming of resistors using ultrafast laser pulse from ultrafast laser oscillator operating in picosecond and femtosecond pulse widths
US20060216646A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plate-making method of lithographic printing plate precursor
KR100792593B1 (ko) * 2005-10-12 2008-01-09 한국정보통신대학교 산학협력단 극초단 펄스 레이저를 이용한 단일 펄스 패턴 형성방법 및시스템
CN1979647A (zh) * 2005-11-29 2007-06-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 用复数个光点在光盘上读/写数据的系统和方法
JP2007205724A (ja) * 2006-01-30 2007-08-16 Central Glass Co Ltd ガラス基板の形状測定装置および測定方法
JP4761992B2 (ja) * 2006-02-10 2011-08-31 セントラル硝子株式会社 複屈折性の光学素子を有する撮像機およびその光学素子の製造方法
JP4258528B2 (ja) * 2006-05-08 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及びプロジェクタ
WO2007134438A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Haibin Zhang Optical devices and digital laser method for writing waveguides, gratings, and integrated optical circuits
KR100819252B1 (ko) * 2006-06-01 2008-04-02 삼성전자주식회사 광원 구동 집적회로
JP2007324519A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Hitachi Displays Ltd レーザアニール装置及び表示装置の製造方法
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
EP2136224A4 (en) * 2007-04-09 2011-05-25 Asahi Glass Co Ltd PHASE DIFFERENCE PLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US7820531B2 (en) * 2007-10-15 2010-10-26 Sony Corporation Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus
DE102007052782B4 (de) * 2007-11-02 2017-02-16 Saint-Gobain Glass France S.A. Verfahren zur Veränderung der Eigenschaften einer TCO-Schicht
US20090289382A1 (en) * 2008-05-22 2009-11-26 Raydiance, Inc. System and method for modifying characteristics of a contact lens utilizing an ultra-short pulsed laser
EP2294240B1 (en) * 2008-06-19 2017-03-08 Utilight Ltd. Light induced patterning
CN101342636B (zh) * 2008-08-11 2011-08-17 昆山思拓机器有限公司 激光加工系统
US7813389B2 (en) * 2008-11-10 2010-10-12 Electro Scientific Industries, Inc. Generating laser pulses of prescribed pulse shapes programmed through combination of separate electrical and optical modulators
JP5338334B2 (ja) * 2009-01-21 2013-11-13 オムロン株式会社 レーザ光源装置およびレーザ加工装置
US8347651B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
JP5775265B2 (ja) * 2009-08-03 2015-09-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置の製造方法
US8946594B2 (en) * 2011-11-04 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Optical design for line generation using microlens array
DE102012001357A1 (de) * 2012-01-24 2013-07-25 Menlo Systems Gmbh Optikanordnung und Verfahren zum Erzeugen von Lichtimpulsen veränderbarer Verzögerung
JP2014021213A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Ohara Inc 光学部品および光学部品の製造方法
FR3005878B1 (fr) * 2013-05-24 2016-05-27 Saint Gobain Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement

Also Published As

Publication number Publication date
EP3003632A1 (fr) 2016-04-13
JP2016526002A (ja) 2016-09-01
FR3006068B1 (fr) 2015-04-24
US10343945B2 (en) 2019-07-09
TWI642508B (zh) 2018-12-01
CN105408049B (zh) 2019-08-13
FR3006068A1 (fr) 2014-11-28
CN105408049A (zh) 2016-03-16
EA201592241A1 (ru) 2016-05-31
CA2912800A1 (fr) 2014-11-27
US20160122227A1 (en) 2016-05-05
KR20160012180A (ko) 2016-02-02
WO2014188125A1 (fr) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104339088B (zh) 用于在透明材料内执行激光成丝的系统
CN106560269A (zh) 对透明材料进行激光加工的方法和装置
TWI630969B (zh) 雷射加工薄板狀基板之方法、裝置及用途
US6399914B1 (en) Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation
TW200500666A (en) Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7991037B2 (en) Multi-beam laser apparatus
ES2953102T3 (es) Uso de láseres para reducir la reflexión de sólidos transparentes, recubrimientos y dispositivos que emplean sólidos transparentes
JP2020531392A (ja) アフォーカルビーム調整アセンブリを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
JP2010142862A (ja) 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法
JP2008126283A (ja) 微細構造体の製造方法、露光方法
TW201919807A (zh) 用於同步多雷射處理透明工件的設備及方法
US20030099452A1 (en) Manipulating the size of waveguides written into substrates using femtosecond laser pulses
CN109277692B (zh) 聚二甲基硅氧烷表面微纳结构飞秒激光双脉冲调控方法
TWI642508B (zh) 製得基板之方法，可藉其製得之基板，及處理基板之設備
WO2020012771A1 (ja) レーザ加工装置、レーザ加工方法及び成膜マスクの製造方法
JP2007251015A (ja) レーザアニール装置及びレーザアニール方法
TWI762517B (zh) 電致變色塗佈的玻璃物件及用於雷射處理電致變色塗佈的玻璃物件之方法
US20220268983A1 (en) Method of forming birefringent structures in an optical element
JP2007030033A (ja) 透明材料へのマーキング方法およびこれを用いた装置
US20230311245A1 (en) Laser processing of a partly transparent workpiece using a quasi-non-diffractive laser beam
JP2011062714A (ja) レーザー加工装置および太陽電池パネルの製造方法
KR100758213B1 (ko) 레이저 가공방법 및 가공장치
Lasagni et al. The development of direct laser interference patterning: past, present, and new challenges
CN114335251A (zh) 激光刻划设备、薄膜光伏芯片的刻划方法和发电建筑板材
WO2023052549A2 (en) Cutting a substrate or preparing a substrate for cleaving

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees