TW201506199A - 印刷配線基板之製造方法、用於其中之積層體、積層薄膜及非硬化性樹脂組成物與藉由前述方法所得之印刷配線基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可抑制龜裂或翹曲發生之印刷配線基板之製造方法。
本發明提供一種印刷配線基板之製造方法,其特徵係含有下述步驟:於基板的表面,介由硬化性樹脂層而形成非硬化性樹脂層之步驟、自該非硬化性樹脂層側,於該非硬化性樹脂層及前述硬化性樹脂層形成凹部之步驟、於前述非硬化性樹脂層表面及前述凹部表面賦予鍍敷用觸媒之步驟、將前述非硬化性樹脂層與其表面之鍍敷用觸媒一起去除之步驟、及於前述凹部表面實施無電解鍍敷之步驟。
Description
本發明係關於印刷配線基板之製造方法,尤其關於可製造平坦之配線基板的印刷配線基板之製造方法、可有利地使用於該方法之積層體、積層薄膜及非硬化性樹脂組成物以及由前述製造方法所得之印刷配線基板。
最近,行動電話、筆記型電腦、照相機等最新數位設備之主配線基板中,隨著其小型化、薄型化,而高度期望配線圖型之高密度化、微細化。
目前,作為安裝技術已廣泛使用利用半添加法與全添加法之配線基板之製造方法。
增層法(build up method)中一般使用之半添加法係例如對基板施以無電解銅鍍敷處理,以阻劑形成電路圖型後,進行電鍍銅鍍敷而形成銅之電路。
另一方面,全添加法係於已形成盲孔(通孔)之基板上賦予觸媒後,以阻劑形成電路圖型,且僅藉
無電解銅鍍敷處理形成銅電路。
上述半添加法或全添加法由於在積層基板
時,於基板表面形成突起之電路,故隨著其電路之凹凸,使基板間之樹脂表面亦具有小的凹凸,因此有積層體表面不平坦之問題。且,電路圖型中之線寬與線間之空間寬度無法減小,故不利於近年來之配線圖型之高密度化。
另一方面,於基板表面未形成突起電路之凹
槽基板亦為已知。其製造方法一般係進行如下方法:以雷射在基板表面形成電路或通孔等凹部(孔或溝槽),於其全面形成無電解鍍敷層、於其上形成厚的電解鍍敷厚層,藉此埋填凹部且於基板全面形成厚的鍍敷層,而且,隨後藉由蝕刻或物理研磨去除凹部以外之區域之鍍敷層。然而,該等鍍敷層之蝕刻存在有耗時、耗能因此成本變高之問題。且,拋光(buffing)研磨時,有發生基板變形或拉伸,或斷線之情況。
另外,專利文獻1中提案將絕緣樹脂積層於
內層樹脂上面之內層導體電路上,且將具有撥水性之塗覆樹脂被覆形成於絕緣樹脂上,接著,於被覆該塗覆樹脂之絕緣樹脂上形成貫穿塗覆樹脂之貫穿孔,且對絕緣樹脂賦予觸媒而於貫穿孔內埋填金屬之方法。以該方法,塗覆樹脂係被覆絕緣樹脂之全部表面,且塗覆樹脂表面未附著觸媒,觸媒僅附著於所形成之貫穿孔內。
[專利文獻1]日本特開2010-287862號
專利文獻1所記載之印刷配線基板之製造方法中,由於殘留撥水性之塗覆層,故因與下層絕緣樹脂層之玻璃轉移溫度(Tg)或熱膨脹係數(CTE)之差而有於塗覆層或絕緣樹脂層發生龜裂,於基板產生翹曲等之問題。又,該印刷配線基板之製造方法難以使觸媒完全不附著於塗覆樹脂上,不能說是可容易地僅將鍍敷金屬埋填於貫穿孔內。
據此,本發明之目的係提供一種可抑制龜裂或翹曲發生之印刷配線基板之製造方法。
又,本發明之目的係提供一種可容易地製造溝槽配線基板之印刷配線基板之製造方法。
再者,本發明之目的係提供一種可有利地使用於上述製造方法之積層體及積層薄膜、非硬化性樹脂組成物。
再者,本發明之目的係提供以上述製造方法所得之印刷配線基板。
上述目的可藉由印刷配線基板之製造方法而
達成,該方法含有下述步驟:於基板的表面,介由硬化性樹脂層而形成非硬化性樹脂層之步驟、自該非硬化性樹脂層側,於該非硬化性樹脂層及前述硬化性樹脂層形成凹部之步驟、於前述非硬化性樹脂層表面及前述凹部表面(壁面及底面)賦予鍍敷用觸媒之步驟、將前述非硬化性樹脂層與其表面之鍍敷用觸媒一起去除之步驟、及於前述凹部表面實施無電解鍍敷之步驟。
又,上述硬化性樹脂層在非硬化性樹脂層形成前,一般為硬化或半硬化,但亦可形成後硬化。
以下列述上述本發明之印刷配線基板之製造方法之較佳樣態。
(1)非硬化性樹脂層含鹼可溶性樹脂(鹼可溶性熱可塑性樹脂)。
(2)鹼可溶性樹脂具有羧基。尤其較好進而具有羥基。
(3)鹼可溶性樹脂具有羥基。
(4)非硬化性樹脂層之去除係利用鹼顯像。
(5)凹部之形成係以雷射照射進行。
(6)前述非硬化性樹脂層含有對於雷射之波長區域具有吸收之增感劑。
(7)前述非硬化性樹脂層含有撥水性之添加劑。
上述目的可藉由以上述印刷配線基板之製造方法獲得之印刷配線基板而達成。
進而,上述目的可藉由印刷配線基板形成用積層體、印刷配線基板形成用積層薄膜及非硬化性樹脂組成物而達成,該印刷配線基板形成用積層薄膜之特徵係具有
基板、於該基板的表面形成之經硬化之硬化性樹脂層、及於該硬化性樹脂層上形成之含鹼可溶性樹脂之非硬化性樹脂層;該印刷配線基板形成用積層薄膜之特徵係具有
薄膜、及於該薄膜之表面形成之含鹼可溶性樹脂之非硬化性樹脂層;以及該非硬化性樹脂組成物之特徵係於上述印刷配線基板之製造方法中,用以形成前述非硬化性樹脂層,且含鹼可溶性樹脂。
關於上述本發明之印刷配線基板形成用積層體、印刷配線板形成用積層薄膜及非硬化性樹脂組成物,均可使用本發明之印刷配線基板之製造方法之較佳樣態。
又,藉由本發明之印刷配線基板之製造方法,可獲得印刷配線基板,該印刷配線基板之特徵係具有基板、及於該基板表面之(於不與該基板表面接觸之側之表面)形成有凹部之硬化的硬化性樹脂層,且於前述硬化
性樹脂層之凹部僅藉無電解鍍敷而埋填鍍敷金屬。
本發明之印刷配線基板之製造方法係藉由自依序設置於基板上之硬化性樹脂層及非硬化性樹脂層之非硬化性樹脂層側,於非硬化性樹脂層及硬化性樹脂層上形成凹部,賦予鍍敷用觸媒後,與非硬化性樹脂層一起去除鍍敷用觸媒,且對具有殘留之鍍敷用觸媒之凹部表面施以無電解鍍敷,而容易地獲得溝槽配線基板等之平坦的配線基板。亦即,本發明之印刷配線基板之製造方法可藉由使用可藉鹼水溶液等去除之非硬化性樹脂層,而僅對配線或成為通孔(via hole)之凹部施以無電解鍍敷。據此,本發明之印刷配線基板之製造方法由於未殘留非硬化性樹脂層,故可抑制硬化性樹脂層發生龜裂、基板發生翹曲。此外,係可以短時間、低能量、進而以低成本製作溝槽配線基板等之平坦配線基板之優異製造方法。
11‧‧‧透明薄膜
12‧‧‧非硬化性樹脂層
13‧‧‧熱硬化性樹脂層
14‧‧‧導電層
15‧‧‧基板
16T、16V‧‧‧凹部
17‧‧‧鍍敷用觸媒層
18‧‧‧無電解鍍敷
圖1係顯示印刷配線基板之製造方法之一例之前半步驟。
圖2係顯示圖1之印刷配線基板之製造方法之後續步驟。
以下,針對本發明之印刷配線基板之製造方法、以該製造方法獲得之印刷配線基板、及可有利地使用於該製造方法之印刷配線基板形成用積層體、印刷配線基板形成用積層薄膜及非硬化性樹脂組成物加以說明。
本發明之印刷配線基板之製造方法將邊參照圖1及圖2加以說明。
準備由透明薄膜11及設於其上之非硬化性樹脂層12以及硬化性樹脂層13所成之積層體。以使硬化性樹脂層13與導電層14接觸之方式將該積層體載置於設有導電層(導體電路)14之基板15之其導電層14上,並進行按壓(步驟(1))。該按壓後,去除透明薄膜11,且如步驟(2)所示般,將基板15、導電層14、硬化性樹脂層13及非硬化性樹脂層12依序予以積層而獲得積層體。
於上述非硬化性樹脂層12及硬化性樹脂層13之形成中,係使用由透明薄膜11與設於其上之非硬化性樹脂層12以及硬化性樹脂層13所成之積層體,但亦可藉由使用硬化性樹脂層13所設之透明薄膜11與非硬化性樹脂層12所設之透明薄膜11依序貼附而獲得。且,亦可分別使用各層形成用塗佈液,利用網版印刷、簾塗、旋塗、浸漬塗佈、輥塗等塗佈非硬化性樹脂層12及硬化性樹脂層13並乾燥而形成。且,亦可藉由將非硬化性樹脂層12
與硬化性樹脂層13分別塗佈於透明薄膜11上,使溶劑蒸發而成之乾薄膜進行貼附(積層)而形成。樹脂層12、13之形成方法並無限定,亦可組合上述塗佈乾燥與積層。
硬化性樹脂層13之形成、乾燥後,藉由使硬化性樹脂層13在例如約140~200℃之溫度加熱30~90分鐘進行熱硬化,可形成樹脂絕緣層。硬化程度可為半硬化亦可為完全硬化。
對步驟(2)所得之依序積層有基板15、導電層14、硬化性樹脂層13及非硬化性樹脂層12而成之積層體,自非硬化性樹脂層12上照射雷射,形成用於形成配線圖型、通孔等之凹部16(圖中,顯示配線圖型用凹部16T、通孔用凹部16V)(步驟(3))。
藉由雷射形成凹部16T、16V時,雷射可使用
一般用以形成微小孔所使用之各種者。可列舉為例如,CO2雷射、YAG雷射、準分子雷射等;氬氣雷射、氦-氖雷射等氣體雷射;藍寶石雷射等固體雷射。此外,亦可使用色素雷射、半導體雷射、自由電子雷射等。UV-YAG雷射、或準分子雷射之光源之激振波長較好為180~600nm之範圍,CO2雷射之激振波長較好為9.4~10.6μm。尤其,
UV-YAG雷射、Nd-YAG雷射、準分子雷射等由於不易殘留膠渣,且可縮短觸黏時間故而較佳,且宜依據形成之凹部16T、16V之大小而變更。
凹部16T、16V之大小與長寬比、直徑大小、深度分別相關,而並不限於特定範圍。
較好去除因雷射加工產生之膠渣(除膠渣)。除膠渣可為濕式亦可為乾式。乾式法除了例如在真空中之電漿蝕刻法以外,列舉為高壓.低壓.金屬鹵素燈、氖等之紫外線燈照射裝置等。其次於乾式法之情況下,較好進行超音波處理完全去除膠渣。濕式法列舉為使用市售品之過錳酸溶液之方法等。
雷射加工會有非硬化性樹脂層之凹部側之端部以突出之狀態殘留之情況。該情況下,較好利用簡易之去除方法,去除其突出之狀態之端部。去除液可使用下述去除步驟中使用者,但亦可調整時間或溫度以下述去除方法簡易地實施。又,該步驟亦可在賦予觸媒之步驟後實施。
積層體之非硬化性樹脂層12側之表面係由非硬化性樹脂層12之表面與凹部16T、16V之表面(亦即,壁面
與底面)所成,對該等非硬化性樹脂層12之表面與凹部16V、16T之表面(亦即,積層體之非硬化性樹脂層12側之表面)賦予鍍敷用觸媒,形成鍍敷用觸媒層17(步驟(4))。有例如藉由以噴霧等塗佈含2價鈀離子之塗佈液並乾燥而形成之方法,或浸漬於含前述離子之溶液中形成觸媒層17之方法。
接著,去除硬化性樹脂層13上之非硬化性樹脂層12。去除非硬化性樹脂層12時,非硬化性樹脂層12上之鍍敷用觸媒層17亦一起被去除。因此,僅於凹部16T、16V之表面(亦即,壁面與底面)殘留鍍敷用觸媒層17(步驟(5))。非硬化性樹脂層12之去除,於例如非硬化性樹脂層12之合成樹脂使用具有羧基之樹脂等時,可藉由鹼水溶液去除而進行。或者,亦可藉由利用有機溶劑去除而進行。以鹼水溶液去除時,可省略去膠渣步驟,且亦可同時進行膠渣去除與非硬化性樹脂層12之去除。用於形成非硬化性樹脂層之非硬化性樹脂組成物較好含可溶於鹼水溶液中之鹼可溶性樹脂。
接著,為了在該殘留之凹部16T、16V之鍍敷用觸媒層17上形成無電解鍍敷層18,故例如將積層體全體浸漬在無電解鍍敷液中。如此,獲得表面具有鍍敷用觸媒層
17及無電解鍍敷層18之凹部16T、16V(步驟(6))。
如由上述所了解,本發明之製造方法中,藉
由使用可藉鹼現象等去除之非硬化性樹脂層,可僅在配線圖型或成為通孔(via hole)之凹部上形成鍍敷用觸媒層,藉此可僅對該等凹部施以無電解鍍敷。據此,本發明之製造方法可極容易地製作溝槽配線基板等之平坦配線基板。亦即,本發明之製造方法堪稱為可以短時間、低能量、進而低成本製作溝槽配線基板之優異的製造方法。
又,藉由本發明之製造方法,不需要藉由物
理研磨、蝕刻等去除多餘之皮薄膜,可防止因蝕刻等造成之斷線等。尤其,例如處理高速訊號之印刷配線基板或配線密度高之印刷配線基板中容易因蝕刻等而造成斷線或成為短路之原因,形成多餘皮薄膜時就作業上、經濟上之觀點而言亦不佳。關於該方面,藉由使用本發明之製造方法,由於可抑制於配線基板表面形成鍍敷皮薄膜,故即使是處理高速訊號之印刷配線基板或配線密度高之印刷配線基板,亦可信賴性高地製造。
再者,大的尺寸,例如510×610mm之基板
中,因基板之翹曲等之影響,而難以均一研磨基板表面或蝕刻,對於該等基板,應用本發明之製造方法,亦不須去除多餘附著之鍍敷金屬,不需設置多餘設備,亦可提高作業效率或生產性,而可製造具有均勻表面之良好配線基板。
上述圖1及圖2之各步驟之剖面圖中,雖僅
圖示基板之一面,但不用說亦可對兩面進行相同處理。且,藉由重複上述步驟,亦可製造具有更多層構造之多層印刷配線基板。
基板15一般係由具有電絕緣性之樹脂所成,為於其表面貼合成為配線圖型之導電層(導體電路)14之構造。
基板15所用之樹脂並無特別限制,可使用習知者。又,可將該基板15設為底面(基底),僅於單面上積層層而形成多層印刷配線基板,亦可自基板15之兩面進一步積層絕緣層(例如,上述基板)及導電層而形成多層印刷配線基板。
作為前述基板除了預先形成電路之印刷配線板或可撓性印刷配線板外,亦可使用紙-酚樹脂、紙-環氧樹脂、玻璃布-環氧樹脂、玻璃-聚醯亞胺、玻璃布/不織布-環氧樹脂、玻璃布/紙-環氧樹脂、合成纖維-環氧樹脂、氟樹脂.聚乙烯.聚苯醚、聚氧化苯.氰酸酯等之複合材料之所有等級(FR-4等)之貼銅積層板、聚醯亞胺薄膜、PET薄膜、玻璃基板、陶瓷基板、晶圓板等。
導電層14係由銅、鋁、鐵、鎳、鉻、鉬等金屬箔,或該等之合金箔,例如鋁青銅、磷青銅、黃青銅等銅合金;或不銹鋼、琥珀(amber)、鎳合金、錫合金等構成,該等金屬箔等可使用單層或以複數層積層而成者、藉由無電解或電解鍍敷形成單層或複數層者。尤其,就鍍敷密著性、導電性、成本等之觀點而言,較好使用銅或銅
合金。
積層於基板15上之硬化性樹脂層13並無特
別限制,可使用習知者,硬化性樹脂層亦可為熱硬化性及光硬化性,但較好為熱硬化性。
本發明之硬化性樹脂層13所用之熱硬化性樹
脂可使用三聚氰胺樹脂、苯胍樹脂、三聚氰胺衍生物、苯胍衍生物等之胺樹脂、封端之異氰酸酯化合物、環碳酸酯化合物、環氧化合物、氧雜環丁烷化合物、表硫醇樹脂、雙馬來醯亞胺、碳二醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚伸苯基硫化物樹脂等之習知熱硬化性樹脂。尤其,較好為分子中具有複數個環狀醚基及環狀硫醚基(以下簡稱為環狀(硫)醚基)之至少任1種之熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂視需要使用硬化劑,但環氧化合物等之具有環狀醚基之熱硬化性樹脂可與具有與酚樹脂、氰酸酯樹脂、羥基藉乙醯基化等而封端之活性酯樹脂、側鏈具有羧基或羥基、活性酯構造之環烯烴聚合物、或前述硬化性樹脂之一部分具有羥基、羧基、活性酯構造之環狀醚基反應之取代基之硬化劑一起使用。
上述分子中具有環狀(硫)醚基之熱硬化性
樹脂為分子中具有複數個3、4或5員環之環狀(硫)醚基之任一者或2種基之化合物,例如,分子內具有複數個環氧基之化合物、分子內具有複數個氧雜環丁基之化合物、分子內具有複數個硫醚基之化合物、亦即表硫醇樹脂等。其中以環氧化合物的環氧樹脂較佳。
作為環氧化合物(環氧樹脂)列舉為例如雙
酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、四羥苯基乙烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降冰片烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚合系環氧樹脂、環己基馬來醯亞胺與甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚合環氧樹脂、環氧改質之聚丁二烯橡膠衍生物、CTBN改質之環氧樹脂、三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚、苯基-1,3-二縮水甘油醚、聯苯-4,4’-二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、乙二醇或丙二醇之二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚、參(2,3-環氧基丙基)異氰尿酸酯、三縮水甘油基參(2-羥基乙基)異氰尿酸酯、苯氧樹脂等。
硬化劑列舉為酚樹脂、多羧酸及其酸酐、氰酸酯樹脂、活性酯樹脂等。硬化劑可單獨使用1種或組合2種以上使用。
作為上述酚樹脂可單獨使用1種或組合2種
以上之酚酚醛清漆樹脂、烷基酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、Xylok型酚樹脂、萜烯改質酚樹脂、甲酚/萘酚樹脂、聚乙烯酚類、酚/萘酚樹脂、含有α-萘酚骨架之酚樹脂、含有三嗪之甲酚酚醛清漆樹脂等過去習知者。
上述多羧酸及其酸酐係一分子中具有2個以
上羧基之化合物及其酸酐,例如(甲基)丙烯酸之共聚物、馬來酸酐之共聚物、二元酸之縮合物等,以及羧酸末端醯亞胺樹脂等之具有羧酸末端之樹脂。
上述氰酸酯樹脂為一分子中具有2個以上氰
酸酯基(-OCN)之化合物。氰酸酯樹脂可任意使用過去習知者。作為氰酸酯樹脂列舉為例如酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、烷基酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、雙酚S型氰酸酯樹脂。此外,亦可為一部份經三嗪化之預聚物。
上述活性酯樹脂為一分子中具有2個以上活
性酯基之樹脂。活性酯樹脂一般可藉由羧酸化合物與羥基化合物之縮合反應而獲得。其中,較好為使用酚化合物或萘酚化合物作為羥基化合物所得之活性酯化合物。酚化合物或萘酚化合物列舉為氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、鄰-甲酚、間-甲酚、對-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基
萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯基二酚、酚酚醛清漆等。
此外,亦可使用脂環式烯烴聚合物作為硬化
劑。脂環式烯烴聚合物之製造方法之具體例列舉為(1)使具有羧基及/或羧酸酐基(以下稱為「羧基等」)之脂環式烯烴視需要與其他單體共聚合之方法,(2)將使具有羧基等之芳香族烯烴視需要與其他單體共聚合所得之(共)聚物之芳香環部分氫化之方法,(3)使不具有羧基等之脂環式烯烴與具有羧基等之單體共聚合之方法,(4)使不具有羧基等之芳香族烯烴與具有羧基等之單體共聚合所得之共聚物之芳香環部分氫化之方法,(5)利用改質反應將具有羧基等之化合物導入不具有羧基等之脂環式烯烴聚合物之方法,或者(6)以例如水解等將如前述(1)~(5)所得之具有羧酸酯基之脂環式烯烴聚合物之羧酸酯基轉化成羧基之方法等。
該熱硬化性樹脂(尤其是分子中具有複數個
環狀硫醚基之熱硬化性樹脂)之調配量相對於硬化劑之官能基1當量較好為0.6~2.5當量。調配量為0.6以上時,耐鹼性優異。另一方面,為2.5當量以下時,塗薄膜之強度提高。更好為0.8~2.0當量。
本發明之硬化性樹脂中可添加1分子內具有
複數個異氰酸酯基之化合物及1分子內具有複數個封端化異氰酸酯基之化合物。該種1分子內具有複數個異氰酸酯
基或封端化異氰酸酯基之化合物可列舉為聚異氰酸酯化合物、或封端異氰酸酯化合物等。又,封端化異氰酸酯基為藉由使異氰酸酯基與封端劑反應而保護之暫時惰性化之基,於加熱至特定溫度時封端劑解離而生成異氰酸酯基。藉由添加上述聚異氰酸酯化合物、或封端異氰酸酯化合物而提高硬化性及所得硬化物之強韌性。
該種1分子內具有複數個異氰酸酯基或封端異氰酸酯基之化合物之調配量較好為硬化性樹脂層之組成物全體之0.1~50質量%。調配量為0.1質量%以上時,能獲得充分之塗薄膜強韌性。另一方面,為50質量%以下時,保存安定性提高。更好為1~30質量%。
本發明之非硬化性樹脂層12之樹脂就適合鹼去除而言,較好為作為鹼可溶性樹脂之含有羧基之樹脂或酚系樹脂較佳。尤其,就可容易地去除鹼而言,較好為含有羧基及羥基之樹脂。尤其含有羧基之樹脂時,即使以碳酸鈉等弱鹼仍可容易溶解故而較佳。
上述含羥基之樹脂列舉為酚樹脂、聚乙烯乙縮醛樹脂。作為酚樹脂可單獨使用1種或組合2種以上之酚酚醛清漆樹脂、烷基酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、Xylok型酚樹脂、萜烯改質酚樹脂、甲酚/萘酚樹脂、聚乙烯酚類、酚/萘酚樹脂、含有α-萘酚骨架之酚樹脂、含有三嗪之甲酚酚醛清漆樹脂等過去習知者。聚乙烯縮醛樹脂最好為聚乙烯丁縮醛樹脂。聚乙烯縮醛樹脂之具體例列舉為電氣化學工業(股)製之
電化丁縮醛4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP、積水化學工業(股)製之SLEC BH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。基於雷射加工時之耐熱性之觀點,含有羥基之樹脂較好為酚樹脂。
前述含有羧基之樹脂及其酸酐為一分子中具
有2個以上羧基之化合物及其酸酐,列舉為例如(甲基)丙烯酸之共聚物、馬來酸酐之共聚物、二元酸之縮合物等,以及羧酸末端醯亞胺樹脂等之具有羧酸末端之樹脂。
市售品可單獨使用1種或組合2種以上之日本BASF公司製之Joncryl(商品群名)、Satomer公司製之SMARESIN(商品群名)、新日本理化公司製之聚壬二酸酐、DIC公司製之V-8000、V-8002等羧酸末端聚醯亞胺樹脂等之過去習知者。且,含羥基樹脂與含羧基樹脂亦可併用。
如前述之含羧基樹脂由於主幹.聚合物(聚
合物主鏈)之側鏈上具有多數羧基,故可利用稀鹼性水溶液予以去除。
且,前述含羧基樹脂之酸價較好為
40~200mgKOH/g之範圍,更好為45~120mgKOH/g之範圍。含羧基樹脂之酸價為40mgKOH/g以上時,利用稀鹼水溶液去除變得容易。另一方面,為200mgKOH/g以下時,濕式之除膠渣耐性優異。
且,前述含羧基樹脂之重量平均分子量Mw
係依據樹脂骨架而不同,但一般以聚苯乙烯換算為
2,000~150,000,較好為5,000~100,000之範圍。重量平均分子量為2,000以上時,無觸黏性優異。另一方面,重量平均分子量為150,000以下時,鹼顯像性優異。
非硬化性樹脂層12之含羧基樹脂之調配量宜
為非硬化性樹脂層之組成物全體之60~100質量%,較好為80~100質量%之範圍。
作為其他材料可添加撥水劑等習知添加劑。
作為撥水劑可添加撥水劑等習知之添加劑。作為撥水劑列舉為含Si系、F系化合物之聚矽氧系添加劑或氟系添加劑。藉由添加撥水劑,除了可抑制對表層部賦予觸媒,因在非硬化性樹脂層12之去除步驟時表層部之觸媒附著量少,可確實地進行鈀之去除。且,藉由調配消泡劑及/或調平劑作為其他添加劑,可防止表面平滑性之劣化,且亦可防止因孔洞或針孔造成之層間絕緣性劣化。消泡劑及/或調平劑之具體例,作為市售之由非聚矽氧系之破泡性聚合物溶液所成之消泡劑列舉為日本BYK Chemie(股)製之BYK(註冊商標)-054、-055、-057、-1790等,作為聚矽氧系之消泡劑列舉為日本BYK Chemie(股)製之BYK(註冊商標)-063、-065、-066N、-067A、-077及信越化學(股)製之KS-66(商品名)等。作為氟系添加劑列舉為DIC公司之MEGAFAC系列、MEGAFAC RS、F-554、F-557等。該種消泡劑及/或調平劑之調配量相對於非硬化性樹脂層12之合計100質量份適當為10重量份以下,較好為0.01~5重量份。
且,作為添加於非硬化性樹脂層12之其他材
料,可添加成為雷射光源之吸收助劑之增感劑等。增感劑較好為於前述(雷射加工步驟)所述之雷射之光源之激振波長具有吸收之材料。於光源之激振波長具有吸收之評價方法可藉由進行紫外線可見光分光光度計及積分球裝置或IR光譜測定而進行吸收之確認。紫外線可見光分光光度計之情況,係使用將非硬化性樹脂組成物塗佈於玻璃板上並乾燥而得之玻璃基板,於IR光譜之情況下,係針對將非硬化性樹脂組成物塗佈於KBr板上並乾燥而成之基板,測定各吸收波長。光源使用UV-YAG或準分子雷射時,在180~600nm之範圍內以紫外線可見光分光光度計測定之吸光度較好為0.1~1.0之範圍,更好為0.3~0.8之範圍。且,光源使用CO2雷射時,在9.4~10.6μm之範圍以IR光譜測定之吸光度較好為5~95%之範圍。藉由落在上述範圍,可抑制因雷射造成之受損,且可抑制非硬化性樹脂層之凹部側突出之狀態。增感劑可列舉為苯偶因化合物、苯乙酮化合物、蒽醌化合物、噻噸酮化合物、縮酮化合物、二苯甲酮化合物、呫噸酮化合物、及三級胺化合物等。
列舉苯偶因化合物之具體例時,為例如苯偶因、苯偶因甲基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因丙基醚。
列舉苯乙酮化合物之具體例時,為例如苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮。
列舉蒽醌化合物之具體例時,為例如2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、1-氯蒽醌。
列舉噻噸酮化合物之具體例時,為例如2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮。
列舉縮酮化合物之具體例時,為例如苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮。
列舉二苯甲酮化合物之具體例時,為例如二苯甲酮、4-苯甲醯基二苯基硫醚、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯基硫醚、4-苯甲醯基-4’-乙基二苯基硫醚、4-苯甲醯基-4’-丙基二苯基硫醚。
列舉三及胺化合物之具體例時,為例如乙醇胺化合物、具有二烷胺基苯構造之化合物,例如4,4’-二甲胺基二苯甲酮(日本曹達公司製之NISSOCURE-MABP)、4,4’-二乙胺基二苯甲酮(HODOGAYA化學公司製之EAB)等之二烷胺基二苯甲酮、7-(二乙胺基)-4-甲基-2H-1-苯并吡喃-2-酮(7-(二乙胺基)-4-甲基香豆素)等之含二烷胺基之香豆素化合物、4-二甲胺基苯甲酸乙酯(日本化藥公司製之KYACURE-EPA)、2-二甲胺基苯甲酸乙酯(International Biosynthetics公司製之Quantacure DMB)、4-二甲胺基苯甲酸(正丁氧基)乙酯(International Biosynthetics公司製之Quantacure BEA)、對-二甲胺基苯甲酸異戊基乙酯(日本化藥公司製之KYACURE-DMBI)、4-二甲胺基苯甲酸2-乙基己酯
(Van Dyk公司製之Esolol 507)、4,4’-二乙胺基二苯甲酮(HODOGAYA化學公司製之EAB)。
該等增感劑化合物之調配量,相對於前述非硬化性樹脂組成物100質量份(使用2種以上時為該等之合計量)較好為30質量份以下,更好為20質量份以下之比例。
如前述,凹部(16T、16V等)係形成為貫穿非硬化性樹脂層12,且部分或完全貫穿硬化性樹脂層13。所謂凹部(16T、16V)係表示形成可電性接合基板15之表背兩面之兩導電層用之通孔或配線圖型之溝槽。通孔16V係以貫穿非硬化性樹脂層12,且使基板15之導電層14露出之方式形成於硬化性樹脂層13上。接著,對所形成之通孔16V施以無電解鍍敷,而可導通至導電層14。且,溝槽15T可藉延伸溝槽、及局部之通孔,而貫通非硬化性樹脂層12,且形成至硬化性樹脂層13之中途,與導電層14未導通連接,形成電路圖型。
本發明之製造方法中,藉由無電解鍍敷處理使鍍敷金屬埋入於凹部16T、16V內,藉此可使導電層14與配線基板表面導通,同時形成配線圖型。因此,本發明係於積層體之非硬化性樹脂層12側之表面的非硬化性樹脂層12之表面與凹部16T、16V之表面(亦即壁面與底面)上塗佈鍍敷用觸媒,而形成鍍敷用觸媒層17。
因此,較好施以特定之鍍敷前處理。前處理可利用前述之乾式或濕式之去膠渣處理、超音波洗淨等之
習知方法。
對非硬化性樹脂層12之表面與凹部16T、
16V之表面賦予鍍敷用觸媒並無特別限制,可使用例如含有2價鈀離子(Pd2+)之觸媒液進行。觸媒液之組成可使用含有例如Pd濃度為100~300mg/L之氯化鈀(PdCl2.2H2O)、Sn濃度為10~20g/L之氯化亞錫(SnCl2.2H2O)及150~250mL/L鹽酸(HCl)之混合溶液。藉此,可形成鍍敷用觸媒層17。
鍍敷用觸媒之賦予係將基板於觸媒液中在例
如溫度30~40℃之條件下浸漬3~10分鐘,首先使Pd-Sn膠體吸附於基板1之表面。接著,在常溫條件下,將基板1浸漬於由50~100mL/L之硫酸或鹽酸所成之促進劑(accelerator)中進行觸媒之活性化。藉由該活性化處理去除錯化合物之錫,成為鈀吸附粒子,最後作為鈀觸媒,而促進利用無電解鍍敷處理之金屬鍍敷之析出。
具有如上述形成之鍍敷用觸媒層17之非硬化
性樹脂層12係藉由稀鹼水溶液(例如,0.3~3wt%之碳酸鈉水溶液)去除。
此時,去除方法可利用浸漬法、淋洗法、噴霧法、刷洗法等進行。此外,作為去除液可使用氫氧化鉀、氫氧化鈉、碳酸鈉、碳酸鉀、磷酸鈉、矽酸鈉、TMAH(氫氧化四甲基銨)、氨、胺類等鹼水溶液。
本發明之印刷配線基板中之硬化性樹脂層13之薄膜厚較好為5~180μm。非硬化性樹脂層12之薄膜厚
較好為1~10μm,更好為1~5μm之範圍。1μm以上時,可提高乾式去膠渣時及前顯像時之耐性。10μm以下時,可容易地藉由雷射加工形成溝槽或形成通孔、且易於去除。
其次,於具有鍍敷用觸媒層17之凹部16T、
16V之表面形成無電解鍍敷層18,形成印刷配線基板之電路。於鍍敷用觸媒層17上藉由無電解鍍敷處理形成無電解鍍敷層18。無電解鍍敷層18係形成為全部埋入凹部16T、16V之空隙部。
無電解鍍敷處理中使用之無電解鍍敷液亦無
特別限制,可使用例如以水溶性銅(合金)鹽或水溶性鎳(合金)鹽等之水溶性金屬鹽作為主成分,含有甲醛及/或聚仲甲醛、乙醛酸或其鹽、次亞磷酸或其鹽、二甲胺基硼烷等之1種以上之還原劑、與乙二胺四乙酸四鈉及/或酒石酸鈉鉀等錯化劑,同時含有至少1種硫系有機化合物之無電解鍍敷液。
且,本發明之製造方法並非僅適用於以增層
工法進行之高密度多層配線基板之製造者,亦可使用於例如晶圓等級CSP(晶片尺寸環氧封裝或晶片規格環氧封裝)、或TCP(帶載體封裝(Tape Carrier Package))等之多層配線層之製造步驟中。
以下,針對本發明之具體實施例、比較例之基板的製作流程及評價方法加以說明。
依據表1記載之配方,分別調配混練實施例中記載之材料,調製熱硬化性樹脂組成物。表中之值若無特別限定,則為質量份。
使用塗佈器將熱硬化性樹脂組成物塗佈於作為載體薄膜之38μm厚之PET薄膜上,隨後,以熱風循環式乾燥爐以90℃/10min乾燥而製作乾薄膜。以使熱硬化性樹脂層之厚度在乾燥後為約20μm、且薄膜中之溶劑量成為0.3~3.0wt%之方式調整塗佈量。隨後,使所得乾薄膜以特定尺寸進行切割加工。
準備以銅厚5μm形成有焊墊之兩面印刷配線基板,使用Merck公司之CZ-8101進行前處理。接著,使用名機公司之真空積層機MVLP-500,將乾薄膜積層於印刷配線基板上之表背上,獲得具備熱硬化性樹脂層之印刷配線基板。積層條件為溫度80℃、壓力5kg/cm2/60sec。接著,剝離載體薄膜,以熱風循環式乾燥爐進行180℃/30min之熱硬化,獲得於兩面具有經硬化之硬化性樹脂層(A層)的兩面印刷配線基板。
使用塗佈器將非硬化性樹脂組成物塗佈於作為載體薄膜之38μm厚之PET薄膜上,隨後,以熱風循環式乾燥爐進行90℃/10min乾燥製作乾薄膜。以使非硬化性樹脂層之厚度在乾燥後為約3μm、且薄膜中之溶劑量成為0.3~15wt%之方式調整塗佈量。隨後,使所得乾薄膜以特定尺寸進行切割加工,獲得非硬化性樹脂組成物之乾薄膜。接著,於兩面具有經硬化之硬化性樹脂層之兩面印刷配線基板上,使用名機公司之真空積層機MVLP-500,將乾薄膜積層於印刷配線基板上之表背上。接著,剝離表背之PET薄膜,獲得於表背具備非硬化性樹脂層(B層)之印刷配線基板。積層條件為溫度100℃、壓力5kg/cm2/60sec。
使用FURNACE公司之輥塗佈器,將非硬化性樹脂組成物同時表背塗佈於兩面具有經硬化之硬化性樹脂層之兩面印刷配線基板上,隨後,以熱風循環式乾燥爐進行90℃/10min乾燥,獲得表背具有非硬化性樹脂層之兩面印刷配線基板。以使非硬化性樹脂組成物之厚度於乾燥後成為約3μm之方式調整塗佈量。
準備以銅厚5μm形成有焊墊之兩面印刷配線基板,使用Merck公司之CZ-8101進行前處理。隨後,使用名機公司之MVLP-500,以前述條件將熱硬化性樹脂組成物之乾薄膜積層於配線基板之表背上。隨後,剝離PET薄膜,獲得表背具有熱硬化性樹脂層之兩面印刷配線基板。接著,使用名機公司之真空積層機MVLP-500,將市售品之東洋紡公司之透明聚醯亞胺薄膜型HM(厚度6.0μm)積層於前述兩面印刷配線基板上,其次以熱風循環式乾燥爐進行180℃/60min熱硬化,獲得表背形成有UPILEX之兩面配線基板。積層條件為溫度120℃、壓力5kg/cm2/60sec。
對於以前述方法,於硬化之硬化性樹脂層13上形成有非熱硬化性樹脂層12之兩面印刷配線基板,使用日立Via Mechanics公司之準分子雷射LE-1A(光源XeCl:308nm、輸出150W、線束掃描37.5mm寬),使用2種類之鉻遮罩進行溝槽圖型之通孔及線之形成。首先,進行雷射照射以形成到達至焊墊上之通孔。以使通孔尺寸成為上部50μm、底部40μm之方式進行線束掃描。接著,更換遮罩,形成溝槽寬10μm、深度10μm之線。線深度係距熱硬化性樹脂層12表面之深度。
針對以前述方法,形成溝槽圖型(線及通孔)之基板,以光學顯微鏡觀察圖型部之線、通孔形狀,根據以下判斷基準進行評價。
◎:溝槽形狀如所設計,其端部亦無突出之漂亮狀態。
○:溝槽端部之非硬化性樹脂層熔融,稍觀察到端部有突出之狀態。
△:溝槽端部之非硬化性樹脂層熔融,觀察到端部突出之狀態。
使用旋轉塗佈器將非硬化性樹脂組成物塗佈於玻璃板上,接著進行90℃/10min乾燥,形成玻璃板狀之非硬化性樹脂層。非硬化性樹脂層之厚度係以乾燥後成為5μm之方式進行調整。吸光度之測定係使用紫外線可見光分光光度計及積分球裝置,以與塗佈非硬化性樹脂組成物之玻璃板相同之玻璃板,測定500~200nm下之吸光度基準線。接著,測定具有非硬化性樹脂層之玻璃板之吸光度,由基準線算出乾燥塗薄膜單獨之吸光度。確認目的波長與雷射之光源(準分子雷射,光源XeCl:308nm)相同波長(308nm)之數值。評價結果示於表2。
針對以雷射加工進行溝槽圖型形成之兩面印刷配線基板,以過錳酸去膠渣水溶液進行通孔底殘渣去除及溝槽內部之膠渣去除處理。
藥液為羅門哈斯公司之過錳酸水溶液MLB-213(70℃/5min),接著進行還原MLB-216(50℃/5min)處理進行膠渣去除。
針對進行溝槽圖型形成之兩面印刷配線基板,使用MARCH公司電漿照射裝置AP-1000,進行通孔底殘渣去除及溝槽內部之膠渣去除處理。條件為氣體:氧、真空度150mtorr、輸出500W,照射3min。接著,以石井表記(股)製造之超音波洗淨機IUS24進行膠渣之完全去除。條件為輸出800W,速度0.5m/min,處理時間2min。
藉由去膠渣處理去除膠渣後,使用以下之觸媒賦予製程(上村工業(股)製造之THRU-CUP系列),對基板之表層及溝槽形成部進行觸媒賦予。詳細條件如下所述。
清潔保養劑(cleaner conditioner)(THRU-CUP PCK-120-I、60℃/5min)
軟蝕刻(soft etch)(ADDITIVE MSE-7、25℃/2min)
硫酸洗淨(室溫/1min)
預浸漬(THRU-CUP PED-104、25℃/1min)
活化劑(THRU-CUP AT-105及PED104之混合液,30℃/8min)
針對以前述方法,將觸媒賦予於非硬化性樹脂層之表層部及溝槽部分之基板,以目視及光學顯微鏡進行鈀附著之評價。判斷基準如下所示。
◎:看到非硬化性樹脂層之表層部為透明,溝槽形成部分為黑色。據此,可知僅溝槽形成部分附著鈀。
○:看到非硬化性樹脂層之表層部及溝槽形成部分為黑色。據此,可知於溝槽形成部分以外亦附著鈀。
針對進行觸媒賦予之基板,為了去除非硬化性樹脂層(B層)之表層部之觸媒,而進行非硬化性樹脂層(B層)之去除。以去除液為3wt%之各鹼水溶液(碳酸鈉、氫氧化納),噴霧壓0.2MPa、60sec之條件進行去除處理。去除後,以光化學顯微鏡進行表層部之觀察,根據下述基準進行評價。
◎:以碳酸鈉水溶液、氫氧化鈉水溶液均可去除。
○:僅於氫氧化鈉水溶液之情況可去除。
×:於表層部見到非硬化性樹脂層殘渣。
針對進行非硬化性樹脂層(B層)之去除之基板,接著使用上村工業(股)製造之THRU-CUP系列之無電解銅鍍敷液進行對溝槽部分之選擇銅鍍敷處理。首先,對去除後基板進行促進劑(THRU-CUP AL-106、25℃/3min)處理,接著使用高速無電解銅鍍敷(THRU-CUP ELC-SP),以銅鍍敷完全填充溝槽部分。
針對以無電解銅鍍敷完全填充溝槽部分之基板,為了進行是否於表層部等其餘部分有銅鍍敷析出之評價,進行光學顯微鏡觀察及反射電子像觀察,根據下述基準進行評價。
○:於溝槽部分(線、通孔)以外未見到銅鍍敷析出
×:於溝槽部分(線、通孔)以外見到銅鍍敷析出
針對熱硬化性樹脂層(A層,經190℃/60min硬化)及市售品之聚醯亞胺薄片(B層用)之厚度50μm之薄片,進行切割成3mm寬、長度10mm之短條狀,以JIS-C-6481所記載之TMA法(拉伸法),進行玻璃轉移溫度Tg及CTE測定(熱膨脹係數)之評價。進行升溫速度為
5℃/min、Tg以下之熱膨脹係數之評價。熱膨脹係數係溫度範圍自25℃至100℃之平均熱膨脹係數,單位為ppm。結果示於表2。
針對以無電解銅鍍敷完全填充溝槽部分之基板,進行冷熱循環特性評價。處理條件係將於-65℃歷時30min、於150℃歷時30min作為1循環,施加熱履歷進行2000次循環。處理後,密封表層部分且以光學顯微鏡進行對利用精密切斷機切斷之通孔部分及線部分之剖面觀察。評價方法係根據以下基準。觀察圖型數為100孔。
○:有底通孔,線部分之銅與硬化性樹脂層間未發生脫層。
×:有底通孔,線部分之銅與硬化性樹脂層間發生脫層。發生部位係於硬化性樹脂層與醯亞胺層之界面附近觀察到。
實施例1係如前述實施例、比較例之基板製作流程及表2所記載般實施。
實施例2係實施例1中,除了僅變更B層組成之調配比及去膠渣之處理方法以外,餘同樣地實施。
實施例3為實施例1中,除了僅變更B層組成之調配比及積層方法以外,餘同樣地實施。
實施例4為實施例1中,除將B層配方之添加劑變更為KS-66以外,餘同樣地實施。
實施例5為實施例1中,除變更B層組成以外,餘同樣地實施。
實施例6為實施例1中,除變更A層組成以外,餘同樣地實施。
實施例7為實施例1中,除變更A層組成以外,餘同樣地實施。
比較例1為實施例1中,除未設置B層,且未進行伴隨其之處理以外,餘同樣地實施。
比較例2為實施例6中,除未設置B層,且未進行伴隨其之處理以外,餘同樣地進行。
比較例3為實施例7中,除未設置B層,且未進行伴隨其之處理以外,餘同樣地實施。
比較例4係依據專利文獻1之方法實施。
以下,針對各層所使用之材料加以說明。
熱硬化性樹脂層(硬化前之絕緣樹脂層):A層
有機溶劑:環己銅,與上述相同。
上述觀察之結果,實施例1~7中基板表面無鍍敷析出,在溝槽、通孔中亦均形成均一鍍敷,且埋入凹部。比較例1~3由於不存在塗覆層(B層),故未去除樹脂層表面之觸媒,因而析出銅鍍敷。以專利文獻1之方法進行之比較例4,由於絕緣樹脂層(A層)與殘留之塗覆層(B層)之熱特性不同,故耐熱性差。
12‧‧‧非硬化性樹脂層
13‧‧‧熱硬化性樹脂層
14‧‧‧導電層
15‧‧‧基板
16T、16V‧‧‧凹部
17‧‧‧鍍敷用觸媒層
18‧‧‧無電解鍍敷
Claims (9)
- 一種印刷配線基板之製造方法,其特徵係含有下述步驟:於基板的表面,介由硬化性樹脂層而形成非硬化性樹脂層之步驟、自該非硬化性樹脂層側,於該非硬化性樹脂層及前述硬化性樹脂層形成凹部之步驟、於前述非硬化性樹脂層表面及前述凹部表面賦予鍍敷用觸媒之步驟、將前述非硬化性樹脂層與其表面之鍍敷用觸媒一起去除之步驟、及於前述凹部表面實施無電解鍍敷之步驟。
- 如請求項1中記載之印刷配線基板之製造方法,其中,前述非硬化性樹脂層係含鹼可溶性樹脂。
- 如請求項1或2中記載之印刷配線基板之製造方法,其中,前述非硬化性樹脂層係含在雷射的波長區域具有吸收之增感劑。
- 如請求項1~3之任1項中記載之印刷配線基板之製造方法,其中,前述非硬化性樹脂層係含撥水性之添加劑。
- 一種印刷配線基板,其特徵係以如請求項1~4之任1項中記載之印刷配線基板之製造方法所得者。
- 一種印刷配線基板,其特徵係具有基板、及 於該基板的表面形成有凹部之已硬化的硬化性樹脂層,且於前述硬化性樹脂層的凹部僅以無電解鍍敷埋入鍍敷金屬。
- 一種印刷配線基板形成用積層體,其特徵係具有基板、形成於該基板的表面之已硬化的硬化性樹脂層、及形成於該硬化性樹脂層上且含鹼可溶性樹脂之非硬化性樹脂層。
- 一種印刷配線基板形成用積層薄膜,其特徵係具有薄膜、及形成於該薄膜的表面且含鹼可溶性樹脂之非硬化性樹脂層。
- 一種非硬化性樹脂組成物,其特徵係於如請求項1中記載之印刷配線基板之製造方法中,用以形成前述非硬化性樹脂層,且含鹼可溶性樹脂者。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013165871 | 2013-08-09 | ||
JP2014103053A JP2015057812A (ja) | 2013-08-09 | 2014-05-19 | プリント配線基板の製造方法、それに用いられる積層体、積層フィルム、及び非硬化性樹脂組成物並びに前記製造方法により得られるプリント配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201506199A true TW201506199A (zh) | 2015-02-16 |
Family
ID=52447628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103127263A TW201506199A (zh) | 2013-08-09 | 2014-08-08 | 印刷配線基板之製造方法、用於其中之積層體、積層薄膜及非硬化性樹脂組成物與藉由前述方法所得之印刷配線基板 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150041181A1 (zh) |
JP (1) | JP2015057812A (zh) |
KR (1) | KR20150018418A (zh) |
TW (1) | TW201506199A (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6404174B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理方法、記憶媒体およびめっき処理システム |
US9922951B1 (en) * | 2016-11-12 | 2018-03-20 | Sierra Circuits, Inc. | Integrated circuit wafer integration with catalytic laminate or adhesive |
JP7174231B2 (ja) | 2018-09-25 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
-
2014
- 2014-05-19 JP JP2014103053A patent/JP2015057812A/ja active Pending
- 2014-08-06 KR KR1020140100832A patent/KR20150018418A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-08-07 US US14/454,182 patent/US20150041181A1/en not_active Abandoned
- 2014-08-08 TW TW103127263A patent/TW201506199A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150018418A (ko) | 2015-02-23 |
JP2015057812A (ja) | 2015-03-26 |
US20150041181A1 (en) | 2015-02-12 |
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