TW201505091A - 玻璃基底的蝕刻方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，其包括以下步驟：氧化步驟，向該反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層；蝕刻步驟，向該反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對該氧化層及該玻璃基底的被蝕刻表面中的未被該罩幕覆蓋的區域進行蝕刻；並在該氧化層被完全消耗時，停止向該反應腔室內通入蝕刻氣體，且關閉激發電源和偏壓電源；交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度。本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，其不僅具有較高的蝕刻速率，而且還可以提高玻璃基底相對於罩幕的蝕刻選擇比。
Description
本發明涉及微電子技術領域，特別涉及一種玻璃基底的蝕刻方法。
目前，在MEMS（Micro-Electro-Mechanical System微機電系統）裝置的製造程序中，開始使用玻璃作為基底材料，這是因為玻璃基底相比於矽基底具有更高的絕緣性，從而使MEMS裝置能夠應用在高電壓、高功率等的對絕緣性要求較高的領域。在製造MEMS裝置的各個製程中，蝕刻製程作為重要的製程之一，其主要工作程序為：在玻璃基底上沉積罩幕材料形成罩幕坯，並蝕刻罩幕坯形成具有期望圖形的罩幕；蝕刻玻璃基底表面上的未被罩幕遮蓋的區域，從而在玻璃基底上形成期望的圖形。
在實際應用中，玻璃基底的蝕刻製程通常要求較大的蝕刻深度，為了既能夠獲得理想的蝕刻形貌，又能夠具有較高的製程效率，就需要對玻璃基底相對於罩幕的蝕刻選擇比以及蝕刻速率提出更高的要求。
現有的一種玻璃基底的蝕刻製程採用單步蝕刻方法對玻璃基底進行蝕刻，即，一次性完成製程所需的蝕刻深度。上述蝕刻製程所能達到的蝕刻速率和蝕刻選擇比如下述表1所示：
表1
由上述表1可以看出，上述單步蝕刻方法雖然具有較高的蝕刻速率，但是蝕刻選擇比較低，從而無法滿足對蝕刻深度要求較高的製程。
在實際應用中，玻璃基底的蝕刻製程通常要求較大的蝕刻深度，為了既能夠獲得理想的蝕刻形貌，又能夠具有較高的製程效率，就需要對玻璃基底相對於罩幕的蝕刻選擇比以及蝕刻速率提出更高的要求。
現有的一種玻璃基底的蝕刻製程採用單步蝕刻方法對玻璃基底進行蝕刻，即，一次性完成製程所需的蝕刻深度。上述蝕刻製程所能達到的蝕刻速率和蝕刻選擇比如下述表1所示：
表1
由上述表1可以看出，上述單步蝕刻方法雖然具有較高的蝕刻速率，但是蝕刻選擇比較低，從而無法滿足對蝕刻深度要求較高的製程。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種玻璃基底的蝕刻方法，其不僅可以提高玻璃基底相對於罩幕的蝕刻選擇比，而且還可以實現較大的蝕刻深度。
為實現本發明的目的而提供一種玻璃基底的蝕刻方法，包括以下步驟：
氧化步驟：向該反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層；
蝕刻步驟：向該反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對該氧化層及該玻璃基底的被蝕刻表面中的未被該罩幕覆蓋的區域進行蝕刻，並在該氧化層被完全消耗時停止向該反應腔室內通入蝕刻氣體，且關閉激發電源和偏壓電源；
交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度。
其中，該罩幕的材料包括鋁。
其中，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在10~2000sccm。
較佳地，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在50~500sccm。
其中，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~500W。
較佳地，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~50W。
其中，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體包括氟化物。
其中，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在10~2000sccm。
較佳地，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在50~500sccm。
其中，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在50~1000W。
較佳地，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在200~500W。
其中，在進行該氧化步驟之前，還包括下述步驟：
罩幕坯形成步驟：在玻璃基底的被蝕刻表面沉積用於形成罩幕的材料，以形成罩幕坯；
圖形定義步驟：使用光阻在該罩幕坯中的背離該玻璃基底被蝕刻表面的表面上定義出待蝕刻的圖形；
罩幕形成步驟：蝕刻該罩幕坯，以將該光阻的圖形複製到該罩幕坯上而形成罩幕；
光阻去除步驟：去除光阻。
其中，在交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度之後，還包括下述步驟：
罩幕去除步驟：即，去除玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕。
本發明具有以下有益效果：
本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法包括氧化步驟和蝕刻步驟。在氧化步驟中，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層，並且使玻璃基底相對於該氧化層具有較高的蝕刻選擇比，從而使得在相同時間內電漿對玻璃基底的蝕刻程度要大於電漿對該罩幕上的氧化層的蝕刻程度。此外，在本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法中，當氧化層被完全消耗時停止蝕刻步驟，並切換至氧化步驟重新形成氧化層，以保證在完成預定蝕刻深度（總蝕刻深度）的程序中罩幕的被蝕刻表面始終存在氧化層。這樣，由於減少了罩幕的損耗，因而不致出現為了顧及罩幕不能被完全蝕刻掉而無法獲得較大的蝕刻深度的問題。因此，借助本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，可以獲得更大的蝕刻深度，並且保證整個蝕刻製程具有較高的蝕刻速率和蝕刻選擇比。
為實現本發明的目的而提供一種玻璃基底的蝕刻方法，包括以下步驟：
氧化步驟：向該反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層；
蝕刻步驟：向該反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對該氧化層及該玻璃基底的被蝕刻表面中的未被該罩幕覆蓋的區域進行蝕刻，並在該氧化層被完全消耗時停止向該反應腔室內通入蝕刻氣體，且關閉激發電源和偏壓電源；
交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度。
其中，該罩幕的材料包括鋁。
其中，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在10~2000sccm。
較佳地，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在50~500sccm。
其中，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~500W。
較佳地，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~50W。
其中，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體包括氟化物。
其中，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在10~2000sccm。
較佳地，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在50~500sccm。
其中，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在50~1000W。
較佳地，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在200~500W。
其中，在進行該氧化步驟之前，還包括下述步驟：
罩幕坯形成步驟：在玻璃基底的被蝕刻表面沉積用於形成罩幕的材料，以形成罩幕坯；
圖形定義步驟：使用光阻在該罩幕坯中的背離該玻璃基底被蝕刻表面的表面上定義出待蝕刻的圖形；
罩幕形成步驟：蝕刻該罩幕坯，以將該光阻的圖形複製到該罩幕坯上而形成罩幕；
光阻去除步驟：去除光阻。
其中，在交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度之後，還包括下述步驟：
罩幕去除步驟：即，去除玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕。
本發明具有以下有益效果：
本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法包括氧化步驟和蝕刻步驟。在氧化步驟中，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層，並且使玻璃基底相對於該氧化層具有較高的蝕刻選擇比，從而使得在相同時間內電漿對玻璃基底的蝕刻程度要大於電漿對該罩幕上的氧化層的蝕刻程度。此外，在本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法中，當氧化層被完全消耗時停止蝕刻步驟，並切換至氧化步驟重新形成氧化層，以保證在完成預定蝕刻深度（總蝕刻深度）的程序中罩幕的被蝕刻表面始終存在氧化層。這樣，由於減少了罩幕的損耗，因而不致出現為了顧及罩幕不能被完全蝕刻掉而無法獲得較大的蝕刻深度的問題。因此，借助本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，可以獲得更大的蝕刻深度，並且保證整個蝕刻製程具有較高的蝕刻速率和蝕刻選擇比。
1‧‧‧玻璃基底
2‧‧‧罩幕
2’‧‧‧罩幕坯
3‧‧‧Al2O3氧化層
4‧‧‧光阻
A‧‧‧氧化步驟
B‧‧‧蝕刻步驟
C‧‧‧氧化步驟
E‧‧‧罩幕坯形成步驟
F‧‧‧圖形定義步驟
G‧‧‧罩幕形成步驟
H‧‧‧光阻去除步驟
h‧‧‧預定蝕刻深度(總蝕刻深度)
2‧‧‧罩幕
2’‧‧‧罩幕坯
3‧‧‧Al2O3氧化層
4‧‧‧光阻
A‧‧‧氧化步驟
B‧‧‧蝕刻步驟
C‧‧‧氧化步驟
E‧‧‧罩幕坯形成步驟
F‧‧‧圖形定義步驟
G‧‧‧罩幕形成步驟
H‧‧‧光阻去除步驟
h‧‧‧預定蝕刻深度(總蝕刻深度)
第1圖為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的流程框圖；以及
第2圖為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的製程程序示意圖；以及
第3圖為本發明實施例中在玻璃基底的被蝕刻表面上形成具有預定圖形的罩幕的程序示意圖。
第2圖為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的製程程序示意圖；以及
第3圖為本發明實施例中在玻璃基底的被蝕刻表面上形成具有預定圖形的罩幕的程序示意圖。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法進行詳細描述。
第1圖為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的流程框圖請參閱第1圖，該方法包括以下步驟：
氧化步驟：向反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，以對置於玻璃基底的被蝕刻表面上的罩幕進行氧化，從而在罩幕的被蝕刻表面形成氧化層。
需要指出的是，玻璃基底的被蝕刻表面是指玻璃基底中的期望被蝕刻出圖形的那一表面。罩幕的被蝕刻表面是指罩幕中的背離玻璃基底被蝕刻表面的表面，即罩幕中的與玻璃基底被蝕刻表面朝向相一致的那一表面。該表面被稱為罩幕的被蝕刻表面，並非是說在製程程序中其確實被電漿蝕刻；而是說，如無氧化層覆蓋，其必將被電漿蝕刻到。
蝕刻步驟：向反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對罩幕的被蝕刻表面上的氧化層及玻璃基底的被蝕刻表面上的未被罩幕覆蓋的區域進行蝕刻；並在氧化層被完全消耗時，停止向反應腔室內通入蝕刻氣體且關閉激發電源和偏壓電源。
交替進行氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度，即指製程所需的總蝕刻深度。
在氧化步驟中，氧氣的流量範圍在10~2000sccm，較佳地，為50~500sccm；激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~500W，較佳地，激發功率為1500~3000W，偏壓功率為0~50W。
在蝕刻步驟中，蝕刻氣體包括氟硫化合物、碳氟化合物等的氟化物。蝕刻氣體的流量範圍在10~2000sccm，較佳地，為50~500sccm；激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在50~1000W，較佳地，激發功率為1500~3000W；偏壓功率為200~500W。
本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法包括氧化步驟和蝕刻步驟。在氧化步驟中，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層，並且使玻璃基底相對於該氧化層具有較高的蝕刻選擇比，從而使得在相同時間內電漿對玻璃基底的蝕刻程度要大於電漿對該罩幕上的氧化層的蝕刻程度。此外，在本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法中，當氧化層被完全消耗時停止蝕刻步驟，並切換至氧化步驟重新形成氧化層，以保證在完成預定蝕刻深度（總蝕刻深度）的程序中罩幕的被蝕刻表面始終存在氧化層。這樣，由於減少了罩幕的損耗，因而不致出現為了顧及罩幕不能被完全蝕刻掉而無法獲得較大的蝕刻深度的問題。因此，借助本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，可以獲得更大的蝕刻深度，並且保證整個蝕刻製程具有較高的蝕刻速率和蝕刻選擇比。
需要說明的是，在實際應用中，可以採用實驗的方法預先獲得在蝕刻步驟中氧化層被完全消耗的時間點。具體地，進行一次氧化步驟，並測量完成該步驟之後形成的氧化層的原始厚度；進行一次蝕刻步驟（蝕刻時間可利用經驗預先設定），並測量氧化層的蝕刻速率；根據該蝕刻速率和該蝕刻步驟的蝕刻時間計算出氧化層在該次蝕刻步驟中消耗的厚度；計算所消耗的厚度與原始厚度的差值，並判斷該差值是否超出預設閥值，若是，則可以確定氧化層被完全消耗，並以該蝕刻時間作為單次蝕刻步驟的蝕刻時間；若否，則增加適當的蝕刻時間繼續蝕刻，直至該差值在預設閥值內。較佳地，上述預設閥值可以為[0,50Å]。
還需要說明的是，在實際應用中，針對玻璃基底，較佳鋁作為用於形成罩幕的材料，並在氧化步驟中在鋁罩幕表面形成Al2 O3 材料的氧化層，玻璃基底相對於Al2 O3 氧化層具有較高的蝕刻選擇比。
請參閱第2圖，其為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的製程程序示意圖。本實施例中，玻璃基底的上表面為玻璃基底的被蝕刻表面，罩幕的上表面為罩幕的被蝕刻表面，並且罩幕的材料為鋁。
氧化步驟A：對設置於玻璃基底1的上表面的罩幕2進行氧化，在罩幕2的上表面形成Al2 O3 氧化層3。
蝕刻步驟B：對罩幕2的上表面的Al2 O3 氧化層及玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域進行蝕刻，並在將Al2 O3 氧化層完全消耗掉時停止該蝕刻步驟，此時玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域已經被蝕刻一定深度。
氧化步驟C：重新對設置於玻璃基底1的上表面的罩幕2進行氧化，而使罩幕2的上表面形成預定厚度的Al2 O3 氧化層3。
蝕刻步驟D：表示獲得預定蝕刻深度。具體地，繼續執行蝕刻步驟，對罩幕2的上表面的Al2 O3 氧化層及玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域進行蝕刻，並在將Al2 O3 氧化層完全消耗掉時結束製程，此時即獲得預定蝕刻深度（總蝕刻深度）h。
需要指出的是，儘管本實施例中僅交替執行了氧化步驟和蝕刻步驟2輪迴圈即達到了預定蝕刻深度，然而在實際應用中，需要根據預定蝕刻深度、氧化層的厚度和/或蝕刻速率來上述迴圈的數量，即確定在步驟C和步驟D之間是否再增加蝕刻步驟和氧化步驟，以及交替增加幾個。
另外，在進行上述氧化步驟之前，需要在玻璃基底的被蝕刻表面形成具有預定圖形的罩幕。請參閱第3圖，其示出本發明實施例中在玻璃基底的被蝕刻表面上形成具有預定圖形的罩幕的程序示意圖，並且在本實施例中，玻璃基底的上表面為玻璃基底的被蝕刻表面。
如第3圖所示，在玻璃基底的上表面形成具有預定圖形的罩幕至少包括下述步驟：
罩幕坯形成步驟E：採用磁控濺鍍、蒸發鍍膜或化學氣相沉積等製程，在玻璃基底1的上表面沉積用於形成罩幕2的材料，以形成罩幕坯2’。
圖形定義步驟F：使用光阻4在罩幕坯2’上的背離玻璃基底2上表面的表面定義出待蝕刻的圖形。
罩幕形成步驟G：蝕刻罩幕坯2’，以將光阻4的圖形複製到罩幕坯2’上而形成罩幕2。
光阻去除步驟H：去除罩幕2上的光阻4。
而且，在交替進行上述氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度之後，至少還包括下述步驟：
罩幕去除步驟：去除玻璃基底1上表面的罩幕2。
進一步需要說明的是，在實際應用中，不限定罩幕的材料，只要其能被氧化而在其表面形成氧化層，並能在保證玻璃基底形貌的前提下獲得較高的玻璃基底/罩幕的蝕刻選擇比和蝕刻速率，就均適用於本發明。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
第1圖為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的流程框圖請參閱第1圖，該方法包括以下步驟：
氧化步驟：向反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，以對置於玻璃基底的被蝕刻表面上的罩幕進行氧化，從而在罩幕的被蝕刻表面形成氧化層。
需要指出的是，玻璃基底的被蝕刻表面是指玻璃基底中的期望被蝕刻出圖形的那一表面。罩幕的被蝕刻表面是指罩幕中的背離玻璃基底被蝕刻表面的表面，即罩幕中的與玻璃基底被蝕刻表面朝向相一致的那一表面。該表面被稱為罩幕的被蝕刻表面，並非是說在製程程序中其確實被電漿蝕刻；而是說，如無氧化層覆蓋，其必將被電漿蝕刻到。
蝕刻步驟：向反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對罩幕的被蝕刻表面上的氧化層及玻璃基底的被蝕刻表面上的未被罩幕覆蓋的區域進行蝕刻；並在氧化層被完全消耗時，停止向反應腔室內通入蝕刻氣體且關閉激發電源和偏壓電源。
交替進行氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度，即指製程所需的總蝕刻深度。
在氧化步驟中，氧氣的流量範圍在10~2000sccm，較佳地，為50~500sccm；激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~500W，較佳地，激發功率為1500~3000W，偏壓功率為0~50W。
在蝕刻步驟中，蝕刻氣體包括氟硫化合物、碳氟化合物等的氟化物。蝕刻氣體的流量範圍在10~2000sccm，較佳地，為50~500sccm；激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在50~1000W，較佳地，激發功率為1500~3000W；偏壓功率為200~500W。
本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法包括氧化步驟和蝕刻步驟。在氧化步驟中，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層，並且使玻璃基底相對於該氧化層具有較高的蝕刻選擇比，從而使得在相同時間內電漿對玻璃基底的蝕刻程度要大於電漿對該罩幕上的氧化層的蝕刻程度。此外，在本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法中，當氧化層被完全消耗時停止蝕刻步驟，並切換至氧化步驟重新形成氧化層，以保證在完成預定蝕刻深度（總蝕刻深度）的程序中罩幕的被蝕刻表面始終存在氧化層。這樣，由於減少了罩幕的損耗，因而不致出現為了顧及罩幕不能被完全蝕刻掉而無法獲得較大的蝕刻深度的問題。因此，借助本發明提供的玻璃基底的蝕刻方法，可以獲得更大的蝕刻深度，並且保證整個蝕刻製程具有較高的蝕刻速率和蝕刻選擇比。
需要說明的是，在實際應用中，可以採用實驗的方法預先獲得在蝕刻步驟中氧化層被完全消耗的時間點。具體地，進行一次氧化步驟，並測量完成該步驟之後形成的氧化層的原始厚度；進行一次蝕刻步驟（蝕刻時間可利用經驗預先設定），並測量氧化層的蝕刻速率；根據該蝕刻速率和該蝕刻步驟的蝕刻時間計算出氧化層在該次蝕刻步驟中消耗的厚度；計算所消耗的厚度與原始厚度的差值，並判斷該差值是否超出預設閥值，若是，則可以確定氧化層被完全消耗，並以該蝕刻時間作為單次蝕刻步驟的蝕刻時間；若否，則增加適當的蝕刻時間繼續蝕刻，直至該差值在預設閥值內。較佳地，上述預設閥值可以為[0,50Å]。
還需要說明的是，在實際應用中，針對玻璃基底，較佳鋁作為用於形成罩幕的材料，並在氧化步驟中在鋁罩幕表面形成Al2 O3 材料的氧化層，玻璃基底相對於Al2 O3 氧化層具有較高的蝕刻選擇比。
請參閱第2圖，其為本發明實施例提供的玻璃基底的蝕刻方法的製程程序示意圖。本實施例中，玻璃基底的上表面為玻璃基底的被蝕刻表面，罩幕的上表面為罩幕的被蝕刻表面，並且罩幕的材料為鋁。
氧化步驟A：對設置於玻璃基底1的上表面的罩幕2進行氧化，在罩幕2的上表面形成Al2 O3 氧化層3。
蝕刻步驟B：對罩幕2的上表面的Al2 O3 氧化層及玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域進行蝕刻，並在將Al2 O3 氧化層完全消耗掉時停止該蝕刻步驟，此時玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域已經被蝕刻一定深度。
氧化步驟C：重新對設置於玻璃基底1的上表面的罩幕2進行氧化，而使罩幕2的上表面形成預定厚度的Al2 O3 氧化層3。
蝕刻步驟D：表示獲得預定蝕刻深度。具體地，繼續執行蝕刻步驟，對罩幕2的上表面的Al2 O3 氧化層及玻璃基底1的上表面的未被罩幕2覆蓋的區域進行蝕刻，並在將Al2 O3 氧化層完全消耗掉時結束製程，此時即獲得預定蝕刻深度（總蝕刻深度）h。
需要指出的是，儘管本實施例中僅交替執行了氧化步驟和蝕刻步驟2輪迴圈即達到了預定蝕刻深度，然而在實際應用中，需要根據預定蝕刻深度、氧化層的厚度和/或蝕刻速率來上述迴圈的數量，即確定在步驟C和步驟D之間是否再增加蝕刻步驟和氧化步驟，以及交替增加幾個。
另外，在進行上述氧化步驟之前，需要在玻璃基底的被蝕刻表面形成具有預定圖形的罩幕。請參閱第3圖，其示出本發明實施例中在玻璃基底的被蝕刻表面上形成具有預定圖形的罩幕的程序示意圖，並且在本實施例中，玻璃基底的上表面為玻璃基底的被蝕刻表面。
如第3圖所示，在玻璃基底的上表面形成具有預定圖形的罩幕至少包括下述步驟：
罩幕坯形成步驟E：採用磁控濺鍍、蒸發鍍膜或化學氣相沉積等製程，在玻璃基底1的上表面沉積用於形成罩幕2的材料，以形成罩幕坯2’。
圖形定義步驟F：使用光阻4在罩幕坯2’上的背離玻璃基底2上表面的表面定義出待蝕刻的圖形。
罩幕形成步驟G：蝕刻罩幕坯2’，以將光阻4的圖形複製到罩幕坯2’上而形成罩幕2。
光阻去除步驟H：去除罩幕2上的光阻4。
而且，在交替進行上述氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度之後，至少還包括下述步驟：
罩幕去除步驟：去除玻璃基底1上表面的罩幕2。
進一步需要說明的是，在實際應用中，不限定罩幕的材料，只要其能被氧化而在其表面形成氧化層，並能在保證玻璃基底形貌的前提下獲得較高的玻璃基底/罩幕的蝕刻選擇比和蝕刻速率，就均適用於本發明。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
Claims (1)
- 一種玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，包括以下步驟：
氧化步驟：向該反應腔室內通入氧氣，並開啟激發電源，或者同時開啟激發電源和偏壓電源，對置於玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕進行氧化，以使該罩幕的被蝕刻表面形成氧化層；
蝕刻步驟：向該反應腔室內通入蝕刻氣體，並開啟激發電源和偏壓電源，以對該氧化層及該玻璃基底的被蝕刻表面中的未被該罩幕覆蓋的區域進行蝕刻；並在該氧化層被完全消耗時，停止向該反應腔室內通入蝕刻氣體，且關閉激發電源和偏壓電源；
交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，該罩幕的材料包括鋁。
3. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在10~2000sccm。
4. 如申請專利範圍第3項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該氧化步驟中，該氧氣的流量範圍在50~500sccm
5. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~500W。
6. 如申請專利範圍第5項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該氧化步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在0~50W。
7. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體包括氟化物。
8. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在10~2000sccm。
9. 如申請專利範圍第8項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該蝕刻步驟中，該蝕刻氣體的流量範圍在50~500sccm。
10. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在100~5000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在50~1000W。
11. 如申請專利範圍第10項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在該蝕刻步驟中，該激發電源輸出的激發功率的範圍在1500~3000W，該偏壓電源輸出的偏壓功率的範圍在200~500W。
12. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在進行該氧化步驟之前，還包括下述步驟：
罩幕坯形成步驟：在玻璃基底的被蝕刻表面沉積用於形成罩幕的材料，以形成罩幕坯；
圖形定義步驟：使用光阻在該罩幕坯中的背離該玻璃基底被蝕刻表面的表面上定義出待蝕刻的圖形；
罩幕形成步驟：蝕刻該罩幕坯，以將該光阻的圖形複製到該罩幕坯上而形成罩幕；
光阻去除步驟：去除光阻。
13. 如申請專利範圍第1項所述的玻璃基底的蝕刻方法，其特徵在於，在交替進行該氧化步驟和蝕刻步驟，直至達到預定蝕刻深度之後，還包括罩幕去除步驟，即，去除玻璃基底的被蝕刻表面的罩幕。
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