TW201503203A - 保險絲單元及保險絲元件 - Google Patents

Abstract

提供一種能表面構裝且兼顧額定提升與快速熔斷性之保險絲單元、及使用此之保險絲元件。 保險絲單元5，係構成保險絲元件1之通電路徑，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷，其特徵在於，具有：低熔點金屬層5a；以及高熔點金屬層5b，係積層於低熔點金屬層5a；低熔點金屬層5a在通電時浸蝕高熔點金屬層5b並加以熔斷。

Description

保險絲單元及保險絲元件

本發明係關於一種構裝在電流路徑上且在超過額定之電流流過時藉由自身發熱而熔斷以遮斷該電流路徑之保險絲單元及保險絲元件，尤其是關於速斷性優異之保險絲單元及熔斷後之絕緣性優異之保險絲元件。

以往，使用有在超過額定之電流流過時藉由自身發熱而熔斷以遮斷該電流路徑之保險絲單元。作為保險絲單元，大多使用例如在玻璃管封入有焊料之保持具固定型保險絲、在陶瓷基板表面印刷有Ag電極之片狀保險絲、使銅電極之一部分變細並組裝於塑膠盒之螺固或插入型保險絲等。

專利文獻1：日本特開2011-82064號公報

然而，在上述既有之保險絲單元，指謫了無法藉由回焊進行表面構裝、電流額定低、及藉由變大提升額定則速斷性差等問題點。

又，假設回焊構裝用之速斷保險絲元件之情形，為了不因回焊之熱而熔融，一般而言，就保險絲單元之熔斷特性而言，較佳為熔點300℃以上之含Pb高熔點焊料。然而，在RoHS指令(危害性物質限制指令)等，含Pb焊料之使用被限制，因此可知今後無Pb化之要求將會變強。

亦即，作為保險絲單元，要求具備可藉由回焊進行表面構裝且對保險絲元件之構裝性優異、可提升額定以因應大電流、及在超過額定之過電流時迅速地遮斷電流路徑之快速熔斷性。

因此，本發明之目的在於提供一種能表面構裝且兼顧額定提升與快速熔斷性之保險絲單元、及使用此之保險絲元件。

為了解決上述特課題，本發明之保險絲單元，係構成保險絲元件之通電路徑，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷，其特徵在於，具有：低熔點金屬層；以及高熔點金屬層，係積層於該低熔點金屬層；該低熔點金屬層在該通電時浸蝕該高熔點金屬層並加以熔斷。

又，本發明之保險絲元件，具備：絕緣基板；以及保險絲單元，搭載於該絕緣基板上，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷通電路徑；該保險絲單元，具有：低熔點金屬層；以及高熔點金屬層，係積層於該低熔點金屬層；該低熔點金屬層在該通電時浸蝕該高熔點金屬層並加以熔斷。

根據本發明，保險絲單元，在作為內層之低熔點金屬層積層高熔點金屬層作為外層，藉此，即使回焊溫度超過低熔點金屬層之熔融溫度之情形，作為保險絲單元亦不至於熔斷。是以，保險絲單元可藉由回焊高效率地構裝。

又，本發明之保險絲單元，若高於額定之值之電流流過，則藉由自身發熱而熔融，遮斷通電路徑。此時，保險絲單元，藉由熔融之低熔點金屬層浸蝕高熔點金屬層，高熔點金屬層以較熔融溫度低之溫度熔解。是以，保險絲單元可利用低熔點金屬層進行之高熔點金屬層之浸蝕作 用在短時間熔斷。

又，保險絲單元，由於在低熔點金屬層積層低電阻之高熔點金屬層而構成，因此可大幅地降低導體電阻，相較於相同尺寸之習知片狀保險絲等，可大幅地提升電流額定。又，可謀求較具有相同電流額定之習知片狀保險絲更薄，快速熔斷性優異。

1‧‧‧保險絲元件

2‧‧‧絕緣基板

2a‧‧‧表面

2b‧‧‧背面

3‧‧‧第1電極

4‧‧‧第2電極

5‧‧‧保險絲單元

5a‧‧‧低熔點金屬層

5b‧‧‧高熔點金屬層

7‧‧‧氧化防止膜

10‧‧‧保護構件

10a‧‧‧保護箱

11‧‧‧接著劑

12‧‧‧筐體

13‧‧‧蓋體

14‧‧‧開口部

17‧‧‧助焊劑

20‧‧‧覆蓋構件

30‧‧‧保險絲單元

31‧‧‧單元部

33‧‧‧端子部

34‧‧‧單元

35‧‧‧嵌合凹部

40,50‧‧‧保險絲元件

51‧‧‧單元

圖1係顯示本發明適用之保險絲單元及保險絲元件之剖面圖。

圖2係顯示本發明適用之另一保險絲單元之剖面圖。

圖3係顯示本發明適用之另一保險絲單元之剖面圖。

圖4係顯示本發明適用之另一保險絲單元之立體圖，(A)係顯示將高熔點金屬層設在低熔點金屬層之上下面者，(B)係顯示將高熔點金屬層設在長帶狀之低熔點金屬之表面並切斷成適當長度者，(C)係顯示將高熔點金屬層設在引線狀之低熔點金屬之表面並切斷成適當長度者。

圖5係顯示形成有保護構件之保險絲單元之立體圖。

圖6係顯示保護箱所保護之保險絲單元之圖，(A)係分解立體圖，(B)係顯示在筐體內收納有保險絲單元之狀態之立體圖，(C)係顯示被蓋體閉塞之狀態之立體圖。

圖7係顯示被夾持端子挾持保險絲單元之保險絲元件之剖面圖。

圖8係顯示將與夾持端子嵌合連接之保險絲單元自身用作保險絲元件之實施例之剖面圖。

圖9係顯示本發明適用之另一保險絲單元之立體圖。

圖10係顯示使用圖9所示之保險絲單元之保險絲元件之製造步驟之圖，(A)係絕緣基板之立體圖，(B)係在絕緣基板搭載有保險絲單元之狀態，(C)係在保險絲單元上設有助焊劑之狀態，(D)係搭載有覆蓋構件之狀態，(E)係顯示對電路基板之構裝狀態。

圖11係顯示使用一片板狀單元之保險絲元件之熔斷狀態之圖，(A)係超過額定之電流開始通電之狀態，(B)係單元熔融且凝集之狀態，(C)係顯示單元伴隨著電弧放電爆發地熔斷之狀態。

圖12係顯示使用具有複數個單元部之保險絲單元之保險絲元件之熔斷狀態之圖，(A)係超過額定之電流開始通電之狀態，(B)係外側之單元部熔斷之狀態，(C)係顯示內側之單元部伴隨著電弧放電熔斷之狀態。

圖13係顯示保險絲單元之俯視圖，(A)係將單元部之兩側一體支承者，(B)係顯示將單元部之單側一體支承者。

圖14係顯示使3片單元並列之保險絲元件之立體圖。

圖15係顯示在第1、第2電極設有突出部之保險絲元件之圖，(A)係絕緣基板之俯視圖，(B)係立體圖。

圖16係顯示使用圖9所示之保險絲單元之另一保險絲元件之製造步驟之圖，(A)係絕緣基板之立體圖，(B)係在絕緣基板搭載有保險絲單元之狀態，(C)係在保險絲單元上設有助焊劑之狀態，(D)係顯示搭載有覆蓋構件之狀態及對電路基板之構裝狀態。

圖17係顯示使用另一保險絲單元之另一保險絲元件之立體圖。

圖18(A)、(B)係顯示形成有第1、第2分割電極之絕緣基板之俯視圖。

以下，參照圖式詳細說明本發明適用之保險絲單元及保險絲元件。此外，本發明不僅限定於以下實施形態，在不脫離本發明要旨之範圍內當然可進行各種變更。又，圖式係以示意方式顯示，會有各尺寸之比率等與現實不同之情形。具體之尺寸等應參酌以下說明判斷。又，在圖式彼此間當然含有彼此之尺寸關係或比率不同之部分。

(第1實施形態) (保險絲元件)

本發明之保險絲元件1，如圖1所示，具備絕緣基板2、設在絕緣基板2之第1及第2電極3,4、及構裝在第1及第2電極3,4間且藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷以遮斷第1電極3與第2電極4之間之電流路徑之保險絲單元5。

絕緣基板2係藉由例如氧化鋁、玻璃陶瓷、多鋁紅柱石、氧化鋯等之具有絕緣性之構件形成為方形。絕緣基板2，除此之外，使用用於玻璃環氧基板、酚醛基板等之印刷配線基板之材料亦可。

在絕緣基板之相對向之兩端部形成有第1、第2電極3,4。第1、第2電極3,4分別藉由Cu配線等之導電圖案形成，在表面適當地設有Sn鍍敷等之保護層6作為氧化防止對策。又，第1、第2電極3,4從絕緣基板2之表面2a經由側面至背面2b。保險絲元件1係透過形成在背面2b之第1、第2電極3,4構裝在電路基板之電流路徑上。

(保險絲單元)

構裝在第1及第2電極3,4間之保險絲單元5，係藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱(焦耳熱)而熔斷以遮斷第1電極3與第2電極4之間之 電流路徑。

保險絲單元5係由內層與外層構成之積層構造體，作為內層具有低熔點金屬層5a，作為積層在低熔點金屬層5a之外層具有高熔點金屬層5b，形成為大致矩形板狀。保險絲單元5，在透過焊料等之接著材料8搭載於第1及第2電極3,4間後，藉由回焊焊接等連接於絕緣基板2上。

低熔點金屬層5a，較佳為以Sn為主成分之金屬，係一般稱為「無Pb焊料」之材料(例如千住金屬工業製、M705等)。低熔點金屬層5a之熔點不一定要較回焊爐之溫度高，亦可在200℃程度熔融。高熔點金屬層5b係積層在低熔點金屬層5a之表面之金屬層，係例如Ag或Cu或以此等中之任一者為主成分之金屬，具有即使藉由回焊爐將保險絲單元5構裝在絕緣基板2上時亦不會熔融之高熔點。

保險絲單元5，藉由在作為內層之低熔點金屬層5a積層高熔點金屬層5b作為外層，即使回焊溫度超過低熔點金屬層5a之熔融溫度時，作為保險絲單元5亦不至於熔斷。是以，可藉由回焊高效率地構裝保險絲單元5。

又，保險絲單元5，在既定額定電流流過之期間，亦不會因自身發熱熔斷。此外，若較額定高之值之電流流過，則因自身發熱熔融，遮斷第1及第2電極3,4間之電流路徑。此時，保險絲單元5，藉由熔融之低熔點金屬層5a浸蝕高熔點金屬層5b，高熔點金屬層5b在較熔融溫度低之溫度熔融。是以，可利用低熔點金屬層5a進行之高熔點金屬層5b之浸蝕作用在短時間熔斷保險絲單元5。此外，保險絲單元5之熔融金屬係因第1及第2電極3,4之物理上之引入作用而左右分斷，因此可迅速且確實地遮 斷第1及第2電極3,4間之電流路徑。

又，保險絲單元5，由於在作為內層之低熔點金屬層5a積層高熔點金屬層5b而構成，因此相較於習知由高熔點金屬構成之片狀保險絲等，能大幅地降低熔斷溫度。是以，保險絲單元5，相較於相同尺寸之片狀保險絲等，能使剖面積變大，使電流額定大幅提升。又，可謀求較具有相同電流額定之習知片狀保險絲更小、更薄，快速熔斷性優異。

又，保險絲單元5，可提升對異常高之電壓瞬間地施加於組裝有保險絲元件1之電氣系統之突波之耐性(耐脈衝性)。亦即，保險絲單元5，在例如100A之電流在數msec流動之情形前不會熔斷。關於此點，由於在極短時間流動之大電流在導體之表層流動(表皮效應)，因此保險絲單元5，作為外層設有電阻值低之Ag鍍敷等之高熔點金屬層5b，能使因突波施加之電流較易流動，防止自身發熱導致之熔斷。是以，保險絲單元5，相較於習知由焊料合金構成之保險絲，能使對突波之耐性大幅地提升。

(耐脈衝測試)

此處，說明保險絲元件1之耐脈衝測試。本測試中，作為保險絲元件，準備了在低熔點金屬箔(Sn96.5/Ag/Cu)之兩面分別施加有厚度4μm之Ag鍍敷之保險絲單元(實施例)、與僅由低熔點金屬箔(Pb90/Sn/Ag)構成之保險絲單元(比較例)。實施例之保險絲單元，剖面積為0.1mm²、長度L為1.5mm、保險絲元件電阻為2.4mΩ。比較例之保險絲單元，剖面積為0.15mm²、長度L為1.5mm、保險絲元件電阻為2.4mΩ。

將此等實施例及比較例之保險絲單元之兩端分別焊接於形成在絕緣基板上之第1、第2電極間(參照圖1)，使100A之電流以10秒間 隔在10msec間流動(on=10msec/off=10sec)，測量熔斷前之脈衝數。

如表1所示，實施例之保險絲單元，熔斷前可承受3890次脈衝，但比較例之保險絲單元，儘管剖面積較實施例之保險絲單元大，僅能承受412次。據此，可知在低熔點金屬層積層有高熔點金屬層之保險絲單元之耐脈衝性大幅地提升。

此外，保險絲單元5，較佳為，低熔點金屬層5a之體積較高熔點金屬層5b之體積大。保險絲單元5，藉由使低熔點金屬層5a之體積變多，能有效地進行高熔點金屬層5b之浸蝕導致之在短時間之熔斷。

具體而言，保險絲單元5係內層為低熔點金屬層5a且外層為高熔點金屬層5b之被覆構造，低熔點金屬層5a與高熔點金屬層5b之層厚比亦可為低熔點金屬層：高熔點金屬層=2.1：1~100：1。藉此，可確實地使低熔點金屬層5a之體積較高熔點金屬層5b之體積多，能有效地進行高熔點金屬層5b之浸蝕導致之在短時間之熔斷。

亦即，保險絲單元5，由於在構成內層之低熔點金屬層5a之上下面積層高熔點金屬層5b，因此能使膜厚比成為低熔點金屬層：高熔 點金屬層=2.1：1以上，即低熔點金屬層5a愈厚則低熔點金屬層5a之體積相較於高熔點金屬層5b之體積愈多。又，保險絲單元5，若膜厚比成為低熔點金屬層：高熔點金屬層=超過100：1，即低熔點金屬層5a厚，高熔點金屬層5b薄，則會有高熔點金屬層5b被回焊構裝時之熱熔融之低熔點金屬層5a浸蝕之虞。

上述膜厚之範圍係藉由下述方式求出，即準備改變膜厚之複數個保險絲單元之樣本，透過焊料糊搭載於第1及第2電極3,4上後，施加相當於回焊之260℃之溫度，觀察保險絲單元未熔斷之狀態。

在100μm厚之低熔點金屬層5a(Sn96.5/Ag/Cu)之上下面形成有厚度1μm之Ag鍍敷層之保險絲單元，在260℃之溫度下，Ag鍍敷會熔解而無法維持單元形狀。考量回焊進行之表面構裝，只要相對於100μm厚之低熔點金屬層5a，高熔點金屬層5b之厚度為3μm以上，則確認回焊進行之表面構裝亦可確實地維持形狀。此外，作為高熔點金屬使用Cu之情形，只要厚度為0.5μm以上，則回焊進行之表面構裝亦可確實地維持形狀。

又，藉由高熔點金屬層採用Cu導致之浸蝕性減輕或低熔點金屬層之材料採用Sn/Bi或In/Sn等之熔點低之合金導致之Sn含有量降低，亦可使低熔點金屬層：高熔點金屬層=100：1。

此外，低熔點金屬層5a之厚度，考量使對高熔點金屬層5b之浸蝕擴散且迅速地熔斷，雖亦會有取決於保險絲單元之尺寸之情形，但一般而言較佳為30μm以上。

(製造方法)

保險絲單元5可藉由使用鍍敷技術使高熔點金屬層5b成膜在低熔點金 屬層5a之表面而製造。保險絲單元5可藉由例如在長帶狀之焊料箔表面施加Ag鍍敷高效率地製造，在使用時，藉由與尺寸對應地切斷，可容易使用。

又，保險絲單元5亦可藉由將低熔點金屬箔與高熔點金屬箔加以貼合而製造。保險絲單元5可藉由例如在壓延之二片Cu箔或Ag箔之間夾著同樣壓延之焊料箔並加壓而製造。此情形，較佳為，低熔點金屬箔選擇較高熔點金屬箔柔軟之材料。藉此，可吸收厚度之不均使低熔點金屬箔與高熔點金屬箔無間隙地密合。又，由於低熔點金屬箔藉由加壓而膜厚變薄，因此預先使其較厚即可。低熔點金屬箔因加壓從保險絲單元端面突出之情形，較佳為，切除並使形狀一致。

此外，保險絲單元5，亦可使用蒸鍍等薄膜形成技術或其他周知技術形成在低熔點金屬層5a積層有高熔點金屬層5b之保險絲單元5。

又，保險絲單元5，如圖2所示，亦可將低熔點金屬層5a與高熔點金屬層5b交互地形成有複數層。此情形，作為最外層為低熔點金屬層5a與高熔點金屬層5b之任一者皆可。

又，保險絲單元5，如圖3所示，設高熔點金屬層5b為最外層時，亦可進一步在該最外層之高熔點金屬層5b之表面形成氧化防止膜7。保險絲單元5，藉由最外層之高熔點金屬層5b進一步被氧化防止膜7被覆，例如在作為高熔點金屬層5b形成有Cu鍍敷或Cu箔之情形，亦可防止Cu之氧化。是以，保險絲單元5，可防止熔斷時間因Cu之氧化而變長之事態，可在短時間熔斷。

又，保險絲單元5，作為高熔點金屬層5b可使用Cu等之廉價但易氧化之金屬，可不使用Ag等之高價材料而形成。

高熔點金屬之氧化防止膜7可使用與內層之低熔點金屬層5a相同之材料，可使用例如以Sn為主成分之無Pb焊料。又，氧化防止膜7，可藉由在高熔點金屬層5b之表面施加錫鍍敷而形成。此外，氧化防止膜7亦可藉由Au鍍敷或預焊劑而形成。

又，保險絲單元5，如圖4(A)所示，亦可在低熔點金屬層5a之上面及背面積層高熔點金屬層5b，或如圖4(B)所示，低熔點金屬層5a之對向之二個端面以外之外周部亦可被高熔點金屬層5b被覆。

又，保險絲單元5，亦可為方形之可熔導體，如圖4(C)所示，亦可為圓線狀之可熔導體。再者，保險絲單元5，包含端面之全面亦可被高熔點金屬層5b被覆。

又，保險絲單元5，如圖5所示，亦可在外周之至少一部分設置保護構件10。保護構件10防止保險絲單元5在回焊構裝時之連接用焊料之流入或內層之低熔點金屬層5a之流出以維持形狀，且在超過額定之電流流動時亦防止熔融焊料之流入，防止額定上升導致之快速熔斷性降低。

亦即，保險絲單元5，藉由在外周設置保護構件10，可防止在回焊溫度下熔融之低熔點金屬層5a之流出，維持單元之形狀。尤其是，在低熔點金屬層5a之上面及下面積層高熔點金屬層5b且低熔點金屬層5a從側面露出之保險絲單元5，藉由在外周部設置保護構件10，可防止低熔點金屬從該側面流出，維持形狀。

又，保險絲單元5，藉由在外周設置保護構件10，可防止在超過額定之電流流動時熔融焊料之流入。保險絲單元5，焊接於第1、第2電極3,4上時，會有因超過額定之電流流動時之發熱，用於連接至第1、第 2電極之焊料或構成低熔點金屬層5a之金屬熔融，流入待熔斷之保險絲單元5之中央部之虞。保險絲單元5，若焊料等之熔融金屬流入則電阻值降低，會有妨礙發熱、在既定電阻值不會熔斷、或熔斷時間變長、或在熔斷後損及第1、第2電極3,4間之絕緣可靠性之虞。因此，保險絲單元5，藉由在外周設置保護構件10，可防止熔融金屬之流入，使電阻值固定，在既定電流值迅速地熔斷，且確保第1、第2電極3,4間之絕緣可靠性。

因此，作為保護構件10，較佳為，具備絕緣性或在回焊溫度之耐熱性且具備對熔融焊料等之抗蝕性之材料。例如，保護構件10，如圖5所示，可藉由使用聚醯亞胺膜以接著劑11黏貼於帶狀之保險絲單元5之中央部而形成。又，保護構件10，可藉由將具備絕緣性、耐熱性、抗蝕性之油墨塗布在保險絲單元5之外周而形成。或者，保護構件10可藉由使用耐焊劑塗布在保險絲單元5之外周而形成。

上述由膜、油墨、耐焊劑等構成之保護構件10，可藉由貼著或塗布於長帶狀之保險絲單元5之外周而形成，且在使用時切斷設有保護構件10之保險絲單元5即可，處理性優異。

又，保護構件10，如圖6(A)所示，亦可使用收納保險絲單元5之保護箱10a。此保護箱10a由例如上面開口之筐體12與覆蓋筐體12上面之蓋體13構成。保護箱10a具有使與第1、第2電極3,4連接之保險絲單元5之兩端往外方導出之開口部14。保護箱10a除了導出保險絲單元5之開口部14外係閉塞，防止熔融焊料等往筐體12內滲入。保護箱10a可使用具備絕緣性、耐熱性、抗蝕性之工程塑膠等形成。

保護箱10a，如圖6(B)所示，藉由筐體12之開口之上面側收 納保險絲單元5，如圖6(C)所示，藉由被蓋體13閉塞而形成。保險絲單元5，與第1、第2電極3,4連接之兩端往下方彎折，從筐體12之側面導出。筐體12，藉由被蓋體13閉塞，以形成在蓋體13之內面之凸部13a與筐體12之側面形成保險絲單元5導出之開口部14。

設有上述保護構件10或保護箱10a之保險絲單元5，除了組裝於保險絲元件1使用(參照圖1)以外，自身亦可作為保險絲元件直接表面構裝於電子零件之電路基板上。

(構裝狀態)

接著，說明保險絲單元5之構裝狀態。保險絲元件1，如圖1所示，保險絲單元5與絕緣基板2之表面2a分離構裝。藉此，保險絲元件1，在超過額定之電流流動時，保險絲單元5之熔融金屬在第1、第2電極3,4間不會附著於絕緣基板2之表面2a，可確實地遮斷電流路徑。

另一方面，在藉由印刷將保險絲單元往絕緣基板之表面形成等保險絲單元與絕緣基板之表面相接之保險絲元件，保險絲單元之熔融金屬在第1、第2電極間附著於絕緣基板2上而產生洩漏。例如在藉由將Ag糊印刷至陶瓷基板而形成保險絲單元之保險絲元件，陶瓷與銀被燒結而滲入殘留在第1、第2電極間。因此，因該殘留物洩漏電流在第1、第2電極間流動，無法完全地遮斷電流路徑。

關於此點，在保險絲元件1，與絕緣基板2另外地以單體形成保險絲單元5，且與絕緣基板2之表面2a分離構裝。是以，保險絲元件1，在保險絲單元5熔融時熔融金屬亦不會往絕緣基板2滲入而被引入至第1、第2電極上，可確實地使第1、第2電極間絕緣。

(助焊劑塗布)

又，保險絲單元5，為了防止外層之高熔點金屬層5b或低熔點金屬層5a之氧化與除去熔斷時之氧化物及提升焊料之流動性，如圖1所示，亦可在保險絲單元5上之外層之大致整面塗布助焊劑17。藉由塗布助焊劑17，可提升低熔點金屬(例如焊料)之濕潤性，且除去低熔點金屬熔解間之氧化物，使用對高熔點金屬(例如銀)之浸蝕作用提升快速熔斷性。

又，藉由塗布助焊劑17，在最外層之高熔點金屬層5b之表面形成有以Sn為主成分之無Pb焊料等之氧化防止膜7之情形，亦可除去該氧化防止膜7之氧化物，能有效地防止高熔點金屬層5b之氧化，提升、維持快速熔斷性。

上述保險絲單元5，如上述，可藉由回焊焊接連接於第1、第2電極3,4上，但除此以外，保險絲單元5亦可藉由超音波熔接連接於第1、第2電極3,4上。

又，保險絲單元5，如圖7所示，亦可藉由與第1、第2電極3,4連接之夾持端子21構裝。夾持端子21藉由壓接保險絲單元5之端部而挾持，可容易地進行連接。

藉由夾持端子21物理性嵌合連接之保險絲單元5，除了組裝於保險絲元件1使用外，如圖8所示，亦可自身作為保險絲元件直接組裝於保險絲箱或斷路器裝置。此情形，保險絲單元5，藉由配置在絕緣端子台22上之第1、第2電線端子23,24與夾持端子21挾持，藉由貫通夾持端子21、電線端子23,24及絕緣端子台22之螺栓25與配置在絕緣端子台22背面之螺帽26等之緊固具固定。

(覆蓋構件)

此外，保險絲元件1，如圖1所示，為了保護以上述方式構成之絕緣基板2之表面2a上，亦可將覆蓋構件20載置在絕緣基板2上。

又，保險絲單元5，除了適用於上述藉由超過額定之電流導致之自身發熱而熔斷之保險絲元件1以外，亦可適用於藉由設在絕緣基板之發熱體之加熱而熔斷以遮斷電流路徑之鋰離子二次電池等用之保護元件。

(第2實施形態)

接著，說明本發明適用之另一保險絲單元及保險絲元件。此外，以下說明中，對與上述保險絲元件1相同之構件賦予相同符號以省略其詳細說明。圖9係保險絲單元30之立體圖，圖10係顯示使用保險絲單元30之保險絲元件40之製程之立體圖。

如圖10所示，保險絲元件40，具有設有第1、第2電極3,4之絕緣基板2、搭載在第1、第2電極3,4間之保險絲單元30、設在保險絲單元30上之助焊劑17、及覆蓋設有保險絲單元30之絕緣基板2之表面2a上之覆蓋構件20。保險絲元件40係藉由構裝在電路基板，保險絲單元30係串聯地組裝於形成在該電路基板上之電路。

保險絲元件40係實現小型且高額定之保險絲元件，例如，謀求作為絕緣基板2之尺寸為3~4mm×5~6mm程度之小型且電阻值為0.5~1mΩ、50~60A額定之高額定化。此外，本發明當然可適用於具備各種尺寸、電阻值及電流額定之保險絲元件。

如圖9所示，保險絲單元30，係藉由複數個單元部31A~31C 並聯，具有複數個通電路徑。如圖10(B)所示，複數個單元部31A~31C分別連接於形成在絕緣基板2之表面2a之第1、第2電極3,4間，為電流之通電路徑，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱(焦耳熱)而熔斷。保險絲單元30，藉由所有單元部31A~31C熔斷，遮斷第1、第2電極3,4之間之電流路徑。

保險絲單元30，與上述保險絲單元5同樣地，係由內層與外層構成之積層構造體，作為內層具有低熔點金屬層5a，作為積層在低熔點金屬層5a之外層具有高熔點金屬層5b。又，保險絲單元30，在透過焊料等之接著材料8搭載於第1及第2電極3,4間後，藉由回焊焊接等連接於絕緣基板2上。關於保險絲單元30，低熔點金屬層5a及高熔點金屬層5b之材料或積層構造及其製法、作用效果等、外形，與上述保險絲單元5相同，因此省略詳細說明。

此外，低熔點金屬層5a，藉由以Sn為主成分而熔蝕高熔點金屬，藉由使用例如含有40%以上之Sn之合金，可熔蝕Ag等之高熔點金屬，迅速地熔斷保險絲單元30。

如圖9所示，保險絲單元30，搭載於形成在絕緣基板2之第1、第2電極3,4間之複數個單元部31A~31C係並列。藉此，保險絲單元30，在超過額定之電流通電而熔斷時，即使在產生電弧放電之情形，亦可防止熔斷之保險絲單元廣範圍地飛散，因飛散之金屬形成新的電流路徑，或者飛散之金屬附著在端子或周圍之電子零件等。

亦即，如圖11(A)所示，在廣範圍搭載於絕緣基板40上之電極端子41,42間之保險絲單元43，若施加超過額定之電壓使大電流流動， 則整體會發熱。此外，如圖1(B)所示，保險絲單元43，在整體熔融成為凝集狀態後，如圖11(C)所示，產生大規模之電弧放電且熔斷。因此，保險絲單元43之熔融物爆發性地飛散。因此，會有因飛散之金屬形成新的電流路徑而損及絕緣性，或者因使形成在絕緣基板40之電極端子41,42熔融後一起飛散而附著於周圍之電子零件等之虞。再者，保險絲單元43，由於在整體地凝集後使其熔融、遮斷，因此熔融所需之熱能量變多，快速熔斷性較差。

作為迅速地停止電弧放電以遮斷電路之對策，提案有在中空盒內塞入消弧材或在散熱材周圍螺旋狀地捲繞保險絲單元以產生時間延遲之因應高電壓之電流保險絲。然而，在習知因應高電壓之電流保險絲，必須要封入消弧材或製造螺旋保險絲等複雜之材料或加工程序，因此在保險絲元件之小型化或電流之高額定化等方面不利。

關於此點，保險絲單元30，由於搭載於第1、第2電極3,4間之複數個單元部31A~31C係並列，因此超過額定之電流通電後，較多電流流至電阻值低之單元部31，因自身發熱依序熔斷，僅在最後殘留之單元部31熔斷時產生電弧放電。是以，根據保險絲單元30，即使在最後殘留之單元部31熔斷時產生電弧放電之情形，亦可與單元部31之體積對應地規模較小，可防止熔融金屬之爆發性飛散，且熔斷後之絕緣性亦大幅提升。又，保險絲單元30，由於複數個單元部31A~31C分別地熔斷，因此各單元部31之熔斷所需之熱能量較少即可，能在短時間遮斷。

保險絲單元30，亦可藉由使複數個單元部31中之一個單元部31之一部分或全部之剖面積較其他單元部之剖面積小，相對地電阻變 高。藉由使一個單元部31相對地電阻變高，保險絲單元30，超過額定之電流通電後，較多電流從電阻較低之單元部31通電並使其熔斷。之後，電流集中在殘留之電阻變高之單元部31，最後伴隨著電弧放電而熔斷。是以，保險絲單元30，能使單元部31依序熔斷。又，由於在剖面積小之單元部31熔斷時產生電弧放電，因此與單元部31之體積對應而規模變小，可防止熔融金屬之爆發性飛散。

又，保險絲單元30，較佳為，設置三個以上之單元部且使內側之單元部最後熔斷。例如，如圖9所示，保險絲單元30，較佳為，設置三個單元部31A,31B,31C且使正中央之單元部31B最後熔斷。

如圖12(A)所示，在保險絲單元30，超過額定之電流通電後，首先較多電流流至二個單元部31A,31C後因自身發熱而熔斷。如圖12(B)所示，單元部31A,31C之熔斷並非伴隨自身發熱導致之電弧放電，因此亦無熔融金屬之爆發性飛散。

接著，如圖12(C)所示，電流集中在正中央之單元部31B，伴隨著電弧放電並熔斷。此時，保險絲單元30，藉由使正中央之單元部31B最後熔斷，即使產生電弧放電，亦可藉由先熔斷之外側之單元部31A,31C捕捉單元部31B之熔融金屬。是以，可抑制單元部31B之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

此時，保險絲單元30，亦可藉由使三個單元部31A~31C中之位於內側之正中央之單元部31B之一部分或全部之剖面積較位於外側之其他單元部31A,31C之剖面積小，相對地電阻變高，藉此使正中央之單元部31B最後熔斷。此情形，由於藉由使剖面積相對變小而最後熔斷，因此 電弧放電與單元部31B之體積對應而規模變小，可進一步抑制熔融金屬之爆發性飛散。

(單元製法)

上述形成有複數個單元部31之保險絲單元30，例如圖13(A)所示，可藉由將板狀之低熔點金屬5a與高熔點金屬5b之積層體32之中央部二處衝孔成矩形狀來製造。保險絲單元30，並列之三個單元部31A~31C之兩側被一體地支承。此外，如圖13(B)所示，保險絲單元30，亦可並列之三個單元部31A~31C之單側被一體地支承。

(端子部)

又，保險絲單元30，亦可形成作為形成在絕緣基板2之第1、第2電極3,4之外部連接端子之端子部33。端子部33係搭載有保險絲單元30之保險絲元件40構裝在電路基板後將形成在該電路基板之電路與保險絲單元30加以連接者，如圖9所示，形成在單元部31之長邊方向之兩側。此外，端子部33，藉由保險絲元件40以倒裝方式構裝在電路基板，透過焊料等與形成在電路基板上之電極端子連接。

保險絲元件40，藉由透過形成在保險絲單元30之端子部33與電路基板導通連接，可降低元件整體之電阻值，謀求小型化及高額定化。亦即，保險絲元件40，在絕緣基板2背面設置與電路基板之連接用電極且透過填充有導電糊之貫通孔等與第1、第2電極3,4連接之情形，因貫通孔或雉堞(castellation)之孔徑或孔數之限制或導電糊之電阻率或膜厚之限制，保險絲單元之電阻值以下之實現不易，不易高額定化。

因此，保險絲元件40，在保險絲單元30形成端子部33，且 透過覆蓋構件20往元件外部突出。此外，保險絲元件40，如圖10(e)所示，藉由倒裝構裝在電路基板上，將端子部33直接連接於電路基板之電極端子。藉此，保險絲元件40，可防止介在有導電貫通孔導致之高電阻化，藉由保險絲單元30決定元件之額定，可謀求小型化及高額定化。

又，保險絲元件40，藉由在保險絲單元30形成端子部33，無須在絕緣基板2背面形成與電路基板之連接用電極，僅在表面2a形成第1、第2電極3,4即可，可謀求製造步驟之減少。

設有端子部33之保險絲單元30，可藉由例如將板狀之低熔點金屬5a與高熔點金屬5b之積層體衝孔且將兩側緣部彎折來製造。或者，亦可藉由在第1及第2電極3,4上連接構成端子部33之金屬板來製造。

此外，保險絲元件40，在將構成保險絲單元30之板狀之低熔點金屬5a與高熔點金屬5b之積層體彎折來製造端子部33之情形，由於端子部33與複數個單元部31預先一體形成，因此在絕緣基板2亦可不設置第1、第2電極3,4。此情形，絕緣基板2係用於使保險絲單元30之熱散熱，較佳為使用熱傳導性佳之陶瓷基板。又，作為將保險絲單元30連接於絕緣基板2之接著劑，無導電性亦可，較佳為熱傳導性優異者。

又，作為保險絲單元，亦可藉由將相當於單元部31之複數片單元34並聯於第1及第2電極3,4間來製造。如圖14所示，單元34例如並聯三片單元34A,34B,34C。各單元34A~34C形成為矩形板狀且在兩端彎折形成有端子部33。單元34，亦可藉由使設在內側之正中央之單元34B之剖面積較設在外側之其他單元34A,34C之剖面積小，使電阻相對地變高，使其在最後熔斷。

(保險絲元件)

使用保險絲單元30之保險絲元件40，藉由以下步驟製造。搭載保險絲單元30之絕緣基板2，如圖10(A)所示，在表面2a形成有第1、第2電極3,4。第1、第2電極3,4連接保險絲單元30(圖10(B))。藉此，保險絲單元30，藉由保險絲元件40構裝在電路基板，串聯組裝於形成在電路基板之電路上。

保險絲單元30，透過焊料等連接材料搭載於第1、第2電極3,4間，在保險絲元件40回焊構裝在電路基板時被焊接。又，如圖10(C)所示，在保險絲單元30上設有助焊劑17。藉由設置助焊劑17，可謀求保險絲單元30之氧化防止、濕潤性之提升，可迅速地熔斷。又，藉由設置助焊劑17，可抑制電弧放電造成之熔融金屬往絕緣基板2之附著，提升熔斷後之絕緣性。

接著，如圖10(D)所示，藉由搭載保護絕緣基板2之表面2a上且減少電弧放電造成之保險絲單元30之熔融飛散物之覆蓋構件20，完成保險絲元件40。覆蓋構件20，在長邊方向兩端於寬度方向形成一對腳部，該腳部設置在表面2a上，且保險絲單元30之端子部33從開放之側面往上方突出。

此保險絲元件40，如圖10(E)所示，設有覆蓋構件20之表面2a側係藉由朝向電路基板之倒裝構裝連接。藉此，保險絲元件40，由於保險絲單元30之各單元部31被覆蓋構件20及端子部33覆蓋，因此即使產生電弧放電，熔融金屬亦被端子部33或覆蓋構件20捕捉，可防止往周圍飛散。

(第1、第2電極之突出部)

又，保險絲元件40，如圖15(A)、(B)所示，第1、第2電極3,4之連接一個單元部31之部位形成突出之突出部3a,4a，在突出部3a,4a間之電極間距離亦可較連接其他單元部31之部位之電極間距離短。

藉由在突出部3a,4a上亦搭載單元部31，該單元部31與第1、第2電極3,4及突出部3a,4a之接觸面積增加。因此，該單元部31，在電流流過而自身發熱之情形，由於透過第1、第2電極3,4及突出部3a,4a散熱，因此相較於搭載於未設置突出部3a,4a之部位之其他單元部31較容易冷卻，較其他單元部31晚熔斷。藉此，保險絲元件40，能使保險絲單元30之單元部31依序熔斷。

又，藉由設置突出部3a,4a，電極間距離相較於其他單元部變短。單元部31，由於電極間距離愈長愈容易熔斷，因此搭載於突出部3a,4a上之單元部31相較於其他單元部31不易熔斷，會較其他單元部31晚熔斷。藉此，保險絲元件40，能使保險絲單元30之單元部31依序熔斷。

又，保險絲元件40，較佳為，使用設有三個以上之單元部之保險絲單元30，在第1、第2電極3,4中之搭載內側之單元部31之部位設置突出部3a,4a，使內側之單元部31最後熔斷。例如，如圖15所示，較佳為，使用設有三個單元部31A,31B,31C之保險絲單元30，且在搭載正中央之單元部31B之部位設置突出部3a,4a，使正中央之單元部31B冷卻且縮短電極間距離，使其最後熔斷。

如上述，保險絲單元30，在最後之單元部31熔斷時，由於伴隨著電弧放電，藉由使正中央之單元部31B最後熔斷，即使產生電弧放電，亦可藉由先熔斷之外側之單元部31A,31C捕捉單元部31B之熔融金屬。 是以，可抑制單元部31B之熔融金屬之飛散，防止熔融金屬造成之短路等。

此外，此時，保險絲單元30，亦可藉由使三個單元部31A~31C中之位於內側之正中央之單元部31B之一部分或全部之剖面積較位於外側之其他單元部31A,31C之剖面積小，能使電阻相對地變高，藉此使正中央之單元部31B最後熔斷。此情形，藉由使剖面積相對地變小使其最後熔斷，因此電弧放電亦與單元部31B之體積對應地規模變小。

又，本發明適用之保險絲元件，如圖16(B)所示，亦可使端子部33與保險絲單元30一體成形，且使該端子部33嵌合於絕緣基板2之側面，在絕緣基板2之背面側突出。

此保險絲元件50，如圖16(C)所示，在保險絲單元30上設置助焊劑17，接著，如圖16(D)所示，藉由在絕緣基板2之表面2a上搭載覆蓋構件20來製造。端子部33從覆蓋構件20之開放側面往絕緣基板2之背面側突出。此外，在保險絲元件50，未必要搭載覆蓋構件20。

此外，保險絲元件50係藉由焊料等連接材料使絕緣基板2之背面朝向電路基板構裝。藉此，保險絲元件50，端子部33與形成在電路基板之電極端子連接，保險絲單元30與電路基板之電路串聯。

此保險絲元件50，如圖16(A)所示，藉由在絕緣基板2之側面形成保險絲單元30之端子部33嵌合之嵌合凹部35，對電路基板之構裝面積不會變廣，且可固定保險絲單元30之嵌合位置。

此外，圖16所示之保險絲元件50，亦可不在絕緣基板2之表面2a形成第1、第2電極3,4。藉此，保險絲元件50，不須在絕緣基板2之表面2a形成電極，可謀求製造步驟之減少。

又，在保險絲元件50，絕緣基板2係用於使保險絲單元30之熱散熱，較佳為使用熱傳導性佳之陶瓷基板。又，作為將保險絲單元30連接於絕緣基板2之接著劑，無導電性亦可，較佳為熱傳導性優異者。再者，此保險絲元件50亦可在絕緣基板2之背面形成散熱用之電極。

又，保險絲元件50，如圖17所示，亦可藉由將相當於單元部31之複數片單元51並聯於第1及第2電極3,4間來製造。各單元51，彎折形成端子部52且使該等端子部52嵌合於絕緣基板2之側面，在絕緣基板2之背面側突出。

此情形，亦可不形成設在絕緣基板2之表面2a之第1、第2電極3,4。又，保險絲元件50，亦可使三片單元51並聯，藉由使設在內側之正中央之單元51B之剖面積較設在外側之其他單元51A,51B之剖面積小，使電阻相對地變高，使其最後熔斷。

(第1、第2電極之分割)

又，保險絲元件40，如圖18(A)所示，第1、第2電極3,4亦可與保險絲單元30之複數個單元部31A~31C或複數片單元34之搭載位置對應地分割成第1分割電極3A~3C及第2分割電極4A~4C。同樣地，保險絲元件50，如圖18(B)所示，第1、第2電極3,4亦可與保險絲單元30之單元部31A~31C或複數片單元51之搭載位置對應地分割成第1分割電極3A~3C及第2分割電極4A~4C。

藉由將第1電極3分割成第1分割電極3A~3C，將第2電極4分割成第2分割電極4A~4C，可抑制保險絲單元30之單元部31A~31C或複數片單元34,51之焊接時之焊料之表面張力造成之構裝偏移或非預期之 焊料累積。

1‧‧‧保險絲元件

2‧‧‧絕緣基板

2a‧‧‧表面

2b‧‧‧背面

3‧‧‧第1電極

4‧‧‧第2電極

5‧‧‧保險絲單元

5a‧‧‧低熔點金屬層

5b‧‧‧高熔點金屬層

6‧‧‧保護層

8‧‧‧接著材料

17‧‧‧助焊劑

20‧‧‧覆蓋構件

Claims (45)

1. 一種保險絲單元，係構成保險絲元件之通電路徑，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷，其特徵在於，具有：低熔點金屬層；以及高熔點金屬層，係積層於該低熔點金屬層；該低熔點金屬層具有在該通電時浸蝕該高熔點金屬層並加以熔斷之作用。
2. 如申請專利範圍第1項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層係焊料；該高熔點金屬層係Ag、Cu、或以Ag或Cu為主成分之合金。
3. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層之體積較該高熔點金屬層大。
4. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層與該高熔點金屬層之膜厚比，係低熔點金屬層：高熔點金屬層=2：1~100：1。
5. 如申請專利範圍第4項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層之膜厚係30μm以上；該高熔點金屬層之膜厚係3μm以上。
6. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該高熔點金屬層係藉由鍍敷形成在該低熔點金屬層之表面。
7. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該高熔點金屬層係藉由在該低熔點金屬層之表面黏貼金屬箔形成。
8. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該高熔點金屬層係藉由薄膜形成步驟形成在該低熔點金屬層之表面。
9. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，在該高熔點金屬層之表面進一步形成有氧化防止膜。
10. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層與該高熔點金屬層係交互積層有複數層。
11. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，該低熔點金屬層之對向二端面以外之外周部被該高熔點金屬層被覆。
12. 如申請專利範圍第1或2項之保險絲單元，其中，外周之至少一部分被保護構件保護。
13. 如申請專利範圍第1項之保險絲單元，其具有並列之複數個單元部；該複數個單元部係藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷。
14. 如申請專利範圍第13項之保險絲單元，其中，該複數個單元部依序熔斷。
15. 如申請專利範圍第14項之保險絲單元，其中，一個該單元部之一部分或全部之剖面積較其他單元部之剖面積小。
16. 如申請專利範圍第13或14項之保險絲單元，其中，三個該單元部係並列；正中央之該單元部最後熔斷。
17. 如申請專利範圍第16項之保險絲單元，其中，正中央之該單元部之一部分或全部之剖面積較兩側之單元部之剖面積小。
18. 如申請專利範圍第1、2、13至15項中任一項之保險絲單元，其中，形成有作為該保險絲元件之外部連接端子之端子部。
19. 如申請專利範圍第5項之保險絲單元，其中，該高熔點金屬層之膜 厚係0.5μm以上。
20. 一種保險絲元件，具備：絕緣基板；以及保險絲單元，搭載於該絕緣基板上，藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷通電路徑；該保險絲單元，具有：低熔點金屬層；以及高熔點金屬層，係積層於該低熔點金屬層；該低熔點金屬層具有在該通電時浸蝕該高熔點金屬層並加以熔斷之作用。
21. 如申請專利範圍第20項之保險絲元件，其具有設在該絕緣基板之第1及第2電極；該保險絲單元係構裝在該第1及第2電極間。
22. 如申請專利範圍第21項之保險絲元件，其中，該保險絲單元與該第1及第2電極焊接。
23. 如申請專利範圍第21項之保險絲元件，其中，該保險絲單元係藉由超音波熔接與該第1及第2電極連接。
24. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之保險絲元件，其中，該保險絲單元與該絕緣基板分離構裝。
25. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之保險絲元件，其中，該保險絲單元之表面係以助焊劑塗布。
26. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之保險絲元件，其中，藉由 覆蓋構件覆蓋該絕緣基板上。
27. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之保險絲元件，其具有並列之複數個該保險絲單元或具有並列之複數個單元部之該保險絲單元；該保險絲單元係藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷。
28. 如申請專利範圍第27項之保險絲元件，其中，複數個該保險絲單元或複數個該單元部依序熔斷。
29. 如申請專利範圍第28項之保險絲元件，其中，一個該保險絲單元或一個該單元部之一部分或全部之剖面積較其他保險絲單元或其他單元部之剖面積小。
30. 如申請專利範圍第27項之保險絲元件，其中，三個該保險絲單元或三個該單元部係並列；正中央之該保險絲單元或正中央之該單元部最後熔斷。
31. 如申請專利範圍第30項之保險絲元件，其中，正中央之該保險絲單元或正中央之該單元部之一部分或全部之剖面積較兩側之保險絲單元或兩側之單元部之剖面積小。
32. 如申請專利範圍第28項之保險絲元件，其中，複數個該保險絲單元或複數個該單元部在設在該絕緣基板之第1及第2電極間並列；該第1及第2電極之連接一個該保險絲單元或一個該單元部之部位突出，電極間距離較連接其他該保險絲單元或其他該單元部之部位之電極間距離短。
33. 如申請專利範圍第29項之保險絲元件，其中，複數個該保險絲單元或複數個該單元部在設在該絕緣基板之第1及第2電極間並列； 該第1及第2電極之連接一個該保險絲單元或一個該單元部之部位突出，電極間距離較連接其他該保險絲單元或其他該單元部之部位之電極間距離短。
34. 如申請專利範圍第30項之保險絲元件，其中，三個該保險絲單元或三個該單元部在設在該絕緣基板之第1及第2電極間並列；該第1及第2電極之連接正中央之該保險絲單元或正中央之該單元部之部位突出，電極間距離較連接其他該保險絲單元或其他該單元部之部位之電極間距離短。
35. 如申請專利範圍第31項之保險絲元件，其中，三個該保險絲單元或三個該單元部在設在該絕緣基板之第1及第2電極間並列；該第1及第2電極之連接正中央之該保險絲單元或正中央之該單元部之部位突出，電極間距離較連接其他該保險絲單元或其他該單元部之部位之電極間距離短。
36. 如申請專利範圍第27項之保險絲元件，其中，在該保險絲單元形成有作為外部連接端子之端子部。
37. 如申請專利範圍第36項之保險絲元件，其中，該保險絲單元係以該端子部在該絕緣基板之表面上突出之方式連接；該端子部與覆蓋構件一起覆蓋該保險絲單元之熔斷部位。
38. 如申請專利範圍第36項之保險絲元件，其中，該保險絲單元之該端子部嵌合於該絕緣基板之側面。
39. 如申請專利範圍第38項之保險絲元件，其中，在該絕緣基板之與搭載該保險絲單元之面相反側之面形成有散熱用電極。
40. 如申請專利範圍第27項之保險絲元件，其中，該保險絲單元係藉由接著劑與該絕緣基板連接。
41. 如申請專利範圍第27項之保險絲元件，其中，該第1及第2電極係對應複數個該保險絲單元或複數個該單元部之搭載位置而分割。
42. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之保險絲元件，其中，在該保險絲單元形成有作為外部連接端子之端子部；該保險絲單元係藉由超過額定之電流通電導致之自身發熱而熔斷。
43. 如申請專利範圍第42項之保險絲元件，其中，該保險絲單元係以該端子部在該絕緣基板之表面上突出之方式連接；該端子部與覆蓋構件一起覆蓋熔斷部位。
44. 如申請專利範圍第42項之保險絲元件，其中，該保險絲單元之該端子部嵌合於該絕緣基板之側面。
45. 如申請專利範圍第44項之保險絲元件，其中，在該絕緣基板之與搭載該保險絲單元之面相反側之面形成有散熱用電極。