TW201502122A - 用於有機光電裝置之化合物、含彼之有機發光二極體以及包括該有機發光二極體之顯示器 - Google Patents

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Seok-Hwan Hwang
Young-Kook Kim
Hye-Jin Jung
Jun-Ha Park
Eun-Young Lee
Sang-Hyun Han
Eun-Jae Jeong
Soo-Yon Kim
Jong-Hyuk Lee
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Abstract

一種用於有機光電裝置的化合物，該化合物如以下化學式1所示： □ 其中，R1、R2、R3、R4、Ar1、Ar2、Ar3、L1、L2、L3、n1、n2以及n3係如說明書之進一步定義。

Description

用於有機光電裝置之化合物、含彼之有機發光二極體以及包括該有機發光二極體之顯示器
實施態樣係關於一種用於有機光電裝置(organic optoelectronic device)、含彼之有機發光二極體以及包括該有機發光二極體之顯示裝置。
有機光電裝置係一種需要利用電洞(holes)或電子(electrons)在電極與有機材料之間交換電荷的裝置。
有機光電裝置可依照驅動原理分類如下。第一種有機光電裝置係一種以如下方式驅動的電子裝置：藉由來自外部光源的光子在有機材料層中產生激子；激子分離成電子及電洞；且電子及電洞移轉至不同的電極，作為電流來源(電壓來源)。
第二種有機光電裝置係一種以如下方式驅動的電子裝置：在至少二個電極施加一電壓或一電流，以將電子及/或電洞注入至位於該等電極之界面處的有機材料半導體；且該裝置係藉由所注入的電子及電洞來驅動。
實施態樣係關於一種用於有機光電裝置的化合物，該化合物係如以下化學式1所示：
其中，在上述化學式1中，Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基，L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，以及n1至n3各自獨立為0至3的整數。
用於一有機光電裝置的該化合物可如以下化學式2所示：[化學式2]
在上述化學式2中，Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基，L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，以及n1至n3各自獨立為0至3的整數。
Ar1及Ar2可各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基。
Ar1以及Ar2可各自獨立為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基(anthracenyl)、或經取代或未經取代之菲基(phenanthrenyl)。
Ar1及Ar2中之至少一者可為經取代或未經取代之二苯并呋喃基(dibenzofuranyl)、經取代或未經取代之二苯并噻吩基(dibenzothiophenyl)、經取代或未經取代之咔唑基、或經取代或 未經取代之茀基。
L1至L3可各自獨立為經取代或未經取代之伸苯基、或經取代或未經取代之伸萘基。
Ar3可為經取代或未經取代之苯基、或經取代或未經取代之聯苯基。
Ar1及Ar2中之至少一者可為矽基、氰基、氘、鹵素、或經C1至C10烷基取代之C6至C30芳基。
實施態樣亦關於一種有機發光二極體，包括一陽極、一陰極、以及至少一介於該陽極與該陰極之間的有機薄層，至少一有機薄層包括該用於有機光電裝置的化合物。
該有機薄層可包括電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、或發射層。
該有機薄層可為電子注入層(EIL)或電子傳輸層(ETL)。
該有機薄層可為發射層。
該化合物可作為發射層中的主體(host)。
該化合物可作為發射層中之紅色、綠色、藍色或白色主體。
一種可包括該有機發光二極體的顯示裝置。
藉由例示性實施態樣的詳細描述並參照所附圖式，發明特徵對於本領域具通常知識者而言將變得明顯。
100、200、300、400、500‧‧‧有機發光二極體
105‧‧‧有機薄層
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
130、230‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞傳輸層(HTL)
150‧‧‧電子傳輸層(ETL)150
160‧‧‧電子發射層(EIL)160
170‧‧‧電洞注入層(HIL)
第1圖至第5圖係舉例說明顯示出根據各種實施態樣之有機發光二極體的截面圖。
以下將參考所附圖式更全面地描述例示性實施態樣；然而，該等例示性實施態樣尚可以不同的形式實施，且不應被解釋為限於本文所述之實施態樣。而是，這些實施態樣係用來使得本揭露更加透徹及完整，且可充分傳達例示性實施予本技術領域技藝人士。
在所繪圖式中，各層及區域之尺寸可能為了清晰而較為誇大。亦應理解，當一層或元件被描述為位於另一層或基材「上」時，其可直接位於該另一層或基材之上，或者可存在中間層。此外，應理解，當一層被描述位於另一層「下」時，其可直接位於該另一層之下，亦可存在一或多個中間層。此外，亦應理解，當一層被描述位於二層「之間」時，其可為該二層間之唯一一層，或者亦可存在一或多個中間層。在本說明書通篇中，相似的參考編號將指定給相似之元件。
除非提供額外定義，否則在本文中使用時，術語「經取代」係描述取代基或化合物的氫被替換成氚、鹵素、羥基，胺基，經取代或未經取代C1至C30胺基、硝基、經取代或未經取代之C1至C40矽基、C1至C30烷基、C1至C10烷矽基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(如三氟甲基或類此基團)或者氰基。
此外，經取代之鹵素、羥基、胺基、經取代或未經取代之C1至C20胺基、硝基、經取代或未經取代之C1至C40矽基、C1至C30烷基、C1至C10烷矽基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(如 三氟甲基或類此基團)或者氰基之二個相鄰取代基可彼此稠合成一環。
在本說明書中，除非另外提供額外定義，否則術語「雜原子(hetero)」係指包括1至3個選自N、O、S以及P的雜原子，且在化合物或取代基中保留有碳者。
在本說明書中，除非另外提供額外定義，否則術語「其組合(combination thereof)」係指至少二個彼此以一鏈(linker)連接之取代基、或至少二個彼此縮合或混合之取代基。
除非提供額外定義，否則在本文中使用時，術語「烷基」指的可以是脂肪族烴基。烷基指的可以是沒有任何雙鍵或三鍵的「飽和烷基」。
烷基可為C1至C20烷基。舉例而言，烷基可為C1至C10烷基或C1至C6烷基。舉例而言，C1至C4烷基在烷基鏈中包括1至4個碳，且可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、二級丁基及叔丁基(t-butyl)。
烷基的具體實施例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基等。
在本文中使用時，術語「芳基」係描述環型取代基，其中環中的所有元素皆具有形成共軛的p軌域。芳基可為單環的或稠環多環的(即共享相鄰的碳原子對的環)官能基。
在本文中使用時，術語「雜芳基」可描述在一官能基團中包括1至3個選自N、O、S以及P之雜原子及一碳的剩餘部分的芳基。雜芳基可為一其中每個環包括1至3個雜原子的稠 環。
經取代或未經取代之C6至C30芳基及/或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基的實例可為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或非經取代之稠四苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或非經取代之對-聯三苯基、經取代或未經取代之間-聯三苯基、經取代或未經取代之[草快]基(chrysenyl)、經取代或未經取代之聯三伸苯基(triphenylenyl)、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之茚基、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之苯硫基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之[口咢]唑基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之噻二唑基(thiadiazolyl)、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡[口井]基、經取代或未經取代之三[口井]基、經取代或未經取代之苯并呋喃基、經取代或未經取代之苯並噻吩基(benzothiophenyl)、經取代或未經取代之苯并咪唑基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之喹啉基(quinolinyl)、經取代或未經取代之異喹啉基、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之喹[口咢]啉基、經取代或未經取代之[口奈]啶基、經取代或未經取代之苯并[口咢][口井]基、經取代或未經取代之苯并噻唑基(benzothiazinyl)、經取代或未經取代之吖啶基、經取代或未經取代之啡[口井]基、經取代或未經取代之 啡噻[口井]基、經取代或未經取代之啡[口咢][口井]基、或其組合。
在本文使用時，電洞特性係指在陽極中形成的電洞因為HOMO能階(HOMO level)的導電特性，而容易被注入到發射層及傳輸到發射層的特性。更具體而言，其類似於電子排斥(electron-repelling)的特性。
此外，電子特性係指在陰極中形成的電子因為LUMO能階(LUMO level)的導電特性，而容易被注入到發射層及傳輸到發射層的特性。更具體而言，其類似於電子吸引(electron-withdrawing)的特性。
於一實施態樣中，係提供如以下化學式1所示之化合物：
在上述化學式1中，Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基；L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸 雜芳基；且n1至n3各自獨立為0至3的整數。
如上述化學式1所示，根據本實施態樣的該化合物包括一縮合化合物核心，從而可增進玻璃轉移轉移溫度(glass transition temperature)以及結晶性質。
上述化學式1所示之該化合物可包括各種取代基，且因此可具有多種能量帶間隙(energy bandgap)。
該化合物依取代基而可具有一適當的能階，因此可強化有機光電裝置的電洞傳輸特性或電子傳輸特性，並為效率以及驅動電壓帶來極佳的功效。除此之外，該化合物可具有極佳的電化學穩定性以及熱穩定性，因此可增進有機光電裝置在操作期間的壽命特性。
舉例而言，該化合物可由以下化學式2表示：
在上述化學式2中，Ar1及Ar2可各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3可各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基，L1至L3可各自獨 立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，以及n1至n3可各自獨立為0至3的整數。
上述化學式2的該結構係上述化學式1中有些取代基的位置受到限制的實例。
作為實例，Ar1及Ar2可各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基。
作為實例，Ar1以及Ar2可各自獨立為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、或經取代或未經取代之菲基。
在其他實施中，Ar1及Ar2中之至少一者可為經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基、經取代或未經取代之咔唑基、或經取代或未經取代之茀基。
該化合物的電洞及/或電子特性可被適當地調整。
作為實例，Ar1及Ar2中之至少一者可為如以下化學式3或4所示之取代基。
在上述化學式3及4中，R3至R6可各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基。
此外，L1至L3可被選擇性的調整，以決定該化合物的共軛長度。因此，三重能量帶間隙可基於L1至L3的調整而受到調整。由此可在有機光電子裝置中可提供所欲之材料特性。此外，可藉由在鄰、間以及對位中改變結合位置，來調整三重能量帶間隙。
L1以及L2各自可為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基。該化合物可具有合適的電洞以及電子特性。
L1以及L2的實例包括經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸聯苯基(biphenylene group)、經取代或未經取代之伸聯三苯基(terphenylene group)、經取代或未經取代之伸萘基(naphthylene group)、經取代或未經取代之伸蒽基(anthracenylene group)、或經取代或未經取代之伸菲基(phenanthrylene group)、經取代或未經取代之伸芘基(pyrenylene group)、經取代或未經取代之芴基(fluorenylene)、經取代或非經取代之對-聯三苯基、經取代或未經取代之間-聯三苯基、經取代或未經取代之苝基等。
作為實例，Ar3可為經取代或未經取代之苯基、或經取代或未經取代之聯苯基。
作為實例，Ar1及Ar2中之至少一者可為矽基、氰基、氘、鹵素、或經C1至C10烷基取代之C6至C30芳基。
根據一實施態樣，該化合物的實例可為如下。
在其他的實施態樣中，有機光電裝置可包括一陽極、一陰極以及至少一介於該陽極與該陰極之間的有機薄層。根據實施態樣，該至少一有機薄層可包括該用於有機光電裝置之化合物。
該用於有機光電裝置的化合物可用於有機薄層中，從而增進有機光電裝置的壽命特性、效率特性、電化學穩定性以及熱穩定性，且可降低驅動電壓。
該有機薄層可為一發射層。
該有機光電裝置可為一有機光發光二極體、有機光電裝置、有機太陽能電池、有機電晶體、有機感光鼓、或有機記憶裝置。
舉例而言，該有機光電裝置可為一有機發光二極體。第1圖至第5圖係說明根據一實施態樣之包括該用於有機光電裝置之化合物的有機發光二極體的截面圖。
參照第1圖至第5圖，根據實施態樣的有機發光二極體100、200、300、400以及500包括介於陽極120及陰極110之間的至少一有機薄層105。
陽極120可包括具高功函數的陽極材料以協助電洞注入至有機薄層。作為實例，該陽極材料可包括：金屬，例如鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、或金、或前述之合金；金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)；鍵合之金屬與氧化物(bonded metal and oxide)，例如ZnO：Al或SnO2：Sn；或導電聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)(poly(3-methylthiophene))、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene]，PEDT)、聚砒咯以及聚 苯胺(polyaniline)。舉例而言，陽極120可為包括氧化銦錫(ITO)的透明電極。
陰極110可包括具有低功函數的陰極材料，以協助電子注入至有機薄層。作為實例，該陰極材料可包括：金屬，例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫或鉛、或前述之合金；或多層材料(multi-layered material)，例如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al或BaF2/Ca。舉例而言，陰極120可為包括鋁的金屬電極。
參照第1圖，有機發光二極體100可包括一僅包括一發射層130的有機薄層105。
參照第2圖，雙層有機發光二極體200可包括一有機薄層105，有機薄層105包括一包括電子傳輸層(ETL)之發射層230與電洞傳輸層(HTL)140。如第2圖所示，有機薄層105可包括發射層230及電洞傳輸層(HTL)140的雙層。發射層230也可作為電子傳輸層(ETL)。電洞傳輸層(HTL)140可與透明電極(例如ITO)具有極佳的結合特性，或可具有極佳電洞傳輸能力。
參照第3圖，三層有機發光二極體300可包括一有機薄層105，有機薄層105包括電子傳輸層(ETL)150、發射層130以及電洞傳輸層(HTL)140。發射層130可獨立安裝，且具有極佳電子傳輸能力或極佳電洞傳輸能力的層可分開堆疊。
如第4圖所示，四層有機發光二極體400可包括一有機薄層105，有機薄層105包括電子發射層(EIL)160、發射層130、電洞傳輸層(HTL)140以及用以附著ITO陰極的電洞注入 層(HIL)170。
如第5圖所示，五層有機發光二極體500可包括一有機薄層105，有機薄層105包括電子傳輸層(ETL)150、發射層130、電洞傳輸層(HTL)140以及電洞注入層(HIL)170，並且還可以包括電子注入層(EIL)160以達到低電壓。
在第1至第5圖中，包括選自電子傳輸層(EIL)150、電子注入層(EIL)160、發射層130及230、電洞傳輸層(HIL)140、電洞注入層(HIL)170及其組合之至少一者的有機薄層105，可包括根據實施態樣之用於有機光電裝置的化合物。
尤其，該化合物可用於發射層130及230，也可用在發射層中作為綠磷光摻雜劑(green phosphorescent dopant)。
該有機發光二極體可藉由以下方式製造：在基材上形成陽極；利用乾式塗膜法或濕式塗膜法來形成有機薄層，乾式塗膜法例如是蒸發塗層法(evaporation)、濺鍍(sputtering)、等離子電鍍(plasma plating)、及離子電鍍(plasma plating)，濕式塗膜法例如是旋轉塗膜(spin coating)、浸漬(dipping)以及流動塗膜；以及在其上提供陰極。
其他實施態樣係提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括根據上述實施態樣之有機光電裝置。
以下，參考實施力更詳細說明實施態樣。
(製備用於有機光電裝置的化合物) 合成實施例1：化合物1的合成
[反應流程1]
中間產物I-1的合成
將10.0公克(55.4毫莫耳)的9,10-二氫化菲(9,10-dihydrophenanthrene)、21.8公克(121.0毫莫耳)的N-溴琥珀醯亞胺(N-bromosuccinimide)以及0.5公克(2.7毫莫耳)的對-甲苯磺酸(p-TsOH)溶於30毫升的乙腈中，並將所得溶液在50℃下攪拌12小時。將反應溶液冷卻至室溫，然後攪拌30分鐘以萃取結晶。使用減壓過濾器收集結晶並以甲醇洗滌之，獲得8.4公克的灰色中間產物I-1(產率：45%)。以液相層析質譜儀(LC-MS)檢驗所製得的化合物。C14H10Br2 M+ 335.9
中間產物I-2的合成
將5.0公克(15.0毫莫耳)的中間產物I-1完全溶解在50毫升的二氯甲烷中，並在室溫下於其中加入1.7公克(30.0毫莫耳)的硝酸，然後緩慢滴加1.5公克(15.0毫莫耳)的硫酸，將所得混合物 於30℃下攪拌6小時。反應完成後，將反應物冷卻至室溫，且在冷卻後，加入50毫升的甲醇，然後將所得混合物攪拌2小時，以萃取結晶。使用減壓過濾器收集結晶並以甲醇清洗之，獲得5.2公克的黃色結晶中間產物I-2(產率：90%)。以LC-MS檢驗所製得的化合物。C14H9Br2NO2 M+ 380.9
中間產物I-3的合成
將4.6公克(12.0毫莫耳)的中間產物I-2溶於30毫升的鄰-二氯苯中，加熱所得溶液制完全呈溶液態，於其中加入4.7公克(18.0毫莫耳)的三苯膦，並將所得混合物在180℃下攪拌3小時。將反應溶液冷卻至室溫，將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，並以甲醇清洗之，獲得2.9公克的白色結晶中間產物I-3(產率：70%)。以LC-MS檢驗所製得的化合物。 C14H11Br2N M+ 350.9
中間產物I-4的合成
在氧氣氣氛下將10公克(10.0毫莫耳)的中間產物I-3溶於100毫升的甲苯中，在室溫下於其中加入0.6公克(0.3毫莫耳)的2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone)以及0.2公克(0.3毫莫耳)的NaNO2，將所得混合物在110℃下攪拌6小時。反應完成後，將反應溶液冷卻至室溫，並將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，並以甲醇清洗之，獲得3.1公克的中間產物I-4(產率：90%)。以LC-MS檢驗所製得的化合物。C14H7Br2N M+ 346.8
中間產物I-5的合成
將3.4公克(10.0毫莫耳)的中間產物I-4、2.5公克(12.0毫莫耳)的碘化苯、0.2公克(1.0毫莫耳)的1,10-菲啉(1,10-phenanthroline)、0.2公克(2.0毫莫耳)的CuI、及4.1公克(30.0毫莫耳的)K2CO3溶於30毫升的DMF(N,N-二甲基甲醯胺)中，將所得溶液在80℃下攪拌24小時。將反應溶液冷卻至室溫然後以30毫升的水以及40毫升的二乙醚萃取三次。將所收集的有機層以硫酸鎂乾燥，將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，獲得3.8公克的中間產物I-5(產率：89%)。以LC-MS檢驗所製得的化合物。C20H11Br2N M+ 422.9
化合物1的合成
將2.5公克(5.0毫莫耳)的中間產物I-5、1.3公克(11.0毫莫耳)的苯硼酸(phenylboronic acid)、0.58公克(0.5毫莫耳)的Pd(PPh3)4及2.1公克(15.0毫莫耳)的K2CO3溶於40毫升之體積比為2/1的THF/H2O中，將所得溶液在80℃下攪拌5小時。將反應溶液冷卻至室溫，然後以30毫升的水以及30毫升的二乙醚萃取三次。將所收集的有機層以硫酸鎂乾燥，並將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，獲得1.4公克的化合物1(產率：67%)。以快速原子撞擊質譜分析(MS/FAB)以及氫核磁共振(1H NMR)檢驗所製得之化合物。C32H21N cal.419.17,found 420.17。1H NMR(CDCl3,400MHz)d 8.02(m,2H),7.87-7.84(s,4H),7.93-7.88(m,2H),7.86(m,2H),7.84-7.80(m,4H),7.77-7.65(m,5H),7.59(d,2H)。
合成實施例2：化合物46的合成
中間產物I-6的合成
將10.0公克(23.6毫莫耳)的中間產物I-5溶於100毫升的THF中，且在78℃下緩慢滴加10毫升的n-BuLi(25.0毫莫耳，2.5M之正己烷溶液)。將所得混合物在相同溫度下攪拌1小時，緩慢滴加9.3毫升(50.0毫莫耳)的2-異丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼戊環(2-isoproxy-4,4,5,5,-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane)，並將所得反應溶液在-78℃下攪拌1小時，並在室溫下再攪拌24小時。反應完成後，加入50毫升的10% HCl水溶液以及50毫升的水，然後以80毫升的二乙醚萃取混合物三次。將所收集的有機層以硫酸鎂乾燥，並將藉由蒸發溶劑獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，獲得8.1公克的中間產物I-6(產率：73%)。以LC-MS檢驗所製得的化合物。C26H23BBrNO2：M+ 471.1
中間產物I-7的合成
將4.7公克(10.0毫莫耳)的中間產物I-6、2.7公克(13.0毫莫耳)的1-溴萘(1-bromo-naphthalene)、0.58公克(0.5毫莫耳)的Pd(PPh3)4、及2.1公克(15.0毫莫耳)的K2CO3溶於40毫升之體積比為2/1的THF/H2O中，然後將所得溶液在80℃下攪拌5小時。將反應溶液冷卻至室溫，加入40毫升的水，然後將所得混合物以50毫升的二乙醚萃取三次。將所收集的有機層以硫酸鎂乾燥，將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，獲得3.4公克的中間產物I-7(產率：72%)。以LC-MS檢驗所製得之化合物。C30H18BrN M+ 472.1
化合物46的合成
以與合成化合物1相同的方法製得1.9公克的化合物46(產率：82%)，惟係使用中間產物I-7而不是中間產物I-5。以MS/FAB及1H NMR檢驗所製得之化合物。C36H23N cal.469.18,found 470.18。1H NMR(CDCl3,400MHz)d 8.17(m,1H),8.02(m,1H),7.92-7.84(m,4H),7.76-7.74(m,1H),7.63-7.35(m,13H),7.29(d,1H),7.25-7.13(m,2H)。
合成實施例3：化合物61的合成
中間產物I-8的合成
將1.91公克(10.0毫莫耳)的6H-二苯甲酮[二乙基甲醯胺清]咔唑(6H-benzo[def]carbazole)完全溶解在60毫升的四氯化碳(CCl4) 中，在所得之溶液中加入3.56公克(20.0毫莫耳)的N-溴琥珀醯亞胺，然後在80℃下攪拌所得混合物30分鐘。將反應溶液冷卻至室溫然後攪拌30分鐘以萃取結晶。使用減壓過濾器收集結晶並以甲醇清洗之，獲得1.71公克的白色晶體中間產物I-1(產率：49%)。以LC-MS檢驗所製得之化合物。C14H7Br2N：M+ 346.9
中間產物I-9的合成
將10.0公克(28.7毫莫耳)的中間產物I-1、7.0公克(34.4毫莫耳)的碘化苯、0.5公克(2.87毫莫耳)的10-啡啉(10-phenanthroline)、1.1公克(5.74毫莫耳)的CuI、及11.9公克(86.1毫莫耳)的K2CO3溶於100毫升的DMF(二甲基甲醯胺)中，將所得之溶液在80℃下攪拌24小時。將反應溶液冷卻至室溫，然後以100毫升的水萃取之。將所收集的有機層以硫酸鎂乾燥，並將藉由蒸發溶劑所獲得的殘留物通過矽膠管柱層析分離以及純化，獲得9.51公克的中間產物I-2(產率：78%)。以LC-MS檢驗所製得之化合物。C20H11Br2N：M+ 422.9
化合物61的合成
以與合成化合物1相同之方法製得1.6公克的化合物61(產率：75%)，惟係使用中間產物I-9而不是中間產物I-5外。以MS/FAB及1H NMR檢驗所製得之化合物。C32H21N cal.419.52,found 420.52.1H NMR(CDCl3,400MHz)d 8.14-8.11(m,4H),8.13(s,1H),8.11(s,1H),8.06-7.97(m,8H),7.91-7.83(m,5H),7.47(s,2H)
下述表1的化合物係以與反應流程1至3相似的方法所合成。化合物之檢驗數據係提供如下。特定言之，在反應流程1至3中的中間產物(-Br or -B(OH)2)係用來以與上述方法類似 的合成方法合成大部分的化合物。
(有機發光二極體的製造)
下述的實施例以及比較實施例係用來凸顯一或多個實施態樣的特性，但應理了解，實施例以及比較性實施例並非用於限制實施態樣的範圍，比較實施例也不應視為在實施態樣的範圍之外。此外，應了解，實施態樣並不限制於實施例以及比較實施例中所描述之特定細節。
實施例1
將15歐姆/平方公分(1200埃)之ITO玻璃基材(Corning Inc.)切割成50釐米×50釐米×0.7釐米的大小，分別以異丙醇以及純水超音波清洗該玻璃基材5分鐘，以紫外線(UV)照射玻璃基材30分鐘，將玻璃基材暴露在臭氧下以清潔之，然後將此玻璃基才固定於真空沉積設備中，由此製備陽極。
在該基材上，真空沉積2-TNATA以形成厚度600埃的電洞注入層(HIL)，然後，真空沉積電洞傳輸材料，電動傳輸化合物為4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯苯 (4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)(以下稱為NPB)，以形成厚度300埃之電洞傳輸層(HTL)。
將作為藍色螢光主體的化合物1以及作為藍色螢光摻雜劑的4,4'-雙[2-(4-(N,N-二苯氨基)苯基)乙烯基]聯苯(4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl)(以下稱為DPAVBi)以98：2之重量比同時沉積在該電洞傳輸層(HTL)上，以形成厚度300埃的發射層。
然後，在該發射層上方沉積Alq3，以形成厚度300埃的電子傳輸層(ETL)，將鹵化鹼金屬LiF沉積在該電子傳輸層(ETL)上以形成厚度10埃的電子注入層(EIL)，以及真空沉積Al以形成厚度3000埃的LiF/Al電極(陰極)，製得有機發光二極體。
實施例2
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物3而不是化合物1來形成發射層。
實施例3
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物8而不是化合物1來形成發射層。
實施例4
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物12而不是化合物1來形成發射層。
實施例5
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物21而不是化合物1來形成發射層。
實施例6
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物37而不是化合物1來形成發射層。
實施例7
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物42而不是化合物1來形成發射層。
實施例8
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用化合物54而不是化合物1來形成發射層。
比較性實施例1
以與實施例1相同的方法製造有機發光二極體，惟係使用9,10-二-萘-2-基-蒽(9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene)(以下稱為DNA)而不是化合物1來形成發射層。
(有機發光二極體的效能量測)
量測根據實施例1至8以及比較實施例1之每一有機發光二極體之與電壓以及發光效率相關之電流密度、輝度變化、效能以及壽命。相關量測係特定地由以下方法執行。結果顯示於下表1。
1)隨著電壓變化之電流密度變化的量測
使用電流-電壓計(Keithley 2400)量測所製得的有機發光二極體在增加電壓時，流動於單位裝置中之電流值(current value flowing)，以及將所測得的電流值除以面積，以提供結果。
2)隨著電壓變化之輝度變化的量測
在增加電壓時，以輝度計(Minolta Cs-1000A)量測有機發光二極 體之輝度。
3)發光效率以及電力效率的量測
發光效率以及電力效率係使用在「1)隨著電壓變化之電流密度變化的量測」以及「2)隨著電壓變化之輝度變化的量測」中所測得的輝度、電流密度以及電壓(伏特)來計算，結果係顯示於表1。
4)壽命的量測
藉由不斷輸入對應於參考輝度的電流來量測有機發光二極體的輝度改變。
在上述表2中，可以看到當使用根據例示性實施態樣的化合物作為藍色發射層的主體材料時，驅動電壓以及效率係有所改良。特定言之，相較於傳統DNA材料(9,10-二-萘-2-基-蒽)壽命係顯著地提升。
作為總結以及回顧，有機光電裝置的實例包括有機光電裝置、有機發光二極體、有機太陽能電池、有機感光鼓、有機電晶體等，其包括電洞注入或傳輸材料、電子注入或傳輸材料、或發光材料。
由於平板顯示器的需求增加，有機發光二極體(OLED)近來已受到相當關注。一般而言，有機發光二極體將係藉由將電流施加至有機發光材料而將電能轉換為光能(如光)。有機發光二極體可具有一功能性有機材料層介於陽極以及陰極之間的結構。該有機材料層可包括一包括不同材料的多層，例如電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層、電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)，以改良有機光電裝置的效率以及穩定性。
在這樣的有機發光二極體中，當在陽極以及陰極之間施加一電壓時，來自陽極的電洞以及來自陰極的電子被注入有機材料層並結合，以產生具有高能量的激子。所產生的激子產生具有特定波長的光，同時回到基態。
除了近來螢光發光材料外，近來磷光發光材料業已被用來作為有機發光二極體的發光材料。此種磷光發光材料係透過以下方式發光：將電子從基態傳輸到激發態，透過系統內交叉(intersystem crossing)將單態(singlet)激子無輻射轉換成三重態(triplet)激子，以及將三重態激子轉換成基態以發出光。
如上描述，在有機發光二極體中，有機材料層包括有機發光材料以及電荷傳輸材料，例如電洞注入材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。發光材料可根據所發出的顏色分為藍色、綠色以及紅色發光材料，且黃色及橘色發光材 料發出接近自然色的顏色。
當使用單一材料作為發光材料時，因為分子間的交互作用，最大發光波長可能會移至長波長，或者可能降低顏色純度。裝置效率可能因為發光消光效應(quenching effect)而降低。因此，可包括一主體/摻雜物系統作為發光材料，以通過能量轉移增進顏色純度以及增加發光效率與穩定性。
為了實施有機發光二極體的極佳性能，構成有機材料層的材料，如電洞注入材料、電洞傳輸材料、發光材料、電子傳輸材料、電子注入材料、及例如是主體及/或摻雜物的發光材料，係穩定且具有良好效率。理想的是用於有機發光二極體或其他有機光電子裝置的有機材料層形成材料的發展係有所改良。
低分子有機發光二極體係以真空沉積方法製造成薄膜，且其具有良好效率以及壽命性能。聚合物有機發光二極體係以墨水或旋轉塗佈方法製造，且具有低生產成本及可大尺寸化的優點。
低分子量有機發光二極體以及聚合物有機發光二極體二者皆可具有自發光、高反應速率、寬視角、極薄、高影像品質、耐久性、大驅動溫度範圍等優點。尤其，相較於傳統LCD(液晶顯示器)，這些材料由於其自我發光的特性，故可具有良好可見度(visibility)，以及因為不需要背光，故可將LCD厚度以及重量降低至三分之一。
此外，這樣的材料具有在微秒單位中快過LCD 1000倍的反應速度，因此，可提供沒有殘像(after image)的完美動畫。基於這些優點，自1980年代晚期開始發展此種材料以來，低分子 量有機發光二極體以及聚合物有機發光二極體已顯著地發展到80倍的效率以及超過100倍的壽命。
近來已發展出例如40吋有機發光二極體面板的大顯示面板。這樣的面板理想係具有增進的發光效能以及壽命。因此，發展用於有機發光二極體的穩定且有效率的有機發光層材料係可取的。
實施態樣提供了一種能提供具有例如高效率、長壽命等特性的有機光電裝置的化合物。實施態樣也提供了包括該化合物的有機發光二極體以及包括該有機發光二極體的顯示裝置。
根據實施態樣之包括該化合物的有機光電裝置具有極佳電化學穩定性與熱穩定性、壽命特性、以及在驅動電壓下的高發光效率。此外，該化合物可適合於溶液製程。
例示性實施態樣已經揭露於本文，雖然使用了特定術語，其僅係用於一般性、描述性的表達，而不是為了限制的目的。所屬技術領域通常知識者在本申請案申請時顯而易見的是，在某些情況下，在特定實施態樣中所描述的特徵、特性、及/或元件可單獨的使用，或可與其他實施態樣之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，所屬技術領域具有通常知識者將可了解，可在不背離如下申請專利範圍所界定之本發明精神及範圍之情況下進行各種形式上及細節上的變化。
100‧‧‧有機發光二極體
105‧‧‧有機薄層
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
130‧‧‧發射層

Claims (10)

  1. 一種用於有機光電裝置(organic optoelectronic device)之化合物，該化合物如以下化學式1所示： 在上述化學式1中，Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基，L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，以及n1至n3各自獨立為0至3的整數。
  2. 如請求項1之用於有機光電裝置之化合物，其中該用於有機光電裝置之化合物係如以下化學式2所示：[化學式2] 在上述化學式2中，Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基、或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，R1至R4及Ar3各自獨立為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、或經取代或未經取代之矽基，L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、或經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，以及n1至n3各自獨立為0至3的整數。
  3. 如請求項1之用於有機光電裝置之化合物，其中Ar1及Ar2各自獨立為經取代或未經取代之C6至C30芳基。
  4. 如請求項1之用於有機光電裝置之化合物，其中L1至L3各自獨立為經取代或未經取代之伸苯基、或經取代或未經取代之伸萘基。
  5. 如請求項1之用於有機光電裝置之化合物，其中Ar3係經取代或未經取代之苯基、或經取代或未經取代之聯苯基。
  6. 如請求項1之用於有機光電裝置之化合物，其中Ar1及Ar2中之至少一者係矽基、氰基、氘、鹵素、或經C1至C10烷基取代之C6至C30芳基。
  7. 一種有機發光二極體，包含：一陽極；一陰極；以及至少一介於該陽極與該陰極之間的有機薄層，其中至少一有機薄層係包括如請求項1之化合物。
  8. 如請求項7之有機發光二極體，其中該有機薄層包括電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、或發射層。
  9. 如請求項7的有機發光二極體，其中該化合物係一於發射層中之紅色、綠色、藍色或白色主體(host)。
  10. 一種顯示裝置，包含如請求項7之有機發光二極體。
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