TW201440216A - 顯示單元及電子裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種顯示單元，其包含一像素，該像素包含複數個子像素。該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域。該等子像素之各者包含一單一第一電極、沿該第一電極之一層疊方向設置之一單一第二電極及插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間之一發光層。

Description

顯示單元及電子裝置 [相關申請案之交叉參考]

本申請案主張2013年4月11日申請之日本優先專利申請案JP2013-083276之權利，該案之全文以引用方式併入本文中。

本發明係關於一種具有一電流驅動型顯示器件之顯示單元及一種包含此一顯示單元之電子裝置。

近年來，在執行影像顯示之一顯示單元之領域中，已開發將一電流驅動型光學器件(其中發射亮度依據一流動電流之一值而變動)用作為一發光器件(諸如一有機EL(電致發光)器件)之一顯示單元(有機EL顯示單元)，且已推進此一顯示單元之產品商業化。與一液晶器件及類似者不同，此一發光器件係一自發光器件，其無線單獨設置一光源(背光)。因此，相較於其中需要一光源之一液晶顯示單元，該有機EL顯示單元具有包含更高影像可見度、更低電力消耗及更高器件響應速度之特性。

在一顯示單元中，通常期望高影像品質，且相應地，已開發用於改良影像品質之各種技術。例如，日本未審查專利申請公開案第2007-248484號已揭示一種顯示單元，其限制一視角且依使得一導光區段設置於各顯示器件之面前且光反射於該導光區段之一側表面上之一方式提高前部亮度。此顯示單元可應用於(例如)一行動裝置且藉由有意限制一視角而改良影像品質，同時在自前方觀看影像時提高可見 度。

在一電子裝置中，通常期望低電力消耗，且亦預期一顯示單元之電力消耗減少。

可期望提供能夠減少電力消耗之一顯示單元及一電子裝置。

根據本發明之一實施例，提供一種顯示單元，其包含一像素，該像素包含複數個子像素。該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域。該等子像素之各者包含一單一第一電極、沿該第一電極之一層疊方向設置之一單一第二電極及插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間之一發光層。

根據本發明之一實施例，提供一種電子裝置，其具有一顯示單元及經組態以控制該顯示單元之操作之一控制區段。該顯示單元包含一像素，其包含複數個子像素。該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域。該等子像素之各者包含一單一第一電極、沿該第一電極之一層疊方向設置之一單一第二電極及插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間之一發光層。此一電子裝置之實例可包含一電視裝置、一數位相機、一個人電腦、一視訊相機或包含一行動電話之一行動終端裝置。

在根據本發明之上述實施例之該顯示單元及該電子裝置中，遠離彼此而配置之該複數個光發射區域形成於該等子像素之各者中。該等子像素之各者具有該單一第一電極及該單一第二電極，且該發光層插入於與該等光發射區域之各者對應之該第一電極與該第二電極之間。

根據本發明之上述實施例中之該顯示單元及該電子裝置，該等子像素之各者具有遠離彼此而配置之該複數個光發射區域，其可減少電力消耗。

應瞭解：以上一般描述及以下詳細描述兩者具例示性，且意欲提供對所主張之技術之進一步說明。

1‧‧‧顯示單元

2‧‧‧顯示單元

3‧‧‧顯示單元

10‧‧‧顯示區段

11‧‧‧子像素

11B‧‧‧藍色子像素

11G‧‧‧綠色子像素

11R‧‧‧紅色子像素

11W‧‧‧白色子像素

12‧‧‧子像素

12B‧‧‧藍色子像素

12G‧‧‧綠色子像素

12R‧‧‧紅色子像素

12W‧‧‧白色子像素

13‧‧‧子像素

13B‧‧‧藍色子像素

13G‧‧‧綠色子像素

13R‧‧‧紅色子像素

14A‧‧‧子像素

14B‧‧‧子像素

15‧‧‧電路區域

15B‧‧‧電路區域

15G‧‧‧電路區域

15R‧‧‧電路區域

15W‧‧‧電路區域

17B‧‧‧電路區域

17G‧‧‧電路區域

17R‧‧‧電路區域

19‧‧‧發光器件

20‧‧‧驅動區段

21‧‧‧影像信號處理區段

22‧‧‧時序產生區段

23‧‧‧掃描線驅動區段

26‧‧‧電力線驅動區段

27‧‧‧資料線驅動區段

30‧‧‧顯示區段

40‧‧‧顯示區段

50‧‧‧驅動區段

51‧‧‧影像信號處理區段

53‧‧‧掃描線驅動區段

56‧‧‧電力線驅動區段

57‧‧‧資料線驅動區段

200‧‧‧基板

201‧‧‧閘極

202‧‧‧絕緣層

203‧‧‧多晶矽

204‧‧‧絕緣層

205‧‧‧接觸件/配線

211‧‧‧絕緣層

212‧‧‧陽極

212B‧‧‧陽極

212G‧‧‧陽極

212R‧‧‧陽極

212W‧‧‧陽極

213‧‧‧絕緣層

214‧‧‧發光層

215‧‧‧陰極

216‧‧‧絕緣層

217‧‧‧絕緣層

217D‧‧‧絕緣層

218‧‧‧彩色濾光器

219‧‧‧黑色基質

220‧‧‧基板

312‧‧‧陽極

312B‧‧‧陽極

312G‧‧‧陽極

312R‧‧‧陽極

312W‧‧‧陽極

314‧‧‧黃色發光層

315‧‧‧藍色發光層

320‧‧‧發光層

412B‧‧‧陽極

412G‧‧‧陽極

412R‧‧‧陽極

510‧‧‧影像顯示螢幕區段

511‧‧‧前面板

512‧‧‧濾光玻璃

Cs‧‧‧電容器

Csub‧‧‧電容器

DRTr‧‧‧驅動電晶體

DS‧‧‧電力信號

DSTr‧‧‧功率電晶體

DTL‧‧‧資料線

H‧‧‧高度

P1‧‧‧初始化時期

P2‧‧‧臨限電壓(Vth)校正時期

P3‧‧‧寫入及遷移率(μ)校正時期

P4‧‧‧發光時期

P5‧‧‧寫入及遷移率(μ)校正時期

P6‧‧‧發光時期

P13‧‧‧寫入及遷移率(μ)校正時期

P14‧‧‧發光時期

PL‧‧‧電力線

Pix‧‧‧像素

PS‧‧‧傾斜區段

R1‧‧‧直徑

R2‧‧‧直徑

Sdisp‧‧‧影像信號

Sdisp2‧‧‧影像信號

Sig‧‧‧信號

Ssync‧‧‧同步信號

Vcath‧‧‧陰極電壓

Vccp‧‧‧電壓

Vemi‧‧‧電壓

Vg‧‧‧閘極電壓

Vini‧‧‧電壓

Vofs‧‧‧電壓

Vs‧‧‧源極電壓

Vsig‧‧‧像素電壓

VsigR‧‧‧像素電壓

VsigW‧‧‧像素電壓

Vth‧‧‧臨限電壓

WIN‧‧‧窗口

WS‧‧‧掃描信號

WSA‧‧‧掃描信號

WSB‧‧‧掃描信號

WSAL‧‧‧掃描線

WSBL‧‧‧掃描線

WSL‧‧‧掃描線

WSTr‧‧‧寫入電晶體

所包含之附圖提供對本發明之一進一步瞭解，且將附圖併入本說明書中以構成本說明書之一部分。該等圖式繪示實施例，且與本說明書一起用於說明本發明之原理。

圖1係展示根據本發明之一實施例之一顯示單元之一組態之一實例的一方塊圖。

圖2係展示根據本發明之一第一實施例之一顯示區段中之子像素之一配置的一示意圖。

圖3係展示圖2中所繪示之顯示區段之一組態之一實例的一電路圖。

圖4係展示圖2中所繪示之顯示區段之一簡化橫截面結構的一橫截面圖。

圖5係展示圖2中所繪示之顯示區段中之子像素之一組態的一說明圖。

圖6係展示圖2中所繪示之顯示區段中之陽極之一配置之一實例的一平面圖。

圖7係展示圖2中所繪示之顯示區段中之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖8係展示圖7中所繪示之窗口之一組態之一實例的一橫截面圖。

圖9係展示圖2中所繪示之顯示單元之操作之一實例的一時序波形圖。

圖10係展示圖8中所繪示之窗口中之光束的一說明圖。

圖11係展示圖8中所繪示之窗口中之光束的另一說明圖。

圖12A係展示根據本發明之第一實施例之一修改實例之一窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖12B係展示根據本發明之第一實施例之另一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖12C係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13A係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13B係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13C係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13D係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13E係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖13F係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖14A係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖14B係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖14C係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖15係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖16係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖17係展示根據本發明之第一實施例之另一修改實例之一顯示區段之一簡化橫截面結構的一橫截面圖。

圖18係展示根據本發明之第一實施例之又一修改實例之一顯示區段之一簡化橫截面結構的一橫截面圖。

圖19係展示圖18中所繪示之顯示區段中之子像素之一組態的一說明圖。

圖20係展示根據本發明之一第二實施例之一顯示區段中之子像素之一配置的一示意圖。

圖21係展示圖20中所繪示之顯示區段中之陽極之一配置之一實例的一平面圖。

圖22係展示圖20中所繪示之顯示區段中之陽極之一配置之另一實例的一平面圖。

圖23係展示圖20中所繪示之顯示區段中之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖24A係展示根據本發明之第二實施例之一修改實例之一窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖24B係展示根據本發明之第二實施例之另一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖24C係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖24D係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25A係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之一窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25B係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25C係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25D係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25E係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖25F係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖26A係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖26B係展示根據本發明之第二實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖27係展示根據本發明之一第三實施例之一顯示區段中之子像素之一配置的一示意圖。

圖28係展示圖27中所繪示之顯示區段之一組態之一實例的一電路圖。

圖29係展示圖27中所繪示之顯示區段中之陽極之一配置之一實例的一平面圖。

圖30係展示圖27中所繪示之顯示區段中之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖31係展示根據本發明之第三實施例之顯示單元之操作之一實例的一時序波形圖。

圖32A係展示根據本發明之第三實施例之一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖32B係展示根據本發明之第三實施例之另一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖32C係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖33係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖34係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖35係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖36A係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖36B係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖36C係展示根據本發明之第三實施例之又一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖37係展示將根據本發明之實施例之顯示單元之任何者應用於其之一電視裝置之一外觀之一組態的一透視圖。

圖38係展示根據一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖39係展示根據另一修改實例之窗口之一配置之一實例的一平面圖。

圖40係展示根據另一修改實例之一子像素之一組態之一實例的一電路圖。

圖41係展示根據又一修改實例之一子像素之一組態之一實例的一電路圖。

在下文中，參考圖式詳細描述本發明之一些實施例。應注意：依以下給定順序提供描述：

1.第一實施例

2.第二實施例

3.第三實施例

4.應用實例

(1.第一實施例) [組態之實例]

圖1展示根據本發明之一實施例之一顯示單元之一組態之一實例。一顯示單元1係使用有機EL器件之一主動矩陣型顯示單元。

顯示單元1包含一顯示區段10及一驅動區段20。驅動區段20具有一影像信號處理區段21、一時序產生區段22、一掃描線驅動區段23、一電力線驅動區段26及一資料線驅動區段27。

依使得複數個像素Pix配置成一矩陣型樣之一方式組態顯示區段10。如下文所描述，像素Pix由紅色、綠色、藍色及白色之四個子像素11組態。

圖2展示顯示區段10中之子像素11之一配置之一實例。像素Pix之各者分別具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11R、11G、11B及11W。在此實例中，此等四個子像素11R、11G、11B及11W在像素Pix中配置成兩列×兩行之一陣列。更明確言之，在像素Pix中，紅色(R)子像素11R、綠色(G)子像素11G、白色(W)子像素11W及藍色(B)子像素11B分別配置於左上側、右上側、左下側及右下側處。應注意：四個子像素11R、11G、11B及11W之一配置可較佳地符合此一配置。然而，其不限於此，且可替代地採用任何其他配置。

圖3展示顯示區段10之一電路組態之一實例。顯示區段10具有沿 一列方向延伸之複數個掃描線WSAL及WSBL及複數個電力線PL、及沿一行方向延伸之複數個資料線DTL。掃描線WSAL及WSBL之各者之一端與掃描線驅動區段23連接，且電力線PL之一端與電力線驅動區段26連接，同時資料線DTL之一端與資料線驅動區段27連接。屬於一個像素Pix之子像素11R及子像素11G與相同掃描線WSAL連接，且屬於一個像素Pix之子像素11B及子像素11W與相同掃描線WSBL連接。此外，屬於一個像素Pix之子像素11R及子像素11W與相同資料線DTL連接，且屬於一個像素Pix之子像素11G及子像素11B與相同資料線DTL連接。此外，屬於一個像素Pix之四個子像素11R、11G、11B及11W與相同電力線PL連接。

接著，藉由將子像素11R作為一實例而提供與子像素11之一電路組態有關之描述。應注意：該描述同樣可應用於子像素11G、11B及11W之電路組態。

子像素11R包含一寫入電晶體WSTr、一驅動電晶體DRTr、一電容器Cs及一發光器件19。寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr之各者可由(例如)一N通道MOS(金屬氧化物半導體)TFT(薄膜電晶體)組態。在子像素11R中，寫入電晶體WSTr之一閘極與掃描線WSAL連接，其之一源極與資料線DTL連接，且其之一汲極與驅動電晶體DRTr之一閘極及電容器Cs之一第一端連接。驅動電晶體DRTr之該閘極與寫入電晶體WSTr之該汲極及電容器Cs之該第一端連接，其之一汲極與電力線PL連接，且其之一源極與電容器Cs之一第二端及發光器件19之一陽極連接。電容器Cs之該第一端與驅動電晶體DRTr之該閘極及寫入電晶體WSTr之該汲極連接，且其之該第二端與驅動電晶體DRTr之該源極及發光器件19之該陽極連接。發光器件19係使用有機EL器件來組態以發射紅色(R)光之一發光器件，其中發光器件19之該陽極與驅動電晶體DRTr之該源極及電容器Cs之該第二端連接，且 將一陰極電壓Vcath自驅動區段20供應至發光器件19之一陰極。

圖4展示顯示區段10之一橫截面圖。顯示區段10具有一基板200、一閘極201、一多晶矽203、一陽極212、一絕緣層213、一發光層214、一陰極215、一絕緣層216及一彩色濾光器218。

基板200係顯示區段10之一支撐基板，且可由(例如)一玻璃或塑膠材料或類似者組態。閘極201形成於基板200上。此閘極201可由(例如)諸如鉬(Mo)之一材料組態。一絕緣層202形成於基板200及閘極201上。此絕緣層202可由(例如)諸如二氧化矽(SiO₂)及矽氮化物(SiNx)之一材料組態。在絕緣層202上，多晶矽203形成於對應於閘極201之一區域中。閘極201及多晶矽203組態驅動電晶體DRTr及類似者。應注意：在此實例中，電晶體組態於其中多晶矽203形成於閘極201上方之一所謂的底閘極結構中。然而，該組態不限於此，且電晶體可替代地組態於其中多晶矽形成於閘極下方之一所謂的頂閘極結構中。一絕緣層204形成於多晶矽203及絕緣層202上。此絕緣層204可由(例如)類似於絕緣層202之材料之一材料組態。此外，在其中形成多晶矽203之一區域之一部分處，一接觸件/配線205經形成以穿過絕緣層204。配線205可由(例如)鈦(Ti)/鋁(Al)/鈦(Ti)之三個層組態。

一絕緣層211形成於絕緣層204上。絕緣層211可由(例如)諸如聚醯亞胺及丙烯酸樹脂之一材料組態。一陽極212形成於絕緣層211上。陽極212依穿過絕緣層211之一方式與相關於驅動電晶體DRTr之源極的接觸件/配線205連接。陽極212可由(例如)諸如ITO/Al合金、Al合金、ITO/Ag及ITO/Ag合金之一材料組態。換言之，可期望陽極212具有反射光之一性質。絕緣層213形成於陽極212及絕緣層211上。絕緣層213可由(例如)類似於絕緣層211之材料之一材料組態。在此絕緣層213上，複數個窗口WIN設置於其中形成陽極212之一區域之一部分處。在陽極212及絕緣層213上，發光層214經形成以覆蓋該複數個窗 口WIN。發光層214係發射紅色光、綠色光、藍色光及白色光之一有機EL層。更明確言之，發射紅色(R)光之發光層214形成於對應於子像素11R之一區域中，發射綠色(G)光之發光層214形成於對應於子像素11G之一區域中，發射藍色(B)光之發光層214形成於對應於子像素11B之一區域中，且發射白色(W)光之發光層214形成於對應於子像素11W之一區域中。陰極215均勻地形成於絕緣層213及發光層214上。 陰極215係一透明或半透明電極，且可由(例如)諸如鎂銀(MgAg)及IZO(註冊商標)之一材料組態。在其中陰極215由鎂銀製成之一情況中，可藉由設定(例如)約數奈米之一膜厚度而組態半透明陰極215。在其中陰極215由IZO製成之一情況中，可期望陰極215形成有(例如)數十奈米至數千奈米之範圍內之一膜厚度。更明確言之，IZO係一透明材料，且因此可形成具有一略微更大厚度之IZO以達成一所要低薄片電阻。在此實例中，絕緣層216形成於陰極215上。絕緣層216可由(例如)諸如矽氮化物(SiNx)之一材料組態。絕緣層216由其折射率不同於絕緣層213之折射率之一材料製成。具體而言，如下文中所描述，絕緣層213及216之折射率可經設定以確保：在包圍窗口WIN之絕緣層213之一傾斜區段PS處反射自絕緣層216之側進入之光。此外，絕緣層216亦具有防止可由水分侵入至發光層214中引起之特性(諸如光發射效率)之變動之一功能。此絕緣層216附接至一基板220，在基板220上，彩色濾光器218及一黑色基質219形成於具有一絕緣層217之一表面上，絕緣層217係用於密封於絕緣層216與彩色濾光器218及黑色基質219之間之一樹脂層。更明確言之，紅色(R)濾光器218形成於對應於子像素11R之一區域中，綠色(G)濾光器218形成於對應於子像素11G之一區域中，藍色(B)濾光器218形成於對應於子像素11B之一區域中，且白色(W)濾光器218形成於對應於子像素11W之一區域中。

就此一組態而言，自發光層214發射之紅色光、綠色光、藍色光 及白色光沿基板200(其係一支撐基板)之相反方向行進。換言之，發光器件19係一所謂的頂部發射型發光器件。經由彩色濾光器218自顯示表面輸出自發光器件19發射之光。更明確言之，由子像素11R處之紅色(R)濾光器218調整紅色(R)光之一色域，由子像素11G處之綠色(G)濾光器218調整綠色(G)光之一色域，由子像素11B處之藍色(B)濾光器218調整藍色(B)光之一色域，且由子像素11W處之白色(W)濾光器218調整白色(W)光之一色域。應注意：不可在其中對影像品質(色域)之要求不太高之應用及類似者中設置此等彩色濾光器218。

圖5示意性展示像素Pix中之四個子像素11之一組態。在紅色(R)子像素11R處，自紅色發光層214發射之紅色光穿過紅色濾光器218。依一類似方式，自綠色發光層214發射之綠色光穿過綠色(G)子像素11G處之綠色濾光器218，自藍色發光層214發射之藍色光穿過藍色(B)子像素11B處之藍色濾光器218，且自白色發光層214發射之白色光穿過白色(W)子像素11W處之白色濾光器218。

圖6展示像素Pix中之陽極212之一配置。像素Pix具有四個電路區域15R、15G、15B及15W及四個陽極212R、212G、212B及212W。

電路區域15R係其中配置除子像素11R中之發光器件19之外之器件(寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr及電容器Cs)之一區域。類似地，電路區域15G係其中配置除子像素11G中之發光器件19之外之器件之一區域，電路區域15B係其中配置除子像素11B中之發光器件19之外之器件之一區域，且電路區域15W係其中配置除子像素11W中之發光器件19之外之器件之一區域。在此實例中，除與掃描線WSAL及WSBL及電力線PL連接之部分之外，電路區域15R、15G、15B及15W之各者之一佈局幾乎相同。應注意：此等電路區域之佈局不限於此，且例如，電路區域15R及15G之佈局可依一倒置方式與電路區域15B及15W之佈局相反，或替代地，該等電路區域之各者可配置於彼此截然 不同之佈局中。如上文所描述，可藉由依一旋轉或倒置方式再使用相同佈局而改良一佈局工作之效率。

陽極212R、212G、212B及212W分別係子像素11R、11G、11B及11W中之陽極。此等陽極212R、212G、212B及212W之各者經由接觸件205與形成於電路區域15R、15G、15B及15W之各者處之驅動電晶體DRTr之源極連接。在此實例中，接觸件205具有正方形形狀，且配置於陽極212R、212G、212B及212W之左上側處。

圖7示意性展示陽極212之各者中之窗口WIN之一配置。形成彼此遠離之陽極212R、212G、212B及212W之各者，如圖6中所展示。然而，為便於說明，圖7繪示相鄰於彼此而放置之此等陽極。在此實例中，三個窗口WIN配置於陽極212R、212G、212B及212W之區域之各者處。在此實例中，窗口WIN具有圓形形狀。在此實例中，此三個窗口WIN配置於陽極212R、212G、212B及212W之各者中之右上側、左下側及右下側處。更明確言之，三個窗口WIN之各者形成於不同於其中形成接觸件205之一位置之一位置處。

圖8展示窗口WIN之一主要部分之一橫截面結構。絕緣層213經形成以具有一厚度(其具有一高度H)，且陽極電極212側上之一直徑R1小於絕緣層213之一窗口區段中之顯示表面側上之一直徑R2。換言之，在絕緣層213上，依包圍窗口WIN之一方式設置傾斜區段PS。因此，如下文中所描述，在傾斜區段PS上反射自窗口WIN中之發光層214發射以繼續前進至傾斜區段PS之光以因絕緣層213與絕緣層216之間之折射率之一差異而沿顯示表面之前向方向行進。因此，此可改良顯示區段10中之至外部之光之提取效率。

應注意：窗口WIN設置於預定空間間隔處(如圖7中所展示)，且此係因為設置傾斜區段PS(如圖8中所展示)。更明確言之，各具有包含窗口WIN及傾斜區段PS之直徑R2之圓配置於由一設計規則界定以 避免彼此重疊之預定空間間隔處。

在圖1等等中，影像信號處理區段21對自外部提供之一影像信號Sdisp執行一預定處理操作(諸如RGB轉RGBW之信號轉換及伽瑪轉換)以產生一影像信號Sdisp2。

時序產生區段22係一電路，其將一控制信號提供至掃描線驅動區段23、電力線驅動區段26及資料線驅動區段27之各者且控制此等電路區段基於自外部提供之一同步信號Ssync而彼此同步操作。

掃描線驅動區段23根據自時序產生區段22提供之控制信號將掃描信號WSA循序地施加至該複數個掃描線WSAL且將掃描信號WSB循序地施加至複數個掃描線WSBL，藉此循序地選擇子像素11。

電力線驅動區段26根據自時序產生區段22提供之控制信號將電力信號DS循序地施加至複數個電力線PL以控制子像素11之發光操作及消光操作。電力信號DS過渡於一電壓Vccp與一電壓Vini之間。如下文中所描述，電壓Vini係用於初始化子像素11之一電壓，且電壓Vccp係用於藉由使一電流通過驅動電晶體DRTr而允許發光器件19發射光之一電壓。

資料線驅動區段27根據自影像信號處理區段21提供之影像信號Sdisp2及自時序產生區段22提供之控制信號產生一信號Sig(其包含指示子像素11之各者之發光亮度的一像素電壓Vsig及用於執行待在下文中描述之Vth校正之一電壓Vofs)以將此一產生信號施加至資料線DTL之各者。

就此一組態而言，如下文中所描述，驅動區段20實施一校正(Vth校正及μ(遷移率)校正)以抑制驅動電晶體DRTr之器件變動對子像素11之影像品質之一影響，且將像素電壓Vsig寫入至子像素11。其後，子像素11之各者中之發光器件19反射具有對應於寫入像素電壓Vsig之亮度之光。

此處，在本發明之一實施例中，陽極212對應於一「第一電極」之一特定但非限制性實例。在本發明之一實施例中，陰極215對應於一「第二電極」之一特定但非限制性實例。在本發明之一實施例中，絕緣層213對應於一「第一絕緣層」之一特定但非限制性實例。在本發明之一實施例中，絕緣層216對應於一「第二絕緣層」之一特定但非限制性實例。在本發明之一實施例中，資料線DTL對應於一「信號線」之一特定但非限制性實例。在本發明之一實施例中，電路區域15對應於一「像素電路區域」之一特定但非限制性實例。

[操作及功能]

接著，提供與根據本發明之此實施例之顯示單元1之操作及功能有關之描述。

(總體操作之概述)

首先，參考圖1，提供與顯示單元1之一總體操作之一概述有關之描述。影像信號處理區段21對自外部提供之影像信號Sdisp執行一預定處理操作以產生影像信號Sdisp2。時序產生區段22將一控制信號提供至掃描線驅動區段23、電力線驅動區段26及資料線驅動區段27之各者，且控制此等電路區段基於自外部提供之同步信號Ssync而彼此同步操作。掃描線驅動區段23根據自時序產生區段22提供之控制信號將掃描信號WSA循序地施加至複數個掃描線WSAL且將掃描信號WSB循序地施加至複數個掃描線WSBL，藉此循序地選擇子像素11。電力線驅動區段26根據自時序產生區段22提供之控制信號將電力信號DS循序地施加至複數個電力線PL以控制子像素11之發光操作及消光操作。資料線驅動區段27根據自影像信號處理區段21提供之影像信號Sdisp2及自時序產生區段22提供之控制信號產生信號Sig(其包含對應於子像素11之各者之亮度的像素電壓Vsig及用於執行Vth校正之電壓Vofs)以將此一產生信號施加至資料線DTL之各者。顯示區段10根據 掃描信號WSA及WSB及自驅動區段20提供之電力信號DS及信號Sig執行顯示。

(詳細操作)

接著，藉由將屬於一個像素Pix之兩個子像素11R及11W作為一實例而提供與顯示單元1之詳細操作有關之描述。

圖9展示子像素11R及11W之操作之一時序圖，其中(A)展示掃描信號WSA之一波形，(B)展示掃描信號WSB之一波形，(C)展示電力信號DS之一波形，(D)展示信號Sig之一波形，(E)展示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之一閘極電壓Vg之一波形，(F)展示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之一源極電壓Vs之一波形，(G)展示子像素11W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之一波形，且(H)展示子像素11W中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之一波形。圖9之(C)至(F)之各者展示使用相同電壓軸之一波形，且類似地，圖9之(G)及(H)之各者展示使用相同電壓軸之一波形。應注意：為便於說明，與電力信號DS(圖9之(C))及信號Sig(圖9之(D))之波形相同之波形展示於相同電壓軸上，如同圖9之(G)及(H)。

驅動區段20在一個水平時期(1H)內初始化子像素11R及11W(初始化時期P1)，且執行Vth校正以抑制驅動電晶體DRTr之器件變動對影像品質之一影響(Vth校正時期P2)。隨後，驅動區段20將一像素電壓VsigR寫入至子像素11R且執行不同於Vth校正之μ(遷移率)校正(寫入及μ校正時期P3)，且子像素11R中之發光器件19發射具有對應於寫入像素電壓VsigR之亮度之光(發光時期P4)。其後，依一類似方式，驅動區段20將一像素電壓VsigW寫入至子像素11W且執行μ(遷移率)校正(寫入及μ校正時期P5)，且子像素11W中之發光器件19發射具有對應於寫入像素電壓VsigW之亮度之光(發光時期P6)。下文中描述細節。

首先，電力線驅動區段26在初始化時期P1之前之一時序t1處將電力信號DS自電壓Vccp改變至電壓Vini(圖9之(C))。此接通子像素11R及11W之各者中之驅動電晶體DRTr以導致驅動電晶體DRTr之各者之源極電壓Vs被設定為電壓Vini(圖9之(F)及(H))。

接著，驅動區段20在t2至t3之一時序時期(初始化時期P1)期間初始化子像素11R及11W。更明確言之，在時序t2處，資料線驅動區段27將信號Sig設定為電壓Vofs(圖9之(D))，且掃描線驅動區段23將掃描信號WSA及WSB之各者之一電壓自一低位準改變至一高位準(圖9之(A)及(B))。此接通子像素11R及11W之各者中之寫入電晶體WSTr以導致子像素11R及11W之各者中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg被設定為電壓Vofs(圖9之(E)及(G))。依此一方式，將子像素11R及11W之各者中之驅動電晶體DRTr之一閘極-源極電壓Vgs(=Vofs-Vini)設定為大於驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth之一電壓以導致達成子像素11R及11W之各者之初始化。

隨後，驅動區段20在t3至t4之一時序時期(Vth校正時期P2)期間實施Vth校正。更明確言之，電力線驅動區段26在時序t3處將電力信號DS自電壓Vini改變至電壓Vccp(圖9之(C))。此引起子像素11R及11W之各者中之驅動電晶體DRTr在一飽和區域處操作，且相應地，一電流Ids自各驅動電晶體DRTr之汲極流動至源極以導致源極電壓Vs增大(圖9之(F)及(H))。基於此實例中之此情況，源極電壓Vs低於發光器件19之陰極上之電壓Vcath，且發光器件19因此保持處於一反偏壓狀態中以導致無電流流動通過發光器件19。依此一方式，閘極-源極電壓Vgs隨著源極電壓Vs增大而減小以導致電流Ids減小。此負回饋操作引起電流Ids朝向「0(zero)」收斂。換言之，子像素11R及11W之各者中之驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs收斂以變為等於驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth(Vgs=Vth)。

其後，掃描線驅動區段23在時序t4處將掃描信號WSA及WSB之各者之一電壓自一高位準改變至一低位準(圖9之(A)及(B))。此切斷子像素11R及11W之各者中之寫入電晶體WSTr。同時，資料線驅動區段27將信號Sig設定為像素電壓VsigR(圖9之(D))。

此後，驅動區段20將像素電壓VsigR寫入至子像素11R且在t5至t6之一時序時期期間執行μ校正(寫入及μ校正時期P3)。更明確言之，掃描線驅動區段23在時序t5處將掃描信號WSA之一電壓自一低位準改變至一高位準(圖9之(A))。此接通子像素11R中之寫入電晶體WSTr，且子像素11R中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓Vofs升高至像素電壓Vsig(圖9之(E))。基於此情況，驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs變為大於臨限電壓Vth(Vgs>Vth)，且電流Ids自汲極流動至源極以導致驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs升高(圖9之(F))。此一負回饋操作抑制驅動電晶體DRTr之器件變動之一影響(μ校正)，且將驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs設定為對應於像素電壓Vsig之一電壓Vemi。應注意：例如，日本未審查專利申請公開案第2006-215213號中描述μ校正之此一方法。

接著，驅動區段20在時序t6之後之一時序時期(發光時期P4)期間允許子像素11R發射光。更明確言之，掃描線驅動區段23在時序t6處將掃描信號WSA之一電壓自一高位準改變至一低位準(圖9之(A))。此切斷子像素11R中之寫入電晶體WSTr以使子像素11R中之驅動電晶體DRTr之閘極處於一浮動狀態中以導致自此維持電容器Cs之端子之間之一電壓，即，驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs。隨後，隨著電流Ids流動通過驅動電晶體DRTr，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs升高(圖9之(F))，且相應地，驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg亦升高(圖9之(E))。接著，當驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs變為大於發光器件19之一臨限電壓Vel與電壓Vcath之一總和(Vel+Vcath)時，一電流流動於 發光器件19之陽極與陰極之間，其導致來自發光器件19之光發射。即，源極電壓Vs升高至對應於發光器件19之器件變動之一程度以導致來自發光器件19之光發射。

隨後，資料線驅動區段27將信號Sig設定為像素電壓VsigW(圖9之(D))。

其後，驅動區段20將像素電壓VsigW寫入至子像素11W且在t8至t9之一時序時期期間執行μ校正(寫入及μ校正時期P5)。更明確言之，掃描線驅動區段23在時序t8處將掃描信號WSB之一電壓自一低位準改變至一高位準(圖9之(B))。如同寫入及μ校正時期P3之情況，此導致像素電壓VsigW至子像素11W之寫入及μ校正。

此後，驅動區段20在時序t9之後之一時序時期(發光時期P6)期間允許子像素11W發射光。更明確言之，掃描線驅動區段23在時序t9處將掃描信號WSB之一電壓自一高位準改變至一低位準(圖9之(B))。如同發光時期P4之情況，此導致子像素11W中之發光器件19之光發射。

隨後，在顯示單元1中，在一預定時序時期(一個圖框時期)逝去之後，發生自發光時期P4及P6至初始化時期P1之一過渡。驅動區段20驅動顯示區段10重複此一序列之操作。

(關於傾斜區段PS)

在顯示單元1中，複數個窗口WIN設置於子像素11中，且亦依包圍窗口WIN之各者之一方式設置絕緣層213上之傾斜區段PS。在下文中，提供與傾斜區段PS之一功能有關之詳細描述。

圖10展示窗口WIN附近之光束之一模擬結果之一實例。圖10繪示自一發光層214(下側)發射之光如何朝向顯示表面側(上側)行進。如圖10中所展示，在窗口WIN處，沿各種方向自發光層214發射出光。更明確言之，自發光層214發射之光可沿發光層214之一法向方向(圖10中之一向上方向)行進，或可沿(例如)自發光層214之該法向方向偏 離之任何方向行進。沿自發光層214之該法向方向偏離之一方向行進之光之一部分進入絕緣層213上之傾斜區段PS以被反射。即，在傾斜區段PS中，如圖8中所展示，具有彼此不同之折射率之絕緣層213及絕緣層216彼此緊鄰放置，其中發光層214及陰極215內插於絕緣層213與絕緣層216之間，且折射率之此一差異因此引起光被反射。其後，該反射光朝向顯示表面側行進以被提取至顯示區段10之外部。

如上文所描述，在顯示區段10中，依包圍窗口WIN之一方式設置傾斜區段PS，其可改良將光提取至外部之效率。換言之，例如，若不設置傾斜區段PS，則沿自發光層214之法向方向偏離之一方向發射之光可能會在顯示區段內被弱化或可能會由黑色基質219阻斷。在此情況中，待提取至顯示區段之外部之光在自發光層214發射之全部光中之一比率減小以導致光提取效率降低。另一方面，在顯示區段10中，設置傾斜區段PS，且在傾斜區段PS上反射光，其可提高光提取效率。

為在傾斜區段PS上有效率地反射光，可依以下方式較佳地設定各參數。更明確言之，當絕緣層216之折射率係n1且絕緣層213之折射率係n2時，可期望此等折射率n1及n2滿足以下表達式： 此外，可期望高度H及直徑R1及R2(圖8)滿足以下表達式： 可期望包含折射率n1及n2、高度H及直徑R1及R2之此等參數之各者經判定以滿足其他規格，諸如滿足上述表達式(1)至(4)之範圍內之亮度視角。

此外，在顯示區段10中，設置複數個此等窗口WIN，且依包圍窗 口WIN之各者之一方式設置傾斜區段PS，其可有效地使用複數個窗口WIN處之傾斜區段PS且改良將光提取至外部之效率。

此外，在顯示區段10中，設置複數個此等窗口WIN，其允許減少電力消耗。更明確言之，在顯示區段10中，相較於其中設置一單一更大窗口之一情況，孔徑比可歸因於複數個窗口WIN之設置而減小。然而，甚至在此一情況中，可藉由改良將光提取至外部之效率(如上文所提及)而達成子像素11中之等效亮度。具體而言，例如，即使孔徑比歸因於複數個窗口WIN之設置而減小一半，但可在不改變發光層214中之電流密度之情況下藉由使光提取效率提高一倍而達成子像素11中之等效亮度。依此一方式，可藉由降低孔徑比且維持發光層214中之電流密度而減少電力消耗。此外，例如，即使孔徑比減小一半，但當光提取效率提高一倍或一倍以上時，即使發光層214中之電流密度降低，亦可達成子像素11中之等效亮度。在此情況中，允許進一步減少電力消耗。此外，亦可抑制光發射特性之時效劣化(所謂的老化(burn-in))。換言之，組態發光層214之有機EL層通常容易引起隨著電流密度增大之時效劣化，且電流密度之此降低因此減少時效劣化之一可能性，其可改良影像品質。

此外，在顯示區段10中，複數個窗口WIN之設置允許更容易地製造顯示區段10。更明確言之，複數個窗口WIN之設置可減小窗口WIN之各者之直徑R1，且因此允許絕緣層213之高度H(厚度)變小，如表達式(4)中所表示。由於可使用(例如)一光阻材料(諸如丙烯酸、聚醯亞胺及清漆樹脂)藉由光微影而形成此絕緣層213，所以可在更少時間量內形成具有一更小厚度之絕緣層213。依此一方式，複數個窗口WIN設置於顯示區段10中，且因此可在更少時間量內形成絕緣層213，其導致容易製造。

[有利效應]

如至此所描述，在本發明之此實施例中，設置複數個窗口，且依包圍窗口之各者之一方式設置傾斜區段PS，其可改良將光提取至外部之效率且減少電力消耗。

在本發明之此實施例中，設置複數個窗口，且因此可減小絕緣層之厚度，其允許更容易地製造顯示區段。

[修改實例1-1]

在本發明之上述實施例中，形成呈一圓形形狀之窗口WIN。然而，形狀不限於此，且其可替代地為(例如)一橢圓。此可提高窗口WIN之配置之一自由度。其中呈橢圓形狀之窗口WIN將有效之實例可包含一情況，其中當配置呈圓形形狀之窗口WIN時留下一空間，但可藉由沿一方向拉伸圓形形狀而依使得窗口WIN之各者形成為橢圓形狀之一方式消除一浪費空間。在此情況中，允許窗口WIN之各者之面積變大，其可提高孔徑比且在製程中更均勻地形成窗口WIN處之發光層214及陰極215。此外，呈橢圓形狀之窗口WIN之形成允許沿一特定方向擴大一視角。即，如圖11中所展示，因為光沿自長軸方向(圖11之(B))之法向方向更大偏離(相較於短軸方向(圖11之(A)))之一方向擴散，所以可沿依據窗口WIN之定向方向之方向(長軸方向)擴大該視角。替代地，可設置呈垂直長橢圓形狀之窗口WIN及呈水平長橢圓形狀之窗口WIN兩者。在此情況中，可沿垂直方向及水平方向兩者擴大視角。

[修改實例1-2]

在本發明之上述實施例中，三個窗口WIN設置於陽極212之各者之一區域中。然而，組態不限於此，可鑒於孔徑比、絕緣層213之厚度(高度H)及類似者而設置任意數目個窗口WIN，如圖12A至圖12C中所展示。具體而言，例如，可設置僅一個窗口WIN(圖12A)、八個窗口WIN(圖12B)或十二個窗口WIN(圖12C)。此外，如圖13A至圖13F 中所展示，即使接觸件205之一尺寸不同於本發明之上述實施例中之接觸件205之尺寸，但可依滿足與自接觸件205至窗口WIN之各者之一距離有關之一設計規則之一方式配置任意數目個窗口WIN。

[修改實例1-3]

在本發明之上述實施例中，窗口WIN形成為圓形形狀。然而，形狀不限於此，且其可替代地為(例如)一四邊形，諸如一正方形及一矩形，如14A及圖14B中所展示。應注意：該四邊形之四個隅角可(例如)經修圓。在此情況中，在表達式(3)及(4)中，可使用相對邊之間之空間間隔(圖14A中之x及y)來代替直徑。更明確言之，可期望：陽極電極212側上之一空間間隔x1及顯示表面側上之一空間間隔x2滿足以下表達式(5)及(6)，且陽極電極212側上之一空間間隔y1及顯示表面側上之一空間間隔y2滿足以下表達式(7)及(8)。

[修改實例1-4]

在本發明之上述實施例中，接觸件205形成為正方形形狀。然而，形狀不限於此，且接觸件205可形成為圓形形狀，且可具有實質上等於窗口WIN之尺寸之尺寸，如圖15中所展示。在此情況中，可更有效率地將接觸件205及窗口WIN配置於有限區域中。此外，如圖16中所展示，接觸件205及窗口WIN可配置於一緊密堆積配置中。在此緊密堆積配置中，例如，三個窗口WIN可經配置以彼此相鄰。此允許進一步更有效率地配置接觸件205及窗口WIN。在此情況中，組態陽極212之一輪廓之各側設置於接觸件205與窗口WIN之間之一間隙處。因此，在此實例中，陽極212之一頂側及一底側沿一水平方向延伸， 但兩個左側及兩個右側之各者形成字母「V」形狀，且該等側之各者沿自該水平方向偏離約60度之一方向延伸。

[修改實例1-5]

在本發明之上述實施例中，如圖4中所展示，絕緣層216形成於陰極215上。然而，組態不限於此。此絕緣層216具有防止可由水分侵入至發光層214中引起之特性(諸如光發射效率)之變動之一功能。然而，在其中可由任何其他技術解決由此水分侵入所致之各種問題之一情況中，可省略絕緣層216，如圖17中所展示。在此實例中，陰極215附接至基板220，彩色濾光器218及黑色基質219形成於基板220之表面上，其中由樹脂製成之絕緣層217D密封於陰極215與彩色濾光器218及黑色基質219之間。如同本發明之上述實施例中之絕緣層213及216之折射率，依使得自絕緣層217D側進入之光反射於包圍窗口WIN之絕緣層213之傾斜區段PS上之一方式設定絕緣層213及217D之折射率。具體而言，當絕緣層217D之折射率係n1且絕緣層213之折射率係n2時，可期望滿足表達式(1)及(2)。

[修改實例1-6]

在本發明之上述實施例中，如圖4及圖5中所展示，設置發射紅色光、綠色光、藍色光及白色光之發光層214。然而，組態不限於此，且可替代地設置發射白色光之一發光層320，如圖18及圖19中所展示。發光層320由一黃色發光層314及一藍色發光層315組態。在此實例中，黃色發光層314配置於陽極212側上，且藍色發光層315配置於陰極215側上。黃色發光層314係發射黃色光之一有機EL層，且藍色發光層315係發射藍色光之一有機EL層。自黃色發光層314發射之黃色光及自藍色發光層315發射之藍色光經混合以變成白色光。隨後，如圖19中所展示，在子像素11R、11G及11B中，一紅色分量、一綠色分量及一藍色分量與此白色光分離以分別由紅色(R)、綠色(G)及 藍色(B)之濾光器218輸出。此外，在子像素11W中，由白色(W)濾光器218調整白色光之一色域。應注意：在此實例中，在發光層320上，黃色發光層314配置於陽極212側上，且藍色發光層315配置於陰極215側上。然而，配置不限於此，且作為一替代，例如，黃色發光層314可配置於陰極215側上，且藍色發光層315可配置於陰極212側上。

(2.第二實施例)

接著，提供與根據本發明之一第二實施例之一顯示單元2有關之描述。該第二實施例與上述第一實施例之不同點為陽極電極之形狀及配置。任何其他組態類似於本發明之上述第一實施例中之組態(圖1)。應注意：實質上與根據上述第一實施例之顯示單元1中之組件部分相同之任何組件部分標示有相同參考元件符號，且適當省略相關描述。

如圖1中所展示，顯示單元2包含一顯示區段30。如下文中所描述，顯示區段30中之一像素Pix由紅色、綠色、藍色及白色之四個子像素12組態。

圖20展示顯示區段30中之子像素12之一配置之一實例。像素Pix之各者分別具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素12R、12G、12B及12W。子像素12之各者具有六邊形形狀。在此實例中，在像素Pix中，沿一垂直方向(縱向方向)並排配置子像素12R及子像素12W，且沿該垂直方向並排配置子像素12G及子像素12B。此外，子像素12R及12W沿該垂直方向配置以自子像素12G及12B位移子像素12之一半尺寸。更明確言之，在像素Pix中，子像素12G配置於子像素12R之右上側處，且子像素12B配置於子像素12W之右上側處。換言之，在顯示區段30中，三個子像素12經配置以彼此相鄰。

圖21展示像素Pix中之陽極之一配置。像素Pix具有四個陽極312R、312G、312B及312W。陽極312R、312G、312B及312W分別係 子像素12R、12G、12B及12W之陽極。如同圖20中所繪示之子像素12R、12G、12B及12W，此等陽極312R、312G、312B及312W之各者具有六邊形形狀，且陽極312G及312B經配置以沿垂直方向(縱向方向)自陽極312R及312W位移。換言之，例如，三個陽極312經配置以彼此相鄰。應注意：例如，六邊形形狀之六個隅角可經修圓。另一方面，電路區域15G及15B沿垂直方向配置於與電路區域15R及15W相同之位置處。陽極312R、312G、312B及312W之各者經由一接觸件205與分別形成於電路區域15R、15G、15B及15W之各者處之一驅動電晶體DRTr之一源極連接。

在此實例中，此等陽極312之各者具有代替一規則六邊形之沿一水平方向(橫向方向)延伸之六邊形形狀。此可進一步放大陽極312之一尺寸。更明確言之，若陽極312形成為該規則六邊形，則可沿該水平方向(橫向方向)擴大陽極312之間之一空間間隔，如圖22中所展示。為有效地利用此空間，可期望陽極312形成為沿該水平方向延伸之六邊形形狀，如圖21中所展示。基於此情況，可期望陽極312採用藉由實際上沿該水平方向放大該規則六邊形而形成之形狀。在此情況中，形成於該六邊形之一左上側、一左下側、一右上側及一右下側之各者與該水平方向之間之一角度變為60度或60度以下。此外，例如，可藉由延伸一頂側及一底側而沿該水平方向延伸該規則六邊形，同時使形成於該六邊形之該左上側、該左下側、該右上側及該右下側之各者與該水平方向之間之該角度維持為60度。應注意：當無需擴大陽極312時，可採用圖2中所展示之一組態。

圖23示意性展示陽極312之各者中之窗口WIN之一配置。形成彼此遠離之陽極312R、312G、312B及312W之各者，如圖21中所展示。然而，為便於說明，圖23繪示似乎相鄰於彼此而放置之此等陽極。在此實例中，六個窗口WIN配置於陽極312R、312G、312B及312W之各 者上。在此實例中，窗口WIN具有橢圓形狀。在此實例中，五個窗口配置於陽極312R、312G、312B及312W之各者中之緊密堆積配置中。 換言之，例如，三個窗口WIN經配置以彼此鄰接。如同本發明之上述實施例，在窗口WIN之一包圍區域處，設置一絕緣層213上之傾斜區段PS。

如上文所描述，在顯示區段30中，陽極312形成為六邊形形狀，且呈橢圓形狀之窗口WIN配置於緊密堆積配置中。換言之，陽極312形成為對應於窗口WIN之一配置之形狀。此可將複數個窗口WIN有效率地配置於陽極312之一區域中。基於此情況，當陽極312組態為藉由實際上沿水平方向放大規則六邊形而形成之形狀時，可藉由將窗口WIN之形狀自圓形形狀改變至橢圓形狀(其依與陽極312之放大比率相同之比率放大)而輕易地達成緊密堆積配置。

此外，在顯示區段30中，陽極312之各者形成為沿水平方向延伸之六邊形形狀，且依使得陽極312G及312B沿垂直方向自陽極312R及312W位移之一方式產生一配置。此允許在顯示區段30中有效率地配置陽極312。

如至此所描述，在本發明之此實施例中，各陽極形成為六邊形形狀，且具有橢圓形狀之窗口配置於緊密堆積配置中。此可有效率地配置陽極且可將複數個窗口有效率地配置於陽極之一區域中。任何其他效應類似於本發明之上述第一實施例中之效應。

[修改實例2-1]

在本發明之上述實施例中，六個窗口WIN設置於陽極312之各者之一區域中。然而，配置不限於此，且可替代地設置不超過五個或不少於七個之窗口WIN，如圖24A至圖24D中所展示。例如，在圖24D中，窗口WIN設置於七個列中。依此一方式，當窗口WIN設置於奇數個列中時，可將所有窗口WIN配置於緊密堆積配置中。應注意：即使 當窗口WIN設置於偶數個列中(如圖24B及圖24C中所展示)時，仍可將窗口WIN之上半部分配置於緊密堆積配置中且將窗口WIN之下半部分配置於緊密堆積配置中。

[修改實例2-2]

在本發明之上述實施例中，窗口WIN形成為橢圓形狀。然而，形狀不限於此，且例如，窗口WIN可採用圓形形狀，如圖25A至圖25F中所展示。替代地，如圖26A中所展示，可設置呈橢圓形狀之窗口WIN及呈圓形形狀之窗口WIN兩者。此外，如圖26B中所展示，可設置呈垂直長橢圓形狀之窗口WIN及呈水平長橢圓形狀之窗口WIN兩者。在此情況中，可沿水平方向擴大一視角及沿垂直方向擴大一視角。

(3.第三實施例)

接著，提供與根據本發明之一第三實施例之一顯示單元3有關之描述。在此實施例中，像素Pix由紅色、綠色及藍色之三個子像素組態。應注意：實質上與根據上述第一實施例之顯示單元1中之組件部分相同之組件部分標示有相同參考元件符號，且適當省略相關描述。

如圖1中所展示，顯示單元3包含一顯示區段40及一驅動區段50。如下文中所描述，顯示區段40中之像素Pix由紅色、綠色及藍色之三個子像素13組態。驅動區段50具有一影像信號處理區段51、一掃描線驅動區段53、一電力線驅動區段56及一資料線驅動區段57。

圖27展示顯示區段40中之子像素13之一配置之一實例。像素Pix之各者分別具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個子像素13R、13G及13B。子像素13之各者沿垂直方向延伸，且依上述順序沿水平方向並排設置於像素Pix中。

圖28展示顯示區段40之一電路組態之一實例。顯示區段40具有沿一列方向延伸之複數個掃描線WSL。掃描線WSL對應於上述第一實 施例中之掃描線WSAL及WSBL。掃描線WSL之一端與掃描線驅動區段53連接。屬於一個像素Pix之子像素13R、13G及13B與相同掃描線WSL及相同電力線PL連接。此外，屬於一個像素Pix之子像素13R、13G及13B與彼此不同之信號線DTL連接。

影像信號處理區段51對自外部提供之一影像信號Sdisp執行一預定處理操作(諸如伽瑪轉換)以產生一影像信號Sdisp2。掃描線驅動區段53根據自一時序產生區段22提供之一控制信號將掃描信號WS循序地施加至複數個掃描線WSL，藉此循序地選擇子像素13。電力線驅動區段56根據自時序產生區段22提供之控制信號將電力信號DS循序地施加至複數個電力線PL以控制子像素13之發光操作及消光操作。資料線驅動區段57根據自影像信號處理區段51提供之影像信號Sdisp2及自時序產生區段22提供之控制信號產生一信號Sig(其包含指示子像素13之各者之發光亮度的一像素電壓Vsig及用於執行待在下文中描述之Vth校正之一電壓Vofs)以將此一產生信號施加至資料線DTL之各者。

圖29展示像素Pix中之陽極之一配置。像素Pix具有三個陽極412R、412G及412B及電路區域17R、17G及17B。陽極412R、412G及412B分別係子像素13R、13G及13B中之陽極。如同圖27中所繪示之子像素13R、13G及13B，此等陽極412R、412G及412B沿垂直方向延伸，且依序沿水平方向並排設置。電路區域17R係其中配置除子像素13R中之發光器件19之外之器件之一區域，電路區域17G係其中配置除子像素13G中之發光器件19之外之器件之一區域，且電路區域17B係其中配置除子像素13B中之發光器件19之外之器件之一區域。如同陽極412R、412G及412B，此等電路區域17R、17G及17B沿垂直方向延伸，且依序沿水平方向並排設置。陽極412R、412G及412B之各者經由一接觸件205與形成於電路區域17R、17G及17B之各者中之驅動電晶體DRTr之一源極連接。

圖30示意性展示陽極412之各者中之窗口WIN之一配置。形成彼此遠離之陽極412R、412G及412B之各者，如圖29中所展示。然而，為便於說明，圖30繪示似乎相鄰於彼此而放置之此等陽極。在此實例中，兩個窗口WIN沿垂直方向並排配置於陽極412R、412G及412B之區域之各者中。在此實例中，窗口WIN具有矩形形狀(其具有經修圓之隅角)。如同本發明之上述實施例，在此等窗口WIN之一包圍區域處，設置絕緣層213上之傾斜區段PS。

圖31展示顯示單元3中之顯示操作之一時序圖，其中(A)展示掃描信號WS之一波形，(B)展示電力信號DS之一波形，(C)展示信號Sig之一波形，(D)展示驅動電晶體DRTr之一閘極電壓Vg之一波形，且(E)展示驅動電晶體DRTr之一源極電壓Vs之一波形。

如同上述第一實施例，首先，驅動區段50在t12至t13之一時序時期(初始化時期P1)期間初始化子像素13，且在t13至t14之一時序時期(Vth校正時期P2)期間實施Vth校正。

接著，掃描線驅動區段53在時序t14處將掃描信號WS之一電壓自一高位準改變至一低位準(圖31之(A))。此切斷寫入電晶體WSTr。此外，在時序t15處，資料線驅動區段57將信號Sig設定為像素電壓Vsig(圖31之(C))。

隨後，驅動區段50將像素電壓Vsig寫入至子像素13，且在t16至t17之一時序時期期間執行μ校正(寫入及μ校正時期P13)。更明確言之，掃描線驅動區段53在時序t16處將掃描信號WS之一電壓自一低位準改變至一高位準(圖31之(A))。因此，如同上述第一實施例，將像素電壓Vsig寫入至子像素13，且執行μ校正。

其後，驅動區段50允許子像素13在時序t17之後之一時序時期(發光時期P14)期間發射光。更明確言之，在時序t17處，掃描線驅動區段53將掃描信號WS之一電壓自一高位準改變至一低位準(圖31之 (A))。如同上述第一實施例，此導致子像素13中之發光器件19之發射。

如上文所描述，即使當使用三個子像素來組態像素時，仍可達成類似於上述第一實施例中之效應之效應。

[修改實例3-1]

在本發明之上述實施例中，兩個窗口WIN設置於陽極412之各者之一區域中。然而，配置不限於此，且可替代地設置一個窗口WIN或三個或三個以上窗口WIN，如圖32A至圖32C中所展示。

[修改實例3-2]

在本發明之上述實施例中，所有窗口WIN具有相同形狀。然而，組態不限於此，且窗口WIN可具有兩個或兩個以上不同形狀。更明確言之，例如圖33中所展示，水平長窗口WIN及垂直長窗口WIN兩者可設置於陽極412之各者中。替代地，例如圖34中所展示，複數個水平長窗口WIN可配置於某一像素Pix中，且複數個垂直長窗口WIN可配置於沿水平方向或沿垂直方向相鄰於此一像素Pix之像素Pix中。

[修改實例3-3]

在本發明之上述實施例中，接觸件205及窗口WIN具有彼此不同之形狀。然而，形狀不限於此，且例如，接觸件205及窗口WIN可具有幾乎相同之形狀及尺寸，如圖35中所展示。在此實例中，接觸件205及窗口WIN之各者採用圓形形狀。在此情況中，可更有效地將接觸件205及窗口WIN配置於一有限區域中。替代地，如圖36A至圖36C中所展示，接觸件205及窗口WIN可配置於所謂的緊密堆積配置中。在此一情況中，組態陽極412之一輪廓之各側設置於接觸件205與窗口WIN之間之一間隙處。因此，在此實例中，陽極412之一頂側及一底側沿橫向方向延伸，但複數個左側及複數個右側之各者沿對應於接觸件205及窗口WIN之配置之方向延伸。

(4.應用實例)

接著，提供與本發明之上述實施例及其修改實例中所描述之顯示單元之應用實例有關之描述。

圖37展示可將根據本發明之上述實施例及類似者之顯示單元之任何者應用於其之一電視裝置之一外觀。此電視裝置可具有(例如)包含一前面板511及一濾光玻璃512之一影像顯示螢幕區段510，且此影像顯示螢幕區段510由根據本發明之上述實施例及類似者之顯示單元之任何者組態。

根據本發明之上述實施例及類似者之顯示單元除可應用於此一電視裝置之外，亦可應用於各領域中之電子裝置，諸如一數位相機、一筆記型個人電腦、包含一行動電話之一行動終端裝置、一可攜式遊戲機或一視訊相機。換言之，根據本發明之上述實施例及類似者之顯示單元可應用於顯示影像之各領域中之電子裝置。

因此，進一步參考一些實施例及修改實例及電子裝置之應用實例而描述本發明。然而，本發明不受限於上述實施例及類似者，且可作出各種修改。

例如，當一個窗口WIN設置於子像素之各者中時，可如圖38及圖39中所展示般配置窗口WIN。在圖38中，像素Pix由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素組態。在圖39中，像素Pix由紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個子像素組態。

此外，例如，在上述實施例及類似者之各者中，寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr之各者由一NMOS組態。然而，組態不限於此，且此等電晶體之一者或兩者可替代地由一PMOS組態。

此外，例如，在上述實施例及類似者之各者中，子像素採用一所謂的「2Tr1C」組態。然而，組態不限於此，且可藉由添加任何其他器件而組態子像素。更明確言之，例如如同圖40中所繪示之一子像 素14A，可採用設置與發光器件19並聯連接之一電容器Csub之一所謂的「2Tr2C」組態。替代地，例如如同圖41中所繪示之一子像素14B，可採用設置用於控制電力信號DS至驅動電晶體DRTr之供應之一功率電晶體DSTr之一所謂的「3Tr1C」組態。

此外，例如，在上述實施例及類似者之各者中，使用所謂的頂部發射型發光器件19。然而，發光器件之類型不限於此，且例如，可替代地使用一所謂的底部發射型發光器件，其中自發光層214發射之光沿基板200(其係一支撐基板)之一方向行進。

此外，例如，在上述實施例及類似者之各者中，顯示單元具有有機EL顯示器件。然而，顯示單元不限於此，且可使用具有電流驅動型顯示器件之任何顯示單元。

可自本發明之上述實例性實施例及修改例達成至少以下組態。

(1)一種顯示單元，其包含一像素，該像素包含複數個子像素，該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域，該等子像素之各者包含：一單一第一電極；一單一第二電極，其沿該第一電極之一層疊方向設置；及一發光層，其插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間。

(2)如(1)之顯示單元，其中該等子像素之各者包含該第一電極上之一第一絕緣層，該第一絕緣層具有與該等光發射區域對應之複數個窗口，及該第一電極、該發光層及該第二電極依序至少層疊於該等窗口之各者之底部處。

(3)如(2)之顯示單元，其中該等子像素之各者包含一第二絕緣層，該第二絕緣層經形成以 覆蓋該子像素之整個區域且具有不同於該第一絕緣層之一折射率之一折射率，及滿足以下表達式(1)及(2)：

其中n1係該第二絕緣層之該折射率，及n2係該第一絕緣層之該折射率。

(4)如(2)之顯示單元，其中該第一絕緣層之該窗口具有一截頭圓錐形狀，及滿足以下表達式(3)及(4)：

其中H係該第一絕緣層之一高度，R1係該窗口之該底部處之一窗口直徑，且R2係該第一絕緣層之一頂端處之一窗口直徑。

(5)如(1)至(4)中任一項之顯示單元，其中該等光發射區域之各者具有一圓形形狀及一橢圓形狀之一者。

(6)如(5)之顯示單元，其中該等子像素之各者包含具有橢圓形狀之兩個光發射區域，該等橢圓形狀具有彼此不同之長軸方向。

(7)如(5)或(6)之顯示單元，其中該等子像素之各者包含三個或三個以上光發射區域，及屬於一個像素之該等光發射區域之全部或一部分經配置以允許該等光發射區域之該全部或該部分中之三個光發射區域彼此相鄰。

(8)如(7)之顯示單元，其中該第一電極具有一個六邊形形狀。

(9)如(8)之顯示單元，其中該第一電極之六個邊中之一對相對邊具有彼此相等之長度，除該對邊之外之四個邊具有彼此相等之長度，及 該對邊之長度長於該其他四個邊之長度。

(10)如(9)之顯示單元，其進一步包含沿一第一方向延伸之一信號線，其中該對邊沿與該第一方向相交之一第二方向延伸。

(11)如(8)至(10)中任一項之顯示單元，其中該像素包含四個該等子像素，及該四個子像素中之四個該等第一電極經配置以允許該四個第一電極中之三個該等第一電極彼此相鄰。

(12)如(7)之顯示單元，其中屬於一個子像素之全部該等光發射區域經配置以允許全部該等光發射區域中之三個光發射區域彼此相鄰，及該第一電極具有對應於該一個子像素中之該等光發射區域之一配置的一個多邊形形狀。

(13)如(12)之顯示單元，其中該像素具有三個或四個該等子像素。

(14)如(1)至(4)中任一項之顯示單元，其中該複數個光發射區域各具有一個四邊形形狀。

(15)如(14)之顯示單元，其中該光發射區域具有一矩形形狀，及該等子像素之各者包含具有彼此不同之長邊方向之兩個光發射區域。

(16)如(14)之顯示單元，其包含複數個該等像素，其中該光發射區域具有一矩形形狀，及該等像素之一者中之該光發射區域具有一長邊方向，該長邊方向不同於相鄰於該等像素之該者之另一像素中之該光發射區域之一長邊方向。

(17)如(1)至(16)中任一項之顯示單元，其進一步包含：複數個該等像素；及一信號線，其沿一第一方向延伸，其中該等子像素之各者進一步包含形成於一像素電路區域中之一像素電路，及沿該第一方向及與該第一方向相交之一第二方向並排設置該等像素電路區域。

(18)如(1)至(17)中任一項之顯示單元，其中該等子像素中之該等第二電極彼此連接。

(19)一種電子裝置，其具有一顯示單元及經組態以控制該顯示單元之操作之一控制區段，該顯示單元包含一像素，該像素包含複數個子像素，該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域，該等子像素之各者包含：一單一第一電極；一單一第二電極，其沿該第一電極之一層疊方向設置；及一發光層，其插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間。

熟悉技術者應瞭解：可依據設計要求及其他因數而進行各種修改、組合、子組合及變更，只要其等落於隨附申請專利範圍及其等效物之範疇內。

11‧‧‧子像素

200‧‧‧基板

201‧‧‧閘極

202‧‧‧絕緣層

203‧‧‧多晶矽

204‧‧‧絕緣層

205‧‧‧接觸件/配線

211‧‧‧絕緣層

212‧‧‧陽極

213‧‧‧絕緣層

214‧‧‧發光層

215‧‧‧陰極

216‧‧‧絕緣層

217‧‧‧絕緣層

218‧‧‧彩色濾光器

219‧‧‧黑色基質

220‧‧‧基板

WIN‧‧‧窗口

Claims (19)

1. 一種顯示單元，其包括一像素，該像素包含複數個子像素，該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域，該等子像素之各者包含：一單一第一電極；一單一第二電極，其沿該第一電極之一層疊方向設置；及一發光層，其插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間。
2. 如請求項1之顯示單元，其中該等子像素之各者包含該第一電極上之一第一絕緣層，該第一絕緣層具有與該等光發射區域對應之複數個窗口，及該第一電極、該發光層及該第二電極依序至少層疊於該等窗口之各者之底部處。
3. 如請求項2之顯示單元，其中該等子像素之各者包含一第二絕緣層，該第二絕緣層經形成以覆蓋該子像素之整個區域且具有不同於該第一絕緣層之一折射率之一折射率，及滿足以下表達式(1)及(2)： 其中n1係該第二絕緣層之該折射率，及n2係該第一絕緣層之該折射率。
4. 如請求項2之顯示單元，其中該第一絕緣層之該窗口具有一截頭圓錐形狀，及滿足以下表達式(3)及(4)： 其中H係該第一絕緣層之一高度，R1係該窗口之該底部處之一窗口直徑，且R2係該第一絕緣層之一頂端處之一窗口直徑。
5. 如請求項1之顯示單元，其中該等光發射區域之各者具有一圓形形狀及一橢圓形狀之一者。
6. 如請求項5之顯示單元，其中該等子像素之各者包含具有橢圓形狀之兩個光發射區域，該等橢圓形狀具有彼此不同之長軸方向。
7. 如請求項5之顯示單元，其中該等子像素之各者包含三個或三個以上該等光發射區域，及屬於一個像素之該等光發射區域之全部或一部分經配置以允許該等光發射區域之該全部或該部分中之三個光發射區域彼此相鄰。
8. 如請求項7之顯示單元，其中該第一電極具有一個六邊形形狀。
9. 如請求項8之顯示單元，其中該第一電極之六個邊中之一對相對邊具有彼此相等之長度，除該對邊之外之四個邊具有彼此相等之長度，及該對邊之長度長於該其他四個邊之長度。
10. 如請求項9之顯示單元，其進一步包括沿一第一方向延伸之一信號線，其中該對邊沿與該第一方向相交之一第二方向延伸。
11. 如請求項8之顯示單元，其中該像素包含四個該等子像素，及該四個子像素中之四個該等第一電極經配置以允許該四個第一電極中之三個該等第一電極彼此相鄰。
12. 如請求項7之顯示單元，其中屬於一個子像素之全部該等光發射區域經配置以允許全部該等光發射區域中之三個光發射區域彼此相鄰，及該第一電極具有對應於該一個子像素中之該等光發射區域之一配置的一個多邊形形狀。
13. 如請求項12之顯示單元，其中該像素具有三個或四個該等子像素。
14. 如請求項1之顯示單元，其中該複數個光發射區域各具有一個四邊形形狀。
15. 如請求項14之顯示單元，其中該光發射區域具有一矩形形狀，及該等子像素之各者包含具有彼此不同之長邊方向之兩個光發射區域。
16. 如請求項14之顯示單元，其包括複數個該等像素，其中該光發射區域具有一矩形形狀，及該等像素之一者中之該光發射區域具有一長邊方向，該長邊方向不同於相鄰於該等像素之該者之另一像素中之該光發射區域之一長邊方向。
17. 如請求項1之顯示單元，其進一步包括：複數個該等像素；及一信號線，其沿一第一方向延伸，其中該等子像素之各者進一步包含形成於一像素電路區域中之一像素電路，及沿該第一方向及與該第一方向相交之一第二方向並排設置該等像素電路區域。
18. 如請求項1之顯示單元，其中該等子像素中之該等第二電極彼此 連接。
19. 一種電子裝置，其具有一顯示單元及經組態以控制該顯示單元之操作之一控制區段，該顯示單元包括一像素，該像素包含複數個子像素，該等子像素各包含遠離彼此而配置之複數個光發射區域，該等子像素之各者包含：一單一第一電極；一單一第二電極，其沿該第一電極之一層疊方向設置；及一發光層，其插入於該等光發射區域之各者中之該第一電極與該第二電極之間。