KR20140123002A

KR20140123002A - 표시 장치 및 전자 기기

Info

Publication number: KR20140123002A
Application number: KR20140032050A
Authority: KR
Inventors: 세이이치로 진타; 지로 야마다
Original assignee: 소니 주식회사
Priority date: 2013-04-11
Filing date: 2014-03-19
Publication date: 2014-10-21
Also published as: JP2014207105A; US9287333B2; TWI623094B; JP6115274B2; CN104103667B; US20140306200A1; TW201440216A; CN104103667A

Abstract

본 발명의 표시 장치는, 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고, 각 서브화소는, 단일한 제1의 전극과, 상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 각 발광 영역에서, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY UNIT AND ELECTRONIC APPARATUS}

본 출원은, 일본에서 2O13년 4월 11에 출원된 JP-2013-083276호를 기초로 하는 우선권을 주장하는 것으로, 이 출원은 참조함에 의해 본 출원에 원용된다.

본 개시는, 전류 구동형의 표시 소자를 갖는 표시 장치, 및 그와 같은 표시 장치를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.

근래, 화상 표시를 행하는 표시 장치의 분야에서는, 발광 소자로서, 흐르는 전류치에 응하여 발광휘도가 변화하는 전류 구동형의 광학 소자, 예를 들면 유기 EL(Electro Luminescence) 소자를 이용한 표시 장치(유기 EL 표시 장치)가 개발되고, 상품화가 진행되고 있다. 발광 소자는, 액정 소자 등과 달리 자발광 소자이고, 별도로 광원(백라이트)을 마련할 필요없다. 그 때문에, 유기 EL 표시 장치는, 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치에 비하여 화상의 시인성이 높고, 소비 전력이 낮고, 또한 소자의 응답 속도가 빠른 등의 특징을 갖는다.

표시 장치에서는, 일반적으로 고화질이 요망되고 있고, 화질을 개선하는 다양한 기술이 개발되어 있다. 예를 들면, 일본국 특개2007―248484호 공보에는, 각 표시 소자의 정면에 도광부를 마련하고, 그 도광부의 측면에서 광을 반사시킴에 의해, 시야각을 제한함과 함께 정면 휘도를 높이는 표시 장치가 개시되어 있다. 이 표시 장치는, 예를 들면 모바일 기기에 적용되는 것이고, 의도적으로 시야각을 제한함과 함께, 정면에서 관찰한 때의 시인성을 높임에 의해, 화질의 개선을 도모하는 것이다.

그런데, 전자 기기는, 일반적으로 낮은 소비 전력이 요망되고 있고, 표시 장치에 대해서도, 소비 전력의 저감이 기대되고 있다.

본 개시는 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 소비전력을 저감할 수 있는 표시 장치 및 전자 기기를 제공하는 것에 있다.

본 개시된 표시 장치는, 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고 있다. 각 서브화소는, 단일한 제1의 전극과, 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 각 발광 영역에서, 제1의 전극과 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는 것이다.

본 개시된 전자 기기는, 표시 장치를 구비하고, 상기 표시장치는, 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고 있다. 각 서브화소는, 단일한 제1의 전극과, 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 각 발광 영역에서, 제1의 전극과 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는 것이다. 본 개시된 전자 기기는, 상기 표시 장치를 구비한 것이고, 예를 들면, 텔레비전 장치, 디지털 카메라, 퍼스널 컴퓨터, 비디오 카메라 또는 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치 등이 해당한다.

본 개시된 표시 장치 및 전자 기기에서는, 각 서브화소에, 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역이 형성된다. 각 서브화소는, 단일한 제1의 전극 및 단일한 제2의 전극을 가지며, 각 발광 영역에서, 제1의 전극과 제2의 전극의 사이에는, 발광층이 삽입되어 있다.

본 개시된 표시 장치 및 전자 기기에 의하면, 서브화소에, 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 마련하도록 하였기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다.

도 1은 본 개시된 실시의 형태에 관한 표시 장치의 한 구성례를 도시하는 블록도.
도 2는 제1의 실시의 형태에 관한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 3은 도 2에 도시한 표시부의 한 구성례를 도시하는 회로도.
도 4는 도 2에 도시한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 5는 도 2에 도시한 표시부에서의 서브화소의 구성을 도시하는 설명도.
도 6은 도 2에 도시한 표시부에서의 애노드의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 7은 도 2에 도시한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 8은 도 7에 도시한 개구부의 한 구성례를 도시하는 단면도.
도 9는 도 2에 도시한 표시 장치의 한 동작례를 도시하는 타이밍 파형도.
도 10은 도 8에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 설명도.
도 11은 도 8에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 12A는 제1의 실시의 형태의 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 12B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 12C는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13A는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13C는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13D는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13E는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 13F는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 14A는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 14B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 14C는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 15는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 16은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 17은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 18은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 19는 도 18에 도시한 표시부에서의 서브화소의 구성을 도시하는 설명도.
도 20은 제2의 실시의 형태에 관한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 21은 도 20에 도시한 표시부에서의 애노드의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 22는 도 20에 도시한 표시부에서의 애노드의 배치의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 23은 도 20에 도시한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 24A는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 24B는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 24C는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 24D는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25A는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25B는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25C는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25D는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25E는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 25F는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 26A는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 26B는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 27은 제3의 실시의 형태에 관한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 28은 도 27에 도시한 표시부의 한 구성례를 도시하는 회로도.
도 29는 도 27에 도시한 표시부에서의 애노드의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 30은 도 27에 도시한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 31은 제2의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 한 동작례를 도시하는 타이밍 파형도.
도 32A는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 32B는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 32C는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 33은 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 34는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 35는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 36A는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 36B는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 36C는 제2의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 37은 실시의 형태에 관한 표시 장치가 적용된 텔레비전 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도.
도 38은 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 39는 다른 변형례에 관한 개구부의 배치례를 도시하는 평면도.
도 40은 다른 변형례에 관한 서브화소의 한 구성례를 도시하는 회로도.
도 41은 다른 변형례에 관한 서브화소의 한 구성례를 도시하는 회로도.

이하, 본 개시된 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.

1. 제1의 실시의 형태

2. 제2의 실시의 형태

3. 제3의 실시의 형태

4. 적용례

(1. 제1의 실시의 형태)

[구성례]

도 1은, 실시의 형태에 관한 표시 장치의 한 구성례를 도시하는 것이다. 표시 장치(1)는, 유기 EL 소자를 이용한, 액티브 매트릭스 방식의 표시 장치이다.

표시 장치(1)은, 표시부(10)와, 구동부(20)를 구비하고 있다. 구동부(20)는, 영상 신호 처리부(21)와, 타이밍 생성부(22)와, 주사선 구동부(23)와, 전원선 구동부(26)와, 데이터선 구동부(27)를 갖고 있다.

표시부(10)는, 복수의 화소(Pix)가 매트릭스형상으로 배치된 것이다. 화소(Pix)는, 이하에 나타내는 바와 같이, 적색, 녹색, 청색, 백색의 4개의 서브화소(11)에 의해 구성되는 것이다.

도 2는, 표시부(10)에서의 서브화소(11)의 배치의 한 예를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 백색(W)의 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)를 갖고 있다. 이 예에서는, 이들 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)는, 화소(Pix)에서의 2행2열로 배치되어 있다. 구체적으로는, 화소(Pix)에서, 좌상에 적색(R)의 서브화소(11R)를 배치하고, 우상에 녹색(G)의 서브화소(11G)를 배치하고, 좌하에 백색(W)의 서브화소(11W)를 배치하고, 우하에 청색(B)의 서브화소(11B)를 배치하고 있다. 또한, 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)의 배치는, 이와 같은 배치가 추천되지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 다른 배치라도 좋다.

도 3은, 표시부(10)의 회로 구성의 한 예를 도시하는 것이다. 표시부(10)는, 행방향으로 연신하는 복수의 주사선(WSAL, WSBL), 및 복수의 전원선(PL)과, 열방향으로 연신하는 복수의 데이터선(DTL)을 갖고 있다. 주사선(WSAL, WSBL)의 일단은 주사선 구동부(23)에 접속되고, 전원선(PL)의 일단은 전원선 구동부(26)에 접속되고, 데이터선(DTL)의 일단은 데이터선 구동부(27)에 접속되어 있다. 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11R)와 서브화소(11G)는, 같은 주사선(WSAL)에 접속되고, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11B)와 서브화소(11W)는, 같은 주사선(WSBL)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11R)와 서브화소(11W)는, 같은 신호선(DTL)에 접속되고, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11G)와 서브화소(11B)는, 같은 데이터선(DTL)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)는, 같은 전원선(PL)에 접속되어 있다.

다음에, 서브화소(11)의 회로 구성에 관해, 서브화소(11R)를 예로 설명한다. 또한, 서브화소(11G, 11B, 11W)의 회로 구성에 관해서도 마찬가지이다.

서브화소(11R)는, 기록 트랜지스터(WSTr)와, 구동 트랜지스터(DRTr)와, 용량 소자(Cs)와, 발광 소자(19)를 구비하고 있다. 기록 트랜지스터(WSTr) 및 구동 트랜지스터(DRTr)는, 예를 들면, N채널 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형의 TFT(Thin Film Transistor ; 박막 트랜지스터)에 의해 구성되는 것이다. 서브화소(11R)에서, 기록 트랜지스터(WSTr)는, 게이트가 주사선(WSAL)에 접속되고, 소스가 데이터선(DTL)에 접속되고, 드레인이 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 및 용량 소자(Cs)의 일단에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(DRTr)는, 게이트가 기록 트랜지스터(WSTr)의 드레인 및 용량 소자(Cs)의 일단에 접속되고, 드레인이 전원선(PL)에 접속되고, 소스가 용량 소자(Cs)의 타단 및 발광 소자(19)의 애노드에 접속되어 있다. 용량 소자(Cs)는, 일단이 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 및 기록 트랜지스터(WSTr)의 드레인에 접속되고, 타단이 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 및 발광 소자(19)의 애노드에 접속되어 있다. 발광 소자(19)는, 유기 EL 소자를 이용하여 구성되고, 적색(R)의 광을 사출하는 발광 소자이고, 애노드가 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 및 용량 소자(Cs)의 타단에 접속되고, 캐소드에는, 구동부(20)에 의해 캐소드 전압(Vcath)이 공급되어 있다.

도 4는, 표시부(10)의 단면도를 도시하는 것이다. 표시부(10)는, 기판(200)과, 게이트(201)와, 폴리실리콘(203)과, 애노드(212)와, 절연층(213)과, 발광층(214)과, 캐소드(215)와, 절연층(216)과, 컬러 필터(218)를 갖고 있다.

기판(200)은, 표시부(10)의 지지 기판이고, 예를 들면, 유리나 플라스틱 등에 의해 구성되어 있다. 기판(200)상에는, 게이트(201)가 형성되어 있다. 이 게이트(201)는, 예를 들면 몰리브덴(Mo) 등에 의해 구성된다. 기판(200) 및 게이트(201)의 위에는 절연층(202)이 형성되어 있다. 이 절연층(202)은, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2)이나, 질화실리콘(SiNx) 등에 의해 구성된다. 이 절연층(202)의 위에는, 게이트(201)에 대응하는 영역에 폴리실리콘(203)이 형성되어 있다. 게이트(201) 및 폴리실리콘(203)은, 구동 트랜지스터(DRTr) 등을 구성하는 것이다. 또한, 이 예에서는, 게이트(201)의 상부에 폴리실리콘(203)을 형성하는, 이른바 보텀 게이트 구조에 의해 트랜지스터를 구성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 게이트의 하부에 폴리실리콘을 형성하는, 이른바 톱 게이트 구조에 의해 트랜지스터를 구성하여도 좋다. 폴리실리콘(203) 및 절연층(202)의 위에는, 절연층(204)이 형성되어 있다. 이 절연층(204)은, 예를 들면 절연층(202)과 같은 재료에 의해 구성된다. 또한, 폴리실리콘(203)이 형성된 영역의 일부에는, 절연층(204)을 관통하도록, 콘택트/배선(205)이 형성되어 있다. 배선(205)은, 예를 들면, 티탄(Ti)/알루미늄(Al)/티탄(Ti)의 3층에 의해 구성할 수 있다.

절연층(204)의 위에는, 절연층(211)이 형성되어 있다. 절연층(211)은, 예를 들면, 폴리이미드나 아크릴 수지 등에 의해 구성된다. 절연층(211)의 위에는, 애노드(212)가 형성되어 있다. 애노드(212)는, 절연층(211)을 관통하여, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스에 관한 콘택트/배선(205)과 접속되어 있다. 애노드(212)는, 예를 들면, ITO/Al합금, Al합금, ITO/Ag, ITO/Ag합금 등에 의해 구성되어 있다. 즉, 애노드(212)는, 광을 반사하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 애노드(212) 및 절연층(211)의 위에는, 절연층(213)이 형성되어 있다. 절연층(213)은, 예를 들면 절연층(211)과 같은 재료에 의해 구성된다. 이 절연층(213)에는, 애노드(212)가 형성된 영역의 일부에 복수의 개구부(WIN)가 마련되어 있다. 애노드(212) 및 절연층(213)의 상부에는, 복수의 개구부(WIN)를 덮도록, 발광층(214)이 형성되어 있다. 발광층(214)은, 적색, 녹색, 청색, 백색의 광을 발하는 유기 EL층이다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에 대응하는 영역에는 적색(R)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11G)에 대응하는 영역에는 녹색(G)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11B)에 대응하는 영역에는 청색(B)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11W)에 대응하는 영역에는 백색(W)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되어 있다. 절연층(213) 및 발광층(214)의 위에는, 캐소드(215)가 일양하게 형성되어 있다. 캐소드(215)는, 투명 또는 반투명의 전극이고, 예를 들면, 마그네슘은(銀)(MgAg)이나, IZO(등록상표)에 의해 구성할 수 있다. 마그네슘은으로 구성한 경우에는, 막두께를 예를 들면 수㎚ 정도로 함에 의해 반투명으로 할 수 있다. IZO로 구성한 경우에는, 예를 들면 수십㎚ 내지 수천㎚의 막두께로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, IZO는 투명한 재료이기 때문에, 소망하는 낮은 시트 저항치를 실현할 수 있도록 약간 두껍게 형성할 수 있다. 캐소드(215)의 위에는, 이 예에서는 절연층(216)이 형성되어 있다. 절연층(216)은, 예를 들면 질화실리콘(SiNx) 등에 의해 구성된다. 절연층(216)은, 그 굴절률이 절연층(213)의 굴절률과 다른 재료에 의해 구성되는 것이다. 구체적으로는, 후술하는 바와 같이, 절연층(213, 216)의 굴절률은, 개구부(WIN)를 둘러싸는 절연층(213)의 경사 부분(PS)에서, 절연층(216)측부터 입사한 광이 반사되도록 설정된다. 또한, 이 절연층(216)은, 발광층(214)에 수분이 침입하여, 발광 효율 등의 특성이 변화하는 것을 방지하는 기능도 갖고 있다. 이 절연층(216)은, 밀봉용의 수지인 절연층(217)을 통하여, 컬러 필터(218)나 블랙 매트릭스(219)가 표면에 형성된 기판(220)과 접합되어 있다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에 대응하는 부분에는 적색의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11G)에 대응하는 부분에는 녹색(G)의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11B)에 대응하는 부분에는 청색(B)의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11W)에 대응하는 부분에는 백색(W)의 컬러 필터(218)가 형성되어 있다.

이 구성에 의해, 발광층(214)에서 사출한 적색, 녹색, 청색 및 백색의 광은, 지지 기판인 기판(200)과는 반대의 방향으로 진행된다. 즉, 발광 소자(19)는, 이른바 톱 이미션형의 발광 소자이다. 그리고, 이 광은, 컬러 필터(218)를 통하여 표시면에서 출력된다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에서는, 적색(R)의 광의 색역(色域)이 적색(R)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11G)에서는, 녹색(G)의 광의 색역이 녹색(G)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11B)에서는, 청색(B)의 광의 색역이 청색(B)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11W)에서는, 백색(W)의 광의 색역이 백색(W)의 컬러 필터(218)에 의해 조정된다. 또한, 화질(색역)에 대한 요구가 그다지 높지 않는 어플리케이션 등에서는, 이들의 컬러 필터(218)를 마련하지 않아도 좋다.

도 5는, 화소(Pix)에서의 4개의 서브화소(11)의 구성을 모식적으로 도시하는 것이다. 적색(R)의 서브화소(11R)에서는, 적색의 발광층(214)에서 사출한 적색의 광이, 적색의 컬러 필터(218)를 통과한다. 마찬가지로, 녹색(G)의 서브화소(11G)에서는, 녹색의 발광층(214)에서 사출한 녹색의 광이, 녹색의 컬러 필터(218)를 통과하고, 청색(B)의 서브화소(11B)에서는, 청색의 발광층(214)에서 사출한 청색의 광이, 청색의 컬러 필터(218)를 통과하고, 백색(W)의 서브화소(11W)에서는, 백색의 발광층(214)에서 사출한 백색의 광이, 백색의 컬러 필터(218)를 통과하도록 되어 있다.

도 6은, 화소(Pix)에서, 애노드(212)의 배치를 도시하는 것이다. 화소(Pix)에는, 4개의 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)과, 4개의 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)가 마련되어 있다.

회로 영역(15R)은, 서브화소(11R)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자(기록 트랜지스터(WSTr), 구동 트랜지스터(DRTr), 및 용량 소자(Cs))가 배치되는 영역이다. 마찬가지로, 회로 영역(15G)은, 서브화소(11G)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(15B)은, 서브화소(11B)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(15W)은, 서브화소(11W)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이다. 이 예에서는, 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)의 레이아웃은, 주사선(WSAL, WSBL) 및 전원선(PL)과의 접속부분 이외는 거의 같은 것이다. 또한, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 회로 영역(15R, 15G)의 레이아웃은, 회로 영역(15B, 15W)의 레이아웃을 상하 반전하는 것이라도 좋고, 각각이 전혀 다른 별개의 레이아웃이라도 좋다. 이와 같이, 같은 레이아웃을 회전 또는 반전하여 유용(流用)함에 의해, 레이아웃 작업의 효율을 높일 수 있다.

애노드(212R)는 서브화소(11R)의 애노드이고, 애노드(212G)는 서브화소(11G)의 애노드이고, 애노드(212B)는 서브화소(11B)의 애노드이고, 애노드(212W)는 서브화소(11W)의 애노드이다. 이들의 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)는, 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)에 형성된 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스와, 각각 콘택트(205)를 통하여 접속되어 있다. 이 예에서는, 콘택트(205)는, 이 예에서는 정방형의 형상을 갖는 것이고, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 좌상에 배치되어 있다.

도 7은, 각 애노드(212)에서의 개구부(WIN)의 배치를 모식적으로 도시하는 것이다. 각 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)는, 도 6에 도시한 바와 같이 각각 이간하여 형성되지만, 이 도 7에서는 설명의 편의상, 이들이 인접하도록 그리고 있다. 이 예에서는, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 영역에, 각각 3개의 개구부(WIN)가 배치되어 있다. 개구부(WIN)는, 이 예에서는 원형형상(圓形狀)을 갖는 것이다. 이 예에서는, 3개의 개구부(WIN)는, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 각각에서, 우상, 좌하, 및 우하에 배치되어 있다. 즉, 3개의 개구부(WIN)는, 콘택트(205)가 형성된 위치와 다른 위치에 각각 형성되어 있다.

도 8은, 개구부(WIN)의 주요부 단면 구조를 도시하는 것이다. 절연층(213)은, 높이(H)의 두께로 형성되어 있고, 그 절연층(213)의 개구 부분에서는, 애노드 전극(212)측에서의 직경(R1)은, 표시면측의 직경(R2)보다도 작게 되어 있다. 즉, 절연층(213)에는, 개구부(WIN)를 둘러싸도록, 경사 부분(PS)이 마련되어 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 개구부(WIN)에서의 발광층(214)에서 사출하고, 경사 부분(PS)을 향하는 광은, 절연층(213)과 절연층(216)의 굴절률의 차에 의해, 그 경사 부분(PS)에서 반사하고, 표시면의 정면 방향으로 진행된다. 그 결과, 표시부(10)에서는, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있도록 되어 있다.

또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 개구부(WIN)는 소정의 간격을 띠우고 마련되어 있는데, 이것은, 도 8에 도시한 바와 같이, 경사 부분(PS)이 있기 때문이다. 즉, 개구부(WIN) 및 경사 부분(PS)을 포함하는 직경(R2)의 원(員)은, 서로 겹쳐지지 않도록, 디자인 룰로 정해진 소정의 간격만큼 띠여서 배치되어 있다.

도 1 등에서, 영상 신호 처리부(21)는, 외부로부터 공급되는 영상 신호(Sdisp)에 대해, RGB 신호로부터 RGBW 신호로의 변환이나 감마 변환 등의 소정의 처리를 행하고, 영상 신호(Sdisp2)를 생성하는 것이다.

타이밍 생성부(22)는, 외부로부터 공급되는 동기 신호(Ssync)에 의거하여, 주사선 구동부(23), 전원선 구동부(26), 및 데이터선 구동부(27)에 대해 각각 제어 신호를 공급하고, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어하는 회로이다.

주사선 구동부(23)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 주사선(WSAL)에 대해 주사 신호(WSA)를 순차적으로 인가함과 함께, 복수의 주사선(WSBL)에 대해 주사 신호(WSB)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)를 순차적으로 선택하는 것이다.

전원선 구동부(26)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 전원선(PL)에 대해 전원 신호(DS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)의 발광 동작 및 소광 동작의 제어를 행하는 것이다. 전원 신호(DS)는, 전압(Vccp)과 전압(VinI)의 사이에서 천이하는 것이다. 후술하는 바와 같이, 전압(VinI)은, 서브화소(11)를 초기화하기 위한 전압이고, 전압(Vccp)은, 구동 트랜지스터(DRTr)에 전류를 흘려서 발광 소자(19)를 발광시키기 위한 전압이다.

데이터선 구동부(27)는, 영상 신호 처리부(21)로부터 공급된 영상 신호(Sdisp2) 및 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 각 서브화소(11)의 발광휘도를 지시하는 화소 전압(Vsig), 및 후술하는 Vth 보정을 행하기 위한 전압(VofS)을 포함하는 신호(Sig)를 생성하고, 각 데이터선(DTL)에 인가하는 것이다.

이 구성에 의해, 구동부(20)는, 후술하는 바와 같이, 서브화소(11)에 대해 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차가 화질에 주는 영향을 억제하기 위한 보정(Vth 보정 및 μ(이동도) 보정)을 행하여, 서브화소(11)에 대해 화소 전압(Vsig)의 기록을 행한다. 그리고, 그 후에, 서브화소(11)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(Vsig)에 응한 휘도로 발광하도록 되어 있다.

여기서, 애노드(212)는, 본 개시에서의 "제1의 전극"의 한 구체례에 대응한다. 캐소드(215)는, 본 개시에서의 "제2의 전극"의 한 구체례에 대응한다. 절연층(213)은, 본 개시에서의 "제1의 절연층"의 한 구체례에 대응한다. 절연층(216)은, 본 개시에서의 "제2의 절연층"의 한 구체례에 대응한다. 데이터선(DTL)은, 본 개시에서의 "신호선"의 한 구체례에 대응한다. 회로 영역(15)은, 본 개시에서의 "화소 회로 영역"의 한 구체례에 대응한다.

[동작 및 작용]

계속해서, 본 실시의 형태의 표시 장치(1)의 동작 및 작용에 관해 설명한다.

(전체 동작 개요)

우선, 도 1을 참조하여, 표시 장치(1)의 전체 동작 개요를 설명한다. 영상 신호 처리부(21)는, 외부로부터 공급되는 영상 신호(Sdisp)에 대해 소정의 처리를 행하여, 영상 신호(Sdisp2)를 생성한다. 타이밍 생성부(22)는, 외부로부터 공급되는 동기 신호(Ssync)에 의거하여, 주사선 구동부(23), 전원선 구동부(26) 및 데이터선 구동부(27)에 대해 각각 제어 신호를 공급하여, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어한다. 주사선 구동부(23)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 주사선(WSAL)에 대해 주사 신호(WSA)를 순차적으로 인가함과 함께, 복수의 주사선(WSBL)에 대해 주사 신호(WSB)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)를 순차적으로 선택한다. 전원선 구동부(26)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 전원선(PL)에 대해 전원 신호(DS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)의 발광 동작 및 소광 동작의 제어를 행한다. 데이터선 구동부(27)는, 영상 신호 처리부(21)로부터 공급된 영상 신호(Sdisp2) 및 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 각 서브화소(11)의 휘도에 대응하는 화소 전압(Vsig), 및 Vth 보정을 행하기 위한 전압(VofS)을 포함하는 신호(Sig)를 생성하고, 각 데이터선(DTL)에 인가한다. 표시부(10)는, 구동부(20)로부터 공급된 주사 신호(WSA, WSB), 전원 신호(DS), 및 신호(Sig)에 의거하여 표시를 행한다.

(상세 동작)

다음에, 하나의 화소(Pix)에 속하는 2개의 서브화소(11R, 11W)를 예로, 표시 장치(1)의 상세 동작을 설명한다.

도 9는, 서브화소(11R, 11W)의 동작의 타이밍도를 도시하는 것이고, (A)는 주사 신호(WSA)의 파형을 나타내고, (B)는 주사 신호(WSB)의 파형을 나타내고, (C)는 전원 신호(DS)의 파형을 나타내고, (D)는 신호(Sig)의 파형을 나타내고, (E)는 서브화소(11R)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)의 파형을 나타내고, (F)는 서브화소(11R)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)의 파형을 나타내고, (G)는 서브화소(11W)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)의 파형을 나타내고, (H)는 서브화소(11W)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)의 파형을 나타낸다. 도 9(C) 내지 (F)에서는, 같은 전압축을 이용하여 각 파형을 나타내고, 마찬가지로, 도 9(G), (H)에서는, 같은 전압축을 이용하여 각 파형을 나타내고 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 9(G), (H)와 같은 전압축에, 전원 신호(DS)(도 9(C)) 및 신호(Sig) (도 9(D))의 파형과 같은 것을 나타내고 있다.

구동부(20)는, 1수평 기간(1H) 내에서, 서브화소(11R, 11W)의 초기화를 행하고(초기화 기간(P1)), 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차가 화질에 주는 영향을 억제하기 위한 Vth 보정을 행한다(Vth 보정 기간(P2)). 그 후, 서브화소(11R)에 대해 화소 전압(VsigR)의 기록을 행함과 함께, Vth 보정과는 다른 μ(이동도)보정을 행하고(기록·μ 보정 기간(P3)), 서브화소(11R)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(VsigR)에 응한 휘도로 발광한다(발광 기간(P4)). 그 후, 마찬가지로, 서브화소(11W)에 대해 화소 전압(VsigW)의 기록을 행함과 함께, μ(이동도) 보정을 행하고(기록·μ 보정 기간(P5)), 서브화소(11W)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(VsigW)에 응한 휘도로 발광한다(발광 기간(P6)). 이하에, 그 상세를 설명한다.

우선, 전원선 구동부(26)는, 초기화 기간(P1)에 앞서는 타이밍(t1)에서, 전원 신호(DS)를 전압(Vccp)으로부터 전압(Vini)으로 변화시킨다(도 9(C)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)가 각각 온 상태가 되고, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이, 전압(Vini)으로 각각 설정된다(도 9(F), (H)).

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t2 내지 t3)의 기간(초기화 기간(P1))에서, 서브화소(11R, 11W)를 초기화한다. 구체적으로는, 타이밍(t2)에서, 데이터선 구동부(27)가, 신호(Sig)를 전압(VofS)으로 설정하고(도 9(D)), 주사선 구동부(23)가, 주사 신호(WSA, WSB)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 각각 변화시킨다(도 9(A), (B)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 기록 트랜지스터(WSTr)가 각각 온 상태가 되고, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)이 각각 전압(VofS)으로 설정된다(도 9(E), (G)). 이와 같이 하여, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(VgS)(=VofS-Vini)은, 구동 트랜지스터(DRTr)의 임계치 전압(Vth)보다도 큰 전압으로 각각 설정되고, 서브화소(11R, 11W)가 각각 초기화된다.

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t3 내지 t4)의 기간(Vth 보정 기간(P2))에서, Vth 보정을 행한다. 구체적으로는, 전원선 구동부(26)가, 타이밍(t3)에서, 전원 신호(DS)를 전압(VinI)으로부터 전압(Vccp)으로 변화시킨다(도 9(C)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)는 포화 영역에서 동작하게 되고, 드레인으로부터 소스에 전류(IdS)가 각각 흐르고, 소스 전압(Vs)이 각각 상승한다(도 9(F), (H)). 그 때, 이 예에서는, 소스 전압(Vs)은 발광 소자(19)의 캐소드의 전압(Vcath)보다도 낮기 때문에, 발광 소자(19)는 역바이어스 상태를 유지하고, 발광 소자(19)에는 전류는 흐르지 않는다. 이와 같이 소스 전압(Vs)이 상승함에 의해, 게이트·소스 사이 전압(VgS)이 저하되기 때문에, 전류(IdS)는 저하된다. 이 부귀환 동작에 의해, 전류(IdS)는 "0"(제로)를 향하여 수속하여 간다. 환언하면, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(VgS)은, 구동 트랜지스터(DRTr)의 임계치 전압(Vth)과 동등하게 되(VgS=Vth)도록 각각 수속하여 간다.

다음에, 주사선 구동부(23)는, 타이밍(t4)에서, 주사 신호(WSA, WSB)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 각각 변화시킨다(도 9(A), (B)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 기록 트랜지스터(WSTr)는 각각 오프 상태가 된다. 이와 동시에, 데이터선 구동부(27)는, 신호(Sig)를 화소 전압(VsigR)으로 설정한다(도 9(D)).

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t5 내지 t6)의 기간(기록·μ 보정 기간(P3))에서, 서브화소(11R)에 대해 화소 전압(VsigR)의 기록을 행함과 함께 μ 보정을 행한다. 구체적으로는, 주사선 구동부(23)가, 타이밍(t5)에서, 주사 신호(WSA)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 변화시킨다(도 9(A)). 이에 의해, 서브화소(11R)의 기록 트랜지스터(WSTr)는 온 상태가 되고, 서브화소(11R)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)이, 전압(VofS)으로부터 화소 전압(Vsig)으로 상승한다(도 9(E)). 이 때, 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(VgS)이 임계치 전압(Vth)보다 커지고(VgS>Vth), 드레인으로부터 소스에 전류(IdS)가 흐르기 때문에, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이 상승한다(도 9(F)). 이와 같은 부귀환 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차의 영향이 억제되고(μ 보정), 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(VgS)은, 화소 전압(Vsig)에 응한 전압(Vemi)으로 설정된다. 또한, 이와 같은 μ 보정의 방법에 관해서는, 예를 들면, 특개2006-215213에 기재가 있다.

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t6) 이후의 기간(발광 기간(P4))에서, 서브화소(11R)를 발광시킨다. 구체적으로는, 타이밍(t6)에서, 주사선 구동부(23)는, 주사 신호(WSA)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 9(A)). 이에 의해, 서브화소(11R)의 기록 트랜지스터(WSTr)가 오프 상태가 되고, 서브화소(11R)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트가 플로팅으로 되기 때문에, 이 이후, 용량 소자(Cs)의 단자 사이 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(VgS)은 유지된다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRTr)에 전류(IdS)가 흐름에 따라, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이 상승하고(도 9(F)), 이에 수반하여 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)도 상승한다(도 9(E)). 그리고, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이, 발광 소자(19)의 임계치 전압(Vel)과 전압(Vcath)의 합(Vel +Vcath)보다도 커지면, 발광 소자(19)의 애노드·캐소드 사이에 전류가 흐르고, 발광 소자(19)가 발광한다. 즉, 발광 소자(19)의 소자 편차에 응한 부분만큼 소스 전압(Vs)이 상승하고, 발광 소자(19)가 발광한다.

다음에, 데이터선 구동부(27)는, 타이밍(t7)에서, 신호(Sig)를 화소 전압(VsigW)으로 설정한다(도 9(D)).

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t8 내지 t9)의 기간(기록·μ 보정 기간(P5))에서, 서브화소(11W)에 대해 화소 전압(VsigW)의 기록을 행함과 함께 μ 보정을 행한다. 구체적으로는, 주사선 구동부(23)가, 타이밍(t8)에서, 주사 신호(WSB)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 변화시킨다(도 9(B)). 이에 의해, 기록·μ 보정 기간(P3)의 경우와 마찬가지로, 서브화소(11W)에 화소 전압(VsigW)이 기록됨과 함께, μ 보정이 행하여진다.

다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t9) 이후의 기간(발광 기간(P6))에서, 서브화소(11W)를 발광시킨다. 구체적으로는, 타이밍(t9)에서, 주사선 구동부(23)는, 주사 신호(WSB)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 9(B)). 이에 의해, 발광 기간(P4)의 경우와 마찬가지로, 서브화소(11W)의 발광 소자(19)가 발광한다.

그 후, 표시 장치(1)에서는, 소정의 기간(1프레임 기간)이 경과한 후, 발광 기간(P4, P6)부터 기록 기간(P1)으로 이행한다. 구동부(20)는, 이 일련의 동작을 반복하도록 표시부(10)를 구동한다.

(경사 부분(PS)에 관해)

표시 장치(1)에서는, 서브화소(11)에, 복수의 개구부(WIN)를 마련함과 함께, 그 각각을 둘러싸도록 절연층(213)의 경사 부분(PS)을 마련하고 있다. 이하에, 이 경사 부분(PS)의 작용에 관해 상세히 설명한다.

도 10은, 개구부(WIN) 부근에서의, 광선의 시뮬레이션 결과의 한 예를 도시하는 것이다. 도 10은, 발광층(230)(하측)에서 사출한 광이, 표시면측(상측)을 향하여 진행되는 양상을 도시하고 있다. 도 10에 도시한 바와 같이, 개구부(WIN)에서의 발광층(230)으로부터는, 다양한 방향으로 광이 사출된다. 구체적으로는, 발광층(230)에서 사출되는 광은, 예를 들면, 발광층(230)의 법선 방향(도 10의 윗방향)으로 나아가고, 또는, 발광층(230)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 진행된다. 발광층(230)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 진행된 광중의 일부는, 절연층(213)의 경사 부분(PS)에 입사하고, 그리고 반사한다. 즉, 이 경사 부분(PS)에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 서로 다른 굴절률을 갖는 절연층(213)과 절연층(216)이, 발광층(214) 및 캐소드(215)를 끼우고 서로 이웃하고 있기 때문에, 이 굴절률의 차에 의해, 광이 반사한다. 그리고, 이 반사한 광은, 표시면측으로 나아가고, 표시부(10)의 외부에 취출된다.

이처럼, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 둘러싸도록 경사 부분(PS)을 마련하였기 때문에, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있다. 즉, 예를 들면, 경사 부분(PS)을 마련하지 않는 경우에는, 발광층(230)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 사출된 광은, 표시부 내에서 약해지고, 또는 블랙 매트릭스(219)에 의해 차단될 우려가 있다. 이 경우에는, 발광층(230)에서 사출한 광 중, 표시부의 외부로 취출되는 광의 비율이 저하되고, 광의 취출 효율이 저하되어 버린다. 한편, 표시부(10)에서는, 경사 부분(PS)을 마련하고, 이 경사 부분(PS)에서의 광이 반사하도록 하였기 때문에, 광의 취출 효율을 높일 수 있다.

이 경사 부분(PS)에서의 광을 효율적으로 반사시키려면, 이하와 같이 각 파라미터를 설정하는 것이 바람직하다. 즉, 절연층(216)의 굴절률을 n1으로 하고, 절연층(213)의 굴절률을 n2으로 하였을 때, 이들의 굴절률(n1, n2)은, 이하의 식을 충족시키는 것이 바람직하다.

1.1≤n1≤1.8 … (1)

n1-n2≥0.20 … (2)

또한, 높이(H), 직경(R1, R2)(도 8)은, 이하의 식을 충족시키는 것이 바람직하다.

0.5≤R1/R2≤0.8 … (3)

0.5≤H/R1≤2.0 … (4)

이들의 굴절률(n1, n2), 높이(H), 직경(R1, R2)의 각 파라미터는, 식(1) 내지 (4)를 충족시키는 범위에서, 그 밖의 휘도 시야각 등의 사양을 충족시키도록 결정되는 것이 바람직하다.

또한, 표시부(10)에서는, 이와 같은 개구부(WIN)를 복수 마련하고, 각 개구부(WIN)를 둘러싸도록 경사 부분(PS)을 각각 마련하였기 때문에, 복수의 개구부(WIN)의 경사 부분(PS)을 유효하게 사용할 수 있고, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있다.

또한, 표시부(10)에서는, 이와 같은 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다. 즉, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 복수 마련함에 의해, 큰 개구부를 1개 마련한 경우에 비하여, 개구율이 저하될 우려가 있지만, 그와 같은 경우에도, 상술한 바와 같이 광의 외부로의 취출 효율을 높임에 의해, 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 개구부(WIN)를 복수 마련함에 의해, 개구율이 반분이 된 경우에도, 광의 취출 효율을 2배로 함에 의해, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 바꾸지 않고서, 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 이와 같이, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 유지한 채로 개구율을 내림에 의해, 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 예를 들면, 개구율이 반분이 된 경우에도, 광의 취출 효율을 2배보다 크게 한 경우에는, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 내려도, 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 이 경우에는, 소비 전력의 더한층의 저감이 가능해진다. 그리고 또한, 발광 특성의 경시 열화(이른바 버닝)를 억제할 수 있다. 즉, 발광층(214)을 구성하는 유기 EL층은, 일반적으로, 전류 밀도가 높을수록 경시 열화가 생기기 쉽기 때문에, 이와 같이 전류 밀도를 내림에 의해, 경시 열화가 생기기 어려워지고, 화질을 높일 수 있다.

또한, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 표시부(10)를 보다 용이하게 제조할 수 있다. 즉, 개구부(WIN)를 복수 마련하면, 각 개구부(WIN)의 직경(R1)을 작게 할 수 있기 때문에, 식(4)에 표시한 바와 같이, 절연층(213)의 높이(H)(두께)를 낮게 할 수 있다. 이 절연층(213)은, 예를 들면, 아크릴, 폴리이미드, 노볼락 등의 감광성 수지 재료를 이용하여, 포토 리소그래피에 의해 형성되기 때문에, 얇을수록 단시간에 형성할 수 있다. 이와 같이, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 절연층(213)을 보다 짧은 시간에 형성할 수 있기 때문에, 용이하게 제조할 수 있다.

[효과]

이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 복수의 개구부를 마련함과 함께, 각각을 둘러싸도록 경사 부분(PS)을 마련하였기 때문에, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있고, 소비 전력을 저감할 수 있다.

본 실시의 형태에서는, 복수의 개구부를 마련하도록 하였기 때문에, 절연층을 얇게 할 수 있기 때문에, 표시부를 보다 용이하게 제조할 수 있다.

[변형례 1-1]

상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)의 형상을 원형으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 타원으로 하여도 좋다. 이에 의해, 개구부(WIN)의 배치의 자유도를 높일 수 있다. 개구부(WIN)를 타원형으로 하면 효과적인 예로서는, 예를 들면, 원형의 개구부(WIN)를 배치한 경우에는 스페이스가 남아 버리지만, 그와 같은 개구부(WIN)를 일방향으로 늘려서 타원형으로 함에 의해 필요없는 스페이스를 없앨 수 있는 경우 등을 들 수 있다. 이 경우에는, 개구부(WIN)의 각각의 면적을 크게할 수 있기 때문에, 개구율을 높일 수 있음과 함께, 제조 공정에서, 개구부(WIN)에서의 발광층(214)나 캐소드(215)의 형성을 보다 균일하게 행할 수 있다. 또한, 개구부(WIN)를 타원형으로 함에 의해, 특정한 방향으로 시야각을 넓힐 수 있다. 즉, 도 11에 도시하는 바와 같이, 단축 방향(도 11(A))에 비하여 장축 방향(도 11(B))에서는, 광이 법선 방향으로부터 보다 빗나간 방향으로 넓어지기 때문에, 개구부(WIN) 방향에 응한 방향(장축 방향)으로 시야각을 넓힐 수 있다. 또한, 세로로 길다란 타원형의 개구부(WIN)와, 가로로 길다란 타원형의 개구부(WIN)의 양쪽을 마련하여도 좋다. 이 경우에는, 종방향과 횡방향의 시야각을 함께 넓힐 수 있다.

[변형례 1-2]

상기 실시의 형태에서는, 각 애노드(212)의 영역에 개구부(WIN)를 3개 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 12A 내지 12C에 도시하는 바와 같이, 개구율이나, 절연층(213)의 두께(높이(H)) 등을 고려하여, 임의의 개수 마련하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 개구부(WIN)를 1개만 마련하여도 좋고(도 12A), 8(도 12B)개나 12개(도 12C) 마련하여도 좋다. 또한, 도 13A 내지 13F에 도시하는 바와 같이, 콘택트(205)의 크기가 상기 실시의 형태에서의 콘택트(205)의 크기와 다른 경우에도, 이 콘택트(205)와의 거리에 관한 디자인 룰을 충족시키도록, 임의의 수의 개구부(WIN)를 배치할 수 있다.

[변형례 1-3]

상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)의 형상을 원형으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 도 14A 내지 도 14B에 도시하는 바와 같이, 정방형이나 장방형 등의 사각형으로 하여도 좋다. 또한, 예를 들면, 이 사각형의 4개의 모서리를 둥글게 하여도 좋다. 이 경우에는, 식(3), (4)에서, 직경 대신에, 대향한 변의 사이의 간격(도 14A의 x, y)을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 애노드 전극(212)측의 간격(x1)과, 표시면측의 간격(x2)이, 이하의 식(5), (6)를 충족시킴과 함께, 애노드 전극(212)측의 간격(y1)과, 표시면측의 간격(y2)이, 이하의 식(7), (8)를 충족시키는 것이 바람직하다.

0.5≤x1/x2≤0.8 … (5)

0.5≤H/x1≤2.0 … (6)

0.5≤y1/y2≤0.8 … (7)

0.5≤H/y1≤2.0 … (8)

[변형례 1-4]

상기 실시의 형태에서는, 콘택트(205)의 형상을 정방형으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 15에 도시하는 바와 같이, 콘택트(205)를 원형형상으로 함과 함께, 개구부(WIN)의 크기와 거의 동등한 크기로 하여도 좋다. 이 경우에는, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)를, 한정된 면적에서 보다 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 도 16에 도시하는 바와 같이, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)의 배치를, 이른바 최밀충전(最密充塡) 배치로 하여도 좋다. 이 최밀충전 배치에서는, 예를 들면 3개의 개구부(WIN)가 서로 이웃하도록 배치된다. 이에 의해, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)를, 더욱 효율적으로 배치할 수 있다. 이 경우에는, 애노드(212)의 윤곽을 구성하는 각 변은, 콘택트(205) 및 개구부(WIN) 사이의 간극에 마련된다. 이에 의해, 이 예에서는, 애노드(212)의 상변 및 하변은 횡방향으로 늘어나지만, 좌측의 2개의 변 및 우측의 2개의 변은, 각각 알파벳의 "V"의 형상이 되어, 각 변은 횡방향으로부터 60도 어긋난 방향으로 늘어난다.

[변형례 1-5]

상기 실시의 형태에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 캐소드(215)의 위에 절연층(216)을 형성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 이 절연층(216)은, 발광층(214)에 수분이 침입하고, 발광 효율 등의 특성이 변화하는 것을 방지하는 기능을 갖고 있는데, 이 수분의 침입에 기인하는 여러 문제가 다른 기술에 의해 해결할 수 있는 경우에는, 도 17에 도시하는 바와 같이, 절연층(216)을 줄여도 좋다. 이 예에서는, 캐소드(215)는, 밀봉용의 수지인 절연층(217D)을 이용하여, 컬러 필터(218)나 블랙 매트릭스(219)가 표면에 형성된 기판(220)과 접합되어 있다. 절연층(213, 217D)의 굴절률은, 상기 실시의 형태에서의 절연층(213, 216)과 마찬가지로, 개구부(WIN)를 둘러싸는 절연층(213)의 경사 부분(PS)에서, 절연층(217D)측에서 입사한 광이 반사되도록 설정된다. 구체적으로는, 절연층(217D)의 굴절률을 n1으로 하고, 절연층(213)의 굴절률을 n2으로 하였을 때에, 식(1), (2)를 충족시키는 것이 바람직하다.

[변형례 1-6]

상기 실시의 형태에서는, 도 4, 5에 도시한 바와 같이, 적색, 청색, 녹색, 백색의 광을 발하는 발광층(214)을 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 18, 19에 도시하는 바와 같이, 백색의 광을 발하는 발광층(320)을 마련하여도 좋다. 발광층(320)은, 황색 발광층(314) 및 청색 발광층(315)으로 구성되는 것이다. 이 예에서는, 황색 발광층(314)은 애노드(212)측에 배치되고, 청색 발광층(315)은 캐소드(215)측에 배치되어 있다. 황색 발광층(314)은, 황색의 광을 발하는 유기 EL층이고, 청색 발광층(315)은, 청색의 광을 발하는 유기 EL층이다. 황색 발광층(214)에서 사출한 황색의 광과, 청색 발광층(215)에서 사출한 청색의 광은, 혼합하여 백색광이 된다. 그리고, 도 19에 도시한 바와 같이, 서브화소(11R, 11G, 11B)에서는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터(218)에 의해, 이 백색광으로부터 적색 성분, 녹색 성분, 청색 성분이 각각 분리되어 출력된다. 또한, 서브화소(11W)에서는, 백색(W)의 컬러 필터(218)에 의해 백색광의 색역이 조정된다. 또한, 이 예에서는, 발광층(320)에서, 황색 발광층(314)을 애노드(212)측에 배치함과 함께, 청색 발광층(315)을 캐소드(215)측에 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 황색 발광층(314)을 캐소드(215)측에 배치함과 함께, 청색 발광층(315)을 애노드(212)측에 배치하여도 좋다.

(2. 제2의 실시의 형태)

다음에, 제2의 실시의 형태에 관한 표시 장치(2)에 관해 설명한다. 본 실시의 형태는, 애노드 전극의 형상 및 배치가 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 다른 것이다. 그 밖의 구성은, 상기 제1의 실시의 형태(도 1)와 마찬가지이다. 또한, 상기 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1)과 실질적으로 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.

표시 장치(2)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 표시부(30)를 구비하고 있다. 표시부(30)의 화소(Pix)는, 이하에 나타내는 바와 같이, 적색, 녹색, 청색, 백색의 4개의 서브화소(12)에 의해 구성되는 것이다.

도 20은, 표시부(30)에서의 서브화소(12)의 배치의 한 예를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 백색(W)의 4개의 서브화소(12R, 12G, 12B, 12W)를 갖고 있다. 각 서브화소(12)는, 육각형의 형상을 갖는 것이다. 이 예에서는, 화소(Pix)에서, 서브화소(12R)와 서브화소(12W)를, 수직 방향(종방향)으로 나열하여 배치하고, 서브화소(12G)와 서브화소(12B)를, 수직 방향으로 나열하여 배치하고 있다. 또한, 수직 방향에서, 서브화소(12R, 12W)를, 서브화소(12G, 12B)와, 서브화소(12)의 반분씩 비켜 놓고 배치하고 있다. 구체적으로는, 화소(Pix)에서, 서브화소(12G)를, 서브화소(12R)의 우상에 배치하고, 서브화소(12B)를 서브화소(12W)의 우상에 배치하고 있다. 환언하면, 표시부(30)에서는, 3개의 서브화소(12)가 서로 이웃하도록 배치되어 있다.

도 21은, 화소(Pix)에서, 애노드의 배치를 도시하는 것이다. 화소(Pix)에는, 4개의 애노드(312R, 312G, 312B, 312W)가 마련되어 있다. 애노드(312R)는 서브화소(12R)의 애노드이고, 애노드(312G)는 서브화소(12G)의 애노드이고, 애노드(312B)는 서브화소(12B)의 애노드이고, 애노드(312W)는 서브화소(12W)의 애노드이다. 이들의 애노드(312R, 312G, 312B, 312W)는, 도 20에 도시한 서브화소(12R, 12G, 12B, 12C)와 마찬가지로, 육각형의 형상을 갖고 있고, 애노드(312G, 312B)는, 수직 방향(종방향)에서 애노드(312R, 312W)라고 빗나가게 배치되어 있다. 환언하면, 예를 들면 3개의 애노드(312)가 서로 이웃하도록 배치되어 있다. 또한, 예를 들면, 이 육각형의 6개의 모서리를 둥글게 하여도 좋다. 한편, 회로 영역(15G, 15B)은, 수직 방향에서, 회로 영역(15R, 15W)과 같은 위치에 배치되어 있다. 애노드(312R, 312G, 312B, 312W)는, 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)에 형성된 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스와, 각각 콘택트(205)를 통하여 접속되어 있다.

이들의 애노드(312)는, 이 예에서는, 정6각형이 아니라, 수평 방향(횡방향)으로 늘어난 육각형의 형상을 갖고 있다. 이에 의해, 애노드(312)를 보다 크게할 수 있다. 즉, 가령 애노드(312)를 정6각형으로 형성하면, 도 22에 도시한 바와 같이, 수평 방향(횡방향)에서, 애노드(312) 사이의 간격이 넓게 된다. 이 스페이스를 유효하게 이용하기 위해서는, 도 21에 도시한 바와 같이, 애노드(312)를, 수평 방향으로 늘어난 육각형으로 하는 편이 바람직하다. 그 때, 정6각형을 수평 방향으로 그대로 확대한 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 육각형의 좌상변, 좌하변, 우상변, 우하면이, 수평 방향과의 사이에 이루는 각은 60도 이하에 된다. 또한, 예를 들면, 상변 및 하변을 늘림에 의해, 좌상변, 좌하변, 우상변, 우하면이, 수평 방향과의 사이에 이루는 각은 60도로 유지한 채로, 정6각형을 수평 방향으로 넓혀도 좋다. 또한, 애노드(312)를 넓게 할 필요가 없는 경우에는, 도 22에 도시한 바와 같은 구성으로 하여도 좋다.

도 23은, 각 애노드(312)에서의 개구부(WIN)의 배치를 모식적으로 도시하는 것이다. 각 애노드(312R, 312G, 312B, 312W)는, 도 21에 도시한 바와 같이 각각 이간하여 형성되지만, 이 도 23에서는 설명의 편의상, 이들이 인접하도록 그리고 있다. 이 예에서는, 애노드(312R, 312G, 312B, 312W)의 위에, 각각 5개의 개구부(WIN)가 배치되어 있다. 개구부(WIN)는, 이 예에서는 타원형상을 갖는 것이다. 이 예에서는, 5개의 개구부(WIN)는, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 각각에서, 최밀충전 배치에 의해 배치되어 있다. 즉, 예를 들면 3개의 개구부(WIN)가 서로 이웃하도록 배치되어 있다. 이들의 개구부(WIN)의 주위에는, 상기 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 절연층(213)에 경사 부분(PS)이 마련되어 있다.

이처럼, 표시부(30)에서는, 애노드(312)를 육각형으로 구성하고, 타원형상의 개구부(WIN)를 최밀충전 배치에 의해 배치하고 있다. 환언하면, 애노드(312)의 형상을, 개구부(WIN)의 배치에 대응하는 형상으로 하고 있다. 이에 의해, 애노드(312)의 영역에, 복수의 개구부(WIN)를 효율적으로 배치할 수 있다. 그 때, 애노드(312)를, 정6각형을 수평 방향으로 그대로 확대한 형상으로 구성한 경우에는, 개구부(WIN)의 형상을, 원형형상을 애노드(312)의 확대 비율의 같은 비율로 확대한 타원형상으로 함에 의해, 용이하게 최밀충전 배치를 얻을 수 있다.

또한, 표시부(30)에서는, 각 애노드(312)의 형상을 수평 방향으로 길다란 육각형으로 함과 함께, 수직 방향에서, 애노드(312G, 312B)와, 애노드(312R, 312W)를 비켜 놓고 배치하였기 때문에, 표시부(30)에서, 애노드(312)를 효율적으로 배치할 수 있다.

이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 각 애노드를 육각형으로 구성하고, 타원형상의 개구부를 최밀충전 배치에 의해 배치하도록 하였기 때문에, 애노드를 효율적으로 배치할 수 있음과 함께, 그 애노드의 영역에 복수의 개구부를 효율적으로 배치할 수 있다. 그 밖의 효과는, 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 마찬가지이다.

[변형례 2-1]

상기 실시의 형태에서는, 각 애노드(312)의 영역에 개구부(WIN)를 5개 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 24A 내지 24D에 도시하는 바와 같이, 4개 이하, 또는 6개 이상 마련하여도 좋다. 예를 들면, 도 24D에서는, 개구부(WIN)를 7행분 마련하고 있다. 이와 같이, 개구부(WIN)를 홀수행분 마련한 경우에는, 모든 개구부(WIN)를 최밀충전 배치에 의해 배치할 수 있다. 또한, 예를 들면, 도 24B, C와 같이, 개구부(WIN)를 짝수행분 마련한 경우에도, 상반분의 개구부(WIN)를 최밀충전 배치에 의해 배치함과 함께, 상반분의 개구부(WIN)를 최밀충전 배치에 의해 배치할 수 있다.

[변형례 2-2]

상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)의 형상을 타원형으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 도 25A 내지 25F에 도시하는 바와 같이, 개구부(WIN)의 형상을 원형으로 하여도 좋다. 또한, 도 26A에 도시하는 바와 같이, 타원형의 개구부(WIN)와, 원형의 개구부(WIN)의 양쪽을 마련하여도 좋다. 또한, 도 26B에 도시하는 바와 같이, 세로로 길다란 타원형의 개구부(WIN)와, 가로로 길다란 타원형의 개구부(WIN)의 양쪽을 마련하여도 좋다. 이 경우에는, 좌우 방향에 더하여, 상하 방향의 시야각도 넓힐 수 있다.

(3. 제3의 실시의 형태)

다음에, 제3의 실시의 형태에 관한 표시 장치(3)에 관해 설명한다. 본 실시의 형태는, 적색, 청색, 녹색의 3개의 서브화소에 의해 화소(Pix)를 구성하는 것이다. 또한, 상기 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치(1)과 실질적으로 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.

표시 장치(3)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 표시부(40)와, 구동부(50)를 구비하고 있다. 표시부(40)의 화소(Pix)는, 이하에 나타내는 바와 같이, 적색, 녹색, 청색의 3개의 서브화소(13)에 의해 구성되는 것이다. 구동부(50)는, 영상 신호 처리부(51)와, 주사선 구동부(53)와, 전원선 구동부(56)와, 데이터선 구동부(57)를 갖고 있다.

도 27은, 표시부(40)에서의 서브화소(13)의 배치의 한 예를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3개의 서브화소(13R, 13G, 13B)를 갖고 있다. 각 서브화소(13)는, 화소(Pix)에서, 수직 방향으로 연신함과 함께, 수평 방향으로 이 순서로 병설되어 있다.

도 28은, 표시부(40)의 회로 구성의 한 예를 도시하는 것이다. 표시부(40)는, 행방향으로 연신하는 복수의 주사선(WSL)을 갖고 있다. 주사선(WSL)은, 상기 제1의 실시의 형태에서의 주사선(WSAL, WSBL)에 대응하는 것이다. 주사선(WSL)의 일단은 주사 구동부(53)에 접속되어 있다. 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(13R, 13G, 13B)는, 같은 주사선(WSL) 및 같은 전원선(PL)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(13R, 13G, 13B)는, 서로 다른 신호선(DTL)에 접속되어 있다.

영상 신호 처리부(51)는, 외부로부터 공급된 영상 신호(Sdisp)에 대해, 감마 변환 등의 소정의 처리를 행하고, 영상 신호(Sdisp2)를 생성하는 것이다. 주사선 구동부(53)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 주사선(WSL)에 대해 주사 신호(WS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(13)를 순차적으로 선택하는 것이다. 전원선 구동부(56)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 전원선(PL)에 대해 전원 신호(DS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(13)의 발광 동작 및 소광 동작의 제어를 행하는 것이다. 데이터선 구동부(57)는, 영상 신호 처리부(51)로부터 공급된 영상 신호(Sdisp2) 및 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 각 서브화소(13)의 발광휘도를 지시하는 화소 전압(Vsig), 및 후술하는 Vth 보정을 행하기 위한 전압(VofS)을 포함하는 신호(Sig)를 생성하고, 각 데이터선(DTL)에 인가하는 것이다.

도 29는, 화소(Pix)에서의, 애노드의 배치를 도시하는 것이다. 화소(Pix)에는, 3개의 애노드(412R, 412G, 412B)와, 회로 영역(17R, 17G, 17B)이 마련되어 있다. 애노드(412R)는 서브화소(13R)의 애노드이고, 애노드(412G)는 서브화소(13G)의 애노드이고, 애노드(412B)는 서브화소(13B)의 애노드이다. 이들의 애노드(412R, 412G, 412B)는, 도 27에 도시한 서브화소(13R, 13G, 13B)와 마찬가지로, 수직 방향으로 연신함과 함께, 수평 방향으로 이 순서로 병설되어 있다. 회로 영역(17R)은, 서브화소(13R)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(17G)은, 서브화소(13G)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(17B)은, 서브화소(13B)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이다. 이들의 회로 영역(17R, 17G, 17B)은, 애노드(412R, 412G, 412B)와 마찬가지로, 수직 방향으로 연신함과 함께, 수평 방향으로 이 순서로 병설되어 있다. 애노드(412R, 412G, 412B)는, 회로 영역(17R, 17G, 17B)에 형성된 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스와, 각각 콘택트(205)를 통하여 접속되어 있다.

도 30은, 각 애노드(412)에서의 개구부(WIN)의 배치를 모식적으로 도시하는 것이다. 각 애노드(412R, 412G, 412B, 412W)는, 도 29에 도시한 바와 같이 각각 이간하여 형성되지만, 이 도 30에서는 설명의 편의상, 이들이 인접하도록 그리고 있다. 이 예에서는, 애노드(412R, 412G, 412B)의 영역에서, 각각 2개의 개구부(WIN)가 수직 방향으로 병설되어 있다. 개구부(WIN)는, 이 예에서는, 장방형의 모서리가 둥근 형상을 갖는 것이다. 이들의 개구부(WIN)의 주위에는, 상기 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 절연층(213)에 경사 부분(PS)이 마련되어 있다.

도 31은, 표시 장치(3)에서의 표시 동작의 타이밍도를 도시하는 것이고, (A)는 주사 신호(WS)의 파형을 나타내고, (B)는 전원 신호(DS)의 파형을 나타내고, (C)는 신호(Sig)의 파형을 나타내고, (D)는 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)의 파형을 나타내고, (E)는 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)의 파형을 나타낸다.

우선, 구동부(50)는, 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 타이밍(t12 내지 t13)의 기간(초기화 기간(P1))에서, 서브화소(13)를 초기화하고, 타이밍(t13 내지 t14)의 기간(Vth 보정 기간(P2))에서, Vth 보정을 행한다.

다음에, 주사선 구동부(53)는, 타이밍(t14)에서, 주사 신호(WS)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 31(A)). 이에 의해, 기록 트랜지스터(WSTr)는 오프 상태가 된다. 그리고, 데이터선 구동부(57)는, 타이밍(t15)에서, 신호(Sig)를 화소 전압(Vsig)으로 설정한다(도 31(C)).

다음에, 구동부(50)는, 타이밍(t16 내지 t17)의 기간(기록·μ 보정 기간(P13))에서, 서브화소(13)에 대해 화소 전압(Vsig)의 기록을 행함과 함께 μ 보정을 행한다. 구체적으로는, 주사선 구동부(53)가, 타이밍(t16)에서, 주사 신호(WS)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 변화시킨다(도 31(A)). 이에 의해, 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 서브화소(13)에 화소 전압(Vsig)이 기록됨과 함께, μ 보정이 행하여진다.

다음에, 구동부(50)는, 타이밍(t17) 이후의 기간(발광 기간(P14))에서, 서브화소(13)를 발광시킨다. 구체적으로는, 타이밍(t17)에서, 주사선 구동부(53)는, 주사 신호(WS)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 31(A)). 이에 의해, 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 서브화소(13)의 발광 소자(19)가 발광한다.

이상과 같이, 3개의 서브화소를 이용하여 화소를 구성한 경우에도, 상기 제1의 실시의 형태의 경우와 같은 효과를 얻을 수 있다.

[변형례 3-1]

상기 실시의 형태에서는, 각 애노드(412)의 영역에 개구부(WIN)를 2개 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 32A 내지 32C에 도시하는 바와 같이, 개구부(WIN)를 하나 또는 3개 이상 마련하여도 좋다.

[변형례 3-2]

상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)는 전부 동일한 형상을 갖는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 2 이상의 형상을 갖고 있어도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 33에 도시한 바와 같이, 각 애노드(412)에, 가로로 길다란 개구부(WIN)와 세로로 길다란 개구부(WIN)의 양쪽을 마련하여도 좋다. 또한, 예를 들면, 도 34에 도시한 바와 같이, 어느 화소(Pix)에서는, 가로로 길다란 개구부(WIN)를 복수 배치하고, 그 화소(Pix)의 수평 방향 또는 수직 방향으로 이웃하는 화소(Pix)에서는, 세로로 길다란 개구부(WIN)를 복수 배치하도록 하여도 좋다.

[변형례 3-3]

상기 실시의 형태에서는, 콘택트(205)와 개구부(WIN)를 서로 다른 형상으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면 도 35에 도시한 바와 같이, 콘택트(205)와 개구부(WIN)를 서로 거의 같은 형상 및 크기로 하여도 좋다. 이 예에서는, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)를 원형형상으로 하고 있다. 이 경우에는, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)를, 한정된 면적에 보다 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 도 36A 내지 36C에 도시하는 바와 같이, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)의 배치를, 이른바 최밀충전 배치로 하여도 좋다. 이 경우에는, 애노드(412)의 윤곽을 구성하는 각 변은, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)의 사이의 간극에 마련된다. 이에 의해, 이 예에서는, 애노드(412)의 상변 및 하변은 횡방향으로 늘어나지만, 좌측의 복수의 변 및 우측의 복수의 변은, 각각, 콘택트(205) 및 개구부(WIN)의 배치에 응한 방향으로 신장한다.

<4. 적용례>

다음에, 상기 실시의 형태 및 변형례에서 설명한 표시 장치의 적용례에 관해 설명한다.

도 37은, 상기 실시의 형태 등의 표시 장치가 적용되는 텔레비전 장치의 외관을 도시하는 것이다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들면, 프런트 패널(511) 및 필터 유리(512)를 포함하는 영상 표시 화면부(510)를 갖고 있고, 이 영상 표시 화면부(510)는, 상기 실시의 형태 등에 관한 표시 장치에 의해 구성되어 있다.

상기 실시의 형태 등의 표시 장치는, 이와 같은 텔레비전 장치 외에, 디지털 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치, 휴대형 게임기, 또는 비디오 카메라 등의 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다. 환언하면, 상기 실시의 형태 등의 표시 장치는, 영상을 표시하는 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다.

이상, 몇가지의 실시의 형태 및 변형례, 및 전자 기기에의 적용례를 들어 본 기술을 설명하였지만, 본 기술은 이들의 실시의 형태 등으로는 한정되지 않고, 여러가지의 변형이 가능하다.

예를 들면, 각 서브화소에 하나의 개구부(WIN)를 마련하는 경우에는, 개구부(WIN)를 도 38, 39와 같이 배치할 수 있다. 도 38은, 화소(Pix)를, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 백색(W)의 4개의 서브화소로 구성하는 것이고, 도 39는, 화소(Pix)를, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3개의 서브화소로 구성하는 것이다.

또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 기록 트랜지스터(WSTr) 및 구동 트랜지스터(DRTr)를 NMOS로 구성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 이들의 트랜지스터중의 일방 또는 쌍방을 PMOS로 구성하여도 좋다.

또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 서브화소를 이른바 "2Tr1C"의 구성으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 그 밖의 소자를 추가하여 구성하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 40에 도시하는 서브화소(14A)와 같이, 발광 소자(19)와 병렬 접속된 용량 소자(Csub)를 마련하여, 이른바 "2Tr2C"의 구성으로 하여도 좋다. 또한, 예를 들면, 도 41에 도시하는 서브화소(14B)와 같이, 구동 트랜지스터(DRTr)에의 전원 신호(DS)의 공급을 제어하는 전원 트랜지스터(DSTr)를 마련하여, 이른바 "3Tr1C"의 구성으로 하여도 좋다.

또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 이른바 톱 이미션형의 발광 소자(19)를 이용하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 발광층(214)에서 사출한 광이, 지지 기판인 기판(200)의 방향으로 진행되는, 이른바 보텀 이미션형의 발광 소자를 이용하여도 좋다.

또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태에서는, 표시 장치는, 유기 EL 표시 소자를 갖는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 전류 구동형의 표시 소자를 갖는 것이면, 어떤 표시 장치라도 좋다.

또한, 본 기술은 이하와 같은 구성으로 할 수 있다.

(1) 서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,

각 서브화소는,

단일한 제1의 전극과,

상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과,

각 발광 영역에서, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는

표시 장치.

(2) 각 서브화소는, 상기 제1의 전극의 위에, 상기 발광 영역에 개구부를 갖는 제1의 절연층을 가지며,

적어도 상기 개구부의 저부에, 상기 제2의 전극, 상기 발광층, 및 상기 제2의 전극이 순차적으로 적층되어 있는

상기 (1)에 기재된 표시 장치.

(3) 각 서브화소는, 그 서브화소의 영역 전체를 덮도록 형성되고, 상기 제1의 절연층의 굴절률과 다른 굴절률의 제2의 절연층을 가지며,

상기 제2의 절연층의 굴절률(n1)과, 상기 제1의 절연층의 굴절률(n2)이, 다음 식(1), (2)를 충족시키는

상기 (2)에 기재된 표시 장치.

1.1≤n1≤1.8 … (1)

n1-n2≥0.20 … (2)

(4) 상기 제1의 절연층의 상기 개구부는, 상기 발광 영역에서, 절두(切頭) 원추형을 이루고,

상기 제1의 절연층의 높이(H)와, 상기 개구부의 저부에서의 개구 직경(R1)과, 상기 제1의 절연층의 상단에서의 개구 직경(R2)이, 다음 식(3), (4)를 충족시키는

상기 (2)에 기재된 표시 장치.

0.5≤R1/R2≤0.8 … (3)

0.5≤H/R1≤2.0 … (4)

(5) 각 발광 영역의 형상은, 원형 또는 타원형인

상기 (1)부터 (4)에 기재된 표시 장치.

(6) 각 서브화소는, 장축 방향이 서로 다른 2개의 타원형의 발광 영역을 포함하고 있는

상기 (5)에 기재된 표시 장치.

(7) 각 서브화소는, 3개 이상의 상기 발광 영역을 포함하고,

하나의 서브화소에 속하는 전부 또는 일부의 발광 영역은, 그 전부 또는 일부의 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되어 있는

상기 (5) 또는 (6)에 기재된 표시 장치.

(8) 상기 제1의 전극의 형상은 육각형인

상기 (7)에 기재된 표시 장치.

(9) 상기 제1의 전극의 6개의 변 중의 대향하는 1조(組)의 변은, 서로 같은 길이이고,

상기 1조의 변의 다른 4개의 변은, 서로 같은 길이이고,

상기 1조의 변은, 상기 다른 4개의 변보다도 길다란

상기 (8)에 기재된 표시 장치.

(10) 제1의 방향으로 연신하는 신호선을 또한 구비하고,

상기 1조의 변은, 상기 제1의 방향과 교차하는 제2의 방향으로 연신하는

상기 (9)에 기재된 표시 장치.

(11) 상기 화소는, 4개의 서브화소를 가지며,

상기 4개의 서브화소에서의 4개의 제1의 전극은, 그 4개의 제1의 전극 중의 3개의 제1의 전극이 서로 이웃하도록 배치되어 있는

상기 (8)부터 (10)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.

(12) 하나의 서브화소에 속하는 모든 발광 영역은, 그 모든 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되고,

상기 제1의 전극의 형상은, 상기 하나의 서브화소에서의 발광 영역의 배치에 대응하는 다각형인

상기 (7)에 기재된 표시 장치.

(13) 상기 화소는, 3 또는 4개의 서브화소를 갖는

상기 (12)에 기재된 표시 장치.

(14) 상기 복수의 발광 영역의 형상은 사각형인

상기 (1)부터 (4)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.

(15) 상기 발광 영역의 형상은 장방형이고,

각 서브화소는, 방향이 서로 다른 2개의 발광 영역을 포함하고 있는

상기 (14)에 기재된 표시 장치.

(16) 복수의 상기 화소를 구비하고,

상기 발광 영역의 형상은 장방형이고,

하나의 화소에서의 발광 영역 방향은, 상기 하나의 화소와 이웃하는

화소에서의 발광 영역의 방향과 서로 다른

상기 (14)에 기재된 표시 장치.

(17) 복수의 상기 화소와,

제1의 방향으로 연신하는 신호선을

또한 구비하고,

각 서브화소는, 화소 회로 영역에 형성되는 화소 회로를 또한 가지며,

상기 화소 회로 영역은, 상기 제1의 방향 및 상기 제1의 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 병설되어 있는

상기 (1)부터 (16)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.

(18) 하나의 서브화소에서의 상기 제2의 전극은, 다른 서브화소에서의 상기 제2의 전극과 서로 접속되어 있는

상기 (1)부터 (17)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.

(19) 표시 장치와

상기 표시 장치에 대해 동작 제어를 행하는 제어부를

구비하고,

서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,

각 서브화소는,

단일한 제1의 전극과,

전자 기기.

Claims

표시 장치에 있어서,
서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,
각 서브화소는,
단일한 제1의 전극과,
상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과,
각 발광 영역에서, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
각 서브화소는, 상기 제1의 전극의 위에, 상기 발광 영역에 개구부를 갖는 제1의 절연층을 가지며,
적어도 상기 개구부의 저부에, 상기 제2의 전극, 상기 발광층, 및 상기 제2의 전극이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제2항에 있어서,
각 서브화소는, 그 서브화소의 영역 전체를 덮도록 형성되고, 상기 제1의 절연층의 굴절률과 다른 굴절률의 제2의 절연층을 가지며,
상기 제2의 절연층의 굴절률(n1)과, 상기 제1의 절연층의 굴절률(n2)이, 다음 식(1), (2)를 충족시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
1.1≤n1≤1.8 … (1)
n1-n2≥0.20 … (2)
제2항에 있어서,
상기 제1의 절연층의 상기 개구부는, 상기 발광 영역에서, 절두 원추형을 하고,
상기 제1의 절연층의 높이(H)와, 상기 개구부의 저부에서의 개구 직경(R1)과, 상기 제1의 절연층의 상단에서의 개구 직경(R2)이, 다음 식(3), (4)를 충족시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
0.5≤R1/R2≤0.8 … (3)
0.5≤H/R1≤2.0 … (4)
제1항에 있어서,
각 발광 영역의 형상은, 원형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제5항에 있어서,
각 서브화소는, 장축 방향이 서로 다른 2개의 타원형의 발광 영역을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제5항에 있어서,
각 서브화소는, 3개 이상의 상기 발광 영역을 포함하고,
하나의 서브화소에 속하는 전부 또는 일부의 발광 영역은, 그 전부 또는 일부의 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1의 전극의 형상은 육각형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 제1의 전극의 6개의 변 중의 대향하는 1조의 변은, 서로 같은 길이이고,
상기 1조의 변의 다른 4개의 변은, 서로 같은 길이이고,
상기 1조의 변은, 상기 다른 4개의 변보다도 길다란 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제9항에 있어서,
제1의 방향으로 연신하는 신호선을 또한 구비하고,
상기 1조의 변은, 상기 제1의 방향과 교차하는 제2의 방향으로 연신하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 화소는, 4개의 서브화소를 가지며,
상기 4개의 서브화소에서의 4개의 제1의 전극은, 그 4개의 제1의 전극 중의 3개의 제1의 전극이 서로 이웃하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제7항에 있어서,
하나의 서브화소에 속하는 모든 발광 영역은, 그 모든 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되고,
상기 제1의 전극의 형상은, 상기 하나의 서브화소에서의 발광 영역의 배치에 대응하는 다각형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 화소는, 3 또는 4개의 서브화소를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 복수의 발광 영역의 형상은 사각형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제14항에 있어서,
상기 발광 영역의 형상은 장방형이고,
각 서브화소는, 방향이 서로 다른 2개의 발광 영역을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제14항에 있어서,
복수의 상기 화소를 구비하고,
상기 발광 영역의 형상은 장방형이고,
하나의 화소에서의 발광 영역 방향은, 상기 하나의 화소와 이웃하는 화소에서의 발광 영역의 방향과 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
복수의 상기 화소와,
제1의 방향으로 연신하는 신호선을
또한 구비하고,
각 서브화소는, 화소 회로 영역에 형성되는 화소 회로를 또한 가지며,
상기 화소 회로 영역은, 상기 제1의 방향 및 상기 제1의 방향으로 교차하는 제2의 방향으로 병설되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
하나의 서브화소에서의 상기 제2의 전극은, 다른 서브화소에서의 상기 제2의 전극과 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
전자 기기에 있어서,
표시 장치와
상기 표시 장치에 대해 동작 제어를 행하는 제어부를
구비하고,
서로 이간하여 배치된 복수의 발광 영역을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,
각 서브화소는,
단일한 제1의 전극과,
상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과,
각 발광 영역에서, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극의 사이에 삽입된 발광층을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.