TW201439872A - 透明導電性薄膜及具有其之觸控面板以及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種透明導電性薄膜及具有其之觸控面板以及顯示裝置，該透明導電性薄膜係具有在高分子薄膜之基材與光學調整層間、光學調整層與金屬氧化物之透明導電性膜間之高接著性、圖案之充分不可見性。在透明基材之一側面依序積層有底塗層與透明導電性膜之透明導電性薄膜；底塗層係折射率為1.5至2.0之範圍內，其係較透明基材為高且較透明導電性膜為低，將組成物全部量設為100重量%，高折射材料之含量為40重量%以下，從透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍的碳原子含有率X(C30)(%)與矽原子含有率X(Si30)(%)為X(Si30)/X(C30)≧0.28，從透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍的碳原子含有率X(C40)(%)與矽原子含有率X(Si40)(%)為X(Si40)/X(C40)≦0.23。

Description

透明導電性薄膜及具有其之觸控面板以及顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，其係將觸控面板作為輸入裝置使用。
近年來，用指頭接觸顯示畫面、或僅用筆按壓而能輸入的透明觸控面板正普及中。作為該觸控面板的電極所使用的透明導電性薄膜基本上係具有於玻璃或高分子薄膜上積層導電膜之構造。尤其，從具優越可撓性、加工性、重量輕等之觀點，近年來正使用一種透明導電性薄膜，其係使用首要以聚對苯二甲酸乙二酯為高分子薄膜而成。
觸控面板之製造步驟中，在透明導電性薄膜上，於具有或無透明導電性膜之部分被圖案化，此係成為觸控面板電極之佈線，目視該圖案時難以看見，要求作為透明導電性膜之特性。
作為顯現該透明導電性薄膜的圖案不可見性之方法，一般係將高折射率之光學調整層設置於透明導電性膜與基材之間。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-7610號公報
光學調整層之成膜步驟係有乾式塗布與濕式塗布，後者之情形，有塗布已將高折射率之添加劑添加於有機系樹脂中之方法。然而，於上述構造中，雖然與高分子薄膜之基材的接著性係由相同的有機物所獲得，但有無法充分獲得與金屬氧化物之透明導電性膜的接著性之問題。
如專利文獻1，也提案一種塗布劑，其係設置有機系層與無機系層而提高與基材之接著性與表面硬度。將該塗布劑配置於基材與透明導電膜之間，只要將有機系層設置於基材側、將無機系層設置於透明導電膜側，則觀察到分別在基材．塗布劑間、塗布劑．透明導電性膜間可獲得高接著性，惟僅為如此，仍無法獲得作為透明導電性薄膜之光學調整層的功能。
本發明由於鑒於如此習知技術之課題所進行者，故其目的係提供一種透明導電性薄膜、及具備其之觸控面板，以及以該觸控面板作為構成零件之顯示裝置，該透明導電性薄膜係即使以濕式塗布而將光學調整層設置於透明導電性薄膜上之情形，也具有在高分子薄膜之基材與光學調整層間、光學調整層與金屬氧化物之透明導電性膜間之高接著性，且充分具有圖案之不可見性。
用以解決上述課題之本發明之一形態係一種透明導電性薄膜，其係在透明基材之一側面依序積層有底塗層與透明導電性膜之透明導電性薄膜；底塗層之折射率為1.5至2.0之範圍內，底塗層之折射率係高於透明基材之折射率且低於透明導電性膜之折射率，將底塗層之組成物全部量設為100重量%時，高折射材料之含量為40重量%以下，從底塗層之透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍的碳原子含有率X(C30)(%)與矽原子含有率X(Si30)(%)存在式(1)之關係，從底塗層之透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍的碳原子含有率X(C40)(%)與矽原子含有率X(Si40)(%)存在式(2)之關係。
X(Si30)/X(C30)≧0.28…(1)
X(Si40)/X(C40)≦0.23…(2)
又，底塗層之膜厚亦可為60nm以上。
又，從底塗層之透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍的氧原子含有率亦可為45%以上，從底塗層之透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍的氧原子含有率亦可為30%以下。
又，透明導電膜亦可為金屬氧化物。
又，透明基材係折射率亦可為1.45至1.75之範圍內的塑膠薄膜。
又，透明導電性薄膜之面內遲滯Re亦可為30nm以下，深度方向遲滯Rth亦可為100nm以下。
又，於與透明導電性薄膜之透明導電性膜相反側的面亦可具有有機化合物之層。
還有，本發明之其他形態係以上述透明導電性薄膜作為構成要件的觸控面板。
還有，本發明之其他形態係以上述觸控面板作為構成零件。
若根據本發明，能夠提供一種透明導電性薄膜及具備其之觸控面板，以及利用該觸控面板作為構成零件之顯示裝置，該透明導電性薄膜係即使以濕式塗布而將光學調整層設置於透明導電性薄膜上之情形，也具有在高分子薄膜之基材與光學調整層間、光學調整層與金屬氧化物之透明導電性膜間之高接著性、且充分具有圖案之不可見性。
1‧‧‧透明導電性薄膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧底塗層
4、41、42‧‧‧透明導電性膜
5‧‧‧透明薄膜層
6‧‧‧黏著層
10‧‧‧觸控面板
20‧‧‧屏蔽層
21‧‧‧基材
22‧‧‧導電膜層
23‧‧‧塗布層
30‧‧‧LCD顯示面板
40‧‧‧前面板層
50‧‧‧接著劑層
60‧‧‧附觸控面板的顯示裝置
第1圖係顯示本發明之一實施形態者，附觸控面板的顯示裝置之剖面圖。
第2圖係顯示本發明之一實施形態者，顯示透明導電性膜之剖面圖。
第3圖係顯示本發明之一實施形態者，觸控面板之剖面圖。
第4圖係顯示本發明之一實施形態者，經圖案化的透明導電性膜之平面圖。
第5圖係顯示本發明之一實施形態者，經圖案化的2個透明導電性膜的俯視圖之平面圖。
第6圖係顯示本發明之一實施形態者，屏蔽層之剖面 圖。
[實施發明之形態]
以下，利用說明圖而說明用以實施本發明之形態。還有，本發明並未受下列所記載的實施形態所限定者，也能根據同業者之知識而加諸設計變更等之變形，已加諸如此變形的實施形態也為本發明之範圍內所包含者。
第1圖係以剖面圖表示關於本實施形態之附觸控面板的顯示裝置60之構造。第1圖之附觸控面板的顯示裝置60係包含LCD顯示面板30、在觀察側所構成的觸控面板10、隔著接著劑層50而在觸控面板10之另外觀察側面所積層的前面板層40、與介於LCD顯示面板30與觸控面板10之間的屏蔽層20。屏蔽層20係可如第1圖的方式來與觸控面板10分離，亦可隔著黏著劑等而貼合於觸控面板10。
第2圖係以剖面圖顯示關於本實施形態之觸控面板10所用之透明導電性薄膜1之構造。成為在透明基材2之一側面上依序積層有底塗層3與透明導電性膜4，並在透明基材2之另一側面設置有透明薄膜層5的構造。
第3圖顯示對於所貼合的2片透明導電性薄膜1之各透明導電性膜4進行圖案化而形成透明導電性膜41及42的觸控面板10之剖面圖。於本發明中，於貼合後，為了實施圖案化，2片透明導電性薄膜1之貼合係必須將與透明導電性膜4相反側的面彼此利用黏著層6貼合。透 明導電性膜4之圖案化係經過例如光阻塗布、曝光、蝕刻、光阻剝離之步驟而形成有導電性圖案部與非導電性圖案部。作為圖案化方法，亦可利用網板印刷、光刻、藉雷射所進行的圖案化等之方法。又，光阻亦可為非感光性者、藉乾燥而硬化者。該情形下，曝光步驟被取代成乾燥步驟。作為透明導電性膜4之圖案化例，於第4圖顯示從上方觀察將透明導電性膜41圖案化成複數個菱形之圖形。製作靜電容量式觸控面板之情形，從上方觀察觸控面板10之情形中，必須以透明導電性膜41及42不重疊的方式形成圖案。如第4圖所示，使用複數個菱形圖案之情形，若以透明導電性膜41及42不重疊的方式來圖案化時，則成為如第5圖所示。藉此，便使透明導電性膜41或42中任一側檢測X方向之靜電容量變化，另一側檢測Y方向之變化會成為可能。
如第1圖所示，觸控面板10與LCD顯示面板30係隔著屏蔽層20而裝配。屏蔽層20係用於不將來自LCD顯示面板30之電雜訊傳給觸控面板10所置入之層，其必須具備透明及導電性。
將本發明之屏蔽層20的構造示於第6圖。於基材21上積層有導電膜層22。在基材21與導電膜層22之間積層塗布層之UV硬化塗布層23。
就基材21而言，係使用透明的玻璃及塑膠薄膜。就塑膠薄膜而言，只要為面內遲滯及深度方向遲滯低，在成膜步驟及後段步驟具有充分的強度，表面為平滑者，則未被特別限定，惟，可列舉例如環烯烴聚合物 、環烯烴共聚物等。於該等基材21中亦可含有抗氧化劑、抗靜電劑、抗紫外線劑、塑化劑、潤滑劑、易接著劑等之添加劑。為了改善接著性亦可實施電暈處理、低溫電漿處理。
作為用於導電膜層22之導電性材料，於本發明中使用導電性聚合物。作為導電性聚合物，可使用π共軛系高分子。可列舉例如聚乙炔、聚二乙炔(poly diacetylene)、聚苯胺、聚對伸苯基(poly p-phenylene)、聚對伸苯乙烯、聚噻吩、聚伸乙二氧噻吩、聚呋喃、聚吡咯、聚苯硫醚、聚吡啶亞乙烯(polypyridyl vinylene)、及聚吖等。該等亦可僅使用1種，或亦可依目的而將2種以上組合使用。其中，聚伸乙二氧噻吩係表面電阻值為數百Ω/□左右且透明性較為良好，由於b*值為負且微帶藍色，所以作為屏蔽層使用之情形下，可適合作為不使顯示面板整體的色澤惡化者來使用。
作為將導電膜層22積層於基材21之方法，係藉由利用旋轉塗布法、卷筒(roller)塗布法、棒塗布法、浸漬塗布法、照相凹版塗布法、噴淋塗布法、模頭塗布法、噴霧塗布法、刮刀塗布法、捏合機塗布法等之塗布法；或網板印刷法、噴霧印刷法、噴墨印刷法、凸板印刷法、凹板印刷法、平板印刷法等之印刷法塗布等所進行的塗布而予以塗布。
用於導電膜層22之導電性聚合物較佳為依照上述塗布方法而形成液狀。為了成為液狀，較佳使其溶解或分散於水或有機溶媒，例如，醇、醚、酮、酯、烴 、鹵化烴、醯胺等中使用。其中，水或甲醇、乙醇、異丙醇之類的溶媒亦在成本上可容易地使用。此時，為了使聚合物的分散性良好，亦可添加分散劑或界面活性劑等之添加劑，為了強化導電膜層22的膜強度亦可加入添加劑或用於促進膜硬化之硬化劑。
作為導電膜層22之膜之硬化方法，根據所用之π共軛系高分子的種類或所添加之硬化劑的種類，藉熱硬化或UV硬化等而使其硬化。
於π共軛系高分子中其未單獨地顯現導電性，也有藉由添加摻雜劑而將正或負的電荷賦予π共軛系高分子而具有導電性之情形。因而，較佳添加摻雜劑而進行。例如，聚伸乙二氧噻吩之情形，一般將聚苯乙烯磺酸作為摻雜劑而予以添加。
導電膜層22之穿透b*值係在負方向之值越大，將會使穿透色帶有藍色變得越強，具有抑制帶有黃色之效果。b*值係藉由使導電性聚合物膜之膜厚變化而能控制，根據觸控面板10之穿透色帶有黃色之程度而能夠塗布最適當的膜厚的導電性聚合物膜。
硬化塗布層23係用以防止寡聚物從其下部之基材21析出所設置之層。藉由利用構成屏蔽層20之導電膜層22的材質而選擇適當的材料、膜厚、硬化方法，能形成一面防止寡聚物析出、一面保持高穿透率之屏蔽層20。例如，將上述聚伸乙二氧噻吩作為導電膜層22使用之情形係藉由利用丙烯酸系的UV硬化樹脂來形成3μm的層而可達成。
作為塗布層23之形成方法，係相同於導電性聚合物層之形成，能夠藉由利用旋轉塗布法、卷筒塗布法、棒塗布法、浸漬塗布法、照相凹版塗布法、噴淋塗布法、模頭塗布法、噴霧塗布法、刮刀塗布法、捏合機塗布法等之塗布法；或網板印刷法、噴霧印刷法、噴墨印刷法、凸板印刷法、凹板印刷法、平板印刷法等之印刷法等所造成的塗布而進行。
作為LCD顯示面板30之構造，係由配置有用以使液晶驅動之切換元件所設置的電極層之基板(陣列基板)、與形成有對向的電極層之彩色濾光片基板夾住液晶層所構成，使用如陣列基板與彩色濾光片基板上已分別裝設有偏光板之極其一般的LCD顯示面板。又，作為LCD顯示面板30之驅動方式並未被特別限定者，可使用IPS(註冊商標)方式、TN方式、VA方式等。
對於本實施形態之透明基材2可使用塑膠薄膜。作為塑膠薄膜，只要為折射率為1.45至1.75之範圍，在成膜步驟及後段步驟具有充分的強度，表面之平滑性為良好，則未被特別限定，惟，可列舉例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚碸、聚碸、聚芳香酯、環狀聚烯烴、聚醯亞胺、三乙醯基纖維素等。其厚度係考量透明導電性薄膜1之薄型化與透明基材2之可撓性，較佳使用10μm以上200μm以下左右者。尤其，觸控面板要求光學等向性之情形，能夠選擇環狀烯烴聚合物、環狀烯烴共聚物、聚碳酸酯、三乙醯基纖維素等遲滯低的薄膜。透明導電 性薄膜1之面內遲滯Re較佳為30nm以下，深度方向遲滯Rth較佳為100nm以下。
在可用於本實施形態之觸控面板10的透明導電性薄膜1中，如第2圖所示，在透明基材2之一側面，依序形成有底塗層3與透明導電性膜4。
底塗層3係具有調整透明導電性薄膜1之穿透率或色澤並難以看見佈線圖案之功能。關於該等光學特性，係可藉由相對於透明基材2與透明導電性膜4之折射率與膜厚，而將底塗層3之折射率與膜厚調整成適當的條件來控制
因為除了如上述光學特性之外，於底塗層3中也要求與透明基材2及透明導電性膜4之接著性良好，期望塑膠薄膜之透明基材2側具有有機系之性質、金屬氧化物之透明導電性膜4側具有無機系之性質。
於底塗層3中，可使用含矽之有機系硬塗劑。又，於其中已添加用以調節折射率之無機化合物的高折射材料。期望硬塗劑為光硬化型且於硬化時表層(未連接於透明基材2之面)的碳原子將會減少之型式，惟，只要為能控制提高在厚度方向之透明基材2側的碳含有比率、透明導電性膜4側提高矽之含有比率，並不此所限制。作為具體的控制方法，除了適宜選擇硬塗劑的型式之外，可舉出例如適當調節進行光硬化時的光量之方法、塗布硬塗劑並適當調整使其乾燥時的乾燥條件之方法等。
於底塗層3中，藉由提高塑膠薄膜之透明基材2側的碳含有比率並具有有機系之性質、提高金屬氧化物 之透明導電性膜4側的矽含有比率並具有無機系之性質，而使各自界面之接著性變佳的方式來進行。具體而言，將從底塗層3之透明導電性膜4起厚度方向30nm以內之範圍的碳原子含有率X(C30)(%)與矽原子含有率X(Si30)(%)設為式(1)之關係，將從底塗層3之透明導電性膜4起厚度方向40nm以上之範圍的碳原子含有率X(C40)(%)與矽原子含有率X(Si40)(%)設為式(2)之關係。
X(Si30)/X(C30)≧0.28…(1)
X(Si40)/X(C40)≦0.23…(2)
碳原子含有率X(C30)(%)與X(C40)(%)以及矽原子含有率X(Si30)(%)及X(Si40)(%)之測定係利用X線光電子分光法(X-ray Photoelectron Spectroscopy，也稱為ESCA(化學分析之電子分光：Electron Spectroscopy foe Chemical Analysis))進行。X線光電子分光法係從其光譜而進行從底塗層3之最外表面起深度方向的元素定量。
底塗層3亦可含有光聚合起始劑等之添加劑。
添加光聚合起始劑之情形，作為自由基產生型之光聚合起始劑，有苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苄基甲基縮酮等之苯偶姻與其烷基醚類；苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮等之苯乙酮類；甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-胺基蒽醌等之蒽醌類；噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮類；苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮等之縮酮類；二苯甲酮、4,4-雙甲胺基二苯甲酮等之二苯甲酮類及偶氮化合物等。該等係 單獨或作成2種以上之混合物而能使用，進一步能夠與三乙醇胺、甲基二乙醇胺等之3級胺、2-二甲胺基乙基苯甲酸、4-二甲胺基苯甲酸乙酯等之苯甲酸衍生物等之光起始助劑等組合而使用。
相對於主要成分之樹脂，上述光聚合起始劑之添加量係0.1重量%以上5重量%以下，較佳為0.5重量%以上3重量%以下。低於下限值會使硬塗層之硬化變得不充分，故不佳。又，超過上限值之情形，由於發生硬塗層之黃變，或耐光性會降低，故不佳。用於使光硬化型樹脂硬化之光為紫外線、電子線、或γ線等，電子線或γ線之情形，並不一定需要含有光聚合起始劑或光起始助劑。作為該等線光源，能夠使用高壓水銀燈、氙燈、金屬鹵素燈或加速電子等。
作為高折射材料，可列舉例如氧化鈦(2.4)、氧化鋯(2.4)、硫化鋅(2.3)、氧化鉭(2.1)、氧化鋅(2.1)、氧化銦(2.0)、氧化鈮(2.0)、氧化鉭(2.2)等之無機化合物。其中，上述括弧內之數值係表示折射率。
高折射材料之粒徑較佳為1至30nm，較佳為粉體狀或溶媒分散溶膠。將其添加於上述硬塗劑中。作為分散介質，可列舉例如甲醇、乙醇、異丙醇、二級丁醇、正丁醇、三級丁醇、辛醇等之醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、甲基戊基酮等之酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之酯類；乙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚等之醚類；苯、甲苯、二甲苯 等之芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺類。其中，較佳為甲醇、異丙醇、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯、丙二醇單甲基醚。
就作為氧化鈦粒子所市售的商品而言，可列舉例如，作為溶劑分散物，Tica(股)製之TS-103、884T、TS-069等。又，作為鋯之甲苯分散物，可舉出住友大阪Cement(股)製之HUX-110JC等。作為鋯粉體，可舉出第一稀元素化學工業(股)製之UEP-100、日本電工(股)製之PCS、JS-01、JS-03、JS-04等。
根據高折射材料之含量而能夠將底塗層3之折射率調整成所要的值。底塗層3之折射率較佳為1.5至2.0之範圍，且以較透明基材2之折射率為高、較透明導電性膜4之折射率為低的方式來調整。但是，添加量係以扣除底塗層3的溶劑並將組成物全部量設為100重量%時，其含量成為40重量%以下的方式來添加。若超過40重量%時，則使底塗層3全體無機化，因而與高分子薄膜之透明基材2的接著性會惡化。
又，底塗層3之厚度係對應於其折射率而予以調整，惟，使用光硬化型硬塗劑之情形係使其成為60nm以上的方式來調整。若較60nm為薄時，因光硬化也將減少透明基材2側之碳原子，因而與透明基材2之界面的接著性將會降低。還有，從透明導電性膜4側起厚度方向30nm以內之範圍，底塗層3之氧原子的含有率較佳為45%以上；從透明導電性膜4側起厚度方向40nm以上之範圍 內則含有率較佳為30%以下。氧原子的含有率也能夠利用上述X線光電子分光法來測定。
底塗層3之形成方法係使主要成分之樹脂等溶解於溶劑中，利用模頭塗布、噴淋流動塗布、卷筒塗布、反向卷筒塗布、照相凹版塗布、刀塗布、棒塗布、旋轉塗布、微型照相凹版塗布等之習知塗布方法來形成。
針對溶劑，若為溶解上述主要成分之樹脂等者，則未特別限定。具體而言，作為溶劑，可舉出乙醇、異丙醇、異丁醇、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異戊酯、乳酸乙酯、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丁基賽路蘇、甲基賽路蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等。該等溶劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
可用於本實施形態之觸控面板10之透明導電性薄膜1係如第2圖所示，在底塗層3上具備包含金屬氧化物之透明導電性膜4。
透明導電性膜4係包含金屬氧化物，作為金屬氧化物，可舉出氧化銦、氧化鋅及氧化錫中任一種，或該等之中的2種或3種之混合氧化物，進一步添加其他添加物者等，惟，根據目的、用途而能使用各種材料，並非被特別限定者。現在之時點，具有信賴性最高、許多實際效益之材料為氧化銦錫(ITO)。
將氧化銦錫(ITO)作為透明導電性膜4之材料使用之情形，只要氧化銦錫中所摻雜的氧化錫之含有比 例係依裝置所要求的規格而任意地選擇即可。透明基材2之情形，以提高機械強度之目的並為了使薄膜結晶化所用之材料，較佳為氧化錫之含有比例低於10重量%；為了非晶質化薄膜而賦予可撓性，較佳為氧化錫之含有比例為10重量%以上。又，薄膜中尋求低電阻之情形，較佳為氧化錫之含有比例為2至20重量%之範圍。
只要透明導電性膜4之製造方法係可控制膜厚，則任何的成膜方法皆可，薄膜之乾式塗布法特別優異。於其中，能利用如真空蒸鍍法、濺鍍等之物理氣相析出法或CVD法之類的化學氣相析出法。尤其，為了形成大面積且均勻膜質的薄膜，較佳為製程安定、使薄膜緻密化之濺鍍法。
透明導電性膜4之厚度並無特別限定，只要依目的之特性而適當調整即可，惟，較佳為例如10nm以上50nm以下之範圍。
於本實施形態之觸控面板10所用之透明導電性薄膜1中，如第2圖所示，為了賦予機械強度，較佳在透明基材2之未成膜透明導電性膜4側之面上形成透明薄膜層5。於此，透明薄膜層5包含有機化合物。
作為可用於透明薄膜層5之樹脂，並未特別限定，惟，較佳為具有透明性、適度硬度與機械強度之樹脂。具體而言，較佳為如以能期待3次元交聯的3官能以上之丙烯酸酯作為主要成分的單體或交聯性寡聚物之光硬化性樹脂。
作為3官能以上之丙烯酸酯單體，較佳為三丙 烯酸三羥甲基丙烷酯、異三聚氰酸EO改性三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、二(三羥甲基)丙烷四丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。特佳為異三聚氰酸EO改性三丙烯酸酯及聚酯丙烯酸酯。該等可單獨使用，或亦可併用2種以上。又，除了該等3官能以上之丙烯酸酯之外，也可併用環氧基丙烯酸酯、胺甲酸酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯等之所謂的丙烯酸系樹脂。
作為交聯性寡聚物，較佳為聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、聚胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等之丙烯酸寡聚物。具體而言，有聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A型環氧丙烯酸酯、聚胺甲酸酯之二丙烯酸酯、甲酚酚醛型環氧(甲基)丙烯酸酯等。
另外，透明薄膜層5亦可含有其他粒子、光聚合起始劑等之添加劑。
作為所添加之粒子，可舉出有機或無機之粒子，若考量透明性的話，較佳使用有機粒子。作為有機粒子，可舉出包含丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及氟樹脂等之粒子。
粒子之平均粒徑係根據透明薄膜層5之厚度而異，惟依照濁度(haze)等外觀上之理由，使用下限為 2μm以上，更佳為5μm以上者；上限為30μm以下，更佳為15μm以下者。又，也在同樣的理由下，相對於樹脂，粒子之含量較佳為0.5重量%以上5重量%以下。
添加光聚合起始劑之情形，作為自由基產生型之光聚合起始劑，有苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苄基甲基縮酮等之苯偶姻與其烷基醚類；苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮等之苯乙酮類；甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-胺基蒽醌等之蒽醌類；噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等之噻噸酮類；苯乙酮二甲基縮酮、苄基二甲基縮酮等之縮酮類；二苯甲酮、4,4-雙甲胺基二苯甲酮等之二苯甲酮類及偶氮化合物等。該等係單獨或作成2種以上之混合物而能使用，還有，能夠與三乙醇胺、甲基二乙醇胺等之3級胺；2-二甲胺基乙基苯甲酸、4-二甲胺基苯甲酸乙酯等苯甲酸衍生物等之光起始助劑等組合而使用。
相對於主要成分之樹脂，上述光聚合起始劑之添加量係0.1重量%以上5重量%以下，較佳為0.5重量%以上3重量%以下。低於下限值會使硬塗層之硬化變得不充分，故不佳。又，超過上限值之情形，由於發生硬塗層之黃變，或耐候性會降低，故不佳。用於使光硬化型樹脂硬化之光為紫外線、電子線、或γ線等，電子線或γ線之情形，並不一定需要含有光聚合起始劑或光起始助劑。作為該等線光源，能夠使用高壓水銀燈、氙燈、金屬鹵素燈或加速電子等。
又，透明薄膜層5之厚度並未被特別限定，惟，較佳為0.5μm以上15μm以下之範圍。又，折射率更佳為與透明基材2相同或是近似，較佳為1.45以上1.75以下左右。
透明薄膜層5之形成方法係使主要成分之樹脂等溶解於溶劑中，利用模頭塗布、噴淋流動塗布、卷筒塗布、反向卷筒塗布、照相凹版塗布、刀塗布、棒塗布、旋轉塗布、微型照相凹版塗布等之習知塗布方法而形成。
關於溶劑，只要為溶解上述主要成分之樹脂等者，並不特別限定。具體而言，作為溶劑，可舉出乙醇、異丙醇、異丁醇、苯、甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異戊酯、乳酸乙酯、甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丁基賽路蘇、甲基賽路蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等。該等溶劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
於第3圖之實施形態中，觸控面板10係如上所述，藉由在利用黏著層6貼合2片透明導電性薄膜1之透明薄膜層5側彼此後，各單面進行圖案化而形成透明導電性膜41及42。於圖案化步驟中，能夠採用網板印刷、光刻、雷射等。於此時所形成的圖案係根據作為光學調整層所設置的底塗層3之效果，以目視則變得難以看見，通過以後之步驟而提供一種使圖案之不可見性為良好的附觸控面板的顯示裝置60。
[實施例]
關於本發明之實施例而具體說明。還有，直到作成透明導電性薄膜之步驟係卷筒至卷筒(roll to roll)之形式。
<實施例>
在第2圖之構造中，將膜厚125μm之PET(Toray(股)製之U483-125)作為透明基材使用。
接著，在透明基材上之一側面，利用照相凹版塗布法，使硬化膜厚成為4μm的方式來塗布硬塗塗液(組成：胺甲酸酯丙烯酸酯(共榮社化學(股)製之UA-510H)100重量份、烷基酚系光聚合起始劑(BASF Japan(股)製之IRGACURE(註冊商標)907)4重量份、及乙酸乙酯100重量份)、使其乾燥，利用金屬鹵素燈照射400mJ/cm2之紫外線而形成透明薄膜層。
然後，在透明基材上之無透明薄膜層的側面，利用照相凹版塗布法而塗布硬塗塗液((日本曹達(股)製、將用以調整折射率之作為高折射材料的氧化鋯添加於表面無機化硬塗中)、使其乾燥，利用金屬鹵素燈照射紫外線而形成底塗層。此時，將硬化膜厚、X(Si30)/X(C30)、X(Si40)/X(C40)、相對於底塗層組成物全部量之100重量%的氧化鋯含量之條件如表1之No.1至16的方式來進行而作成試樣。還有，X(Si30)、X(C30)分別係從底塗層之透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍之部分矽原子、碳原子的含有率(%)；X(Si40)、X(C40)分別係從底塗層之透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍之部分矽原子、碳原子的含有率(%)。
接著，針對上述各試樣，在透明基材之底塗層上，利用DC磁控管濺鍍法長成透明導電性膜而作成透明導電性薄膜。此時，將含有10重量%氧化錫的ITO作為透明導電性膜用之材料使用。又，將透明導電性膜之厚度作成20nm。
再者，得知利用上述條件而於此所用之透明基材上形成底塗層、透明導電性膜之情形下，若從各層之光學特性模擬時，使透明導電性薄膜之圖案不可見性成為最佳的底塗層膜厚為100nm。還有，此時之底塗層的氧化鋯含有量率係設為30重量%。
然後，針對其透明導電性薄膜實施下列之評估。
<評估內容>
1.圖案不可見性
藉蝕刻而在透明導電性膜中實施佈線之圖案化，針對從透明導電性膜側所目視之時的圖案不可見性而評估。
2.接著性
依據JIS K5600，在透明導電性膜側之塗膜中，將縱橫各11條劃入1mm間隔之割痕而作成100個棋盤格子。將賽璐玢(cellophane)膠帶(Cello Tape(註冊商標))貼合於各試樣，利用橡皮擦數次擦拭而使其接著後撕下膠帶，確認塗膜未剝離所殘存的格子數。又，於剝離發生時，確認在底塗層與透明導電性膜、或底塗層與透明基材中任一界面是否發生剝離。
將針對上述圖案不可見性、接著性而評估的結果顯示於表1。針對不可見性，圖案未被辨識之情形標示為+、被辨識之情形標示為-。又，針對接著性，若完全無剝離的格子的話設為+，即使有1個格子的話設為-，-之情形係標示已剝離的界面。
<評估結果>
若觀察表1時，在底塗層中之氧化鋯含量30重量%、硬化膜厚100nm中，只要X(Si30)/X(C30)為0.28以上，底塗層與透明導電性膜之接著性成為合格(無剝離的格子)。認為此係在底塗層之透明導電性膜側中，由於提高矽之含有率，界面將會無機化而使得與透明導電性膜之接著性變得良好。同樣地，設定底塗層中之氧化鋯含量30%、將硬化膜厚設為100nm時，只要關於X(Si40)/X(C40)為0.23以下，底塗層與透明基材之接著性成為合 格(無剝離的格子)。認為此係在底塗層之透明基材側中，由於碳之含有率為一定值以上，且界面之有機成分處於高狀態，使得與透明基材之接著性變佳。於上述底塗層與透明導電性膜、透明基材之接著性良好的X(Si30)/X(C30)=0.40、X(Si40)/X(C40)=0.02之條件下，若如No.13至16的方式來改變硬化膜厚或氧化鋯含量時，圖案不可見性會惡化。此係因折射率、膜厚偏離了光學調整層之底塗層相對於透明基材、透明導電性膜之折射率與膜厚之適當條件。又，若含有氧化鋯之添加量超過40重量%時，在底塗層與基材的界面將會引起剝離。因為此係認為提高無機化合物之氧化鋯含有率，由於進行與透明基材之界面的無機化，接著性已惡化，可謂高折射材料之含量必須成為40重量%以下。
有鑒於以上之結果，將底塗層之膜厚設為60nm以上之適當膜厚、將高折射材料之含量設為40重量%以下，將X(Si30)/X(C30)設為0.28以上，將X(Si40)/X(C40)設為0.25以下而作成透明導電性薄膜。然後，使用該透明導電性薄膜而構成觸控面板，進一步將其作為構成零件而作成附觸控面板的顯示裝置。
藉此，能提供一種即使利用濕式塗布而將光學調整層設置於透明導電性薄膜中，也具有在高分子薄膜之基材與光學調整層間、在光學調整層與金屬氧化物之透明導電性膜間之高接著性，且將充分具有圖案之不可見性的透明導電性薄膜作為構成要件之觸控面板作為構成零件之顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明能適用於電子書閱讀器、平板終端、智慧型手機、行動電話、電子紙、電腦等之顯示器。

Claims (9)

  1. 一種透明導電性薄膜，其係在透明基材之一側面依序積層有底塗層與透明導電性膜之透明導電性薄膜；該底塗層之折射率為1.5至2.0之範圍內；該底塗層之折射率係高於該透明基材之折射率且低於該透明導電性膜之折射率；將該底塗層之組成物全部量設為100重量%時，高折射材料之含量為40重量%以下；從該底塗層之該透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍的碳原子含有率X(C30)(%)與矽原子含有率X(Si30)(%)存在式(1)之關係；從該底塗層之該透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍的碳原子含有率X(C40)(%)與矽原子含有率X(Si40)(%)存在式(2)之關係；X(Si30)/X(C30)≧0.28…(1) X(Si40)/X(C40)≦0.23…(2)。
  2. 如請求項1之透明導電性薄膜，其中該底塗層之膜厚為60nm以上。
  3. 如請求項1或2之透明導電性薄膜，其中從該底塗層之該透明導電性膜起厚度方向30nm以內之範圍的氧原子含有率為45%以上，從該底塗層之該透明導電性膜起厚度方向40nm以上之範圍的氧原子含有率為30%以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之透明導電性薄膜，其中該透明導電性膜為金屬氧化物。
  5. 如請求項1至4中任一項之透明導電性薄膜，其中該透明基材係折射率為1.45至1.75之範圍內的塑膠薄膜。
  6. 如請求項1至5中任一項之透明導電性薄膜，其中該透 明導電性薄膜之面內遲滯Re為30nm以下，深度方向遲滯Rth為100nm以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之透明導電性薄膜，其中與該透明導電性薄膜之該透明導電性膜相反側之面具有有機化合物之層。
  8. 一種觸控面板，其係以如請求項1至7中任一項之透明導電性薄膜作為構成要件。
  9. 一種顯示裝置，其係以如請求項8之觸控面板作為構成零件。
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