TW201438290A - 系統 - Google Patents

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TW201438290A
TW201438290A TW103102824A TW103102824A TW201438290A TW 201438290 A TW201438290 A TW 201438290A TW 103102824 A TW103102824 A TW 103102824A TW 103102824 A TW103102824 A TW 103102824A TW 201438290 A TW201438290 A TW 201438290A
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manufacturing
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Hisataka Ito
Akito Ninomiya
Yasunari Ooyabu
Shigehiro Umetani
Hirokazu Matsuda
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明之系統包括製造條件決定裝置、及製造管理裝置。製造條件決定裝置包括：第1資訊儲存區域，其儲存與光半導體元件及光半導體裝置相關之第1資訊；第2資訊儲存區域，其儲存與清漆相關之第2資訊；及決定機構，其基於儲存於第1資訊儲存區域之第1資訊、及儲存於第2資訊儲存區域之第2資訊而決定製造條件。製造管理裝置包括：第3資訊儲存區域，其儲存與由決定機構決定之製造條件相關之第3資訊；及管理機構，其基於儲存於第3資訊儲存區域之第3資訊，管理片材製造步驟之製造條件。

Description

系統
本發明係關於一種系統、製造條件決定裝置及製造管理裝置，詳細而言係關於一種決定及管理光半導體裝置之製造方法中之製造條件的系統、製造條件決定裝置及製造管理裝置。
近年來，作為光半導體裝置之製造方法，研究出如下方法：製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆，由該清漆製造B階段之密封片材等被覆片材，並利用該被覆片材被覆光半導體元件。
例如，提出有如下方法：利用B階段之包含熱固性樹脂之螢光體層被覆安裝於基板之發光二極體，其後，將螢光體層C階段化，藉此，製造LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)裝置(例如，參照下述專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-060031號公報
然而，包含螢光體層之密封片材係於密封片材製造工廠被製造，且將於該密封片材製造工廠製造之密封片材出貨給LED裝置製造工廠。再者，於密封片材製造工廠中，自LED裝置製造工廠提供與發光二極體及LED裝置相關之資訊，並基於該資訊及與清漆相關之資訊 決定適合於目標LED裝置之密封片材之製造條件。
然而，於在LED裝置製造工廠中半導體元件及/或光半導體裝置存在變動之情形時，必須在密封片材製造工廠中與該等變動相對應地對密封片材進行再製造，進而將再製造出之不同種類之密封片材搬送至LED裝置製造工廠。因此，存在花費勞力或時間之不良情況。
另一方面，亦試行於LED裝置製造工廠內設置密封片材製造工廠而省去上述勞力或時間之方案。
然而，存在LED裝置製造工廠中與清漆相關之資訊不充分而無法準確地決定密封片材之製造條件之不良情況。
本發明之目的在於提供一種可於光半導體裝置之製造工廠中簡易且確實地製造適合於光半導體裝置之被覆片材之系統、製造條件決定裝置及製造管理裝置。
為了達成上述目的，本發明之系統之特徵在於：其係決定及管理包括製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆之清漆製造步驟、由上述清漆製造B階段之被覆片材之片材製造步驟、及利用上述被覆片材被覆光半導體元件之被覆步驟的光半導體裝置之製造方法中之上述片材製造步驟之製造條件者，且上述系統包括製造條件決定裝置、及製造管理裝置；上述製造條件決定裝置包括：第1資訊儲存區域，其儲存與上述光半導體元件及上述光半導體裝置相關之第1資訊；第2資訊儲存區域，其儲存與上述清漆相關之第2資訊；及決定機構，其基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊而決定上述製造條件；上述製造管理裝置包括：第3資訊儲存區域，其儲存與由上述決定機構決定之上述製造條件相關之第3資訊；及管理機構，其基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，管理上述片材製造步驟之上述製造條件。
於該系統中，製造條件決定裝置包括第1資訊儲存區域、第2資訊儲存區域、及決定機構，另一方面，製造管理裝置包括第3資訊儲存區域、及管理機構。
而且，製造條件決定裝置可將第1資訊及第2資訊之各者儲存於第1資訊儲存區域及第2資訊儲存區域之各者，並藉由決定機構決定片材製造步驟之製造條件，且將其提供給製造管理裝置。
而且，於製造管理裝置中，將與自製造條件決定裝置提供之製造條件相關之第3資訊儲存於第3資訊儲存區域，並基於上述第3資訊，藉由管理機構管理片材製造步驟之製造條件。
因此，可於在製造管理裝置之外另行設置之製造條件決定裝置中決定片材製造步驟之製造條件，並且製造管理裝置可管理該製造條件。
又，與自製造條件決定裝置提供之片材製造步驟之製造條件相關之第3資訊係基於第1資訊及第2資訊。因此，製造管理裝置可基於自製造條件決定裝置提供之第3資訊，藉由管理機構精度良好地管理片材製造步驟之製造條件。其結果，可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
又，較佳為本發明之系統進而決定及管理上述清漆製造步驟之製造條件，上述決定機構基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊，進而決定上述清漆製造步驟之上述製造條件，上述管理機構基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，進而管理上述清漆製造步驟之上述製造條件。
於該系統中，決定機構基於儲存於第1資訊儲存區域之第1資訊、及儲存於第2資訊儲存區域之第2資訊進而決定清漆製造步驟之製造條件，管理機構基於儲存於第3資訊儲存區域之第3資訊進而管理清 漆製造步驟之製造條件。因此，能以較高之精度製造適合於作為目標之光半導體裝置之被覆片材，進而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置。
又，於本發明之系統中，較佳為第1資訊包含與供安裝光半導體元件之基板相關之資訊。
根據該系統，由於第1資訊包含與供安裝光半導體元件之基板相關之資訊，故而製造條件決定裝置可一併包含與供安裝光半導體元件之基板相關之資訊及上述各資訊。
因此，基於與基於第1資訊而決定之製造條件相關之精度較高之第3資訊，製造管理裝置可更加精度良好地管理片材製造步驟之製造條件。
又，於本發明之系統中，較佳為上述製造管理裝置包括：第4資訊儲存區域，其儲存包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件中之至少1種之批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置之製造量之第4資訊；及修正機構，其基於儲存於上述第4資訊儲存區域之上述第4資訊，修正上述片材製造步驟之上述製造條件。
粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件之批次資訊針對每批次產生變動。又，每單位期間之光半導體裝置之製造量於每單位期間產生變動。因此，存在所製造之光半導體裝置之物性於每批次及/或每單位期間產生變動之情形。於此種情形時，較為繁雜的是，製造條件決定裝置每次均基於第4資訊決定製造條件。
然而，於該系統中，在製造管理裝置中，可藉由修正機構基於儲存於第4資訊儲存區域之包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置之製造量之第4資訊，修正片材製造步驟之製造條件。因此，可容易地應對批次資訊及/或光半導體裝置之製造量之變動，修正片材製造步驟之 製造條件，從而可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
又，於本發明之系統中，較佳為上述製造條件決定裝置包括儲存與在此次之前製造上述被覆片材之製造條件相關之第5資訊之第5資訊儲存區域，且基於儲存於上述第5資訊儲存區域之上述第5資訊，決定用以此次製造上述被覆片材之製造條件。
根據該系統，製造條件決定裝置可累積與在此次之前製造被覆片材之製造條件相關之第5資訊。因此，可基於過去所累積之製造條件於此次製造適合於作為目標之光半導體裝置之被覆片材，進而可於此次精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
又，於本發明之系統中，較佳為上述製造條件決定裝置經由網路與上述製造管理裝置遠程通訊。
根據該系統，由於製造條件決定裝置經由網路與製造管理裝置遠程通訊，故而製造條件決定裝置即便與製造管理裝置相隔較遠，亦可迅速地將於製造條件決定裝置中已決定之片材製造步驟之製造條件提供給製造管理裝置。
又，於本發明之系統中，較佳為上述製造管理裝置係設置於片材製造裝置內，上述製造條件決定裝置係設置於相對於上述片材製造裝置位於遠端之控制部門。
根據該系統，即便製造管理裝置設置於片材製造裝置內，製造條件決定裝置設置於相對於片材製造裝置位於遠端之控制部門，由於製造條件決定裝置經由網路與製造管理裝置遠程通訊，故而亦可迅速地將於控制部門之製造條件決定裝置中已決定之片材製造步驟之製造條件提供給製造管理裝置。
本發明之製造條件決定裝置之特徵在於：其係用以決定包括製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆之清漆製造步驟、由上述清漆製造B階段之被覆片材之片材製造步驟、及利用上述被覆片材被覆光半導體 元件之被覆步驟的光半導體裝置之製造方法中之上述片材製造步驟之製造條件者，且包括：第1資訊儲存區域，其儲存與上述光半導體元件相關之第1資訊；第2資訊儲存區域，其儲存與上述清漆相關之第2資訊；及決定機構，其基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊，決定上述製造條件。
該製造條件決定裝置包括第1資訊儲存區域、第2資訊儲存區域、及決定機構。
因此，根據該製造條件決定裝置，可將第1資訊及第2資訊之各者儲存於第1資訊儲存區域及第2資訊儲存區域之各者，並藉由決定機構決定片材製造步驟之製造條件。
其結果，只要基於上述片材製造步驟之製造條件，便可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
又，較佳為本發明之製造條件決定裝置進而決定上述清漆製造步驟之製造條件，上述決定機構基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊，進而決定上述清漆製造步驟之上述製造條件。
於該製造條件決定裝置中，決定機構基於儲存於第1資訊儲存區域之第1資訊、及儲存於第2資訊儲存區域之第2資訊進而決定清漆製造步驟之製造條件。因此，能以較高之精度製造適合於作為目標之光半導體裝置之被覆片材，進而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置。
又，於本發明之製造條件決定裝置中，較佳為上述第1資訊包含與供安裝上述光半導體元件之基板相關之資訊。
根據該製造條件決定裝置，由於第1資訊包含與供安裝光半導體元件之基板相關之資訊，故而製造條件決定裝置可一併包含與供安裝 光半導體元件之基板相關之資訊及上述各資訊。
因此，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置。
又，較佳為本發明之製造條件決定裝置包括儲存與在此次之前製造上述被覆片材之製造條件相關之第5資訊之第5資訊儲存區域，且基於儲存於上述第5資訊儲存區域之上述第5資訊決定用於此次製造上述被覆片材之製造條件。
根據該製造條件決定裝置，可累積與在此次之前製造被覆片材之製造條件相關之第5資訊。因此，可基於過去所累積之製造條件於此次製造適合於作為目標之光半導體裝置之被覆片材，進而，可於此次精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
本發明之製造管理裝置之特徵在於：其係用以管理包括製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆之清漆製造步驟、由上述清漆製造B階段之被覆片材之片材製造步驟、及利用上述被覆片材被覆光半導體元件之被覆步驟的光半導體裝置之製造方法中之上述片材製造步驟之製造條件者，且包括：第3資訊儲存區域，其儲存與上述製造條件相關之第3資訊；及管理機構，其基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，管理上述片材製造步驟之上述製造條件。
根據該製造管理裝置，可將與片材製造步驟之製造條件相關之第3資訊儲存於第3資訊儲存區域，並基於上述第3資訊，藉由管理機構精度良好地管理片材製造步驟之製造條件。
因此，可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
又，較佳為本發明之製造管理裝置進而管理上述清漆製造步驟之製造條件，上述管理機構基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，進而管理上述清漆製造步驟之上述製造條件。
根據該製造管理裝置，由於管理機構基於儲存於第3資訊儲存區域之第3資訊進而管理清漆製造步驟之製造條件，故而能以較高之精 度製造適合於作為目標之光半導體裝置之被覆片材，進而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置。
又，較佳為本發明之製造管理裝置包括：第4資訊儲存區域，其儲存包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件中之至少1種之批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置之製造量之第4資訊；及修正機構，其基於儲存於上述第4資訊儲存區域之上述第4資訊，修正上述片材製造步驟之上述製造條件。
粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件之批次資訊係針對每批次產生變動。又，每單位期間之光半導體裝置之製造量係於每單位期間產生變動。因此，存在所製造之光半導體裝置之物性於每批次及/或每單位期間產生變動之情形。於此種情形時，較為繁雜的是製造條件決定裝置每次均基於第4資訊決定製造條件。
然而，於該製造管理裝置中，可藉由修正機構基於儲存於第4資訊儲存區域之包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置之製造量之第4資訊，修正片材製造步驟之製造條件。因此，可容易地應對批次資訊及/或光半導體裝置之製造量之變動，修正片材製造步驟之製造條件，從而精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
根據包括本發明之製造條件決定裝置及製造管理裝置之本發明之系統，可於在製造管理裝置之外另行設置之製造條件決定裝置中決定片材製造步驟之製造條件，並且製造管理裝置可管理該製造條件。 又，可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置。
1‧‧‧系統
2‧‧‧製造條件決定裝置
3‧‧‧片材製造管理裝置
3A‧‧‧片材製造管理裝置
3B‧‧‧片材製造管理裝置
3C‧‧‧片材製造管理裝置
4‧‧‧光半導體裝置製造工廠
5‧‧‧控制部門
6‧‧‧第1記憶體
7‧‧‧第2記憶體
8‧‧‧第1CPU
10‧‧‧第5記憶體
11‧‧‧清漆
12‧‧‧密封片材
12A‧‧‧密封片材
12B‧‧‧密封片材
12C‧‧‧密封片材
12D‧‧‧密封片材
12E‧‧‧密封片材
12F‧‧‧密封片材
13‧‧‧光半導體元件
14‧‧‧基板
15‧‧‧第1資訊
16‧‧‧第2資訊
17‧‧‧第3資訊
18‧‧‧第4資訊
18A‧‧‧第4資訊
18B‧‧‧第4資訊
19‧‧‧第5資訊
20‧‧‧光半導體裝置
21‧‧‧第1資訊源
22‧‧‧第2資訊源
23‧‧‧第3記憶體
24‧‧‧第4記憶體
25‧‧‧第2CPU
26‧‧‧螢光體層
26A‧‧‧螢光體層
26B‧‧‧螢光體層
27‧‧‧樹脂層
28‧‧‧脫模片材
29‧‧‧功能層
31‧‧‧片材化裝置
32‧‧‧密封裝置
33‧‧‧清漆製造裝置
34‧‧‧片材製造裝置
35‧‧‧加壓裝置
36‧‧‧密封控制裝置
41‧‧‧平板
51‧‧‧攪拌機
52‧‧‧容器
53‧‧‧塗佈裝置
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧烘箱
60‧‧‧被覆片材
S1‧‧‧清漆製造步驟
S2‧‧‧片材製造步驟
S3‧‧‧密封步驟
圖1表示本發明之系統之一實施形態之概略構成圖。
圖2係圖1所示之密封片材之放大剖面圖， 圖2A表示僅由螢光體層構成之密封片材，圖2B表示包括螢光體之濃度不同之複數個螢光體層之密封片材，圖2C表示包括具有朝向下方開放之凹部之樹脂層、及填充於凹部之螢光體層之密封片材，圖2D表示包括剖面大致為梯形形狀之螢光體層、及形成於其周圍之樹脂層之密封片材，圖2E表示包括剖面大致為矩形狀之螢光體層、及形成於其周圍之樹脂層之密封片材。
圖3係圖1所示之密封片材之放大剖面圖，圖3F表示包括樹脂層、及形成於樹脂層之上側之螢光體層之密封片材，圖3G表示包括樹脂層、形成於樹脂層之上側之螢光體層、及於樹脂層之下側以包圍形成光半導體元件之部分之方式形成之功能層的密封片材。
圖4表示圖1之變化例之系統之概略構成圖。
圖5係圖2A之密封片材之變化例之放大剖面圖，圖5A表示將被覆片材對向配置於被覆光半導體元件之密封層之上側之狀態，圖5B表示將被覆片材積層於密封層之上表面之狀態。
[系統之構成]
作為本發明之一實施形態之系統1係設置於密封片材製造工廠之控制部門5、及在該密封片材製造工廠之外另行設置之光半導體裝置製造工廠4之系統。系統1決定及管理光半導體裝置20之製造方法中的清漆製造步驟S1及片材製造步驟S2之製造條件，上述光半導體裝置20 之製造方法包括：清漆製造步驟S1，其係製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆11；片材製造步驟S2，其係由清漆11製造作為B階段之被覆片材之密封片材12；及，密封步驟S3(被覆步驟之一例)，其係利用密封片材12密封光半導體元件13。系統1包括製造條件決定裝置2、及作為製造管理裝置之片材製造管理裝置3。
控制部門5係設置於例如可製造與利用光半導體裝置製造工廠4之片材製造裝置34(於下文敍述)製造之密封片材12相同之密封片材12之密封片材製造工廠內。
控制部門5包括製造條件決定裝置2。
製造條件決定裝置2包括作為第1資訊儲存區域之第1記憶體6、作為第2資訊儲存區域之第2記憶體7、作為決定機構之第1CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)8、及作為第5資訊儲存區域之第5記憶體10。
第1記憶體6儲存與光半導體元件13、供安裝光半導體元件13之基板14、及光半導體裝置20相關之第1資訊15。
作為第1資訊15，具體而言，作為與光半導體元件13相關之資訊，例如可列舉：光半導體元件13之形狀、光半導體元件13之尺寸、光半導體元件13之發光峰波長、基板14之每單位面積之光半導體元件13之安裝數、每1個基板14之光半導體元件13之安裝數等。
又，作為第1資訊15，具體而言，作為與基板14相關之資訊，例如可列舉：基板14之外形形狀、基板14之尺寸、及基板14之表面形狀(凹部之有無等)等。
進而，作為第1資訊15，具體而言，作為與光半導體裝置20相關之資訊，例如可列舉：光半導體裝置20之色溫、光半導體裝置20之總光通量、光半導體裝置20之配光特性等。具體而言，成為目標之色溫於目標之光之顏色為晝白色之情形時，例如為4600K以上，又，例如 為5500K以下。又，成為目標之色溫於目標之光之顏色為暖白色之情形時，例如為3250K以上，又，例如為3800K以下。成為目標之色溫係選自上述溫度範圍。
第1記憶體6係以自光半導體裝置製造工廠4所具有之第1資訊源21接受輸入之方式構成。
第2記憶體7儲存與清漆11相關之第2資訊16。
作為第2資訊16，具體而言，作為與粒子相關之資訊，例如可列舉：粒子之種類、粒子之調配比例、粒子之最大長度之平均值(於粒子為球形狀之情形時，為平均粒徑)等。再者，於粒子包含下述螢光體之情形時，作為與粒子相關之資訊，亦可列舉螢光體之吸收峰波長。又，作為第2資訊16，具體而言，作為與硬化性樹脂相關之資訊，例如可列舉：硬化性樹脂之種類、硬化性樹脂之黏度、硬化性樹脂之調配比例、硬化性樹脂之硬化速度等。進而，作為第2資訊16，具體而言，作為與清漆相關之資訊，例如，可列舉清漆之黏度。進而，又，作為第2資訊16，於在脫模片材28(於下文敍述)設置有定位標記(未圖示)之情形時，亦可列舉塗佈後之複數個清漆11之相對位置資訊等。
第2資訊16係以自密封片材製造工廠之控制部門5所具有之第2資訊源22被輸入之方式構成。
第1CPU8係基於儲存於第1記憶體6之第1資訊15、及儲存於第2記憶體7之第2資訊16決定密封片材12之製造條件之決定裝置。
於第1CPU8中預先儲存有特定之程式處理，第1CPU8係按照程式處理決定密封片材12之製造條件。
作為密封片材12之製造條件，例如，可列舉：密封片材12之層構造之種類、清漆11之塗佈條件等。再者，於密封片材12為下述B階段之情形時，亦可列舉將A階段之清漆11 B階段化時之清漆11之加熱 條件、活性能量線之照射條件等。又，亦可列舉B階段之密封片材12之硬度之資訊(例如，壓縮彈性模數)。
如參照圖2及圖3，密封片材12係構成為例如具備含有螢光體之螢光體層26之含有螢光體之密封片材、即螢光體片材。作為密封片材12之層構造，可列舉如下構造，即，例如圖2A~圖2E所示般螢光體層26可直接接觸於光半導體元件13(假想線)之接觸構造，又，例如圖3F及圖3G所示般螢光體層26可被覆光半導體元件13，另一方面，於螢光體層26與光半導體元件13(假想線)隔開有間隔之相隔構造等。
於圖2及圖3中，以假想線表示之構件表示埋設於密封片材12中之光半導體元件13。
作為接觸構造之密封片材12，例如，選自如圖2A所示般僅由螢光體層26構成之密封片材12A、如圖2B所示般包括螢光體之濃度不同且沿厚度方向積層之複數個螢光體層26A及26B之密封片材12B、如圖2C所示般包括具有朝向下方開放之凹部之樹脂層27及填充於凹部之螢光體層26之密封片材12C、為如參照圖2D及圖2E般包括俯視時大致呈圓形狀或俯視時大致呈矩形狀之螢光體層26及形成於其周圍之樹脂層27之密封片材12且如圖2D所示般螢光體層26形成為隨著朝向上側而成為寬幅之剖面觀察時大致呈梯形形狀之密封片材12D、及如圖2E所示般螢光體層26形成為剖面觀察時大致呈矩形狀之密封片材12E等。
又，作為相隔構造之密封片材12，選自例如圖3F所示般包括樹脂層27及形成於樹脂層27之上側之螢光體層26之密封片材12F，又，例如圖3G所示般包括樹脂層27、形成於樹脂層27之上側之螢光體層26、及於樹脂層27之下側於仰視時以包圍形成光半導體元件13之部分之方式形成之功能層29之密封片材12F等。再者，於圖3G中，藉由在樹脂中調配具備螢光體等之波長轉換功能、或白色顏料(具體而言為 氧化鈦等)等之光反射功能之功能材料而選擇功能層29。
具體而言，作為具有上述各種構造之密封片材12，可列舉公知之密封片材，具體而言，作為接觸構造之密封片材12，例如係選(決定)自日本專利特開2010-067641號公報、日本專利特開2009-231750號公報、日本專利特開2009-188207號公報、日本專利特開2009-182149號公報、日本專利特開2009-099784號公報、日本專利特開2009-060031號公報等所記載之密封片材(螢光體片材)，又，作為相隔構造之密封片材12，例如係選(決定)自日本專利特開2011-258634號公報、日本專利特開2011-228525號公報、日本專利特開2011-159874號公報、日本專利特開2011-082340號公報、日本專利特開2010-192844號公報、日本專利特開2010-153500號公報、日本專利特開2010-123802號公報等所記載之密封片材(螢光體片材)。
具有接觸構造之螢光體層26、螢光體之濃度不同之2個螢光體層26A及螢光體層26B、樹脂層27(包含凹部)之尺寸係適當進行選擇，且選自上述公開公報所記載之範圍。
作為清漆11之塗佈條件，例如，可列舉：剛塗佈後之清漆11之形狀、剛塗佈後之清漆11之厚度等。再者，上述形狀中包含清漆11相互隔開間隔而成之形狀。
如圖1所示，第1CPU8構成為可讀出儲存於第1記憶體6之第1資訊15、及儲存於第2記憶體7之第2資訊16。
如圖1所示，第5記憶體10係儲存由第1CPU8所決定之密封片材12之製造條件之區域。
再者，於第5記憶體10中設置有可記錄與在此次之前製造密封片材12之製造條件相關之第5資訊19的記錄區域(未圖示)。再者，被記錄並累積於記錄區域之第5資訊19係以如下方式構成：於此次之製造中由第1CPU8讀出，並再次由第1CPU8決定密封片材12之製造條件。
光半導體裝置製造工廠4係視需要設置於與具有控制部門5之密封片材製造工廠(未圖示)不同之位置，具體而言為自密封片材製造工廠(未圖示)隔開距離之位置(遠離之位置)，且光半導體裝置製造工廠4包括片材製造裝置34、及密封裝置32。
片材製造裝置34包括清漆製造裝置33、片材化裝置31、及片材製造管理裝置3。
清漆製造裝置33包括例如裝備有攪拌機51之容器52。
片材化裝置31包括例如分配器、敷料器、狹縫式塗佈機等塗佈裝置53。作為塗佈裝置53，較佳為列舉分配器。又，片材化裝置31亦可具備具有於上下方向上相互隔開間隔而配置之加熱器54之烘箱55。
片材製造管理裝置3與控制部門5相隔較遠。片材製造管理裝置3包括作為第3資訊儲存區域之第3記憶體23、作為第4資訊儲存區域之第4記憶體24、及作為管理機構即修正機構之第2CPU25。
第3記憶體23儲存與由第1CPU8所決定之密封片材12之製造條件相關之第3資訊17。
第3資訊17包含由第1CPU8所決定之密封片材12之製造條件。
第3記憶體23係以自第5記憶體10對其輸入於第5記憶體10中決定之第3資訊17之方式構成。
第4記憶體24儲存包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件13中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置20之製造量之第4資訊18。
批次資訊係隨著批次之變更而產生變動之資訊，具體而言，可列舉根據批次而不同之粒子之最大長度之平均值(於粒子為球形狀之情形時，為平均粒徑)等，又，可列舉根據批次而不同之硬化性樹脂之黏度等。再者，於粒子包含螢光體之情形時，作為螢光體之批次資訊，可列舉根據批次而不同之螢光體之吸收峰波長。進而，作為與根 據批次而不同之清漆相關之資訊，可列舉因上述粒子及/或硬化性樹脂之批次不同而引起之清漆之黏度。
作為每單位期間之光半導體裝置20之製造量，作為每月之光半導體裝置20之製造量，例如，選自如下範圍：為1000個以上，較佳為5000個以上，又，例如為200,000個以下。
第4記憶體24係以自光半導體裝置製造工廠4中之第1資訊源21、及密封片材製造工廠(未圖示)之控制部門5中之第2資訊源22對其輸入第4資訊18之方式構成。
作為第4資訊18中之自第1資訊源21輸入之第4資訊18B，例如，可列舉：光半導體元件13之批次資訊、每單位期間之光半導體裝置20之製造量，又，作為自第2資訊源22輸入之第4資訊18A，例如，可列舉：粒子之批次資訊、硬化性樹脂之批次資訊、清漆之批次資訊。
於第2CPU25中預先儲存有特定之程式處理，第2CPU25係基於儲存於第3記憶體23之第3資訊17管理清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。又，第2CPU25亦可基於儲存於第4記憶體24之第4資訊18修正清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。
第2CPU25係構成為可讀出儲存於第3記憶體23之第3資訊17、及儲存於第4記憶體24之第4資訊18。
第2CPU25係構成為可對清漆製造裝置33及片材化裝置31之各者管理且修正清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件之各者。
密封裝置32包括加壓裝置35、及密封控制裝置36。
加壓裝置35係選擇例如具有於上下方向上隔開間隔而對向配置且可於上下方向上擠壓密封片材12及基板14之2片平板41之加壓機等。
密封控制裝置36係以可控制密封步驟S3之密封條件之方式構成。再者，其係以如下方式構成：於密封控制裝置36中設置有未圖示之記憶體，自第1資訊源21對其輸入密封步驟S3之密封條件，繼而，控制密封步驟S3之密封條件。
其次，對利用該系統1於光半導體裝置製造工廠4中製造光半導體裝置20之方法進行說明。
1.製造條件決定步驟
於該方法中，首先，將第1資訊15自第1資訊源21輸入至第1記憶體6。對於向第1記憶體6輸入第1資訊15，並無特別限定，例如，通過(經由)連接第1資訊源21與第1記憶體6之網路等線路輸入第1資訊15。或者，例如，亦可將第1資訊15自第1資訊源21經由傳真、郵件、郵政等通訊手段後輸入至第1記憶體6。
另外，將第2資訊16自第2資訊源22輸入至第2記憶體7。將第2資訊16輸入至第2記憶體7之方法與向第1記憶體6輸入第1資訊15之方法相同。
其次，第1CPU8讀出儲存於第1記憶體6之第1資訊15、及儲存於第2記憶體7之第2資訊16，繼而，按照特定之程式處理，並基於該等第1資訊15及第2資訊16決定密封片材12之製造條件作為第3資訊17(於下文進行詳細敍述)。
2.製造管理步驟
其後，由第1CPU8所決定之第3資訊17係記錄於第5記憶體10，繼而，第5記憶體10中所記錄之第3資訊17被輸入至第3記憶體23。
將第3資訊17輸入至第3記憶體23之方法與向第1記憶體6輸入第1資訊15之方法相同。
另外，將第4資訊18自第1資訊源21及第2資訊源22輸入至第4記憶體24。將第4資訊18輸入至第4記憶體24之方法與向第1記憶體6輸入 第1資訊15之方法相同。
其後，第2CPU25讀出儲存於第3記憶體23之第3資訊17，繼而，按照特定之程式處理並基於第3資訊17管理清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。
繼而，於片材製造裝置34中，基於由第2CPU25管理之製造條件依序實施清漆製造步驟S1及片材製造步驟S2。
3.清漆製造步驟S1
於清漆製造裝置33中，首先，按照由第2CPU25管理之製造條件實施清漆製造步驟S1。
具體而言，於清漆製造步驟S1中，首先，準備粒子及硬化性樹脂之各者，並將其等混合而將清漆11製備成含粒子之硬化性樹脂組合物。
作為粒子，選自例如螢光體、填充劑等。
螢光體具有波長轉換功能，例如選自可將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體、可將藍色光轉換成紅色光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，選自例如(Ba,Sr,Ca)2SiO4；Eu、(Sr,Ba)2SiO4：Eu(正矽酸鋇(BOS，barium orthosilicate))等矽酸鹽螢光體、例如Y3Al5O12：Ce(YAG(yttrium aluminum garnet，釔鋁石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(terbium aluminum garnet，鋱鋁石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶構造之石榴石型螢光體、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。
作為紅色螢光體，選自例如CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
作為螢光體之形狀，選自例如球狀、板狀、針狀等。
螢光體之最大長度之平均值(於球狀之情形時，為平均粒徑)係選自如下範圍：例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200 μm以下，較佳為100μm以下。
螢光體之吸收峰波長係選自如下範圍：例如為300nm以上，較佳為430nm以上，又，例如為550nm以下，較佳為470nm以下。
螢光體係以單獨使用或併用之方式被選擇。
螢光體之調配比例係選自如下範圍：相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，例如為80質量份以下，較佳為50質量份以下。
作為填充劑，選自例如聚矽氧粒子(具體而言，包含聚矽氧橡膠粒子)等有機微粒子、例如氧化矽(例如煙霧氧化矽等)、滑石、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等無機微粒子。又，填充劑之最大長度之平均值(於球狀之情形時，為平均粒徑)係選自如下範圍：例如為0.1μm以上，較佳為1μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為100μm以下。填充劑係以單獨使用或併用之方式被選擇。填充劑之調配比例係選自如下範圍：相對於硬化性樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上，較佳為0.5質量份以上，又，例如為70質量份以下，較佳為50質量份以下。
作為硬化性樹脂，選自例如具有2階段之反應機制，於第1階段之反應中B階段化(半硬化)，於第2階段之反應中C階段化(完全硬化)之2階段硬化型樹脂。
作為2階段硬化型樹脂，選自例如藉由加熱而硬化之2階段硬化型熱固性樹脂、例如藉由照射活性能量線(例如紫外線、電子束等)而硬化之2階段硬化型活性能量線硬化性樹脂等。較佳為選擇2階段硬化型熱固性樹脂。
具體而言，作為2階段硬化型熱固性樹脂，選自例如聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。就透明性及耐久性之觀點而言，較佳為選自2階 段硬化型聚矽氧樹脂。
作為2階段硬化型聚矽氧樹脂，選自例如具有縮合反應與加成反應之2個反應系統之縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
作為此種縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂，選自例如矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含烯基之三烷氧基矽烷、有機氫化聚矽氧烷、含有縮合觸媒及矽氫化觸媒之第1縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化物、含乙烯系不飽和烴基之矽化物、有機氫化聚矽氧烷、含有縮合觸媒及矽氫化觸媒之第2縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如兩封端矽烷醇型聚矽氧油、含烯基之二烷氧基烷基矽烷、有機氫化聚矽氧烷、含有縮合觸媒及矽氫化觸媒之第3縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如1分子中具有至少2個烯基矽烷基之有機聚矽氧烷、1分子中具有至少2個氫矽烷基之有機聚矽氧烷、含有矽氫化觸媒及硬化延遲劑之第4縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如1分子中併有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、含有矽氫化觸媒及矽氫化抑制劑之第5縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如1分子中併有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、含有矽氫化抑制劑、及矽氫化觸媒之第6縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如含有矽化物、及硼化物或鋁化物之第7縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂、例如含有聚鋁氧矽氧烷及矽烷偶合劑之第8縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。
A階段之2階段硬化型樹脂之黏度係選自如下範圍：例如為3000mPa．s以上，較佳為5000mPa．s以上，又，例如為20000mPa．s以下， 較佳為15000mPa．s以下。再者，A階段之2階段硬化型樹脂之黏度係將溫度調節為25℃且使用E型錐體(cone)，以轉數99s-1對A階段之2階段硬化型樹脂進行測定。以下之黏度係利用與上述相同之方法測定。
硬化性樹脂之調配比例係選自如下範圍：相對於含有粒子之硬化性樹脂組合物(清漆)，例如為30質量%以上，較佳為40質量%以上，更佳為50質量%以上，又，例如為98質量%以下，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下。
又，含有粒子之硬化性樹脂組合物中亦可視需要含有溶劑。
作為溶劑，選自例如己烷等脂肪族烴、例如二甲苯等芳香族烴、例如乙烯基甲基環狀矽氧烷、兩封端乙烯基聚二甲基矽氧烷等矽氧烷等。溶劑係以如含有粒子之硬化性樹脂組合物成為下述黏度之調配比例調配於含有粒子之硬化性樹脂組合物中。
於製備含有粒子之硬化性樹脂組合物時，具體而言，如圖1所示，於清漆製造裝置33中，在容器52內基於由第2CPU25管理之清漆製造步驟S1之製造條件調配上述各成分，該製造條件係例如由第2CPU25管理且與密封片材12之層構造對應之清漆11之種類，更具體而言係由第2CPU25管理之粒子之種類、粒子之調配比例、粒子之最大長度之平均值(於粒子為球形狀之情形時，為平均粒徑)、硬化性樹脂之種類、硬化性樹脂之黏度、硬化性樹脂之調配比例、於粒子包含螢光體之情形時之螢光體之吸收峰波長、清漆11之黏度等。繼而，使用攪拌機51將該等混合。
藉此，製備清漆11。
再者，於硬化性樹脂為2階段硬化型樹脂之情形時，將清漆11製備成A階段之含有粒子之硬化性樹脂組合物。
清漆11之25℃、1氣壓之條件下之黏度係以成為如下範圍內之方式進行調整：例如為1,000mPa．s以上，較佳為4,000mPa．s以上，又， 例如為1,000,000mPa．s以下，較佳為100,000mPa．s以下。
4.片材製造步驟S2
於片材化裝置31中，在清漆製造步驟S1之後，按照由第2CPU25管理之製造條件實施片材製造步驟S2。
即，由清漆11形成密封片材12。
於形成密封片材12時，例如，首先，將清漆11塗佈於脫模片材28之表面。
作為脫模片材28，選自例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物膜、例如陶瓷片材、例如金屬箔等。較佳為選自聚合物膜。又，亦可對脫模片材28之表面實施氟處理等剝離處理。又，脫模片材28之形狀並無特別限定，例如選自俯視時大致呈矩形狀(包含短條狀、長條狀)等。進而，作為脫模片材28，選擇定位標記(未圖示)之形成之有無、進而選擇定位標記之位置資訊、尺寸等。標記係以確保塗佈清漆11之區域之方式形成。
於將清漆11塗佈於脫模片材28之表面時，選自例如分配器、敷料器、狹縫式塗佈機等塗佈裝置53。較佳為選自分配器。
以密封片材12之厚度成為例如10μm以上，較佳為50μm以上，又，例如為2000μm以下，較佳為1000μm以下之方式選自清漆11之塗佈條件。
亦即，以將清漆11調節為由第2CPU25管理之製造條件，具體而言，將清漆11調節為由第2CPU25管理之剛塗佈後之清漆11之形狀、剛塗佈後之清漆11之厚度之方式選自塗佈裝置53之塗佈條件。
再者，於在脫模片材28形成有定位標記(未圖示)之情形時，一面利用裝備於塗佈裝置53之感測器(未圖示)確認相對於定位標記之塗佈位置一面調節清漆11相對於定位標記之相對位置。
其後，於清漆11含有2階段硬化型樹脂之情形時，將清漆11 B階 段化。具體而言，若作為2階段硬化型樹脂係選自熱硬化型，則將清漆11投入至烘箱55內對清漆11進行加熱。
關於加熱條件，加熱溫度係選自如下範圍：例如為40℃以上，較佳為80℃以上，更佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為150℃以下，更佳為140℃以下。加熱時間係選自如下範圍：例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，更佳為10分鐘以上，又，例如為24小時以下，較佳為1小時以下，更佳為0.5小時以下。
另一方面，若作為2階段硬化型樹脂係選自活性能量硬化型，則使用紫外線燈(未圖示)對清漆11照射紫外線。
藉此，製造積層於脫模片材28之表面之密封片材12。
作為密封片材12之硬度資訊之一的25℃下之壓縮彈性模數係以成為如下範圍之方式進行調節：例如為0.040MPa以上，較佳為0.050MPa以上，更佳為0.075MPa以上，進而較佳為0.100MPa以上，又，例如為0.145MPa以下，較佳為0.140MPa以下，更佳為0.135MPa以下，進而較佳為0.125MPa以下。
5.密封步驟S3
於密封裝置32之加壓裝置35中，在片材製造步驟S2之後，按照由密封控制裝置36所控制之條件實施密封步驟S3。
具體而言，於密封步驟S3中，首先，準備安裝有光半導體元件13之基板14。
基板14係選自例如矽基板、陶瓷基板、聚醯亞胺樹脂基板、於金屬基板積層有絕緣層之積層基板等絕緣基板。
又，於基板14之表面形成有具備用以與接下來所說明之光半導體元件13之端子(未圖示)電性連接之電極(未圖示)、及與電極連續之配線之導體圖案(未圖示)。導體圖案係選自例如金、銅、銀、鎳等導體。
又，基板14之表面係形成為平坦狀。或者，雖未圖示，但亦可於基板14中之供安裝光半導體元件13之表面形成有朝向下方凹下之凹部。
基板14之外形形狀並無特別限定，例如選自俯視時大致呈矩形狀、俯視時大致呈圓形狀等。基板14之尺寸係適當選擇，例如，最大長度係選自如下範圍：例如為2mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為300mm以下，較佳為100mm以下。
光半導體元件13係將電能轉換成光能之LED(發光二極體元件)或LD(Laser Diode，雷射二極體)等，且選自例如厚度短於面方向長度(與厚度方向正交之方向之長度)之剖面觀察時大致呈矩形狀。作為光半導體元件13，較佳為選自發出藍色光之藍色LED。光半導體元件13之尺寸係根據用途及目的而適當選擇，具體而言，厚度例如為10μm以上且1000μm以下，最大長度係選自如下範圍：例如為0.05mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。
光半導體元件13之發光峰波長係選自如下範圍：例如為400nm以上，較佳為430nm以上，又，例如為500nm以下，較佳為470nm以下。
光半導體元件13係例如覆晶安裝或者打線結合連接於基板14。
又，可對1個基板14安裝複數個(於圖1中為3個)光半導體元件13。每1個基板14之光半導體元件13之安裝數係選自如下範圍：例如為1以上，較佳為4以上，又，例如為2000以下，較佳為400以下。
繼而，於該方法中，將安裝有光半導體元件13之基板14設置於加壓裝置35。
於將安裝有光半導體元件13之基板14設置於加壓裝置35時，具體而言，將安裝有光半導體元件13之基板14設置於下側之平板41。
繼而，使積層於脫模片材28之上表面之密封片材12上下反轉而 對向配置於光半導體元件13之上側。亦即，以朝向光半導體元件13之方式配置密封片材12。
繼而，由密封片材12被覆光半導體元件13。藉由密封片材12埋設光半導體元件13。
具體而言，基於由密封控制裝置36所控制之加壓條件，利用密封片材12被覆光半導體元件13。
具體而言，如圖1之箭頭所示，使密封片材12下降(壓低)。詳細而言，將密封片材12對安裝有光半導體元件13之基板14加壓。
藉此，利用密封片材12被覆光半導體元件13。
亦即，於利用密封片材12埋設光半導體元件13並且密封片材12具備螢光體層26(參照圖2)之情形時，利用螢光體層26被覆光半導體元件13。
詳細而言，如圖2A~圖2E所示，於作為密封片材12之螢光體層26之層構造係選自接觸構造之情形時，螢光體層26直接接觸於光半導體元件13(圖2之假想線)之表面，而由螢光體層26被覆光半導體元件13。亦即，螢光體層26密封光半導體元件13。換言之，螢光體層26兼用作密封層。
另一方面，如圖3F及圖3G所示，於作為密封片材12之螢光體層26之層構造係選自相隔構造之情形時，螢光體層26係與光半導體元件13(圖3之假想線)隔著樹脂層27而配置，並且被覆光半導體元件13之上側。另一方面，樹脂層27直接接觸於光半導體元件13(圖2之假想線)之表面而被覆光半導體元件13。亦即，樹脂層27密封光半導體元件13而成為密封層。
其後，若密封片材12為B階段，則將密封片材12 C階段化。
例如，基於由密封控制裝置36所控制之C階段化中之密封片材12之加熱條件、活性能量線之照射條件，將密封片材12 C階段化。
具體而言，於作為2階段硬化型樹脂係選自熱硬化型之情形時，對B階段之密封片材12進行加熱。
詳細而言，具體來說，一面維持藉由平板41對密封片材12之加壓狀態一面投入至烘箱內。藉此，對B階段之密封片材12進行加熱。
加熱溫度係選自如下範圍：例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為180℃以下。又，加熱時間係選自如下範圍：例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為10小時以下，較佳為5小時以下。
藉由對密封片材12進行加熱，而使B階段之密封片材12 C階段化(完全硬化)。
另一方面，於作為2階段硬化型樹脂係選自活性能量線硬化性之情形時，藉由對密封片材12照射活性能量線，而使B階段之密封片材12 C階段化(完全硬化)。具體而言，使用紫外線燈等對B階段之密封片材12照射紫外線。
藉此，製造包括密封片材12、由密封片材12密封之光半導體元件13、及安裝有光半導體元件13之基板14的光半導體裝置20。
於圖1中，在1個光半導體裝置20中設置有複數個(3個)光半導體元件13。
其後，如箭頭所示，將脫模片材28自密封片材12剝離。
再者，其後，於在1個基板14安裝複數個光半導體元件13之情形時，亦可視需要與各光半導體元件13相對應地將密封片材12切斷而使其單片化。
6.製造條件之累積、批次變更及每單位期間之製造量
於此次以前之密封片材12之製造中，清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件係記錄並累積於第5記憶體10之記錄區域(未圖示)。
亦即，第5記憶體10將第3資訊17輸入至第3記憶體23，並且將第3資訊17作為過去之資訊即第5資訊19直接累積於第5記憶體10之記錄區域。
而且，藉由此次之密封片材12之製造，第1CPU8讀出累積於第5記憶體10之於此次之前製造密封片材12之清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件，並基於此而決定此次之清漆製造步驟S1之製造條件、及此次之片材製造步驟S2之製造條件。
又，粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件13中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置20之製造量產生變動。與其變動相對應地將該等之第4資訊18自第1資訊源21及第2資訊源22輸入至第4記憶體24，繼而，第2CPU25讀出儲存於第4記憶體24之第4資訊18，並按照特定之程式處理修正清漆製造步驟S1之製造條件、及/或片材製造步驟S2之製造條件。
[作用效果]
而且，於該系統1中，製造條件決定裝置2包括第1記憶體6、第2記憶體7、及第1CPU8，另一方面，片材製造管理裝置3包括第3記憶體23、及第2CPU25。
而且，製造條件決定裝置2可將第1資訊15及第2資訊16之各者儲存於第1記憶體6及第2記憶體7之各者，並藉由第1CPU8決定片材製造步驟S2之製造條件，且將該製造條件提供給片材製造管理裝置3。
而且，於片材製造管理裝置3中，將與自製造條件決定裝置2提供之製造條件相關之第3資訊17儲存於第3記憶體23，並基於上述第3資訊17，藉由第2CPU25管理片材製造步驟S2之製造條件。
因此，可於在片材製造管理裝置3之外另行設置之製造條件決定裝置2中決定片材製造步驟S2之製造條件，並且片材製造管理裝置3可管理該製造條件。
又，與自製造條件決定裝置2提供之片材製造步驟S2之製造條件相關之第3資訊17係基於第1資訊15及第2資訊16。因此，片材製造管理裝置3可基於自製造條件決定裝置2提供之第3資訊17，藉由第2CPU25精度良好地管理片材製造步驟S2之製造條件。其結果，可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
又，於該系統1中，第1CPU8基於儲存於第1記憶體6之第1資訊15、及儲存於第2記憶體7之第2資訊16進而決定清漆製造步驟S1之製造條件，第2CPU25基於儲存於第3記憶體23之第3資訊17進而管理清漆製造步驟S1之製造條件。因此，能以較高之精度製造適合於作為目標之光半導體裝置20之密封片材12，進而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置20。
進而，根據該系統1，由於第1資訊15包含與供安裝光半導體元件13之基板14相關之資訊，故而製造條件決定裝置2可一併包括與供安裝光半導體元件13之基板14相關之資訊、與光半導體元件13相關之資訊、及與光半導體裝置20相關之資訊。
因此，基於與基於第1資訊15而決定之片材製造步驟S2之製造條件相關之精度較高之第3資訊17，片材製造管理裝置3可更加精度良好地管理片材製造步驟S2之製造條件。
又，於該系統1中，在片材製造管理裝置3中，可藉由第2CPU25基於儲存於第4記憶體24之包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件13中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置20之製造量之第4資訊18，修正片材製造步驟S2之製造條件。因此，可容易地應對批次資訊及/或光半導體裝置20之製造量之變動，修正清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件，從而精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
進而，根據該系統1，製造條件決定裝置2之第5記憶體10可累積 與在此次之前製造密封片材12之製造條件相關之第5資訊19。因此，可基於過去所累積之製造條件於此次製造適合於作為目標之光半導體裝置20之密封片材12，進而，可於此次精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
根據該系統1，由於製造條件決定裝置2可經由網路與片材製造管理裝置3遠程通訊，故而製造條件決定裝置2即便與片材製造管理裝置3相隔較遠，亦可迅速地將於製造條件決定裝置2中所決定之片材製造步驟S2之製造條件提供給片材製造管理裝置3。
根據該系統1，即便片材製造管理裝置3設置於光半導體裝置製造工廠4之片材製造裝置34內，製造條件決定裝置2設置於相對於密封片材製造工廠位於遠端之控制部門5，由於製造條件決定裝置2經由網路與片材製造管理裝置3遠程通訊，故而亦可迅速地將於製造條件決定裝置2中所決定之片材製造步驟S2之製造條件提供給片材製造管理裝置3。
該製造條件決定裝置2包括第1記憶體6、第2記憶體7、及第1CPU8。
因此，根據該製造條件決定裝置2，可將第1資訊15及第2資訊16之各者儲存於第1記憶體6及第2記憶體7之各者，並藉由第1CPU8決定清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。
其結果，只要基於上述清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件，便可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
又，於該製造條件決定裝置2中，第2CPU25基於儲存於第1記憶體6之第1資訊15、及儲存於第2記憶體7之第2資訊16進而決定清漆製造步驟S1之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。因此，能以較高之精度製造適合於作為目標之光半導體裝置20之密封片材12，進 而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置20。
又，根據該製造條件決定裝置2，由於第1資訊15包含與供安裝光半導體元件13之基板14相關之資訊，故而製造條件決定裝置2可一併包括與供安裝光半導體元件13之基板14相關之資訊、與光半導體元件13相關之資訊、及與光半導體裝置20相關之資訊。
因此，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置20。
根據該製造條件決定裝置2，可累積與在此次之前製造密封片材12之製造條件相關之第5資訊19。因此，可基於過去所累積之製造條件於此次製造適合於作為目標之光半導體裝置20之密封片材12，進而，可於此次精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
根據該片材製造管理裝置3，可將包含和與清漆製造步驟S1相關之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件相關之製造條件的第3資訊17儲存於第3記憶體23，並基於上述第3資訊17，藉由第2CPU25精度良好地管理與清漆製造步驟S1相關之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。
因此，可精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
又，根據該片材製造管理裝置3，由於第2CPU25基於儲存於第3記憶體23之第3資訊17進而管理與清漆製造步驟S1相關之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件，故而能以較高之精度製造適合於作為目標之光半導體裝置20之密封片材12，進而，能以較高之精度製造作為目標之光半導體裝置20。
又，於該片材製造管理裝置3中，可藉由第2CPU25基於儲存於第4記憶體24之包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件13中之至少1種批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置20之製造量之第4資訊18，修正與清漆製造步驟S1相關之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件。因此，可容易地應對批次資訊及/或光半導體裝置20之 製造量之變動，修正與清漆製造步驟S1相關之製造條件、及片材製造步驟S2之製造條件，從而精度良好地製造作為目標之光半導體裝置20。
[變化例]
於圖4及其以後之說明中，對與圖1相同之構件標註相同之參照符號並省略其詳細說明。
於圖1之實施形態中，製造條件決定裝置2與片材製造管理裝置3為1對1之關係，亦即，相對於1個製造條件決定裝置2設置有1個片材製造管理裝置3。然而，製造條件決定裝置2及片材製造管理裝置3之對應關係並不限定於此，例如，如圖4所示，亦可相對於1個製造條件決定裝置2設置複數個片材製造管理裝置3。
具體而言，於相互獨立地設置之複數個光半導體裝置製造工廠4之各者中設置有片材製造管理裝置3。製造條件決定裝置2及複數個片材製造管理裝置3係以如下方式構成：可將複數個第1資訊15自複數個片材製造管理裝置3各自所具有之第1資訊源21輸入至第1記憶體6，且可將由第1CPU8所決定之第3資訊17自第5記憶體10輸入至複數個第3記憶體23。
於圖4之實施形態中，1個製造條件決定裝置2對一片材製造管理裝置3A(3)提供第3資訊17，且自一片材製造管理裝置3A(3)之第1資訊源21取得第1資訊15並將其儲存於第1記憶體6，於第5記憶體10累積該第1資訊15，而且，亦可對另一片材製造管理裝置3B(或其他複數個片材製造管理裝置3B及3C)(3)提供第3資訊17。
亦即，1個製造條件決定裝置2可將自複數個片材製造管理裝置3提供之複數個第1資訊15(應儲存於第1記憶體6之第1資訊15，具體而言，為與光半導體元件13相關之資訊、與基板14相關之資訊、與光半導體裝置20相關之資訊)一元化。即，1個製造條件決定裝置2可作為 彙集複數個片材製造管理裝置3之第1資訊15並能夠對複數個片材製造管理裝置3提供與其等對應之第3資訊17之彙集型製造條件決定裝置2發揮功能。
因此，雖為1個製造條件決定裝置2，亦能夠對各片材製造管理裝置3提供精度較高之第3資訊17。
又，於圖1之實施形態中，系統1決定及管理清漆製造步驟S1之製造步驟。亦即，由片材製造管理裝置3管理清漆製造步驟S1之製造條件。然而，亦可以系統1不決定及管理清漆製造步驟S1之製造步驟之方式構成系統1。具體而言，亦可不管理清漆製造步驟S1之製造條件，而僅管理片材製造步驟S2之製造條件。
根據該實施形態，由於第2CPU25無需管理清漆製造步驟S1之製造條件，故而可使第2CPU25之構成簡單。
又，於圖1之實施形態中，作為本發明之製造管理裝置，使片材製造管理裝置3管理片材製造步驟S2之製造條件，使密封控制裝置36管理密封步驟S3之密封條件，但例如亦可使片材製造管理裝置3兼用作密封控制裝置36而構成1個製造管理裝置，管理片材製造步驟S2之製造條件與密封步驟S3之密封條件之兩者。
又，於圖2及圖3之實施形態中，以密封光半導體元件13之密封片材12之形式對本發明之被覆片材進行了說明，但並不限定於此，例如，如圖5所示，亦可選擇為積層於預先密封光半導體元件13之樹脂層(密封層)27(參照圖5A)之被覆片材60(參照圖5A之箭頭及圖5B)。
於圖5A中，被覆片材60係選自與圖1之密封片材12相同之材料。
於圖5B中，被覆片材60被覆光半導體元件13之上側，具體而言係隔著樹脂層27隔開間隔地配置於光半導體元件13之上側。
進而，於圖2及圖3之實施形態中，將密封片材12選擇為螢光體片材(含有螢光體之密封片材)，但亦可選擇為例如雖未圖示但不含螢 光體而含有密封層(樹脂層)之密封片材12。
又，於圖1之說明中，第1資訊15包含與供安裝光半導體元件13之基板14相關之資訊，但亦可不包含該資訊而構成第1資訊15。
再者，上述發明雖作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，而不能限定性地解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例係包含於下述專利申請範圍內。
[產業上之可利用性]
系統、製造條件決定裝置及製造管理裝置係用於製造適合於光半導體裝置之被覆片材。
1‧‧‧系統
2‧‧‧製造條件決定裝置
3‧‧‧片材製造管理裝置
4‧‧‧光半導體裝置製造工廠
5‧‧‧控制部門
6‧‧‧第1記憶體
7‧‧‧第2記憶體
8‧‧‧第1CPU
10‧‧‧第5記憶體
11‧‧‧清漆
12‧‧‧密封片材
13‧‧‧光半導體元件
14‧‧‧基板
15‧‧‧第1資訊
16‧‧‧第2資訊
17‧‧‧第3資訊
18‧‧‧第4資訊
18A‧‧‧第4資訊
18B‧‧‧第4資訊
19‧‧‧第5資訊
20‧‧‧光半導體裝置
21‧‧‧第1資訊源
22‧‧‧第2資訊源
23‧‧‧第3記憶體
24‧‧‧第4記憶體
25‧‧‧第2CPU
28‧‧‧脫模片材
31‧‧‧片材化裝置
32‧‧‧密封裝置
33‧‧‧清漆製造裝置
34‧‧‧片材製造裝置
35‧‧‧加壓裝置
36‧‧‧密封控制裝置
41‧‧‧平板
51‧‧‧攪拌機
52‧‧‧容器
53‧‧‧塗佈裝置
54‧‧‧加熱器
55‧‧‧烘箱
S1‧‧‧清漆製造步驟
S2‧‧‧片材製造步驟
S3‧‧‧密封步驟

Claims (6)

  1. 一種系統，其特徵在於：其係決定及管理包括製造包含粒子及硬化性樹脂之清漆之清漆製造步驟、由上述清漆製造B階段之被覆片材之片材製造步驟、及利用上述被覆片材被覆光半導體元件之被覆步驟的光半導體裝置之製造方法中之上述片材製造步驟之製造條件者，且上述系統包括製造條件決定裝置、及製造管理裝置；上述製造條件決定裝置包括：第1資訊儲存區域，其儲存與上述光半導體元件及上述光半導體裝置相關之第1資訊；第2資訊儲存區域，其儲存與上述清漆相關之第2資訊；及決定機構，其基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊而決定上述製造條件；上述製造管理裝置包括：第3資訊儲存區域，其儲存與由上述決定機構決定之上述製造條件相關之第3資訊；及管理機構，其基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，管理上述片材製造步驟之上述製造條件；上述製造條件決定裝置經由網路與上述製造管理裝置遠程通訊。
  2. 如請求項1之系統，其中上述製造管理裝置係設置於片材製造裝置內；上述製造條件決定裝置係設置於相對於上述製造管理裝置位於遠端之控制部門。
  3. 如請求項1之系統，其中上述系統進而決定及管理上述清漆製造步驟之製造條件；上述決定機構基於儲存於上述第1資訊儲存區域之上述第1資訊、及儲存於上述第2資訊儲存區域之上述第2資訊，進而決定上述清漆製造步驟之上述製造條件；上述管理機構基於儲存於上述第3資訊儲存區域之上述第3資訊，進而管理上述清漆製造步驟之上述製造條件。
  4. 如請求項1之系統，其中上述第1資訊包含與供安裝上述光半導體元件之基板相關之資訊。
  5. 如請求項1之系統，其中上述製造管理裝置包括：第4資訊儲存區域，其儲存包含粒子、硬化性樹脂、清漆及光半導體元件中之至少1種之批次資訊、及/或每單位期間之光半導體裝置之製造量之第4資訊；及修正機構，其基於儲存於上述第4資訊儲存區域之上述第4資訊，修正上述片材製造步驟之上述製造條件。
  6. 如請求項1之系統，其中上述製造條件決定裝置：包括儲存與在此次之前製造上述被覆片材之製造條件相關之第5資訊之第5資訊儲存區域，且基於儲存於上述第5資訊儲存區域之上述第5資訊，決定用於此次製造上述被覆片材之製造條件。
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