KR20150134341A - 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치 - Google Patents

시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치 Download PDF

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히사타카 이토
아키토 니노미야
야스나리 오오야부
시게히로 우메타니
히로카즈 마츠다
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

시스템은 제조 조건 결정 장치와 제조 관리 장치를 구비한다. 제조 조건 결정 장치는, 광 반도체 소자 및 광 반도체 장치에 관련된 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과, 바니시에 관련된 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과, 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 제 1 정보 및, 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 제 2 정보에 근거하여 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비한다. 제조 관리 장치는, 결정 수단에 의해서 결정되는 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과, 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 제 3 정보에 근거하여, 시트 제조 공정의 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 구비한다.

Description

시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치{SYSTEM, MANUFACTURING CONDITION DETERMINING APPARATUS, AND MANUFACTURING MANAGEMENT APPARATUS}
본 발명은, 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치, 상세하게는, 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치에 관한 것이다.
최근, 광 반도체 장치의 제조 방법으로서, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하고, 그 바니시로부터 B 스테이지의 봉지 시트 등의 피복 시트를 제조하고, 그 피복 시트에 의해서, 광 반도체 소자를 피복하는 방법이 검토되고 있다.
예를 들면, B 스테이지의 열강화성 수지로 이루어지는 형광체층에 의해, 기판에 실장되는 발광 다이오드를 피복하고, 그 후, 형광체층을 C 스테이지화하고, 이것에 의해서, LED 장치를 제조하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 아래의 특허 문헌 1 참조.).
일본 공개 특허 공보 제 2009-060031 호
그런데, 형광체층을 포함하는 봉지 시트는, 봉지 시트 제조 공장에서 제조되고 있고, 거기서 제조된 봉지 시트를, LED 장치 제조 공장에 출하하고 있다. 또, 봉지 시트 제조 공장에서는, LED 장치 제조 공장으로부터, 발광 다이오드 및 LED 장치에 관련된 정보가 제공되고, 그 정보 및 바니시에 관련된 정보에 근거하여, 목적으로 하는 LED 장치에 적합한 봉지 시트의 제조 조건을 결정한다.
그렇지만, LED 장치 제조 공장에서, 반도체 소자 및/또는 광 반도체 장치에 변동이 있는 경우에는, 봉지 시트 제조 공장에서, 그러한 변동에 대응하여, 봉지 시트를 재제조하거나 또, 재제조한 상이한 종류의 봉지 시트를, LED 장치 제조 공장으로 반송할 필요가 있다. 그 때문에, 수고나 시간이 걸린다고 하는 문제가 있다.
한편, LED 장치 제조 공장 내에 봉지 시트 제조 공장을 마련하여, 상기 수고나 시간을 생략하는 것도 시안된다.
그렇지만, LED 장치 제조 공장은, 바니시에 관련된 정보가 충분하지 않고, 봉지 시트의 제조 조건을 확실하게 결정할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를, 광 반도체 장치의 제조 공장에서 간단하고 쉽게 또한 확실히 제조할 수 있는 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 시스템은, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템으로서, 상기 시스템은, 제조 조건 결정 장치와 제조 관리 장치를 구비하되, 상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 광 반도체 소자 및 상기 광 반도체 장치에 관련된 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과, 상기 바니시에 관련된 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역이라고 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하고, 상기 제조 관리 장치는, 상기 결정 수단에 의해서 결정되는 상기 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 시스템에서는, 제조 조건 결정 장치가 제 1 정보 저장 영역과, 제 2 정보 저장 영역과, 결정 수단을 구비하는 한편, 제조 관리 장치가 제 3 정보 저장 영역과 관리 수단을 구비한다.
그리고, 제조 조건 결정 장치가, 제 1 정보 및 제 2 정보의 각각을, 제 1 정보 저장 영역 및 제 2 정보 저장 영역의 각각에 저장하고 있으며, 결정 수단에 의해서, 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정하고, 이것을 제조 관리 장치에 제공할 수 있다.
그리고, 제조 관리 장치에서는, 제조 조건 결정 장치로부터 제공된 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 제 3 정보 저장 영역에 저장하고, 이러한 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서, 시트 제조 공정의 제조 조건을 관리한다.
그 때문에, 시트 제조 공정의 제조 조건을, 제조 관리 장치와는 별도로, 제조 조건 결정 장치에서 결정할 수 있음과 아울러, 제조 관리 장치가 관리할 수 있다.
또, 제조 조건 결정 장치로부터 제공되는 시트 제조 공정의 제조 조건에 관련된 제 3 정보는 제 1 정보 및 제 2 정보에 근거하고 있다. 그 때문에, 제조 관리 장치는, 제조 조건 결정 장치로부터 제공되는 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서, 시트 제조 공정의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다. 그 결과, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템은 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정 및 관리하고, 상기 결정 수단은 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 결정하고, 상기 관리 수단은, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 관리하는 것이 바람직하다.
본 시스템에서는, 결정 수단이 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 제 1 정보 및, 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 제 2 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정하고, 관리 수단이 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 제 3 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 관리한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를 높은 정밀도로 제조할 수 있고 또, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템에서는, 제 1 정보는 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하는 것이 바람직하다.
본 시스템에 따르면, 제 1 정보는 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치가, 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보도, 상기한 각 정보와 함께 가질 수 있다.
그 때문에, 제 1 정보에 근거하여 결정된 제조 조건에 관련된 정밀도가 높은 제 3 정보에 근거하여, 제조 관리 장치는 시트 제조 공정의 제조 조건을 보다 더 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 관리 장치는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과, 상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 로트 정보는, 로트마다, 변동한다. 또, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량은, 단위 기간마다, 변동한다. 그 때문에, 로트 및/또는 단위 기간마다, 제조되는 광 반도체 장치의 물성이 변동하는 경우가 있다. 그러한 경우에는, 제조 조건 결정 장치가, 매회, 제 4 정보에 근거하여, 제조 조건을 결정하는 것은 번잡하다.
그러나, 본 시스템에서는, 제조 관리 장치에 있어서, 수정 수단에 의해서, 제 4 정보 저장 영역에 저장되는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보에 근거하여, 시트 제조 공정의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광 반도체 장치의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 시트 제조 공정의 제조 조건을 수정하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고, 상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복 시트를 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는 것이 바람직하다.
본 시스템에 따르면, 제조 조건 결정 장치가, 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를 금회 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 조건 결정 장치는, 네트워크를 통해서 상기 제조 관리 장치와 원격 통신하는 것이 바람직하다.
본 시스템에 따르면, 제조 조건 결정 장치가, 네트워크를 통해서 제조 관리 장치와 원격 통신하므로, 제조 조건 결정 장치가, 제조 관리 장치에 대해서 원격으로 위치하고 있어도, 제조 조건 결정 장치에서 결정한 시트 제조 공정의 제조 조건을, 제조 관리 장치에 신속히 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 관리 장치는 시트 제조 장치 내에 설치되고, 상기 제조 조건 결정 장치는 상기 시트 제조 장치에 대해서 먼 단부에 위치하는 제어 부문에 설치되는 것이 바람직하다.
본 시스템에 따르면, 제조 관리 장치가 시트 제조 장치 내에 설치되고, 제조 조건 결정 장치가, 시트 제조 장치에 대해서 먼 단부에 위치하는 제어 부문에 설치되어 있어도, 제조 조건 결정 장치가, 네트워크를 통해서 제조 관리 장치와 원격 통신하므로, 제어 부문의 제조 조건 결정 장치에서 결정한 시트 제조 공정의 제조 조건을 제조 관리 장치에 신속히 제공할 수 있다.
본 발명의 제조 조건 결정 장치는, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정하기 위한 제조 조건 결정 장치로서, 상기 광 반도체 소자에 관련된 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과, 상기 바니시에 관련된 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 제조 조건 결정 장치는 제 1 정보 저장 영역과, 제 2 정보 저장 영역과, 결정 수단을 구비한다.
그 때문에, 이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 제 1 정보 및 제 2 정보의 각각을 제 1 정보 저장 영역 및 제 2 정보 저장 영역의 각각에 저장하고, 결정 수단에 의해서, 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정할 수 있다.
그 결과, 이러한 시트 제조 공정의 제조 조건에 근거하면, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 조건 결정 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정하고, 상기 결정 수단은 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 결정하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에서는, 결정 수단이 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 제 1 정보 및, 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 제 2 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를 높은 정밀도로 제조할 수 있고 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 조건 결정 장치에서는, 상기 제 1 정보는 상기 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 제 1 정보는 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치가, 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보도, 상기한 각 정보와 함께 가질 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 조건 결정 장치는 상기 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고, 상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복 시트를 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를 금회 제조할 수 있고 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
본 발명의 제조 관리 장치는, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 관리하기 위한 제조 관리 장치로서, 상기 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 제조 관리 장치에 의하면, 시트 제조 공정의 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 제 3 정보 저장 영역에 저장하고, 이러한 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서, 시트 제조 공정의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 관리 장치는, 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 관리하고, 상기 관리 수단은, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 관리하는 것이 바람직하다.
이 제조 관리 장치에 의하면, 관리 수단이, 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 제 3 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 관리하므로, 목적으로 하는 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트를 높은 정밀도로 제조할 수 있고 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 제조 관리 장치는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과, 상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 로트 정보는, 로트마다, 변동한다. 또, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량은, 단위 기간마다, 변동한다. 그 때문에, 로트 및/또는 단위 기간마다, 제조되는 광 반도체 장치의 물성이 변동하는 경우가 있다. 그러한 경우에는, 제조 조건 결정 장치가, 매회, 제 4 정보에 근거하여, 제조 조건을 결정하는 것은 번잡하다.
그러나, 이 제조 관리 장치에서는, 수정 수단에 의해서, 제 4 정보 저장 영역에 저장되는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보에 근거하여, 시트 제조 공정의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광 반도체 장치의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 시트 제조 공정의 제조 조건을 수정하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
본 발명의 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치를 구비한 본 발명의 시스템에 따르면, 제조 관리 장치와는 별도로, 제조 조건 결정 장치로 결정할 수 있음과 아울러, 제조 관리 장치가 관리할 수 있다. 또, 목적으로 하는 광 반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 시스템의 일실시 형태의 개략 구성도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시된 봉지 시트의 확대 단면도로서, 도 2(a)는 형광체층만으로 이루어지는 봉지 시트, 도 2(b)는 형광체의 농도가 상이한 복수의 형광체층을 갖는 봉지 시트, 도 2(c)는 아래쪽을 향해 개방되는 오목부를 갖는 수지층과, 오목부부에 충전되는 형광체층을 갖는 봉지 시트, 도 2(d)는 단면이 대략 사다리꼴 형상인 형광체층과, 그 주위에 형성되는 수지층을 갖는 봉지 시트, 도 2(e)는 단면이 대략 직사각형인 형광체층과, 그 주위에 형성되는 수지층을 갖는 봉지 시트를 도시한다.
도 3은 도 1에 도시된 봉지 시트의 확대 단면도로서, 도 3(f)는 수지층과, 수지층의 상측에 형성되는 형광체층을 갖는 봉지 시트, 도 3(g)는 수지층과, 수지층의 상측에 형성되는 형광체층과, 수지층의 하측에서, 광 반도체 소자가 형성되는 부분을 둘러싸도록 형성되는 기능층을 갖는 봉지 시트를 도시한다.
도 4는 도 1의 변형예의 시스템의 개략 구성도를 도시한다.
도 5는 도 2(a)의 봉지 시트의 변형예의 확대 단면도로서, 도 5(a)는 피복 시트를, 광 반도체 소자를 피복하는 봉지층의 상측에 대향 배치하는 상태, 도 5(b)는 피복 시트를 봉지층의 표면에 적층하는 상태를 도시한다.
[시스템의 구성]
본 발명의 일실시 형태인 시스템(1)은, 봉지 시트 제조 공장의 제어 부문(5)과, 그 봉지 시트 제조 공장과는 별도 설치되는 광 반도체 장치 제조 공장(4)에 설치되는 시스템이다. 시스템(1)은, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시(11)를 제조하는 바니시 제조 공정 S1, 바니시(11)로부터 B 스테이지의 피복 시트로서의 봉지 시트(12)를 제조하는 시트 제조 공정 S2 및, 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 봉지하는 봉지 공정 S3(피복 공정의 일례)를 갖는 광 반도체 장치(20)의 제조 방법에 있어서의 바니시 제조 공정 S1 및 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정 및 관리한다. 시스템(1)은 제조 조건 결정 장치(2)와, 제조 관리 장치로서의 시트 제조 관리 장치(3)를 구비한다.
제어 부문(5)은, 예를 들면, 광 반도체 장치 제조 공장(4)의 시트 제조 장치(34)(후술)에서 제조하는 봉지 시트(12)와 마찬가지의 봉지 시트(12)를 제조 가능한 봉지 시트 제조 공장 내에 설치되어 있다.
제어 부문(5)은 제조 조건 결정 장치(2)를 구비한다.
제조 조건 결정 장치(2)는, 제 1 정보 저장 영역으로서의 제 1 메모리(6)와, 제 2 정보 저장 영역으로서의 제 2 메모리(7)와, 결정 수단으로서의 제 1 CPU(8)와, 제 5 정보 저장 영역으로서의 제 5 메모리(10)를 구비한다.
제 1 메모리(6)는 광 반도체 소자(13), 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14), 광 반도체 장치(20)에 관련된 제 1 정보(15)를 저장한다.
제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는, 광 반도체 소자(13)에 관련된 정보로서, 예를 들면, 광 반도체 소자(13)의 형상, 광 반도체 소자(13)의 치수, 광 반도체 소자(13)의 발광 피크 파장, 기판(14)의 단위면적 당의 광 반도체 소자(13)의 실장수, 1개의 기판(14) 당의 광 반도체 소자(13)의 실장수 등을 들 수 있다.
또, 제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는, 기판(14)에 관련된 정보로서, 예를 들면, 기판(14)의 외형 형상, 기판(14)의 치수, 기판(14)의 표면 형상(오목부의 유무 등) 등을 들 수 있다.
추가로, 제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는, 광 반도체 장치(20)에 관련된 정보로서, 예를 들면, 광 반도체 장치(20)의 색 온도, 광 반도체 장치(20)의 전광속(全光束), 광 반도체 장치(20)의 배광 특성 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 목표로 되는 색 온도는, 목표로 하는 광의 색이 천연 백색인 경우에는, 예를 들면, 4600 K 이상이며, 또, 예를 들면, 5500 K 이하이다. 또, 목표로 되는 색 온도는, 목표로 하는 광의 색이 온(溫) 백색인 경우에는, 예를 들면, 3250 K 이상이며, 또, 예를 들면, 3800 K 이하이다. 목표로 되는 색 온도는 상기 온도 범위로부터 선택된다.
제 1 메모리(6)는, 광 반도체 장치 제조 공장(4)이 갖는 제 1 정보원(21)으로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 2 메모리(7)는 바니시(11)에 관련된 제 2 정보(16)를 저장한다.
제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는, 입자에 관련된 정보로서, 예를 들면, 입자의 종류, 입자의 배합 비율, 입자의 최대 길이의 평균치(입자가 구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경) 등을 들 수 있다. 또, 입자가 후술하는 형광체를 포함하는 경우에는, 입자에 관련된 정보로서, 형광체의 흡수 피크 파장도 들 수 있다. 또, 제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는, 경화성 수지에 관련된 정보로서, 예를 들면, 경화성 수지의 종류, 경화성 수지의 점도, 경화성 수지의 배합 비율, 경화성 수지의 경화 속도 등을 들 수 있다. 추가로, 제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는, 바니시에 관련된 정보로서, 예를 들면, 바니시의 점도를 들 수 있다. 추가로 또, 제 2 정보(16)로서, 이형 시트(28)(후술)에 위치 결정 마크(도시하지 않음)가 설치되어 있은 경우에는, 도포 후의 복수의 바니시(11)의 상대 위치 정보 등도 들 수 있다.
제 2 정보(16)는 봉지 시트 제조 공장의 제어 부문(5)이 갖는 제 2 정보원(22)으로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 1 CPU(8)는 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15) 및, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 봉지 시트(12)의 제조 조건을 결정하는 결정 장치이다.
제 1 CPU(8)에는 소정의 프로그램 처리가 미리 저장되어 있고, 제 1 CPU(8)는, 프로그램 처리에 따라서, 봉지 시트(12)의 제조 조건을 결정한다.
봉지 시트(12)의 제조 조건으로서는, 예를 들면, 봉지 시트(12)의 층 구조의 종류, 바니시(11)의 도포 조건 등을 들 수 있다. 또, 봉지 시트(12)가 후술하는 B 스테이지인 경우에는, A 스테이지의 바니시(11)를 B 스테이지화할 때의 바니시(11)의 가열 조건, 활성 에너지선의 조사 조건 등도 들 수 있다. 또, B 스테이지의 봉지 시트(12)의 경도(硬度)의 정보(예를 들면, 압축 탄성률)도 들 수 있다.
봉지 시트(12)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들면, 형광체를 함유하는 형광체층(26)을 갖는 형광체 함유 봉지 시트 즉, 형광체 시트로서 구성되어 있다. 봉지 시트(12)의 층 구조로서 예를 들면, 도 2(a) ~ 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 형광체층(26)이 광 반도체 소자(13)(가상선)에 직접 접촉할 수 있는 접촉 구조, 또, 예를 들면, 도 3(f) 및 도 3(g)에 도시된 바와 같이, 형광체층(26)이 광 반도체 소자(13)를 피복할 수 있는 한편, 형광체층(26)과 광 반도체 소자(13)(가상선)에 간격을 두고 있는 이간 구조 등을 들 수 있다.
도 2 및 도 3에 있어서, 가상선으로 표시하는 부재는, 봉지 시트(12)에 매설되는 광 반도체 소자(13)를 나타낸다.
접촉 구조의 봉지 시트(12)로서는, 예를 들면, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 형광체층(26)만으로 이루어지는 봉지 시트(12A), 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 형광체의 농도가 다르며, 두께 방향으로 적층되는 복수의 형광체층(26A 및 26B)을 갖는 봉지 시트(12B), 도 2(c)에 도시된 바와 같이, 아래쪽을 향해 개방되는 오목부를 갖는 수지층(27)과, 오목부에 충전되는 형광체층(26)을 갖는 봉지 시트(12C), 도 2(d) 및 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 평면에서 보아 대략 원형 형상 또는 평면에서 보아 대략 직사각형 형상의 형광체층(26)과, 그 주위에 형성되는 수지층(27)을 갖는 봉지 시트(12)로서, 도 2(d)에 도시된 바와 같이, 형광체층(26)이 상측을 향해 갈수록 폭이 커지는 대략 단면이 사다리꼴 형상으로 형성되는 봉지 시트(12D), 또, 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 형광체층(26)이 단면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되는 봉지 시트(12E) 등으로부터 선택된다.
또, 이간 구조의 봉지 시트(12)로서는, 예를 들면, 도 3(f)에 도시된 바와 같이, 수지층(27)과 수지층(27)의 상측에 형성되는 형광체층(26)을 갖는 봉지 시트(12F), 또, 예를 들면, 도 3(g)에 도시된 바와 같이, 수지층(27)과 수지층(27)의 상측에 형성되는 형광체층(26)과, 수지층(27)의 하측에 있어서, 저면에서 보아, 광 반도체 소자(13)가 형성되는 부분을 둘러싸도록 형성되는 기능층(29)을 갖는 봉지 시트(12F) 등으로부터 선택된다. 또, 도 3(g)에 있어서, 수지에, 형광체 등의 파장 변환 기능이나, 백색 안료(구체적으로는, 이산화티타늄 등) 등의 광반사 기능을 갖는 기능 재료를 배합함으로써, 기능층(29)이 선택된다.
구체적으로는, 상기 각종 구조를 갖는 봉지 시트(12)로서는, 공지의 봉지 시트를 들 수 있고, 구체적으로는, 접촉 구조의 봉지 시트(12)로서, 예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제 2010-067641 호, 일본 공개 특허 공보 제 2009-231750 호, 일본 공개 특허 공보 제 2009-188207 호, 일본 공개 특허 공보 제 2009-182149 호, 일본 공개 특허 공보 제 2009-099784 호, 일본 공개 특허 공보 제 2009-060031 호 등에 기재된 봉지 시트(형광체 시트)로부터 선택(결정)되고, 또, 이간 구조의 봉지 시트(12)로서, 예를 들면, 일본 공개 특허 공보 제 2011-258634 호, 일본 공개 특허 공보 제 2011-228525 호, 일본 공개 특허 공보 제 2011-159874 호, 일본 공개 특허 공보 제 2011-082340 호, 일본 공개 특허 공보 제 2010-192844 호, 일본 공개 특허 공보 제 2010-153500 호, 일본 공개 특허 공보 제 2010-123802 호 등에 기재된 봉지 시트(형광체 시트)로부터 선택(결정)된다.
접촉 구조를 갖는 형광체층(26), 형광체의 농도가 상이한 2개의 형광체층(26A) 및 형광체층(26B), 수지층(27)(오목부를 포함한다)의 치수는, 적절히 선택되고, 상기 공개 공보에 기재되는 범위로부터 선택된다.
바니시(11)의 도포 조건으로서는, 예를 들면, 도포 직후의 바니시(11)의 형상, 도포 직후의 바니시(11)의 두께 등을 들 수 있다. 또, 상기 형상으로는, 바니시(11)가 서로 간격을 두고 있는 형상을 포함한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 CPU(8)는, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15)와, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)를 판독가능하게 구성되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제 5 메모리(10)는, 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 봉지 시트(12)의 제조 조건을 저장하는 영역이다.
또, 제 5 메모리(10)에는, 봉지 시트(12)를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보(19)를 기록 가능한 기록 영역(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 또, 기록 영역에 기록되어 축적되는 제 5 정보(19)는, 금회 제조에 있어서 제 1 CPU(8)에 의해서 판독되고, 재차, 제 1 CPU(8)에 의해서, 봉지 시트(12)의 제조 조건을 결정하도록 구성되어 있다.
광 반도체 장치 제조 공장(4)은, 필요에 따라, 제어 부문(5)을 갖는 봉지 시트 제조 공장(도시하지 않음)과 상이한 위치, 구체적으로는, 봉지 시트 제조 공장(도시하지 않음)으로부터 떨어진 위치(원격의 위치)에 설치되어 있고, 광 반도체 장치 제조 공장(4)은 시트 제조 장치(34)와 봉지 장치(32)를 구비한다.
시트 제조 장치(34)는, 바니시 제조 장치(33)와, 시트화 장치(31)와, 시트 제조 관리 장치(3)를 구비한다.
바니시 제조 장치(33)는, 예를 들면, 교반기(51)를 갖춘 용기(52)를 구비한다.
시트화 장치(31)는, 예를 들면, 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿 다이 코터 등의 도포 장치(53)를 구비한다. 도포 장치(53)로서는, 바람직하게는, 디스펜서를 들 수 있다. 또, 시트화 장치(31)는, 상하 방향으로 서로 간격을 두고 배치되는 히터(54)를 갖는 오븐(55)을 가질 수도 있다.
시트 제조 관리 장치(3)는, 제어 부문(5)에 대해서 원격으로 위치하고 있다. 시트 제조 관리 장치(3)는, 제 3 정보 저장 영역으로서의 제 3 메모리(23)와, 제 4 정보 저장 영역으로서의 제 4 메모리(24)와, 관리 수단인 수정 수단으로서의 제 2 CPU(25)를 구비한다.
제 3 메모리(23)는 제 1 CPU(8)에 의해서 결정되는 봉지 시트(12)의 제조 조건에 관련된 제 3 정보(17)를 저장한다.
제 3 정보(17)는 제 1 CPU(8)에 의해서 결정되는 봉지 시트(12)의 제조 조건을 포함한다.
제 3 메모리(23)는, 제 5 메모리(10)에 있어서 결정되는 제 3 정보(17)가 제 5 메모리(10)로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 4 메모리(24)는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)를 저장한다.
로트 정보는 로트의 변경에 따라서 변동하는 정보로서, 구체적으로는, 로트에 따라서 상이한 입자의 최대 길이의 평균치(입자가 구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경) 등을 들 수 있고, 또, 로트에 따라서 상이한 경화성 수지의 점도 등을 들 수 있다. 또, 입자가 형광체를 포함한 경우에는, 형광체의 로트 정보로서, 로트에 따라서 상이한 형광체의 흡수 피크 파장을 들 수 있다. 또한, 로트에 따라서 상이한 바니시에 관련된 정보로서, 상기 입자 및/또는 경화성 수지의 로트가 상이한 것에 기인하는 바니시의 점도를 들 수 있다.
단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량으로서는, 1개월 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량으로서, 예를 들면, 1000개 이상, 바람직하게는, 5000개 이상이며, 또, 예를 들면, 200,000개 이하의 범위로부터 선택된다.
제 4 메모리(24)는, 광 반도체 장치 제조 공장(4)에 있어서의 제 1 정보원(21) 및, 봉지 시트 제조 공장(도시하지 않음)의 제어 부문(5)에 있어서의 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 정보(18)가 입력되도록 구성되어 있다.
제 4 정보(18) 중, 제 1 정보원(21)으로부터 입력되는 제 4 정보(18B)로서는, 예를 들면, 광 반도체 소자(13)의 로트 정보, 단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량을 들 수 있고, 또, 제 2 정보원(22)으로부터 입력되는 제 4 정보(18A)로서는, 예를 들면, 입자의 로트 정보, 경화성 수지의 로트 정보, 바니시의 로트 정보를 들 수 있다.
제 2 CPU(25)에는, 소정의 프로그램 처리가 미리 저장되고 있고, 제 2 CPU(25)는, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다. 또, 제 2 CPU(25)는, 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수도 있다.
제 2 CPU(25)는, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17) 및, 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)를, 판독 가능하게 구성되어 있다.
제 2 CPU(25)는, 바니시 제조 장치(33) 및 시트화 장치(31)의 각각으로, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건의 각각을 관리 가능하고 또한 수정 가능하게 구성되어 있다.
봉지 장치(32)는 프레스 장치(35)와 봉지 제어 장치(36)를 구비한다.
프레스 장치(35)는, 예를 들면, 상하 방향으로 간격을 두고 대향 배치되고, 봉지 시트(12) 및 기판(14)을 상하 방향으로 가압 가능한 2매의 평판(41)을 갖는 프레스기 등이 선택된다.
봉지 제어 장치(36)는, 봉지 공정 S3의 봉지 조건을 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 봉지 제어 장치(36)에는, 도시하지 않는 메모리가 설치되고, 제 1 정보원(21)으로부터 봉지 공정 S3의 봉지 조건이 입력되고, 그리고, 봉지 공정 S3의 봉지 조건을 제어하도록 구성되어 있다.
다음으로, 이 시스템(1)을 이용하여, 광 반도체 장치 제조 공장(4)에서 광 반도체 장치(20)를 제조하는 방법으로 대해서 설명한다.
1. 제조 조건 결정 공정
이 방법에서는, 우선, 제 1 정보(15)를, 제 1 정보원(21)으로부터 제 1 메모리(6)에 입력한다. 제 1 정보(15)를 제 1 메모리(6)에 입력하려면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 제 1 정보원(21)과 제 1 메모리(6)를 접속하는 네트워크 등의 회선을 통해서(거쳐서), 제 1 정보(15)를 입력한다. 또는, 예를 들면, 제 1 정보원(21)으로부터, 팩스, 메일, 우편 등의 통신 수단을 거친 후, 제 1 정보(15)를 제 1 메모리(6)에 입력할 수도 있다.
별도로, 제 2 정보(16)를 제 2 정보원(22)으로부터 제 2 메모리(7)에 입력한다. 제 2 정보(16)를 제 2 메모리(7)에 입력하는 방법은, 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 마찬가지이다.
다음으로, 제 1 CPU(8)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15)와, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)를 판독하고, 계속해서, 소정의 프로그램 처리에 따라, 이들 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)에 근거하여, 봉지 시트(12)의 제조 조건을 제 3 정보(17)(다음에 상세히 설명된다)로서 결정한다.
2. 제조 관리 공정
그 후, 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 제 3 정보(17)는 제 5 메모리(10)에 기록되고, 계속해서, 제 5 메모리(10)에 기록된 제 3 정보(17)는 제 3 메모리(23)에 입력된다.
제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 입력하는 방법은, 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 마찬가지이다.
별도로, 제 4 정보(18)를 제 1 정보원(21) 및 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 메모리(24)에 입력한다. 제 4 정보(18)를 제 4 메모리(24)에 입력하는 방법은, 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 마찬가지이다.
그 후, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)를 판독하고, 계속해서, 소정의 프로그램 처리에 따라, 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다.
그리고, 시트 제조 장치(34)에서는, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1 및 시트 제조 공정 S2를 차례로 실시한다.
3. 바니시 제조 공정 S1
바니시 제조 장치(33)에서는, 우선, 바니시 제조 공정 S1을, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 따라서, 실시한다.
구체적으로는, 바니시 제조 공정 S1에서는, 우선, 입자 및 경화성 수지의 각각을 마련하고, 이들을 혼합하여, 바니시(11)를 입자 함유 경화성 수지 조성물로서 조제한다.
입자로서는, 예를 들면, 형광체, 충전제 등으로부터 선택된다.
형광체는, 파장 변환 기능을 가지고 있고, 예를 들면, 청색광을 황색광으로 변환할 수 있는 황색 형광체, 청색광을 적색광으로 변환할 수 있는 적색 형광체 등으로부터 선택된다.
황색 형광체로서는, 예를 들면, (Ba, Sr, Ca)2SiO4 ; Eu, (Sr, Ba)2SiO4 : Eu(바륨 올소 실리케이트(BOS)) 등의 실리케이트 형광체, 예를 들면, Y3Al5O12 : Ce(YAG(이트륨 알루미늄 가닛) : Ce), Tb3Al3O12 : Ce(TAG(테르븀 알루미늄 가닛) : Ce) 등의 가닛형 결정 구조를 가지는 가닛형 형광체, 예를 들면, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체 등으로부터 선택된다.
적색 형광체로서는, 예를 들면, CaAlSiN3 : Eu, CaSiN2 : Eu 등의 질화물 형광체 등으로부터 선택된다.
형광체의 형상으로서는, 예를 들면, 구 형상, 판 형상, 침 형상 등으로부터 선택된다.
형광체의 최대 길이의 평균치(구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경)는, 예를 들면, 0.1㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 200㎛ 이하, 바람직하게는, 100㎛ 이하의 범위로부터 선택된다.
형광체의 흡수 피크 파장은, 예를 들면, 300 nm 이상, 바람직하게는, 430 nm 이상이며, 또, 예를 들면, 550 nm 이하, 바람직하게는, 470 nm 이하의 범위로부터 선택된다.
형광체는, 단독 사용 또는 병용하도록, 선택된다.
형광체의 배합 비율은, 경화성 수지 100 질량부에 대해서, 예를 들면, 0.1 질량부 이상, 바람직하게는, 0.5 질량부 이상이며, 예를 들면, 80 질량부 이하, 바람직하게는, 50 질량부 이하의 범위로부터 선택된다.
충전제로서는, 예를 들면, 실리콘 입자(구체적으로는, 실리콘 고무 입자를 포함한다) 등의 유기 미립자, 예를 들면, 실리카(예를 들면, 연무 실리카 등), 활석, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소 등의 무기 미립자로부터 선택된다. 또, 충전제의 최대 길이의 평균치(구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경)는, 예를 들면, 0.1㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 200㎛ 이하, 바람직하게는, 100㎛ 이하의 범위로부터 선택된다. 충전제는, 단독 사용 또는 병용하도록, 선택된다. 충전제의 배합 비율은, 경화성 수지 100 질량부에 대해서, 예를 들면, 0.1 질량부 이상, 바람직하게는, 0.5 질량부 이상이며, 또, 예를 들면, 70 질량부 이하, 바람직하게는, 50 질량부 이하의 범위로부터 선택된다.
경화성 수지로서는, 예를 들면, 2 단계의 반응 기구를 갖고 있고, 1 단계째의 반응으로 B 스테이지화(반경화)하고, 2 단계째의 반응으로 C 스테이지화(완전 경화)하는 2 단계 경화형 수지로부터 선택된다.
2 단계 경화형 수지로서는, 예를 들면, 가열에 의해 경화하는 2 단계 경화형 열강화성 수지, 예를 들면, 활성 에너지선(예를 들면, 자외선, 전자선 등)의 조사에 의해 경화하는 2 단계 경화형 활성 에너지선 경화성 수지 등으로부터 선택된다. 바람직하게는, 2 단계 경화형 열강화성 수지가 선택된다.
구체적으로는, 2 단계 경화형 열강화성 수지로서 예를 들면, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등으로부터 선택된다. 바람직하게는, 투광성 및 내구성의 관점에서, 2 단계 경화형 실리콘 수지로부터 선택된다.
2 단계 경화형 실리콘 수지로서는, 예를 들면, 축합 반응과 부가 반응의 2개의 반응계를 갖는 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 등으로부터 선택된다.
이러한 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지로서는, 예를 들면, 실라놀 양말단 폴리실록산, 알켄닐기 함유 트라이알콕시실레인, 오르가노히드로게노 폴리실록산, 축합 촉매 및 수소규소화 촉매를 함유하는 제 1 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물, 오르가노히드로게노 폴리실록산, 축합 촉매 및 수소규소화 촉매를 함유하는 제 2 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 양말단 실라놀형 실리콘 오일, 알켄닐기 함유 디알콕시 알킬 실란, 오르가노히드로게노 폴리실록산, 축합 촉매 및 수소규소화 촉매를 함유하는 제 3 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 1 분자 내에 적어도 2개의 알케닐 시릴기를 갖는 오르가노 폴리실록산, 1 분자 내에 적어도 2개의 히드로 시릴기를 갖는 오르가노 폴리실록산, 수소규소화 촉매 및 경화 지연제를 함유하는 제 4 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 히드로 시릴기를 1 분자 내에 병유(倂有)하는 제 1 오르가노 폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 히드로 시릴기를 1 분자 내에 갖는 제 2 오르가노 폴리실록산, 수소규소화 촉매 및 수소규소화 억제제를 함유하는 제 5 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 실라놀기를 1 분자 내에 병유하는 제 1 오르가노 폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 히드로 시릴기를 1 분자 내에 갖는 제 2 오르가노 폴리실록산, 수소규소화 억제제, 및, 수소규소화 촉매를 함유하는 제 6 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 규소 화합물, 및, 붕소 화합물 또는 알루미늄 화합물을 함유하는 제 7 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지, 예를 들면, 폴리알루미노 실록산 및 실란 커플링제를 함유하는 제 8 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 등을 들 수 있다.
A 스테이지의 2 단계 경화형 수지의 점도는, 예를 들면, 3000 mPa·s 이상, 바람직하게는, 5000 mPa·s 이상이며, 또, 예를 들면, 20000 mPa·s 이하, 바람직하게는, 15000 mPa·s 이하의 범위로부터 선택된다. 또, A 스테이지의 2 단계 경화형 수지의 점도는, A 스테이지의 2 단계 경화형 수지를 25℃로 온도 조절하고, E형 콘을 이용하여, 회전수 99 s-1에서 측정된다. 이하의 점도는, 상기와 마찬가지의 방법에 의해서 측정된다.
경화성 수지의 배합 비율은, 입자 함유 경화성 수지 조성물(바니시)에 대해서, 예를 들면, 30 질량% 이상, 바람직하게는, 40 질량% 이상, 보다 바람직하게는, 50 질량% 이상이며, 또, 예를 들면, 98 질량% 이하, 바람직하게는, 95 질량% 이하, 보다 바람직하게는, 90 질량% 이하의 범위로부터 선택된다. 또, 입자 함유 경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 용매를 함유시킬 수도 있다.
용매로서는, 예를 들면, 헥산 등의 지방족 탄화수소, 예를 들면, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 예를 들면, 비닐 메틸 환상 실록산, 양말단 비닐 폴리 디메틸 실록산 등의 실록산 등으로부터 선택된다. 용매는, 형광체 함유 경화성 수지 조성물이 후술하는 점도로 되는 배합 비율로, 형광체 함유 경화성 수지 조성물에 배합된다.
입자 함유 경화성 수지 조성물을 조제하려면, 구체적으로는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 바니시 제조 장치(33)에 있어서, 용기(52) 내에 상기 각 성분을, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리된, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 예를 들면, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되고, 봉지 시트(12)의 층 구조에 대응하는 바니시(11)의 종류, 보다 구체적으로는, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리된, 입자의 종류, 입자의 배합 비율, 입자의 최대 길이의 평균치(입자가 구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경), 경화성 수지의 종류, 경화성 수지의 점도, 경화성 수지의 배합 비율, 입자가 형광체를 포함하는 경우에는, 형광체의 흡수 피크 파장, 바니시(11)의 점도 등에 근거하여, 배합한다. 계속해서, 교반기(51)를 이용하여 그들을 혼합한다.
이것에 의해서, 바니시(11)를 조제한다.
또, 경화성 수지가 2 단계 경화형 수지인 경우에는, 바니시(11)를 A 스테이지의 입자 함유 경화성 수지 조성물로서 조제한다.
바니시(11)의 25℃, 1 기압의 조건하에 있어서의 점도는, 예를 들면, 1,000 mPa·s 이상, 바람직하게는, 4,000 mPa·s 이상이며, 또, 예를 들면, 1,000,000 mPa·s 이하, 바람직하게는, 100,000 mPa·s 이하의 범위 내로 되도록, 조정된다.
4. 시트 제조 공정 S2
시트화 장치(31)에서는, 바니시 제조 공정 S1의 다음에, 시트 제조 공정 S2를, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 따라서, 실시한다.
즉, 바니시(11)로부터 봉지 시트(12)를 형성한다.
봉지 시트(12)를 형성하려면, 예를 들면, 우선, 바니시(11)를 이형 시트(28)의 표면에 도포한다.
이형 시트(28)로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리에스테르 필름(PET등) 등의 폴리머 필름, 예를 들면, 세라믹 시트, 예를 들면, 금속박 등으로부터 선택된다. 바람직하게는, 폴리머 필름으로부터 선택된다. 또, 이형 시트(28)의 표면에는, 불소 처리 등의 박리 처리를 실시할 수도 있다. 또, 이형 시트(28)의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상(스트립 형상, 긴 형상을 포함한다) 등으로부터 선택된다. 또한, 이형 시트(28)로서는, 위치 결정 마크(도시하지 않음)의 형성의 유무, 또, 위치 결정 마크의 위치 정보, 치수 등이 선택된다. 마크는, 바니시(11)가 도포되는 영역이 확보되도록, 형성된다.
바니시(11)를 이형 시트(28)의 표면에 도포하려면, 예를 들면, 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿 다이 코터 등의 도포 장치(53)로부터 선택된다. 바람직하게는, 디스펜서로부터 선택된다.
봉지 시트(12)의 두께가, 예를 들면, 10㎛ 이상, 바람직하게는, 50㎛ 이상이며, 또, 예를 들면, 2000㎛ 이하, 바람직하게는, 1000㎛ 이하가 되도록, 바니시(11)의 도포 조건으로부터 선택된다.
즉, 바니시(11)를, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건, 구체적으로는, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는, 도포 직후의 바니시(11)의 형상, 도포 직후의 바니시(11)의 두께로 조절되도록, 도포 장치(53)의 도포 조건으로부터 선택된다.
또 이형 시트(28)에 위치 결정 마크(도시하지 않음)가 형성되어 있는 경우에는, 도포 장치(53)에 장비되는 센서(도시하지 않음)에 의해서, 위치 결정 마크에 대한 도포 위치를 확인하면서, 위치 결정 마크에 대한 바니시(11)의 상대 위치가 조절된다.
그 후, 바니시(11)가 2 단계 경화형 수지를 함유하는 경우에는, 바니시(11)를 B 스테이지화한다. 구체적으로는, 2 단계 경화형 수지로서 열경화형으로부터 선택되면, 바니시(11)를 오븐(55) 내에 투입하여, 바니시(11)를 가열한다.
가열 조건은, 가열 온도가, 예를 들면, 40℃ 이상, 바람직하게는, 80℃ 이상, 보다 바람직하게는, 100℃ 이상이며, 또, 예를 들면, 200℃ 이하, 바람직하게는, 150℃ 이하, 보다 바람직하게는, 140℃ 이하의 범위로부터 선택된다. 가열 시간은, 예를 들면, 1분간 이상, 바람직하게는, 5분간 이상, 보다 바람직하게는, 10분간 이상이며, 또, 예를 들면, 24시간 이하, 바람직하게는, 1시간 이하, 보다 바람직하게는, 0.5시간 이하의 범위로부터 선택된다.
한편, 2 단계 경화형 수지로서 활성 에너지 경화형으로부터 선택되면, 바니시(11)에, 자외선 램프(도시하지 않음)를 이용하여 자외선을 조사한다.
이것에 의해서, 이형 시트(28)의 표면에 적층되는 봉지 시트(12)를 제조한다.
봉지 시트(12)의 경도(硬度)의 정보의 하나인 25℃에 있어서의 압축 탄성률은, 예를 들면, 0.040 MPa 이상, 바람직하게는, 0.050 MPa 이상, 보다 바람직하게는, 0.075 MPa 이상, 보다 더 바람직하게는, 0.100 MPa 이상이며, 또, 예를 들면, 0.145 MPa 이하, 바람직하게는, 0.140 MPa 이하, 보다 바람직하게는, 0.135 MPa 이하, 보다 더 바람직하게는, 0.125 MPa 이하의 범위가 되도록, 조절된다.
5. 봉지 공정 S3
봉지 장치(32)의 프레스 장치(35)에 있어서, 시트 제조 공정 S2의 다음에, 봉지 공정 S3을, 봉지 제어 장치(36)에 의해서 제어되는 조건에 따라서, 실시한다.
구체적으로는, 봉지 공정 S3에서는, 우선, 광 반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 마련한다.
기판(14)은, 예를 들면, 실리콘 기판, 세라믹 기판, 폴리이미드 수지 기판, 금속 기판에 절연층이 적층된 적층 기판 등의 절연 기판으로부터 선택된다.
또, 기판(14)의 표면에는, 다음에 설명하는 광 반도체 소자(13)의 단자(도시하지 않음)와 전기적으로 접속하기 위한 전극(도시하지 않음)과, 그것에 연속하는 배선을 갖는 도체 패턴(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 도체 패턴은, 예를 들면, 금, 동, 은, 니켈 등의 도체로부터 선택된다.
또, 기판(14)의 표면은 평탄 형상으로 형성되어 있다. 또는, 도시하지 않지만, 기판(14)에 있어서의 광 반도체 소자(13)가 실장되는 표면에, 아래쪽을 향해 패인 오목부가 형성되어 있어도 좋다.
기판(14)의 외형 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상, 평면에서 보아 대략 원형 형상으로부터 선택된다. 기판(14)의 치수는 적절히 선택되고, 예를 들면, 최대 길이가, 예를 들면, 2 ㎜ 이상, 바람직하게는, 10 ㎜ 이상이며, 또, 예를 들면, 300 ㎜ 이하, 바람직하게는, 100 ㎜ 이하의 범위로부터 선택된다.
광 반도체 소자(13)는, 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 LED(발광 다이오드 소자)나 LD(레이저 다이오드) 등이고, 예를 들면, 두께가 면방향 길이(두께 방향에 대한 직교 방향 길이)보다 짧은 대략 단면에서 보아 직사각형 형상으로부터 선택된다. 광 반도체 소자(13)로서 바람직하게는, 청색광을 발광하는 청색 LED로부터 선택된다. 광 반도체 소자(13)의 치수는, 용도 및 목적에 따라 적절히 선택되고, 구체적으로는, 두께가, 예를 들면, 10㎛ 이상, 1000㎛ 이하이며, 최대 길이가, 예를 들면, 0.05 ㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1 ㎜ 이상이며, 또, 예를 들면, 5 ㎜ 이하, 바람직하게는, 2 ㎜ 이하의 범위로부터 선택된다.
광 반도체 소자(13)의 발광 피크 파장은, 예를 들면, 400 nm 이상, 바람직하게는, 430 nm 이상이며, 또, 예를 들면, 500 nm 이하, 바람직하게는, 470 nm 이하의 범위로부터 선택된다.
광 반도체 소자(13)는, 기판(14)에 대해서, 예를 들면, 플립 팁 실장되고, 또는, 와이어 본딩 접속되어 있다.
또, 광 반도체 소자(13)를, 1개의 기판(14)에 대해서, 복수(도 1에서는 3개) 실장할 수 있다. 1개의 기판(14) 당의 광 반도체 소자(13)의 실장수는, 예를 들면, 1 이상, 바람직하게는, 4 이상이며, 또, 예를 들면, 2000 이하, 바람직하게는, 400 이하의 범위로부터 선택된다.
다음으로, 이 방법에서는, 광 반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 프레스 장치(35)에 설치한다.
광 반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 프레스 장치(35)에 설치하려면, 구체적으로는, 광 반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 하측의 평판(41)에 설치한다.
계속해서, 이형 시트(28)의 상면에 적층되는 봉지 시트(12)를 상하 반전시켜서, 광 반도체 소자(13)의 상측에 대향 배치시킨다. 즉, 봉지 시트(12)를, 광 반도체 소자(13)를 향하도록 배치한다.
다음으로, 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 피복한다. 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 매설한다.
구체적으로는, 봉지 제어 장치(36)에 의해서 제어된 프레스 조건에 근거하여, 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 피복한다.
구체적으로는, 도 1의 화살표로 나타낸 바와 같이, 봉지 시트(12)를 강하시킨다(누른다). 상세하게는, 봉지 시트(12)를 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 대해서 프레스한다.
이것에 의해서, 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 피복한다.
즉, 봉지 시트(12)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 매설하면서, 봉지 시트(12)가 형광체층(26)(도 2 참조)을 갖는 경우에는, 형광체층(26)에 의해서, 광 반도체 소자(13)를 피복한다.
상세하게는, 도 2(a) ~ 도 2(e)에 도시하는 바와 같이, 봉지 시트(12)의 형광체층(26)의 층 구조로서 접촉 구조로부터 선택되는 경우에는, 형광체층(26)이 광 반도체 소자(13)(도 2의 가상선)의 표면에 직접 접촉하여, 형광체층(26)에 의해서 광 반도체 소자(13)를 피복한다. 즉, 형광체층(26)이 광 반도체 소자(13)를 봉지한다. 환언하면, 형광체층(26)이 봉지층을 겸용한다.
한편, 도 3(f) 및 도 3(g)에 도시하는 바와 같이, 봉지 시트(12)의 형광체층(26)의 층 구조로서 이간 구조로부터 선택되는 경우에는, 형광체층(26)이 광 반도체 소자(13)(도 3의 가상선)와 수지층(27)을 사이에 두고 배치되면서, 광 반도체 소자(13)의 상측을 피복한다. 다른 한편, 수지층(27)이, 광 반도체 소자(13)(도 2의 가상선)의 표면에 직접 접촉하여 광 반도체 소자(13)를 피복한다. 즉, 수지층(27)이 광 반도체 소자(13)를 봉지하여, 봉지층으로 된다.
그 후, 봉지 시트(12)가 B 스테이지이면, 봉지 시트(12)를 C 스테이지화한다.
예를 들면, 봉지 제어 장치(36)에 의해서 제어된, C 스테이지화에 있어서의 봉지 시트(12)의 가열 조건, 활성 에너지선의 조사 조건에 근거하여, 봉지 시트(12)를 C 스테이지화한다.
구체적으로는, 2 단계 경화형 수지로서 열경화형으로부터 선택되는 경우에는, B 스테이지의 봉지 시트(12)를 가열한다.
상세하게는, 구체적으로는, 평판(41)에 의한 봉지 시트(12)에 대한 프레스 상태를 유지하면서, 오븐 내에 투입한다. 이것에 의해서, B 스테이지의 봉지 시트(12)를 가열한다.
가열 온도는, 예를 들면, 80℃ 이상, 바람직하게는, 100℃ 이상이며, 또, 예를 들면, 200℃ 이하, 바람직하게는, 180℃ 이하의 범위로부터 선택된다. 또, 가열 시간은, 예를 들면, 10분간 이상, 바람직하게는, 30분간 이상이며, 또, 예를 들면, 10시간 이하, 바람직하게는, 5시간 이하의 범위로부터 선택된다.
봉지 시트(12)의 가열에 의해서, B 스테이지의 봉지 시트(12)가 C 스테이지화(완전 경화)한다.
한편, 2 단계 경화형 수지로서 활성 에너지선 경화성으로부터 선택되는 경우에는, 봉지 시트(12)에 활성 에너지선을 조사함으로써, B 스테이지의 봉지 시트(12)를 C 스테이지화(완전 경화)시킨다. 구체적으로는, 자외선 램프 등을 이용하여 B 스테이지의 봉지 시트(12)에 자외선을 조사한다.
이것에 의해서, 봉지 시트(12)와, 봉지 시트(12)에 의해서 봉지되는 광 반도체 소자(13)와, 광 반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 구비하는 광 반도체 장치(20)가 제조된다.
도 1에서는, 1개의 광 반도체 장치(20)에 있어서, 복수(3개)의 광 반도체 소자(13)가 설치되어 있다.
그 후, 이형 시트(28)를, 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 시트(12)로부터 박리한다.
또, 그 후, 필요에 따라, 복수의 광 반도체 소자(13)가 1개의 기판(14)에 실장되는 경우에는, 각 광 반도체 소자(13)에 대응하여, 봉지 시트(12)를 절단하여 개편화(個片化)할 수도 있다.
6. 제조 조건의 축적, 로트 변경 및 단위 기간 당의 제조량
금회 이전의 봉지 시트(12)의 제조에 있어서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건은, 제 5 메모리(10)의 기록 영역(도시하지 않음)에 기록되어 축적된다.
즉, 제 5 메모리(10)는, 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 입력함과 아울러, 제 3 정보(17)를 과거의 정보인 제 5 정보(19)로 하여, 제 5 메모리(10)의 기록 영역에 그대로 축적한다.
그리고, 금회 봉지 시트(12)의 제조에 의해서, 제 1 CPU(8)는, 제 5 메모리(10)에 축적되는, 봉지 시트(12)를 금회 이전에 제조한, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 판독하고, 이것에 근거하여, 금회 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 금회 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정한다.
또, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량은 변동한다. 그 변동에 대응하여, 그들의 제 4 정보(18)가 제 1 정보원(21) 및 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 메모리(24)에 입력되고, 계속해서, 제 2 CPU(25)가 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)를 판독하여, 소정의 프로그램 처리에 따라, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및/또는, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정한다.
[작용 효과]
그리고, 이 시스템(1)에서는, 제조 조건 결정 장치(2)가 제 1 메모리(6)와, 제 2 메모리(7)와, 제 1 CPU(8)를 구비하는 한편, 시트 제조 관리 장치(3)가 제 3 메모리(23)와 제 2 CPU(25)를 구비한다.
그리고, 제조 조건 결정 장치(2)가, 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)의 각각을, 제 1 메모리(6) 및 제 2 메모리(7)의 각각에 저장하고 있고, 제 1 CPU(8)에 의해서, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정하고, 이것을 시트 제조 관리 장치(3)에 제공할 수 있다.
그리고, 시트 제조 관리 장치(3)에서는, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공된 제조 조건에 관련된 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 저장하고, 이러한 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다.
그 때문에, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을, 시트 제조 관리 장치(3)와는 별도로, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정할 수 있음과 아울러, 시트 제조 관리 장치(3)가 관리할 수 있다.
또, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공되는 시트 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련된 제 3 정보(17)는 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)에 근거하고 있다. 그 때문에, 시트 제조 관리 장치(3)는, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다. 그 결과, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 이 시스템(1)에서는, 제 1 CPU(8)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15) 및, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 추가로 결정하고, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 추가로 관리한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)에 적합한 봉지 시트(12)를 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 이 시스템(1)에 의하면, 제 1 정보(15)는, 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련된 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련된 정보도, 광 반도체 소자(13)에 관련된 정보 및, 광 반도체 장치(20)에 관련된 정보와 함께 가질 수 있다.
그 때문에, 제 1 정보(15)에 근거하여 결정된 시트 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련된 정밀도가 높은 제 3 정보(17)에 근거하여, 시트 제조 관리 장치(3)는, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 보다 더 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
또, 이 시스템(1)에서는, 시트 제조 관리 장치(3)에 있어서, 제 2 CPU(25)에 의해서, 제 4 메모리(24)에 저장되는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)에 근거하여, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광 반도체 장치(20)의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 이 시스템(1)에 의하면, 제조 조건 결정 장치(2)의 제 5 메모리(10)가, 봉지 시트(12)를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보(19)를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)에 적합한 봉지 시트(12)를 금회 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
이 시스템(1)에 의하면, 제조 조건 결정 장치(2)가, 네트워크를 통해서 시트 제조 관리 장치(3)와 원격 통신할 수 있으므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 시트 제조 관리 장치(3)에 대해서 원격으로 위치하고 있어도, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정한 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 시트 제조 관리 장치(3)에 신속히 제공할 수 있다.
이 시스템(1)에 의하면, 시트 제조 관리 장치(3)가 광 반도체 장치 제조 공장(4)의 시트 제조 장치(34) 내에 설치되고, 제조 조건 결정 장치(2)가 봉지 시트 제조 공장에 대해서 먼 단부에 위치하는 제어 부문(5)에 설치되어 있어도, 제조 조건 결정 장치(2)가 네트워크를 통해서 시트 제조 관리 장치(3)와 원격 통신하므로, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정한 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 시트 제조 관리 장치(3)에 신속히 제공할 수 있다.
이 제조 조건 결정 장치(2)는 제 1 메모리(6)와, 제 2 메모리(7)와, 제 1 CPU(8)를 구비한다.
그 때문에, 이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)의 각각을 제 1 메모리(6) 및 제 2 메모리(7)의 각각 저장하고, 제 1 CPU(8)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정할 수 있다.
그 결과, 이러한 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건에 근거하면, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 이 제조 조건 결정 장치(2)에서는, 제 2 CPU(25)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15) 및, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 추가로 결정한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)에 적합한 봉지 시트(12)를 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 제 1 정보(15)는 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련된 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련된 정보도, 광 반도체 소자(13)에 관련된 정보 및, 광 반도체 장치(20)에 관련된 정보와 함께 가질 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 봉지 시트(12)를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보(19)를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)에 적합한 봉지 시트(12)를 금회 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
이 시트 제조 관리 장치(3)에 의하면, 바니시 제조 공정 S1에 관련된 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련된 제조 조건을 포함하는 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 저장하고, 이러한 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1에 관련된 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 이 시트 제조 관리 장치(3)에 의하면, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련된 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 추가로 관리하므로, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)에 적합한 봉지 시트(12)를 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 이 시트 제조 관리 장치(3)에서는, 제 2 CPU(25)에 의해서, 제 4 메모리(24)에 저장되는, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련된 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광 반도체 장치(20)의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련된 제조 조건 및, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정하여, 목적으로 하는 광 반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
[변형예]
도 4 이후의 설명에 있어서, 도 1과 마찬가지의 부재에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1의 실시 형태에서는, 제조 조건 결정 장치(2)와 시트 제조 관리 장치(3)가 1대 1의 관계, 즉, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)에 대해서, 1개의 시트 제조 관리 장치(3)를 마련하고 있다. 그러나, 제조 조건 결정 장치(2) 및 시트 제조 관리 장치(3)의 대응 관계는, 이것으로 한정되지 않고, 예를 들면, 도 4에 도시하는 바와 같이, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)에 대해서, 복수의 시트 제조 관리 장치(3)를 마련할 수도 있다.
구체적으로는, 서로 독립해서 설치되는 복수의 광 반도체 장치 제조 공장(4)의 각각에, 시트 제조 관리 장치(3)가 설치되어 있다. 제조 조건 결정 장치(2) 및 복수의 시트 제조 관리 장치(3)는, 복수의 시트 제조 관리 장치(3)의 각각이 갖는 제 1 정보원(21)으로부터 복수의 제 1 정보(15)를 제 1 메모리(6)에 입력 가능하고, 또한, 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 제 3 정보(17)를 제 5 메모리(10)로부터 복수의 제 3 메모리(23)에 입력 가능하도록, 구성되어 있다.
도 4의 실시 형태에서는, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가 하나의 시트 제조 관리 장치(3A(3))에 제 3 정보(17)를 제공하고, 또한, 하나의 시트 제조 관리 장치(3A(3))의 제 1 정보원(21)으로부터 제 1 정보(15)를 취득하여 제 1 메모리(6)에 저장하고, 이 제 1 정보(15)를 제 5 메모리(10)에서 축적하여, 그리고, 다른 시트 제조 관리 장치(3B)(혹은, 다른 복수의 시트 제조 관리 장치(3B 및 3C)(3))에 제공할 수도 있다.
즉, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가, 복수의 시트 제조 관리 장치(3)로부터 제공되는 복수의 제 1 정보(15)(제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15), 구체적으로는, 광 반도체 소자(13)에 관련된 정보, 기판(14)에 관련된 정보, 광 반도체 장치(20)에 관련된 정보)를 일원화할 수 있다. 즉, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가, 복수의 시트 제조 관리 장치(3)의 제 1 정보(15)를 집약하여, 복수의 시트 제조 관리 장치(3)에, 그들에 대응하는 제 3 정보(17)를 제공할 수 있는 집약형의 제조 조건 결정 장치(2)로서 기능할 수 있다.
그 때문에, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)이면서, 각 시트 제조 관리 장치(3)에, 정밀도가 높은 제 3 정보(17)를 제공할 수 있다.
또, 도 1의 실시 형태에서는, 시스템(1)이 바니시 제조 공정 S1의 제조 공정을 결정 및 관리하고 있다. 즉, 시트 제조 관리 장치(3)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리하고 있다. 그러나, 시스템(1)이 바니시 제조 공정 S1의 제조 공정을 결정 및 관리하지 않도록, 시스템(1)을 구성할 수도 있다. 구체적으로는, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리하지 않고, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건만을 관리할 수도 있다.
이 실시 형태에 의하면, 제 2 CPU(25)가 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리할 필요가 없기 때문에, 제 2 CPU(25)의 구성을 간이하게 할 수 있다.
또, 도 1의 실시 형태에서는, 본 발명의 제조 관리 장치로서, 시트 제조 관리 장치(3)에게 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리하게 하고, 봉지 제어 장치(36)가 봉지 공정 S3의 봉지 조건을 관리하고 있지만, 예를 들면, 시트 제조 관리 장치(3)가 봉지 제어 장치(36)를 겸용하여, 1개의 제조 관리 장치를 구성하여, 시트 제조 공정 S2의 제조 조건과 봉지 공정 S3의 봉지 조건의 양쪽을 관리하게 할 수도 있다.
또, 도 2 및 도 3의 실시 형태에서는, 본 발명의 피복 시트를, 광 반도체 소자(13)를 봉지하는 봉지 시트(12)로 하여 설명하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 도 5에 도시하는 바와 같이, 광 반도체 소자(13)를 미리 봉지하는 수지층(봉지층)(27)(도 5(a)참조)에 적층되는 피복 시트(60)(도 5(a)의 화살표 및 도 5(b) 참조)로서 선택할 수도 있다.
도 5(a)에 있어서, 피복 시트(60)는, 도 1의 봉지 시트(12)와 동일한 재료로부터 선택된다.
도 5(b)에 있어서, 피복 시트(60)는 광 반도체 소자(13)의 상측을 피복하고 있고, 구체적으로는, 수지층(27)을 통해서 광 반도체 소자(13)의 상측에 간격을 두고 배치되어 있다.
또한, 도 2 및 도 3의 실시 형태에서는, 봉지 시트(12)를 형광체 시트(형광체 함유 봉지 시트)로서 선택하고 있지만, 예를 들면, 도시하지 않지만, 형광체를 함유하지 않고, 봉지층(수지층)을 함유하는 봉지 시트(12)로서 선택할 수도 있다.
또, 도 1의 설명에서는, 제 1 정보(15)는, 광 반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련된 정보를 포함하고 있지만, 이것을 포함하지 않고, 제 1 정보(15)를 구성할 수도 있다.
또 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 해당 기술 분야의 당업자에게 자명한 본 발명의 변형예는, 후술하는 특허 청구의 범위에 포함된다.
(산업상의 이용 가능성)
시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치는, 광 반도체 장치에 적합한 피복 시트의 제조에 이용된다.
1 : 시스템 2 : 제조 조건 결정 장치
3 : 시트 제조 관리 장치 5 : 제어 부문
6 : 제 1 메모리 8 : 제 1 CPU
11 : 바니시 12 : 봉지 시트
13 : 광 반도체 소자 14 : 기판
15 : 제 1 정보 16 : 제 2 정보
17 : 제 3 정보 20 : 광 반도체 장치
23 : 제 3 메모리 24 : 제 4 메모리
34 : 시트 제조 장치 60 : 피복 시트
S1 : 바니시 제조 공정 S2 : 시트 제조 공정
S3 : 봉지 공정

Claims (14)

  1. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시(varnish)를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템으로서,
    상기 시스템은 제조 조건 결정 장치와 제조 관리 장치를 구비하되,
    상기 제조 조건 결정 장치는,
    상기 광 반도체 소자 및 상기 광 반도체 장치에 관련된 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과,
    상기 바니시에 관련된 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과,
    상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하고,
    상기 제조 관리 장치는,
    상기 결정 수단에 의해서 결정되는 상기 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과,
    상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 구비하는
    것을 특징으로 하는 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정 및 관리하고,
    상기 결정 수단은, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 결정하고,
    상기 관리 수단은, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 관리하는
    것을 특징으로 하는 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 정보는 상기 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는,
    입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과,
    상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고,
    상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복 시트를 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는
    것을 특징으로 하는 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는 네트워크를 통해서 상기 제조 관리 장치와 원격 통신하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는 시트 제조 장치 내에 설치되고,
    상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 제조 관리 장치에 대해서 먼 단부에 위치하는 제어 부문에 설치되는
    것을 특징으로 하는 시스템.
  8. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 결정하기 위한 제조 조건 결정 장치로서,
    상기 광 반도체 소자에 관련된 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과,
    상기 바니시에 관련된 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과,
    상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 추가로 결정하고,
    상기 결정 수단은, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보 및, 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 결정하는
    것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 정보는 상기 광 반도체 소자가 실장되는 기판에 관련된 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 피복 시트를 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련된 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고,
    상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복 시트를 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는
    것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  12. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 B 스테이지의 피복 시트를 제조하는 시트 제조 공정 및, 상기 피복 시트에 의해서 광 반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 갖는 광 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 시트 제조 공정의 제조 조건을 관리하기 위한 제조 관리 장치로서,
    상기 제조 조건에 관련된 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과,
    상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 관리하고,
    상기 관리 수단은, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 추가로 관리하는
    것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    입자, 경화성 수지, 바니시 및 광 반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는, 단위 기간 당의 광 반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과,
    상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 시트 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
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