TW201437257A - 具有立式冷凝管之反應器及於此類反應器內聚合聚醯胺之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於聚合聚醯胺之VK管式(VK:德語意指簡化連續)反應器,其中該反應器被分成可相互獨立被調節之上和下反應爐區域。本發明亦係關於一種使用此類反應器於製造聚醯胺之方法。

Description

具有立式冷凝管之反應器及於此類反應器內聚合聚醯胺之方法
本發明係關於一種用於聚合聚醯胺之VK管式(VK:德語意指簡化連續)反應器,其中該反應器被分成可相互獨立被調節之上和下反應爐區域。本發明亦係關於一種使用此類反應器於製造聚醯胺之方法。
製造商目前有兩種供應製造高黏度PA6(有或無使用共聚物)之程序。一方面,於聚合反應器中製造高黏度熔體;另一方面,藉由於下游處理期中利用固態後縮聚反應(SSP)。
由於SSP亦形成干擾深加工之不良副產物(單體),因此增加黏度經常進行於聚合階段。
聚合階段中增加黏度,由於化學平衡而需要從聚合熔體中分離出水。此最有效完成方法為藉由相互於壓力梯度(逐漸降低壓力)之後通過附加反應器階段。在此過程中,降低從階段至階段之水含量而能進一步增加其黏度。然而,依此方式將由於額外數目之反應器以及附加設備零件而提高全部工廠複雜度。製造商由於需要較大空間以及更複雜組裝而無法接受此額外增加之附加費用。已證明最多串接兩個聚合反應器(預聚合反應器和VK管)之安裝配置具 有實務上可行性。在某些情況下,亦可使用混合及加熱原料之上游混合及預熱階段。然而,此容器不被視為是一種聚合反應器。
該第二聚合反應器(VK管)通常在高至400mbar絕對壓力之真空下操作以達到最大聚合物黏度。在這方面,提高至低於600mbar之絕對壓力會造成限制產品品質之污染問題和操作不安定性。其因而可獲得具有相對黏度(RV)高至RV=3.2之非穩定性聚合物。此值遠低於一穩定性聚合物。
製造PA6中先前技術為於兩階段串連反應器內進行聚合反應,其第一反應器(預聚合反應)係於超壓下操作以增加開環反應以及反應轉化率。該第二反應器係於環境壓力或真空下操作以達到所需黏度。先前技術係在未熔融冷卻下進行預聚合反應以及VK管係被設計成不具有任何脫氣/脫水階段之熔融冷卻器(Franz Fourne,Synthetische Fasern[合成纖維],第2.2.3.9章篙54頁以及EP1 194 473 A1)。
從此開始,本發明之目的為提供一種在不施予大量真空下儘可能達到聚合物熔體黏度之聚合反應器。
藉由具有申請專利範圍第1項特徵之反應器以及藉由具有申請專利範圍第9項特徵之方法可達到此目標。其進一步附屬項顯示其他有利發展。
根據本發明,提供一種具有上和下反應爐區域之用於聚醯胺聚合反應之反應器,其特別指VK管式。
於此方面該上反應爐區域具有一用於加入預聚物熔體之入口區、一加熱器、一第一流管部分、一加熱放泄噴嘴以及加熱於上反應爐 區之總高度。
該下反應爐區具有一用於從上反應爐區加入熔體之入口區、一用於分離製程蒸汽之除氣裝置、一自然冷卻裝置、一第二流管部分、一加熱放泄噴嘴和一鄰接洩放管以及於下反應爐區總高度之加熱壁。
該兩個反應爐區係經由管路相互連接。
該加熱器較佳為靜態加熱裝置,特別指一束管路、一內部加熱溢流體、一板式換熱器或一加熱盤管。然而,其亦可使用動態加熱裝置,特別指一羅伯茨蒸發器或一環流加熱器。
該靜態冷卻裝置較佳為一束管路、一內部加熱溢流體、一板式換熱器或一加熱盤管。
用於傳送聚合物之計量泵或調節閥較佳為被整合於上反應爐區放泄噴嘴和下反應爐區入口區之間。
上述加熱器較佳為被配置一攪拌器。
根據本發明之VK管較佳為被耦合至用於預聚合聚醯胺之預聚合反應器。此預聚合反應器具有一用於加入反應物之入口區、一加熱器,其可使用一靜態或一動態加熱裝置、一具有分開牆體加熱器之流管部分、一同樣具有一分開牆體加熱器之第二流管部分以及一用於該預聚物之出口管路。
一用於輸送預聚物之排放泵較佳為被整合入該出口管路。亦較佳為該出口管路具有一牆體加熱器,特別指一加熱套。
該預聚合反應器具有一介於第一流管部分和第二流管部分間之冷卻裝置。
該冷卻裝置和該分開牆體加熱器以及該出口管路之加熱較佳為經由一單一載熱體回路被熱耦合。
該反應器之牆體加熱器可為相互獨立之雙夾套及/或半管式加熱盤管。
根據本發明之反應器在下游不提供固態後縮合反應之下可製造具有2.4至4.5極高相對黏度之聚醯胺熔體。此可藉由上游提供預聚合階段而達成。此其他反應器階段因而不需要額外空間。由於經由其用於下部加熱之放泄噴嘴使用上反應爐階段之熱耗損,因此藉由於一個反應器,即VK管內,結合兩種反應爐階段可具有極高能源效率而不造成能耗。
該流管部分較佳為具有至少用於均化流量部分之流動調整器。
根據本發明,同樣提供一種用於反應器內具有一上反應爐區和一下反應爐區之立式冷凝管(VK管)聚合聚醯胺之方法,其中a)稱取預聚物熔體置入該上反應爐區之入口區;b)藉由加熱器將該熔體溫度設定於240至270℃,特別指250至265℃;c)經由第一流管部分傳送該熔體,其耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失,至一冷卻裝置而使熔體溫度被設定於225至260℃,特別指230至240℃;以及d)該熔體經由第二流管部分被傳送至出口管路,其耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失。
該冷凝裝置和分開牆體加熱器在此時較佳為經由一單一載熱體回路被熱耦合。
反應物可於入口區上游之混合容器內被預混合。此處該反應物包括單體、水和其他添加物。
該熔體較佳為藉由流管部分內流動調整器形成一栓塞流。
該熔體可藉由一排放泵或藉由反應器內壓力被傳送通過出口管路。
然後該預聚物較佳為經由出口管路被供應至其他聚合反應器,特別指一VK管。
根據本發明,於96%硫酸內1g聚醯胺溶液中測量時,可製備與先前所述方法相同之具有相對黏度2.4至4.5,較佳為3.0至3.6之聚醯胺。
1‧‧‧預聚合反應器
2‧‧‧入口區域
3‧‧‧加熱器
4‧‧‧第一流管部分
5‧‧‧預聚物冷卻器
6‧‧‧第二流管部分
7‧‧‧排放泵
8‧‧‧預聚物管路
9‧‧‧泵浦
10‧‧‧空冷器
11‧‧‧VK管
12‧‧‧反應器頂部
13‧‧‧聚合物加熱器
14‧‧‧流管部分
15‧‧‧蒸發室
16‧‧‧冷卻器
17‧‧‧流管部分
18‧‧‧計量泵
19‧‧‧真空裝置
20‧‧‧洗滌塔
21‧‧‧洗滌塔
將參考下列圖示更詳細說明根據本發明之標的而非擬限制此處所示特定具體實施例。
第1圖係根據本發明反應器之示意圖;以及第2圖顯示根據本發明耦合一預聚合反應器與一反應器(VK管)之根據本發明兩階段聚合廠。
如第1圖所示,一流管反應器,VK管(11)包含具有氣室(12、13、14和15、16、17)且可相互獨立調節之兩個單獨反應器空間。兩個反應器段於依賴自動液位測量中進行內流(inflow);可藉由自動換熱器設定溫度;以及藉由具有調節閥和任選廢氣鍋爐之壓力調節保持恒定操作壓力。在兩個反應器階段中能設定於恒定真空,使用一真空裝置用於脫氣(亦可任 選兩個單獨真空裝置-反應器各使用一個),其於兩個反應器中提供低於操作壓力之基底真空度。經由調節閥進行壓力設定。
該上反應器部分於護罩總高度配備一主動牆加熱器(雙夾套或半管式加熱盤管)。視需要,聚合物加熱器(13)上方之液量體積中可裝設一攪拌器。
熔體以具有大蒸發表面之方式被供應。此可發生於熔體空間內之內部經加熱加熱體上或藉由另外薄膜分佈之反應器壁。經收集熔體所形成液位將產生均質之熔體。
聚合物加熱器(13)位於液面下方以及可被設計成靜態(管路束、內部加熱溢流體、板式換熱器、加熱盤管或類似物)或動態加熱器(羅伯茨蒸發器、環流加熱器或類似物)。
流管部分(14)係位於加熱器下方以及配備流動調整器以設定熔體之栓塞流而因此產生一均勻停留時間分佈。該流體經由一加熱放泄噴嘴被排出反應器以及經由一任選計量泵(18)及/或經由一調節閥被導入下反應器部分。
該下反應器部分完整配置以一分開牆體加熱器(雙夾套或半管式加熱盤管)。
依此方式供應該熔體而可獲得大蒸發表面。此可發生於熔體空間內之內部經加熱加熱體上或藉由另外薄膜分佈之反應器壁。藉由收集熔體所形成液位將產生均質之熔體。
一靜態聚合物冷卻器(16)(管路束、內部加熱溢流體、板式換熱器、加熱盤管或類似物)係位於該液面下方。
一流管部分(17)係位於加熱器下方以及配備流動調整器以設定熔體之栓塞流而因此產生一均勻停留時間分佈。該流體經由一加熱放泄噴嘴被排出反應器以及被導至一下游排放泵。
於第一反應器階段(1)中混合原料(己內醯胺、水、添加物,在某些情況下萃取自此及/或其他聚合廠),加熱以及加工成PA6預聚物。
此預聚物被連續地計量入該VK管(11)內。依賴VK管頂部內之液位自動地調節在此方面之測定量。此可藉由調節閥或視需要藉由適當預聚物泵(7)而發生。VK管內壓力被自動地維持於600至1050mbar,較佳為850至950mbar絕對操作壓力之反應器頂部(12)氣室內。抽除藉由進一步加熱所形成之水和己內醯胺蒸汽以及輸送通過一壓力調節閥至一真空裝置(19)。該蒸汽視需要可於一洗滌塔(20)內被預冷凝和清洗。與預聚合反應(1)比較由於壓力較小及增加溫度,因此可從預聚物熔體移除水份。
該預聚物於VK管之頂部內被升高至聚合溫度。此係藉由裝置於VK管內之熔體加熱器(13)而完成。該熔體加熱器可被設計成靜態加熱器(管路束、內部加熱溢流體、板式換熱器、加熱盤管或類似物)或動態加熱器(羅伯茨蒸發器、環流加熱器或類似物)。該加熱聚合物被輸送通過用於可供反應所需停留時間之VK管(11)上流管反應器部分(14)。藉由反應器安裝以確保該流動係通過栓塞流內之通流部分。經由流管反應器部分下端之內置式噴嘴收集熔體以及被導入一輸送管路內。
自此,該聚合物熔體以液位調節方式被導入VK管(11)之下部。基於此,可視需要使用一泵浦(18)或僅利用該反應器上部之靜態高度作為驅動力。該VK管之下部備有一下氣室(15),可經由其設定下反應器部分 之較低操作壓力而非於反應器頂部(12)。反應器底部之壓力被自動地維持於550至900mbar絕對操作壓力,較佳為600至800mbar絕對壓力。抽除藉由壓力膨脹被蒸發之水和己內醯胺蒸汽以及輸送通過一壓力調節閥至一真空裝置(19)。該蒸汽視需要可於一洗滌塔(21)內被預冷凝和清洗。
經由一靜態聚合物冷卻器(16)冷卻該膨脹聚合物熔體。從該熔體移除之能源可被用於其他反應階段或可被供應至外界環境成為餘熱。冷卻之後,該熔體被輸送入置於下方可供反應所需停留時間之下流管部分(17)。藉由反應器安裝以確保該流動係通過栓塞流內之通流部分。抽除該高黏度聚合物熔體通過放泄噴嘴以及流至下游以供粒化。
在下蒸發室(15)內,可抽除藉由配置其上流管部分(14)內均化反應所形成之水。可形成含水量更低之聚合物,因此與VK管頂部內單純膨脹法比較可形成更高之相對黏度(RV),此處若達到更低絕對壓力時亦可獲得相同結果。
第2圖所示為根據本發明之兩階段聚合廠。
該預聚合反應器(1)包含一入口區(2),其內稱入己內醯胺、水、添加物和視需要返流自萃取階段萃取物之原料混合物。亦可於上游混合容器內預先拌和及加熱該原料混合物以及將混合物成品加入該預聚合反應器內。藉由收集已均質化熔體之原料混合物可獲得一液體液位。
一加熱器(3)被置於液面下方以及可被設計成靜態(管路束、內部加熱溢流體、板式換熱器、加熱盤管或類似物)或動態加熱器(羅伯茨蒸發器、環流加熱器或類似物)。此處自動地連續設定用於預聚合所需之溫度。
一流管部分(4)被置於該加熱器下方以及被配置流動調整器 以設定一熔體栓塞流而因此產生一均勻停留時間分佈。此反應器部分完整被配置以一分開牆體加熱器(雙夾套或半管式加熱盤管)其,在不影響熔體溫度之下作為對抗熱損耗之主動絕緣裝置。
該預聚物熔體接著被輸送通過一靜態預聚物冷卻器(5),其內被降低至預聚合溫度以下但高於熔點(225至260℃,較佳為230至240℃)之溫度。
另一流管部分(6)係位於冷卻器下方以及配備流動調整器以設定一熔體栓塞流而因此產生一均勻停留時間分佈。此反應器部分依序被配置以一分開牆體加熱器(雙夾套或半管式加熱盤管)其,在不影響熔體溫度之下作為對抗熱損耗之主動絕緣裝置。該熔體經由一放泄噴嘴被排出反應器以及被導至一下游排放泵(7)。視需要,亦可升高預聚合反應器內壓力用於進一步輸送熔體。該熔體經由一加熱預聚物管路(8)被輸送至例如圖1中所述之下游VK管(11)頂部。在此方面,由於高度接觸和大管路表面積,熔體之溫度再次被升高。
於預聚物冷凝器(5)內來自聚合物熔體之抽離熱再一次被用於加熱從預聚合反應器排出之預聚物熔體。由於預聚合管路內限制停留時間以及下游VK管(11)內存在始終仍增加之分離水,因此該預聚物熔體內化學平衡維持不變。
藉由一恒定載熱體油流量(HTM)可確保該預聚物熔體之冷卻。經冷卻HTM通過熔體冷卻器(5)逆向被輸送至熔體。在此方面,該載熱體油係採用冷卻器內熔體之入口溫度。於此溫度程度,該HTM可被用於加熱預聚合反應器(1)流管部分(4)之加熱套。該HTM其後被逆向輸送至進入預 聚合管路夾套內之預聚物熔體。該預聚物熔體藉由逆流輸送被加熱以及該HTM幾乎被冷卻至該預聚合反應器之出口溫度。該HTM隨後通過下反應器部分(6)之夾套,因而反應器夾套出口之溫度接近熔體冷卻器出口內之熔融溫度。其被輸送、冷卻甚至進一步經由一泵浦(9)和一空冷器(10)返回進入該熔體冷卻器(5)內。
表1中說明具有預聚物冷卻器之PA6製造廠反應出口內根據本發明之溫度範圍設定,其流量數參考圖2。
該預聚合反應器內此方面之停留時間總共達3.5小時。該預聚合反應器內之頂部溫度實際為250℃,反之該出口溫度實際為265℃。該預聚合反應器係於3.0bar之操作壓力下進行運作。
該VK管內之停留時間總共達9小時。在此方面,該VK管內之頂部溫度實際為275℃以及該出口溫度實際為240℃。該VK管係於1.0bar之操作壓力下進行運作。
若VK管內僅使用一脫氣階段,該聚合物其後之相對黏度實際為2.69。於經萃取聚合物進行相對黏度之測定,該測量係於96%硫酸內。 其平均聚合度實際為158。
若該VK管使用兩個脫氣階段時,該脫氣發生於275℃和0.6bar之第二脫氣階段。在此方面,形成聚合物具有3.19之相對黏度(經萃取聚合物測量於96%硫酸內所測得)。此處其平均聚合度實際為200。
1‧‧‧預聚合反應器
2‧‧‧入口區域
11‧‧‧VK管
12‧‧‧反應器頂部
13‧‧‧聚合物加熱器
14‧‧‧流管部分
15‧‧‧蒸發室
16‧‧‧冷卻器
17‧‧‧流管部分
18‧‧‧計量泵
19‧‧‧真空裝置
20‧‧‧洗滌塔
21‧‧‧洗滌塔

Claims (13)

  1. 一種具有上和下反應爐區域之用於聚醯胺聚合反應之VK管式反應器,其中該上反應爐區域具有●一用於加入預聚物熔體之入口區(8);●一加熱器(12);●一第一流管部分(10);●一加熱放泄噴嘴;以及●加熱於上反應爐區總高度之牆體加熱器;以及該下反應爐區具有●一用於從上反應爐區加入熔體以及分離製程蒸汽之入口區(9);●一靜態冷卻裝置(13);●一第二流管部分(11);●一加熱放泄噴嘴和一鄰接洩放管;以及●一於下反應爐區總高度之加熱壁;以及其中該上和下反應爐區係經由管路相互連接。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之VK管,其特徵為該加熱器(12)係一靜態加熱裝置,特別指一束管路、一內部加熱溢流體、一板式換熱器或一加熱盤管,或一動態加熱裝置,特別指一羅伯茨蒸發器或一環流加熱器,及/或該靜態冷卻裝置(13)係一束管路、一內部加熱溢流體、一板式換熱器或一加熱盤管。
  3. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為用於傳送聚合物之計量泵(4)或調節閥被整合於上反應爐區放泄噴嘴和下反應爐區入口區(9)之間。
  4. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為上述加熱器(12)被配置一攪拌器。
  5. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為該VK管被耦合至用於預聚合聚醯胺之預聚合反應器,其具有●一用於加入反應物之入口區(1);●一加熱器(2),特別指一靜態加熱裝置,較佳為一束管路、一內部加熱溢流體、一板式換熱器或一加熱盤管,或一動態加熱裝置,較佳為一羅伯茨蒸發器或一環流加熱器;●一具有分開牆體加熱器之流管部分(3);●一具有分開牆體加熱器之第二流管部分(5);以及●一用於該預聚物之出口管路(7),其內較佳為整合具有一用於輸送預聚物之排放泵(6)及/或其具有一牆體加熱器,特別指一加熱套,其中該預聚合反應器具有一介於第一流管部分(3)和第二流管部分(5)間之冷卻裝置(4)。
  6. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為該冷卻裝置(4)和該分開牆體加熱器經由一單一載熱體回路被熱耦合。
  7. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為該牆體加熱器可為相互獨立之雙夾套及/或半管式加熱盤管。
  8. 根據上述申請專利範圍中任一項所述之VK管,其特徵為該流管部分(3、5、10、11)至少一部分具有流動調整器。
  9. 一種用於反應器內具有一上反應爐區和一下反應爐區之立式冷凝管(VK管)聚合聚醯胺之方法,其中a)稱取預聚物熔體置入該上反應爐區之入口區(8);b)藉由加熱器(12)將該熔體溫度設定於240至280℃,特別指250至265℃;c)經由第一流管部分(10)傳送該熔體,其耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失,至一冷卻裝置(13)而使熔體溫度被設定於225至260℃,特別指230至240℃;以及d)該熔體經由第二流管部分(11)被傳送至出口管路,其耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失。
  10. 根據上述申請專利範圍第9項之方法,其特徵為該預聚物經由出口管路被供應至其他聚合反應器,特別指具有立式冷凝管(VK管)之反應器,其中a)該反應物被稱取置入反應器之入口區(1);b)該聚合物熔體之溫度藉由一加熱器(2)被設定於240至270℃,特別指至250至265℃;c)經由第一流管部分(3)傳送該聚合物熔體,其被耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失,至一冷卻裝置(4)而使聚合物熔體溫度被設定於220至255℃,特別指230至240℃;以及d)該聚合物熔體經由第二流管部分(5),其耦合至一分開牆體加熱器以避免熱損失,被傳送至耦合VK管之出口管路(7)。
  11. 根據上述申請專利範圍第9或10項中任一項所述之方法,其特徵為藉由流 動調整器於該流管部分(3、5、10、11)內產生熔體之栓塞流。
  12. 根據上述申請專利範圍第9至11項中任一項所述之方法,其特徵為該熔體藉由一排放泵(6)或藉由反應器至VK管壓力之反應器內壓力輸送通過該出口管路(7)。
  13. 一種具有相對黏度2.4至4.5,特別指3.0至3.6之聚醯胺,其分別於96%硫酸內1g聚醯胺溶液中測量時,係利用根據申請專利範圍第9至12項中任一項之方法所製成。
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