TW201437029A - 剝離裝置、剝離系統及剝離方法 - Google Patents

剝離裝置、剝離系統及剝離方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201437029A
TW201437029A TW102143220A TW102143220A TW201437029A TW 201437029 A TW201437029 A TW 201437029A TW 102143220 A TW102143220 A TW 102143220A TW 102143220 A TW102143220 A TW 102143220A TW 201437029 A TW201437029 A TW 201437029A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
peeling
suction
holding
support substrate
Prior art date
Application number
TW102143220A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI547376B (zh
Inventor
Masanori Itou
Masaru Honda
Takayuki Chinju
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201437029A publication Critical patent/TW201437029A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI547376B publication Critical patent/TWI547376B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18—Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1858—Handling of layers or the laminate using vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本發明之課題係在於謀求剝離處理的有效率化。本發明之解決手段之關於實施型態的剝離裝置係具備第1保持部、第2保持部、與剝離誘引部。第1保持部係保持第1基板與第2基板被接合的重合基板之中的第1基板。第2保持部係保持重合基板之中的第2基板、使第2基板往離開第1基板板面的方向移動。剝離誘引部係將第2基板從第1基板被剝下的開端的部位形成在重合基板的側面。此外，第2保持部係具備第1吸住移動部、與第2吸住移動部。第1吸住移動部係吸住利用剝離誘引部形成的部位所對應之第2基板的周緣部，使該周緣部往離開第1基板板面的方向移動。第2吸住移動部係吸住比第2基板的周緣部更偏第2基板的中央部之領域，使該領域往離開第1基板板面的方向移動。

Description

剝離裝置、剝離系統及剝離方法
揭示之實施型態係有關剝離裝置、剝離系統及剝離方法。
近年，例如，在半導體裝置的製造步驟上，矽晶圓或化合物半導體晶圓等的半導體基板進展到大口徑化及薄型化。大口徑且薄的半導體基板，在搬送時或研磨處理時會有翹曲或破損發生之疑慮。因此，在使支撐基板貼合到半導體基板予以補強後，進行搬送或研磨處理，之後，進行將支撐基板從半導體基板剝離之處理。
例如，在專利文獻1揭示，藉由採用第1保持部來保持半導體基板，而且，採用第2保持部來保持支撐基板，使第2保持部的外周部朝鉛直方向移動，而將支撐基板從半導體基板剝離之技術。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-69914號公報
然而，上述之先前技術，在謀求剝離處理的有效率化之點上係有更進一步改善的餘地。又，這樣的課題，在隨同基板剝離之SOI(Silicon On Insulator)等的製造步驟上也都是會發生的課題。
實施型態其中一樣態之目的在於提供一能夠謀求剝離處理有效率化之剝離裝置、剝離系統以及剝離方法。
關於實施型態其中一樣態的剝離裝置係具備第1保持部、第2保持部、與剝離誘引部。第1保持部係保持第1基板與第2基板被接合的重合基板之中的第1基板。第2保持部係保持重合基板之中的第2基板、使第2基板往離開第1基板板面的方向移動。剝離誘引部係將第2基板從第1基板被剝下的開端的部位形成在重合基板的側面。此外，第2保持部係具備第1吸住移動部、與第2吸住移動部。第1吸住移動部係吸住利用剝離誘引部形成的部位所對應之第2基板的周緣部，使該周緣部往離開第1基板板面的方向移動。第2吸住移動部係吸住比第2基板的周緣部更偏第2基板的中央部之領域，使該領域往離開第1基板板面的方向移動。
根據實施型態其中一樣態，就能謀求剝離處理的有效率化。
1‧‧‧剝離系統
5‧‧‧剝離裝置
60‧‧‧控制裝置
110‧‧‧第1保持部
120‧‧‧框保持部
140‧‧‧旋轉昇降機構
150‧‧‧第2保持部
170‧‧‧剝離誘引部
180‧‧‧位置調整部
190‧‧‧第1吸住移動部
191‧‧‧吸住墊
200‧‧‧第2吸住移動部
201‧‧‧吸住墊
F‧‧‧切割框(dicing frame)
P‧‧‧切割膠帶(dicing tape)
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理基板
圖1係顯示關於第1實施型態的剝離系統構成之模式平面圖。
圖2係被保持在切割框的重合基板之模式側視圖。
圖3係被保持在切割框的重合基板之模式平面圖。
圖4係顯示利用剝離系統所實行之基板處理的處理程序之流程圖。
圖5A係顯示重合基板的搬送路徑之模式圖。
圖5B係顯示被處理基板及支撐基板的搬送路徑之模式圖。
圖6係顯示關於第1實施型態的剝離裝置構成之模式側視圖。
圖7係銳利構件之模式側視圖。
圖8A係剝離誘引處理之動作說明圖。
圖8B係剝離誘引處理之動作說明圖。
圖8C係剝離誘引處理之動作說明圖。
圖9A係第1吸住移動部具備的吸住墊及第2吸住移動部具備的吸住墊之模式平面圖。
圖9B係第1吸住移動部具備的吸住墊之模式放大圖。
圖10係顯示剝離處理的處理程序之流程圖。
圖11A係依照剝離裝置的剝離動作之說明圖。
圖11B係依照剝離裝置的剝離動作之說明圖。
圖11C係依照剝離裝置的剝離動作之說明圖。
圖11D係依照剝離裝置的剝離動作之說明圖。
圖11E係依照剝離裝置的剝離動作之說明圖。
圖12A係顯示第1洗淨裝置構成之模式側視圖。
圖12B係顯示第1洗淨裝置構成之模式側視圖。
圖12C係顯示洗淨治具構成之模式平面圖。
圖13係顯示第3搬送裝置構成之模式側視圖。
圖14A係顯示第2洗淨裝置構成之模式側視圖。
圖14B係顯示第2洗淨裝置構成之模式平面圖。
圖15A係顯示第2保持部的變形例之模式平面圖。
圖15B係顯示第2保持部的變形例之模式平面圖。
圖16係圖示依照計測部之計測處理的動作例。
圖17A係顯示SOI基板的製造步驟之模式圖。
圖17B係顯示SOI基板的製造步驟之模式圖。
以下，參照添附圖面，詳細地說明本說明書所揭示之剝離裝置、剝離系統及剝離方法之實施型態。又，本發明並不受限於以下所示之實施型態。
(第1實施型態) <1、剝離系統>
首先，針對關於第1實施型態之剝離系統的構成，參照圖1~圖3加以說明。圖1係顯示關於第1實施型態的剝離系統構成之模式平面圖。此外，圖2及圖3係被保持在切割框的重合基板之模式側視圖及模式平面圖。又，以下，為了明確化位置關係，規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，設定Z軸正方向為鉛直向上方向。
圖1所示關於第1實施型態的剝離系統1，係將被處理基板W和支撐基板S用接著劑G被接合之重合基板T(參照圖2)，剝離成被處理基板W與支撐基板S。
以下，如圖2所示方式，被處理基板W的板面之中，介著接著劑G而將和支撐基板S被接合之側的板面稱作「接合面Wj」、將和接合面Wj相反側的板面稱作「非接合面Wn」。此外，支撐基板S的板面之中，介著接著劑G將和被處理基板W被接合之側的板面稱作「接合面Sj」，將和接合面Sj相反側的板面稱作「非接合面Sn」。
被處理基板W，例如，係在矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板形成複數電子電路之基板，將電子電路被形成之側的板面設為接合面Wj。此外，被處理基板W係藉由例如非接合面Wn被研磨處理而被薄型化。具體而言，被處理基板W的厚度約為20~200μm。
另一方面，支撐基板S係與被處理基板W大致同徑長之基板，支撐被處理基板W。支撐基板S的厚度約為650~750μm。作為這樣的支撐基板S，矽晶圓之外，還可以採用玻璃基板等。此外，將這些被處理基板W及支撐基板S接合之接著劑G的厚度約為40~150μm。
如上述由於被處理基板W非常薄、易於破損，所以利用切割框F進而予以保護。切割框F，如圖3所示，係在中央具有徑長比重合基板T還大的開口部Fa之略矩形狀構件，且由不銹鋼等金屬所形成。
在這樣的切割框F的開口部Fa配置重合基板T，以從裡面堵塞開口部Fa之方式將切割膠帶P貼上被處理基板W的非接合面Wn及切割框F。藉此，重合基板T形成被保持在切割框F之狀態。又，重合基板T，係於將被處理基板W置於下面、將支撐基板S置於上面之狀態下，被保持在切割框F(參照圖2)。
關於第1實施型態之剝離系統1，如圖1所示，係具備第1處理區塊10與第2處理區塊20。第1處理區塊10及第2處理區塊20，係依第2處理區塊20及第1處理區塊10之順序在X軸方向排列配置。
第1處理區塊10，係利用切割框F保持之基板，具體而言，係對重合基板T或剝離後的被處理基板W進行處理之區塊。這樣的第1處理區塊10，係具備：搬出入站11、第1搬送領域12、待機站13、邊緣裁切站14、剝離站15、與第1洗淨站16。
此外，第2處理區塊20，係未利用切割框F被保持之基板，具體而言，係對剝離後的支撐基板S進行處理之區塊。這樣的第2處理區塊20則具備：移轉站21、第2洗淨站22、第2搬送領域23、與搬出站24。
第1處理區塊10的第1搬送領域12、與第2處理區塊20的第2搬送領域23，係在X軸方向排列配置。此外，在第1搬送領域12的Y軸負方向側，讓搬出入站11及待機站13，依搬出入站11及待機站13之順序在X軸方向排列配置；在第2搬送領域23的Y軸負方向側配置搬出站24。
此外，挾著第1搬送領域12在搬出入站11及待機站13的相反側，讓剝離站15及第1洗淨站16，依剝離站15及第1洗淨站16之順序在X軸方向排列配置。此外，挾著第2搬送領域23在搬出站24的相反側，讓移轉站21及第2洗淨站22，依第2洗淨站22及移轉站21之順序在X軸方向排列配置。然後，在第1搬送領域12的X軸正方向側，配置邊緣裁切站14。
首先，針對第1處理區塊10的構成加以說明。搬出入站11方面，係讓收容被保持在切割框F的重合基板T之匣Ct及收容剝離後的被處理基板W之匣Cw於和外部之間搬出搬入。在這樣的搬出入站11，設置著匣載置台，在該匣載置台，設置載置各個匣Ct、Cw之複數匣載置板110a、110b。
於第1搬送領域12，進行重合基板T或剝離 後的被處理基板W之搬送。在第1搬送領域12，設置進行搬送重合基板T或剝離後的被處理基板W之第1搬送裝置30。
第1搬送裝置30係一基板搬送裝置，具備可以往水平方向移動、往鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心的回旋之搬送臂部，與被安裝在該搬送臂部前端之基板保持部。這樣的第1搬送裝置30，係採用基板保持部保持基板，而且，將利用基板保持部被保持的基板利用搬送臂部搬送直到所期待的場所。
又，第1搬送裝置30所具備之基板保持部，藉由利用吸住或把持等保持切割框F，而將重合基板T或者剝離後的被處理基板W保持在大致水平。
在待機站13，能配置進行讀取切割框F的ID(Identification)之ID讀取裝置，利用這樣的ID讀取裝置，來識別處理中的重合基板T。
於該待機站13，加上上述的ID讀取處理，也因應必要而進行使待處理的重合基板T暫時維持待機之待機處理。在這樣的待機站13，設置著載置台來載置利用第1搬送裝置30被搬送的重合基板T，在這樣的載置台，載置ID讀取裝置與暫時待機部。
於邊緣裁切站14，進行使接著劑G(參照圖2)的周緣部利用溶劑而溶解、加以除去之邊緣裁切處理。藉由利用這樣的邊緣裁切處理來除去接著劑G的周緣部，可以在後述之剝離處理使被處理基板W與支撐基板S容易 剝離。在這樣的邊緣裁切站14，設置藉由使重合基板T浸漬在接著劑G的溶劑，以使接著劑G的周緣部利用溶劑而溶解之邊緣裁切裝置。
於剝離站15，進行將利用第1搬送裝置30被搬送的重合基板T剝離成被處理基板W與支撐基板S之剝離處理。在這樣的剝離站15，設置進行剝離處理之剝離裝置。針對這樣的剝離裝置之具體的構成及動作，敘述於後。
於第1洗淨站16，進行剝離後的被處理基板W之洗淨處理。在第1洗淨站16，設置將剝離後的被處理基板W於被保持在切割框F之狀態下加以洗淨之第1洗淨裝置。針對這樣的第1洗淨裝置之具體構成，敘述於後。
這樣的第1處理區塊10方面，係在待機站13進行切割框F的ID讀取處理、在邊緣裁切站14進行重合基板T的邊緣裁切處理之後，在剝離站15進行重合基板T的剝離處理。此外，第1處理區塊10，係在第1洗淨站16洗淨剝離後的被處理基板W之後，將洗淨後的被處理基板W往搬出入站11搬送。之後，洗淨後的被處理基板W，係從搬出入站11往外部被搬出。
接著，針對第2處理區塊20的構成加以說明。於移轉站21，從剝離站15將剝離後的支撐基板S接收後往第2洗淨站22移交之移轉處理。在移轉站21，設置將剝離後的支撐基板S以非接觸方式保持並搬送之第3 搬送裝置50，利用這樣的第3搬送裝置50進行上述的移轉處理。針對第3搬送裝置50之具體構成，敘述於後。
於第2洗淨站22，進行洗淨剝離後的支撐基板S之第2洗淨處理。在這樣的第2洗淨站22，設置洗淨剝離後的支撐基板S之第2洗淨裝置。針對這樣的第2洗淨裝置之具體構成，敘述於後。
於第2搬送領域23，進行搬送利用第2洗淨裝置被洗淨之支撐基板S。在第2搬送領域23，設置進行搬送支撐基板S之第2搬送裝置40。
第2搬送裝置40係一基板搬送裝置，具備可以往水平方向移動、往鉛直方向昇降及以鉛直方向為中心的回旋之搬送臂部，與被安裝在該搬送臂部前端之基板保持部。這樣的第2搬送裝置40，係採用基板保持部保持基板，而且，將利用基板保持部被保持的基板利用搬送臂部搬送直到搬出站24。又，第2搬送裝置40所具備之基板保持部，係一種藉由例如將支撐基板S從下方支撐而讓支撐基板S保持在大致水平之叉狀物(fork)。
於搬出站24，係將收容支撐基板S之匣Cs於和外部之間搬出搬入。在這樣的搬出站24，設置著匣載置台，在該匣載置台，設置載置匣Cs之複數匣載置板24a、24b。
於這樣的第2處理區塊20，讓剝離後的支撐基板S從剝離站15介著移轉站21往第2洗淨站22被搬送、在第2洗淨站22被洗淨。其後，於第2處理區塊 20，將洗淨後的支撐基板S往搬出站24搬送，而洗淨後的支撐基板S，則從搬出站24往外部被搬出。
此外，剝離系統1係具備控制裝置60。控制裝置60，係一控制剝離系統1的動作之裝置。這樣的控制裝置60，係例如電腦，具備未圖示之控制部與記憶部。在記憶部，收納控制剝離處理等各種處理之程式。控制部係藉由讀出並實行被記憶在記憶部之程式來控制剝離系統1的動作。
又，這樣的程式，或是被記錄在可以利用電腦來讀取的記錄媒體之程式，亦或是從該記錄媒體被安裝到控制裝置60的記憶部之程式。作為可以利用電腦來讀取的記錄媒體，係有例如硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁碟(MO)、記憶卡等。
其次，針對上述剝離系統1的動作，參照圖4及圖5A、5B加以說明。圖4係顯示利用剝離系統1所實行之基板處理的處理程序之流程圖。此外，圖5A係顯示重合基板T搬送路徑之模式圖；圖5B顯示被處理基板W及支撐基板S的搬送路徑之模式圖。又，剝離系統1，係基於控制裝置60之控制，實行圖4所示之各處理程序。
首先，第1處理區塊10之被配置在第1搬送領域12的第1搬送裝置30(參照圖1)，係基於控制裝置60的控制，進行將重合基板T往待機站13搬入之處理(參照圖4的步驟S101、圖5A的T1)。
具體而言，第1搬送裝置30，係使基板保持 部往搬出入站11進入，將被收容在匣Ct的重合基板T加以保持並從匣Ct取出。這時，重合基板T，係於將被處理基板W置於下面、將支撐基板S置於上面之狀態下，從上方被保持在第1搬送裝置30的基板保持部。接著，第1搬送裝置30，係將從匣Ct取出的重合基板T往待機站13搬入。
接著，於待機站13，讓ID讀取裝置基於控制裝置60的控制，進行讀取切割框F的ID之ID讀取處理(圖4的步驟S102)。利用ID讀取裝置被讀取之ID，會往控制裝置60被傳送。
接著，第1搬送裝置30，係基於控制裝置60的控制，將重合基板T從待機站13搬出、往邊緣裁切站14搬送(參照圖5A的T2)。然後，於邊緣裁切站14，讓邊緣裁切裝置基於控制裝置60的控制，進行邊緣裁切處理(圖4的步驟S103)。利用這樣的邊緣裁切處理來除去接著劑G的周緣部，可以在後段之剝離處理使被處理基板W與支撐基板S容易剝離。藉此，能夠使剝離處理所需要的時間縮短。
關於第1實施型態的剝離系統1，由於把邊緣裁切站14組入第1處理區塊10，而可以將往第1處理區塊10被搬入的重合基板T採用第1搬送裝置30往邊緣裁切站14直接搬入。因此，利用剝離系統1，就能使一連串的基板處理生產能力提升。此外，能夠容易地管理從邊緣裁切處理到剝離處理為止的時間，能使剝離性能安定 化。又，剝離系統1並不一定要具備邊緣裁切站14。
此外，在例如因裝置間的處理時間差等產生待處理的重合基板T之場合，可以採用被設在待機站13的暫時待機部使重合基板T暫時地維持待機，可以縮短於一連串的步驟間之損失時間。
接著，第1搬送裝置30，係基於控制裝置60的控制，將邊緣裁切處理後的重合基板T從邊緣裁切站14搬出、往剝離站15搬送(參照圖5A的T3)。然後，於剝離站15，讓剝離裝置基於控制裝置60的控制，進行剝離處理(圖4的步驟S104)。
其後，於剝離系統1，針對剝離後的被處理基板W之處理於第1處理區塊10進行；針對剝離後的支撐基板S之處理於第2處理區塊20進行。又，剝離後的被處理基板W，係利用切割框F被保持著。
首先，於第1處理區塊10，第1搬送裝置30是基於控制裝置60的控制，將剝離後的被處理基板W從剝離裝置搬出往第1洗淨站16搬送(參照圖5B的W1)。
然後，第1洗淨裝置，基於控制裝置60的控制，進行洗淨剝離後的被處理基板W的接合面Wj之被處理基板洗淨處理(圖4之步驟S105)。利用這樣的被處理基板洗淨處理，來除去殘留在被處理基板W的接合面Wj之接著劑G。
接著，第1搬送裝置30，基於控制裝置60的控制，進行將洗淨後的被處理基板W從第1洗淨裝置搬 出、往搬出入站11搬送之被處理基板搬出處理(參照圖4之步驟S106、圖5B之W2)。之後，被處理基板W，係從搬出入站11往外部被搬出並回收。這樣一來，結束針對被處理基板W之處理。
另一方面，於第2處理區塊20，步驟S105及步驟S106之處理並行，進行步驟S107~S109之處理。
首先，於第2處理區塊20，被設置在移轉站21之第3搬送裝置50，基於控制裝置60的控制，進行剝離後的支撐基板S的移轉處理(圖4的步驟S107)。
在該步驟S107，第3搬送裝置50，係從剝離裝置接收剝離後的支撐基板S(參照圖5B之S1)，將接收之支撐基板S載置往第2洗淨站22的第2洗淨裝置(參照圖5B之S2)。
在此，剝離後的支撐基板S，係利用剝離裝置形成上面側亦即非接合面Sn側被保持之狀態，第3搬送裝置50則將支撐基板S的接合面Sj側從下方以非接觸之方式予以保持。然後，第3搬送裝置50，在將保持之支撐基板S往第2洗淨站22搬入後，使支撐基板S反轉，載置往第2洗淨裝置。藉此，支撐基板S，讓接合面Sj於朝向上方之狀態下被載置在第2洗淨裝置。然後，第2洗淨裝置，基於控制裝置60的控制，進行洗淨支撐基板S的接合面Sj之支撐基板洗淨處理(圖4之步驟S108)。利用這樣的支撐基板洗淨處理，來除去殘留在支撐基板S的接合面Sj之接著劑G。
接著，第2搬送裝置40，基於控制裝置60的控制，進行將洗淨後的支撐基板S從第2洗淨裝置搬出、往搬出站24搬送之支撐基板搬出處理(參照圖4之步驟S109、圖5B之S3)。之後，支撐基板S，係從搬出站24往外部被搬出並回收。這樣一來，結束針對支撐基板S之處理。
以該方式，關於第1實施型態之剝離系統1，係做成具備被保持在切割框F之基板用前端處理器(搬出入站11及第1搬送裝置30)、與未被保持在切割框F之基板用前端處理器(搬出站24及第2搬送裝置40)之構成。藉此，由於可以並列地進行往搬出入站11搬送洗淨後的被處理基板W之處理、與往搬出站24搬送洗淨後的支撐基板S之處理，所以能夠有效率地進行一連串的基板處理。
此外，關於第1實施型態之剝離系統1，係讓第1處理區塊10與第2處理區塊20利用移轉站21而被接續。藉此，由於可以將剝離後的支撐基板S從剝離站15直接取出後往第2處理區塊20搬入，所以能夠將剝離後的支撐基板S往第2洗淨裝置順利地搬送。
從而，根據關於第1實施型態之剝離系統1，能夠使一連串的基板處理生產能力提升。
<2、各裝置的構成> <2-1、剝離裝置>
其次，針對剝離系統1所具備之各裝置的構成具體地加以說明。首先，針對被設置在剝離站15之剝離裝置的構成及採用剝離裝置進行之重合基板T的剝離動作加以說明。圖6係顯示關於第1實施型態之剝離裝置的構成之模式側視圖。
如圖6所示，剝離裝置5係具備處理部100。在處理部100的側面形成搬出入口(未圖示)，介著該搬出入口，進行重合基板T往處理部100之搬入、或剝離後的被處理基板W及支撐基板S從處理部100之搬出。在搬出入口，設置例如開閉快門，利用該開閉快門，來區分處理部100與其他領域，防止微粒(particle)的進入。又，搬出入口，分別被設在鄰接第1搬送領域12之側面與鄰接移轉站21之側面。
剝離裝置5，係具備：第1保持部110、框保持部120、下側基部130、旋轉昇降機構140、第2保持部150、上側基部160、剝離誘引部170、與位置調整部180。這些都被配置在處理部100的內部。
第1保持部110係將重合基板T之中的被處理基板W從下方予以保持；第2保持部150則是將重合基板T之中的支撐基板S從上方予以保持。然後，第2保持部150會使保持之支撐基板S往離開被處理基板W板面之方向移動。藉此，剝離裝置5便將重合基板T剝離成支撐基板S與被處理基板W。以下，針對各構成要素具體地加以說明。
第1保持部110，係將構成重合基板T之被處理基板W介著切割膠帶P而加以吸住保持。
第1保持部110係具備圓盤狀的本體部111、與支撐本體部111的支柱構件112。支柱構件112係被支撐在下側基部130。
本體部111，係由例如鋁等金屬構件所構成。在這樣的本體部111的上面，設置吸住面111a。吸住面111a係和重合基板T大致同徑長，與重合基板T的下面、亦即被處理基板W的非接合面Wn抵接。該吸住面111a，係由例如碳化矽等多孔質體或多孔質陶瓷所形成。
在本體部111的內部，形成介著吸住面111a而與外部連通之吸引空間111b。吸引空間111b，係介著吸氣管113而與真空泵等吸氣裝置114接續。
這樣的第1保持部110，係利用由吸氣裝置114的吸氣所發生的負壓，讓被處理基板W的非接合面Wn介著切割膠帶P使吸住面111a吸住。藉此，第1保持部110係保持被處理基板W。又，在此利用的是例示第1保持部110為多孔式吸盤(porous-chuck)之場合，但是，第1保持部也可以是例如靜電吸盤等。
在第1保持部110的外方，配置將切割框F從下方保持之框保持部120。這樣的框保持部120，係具備：吸住保持切割框F之複數吸住墊121，支撐吸住墊121之支撐構件122，與被固定在下側基部130、使支撐構件122沿著鉛直方向移動之移動機構123。
吸住墊121，係利用橡膠等彈性構件而被形成，分別設置在例如圖3所示之切割框F前後左右4處所對應之位置。在該吸住墊121形成吸氣口(未圖示)，讓真空泵等的吸氣裝置125介著支撐構件122及吸氣管124而被接續到上述的吸氣口。
框保持部120，係利用由吸氣裝置125的吸氣所發生的負壓，吸住切割框F。藉此，框保持部120係保持切割框F。此外，框保持部120，係於保持切割框F之狀態下，利用移動機構123使支撐構件122及吸住墊121沿著鉛直方向移動。藉此，框保持部120係使切割框F沿著鉛直方向移動。
下側基部130，係被配置在第1保持部110及框保持部120的下方，支撐第1保持部110及框保持部120。下側基部130，係利用被固定在處理部100床面之旋轉昇降機構140而被支撐。
旋轉昇降機構140係使下側基部130繞鉛直軸旋轉。藉此，讓被支撐在下側基部130之第1保持部110及框保持部120一體地旋轉。此外，旋轉昇降機構140係使下側基部130在鉛直方向移動。藉此，讓被支撐在下側基部130之第1保持部110及框保持部120一體地昇降。
在第1保持部110的上方，相對向配置第2保持部150。第2保持部150，係具備第1吸住移動部190、與第2吸住移動部200。第1吸住移動部190及第2 吸住移動部200係被支撐在上側基部160。上側基部160，係在被安裝在處理部100天井部之固定構件101介著支柱102而被支撐。
第1吸住移動部190係吸住保持支撐基板S的周緣部。此外，第2吸住移動部200，係吸住保持比支撐基板S周緣部還偏支撐基板S中央部之領域。然後，第1吸住移動部190及第2吸住移動部200，係使吸住保持之領域分別獨立地往離開被處理基板W板面之方向移動。
第1吸住移動部190，係具備吸住墊191、支柱構件192、與移動機構193。此外，第2吸住移動部200，係具備吸住墊201、支柱構件202、與移動機構203。
吸住墊191、201係利用橡膠等彈性構件所形成。在各吸住墊191、201形成著吸氣口(未圖示)，在各個吸氣口，介著吸氣管194、204接續真空泵等之吸氣裝置195、205。
支柱構件192、202，係在前端部支撐吸住墊191、201。支柱構件192、202之基端部係利用移動機構193、203而被支撐。移動機構193、203係被固定在上側基部160的上部，使支柱構件192、202在鉛直方向移動。
第1吸住移動部190及第2吸住移動部200，係利用由吸氣裝置195、205的吸氣所發生之負壓而吸住 支撐基板S。藉此，第1吸住移動部190及第2吸住移動部200係保持支撐基板S。
此外，第1吸住移動部190及第2吸住移動部200，係於保持支撐基板S之狀態下，分別利用移動機構193、203使支柱構件192、202及吸住墊191、201沿著鉛直方向移動。藉此，使支撐基板S沿著鉛直方向移動。
剝離裝置5，藉由使移動機構193比移動機構203還要先行動作，亦即，藉由先從周緣部拉支撐基板S，使支撐基板S從其周緣部向中央部連續地剝離被處理基板W。針對該動作具體的內容，敘述於後。
在第2保持部150的外方，配置剝離誘引部170。剝離誘引部170，係將支撐基板S從被處理基板W被剝下的開端之部位形成在重合基板T的側面。
剝離誘引部170係具備銳利構件171、與移動機構172。銳利構件171係例如刃具，以前端向重合基板T突出之方式被支撐在移動機構172。在此，針對銳利構件171的形狀參照圖7加以說明。圖7係銳利構件171之模式側視圖。
如圖7所示，銳利構件171係具有軀幹部171a、與被形成在軀幹部171a前端之刃先部171b。此外，軀幹部171a係連接在刃先部171b，具有：有一定厚度t1之第1平坦部171a1，位於第1平坦部171a1的基端側，有比第1平坦部171a1還要厚的一定厚度t2之第2 平坦部171a3，與將第1平坦部171a1和第2平坦部171a3連接起來之傾斜部171a2。第1平坦部171a1之厚度t1係例如50μm；第2平坦部171a3之厚度t2係例如400μm。
以該方式，銳利構件171的軀幹部171a係具有第1平坦部171a1。藉此，相較於採用不具有第1平坦部171a1的通常刃具之場合，能夠在使銳利構件171進入支撐基板S與接著劑G之間時減少施加到被處理基板W之負荷。此外，銳利構件171的軀幹部171a，係具有厚度大於第1平坦部171a1之第2平坦部171a3。藉此，能夠確保銳利構件171的強度，能夠在如後述方式以銳利構件171當作支點對支撐基板S施力時，防止銳利構件171或彎曲或出現缺口。
此外，銳利構件171係由超硬合金所形成。藉此，也能夠在以銳利構件171當作支點對支撐基板S施力時確保銳利構件171的強度。
又，作為銳利構件171，能夠藉由採用陶瓷樹脂系刃具或者被塗覆氟素的刃具，來抑制在對重合基板T插入銳利構件171時發生微粒。又，作為銳利構件171，能夠採用例如剃刀或滾刀或者超音波刀等。
移動機構172，係沿著在Y軸方向延伸存在的軌道使銳利構件171移動。剝離裝置5，係藉由採用移動機構172使銳利構件171移動，使銳利構件171抵接到支撐基板S偏接著劑G的側面。藉此，剝離裝置5，係將 支撐基板S從被處理基板W被剝下的開端之部位(以下，記載為「剝離開始部」)形成在重合基板T的側面。
此外，移動機構172係利用位置調整部180從上方被支撐。位置調整部180，係被固定在例如上側基部160的下部，使移動機構172沿著鉛直方向移動。藉此，能夠調整銳利構件171的高度位置，亦即，往重合基板T的側面之抵接位置。
在此，針對採用剝離誘引部170而進行之剝離誘引處理的內容參照圖8A~圖8C具體地加以說明。圖8A~圖8C係剝離誘引處理之動作說明圖。
又，圖8A~圖8C所示之剝離誘引處理，係在讓重合基板T之中的被處理基板W利用第1保持部110(參照圖6)被保持之後，並且，在讓支撐基板S利用第2保持部150被保持之前進行。亦即，剝離誘引處理，係讓支撐基板S於閒置(free)的狀態下進行。此外，剝離裝置5，係基於控制裝置60的控制，進行圖8A~圖8C所示之剝離誘引處理。
剝離裝置5，在採用位置調整部180調整銳利構件171的高度位置之後，用移動機構172(參照圖6)使銳利構件171向重合基板T的側面移動。具體而言，如圖8A所示，使銳利構件171向重合基板T的側面之中、支撐基板S偏接著劑G的側面略水平地進行移動。
「支撐基板S之偏接著劑G的側面」，係支撐基板S的側面之中、比支撐基板S厚度的一半的位置 h1還要偏接合面Sj的側面。亦即，支撐基板S的側面係被形成略圓弧狀，「支撐基板S之偏接著劑G的側面」係指在將銳利構件171和接合面Sj所形成的角度設為0度之場合下與銳利構件171所形成的角度θ為0度以上、不滿90度之側面。
剝離裝置5，首先，係使銳利構件171前進直到事先被決定的位置(預備前進)。之後，剝離裝置5，係使銳利構件171進一步前進並使銳利構件171抵接到支撐基板S偏接著劑G的側面。又，在剝離誘引部170設置例如測壓元件(load cell)(未圖示)，剝離裝置5，係藉由採用這樣的測壓元件檢測出對銳利構件171施加之負荷，來檢測出銳利構件171抵接到支撐基板S。
以上述方式讓支撐基板S的側面被形成略圓弧狀。從而，藉由讓銳利構件171抵接到支撐基板S偏接著劑G的側面，形成對支撐基板S施加向上方之力。
接著，如圖8B所示，剝離裝置5係使銳利構件171進一步前進。藉此，支撐基板S係沿著側面的彎曲而往上方被推上去。結果，讓支撐基板S的一部份從接著劑G剝離並形成剝離開始部M。
又，由於支撐基板S是在未利用第2保持部150被保持而於閒置的狀態，所以支撐基板S往上方移動並未受到阻礙。在本處理，使銳利構件171前進之距離d1係例如2mm左右。
接著，如圖8C所示，剝離裝置5，係一面用 旋轉昇降機構140(參照圖6)使第1保持部110降下，一面使銳利構件171進一步前進。藉此，對被處理基板W及接著劑G施加向下方的力，對利用銳利構件171被支撐之支撐基板S施加向上方的力。藉此，讓剝離開始部M擴大。
此外，由於以上述方式將銳利構件171做成圖7所示之形狀，所以能夠在使銳利構件171進入支撐基板S與接著劑G之間時減少加在被處理基板W之負荷。在本處理，使銳利構件171前進之距離d2係例如1mm左右。
以此方式，剝離裝置5，藉由使銳利構件171突抵上支撐基板S之偏接著劑G的側面，能夠將支撐基板S從被處理基板W被剝下的開端之剝離開始部M形成在重合基板T的側面。
支撐基板S之厚度係有接著劑G的約5~15倍厚左右。從而，相較於使銳利構件171抵接到接著劑G形成剝離開始部之場合，銳利構件171的鉛直方向的位置控制是較為容易。
此外，藉由使銳利構件171抵接到支撐基板S之偏接著劑G的側面，能夠將從被處理基板W把支撐基板S剝下的方向的力(亦即，向上的力)施加到支撐基板S。而且，因為把靠近支撐基板S最外緣部的部位抬起，所以能夠對支撐基板S有效率地施加從被處理基板W把支撐基板S剝下的方向的力。
此外，相較於使銳利構件171突抵上接著劑G之場合，較能夠使銳利構件171接觸到被處理基板W之可能性降低。
又，「支撐基板S之偏接著劑G的側面」，更好是，如圖8A所示，支撐基板S之從接合面Sj到支撐基板S厚度的1/4的位置h2的側面，亦即，與銳利構件171所形成的角度θ為0度以上45度以下的側面較佳。因為與銳利構件171所形成的角度θ愈小，能夠愈增加抬起支撐基板S之力的緣故。
此外，在支撐基板S與接著劑G之接著力比較弱之場合，如圖8A所示，能夠僅於使銳利構件171抵接到支撐基板S偏接著劑G的側面下形成剝離開始部M。此類之場合，剝離裝置5係能省略圖8B及圖8C所示之動作。
其次，針對第1吸住移動部190及第2吸住移動部200之配置等參照圖9A及圖9B加以說明。圖9A係第1吸住移動部190所具備的吸住墊191及第2吸住移動部200所具備的吸住墊201之模式平面圖。此外，圖9B係第1吸住移動部190所具備的吸住墊191之模式放大圖。
如圖9A所示，第1吸住移動部190所具備的吸住墊191，係吸住剝離開始部M所對應之支撐基板S的周緣部。此外，第2吸住移動部200所具備的吸住墊201，係吸住支撐基板S的中央部。
吸住墊191，係被形成吸住面積比吸住墊201還要小。這是，藉由將吸住墊191縮小形成，能夠僅將剝離開始部M被形成的部分所對應之支撐基板S的周緣部予以吸住並提高之緣故。藉此，能夠藉由到剝離開始部M未被形成的周緣部為止加以吸住並提高而防止剝離力降低。
如圖9B所示，吸住墊191最好是被形成比銳利構件171的刃幅w1還要小。藉此，能夠確實地防止剝離開始部M未被形成的支撐基板S的周緣部受到吸住墊191吸住之情事。換言之，能夠正確地僅吸住剝離開始部M被形成的支撐基板S的周緣部。又，吸住墊201係被形成比刃幅w1還要大。
此外，如圖9B所示，吸住墊191，係讓支撐基板S外緣所對應的部分191a沿著支撐基板S的外緣被形成弧狀。藉此，能夠將吸住墊191配置在更靠近支撐基板S最外緣部之領域。從而，能夠對支撐基板S有效率地施加將支撐基板S從被處理基板W剝下的方向的力。
如圖9A所示，吸住墊191及吸住墊201係沿著銳利構件171的移動方向被配置。剝離裝置5，藉由讓吸住墊191比吸住墊201還要先行提高，亦即，藉由先從周緣部拉支撐基板S，而使支撐基板S從其周緣部向中央部連續地剝離被處理基板W。
針對這樣的剝離動作的具體內容參照圖10及圖11A~圖11E加以說明。圖10係顯示剝離處理的處理程 序之流程圖。此外，圖11A~圖11E係依照剝離裝置5的剝離動作之說明圖。又，剝離裝置5，係基於控制裝置60之控制，實行圖10所示之各處理程序。
首先，剝離裝置5，係用框保持部120將利用第1搬送裝置30往剝離站15被搬入之重合基板T的切割框F從下方吸住保持(步驟S201)。這時，重合基板T，為僅利用框保持部120被保持之狀態(參照圖11A)。
接著，剝離裝置5係用移動機構123(參照圖6)而使框保持部120降下(步驟S202)。藉此，重合基板T之中的被處理基板W便介著切割膠帶P抵接到第1保持部110(參照圖11B)。之後，剝離裝置5，係採用第1保持部110，將被處理基板W介著切割膠帶P加以吸住保持(步驟S203)。藉此，重合基板T係利用第1保持部110來保持被處理基板W，形成利用框保持部120來保持切割框F之狀態。
之後，剝離裝置5係進行參照圖8A~圖8C說明之剝離誘引處理(步驟S204)。藉此，在重合基板T的側面形成剝離開始部M(參照圖8B)。
接著，剝離裝置5係使第1吸住移動部190的吸住墊191及第2吸住移動部200的吸住墊201降下(步驟S205)。藉此，讓吸住墊191、201抵接到支撐基板S的非接合面Sn(參照圖2)(參照圖11C)。之後，剝離裝置5，係採用第1吸住移動部190及第2吸住移動部200把支撐基板S的非接合面Sn吸住保持(步驟S206)。如上 述方式，第1吸住移動部190，係吸住保持剝離開始部M所對應之支撐基板S的周緣部，第2吸住移動部200則吸住保持支撐基板S的中央部。
接著，剝離裝置5係僅使吸住墊191、201之中的吸住墊191上昇(步驟S207)。亦即，剝離裝置5係拉剝離開始部M所對應之支撐基板S的周緣部。藉此，支撐基板S便從其周緣部向中心部從被處理基板W連續地開始剝離(參照圖11D)。
之後，剝離裝置5係使吸住墊201上昇(步驟S208)。亦即，剝離裝置5係一面拉剝離開始部M所對應之支撐基板S的周緣部，一面進而拉支撐基板S的中央部。藉此，支撐基板S從被處理基板W剝離(參照圖11E)。
之後，剝離裝置5，係藉由僅使第2吸住移動部200上昇，或者，僅使第1吸住移動部190降下而將支撐基板S做成水平，使銳利構件171後退，結束剝離處理。
以此方式，關於第1實施型態之剝離裝置5，係於第1吸住移動部190讓支撐基板S的周緣部往離開被處理基板W板面之方向移動之後，使第2吸住移動部200讓支撐基板S的中央部往離開被處理基板W板面之方向移動。
藉此，能夠不對支撐基板S施加大的負荷，而將重合基板T剝離成支撐基板S與被處理基板W。
亦即，以例如日本專利特表2007-526628號公報所記載之技術之方式，藉由以重合基板的一方的周緣部當作支點對另一方的周緣部施加拉力而將重合基板剝離之場合，其問題在於隨著剝離的進展使支撐基板大大地卷曲。相對於此，利用剝離裝置5，能夠藉由採用吸住保持支撐基板S的周緣部之第1吸住移動部190、與吸住保持支撐基板S的中央部之第2吸住移動部200來進行剝離動作，以抑制支撐基板S的變形且讓剝離進展。
此外，利用剝離裝置5，相較於僅採用第1吸住移動部190之場合，能夠於較短時間下剝離重合基板T。
又，剝離裝置5，在被處理基板W與支撐基板S剝離之後，也可以用旋轉昇降機構140使第1保持部110及框保持部120旋轉。藉此，假設在跨及支撐基板S與被處理基板W貼上之接著劑G存在之場合下，也可以扭斷這樣的接著劑G。
剝離裝置5在結束剝離處理時，第3搬送裝置50(參照圖1)係從剝離裝置5接收剝離後的支撐基板S，將已接收的支撐基板S載置往第2洗淨站22(參照圖1)之第2洗淨裝置。
在此，剝離後的支撐基板S，係利用第1吸住移動部190及第2吸住移動部200形成非接合面Sn側被保持之狀態，第3搬送裝置50則將支撐基板S的接合面Sj側從下方以非接觸之方式予以保持。以此方式，第2保 持部150之功能也可當作將剝離後的支撐基板S往第3搬送裝置50移轉之移轉部。於第1實施型態，由於第2吸住移動部200吸住支撐基板S的中央部，而能夠安定、保持著剝離後的支撐基板S。
此外，第1搬送裝置30(參照圖1)，係從剝離裝置5搬出剝離後的被處理基板W，並往第1洗淨站16搬送。此時，剝離後的被處理基板W，如圖11E所示，於應該洗淨的接合面Wj的位置朝上面之狀態下，被保持在第1保持部110。因此，第1搬送裝置30，在從剝離裝置5搬出剝離後的被處理基板W之後，可以不使這樣的被處理基板W反轉而直接往第1洗淨站16搬送。
以此方式，於剝離裝置5，由於第1保持部110從下方保持被處理基板W、第2保持部150則從上方保持重合基板T之中的支撐基板S，所以，能夠沒有必要使剝離後的被處理基板W反轉，而使剝離處理有效率化。
<2-2、第1洗淨裝置之構成>
其次，針對第1洗淨裝置之構成參照圖12A~圖12C並加以說明。圖12A以及圖12B係顯示第1洗淨裝置構成之模式側視圖。此外，圖12C係顯示洗淨治具構成之模式平面圖。
如圖12A所示，第1洗淨裝置70係具有處理容器71。在處理容器71的側面，被形成被處理基板W之 搬出入口(未圖示)，在這樣的搬出入口設置開閉快門(未圖示)。又，在處理容器71內設置供清淨化內部氛圍用之過濾器(未圖示)。
在處理容器71內的中央部，配置基板保持部72。基板保持部72，係具有切割框F及將被處理基板W予以保持並使之旋轉之轉盤(Spin Chuck)721。
轉盤721具有水平的上面，在該上面設有例如抽吸切割膠帶P的抽吸口(未圖示)。於是利用來自抽吸口的抽吸，可以介著切割膠帶P將被處理基板W吸住保持在轉盤721上。此時，被處理基板W係以其接合面Wj朝向上方之方式被吸住保持在轉盤721。
在轉盤721的下方，配置具備例如馬達等的吸盤驅動部722。轉盤721，係利用吸盤驅動部722依特定的速度旋轉。此外，吸盤驅動部722係具備例如汽缸(cylinder)等昇降驅動源，利用這樣的昇降驅動源來使轉盤721昇降。
在基板保持部72的周圍，配置接住從被處理基板W飛散或落下的液體，且將之進行回收的杯723。在該杯723的下面，接續進行排出已回收的液體之排出管724，與將杯723內的氛圍進行排氣的排氣管725。
在基板保持部72的上方，配置供洗淨被處理基板W的接合面Wj用之洗淨治具73。洗淨治具73，係被配置相對向於被保持在基板保持部72之被處理基板W。在此，針對洗淨治具73之構成參照圖12B及圖12C 加以說明。
如圖12B及圖12C所示，洗淨治具73係具有略圓板形狀。在洗淨治具73的下面，以至少覆蓋被處理基板W的接合面Wj之方式形成供給面731。又，在本實施型態，供給面731之大小係被形成與被處理基板W的接合面Wj大致相同。
在洗淨治具73的中央部，係設置對供給面731及接合面Wj間供給接著劑G的溶劑、例如稀釋劑(thinner)之溶劑供給部74，供給溶劑的沖洗液之沖洗液供給部75，與供給非活性氣體、例如氮氣之非活性氣體供給部76。溶劑供給部74、沖洗液供給部75、非活性氣體供給部76係在洗淨治具73的內部合流，連通到被形成在洗淨治具73的供給面731之供給口732。亦即，從溶劑供給部74到供給口732之溶劑的流路、從沖洗液供給部75到供給口732之沖洗液的流路、從非活性氣體供給部76到供給口732之非活性氣體的流路，係分別貫通於洗淨治具73的厚度方向。又，沖洗液則因應接著劑G的主溶媒的成分而使用不同的液體，例如使用純水或IPA(異丙醇；isopropyl alcohol)。此外，為了促進沖洗液的乾燥，沖洗液最好是使用揮發性較高的液體。
在溶劑供給部74，接續著連通到在內部貯留溶劑的溶劑供給源741之供給管742。在供給管742，設置包含控制溶劑的流動的閥或流量調節部等之供給機器群743。在沖洗液供給部75，接續著連通到在內部貯留沖洗 液的沖洗液供給源751之供給管752。在供給管752，設置包含控制沖洗液的流動的閥與流量調節部等之供給機器群753。在非活性氣體供給部76，接續著連通到在內部貯留非活性氣體的非活性氣體供給源761之供給管762。在供給管762，設置包含控制溶劑的流動的閥或流量調節部等之供給機器群763。
在洗淨治具73的外周部，設置供抽吸供給面731與接合面Wj之間的間隙的溶劑或沖洗液用之抽吸部77。抽吸部77係被設置貫通於洗淨治具73的厚度方向。此外，抽吸部77係在跟洗淨治具73同一圓周上等間隔地被配置在複數處、例如8處(參照圖12C)。在各抽吸部77，接續著連通到例如真空泵等負壓產生裝置771之吸氣管772。
如圖12A所示，在處理容器71的天井面之洗淨治具73的上方，設置使洗淨治具73在鉛直方向及水平方向移動之移動機構78。移動機構78，係具有支撐洗淨治具73之支撐構件781，與供支撐支撐構件781、使洗淨治具73在鉛直方向及水平方向移動用之治具驅動部782。
第1搬送裝置30，係藉由利用剝離裝置5的框保持部120(參照圖6)將從下方被保持之切割框F從上方加以保持，將剝離後的被處理基板W加以保持。然後，第1搬送裝置30係將保持之被處理基板W載置於第1洗淨裝置70之轉盤721上。藉此，剝離後的被處理基 板W，係於接合面Wj的位置位在上面之狀態下被載置在轉盤721上。
然後，第1洗淨裝置70，係基於控制裝置60的控制，進行被載置在基板保持部72上的被處理基板W之洗淨處理(第1洗淨處理)。
第1洗淨處理70，首先，用轉盤721，介著切割膠帶P吸住保持被處理基板W及切割框F。接著，第1洗淨裝置70，在利用移動機構78調整洗淨治具73水平方向的位置之後，使洗淨治具73下降到指定的位置。此時，洗淨治具73的供給面731與被處理基板W的接合面Wj之間的距離，係被設定成以後述方式在供給面731及接合面Wj間，能夠讓接著劑G的溶劑利用表面張力而擴散之距離。
之後，第1洗淨裝置70，係邊利用轉盤721使被處理基板W旋轉，邊從溶劑供給源741將溶劑供給到溶劑供給部74。這樣的溶劑，係從供給口732被供給到供給面731及接合面Wj間之空間，在該空間利用溶劑的表面張力與被處理基板W的旋轉所形成之離心力，擴散於被處理基板W的接合面Wj上。此時，第1洗淨裝置70，係做成藉由利用抽吸部77適當抽吸溶劑，讓溶劑不會流入切割膠帶P上。藉此，能夠防止切割膠帶P的強度因溶劑而減弱之情事。這樣一來，可以把溶劑供給到被處理基板W的接合面Wj的全面。
之後，第1洗淨裝置70，係將被處理基板W 的接合面Wj浸在溶劑之狀態維持指定的時間，例如數分鐘。如此一來，殘留在接合面Wj之接著劑G等不純物可利用溶劑而被除去。
之後，第1洗淨裝置70，在利用轉盤721使被處理基板W旋轉時，於利用抽吸部77持續進行抽吸溶劑之狀態下，使洗淨治具73上昇到指定的位置。接著，第1洗淨裝置70，係從沖洗液供給源751將沖洗液供給到沖洗液供給部75。沖洗液，係與溶劑被混合、且利用表面張力與離心力擴散於被處理基板W的接合面Wj上。藉此，溶劑與沖洗液之混合液會被供給到被處理基板W的接合面Wj的全面。
之後，在利用轉盤721使被處理基板W旋轉時，於持續進行抽吸部77所形成的抽吸之狀態下，使洗淨治具73下降到指定的位置。然後，從非活性氣體供給源761介著非活性氣體供給部76及供給口732供給非活性氣體。非活性氣體，係將溶劑與沖洗液之混合液往被處理基板W的外方沖走。藉此，溶劑與沖洗液之混合液，係由抽吸部77被抽吸，將混合液從被處理基板W的接合面Wj除去。
之後，第1洗淨裝置70，係藉由在利用轉盤721使被處理基板W旋轉時，持續進行非活性氣體的供給，使被處理基板W乾燥。藉此，被處理基板W之洗淨處理(第1洗淨處理)結束。洗淨後的被處理基板W，係利用第1搬送裝置30從第1洗淨裝置70被搬出，往搬出入 站11之匣Cw被搬送。
<2-3、第3搬送裝置之構成>
其次，針對被設置在移轉站21之第3搬送裝置50之構成參照圖13加以說明。圖13係顯示第3搬送裝置50的構成之模式側視圖。
如圖13所示，第3搬送裝置50係具備保持被處理基板W之白努利吸盤(Bernoulli chuck)51。白努利吸盤51，係從被設在吸住面之噴射口使氣體向被處理基板W的板面噴射，因應吸住面與被處理基板W板面之間隔改變氣體的流速，利用隨之變化的負壓而讓被處理基板W於非接觸狀態下加以保持。
此外，第3搬送裝置50係具備第1臂52、第2臂53、與基部54。第1臂52係在水平方向延伸，在前端部支撐白努利吸盤51。第2臂53係在鉛直方向延伸，在前端部支撐第1臂52的基端部。可以在這樣的第2臂53的前端部，設置使第1臂52繞水平軸旋轉之驅動機構，藉由用這樣的驅動機構使第1臂52繞水平軸旋轉，使白努利吸盤51反轉。
第2臂53的基端部係利用基部54而被支撐。在基部54，係設置使第2臂53旋轉及昇降之驅動機構。可以藉由用這樣的驅動機構使第2臂53旋轉或昇降，使白努利吸盤51繞鉛直軸回旋或昇降。
第3搬送裝置50係如上述方式被構成，基於 控制裝置60的控制，進行把剝離後的支撐基板S從剝離裝置5接收後往第2洗淨裝置80移交之移轉處理。
具體而言，第3搬送裝置50係採用白努利吸盤51，利用剝離裝置5的第1保持部110將從上方被保持之支撐基板S從下方加以保持。藉此，支撐基板S，讓非接合面Sn於朝向上方之狀態下被保持在白努利吸盤51。接著，第3搬送裝置50，係藉由使第2臂53在鉛直軸周圍旋轉而使白努利吸盤51回旋。藉此，讓被保持在白努利吸盤51之支撐基板S從剝離站15經由移轉站21而往第2洗淨站22移動。
接著，第3搬送裝置50，係藉由使第1臂52在水平軸周圍旋轉而使白努利吸盤51反轉。藉此，使支撐基板S形成非接合面Sn朝向下方之狀態。然後，第3搬送裝置50，係藉由使第2臂53降下而使白努利吸盤51降下，並將被保持在白努利吸盤51之支撐基板S往第2洗淨裝置載置。藉此，支撐基板S，係於接合面Sj朝向上方之狀態下往第2洗淨裝置被載置，利用第2洗淨裝置來洗淨接合面Sj。
<2-4、第2洗淨裝置之構成>
其次，針對被設置在第2洗淨站22之第2洗淨裝置之構成參照圖14A及圖14B加以說明。圖14A係顯示第2洗淨裝置構成之模式側視圖；圖14B係顯示第2洗淨裝置構成之模式平面圖。
如圖14A所示，第2洗淨裝置80係具有處理容器81。在處理容器81的側面，被形成支撐基板S之搬出入口(未圖示)，在該搬出入口設有開關快門(未圖示)。
在處理容器81內的中央部，設有保持支撐基板S使其旋轉的轉盤82。轉盤82具有水平的上面，在該上面設有抽吸支撐基板S的抽吸口(未圖示)。利用來自該抽吸口的抽吸，讓支撐基板S於轉盤82上被吸住保持。
在轉盤82的下方，配置具備例如馬達等的吸盤驅動部83。吸盤驅動部83，係使轉盤82依特定的速度旋轉。此外，在吸盤驅動部83，設著例如汽缸等昇降驅動源，使轉盤82可以自由昇降。
在轉盤82的周圍，配置接住從支撐基板S飛散或落下的液體且將之進行回收的杯84。在杯84的下面，接續著進行排出已回收的液體之排出管841，與將杯84內的氛圍抽真空並進行排氣的排氣管842。
如圖14B所示，在處理容器81設置軌道85，在這樣的軌道85安裝臂86的基端部。此外，在臂86的前端部，支撐對支撐基板S供給洗淨液，例如有機溶劑之洗淨液噴嘴87。
臂86係利用噴嘴驅動部861可以自由移動於軌道85上。藉此，洗淨液噴嘴87係能夠從被設置在杯84的側方之待機部88移動到杯84內的支撐基板S的中心部上方，進而可以在支撐基板S的徑長方向移動於支撐基板S上。此外，臂86，係利用噴嘴驅動部861而可以 自由昇降，藉此，能夠調節洗淨液噴嘴87的高度。
在洗淨液噴嘴87，如圖14A所示，接續對洗淨液噴嘴87供給洗淨液之供給管891。供給管891，係連通著在內部貯留洗淨液之洗淨液供給源892。在供給管891，設有包含控制洗淨液的流動之閥或流量調節部等之供給機器群893。
第2洗淨裝置80係以上述方式被構成，基於控制裝置60的控制，進行利用第3搬送裝置50被搬送的支撐基板S之洗淨處理(第2洗淨處理)。
具體而言，剝離後的支撐基板S，係利用第3搬送裝置50於將接合面Sj朝向上方之狀態下被載置在第2洗淨裝置80的轉盤82。第2洗淨裝置80，在用轉盤82吸住保持支撐基板S後，使轉盤82下降到指定的位置。接著，利用臂86使待機部88的洗淨液噴嘴87移動直到支撐基板S的中心部的上方。其後，邊利用轉盤82使支撐基板S旋轉，邊由洗淨液噴嘴87對支撐基板S的接合面Sj供給洗淨液。被供給的洗淨液利用離心力被擴散到支撐基板S的接合面Sj的全面，讓接合面Sj被洗淨。
洗淨後的支撐基板S，係利用第2搬送裝置40從第2洗淨裝置80被搬出、被收容在搬出站24的匣Cs。
又，在轉盤82的下方，亦可設置供把支撐基板S從下方支撐使之昇降用的昇降銷(未圖示)。這樣的場合，昇降銷係插通被形成在轉盤82的貫通孔(未圖示)， 成為可以從轉盤82的上面突出。然後，取代使轉盤82昇降而使昇降銷昇降，在與轉盤82之間進行支撐基板S之移轉。
此外，在第2洗淨裝置80，在轉盤82的下方，亦可設置朝向支撐基板S的裡面、亦即非接合面Sn(參照圖2)噴射洗淨液之背後沖洗噴嘴(未圖示)。利用由此背後沖洗噴嘴所噴射的洗淨液，洗淨支撐基板S的非接合面Sn與支撐基板S的外周部。
如上述方式，關於第1實施型態之剝離裝置5係具備第1保持部110、第2保持部150、與剝離誘引部170。第1保持部110，係保持被處理基板W(第1基板之一例)和支撐基板S(第2基板之一例)被接合的重合基板T之中的被處理基板W。第2保持部150，係保持重合基板T之中的支撐基板S，使支撐基板S往離開被處理基板W板面的方向移動。剝離誘引部170，係將支撐基板S從被處理基板W被剝下的開端之剝離開始部M形成在重合基板T的側面。
接著，關於第1實施型態之剝離裝置5方面，第2保持部150具備第1吸住移動部190、與第2吸住移動部200。第1吸住移動部190，係吸住剝離開始部M所對應之支撐基板S的周緣部，使該周緣部往離開被處理基板W板面的方向移動。此外，第2吸住移動部200，係吸住支撐基板S的中央部，使該中央部往離開被處理基板W板面的方向移動。從而，根據關於第1實施型態之 剝離裝置5，能夠謀求剝離處理有效率化。此外，根據關於第1實施型態之剝離裝置5，可以不對支撐基板S施加大的負荷，而將重合基板T剝離成支撐基板S與被處理基板W。進而，可以將重合基板T於短時間下加以剝離。
此外，關於第1實施型態之剝離裝置5方面，剝離誘引部170是具備銳利構件171，與使銳利構件171向重合基板T側面之中，支撐基板S之被處理基板W和支撐基板S之接合部分的偏接著劑G的側面進行移動之移動機構172。此外，可以使銳利構件171接觸到被處理基板W讓被處理基板W損傷之可能性也降低。
然而，第2保持部之構成，並不受限定於第1實施型態所示之構成。於是，以下，針對第2保持部的變形例參照圖15A及圖15B加以說明。圖15A及圖15B係顯示第2保持部的變形例之模式平面圖。
上述之第1實施型態，例示第2吸住移動部吸住保持支撐基板S的中央部之場合，但是，第2吸住移動部所吸住保持之領域，也可以是比支撐基板S的中央部還稍微偏第1吸住移動部的吸住墊之領域。
例如，亦可以圖15A所示方式，吸住墊201A，讓其中心c1位於比支撐基板S的中心c2還偏吸住墊191，並且，在其吸住領域內吸住支撐基板S的中心c2所包含的領域。
藉由以此方式，將比支撐基板S的中央部還稍微偏吸住墊191之領域，亦即，剝離的進行方向這邊的 領域加以吸住並用力拉，能夠有效率地剝離大的拉力為必要之支撐基板S的中央部。
此外，第2保持部也可以是具備複數個第2吸住移動部之構成。例如，如圖15B所示，第2保持部進而具備吸住墊211。吸住墊211係被配置在吸住墊191與吸住墊201之間，與吸住墊191、201同樣地，介著支柱構件被接續在移動機構。
以此方式，藉由具備複數個第2吸住移動部，相較於第2吸住移動部為1個之場合，較能將重合基板T於更短時間下予以剝離。
又，吸住墊211的吸住面積，係比被設在剝離進行方向的基端側之吸住墊191還大，但比被設在剝離進行方向的前端側之吸住墊201還小。亦即，吸住墊191、201、211之吸住面積是以被設在剝離進行方向的前端側者為限度被大大地形成。
(第2實施型態)
剝離裝置，也可以進而具備計測銳利構件171的高度位置之計測部。以下，針對這樣的場合之例加以說明。圖16係圖示依照計測部的計測處理之動作例。
如圖16所示，關於第2實施型態之剝離裝置5B，係在關於第1實施型態之剝離裝置5所具備之各構成要素，加上，進而具備計測部310。
計測部310係例如雷射變位計，被設在例如 上側基部230。這樣的計測部310，係計測從指定的測定基準位置到第1保持部110的保持面之距離或者到測定基準位置和第1保持部110的保持面之間所介在的物體之距離。
依照計測部310之計測結果係往控制裝置60(參照圖1)被傳送。控制裝置60，係在未圖示的記憶部記憶有關利用外部裝置事先被取得的重合基板T的厚度之資訊(以下，記載為「事前厚度資訊」)。這樣的事前厚度資訊，係包含重合基板T的厚度、被處理基板W的厚度、支撐基板S的厚度、接著劑G的厚度以及切割膠帶P的厚度。
控制裝置60，係基於從計測部310取得之計測結果、與被記憶在記憶部之事前厚度資訊，以讓銳利構件171抵接到支撐基板S的偏接著劑G的側面之方式來決定銳利構件171的高度位置。然後，控制裝置60，係以讓銳利構件171的前端位於已決定的高度位置之方式控制位置調整部180並使剝離誘引部170移動。
在此，針對剝離誘引部170的位置調整處理的內容具體地加以說明。首先，剝離裝置5B，係採用計測部310來計測到第1保持部110的保持面之距離D1。此時，剝離裝置5B係重合基板T為尚未被搬入之狀態。
又，圖16所示之重合基板T的厚度D4、被處理基板W的厚度D4w、接著劑G的厚度D4g、支撐基板S的厚度D4s以及切割膠帶P的厚度D4p，係當作事前 厚度資訊而被記憶在控制裝置60的記憶部之資訊。
接著，剝離裝置5B，係在將重合基板T及切割框F採用第1保持部110及框保持部120加以吸住保持之後，進行計測到利用第1保持部110被吸住保持之重合基板T的上面，亦即支撐基板S的非接合面Sn之距離D2。這樣的計測結果係往控制裝置60被傳送。控制裝置60，係判定由計測部310的計測結果被算出的重合基板T的厚度(D1-D2)、與事前厚度資訊所包含之重合基板T的厚度(D4)之差是否於指定範圍內。
在此，在由計測部310的計測結果被算出之重合基板T的厚度(D1-D2)、與事前厚度資訊所示的厚度(D4)之誤差超過指定範圍之場合下，跟例如本來應該被搬入的重合基板T相異之重合基板T被錯誤搬入之可能性是有的。在此類之場合下，並無法使銳利構件171適切地抵接到支撐基板S的偏接著劑G的側面，隨場合之不同，而有銳利構件171接觸到被處理基板W讓被處理基板W損傷之疑慮。
因此，在採用計測部310的計測結果被算出的重合基板T的厚度、與事前厚度資訊所包含的重合基板T的厚度之誤差超過指定範圍之場合下，剝離裝置5B係中止之後的處理。
另一方面，在與事前厚度資訊之誤差為指定範圍內之場合，控制裝置60，係基於事前厚度資訊來算出支撐基板S的偏接著劑G的側面的範圍，亦即，從支 撐基板S厚度的一半的位置到接合面Sj的高度範圍。具體而言，使支撐基板S的偏接著劑G的側面的範圍為D2+D4s/2~D2+D4s。然後，控制裝置60係在這樣的高度範圍內決定銳利構件171的高度位置。
在利用控制裝置60來決定剝離誘引部170的切入位置時，剝離裝置5B，係基於控制裝置60的控制，藉由採用位置調整部180使剝離誘引部170移動來調整銳利構件171的高度位置。
以此方式，關於第2實施型態之剝離裝置5B係具備計測部310、與位置調整部180。計測部310，係計測從指定的測定基準位置到第1保持部110的保持面之距離或者到測定基準位置和第1保持部110的保持面之間所介在的物體之距離。位置調整部180，係基於計測部310的計測結果、與有關事先被取得的重合基板T的厚度之資訊，進行調整銳利構件171之往支撐基板S的抵接位置。藉此，能夠使銳利構件171對支撐基板S的偏接著劑G的側面精確度佳地抵接。
又，剝離裝置5B，也可以採用計測部310進行診斷銳利構件171有無損傷。這樣的場合，剝離裝置5B，係邊採用移動機構172使銳利構件171往水平方向移動，邊採用計測部310進行計測到銳利構件171的上面之距離，將計測結果往控制裝置60傳送。控制裝置60，在例如到銳利構件171上面的距離之變化率超過指定範圍之場合，或者，跟採用新的銳利構件171已事先計測的基準 距離之誤差超過指定範圍之場合下，判定為銳利構件171損傷。
在被判定銳利構件171損傷之場合，剝離裝置5B係中止之後的處理。藉此，對於藉由採用已損傷的銳利構件171進行剝離誘引處理，使支撐基板S損傷或傷刃造成微粒的發生，能夠防範於未然。
(其他實施形態)
上述以來之各實施型態，係針對成為剝離對象之重合基板是被處理基板W與支撐基板S利用接著劑G被接合之重合基板T之場合之例加以說明。但是，剝離裝置之成為剝離對象的重合基板並不受限定於該重合基板T。例如，上述以來之各實施型態的剝離裝置方面，為了生成SOI基板，也可能以絕緣膜被形成的施體基板與被處理基板被黏合的重合基板作為剝離對象。
在此，針對SOI基板之製造方法參照圖17A及圖17B加以說明。圖17A及圖17B係顯示SOI基板的製造步驟之模式圖。如圖17A所示，供形成SOI基板用之重合基板Ta，係藉由接合施體基板K與手柄基板H而被形成。
施體基板K，係一種基板，在表面被形成絕緣膜6，而且，在和手柄基板H接合一方的表面附近的特定深度被形成氫離子注入層7之基板。此外，作為手柄基板H，可以採用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶石基板等。
關於上述以來之各實施型態的剝離裝置，例如，係於以第1保持部保持施體基板K、以第2保持部保持手柄基板H之狀態下，藉由用力拉重合基板Ta的周緣部，而對在施體基板K被形成的氫離子注入層7帶來機械性的衝擊。藉此，如圖17B所示，氫離子注入層7內的矽-矽結合會被切斷，讓矽層8從施體基板K剝離。結果，讓絕緣膜6與矽層8被轉寫到手柄基板H的上面，形成SOI基板Wa。又，最好是以第1保持部保持施體基板K、以第2保持部保持手柄基板H，但，也可以是以第1保持部保持手柄基板H、以第2保持部保持施體基板K。
此外，上述之實施型態係針對採用接著劑G來接合被處理基板W與支撐基板S之場合之例加以說明，但，也可以把接合面Wj、Sj分成複數領域、每一領域都塗布不同接著力之接著劑。
此外，上述之實施型態係例示第2保持部是將重合基板T從上方保持之場合，但，第2保持部也可以是將重合基板T從下方保持。
此外，上述之實施型態係針對重合基板T被保持在切割框F之場合之例加以說明，但，重合基板T並未必一定要被保持在切割框F。
額外的效果或變形例是能夠由該業者容易導出的。因此，本發明之更廣泛的型態並不受限定於以以上方式表示或記述之特定的說明及代表性的實施型態。從而，在不逸脫根據添附的專利申請範圍及其均等物所定義 之總括的發明概念的精神或範圍，是有種種的變更之可能。
101‧‧‧固定構件
102‧‧‧支柱
110‧‧‧第1保持部
120‧‧‧框保持部
150‧‧‧第2保持部
160‧‧‧上側基部
170‧‧‧剝離誘引部
171‧‧‧銳利構件
172‧‧‧移動機構
180‧‧‧位置調整部
190‧‧‧第1吸住移動部
191‧‧‧吸住墊
192‧‧‧支柱構件
193‧‧‧移動機構
200‧‧‧第2吸住移動部
201‧‧‧吸住墊
202‧‧‧支柱構件
203‧‧‧移動機構
F‧‧‧切割框(dicing frame)
G‧‧‧接著劑
P‧‧‧切割膠帶(dicing tape)
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理

Claims (12)

  1. 一種剝離裝置，其特徵係具備：第1基板與第2基板被接合的重合基板之中、保持前述第1基板之第1保持部，前述重合基板之中、保持前述第2基板、使該第2基板往離開前述第1基板板面的方向移動之第2保持部，與將成為前述第2基板從前述第1基板被剝下的開端之部位形成在前述重合基板的側面之剝離誘引部；前述第2保持部係具備：將前述部位所對應的前述第2基板的周緣部吸住、使該周緣部往離開前述第1基板板面的方向移動之第1吸住移動部，與將比前述周緣部還偏前述第2基板的中央部之領域吸住、使該領域往離開前述第1基板板面的方向移動之第2吸住移動部。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之剝離裝置，其中前述第1吸住移動部，其吸住面積是小於前述第2吸住移動部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項記載之剝離裝置，其中於前述第1吸住移動部使前述第2基板的周緣部往離開前述第1基板板面的方向移動之後，前述第2吸住移動部使比前述周緣部更偏前述第2基板的中央部之領域往離開前述第1基板板面的方向移動。
  4. 如申請專利範圍第1或2項記載之剝離裝置，其中前述第2吸住移動部係吸住前述第2基板的中央部。
  5. 如申請專利範圍第1或2項記載之剝離裝置，其中前述第1吸住移動部係讓前述第2基板的外緣所對應之部分沿著該外緣形成弧狀。
  6. 如申請專利範圍第1或2項記載之剝離裝置，其中前述剝離誘引部係具備銳利構件，與使前述銳利構件向著前述重合基板的側面之中、前述第2基板之偏前述第1基板和前述第2基板的接合部分的側面進行移動之移動機構。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之剝離裝置，其中前述移動機構係於前述銳利構件抵接到前述第2基板的偏前述接合部分的側面後，使前述銳利構件進一步前進。
  8. 如申請專利範圍第6項記載之剝離裝置，其中前述銳利構件係由超硬合金所形成。
  9. 如申請專利範圍第6項記載之剝離裝置，其中進而具備 將從指定的測定基準位置到前述第1保持部的保持面的距離或者到前述測定基準位置和前述保持面之間所介在的物體的距離加以計測之計測部、根據前述計測部的計測結果、與有關事先被取得的前述重合基板的厚度之資訊，來調整前述銳利構件往前述第2基板的抵接位置之位置調整部。
  10. 如申請專利範圍第1或2項記載之剝離裝置，其中進而具備使前述第1保持部旋轉之旋轉機構。
  11. 一種剝離系統，其特徵係具備：載置第1基板和第2基板被接合的重合基板之搬出入站，搬送被載置於前述搬出入站的重合基板之基板搬送裝置，與設置剝離裝置將利用前述基板搬送裝置被搬送的重合基板剝離成前述第1基板和前述第2基板之剝離站；前述剝離裝置係具備：前述重合基板之中、保持前述第1基板之第1保持部，前述重合基板之中、保持前述第2基板、使該第2基板往離開前述第1基板板面的方向移動之第2保持部，與將前述第2基板從前述第1基板被剝下的開端之部位形成在前述重合基板的側面之剝離誘引部；前述第2保持部係具備：吸住前述部位所對應之前述第2基板的周緣部，使該 周緣部往離開前述第1基板板面的方向移動之第1吸住移動部，與吸住比前述周緣部更偏前述第2基板的中央部之領域，使該領域往離開前述第1基板板面的方向移動之第2吸住移動部。
  12. 一種剝離方法，其特徵係包含：利用保持第1基板和第2基板被接合的重合基板之中的前述第1基板之第1保持部，保持前述重合基板之中的前述第1基板之第1保持步驟，利用將前述第2基板從前述第1基板被剝下的開端之部位形成在前述重合基板的側面之剝離誘引部，將前述部位形成在前述重合基板的側面之剝離誘引步驟，利用吸住前述部位所對應的前述第2基板的周緣部，使該周緣部往離開前述第1基板板面的方向移動之第1吸住移動部，使前述周緣部往離開前述第1基板板面的方向移動之第1吸住移動步驟，與利用吸住比前述周緣部更偏前述第2基板的中央部之領域，使該領域往離開前述第1基板板面的方向移動之第2吸住移動部，使前述領域往離開前述第1基板板面的方向移動之第2吸住移動步驟。
TW102143220A 2012-12-04 2013-11-27 Stripping device and stripping system TWI547376B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012265402A JP6014477B2 (ja) 2012-12-04 2012-12-04 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201437029A true TW201437029A (zh) 2014-10-01
TWI547376B TWI547376B (zh) 2016-09-01

Family

ID=50824276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102143220A TWI547376B (zh) 2012-12-04 2013-11-27 Stripping device and stripping system

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140150981A1 (zh)
JP (1) JP6014477B2 (zh)
KR (1) KR101922262B1 (zh)
TW (1) TWI547376B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104589778A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 明基材料有限公司 膜片分离装置及膜片分离方法
TWI707421B (zh) * 2016-07-19 2020-10-11 日商東京應化工業股份有限公司 支持體分離裝置以及支持體分離方法
TWI709492B (zh) * 2019-11-22 2020-11-11 辛耘企業股份有限公司 剝離裝置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112009001652T5 (de) 2008-07-08 2012-01-12 Chiaro Technologies, Inc. Mehrkanal-Erfassung
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
JP5701465B2 (ja) * 2012-12-21 2015-04-15 株式会社新川 フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法
CN103280423A (zh) * 2013-05-29 2013-09-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺及系统
KR102076569B1 (ko) * 2013-07-01 2020-02-13 에이지씨 가부시키가이샤 박리 기점 작성 장치 및 방법
JP6246605B2 (ja) * 2014-01-28 2017-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법
JP6145415B2 (ja) * 2014-02-27 2017-06-14 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
US9562760B2 (en) 2014-03-10 2017-02-07 Cognex Corporation Spatially self-similar patterned illumination for depth imaging
US9815091B2 (en) * 2014-06-19 2017-11-14 Applied Materials, Inc. Roll to roll wafer backside particle and contamination removal
JP6371735B2 (ja) 2015-04-20 2018-08-08 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
CN104932125B (zh) * 2015-06-12 2017-11-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种液晶显示器拆解装置
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
JP6730879B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-29 株式会社ディスコ 剥離方法及び剥離装置
US10242863B2 (en) * 2016-10-03 2019-03-26 WET Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN106392595B (zh) * 2016-10-28 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示模组的拆解机构及拆解装置
US10374161B2 (en) * 2017-08-16 2019-08-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Glass substrate separation method and glass substrate separation device
CN109635619B (zh) 2017-08-19 2021-08-31 康耐视公司 用于三维重建的结构化光图案的编码距离拓扑
EP3444782B1 (en) 2017-08-19 2022-03-30 Cognex Corporation Coding distance topologies for structured light patterns for 3d reconstruction
CN108454995A (zh) * 2018-04-12 2018-08-28 格润智能光伏南通有限公司 一种撕膜机
CN109031715B (zh) * 2018-08-03 2021-07-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种剥离cvd机台内玻璃基板的方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268051A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
JP3656254B2 (ja) * 1994-02-28 2005-06-08 三菱住友シリコン株式会社 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置
JPH0890454A (ja) * 1994-09-21 1996-04-09 Yamada Juki:Kk 衝撃作業機用先端工具、および衝撃作業機
JPH10244545A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Canon Inc 離型方法及び離型装置
JP4311702B2 (ja) * 1999-12-08 2009-08-12 キヤノン株式会社 複合部材の分離方法及び薄膜の製造方法
US6415843B1 (en) * 2001-01-10 2002-07-09 Anadigics, Inc. Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
FR2834381B1 (fr) * 2002-01-03 2004-02-27 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
JP2008306119A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Lintec Corp 分離装置及び分離方法
JP2009224437A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Seiko Epson Corp 薄膜電子デバイスの製造装置及び薄膜電子デバイスの製造方法
CN102202994B (zh) * 2009-08-31 2014-03-12 旭硝子株式会社 剥离装置
KR101695289B1 (ko) * 2010-04-30 2017-01-16 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법
JP5455987B2 (ja) * 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2012139627A1 (de) * 2011-04-11 2012-10-18 Ev Group E. Thallner Gmbh Biegsame trägerhalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines trägersubstrats
US8470129B1 (en) * 2012-05-08 2013-06-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and machine for separating liquid crystal panel and liner pad
JP6120748B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102064405B1 (ko) * 2014-02-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 기판 박리 장치 및 그것을 이용한 기판 박리 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104589778A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 明基材料有限公司 膜片分离装置及膜片分离方法
CN104589778B (zh) * 2014-12-31 2017-02-22 明基材料有限公司 膜片分离装置及膜片分离方法
TWI707421B (zh) * 2016-07-19 2020-10-11 日商東京應化工業股份有限公司 支持體分離裝置以及支持體分離方法
TWI709492B (zh) * 2019-11-22 2020-11-11 辛耘企業股份有限公司 剝離裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101922262B1 (ko) 2018-11-26
TWI547376B (zh) 2016-09-01
JP6014477B2 (ja) 2016-10-25
US20140150981A1 (en) 2014-06-05
JP2014110388A (ja) 2014-06-12
KR20140071900A (ko) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI547376B (zh) Stripping device and stripping system
TWI600054B (zh) Stripping device, stripping system and stripping method
KR102007042B1 (ko) 박리 장치
KR101847661B1 (ko) 박리 시스템
JP6064015B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6283573B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102007041B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법
JP2014165281A (ja) 洗浄装置、洗浄方法および剥離システム
JP5875962B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5850814B2 (ja) 剥離システム
JP6228508B2 (ja) 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014060348A (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6122790B2 (ja) 剥離装置および剥離システム
JP5808721B2 (ja) 剥離システム
JP6118922B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法