TW201435912A - 用於極紫外線光源的熱監測器 - Google Patents

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Abstract

表示鄰近置設來接收一放大光束之一第一光學元件且與該第一光學元件分別的一元件之一溫度的一第一溫度分佈被取用。所取用的該第一溫度分佈被分析以決定與該元件相關聯之一溫度度量，將所決定的溫度度量與一基準線溫度度量比較，且該放大光束之位置相對於該第一光學元件所需的調整依據比較結果被決定。

Description

用於極紫外線光源的熱監測器
此揭露內容係有關用於一極紫外線(EUV)光源之一熱監測器。
極紫外線(EUV)光，例如具有約為50nm或更小之波長(有時亦稱為軟X射線(soft x-rays))，且包括約為13.5nm之光波長的電磁輻射，可用於光微影程序以在例如矽晶圓之基體中生成極小的形貌體。
產生EUV光之方法包括，但不必然限於，將具有例如氙、鋰或錫有在EUV範圍內之放射線的元素之材料轉換成電漿態。在一通常稱為雷射生成電漿(LPP)之此種方法中，所需電漿可藉由以可稱為一驅動雷射的一放大光束照射靶材來生成，該靶材例如係成材料細滴、串流、或群集形式。就此種程序而言，電漿典型地在例如一真空腔室的一封閉容器中生成，且使用多種類型之度量設備來監測。
在一廣義態樣中，用以相對於極紫外線(EUV)光源中之第一光學元件調整放大光束之位置的方法包括取用表示鄰近該第一光學元件且與其分別之元件的溫度之一第 一溫度分佈。此第一光學元件係設置來接收放大光束。此方法亦包括分析所取用的第一溫度分佈來決定與該元件相關聯之溫度度量，將決定的溫度度量與一基準線溫度度量比較，以及根據此比較之結果決定放大光束之位置相對於第一光學元件的調整。
具現例可包括一或多個以下特徵。可產生表示對 放大光束之位置的所決定調整之指標。此指標可包括供機械耦合至第二光學元件的一致動器用之輸入，此第二光學元件可包括設置來接收放大光束的一作用區域，且供至致動器的輸入可足夠使致動器於至少一方向移動此作用區域。此等輸入可提供給致動器。提供此等輸入給致動器後，與第一光學元件鄰近之該元件的第二溫度分佈可被取用，此第二溫度分佈可被分析以決定溫度度量，且此溫度度量可與第一溫度分佈或基準線溫度度量中的一或多者相比較。
此指標亦可包括供耦合至EUV光源中之第三光 學元件的一第二致動器用的輸入，供至該第二致動器的此等輸入係足夠使第二致動器於至少一方向移動該第三光學元件。第二光學元件的作用區域可包括具有接收放大光束之反射部分的一鏡體，且在移動時，此反射部分相對於第一光學元件改變放大光束的位置。
第一溫度分佈可包括與第一光學元件鄰近之元 件的一部分之溫度，此部分之溫度至少在兩個不同時間量測。第一溫度分佈可包括與第一光學元件鄰近之元件的多 個部分之溫度。多個部分中之每一部分的溫度可至少在兩個不同時間量測。第一溫度分佈可包括表示由熱感測器接收之溫度量測的資料，此等熱感測器機械耦合至與第一光學元件鄰近之元件。第一溫度分佈可包括元件於不同時間量測的多個溫度，且溫度度量可包括該等多個溫度的方差、該等多個溫度的平均、或該等多個溫度中至少二者間的變化率當中的一或多者。
第一光學元件可為放大光束所通過的斂聚透 鏡，且鄰近該斂聚透鏡之該元件可為一鏡罩。
第一溫度分佈可包括在一特定時間於該元件上 的不同位置處量測的多個溫度，且溫度度量可包括該等多個溫度的空間方差(spatial variance)。此第一溫度分佈亦可包括在與第一光學元件鄰近之該元件上的不同位置所量測的該元件之多個溫度。此溫度度量亦可包括在與第一光學元件鄰近之該元件上的不同位置量測的該等多個溫度之一空間方差。此溫度度量可包括表示與第一光學元件鄰近之該元件的量測溫度之一隨時間變化的數值，且將溫度度量與基準線溫度度量比較可包括將該數值與一臨界值比較。
在另一廣義態樣中，一系統包括一熱感測器，此 熱感測器組配來機械耦合至與接收極紫外線(EUV)光源的放大光束之一第一光學元件鄰近之元件，量測該元件之溫度，且產生所量測溫度的一指標。此系統亦包括一控制器，其包括耦合至一非暫時性電腦可讀媒體的一或多個電子處理器，此電腦可讀媒體儲存包括可由此一或多個電子處理 器執行的指令之軟體，指令被執行時會使該一或多個電子處理器接收所產生之量測溫度的指標，且依據所產生之此量測溫度的指標而生成一輸出信號，此輸出信號足以使一致動器移動接收該放大光束的一第二光學元件、且相對於該第一光學元件調整該放大光束的一位置。
具現例可包括一或多個以下特徵。第一光學元件 可為放大光束所通過的一透鏡，鄰近該透鏡的該元件可為鄰近該透鏡的一鏡罩，且熱感測器可組配來安裝至該鏡罩。熱感測器可包括一熱電偶、一熱阻器、或一基於纖維的熱感測器中之一或多個。此第一光學元件可為功率放大器輸出窗、最終焦點旋轉鏡、或空間濾器孔徑之一者。熱感測器可包括多個熱感測器，此第一光學元件可包括在聚焦該放大光束的透鏡下游之一或多個光學元件，且各該一或多個光學元件可耦合至一熱感測器。此一或多個光學元件可為鏡體。
指令亦可包括提供輸出信號給致動器的指令，且 此致動器可組配來耦合至第二光學元件。指令亦可包括執行時會讓控制器進行下列動作的指令：取用一第一溫度分佈，此第一溫度分佈係根據來自熱感測器的元件之量測溫度的指標；分析所取用的溫度分佈以決定與該元件相關聯的溫度度量；將決定的溫度度量與一基準線溫度分佈比較；以及根據比較之結果決定放大光束之一參數的調整。
在另一廣義態樣中，一系統包括接收極紫外光線(EUV)光源之放大光束的一第一光學元件，及鄰近且分別於 該第一光學元件的一元件。此系統亦包括耦合至鄰近該第一光學元件之該元件的一熱系統，且此熱系統包括一或多個溫度感測器，其各與該元件之不同部分相關聯，此一或多個溫度感測器係組配來產生該元件之相關聯部分的量測溫度之指標；及耦合至一第二光學元件的一致動系統，當此第二光學元件移動時，會造成放大光束的一對應移動。 此系統亦包括一控制系統，其連接至該熱系統之輸出及該致動系統之一或多個輸入，且係組配來根據所產生之量測溫度的指標而生成供致動系統輸入用的輸出信號，此輸出信號足夠使一致動器移動第二光學元件，且相對於第一光學元件調整該放大光束的一位置。
上述任何一種技術之具現例可包括一種方法、一 種程序、一種裝置、用以改裝一現有EUV光源之一套件、或一種設備。一或多個具現例之細節會在後附圖式及以下敘述中說明。其他特徵將可從該等敘述及圖式且從申請專利範圍明顯看出。
100‧‧‧光源
105、610‧‧‧標靶位置
107‧‧‧內部
110‧‧‧放大光束
114‧‧‧標靶混合物
115‧‧‧雷射系統
120、240、615‧‧‧光束傳輸系統
122、620‧‧‧焦點總成
124‧‧‧度量系統
125‧‧‧靶材傳遞系統
127‧‧‧靶材供應裝置
130‧‧‧腔室/真空容器
135‧‧‧集光鏡
140、197‧‧‧孔徑
145‧‧‧中間位置
150‧‧‧遮罩
155‧‧‧主控制器
156‧‧‧細滴位置偵測回授系統
157‧‧‧雷射控制系統
158‧‧‧光束控制系統
160‧‧‧成像器
165‧‧‧光源偵測器
175‧‧‧導引雷射
180、605‧‧‧驅動雷射系統
181、182、183‧‧‧放大器
184、191、665‧‧‧光線
185、190、194‧‧‧輸出窗
186、188‧‧‧彎曲鏡
187‧‧‧空間濾器
189、193‧‧‧輸入窗
192‧‧‧摺疊鏡
195‧‧‧輸出光束
210‧‧‧最終焦點總成/最終焦點透鏡總成
212‧‧‧透鏡固持器
214‧‧‧導向鏡
215‧‧‧反射部分
216、221‧‧‧致動器
217‧‧‧固持器
218‧‧‧最終焦點透鏡
220‧‧‧支撐架
228A~228D‧‧‧溫度感測器
234‧‧‧周邊
235、236‧‧‧部分
237‧‧‧內表面
238‧‧‧外表面
241‧‧‧EUV監測模組
242‧‧‧導向模組
243‧‧‧位置
244‧‧‧中心
302~308‧‧‧時間序列
600‧‧‧光束傳遞系統
625‧‧‧放大光束
630、632、638‧‧‧鏡體/光學組件
634‧‧‧導引光學元件/光學組件
640‧‧‧光束擴展系統
650‧‧‧鏡體
655‧‧‧斂聚透鏡
660‧‧‧度量系統
670‧‧‧對準雷射
675‧‧‧檢測裝置
680‧‧‧診斷光束
700‧‧‧系統
710‧‧‧熱感測器
712‧‧‧感測機構
714、744‧‧‧耦合件
716、736、746‧‧‧輸入/輸出介面/I/O介面
718‧‧‧電源模組
720‧‧‧受監測元件
722‧‧‧高功率光學組件
730‧‧‧控制器
732‧‧‧處理器
734‧‧‧電子儲存器
740‧‧‧致動系統
742‧‧‧致動機構
750‧‧‧導向元件
752‧‧‧作用區域
800‧‧‧程序
810~840‧‧‧步驟
圖1A係為一雷射生成電漿極紫外光線光源的一方塊圖。
圖1B係為可使用在圖1A之光源中的一範例驅動雷射系統之一方塊圖。
圖2A係為圖1A之光源的範例具現例之一側視圖。
圖2B係為沿線2B-2B取得之圖2A的鏡罩之一前 視圖。
圖3A及3B係為作為時間的函數之量測溫度的範例。
圖4A係為有一未對準放大光束之圖2A的光源之範例具現例的一側視圖。
圖4B係為圖4A之最終焦點透鏡的一前視圖。
圖5A係為有一對準放大光束之圖2A的光源之範例具現例的一側視圖。
圖5B係為圖5A之最終焦點透鏡的一前視圖。
圖6係為一範例光束傳遞系統之一例示。
圖7係為對準一放大光束的一範例系統之一方塊圖。
圖8係為用以對準一放大光束的一範例程序。
用於一極紫外線(EUV)光源之一熱監測器被揭露。此熱監測器決定鄰近且分別於接收放大光束之一光學元件的元件之溫度。此放大光束係被導引朝向靶材細滴之串流，且在放大光束與一靶材細滴交互作用時，此靶材細滴轉換成一電漿態並放射EUV光。
此熱監測器可藉由提供放大光束相對於反射或折射此光束之光學元件更準確的定位，來增進EUV光源之性能。由於此EUV光係由以放大光束照射一靶材細滴而生成，對準放大光束使此光束聚焦於靶材細滴所通過之標靶位置，可對細滴提供集中能量，促使細滴更有可能轉換成 電漿，因此能增加產生的EUV光之數量及提升EUV光源之整體性能。再者，維持放大光束的對準度及品質可增進光源產生的EUV功率之穩定性。另外，監測空間溫度分佈及接收該放大光束之元件上的強度對稱性，亦允許補償熱漂移引起的誤差。
如同下文所述，監測鄰近於接收該放大光束之一 光學元件(諸如透鏡或鏡體)的一元件(諸如一鏡罩)之溫度可改善該放大光束的對準度。對一元件的直接及間接輻射可加熱該元件，而在該元件之溫度上產生一可量測變化。 來自該元件吸收或所暴露的放大光束之輻射數量依光束對準之品質而定。例如，若該放大光束相對於一透鏡妥適準直及對準，透鏡上之光束的強度分佈即會實質上在空間及/或時間上均勻。當放大光束適當瞄準時，此強度分佈呈對稱形狀且位於透鏡及鄰近該透鏡之元件中央。由於在透鏡上的強度分佈均勻，在該透鏡與鄰近於該透鏡的元件上之加熱作用亦為均勻；此外，自材料細滴反射的光束之強度分佈會準直且均勻。
相反地，若放大光束未對準，透鏡上的放大光束 之強度分佈及反射光束之強度分佈即不均勻。例如，在未對準時，放大光束可能會偏心(偏離中心)地穿過透鏡，且可能有不對稱的強度分佈，而可能造成透鏡及/或鄰近元件之某些部分加熱得較其他部分多。此不均勻加熱可能導致會對透鏡及/或鄰近元件造成熱損害之局部化熱點。此外，此等熱點可能在透鏡中造成諸如熱透鏡的光學效應，其可能 因折射率的變化而改變透鏡的焦距及使光源的性能降低。 光學效應指的是在透鏡上改變透鏡之光學特性的那些效應。再者，當非對準時，放大光束可能偏心地照在鏡體上，且射中非反射元件或射中鄰近於一孔徑或透鏡的非透射元件。在此二範例中，放大光束可能變成不對稱且使鄰近元件具有一不均勻的強度分佈。
換言之，放大光束的非準確對準可能造成透鏡上 的溫度分佈於時間及/或空間上呈不均勻。因此，鄰近透鏡的一熱傳導元件或組件之多個部分的溫度亦可為不均勻。 所以，在鄰近組件上的不均勻溫度分佈之量測可為放大光束未對準的指標。再者，將鄰近組件上的溫度分佈特徵化(亦即予以呈現出來)，未對準的數量可被決定，且用來藉由調整導引放大光束朝向靶材細滴之光學元件的位置，以調整或校正放大光束的對準度。
此外，鄰近組件上的溫度分佈之特徵化允許由熱 漂移造成之性能改變的補償。EUV光源中的光學組件在暴露於熱時尺寸可能膨脹。例如，一鏡體或固持該鏡體的座體可能因被快速加熱及/或加熱一段時間而膨脹。此種額外加熱作用在放大光束的工作週期(duty cycle)增加時可能會產生。熱膨脹可能導致鏡體位置的微小變化，造成指向漂移(pointing drift)，其係為從鏡體反射之光線行進方向的一改變。指向漂移可能造成放大光束未位在該鏡體下游的光學元件中央。指向漂移亦可能導致下游光學元件上的不對稱強度分佈。
以下所討論之熱監測器亦可用來藉由判定放大 光束是否非對稱地位在光學元件上，且若光束係為非對稱定位，則會重新定位該放大光束，使得該光束以一對稱強度分佈位在光學元件中央，來補償指向漂移。
據此，以下所述之熱監測技術可藉由改善放大光 束的對準及補償熱漂移來改善EUV光源之性能。以下，在更詳細探討熱監測器前，先論述EUV光源。
參照圖1A，一LPP EUV光源100係藉由在一標靶 位置105以沿朝向一標靶混合物114之光束路徑行進的一放大光束110照射該標靶混合物114。亦稱照射位置之標靶位置105係位在一真空腔室130之內部107中。當放大光束110照射標靶混合物114時，標靶混合物114內的一靶材轉換成具有在EUV範圍中的放射線之元素的一電漿態。所產生的電漿具有依標靶混合物114內之靶材成分而定的某些特性。這些特性可包括由電漿產生的EUV光之波長及從電漿釋出的殘片類型與數量。
光源100亦包括一靶材傳遞系統125，其傳遞、控 制並導引呈液體細滴、液體串流、固體粒子或群集、包含在液體細滴內之固體粒子、或包含在液體串流內的固體粒子形式之標靶混合物114。此標靶混合物114包括諸如例如水、錫、鋰、氙或在轉換成電漿態時具有在EUV範圍中的放射線的任何材料之靶材。例如，元素錫可使用純錫(Sn)；例如SnBr4、SnBr2、SnH4的錫化合物；例如錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金的錫合金、或這些合金的組合。標靶 混合物114亦可包括諸如非標靶粒子之雜質。因此，在無雜質的情況下，標靶混合物114僅由靶材製成。標靶混合物114由靶材傳遞系統125傳遞進入腔室130之內部107並至標靶位置105。
光源100包括一驅動雷射系統115，其因雷射系統 115之一或多種增益媒體內的群集反轉(population inversion)而產生放大光束110。此光源100包括雷射系統115與標靶位置105間的一光束傳遞系統，此光束傳遞系統包括一光束傳輸系統120及一焦點總成122。此光束傳輸系統120接收來自雷射系統115的放大光束110，並在需要時引導及修正放大光束110，且將放大光束110輸出至焦點總成122。此焦點總成122接收放大光束110且將光束110聚焦在標靶位置105。
在一些具現例中，雷射系統115可包括用以提供 一或多個主要脈衝及在一些情況下提供一或多個預脈衝的一或多個光學放大器、雷射、及/或燈具。各光學放大器包括能使想要的波長在一高增益下光學放大之一增益媒體、一激發源、及內部光學機構。此光學放大器可以或可不具有形成一雷射腔的雷射鏡或其他回授裝置。因此，雷射系統115由於雷射放大器之增益媒體中的群集轉換而產生一放大光束110，即使無雷射腔亦然。此外，若有雷射腔提供雷射系統115足夠的回授，雷射系統115可產生同調雷射的一放大光束110。「放大光束」一詞包含下列光線中之一或多者：來自雷射系統115之僅放大而未必為一同調雷射振盪的光、及放大且亦為同調雷射振盪的光。
雷射系統115中之光學放大器可包括作為一增益 媒體的一填充氣體，其含括CO2，並可把在約9100及約11000nm間之波長的光、且特別是在約10600nm的光以大於或等於1000之增益予以放大。供使用在雷射系統115中之合適的放大器及雷射可包括一脈衝雷射裝置，例如一脈衝氣體放電CO2雷射裝置，其例如以DC或RF激發產生在約9300nm或約10600nm的輻射，在例如10kW或更高之相當高功率、及例如50kHz或更高之高脈衝重覆率下運作。雷射系統115中之光學放大器亦可包括一冷卻系統，諸如雷射系統115在較高功率下運作時所使用的水。
圖1B顯示一範例驅動雷射系統180之方塊圖。此 驅動雷射系統180可用作在光源100中的驅動雷射系統115。此驅動雷射系統180包括三個功率放大器181、182及183。功率放大器181、182及183之任一者或全部可包括內部光學元件(圖中未示出)。
光線184自功率放大器181透過一輸出窗185射出 且從一彎曲鏡186反射。反射之後，穿過一空間濾器187的光線184受一彎曲鏡188反射，且透過一輸入窗189進入功率放大器182。光線184在功率放大器182中被放大，且透過一輸出窗190重新導出功率放大器182作為光線191。光線191以摺疊鏡192導引朝向放大器183，且透過一輸入窗193進入放大器183。放大器183放大光線191且透過一輸出窗194將光線191導出放大器193作為一輸出光束195。一摺疊鏡196導引該輸出光束195朝上(從頁面出來)且朝向光束傳輸系統 120。
空間濾器187界定一孔徑197，其可為例如具有約 2.2mm與3mm間之直徑的圓圈。彎曲鏡186及188可例如為分別具有焦距1.7m及2.3m的離軸拋物面鏡。此空間濾器187可被置設成使得孔徑197與驅動雷射系統180之一焦點重合。
再次參照圖1A，光源100包括具有一孔徑140允 許放大光束110通過並到達標靶位置105的一集光鏡135。此集光鏡135可例如為具有在標靶位置105之主焦點及在中間位置145之副焦點(亦稱為中間焦點)的橢圓鏡，其中EUV光可從光源100輸出及可輸入例如積體電路微影工具(圖中未示出)。光源100亦可包括一末端敞開中空圓錐遮罩150(例如一氣錐)，其自集光鏡135朝向標靶位置105漸細，以在允許放大光束110到達標靶位置105的同時，減少電漿產生的殘片進入焦點總成122及/或光束傳輸系統120之數量。針對此目的，可在遮罩中提供導引朝向標靶位置105之氣流。
光源100亦可包括一主控制器155，其連接至細滴 位置偵測回授系統156、雷射控制系統157、及光束控制系統158。此光源100亦可包括一或多個標靶或細滴成像器160，其提供指出例如相對於標靶位置105的細滴位置之輸出，且提供此輸出給細滴位置偵測回授系統156，其可例如計算出細滴位置及軌道，而從此等細滴位置及軌道即可一個細滴一個細滴地或平均地計算出細滴位置誤差。此細滴位置偵測回授系統156因此提供細滴位置誤差作為主控制 器155的輸入。此主控制器155可因此提供一雷射位置、方向、及時序校正信號，例如給可被用來譬如控制雷射時序電路的雷射控制系統157及/或給光束控制系統158，以控制光束傳輸系統120之放大光束位置及成形，以改變腔室130內的光束焦點之位置及/或焦點功率。
靶材傳遞系統125包括靶材傳遞控制系統126，其 可響應於來自主控制器155之信號而運作，例如修正細滴在由靶材供應裝置127釋放時之釋放點，以校正到達所欲標靶位置105之細滴中的誤差。
此外，光源100可包括量測一或多個EUV光參數 的一光源偵測器165，此等參數包括但不限於脈衝能量、與波長有函數關係的能量分佈、在特定波長帶內的能量、在特定波長帶外的能量、及EUV強度及/或平均功率的角度分佈。光源偵測器165產生供主控制器155使用的一回授信號。此回授信號可例如指出諸如雷射脈衝的時序及焦點之參數中的誤差，以適切地在正確位置點及時間攔截液滴供有效且有效率EUV光產出。
光源100亦可包括一導引雷射175，其用來對準光 源100的多個部段或輔助引導放大光束110至標靶位置105。關於導引雷射175，光源100包括一度量系統124，其置設於焦點總成122內以對來自導引雷射175及放大光束110的光之一部分取樣。在其他具現例中，度量系統124置設於光束傳輸系統120內。此度量系統124可包括取樣或重新導引光之一子集的一光學元件，此光學元件由可承受導 引雷射光束及放大光束110之功率的任何材料所製成。由於主控制器155分析來自導引雷射175的取樣光且使用此資訊透過光束控制系統158調整焦點總成122內的組件，度量系統124及主控制器155便形成了一光束分析系統。
因此，總結來說，光源100產生一放大光束110， 其沿光束路徑被導引以在標靶位置105照射標靶混合物114，來將混合物114內的靶材轉換成放射在EUV範圍之光的電漿。此放大光束110在基於雷射系統115之設計與特性所決定的一特定波長(其亦稱為源波長)下運作。此外，在靶材提供足夠的回授給雷射系統115以產生同調雷射光、或若驅動雷射系統115包括合適光學回授以形成一雷射腔時，放大光束110可為一雷射光束。
參照圖2A，光源100在一範例具現例中包括置設 在驅動雷射系統115與標靶位置105間的一最終焦點總成210及一光束傳輸系統240。此最終焦點總成210將放大光束110聚焦在真空容器130中的標靶位置105處。驅動雷射系統115產生由光束傳輸系統240接收的放大光束110。放大光束110通過光束傳輸系統240後，到達最終焦點總成210。此最終焦點總成210將放大光束110聚焦且導引光束110至真空容器130。
如同下文所述，在光源100運作的同時，放大光 束110的對準可主動受調整。特別是，為判定一不均勻的溫度分佈存在於一透鏡固持器212上，主控制器155藉由移動及/或重新定位導向元件來控制在最終焦點總成210及/或光 束傳輸系統240中的導向元件。移動及/或重新定位導向元件可調整放大光束110的位置，使得放大光束110為對準以使EUV光生成作用最大化。此導向元件可為光源100中能影響放大光束110之位置及/或方向的任何元件。
光束傳輸系統240包括一導向模組242。此導向模 組242包括一或多個光學組件(諸如鏡體)，其在定置或移動時，會造成在放大光束110之位置上的一對應變化。主控制器155藉由例如提供信號給光學組件以使組件移動或改變位置來控制導向模組242的光學組件。導向模組242中的光學組件之範例會在下文就圖6論述。主控制器155與導向模組242之光學元件間的交互作用係就圖7及8在以下論述。
最終焦點總成210包括導向鏡214、透鏡固持器 212、最終焦點透鏡218、支撐架220、及定位致動器221。 導向鏡214接收來自光束傳輸系統240的光束110，且將此光束110反射朝向最終焦點透鏡218，透鏡218將光束110聚焦在標靶位置105上。由於聚焦的光束110及細滴間的交互作用造成EUV光的產生，且維持光束110的適當對準能協助保持焦點位在標靶位置105上，故監測光束110的位置及品質並響應監測而重新定位光束110可改善光源100的性能。
透鏡固持器212圍繞透鏡218，且透鏡固持器212 的溫度與透鏡218之表面上的溫度成比例。圖2B顯示沿圖2A中線2B-2B取得之透鏡固持器212的範例具現例之一前視圖。在圖2A及2B所示範例中，透鏡固持器212係為由透鏡218向外延伸的一熱遮罩。透鏡固持器212之不同部分的 溫度由溫度感測器228A、228B、228C、及228D量測。溫度感測器228A、228B、228C、及228D沿透鏡固持器212之周邊234互相大略等距隔開。溫度感測器228A~228D可置放在透鏡固持器212之內表面237及/或外表面238。雖然感測器228A~228D顯示為沿透鏡固持器212之外周邊置放，但不必然如此。感測器228A~228D可置放在透鏡固持器212之內表面237及/或外表面238的任何處。
由任一感測器228A~228D量測的溫度與最接近 特定溫度感測器之透鏡218的一部分之溫度成比例。例如，由溫度感測器228A量測之溫度表示在透鏡218之部分235上的溫度。同樣地，由溫度感測器228B量測之溫度表示在透鏡218之部分236上的溫度。
如同光束傳輸系統240，最終焦點總成210包括引 導光束110且可被調整以校正未對準的光學元件。例如，最終焦點總成210包括導向鏡214。此導向鏡214包括具有反射放大光束110之反射部分215的一固持器217，及響應於接收來自主控制器155的命令信號而在「X」及「Y」方向之一者或二者中移動固持器217及/或反射部分215的一致動器216。因此，導向鏡214可導引放大光束110至最終焦點透鏡218的一特定部分。此可協助確保光束110係聚焦在標靶位置105。此最終焦點總成210亦可包括定位沿「X」方向移動透鏡218以進一步調整光束110之焦點位置的致動器。
放大光束110從最終焦點總成210通過進入真空容器130。放大光束110通過在集光鏡135中的孔徑140且朝 標靶位置105行進。放大光束110與標靶混合物114中的細滴交互作用以產生EUV光。真空容器130可由一EUV監測模組241來監測。此EUV監測模組241可包括就圖1A所論述的光源偵測器165。提供EUV監測模組241的輸出給主控制器155且此輸出可用來監測EUV光生成量。例如，EUV監測模組241的輸出可被用來調整在導向模組242及/或導向鏡214中的組件以使在標靶位置105產生的EUV光數量最大化。
圖3A及3B顯示作為時間之一函數而如同由耦合 至一最終焦點鏡罩之表面的四個熱電偶所量測的溫度。此最終焦點鏡罩可類似於上述之透鏡固持器212。熱電偶可用與感測器228A~228D(圖2A及2D)類似的方式置設在鏡罩上。在圖3A及3B中，時間序列302、304、306及308各代表由一特定熱電偶在一段時間內量測的溫度。
圖3A顯示根據在光源100產生相對不穩定數量 的EUV功率時所收集的資料之一範例，圖3B顯示根據在光源100產生相對穩定(固定)數量的EUV功率時所收集的資料之一範例。最終焦點鏡罩可類似於圖2B中所示之透鏡固持器212。
如同範例所示，光源100係在叢發率900Hz的小 叢發模式下運作。比較圖3A及3B，最終焦點鏡罩之溫度於一段時間內在光源100產生穩定的EUV功率時(圖3B)較光源100產生相對不穩定的EUV功率時相對較為恆定。例如，圖3B顯示在一段時間內會有約攝氏1~2度的溫度偏差，且四個熱電偶之間在一特定時間會發生約攝氏2~4度的溫度偏 差；即使在光源100產生相對穩定的EUV功率時亦然。相反地，圖3A顯示由一特定熱電偶在一段時間內所量測的溫度及由全部熱電偶在一特定時間所量測的溫度之較大變化。 因此，藉由在鏡罩上的多個位置於一段時間內所量測的溫度且調整光束，直到在熱遮罩上量測的溫度分佈在時間及/或空間變得相對恆定為止，由光源100產生的EUV功率之穩定性及數量可被改善。
參照圖4A~5B，圖4A係為有光束110未對準之最 終焦點透鏡總成210的一側視圖，而圖4B顯示最終焦點透鏡218之一前視圖，且光束110係沿圖4A中之線4B-4B所取得。圖5A係為有光束110正常對準之最終焦點透鏡總成210的一側視圖。圖5B顯示從圖5A中的線5B-5B取得之最終焦點透鏡218之一前視圖。
在圖4A及4B所示之範例中，光束110係為未對準 並通過最終焦點透鏡218在遠離透鏡218之中心244的一位置243處。因此，透鏡靠近溫度感測器228A的一部分較透鏡218的其他部分溫暖，且感測器228A產生較感測器228B、228C及228D更高的溫度讀值。再者，由於光束110並未通過透鏡218之中心244，光束110不會聚焦在標靶位置105上。因此，標靶混合物114中的細滴可能不會輕易轉換成電漿，而造成僅產生一些或沒有EUV光。
來自感測器228A~228D的溫度讀值提供給主控 制器155。主控制器155比較溫度讀值且決定光束110之位置，例如相對於中心244或在空間座標中。主控制器155提 供足以使反射部分215改變位置以將光束110移入透鏡218之中心244的一信號給導向鏡214。
如圖5A及5B所示，導向鏡214在「A」及「B」 方向移動以將光束110移動至透鏡218的中心244。致動器221亦在「Z」方向移動透鏡218以聚焦光束110。由於此等調整，光束110在透鏡218上呈對稱且各溫度感測器228A~228D量測出大略相同溫度。光束110聚焦在標靶位置105，且照射標靶混合物114中的細滴。此細滴轉換成電漿並放出EUV光。
因此，與圖4A及4B之範例比較，藉由以導向鏡 214定位光束110使光束110通過透鏡218之中心244，EUV光產生的數量增加。再者，EUV光之數量的穩定性亦可改善，因為藉由監測光束110相對於透鏡218之對準，光束110可更一致聚焦在標靶位置105，故而產生相對固定數量的EUV光。
參照圖6，一範例光束傳遞系統600置設於驅動雷 射系統605及標靶位置610間。此光束傳遞系統600包括一光束傳輸系統615及一焦點總成620。此光束傳輸系統615可用作為光束傳輸系統240，而焦點總成620可用作為最終焦點總成210。
光束傳輸系統615接收由驅動雷射系統605產生的一放大光束625，重新導引且擴展此放大光束625，並接著將已擴展已重新導引的放大光束514導向焦點總成620。此焦點總成620將放大光束625聚焦在標靶位置610上。
光束傳輸系統615包括光學組件，諸如改變放大 光束625之方向的鏡體630、632及其他光束導引光學元件634。光學組件630、632、634及638可包括在光束傳輸系統240之導向模組242中(圖2A)。
光束傳輸系統615亦包括一光束擴展系統640，其 擴展放大光束625，使得光束擴展系統640送出之放大光束625的橫向尺寸大於進入光束擴展系統640之放大光束625的橫向尺寸。此光束擴展系統640可包括一彎曲鏡，其具有橢圓拋物面之離軸片段的一反射面(此鏡亦可稱為一離軸拋物面鏡)。此光束擴展系統640可包括被選定以重新導引且擴展或準直放大光束625的其他光學組件。用於光束擴展系統640的多種設計於名為「用於極紫外光源之光束傳輸系統」的美國專利申請案第12/638,092號中論述，該案整個藉參考方式併入本文。
如圖6所示，焦點總成620包括一鏡體650及包括 一聚焦元件，其包括一斂聚透鏡655組配且配置成將從鏡體650反射的放大光束625聚焦至標靶位置610。此斂聚透鏡655可為斂聚透鏡218，而鏡體650可為就圖2A論述之範例中的導向鏡214。
因此，在光束傳輸系統615中的鏡體630、632、 638及光束導引光學元件634之至少一者與焦點總成620中的鏡體650可藉使用由一致動系統致動的可移動座體而為可移動式，該致動系統包括可由主控制器155控制以針對標靶位置610提供放大光束625之主動指向控制之一馬達。可 移動鏡體及光束導引光學元件可被調整以維持放大光束625在透鏡655上的位置及放大光束625在靶材的焦點。
歛聚透鏡655可為球透鏡，以減少球像差及球透鏡可產生的其他光學像差。此斂聚透鏡655可安裝在腔室壁上作為一窗、可安裝在腔室內部、或可安裝在腔室外部。透鏡655可為可移動且因此其可安裝至一或多個致動器上，以在系統運作期間提供用於主動焦點控制的機構。依此，透鏡655可移動以更有效率收集放大光束625且將此光束625導引至標靶位置以增加EUV產出數量或使其最大化。透鏡655位移量及方向係依據由上述溫度感測器228A~228D或以下將論述之熱感測器710提供的回授來判定。
斂聚透鏡655具有大到足夠捕捉大部分的放大光束625且還提供足夠曲度以將放大光束625聚焦至標靶位置的一直徑。一些具現例中，斂聚透鏡655可有至少0.25的數值孔徑。一些具現例中，斂聚透鏡655由ZnSe製成，其為可用在紅外線應用的材料。ZnSe有一涵蓋0.6至20μm的透射範圍且可用於從高功率放大器產生的高功率光束。ZnSe在電磁頻譜之紅端(特別是紅外線端)中具有一低熱吸收。其他可用於斂聚透鏡的材料包括但不限於砷化鎵(GaAs)及鑽石。此外，斂聚透鏡655可包括一抗反射塗層，且可透射在放大光束625之波長的至少95%的放大光束625。
焦點總成620一可包括捕捉從透鏡655反射之光線665的一度量系統660。捕捉的光線可用來分析放大光束 625及來自導引雷射175之光線的特性，例如，用以判定放大光束625的位置及監測放大光束625之焦距的變化。
光束傳遞系統600亦可包括一對準雷射670，其在 建置時用來對準光束傳遞系統600之組件(諸如鏡體630、632、光束導引光學元件634、光束擴展系統640內的組件、及透鏡前鏡體650)的一或多者之定位及角度或位置。此對準雷射670可為在可見光譜中運作以協助組件之視覺對準的一二極體雷射。
光束傳遞系統600亦可包括諸如相機的一檢測裝 置675，其監測在標靶位置610從標靶混合物114中之細滴反射的光束，此光束從驅動雷射系統605之前表面反射以形成可在檢測裝置675處被檢測到的一診斷光束680。檢測裝置675可連接至主控制器155。
參照圖7，顯示在EUV光源中對準放大光束(或驅 動雷射)的範例系統700之一方塊圖。此系統700包括與一受監測元件720及一控制器730連通的一熱感測器710。此控制器730亦與一致動系統740連通。此致動系統740耦合至一導向元件750且與其連通。
藉由監測受監測元件720之溫度，在系統700使用 時，系統700可使驅動雷射(圖中未示出)對準。溫度被提供給控制器730，且控制器730提供足以使導向元件750重新定位驅動雷射光束的一信號731給致動系統740，直到受監測元件720之溫度大略均勻為止。在受監測元件720之溫度於時間及/或空間上大略固定時，此驅動雷射光束可被對準。 因此，系統700可視為提供了驅動雷射光束的主動對準。
熱感測器710可為任何類型的感測器，其在該感 測器置放於、接觸於、或靠近於受監測元件720時，會產生受監測元件720之溫度指標。例如，此熱感測器710可為熱電偶、基於纖維的熱感測器、或熱阻器中之一或多者。此熱感測器710可包括一個以上熱感測器，且此等多個熱感測器皆可為相同類型，或它們可以為多種不同類型之熱感測器的集合。
熱感測器710包括一感測機構712、一輸入/輸出 (I/O)介面716、及一電源模組718。感測機構712係為能夠感測熱能且產生表示感測到的熱能數量之一信號或其他指標的一主動或被動元件。I/O介面716允許感測到的熱能之信號或其他指標從熱感測器710取用及/或移除。此I/O介面716亦允許系統700的使用者透過例如遠端電腦與熱感測器710通訊，以取用由感測機構712產生之信號。此熱感測器710亦可包括將熱感測器710連接至受監測元件720之一表面或其他部分的一耦合件714。耦合件714可為將熱感測器710實體連接至受監測元件720的一機械耦合件。此耦合件714可為保持熱感測器710靠近受監測元件720但未將熱感測器710實體連接至受監測元件720的一元件。
熱感測器710量測受監測元件720之一部分的溫 度。受監測元件720可為任何在高功率光學組件722之附近的熱傳導元件。例如，受監測元件720係為在高功率光學組件722附近的實體組件，其透過反射或折射與驅動雷射光束 交互作用。此高功率光學組件722可為透過反射或折射與驅動雷射光束交互作用的任何組件。例如，高功率光學組件722可為暴露於大數量雷射功率的一光學元件，諸如一最終焦點透鏡(諸如透鏡218)、功率放大器上的一窗(諸如輸入窗189及193及/或輸出窗185、190、及194)、最終焦點透鏡總成中的一導向鏡(諸如導向鏡214)、最終焦點透鏡之下游的一鏡體、及/或一空間濾器孔徑(諸如孔徑197)。一個以上高功率光學組件722可同時被監測。
若受監測元件720之溫度與組件722之溫度成比 例或受其影響，則受監測元件720可視為在組件722之附近。例如，受監測元件720可為固持、支撐、或保護此等組件722的一元件。例如，受監測元件720可為圍繞最終焦點透鏡的一熱遮罩、將在一鏡體的一或多側上固持該鏡體的一鏡體座體、或固持一空間濾器的一固持器。此受監測元件720可與組件722實體接觸，但並非必然如此，因為受監測元件720與組件722可在實體上彼此分開。
熱感測器710量測受監測元件720在受監測元件 上之一或多個位置上的溫度。此熱感測器710提供表示在一或多個位置處之溫度的信號給控制器730。在一些具現例中，此熱感測器710量測受監測元件720之溫度一段時間，且提供溫度量測的時間序列給控制器730。此控制器730分析溫度量測結果以判定驅動雷射光束是否適當對準。依據此分析結果，控制器730可提供致動系統740足以校正驅動雷射光束的一信號731。
控制器730包括一電子處理器732、一電子儲存器 734、及一I/O介面736。電子儲存器734儲存指令及/或一電腦程式，其在執行時會使電子處理器732實行一些動作。例如，處理器732可接收來自熱感測器710的信號，且分析此等信號以判定在受監測元件720上的溫度分佈於空間及/或時間為不均勻，而因此驅動雷射光束為未對準。輸入/輸出(I/O)介面736可以在顯示器上可見或可聽地呈現處理器732分析過的資料。此I/O介面736可接受來自一輸入裝置(例如由系統700的一操作員或一自動程序致動的一輸入裝置)的命令，以組配熱感測器710、致動系統740、或更新儲存於電子儲存器734中的資料或電腦程式指令。
控制器730提供足以使致動系統740調整導向元 件750之位置的一信號731給致動系統740。此信號可包括例如針對導向元件750之新位置的座標或於一或多個方向移動導向元件750之實體距離。此信號係成能夠由致動系統740接受及處理的形式，且該信號可透過一有線或無線連接傳送到致動系統740。
致動系統740包括一致動機構742、一耦合件 744、及一I/O介面746。此致動機構742可為例如一馬達、一壓電元件、一驅動槓桿、或任何造成在另一物件中之移動的其他元件。此致動系統亦包括一耦合件，其允許致動機構742附接至一外部元件，使得該外部元件可由致動機構742移動。此耦合件744可為與該外部元件作實體接觸的一機械耦合件，或該耦合件744可為非接觸式(諸如一磁性耦 合件)。此I/O介面746允許系統700之一操作者或一自動程序與致動系統740互動。此I/O介面746可例如從該操作者而非從該控制器730，接受足以使致動機構742移動導向元件750之一信號。
導向元件750與致動機構742接觸，且該導向元件 750響應於來自致動機構742之動作而移動。例如，導向元件750可為一平台，該平台之一部分會在與該平台接觸之致動機構742中的一壓電元件擴展時移動。此導向元件750包括與驅動雷射光束交互作用的一作用區域752。導向元件750之移動造成作用區域752的對應移動，且作用區域的位置變化重新定位光束。例如，作用區域752可為反射該光束的一鏡體，且定位該鏡體即可改變光束反射的方向。
參照圖8，用於相對於一光學元件調整放大光束 之位置的一範例程序800被顯示出來。此程序800可實行於EUV光源中的放大光束，諸如圖1A所示之光源100的放大光束110。此程序800可由包括在控制導向該放大光束之元件的定位之一電子組件內的一或多個電子處理器來執行，該電子處理器諸如為包括在就圖7所述之控制器730內的電子處理器732。
一第一溫度分佈被取用(步驟810)。該第一溫度 分佈表示鄰近一第一光學元件之組件的溫度。此第一光學元件係置設來接收放大光束110。在該組件上的溫度與該第一光學元件之溫度成正比或受其影響時，此組件鄰近於該第一光學元件或在其附近。因此，量測組件溫度提供光學 元件之溫度的指標，藉此允許光學元件的溫度可間接地量測。此組件與光學元件可互相實體接觸，或該組件與該光學元件可彼此足夠靠近而使得該光學元件的加熱作用亦會加熱該組件。
光學元件藉由反射光束110、吸收光束110、及/ 或傳送光束110來接收放大光束110。此光學元件可為在EUV光源中的任何光學組件。此光學元件可為例如一高功率光學元件，諸如最終焦點透鏡、一功率放大器上的輸出窗、最終焦點旋轉鏡、或一空間濾器孔徑。在光學元件附近的此組件可例如固持或支撐該光學元件。
第一溫度分佈可為代表由在組件上或靠近組件 的一或多個溫度感測器取得之溫度量測的一組數值。由於該組件之溫度與光學元件之溫度相關，第一溫度分佈就提供了光學元件之溫度的近似值。此第一溫度分佈可為代表組件之一特定部分在一段時間內的溫度之一組數值。在一些具現例中，此第一溫度分佈可為代表組件之多個不同部分在一段時間或在一特定情況之溫度的一組數值。
所取用的第一溫度分佈被分析以決定一溫度度 量(步驟820)。溫度度量可為與一基準線值比較之數值式質量指標(figure of merit)。溫度度量可為與該光學元件上或鄰近該光學元件之一組件上的溫度分佈細節相關之任何合適的數學表現型態。例如，且如同以下將進一步論述地，溫度度量可為溫度分佈之空間對稱性的量度值，諸如於鄰近光學元件上的不同位置處所量測之溫度的一標準差或方 差。此溫度度量可為一數值，諸如溫度改變的變化量或變化率，其係從代表一或多個感測器228A~228D於一段時間內之溫度的一組數值來決定。
如上所述，光學元件上的溫度變化量可指出放大 光束110為未對準或其具有差劣品質。因此，分析第一溫度分佈以判定溫度是否相對一致，可提供光束對準及光束品質的指標。例如，該第一溫度分佈可由決定空間對稱性之程度來分析。空間對稱性的程度可藉由例如取用沿透鏡固持器212(圖2A)之一表面大略均勻隔開的四個溫度感測器228A~228D(圖2A)所取得之溫度量測結果來計算。在一特定時間，來自溫度感測器228A~228D的量測結果各提供最終焦點透鏡218之對應部分的溫度指標。若放大光束110如圖4B所示偏心地通過透鏡218，則來自溫度感測器228A及228C的溫度讀值之數值大於來自溫度感測器228B及228D的溫度讀值之數值。感測器228A~228D在一特定時間的溫度讀值之間的差異可指出光束110不是位在透鏡218中央。
以上所述之範例有關於光束110並非位在透鏡 218中央的情況。另一範例中，若光束110有不均勻的強度分佈，則感測器228A~228D各量測出且生成一不同溫度，而最高的溫度來自最靠近光束110具有最高強度的部分之感測器。因此，藉由比較來自各該感測器228A~228D之溫度數值，光束110可被監測以判定是否在強度中有一空間不均勻性。若來自感測器228A~228D的溫度數值不同，接著光束110則可被決定具有一空間不均勻性。強度分佈之形狀 (作為空間位置之函數的強度之數量)可藉由把感測器228A~228D所提供的溫度數值排序來取得近似值。強度之不均勻性的嚴重度可藉計算感測器228A~228D所量測之溫度的方差或標準差來判定。
另一範例中，第一溫度分佈可為代表一或多個感 測器228A~228D在一段時間內的溫度之一組數值。此範例中，該第一溫度分佈可藉計算由感測器228A~228D之任一者所量測之溫度數值的一時間序列之方差或標準差來作分析。在最佳或可接受之運作條件下，放大光束110在標靶位置105對準以聚焦，且該光束110不改變相對於與該光束110交互作用之一光學元件的位置。若光束110在一段時間內改變相對於該光學元件的位置，或若光束110之光束輪廓隨時間變化，則該光學元件上的強度分佈亦會改變。故此，在光束110呈未對準時，由該等感測器228A~228D之各者所量測的溫度亦改變。分析該第一溫度分佈以決定分佈的方差及/或時間之函數的溫度之變化率，可提供光束110之位置或輪廓是否改變之指標。
將步驟820中所決定的溫度度量與一基準線溫度度量作比較(步驟830)。此基準線溫度度量可為在光源以一可接受或最佳的方式下操作時所決定的一度量之一數值。所決定之溫度度量可藉由例如從該基準線溫度度量減去經決定的溫度度量，來與該基準線溫度度量比較以決定兩者間之差值。此差值可與一臨界值比較，以判定放大光束110是否未對準或將在另一種狀況下從一調整中獲益。例如， 由一特定溫度感測器所量測之大於攝氏2度的溫度變化，可指出該放大光束110已呈未對準。
放大光束110係基於比較之結果來調整(步驟840)。例如，若由感測器228A所量測之溫度在一段時間內升高4℃，而由感測器228C所量測之溫度在相同的一段時間內降低4℃，則光束110即被判定已移至該透鏡218較靠近感測器228A的一部分。於「X」方向移動反射部分215以於一對應方向朝向感測器228C移動該光束110的一調整便被決定。此調整可為由主控制器155生成的一信號。此信號可包括指定要由致動器216引生的移動量之資訊。在致動器216接收且處理此信號時，致動器216會使該反射部分215移動，使得光束110在透鏡218上移至較低處。
尚有其他具現例落在後附申請專利範圍之範疇中。
100‧‧‧光源
105‧‧‧標靶位置
110‧‧‧放大光束
114‧‧‧標靶混合物
115‧‧‧雷射系統
127‧‧‧靶材供應裝置
130‧‧‧腔室/真空容器
135‧‧‧集光鏡
140‧‧‧孔徑
155‧‧‧主控制器
210‧‧‧最終焦點總成/最終焦點透鏡總成
212‧‧‧透鏡固持器
214‧‧‧導向鏡
215‧‧‧反射部分
216、221‧‧‧致動器
217‧‧‧固持器
218‧‧‧最終焦點透鏡
220‧‧‧支撐架
228A、228D‧‧‧溫度感測器
240‧‧‧光線傳輸系統
241‧‧‧EUV監測模組
242‧‧‧導向模組

Claims (25)

  1. 一種相對於極紫外線(EUV)光源中第一光學元件調整放大光束之位置的方法，該方法包含：取用表示鄰近於該第一光學元件且與其分別的一元件之一溫度的一第一溫度分佈，該第一光學元件置設來接收該放大光束；分析所取用的該第一溫度分佈以決定與該元件相關聯的一溫度度量；將決定的該溫度度量與一基準線溫度度量比較；及依據比較結果決定該放大光束之位置相對於該第一光學元件所需之一調整。
  2. 如請求項1之方法，其更包含產生表示對於該放大光束之該位置所決定之調整的一指標。
  3. 如請求項2之方法，其中：該指標包含供機械耦合至一第二光學元件之一致動器用的輸入；該第二光學元件包含置設來接收該放大光束的一作用區域；及供至該致動器的該等輸入足以使該致動器於至少一方向移動該作用區域。
  4. 如請求項3之方法，其更包含提供該等輸入給該致動器。
  5. 如請求項4之方法，其更包含：提供該等輸入給該致動器後，取用鄰近該第一光學 元件之該元件的一第二溫度分佈；分析該第二溫度分佈以決定該溫度度量；及將該溫度度量與該第一溫度分佈或該基準線溫度度量中之一或多者比較。
  6. 如請求項3之方法，其中該第二光學元件之該作用區域包含具有接收該放大光束之一反射部分的一鏡體，且該反射部分在移動時，相對於該第一光學元件改變該放大光束之該位置。
  7. 如請求項3之方法，其中該指標更包含供耦合至在該EUV光源中的一第三光學元件之一第二致動器用的輸入，供至該第二致動器的該等輸入足以使該第二致動器於至少一方向移動該第三光學元件。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一溫度分佈包含鄰近該第一光學元件的該元件之一部分的一溫度，該部分之該溫度至少在兩個不同時間量測。
  9. 如請求項1之方法，其中該第一溫度分佈包含鄰近該第一光學元件的該元件之多個部分的一溫度。
  10. 如請求項9之方法，其中該等多個部分中每一部分之該溫度至少在兩個不同時間量測。
  11. 如請求項10之方法，其中該第一溫度分佈包含表示從熱感測器接收的溫度量測的資料，該等熱感測器機械耦合至鄰近該第一光學元件的該元件。
  12. 如請求項1之方法，其中該第一光學元件包含該放大光束穿過的一歛聚透鏡，且鄰近該歛聚透鏡的該元件包含 一鏡罩。
  13. 如請求項1之方法，其中該第一溫度分佈包含該元件於多個時間量測的多個溫度，且溫度度量包含該等多個溫度之一方差、該等多個溫度之一平均、或該等溫度中至少二者間的一變化率中之一或多者。
  14. 如請求項1之方法，其中該第一溫度分佈包含在該元件上之不同位置處於一特定時間所量測的多個溫度，且該溫度度量包含該等多個溫度的一空間方差。
  15. 如請求項13之方法，其中該第一溫度分佈更包含在鄰近該第一光學元件之該元件上的不同位置處所量測的多個溫度。
  16. 如請求項15之方法，其中該溫度度量更包含在鄰近該第一光學元件之該元件上的不同位置處所量測的該等多個溫度之一空間方差。
  17. 如請求項1之方法，其中該溫度度量包含表示鄰近該第一光學元件之該元件的量測溫度上之一時間變化的一數值，且將該溫度度量與一基準線溫度度量比較包含將該數值與一臨界值比較。
  18. 一種系統，其包含：一熱感測器，組配來：機械耦合至與接收一極紫外線(EUV)光源之一放大光束的一第一光學元件鄰近之一元件；量測該元件之一溫度；及產生所量測溫度的一指標；及 一控制器，包含耦合至一非暫時性電腦可讀媒體的一或多個電子處理器，該電腦可讀媒體儲存包含可由該一或多個電子處理器執行之指令的軟體，該等指令在被執行時，會使該一或多個電子處理器進行下列動作：接收該量測溫度之所產生的指標；及依據該量測溫度之所產生的該指標產生一輸出信號，該輸出信號足以使一致動器移動接收該放大光束之一第二光學元件，且相對於該第一光學元件調整該放大光束之一位置。
  19. 如請求項18之系統，其中該等指令更包含提供該輸出信號給該致動器的指令，且其中該致動器係組配來耦合至該第二光學元件。
  20. 如請求項18之系統，其中：該第一光學元件係為該放大光束穿過之一透鏡；鄰近該透鏡之該元件係為鄰近該透鏡之一鏡罩；及該等熱感測器係組配來安裝至該鏡罩。
  21. 如請求項18之系統，其中該等熱感測器包含熱電偶、一熱阻器、或一基於纖維的熱感測器中之一或多個。
  22. 如請求項18之系統，其中該等指令更包含在被執行時會使該控制器進行下列動作之指令：取用一第一溫度分佈，該第一溫度分佈係依據來自該熱感測器之該元件的該量測溫度之指標；分析所取用的溫度分佈以決定與該元件相關聯的一溫度度量； 將決定的該溫度度量與一基準線溫度分佈比較；及依據比較結果決定該放大光束之一參數所需的一調整。
  23. 如請求項18之系統，其中該第一光學元件包含一功率放大器輸出窗、一最終焦點旋轉鏡、或一空間濾器孔徑中之一或多者。
  24. 如請求項18之系統，其中該熱感測器包含多個熱感測器，該第一光學元件包含在聚焦該放大光束之一透鏡下游的一或多個光學元件，且各該一或多個光學元件耦合至一熱感測器。
  25. 一種系統，其包含：接收一極紫外線(EUV)光源之一放大光束的一第一光學元件；與該第一光學元件鄰近且與其分別的一元件；耦合至與該第一光學元件鄰近之該元件的一熱系統，該熱系統包含：一或多個溫度感測器，其各與該元件之一不同部分相關聯，該一或多個溫度感測器係組配來產生該元件之一相關聯部分的一量測溫度之一指標；耦合至一第二光學元件的一致動系統，在該第二光學元件移動時，會造成該放大光束的一對應移動；及一控制系統，其連接至該熱系統之一輸出及該致動系統之一或多個輸入，且組配來依據該量測溫 度之所產生的該指標生成供該致動系統輸入用的一輸出信號，該輸出信號足以使一致動器移動該第二光學元件且相對於該第一光學元件調整該放大光束之一位置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI767991B (zh) * 2017-02-13 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 用以在真空腔室中控制基板上之電荷的電荷控制設備、帶電粒子束裝置及控制基板上之電荷的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015172816A1 (de) * 2014-05-13 2015-11-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Einrichtung zur überwachung der ausrichtung eines laserstrahls und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung damit
US9927292B2 (en) 2015-04-23 2018-03-27 Asml Netherlands B.V. Beam position sensor
US10128017B1 (en) * 2017-05-12 2018-11-13 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of controlling debris in an EUV light source
US10824083B2 (en) * 2017-09-28 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Light source, EUV lithography system, and method for generating EUV radiation
CN111742454A (zh) * 2018-02-20 2020-10-02 Asml荷兰有限公司 传感器系统
WO2019186754A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム及び電子デバイスの製造方法
US20200057376A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography system and lithography method
WO2020126387A2 (en) 2018-12-18 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Sacrifical device for protecting an optical element in a path of a high-power laser beam

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61123492A (ja) * 1984-11-19 1986-06-11 Toshiba Corp レ−ザ加工装置
US4749122A (en) * 1986-05-19 1988-06-07 The Foxboro Company Combustion control system
JPS6348509A (ja) * 1986-08-18 1988-03-01 Komatsu Ltd レ−ザスキヤナ装置
DE19622671A1 (de) * 1995-06-30 1997-01-02 Basf Magnetics Gmbh Temperatur-Indikator für gekühlte Produkte oder ähnliches
US6559424B2 (en) * 2001-01-02 2003-05-06 Mattson Technology, Inc. Windows used in thermal processing chambers
WO2002067390A1 (en) * 2001-02-22 2002-08-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser apparatus
US7598509B2 (en) * 2004-11-01 2009-10-06 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US7554662B1 (en) * 2002-06-24 2009-06-30 J.A. Woollam Co., Inc. Spatial filter means comprising an aperture with a non-unity aspect ratio in a system for investigating samples with electromagnetic radiation
US6825681B2 (en) * 2002-07-19 2004-11-30 Delta Design, Inc. Thermal control of a DUT using a thermal control substrate
US6992306B2 (en) * 2003-04-15 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Temperature adjustment apparatus, exposure apparatus having the same, and device fabricating method
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
DE102004038310A1 (de) 2004-08-05 2006-02-23 Kuka Schweissanlagen Gmbh Lasereinrichtung und Betriebsverfahren
US7891075B2 (en) * 2005-01-19 2011-02-22 Gm Global Technology Operations, Inc. Reconfigurable fixture device and method for controlling
JP4710406B2 (ja) * 2005-04-28 2011-06-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光露光装置および極端紫外光光源装置
US7333904B2 (en) * 2005-08-26 2008-02-19 Delphi Technologies, Inc. Method of determining FET junction temperature
US8290753B2 (en) * 2006-01-24 2012-10-16 Vextec Corporation Materials-based failure analysis in design of electronic devices, and prediction of operating life
US8766212B2 (en) * 2006-07-19 2014-07-01 Asml Netherlands B.V. Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering
JP5076087B2 (ja) * 2006-10-19 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置及びノズル保護装置
KR100841478B1 (ko) * 2007-08-28 2008-06-25 주식회사 브이엠티 다중 모세관의 장착이 가능한 액체 타겟 공급 장치 및 이를구비한 ｘ선 및 극자외선 광원 발생 장치
US8115900B2 (en) * 2007-09-17 2012-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2009046955A2 (en) * 2007-10-09 2009-04-16 Carl Zeiss Smt Ag Device for controlling temperature of an optical element
JP2009099390A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
US20090275815A1 (en) * 2008-03-21 2009-11-05 Nova Biomedical Corporation Temperature-compensated in-vivo sensor
JP5833806B2 (ja) * 2008-09-19 2015-12-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法
US7641349B1 (en) * 2008-09-22 2010-01-05 Cymer, Inc. Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer
JP5587578B2 (ja) * 2008-09-26 2014-09-10 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置およびパルスレーザ装置
JP5314433B2 (ja) 2009-01-06 2013-10-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5312959B2 (ja) 2009-01-09 2013-10-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5559562B2 (ja) * 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
US8306774B2 (en) * 2009-11-02 2012-11-06 Quinn David E Thermometer for determining the temperature of an animal's ear drum and method of using same
US8373758B2 (en) * 2009-11-11 2013-02-12 International Business Machines Corporation Techniques for analyzing performance of solar panels and solar cells using infrared diagnostics
US8000212B2 (en) * 2009-12-15 2011-08-16 Cymer, Inc. Metrology for extreme ultraviolet light source
US8173985B2 (en) 2009-12-15 2012-05-08 Cymer, Inc. Beam transport system for extreme ultraviolet light source
JP5705592B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP5726546B2 (ja) * 2010-03-29 2015-06-03 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置
US8686381B2 (en) * 2010-06-28 2014-04-01 Media Lario S.R.L. Source-collector module with GIC mirror and tin vapor LPP target system
JP2012129345A (ja) * 2010-12-15 2012-07-05 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、露光方法および露光装置
US20120210999A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-23 Straeter James E Solar heating system for a hot water heater
US8993976B2 (en) * 2011-08-19 2015-03-31 Asml Netherlands B.V. Energy sensors for light beam alignment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI767991B (zh) * 2017-02-13 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 用以在真空腔室中控制基板上之電荷的電荷控制設備、帶電粒子束裝置及控制基板上之電荷的方法

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