JP2016154149A - アライメントシステム - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光の集光位置を安定化する。
【解決手段】このアライメントシステムは、ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、レーザ光及びガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、光路結合部の下流側に配置され、レーザ光及びガイドレーザ光を検出する第１の光検出部と、第１の光検出部による検出結果に基づいて、調節機構を制御する第１の制御部と、光路結合部の下流側に配置され、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、ビームステアリング機構の下流側に配置され、少なくともガイドレーザ光を検出する第２の光検出部と、第２の光検出部による検出結果に基づいて、ビームステアリング機構を制御する第２の制御部と、を備えてもよい。
【選択図】図２

Description

本開示は、レーザ装置のためのアライメントシステムに関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１０／０１２７１９１号明細書

概要

本開示の１つの観点に係るアライメントシステムは、ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、レーザ光及びガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、光路結合部の下流側に配置され、レーザ光及びガイドレーザ光を検出する第１の光検出部と、第１の光検出部による検出結果に基づいて、調節機構を制御する第１の制御部と、光路結合部の下流側に配置され、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、ビームステアリング機構の下流側に配置され、少なくともガイドレーザ光を検出する第２の光検出部と、第２の光検出部による検出結果に基づいて、ビームステアリング機構を制御する第２の制御部と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。 図３は、第１の実施形態における第１制御部の動作を示すフローチャートである。 図４は、第１の実施形態における第２制御部の動作を示すフローチャートである。 図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。 図６は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。 図７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。 図８は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。 図９は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部の一部を概略的に示す。 図１０Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第１の例を概略的に示す。 図１０Ｂは、検出器の第１の例の変形例を概略的に示す。 図１０Ｃは、検出器の第１の例の他の変形例を概略的に示す。 図１１Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第２の例を概略的に示す。 図１１Ｂは、検出器の第２の例の変形例を概略的に示す。 図１２Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第３の例を概略的に示す。 図１２Ｂは、検出器の第３の例の変形例を概略的に示す。 図１３は、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第４の例を概略的に示す。 図１４は、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第５の例を概略的に示す。 図１５は、レーザ光進行方向調節機構の動作を説明するための図である。 図１６は、レーザ光進行方向調節機構におけるアクチュエータ部の具体例を示す。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．アライメント機構を含むＥＵＶ光生成システム
４．１ 構成
４．２ 動作
５．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成システム（１）
６．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成システム（２）
７．高速のアライメント機構を含むＥＵＶ光生成システム
８．ガイドレーザ光の調節機構を含むＥＵＶ光生成システム
９．レーザ増幅器の配置
１０．検出器
１０．１ ２つの異なる位置におけるビームプロファイルを検出する例
１０．２ ビームプロファイルとポインティングを検出する例
１０．３ シャックハルトマン波面センサを使用する例
１０．４ 光位置検出器を使用する例
１０．５ 第１〜第４の例の組合せ
１１．補足説明
１１．１ 調節機構の説明
１１．２ アクチュエータ部の説明

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、レーザ装置から出力されるレーザ光を、チャンバ内のターゲット物質に集光して照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、ＥＵＶ光を含む光が放射されてもよい。放射された光のうちＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。レーザ装置からチャンバ内に至るレーザ光路を構成する要素は、レーザ装置の振動、レーザ装置とチャンバとの間におけるビームステアリング機構の振動、温度変化等により、その配置、姿勢、形状等に変化が生じる場合がある。その結果、レーザ光路が変動する場合がある。

本開示の１つの観点によれば、レーザ装置から出力されるレーザ光とは別にガイドレーザ光を出力し、レーザ光及びガイドレーザ光の光路を一致させて、レーザ光及びガイドレーザ光をビームステアリング機構に入射させてもよい。そして、ビームステアリング機構の下流側においてガイドレーザ光を検出し、検出結果をビームステアリング機構にフィードバックすることにより、レーザ光の集光位置を安定化させてもよい。また、レーザ光が出力されていないときでも、ガイドレーザ光を検出してビームステアリング機構を制御することにより、レーザ光の出力再開時における集光位置を安定化させてもよい。

２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。

３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３を通過させるための貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置、速度等を検出してもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置されるのが好ましい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

３．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．アライメント機構を含むＥＵＶ光生成システム
４．１ 構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。第１の実施形態においては、チャンバ２がクリーンルームフロアに配置され、レーザ装置３がサブファブフロアに配置されてもよい。サブファブフロアはクリーンルームフロアの階下に位置してもよい。レーザ装置３からチャンバ２内に供給されるレーザ光の進行方向を制御するためのレーザ光進行方向制御部３４は、クリーンルームフロアとサブファブフロアとにまたがって配置されてもよい。

サブファブフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、ガイドレーザ装置４０と、レーザ光進行方向調節機構４１と、光路結合器４４と、光検出部４５と、第１制御部４８とを含んでもよい。

ガイドレーザ装置４０は、レーザ装置３から出力されるレーザ光とは別に、ガイドレーザ光を出力するよう構成されてもよい。ガイドレーザ装置４０は、連続発振（ＣＷ発振）するレーザ装置でも、所定の繰り返し周波数でパルス発振するレーザ装置でもよい。ガイドレーザ光の平均出力は、レーザ装置３から出力されるレーザ光の平均出力よりも低くてもよい。さらに、ガイドレーザ光は、レーザ装置３から出力されるレーザ光とは異なる波長成分を含んでもよい。

レーザ光進行方向調節機構４１は、高反射ミラー４２及び４３を含んでもよい。高反射ミラー４２は、ミラーホルダ４２１に支持され、高反射ミラー４２及びミラーホルダ４２１は、アクチュエータ部４２２によってその位置及び姿勢が調節されてもよい。同様に、高反射ミラー４３は、ミラーホルダ４３１に支持され、高反射ミラー４３及びミラーホルダ４３１は、アクチュエータ部４３２によってその位置及び姿勢が調節されてもよい。高反射ミラー４２及び４３の位置及び姿勢が調節されることにより、レーザ装置３から出力されるレーザ光の進行方向が調節されてもよい。

光路結合器４４は、ダイクロイックミラーを含んでもよい。光路結合器４４の第１の面（図中右側の面）には、レーザ装置３から出力されたレーザ光が入射してもよい。光路結合器４４の第２の面（図中左側の面）には、ガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光が入射してもよい。光路結合器４４は、第１の面に入射したレーザ光を透過させ、第２の面に入射したガイドレーザ光を反射してもよい。これにより、光路結合器４４は、レーザ装置３から出力されたレーザ光の進行方向とガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光の進行方向とを実質的に一致させてもよい。

光検出部４５は、ビームサンプラ４６と、検出器４７とを含んでもよい。ビームサンプラ４６は、レーザ装置３から出力されたレーザ光の一部を透過させ、他の一部をサンプル光として反射し、ガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光の一部を透過させ、他の一部をサンプル光として反射してもよい。検出器４７は、サンプル光が入射する受光面を有してもよい。検出器４７は、受光面におけるサンプル光の受光位置を検出し、検出結果を出力するよう構成されてもよい。

第１制御部４８は、検出器４７による検出結果に基づいて、光路結合器４４を透過したレーザ光の進行方向と、光路結合器４４で反射されたガイドレーザ光の進行方向とのずれを検出してもよい。第１制御部４８は、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するために、レーザ光進行方向調節機構４１を制御してもよい。レーザ光進行方向調節機構４１においては、図示しないアクチュエータドライバが、第１制御部４８の制御信号を受けてアクチュエータ部４２２及び４３２を駆動することにより、レーザ装置３から出力されたレーザ光の進行方向を調節してもよい。また、第１制御部４８は、ガイドレーザ装置４０に制御信号を送信し、所望のタイミングでガイドレーザ光を出力または停止させる機能を有してもよい。

サブファブフロアとクリーンルームフロアとにまたがる領域において、レーザ光進行方向制御部３４は、ビームステアリング機構５１を含んでもよい。ビームステアリング機構５１は、中空の光路管５１０を含み、光路管５１０内には乾燥空気や不活性ガス等が導入されてもよい。ビームステアリング機構５１は、サブファブフロアにおいてビームサンプラ４６を透過したレーザ光およびガイドレーザ光を、クリーンルームフロアに導いてもよい。

ビームステアリング機構５１は、高反射ミラー５２及び５３を含んでもよい。高反射ミラー５２は、ミラーホルダ５２１に支持され、高反射ミラー５２及びミラーホルダ５２１は、アクチュエータ部５２２によってその位置及び姿勢が調節されてもよい。同様に、高反射ミラー５３は、ミラーホルダ５３１に支持され、高反射ミラー５３及びミラーホルダ５３１は、アクチュエータ部５３２によってその位置及び姿勢が調節されてもよい。高反射ミラー５２及び５３の位置及び姿勢が調節されることにより、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向が調節されてもよい。

クリーンルームフロアにおいて、チャンバ２は、チャンバ基準部材１０上に固定されてもよい。チャンバ基準部材１０は、設置機構９によってフロア上に固定されてもよい。チャンバ基準部材１０は、レーザ光進行方向制御部３４の一部を構成する光学素子群や、ミラー収納容器６０などがその内部に配置される空間を有してもよい。ミラー収納容器６０内には、レーザ光集光ミラー２２０が配置されてもよい。

クリーンルームフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、光検出部５５と、第２制御部５８と、高反射ミラー５９及び６１とを含んでもよい。光検出部５５と高反射ミラー５９及び６１とは、チャンバ基準部材１０内に配置されてもよい。

高反射ミラー５９は、ビームステアリング機構５１によってクリーンルームフロアに伝播されたレーザ光及びガイドレーザ光を、光検出部５５に向けて反射してもよい。

光検出部５５は、ビームスプリッタ５６と、検出器５７とを含んでもよい。ビームスプリッタ５６は、高反射ミラー５９で反射されたレーザ光を高い透過率で高反射ミラー６１に向けて透過させてもよい。ビームスプリッタ５６は、高反射ミラー５９で反射されたガイドレーザ光を高い反射率で検出器５７に向けてサンプル光として反射してもよい。検出器５７は、サンプル光が入射する受光面を有してもよい。検出器５７は、受光面におけるサンプル光の受光位置を検出し、検出結果を出力するよう構成されてもよい。

第２制御部５８は、検出器５７による検出結果に基づいて、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるように、ビームステアリング機構５１を制御してもよい。ビームステアリング機構５１においては、図示しないアクチュエータドライバが、第２制御部５８の制御信号を受けてアクチュエータ部５２２及び５３２を駆動することにより、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を調節してもよい。

高反射ミラー６１は、ビームスプリッタ５６を透過したレーザ光を、ミラー収納容器６０内に向けて反射してもよい。ミラー収納容器６０には、ウインドウ６６が設けられてもよく、高反射ミラー６１において反射されたレーザ光がウインドウ６６を高い透過率で透過してもよい。ウインドウ６６を透過したレーザ光は、平面ミラー６２において高い反射率で反射され、レーザ光集光ミラー２２０において高い反射率で反射されて、プラズマ生成領域２５に供給されるターゲットに集光されてもよい。ターゲットは、レーザ光に照射されることによってプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。

４．２ 動作
図３は、第１の実施形態における第１制御部の動作を示すフローチャートである。第１制御部４８は、以下の処理により、レーザ装置３から出力されたレーザ光と、ガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光とを検出し、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するために、レーザ光進行方向調節機構４１を制御してもよい。

まず、第１制御部４８は、ガイドレーザ装置４０に制御信号を送信し、ガイドレーザ光の出力を開始させてもよい（Ｓ１０１）。

次に、第１制御部４８は、検出器４７からの検出信号を受信してもよい（Ｓ１０２）。第１制御部４８は、検出信号に含まれるガイドレーザ光の検出値Ｐｇ１を記憶してもよい（Ｓ１０３）。検出値Ｐｇ１には、検出器４７の受光面において受光されたガイドレーザ光の受光位置を示す値が含まれてもよい。検出値Ｐｇ１は、たとえば、検出されたガイドレーザ光の強度分布から算出された、強度分布の重心位置を示す座標情報でもよい。

次に、第１制御部４８は、ＥＵＶ光生成制御部５からの信号を受信し、レーザ装置３からのレーザ光の出力が開始されたか否かを判定してもよい（Ｓ１０４）。レーザ光の出力が開始されていない場合（Ｓ１０４：ＮＯ）、上述のＳ１０２に戻ってガイドレーザ光を検出してもよい。

レーザ光の出力が開始された場合（Ｓ１０４：ＹＥＳ）、第１制御部４８は、検出器４７からの検出信号を受信してもよい（Ｓ１０５）。第１制御部４８は、検出信号に含まれるレーザ光の検出値Ｐｍ１を記憶してもよい（Ｓ１０６）。検出値Ｐｍ１には、検出器４７の受光面において受光されたレーザ光の受光位置を示す値が含まれてもよい。検出値Ｐｍ１は、たとえば、検出されたレーザ光の強度分布から算出された、強度分布の重心位置を示す座標情報でもよい。

次に、第１制御部４８は、検出値Ｐｇ１と検出値Ｐｍ１との差ΔＰ１を、以下の式により算出してもよい（Ｓ１０７）。
ΔＰ１＝Ｐｍ１−Ｐｇ１
検出値Ｐｇ１及び検出値Ｐｍ１が共に座標情報である場合、ΔＰ１はそれぞれ対応する座標における値の差を含んでもよい。

次に、第１制御部４８は、検出値Ｐｇ１と検出値Ｐｍ１との差の絶対値｜ΔＰ１｜が、所定の閾値ΔＰｒ１以下であるか否かを判定してもよい（Ｓ１０８）。検出値Ｐｇ１及び検出値Ｐｍ１が共に座標情報である場合、閾値ΔＰｒ１はそれぞれ対応する座標における値の許容範囲を含んでもよい。

Ｓ１０８において、絶対値｜ΔＰ１｜が、閾値ΔＰｒ１以下である場合（Ｓ１０８：ＹＥＳ）、処理をＳ１０９に進めてもよい。Ｓ１０９において、第１制御部４８は、ΔＰ１を０に近づけるために、レーザ光進行方向調節機構４１に制御信号を送信してもよい。次に、第１制御部４８は、ＥＵＶ光生成制御部５から信号を受信することにより、本フローチャートによる制御を中止するか否かを判定してもよい（Ｓ１１０）。ＥＵＶ光生成制御部５から制御中止を示す信号を受信した場合（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、処理を中止してもよい。制御中止を示す信号を受信していない場合（Ｓ１１０：ＮＯ）、上述のＳ１０２に戻ってガイドレーザ光を検出してもよい。

Ｓ１０８において、絶対値｜ΔＰ１｜が、閾値ΔＰｒ１を超えている場合（Ｓ１０８：ＮＯ）、処理をＳ１１１に進めてもよい。Ｓ１１１において、第１制御部４８は、ＥＵＶ光生成制御部５にアライメント異常を示す信号を送信してもよい。次に、Ｓ１０９と同様に、第１制御部４８は、ΔＰ１を０に近づけるために、レーザ光進行方向調節機構４１に制御信号を送信してもよい（Ｓ１１２）。その後、上述のＳ１０２に戻ってガイドレーザ光を検出してもよい。

図４は、第１の実施形態における第２制御部の動作を示すフローチャートである。第２制御部５８は、以下の処理により、ガイドレーザ光を検出し、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるようにビームステアリング機構５１を制御してもよい。

まず、第２制御部５８は、検出器５７からの検出信号を受信してもよい（Ｓ２０２）。第２制御部５８は、検出信号に含まれるガイドレーザ光の検出値Ｐｇ２を記憶してもよい（Ｓ２０３）。検出値Ｐｇ２には、検出器５７の受光面において受光されたガイドレーザ光の受光位置を示す値が含まれてもよい。検出値Ｐｇ２は、たとえば、検出されたガイドレーザ光の強度分布から算出された、強度分布の重心位置を示す座標情報であってもよい。

次に、第２制御部５８は、検出値Ｐｇ２と、レーザ光をプラズマ生成領域２５に集光するための目標値Ｐｔと、の差ΔＰ２を、以下の式により算出してもよい（Ｓ２０７）。
ΔＰ２＝Ｐｔ−Ｐｇ２
検出値Ｐｇ２が座標情報である場合、目標値Ｐｔは、対応する座標における値を含んでもよい。また、ΔＰ２はそれぞれ対応する座標における値の差を含んでもよい。

次に、第２制御部５８は、検出値Ｐｇ２と目標値Ｐｔとの差の絶対値｜ΔＰ２｜が、所定の閾値ΔＰｒ２以下であるか否かを判定してもよい（Ｓ２０８）。検出値Ｐｇ２及び目標値Ｐｔが共に座標情報である場合、閾値ΔＰｒ２はそれぞれ対応する座標における値の許容範囲を含んでもよい。

Ｓ２０８において、絶対値｜ΔＰ２｜が、閾値ΔＰｒ２以下である場合（Ｓ２０８：ＹＥＳ）、処理をＳ２０９に進めてもよい。Ｓ２０９において、第２制御部５８は、ΔＰ２を０に近づけるために、ビームステアリング機構５１に制御信号を送信してもよい。次に、第２制御部５８は、ＥＵＶ光生成制御部５から信号を受信することにより、本フローチャートによる制御を中止するか否かを判定してもよい（Ｓ２１０）。ＥＵＶ光生成制御部５から制御中止を示す信号を受信した場合（Ｓ２１０：ＹＥＳ）、処理を中止してもよい。制御中止を示す信号を受信していない場合（Ｓ２１０：ＮＯ）、上述のＳ２０２に戻ってガイドレーザ光を検出してもよい。

Ｓ２０８において、絶対値｜ΔＰ２｜が、閾値ΔＰｒ２を超えている場合（Ｓ２０８：ＮＯ）、処理をＳ２１１に進めてもよい。Ｓ２１１において、第２制御部５８は、ＥＵＶ光生成制御部５にアライメント異常を示す信号を送信してもよい。次に、Ｓ２０９と同様に、第２制御部５８は、ΔＰ２を０に近づけるために、ビームステアリング機構５１に制御信号を送信してもよい（Ｓ２１２）。その後、上述のＳ２０２に戻ってガイドレーザ光を検出してもよい。

第１の実施形態によれば、ビームステアリング機構の下流側においてガイドレーザ光を検出し、検出結果をビームステアリング機構にフィードバックすることにより、レーザ光の集光位置を安定化させ得る。また、第１の実施形態によれば、光路結合器の下流側においてレーザ光とガイドレーザ光とを検出し、検出結果をレーザ光進行方向調節機構にフィードバックすることにより、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減し得る。また、レーザ光が出力されていないときでも、ガイドレーザ光を検出してビームステアリング機構を制御することにより、レーザ光の出力再開時におけるレーザ光の集光位置を安定化させ得る。

なお、ビームスプリッタ５６は、ガイドレーザ光を反射するだけでなく、レーザ光の一部をサンプル光として検出器５７に向けて反射してもよい。そして、検出器５７は、ガイドレーザ光を受光するだけでなく、ビームスプリッタ５６によって反射されたレーザ光をさらに受光し、検出結果を出力してもよい。この場合、レーザ光の波面の曲率（後述）を第１及び第２の制御部において計測することにより、波面の歪みの発生場所（ビームステアリング機構５１か、それより上流側か）を特定してもよい。

５．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成システム（１）
図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。第２の実施形態においては、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してターゲットを拡散させ、この拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化する方式が用いられてもよい。例えば、ＹＡＧレーザ装置から出力される波長１．０６μｍのレーザ光をプリパルスレーザ光として用い、炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザ装置から出力される波長１０．６μｍのレーザ光をメインパルスレーザ光として用いてもよい。

ドロップレット状のターゲットの径やプリパルスレーザ光の光強度等の条件にもよるが、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面からプリプラズマが生成され得る。プリプラズマとは、ターゲットの内で、プリパルスレーザ光が照射された表面付近の部分がイオン又は中性粒子を含む蒸気になったものをいう。このようなプリプラズマが生成される現象を、レーザアブレーションともいう。

あるいは、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、ターゲットが破壊され得る。破壊されたターゲットは、プリプラズマの噴出による反力等によって拡散し得る。

このように、ターゲットに対するプリパルスレーザ光の照射により生成されたプリプラズマ及び破壊されたターゲットの内の少なくとも一方を含むターゲットを、以下では拡散ターゲットと称する。

プリパルスレーザ光の照射により生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することにより、拡散ターゲットがプラズマ化し得る。この方式によれば、メインパルスレーザ光のみでターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を生成する方式よりも、高いエネルギーのＥＵＶ光の放出が期待される。

図５に示すように、プリパルスレーザ光を出力するためのプリパルスレーザ装置３ａと、メインパルスレーザ光を出力するためのメインパルスレーザ装置３ｂとが、サブファブフロアに配置されてもよい。

サブファブフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、第１のガイドレーザ装置４０ａと、レーザ光進行方向調節機構４１ａと、光路結合器４４ａと、光検出部４５ａと、第１制御部４８ａとを含んでもよい。光検出部４５ａの構成及び動作は、第１の実施形態における光検出部４５の構成及び動作と同様でよい。サブファブフロアとクリーンルームフロアとにまたがる領域において、レーザ光進行方向制御部３４は、ビームステアリング機構５１ａを含んでもよい。ビームステアリング機構５１ａの構成及び動作は、第１の実施形態におけるビームステアリング機構５１の構成及び動作と同様でよい。クリーンルームフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、第２制御部５８ａと、高反射ミラー５９ａとを含んでもよい。これらの構成要素は、プリパルスレーザ装置３ａから出力されたプリパルスレーザ光の進行方向を制御するために設けられてもよく、これらの構成及び動作は、第１の実施形態において、レーザ装置３から出力されるレーザ光の進行方向を制御するために設けられる構成要素の構成及び動作と同様でよい。

ビームステアリング機構５１ａは、高反射ミラー５２ａ及び５３ａの他に、高反射ミラー５０ａを含んでもよい。高反射ミラー５０ａには、アクチュエータ部が取り付けられなくてもよい。

サブファブフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、第２のガイドレーザ装置４０ｂと、レーザ光進行方向調節機構４１ｂと、光路結合器４４ｂと、光検出部４５ｂと、第１制御部４８ｂとを含んでもよい。光検出部４５ｂの構成及び動作は、第１の実施形態における光検出部４５の構成及び動作と同様でよい。サブファブフロアとクリーンルームフロアとにまたがる領域において、レーザ光進行方向制御部３４は、ビームステアリング機構５１ｂを含んでもよい。ビームステアリング機構５１ｂの構成及び動作は、第１の実施形態におけるビームステアリング機構５１の構成及び動作と同様でよい。クリーンルームフロアにおいて、レーザ光進行方向制御部３４は、第２制御部５８ｂと、高反射ミラー５９ｂとを含んでもよい。これらの構成要素は、メインパルスレーザ装置３ｂから出力されたメインパルスレーザ光の進行方向を制御するために設けられてもよく、これらの構成及び動作は、第１の実施形態において、レーザ装置３から出力されるレーザ光の進行方向を制御するために設けられる構成要素の構成及び動作と同様でよい。

たとえば、第１のガイドレーザ装置４０ａから出力される第１のガイドレーザ光は波長６３５ｎｍのレーザ光でもよく、第２のガイドレーザ装置４０ｂから出力される第２のガイドレーザ光は波長５３２ｎｍのレーザ光でもよい。

高反射ミラー５９ａは、プリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５９ｂは、メインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー５９ａによって反射されたプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光は、ビームスプリッタ５６の第１の面（図中右側の面）に入射してもよい。高反射ミラー５９ｂによって反射されたメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光は、ビームスプリッタ５６の第２の面（図中左側の面）に入射してもよい。

ビームスプリッタ５６は、第１の面に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー６１に向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ５６は、第１の面に入射した第１のガイドレーザ光を高い透過率で検出器５７に向けて透過させてもよい。

また、ビームスプリッタ５６は、第２の面に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー６１に向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５６は、第２の面に入射した第２のガイドレーザ光を高い反射率で検出器５７に向けて反射してもよい。

検出器５７は、ビームスプリッタ５６を透過した第１のガイドレーザ光と、ビームスプリッタ５６によって反射された第２のガイドレーザ光とに感度を持つ受光面を有してもよい。

ビームスプリッタ５６は、プリパルスレーザ光の進行方向とメインパルスレーザ光の進行方向とを一致させるビームコンバイナとして機能してもよい。このようなビームスプリッタ５６の基板材料としては、ダイヤモンドが用いられてもよい。

高反射ミラー６１は、ビームスプリッタ５６によって反射されたプリパルスレーザ光と、ビームスプリッタ５６を透過したメインパルスレーザ光とを高い反射率で反射してもよい。

高反射ミラー６１によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ウインドウ６６を高い透過率で透過してもよい。ウインドウ６６を透過したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、平面ミラー６２によって高い反射率で反射されてもよい。その後、平面ミラー６２によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、レーザ光集光ミラー２２０によって、それぞれプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。ターゲットにプリパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットが生成され、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。

第２の実施形態によれば、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してから拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合においても、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の集光位置を安定化させ得る。また、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光が出力されていないときでも、ガイドレーザ光を検出してビームステアリング機構を制御することにより、レーザ光の出力再開時におけるレーザ光の集光位置を安定化させ得る。

なお、ビームスプリッタ５６は、第１の面に入射したプリパルスレーザ光の一部をサンプル光として検出器５７に向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５６は、第２の面に入射したメインパルスレーザ光の一部をサンプル光として検出器５７に向けて反射してもよい。そして、検出器５７は、第１及び第２のガイドレーザ光に加えて、これらのサンプル光を受光して、検出結果を出力してもよい。この場合、レーザ光の波面の曲率（後述）をそれぞれ第１及び第２の制御部において計測することにより、レーザ光の波面の歪みの発生場所がビームステアリング機構５１ａ又は５１ｂか、それより上流側かを特定してもよい。

６．プリパルスレーザ光が用いられるＥＵＶ光生成システム（２）
図６は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。第３の実施形態においては、レーザ光進行方向制御部３４が、第２の実施形態における光検出部４５ａ及び４５ｂと、第１制御部４８ａ及び４８ｂとを含まなくてもよい。

第３の実施形態において、ビームスプリッタ５６は、第１の面（図中右側の面）に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー６１に向けて反射するとともに、入射したプリパルスレーザ光の一部をサンプル光として検出器５７に向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５６は、第１の面に入射した第１のガイドレーザ光を高い透過率で検出器５７に向けて透過させてもよい。

また、ビームスプリッタ５６は、第２の面（図中左側の面）に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー６１に向けて透過させるとともに、入射したメインパルスレーザ光の一部をサンプル光として検出器５７に向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ５６は、第２の面に入射した第２のガイドレーザ光を高い反射率で検出器５７に向けて反射してもよい。

検出器５７は、ビームスプリッタ５６を透過したプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光と、ビームスプリッタ５６によって反射されたメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光とに感度をもつ受光面を有してもよい。検出器５７は、受光面におけるプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光の受光位置と、メインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光の受光位置とを検出し、検出結果を出力してもよい。

制御部５８ｃは、検出器５７による検出結果に基づいて、レーザ光進行方向調節機構４１ａ及び４１ｂと、ビームステアリング機構５１ａ及び５１ｂとを制御してもよい。

すなわち、制御部５８ｃは、検出器５７によるプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光の検出結果に基づいて、プリパルスレーザ光の進行方向と、第１のガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するために、レーザ光進行方向調節機構４１ａを制御してもよい。

また、制御部５８ｃは、検出器５７によるメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光の検出結果に基づいて、メインパルスレーザ光の進行方向と、第２のガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するために、レーザ光進行方向調節機構４１ｂを制御してもよい。

また、制御部５８ｃは、検出器５７による第１のガイドレーザ光及びプリパルスレーザ光の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、プリパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるように、ビームステアリング機構５１ａを制御してもよい。

また、制御部５８ｃは、検出器５７による第２のガイドレーザ光及びメインパルスレーザ光の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、メインパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるように、ビームステアリング機構５１ｂを制御してもよい。その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。

第３の実施形態においても、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光の集光位置を安定化させ得る。また、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光が出力されていないときでも、ガイドレーザ光を検出してビームステアリング機構を制御することにより、レーザ光の出力再開時におけるレーザ光の集光位置を安定化させ得る。

７．高速のアライメント機構を含むＥＵＶ光生成システム
図７は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。第４の実施形態においては、ミラー収納容器６０のウインドウ６６１における反射光を検出してレーザ光の進行方向を制御するための機構をさらに含んでもよい。

図７に示すように、ビームスプリッタ５６は、レーザ光だけではなく、ガイドレーザ光の一部を透過させてもよい。ビームスプリッタ５６を透過したレーザ光及びガイドレーザ光の光路上には、ステアリングミラー６１１が配置されてもよい。ステアリングミラー６１１は、レーザ光及びガイドレーザ光をウインドウ６６１に向けて反射してもよい。ウインドウ６６１は、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向に対して垂直以外の角度で配置されてもよい。ウインドウ６６１は、レーザ光を高い透過率で透過させ、ガイドレーザ光を高い反射率で反射してもよい。

ウインドウ６６１によって反射されたガイドレーザ光の光路上には、検出器６７が配置されてもよい。検出器６７は、受光面における光の重心位置を高速で検出する光位置検出器（ＰＳＤ）でもよい。検出器６７において検出された光の重心位置は、第３制御部６８に入力されてもよい。第３制御部６８は、検出器６７による検出結果に基づき、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるように、ステアリングミラー６１１の姿勢を制御してもよい。ステアリングミラー６１１は、ピエゾ素子を用いてその姿勢を高速で調節可能なアクチュエータを備えてもよい。

第４の実施形態によれば、ガイドレーザ光の進行方向の変動のうち、振幅が大きく又は周波数が低い変動分については、第２制御部５８によるビームステアリング機構５１の制御によって相殺され得る。一方、ガイドレーザ光の進行方向の変動のうち、振幅が小さく又は周波数が高い変動分については、第３制御部によるステアリングミラー６１１の姿勢の高速な制御によって相殺され得る。これにより、レーザ光の集光位置を安定化させ得る。

８．ガイドレーザ光の調節機構を含むＥＵＶ光生成システム
図８は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの一部断面図である。第５の実施形態においては、ガイドレーザ装置４０と光路結合器４４との間に、ガイドレーザ光の進行方向を調節するための調節機構８１が配置されてもよい。

調節機構８１は、高反射ミラー８２及び８３を含んでもよい。高反射ミラー８２及び８３は、上述の高反射ミラー４２及び４３と同様に、アクチュエータ部によってその位置及び姿勢が調節されてもよい。高反射ミラー８２及び８３の位置及び姿勢が調節されることにより、ガイドレーザ装置４０から出力されるガイドレーザ光の進行方向が調節されてもよい。

第１制御部４８は、検出器４７による検出結果に基づいて、レーザ装置３から出力されたレーザ光の進行方向と、ガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するために、調節機構８１を制御してもよい。この場合、レーザ装置３から出力されたレーザ光の進行方向を調節するためのレーザ光進行方向調節機構４１の代わりに、進行方向の調節機能を有さない光学素子が用いられてもよい。

９．レーザ増幅器の配置
図９は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるレーザ光進行方向制御部の一部を概略的に示す。第６の実施形態においては、レーザ装置３が、マスターオシレータ３００と増幅器３０１及び３０２とを含んでもよい。そして、レーザ光進行方向制御部３４の一部を構成するガイドレーザ装置４０、レーザ光進行方向調節機構４１及び光路結合器４４の下流側に、さらにレーザ光を増幅するための増幅器３０３及び３０４が配置されてもよい。増幅器３０３及び３０４は、サブファブフロアに配置されてもよい。

マスターオシレータ３００は、ターゲットをプラズマ化するためのレーザ光の種光を出力するよう構成されてもよい。増幅器３０１は、マスターオシレータ３００から出力された種光を増幅し、増幅器３０２は、増幅器３０１において増幅されて増幅器３０１から出力されたレーザ光を、さらに増幅してもよい。

レーザ光進行方向調節機構４１は、増幅器３０２から出力されたレーザ光の進行方向を調節してもよい。ガイドレーザ装置４０は、ガイドレーザ光を出力するよう構成されてもよい。光路結合器４４は、増幅器３０２から出力され、レーザ光進行方向調節機構４１を通過したレーザ光の進行方向と、ガイドレーザ装置４０から出力されたガイドレーザ光の進行方向とを実質的に一致させてもよい。

増幅器３０３は、光路結合器４４において進行方向を一致させられたレーザ光及びガイドレーザ光のうち、少なくともレーザ光を増幅してもよい。増幅器３０４は、増幅器３０３から出力されたレーザ光及びガイドレーザ光のうち、少なくともレーザ光をさらに増幅してもよい。増幅器３０４から出力されたレーザ光及びガイドレーザ光は、第１及び第２の実施形態において説明したように光検出部４５、４５ａ又は４５ｂに入射してもよい。あるいは、増幅器３０４から出力されたレーザ光及びガイドレーザ光は、第３の実施形態において説明したようにビームステアリング機構５１、５１ａ又は５１ｂに入射してもよい。また、第５の実施形態において説明したように、ガイドレーザ装置４０と光路結合器４４との間に調節機構８１が配置されてもよい。

ＥＵＶ光生成システムにおいては、所望のエネルギーを有するＥＵＶ光を出力するために、高いエネルギーを有するレーザ光をターゲットに照射する場合がある。レーザ光のエネルギーが高くなると、レーザ光の光路に配置される光学素子が熱負荷によって変形し、レーザ光の進行方向が変化し得る。特に、複数の増幅器が用いられる場合、レーザ光のエネルギーが下流側の増幅器の出力部では高くなる。このため、より下流側の増幅器の出力部においてほど、レーザ光の進行方向の変化が大きく、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とを一致させる場合の制御量が大きくなり得る。

第６の実施形態によれば、複数の増幅器の間にレーザ光進行方向調節機構４１及び光路結合器４４を配置することにより、熱負荷によるレーザ光の進行方向の変動が小さい段階で、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とを一致させ得る。従って、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれを低減するための、レーザ光進行方向調節機構４１による制御量を小さくすることができる。レーザ光進行方向調節機構４１による制御量が小さくできれば、レーザ光進行方向調節機構４１をより高速で、より高頻度で稼動させ得る。この結果、レーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれを小さい状態で安定化させることができる。

１０．検出器
１０．１ ２つの異なる位置におけるビームプロファイルを検出する例
図１０Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第１の例を概略的に示す。第１の例においては、サンプル光の２つの異なる位置におけるビーム断面のビームプロファイルを検出するために、ビームスプリッタ７３によってサンプル光を分岐させ、これらの分岐光に異なる光路長を持たせて、それぞれのビームプロファイルを検出してもよい。なお、サンプル光とは、レーザ装置３からチャンバ２に至るレーザ光路から分岐されて検出器５７（又は４７）に入射するレーザ光又はガイドレーザ光でもよい。

図１０Ａに示すように、検出器は、バンドパスフィルタ７０と、ビームスプリッタ７３と、高反射ミラー７７と、転写光学系７５及び７９と、ビームプロファイラ５７０及び５９０と、を含んでもよい。

バンドパスフィルタ７０は、検出しようとする光（レーザ光又はガイドレーザ光）を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。ビームスプリッタ７３は、バンドパスフィルタ７０を透過した光の一部を転写光学系７５に向けて透過させ、他の一部を高反射ミラー７７に向けて反射してもよい。高反射ミラー７７は、ビームスプリッタ７３によって反射された光を高い反射率で転写光学系７９に向けて反射してもよい。

転写光学系７５は、サンプル光の光路上の位置Ａ１におけるビーム断面をビームプロファイラ５７０の受光面に転写してもよい。転写光学系７９は、サンプル光の光路上の位置Ａ２におけるビーム断面をビームプロファイラ５９０の受光面に転写してもよい。ビームプロファイラ５７０及び５９０は、受光面に転写された光の強度分布を出力してもよい。

第２制御部５８（又は第１制御部４８）は、ビームプロファイラ５７０及び５９０からの出力に基づいて、レーザ光又はガイドレーザ光の位置、進行方向及びダイバージェンス（波面の曲率）を算出してもよい。例えば、ビームプロファイラ５７０及び５９０において検出された光の強度分布の重心位置が算出され、これがレーザ光又はガイドレーザ光の位置を示す値として用いられてもよい。また、ビームプロファイラ５７０及び５９０において検出された光の強度分布におけるそれぞれの重心位置の差と、位置Ａ１とＡ２との間隔とから、レーザ光又はガイドレーザ光の進行方向が算出されてもよく、これがレーザ光又はガイドレーザ光の進行方向を示す値として用いられてもよい。さらに、ビームプロファイラ５７０及び５９０において検出されたそれぞれの光のビーム幅（例えば半値幅）の差から、レーザ光又はガイドレーザ光の波面の曲率が算出されてもよい。

以上の算出結果に基づいて、第２制御部５８は、レーザ光進行方向調節機構４１及びビームステアリング機構５１の少なくともいずれかを制御してもよい。あるいは、以上の算出結果に基づいて、第１制御部４８が、レーザ光進行方向調節機構４１を制御してもよい。

図１０Ｂ及び図１０Ｃは、検出器の第１の例の変形例を概略的に示す。第１の例の変形例は、複数のバンドパスフィルタ７１及び７２を切り替えて使用できるように構成した点で、図１０Ａに示す第１の例とは異なってもよい。図１０Ｂ及び図１０Ｃに示すように、バンドパスフィルタ７１及び７２は、駆動部７８によって移動可能に構成されてもよい。駆動部７８は、第２制御部５８（又は第１制御部４８）によって制御されてもよい。バンドパスフィルタ７１は、レーザ装置３から出力されたレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。バンドパスフィルタ７２は、ガイドレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。

図１０Ｂに示すように、駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７１を移動させた場合、ビームスプリッタ７３には、レーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、レーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

図１０Ｃに示すように、駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７２を移動させた場合、ビームスプリッタ７３には、ガイドレーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、ガイドレーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

なお、転写光学系７５及び７９は、レーザ光及びガイドレーザ光の波長に対して色収差を補正する機能を有するのが好ましい。たとえば、転写光学系７５及び７９は、色消しレンズやその組合せであるのが好ましい。更に、転写光学系７５及び７９は、原理的に色収差が少ない構成であることが好ましい。たとえば、転写光学系７５及び７９は、反射光学系であるのが好ましい。

第１の例の変形例によれば、レーザ光とガイドレーザ光とを検出するために、同一のビームプロファイラ５７０及び５９０が用いられるので、高精度にレーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれが検出され得る。

１０．２ ビームプロファイルとポインティングを検出する例
図１１Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第２の例を概略的に示す。第２の例においては、サンプル光のビーム断面のビームプロファイルと、焦点位置でのビームプロファイルまたはポインティングとを検出するために、ビームスプリッタ７３によってサンプル光を分岐させてもよい。

図１１Ａに示すように、検出器は、バンドパスフィルタ７０と、ビームスプリッタ７３と、集光光学系７４と、転写光学系７５と、ビームプロファイラ５４０及び５７０と、を含んでもよい。

バンドパスフィルタ７０は、検出しようとする光（レーザ光又はガイドレーザ光）を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。ビームスプリッタ７３は、バンドパスフィルタ７０を透過した光の一部を転写光学系７５に向けて透過させ、他の一部を集光光学系７４に向けて反射してもよい。

転写光学系７５は、ビームスプリッタ７３を透過した光のビーム断面をビームプロファイラ５７０の受光面に転写してもよい。集光光学系７４は、ビームスプリッタ７３によって反射された光を、集光光学系７４から焦点距離Ｆ離れた位置に配置されたビームプロファイラ５４０の受光面に結像させてもよい。焦点距離Ｆは集光光学系７４における焦点距離でよい。ビームプロファイラ５４０及び５７０は、受光面にそれぞれ結像及び転写された光の強度分布を出力してもよい。

第２制御部５８（又は第１制御部４８）は、ビームプロファイラ５４０及び５７０からの出力に基づいて、レーザ光又はガイドレーザ光の位置、進行方向及びダイバージェンス（波面の曲率）を算出してもよい。例えば、ビームプロファイラ５４０及び５７０において検出された光の強度分布の重心位置が算出され、これがレーザ光又はガイドレーザ光の位置を示す値として用いられてもよい。また、ビームプロファイラ５４０及び５７０において検出された光の強度分布におけるそれぞれの重心位置の差から、レーザ光又はガイドレーザ光の進行方向が算出されてもよい。さらに、ビームプロファイラ５７０において検出された光のビーム幅（例えば半値幅）と、ビームプロファイラ５４０において検出された焦点の大きさとから、レーザ光又はガイドレーザ光の波面の曲率が算出されてもよい。

以上の算出結果に基づいて、第２制御部５８が、レーザ光進行方向調節機構４１及びビームステアリング機構５１の少なくともいずれかを制御してもよい。あるいは、以上の算出結果に基づいて、第１制御部４８が、レーザ光進行方向調節機構４１を制御してもよい。

図１１Ｂは、検出器の第２の例の変形例を概略的に示す。第２の例の変形例は、複数のバンドパスフィルタ７１及び７２を切り替えて使用できるようにした点で、図１１Ａに示す第２の例とは異なってもよい。図１１Ｂに示すように、バンドパスフィルタ７１及び７２は、駆動部７８によって移動可能に構成されてもよい。駆動部７８は、第２制御部５８（又は第１制御部４８）によって制御されてもよい。バンドパスフィルタ７１は、レーザ装置３から出力されたレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。バンドパスフィルタ７２は、ガイドレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。

図１１Ｂに示すように、駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７１を移動させた場合、ビームスプリッタ７３には、レーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、レーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７２を移動させた場合、ビームスプリッタ７３には、ガイドレーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、ガイドレーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

なお、集光光学系７４及び転写光学系７５は、レーザ光及びガイドレーザ光の波長に対して色収差を補正する機能を有するのが好ましい。たとえば、集光光学系７４及び転写光学系７５は、色消しレンズやその組合せであるのが好ましい。更に、集光光学系７４及び転写光学系７５は原理的に色収差が少ない構成であることが好ましい。たとえば、集光光学系７４及び転写光学系７５は、反射光学系であるのが好ましい。

第２の例の変形例によれば、レーザ光とガイドレーザ光とを検出するために、同一のビームプロファイラ５４０及び５７０が用いられるので、高精度にレーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれが検出され得る。

１０．３ シャックハルトマン波面センサを使用する例
図１２Ａは、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第３の例を概略的に示す。第３の例においては、レーザ光又はガイドレーザ光の進行方向と波面の曲率とを計測するために、シャックハルトマン波面センサが用いられてもよい。

図１２Ａに示すように、検出器は、バンドパスフィルタ７０と、シャックハルトマン波面センサ９０と、を含んでもよい。シャックハルトマン波面センサ９０は、マイクロレンズアレイ９１と、ＣＣＤ（charge coupled device）カメラ９３とを含んでもよい。

バンドパスフィルタ７０は、検出しようとする光（レーザ光又はガイドレーザ光）を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。マイクロレンズアレイ９１は、複数の微小な凸レンズ又は凹レンズが二次元配置された光学素子でもよい。ＣＣＤカメラ９３は、マイクロレンズアレイ９１によって形成される投影像を撮像するための素子でもよい。

第２制御部５８（又は第１制御部４８）は、ＣＣＤカメラ９３からの出力に基づいて、レーザ光又はガイドレーザ光の位置、進行方向及びダイバージェンス（波面の曲率）を算出してもよい。そして、この算出結果に基づいて、第２制御部５８が、レーザ光進行方向調節機構４１及びビームステアリング機構５１の少なくともいずれかを制御してもよい。あるいは、この算出結果に基づいて、第１制御部４８が、レーザ光進行方向調節機構４１を制御してもよい。

図１２Ｂは、検出器の第３の例の変形例を概略的に示す。第３の例の変形例は、複数のバンドパスフィルタ７１及び７２を切り替えて使用できるように構成した点で、図１２Ａに示す第３の例とは異なってもよい。図１２Ｂに示すように、バンドパスフィルタ７１及び７２は、駆動部７８によって移動可能に構成されてもよい。駆動部７８は、第２制御部５８（又は第１制御部４８）によって制御されてもよい。シャックハルトマン波面センサ９０において、マイクロレンズアレイ９１の代わりに、多数のピンホールを有するスクリーン９２が用いられてもよい。バンドパスフィルタ７１は、レーザ装置３から出力されたレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。バンドパスフィルタ７２は、ガイドレーザ光を高い透過率で透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。

図１２Ｂに示すように、駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７１を移動させた場合、シャックハルトマン波面センサ９０には、レーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、レーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

駆動部７８がサンプル光の光路上にバンドパスフィルタ７２を移動させた場合、シャックハルトマン波面センサ９０には、ガイドレーザ光が到達し得る。従って、第２制御部５８（又は第１制御部４８）により、ガイドレーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率が算出され得る。

第３の例の変形例によれば、レーザ光とガイドレーザ光とを検出するために、同一のシャックハルトマン波面センサ９０が用いられるので、高精度にレーザ光の進行方向とガイドレーザ光の進行方向とのずれが検出され得る。

１０．４ 光位置検出器を使用する例
図１３は、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第４の例を概略的に示す。第４の例においては、ガイドレーザ光の位置を高速に検出するために、光位置検出器（ＰＳＤ）が用いられてもよい。

図１３に示すように、検出器は、バンドパスフィルタ７２０と、集光光学系７４０と、光位置検出器５７１とを含んでもよい。バンドパスフィルタ７２０は、ガイドレーザ光を透過させ、他の波長の光を減衰させる又は遮断する光学フィルタでもよい。集光光学系７４０は、バンドパスフィルタ７２０を透過した光を、集光光学系７４０から焦点距離Ｆ０離れた位置に配置された光位置検出器５７１の受光面に集光してもよい。焦点距離Ｆ０は集光光学系７４０における焦点距離でもよい。光位置検出器５７１は、受光面において集光された光の重心位置を出力してもよい。

光位置検出器５７１の出力結果に基づいて、第２制御部５８は、ビームステアリング機構５１を制御してもよい。光位置検出器５７１は、光の強度分布ではなく重心位置を出力するので、高速に処理を実行し得る。従って、ビームステアリング機構５１などの振動にも対応でき、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向の変化が抑制され得る。なお、光位置検出器５７１の代わりに、４分割センサが用いられてもよい。

１０．５ 第１〜第４の例の組合せ
図１４は、上述の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおける検出器の第５の例を概略的に示す。第５の例においては、上述の第１〜第４の例が組み合わされてもよい。

第３の実施形態（図６参照）において説明したように、ビームスプリッタ５６の第１の面にはプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光が入射し、ビームスプリッタ５６の第２の面にはメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光が入射してもよい。ビームスプリッタ５６の第１の面からは少なくともプリパルスレーザ光とメインパルスレーザ光が出力され、チャンバ２内に導入されてもよい。ビームスプリッタ５６の第２の面からは、サンプル光として、プリパルスレーザ光の一部、第１のガイドレーザ光、メインパルスレーザ光の一部及び第２のガイドレーザ光が出力されてもよい。

サンプル光の光路上には、ビームスプリッタ５６１、５６２及び５６ａと、高反射ミラー５６ｂとが、この順で配置されてもよい。ビームスプリッタ５６１は、第１のガイドレーザ光の一部を反射し、残りのサンプル光を透過させてもよい。ビームスプリッタ５６２は、第２のガイドレーザ光の一部を反射し、残りのサンプル光を透過させてもよい。ビームスプリッタ５６ａは、プリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光を高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。高反射ミラー５６ｂは、メインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光を高い反射率で反射してもよい。

ビームスプリッタ５６１において反射された第１のガイドレーザ光の光路上には、上述の検出器の第４の例と同様の検出器、すなわち、バンドパスフィルタ７２１と、集光光学系７４１と、光位置検出器５７１とが配置されてもよい。これにより、第２制御部５８は、第１のガイドレーザ光の位置を検出し、ビームステアリング機構５１ａを高速で制御してもよい。

ビームスプリッタ５６２において反射された第２のガイドレーザ光の光路上には、上述の検出器の第４の例と同様の検出器、すなわち、バンドパスフィルタ７２２と、集光光学系７４２と、光位置検出器５７２とが配置されてもよい。これにより、第２制御部５８は、第２のガイドレーザ光の位置を検出し、ビームステアリング機構５１ｂを高速で制御してもよい。

ビームスプリッタ５６ａにおいて反射されたプリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光の光路上には、上述の検出器の第２の例の変形例と同様の検出器が配置されてもよい。これにより、第２制御部５８は、プリパルスレーザ光及び第１のガイドレーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率を算出して、ビームステアリング機構５１ａ（又はレーザ光進行方向調節機構４１ａ）を制御してもよい。検出器の第２の例と同様の検出器の代わりに、検出器の第１又は第３の例と同様の検出器が用いられてもよい。

高反射ミラー５６ｂにおいて反射されたメインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光の光路上には、上述の検出器の第２の例の変形例と同様の検出器が配置されてもよい。これにより、第２制御部５８は、メインパルスレーザ光及び第２のガイドレーザ光の位置、進行方向及び波面の曲率を算出して、ビームステアリング機構５１ｂ（又はレーザ光進行方向調節機構４１ｂ）を制御してもよい。検出器の第２の例と同様の検出器の代わりに、検出器の第１又は第３の例と同様の検出器が用いられてもよい。

１１．補足説明
１１．１ 調節機構の説明
図１５は、レーザ光進行方向調節機構の動作を説明するための図である。２つの高反射ミラー４２及び４３のそれぞれの姿勢角度（θｘ、θｙ）を制御することによって、入射するレーザ光の進行方向が所望の方向となるように調節されてもよい。ここで、角度θｘの方向と角度θｙの方向とは、互いに直交してもよい。例えば、高反射ミラー４２及び４３がそれぞれ装着されるミラーホルダ４２１及び４３１（図２）は、ジンバル機構による調節機能を有してもよい。ジンバル機構は、互いに直交する２軸を中心として物体を回転させる回転台の一種である。

１１．２ アクチュエータ部の説明
図１６は、レーザ光進行方向調節機構におけるアクチュエータ部の具体例を示す。高反射ミラー４２は、ミラーホルダ４２１に支持され、ミラーホルダ４２１は、接続部４２２を介してベース部４２３に対して変位可能に支持されてもよい。たとえば、接続部４２２はスプリング及びガイドによって構成されてもよい。スプリングは、ミラーホルダ４２１とベース部４２３とが互いに引き寄せられるように、それぞれに力を作用させ、ガイドは、ミラーホルダ４２１がベース部４２３に対して、所定の方向に変位可能なように、変位方向を規制してもよい。ピエゾ素子が用いられる３つの接続部４２２それぞれの一端は、ベース部４２３に固定されてもよい。３つの接続部４２２それぞれの他端は、ミラーホルダ４２１に接触していてもよい。３つの接続部４２２のそれぞれは、第１制御部４８によって制御されるドライバからの駆動信号によって、ベース部４２３とミラーホルダ４２１との距離を、接続部４２２毎に独立に伸縮させる送り機構を含んでもよい。ベース部４２３は、レーザ光進行方向調節機構の筐体等に固定されてもよい。

このように、ベース部４２３に対するミラーホルダ４２１の３点における距離をそれぞれ伸縮させることにより、高反射ミラー４２の姿勢を角度θｘの方向と角度θｙの方向とにおいて調節してもよい。高反射ミラー４３、５２、５３等の姿勢を調節するためのアクチュエータ部も同様に構成されてもよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、３ａ…プリパルスレーザ装置、３ｂ…メインパルスレーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、９…設置機構、１０…チャンバ基準部材、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、４０、４０ａ、４０ｂ…ガイドレーザ装置、４１、４１ａ、４１ｂ…レーザ光進行方向調節機構、４２、４３…高反射ミラー、４４、４４ａ、４４ｂ…光路結合器、４５、４５ａ、４５ｂ…光検出部、４６…ビームサンプラ、４７…検出器、４８、４８ａ、４８ｂ…第１制御部、５０ａ…高反射ミラー、５１、５１ａ、５１ｂ…ビームステアリング機構、５２、５２ａ、５２ｂ、５３、５３ａ、５３ｂ…高反射ミラー、５５…光検出部、５６、５６ａ…ビームスプリッタ、５６ｂ…高反射ミラー、５７…検出器、５８、５８ａ、５８ｂ…第２制御部、５８ｃ…制御部、５９、５９ａ、５９ｂ…高反射ミラー、６０…ミラー収納容器、６１…高反射ミラー、６２…平面ミラー、６６…ウインドウ、６７…検出器、６８…第３制御部、７０、７１、７２…バンドパスフィルタ、７３…ビームスプリッタ、７４…集光光学系、７５…転写光学系、７７…高反射ミラー、７８…駆動部、７９…転写光学系、８１…調節機構、８２、８３…高反射ミラー、９０…シャックハルトマン波面センサ、９１…マイクロレンズアレイ、９２…スクリーン、９３…カメラ、２２０…レーザ光集光ミラー、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３００…マスターオシレータ、３０１、３０２、３０３、３０４…増幅器、４２１…ミラーホルダ、４２２…接続部、４２３…ベース部、４２４…脚部、４３１…ミラーホルダ、４３２…アクチュエータ部、５１０…光路管、５２１…ミラーホルダ、５２２…アクチュエータ部、５３１…ミラーホルダ、５３２…アクチュエータ部、５４０…ビームプロファイラ、５６１、５６２…ビームスプリッタ、５７０…ビームプロファイラ、５７１、５７２…光位置検出器、５９０…ビームプロファイラ、６１１…ステアリングミラー、６６１…ウインドウ、７２０、７２１、７２２…バンドパスフィルタ、７４０、７４１、７４２…集光光学系、Ｆ、Ｆ０…焦点距離

本開示の１つの観点に係るアライメントシステムは、ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、レーザ光及びガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、レーザ光及びガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、光路結合部の下流側に配置され、レーザ光及びガイドレーザ光を検出する光検出部と、光検出部による検出結果に基づいて、調節機構を制御する制御部と、を備え、調節機構が、光路結合部よりも、レーザ光及びガイドレーザ光の少なくとも一方の光路の上流側に配置されていてもよい。

Claims (7)

1. レーザ光を出力するレーザ装置のためのアライメントシステムであって、
   ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光を検出する第１の光検出部と、
   前記第１の光検出部による検出結果に基づいて、前記調節機構を制御する第１の制御部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、
   前記ビームステアリング機構の下流側に配置され、少なくとも前記ガイドレーザ光を検出する第２の光検出部と、
   前記第２の光検出部による検出結果に基づいて、前記ビームステアリング機構を制御する第２の制御部と、
   を備えるアライメントシステム。
2. 前記ビームステアリング機構の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を調節する光路調節部と、
   前記光路調節部の下流側に配置され、少なくとも前記ガイドレーザ光の位置を検出する第３の光検出部と、
   前記第３の光検出部による検出結果に基づいて、前記光路調節部を制御する第３の制御部と、
   をさらに備える請求項１記載のアライメントシステム。
3. 前記光路結合部の下流側に配置され前記レーザ光を増幅する増幅器をさらに備える請求項１記載のアライメントシステム。
4. レーザ光を出力するレーザ装置のためのアライメントシステムであって、
   ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、
   前記ビームステアリング機構の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光を検出する光検出部と、
   前記光検出部による検出結果に基づいて、前記調節機構及び前記ビームステアリング機構を制御する制御部と、
   を備えるアライメントシステム。
5. 前記光路結合部の下流側に配置され前記レーザ光を増幅する増幅器をさらに備える請求項４記載のアライメントシステム。
6. レーザ光を出力するレーザ装置のためのアライメントシステムと、
   前記レーザ装置から出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
   前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
   前記レーザ光を前記所定の領域で集光させるレーザ集光光学系と、
   を備える極端紫外光生成装置であって、
   前記アライメントシステムは、
   ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光を検出する第１の光検出部と、
   前記第１の光検出部による検出結果に基づいて、前記調節機構を制御する第１の制御部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、
   前記ビームステアリング機構の下流側に配置され、少なくとも前記ガイドレーザ光を検出する第２の光検出部と、
   前記第２の光検出部による検出結果に基づいて、前記ビームステアリング機構を制御する第２の制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
7. レーザ光を出力するレーザ装置のためのアライメントシステムと、
   前記レーザ装置から出力されるレーザ光を内部に導入するための入射口が設けられたチャンバと、
   前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
   前記レーザ光を前記所定の領域で集光させるレーザ集光光学系と、
   を備える極端紫外光生成装置であって、
   前記アライメントシステムは、
   ガイドレーザ光を出力するガイドレーザ装置と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の少なくとも一方の進行方向を調節する調節機構と、
   前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を実質的に一致させる光路結合部と、
   前記光路結合部の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光の進行方向を調節するビームステアリング機構と、
   前記ビームステアリング機構の下流側に配置され、前記レーザ光及び前記ガイドレーザ光を検出する光検出部と、
   前記光検出部による検出結果に基づいて、前記調節機構及び前記ビームステアリング機構を制御する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。

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