TW201432025A - 有機電場發光元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即使是低電壓亦具有高效率且高的驅動穩定性的實用上有用的有機電場發光元件。該有機電場發光元件在對向的陽極與陰極之間具有發光層與其他有機層，發光層含有至少2種主體材料與至少1種發光性摻雜劑，主體材料中，至少1種是選自具有1個或2個吲哚咔唑骨架的化合物的主體材料，另外至少1種是選自被二苯并呋喃類或二苯并噻吩類取代的咔唑化合物的主體材料。
Description
本發明是有關於一種有機電場發光元件(以下稱為有機EL元件)。
一般情況下，有機EL元件的最簡單的結構是包含發光層及夾持該層的一對對向電極。亦即，在有機EL元件中利用如下的現象：若對兩電極施加電場，則自陰極注入電子，自陽極注入電洞，該些於發光層中再結合時作為能量而放出光。
近年來，開始進行使用有機薄膜的有機EL元件的開發。特別是進行用以提高發光效率的開發。其中，藉由電極種類的最佳化而改善來自電極的載子的注入效率。而且，藉由使用包含芳香族二胺的電洞傳輸層與包含8-羥基喹啉鋁錯合物(以下稱為Alq3)的發光層兼電子傳輸層的元件的開發，可進行與現有元件相比的大幅度的發光效率的改善。藉此可進行以將有機EL元件實用至具有自發光、高速響應性等特性的高性能平板(flat-panel)為目標的開發。
作為提高元件的發光效率的嘗試，亦研究了使用磷光發光材料而並非使用螢光發光材料。以設有包含芳香族二胺的電洞
傳輸層與包含Alq3的發光層的元件為首的眾多元件利用螢光發光，但藉由使用磷光發光、亦即利用來自三重激發態(triplet excited state)的發光，與現有的使用螢光(來自單重激發態的發光)的元件相比而言，可期待3倍~4倍左右的效率提高。因為該目的而研究將香豆素衍生物或二苯甲酮衍生物作為發光層，但是僅僅獲得極其低的亮度。其後，作為利用三重激發態的嘗試，研究使用銪錯合物，但其亦未實現高效率的發光。至於利用該磷光發光的研究，作為磷光發光摻雜劑，以銥錯合物等有機金屬錯合物為中心而進行了大量研究，亦發現了高效率地發光者。
【先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-176578號公報
[專利文獻2]WO2008/056746號公報
[專利文獻3]WO2009/136596號公報
[專利文獻4]WO2010/098246號公報
[專利文獻5]WO2011/132683號公報
[專利文獻6]WO2011/132684號公報
[專利文獻7]日本專利特開2012-028634號公報
[專利文獻8]WO2009/086028號公報
[專利文獻9]日本專利特開2012-49518號公報
作為有機EL元件的發光層中所使用的主體材料，可列舉咔唑系化合物或噁唑系化合物、三唑系化合物等，但都並非是
效率、壽命均可耐實用者。
而且，在專利文獻1中進行了吲哚咔唑(indolocarbazole)化合物的揭示，但推薦將其用作電洞傳輸材料，並未揭示將其用作混合主體材料。
而且，在專利文獻2中，關於吲哚咔唑化合物，揭示了將其用作主體材料，但並未記載吲哚咔唑化合物的作為混合主體材料的有用性。
而且，在專利文獻3、專利文獻4中，揭示了將吲哚咔唑化合物用作混合主體，但並未記載在與特定咔唑化合物的組合中表現出有用的效果。
而且，在專利文獻5、專利文獻6、專利文獻7中揭示了將吲哚咔唑化合物與咔唑化合物用作混合主體，但並未記載特定的吲哚咔唑化合物與特定的咔唑化合物的組合的有用的效果。
而且，在專利文獻8、專利文獻9中揭示了特定的咔唑化合物，但並未記載與特定的吲哚咔唑化合物的組合的有用的效果。
為了將有機EL元件應用至平板顯示器等的顯示元件、或光源中，需要在改善元件的發光效率的同時充分確保驅動時的穩定性。本發明鑒於上述現狀，其目的在於提供即使是低電壓亦具有高效率且高的驅動穩定性的實用上有用的有機EL元件。
本發明有關於一種有機電場發光元件，其是在對向的陽
極與陰極之間包含1個以上發光層的有機電場發光元件，其特徵在於：至少1個發光層含有至少2種主體材料與至少1種發光性摻雜劑，該至少2種主體材料包含選自下述通式(1)~通式(2)的任意通式所表示的化合物的至少一種主體材料、選自下述通式(3)所表示的化合物的至少一種主體材料；
此處，環a、環c、環c'分別獨立地表示在2個鄰接環的任意位置所縮合的且由式(a1)所表示的芳香環或雜環，環b、環d、環d'分別獨立地表示在2個鄰接環的任意位置所縮合的式(b1)所表示的雜環，X1表示CR7或N，Ar1、Ar2分別獨立地表示碳數為6~22的芳香族烴基、或碳數為3~6的單環的芳香族雜環基，Z表示選自碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基的2價連結基，但鍵結於N上的基是碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~6的單環的芳香族雜環基。
R1~R7分別獨立地表示氫、氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基、碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基，L1、L2分別獨立地表示碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基，
p、q表示0~7的整數，h、i、j、k、l及m表示4的整數，n表示2的整數，L1、L2、及R1~R7在存在多個的情況下，分別可相同亦可不同，上述Ar1、Ar2、L1、L2、Z、及R1~R7中的芳香族烴基或芳香族雜環基亦可具有取代基，在具有取代基的情況下的取代基是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基。
(式中，L3分別獨立地表示氫、或1價基，E表示氧或硫)。
而且，通式(1)、通式(2)及通式(3)中的氫的一部分或全部亦可被取代為氘。
理想的是上述通式(1)~通式(2)中，Ar1或Ar2的至少一個是碳數為3~6的單環的芳香族雜環基，X1為CR7。
理想的是上述通式(3)中的L3的至少1個是式(e1)所表示的1價基。
式中，L4分別獨立地表示氫、氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基、碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基，X2分別獨立地表示CL4或氮，多個L4可相同亦可不同，L4中的芳香族烴基或芳香族雜環基亦可具有取代基，在具有取代基的情況下的取代基是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為
14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基。
通式(3)所表示的化合物較佳的是通式(4)所表示的化合物，通式(4)所表示的化合物較佳的是通式(5)所表示的化合物。
(式中，X2、L4、及E與通式(3)及通式(e1)中的X2、L4、及E同意)
(式中，L4、及E與通式(4)中的L4、及E同意)
而且，理想的是選自通式(1)~通式(2)的任意通式所表示的化合物的材料與選自通式(3)所表示的化合物的材料的電子親和力之差(⊿EA)大於0.1eV。
理想的是發光性摻雜劑是包含選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑及金的至少一種金屬的有機金屬錯合物。
本發明的有機EL元件使用特定的化合物作為混合主體，因此即使是低電壓，亦具有用以封入(confine)磷光發光分子的最低激發三重能量(triplet energy)所足夠高的最低激發三重能量，因此可並不自發光層內流失能量(energy drain)地達成高效率且長壽命。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子傳輸層
7‧‧‧電子注入層
8‧‧‧陰極
圖1是示意性地表示有機EL元件的一例的剖面圖。
本發明的有機電場發光元件是在對向的陽極與陰極之間，包含1個以上發光層的有機電場發光元件，至少1個發光層含有至少2種主體材料與至少1種發光性摻雜劑，該2種主體材料中，1種是選自下述通式(1)~通式(2)的任意通式所表示的化合物的主體材料，另外1種是選自下述通式(3)所表示的化合物的主體材料。
在通式(1)或通式(2)中，環a、環c、環c'分別獨立地表示在2個鄰接環的任意位置所縮合的且由式(a1)所表示的芳香環或雜環，環b、環d、環d'分別獨立地表示在2個鄰接環的任意位置所縮合的且由式(b1)所表示的雜環。在式(a1)中，X1表示CR7或N，較佳的是CR7。
在通式(1)或通式(2)所表示的化合物中，式(a1)所表示的芳香族烴環或雜環，可與2個鄰接環自任意的位置縮合，但存在結構上無法縮合的位置。式(a1)所表示的芳香族烴環或雜環具有6個邊，但並不在鄰接的2個邊與2個鄰接環縮合。而且，在通式(1)、通式(2)中，式(b1)所表示的雜環可與2個鄰接環在任意的位置而縮合，但存在結構上無法縮合的位置。亦即，式(b1)所表示的雜環具有5個邊，但並不在鄰接的2個邊與2個鄰接環縮合，而且並不自包含氮原子的邊與鄰接環縮合。因此，通式(1)、通式(2)所表示的化合物的異構體的骨架種類受到限制。
在通式(1)及通式(2)中，Ar1~Ar2表示碳數為6~22的芳香族烴基、或碳數為3~6的單環的芳香族雜環基，該些芳香族烴基、或芳香族雜環基亦可分別具有取代基。另外，在稱為通式(1)、或通式(2)時，可解釋為包含式(a1)及式(b1)的含義。
Ar1~Ar2較佳的是碳數為6~18的芳香族烴基或碳數為3~5的單環的芳香族雜環基，單環的芳香族雜環基較佳的是6員
環。Ar1為p+1價的基，Ar2為q+1價的基。
Ar1~Ar2的具體例可列舉自苯、並環戊二烯(pentalene)、茚(indene)、萘、薁(azulene)、庚搭烯(heptalene)、辛搭烯(octalene)、苯并二茚(indacene)、苊(acenaphthylene)、萉(phenalene)、菲(phenanthrene)、蒽(anthracene)、三聚茚(trindene)、螢蒽(fluoranthene)、醋菲烯(acephenanthrylene)、苯并苊(aceanthrylene)、聯伸三苯(triphenylene)、芘(pyrene)、屈(chrysene)、四芬(tetraphene)、四芬、稠四苯(tetracene)、七曜烯(pleiadene)、苉(picene)、苝(perylene)、戊芬(pentaphene)、稠五苯(pentacene)、聯伸四苯(tetraphenylene)、膽蒽(cholanthrylene)、螺旋烴(helicene)、己芬(hexaphene)、茹(rubicene)、蔻(coronene)、聯三萘(trinaphthylene)、庚芬(heptaphene)、吡蒽(pyranthrene)、呋喃(furan)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、碲唑(tellurazole)、硒唑(selenazole)、噻唑(thiazole)、異噻唑(isothiazole)、噁唑(oxazole)、呋呫(furazan)、噻二唑(thiadiazole)、吡啶(pyridine)、吡嗪(pyrazine)、嘧啶(pyrimidine)、噠嗪(pyridazine)、或三嗪(triazine)除去p+1個或q+1個氫而生成的基。
通式(2)中，Z表示選自碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基的2價連結基，但在連結芳香族基中與N鍵結的基是碳數為6~22的芳香族烴基
或碳數為3~6的單環的芳香族雜環基。較佳的是碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~7個該些基連結而成的2價的連結芳香族基，連結在N上的基是碳數為6~18的芳香族烴基或碳數為3~5的單環的芳香族雜環基，單環的芳香族雜環基較佳的是6員環。各個芳香環亦可獨立地具有取代基。
作為Z的具體例，與L1、L2中的芳香族烴基、芳香族雜環基、或連結芳香族基的說明同樣，鍵結於N上的芳香族雜環基是碳數為3~6的單環的芳香族雜環基。
在通式(1)、式(b1)中，L1、L2分別表示碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該些基連結而成的連結芳香族基，該些基亦可分別具有取代基。較佳的是碳數為6~18的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~7個該些基連結而成的連結芳香族基。
L1、L2的具體例可列舉自苯、並環戊二烯、茚、萘、薁、庚搭烯、辛搭烯、苯并二茚、苊、萉、菲、蒽、三聚茚、螢蒽、醋菲烯、苯并苊、聯伸三苯、芘、、四芬、稠四苯、七曜烯、苉、苝、戊芬、稠五苯、聯伸四苯、膽蒽、螺旋烴、己芬、茹、蔻、联三萘、庚芬、吡蒽、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并哌喃、苯并對二噁英(oxanthrene)、二苯并呋喃(dibenzofuran)、苯并對二噁英、噻吩(thiophene)、噻噸(thioxanthene)、噻蒽(thianthrene)、啡噁噻(phenoxathiin)、噻茚(thionaphthene)、異硫茚(isothianaphthene)、並噻吩(thiophthene)、萘并噻吩、二
苯并噻吩、吡咯(pyrrole)、吡唑(pyrazole)、碲唑、硒唑、噻唑、異噻唑、噁唑(oxazole)、呋呫(furazan)、吡啶(pyridine)、吡嗪(pyrazine)、嘧啶、噠嗪(pyridazine)、三嗪、吲哚嗪(indolizine)、吲哚(indole)、異吲哚(isoindole)、吲唑(indazole)、嘌呤(purine)、喹嗪(quinolizine)、異喹啉(isoquinoline)、咔唑(carbazole)、咪唑(imidazole)、萘啶(naphthyridine)、酞嗪(phthalazine)、喹唑啉(quinazoline)、苯二氮呯(benzodiazepines)、喹噁啉(quinoxaline)、啉(cinnoline)、喹啉(quinoline)、喋啶(pteridine)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、呸啶(perimidine)、啡啉(phenanthroline)、啡嗪(phenazine)、咔啉(carboline)、啡碲嗪(phenanthroline)、啡硒嗪、吩噻嗪(phenothiazine)、啡噁嗪(phenoxazine)、1,8,9-三氮雜蒽(anthyridine)、苯并噻唑(benzothiazole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并噁唑(benzoxazole)、苯并異噁唑(benzisoxazole)、苯并異噻唑(benzisothiazole)、或多個該些芳香族化合物連結而成的連結芳香族化合物除去1個氫而生成的基。
此處，L1及L2中的連結芳香族基可列舉如式(7)~式(9)那樣的連結方式。Z中的連結芳香族基可列舉如式(10)~式(12)那樣的連結方式。
[化7]
式(7)~式(12)中，Ar4~Ar29表示經取代或未經取代的芳香環。芳香環表示芳香族烴化合物、或芳香族雜環化合物的環，表示1價以上的基。在芳香環為經取代的芳香環的情況下，取代基並非芳香環。Ar17、Ar20、Ar22、Ar24、Ar26是鍵結在N上的基。
上述式(7)~式(12)的具體例可列舉自聯苯(biphenyl)、聯三苯(terphenyl)、聯吡啶(bipyridine)、聯嘧啶(bipyrimidine)、聯三嗪、三聯吡啶(terpyridine)、聯萘(binaphthalene)、苯基吡啶(phenyl pyridine)、二苯基吡啶(diphenyl pyridine)、苯基嘧啶(phenyl pyrimidine)、二苯基嘧啶(diphenyl pyrimidine)、苯基三嗪(phenyl triazine)、苯基萘(phenyl naphthalene)、二苯基萘(diphenyl naphthalene)、咔唑基苯(carbazolyl benzene)、雙咔唑基苯、雙咔唑基三嗪、二苯并呋喃基苯、雙二苯并呋喃基苯、二苯并噻吩基苯、雙二苯并噻吩基苯等除去1個或2個氫而生成的基。
p、q表示0~7的整數，較佳的是0~5，更佳的是0~3。h、i、j、k、l及m表示4的整數，n表示2的整數。L1、L2、及R1~R7在存在多個的情況下，可分別相同亦可不同。
而且，上述Ar1、Ar2、L1、L2、Z、及R1~R7中的芳香族烴基或芳香族雜環基亦可具有取代基，具有取代基的情況下的取代基是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二
烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基，較佳的是碳數為1~10的烷基、碳數為7~24的芳烷基、碳數為1~10的烷氧基、或碳數為12~36的二芳基胺基。另外，取代基數可以是0~5，較佳的是0~2。
上述取代基的具體例可列舉氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十基、苯基甲基、苯基乙基、苯基二十基、萘基甲基、蒽基甲基、菲基甲基、芘基甲基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、癸烯基、二十烯基(icocenyl)、乙炔基、炔丙基、丁炔基、戊炔基、癸炔基、二十炔基(icosynyl)、二甲基胺基、乙基甲基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺基、二戊炔基胺基、二癸基胺基、二(二十基)胺基、二苯基胺基、萘基苯基胺基、二萘基胺基、二蒽基胺基、二菲基胺基、二芘基胺基、二苯基甲基胺基、二苯基乙基胺基、苯基甲基苯基乙基胺基、二萘基甲基胺基、二蒽基甲基胺基、二菲基甲基胺基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、戊醯基、苯甲醯基、乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、苯甲醯氧基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一
烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基、十八烷氧基、十九烷氧基、二十烷氧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、丙氧基羰氧基、丁氧基羰氧基、戊氧基羰氧基、甲磺醯基、乙磺醯基、丙磺醯基、丁磺醯基、戊磺醯基等。較佳的是可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等C1~C12的烷基，苯基甲基、苯基乙基、萘基甲基、蒽基甲基、菲基甲基、芘基甲基等C7~C20的芳烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基等C1~C10的烷氧基，二苯基胺基、萘基苯基胺基、二萘基胺基、二蒽基胺基、二菲基胺基等具有2個碳數為6~15的芳香族烴基的二芳基胺基。
在通式(1)、通式(2)中，R1~R7分別獨立地表示氫、氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基、碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基。較佳的是碳數為1~10的烷基、碳數為7~24的芳烷基、碳數為1~10的烷氧基、碳數為12~36的二芳基胺基、碳數為6~18的芳香族烴基或碳數為3~16的芳
香族雜環基，更佳的是碳數為6~18的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基。另外，各個基亦可具有取代基。
作為碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二芳烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基的具體例，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十基、苯基甲基、苯基乙基、苯基二十基、萘基甲基、蒽基甲基、菲基甲基、芘基甲基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、癸烯基、二十烯基、乙炔基、炔丙基、丁炔基、戊炔基、癸炔基、二十炔基、二甲基胺基、乙基甲基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺基、二戊基胺基、二癸基胺基、二(二十基)胺基、二苯基胺基、萘基苯基胺基、二萘基胺基、二蒽基胺基、二菲基胺基、二芘基胺基、二苯基甲基胺基、二苯基乙基胺基、苯基甲基苯基乙基胺基、二萘基甲基胺基、二蒽基甲基胺基、二菲基甲基胺基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、戊醯基、苯甲醯基、乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、苯甲醯氧基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧
基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基、十八烷氧基、十九烷氧基、二十烷氧基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、丙氧基羰氧基、丁氧基羰氧基、戊氧基羰氧基、甲磺醯基、乙磺醯基、丙磺醯基、丁磺醯基、戊磺醯基等。較佳的是可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等碳數為1~10的烷基，苯基甲基、苯基乙基、萘基甲基、蒽基甲基、菲基甲基、芘基甲基等碳數為7~17的芳烷基，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基等碳數為1~10的烷氧基，二苯基胺基、萘基苯基胺基、二萘基胺基、二蒽基胺基、二菲基胺基等碳數為12~28的二芳基胺基。
作為碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基的情況下的具體例，可列舉自苯、並環戊二烯、茚、萘、薁、苯并二茚、苊、萉、菲、蒽、三聚茚、螢蒽、醋菲烯(acephenanthrylene)、苯并苊、聯伸三苯、芘、、四芬、稠四苯、七曜烯、苉、苝、戊芬、稠五苯、聯伸四苯、膽蒽、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并哌喃、苯并對二噁英、二苯并呋喃、苯并對二噁英、噻吩、噻噸、噻蒽、啡噁噻、硫茚、異硫茚、並噻吩、萘并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吡唑、碲唑、硒唑、噻唑、異噻唑、噁唑、呋呫、噻二唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、吲哚嗪、吲哚、異吲哚、吲唑、嘌呤、喹嗪、異喹啉、咔
唑、咪唑、萘啶、酞嗪、喹唑啉、苯二氮呯、喹噁啉、啉、喹啉、喋啶、啡啶、吖啶、呸啶、啡啉、啡嗪、咔啉、啡碲嗪、啡硒嗪、啡噻嗪、啡噁嗪、1,8,9-三氮雜蒽、苯并噻唑、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并異噁唑、或苯并異噻唑除去氫而生成的基。較佳的是自苯、萘、蒽、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、異吲哚、吲唑、嘌呤、異喹啉、咪唑、萘啶、酞嗪、喹唑啉、苯二氮呯、喹噁啉、啉、喹啉、喋啶、啡啶、吖啶、呸啶、啡啉、啡嗪、咔啉、吲哚、咔唑、二苯并呋喃、或二苯并噻吩除去氫而生成的基。
在通式(1)、通式(2)中，R1~R7進一步具有取代基的情況下的取代基可以是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二芳烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基。較佳的是碳數為1~10的烷基、碳數為7~24的芳烷基、碳數為1~10的烷氧基、或碳數為12~36的二芳基胺基。另外，取代基數較佳的是每1個R1~R7中為0~3，更佳的是0~2。
上述碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二芳烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1
~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基的具體例與上述R1~R7的具體例相同。
通式(1)與通式(2)所表示的化合物中的氫可被氘取代。
上述通式(1)及通式(2)所表示的化合物的較佳的具體例如下所示，但並不限定於該些具體例。
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化27]
[化28]
[化29]
通式(3)中，L3分別獨立地表示氫或1價基。1價基較佳的是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1
~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基、碳數為6~22的芳香族烴基、碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基。該些烷基、芳烷基、烯基、炔基、二烷基胺基、二芳基胺基、二芳烷基胺基、醯基、醯氧基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰氧基、烷基磺醯基的具體例與R1~R7的具體例相同，芳香族烴基、芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基的具體例與L1、L2的具體例相同，L3中的芳香族烴基或芳香族雜環基亦可具有取代基，在具有取代基的情況下的取代基是氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、或碳數為1~20的烷基磺醯基。
較佳的是於通式(3)中，L3的至少一個為式(e1)所表示的基。而且，通式(3)所表示的化合物較佳的是通式(4)所表示的化合物。
於式(e1)及通式(4)中，L4分別獨立地表示氫、氰基、碳數為1~20的烷基、碳數為7~38的芳烷基、碳數為2~20的烯基、碳數為2~20的炔基、碳數為2~40的二烷基胺基、碳
數為12~44的二芳基胺基、碳數為14~76的二烷基胺基、碳數為2~20的醯基、碳數為2~20的醯氧基、碳數為1~20的烷氧基、碳數為2~20的烷氧基羰基、碳數為2~20的烷氧基羰氧基、碳數為1~20的烷基磺醯基、碳數為6~22的芳香族烴基或碳數為3~16的芳香族雜環基、或2個~10個該芳香族烴基及芳香族雜環基的芳香族環連結而成的連結芳香族基，X2分別獨立地表示CL4或氮，多個L4可相同亦可不同，L4中的芳香族烴基或芳香族雜環基亦可具有取代基，在具有取代基的情況下的取代基與L3相同。而且，E與通式(3)相同。
通式(4)所表示的化合物較佳為通式(5)所表示的化合物。於通式(5)中，E及L4與通式(4)同意。
在L4為烷基、芳烷基、烯基、炔基、二烷基胺基、二芳基胺基、二烷基胺基、醯基、醯氧基、烷氧基、烷氧基羰基、烷氧基羰氧基、烷基磺醯基、芳香族烴基、芳香族雜環基等的情況下，該些的具體例與上述L3中所說明者相同。
在通式(3)~通式(5)中，E表示氧或硫。而且，通式(3)~通式(5)所表示的化合物中的氫的一部分或全部可取代為氘。
通式(3)所表示的化合物的具體例如下所示，但並不限定於該些例示化合物。
[化30]
[化31]
[化32]
[化33]
[化34]
[化35]
[化36]
[化37]
[化38]
[化39]
[化41]
而且，若2種主體材料的EA差大於0.1eV則獲得良好的結果。在EA差為0.1eV以下的主體彼此的混合中，電子於發光層中的注入性幾乎不變化，但藉由混合EA差大於0.1eV的主體，可抑制電子於發光層中的注入性與在發光層中的傳輸性。其結果，電子在發光層內的封入變容易，可提供高效率且長壽命的元件。較佳的是EA差可於0.2eV~1.5eV的範圍。另外，EA值可測定主體材料薄膜中的藉由光電子光譜法(photoelectron spectroscopy)而所得的游離電位的值、與紫外-可見區域的吸收光譜(absorption spectrum)，使用根據其吸收端所求出的能隙(energy gap)的值而算出。其中，測定方法並不限定於此。另外，亦可使
用3種以上主體材料，在這種情況下，將EA最高的材料設為(H1)，將EA最低的材料設為(H2)，較佳的是其EA差大於0.1eV。
2種主體材料可以在製成元件之前加以混合，使用1個蒸鍍源進行蒸鍍；也可以藉由使用多個蒸鍍源的共蒸鍍等操作而在製成元件的時間點加以混合。關於主體材料的混合比(重量比)，並無特別限制，較佳的是95：5~5：95的範圍，更佳的是90：10~10：90的範圍。
其次，參照圖式對本發明的有機EL元件的結構加以說明，但本發明的有機EL元件的結構並不受所圖示者任何限定。
(1)有機EL元件的構成
圖1是示意性表示本發明中所使用的一般的有機EL元件的結構例的剖面圖，1表示基板，2表示陽極，3表示電洞注入層，4表示電洞傳輸層，5表示發光層，6表示電子傳輸層，7表示電子注入層，8表示陰極。在本發明的有機EL元件中，包含陽極、發光層、電子傳輸層及陰極作為必需層，但亦可視需要設置其他層。所謂其他層，例如可列舉電洞注入傳輸層或電子阻擋層及電洞阻擋層，但並不限定於該些。另外，電洞注入傳輸層表示電洞注入層與電洞傳輸層的任意者或兩者。
(2)基板
基板1成為有機電場發光元件的支撐體，使用石英或玻璃的板、金屬板或金屬箔、塑膠膜或薄板等。特佳的是玻璃板或聚酯、
聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚碸等的平滑且透明的合成樹脂板。在使用合成樹脂基板的情況下，需要留意阻氣性。若基板的阻氣性過小，則存在由於通過基板的外部氣體而造成有機電場發光元件劣化的現象，因此欠佳。因此，在合成樹脂基板的至少單面設置緻密的氧化矽膜等而確保阻氣性的方法亦是較佳的方法之一。
(3)陽極
在基板1上設置陽極2，陽極起到向電洞傳輸層注入電洞的作用。該陽極通常包含鋁、金、銀、鎳、鈀、鉑等金屬，銦及/或錫的氧化物、銦及/或鋅的氧化物等金屬氧化物，碘化銅等鹵化金屬，碳黑，或聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等導電性高分子等。陽極的形成通常多數情況下藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等而進行。而且，在銀等金屬微粒子、碘化銅等微粒子、碳黑、導電性金屬氧化物微粒子、導電性高分子細粉末等的情況下，亦可將其分散於適當的黏合樹脂溶液中，塗佈於基板上而形成陽極。另外，在導電性高分子的情況下，亦可藉由電解聚合而直接在基板上形成薄膜，或者在基板1上塗佈導電性高分子而形成陽極(「應用物理快報(Appl.Phys.Lett.)」，第60卷，第2711頁，1992年)。陽極亦可藉由不同的物質積層而形成。陽極的厚度因必要的透明性而異。在需要透明性的情況下，理想的是可見光的穿透率通常為60%以上、較佳的是80%以上，在這種情況下，厚度通常為5nm~1000nm，較佳的是10nm~500nm左右。在可以不透明的情況下，陽極可與基板相同。而且，亦可在上述陽極之上進一步積層不同的
導電材料。
(4)電洞傳輸層
在陽極2上設置電洞傳輸層4。在兩者之間亦可設置電洞注入層3。作為電洞傳輸層的材料所要求的條件，需要自陽極注入電洞的效率高、且可效率良好地傳輸所注入的電洞的材料。因此，要求游離電位小，對於可見光的光而言透明性高，且電洞遷移率大，另外穩定性優異，在製造時或使用時難以產生成為陷阱(trap)的雜質。而且，因為與發光層5相接，因此要求使來自發光層的發光消光，在與發光層之間形成激發複合體(exciplex)而並不使效率降低。除了上述的一般的要求以外，在考慮車載(on-vehicle)顯示用的應用的情況，進一步對元件要求耐熱性。因此，理想的是具有85℃以上的值作為Tg的材料。
作為可在本發明中使用的電洞傳輸材料，可使用現有的在該層中所使用的公知的化合物。例如，可列舉包含2個以上三級胺且2個以上縮合芳香族環對氮原子進行取代的芳香族二胺(日本專利特開平5-234681號公報)、4,4',4"-三(1-萘基苯基胺基)三苯基胺等具有星爆(starburst)結構的芳香族胺化合物(「發光雜誌(J.Lumin.)」，第72卷~第74卷，第985頁、1997年)、包含三苯基胺的四聚物的芳香族胺化合物(「化學通訊(Chem.Commun.)」，第2175頁、1996年)、2,2',7,7'-四-(二苯基胺基)-9,9'-螺二茀等螺環化合物(「合成金屬(Synth.Metals)」，第91卷、第209頁、1997年)等。該些化合物可單獨使用，亦可視
需要分別混合而使用。
而且，除了上述化合物以外，作為電洞傳輸層的材料，可列舉聚乙烯咔唑、聚乙烯基三苯基胺(日本專利特開平7-53953號公報)、含有四苯基聯苯胺的聚芳醚(polyarylene ether)碸(「先進技術聚合物(Polym.Adv.Tech.)」，第7卷、第33頁、1996年)等高分子材料。
在藉由塗佈法而形成電洞傳輸層的情況下，添加1種或2種以上電洞傳輸材料、與視需要的並不成為電洞的陷阱的黏合樹脂或塗佈性改良劑等添加劑，使其溶解而製備塗佈溶液，藉由旋塗法等方法而塗佈於陽極上，進行乾燥而形成電洞傳輸層。黏合樹脂可列舉聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯等。若黏合樹脂的添加量多，則使電洞遷移率降低，因此理想的是添加量少，通常較佳的是50重量%以下。
在藉由真空蒸鍍法而形成的情況下，將電洞傳輸材料放入至設置在真空容器內的坩堝中，用適當的真空泵將真空容器內排氣至10-4Pa左右之後，對坩堝進行加熱，使電洞傳輸材料蒸發，在與坩堝相向放置、形成有陽極的基板上形成電洞傳輸層。電洞傳輸層的膜厚通常為1nm~300nm，較佳的是5nm~100nm。為了同樣地形成此種薄的膜，一般經常使用真空蒸鍍法。
(5)電洞注入層
亦可以使電洞注入的效率進一步提高、且改善有機層整體對陽極的附著力為目的而在電洞傳輸層4與陽極2之間插入電洞注
入層3。由於插入電洞注入層而具有如下的效果：使初始的元件的驅動電壓降低，同時亦抑制藉由恆定電流而連續驅動元件時的電壓上升。作為電洞注入層中所使用的材料所要求的條件，要求可與陽極的接觸良好地形成均勻的薄膜，熱穩定、亦即玻璃轉移溫度高，玻璃轉移溫度要求為100℃以上。另外可列舉游離電位低且容易自陽極注入電洞，電洞遷移率大。
為了該目的，迄今為止報告了銅酞菁等酞菁化合物(日本專利特開昭63-295695號公報)、聚苯胺(「應用物理快報(Appl.Phys.Lett.)」，第64卷、第1245頁，1994年)、聚噻吩(「光學材料(Optical Materials)」，第9卷、第125頁、1998年)等有機化合物，或濺鍍‧碳膜(「合成金屬(Synth.Met.)」，第91卷、第73頁、1997年)，或釩氧化物、釕氧化物、鉬氧化物等金屬氧化物(「物理雜誌D(J.Phys.D)」，第29卷、第2750頁、1996年)、1,4,5,8-萘四甲酸二酐(NTCDA)或六腈基六氮雜聯伸三苯(HAT)等P型有機物(WO2005-109542號公報)。該些化合物可單獨使用，亦可視需要而混合使用。即使在電洞注入層的情況下，可與電洞傳輸層同樣地形成薄膜，在無機物的情況下，進一步使用濺鍍法或電子束蒸鍍法、電漿化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法。如上所述所形成的電洞注入層的膜厚通常為1nm~300nm，較佳的是5nm~100nm。
(6)發光層
在電洞傳輸層4上設置發光層5。發光層可由單一的發光層而
形成，亦可將多個發光層以直接相接的方式積層而構成。發光層含有至少2種主體材料與發光性摻雜劑。發光性摻雜劑較佳的是螢光性發光材料或磷光性發光材料。至少2種主體材料是通式(1)或通式(2)的化合物的至少1種與通式(3)的化合物的至少1種的組合。
作為發光性摻雜劑的螢光性發光材料，可使用苝、紅螢烯(rubrene)等縮合環衍生物、喹吖啶酮(quinacridone)衍生物、啡噁嗪酮660(phenoxazone 660)、DCM1、紫環酮(perynone)、香豆素衍生物(coumarin derivatives)、吡咯甲川(二氮雜苯并二茚)衍生物(pyrromethene(diaza indacene)derivatives)、花青色素(cyanine pigment)等。
作為發光性摻雜劑的磷光性發光材料，較佳的是含有有機金屬錯合物，上述有機金屬錯合物包含選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑及金等的至少一種金屬。具體而言可列舉以下專利文獻中所記載的化合物，但並不限定於該些化合物。
WO2009/073245號公報、WO2009/046266號公報、WO2007/095118號公報、WO2008/156879號公報、WO2008/140657號公報、US2008/261076號公報、日本專利特表2008-542203號公報、WO2008/054584號公報、日本專利特表2008-505925號公報、日本專利特表2007-522126號公報、日本專利特表2004-506305號公報、日本專利特表2006-513278號公報、日本專利特表2006-50596號公報、WO2006/046980號公報、WO2005/113704號
公報、US2005/260449號公報、US2005/2260448號公報、US2005/214576號公報、WO2005/076380號公報、US2005/119485號公報、WO2004/045001號公報、WO2004/045000號公報、WO2006/100888號公報、WO2007/004380號公報、WO2007/023659號公報、WO2008/035664號公報等。
較佳的磷光發光摻雜劑可列舉：具有Ir等貴金屬元素作為中心金屬的Ir(ppy)3等錯合物類、Ir(bt)2‧acac3等錯合物類、PtOEt3等錯合物類。將該些錯合物類的具體例表示如下，但並不限定於下述化合物。
上述磷光發光摻雜劑在發光層中所含有的量可於2重量%~40重量%、較佳的是5重量%~30重量%的範圍。
發光層的膜厚並無特別限制，通常為1nm~300nm，較
佳的是5nm~100nm，可藉由與電洞傳輸層同樣的方法而形成薄膜。
(7)電子傳輸層
以使元件的發光效率進一步提高為目的而於發光層5與陰極8之間設置電子傳輸層6。作為電子傳輸層，較佳的是可自陰極順利地注入電子的電子傳輸性材料，可使用一般所使用的任意材料。滿足此種條件的電子傳輸材料可列舉Alq3等金屬錯合物(JP 59-194393A)、10-羥基苯并[h]喹啉的金屬錯合物、噁二唑衍生物、二苯乙烯基聯苯衍生物、矽雜環戊二烯衍生物、3-或5-羥基黃酮金屬錯合物、苯并噁唑金屬錯合物、苯并噻唑金屬錯合物、三苯并咪唑基苯(USP 5,645,948)、喹噁啉化合物(JP6-207169A)、啡啉衍生物(JP5-331459A)、2-第三丁基-9,10-N,N'-二氰基蒽醌二亞胺、n型氫化非晶質碳化矽、n型硫化鋅、n型硒化鋅等。
電子傳輸層的膜厚通常為1nm~300nm、較佳的是5nm~100nm。電子傳輸層可與電洞傳輸層同樣地藉由塗佈法或真空蒸鍍法積層於發光層上而形成。通常使用真空蒸鍍法。
(8)陰極
陰極8起到將電子注入至電子傳輸層6的作用。用作陰極的材料可使用在上述陽極2中所使用的材料，為了效率良好地注入電子，較佳的是功函數低的金屬，使用錫、鎂、銦、鈣、鋁、銀等適當的金屬或該些的合金。具體例可列舉鎂-銀合金、鎂-銦合金、鋁-鋰合金等低功函數合金電極。
陰極的膜厚通常與陽極相同。以保護包含低功函數金屬的陰極為目的而自其上進一步積層功函數高且相對於大氣穩定的金屬層可增加元件的穩定性。為了該目的而使用鋁、銀、銅、鎳、鉻、金、鉑等金屬。
另外，在陰極8與電子傳輸層6之間插入LiF、MgF2、Li2O等極薄絕緣膜(0.1nm~5nm)作為電子注入層7亦是使元件的效率提高的有效的方法。
另外，亦可為與圖1相反的結構，亦即在基板1上順次積層陰極8、電子注入層7、電子傳輸層6、發光層5、電洞傳輸層4、電洞注入層3、陽極2，如上所述在至少一方為透明性高的2枚基板之間亦可設置本發明的有機EL元件。在這種情況下，亦可視需要追加層，或亦可省略層。
本發明的有機EL元件可以是單一的元件、包含配置為陣列狀的結構的元件、陽極與陰極配置為X-Y矩陣狀的結構的任意者。藉由本發明的有機EL元件，將發光層設為包含2種主體材料的混合主體，該主體材料中的至少一種使用特定的化合物，由此可獲得即使是低電壓，發光效率亦高，且於驅動穩定性中亦有較大改善的元件，於全彩或多色的面板中的應用中可發揮優異的性能。
以下，藉由實施例對本發明加以更詳細的說明，但本發明並不限定於該些實施例，只要不超出其要旨，可藉由各種形態而實施。
實施例1
於形成有膜厚為150nm的包含ITO的陽極的玻璃基板上，藉由真空蒸鍍法在真空度為4.0×10-4Pa下積層各薄膜。首先，在ITO上形成厚度為20nm的銅酞菁(CuPc)作為電洞注入層，其次形成厚度為20nm的4,4-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(NPB)作為電洞傳輸層。其次，自分別不同的蒸鍍源共蒸鍍作為第一主體的化合物1-2、作為第二主體的化合物3-87、作為發光層客體(guest)的三(2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(PPy)3)，形成30nm的厚度作為發光層。此時，第一主體與第二主體與Ir(PPy)3的蒸鍍速度比(氣化物的體積速度比)為47：47：6。其次，形成厚度為10nm的雙(2-甲基-8-喹啉基)4-苯基苯酚基鋁(III)(BAlq)作為電洞阻擋層。其次，形成厚度為40nm的三-(8-羥基喹啉基)鋁(III)(Alq3)作為電子傳輸層。進一步在電子傳輸層上形成厚度為0.5nm的氟化鋰(LiF)作為電子注入層。最後在電子注入層上形成厚度為100nm的鋁(Al)作為陰極，製作有機EL元件。
在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果觀測到極大波長為517nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(PPy)3的發光。在表1中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
實施例2~實施例4
於實施例1中，使用表1中所記載的化合物作為發光層第二主體，除此以外與實施例1同樣地進行而製作有機EL元件。在所
得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為517nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(PPy)3的發光。在表1中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
比較例1~比較例5
在實施例1中，單獨使用表1中所記載的化合物作為發光層主體，除此以外與實施例1同樣地進行而製作有機EL元件。另外，主體量設為與實施例1中的第1主體與第2主體的合計相同的量，客體量亦同樣。在所得的有機EL元件上連接電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為517nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(PPy)3的發光。在表1中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率(external quantum efficiency)及亮度半衰壽命。
在表1中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。亮度及外部量子效率是驅動電流為2.5mA/cm2時的值，為初始特性。亮度半衰時間是初始亮度為1000cd/m2時的值。化合物編號是在上述化學式上所附的編號。H1是第1主體、H2是第2主體。亮度及外部量子效率是初始特性，亮度半衰壽命是壽命特性。
在表1中，將本發明的實施例1~實施例4與比較例1~比較例5加以比較可知：藉由使用具有特定骨架的二種化合物作為發光層主體，亮度及外部量子效率提高，亮度半衰時間變長。根據該些結果可知：藉由本發明，可實現高效率、且顯示出良好的壽命特性的有機EL磷光元件。
比較例6
於形成有膜厚為150nm的包含ITO的陽極的玻璃基板上，藉由真空蒸鍍法在真空度為4.0×10-4Pa下積層各薄膜。首先，在ITO上形成厚度為20nm的CuPc作為電洞注入層，其次形成厚度為20nm的NPB作為電洞傳輸層。其次，自分別不同的蒸鍍源共蒸鍍作為第一主體的化合物1-2、作為第二主體的以下所示的化合物A、作為發光層客體的Ir(PPy)3，形成30nm的厚度作為發光層。此時，第一主體與第二主體與Ir(PPy)3的蒸鍍速度比為47：47：6。進一步形成厚度為10nm的BAlq作為電洞阻擋層。其次，形成厚度為40nm的Alq3作為電子傳輸層。進一步在電子傳輸層上形成厚度為0.5nm的氟化鋰(LiF)作為電子注入層。最後，自電子注入層上形成厚度為100nm的鋁(Al)作為陰極，製作有機EL元件。
比較例7
而且，同樣地製作單獨使用下述化合物A作為發光層主體的有機EL元件。在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果自兩個有機EL元件觀測到極大波長為517nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(PPy)3的發光。在表1中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
[化44]
根據表1，對化合物1-2與化合物A的混合主體、與化合物A單獨主體及化合物1-2單獨主體(比較例1)加以比較，可知藉由在發光層主體中使用化合物1-2與化合物A的混合主體，雖然亮度及外部量子效率提高，但亮度半衰時間縮短。根據該結果可知：在使用特定骨架以外的化合物的混合主體作為發光層主體的情況下，存在驅動壽命特性劣化的情況。
實施例5
於形成有膜厚為150nm的包含ITO的陽極的玻璃基板上，藉由真空蒸鍍法在真空度為4.0×10-4Pa下積層各薄膜。首先，在ITO上形成厚度為25nm的CuPc作為電洞注入層，其次形成厚度為10nm的NPB作為第一電洞傳輸層，進一步形成厚度為10nm的4,4',4"-三(N-咔唑基)-三苯基胺(TCTA)作為第二電洞傳輸層。其次，自分別不同的蒸鍍源共蒸鍍作為第一主體的化合物1-114、作為第二主體的化合物3-87、作為發光層客體的三[1-(4'-氰基苯基)-3-甲基苯并咪唑-2-亞基-C2,C2']-銥(III)(Ir(cn-pmic)3)，形成30nm的厚度作為發光層。此時，第一主體與第二主體與Ir(cn-pmic)3的蒸鍍速度比為45：45：10。其次，形成厚度為10nm的2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(BCP)作為電洞阻擋層。其次，形成
厚度為25nm的Alq3作為電子傳輸層。進一步在電子傳輸層上形成厚度為0.5nm的氟化鋰(LiF)作為電子注入層。最後，在電子注入層上形成厚度為100nm的鋁(Al)作為陰極，製作有機EL元件。
在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果觀測到極大波長為460nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(cn-pmic)3的發光。在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
實施例6
在實施例5中，使用化合物3-88作為發光層第二主體，除此以外與實施例5同樣地進行而製作有機EL元件。在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為460nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(cn-pmic)3的發光。在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
實施例7
在實施例5中，使用化合物2-9作為發光第一主體，使用化合物3-87作為發光層第二主體，除此以外與實施例5同樣地進行而製作有機EL元件。在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為460nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(cn-pmic)3的發光。在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
實施例8
在實施例5中，使用化合物2-9作為發光第一主體，使用化合物3-88作為發光層第二主體，除此以外與實施例5同樣地進行而製作有機EL元件。在所得的有機EL元件上連接外部電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為460nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(cn-pmic)3的發光。在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
比較例7~比較例10
在實施例5中，單獨使用表2中所記載的化合物作為發光層主體，除此以外與實施例5同樣地進行而製作有機EL元件。另外，主體量設為與實施例5中的第1主體與第2主體的合計相同的量，客體量亦同樣。在所得的有機EL元件上連接電源而施加直流電壓，結果自任意的有機EL元件均觀測到極大波長為460nm的發射光譜，可知獲得來自Ir(cn-pmic)3的發光。在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。
在表2中表示所製作的有機EL元件的亮度、外部量子效率及亮度半衰壽命。亮度及外部量子效率是驅動電流為2.5mA/cm2時的值，為初始特性。亮度半衰時間是初始亮度為1000cd/m2時的值。
在表2中，將本發明的實施例5~實施例8與比較例7~比較例10加以比較可知：藉由使用具有特定骨架的二種化合物作為發光層主體，亮度及外部量子效率提高，亮度半衰時間顯著變長。根據該些結果可知：藉由本發明，可實現高效率、且顯示出良好的壽命特性的有機EL磷光元件。
本發明的有機EL元件在平板顯示器(行動電話顯示元件、車載顯示元件、辦公自動化(Office Automation，OA)電腦顯示元件或電視等)、活用作為面發光體的特徵的光源(照明、影印機的光源、液晶顯示器或量錶(gauge)類的背光光源)、顯示板或標識燈等中的應用中，其技術價值大。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子傳輸層
7‧‧‧電子注入層
8‧‧‧陰極
Claims (7)
- 一種有機電場發光元件，其是在對向的陽極與陰極之間包含1個以上發光層的有機電場發光元件，其特徵在於：至少1個發光層含有至少2種主體材料與至少1種發光性摻雜劑，上述至少2種主體材料是選自下述通式(1)~通式(2)的任意通式所表示的化合物的材料、選自下述通式(3)所表示的化合物的材料；
- 如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件，其中，選自通式(1)~通式(2)的任意通式所表示的化合物的材料與選自通式(3)所表示的化合物的材料的電子親和力之差(⊿EA)大於0.1eV。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件，其中，於通式(1)~通式(2)中，Ar1或Ar2的至少一個是碳數為3~6的單環的芳香族雜環基，X1為CR7。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件，其中，通式(3)中的L3的至少1個是式(e1)所表示的1價基；
- 如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件，其中，通式(3)所表示的化合物是通式(4)所表示的化合物；
- 如申請專利範圍第5項所述之有機電場發光元件，其中，通式(4)所表示的化合物是通式(5)所表示的化合物；
- 如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件，其中，發光性摻雜劑是包含有機金屬錯合物的磷光發光摻雜劑，上述有機金屬錯合物包含選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑及金的至少一種金屬。
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