TW201431454A - 電路板及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種電路板的製作方法包括步驟：提供芯層電路基板；於該芯層電路基板一側壓合一個介電層，使得該芯層電路基板被該介電層包圍；於該介電層的第一表面形成第二導電線路圖形，於該介電層的第二表面形成第三導電線路圖形，並電導通該第二及第三導電線路圖形，電導通該第三導電線路圖形及該芯層電路基板，從而獲得一個電路板。本發明還提供一種由上述方法製成的電路板。

Description

電路板及其製作方法

本發明涉及電路板製作領域，尤其涉及一種具有凹槽結構的電路板製作方法。

印刷電路板因具有裝配密度高等優點而得到了廣泛的應用。關於電路板的應用請參見文獻Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, A. Akahoshi, H. Mukoh, A. Wajima, M. Res. Lab, High density multilayer printed circuit board for HITAC M-880，IEEE Trans. on Components, Packaging, and Manufacturing Technology, 1992, 15(4): 418-425。常見的電路板的外層導電線路的焊盤暴露於電路板的同一側，且暴露於同一側的焊盤處於同一平面上。當晶片構裝於暴露於外的焊盤上時，焊盤均位於晶片的下方，從而增加了具有晶片的電路板的高度，擴大了具有晶片的電路板的體積。

因此，有必要提供一種電路板的製作及其方法，可以得到具有凹槽結構的電路板，以使得構裝覆晶晶片時，至少部分覆晶晶片收容於所述凹槽結構中，從而減少電路板的厚度，縮小具有覆晶晶片的電路板的體積。

一種電路板的製作方法，包括步驟：提供芯層電路基板，所述芯層電路基板包括電路基底及設於所述電路基底的第一導電線路圖形，所述電路基底為內部形成有導電線路的基底，所述電路基底通過設於其內的導電孔與所述第一導電線路圖形相互電連接；於所述芯層電路基板的電路基底一側壓合一個具有相對的第一表面及第二表面的介電層，使得所述介電層的第一表面向第二表面凹陷形成一個收容凹槽，所述芯層電路基板全部且緊密地收容於所述收容凹槽中，且所述芯層電路基板的電路基底與所述收容凹槽的底部黏結為一體；於所述介電層中形成至少一個通孔，於所述介電層與所述電路基底相對應的區域形成至少一個盲孔，所述通孔貫穿所述第一表面及第二表面，所述盲孔暴露出部分所述電路基底；於所述介電層的第一表面形成一個第二導電線路圖形，於所述介電層的第二表面形成一個第三導電線路圖形，並將所述通孔製成導電孔，將所述盲孔製成導電孔，所述第二導電線路圖形通過所述通孔製成的導電孔與所述第三導電線路圖形相互電連接，所述第三導電線路圖形通過所述盲孔製成的導電孔與所述電路基底相互電連接，從而獲得一個電路板。

一種電路板包括一個芯層電路基板及一個具有收容凹槽的承載電路基板。所述芯層電路基板全部且緊密地收容於所述收容凹槽中。所述芯層電路基板包括貼合的電路基底及第一導電線路圖形。所述電路基底為內部形成有導電線路的基底。所述電路基底通過設於其內的導電孔與所述第一導電線路圖形相互電連接。所述電路基底與所述收容凹槽的底面黏結為一體。所述第一導電線路圖形遠離所述收容凹槽的底面。所述承載電路基板包括介電層、第二導電線路圖形及第三導電線路圖形。所述介電層具有相對的第一表面及第二表面。所述收容凹槽由所述第一表面向所述第二表面凹陷形成。所述第二導電線路圖形形成於所述第一表面上。所述第三導電線路圖形形成於所述第二表面上。所述第二導電線路圖形通過貫穿所述第一表面及第二表面的導電孔相互電連接。所述第三導電線路圖形通過設於所述介電層的與所述電路基底相對應的區域中的導電孔與所述電路基底相互電連接。

與先前技術相比，本技術方案提供的電路板及其製作方法，先提供一個具有第一導電線路圖形的芯層電路基板，而後於芯層電路基板的遠離所述第一導電線路圖形一側壓合一個介電層，最後於所述介電層靠近所述第一導電線路圖形一側表面形成第二導電線路圖形，於所述介電層遠離所述第一導電圖形一側表面形成第三導電線路圖形。由於於壓合過程中，所述芯層電路基板嵌入所述介電層中，從而使得所述介電層形成一個收容凹槽，而所述芯層電路基板緊密地收容於所述收容凹槽中，且第一導電線路圖形與所述介電層的第二導電線路圖形之間具有高度差，從而使得第一導電線路圖形與第二導電線路圖形共同形成一個凹槽結構，進而得到一個具有凹槽結構的電路板。當覆晶晶片構裝於所述第一導電線路圖形上時，至少部分覆晶晶片被所述第一導電線路圖形所包圍，從而降低了具有覆晶晶片的電路板的高度。

本技術方案提供的電路板製作方法包括如下步驟：

第一步，請參閱圖1，提供芯層電路基板10。芯層電路基板10為形成有導電線路圖形的單面電路板、雙面電路板或者多層電路板，且其線寬/線間距的範圍為10/10微米至20/20微米。所述芯層電路基板10包括電路基底11、第一導電線路圖形12及易剝離保護層13。所述芯層電路基板10可以通過半加成法或者加成法制得。

本實施例中，電路基底11為兩層電路板，其內具有兩層導電線路圖形層。具體地，所述電路基底11包括第一絕緣層111、第一導電線路圖形層112、第二絕緣層113、第二導電線路圖形層114及第三絕緣層115。所述第一導電線路圖形層112和第二導電線路圖形層114位於第二絕緣層113的相對兩個表面，且通過設置於第二絕緣層113內的導電孔117電性相連。所述第一絕緣層111覆蓋第一導電線路圖形層112。所述第一絕緣層111遠離所述第二絕緣層113的表面即為所述電路基底11的第一表面11a。所述第三絕緣層115覆蓋第二導電線路圖形層114。所述第三絕緣層115遠離所述第二絕緣層113的表面即為所述電路基底11的第二表面11b。

所述第一導電線路圖形12設置於所述第三絕緣層115遠離所述第二絕緣層113的表面（即所述電路基底11的第二表面11b），且通過設於所述第三絕緣層115中的導電孔118與所述第二導電線路圖形層114電性相連。所述第一導電線路圖形12包括多個第一電性接觸墊121及多條導電線路（圖未示）。

所述易剝離保護層13覆蓋所述第一導電線路圖形12，以防止所述第一導電線路圖形12於後續的製作步驟中被損壞。所述易剝離保護層13可以為聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜或者聚對苯二甲酸乙二醇酯等高分子薄膜。優選地，本實施方式中，所述易剝離保護層13為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。所述易剝離保護層13也可以為其他業界常用的可剝離膜或者可剝離膠。

第二步，請參閱圖2，將所述芯層電路基板10的易剝離保護層13的一側表面貼於一個承載板20上，並於所述芯層電路基板10的電路基底11一側壓合一個具有相對的第一表面30a及第二表面30b的介電層30，以使介電層30的所述第一表面30a向所述第二表面30b凹陷形成一個收容凹槽301。所述芯層電路基板10全部且緊密地收容於所述收容凹槽301中，且所述芯層電路基板10的第三絕緣層115與所述收容凹槽301的底部黏結為一體，所述芯層電路基板10的易剝離保護層13的一側表面與所述介電層30的第二表面30b平齊。

本步驟中，採用熱壓合的方式將介電層30壓合於芯層電路基板10的電路基底11一側。介電層30材料可以為聚醯亞胺（Polyimide, PI）、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate, PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate，PEN) 、PP (Prepreg)或ABF (Ajinomoto Build-up film)等，優選為PP或ABF。

優選地，本實施例中，為了後續步驟中更好地將所述介電層30的第一表面30a及所述芯層電路基板10的易剝離保護層13的一側表面與所述承載板20分離，所述承載板20靠近所述芯層電路基板10的表面上還設有一個離型膜201。也就是說，所述離型膜201位於所述承載板20與芯層電路基板10之間。所述離型膜201可以為聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜以及聚對苯二甲酸乙二醇酯等高分子薄膜，優選為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，本實施例中即採用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜作為所述離型膜201。所述離型膜201也可以為其他業界常用的離型紙。

第三步，請一併參閱圖3，移除所述承載板20及離型膜201，並於所述介電層30中形成至少一個通孔303，於所述介電層30對應於所述收容凹槽301的區域形成至少一個盲孔305。

本步驟中，所述通孔303及盲孔305均可以採用雷射燒蝕的方式形成。所述通孔303貫穿所述介電層30的第一表面30a及第二表面30b。通孔303也可以採用機械鑽孔的方式形成。通孔303的個數可以為一個，也可以為多個。圖4中以形成兩個通孔303為例進行說明。所述盲孔305僅貫穿所述收容凹槽301底部及第一絕緣層111，並暴露出部分第一導電線路圖形層112。盲孔305的個數可以為一個，也可以為多個，圖4中以形成兩個盲孔305為例進行說明。

可以理解的是，於此步驟之後，還可以進一步包括去膠渣（desmear）的步驟，以將通孔303及盲孔305內部的膠渣去除，從而可以有效地防止於後續進行電鍍時，膠渣影響形成的導電孔的導電性。

第五步，請一併參閱圖4至圖7，於介電層30的第一表面30a形成第二導電線路圖形410，於介電層30的第二表面30b上形成第三導電線路圖形420。所述第二導電線路圖形410包括多個與外界進行電連接的第二電性接觸墊411及多條導電線路（圖未示）。第三導電線路圖形420包括多個用於與外界進行電連接的第三電性接觸墊421及多條導電線路（圖未示）。所述第二導電線路圖形410及第三導電線路圖形420中的每個導電線路圖形中的線寬/線間距的範圍均為30/30微米至50/50微米。

本步驟具體可採用如下方法：

首先，採用化學鍍銅的方式，於第一表面30a及易剝離保護層13上形成第一導電種子層311，於通孔303內壁、盲孔305內壁及第二表面30b上形成第二導電種子層312。

可以理解的是，也可以採用其他方法，如黑化或者化學吸附導電粒子等，於第一表面30a、通孔303內壁、盲孔305內壁及第二表面30b形成第一導電種子層311及第二導電種子層312。

其次，於第一導電種子層311和第二導電種子層312的表面分別形成光致抗蝕劑層，並採用曝光及顯影的方式，將與欲形成第二導電線路圖形410對應的部分去除得到第一光致抗蝕劑圖形313，將與欲形成第三導電線路圖形420對應的部分去除得到第二光致抗蝕劑圖形314。

接著，於從第一光致抗蝕劑圖形313的空隙露出的第一導電種子層311表面形成第一電鍍銅層315，於從第二光致抗蝕劑圖形314露出的第二導電種子層312表面形成第二電鍍銅層316。

最後，採用剝膜的方式去除第一光致抗蝕劑圖形313和第二光致抗蝕劑圖形314，並採用微蝕的方式去除原被第一光致抗蝕劑圖形313覆蓋的第一導電種子層311，去除原被第二光致抗蝕劑圖形314覆蓋的第二導電種子層312。如此，位於第一表面30a上的第一導電種子層311及形成於其上的第一電鍍銅層315共同構成第二導電線路圖形410；位於第二表面30b上的第二導電種子層312及形成於其上的第二電鍍銅層316共同構成第三導電線路圖形420；位於通孔303內的第二導電種子層312及形成於其上的第二電鍍銅層316共同構成貫穿介電層30的導電孔413；位於盲孔305內的第二導電種子層312及形成於其上的第二電鍍銅層316共同構成導電孔414。所述第二導電線路圖形410及第三導電線路圖形420通過所述導電孔413相互電連通。第三導電線路圖形420及第一導電線路圖形層112的通過導電孔414相互電連通。

第六步，請參閱圖8，採用剝膜的方式去除易剝離保護層13，並於第二導電線路圖形410的表面及從所述第二導電線路圖形410露出的介電層30的表面形成第一防焊層430，於第三導電線路圖形420的表面及從所述第三導電線路圖形420露出的介電層30的表面形成第二防焊層440。所述第一防焊層430內具有與多個第二電性接觸墊411一一對應的多個第一開口431，每個第二電性接觸墊411從對應的第一開口431露出。所述第二防焊層440內具有與多個第三電性接觸墊421一一對應的多個第二開口441，每個第三電性接觸墊421從對應的第二開口441露出。

第七步，請參閱圖9，於第一導電線路圖形12的每個第一電性接觸墊121的表面形成一個第一保護層123；於每個第二電性接觸墊411從第一開口431露出的表面形成一個第二保護層450；於每個第三電性接觸墊421從第二開口441露出的表面形成一個第三保護層460。如此，所述介電層30、第二導電線路圖形410、第三導電線路圖形420、第一防焊層430、第二防焊層440、第二保護層450及第三保護層460共同構成承載芯層電路基板10的承載電路基板40。也就是說，所述承載電路基板40為形成有導電線路圖形且具有收容凹槽301的電路基板。所述承載電路基板40的第二導電線路圖形410與所述芯層電路基板10的第一導電線路圖形12具有高度差，從而使得所述承載電路基板40與所述芯層電路基板10共同構成一個具有凹槽結構401的電路板100。

本實施例中，所述第一保護層123、第二保護層450及第三保護層460可以為錫、鉛、銀、金、鎳、鈀等金屬或其合金的單層結構，也可以為上述金屬中兩種或者兩種以上的多層結構。第一保護層123、第二保護層450及第三保護層460也可以為有機保焊層（OSP）。當第一保護層123及第二保護層450為金屬時，第一保護層123、第二保護層450及第三保護層460可以採用化學鍍的方式形成。當第一保護層123、第二保護層450及第三保護層460為有機保焊層時，第一保護層123、第二保護層450及第三保護層460可以採用化學方法形成。

第八步，請參閱圖10，於多個第一電性接觸墊121上構裝一個覆晶晶片470，以形成一個具有覆晶晶片470的電路板100。所述覆晶晶片470具有多個與多個第一電性接觸墊121一一對應的第四電性接觸墊471。每個第四電性接觸墊471通過一個焊球473與相應的第一電性接觸墊121電連接，從而實現覆晶晶片470與第一導電線路圖形12之間的電連接。如此，既可獲得一個構裝有覆晶晶片470的電路板100。所述焊球473的材質可以為錫、鉛或銅，或者為錫、鉛或銅的合金。

優選地，本實施方式中，覆晶晶片470與芯層電路基板10之間還可填充有底部填充劑480，以使覆晶晶片470與第一導電線路圖形12之間牢固結合，增強構裝覆晶晶片470的信賴度。底部填充劑480的填充是通過毛細作用，將液態的底部填充劑480的材料從覆晶晶片470的邊緣滲透至覆晶晶片470與第一導電線路圖形12之間的內部區域。該底部填充劑480一般採用環氧樹脂，如底部填充劑材料Loctite 3536。

根據上述實施方式的以上步驟制得的電路板100如圖10所示，其包括一個芯層電路基板10及一個具有收容凹槽301的承載電路基板40。所述芯層電路基板10全部且緊密地收容於所述收容凹槽301中，其包括電路基底11及第一導電線路圖形12。所述電路基底11與所述收容凹槽301的底面相貼。所述第一導電線路圖形12遠離所述收容凹槽301的底面。所述承載電路基板40包括具有收容凹槽301的介電層30及分別形成於所述介電層30的第一表面30a和第二表面30b的第二導電線路圖形410和第三導電線路圖形420。所述收容凹槽301由所述第一表面30a向第二表面30b凹陷形成。所述芯層電路基板10通過設於所述收容凹槽301底部中的導電孔414與所述第三導電線路圖形420電性相連。所述第二導電線路圖形410圍繞所述第一導電線路圖形12，且與所述第一導電線路圖形12之間具有高度差，從而使得所述芯層電路基板10與承載電路基板40共同構成一個具有凹槽結構401的電路板100。

本技術方案提供的電路板及其製作方法，先提供一個具有第一導電線路圖形的芯層電路基板，而後於芯層電路基板的遠離所述第一導電線路圖形一側壓合一個介電層，最後於所述介電層靠近所述第一導電線路圖形一側表面形成第二導電線路圖形，於所述介電層遠離所述第一導電圖形一側表面形成第三導電線路圖形。由於於壓合過程中，所述芯層電路基板嵌入所述介電層中，從而使得所述介電層形成一個收容凹槽，而所述芯層電路基板全部且緊密地收容於所述收容凹槽中，且第一導電線路圖形與所述介電層的第二導電線路圖形之間具有高度差，從而使得第一導電線路圖形與第二導電線路圖形共同形成一個凹槽結構，進而使得獲得的電路板100為具有凹槽結構401的電路板。當覆晶晶片構裝於所述第一導電線路圖形上時，至少部分覆晶晶片被所述第二導電線路層所包圍，從而降低了具有覆晶晶片的電路板的高度。另外，所述芯層電路基板的線寬/線間距範圍為10/10微米至20/20微米，所述第二導電線路圖形的線寬/線間距範圍為30/30微米至50/50微米，且所述芯層電路基板單獨成型後才嵌入所述介電層中，從而使得形成的電路板中間的導電線路（即芯層電路基板的中的導電線路）為較細的導電線路，邊緣的導電線路（即介電層上下側面的導電線路）為較寬的導電線路，不僅實現了細線路電路板的功能，而且避免了於無需形成細線路區域（即邊緣區域）仍需要技術複雜且制程昂貴的細線路製作技術來形成導電線路的可能，減少了電路板的製作工藝，降低了電路板的製成成本。

惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

10．．．芯層電路基板

11．．．電路基底

12．．．第一導電線路圖形

13．．．易剝離保護層

111．．．第一絕緣層

112．．．第一導電線路圖形層

113．．．第二絕緣層

114．．．第二導電線路圖形層

115．．．第三絕緣層

117、118、413、414．．．導電孔

121．．．第一電性接觸墊

20．．．承載板

30．．．介電層

11a、30a．．．第一表面

11b、30b．．．第二表面

40．．．承載電路基板

201．．．離型膜

303．．．通孔

305．．．盲孔

410．．．第二導電線路圖形

420．．．第三導電線路圖形

411．．．第二電性接觸墊

421．．．第三電性接觸墊

311．．．第一導電種子層

312．．．第二導電種子層

313．．．第一光致抗蝕劑圖形

314．．．第二光致抗蝕劑圖形

315．．．第一電鍍銅層

316．．．第二電鍍銅層

430．．．第一防焊層

440．．．第二防焊層

431．．．第一開口

441．．．第二開口

123．．．第一保護層

450．．．第二保護層

460．．．第三保護層

401．．．凹槽結構

470．．．覆晶晶片

471．．．第四電性接觸墊

473．．．焊球

480．．．底部填充劑

301．．．收容凹槽

100．．．電路板

圖1是本技術方案提供的芯層電路基板的剖面示意圖，所述芯層電路基板具有第一導電線路圖形及覆蓋第一導電線路圖形的易剝離保護層。

圖2為於圖1的芯層電路基板上壓合一個介電層後的剖面示意圖，所述介電層具有相對的第一表面及第二表面，所述芯層電路基板收容於由第一表面向第二表面凹陷形成的收容凹槽中。

圖3為圖2的介電層中形成通孔及於介電層與芯層電路基板對應的區域形成盲孔後的剖面示意圖。

圖4為於圖3的介電層的第一表面及易剝離保護層上形成第一導電種子層，於介電層的第二表面、通孔的內壁及盲孔的內壁形成第二導電種子層後的剖面示意圖。

圖5為圖4的第一導電種子層及第二導電種子層上分別形成第一光致抗蝕劑圖形及第二光致抗蝕劑圖形後的剖面示意圖。

圖6為於從圖5所示的第一光致抗蝕劑圖形的空隙露出的第一導電種子層表面形成第一電鍍銅層，於從第二光致抗蝕劑圖形露出的第二導電種子層表面形成第二電鍍銅層後的剖面示意圖。

圖7為去除圖6所示的第一光致抗蝕劑圖形及第二光致抗蝕劑圖形，並去除原被第一光致抗蝕劑圖形覆蓋的第一導電種子層及原被第二光致抗蝕劑圖形覆蓋的第二導電種子層後所形成的第二導電線路圖形及第三導電線路圖形的剖面示意圖。

圖8為去除易剝離保護層，並於第二導電線路圖形表面及從所述第二導電線路圖形露出的介電層的表面形成第一防焊層，於第三導電線路層的表面及從所述第三導電線路層露出的介電層的表面形成第二防焊層後的剖面示意圖。

圖9為於圖8所示的第一導電線路圖形的每個第一電性接觸墊的表面形成一個第一保護層，於第二導電線路圖形的每個第二電性接觸墊從第一防焊層露出的表面形成一個第二保護層，於第三導電線路圖形的每個第三電性接觸墊從第二防焊層露出的表面形成一個第三保護層後的剖面示意圖。

圖10為於圖9所示的第一電性接觸墊上構裝一個覆晶晶片後所獲得電路板的剖面示意圖。

10．．．芯層電路基板

12．．．第一導電線路圖形

121．．．第一電性接觸墊

30a．．．第一表面

30b．．．第二表面

40．．．承載電路基板

410．．．第二導電線路圖形

420．．．第三導電線路圖形

401．．．凹槽結構

470．．．覆晶晶片

471．．．第四電性接觸墊

473．．．焊球

480．．．底部填充劑

301．．．收容凹槽

100．．．電路板

Claims (15)

1. 一種電路板的製作方法，包括步驟：
   提供芯層電路基板，所述芯層電路基板包括電路基底及設於所述電路基底的第一導電線路圖形，所述電路基底為內部形成有導電線路的基底，所述電路基底通過設於其內的導電孔與所述第一導電線路圖形相互電連接；
   於所述芯層電路基板的電路基底一側壓合一個具有相對的第一表面及第二表面的介電層，使得所述介電層的第一表面向第二表面凹陷形成一個收容凹槽，所述芯層電路基板全部且緊密地收容於所述收容凹槽中，且所述芯層電路基板的電路基底與所述收容凹槽的底部黏結為一體；
   於所述介電層中形成至少一個通孔，於所述介電層與所述電路基底相對應的區域形成至少一個盲孔，所述通孔貫穿所述第一表面及第二表面，所述盲孔暴露出部分所述電路基底；
   於所述介電層的第一表面形成一個第二導電線路圖形，於所述介電層的第二表面形成一個第三導電線路圖形，並將所述通孔製成導電孔，將所述盲孔製成導電孔，所述第二導電線路圖形通過所述通孔製成的導電孔與所述第三導電線路圖形相互電連接，所述第三導電線路圖形通過所述盲孔製成的導電孔與所述電路基底相互電連接，從而獲得一個電路板。
2. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，於提供芯層電路基板之後，於所述芯層電路基板的電路基底一側壓合一個具有相對的第一表面及第二表面的介電層之前，所述電路板的製作方法還包括於所述芯層電路基板的第一導電線路圖形一側設置一個承載板的步驟；於所述芯層電路基板的電路基底一側壓合一個具有相對的第一表面及第二表面的介電層之後，於所述介電層中形成至少一個通孔，於所述介電層與所述電路基底相對應的區域形成至少一個盲孔之前，所述電路板的製作方法還包括移除所述承載板的步驟。
3. 如請求項2所述的電路板的製作方法，其中，所述承載板靠近所述芯層電路基板的表面還設有一個離型膜。
4. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，於所述介電層的第一表面形成一個第二導電線路圖形，於所述介電層的第二表面形成一個第三導電線路圖形，並將所述通孔製成導電孔，將所述盲孔製成導電孔，包括步驟：
   於所述介電層的第一表面上形成第一導電種子層，於所述至少一個通孔的每個通孔的內壁、至少一個盲孔的每個盲孔的內壁及所述介電層的第二表面上形成第二導電種子層；
   於所述第一導電種子層和第二導電種子層的表面分別形成光致抗蝕劑層，並採用曝光及顯影的方式，將與欲形成所述第二導電線路圖形對應的部分去除得到第一光致抗蝕劑圖形，將與欲形成所述第三導電線路圖形對應的部分去除得到第二光致抗蝕劑圖形；
   於從所述第一光致抗蝕劑圖形的空隙露出的第一導電種子層表面形成第一電鍍銅層，於從所述第二光致抗蝕劑圖形露出的第二導電種子層表面形成第二電鍍銅層；
   採用剝膜的方式去除所述第一光致抗蝕劑圖形和第二光致抗蝕劑圖形，並採用微蝕的方式去除原被所述第一光致抗蝕劑圖形覆蓋的第一導電種子層，去除原被所述第二光致抗蝕劑圖形覆蓋的第二導電種子層，從而位於所述第一表面上的第一導電種子層及形成於其上的第一電鍍銅層共同構成所述第二導電線路層，位於所述第二表面上的第二導電種子層及形成於其上的第二電鍍銅層共同構成第三導電線路圖形，位於所述通孔內的第二導電種子層及形成於其上的第二電鍍銅層共同構成電連接所述第二導電線路圖形及第三導電線路圖形的導電孔，位於所述盲孔內的第二導電種子層及形成於其上的第二電鍍同層共同構成電連接所述第三導電線路圖形及電路基底的導電孔。
5. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述芯層電路基板還包括一個覆蓋所述第一導電線路圖形的易剝離保護層，於所述芯層電路基板的電路基底一側壓合一個具有相對的第一表面及第二表面的介電層之後，於所述介電層中形成至少一個通孔，於所述介電層與所述電路基底相對應的區域形成至少一個盲孔之前，所述電路板的製作方法還包括去除所述易剝離保護層的步驟。
6. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述第一導電線路圖形包括多個第一電性接觸墊，於所述介電層的第一表面形成一個第二導電線路圖形，於所述介電層的第二表面形成一個第三導電線路圖形，並將所述通孔製成導電孔，將所述盲孔製成導電孔之後，所述電路板的製作方法還包括於所述第一導電線路圖形的多個第一電性接觸墊上構裝一個覆晶晶片的步驟。
7. 如請求項6所述的電路板的製作方法，其中，所述覆晶晶片通過多個焊球與所述多個第一電性接觸墊電性相連。
8. 如請求項1所述的電路板的製作方法，其中，所述第二導電線路圖形包括多個第二電性接觸墊，所述第三導電線路圖形包括多個第三電性接觸墊，所述電路板的製作方法還包括：
   於第二導電線路圖形表面形成第一防焊層，所述第一防焊層內形成有與多個第二電性接觸墊一一對應的多個第一開口，每個第一電性接觸墊從對應的第一開口露出，於第三導電線路圖形表面形成第二防焊層，所述第二防焊層內形成有與多個第三電性接觸墊一一對應的多個第二開口，每個第三電性接觸墊從對應的第二開口露出。
9. 如請求項8所述的電路板的製作方法，其中，所述第一導電線路圖形包括多個第一電性接觸墊，所述電路板的製作方法還包括於每個第一電性接觸墊的表面形成第一保護層，於從第一開口露出的第二電性連接墊的表面形成第一保護層，於從第二開口露出的第三電性接觸墊的表面形成第二保護層的步驟。
10. 一種電路板，其包括一個芯層電路基板及一個具有收容凹槽的承載電路基板，所述芯層電路基板全部且緊密地收容於所述收容凹槽中，所述芯層電路基板包括貼合的電路基底及第一導電線路圖形，所述電路基底為內部形成有導電線路的基底，所述電路基底通過設於其內的導電孔與所述第一導電線路圖形相互電連接，所述電路基底與所述收容凹槽的底面黏結為一體，所述第一導電線路圖形遠離所述收容凹槽的底面，所述承載電路基板包括介電層、第二導電線路圖形及第三導電線路圖形，所述介電層具有相對的第一表面及第二表面，所述收容凹槽由所述第一表面向所述第二表面凹陷形成，所述第二導電線路圖形形成於所述第一表面上，所述第三導電線路圖形形成於所述第二表面上，所述第二導電線路圖形通過貫穿所述第一表面及第二表面的導電孔相互電連接，所述第三導電線路圖形通過設於所述介電層的與所述電路基底相對應的區域中的導電孔與所述電路基底相互電連接。
11. 如請求項10所述的電路板，其中，所述第一導電線路圖形包括多個第一電性接觸墊，所述電路板還包括構裝於所述多個第一電性接觸墊上的覆晶晶片。
12. 如請求項11所述的電路板，所述電路板還包括底部填充劑，所述底部填充劑設於所述覆晶晶片與所述第一導電線路圖形之間。
13. 如請求項10所述的電路板，其中，每個第一電性接觸墊表面均形成有第一保護層。
14. 如請求項10所述的電路板，其中，所述電路板還包括第一防焊層，所述第一防焊層形成於所述第二導電線路圖形表面，所述第二導電線路圖形包括多個第二電性接觸墊，所述第一防焊層內形成有多個與多個第二電性接觸墊一一對應的多個第一開口，每個第二電性接觸墊從對應的第一開口露出。
15. 如請求項10所述的電路板，其中，所述第一開口露出的第二電性接觸墊的表面形成有第二保護層。