TW201425419A - 電氣／電子元件用密封劑組成物、電氣／電子元件用被覆劑及ｌｅｄ元件 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供一種耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良的電氣/電子元件用密封劑組成物及使用該材料所形成的LED元件，該電氣/電子元件用密封劑組成物中包含多價金屬化合物及氟樹脂；該多價金屬化合物具有可成2價以上之離子價之金屬元素，該氟樹脂具有可與該多價金屬化合物所含有之金屬元素形成金屬交聯之官能基。

Description

電氣/電子元件用密封劑組成物、電氣/電子元件用被覆劑及LED元件
本發明係關於一種耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良的電氣/電子元件用密封劑組成物，電氣/電子元件用被覆劑及使用該等形成的LED元件。
以往，在表面安裝型的LED元件中，為了密封LED晶片而使用環氧樹脂及矽樹脂。然而，環氧樹脂因為短波長的放射而變色，進而隨著時間劣化，此已為人所知。另外，環氧樹脂的耐熱性亦不足夠，故來自LED晶片的發熱亦成為劣化的原因之一。相對於此，因為矽樹脂的耐光性及耐熱性比環氧樹脂更為優良，故成為現今的主流材料。
然而，矽樹脂因為氣體屏障性低，而使得外部氛圍中的水分與腐蝕性氣體穿透，故防止密封之對象物隨時間劣化的效果較差。有鑒於此，雖開發提升了氣體屏障性的矽樹脂，但該矽樹脂卻因為提升了氣體屏障性反而造成耐光性拙劣。另外，矽樹脂的附著力拙劣，特別是若施力於剪切方向，則容易剝離。
另一方面，雖亦討論使用無機玻璃密封LED晶片的方法，但為了使用無機玻璃密封LED晶片，必須加熱到200℃以上，導致包含LED晶片的密 封物因為熱而破損，而具有此等諸多問題。
相對於此，氟樹脂的耐光性、耐熱性及氣體屏障性皆為優良，此為眾所周知。引用文獻1中揭示，使用異氰酸酯等硬化劑使氟樹脂硬化，以將其作為LED晶片等的密封劑使用。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2011-42762號公報
然而，使用異氰酸酯等的硬化劑而交聯的氟樹脂，與環氧樹脂及矽樹脂同樣地具有因為短波長的放射而容易變色的問題。
本發明係鑒於此一問題點所完成者，其主要之目的在於提供一種耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良的電氣/電子元件用密封劑組成物，以及使用該密封劑組成物而形成的LED元件。
亦即，本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物包含：多價金屬化合物，具有可成2價以上之離子價之金屬元素；及氟樹脂，具有可與該多價金屬化合物所包含的金屬元素形成金屬交聯的官能基。
作為該多價金屬化合物，可舉例如，包含選自於由Mg、Ca、Ba、Fe、Cu、Zn、Al、Ti、Si及Zr構成的群組中的至少1種金屬元素的化合物。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，宜含有2種以上之該多價金屬化合物。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，亦可更包含環氧樹脂。
本發明之另一態樣，係使用本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物來密封電氣/電子元件所形成的電氣/電子製品。作為該電氣/電子元件，雖並未特別限定，但因本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，其耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良，故適合用於封裝LED晶片。
使用本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物來封裝LED晶片而形成的LED元件，亦為本發明的另一態樣。亦即本發明的LED元件，具備LED晶片，及封裝該LED晶片的密封構件；該密封構件係由本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物硬化而形成者。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，亦難以因為短波長的可見光放射及紫外光放射而輕易地變色，故本發明的LED元件，在該LED晶片之可見光放射或是紫外光放射發出的波長為500nm以下的情況中特別有效。 又，「波長為500nm以下的可見光放射或是紫外放射」，具體而言，係指藍光、紫光、近紫外光放射、紫外光放射。
本發明的電氣/電子元件用被覆劑之特徵係包含：多價金屬化合物，具有可成2價以上之離子價的金屬元素；及氟樹脂，可與該多價金屬化合物所包含的金屬元素，形成金屬交聯的官能基。
使用以本發明的LED用被覆劑所形成之被覆構件的LED元件，亦為本發明之一。亦即，本發明的LED元件，具備LED晶片、設有搭載該LED晶片之凹部的基體、以及被覆該凹部之內周面的被覆構件；該被覆構件，係由本發明之電氣/電子元件用被覆劑硬化所形成。
更進一步，作為本發明的LED元件，具備：LED晶片、設有搭載該LED晶片之凹部的基體、被覆該基體之側周面的被覆構件；該被覆構件， 可舉例如：由本發明之電氣/電子元件用被覆劑硬化所形成者。
根據具有這種構成的本發明，可得到耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良，不會輕易因為短波長之可見光放射及紫外光放射而變色的電氣/電子元件用密封劑組成物、LED用被覆劑及使用該等材料所形成的LED元件。
1‧‧‧LED元件
2‧‧‧基體
3‧‧‧LED晶片
4‧‧‧密封構件
21‧‧‧上端面
22‧‧‧凹部
221‧‧‧底面
222‧‧‧側面
23,35‧‧‧被覆層
24,34‧‧‧密封構件
25‧‧‧配線圖案
26‧‧‧金屬薄膜
B‧‧‧圍線
【圖1】係顯示本發明之第1實施態樣之LED元件的部分縱剖面圖。
【圖2】係顯示第1實施態樣的LED元件的俯視圖。
【圖3】係顯示第2實施態樣的LED元件的俯視圖。
【圖4】係顯示第2實施態樣的LED元件的AA線剖面圖。
【圖5】係顯示第2實施態樣的LED元件之圍線B的部分放大剖面圖。
【圖6】係顯示第3實施態樣的LED元件的部分縱剖面圖。
【圖7】1~4實驗前的LED元件影像。
【圖8】1~4使用試樣4之實驗後的LED元件影像。
【圖9】1~4使用試樣5之實驗後的LED元件影像。
以下詳述本發明。本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，係包含多價金屬化合物及氟樹脂者。
該多價金屬化合物為2價以上，宜為包含可成2~4價之離子價的金屬元素之多價金屬化合物，例如，包含Mg、Ca、Ba、Fe、Cu、Zn、Al、Ti、Si、Zr等被分類於典型金屬或兩性金屬之金屬元素的化合物。此種多價金屬化合物適合用於氧化物。該等多價金屬化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。更進一步，作為該多價金屬化合物，若使用包含遷移金屬的化合 物，則可增加金屬交聯的多樣性。
該氟樹脂，具有可與該多價金屬化合物所包含的金屬元素形成金屬交聯的官能基。金屬交聯，係樹脂之分子間，透過金屬以離子鍵結合的構造。因為這種金屬交聯，相較於使用異氰酸酯等的硬化劑硬化的氟樹脂中所形成的共價鍵而形成的交聯構造，不會輕易地受到光的影響，故耐光性優良。又，雖亦具有透過金屬而藉由配位鍵將樹脂之分子間連結的構造，但因為配位鍵與共價鍵同樣地易受光的影響，其耐光性比離子鍵差。作為可形成該金屬交聯的官能基，可舉例如：羥基、羧基等。又，羧基亦可為酸酐基。
作為具有這種官能基的氟樹脂並未特別限定，可舉例如：氟烯烴、乙烯醚與具有該官能基之單體的共聚物；氟烯烴、乙烯酯與具有該官能基的單體之共聚物；四氟乙烯、烴系單體、乙烯酯與具有該官能基之單體的共聚物；偏二氟乙烯與具有該官能基之單體的共聚物等乙烯系聚合物。又，亦可相應於需求，在偏二氟乙烯與具有該官能基之單體的共聚物中，包含作為構成單元的烴系單體、乙烯醚、乙烯酯等。
作為該氟烯烴，可舉例如：四氟乙烯、六氟丙烯、全氟(烷基乙烯醚)、三氟乙烯、偏二氟乙烯、氟化乙烯等。
作為該乙烯醚，可舉例如：甲基乙烯醚、乙基乙烯醚、正丁基乙烯醚、異丁基乙烯醚、2-乙基己基乙烯醚、環己基乙烯醚、2-甲氧基乙基乙烯醚等。
作為該乙烯酯，可舉例如：叔碳酸乙烯酯(vinyl versatate)、苯甲酸乙烯酯、對三丁基苯甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯(Vinyl Pivalate)、己酸乙烯酯等。
作為該烴系單體，可舉例如：乙烯、丙烯、異丁烯、丁烯、戊烯、己烯、庚烯、辛烯等。
具有羥基作為該官能基的單體，可舉例如：羥乙基乙烯基醚、羥丙基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等的羥烷基乙烯基醚；2-羥乙基烯丙基醚、4-羥丁基烯丙基醚等的羥烷基烯丙基醚；N-羥甲基丙烯醯胺等的N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺；羥乙基(甲基)丙烯酸酯等的羥烷基(甲基)丙烯酸酯等。
具有羧基作為該官能基的單體，可舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯乙酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸單酯、馬來酸酸酐、富馬酸、富馬酸單酯等。
該多價金屬化合物之含量，相對於該官能基1當量，宜含有0.2~2.0當量，較宜含有0.4~1.5當量。若未滿0.2當量，則硬化不足，若超過2.0當量，則含有過多金屬，導致耐水性低落。
本發明之電氣/電子元件用密封劑組成物，如上所述，亦可含有2種以上之該多價金屬化合物。若使用具有2種以上之該多價金屬化合物的組成物來封裝LED晶片，則可依照金屬元素之原子量的不同，在密封構件內的垂直方向上具有密度梯度(density gradient)，密封構件下方的密度較大，而上方的方程密度較小。接著，因為密度與折射率相關，密度大的下方，其折射率較大，而密度小的上方，其折射率小，可在密封構件內的垂直方向上，形成折射率之梯度。如此形成的密封構件內之折射率的梯度並沒有交界，而使折射率可連續地變化，故可預想到通過密封構件內的光，並不會在途中發生全反射。更進一步，密封構件與大氣接觸的面的折射率若接近1，則可防止在該交界面發生全反射。因此，若使用具有2種以上之該多價金屬化合物的組成物來封裝LED晶片，則能夠期待可得到從LED晶片萃取出光線之效率極佳的LED元件。
另外，這種密度及伴隨該密度的折射率之調整，除了使用2種以上之該多價金屬化合物以外，亦可使用2種以上之官能基的導入比例不同的氟樹脂，亦可將磁性體添加至氟樹脂以增加磁力等。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，只要在不損及本發明之特性的範圍內，亦可具有環氧樹脂。環氧樹脂，雖耐光性、耐熱性及耐熱震性拙劣，但其氣體屏障性優良，另外，與氟樹脂相比，在成本方面具有優勢。因此，若將氟樹脂與環氧樹脂混合使用，因為氟樹脂可補足環氧樹脂拙劣的耐光性、耐熱性及耐熱震性，故可一方面抑制成本，一方面得到耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性等優良的電氣/電子元件用密封劑組成物。
在本發明之電氣/電子元件用密封劑組成物含有環氧樹脂的情況中，其含量相對於氟樹脂，宜為0~50重量%，較宜為0~30重量%。若超過50重量%，則變色的情況顯著。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，從封裝LED晶片等元件時的加工性來看，宜在常溫(25℃)下具有適度的流動性，故為了賦予這樣的流動性，亦可含有溶劑。
作為該溶劑並未特別限定，可舉乙酸甲酯、乙酸丁酯、二甲苯、甲苯等。
雖並未特別限定該溶劑之含量，但宜為例如，相對於本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物全量，具有5~60重量%，較宜具有10~30重量%。若該溶劑之含量未滿5重量%，則無法得到適度的流動性，若超過60重量%，則在使溶劑揮發以使本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物硬化時，花費較多時間。
另外，本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物之黏度(25℃)，宜為200~20000mPa．s，較宜為200~15000mPa．s。
本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，更進一步，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可包含其他樹脂、自由基聚合起始劑等的聚合起始劑、抗氧化劑、紫外線輻射吸收劑、填充劑、塑化劑、抗靜電劑、介面活性劑、 潤滑劑、薄膜生長劑、染色劑、導電劑、脫模劑、調流劑、阻燃劑、消泡劑、均染劑、離子吸附體、表面處理劑、反應性稀釋劑等的各種添加劑等。更進一步，在將本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物，用於封裝LED晶片的情況中，亦可含有螢光劑及反射材料等。
該各種添加劑之合計的含量，相對於本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物的總量(除了溶劑)，宜為15重量%以下，較宜為5重量%以下。
為了使本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物硬化，只要以90~160℃加熱0.5~24小時左右即可，藉此可使溶劑揮發，使流動性消失而使其硬化。
作為本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物之密封對象的電氣/電子元件雖未特別限定，但適合用於例如，封裝LED晶片。使用這種本發明之電氣/電子元件用密封劑組成物來封裝LED晶片所形成的LED元件，係本發明的另一態樣。
本發明之第1實施態樣的LED元件例示於圖1及圖2。圖1及圖2所示的第1實施態樣之LED元件1，具備：基體2，具有在上端面21開口的凹部22；LED晶片3，安裝於凹部22的底面221；及密封構件4，係由封裝LED晶片3的本發明之電氣/電子元件用密封劑組成物所構成。
接著詳述各部分。基體2，具有在上端面21開口的凹部22，可舉例如以氧化鋁及氮化鋁等熱傳導率高的絶緣材料成型者。
基體2，其凹部22的底面221安裝有後述的LED晶片3，該底面221上，形成有用以與LED晶片3電性連接的配線導體(圖中未顯示)。該配線導體透過形成於基體2內部的配線層(圖中未顯示)，被導出LED元件1的外表面，而與外部電氣電路基板連接，藉此，使LED晶片3與外部的電氣電路基板電性連接。
另外，包含基體2之凹部22的側面222及底面221的內面上，藉由實施銀、鋁、金等的金屬鍍敷等，以形成高反射率的金屬薄膜，而具有反射功能。
LED晶片3，係例如，在藍寶石基板上，氮化鎵系化合物半導體係依序層積n型層、發光層及p型層者，這樣的LED晶片3，發出藍光、紫光及紫外光放射。
LED晶片3，係使氮化鎵系化合物半導體朝下(凹部22的底面221側)，並在凹部22的底面221使用焊料凸塊(Solder Bump)或金屬凸塊(Metallic Bump)等(圖中未顯示)，安裝倒裝式晶片。
密封構件4，以充滿凹部22的方式密封LED晶片3，係由本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物硬化而成。
根據這樣的本實施態樣的LED元件1，由本發明的電氣/電子元件用密封劑組成物硬化而成的密封構件4，因為氣體屏障性優良，故在基體2之凹部22的內面形成由銀所構成的金屬薄膜的情況中，可抑制銀的硫化。另外，只要密封構件4係以含有2種以上之多價金屬化合物的組成物所構成，且折射率連續變化者，則可效率良好地從LED晶片3中萃取出光線。另外，因為密封構件4中，氟樹脂彼此之間金屬交聯，故即使LED晶片3發出藍光、紫色光、紫外線放射，亦不會輕易地變色且難以劣化。
接著，就本發明的電氣/電子元件用被覆劑進行說明。
本發明的電氣/電子元件用被覆劑，係與上述之電氣/電子元件用密封劑組成物相同者，具有多價金屬化合物及氟樹脂。此多價金屬化合物及氟樹脂的組成等，與上述相同，故此處省略說明。
又，在使用本實施態樣的電氣/電子元件用被覆劑的情況中，在不損及本發明之效果的範圍內，本實施態樣的電氣電子元件用被覆劑中，亦可包含界面活性劑、有機溶劑、矽烷偶合劑等。
使用本發明的電氣/電子元件用被覆劑的LED元件之第2實施態樣及第3實施態樣，例示於圖3、圖4、圖5及圖6中。又，對於與第1實施態樣的LED元件1相同的部分，附上相同的符號，並省略其說明。
圖3及圖4例示的第2實施態樣的LED元件1，具備：基體2；LED晶片3；被覆層23，由本發明的電氣/電子元件用被覆劑所構成，其被覆基體2之凹部22的底面221及側面222；及密封構件24，層積於被覆層23上，密封LED晶片3。
基體2中，凹部22的底面221上安裝有LED晶片3，而該底面221上，設有用以與LED晶片3電性連接的配線圖案25。配線圖案25，以模造的方式形成於基體2之凹部22的底面221，該配線圖案25，與圖中未顯示的外部電氣電路基板電性連接。
另外，藉由在基體2之凹部22的側面222，施加銀、鋁、金等的金屬鍍敷等，形成高反射率的金屬薄膜26，而具有反射功能。
LED晶片3藉由與該配線圖案25電性連接，而透過配線圖案25，與外部電氣電路基板電性連接。
被覆層23，如圖5所示，在覆蓋設於基體2之凹部22的底面221的配線圖案25及LED晶片3的同時，覆蓋設於基體2之凹部22的側面222上的金屬薄膜26。又，該被覆層23，可以覆蓋LED晶片3及金屬薄膜26的方式構成，亦可以覆蓋金屬薄膜26的方式構成。
密封構件24，以層積於被覆層23的方式，充滿於凹部22，並覆蓋LED 晶片3，可使用例如使以透明之矽樹脂所構成的密封劑硬化者。
根據第2實施態樣的LED元件，因為以LED用被覆劑硬化而成的被覆層23其氣體屏障性優良，故即使氣體通過密封構件24而流入，亦可藉由被覆層23，抑制設於基體2的配線圖案25及金屬薄膜26與氣體反應而變色。
如圖6所例示的第3實施態樣的LED元件1，包含：基體2；LED晶片3；密封構件34，密封LED晶片3；被覆層35，係由本發明之電氣/電子元件用被覆劑所構成，以覆蓋基體2的至少側周面的方式被覆。
密封構件34，以填充於凹部22的方式密封LED晶片3，可使用例如，使以透明之矽樹脂所構成的密封劑硬化者。
被覆層35，覆蓋基體2之外周面及密封設於基體2之凹部22的密封構件34。
在第3實施態樣的LED元件1中，因為由電氣/電子元件用被覆劑硬化而成的被覆層35其氣體屏障性優良，故可防止氣體流入被覆層35之內部，而可抑制設於基體2上的配線圖案25及金屬薄膜26與氣體反應而變色。
又，本發明並非係僅限於上述實施態樣者，只要不違反本發明之主旨的範圍內，可進行各種變形。
【實施例】
以下揭示實施例，以對本發明進一步詳細說明，但本發明並非僅限於該等實施例。
<實驗1>
調製具有下列表1所示之組成的試樣1~3，以作為實驗中使用的LED 密封劑組成物。表1所示的各成分如下所述，各成分之數值表示質量分，「-」表示並未摻合該成分。又，各LED密封劑組成物，更含有作為有機溶劑的乙酸丁酯，非揮發成分NV約為55質量%。
．氟樹脂A：ZEFFLE GK-510(大金工業公司製)
．氟樹脂A(金屬交聯)：以氧化鋅使ZEFFLE GK-510(大金工業公司製)交聯者
．氟樹脂B：ZEFFLE GK-570(大金工業公司製)
．區塊異氰酸酯：DURANATE TPA-B80X(旭化成化學公司製)
使用所得到的試樣1~3之LED密封劑組成物，將放射峰值為405nm的LED晶片密封，以65℃預熱1小時之後，以150℃加熱3小時，使各試樣的LED密封劑組成物硬化。
就所得到的LED元件之密封部，進行以下評價。評價結果顯示於下記表1。
<時效實驗>
以25℃、IF=120mA的條件，將所得到的LED元件點燈，進行時效實驗64小時，並以目視評價密封部的顏色在實驗前後的變化。表1中，「○」表示未變色，「×」表示變色。
<耐熱衝撃性實驗>
分別在冰水(0℃)與沸水(100℃)中，交互浸漬1分鐘，以此作為1循環，並重複該循環100次，觀察密封部的變化。表1中，「○」表示能夠承受熱衝撃(密封部無變化)，「×」表示無法承受熱衝撃(密封部變化)。
【表1】
如表1所示，可確認使用試樣3的密封部，因為時效實驗64小時而產生變色的情況。其理由被認為是因為，來自LED晶片的紫外光放射，切斷源自異氰酸酯的胺基甲酸乙酯交聯部分，而產生變色的情形。
相對於此，試樣1及2，如表1所示，在經過時效實驗64小時之後，整體及晶片上皆無發生變色的情況。
然而，因為試樣2並未實施交聯處理，故無法承受熱衝撃。
另一方面，試樣1中，被認為因為以離子鍵進行金屬交聯，與胺基甲酸乙酯鍵等共價鍵所形成的交聯構造相比，難以承受光及熱的影響。
<實驗2>
接著，調整試樣4及5，以作為實驗中使用的LED密封劑組成物。
試樣4係由矽樹脂所形成，試樣5係以金屬使氟樹脂交聯者。
使用所得到的試樣4及5之LED密封劑組成物，來密封底面形成有配線圖案的凹部，在以65℃預熱1小時之後，再以150℃加熱3小時，以使 各試樣的LED密封劑組成物硬化。
接著，所得到的LED元件之密封部，依照以下順序進行腐蝕氣體實驗。
將所得到的LED元件，放置於H2S2.0ppm、溫度40℃、相對濕度90%RH的環境下48小時間，並以目視觀察配置於凹部底面的金屬配線圖案在實驗前後的變色情形，藉此進行評價。
圖7~9係顯示腐蝕氣體實驗前後的LED元件的影像。此處，圖7係實驗前的LED元件的影像，圖8係使用實驗後的試樣4之LED元件的影像，圖9係使用實驗後之試樣5的LED元件影像。
又，雖拍攝試樣5以作為圖7中實驗前的LED元件影像使用，但因為試樣4及5的實驗前的態樣相同，故亦可僅使用一方的試樣的拍攝影像，來表示實驗前的試樣。
如圖7及8所示，將試樣4用於密封部的LED元件中，在腐蝕氣體實驗結束後，與實驗前相比，金屬配線圖案變黑。另一方面，如圖7及9所示，將試樣5用於密封部的LED元件中，與此實驗前相比，可發現金屬配線圖案幾乎沒有變色。
下述2點被認為係金屬配線圖案變色的理由。
第1點，吾人認為，若LED元件產生熱，則因為設於凹部底面的金屬配線圖案，與構成LED基體的樹脂，或是用於密封LED的密封部的樹脂的線膨脹率相異，而在金屬配線圖案與基體或是密封部之間產生間隙，使得H2S氣體從此間隙流入，導致金屬配線圖案硫化而變黑。
第2點，吾人認為，因為通過密封部的H2S氣體使金屬配線圖案硫化而變黑。
此處，吾人認為，將試樣4的矽樹脂作為密封部使用的LED元件中，雖因為矽樹脂的硬度較低，而阻礙了因線膨脹率不同而在金屬配線圖案與樹脂之間產生間隙的情況，但因矽樹脂的氣體屏障性較低，導致H2S氣體通過密封部，而使金屬配線圖案因為硫化而變黑。
另一方面，將試樣5的氟樹脂作為密封部使用的LED元件中，因為阻礙了金屬配線圖案與樹脂之間產生隙間，且因為與矽樹脂相比，氟樹脂的氣體屏障性較高，而妨礙H2S氣體通過密封部，故可防止金屬配線圖案的硫化。
【產業上的可利用性】
根據本發明，可得到一種耐光性、耐熱性、耐熱震性、氣體屏障性優良，且不會輕易因為短波長之可見光放射及紫外光放射而變色的電氣/電子元件用密封劑組成物、LED用被覆劑及使用該等材料所形成的LED元件。
1‧‧‧LED元件
2‧‧‧基體
3‧‧‧LED晶片
4‧‧‧密封構件
21‧‧‧上端面
22‧‧‧凹部
221‧‧‧底面
222‧‧‧側面

Claims (9)

  1. 一種電氣/電子元件用密封劑組成物，其特徵為包含：多價金屬化合物，含有可成2價以上之離子價的金屬元素；及氟樹脂，具有可與該多價金屬化合物所含有之金屬元素形成金屬交聯的官能基。
  2. 如申請專利範圍第1項之電氣/電子元件用密封劑組成物，其中，該多價金屬化合物，係包含選自於由Mg、Ca、Ba、Fe、Cu、Zn、Al、Ti、Si及Zr所構成的群組中之至少1種金屬元素的化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項之電氣/電子元件用密封劑組成物，其中，含有2種以上之該多價金屬化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之電氣/電子元件用密封劑組成物，其中更包含環氧樹脂。
  5. 一種LED元件，其特徵為包含：LED晶片；及密封構件，密封該LED晶片；該密封構件，係由申請專利範圍第1項之組成物硬化而成者。
  6. 如申請專利範圍第5項之LED元件，其中，該LED晶片發出波長在500nm以下的可見光放射或是紫外光放射。
  7. 一種電氣/電子元件用被覆劑，其特徵為包含：多價金屬化合物，具有可成2價以上之離子價的金屬元素；及氟樹脂，具有可與該多價金屬化合物所含有之金屬元素形成金屬交聯的官能基。
  8. 一種LED元件，具備LED晶片、設有搭載該LED晶片之凹部的基體、以及被覆於該凹部之內周面的被覆層，其特徵為：該被覆層，係由申請專利範圍第7項之被覆劑硬化而成者。
  9. 一種LED元件，具備LED晶片、設有搭載該LED晶片之凹部的基體、以及被覆於該基體之側周面的被覆層，其特徵為：該被覆層係由申請專利範圍第7項之被覆劑硬化而成者。
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