TW201422536A - 用以使用離子液體產生銀奈米線的方法 - Google Patents

用以使用離子液體產生銀奈米線的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201422536A
TW201422536A TW102100441A TW102100441A TW201422536A TW 201422536 A TW201422536 A TW 201422536A TW 102100441 A TW102100441 A TW 102100441A TW 102100441 A TW102100441 A TW 102100441A TW 201422536 A TW201422536 A TW 201422536A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silver nanowire
silver
group
ionic liquid
preparing
Prior art date
Application number
TW102100441A
Other languages
English (en)
Inventor
Kwang-Suck Suh
Jong-Eun Kim
Tae-Young Kim
Original Assignee
Soloe Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soloe Tech Co Ltd filed Critical Soloe Tech Co Ltd
Publication of TW201422536A publication Critical patent/TW201422536A/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • B22F1/0547Nanofibres or nanotubes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/06Metallic powder characterised by the shape of the particles
    • B22F1/062Fibrous particles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B11/00Obtaining noble metals
    • C22B11/04Obtaining noble metals by wet processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver

Abstract

本發明係關於一種製備具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度之銀奈米線的方法,尤其係關於一種在聚醇製程中除了銀鹽前驅物、還原性溶劑以及包覆劑(capping agent)以外使用離子液體以作為添加劑而均勻製備具有高縱橫比之銀奈米線的方法。當使用本發明之技術時,可均勻製備具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度的銀奈米線。又,當藉由將銀奈米線分散液施加到基膜上而形成透明導電膜時,此透明導電膜具有101~103 Ω/□的表面電阻係數以及對於此基膜具有90%以上的透光度。

Description

用以使用離子液體產生銀奈米線的方法
本發明係關於一種製備銀奈米線的方法,尤其係關於一種使用銀鹽前驅物、還原性溶劑、包覆劑(capping agent)以及離子液體以均勻製備具有100以上之縱橫比(例如具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度)之銀奈米線的方法。
近來,觸摸屏面板已被使用作為例如智慧型手機、平板電腦等等之各種電氣、電子以及通訊設備的重要元件。
透明電極膜被使用作為觸摸屏面板的主要元件。作為透明電極膜,係使用具有500 Ω/□之表面電阻係數以及對於基膜具有90%以上之透光度的膜。現在,通常係使用氧化銦錫(ITO)來作為透明電極材料。可藉由在玻璃基板或透明聚合物膜上使用濺鍍來形成ITO薄膜而製造出具有50~500 Ω/□之表面電阻係數以及對於基膜具有90%以上之透光度的透明電極膜。
然而,ITO薄膜係有問題的,因為其生產成本非常高並且容易因ITO薄膜與基膜之間的熱膨脹性或熱收縮性之差異而損壞。尤其,因為在聚合物膜上所形成之ITO薄膜的脆性非常高,所以當此ITO薄膜被使用作為觸摸屏面板的透明電極膜時,存在著ITO薄膜因機械或自然變形而破裂的問題。
因此,可克服上述ITO問題之用於透明電極膜的新穎原材料近來相當引人矚目。因此,已有許多使用例如導電聚合物、碳奈米管、石墨烯(graphene)或金屬奈米線之新穎原材料以製造出透明電極膜的成果。尤其,例如銀奈米線的金屬奈米線近來在作為可被用來替代ITO的透明電極材料 方面已受到公眾的注意,因為金屬線具有非常高的導電性以及高的縱橫比。
銀奈米線,如在US 2005/0056118;Science 298,2176,2002;Chem.Mater.14,4736,2002中所述,可藉由所謂的聚醇(polyol)製程加以製備。又,揭露有使用銀鹽前驅物(金屬前驅物)、還原性溶劑(例如乙二醇(EG,ethyleneglycol))以及包覆劑(例如聚乙烯吡咯啶酮(PVP,polyvinylpyrrolidone))以在溶液相中合成具有一維形狀之銀奈米線的方法。又,記述有在聚醇製程中使用離子液體來替代PVP以作為包覆劑而合成銀奈米線的方法(Angewandte Chemie,121,3864,2009)。
然而,在此種合成銀奈米線的方法中,係同時製備出不同形狀的銀奈米粒子以及銀奈米線,因此不適合使用這些銀奈米粒子來作為透明電極材料。例如,粒狀的銀奈米結構係與銀奈米線一起被製備。在此情況下會有問題,因為在製備銀奈米結構之後必須將粒狀的銀奈米結構與銀奈米結構分離、以及銀奈米線的產率係低的。
又,韓國未審查專利申請公開案第10-2010-0055983號揭露藉由聚醇還原反應來製備金屬奈米線的方法,於其中,在離子液體存在的情況下使金屬鹽與還原性溶劑混合並且反應。
然而,為了使用銀奈米線製造出具有優異光穿透以及表面阻抗持性的透明電極膜,需要發展出更均勻合成具有更高縱橫比之銀奈米線的方法。
本發明之一目的係在於提供一種藉由使用金屬鹽來作為前驅物之聚醇還原反應以均勻且可再現地製備出具有100以上之縱橫比(例如具有小於100 nm的直徑以及10μm以上的長度)之銀奈米線而不製備出不同形狀之銀奈米結構的技術。
本發明之其他目的並不限於上述目的,以及可被熟習本項技藝者從以下說明內容清楚瞭解。
本發明係關於一種在聚醇製程中使用以咪唑為基礎 (imidazolium-based)之離子液體來作為添加劑而製備具有高縱橫比(例如具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度)之銀奈米線的方法。
為了實現上述目的,銀奈米線係藉由聚醇反應所製備,於其中,使以咪唑為基礎之離子液體(添加劑)與一混合液混合並且反應,此混合液包含銀鹽前驅物、還原性溶劑以及包覆劑。
從本案發明人之研究結果發現到,在藉由包含銀鹽前驅物(例如AgNO3)、還原性溶劑(例如乙二醇)、包覆劑(例如聚乙烯吡咯啶酮)等等之混合液的聚醇還原反應來製備銀奈米線的製程中,當小量的以咪唑為基礎之離子液體被加入此混合液以作為添加劑時,具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度的銀奈米線係被均勻製備。
此銀鹽前驅物為包含銀陽離子以及有機或無機陰離子的化合物。例如,吾人可使用AgNO3、AgClO4、AgBF4、AgPF6、CH3COOAg、AgCF3SO3、Ag2SO4、CH3COCH=COCH3Ag或類似物來作為此銀鹽前驅物。此銀鹽係在溶劑中解離,然後藉由還原反應而轉換成金屬銀。
此還原性溶劑為可溶解銀鹽的極性溶劑。此還原性溶劑被稱為在其一分子中具有兩個以上羥基的溶劑,例如二元醇、聚醇或二醇。此還原性溶劑的具體範例可包含乙二醇、1,2-丙二醇(1,2-propyleneglycol)、1,3-丙二醇(1,3-propyleneglycol)、甘油(glycerin)、丙三醇(glycerol)、二乙二醇(diethylglycol)、以及類似物。此還原性溶劑用以藉由在一預定溫度以上誘發銀陽離子的還原反應而產生金屬銀並且用以作為溶解銀鹽用的溶劑。
因為此包覆劑係藉由此包覆劑與在合成反應之起始階段中所形成之銀奈米粒子之間的交互作用而僅吸附(以下稱為包覆)在特定晶面上,所以此包覆劑用以使銀奈米粒子進行一維成長。此包覆劑為聚乙烯吡咯啶酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA,polyvinylalcohol)。
如由以下化學式1與2所表示之以咪唑為基礎的離子液體為單體化合物或聚合化合物,其包含具有咪唑基的有機陽離子以及有機或無機陰離子。尤其,在使用包含作為陰離子之氯離子(Cl-)或溴離子(Br-)之以咪唑為基礎的離子液體來作為添加劑的情況下,當藉由聚醇還原反應使銀鹽轉換成金屬銀時,金屬銀奈米粒子係藉由以咪唑為基礎的離子液體與銀離子或金屬銀之間的化學交互作用而進行一維均勻成長,因此最終形成具有高 縱橫比(亦即,具有小於100 nm的直徑以及10μm以上的長度)的銀奈米線。
在本發明中,銀奈米線的縱橫比為100以上,但其上限並未被預先決定並且可藉由控制離子液體的含量而調整成達到能夠以銀奈米線而存在之程度的最大縱橫比。當銀奈米線的縱橫比過大時,其不以線的形式存在,且其可能會像紗一樣糾結在一起。因此,若需要的話,可藉由控制離子液體的含量而製備具有高縱橫比的均勻銀奈米線。
在化學式1與2中,R1、R2以及R3為彼此相同或不同,其每一者為氫或1到16個碳原子的烴基(hydrocarbon group),以及其每一者包含至少一選自於由氧、硫、氮、磷、氟、氯、溴、碘以及矽所組成之群組的雜原子。又,X-為陰離子,並且為包含例如氯離子(Cl-)或溴離子(Br-)之鹵素離子的有機或無機化合物。n為重複單元,並且為自然數。
由以上化學式1所表示之單體陽離子化合物的具體範例可包含1,3-二甲基咪唑(1,3-dimethylimidazolium)、1,3-二乙基咪唑(1,3-diethylimidazolium)、1-乙基-3-甲基咪唑(1-ethyl-3-methylimidazolium(EMIM))、1-丁基-3-甲基咪唑(1-butyl-3-methylimidazolium(BMIM))、1-己 基-3-甲基咪唑(1-hexyl-3-methylimidazolium(HMIM))、1-辛基-3-甲基咪唑(1-octyl-3-methylimidazolium(OMIM))、1-癸基-3-甲基咪唑(1-decyl-3-methylimidazolium)、1-十二基-3-甲基咪唑(1-dodecyl-3-methylimidazolium)以及1-十四基-3-咪唑(1-tetradecyl-3-imidazolium);以及由以上化學式2所表示之聚合陽離子化合物的具體範例可包含聚(1-乙烯基-3-烷基咪唑)(poly(1-vinyl-3-alkylimidazolium))、聚(1-丙烯基-3-烷基咪唑)(poly(1-allyl-3-alkylimidazolium))以及聚(1-(甲基)丙烯醯氧基-3-烷基咪唑)(poly(1-(meth)acryloyloxy-3-alkylimidazolium))。為了合成銀奈米線,較佳係使用氯離子(Cl-)或溴離子(Br-)來作為化學式1或2之離子液體的陰離子。
以下,將詳細說明依照本發明之用以製備銀奈米線的方法。
首先,以適當比例來混合銀鹽前驅物、還原性溶劑、包覆劑以及離子液體,然後在室溫下攪拌一預定時間量。接著,在50~180℃的溫度下使此混合物反應30分鐘~7天,以形成銀奈米線。當反應溫度為低時,因為要花費更多的時間來成長銀奈米線,所以反應時間為長,但另一方面,當反應溫度為高時,銀奈米線係相對迅速地形成。
在本發明中,為了均勻製備銀奈米線,此混合物之每一成分的含量比例係重要的。較佳為包覆劑係基於1 mol的銀鹽前驅物而以1到2 mol的量被包含,以及離子液體係基於1 mol的銀鹽前驅物而以0.001到0.2 mol的量被包含。在此情況下,當包覆劑的量小於1 mol以及離子液體的量小於0.001 mol(其每一者為過低量)時會有問題,因為銀奈米線不均勻形成與存在於奈米線與奈米粒子的混合物中。又,當包覆劑的量大於2 mol以及離子液體的量大於0.2 mol(其每一者為過高量)時會有問題,因為銀奈米線的直徑會增加至100 nm以上,或者會形成三維銀奈米粒子,因此難以形成均勻的銀奈米線。尤其,當離子液體以0.005到0.02 mol的量被使用時,有助於形成均勻的銀奈米線。
將以此方式所形成的銀奈米線進行過濾,然後以例如水或酒精的溶劑進行洗滌。將這些已過濾的銀奈米線分散在溶劑中,以製備銀奈米線分散液。在此情況下,較佳係使用水或水性溶劑來作為分散銀奈米線用的 溶劑。分散銀奈米線用之溶劑的具體範例可包含水、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、己醇、苯甲醇、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、1,4-二烷(1,4-dioxane)、四氫呋喃(THF,tetrahydrofuran)、乙二醇單甲醚(ethyleneglycol monomethyl ether)、乙二醇單乙醚(ethyleneglycol monoethyl ether)、乙二醇二甲醚(ethyleneglycol dimethyl ether)、丙二醇單甲醚(propyleneglycol monomethyl ether)、丙二醇單乙醚(propyleneglycol monoethyl ether)、丙二醇二甲醚(propyleneglycol dimethyl ether)、N,N-二甲基甲醯胺(N,N-dimethylformamide)、N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)、N,N-二甲基乙醯胺(DMA,N,N-dimethylacetamide)、乙腈(acetonitrile)、乙醛(acetaldehyde)、N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidone)、2-吡咯啶酮(2-pyrrolidone)、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(N-vinyl-2-pyrrolidone)、二甲亞碸(dimethylsulfoxide)、正丁內酯(n-butyrolactone)、硝甲烷(nitromethane)、以及乳酸乙酯(ethyl lactate)。這些溶劑可被單獨或組合使用。
藉由將0.1~5wt%的本發明銀奈米線分散在95~99.9wt%的溶劑中而製備銀奈米線分散液。銀奈米線分散液可更包含分散劑以及增稠劑,以改善銀奈米線的分散性。
在此,當銀奈米線分散液中之銀奈米線的含量小於0.1wt%時會存在不利的狀況,因為表面電阻係數會因奈米線的量過小而變高,並且因為塗佈性(coatability)會因必須增加溼塗膜(wet-coating)厚度而變差。又,當銀奈米線分散液中之銀奈米線的含量大於5wt%時會存在不利的狀況,因為銀奈米線分散液會因奈米線的量過大而變得難以塗佈,並且因為透光度會因使用過量的銀奈米線而變低。
此分散劑係藉由因為此分散劑吸附在銀奈米線之表面上的靜電斥力或空間阻障而用以使銀奈米線穩定地分散在溶劑中。此增稠劑用以調整銀奈米線分散液的流動性。此為有效:分散劑與增稠劑其中每一者係基於100重量份的銀奈米線分散液而以0.01到10重量份的量被包含。在此,當分散劑的量小於0.01wt%時會存在不利的情況,因為幾乎沒有表現出分散效果。又,當分散劑的量大於10wt%時會存在不利的情況,因為分散劑的量過大,因此分散劑會從銀奈米線分散液的表面洩漏而降低其表面電阻係數或者其表面會變得過滑。
此分散劑可包含選自於由聚氧乙烯脂肪族醚(polyoxyethylene aliphatic ether)、聚氧乙烯苯基醚(polyoxyethylene phenyl ether)、聚亞胺(polyimine)、磷酸烷基酯(alkyl phosphate)、烷基銨鹽(alkylammonium salt)、聚酯烷醇銨鹽(polyester alkylolammonium salt)、聚丙烯酸烷醇銨鹽(polyacrylic alkylolammonium salt)、聚二甲基矽烷(polydimethylsilane)、聚丙烯酸(polyacrylic acid)、聚磺酸(polysulfonic acid)以及聚乙烯吡咯啶酮(polyvinylpyrrolidone)所組成之群組的至少一者。更具體而言,此分散劑可包含選自於由Triton X-100、Triton X-200、Pluronic P123、F127、F68、L64、BYK-181、184、191、192、194、Disperbyk-181、184、190、Tego 710、720W、730W、Zonyl FSN、FSO、FSP、溴化十六烷基三甲基銨(CTAB,cetyltrimethylammonium bromide)、氯化十六烷基三甲基銨(CTAC,cetyltrimethylammonium chloride)、溴化四丁基銨(TBAB,tetrabutylammonium bromide)、氯化四丁基銨(TBAC,tetrabutylammonium chloride)、十二烷基磺酸鈉(SDS,sodium dodecylsulfate)、十二烷基苯磺酸鈉(SDBS,sodium dodecylbenzenesulfonate)、聚苯乙烯磺酸酯(PSSA,polystyrene sulfonate)、聚(4-苯乙烯磺酸鈉)(PSSNa,poly(sodium-4-styrenesulfonate))、以及十二烷基苯磺酸酯(DBSA,dodecylbenzenesulfonate)所組成之群組的至少一者。此增稠劑的範例可包含但不限於胺基甲酸酯改質(urethane-modified)增稠劑、丙烯酸(acrylic)增稠劑、甲基纖維素(methylcellulose)、乙基纖維素(ethylcellulose)、羥乙基纖維素(hydroxyethylcellulose)、羥甲基纖維素(hydroxymethylcellulose)、羥丙基纖維素(hydroxypropylcellulose)以及羥丙甲基纖維素(hydroxypropylmethylcellulose)。這些增稠劑可被單獨或組合使用。
當包含藉由本發明之技術所製備之銀奈米線的銀奈米線分散液被施加到基膜上然後乾燥時,可製造出包含三維網絡的透明電極膜,此三維網絡係由具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度的銀奈米線所形成。
此基膜可為常用的透明膜,但並不限於此。例如,此基膜可由聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate)、聚酯萘二甲酸酯(polyester naphthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯 (polymethylmethacrylate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丙烯腈(polyacrylonitrile)、聚苯乙烯(polystyrene)或類似物所形成。又,為了改善基膜與銀奈米線之間的附著性(adhesivity),可將附著增強層施加至基膜的表面或者可對基膜的表面進行電暈(corona)處理、電漿處理或類似處理。
作為以銀奈米線塗佈基膜的方法,可使用所有被普遍認知的技術。塗佈方法的一般範例可包含但不限於浸漬塗佈(dip coating)、旋轉塗佈(spin coating)、棒塗佈(bar coating)、凹版印刷(gravure printing)、反向凹版印刷(reverse gravure printing)、平版印刷(offset printing)、噴墨印刷(ink-jet printing)、噴射塗佈(spray coating)以及狹縫塗佈(slot die coating)。
由銀奈米線所製造的透明電極膜具有101~103Ω/□的表面電阻係數以及對於基膜具有90%以上的透光度。
當使用本發明之技術時,可在溶液相中均勻製備具有小於100 nm之直徑以及10μm以上之長度的銀奈米線。又,由於本發明之每一銀奈米線皆具有100以上的大縱橫比,所以當使用銀奈米線在基膜的表面上形成三維網絡時,可同時實現低表面電阻係數以及高透光度。
圖1與2為分別顯示比較範例1之銀奈米線以及銀奈米粒子的掃描式電子顯微鏡照片。
圖3為顯示範例1之銀奈米線的電子顯微鏡照片。
圖4為顯示範例2之銀奈米線的電子顯微鏡照片。
圖5為顯示範例3之銀奈米線的電子顯微鏡照片。
圖6為顯示比較範例2之銀奈米粒子的電子顯微鏡照片。
以下,將參考下列範例而更詳細地描述本發明。然而,這些範例係被提出以說明本發明,而本發明之範圍並不限於此。
[比較範例1]使用聚醇反應的銀奈米線製備
將0.1 mol(17 g)的AgNO3(由Kojima Co.,Ltd.所製造,純度: 99.99%)以及0.15 mol(16.7 g)的PVP(由Aldrich Corporation所製造,重量平均分子量:55,000 g/mol)置入2L的圓底燒瓶中,使其溶於1L的乙二醇(EG,ethyleneglycol),然後在室溫下攪拌10分鐘,以獲得透明混合液。此混合液的顏色一經此混合液在150℃下反應約30分鐘即變為灰棕色。接著,將此混合液冷卻至室溫,藉由具有1μm孔徑的過濾器進行過濾,乾燥,然後使用掃描式電子顯微鏡進行觀察。如圖1與2之照片所示,吾人觀察到具有90~120 nm之直徑以及5~20μm之長度的銀奈米線被形成,但此銀奈米線的直徑有點大且不均勻。又,吾人觀察到具有0.5~5μm之粒徑的銀奈米粒子與此銀奈米線一起被形成。
[範例1]使用含有氯離子(Cl-)之離子液體以作為聚醇反應中之添加劑的銀奈米線製備
使0.1 mol的AgNO3、0.15 mol的PVP以及0.001 mol的氯化1-乙基-3-甲基咪唑(1-ethyl-3-methylimidazolium chloride,EMIM-Cl)溶於1L的乙二醇(EG),然後在室溫下攪拌10分鐘,以獲得透明混合液。此混合液的顏色一經此混合液在150℃下反應約30分鐘即變為灰色。接著,將此混合液冷卻至室溫,藉由具有1μm孔徑的過濾器進行過濾,乾燥,然後使用掃描式電子顯微鏡進行觀察。如圖3之照片所示,吾人觀察到具有55~65 nm之直徑以及10~30μm之長度的銀奈米線被均勻地形成。又,不同於未使用離子液體之比較範例1的結果,吾人觀察到具有與此銀奈米線不同之形狀的銀奈米粒子未被發現。
[範例2]使用含有氯離子(Cl-)之離子液體以作為聚醇反應中之添加劑的銀奈米線製備
範例2係與範例1相同,除了使用0.001 mol的氯化1-丁基-3-甲基咪唑(1-butyl-3-methylimidazolium chloride,BMIM-Cl)來作為離子液體以外。如圖4之照片所示,吾人觀察到具有55~65 nm之直徑的銀奈米線被均勻地形成。又,類似於範例1的結果,吾人觀察到具有與此銀奈米線不同之形狀的銀奈米粒子未被發現。將範例2的結果與範例1的結果相比較,吾人觀察到銀奈米線的形狀根據具有陽離子之以咪唑為基礎之離子液體的烷基長度而未有所改變或者僅有稍微改變。
[範例3]使用含有溴離子(Br-)之離子液體以作為聚醇反應中之添 加劑的銀奈米線製備
範例3係與範例2相同,除了使用0.001 mol的溴化1-丁基-3-甲基咪唑(1-butyl-3-methylimidazolium bromide,BMIM-Br)來作為離子液體以外。如圖5之照片所示,吾人觀察到具有約30 nm之直徑的銀奈米線被均勻地形成。又,類似於範例1的結果,吾人觀察到具有與此銀奈米線不同之形狀的銀奈米粒子未被發現。將範例3的結果與範例2的結果相比較,吾人觀察到銀奈米線的形狀與直徑根據離子液體的陰離子而有所改變。
[比較範例2]使用含有溴離子(Br-)之離子液體以作為聚醇反應中之添加劑的銀奈米線製備
比較範例2係與範例2相同,除了使用甲基硫酸1-丁基-3-甲基咪唑(1-butyl-3-methylimidazolium methyl sulfate,BMIM-MeSO4)來作為離子液體以外。當離子液體的陰離子係如同範例2與3中的Cl-或Br-時,銀奈米線會被形成。反之,當離子液體的陰離子係如同比較範例2中的CH3SO4 -時,如圖6之照片所示,吾人可確定係三維銀奈米粒子而非一維銀奈米線被形成。
[範例4]使用具有高縱橫比之銀奈米線的透明導電膜製造
將0.7重量份之在範例2中所製備的銀奈米線、98.8重量份的異丙醇以及0.5重量份之以纖維素為基礎的增稠劑混合,然後進行超音波分散,以製備銀奈米線分散液。接著,使用棒狀(bar)塗佈器將銀奈米線分散液施加到塗佈有丙烯酸接著增強層的聚對苯二甲酸二乙酯膜(厚度:125μm)上,然後在約100℃的溫度下進行乾燥1分鐘以形成透明導電膜。使用四探針(four-probe)法(AIT Corporation)來量測此透明導電膜的表面電阻係數。因此,其表面電阻係數為約95 Ω/□。又,使用UV-Vis-NIR分光光度計(Cary 5000)來量測此透明導電膜的透光度。因此,此透明導電膜對基膜的透光度為94.7%。
產業利用性
銀奈米線可被使用作為觸摸屏面板的主要原材料,此觸摸屏面板乃為例如智慧型手機、平板電腦、電視等等之各種電氣、電子以及通訊設備的重要元件。

Claims (15)

  1. 一種製備銀奈米線的方法,其係藉由包含一銀鹽前驅物、一還原性溶劑以及一包覆劑的一混合液的聚醇還原反應,其中藉由將一離子液體添加至該混合液以作為一添加劑而執行該混合液的聚醇還原反應。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製備銀奈米線的方法,其中該離子液體為包含具有一咪唑基之一有機陽離子以及一有機或無機陰離子的一化合物,該化合物係由以下單體形式的化學式1所表示或由以下聚合物形式的化學式2所表示: 在化學式1與2中,R1、R2以及R3為彼此相同或不同,其每一者為氫或1到16個碳原子的烴基,以及其每一者包含至少一選自於由氧、硫、氮、磷、氟、氯、溴、碘以及矽所組成之群組的雜原子;X-為一陰離子,並且為包含例如氯離子(Cl-)或溴離子(Br-)之一鹵素離子的一有機或無機化合物;以及n為重複單元,並且為一自然數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之製備銀奈米線的方法,其中,在該離子液體中,該單體陽離子化合物係選自於由1,3-二甲基咪唑、1,3-二乙基咪唑、1-乙基-3-甲基咪唑、1-丁基-3-甲基咪唑、1-己基-3-甲基咪唑、1-辛基-3-甲基咪唑、1-癸基-3-甲基咪唑、1-十二基-3-甲基咪唑以及1-十四基-3-咪唑所組成的群組,以及該聚合陽離子化合物係選自於由聚(1-乙烯基-3-烷基咪唑)、聚(1-丙烯基-3-烷基咪唑)以及聚(1-(甲基)丙烯醯氧基-3-烷基咪唑)所組成的群組。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之製備銀奈米線的方法,其中,在銀鹽前驅物、包覆劑以及離子液體的混合比率中,該包覆劑係基於1 mol的該銀鹽前驅物而被包含1到2 mol的量,以及該離子液體係基於1 mol的該銀鹽前驅物而被包含0.001到0.2 mol的量。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之製備銀奈米線的方法,其中用以合成銀奈米線的反應溫度為50~180℃。
  6. 如申請專利範圍第1到5項其中任一項所述之製備銀奈米線的方法,其中該銀鹽前驅物包含一銀陽離子以及一有機或無機陰離子,以及包含選自於由AgNO3、AgClO4、AgBF4、AgPF6、CH3COOAg、AgCF3SO3、Ag2SO4、CH3COCH=COCH3Ag所組成之群組的至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1到6項其中任一項所述之製備銀奈米線的方法,其中該還原性溶劑為包含在其一分子中具有兩個以上羥基之二醇、聚醇或乙二醇的一溶劑。
  8. 如申請專利範圍第1到7項其中任一項所述之製備銀奈米線的方法,其中該包覆劑為聚乙烯吡咯啶酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA)。
  9. 一種藉由如申請專利範圍第1到8項其中任一項所述之製備銀奈米線的方法所製備的銀奈米線,該銀奈米線具有100以上的縱橫比。
  10. 一種銀奈米線分散液,該分散液係藉由將0.1~5wt%之如申請專利範圍第9項所述之銀奈米線分散在95~99.9wt%的一溶劑中而加以製備。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之銀奈米線分散液,其中該溶劑包含選自於由水、甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、己醇、苯甲醇、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、1,4-二烷、四氫呋喃(THF)、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺(DMA)、乙腈、乙醛、N-甲基-2-吡咯啶酮、2-吡咯啶酮、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、正丁內酯、硝甲烷、以及乳酸乙酯所組成之群組的至少一者。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之銀奈米線分散液,更包含基於100重量份之該銀奈米線分散液的0.01到10重量份的一分散劑以及0.01到10重量份的一增稠劑。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之銀奈米線分散液,其中該分散劑包含選自於由聚氧乙烯脂肪族醚、聚氧乙烯苯基醚、聚亞胺、磷酸烷基酯、烷基銨鹽、聚酯烷醇銨鹽、聚丙烯酸烷醇銨鹽、聚二甲基矽烷、聚丙烯酸、聚磺酸以及聚乙烯吡咯啶酮所組成之群組的至少一者,以及該增稠劑包含選自於由胺基甲酸酯改質增稠劑、丙烯酸增稠劑、甲基纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、羥甲基纖維素、羥丙基纖維素以及羥丙甲基纖維素所組成之群組的至少一者。
  14. 一種透明導電膜,其係藉由將一銀奈米線分散液施加到一基膜上而形成,該銀奈米線分散液包含藉由如申請專利範圍第1到8項其中任一項所述之製備銀奈米線的方法所製備的銀奈米線。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之透明導電膜,其中該透明導電膜具有101~ 103 Ω/□的表面電阻係數以及對於該基膜具有90%以上的透光度。
TW102100441A 2012-12-14 2013-01-07 用以使用離子液體產生銀奈米線的方法 TW201422536A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2012/010921 WO2014092220A1 (ko) 2012-12-14 2012-12-14 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201422536A true TW201422536A (zh) 2014-06-16

Family

ID=50934496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102100441A TW201422536A (zh) 2012-12-14 2013-01-07 用以使用離子液體產生銀奈米線的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150321257A1 (zh)
JP (1) JP2016507640A (zh)
CN (1) CN104870361A (zh)
TW (1) TW201422536A (zh)
WO (1) WO2014092220A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104690294A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 严锋 高长径比银纳米线的制备方法及用该方法制备的银纳米线
TWI668048B (zh) * 2017-03-14 2019-08-11 日商同和電子科技有限公司 線彼此之分離性良好之銀奈米線分散液的製造法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
JP5607187B2 (ja) * 2013-01-15 2014-10-15 東海ゴム工業株式会社 導電材料、その製造方法、およびそれを用いたトランスデューサ
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
KR101604969B1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-22 국민대학교산학협력단 고압 폴리올 공법을 이용한 초미세 은 나노와이어 제조방법 및 이를 이용한 투명 전도성 전극필름
CN104209538B (zh) * 2014-09-02 2016-09-07 北京化工大学 一种在水相介质中制备纳米银线的方法
US10376898B2 (en) * 2015-06-12 2019-08-13 Dow Global Technologies Llc Method for manufacturing high aspect ratio silver nanowires
WO2017057326A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 昭和電工株式会社 金属ナノワイヤーの製造方法
WO2019107501A1 (ja) * 2017-11-30 2019-06-06 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト、電子部品、及び積層セラミックコンデンサ
CN108511133B (zh) * 2018-03-19 2019-12-20 南昌大学 一种免转印、高黏结性金属网格透明电极的制备方法
CN110391301A (zh) * 2018-04-23 2019-10-29 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 全透明低回滞薄膜晶体管及其制备方法
CN108788176B (zh) * 2018-06-07 2020-08-07 苏州诺菲纳米科技有限公司 圆形横截面的银纳米线的制备方法
CN108827501B (zh) * 2018-07-18 2022-02-01 南方科技大学 一种触觉触感器及其制备方法
US11815659B2 (en) 2019-05-10 2023-11-14 Nikon-Essilor Co., Ltd. Spectacle lens, composition
CN110134297B (zh) * 2019-05-22 2022-12-27 南京银纳新材料科技有限公司 折叠式金属纳米线电容触屏的制备方法
CN110289125B (zh) * 2019-06-18 2022-08-12 电子科技大学中山学院 一种银纳米线导电薄膜的制备方法及其添加剂
CN112233991B (zh) * 2020-09-17 2024-04-16 西安交通大学 一种利用飞秒脉冲激光诱导银纳米线互连的方法
CN114515836B (zh) * 2020-11-02 2023-11-03 深圳市华科创智技术有限公司 一种水相低温的纳米银线的合成方法
CN112362189B (zh) * 2020-11-13 2023-09-26 浙江理工大学 一种柔性透明温度传感器的制备方法
CN112562888B (zh) * 2020-12-15 2022-04-22 哈尔滨工业大学(深圳) 一种银纳米线溶液的制备方法与透明导电膜的制备方法
CN113714509B (zh) * 2021-09-01 2022-09-02 西北大学 一种尿素还原的银纳米线及其制备方法和用途
CN114023511B (zh) * 2021-11-11 2023-10-31 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 一种基于有机磷盐制备高温电子浆料的方法
CN114613546B (zh) * 2022-02-28 2023-10-31 浙江大华技术股份有限公司 异形基透明导电薄膜及其制备方法和应用
CN115026299B (zh) * 2022-06-29 2023-04-18 四川蜀汉智博科技有限公司 一种纳米银线连续流宏量制备方法
CN116589636B (zh) * 2023-07-19 2023-09-22 上海宇昂水性新材料科技股份有限公司 一种银纳米线封端剂及其制备方法和应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7547347B2 (en) * 2005-05-13 2009-06-16 University Of Rochester Synthesis of nano-materials in ionic liquids
US7727578B2 (en) * 2007-12-27 2010-06-01 Honeywell International Inc. Transparent conductors and methods for fabricating transparent conductors
KR101089299B1 (ko) * 2008-11-18 2011-12-02 광 석 서 이온성 액체를 이용한 금속 나노와이어의 제조방법
KR101479788B1 (ko) * 2009-04-08 2015-01-06 인스콘테크(주) 이온성 액체를 이용한 금속 나노구조체의 제조방법
TWI540593B (zh) * 2010-01-15 2016-07-01 坎畢歐科技公司 低霧度透明導體
US8920682B2 (en) * 2010-03-19 2014-12-30 Eastern Michigan University Nanoparticle dispersions with ionic liquid-based stabilizers
CN101934377A (zh) * 2010-09-14 2011-01-05 浙江大学 一种快速高效的银纳米线合成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104690294A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 严锋 高长径比银纳米线的制备方法及用该方法制备的银纳米线
TWI668048B (zh) * 2017-03-14 2019-08-11 日商同和電子科技有限公司 線彼此之分離性良好之銀奈米線分散液的製造法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104870361A (zh) 2015-08-26
WO2014092220A1 (ko) 2014-06-19
JP2016507640A (ja) 2016-03-10
US20150321257A1 (en) 2015-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201422536A (zh) 用以使用離子液體產生銀奈米線的方法
KR101325536B1 (ko) 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법
KR20140080710A (ko) 공중합물 캡핑제를 이용한 은 나노와이어 제조방법
TWI464274B (zh) 利用離子液體製造金屬奈米線之方法
US9908178B2 (en) Method for preparing ultrathin silver nanowires, and transparent conductive electrode film product thereof
JP6321566B2 (ja) 銀ナノワイヤの製造方法並びに銀ナノワイヤおよびそれを用いたインク
US9972742B2 (en) Method for forming a transparent conductive film with metal nanowires having high linearity
CN104919633A (zh) 包含石墨烯材料和导电聚合物的成膜组合物
CN108690404B (zh) 一种高导电性及透光率的水基银纳米线导电薄膜制备方法
EP3281723B1 (en) Method for preparation of silver nanorings
TW201341087A (zh) 銀微粒子及其製造法與含有該銀微粒子之導電性糊劑、導電性膜及電子裝置
KR20120129451A (ko) 은 나노선 제조용 조성물, 은 나노선의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 은 나노선
CN104607656B (zh) 一种超长银纳米线及其制备方法
TW201920508A (zh) 導電膜的製造方法、導電膜及金屬奈米線塗料
KR20170124563A (ko) (메트)아크릴레이트계 캡핑제를 이용한 은 나노와이어 합성
TW201315685A (zh) 銀微粒子及含有該銀微粒子之導電膏,導電膜及電子裝置
KR101536633B1 (ko) 은 나노와이어의 제조방법
KR20130071198A (ko) 재활용 촉매 및 이온성 액체를 이용한 은나노선 제조방법 및 그 제조방법에 따라 제조된 은나노선
KR20180098973A (ko) 고압수열합성법을 이용하여 은 나노와이어를 제조하는 방법 및 이를 이용한 투명 전도성 전극 필름
WO2022137886A1 (ja) 銀ナノワイヤーの製造方法
JP6325878B2 (ja) 平板状銀ナノ粒子の製造方法および平板状銀ナノ粒子含有組成物
KR101295621B1 (ko) 은 박막 제조용 은 분산액 제조 방법 및 이를 이용한 투명 은전극 제조 방법
TWI586690B (zh) 具有改善的導電性的導電性高分子及其製備方法
Valle de la Cortina et al. Electrosynthesis of polythiophene nanowires via mesoporous silica thin film templates