KR101325536B1 - 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 - Google Patents
이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101325536B1 KR101325536B1 KR1020110066799A KR20110066799A KR101325536B1 KR 101325536 B1 KR101325536 B1 KR 101325536B1 KR 1020110066799 A KR1020110066799 A KR 1020110066799A KR 20110066799 A KR20110066799 A KR 20110066799A KR 101325536 B1 KR101325536 B1 KR 101325536B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silver
- ionic liquid
- silver nanowires
- methylimidazolium
- nanowires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B22F1/0007—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F26/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
- C08F26/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
- B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
- B22F2301/255—Silver or gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2304/00—Physical aspects of the powder
- B22F2304/05—Submicron size particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
본 발명의 기술을 이용하면 100 나노미터 미만의 직경과 10 미크론 이상의 길이를 갖는 은 나노와이어를 균일하게 형성할 수 있으며, 상기 은 나노와이어를 용매에 분산하여 기저필름 표면에 도막을 형성하여 투명전극 필름을 제조하였을 경우 101-103 Ω/□ 범위의 표면저항(surface resistivity)과 기재 필름의 광투과도 대비 90% 이상의 광투과도 (light transmittance)를 나타내는 효과가 있다.
Description
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 은 나노와이어의 주사전자현미경 관찰사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 은 나노와이어의 주사전자현미경 관찰사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 은 나노와이어의 주사전자현미경 관찰사진이다.
도 6은 비교예 2에 따른 은 나노와이어 및 나노입자의 주사전자현미경 관찰사진이다.
Claims (15)
- 삭제
- 은염 전구체, 환원용매, 및 캡핑제를 포함한 혼합용액을 폴리올 환원 반응시켜 은 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서,
상기 혼합용액에 첨가제로서 이온성 액체를 더 첨가하여 폴리올 환원 반응시키며, 상기 이온성 액체는 이미다졸륨 그룹을 포함하는 유기 양이온 및 유기 또는 무기 음이온으로 구성된 화합물로서 하기 화학식 1로 나타낸 단량체 형태 또는 하기 화학식 2로 나타낸 고분자 형태임을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조방법.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타낸 것으로, 산소, 황, 질소, 인, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 실리콘에서 선택되는 헤테로 원자를 하나 이상 선택적으로 포함할 수 있다. 또한 X-는 음이온을 나타내는 것으로서 클로라이드(Cl-) 또는 브로마이드(Br-)의 할로겐 이온을 포함한 유기 또는 무기 화합물임을 나타낸다. n은 반복 단위체를 나타내며 자연수 이다. - 제 2항에 있어서, 상기 이온성 액체에 있어서,
상기 단량체 형태의 이온성 액체 양이온으로는 1,3-다이메틸이미다졸륨, 1,3-다이에틸이미다졸륨, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨, 1-데실-3-메틸이미다졸륨, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨이 사용되고, 그리고
상기 고분자 형태의 이온성 액체 양이온으로는 폴리(1-비닐-3-알킬이미다졸륨), 폴리(1-알릴-3-알킬이미다졸륨), 또는 폴리(1-(메트)아크릴로일록시-3-알킬이미다졸륨)이 사용되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조방법. - 제 3항에 있어서, 은염 전구체, 혼합용매, 캡핑제, 및 이온성 액체의 혼합비율은 은염 전구체 1몰 기준으로 캡핑제 1 내지 2 몰 및 이온성 액체 0.001 내지 0.01 몰 비율임을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 은 나노와이어 합성을 위한 반응 온도가 섭씨 50-180도임을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 은염 전구체는 은 양이온 및 유기 또는 무기 음이온으로 이루어진 것으로서, AgNO3, AgClO4, AgBF4, AgPF6, CH3COOAg, AgCF3SO3, Ag2SO4, CH3COCH=COCH3Ag에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조 방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 환원용매는 분자 내에 히드록시기를 적어도 2개 이상 가지는 다이올, 폴리올 또는 글리콜을 포함하는 용매인 것을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조 방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 캡핑제는 폴리비닐피롤리돈 (polyvinylpyrollidone: PVP) 또는 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol, PVA)인 것을 특징으로 하는 은 나노와이어 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110066799A KR101325536B1 (ko) | 2011-07-06 | 2011-07-06 | 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110066799A KR101325536B1 (ko) | 2011-07-06 | 2011-07-06 | 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130027634A KR20130027634A (ko) | 2013-03-18 |
KR101325536B1 true KR101325536B1 (ko) | 2013-11-07 |
Family
ID=48178434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110066799A Expired - Fee Related KR101325536B1 (ko) | 2011-07-06 | 2011-07-06 | 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101325536B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9920207B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-03-20 | C3Nano Inc. | Metal nanostructured networks and transparent conductive material |
US10029916B2 (en) | 2012-06-22 | 2018-07-24 | C3Nano Inc. | Metal nanowire networks and transparent conductive material |
US10020807B2 (en) | 2013-02-26 | 2018-07-10 | C3Nano Inc. | Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks |
KR101533565B1 (ko) * | 2013-07-04 | 2015-07-09 | 한국화학연구원 | 종횡비 조절이 가능한 고수율의 판상형 Ag 미세입자의 합성 방법 |
KR101422089B1 (ko) * | 2013-07-24 | 2014-07-24 | 한국기계연구원 | 태양전지 전극용 은 잉크 조성물 |
US11274223B2 (en) * | 2013-11-22 | 2022-03-15 | C3 Nano, Inc. | Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches |
KR101693486B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2017-01-09 | 전자부품연구원 | 은나노와이어를 포함한 코팅액 조성물, 그를 이용한 전도성 박막 및 그의 제조 방법 |
US11343911B1 (en) | 2014-04-11 | 2022-05-24 | C3 Nano, Inc. | Formable transparent conductive films with metal nanowires |
US9183968B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-11-10 | C3Nano Inc. | Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks |
CN110722174B (zh) * | 2019-11-06 | 2022-07-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 银纳米线及其制备方法和应用 |
CN116589636B (zh) * | 2023-07-19 | 2023-09-22 | 上海宇昂水性新材料科技股份有限公司 | 一种银纳米线封端剂及其制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080292979A1 (en) | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Zhe Ding | Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof |
US20090196788A1 (en) | 2008-02-02 | 2009-08-06 | Seashell Technology,Llc | Methods For The Production Of Silver Nanowires |
-
2011
- 2011-07-06 KR KR1020110066799A patent/KR101325536B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080292979A1 (en) | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Zhe Ding | Transparent conductive materials and coatings, methods of production and uses thereof |
US20090196788A1 (en) | 2008-02-02 | 2009-08-06 | Seashell Technology,Llc | Methods For The Production Of Silver Nanowires |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130027634A (ko) | 2013-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101325536B1 (ko) | 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 | |
WO2014092220A1 (ko) | 이온성 액체를 이용한 은 나노와이어 제조방법 | |
KR101448361B1 (ko) | 공중합물 캡핑제를 이용한 은 나노와이어 제조방법 | |
US9233421B2 (en) | Method for manufacturing metallic nanowires using ionic liquids | |
US9908178B2 (en) | Method for preparing ultrathin silver nanowires, and transparent conductive electrode film product thereof | |
US9972742B2 (en) | Method for forming a transparent conductive film with metal nanowires having high linearity | |
JP6041138B2 (ja) | イオン性液体を用いた金属ナノ構造体の製造方法 | |
JP6505777B2 (ja) | 銀ナノワイヤインクおよびその製造方法並びに導電膜 | |
CN107000065B (zh) | 银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨 | |
JP2014505969A (ja) | 導電性被膜の製造用のピッカリングエマルジョン及びピッカリングエマルジョンの製造方法 | |
KR20160027564A (ko) | 고압 폴리올 공법을 이용한 초미세 은 나노와이어 제조방법 및 이를 이용한 투명 전도성 전극필름 | |
KR101207403B1 (ko) | 수계 액정성 고분자를 이용한 실버 나노와이어 잉크 및 이의 제조방법 | |
CN113649558A (zh) | 一种纳米银线及其制备方法 | |
JP4931063B2 (ja) | 金属ナノ粒子ペーストの製造方法 | |
JP6192639B2 (ja) | 繊維状銅微粒子の製造方法 | |
KR102237001B1 (ko) | 투명전극용 금속 잉크 및 그 제조방법 | |
KR101515498B1 (ko) | 초 미세 구조의 은 나노와이어 제조방법 및 이를 이용한 투명 전도성 전극필름 | |
KR101295621B1 (ko) | 은 박막 제조용 은 분산액 제조 방법 및 이를 이용한 투명 은전극 제조 방법 | |
KR20130014279A (ko) | 나노 와이어 및 이의 제조방법 | |
KR101327074B1 (ko) | 나노 와이어 및 이의 제조 방법 | |
JP6325878B2 (ja) | 平板状銀ナノ粒子の製造方法および平板状銀ナノ粒子含有組成物 | |
TWI586690B (zh) | 具有改善的導電性的導電性高分子及其製備方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110706 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130110 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20130507 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20130625 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20130110 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20130625 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20130311 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20130730 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20130723 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20130625 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20130311 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20131030 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20131030 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20170809 |