TW201421443A - 顯示單元及其製造方法及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種製造一顯示單元之方法，其中該方法包含：在一基板上形成一電晶體，其中待由一離子植入裝置掃描之一第一方向與待由一準分子雷射退火裝置掃描之一第二方向相交；及形成一顯示元件。

Description

顯示單元及其製造方法及電子裝置 [相關申請案之交叉參考]
本申請案主張2012年11月19日申請之日本優先專利申請案JP 2012-253065之權利，該案之全部內容以引用方式併入本文中。
本發明係關於一種具有一電流驅動型顯示元件之顯示單元、一種製造該顯示單元之方法及一種包含該顯示單元之電子裝置。
近年來，在顯示影像之顯示單元之領域中，使用其中一發光亮度根據一流動電流之一值而變動之一電流驅動型光學元件(例如，使用一有機EL(電致發光)元件)之一顯示單元(有機EL顯示單元)被開發為一發光元件，且其之商業化正在推進。不同於一液晶元件，一發光元件為一自發光元件，且因此無需背光。因此，相較於其中需要背光之一液晶顯示單元，一有機EL顯示單元具有高影像可見度、低功率消耗及高元件回應速度之特性。
不僅在一固定型電視接收器中，且在一行動終端機(諸如一智慧型電話)中，期望在一顯示單元中顯示一高清晰影像。根據上述內容，開發各種技術以改良顯示單元之解析度。例如，在日本未審查專利申請公開案第2008-83084號中，揭示一種顯示單元，其中沿一水平方向相鄰之紅色(R)、綠色(G)及藍色(R)之三個子像素在具有一所謂之5Tr1C組態之子像素的一有機EL顯示單元中共用一切換電晶體(電力供 應電晶體)。在此顯示單元中，三個子像素共用如上文所描述之一電力供應電晶體以減少元件數目且改良一解析度。
如上文所描述，在一顯示單元中，期望顯示高清晰影像且預期改良一解析度。
可期望提供一種顯示單元、一種製造該顯示單元之方法及一種電子裝置，其等各能夠改良一解析度。
根據本發明之一實施例之一顯示單元包含：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，其中該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，其中該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
根據本發明之一實施例之製造一顯示單元之一方法包含：在一基板上形成一電晶體，其中待由一離子植入裝置掃描之一第一方向與待由一準分子雷射退火裝置掃描之一第二方向相交；及形成一顯示元件。
根據本發明之一實施例之一電子裝置擁有一顯示單元及經組態以執行該顯示單元之操作控制之一控制區段。該顯示單元包含：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，其中該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，其中該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
電子裝置之一些實例可包含一TV裝置、一數位相機、一個人電腦、一視訊攝影機及一可攜式終端器件(諸如一行動電話)。
在根據本發明之上述各自實施例之顯示單元、製造顯示單元之方法及電子裝置中，沿第一方向掃描及驅動複數個單元像素。單一電力線經設置以被指派給單元像素對，該單元像素對為複數個單元像素之兩個單元像素且沿第一方向彼此相鄰。
根據本發明之上述各自實施例之顯示單元、製造顯示單元之方法及電子裝置，單一電力線經設置以被指派給單元像素對，該單元像素對為第一方向彼此相鄰之兩個單元像素。因此，可改良一解析度。
應瞭解，以上一般描述及以下詳細描述兩者具例示性，且意欲提供如所主張之技術之進一步解釋。
1‧‧‧顯示器件/顯示單元
1A‧‧‧顯示單元
2‧‧‧顯示單元
2A‧‧‧顯示單元
2B‧‧‧顯示單元
10‧‧‧顯示區段
10A‧‧‧顯示區段
11‧‧‧子像素
11B‧‧‧子像素
11G‧‧‧子像素
11R‧‧‧子像素
11W‧‧‧子像素
12‧‧‧子像素
12B‧‧‧子像素
12B1‧‧‧子像素
12G‧‧‧子像素
12G1‧‧‧子像素
12R‧‧‧子像素
12R1‧‧‧子像素
15‧‧‧子像素
15B‧‧‧子像素
15G‧‧‧子像素
15R‧‧‧子像素
15W‧‧‧子像素
16B‧‧‧子像素
16B1‧‧‧子像素
16G‧‧‧子像素
16G1‧‧‧子像素
16R‧‧‧子像素
16R1‧‧‧子像素
17‧‧‧子像素
17B‧‧‧子像素
17G‧‧‧子像素
17R‧‧‧子像素
17W‧‧‧子像素
18B‧‧‧子像素
18G‧‧‧子像素
18R‧‧‧子像素
18W‧‧‧子像素
19B‧‧‧子像素
19G‧‧‧子像素
19R‧‧‧子像素
19W‧‧‧子像素
20‧‧‧驅動區段
20A‧‧‧驅動區段
21‧‧‧影像信號處理區段
22‧‧‧時序產生區段
23‧‧‧掃描線驅動區段
23A‧‧‧掃描線驅動區段
25‧‧‧電力控制線驅動區段
25A‧‧‧電力控制線驅動區段
26‧‧‧電力線驅動區段
26A‧‧‧電力線驅動區段
27‧‧‧資料線驅動區段
27A‧‧‧資料線驅動區段
30‧‧‧發光元件
31‧‧‧彩色濾光器
32‧‧‧發光層
33‧‧‧開口
34‧‧‧陽極電極層
35‧‧‧黃色發光層
35A‧‧‧黃色發光層
36‧‧‧藍色發光層
37‧‧‧陰極電極層
40‧‧‧發光元件
41‧‧‧彩色濾光器
42‧‧‧發光層
42A‧‧‧發光層
43‧‧‧開口
45‧‧‧黃色發光層
46‧‧‧藍色發光層
50‧‧‧顯示區段
50A‧‧‧顯示區段
50B‧‧‧顯示區段
60‧‧‧驅動區段
60A‧‧‧驅動區段
63‧‧‧掃描線驅動區段
63A‧‧‧掃描線驅動區段
65‧‧‧電力控制線驅動區段
65A‧‧‧電力控制線驅動區段
66‧‧‧電力線驅動區段
66A‧‧‧電力線驅動區段
67‧‧‧資料線驅動區段
67A‧‧‧資料線驅動區段
91A‧‧‧彩色濾光器
91B‧‧‧彩色濾光器
92A‧‧‧發光層
92B‧‧‧發光層
99‧‧‧玻璃基板
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極電極
120‧‧‧絕緣層
130‧‧‧絕緣層
140‧‧‧多晶矽層
141‧‧‧通道區域
142‧‧‧輕度摻雜汲極(LDD)
143‧‧‧接觸區域
150‧‧‧絕緣層
160‧‧‧絕緣層
170‧‧‧佈線
210‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
230‧‧‧多晶矽層
231‧‧‧通道區域
232‧‧‧輕度摻雜汲極(LDD)
233‧‧‧接觸區域
240‧‧‧絕緣層
250‧‧‧閘極電極
260‧‧‧絕緣層
270‧‧‧絕緣層
280‧‧‧佈線
510‧‧‧影像顯示螢幕區段
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
包含附圖以提供本發明之一進一步理解，且將附圖併入本說明書中以構成本說明書之一部分。該等圖式繪示實施例且與本說明書一起用來解釋本發明之原理。
圖1係繪示根據一參考實例之一顯示單元之一組態實例的一方塊圖。
圖2係繪示圖1中所繪示之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖3係繪示圖1中所繪示之顯示區段中之子像素之一電路組態實例的一電路圖。
圖4係繪示圖1中所繪示之顯示區段中之電晶體之一組態實例的一說明圖。
圖5係繪示圖3中所繪示之發光元件之一配置的一說明圖。
圖6係繪示圖3中所繪示之發光元件之一組態的一示意圖。
圖7係繪示圖3中所繪示之發光元件之一基本部分之橫截面結構的一橫截面圖。
圖8係繪示根據一修改實例之一發光元件之一基本部分之橫截面 結構的一橫截面圖。
圖9係繪示圖1中所繪示之一驅動區段之一操作實例的一時序波形圖。
圖10係繪示圖1中所繪示之驅動單元之一操作實例的一時序波形圖。
圖11係繪示圖1中所繪示之顯示單元之一寫入時期內之一操作實例的一時序波形圖。
圖12係繪示歸因於透過一ELA裝置之一程序之一臨限電壓Vth之一變動的一示意圖。
圖13係繪示歸因於透過一離子植入裝置之一程序之一臨限電壓Vth之一變動的一示意圖。
圖14係繪示圖2中所繪示之子像素之一配置的一說明圖。
圖15係繪示圖2中所繪示之子像素中之驅動電晶體之一配置的一說明圖。
圖16係繪示根據一比較實例之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖17係繪示根據另一參考實例之一顯示單元之一組態實例的一方塊圖。
圖18係繪示圖17中所繪示之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖19係繪示圖18中所繪示之發光元件之一配置的一說明圖。
圖20係繪示圖18中所繪示之發光元件之一組態的一示意圖。
圖21係繪示圖18中所繪示之發光元件之一基本部分之橫截面結構的一橫截面圖。
圖22係繪示圖18中所繪示之發光元件之一組態的一示意圖。
圖23係繪示圖18中所繪示之發光元件之一基本部分之橫截面結 構的一橫截面圖。
圖24係繪示圖18中所繪示之一驅動區段之一操作實例的一時序波形圖。
圖25係繪示根據另一參考實例之像素之一配置之一實例的一說明圖。
圖26係繪示根據另一參考實例之一像素之一配置之一實例的一說明圖。
圖27係繪示根據另一參考實例之一像素之一配置之一實例的一說明圖。
圖28係繪示根據另一參考實例之一像素之一配置之一實例的一說明圖。
圖29係繪示根據另一參考實例之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖30係繪示圖29中所繪示之顯示區段中之子像素之一電路組態實例的一電路圖。
圖31係繪示根據另一參考實例之一電晶體之一組態實例的一說明圖。
圖32係繪示根據另一參考實例之子像素中之驅動電晶體之一配置的一說明圖。
圖33係繪示根據一實施例之一顯示單元之一組態實例的一方塊圖。
圖34係繪示圖33中所繪示之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖35係繪示圖33中所繪示之顯示區段中之子像素之一電路組態實例的一電路圖。
圖36係繪示圖33中所繪示之一驅動區段之一操作實例的一時序 波形圖。
圖37係繪示圖33中所繪示之一驅動單元之一操作實例的一時序波形圖。
圖38係繪示圖34中所繪示之子像素之一配置的一說明圖。
圖39係繪示圖34中所繪示之子像素中之驅動電晶體之一配置的一說明圖。
圖40係繪示根據實施例之修改實例之一顯示單元之一組態實例的一方塊圖。
圖41係繪示圖40中所繪示之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖42係繪示圖40中所繪示之一驅動區段之一操作實例的一時序波形圖。
圖43係繪示根據實施例之另一修改實例之一顯示單元之一組態實例的一方塊圖。
圖44係繪示圖43中所繪示之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖45係繪示圖43中所繪示之驅動單元之一操作實例的一時序波形圖。
圖46係繪示根據實施例之顯示單元應用至其之一TV裝置之一外觀組態的一透視圖。
圖47係繪示根據修改實例之一顯示區段之一電路組態實例的一電路圖。
圖48係繪示根據另一修改實例之發光元件之一組態的一示意圖。
圖49係繪示圖48中所繪示之發光元件之一基本部分之橫截面結構的一橫截面圖。
圖50係繪示根據又一修改實例之發光元件之一組態的一示意圖。
圖51係繪示圖50中所繪示之發光元件之一基本部分之橫截面結構的一橫截面圖。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明之一實施例。此處，將依以下順序進行描述。
1. 參考實例
2. 實施例
3. 應用實例
<1. 參考實例>
[組態實例]
在描述根據一實施例之一顯示單元之前，首先描述一參考實例。圖1繪示根據該參考實例之顯示單元之一組態實例。顯示器件1為使用發光元件之一主動矩陣型顯示單元。此顯示單元1包含一顯示區段10及一驅動區段20。
顯示區段10具有配置成一矩陣形狀之複數個像素Pix。各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11。此外，顯示區段10具有沿一列方向延伸之複數個掃描線WSL、電力線PL及電力控制線DSL，且具有沿一行方向延伸之複數個資料線DTL。掃描線WSL、電力線PL、電力控制線DSL及資料線DTL之一端連接至驅動區段20。上述子像素11之各者配置於掃描線WSL與資料線DTL之一相交點處。
圖2繪示顯示區段10之一電路組態之一實例。圖2繪示顯示區段10中之第k列像素Pix。像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11(11R、11G、11B及11W)。在此實例中，四個子 像素11R、11G、11B及11W在像素Pix中配置成兩列及兩行。具體言之，在像素Pix中，紅色(R)之子像素11R配置於左上位置處，綠色(G)之子像素11G配置於右上位置處，白色(W)之子像素11W配置於左下位置處，及藍色(B)之子像素11B配置於右下位置處。在四個子像素11R、11G、11B及11W中，子像素11R及11W連接至掃描線WSL、電力線PL、電力控制線DSL及資料線DTL。另一方面，子像素11G及11B連接至掃描線WSL及資料線DTL。子像素11R及11G連接至相同掃描線WSL，及子像素11W及11B連接至相同掃描線WSL。此外，子像素11R及11W連接至相同資料線DTL，及子像素11G及11B連接至相同資料線DTL。如稍後詳細所描述，子像素11R連接至子像素11G，及子像素11W連接至子像素11B。
圖3繪示子像素11R及11G之一電路組態之一實例。此外，子像素11W及11R之情況大致相同。子像素11R具有一寫入電晶體WSTr、一驅動電晶體DRTr、一電力供應電晶體DSTr、一電容器Cs及一發光元件30。子像素11G具有寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、電容器Cs及發光元件30。子像素11R及11G共用電力供應電晶體DSTr。即，由三個電晶體(一寫入電晶體WSTr、一驅動電晶體DRTr及一電力供應電晶體DSTr)及一個電容器Cs組態子像素11R及11G之各者。在一所謂之「3Tr1C」組態中，子像素11R及11G經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。在此實例中，在子像素11R及11G中，子像素11R具有電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，子像素11G可具有電力供應電晶體DSTr。
可由(例如)N通道MOS(金屬氧化物半導體)型TFT(薄膜電晶體)組態寫入電晶體WSTr及驅動電晶體DRTr。此外，可由(例如)一P通道MOS型TFT組態電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，可由一P通道MOS型TFT組態一寫入電晶體 WSTr。另外，可由一N通道MOS型TFT組態一電力供應電晶體DSTr。可(例如)藉由使用一LTPS(低溫多晶矽)程序而形成此等電晶體。由於在此LTPS程序中達成(例如)一高遷移率μ，所以使一電晶體變小且達成一高解析度。一形成方法不限於該LTPS程序。作為上文之替代，例如，可藉由使用一非晶矽(a-Si)TFT程序或一氧化物TFT程序而形成上述電晶體。
在子像素11R及11G之各者之寫入電晶體WSTr中，一閘極連接至掃描線WSL，一源極連接至資料線DTL，及一汲極連接至驅動電晶體DRTr之一閘極及電容器Cs之一端。在驅動電晶體DRTr中，閘極連接至寫入電晶體WSTr之汲極及電容器Cs之一端，一汲極連接至子像素11R中之電力供應電晶體DSTr之一汲極，及一源極連接至電容器Cs之另一端及發光元件30之一陽極。在子像素11R之電力供應電晶體DSTr中，一閘極連接至電力控制線DSL，一源極連接至電力線PL，及汲極連接至子像素11R中之驅動電晶體DRTr之汲極及子像素11G中之驅動電晶體DRTr之一汲極。
圖4繪示TFT之一組態實例，其中(A)繪示一橫截面圖，及(B)繪示一基本部分之平面圖。TFT具有一閘極電極110及一多晶矽層140。閘極電極110形成於可由玻璃製成之一基板100上。閘極電極110可由(例如)鉬(Mo)製成。絕緣層120及130依序形成於閘極電極110及基板100上方。可(例如)由矽氮化物(SiNx)形成絕緣層120，及可(例如)由二氧化矽(SiO2)形成絕緣層130。多晶矽層140形成於絕緣層130上。如稍後所描述，一非晶矽層形成於絕緣層130上且藉由使用一ELA(準分子雷射退火)裝置而經受一退火處理，且藉此形成多晶矽層140。由一通道區域141、一LDD(輕度摻雜汲極)142及一接觸區域143組態多晶矽層140。如稍後所描述，藉由使用一離子植入裝置或一離子摻雜裝置而植入離子，且藉此形成上述區域。如上文所描述，在此實例中，閘 極電極110形成於多晶矽層140下方。即，此TFT包含一所謂之底部閘極結構。絕緣層150及160依序形成於多晶矽層140及絕緣層130上方。類似於絕緣層130，可(例如)由二氧化矽(SiO2)形成絕緣層150。類似於絕緣層120，可(例如)由矽氮化物(SiNx)形成絕緣層160。佈線170形成於絕緣層160上。在絕緣層150及160中，一開口形成於對應於多晶矽層140之接觸區域143的一區域中。此外，佈線170經形成以便透過此開口連接至接觸區域143。
如稍後所描述，在顯示區段20中，其中共用電力供應電晶體DSTr之一對子像素11中之驅動電晶體DRTr經形成以便透過一離子植入裝置沿掃描方向及透過一ELA裝置沿與該掃描方向相交之方向並列設置。具體言之，如稍後所描述，在此實例中，如上文所描述般地並列設置屬於相同像素Pix之子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr。此外，如上文所描述般地並列設置屬於相同像素Pix之子像素11W及11B中之驅動電晶體DRTr。如稍後所描述，此可容許此等驅動電晶體DRTr之特性(特定言之，臨限電壓Vth)為彼此相同之位準。即，在一平面內變動形成於顯示區段20中之各電晶體之特性。然而，透過此一配置，使屬於相同像素Pix之子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之特性實質上相同。另外，使屬於相同像素Pix之子像素11W及11B中之驅動電晶體DRTr之特性實質上相同。
如圖3中所描述，在子像素11R及11G之各者中，電容器Cs之一端連接至驅動電晶體DRTr之閘極及寫入電晶體WSTr之汲極。此外，電容器Cs之另一端連接至驅動電晶體DRTr之源極及發光元件30之陽極。
發光元件30為一發光元件，其發射對應於子像素11R、11G、11B及11W之各者之一色彩(紅色、綠色、藍色或白色)之光且由一有機EL元件組態。發光元件30之陽極連接至驅動電晶體DRTr之源極及電容 器Cs之另一端，及由驅動區段20給電容器Cs之一陰極供應一陰極電壓Vcath。
圖5繪示顯示區段10中之發光元件30之一配置。圖6示意性繪示像素Pix中之發光元件30之一組態。圖7繪示發光元件30之一基本部分之橫截面結構。
如圖6及圖7中所繪示，由一發光層32及彩色濾光器31組態發光元件30。發光層32形成於一陽極電極層34與一陰極電極層37之間。在此實例中，可藉由層疊發射黃色(Y)光之一黃色發光層35及發射藍色(B)光之一藍色發光層36而形成發光層32，藉此發射白色(W)光。自發光層32發射之光穿過彩色濾光器31且自顯示區段10之一顯示表面輸出。在子像素11R、11G、11B及11W之各者中，設置一開口33且自該顯示表面輸出已穿過開口33之光。在如上文所描述般層疊發光層之情況中，可改變該等發光層之一順序。具體言之，在此實例中，發光層32之藍色發光層36配置於陰極電極層37之側上及發光層32之黃色發光層35配置於陽極電極層34之側上；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，黃色發光層35可配置於陰極電極層37之側上及藍色發光層36可配置於陽極電極層34之側上。此外，發光元件30之類型不受特定限制。例如，發光元件30可為沿與其上形成有元件及佈線之一基板相反之方向自發光層32發射光之一所謂的頂部發射型發光元件，或為沿該基板方向自發光層32發射光之一所謂的底部發射型發光元件。
在此實例中，可由發射黃色(Y)光之一材料組態黃色發光層35；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，如圖8中所繪示，例如，可將發射綠色(G)光之一材料摻雜於發射紅色(R)光之一材料中以組態一黃色發光層35A。亦在此實例中，可改變發光層之一層疊順序。
如圖1中所繪示，驅動區段20基於供應自外部之影像信號Sdisp及同步信號Ssync而驅動顯示區段10。此驅動區段20包含一影像信號處 理區段21、一時序產生區段22、一掃描線驅動區段23、一電力控制線驅動區段25、一電力線驅動區段26及一資料線驅動區段27。
影像信號處理區段21對供應自外部之影像信號Sdisp執行一預定信號處理以便產生影像信號Sdisp2。該預定信號處理之實例可包含一伽瑪校正及一過驅動校正。
基於供應自外部之同步信號Ssync，時序產生區段22將控制信號供應至掃描線驅動區段23、電力控制線驅動區段25、電力線驅動區段26及資料線驅動區段27，且控制其等執行彼此同步之操作。
根據供應自時序產生區段22之控制信號，掃描線驅動區段23將掃描信號WS依序施加至複數個掃描線WSL，藉此依序選擇子像素11。具體言之，如圖2中所繪示，掃描線驅動區段23將掃描信號WSA供應至子像素11R及11G且將掃描信號WSB供應至子像素11W及11B，藉此依序選擇子像素11。
根據供應自時序產生區段22之控制信號，電力控制線驅動區段25將電力控制信號DS1依序施加至複數個電力控制線DSL，藉此控制子像素11之一發光操作及一消光操作。具體言之，如圖2中所繪示，電力控制線驅動區段25將電力控制信號DS1A供應至子像素11R及11G且將電力控制信號DS1B供應至子像素11W及11B，藉此控制子像素11。
根據供應自時序產生區段22之控制信號，電力線驅動區段26將電力信號DS2依序施加至複數個電力線PL，藉此控制子像素11之一發光操作及一消光操作。具體言之，如圖2中所繪示，電力線驅動區段26將電力信號DS2A供應至子像素11R及11G且將電力信號DS2B供應至子像素11W及11B，藉此控制子像素11。電力信號DS2在一電壓Vccp與一電壓Vini之間傳輸。如稍後所描述，電壓Vini為初始化子像素11之一電壓，及電壓Vccp為引起一電流Ids流動通過驅動電晶體DRTr且 引起發光元件30發射光之一電壓。
根據供應自影像信號處理區段21之影像信號Sdisp2及供應自時序產生區段22之控制信號，資料線驅動區段27產生包含一像素電壓Vsig(其指示各子像素11之一發光亮度)及一電壓Vofs(其執行待稍後描述之一Vth校正)之信號Sig，且將其等施加至各資料線DTL。
透過此組態，如稍後所描述，驅動區段20在一水平時期內(1H)執行用於抑制因包含於像素Pix中之四個子像素11(11R、11G、11B及11W)上之驅動電晶體DRTr之元件變動而對一影像品質施加之一影響之校正(Vth校正)。接著，驅動區段20對子像素11執行像素電壓Vsig之寫入，且發光元件30根據已寫入之像素電壓Vsig而發射一定亮度之光。
[操作及作用]
接著，描述根據參考實例之顯示單元1之操作及作用。
(總體操作概要)
首先，參考圖1描述顯示單元1之一總體操作概要。影像信號處理區段21對供應自外部之影像信號Sdisp執行一預定信號處理以產生影像信號Sdisp2。基於供應自外部之同步信號Ssync，時序產生區段22將控制信號供應至掃描線驅動區段23、電力控制線驅動區段25、電力線驅動區段26及資料線驅動區段27，且控制其等執行彼此同步之操作。根據供應自時序產生區段22之控制信號，掃描線驅動區段23將掃描信號WS(WSA、WSB)依序施加至複數個掃描線WSL，藉此依序選擇子像素11。根據供應自時序產生區段22之控制信號，電力控制線驅動區段25將電力控制信號DS1(DS1A及DS1B)依序施加至複數個電力控制線DSL，藉此控制子像素11之一發光操作及一消光操作。根據供應自時序產生區段22之控制信號，電力線驅動區段26將電力信號DS2(DS2A及DS2B)依序施加至複數個電力線PL，藉此控制子像素11 之一發光操作及一消光操作。根據供應自影像信號處理區段21之影像信號Sdisp2及供應自時序產生區段22之控制信號，資料線驅動區段27產生包含像素電壓Vsig(其對應於各子像素11之一亮度)及電壓Vofs(其執行Vth校正操作)之信號Sig，且將其等施加至各資料線DTL。顯示區段10基於供應自驅動區段20之掃描信號WS、電力控制信號DS1、電力信號DS2及信號Sig而執行顯示。
(詳細操作)
接著，描述顯示單元1之詳細操作。
圖9繪示驅動區段20之操作之一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WS(WSA及WSB)之波形，(B)繪示電力控制信號DS1(DS1A及DS1B)之波形，(C)繪示電力信號DS2(DS2A及DS2B)之波形，及(D)繪示信號Sig之一波形。在圖9之(A)中，掃描信號WSA(k)及WSB(k)為驅動第k列像素Pix之掃描信號WS，且掃描信號WSA(k+1)及WSB(k+1)為驅動第(k+1)列像素Pix之掃描信號WS。電力控制信號DS1(圖9之(B))及電力信號DS2(圖9之(C))之情況大致相同。
驅動區段20之掃描線驅動區段23將具有一脈衝形狀之掃描信號WS依序施加至掃描線WSL(圖9之(A))。此時，掃描線驅動區段23在一水平時期(1H)內將一脈衝依序施加至兩個掃描線WSL。電力線驅動區段26僅在掃描信號WS之一脈衝之開始時點之後之一預定時期(時點t1至t2等等)內將處於電壓Vini之電力信號DS2施加至電力線PL，且在其他時期內將處於電壓Vccp之電力信號DS2施加至電力線PL(圖9之(C))。電力控制線驅動區段25僅在包含掃描信號WS之一脈衝之一終端時點之一預定時期(時點t3至t5等等)內將處於一高位準之電力控制信號DS1施加至電力控制線DSL，且在其他時期內將處於一低位準之電力控制信號DS1施加至電力控制線DSL(圖9之(B))。資料線驅動區段27在電力控制信號DS1變為一高位準之一時期(時點t3至t5等等)內將 像素電壓Vsig施加至資料線DTL，且在其他時期內將電壓Vofs施加至資料線DTL(圖9之(D))。
以此方式，驅動區段20在一水平時期(時點t1至t6)之一前半時期(時點t1至t5)內驅動第k列像素Pix中之子像素11R及11G，且在該水平時期之一後半時期(時點t5至t6)內驅動第k列像素Pix中之子像素11W及11B。類似地，驅動區段20在下一水平時期(時點t6至t8)之一前半時期(時點t6至t7)內驅動第(k+1)列像素Pix中之子像素11R及11G，且在該下一水平時期之一後半時期(時點t7至t8)內驅動第(k+1)列像素Pix中之子像素11W及11B。
圖10係繪示時點t1至t5之一時期內之子像素11R及11G之操作的一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WSA之一波形，(B)繪示電力控制信號DS1A之一波形，(C)繪示電力信號DS2A之一波形，(D)繪示供應至子像素11R之信號Sig之一波形，(E)繪示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之一閘極電壓Vg之一波形，(F)繪示子像素11R中之驅動電晶體DRTr之一源極電壓Vs之一波形，(G)繪示供應至子像素11G之信號Sig之一波形，(H)繪示子像素11G中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之一波形，及(I)繪示子像素11G中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之一波形。在圖10之(C)至(F)中，藉由使用相同電壓軸而繪示各波形，及類似地，在圖10之(G)至(I)中，藉由使用相同電壓軸而繪示各波形。為便於描述，相同於電力信號DS2A之波形(圖10之(C))之波形繪示於相同於圖10之(G)至(I)之電壓軸之電壓軸上。
在一水平時期(1H)之前半時期內，驅動區段20初始化子像素11R及11G(初始化時期P1)，執行用於抑制因驅動電晶體DRTr之元件變動而對一影像品質施加之一影響之Vth校正操作(Vth校正時期P2)，且將像素電壓Vsig寫入子像素11R及11G中(寫入時期P3)。接著，子像素11R及11G中之發光元件30根據已寫入之像素電壓Vsig而發射一定亮 度之光(發光時期P4)。類似地，在一水平時期(1H)之後半時期內，驅動區段20對子像素11W及11B執行初始化操作、Vth校正操作及像素電壓Vsig之寫入操作。接著，子像素11W及11B中之發光元件30發射光。下文中詳細描述對子像素11R及11G執行之驅動操作。
在時點t1至t2之時期(初始化時期P1)內，驅動區段20首先初始化子像素11R及11G。具體言之，在時點t1時，資料線驅動區段27首先將供應至子像素11R及11G之信號Sig設定至電壓Vofs(圖10之(D)及(G))。此外，掃描線驅動區段23使掃描信號WSA之一電壓自一低位準變動至一高位準(圖10之(A))。藉此，接通子像素11R及11G中之寫入電晶體WSTr，且將子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定至電壓Vofs(圖10之(E)及(H))。與此同時，電力線驅動區段26使電力信號DS2A自電壓Vccp變動至電壓Vini(圖10之(C))。藉此，接通驅動電晶體DRTr，且將驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs設定至電壓Vini(圖10之(F)及(I))。因此，在子像素11R及11G中，將驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs(=Vofs-Vini)設定至大於驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth之電壓，且初始化子像素11R及11G。
接著，驅動區段20在時點t2至t3之一時期(Vth校正時期P2)內執行Vth校正操作。具體言之，在時點t2時，電力線驅動區段26使電力信號DS2自電壓Vini變動至電壓Vccp(圖10中之(C))。藉此，子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr在飽和區域內執行操作，一電流Ids自汲極流動至源極，且源極電壓Vs升高(圖10之(F)及(I))。此時，源極電壓Vs低於發光元件30之陰極之電壓Vcath。因此，發光元件30維持一反向偏壓狀態且防止一電流流入發光元件30中。以此方式，源極電壓Vs升高以減小閘極-源極電壓Vgs，藉此減小電流Ids。透過上文所描述之一負回饋操作，電流Ids收斂至「0」(零)。換言之，子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs收斂以便等於驅動電晶 體DRTr之臨限電壓Vth(Vgs=Vth)。
下文中詳細描述此Vth校正之操作。藉由使用下列表達式而表示自驅動電晶體DRTr之汲極流動至源極之電流Ids。
此處，符號「t」表示用作為一參考(Vth校正操作之開始時點t2(圖10))之時間。此外，在驅動電晶體DRTr中，W表示一閘極寬度，L表示一閘極長度，Cox表示一氧化物膜電容量，及μ表示遷移率。
將此電流Ids供應至電容器Cs之另一端，且電容器Cs之兩端之間之一電壓(=Vgs)變動。由下列表達式表示此行為。
藉由使用表達式(1)及(2)，獲得與閘極-源極電壓Vgs之一時間變化相關之下列表達式。
此處，Vgs(0)等於時點t2時之閘極-源極電壓Vgs(=Vsig-Vini)。
以此方式，在Vth校正時期P2內，閘極-源極電壓Vgs隨時間流逝而逐漸減小，如由表達式(3)所表示。當一足夠長時間流逝時，表達式(3)之右手側實質上等於「0」(零)。因此，閘極-源極電壓Vgs變為相同於臨限電壓Vth之位準之位準。
接著，在時點t3至t4之一時期(一寫入時期P3)內，驅動區段20對 子像素11R及11G執行像素電壓Vsig之一寫入操作。具體言之，在時點t3時，電力控制線驅動區段25首先使電力控制信號DS1A之一電壓自一低位準變動至一高位準(圖10之(B))。藉此，切斷電力供應電晶體DSTr。與此同時，資料線驅動區段27將供應至子像素11R及11G之信號Sig設定至像素電壓Vsig(VsigR及VsigG)(圖10之(D)及(G))。藉此，子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓Vofs升高至像素電壓Vsig(VsigR及VsigG)(圖10之(D)及(G))。此外，子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs相應地再次略微升高(圖10之(F)及(I))。因此，將子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs設定至根據像素電壓Vsig之電壓。此時，在其中像素電壓Vsig並非為對應於黑色顯示之電壓之情況中，此閘極-源極電壓Vgs變為大於臨限電壓Vth(Vgs>Vth)。因此，接通驅動電晶體DRTr，且此等驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs變為實質上彼此相等。
圖11係繪示對子像素11R及11G執行之像素電壓Vsig之一寫入操作的一時序圖，其中圖11之(A)繪示對子像素11R執行之操作，及圖11之(B)繪示對子像素11G執行之操作。在此實例中，寫入於子像素11R中之像素電壓VsigR低於寫入於子像素11G中之像素電壓VsigG。亦在此一情況中，在寫入時期P3內，子像素11R中之驅動電晶體DRTr之源極電壓實質上等於子像素11G中之驅動電晶體DRTr之源極電壓。即，假定：電力供應電晶體DSTr未被共用且子像素11R及11G各具有電力供應電晶體DSTr。在此情況中，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs處於根據像素電壓Vsig之位準。此時，在其中像素電壓Vsig較低之情況中，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs等於一較低電壓Vs1(圖11之(A))。在其中像素電壓Vsig較高之情況中，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs等於一較高電壓Vs2(圖11之(B))。另一方面，在顯示區段10中，經由兩個驅動電晶體DRTr而連接子像素11R及11G中之兩個驅動電晶體 DRTr之源極。因此，源極電壓Vs實質上彼此相等。此意謂：在子像素11R及11G中，像素電壓Vsig較低之一子像素(在此實例中為子像素11R)發射較暗光，且像素電壓Vsig較高之一子像素(在此實例中為子像素11G)發射較亮光。相應地，考量此行為，資料線驅動區段27可根據期望校正像素電壓Vsig，使得一子像素可發射具有所要亮度之光。
接著，在時點t4時，掃描線驅動區段23使掃描信號WSA之電壓自一高位準變動至一低位準(圖10之(A))。藉此，切斷子像素11R及11G中之寫入電晶體WSTr，且驅動電晶體DRTr之閘極處於浮動狀態。因此，隨後維持電容器Cs之端子之間之電壓(即，驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs)。
在時點t5或其後之一時期(發光時期P4)內，驅動區段20接著引起子像素11R及11G發射光。具體言之，在時點t5時，電力控制線驅動區段25使電力控制信號DS1A自一高位準變動至一低位準(圖10之(B))。藉此，接通電力供應電晶體DSTr且電流Ids流動通過子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr。當電流Ids流動通過驅動電晶體DRTr時，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs升高(圖10之(F)及(I))。驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg相應地升高(圖10之(E)及(H))。透過此一自舉(bootstrap)操作，當驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs變為大於發光元件30之一臨限電壓Vel與電壓Vcath之總和(Vel+Vcath)時，一電流在發光元件30之陽極與陰極之間流動，且發光元件30發射光。即，根據發光元件30之元件變動，源極電壓Vs升高且發光元件30發射光。
如上文所描述，描述一水平時期(時點t1至t6)之前半時期內之子像素11R及11G中之初始化操作、Vth校正操作及像素電壓Vsig之寫入操作。類似地，在連續後半時期(圖9中之時點t5至t6)內，子像素11W及11B執行初始化操作、Vth校正操作及像素電壓Vsig之寫入操作。
接著，在顯示單元1中，在一預定時期(一個圖框時期)流逝之 後，發光時期P3移動至寫入時期P1。驅動區段20重複驅動此系列之操作。
(關於驅動電晶體DRTr之配置)
如圖2及圖3中所繪示，在顯示單元1中，複數個子像素11(在此實例中為兩個子像素11)共用電力供應電晶體DSTr。在涉及共用此電力供應電晶體DSTr之共用之複數個子像素11中，可期望驅動電晶體DRTr中之臨限電壓Vth實質上彼此相等。具體言之，在此實例中，可期望屬於相同像素Pix之子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth實質上彼此相等。同時，可期望屬於相同像素Pix之子像素11W及11B中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth實質上彼此相等。否則，例如，可存在一可能性：在時點t3至t4之時期內，子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs可變為實質上彼此相等，其可引起先前執行之Vth校正操作之結果受干擾且可引起影像品質降低。
驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth之變動可(例如)因電晶體之形成步驟中之多晶矽層140之一形成步驟而受較大影響。在此步驟中，首先在絕緣層上形成一非晶矽層(圖4)。接著，藉由使用一ELA裝置而對該非晶矽層執行一退火處理，且藉此形成多晶矽層140。接著，藉由使用一離子植入裝置而將離子植入至此多晶矽層140之通道區域141及LDD 142中。在使用該ELA裝置之程序及使用該離子植入裝置之程序中，可對電晶體中之臨限電壓Vth之變動施加一影響。
圖12示意性繪示歸因於使用一ELA裝置之程序的臨限電壓Vth之變動。圖13示意性繪示歸因於使用一離子植入裝置之程序的臨限電壓Vth之變動。圖12及圖13繪示在一大玻璃基板99上形成複數個顯示區段10之一情況。
如圖12中所繪示，一ELA裝置沿掃描方向D1掃描玻璃基板99，同時(例如)以約數百赫茲啟動及停用一帶狀雷射光束(光束LB1)，因 此對整個玻璃基板99執行一程序。此時，存在一可能性：各照射區中之雷射能量係變動的且沿掃描方向D1相鄰之電晶體之特性相應地變動。在此情況中，電晶體沿掃描方向D1(圖12之縱向方向)之臨限電壓Vth之變動大於其沿正交於掃描方向D1之一方向(圖12之水平方向)之臨限電壓Vth之變動。
此外，如圖13中所繪示，一離子植入裝置沿掃描方向D2掃描玻璃基板99，同時啟動一帶狀雷射光束(光束LB2)，因此對整個玻璃基板99執行一程序。如上文所描述，一離子植入裝置恆定地發射雷射光束，且因此難以引起沿掃描方向D2相鄰之電晶體之變動(不同於上文所描述之一ELA裝置之情況)。另一方面，沿帶狀雷射光束之長軸方向(正交於掃描方向D2之方向)，雷射能量可能不均勻且沿此長軸方向相鄰之電晶體之特性可變動。在此情況中，電晶體沿正交於掃描方向D2之方向(圖13之縱向方向)之臨限電壓Vth之變動大於其沿掃描方向D2(圖13之橫向方向)之臨限電壓Vth之變動。
為解決此一問題，如圖12及圖13中所繪示，將透過一ELA裝置之掃描方向D1及透過一離子植入裝置之掃描方向D2設定為彼此正交可抑制電晶體沿圖12及圖13之橫向方向之臨限電壓Vth之變動。
圖14繪示掃描方向D1及D2與顯示區段10中之子像素11之一配置之間之一關係。圖15繪示掃描方向D1及D2與各子像素11中之驅動電晶體DRTr之一配置之間之一關係。
如圖14中所繪示，在顯示區段10中，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向(圖14之橫向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素11R及11G。類似地，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向(圖14之橫向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素11W及11B。
更具體言之，如圖15中所繪示，沿正交於掃描方向D1之一方向 及沿相同於掃描方向D2之方向(圖15之橫向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr。類似地，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向(圖15之橫向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素11W及11B中之驅動電晶體DRTr。各驅動電晶體DRTr經配置使得其之一長度(L)方向與掃描方向D2匹配。
藉此，屬於相同像素Pix之子像素11R及11G中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth變為實質上彼此相等。同時，屬於相同像素Pix之子像素11W及11B中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth變為實質上彼此相等。
(比較實例)
接著，描述根據一比較實例之一顯示單元1R。該比較實例具有其中未共用電力供應電晶體DSTr且各子像素11具有電力供應電晶體DSTr之一組態。其他組態相同於參考實例(圖1)之組態。
圖16繪示根據顯示單元1R之一顯示區段10R之一電路組態之一實例。在顯示區段10R中，包含於像素Pix中之四個子像素19R、19G、19B及19W各具有一所謂之「3Tr1C」組態。即，在根據參考實例之顯示區段10(圖2)中，子像素11G及11B各省略電力供應電晶體DSTr之設置，且共用子像素11R及11W之電力供應電晶體DSTr。然而，在根據比較實例之顯示區段10R中，子像素19G及19B各亦具有電力供應電晶體DSTr，類似於子像素19R及19W。
以此方式，在根據比較實例之顯示區段10R中，由於全部子像素19具有所謂之「3Tr1C」組態，所以電晶體之數目較大。此增大像素Pix之面積以使改良解析度較困難。
相比而言，在根據參考實例之顯示區段10中，在包含於像素Pix中之四個子像素11中，兩個子像素11G及11B之各者中消除電力供應電晶體DSTr，且子像素11G及11B共用子像素11R及11W之電力供應電 晶體DSTr，藉此可減少電晶體之數目。因此，使像素Pix之面積變小，且改良顯示單元1之解析度。
[效應]
如上文所描述，在參考實例中，由複數個子像素共用電力供應電晶體。因此，可改良顯示單元之解析度。
此外，在參考實例中，由於沿一水平方向彼此相鄰之複數個子像素共用電力供應電晶體，所以使操作變簡單。
此外，在參考實例中，透過一ELA裝置之掃描方向與透過一離子植入裝置之掃描方向彼此相交。因此，抑制電晶體沿與透過該ELA裝置之掃描方向相交之方向及沿相同於透過該離子植入裝置之掃描方向之方向之特性之變動。
另外，在參考實例中，沿與透過ELA裝置之掃描方向相交之方向及沿相同於透過離子植入裝置之掃描方向之方向並列設置與電力供應電晶體之共用相關聯之複數個子像素中之驅動電晶體。因此，使該等子像素之驅動電晶體之臨限電壓實質上彼此相等且抑制一影像品質之降低。
[另一參考實例1-1]
在參考實例中，由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11組態像素Pix；然而，本發明不限於此。下文中詳細描述本參考實例。
圖17繪示根據本參考實例之一顯示單元1A之一組態實例。顯示單元1A包含一顯示區段10A及一驅動區段20A。顯示區段10A之各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個子像素12。驅動區段20A包含一掃描線驅動區段23A、一電力控制線驅動區段25A、一電力線驅動區段26A及一資料線驅動區段27A。
圖18繪示顯示區段10A中之第k列及第(k+1)列像素Pix之一電路組 態之一實例。在顯示區段10A中，並列配置各具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之電力供應電晶體DSTr之三個子像素12R、12G及12B與各不具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之電力供應電晶體DSTr之三個子像素12R1、12G1及12B1。具體言之，沿水平方向依序重複配置子像素12R、12G1、12B、12R1、12G及12B1。類似於根據上文所描述之參考實例之顯示區段10，在顯示區段10A中，沿水平方向相鄰之兩個子像素12經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。此外，三個子像素12R、12G1及12B組態像素Pix，或三個子像素12R1、12G及12B1組態像素Pix。
圖19繪示顯示區段10A中之發光元件40之一配置。圖20示意性繪示發光元件40之一組態。圖21繪示發光元件40之一基本部分之橫截面結構。根據紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個發光元件40而形成彩色濾光器41及開口43。類似於發光層32，一發光層42藉由層疊一黃色發光層45及一藍色發光層46而形成且發射白色(W)光。當如上文所描述般層疊發光層時，可改變該等發光層之一順序。應注意，發光層42之一組態不限於此。作為上文之替代，例如，如同圖22及圖23中所繪示之發光層42A，一紅色發光層、一綠色發光層及一藍色發光層可分別形成於對應於紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之彩色濾光器41之區域中。
圖24係繪示驅動區段20A之操作的一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WS之波形，(B)繪示電力控制信號DS1之波形，(C)繪示電力信號DS2之波形，及(D)繪示信號Sig之一波形。在圖24之(A)中，一掃描信號WS(k)為驅動第k列像素Pix之掃描信號WS，一掃描信號WS(k+1)為驅動第(k+1)列像素Pix之掃描信號WS，一掃描信號WS(k+2)為驅動第(k+2)列像素Pix之掃描信號WS，及一掃描信號WS(k+3)為驅動第(k+3)列像素Pix之掃描信號WS。電力控制信號DS1(圖24之(B))及電力信號DS2(圖24之(C))之情況大致相同。
驅動區段20A之掃描線驅動區段23A將具有一脈衝形狀之掃描信號WS依序施加至掃描線WSL(圖24之(A))。此時，掃描線驅動區段23在一水平時期(1H)內將一脈衝施加至一掃描線WSL。類似於上文所描述之參考實例之一情況(圖9)，電力控制線驅動區段25A、電力線驅動區段26A及資料線驅動區段27A與掃描信號WS同步地將各信號供應至顯示區段10A。
以此方式，驅動區段20A在時點t1至t5之時期內驅動第k列像素Pix中之子像素13，且在時點t5至t6之時期內驅動第(k+1)列像素Pix中之子像素13。類似地，驅動區段20A在時點t6至t7之時期內驅動第(k+2)列像素Pix中之子像素13，且在時點t7至t8之時期內驅動第(k+3)列像素Pix中之子像素13。
在顯示單元1A中，沿水平方向配置屬於相同像素Pix之三個子像素12；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如圖25至圖27中所繪示，該等子像素可經配置以便在兩列上延伸。在此等實例中，例如，三個子像素12中之兩個子像素可經配置以便沿水平方向相鄰，及三個子像素12中之另一者可經配置以便沿垂直方向相鄰於兩個子像素12之一者。此外，在圖26及圖27中，可見度較低之藍色(B)之子像素12可經配置以便沿垂直方向排成一行。甚至在此情況中，類似於顯示區段10A，沿水平方向相鄰之兩個子像素12經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。
此外，在上文所描述之參考實例中，由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素11組態像素Pix；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如圖28中所繪示，可由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及黃色(Y)之四個子像素12組態像素Pix。
[另一參考實例1-2]
在上文所描述之參考實例中，沿水平方向相鄰之兩個子像素11共 用電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，三個或三個以上子像素可共用電力供應電晶體DSTr。圖29中繪示其中三個子像素13共用電力供應電晶體DSTr之一情況之一實例。
[另一參考實例1-3]
在上文所描述之參考實例中，發光元件30連接至驅動電晶體DRTr之源極端子；然而，本發明不限於此。如圖30中所繪示，例如，一電容器Csub可進一步連接至驅動電晶體DRTr之源極端子。在此實例中，此電容器Csub與發光元件30並聯連接；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，電容器Csub之一端可連接至發光元件30之陽極且一DC電壓可施加至電容器Csub之另一端。
[另一參考實例1-4]
在上文所描述之參考實例中，在TFT之一組態中，閘極電極110形成於多晶矽層140下方；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，閘極電極可形成於多晶矽層上方。下文中詳細描述本參考實例。
圖31繪示TFT之一組態實例，其中圖31之(A)繪示一橫截面圖，及圖31之(B)繪示一基本部分之平面圖。TFT包含一閘極電極250及一多晶矽層230。多晶矽層230形成於絕緣層210及220上方，絕緣層210及220形成於基板100上方。可(例如)由矽氮化物(SiNx)形成絕緣層210，及可(例如)由二氧化矽(SiO2)形成絕緣層220。類似於上文所描述之參考實例之一情況，由一通道區域231、一LDD 232及一接觸區域233組態多晶矽層230。一絕緣層240形成於此多晶矽層230上。可(例如)由二氧化矽(SiO2)形成此絕緣層240。閘極電極250形成於絕緣層240上。可由(例如)鉬(Mo)形成閘極電極250。以此方式，在此實例中，閘極電極250形成於多晶矽層230上方。即，此TFT具有一所謂之頂閘極式結構。絕緣層260及270依序形成於閘極電極250及絕緣層240 上方。可(例如)由二氧化矽(SiO2)形成絕緣層260，及可(例如)由矽氮化物(SiNx)形成絕緣層270。佈線280形成於絕緣層270上。在絕緣層240、260及270中，一開口形成於對應於多晶矽層230之接觸區域233之一區域中。此外，透過此開口，佈線280經形成以便連接至接觸區域233。
[另一參考實例1-5]
在上文所描述之參考實例中，驅動電晶體DRTr經配置使得一長度(L)方向可與掃描方向D2匹配；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如圖32中所繪示，驅動電晶體DRTr可經配置使得一寬度(W)方向可與掃描方向D2匹配。
<2. 實施例>
接著，描述根據一實施例之一顯示單元2。在本實施例中，沿垂直方向相鄰之兩個子像素經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。此處，根據本發明之一實施例之製造顯示單元之一方法由本實施例體現，且因此被共同描述。由相同於顯示單元1中之參考符號之參考符號指示實質上相同於根據參考實例之顯示單元1中之組件之組件，且適當省略描述。
圖33繪示根據本實施例之顯示單元2之一組態實例。顯示單元2包含一顯示區段50及一驅動區段60。顯示區段50之各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素15。驅動區段60包含一掃描線驅動區段63、一電力控制線驅動區段65、一電力線驅動區段66及一資料線驅動區段67。
圖34繪示顯示區段50中之第k列像素Pix之一電路組態之一實例。像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素15(15R、15G、15B及15W)。類似於根據上文所描述之參考實例之顯示區段10，四個子像素15R、15G、15B及15W在像素Pix中配置成兩 列及兩行。在四個子像素15R、15G、15B及15W中，子像素15R及15G連接至掃描線WSL、電力線PL、電力控制線DSL及資料線DTL，及子像素15W及15B連接至掃描線WSL及資料線DTL。包含子像素15R之一列及包含子像素15W之一列共用電力線PL及電力控制線DSL。如稍後詳細所描述，子像素15R連接至子像素15W，及子像素15G連接至子像素15B。
圖35繪示子像素15R及15W之一電路組態之一實例。此外，子像素15G及15B之情況大致相同。子像素15R具有寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、電力供應電晶體DSTr、電容器Cs及發光元件30。子像素15W具有寫入電晶體WSTr、驅動電晶體DRTr、電容器Cs及發光元件30。子像素15R及15W共用電力供應電晶體DSTr。即，根據上文所描述之參考實例之顯示區段10經組態使得沿水平方向相鄰之兩個子像素11可共用電力供應電晶體DSTr。另一方面，根據本實施例之顯示區段50經組態使得沿垂直方向相鄰之兩個子像素15可共用電力供應電晶體DSTr。透過該組態，可減少電力供應電晶體DSTr、電力線PL及電力控制線DSL之數目，且因此改良顯示單元2之解析度。此處，在此實例中，在子像素15R及15W中，子像素15R具有電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，子像素15W可具有電力供應電晶體DSTr。
在子像素15R及15W之各者之寫入電晶體WSTr中，各閘極連接至掃描線WSL，各源極連接至資料線DTL，及各汲極連接至驅動電晶體DRTr之各閘極及電容器Cs之各一端。在驅動電晶體DRTr中，各閘極連接至寫入電晶體WSTr之各汲極及電容器Cs之各一端，各汲極連接至子像素15R之電力供應電晶體DSTr之一汲極等等，及各源極連接至電容器Cs之各另一端及發光元件30之各陽極。在子像素15R之電力供應電晶體DSTr中，一閘極連接至電力控制線DSL，一源極連接至電力 線PL，及汲極連接至子像素15R之驅動電晶體DRTr之汲極及子像素15W之驅動電晶體DRTr之汲極。
如圖34中所繪示，掃描線驅動區段63將掃描信號WSA供應至子像素15R及15G，且將掃描信號WSB供應至子像素15W及15B，藉此依序選擇子像素15。如圖34中所繪示，電力控制線驅動區段65將電力控制信號DS1供應至子像素15，藉此控制子像素15之一發光操作及一消光操作。如圖34中所繪示，電力線驅動區段66將電力信號DS2供應至子像素15，藉此控制子像素15之一發光操作及一消光操作。資料線驅動區段67產生包含像素電壓Vsig(其指示各子像素15之一發光亮度)及電壓Vofs(其執行Vth校正操作)之信號Sig。
此處，在本發明之一實施例中，發光元件30對應於一「顯示元件」之一特定實例。在本發明之一實施例中，子像素15R、15G、15B及15W各對應於一「單元像素」之一特定實例。在本發明之一實施例中，子像素15R及15W及子像素15G及15B各對應於「一對單元像素」之一特定實例。
圖36係繪示驅動區段60之操作之一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WS(WSA、WSB)之波形，(B)繪示電力控制信號DS1之波形，(C)繪示電力信號DS2之波形，及(D)繪示信號Sig之一波形。
驅動區段60之掃描線驅動區段63在一水平時期(1H)內將脈衝施加至兩個掃描線WSL(圖36之(A))。在兩個脈衝中，開始時點(時點t21等等)幾乎相同；然而，終止時點(時點t24及t26等等)係變動的。電力線驅動區段66僅在掃描信號WS之脈衝之開始時點之後之一預定時期(時點t21至t22等等)內將處於電壓Vini之電力信號DS2施加至電力線PL且在其他時期內將處於電壓Vccp之電力信號DS2施加至電力線PL(圖36之(C))。電力控制線驅動區段65將僅在包含掃描信號WS之兩個脈衝之終端時點(時點t24及t26等等)之一預定時期(時點t23至t27等等)內將 處於一高位準之電力控制信號DS1施加至電力控制線DSL且在其他時期內將處於一低位準之電力控制信號DS1施加至電力控制線DSL(圖36之(B))。資料線驅動區段27在電力控制信號DS1變為一高位準之一時期(時點t23至t27等等)內將像素電壓Vsig施加至資料線DTL且在其他時期內將電壓Vofs施加至資料線DTL(圖36之(D))。此時，在像素Pix之四個子像素15中，資料線驅動區段67在電力控制信號DS1處於一高位準之一時期內依序輸出連接至相同資料線DTL之兩個子像素15之像素電壓Vsig。具體言之，資料線驅動區段67將待寫入於子像素15R中之像素電壓VsigR及待寫入於子像素15W中之像素電壓VsigW依序輸出至子像素15R及15W連接至其之資料線DTL。此外，資料線驅動區段67將待寫入於子像素15G中之像素電壓VsigG及待寫入於子像素15B中之像素電壓VsigB依序輸出至子像素15G及15B連接至其之資料線DTL。
以此方式，驅動區段60在時點t21至t27之時期內驅動第k列像素Pix中之子像素15R、15G、15B及15W。類似地，驅動區段60在時點t27至t28之時期內驅動第(k+1)列像素Pix中之子像素15R、15G、15B及15W。
圖37係繪示時點t21至t27之時期內之子像素15R及15W之操作的一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WSA之一波形，(B)繪示掃描信號WSB之一波形，(C)繪示電力控制信號DS1之一波形，(D)繪示電力信號DS2之一波形，(E)繪示信號Sig之一波形，(F)繪示子像素15R中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之一波形，(G)繪示子像素15R中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之一波形，(H)繪示子像素15W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg之一波形，及(I)繪示子像素15W中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs之一波形。在圖37之(D)至(G)中，藉由使用相同電壓軸而繪示各波形，及類似地，在圖37之(H)及(I)中，藉由使 用相同電壓軸而繪示各波形。為便於描述，相同於電力信號DS2(圖37之(D))及信號Sig(圖37之(E))之波形之波形繪示於相同於圖37之(H)及(I)之電壓軸之電壓軸上。
在一水平時期(1H)內，驅動區段60執行子像素15R及15W之初始化操作(初始化時期P1)，執行用於抑制因驅動電晶體DRTr之元件變動而對一影像品質施加之一影響之Vth校正操作(Vth校正時期P2)，且對子像素15R及15W執行像素電壓Vsig之寫入操作(寫入時期P3)。接著，子像素15R及15W之發光元件30根據已寫入之像素電壓Vsig而發射一定亮度之光(發光時期P4)。與上述操作並行，驅動區段60對子像素15G及15B執行初始化操作、Vth校正操作及像素電壓Vsig之寫入操作。接著，子像素15G及15B之發光元件30發射光。下文中進行詳細描述。
在時點t21至t22之時期(初始化時期P1)內，驅動區段60首先初始化子像素15R及15W。具體言之，在時點t21時，資料線驅動區段67首先將供應至子像素15R及15W之信號Sig之電壓設定至電壓Vofs(圖37之(E))。此外，掃描線驅動區段63使掃描信號WSA及WSB之電壓自一低位準變動至一高位準(圖37之(A)及(B))。藉此，接通子像素15R及15W中之寫入電晶體WSTr，且將子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg設定至電壓Vofs(圖37之(F)及(H))。與此同時，電力線驅動區段66使電力信號DS2自電壓Vccp變動至電壓Vini(圖37之(D))。藉此，接通驅動電晶體DRTr，且將驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs設定至電壓Vini(圖37之(G)及(I))。因此，在子像素15R及15W中，將驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs(=Vofs-Vini)設定至大於驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth之電壓，且初始化子像素15R及15W。
接著，驅動區段60在時點t22至t23之一時期(Vth校正時期P2)內執行Vth校正操作。具體言之，在時點t22時，電力線驅動區段66使電力 信號DS2自電壓Vini變動至電壓Vccp(圖37中之(D))。藉此，子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr在飽和區域內執行操作，電流Ids自汲極流動至源極，且源極電壓Vs升高(圖37之(G)及(I))。以此方式，子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs收斂以便等於驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth(Vgs=Vth)。
接著，在時點t23至t26之時期(寫入時期P3)內，驅動區段60對子像素15R及15W執行像素電壓Vsig之一寫入操作。具體言之，在時點t23時，電力控制線驅動區段65首先使電力控制信號DS1之一電壓自一低位準變動至一高位準(圖37之(C))。藉此，切斷電力供應電晶體DSTr。與此同時，資料線驅動區段67將信號Sig設定至具有像素電壓VsigR(圖37之(E))。藉此，子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓Vofs升高至像素電壓VsigR(圖37之(F)及(H))。子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs亦再次相應地略微升高(圖37之(G)及(I))。在時點t24時，掃描線驅動區段63接著使掃描信號WSA之一電壓自一高位準變動至一低位準(圖37之(A))。藉此，切斷子像素15R中之寫入電晶體WSTr。隨後，維持子像素15R中之電容器Cs之端子之間之一電壓，即，子像素15R中之驅動電晶體DRTr之閘極-源極電壓Vgs。在時點t25時，資料線驅動區段67接著將信號Sig之一電壓設定至像素電壓VsigW(圖37之(E))。藉此，使子像素15W中之驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg自電壓VsigR變動至像素電壓VsigW(圖37之(H))。子像素15W中之驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs亦再次相應地略微升高(圖37之(I))。
接著，在時點t26時，掃描線驅動區段63使掃描信號WSB之一電壓自一高位準變動至一低位準(圖37之(B))。藉此，子像素15W中之寫入電晶體WSTr處於一切斷狀態。隨後，維持子像素15W中之電容器Cs之端子之間之一電壓，即，子像素15W中之驅動電晶體DRTr之閘 極-源極電壓Vgs。
在時點t27或稍後之時期(發光時期P4)內，驅動區段60接著引起子像素15R及15W發射光。具體言之，在時點t27時，電力控制線驅動區段65使電力控制信號DS1之一電壓自一高位準變動至一低位準(圖37之(C))。藉此，接通電力供應電晶體DSTr且電流Ids流動通過子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr。當電流Ids流動通過驅動電晶體DRTr時，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs升高(圖37之(G)及(I))，且驅動電晶體DRTr之閘極電壓Vg相應地升高(圖37之(F)及(H))。透過此一自舉操作，驅動電晶體DRTr之源極電壓Vs變為大於發光元件30之臨限電壓Vel與電壓Vcath之總和(Vel+Vcath)。此時，一電流在發光元件30之陽極與陰極之間流動且發光元件30發射光。
接著，在顯示單元1中，在一預定時期(一圖框時期)已流逝之後，執行自發光時期P3至寫入時期P1之一轉變。驅動區段60因此執行驅動以便重複此系列之操作。
此處，在本發明之一實施例中，初始化時期P1對應於一「第一子時期」之一特定實例。在本發明之一實施例中，Vth校正時期P2對應於一「第二子時期」之一特定實例。在本發明之一實施例中，時點t23至t25之一時期對應於一「第一寫入時期」之一特定實例。在本發明之一實施例中，時點t25至t27之一時期對應於一「第二寫入時期」之一特定實例。在本發明之一實施例中，電壓Vofs對應於一「第一電壓」之一特定實例。在本發明之一實施例中，電壓Vini對應於一「第二電壓」之一特定實例。在本發明之一實施例中，電壓Vccp對應於一「第三電壓」之一特定實例。
圖38繪示顯示區段50中之子像素15之一配置與透過一ELA裝置之掃描方向D1及透過一離子植入裝置之掃描方向D2之間之一關係。圖39繪示各自子像素15中之驅動電晶體DRTr之一配置與掃描方向D1及 D2之間之一關係。
在顯示區段50中，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向並列設置屬於相同像素Pix之子像素15R及15W。類似地，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向並列設置屬於相同像素Pix之子像素15G及15B。
更具體言之，如圖39中所繪示，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向(圖39之縱向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr。類似地，沿正交於掃描方向D1之一方向及沿相同於掃描方向D2之方向(圖39之縱向方向)並列設置屬於相同像素Pix之子像素15G及15B中之驅動電晶體DRTr。各自驅動電晶體DRTr經配置使得其之一長度(L)方向可與掃描方向D2匹配。
藉此，使屬於相同像素Pix之子像素15R及15W中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth實質上彼此相等。此外，使屬於相同像素Pix之子像素15G及15B中之驅動電晶體DRTr之臨限電壓Vth實質上彼此相等。
如上文所描述，在本實施例中，沿垂直方向彼此相鄰之子像素共用電力供應電晶體。因此，可減少電晶體、電力線及電力控制線之數目。因此，改良顯示單元之一解析度。其他效應相同於上文所描述之參考實例之效應。
[修改實例2-1]
在上文所描述之實施例中，由紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素15組態像素Pix；然而，本發明不限於此。下文中詳細描述一修改實例。
圖40繪示根據本修改實例之一顯示單元2A之一組態實例。顯示單元2A包含一顯示區段50A及一驅動區段60A。顯示區段50A之各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三色子像素16。驅動區段 60A包含一掃描線驅動區段63A、一電力控制線驅動區段65A、一電力線驅動區段66A及一資料線驅動區段67A。
圖41繪示顯示區段50A中之第k列像素Pix及第(k+1)像素Pix之一電路組態之一實例。在顯示區段50A中，並列設置各具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之電力供應電晶體DSTr之三個子像素16R、16G及16B與各不具有紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之電力供應電晶體DSTr之三個子像素16R1、16G1及16B1。具體言之，沿水平方向依序重複配置子像素16R、16G及16B。此外，在相鄰於該列之一列中，沿水平方向依序重複配置子像素16R1、16G1及16B1。類似於根據上文所描述之實施例之顯示區段50，在此顯示區段50A中，沿垂直方向相鄰之兩個子像素16經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。此外，三個子像素16R、16G及16B或三個子像素16R1、16G1及16B1組態像素Pix。
圖42係繪示驅動區段60A之操作的一時序圖，其中(A)繪示掃描信號WS之波形，(B)繪示電力控制信號DS1之波形，(C)繪示電力信號DS2之波形，及(D)繪示信號Sig之一波形。在圖42之(A)中，一掃描信號WS(k)為驅動第k列像素Pix之掃描信號WS，一掃描信號WS(k+1)為驅動第(k+1)列像素Pix之掃描信號WS，一掃描信號WS(k+2)為驅動第(k+2)列像素Pix之掃描信號WS，及一掃描信號WS(k+3)為驅動第(k+3)列像素Pix之掃描信號WS。在圖42之(B)中，一電力控制信號DS1(k)為驅動第k列像素Pix及第(k+1)列像素Pix之電力控制信號DS1，及一電力控制信號DS1(k+2)為驅動第(k+2)列像素Pix及第(k+3)列像素Pix之電力控制信號DS1。電力信號DS2(圖42之(C))之情況大致相同。
在兩個水平時期內，驅動區段60A之掃描線驅動區段63A將脈衝施加至兩個掃描線WSL。類似於上文所描述之實施例之一情況(圖36)，電力控制線驅動區段65A、電力線驅動區段66A及資料線驅動區段67A與掃描信號WS同步地將各信號供應至顯示區段50A。
以此方式，驅動區段60A在時點t31至t37之一時期內驅動第k列像素Pix及第(k+1)列像素Pix中之子像素16，且在時點t37至t38之一時期內驅動第(k+2)列像素Pix及第(k+3)列像素Pix中之子像素16。
[修改實例2-2]
在上文所描述之實施例中，沿垂直方向相鄰之子像素15共用電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如，可未必需要共用電力供應電晶體DSTr。下文中詳細描述根據本修改實例之一顯示單元2B。
圖43繪示顯示單元2B之一組態實例。顯示單元2B包含一顯示區段50B。
圖44繪示顯示區段50B之一電路組態之一實例。各像素Pix具有紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)之四個子像素17(17R、17G、17B及17W)。此等四個子像素17R、17G、17B及17W各具有電力供應電晶體DSTr。此外，在屬於相同像素Pix之四個子像素17中之電力供應電晶體DSTr中，其閘極連接至相同電力控制線DSL，及其源極連接至相同電力線PL。
甚至此一組態可減少電力線及電力控制線之數目。因此，改良顯示單元之一解析度。
[修改實例2-3]
在上文所描述之實施例中，在一水平時期(1H)內，將其中開始時點相同且終止時點變動之兩個脈衝施加至兩個掃描線WSL；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如圖45中所繪示，可一次性終止掃描信號WSB之一脈衝(圖45之(B))，且可在終止掃描信號WSA之一脈衝(圖45之(A))之後再次施加掃描信號WSB之脈衝(圖45之(B))。藉此，將像素電壓VsigW寫入於子像素15W中且未寫入像素電壓VsigR。
[修改實例2-4]
另外，可將上文所描述之參考實例1-3至1-5之一或多個應用至本實施例。
<3. 應用實例>
接著，描述上述實施例及修改實例中所描述之顯示單元之任一者之一應用實例。
圖46繪示根據實施例及修改實例之任一者之顯示單元應用至其之一TV裝置之一外觀。此TV裝置可具有(例如)包含一前面板511及一濾光玻璃512之一影像顯示螢幕區段510。由根據上文所描述之實施例或修改實例之任一者之顯示單元組態此TV裝置。
根據上文所描述之實施例及修改實例之任一者之顯示單元除可應用於此TV裝置之外，亦可應用於各種電子裝置。該電子裝置之一些實例可包含一數位相機、一筆記型電腦、一可攜式終端器件(諸如一行動電話)、一可攜式視訊遊戲機及一視訊攝影機。換言之，根據實施例及修改實例之顯示單元可應用於顯示影像之各種電子裝置。
如上文所描述，已參考電子裝置之實例性實施例、修改實例及應用實例而描述本技術。本技術不限於實例性實施例及修改實例，而是可進行各種修改。
例如，在上文所描述之實施例中，沿水平方向或沿垂直方向相鄰之複數個子像素經組態以便共用電力供應電晶體DSTr；然而，本發明不限於此。作為上文之替代，例如圖47中所繪示，沿水平方向及沿垂直方向相鄰之複數個子像素可經組態以便共用電力供應電晶體DSTr。在此實例中，在像素Pix中配置成兩列及兩行之四個子像素18R、18G、18B及18W共用電力供應電晶體DSTr。
此外，在上文所描述之實施例中，例如，子像素在像素Pix中配置成兩列及兩行或一列及三行；然而，本發明不限於此。作為上文之 替代，例如圖48中所繪示，紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之三個子像素中之一子像素(在此實例中為一藍色子像素)可經形成以便沿水平方向延伸。在此情況中，例如，如同圖48及圖49中所繪示之一發光層92A，發射黃色(Y)光之一黃色發光層可形成於對應於紅色(R)及綠色(G)之彩色濾光器91A之區域中。藉此，當黃色(Y)光穿過紅色(R)之彩色濾光器91A時，可發射紅色(R)光，及當黃色(Y)光穿過綠色(G)之彩色濾光器91A時，可發射綠色(G)光。此外，例如圖50中所繪示，紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及黃色(Y)之四個子像素中之一子像素(在此實例中為一藍色子像素)可經形成以便沿水平方向延伸。在此情況中，例如，如同圖50及圖51中所繪示之一發光層92B，發射黃色(Y)光之一黃色發光層可形成於對應於紅色(R)、綠色(G)及黃色(Y)之彩色濾光器91B之區域中。藉此，當黃色(Y)光穿過紅色(R)之彩色濾光器91B時，可發射紅色(R)光，當黃色(Y)光穿過綠色(G)之彩色濾光器91B時，可發射綠色(G)光，及當黃色(Y)光穿過黃色(Y)之彩色濾光器91B時，可發射黃色(Y)光。替代地，可未必需要此黃色(Y)之彩色濾光器91B。
此外，本技術涵蓋本文所描述且併入於本文中之各種實施例之部分或全部之任何可能組合。
可自本發明之上述實例性實施例達成至少下列組態。
(1)一種顯示單元，其包含：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
(2)如(1)之顯示單元，其中該對單元像素之一者包含經組態以接通以容許該電力線連接至該對單元像素之該等驅動電晶體之各者之一電力供應電晶體。
(3)如(1)之顯示單元，其中該對單元像素之各者包含經組態以接通以容許該單一供應線連接至該驅動電晶體之一電力供應電晶體。
(4)如(2)或(3)之顯示單元，其中該對單元像素之各者中之該驅動電晶體包含：一閘極；一源極，其連接至該顯示元件；及一汲極，其連接至該電力供應電晶體。
(5)如(4)之顯示單元，其進一步包含一信號線，其中該對單元像素之各者包含經組態以接通以容許該信號線連接至該驅動電晶體之一閘極之一寫入電晶體。
(6)如(5)之顯示單元，其進一步包含經組態以驅動該複數個單元像素之一驅動區段，其中在一第一時期內，該驅動區段容許該對單元像素中之該等寫入電晶體之兩者接通，接著在第一時點時容許該等寫入電晶體之一者切斷且在該第一時點之後之第二時點時容許該等寫入電晶體之另一者切斷。
(7)如(6)之顯示單元，其中該驅動區段容許該信號線在包含該第一時點之一第一寫入時期內被施加一第一像素電壓，且容許該信號線在包含該第二時點之一第二寫入時期內被施加一第二像素電壓。
(8)如(6)或(7)之顯示單元，其中該等單元像素之各者進一步包含設置於該驅動電晶體之一閘極與一源極之間之一電容器，在該第一時期內之一第一子時期期間，該驅動區段使該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之一閘極電壓維持處於一第一電壓且 使該等驅動電晶體之各者之一源極電壓維持處於一第二電壓，及在該第一時期內之該第一子時期之後之一第二子時期期間，該驅動區段使該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之該閘極電壓維持處於該第一電壓且透過容許一電流流動通過該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者而變動該等驅動電晶體之各者之該源極電壓。
(9)如(8)之顯示單元，其中在該第一子時期及該第二子時期兩者期間，該驅動區段將該第一電壓施加至該信號線且容許該對單元像素中之該等寫入電晶體之各者保持接通。
(10)如(8)或(9)之顯示單元，其中在該第一子時期期間，該驅動區段將該第二電壓施加至該電力線且透過容許該對單元像素中之一或兩個電力供應電晶體保持接通而使該等驅動電晶體之各者之該源極電壓維持處於該第二電壓，及在該第二子時期期間，該驅動區段將一第三電壓施加至該電力線且透過容許該電力供應電晶體保持接通而容許該電流流動通過該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者。
(11)如(1)至(10)中任一項之顯示單元，其中沿該第一方向並列配置該對單元像素中之該等驅動電晶體。
(12)如(1)至(11)中任一項之顯示單元，其中該第一方向為該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之一長度方向。
(13)如(1)至(12)中任一項之顯示單元，其中該第二方向為一準分子雷射退火裝置在製造中之一掃描方向。
(14)如(1)至(13)中任一項之顯示單元，其中該第一方向為一離子植入裝置在製造中之一掃描方向。
(15)如(1)至(14)中任一項之顯示單元，其中該複數個單元像素之四個單元像素組態一顯示像素。
(16)如(15)之顯示單元，其中該四個單元像素在該顯示像素中配 置成兩列及兩行。
(17)如(1)至(14)中任一項之顯示單元，其中該複數個單元像素之三個單元像素組態一顯示像素。
(18)一種製造一顯示單元之方法，該方法包含：在一基板上形成一電晶體，其中待由一離子植入裝置掃描之一第一方向與待由一準分子雷射退火裝置掃描之一第二方向相交；及形成一顯示元件。
(19)如(18)之製造顯示單元之方法，其中在形成該電晶體時，沿該第一方向並列形成複數個單元像素之一對單元像素之各自驅動電晶體，該複數個單元像素各包含該顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之該驅動電晶體，該等單元像素經佈置以沿該第一方向被掃描及被驅動，及該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
(20)一種擁有一顯示單元及經組態以執行該顯示單元之操作控制之一控制區段之電子裝置，該顯示單元包含：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
熟習此項技術者應瞭解，可根據設計要求及其他因數而進行各種修改、組合、子組合及改動，只要其等係在隨附申請專利範圍或其等效物之範疇內。
15B‧‧‧子像素
15G‧‧‧子像素
15R‧‧‧子像素
15W‧‧‧子像素
67‧‧‧資料線驅動區段

Claims (20)

  1. 一種顯示單元，其包括：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
  2. 如請求項1之顯示單元，其中該對單元像素之一者包含經組態以接通以容許該電力線連接至該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之一電力供應電晶體。
  3. 如請求項1之顯示單元，其中該對單元像素之各者包含經組態以接通以容許該單一供應線連接至該驅動電晶體之一電力供應電晶體。
  4. 如請求項2之顯示單元，其中該對單元像素之各者中之該驅動電晶體包含：一閘極；一源極，其連接至該顯示元件；及一汲極，其連接至該電力供應電晶體。
  5. 如請求項4之顯示單元，進一步包括一信號線，其中該對單元像素之各者包含經組態以接通以容許該信號線連接至該驅動電晶體之一閘極之一寫入電晶體。
  6. 如請求項5之顯示單元，進一步包括經組態以驅動該複數個單元像素之一驅動區段， 其中在一第一時期內，該驅動區段容許該對單元像素中之該等寫入電晶體之兩者接通，接著在第一時點時容許該等寫入電晶體之一者切斷，且在該第一時點之後之第二時點時容許該等寫入電晶體之另一者切斷。
  7. 如請求項6之顯示單元，其中該驅動區段容許該信號線在包含該第一時點之一第一寫入時期內被施加一第一像素電壓，且容許該信號線在包含該第二時點之一第二寫入時期內被施加一第二像素電壓。
  8. 如請求項6之顯示單元，其中該等單元像素之各者進一步包含設置於該驅動電晶體之一閘極與一源極之間之一電容器，在該第一時期內之一第一子時期期間，該驅動區段使該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之一閘極電壓維持處於一第一電壓，且使該等驅動電晶體之各者之一源極電壓維持處於一第二電壓，及在該第一時期內之該第一子時期之後之一第二子時期期間，該驅動區段使該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之該閘極電壓維持處於該第一電壓，且透過容許一電流流動通過該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者而變動該等驅動電晶體之各者之該源極電壓。
  9. 如請求項8之顯示單元，其中在該第一子時期及該第二子時期兩者期間，該驅動區段將該第一電壓施加至該信號線，且容許該對單元像素中之該等寫入電晶體之各者保持接通。
  10. 如請求項8之顯示單元，其中在該第一子時期期間，該驅動區段將該第二電壓施加至該電力線，且透過容許該對單元像素中之一或兩個電力供應電晶體保持接通而使該等驅動電晶體之各者之該源極電壓維持處於該第二電壓，及 在該第二子時期期間，該驅動區段將一第三電壓施加至該電力線，且透過容許該電力供應電晶體保持接通而容許該電流流動通過該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者。
  11. 如請求項1之顯示單元，其中沿該第一方向並列配置該對單元像素中之該等驅動電晶體。
  12. 如請求項1之顯示單元，其中該第一方向為該對單元像素中之該等驅動電晶體之各者之一長度方向。
  13. 如請求項1之顯示單元，其中該第二方向為一準分子雷射退火裝置在製造中之一掃描方向。
  14. 如請求項1之顯示單元，其中該第一方向為一離子植入裝置在製造中之一掃描方向。
  15. 如請求項1之顯示單元，其中該複數個單元像素之四個單元像素組態一顯示像素。
  16. 如請求項15之顯示單元，其中該四個單元像素在該顯示像素中係配置成兩列及兩行。
  17. 如請求項1之顯示單元，其中該複數個單元像素之三個單元像素組態一顯示像素。
  18. 一種製造一顯示單元之方法，該方法包括：在一基板上形成一電晶體，其中待由一離子植入裝置掃描之一第一方向與待由一準分子雷射退火裝置掃描之一第二方向相交；及形成一顯示元件。
  19. 如請求項18之製造顯示單元之方法，其中在形成該電晶體時，沿該第一方向並列形成複數個單元像素之一對單元像素之各自驅動電晶體，該複數個單元像素各包含該顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之該驅動電晶體，該等單元像素經佈置 以沿該第一方向被掃描及被驅動，及該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素且沿該第一方向彼此相鄰。
  20. 一種擁有一顯示單元及經組態以執行該顯示單元之操作控制之一控制區段之電子裝置，該顯示單元包括：複數個單元像素，其等各包含一顯示元件及將一驅動電流供應至該顯示元件之一驅動電晶體，該等單元像素經佈置以沿一第一方向被掃描及被驅動；及一單一電力線，其沿與該第一方向相交之一第二方向延伸，該單一電力線經設置以被指派給一對單元像素，該對單元像素為該複數個單元像素之兩個單元像素，且沿該第一方向彼此相鄰。
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