CN110060636A - 显示装置和显示单元 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了显示装置和显示单元。其中，显示装置可包括：多个像素；以及驱动部，配置为驱动多个像素，其中，多个像素包括红色、绿色、蓝色和白色子像素，其中，红色、绿色、蓝色和白色子像素连接至多条电源线，并且其中，红色、绿色、蓝色和白色子像素中的每一者包括：发光元件；写入晶体管；电容；和驱动晶体管，其中，写入晶体管电连接在数据信号线和驱动晶体管的控制端子之间，其中，在红色子像素中的驱动晶体管的第一端子和在绿色子像素中的驱动晶体管的第一端子连接至多条电源线的第一点，其中，在蓝色子像素中的驱动晶体管的第一端子和在白色子像素中的驱动晶体管的第一端子连接至多条电源线的第二点，且其中，第二点与第一点不同。

Description

显示装置和显示单元
本申请是申请日为2013年10月30日、发明名称为“显示装置、制造该显示装置的方法和电子设备”的申请号为201310526684.4的专利申请的分案申请。
相关申请的交叉参考
本申请主张享有于2012年11月19日提交的日本优先权专利申请JP2012-253065的权益，因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及具有电流驱动型显示元件的显示装置、制造所述显示装置的方法和含有所述显示装置的电子设备。
背景技术
近年来，在显示图像的显示装置的领域中，开发出了使用发光亮度根据所流过的电流值而变化的电流驱动型光学元件(例如，使用有机EL(电致发光)元件)作为发光元件的显示装置(有机EL显示装置)，且其商品化正在进展中。与液晶元件不同，发光元件是自发光元件，且因此不需要背光(backlight)。于是，与必须有背光的液晶显示装置相比，有机EL显示装置具有图像视认度高、电力消耗低和元件响应速度快的特点。
不仅在固定型电视接收器中而且在诸如智能手机等移动终端中，都渴望在显示装置中显示出高清晰度图像。鉴于以上所述，为了提高显示装置的分辨率，开发了各种技术。例如，在日本待审查专利申请公开案第2008-83084中，公开了如下的显示装置：其中，在具有呈所谓5Tr1C配置的子像素的有机EL显示装置中，在水平方向上相邻的红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子像素共用一开关晶体管(电源晶体管)。在这个显示装置中，三个子像素如上所述共用了电源晶体管以减少元件的数量和提高分辨率。
发明内容
如上所述，在显示装置中，渴望显示出高清晰度图像且期望提高分辨率。
本发明期望提供均能够提高分辨率的一种显示装置、一种制造所述显示装置的方法和一种电子设备。
根据本发明实施例的显示装置，其包括：多个单位像素，所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管，所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动；以及单条电源线，所述单条电源线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，这里所设置的所述单条电源线是针对单位像素对分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
根据本发明实施例的制造显示装置的方法，其包括：在基板上形成晶体管的步骤，在该步骤中，由离子注入装置进行扫描的第一方向与由准分子激光退火装置进行扫描的第二方向相交；以及形成显示元件的步骤。
根据本发明实施例的电子设备，其设置有显示装置和控制部，所述控制部被构造用于进行对所述显示装置的操作控制。所述显示装置包括：多个单位像素，所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管，这里所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动；以及单条电源线，所述单条电源线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，这里所设置的所述单条电源线是针对单位像素对分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
所述电子设备的一些示例可以包括TV设备、数码相机、个人电脑、摄像机和诸如移动电话等便携式终端设备。
在根据本发明上述各个实施例的所述显示装置、制造所述显示装置的方法和所述电子设备中，所述多个单位像素是沿所述第一方向而被扫描和驱动的。所设置的所述单条电源线是针对所述单位像素对被分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
根据本发明上述各个实施例的所述显示装置、制造所述显示装置的方法和所述电子设备，所设置的所述单条电源线是针对所述单位像素对而被分配的，所述单位像素对是在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。因此，能够提高分辨率。
应理解，前面的一般性说明和下面的详细说明都是示例的，且意在为本发明要求保护的技术提供进一步的解释。
附图说明
这里所包括的附图提供了对本发明的进一步理解，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。
图1是图示了根据参考示例的显示装置的一个配置示例的方框图。
图2是图示了在图1所示的显示部中的电路配置示例的电路图。
图3是图示了在图1所示的显示部中的子像素的电路配置示例的电路图。
图4是图示了在图1所示的显示部中的晶体管的一个配置示例的解释图。
图5是图示了图3所示的发光元件的布置的解释图。
图6是图示了图3所示的发光元件的配置的示意图。
图7是图示了图3所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
图8是图示了根据变型示例的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
图9是图示了图1所示的驱动部的一个操作示例的时序波形图。
图10是图示了图1所示的显示装置的一个操作示例的时序波形图。
图11是图示了在图1所示的显示装置的在写入期间内的一个操作示例的时序波形图。
图12是图示了由于通过ELA装置进行的处理而导致的阈值电压Vth的变化的示意图。
图13是图示了由于通过离子注入装置进行的处理而导致的阈值电压Vth的变化的示意图。
图14是图示了图2所示的子像素的布置的解释图。
图15是图示了在图2所示的子像素中的驱动晶体管的布置的解释图。
图16是图示了根据比较示例的显示部的电路配置示例的电路图。
图17是图示了根据另外一个参考示例的显示装置的一个配置示例的方框图。
图18是图示了图17所示的显示部的电路配置示例的电路图。
图19是图示了图18所示的发光元件的布置的解释图。
图20是图示了图18所示的发光元件的配置的示意图。
图21是图示了图18所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
图22是图示了图18所示的发光元件的配置的示意图。
图23是图示了图18所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
图24是图示了图18所示的驱动部的一个操作示例的时序波形图。
图25是图示了根据另外一个参考示例的像素的一个布置示例的解释图。
图26是图示了根据另外一个参考示例的像素的一个布置示例的解释图。
图27是图示了根据另外一个参考示例的像素的一个布置示例的解释图。
图28是图示了根据另外一个参考示例的像素的一个布置示例的解释图。
图29是图示了根据另外一个参考示例的显示部的电路配置示例的电路图。
图30是图示了在图29所示的显示部中的子像素的电路配置示例的电路图。
图31是图示了根据另外一个参考示例的晶体管的一个配置示例的解释图。
图32是图示了根据另外一个参考示例的子像素中的驱动晶体管的布置的解释图。
图33是图示了根据实施例的显示装置的一个配置示例的方框图。
图34是图示了图33所示的显示部的电路配置示例的电路图。
图35是图示了在图33所示的显示部中的子像素的电路配置示例的电路图。
图36是图示了图33所示的驱动部的一个操作示例的时序波形图。
图37是图示了图33所示的显示装置的一个操作示例的时序波形图。
图38是图示了图34所示的子像素的布置的解释图。
图39是图示了在图34所示的子像素中的驱动晶体管的布置的解释图。
图40是图示了根据实施例的一个变型示例的显示装置的一个配置示例的方框图。
图41是图示了图40所示的显示部的电路配置示例的电路图。
图42是图示了图40所示的驱动部的一个操作示例的时序波形图。
图43是图示了根据实施例的另外一个变型示例的显示装置的一个配置示例的方框图。
图44是图示了图43所示的显示部的电路配置示例的电路图。
图45是图示了图43所示的显示装置的一个操作示例的时序波形图。
图46是图示了应用了根据实施例的显示装置的TV设备的外观配置的透视图。
图47是图示了根据一个变型示例的显示部的电路配置示例的电路图。
图48是图示了根据另一变型示例的发光元件的配置的示意图。
图49是图示了图48所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
图50是图示了根据又一变型示例的发光元件的配置的示意图。
图51是图示了图50所示的发光元件的要部的横断面结构的横断面图。
具体实施方式
在下文中，参照附图详细地说明本发明的实施例。在这里，以下面的顺序进行说明。
1.参考示例
2.实施例
3.应用示例
1.参考示例
[配置示例]
在说明根据实施例的显示装置之前，首先说明参考示例。图1图示了根据参考示例的显示装置的一个配置示例。显示装置1是使用发光元件的有源矩阵型显示装置。该显示装置1包括显示部10和驱动部20。
显示部10具有以矩阵形状布置的多个像素Pix。每个像素Pix具有红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素11。此外，显示部10具有在行方向上延伸的多条扫描线WSL、电源线PL和电源控制线DSL，且具有在列方向上延伸的多条数据线DTL。扫描线WSL、电源线PL、电源控制线DSL和数据线DTL各自的一端连接到驱动部20。上述子像素11中的每一者都布置在扫描线WSL与数据线DTL的交点处。
图2图示了显示部10的电路配置的一个示例。图2图示了在显示部10中的第k行像素Pix。像素Pix具有红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素11(11R、11G、11B和11W)。在这个示例中，四个子像素11R、11G、11B和11W以两行两列的方式布置在像素Pix中。具体地，在像素Pix中，红(R)的子像素11R布置在左上方、绿(G)的子像素11G布置在右上方、白(W)的子像素11W布置在左下方且蓝(B)的子像素11B布置在右下方。在四个子像素11R、11G、11B和11W中，子像素11R及11W连接到扫描线WSL、电源线PL、电源控制线DSL和数据线DTL。另一方面，子像素11G及11B连接到扫描线WSL和数据线DTL。子像素11R及11G连接到同一扫描线WSL，子像素11W及11B连接到同一扫描线WSL。此外，子像素11R和11W连接到同一数据线DTL，且子像素11G和11B连接到同一数据线DTL。如在下文中说明的那样，子像素11R连接到子像素11G，且子像素11W连接到子像素11B。
图3图示了子像素11R和11G的电路配置的一个示例。此外，对子像素11W和11B而言也是大致如此。子像素11R具有写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、电源晶体管DSTr、电容Cs和发光元件30。子像素11G具有写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、电容Cs和发光元件30。子像素11R和11G共用电源晶体管DSTr。即，子像素11R和11G中的每一者都由三个晶体管(写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr和电源晶体管DSTr)和一个电容Cs配置而成。在所谓“3Tr1C”配置中，将子像素11R和11G配置成共用电源晶体管DSTr。在这个示例中，在子像素11R和11G中，子像素11R具有电源晶体管DSTr；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，子像素11G可以具有电源晶体管DSTr。
写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr例如可以由N沟道MOS(金属氧化物半导体)型TFT(薄膜晶体管)配置而成。此外，电源晶体管DSTr例如可以由P沟道MOS型TFT配置而成；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，写入晶体管WSTr可以由P沟道MOS型TFT配置而成。此外，电源晶体管DSTr可以由N沟道MOS型TFT配置而成。例如，可以通过使用LTPS(低温多晶硅)工艺来形成这些晶体管。例如，因为在该LTPS工艺中能够实现高迁移率μ，所以使得晶体管小型化且实现高分辨率。形成方法并不限于LTPS工艺。代替上面所述的是，例如，可以通过使用非晶硅(a-Si)TFT工艺或氧化物TFT工艺来形成上述那些晶体管。
在子像素11R和11G的每一者中，在写入晶体管WSTr中，栅极连接到扫描线WSL，源极连接到数据线DTL，且漏极连接到驱动晶体管DRTr的栅极和电容Cs的一端。在驱动晶体管DRTr中，栅极连接到写入晶体管WSTr的漏极和电容Cs的一端，漏极连接到子像素11R中的电源晶体管DSTr的漏极，且源极连接到电容Cs的另一端和发光元件30的阳极。在子像素11R中，在电源晶体管DSTr中，栅极连接到电源控制线DSL，源极连接到电源线PL，且漏极连接到子像素11R中的驱动晶体管DRTr的漏极和子像素11G中的驱动晶体管DRTr的漏极。
图4图示了TFT的一个配置示例，其中，(A)图示了横断面图且(B)图示了要部的平面图。该TFT具有栅极电极110和多晶硅层140。栅极电极110形成在可以由玻璃制成的基板100上。栅极电极110可以由例如钼Mo制成。在栅极电极110及基板100的上方，依次形成绝缘层120和130。绝缘层120可以由例如氮化硅(SiNx)形成，且绝缘层130可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。多晶硅层140形成在绝缘层130上。如在下文中所述，非晶硅层形成在绝缘层130上且经受使用ELA(Excimer Laser Anneal，准分子激光退火)装置的退火处理，从而形成了多晶硅层140。多晶硅层140由沟道区141、LDD(轻掺杂漏极)142和接触区143配置而成。如在下文中所述，通过使用离子注入装置或离子掺杂装置来注入离子，从而形成上述各区域。如上所述，在这个示例中，栅极电极110形成在多晶硅层140的下面。即，该TFT包括所谓的底栅结构。在多晶硅层140和绝缘层130的上方，绝缘层150和160以此顺序形成。类似于绝缘层130，绝缘层150可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。类似于绝缘层120，绝缘层160可以由例如氮化硅(SiNx)形成。在绝缘层160上，形成有配线170。在绝缘层150和160中，开口形成在与多晶硅层140的接触区143相对应的区域中。此外，配线170被形成为通过该开口与接触区143连接。
如在下文中所述，在显示部20中，在其中电源晶体管DSTr被共用的一对子像素11中的驱动晶体管DRTr被形成为并排设置于由离子注入装置进行的扫描方向上、以及由ELA装置进行的与该扫描方向相交的扫描方向上。具体地，如在下文中所述，在这个示例中，在属于同一像素Pix的子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr如上所述地并排设置着。此外，在属于同一像素Pix的子像素11W和11B中的驱动晶体管DRTr如上所述地并排设置着。如在下文中所述，这使得这些驱动晶体管DRTr的特性(特别地，阈值电压Vth)能够彼此处于相同的水平。即，形成在显示部20中的各个晶体管的特性在平面内是变化的。然而，通过这样的布置，使得在属于同一像素Pix的子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的特性大体上相同。此外，使得在属于同一像素Pix的子像素11W和11B中的驱动晶体管DRTr的特性大体上相同。
如在图3中所述，在子像素11R和11G每一者中，电容Cs的一端连接到驱动晶体管DRTr的栅极和写入晶体管WSTr的漏极。此外，电容Cs的另外一端连接到驱动晶体管DRTr的源极和发光元件30的阳极。
发光元件30是发出与各个子像素11R、11G、11B和11W相对应的颜色(红、绿、蓝或白)的光的发光元件，且发光元件30由有机EL元件配置而成。发光元件30的阳极连接到驱动晶体管DRTr的源极和电容Cs的所述另外一端，且发光元件30的阴极由驱动部20提供阴极电压Vcath。
图5图示了在显示部10中的发光元件30的布置。图6示意性地图示了在像素Pix中的发光元件30的配置。图7图示了发光元件30的要部的横断面结构。
如在图6和图7中所示，发光元件30由发光层32和彩色滤光片31配置而成。发光层32形成在阳极电极层34和阴极电极层37之间。在这个示例中，发光层32可以通过将发射黄(Y)光的黄色发光层35和发射蓝(B)光的蓝色发光层36层叠起来而形成，从而发出白(W)光。从发光层32中发出的光穿过彩色滤光片31且从显示部10的显示表面中输出。在各个子像素11R、11G、11B和11W中，设置有开口33，且已经穿过该开口33的光从显示表面中输出。在如上所述的将发光层层叠起来的情况下，可以改变发光层的顺序。具体地，在这个示例中，发光层32的蓝色发光层36布置在阴极电极层37侧且发光层32的黄色发光层35布置在阳极电极层34侧；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，黄色发光层35可以布置在阴极电极层37侧且蓝色发光层36可以布置在阳极电极层34侧。此外，不特别限定发光元件30的类型。例如，发光元件30可以是所谓的顶部发射型发光元件，该类型的发光元件从发光层32在与其上形成有元件和配线的基板相反的方向上发射光；或者是所谓的底部发射型发光元件，该类型的发光元件从发光层32在基板的方向上发射光。
在这个示例中，黄色发光层35可以由发射黄(Y)光的材料配置而成；然而，并不限于此。代替上面所述的是，如在图8中所示，例如，发射绿(G)光的材料可以掺杂在发射红(R)光的材料中以构成黄色发光层35A。在这个示例中，也可以改变发光层的层叠顺序。
如在图1中所示，基于从外部提供的图像信号Sdisp和同步信号Ssync，驱动部20驱动显示部10。驱动部20包括图像信号处理部21、时序生成部22、扫描线驱动部23、电源控制线驱动部25、电源线驱动部26和数据线驱动部27。
图像信号处理部21对从外部提供的图像信号Sdisp进行预定的信号处理以便生成图像信号Sdisp2。预定的信号处理的示例可以包括伽马校正(gamma correction)和过驱校正(overdrive correction)。
基于从外部提供的同步信号Ssync，时序生成部22向扫描线驱动部23、电源控制线驱动部25、电源线驱动部26和数据线驱动部27提供控制信号，且控制它们彼此同步地进行操作。
根据从时序生成部22中提供的控制信号，扫描线驱动部23依次施加扫描信号WS到多条扫描线WSL，从而依次选择子像素11。具体地，如在图2中所示，扫描线驱动部23向子像素11R和11G提供扫描信号WSA，且向子像素11W和11B提供扫描信号WSB，从而依次选择子像素11。
根据从时序生成部22中提供的控制信号，电源控制线驱动部25依次施加电源控制信号DS1到多条电源控制线DSL，从而控制子像素11的发光操作和消光操作。具体地，如在图2中所示，电源控制线驱动部25向子像素11R和11G提供电源控制信号DS1A，且向子像素11W和11B提供电源控制信号DS1B，从而控制子像素11。
根据从时序生成部22中提供的控制信号，电源线驱动部26依次施加电源信号DS2到多条电源线PL，从而控制子像素11的发光操作和消光操作。具体地，如在图2中所示，电源线驱动部26向子像素11R和11G提供电源信号DS2A，且向子像素11W和11B提供电源信号DS2B，从而控制子像素11。电源信号DS2在电压Vccp和电压Vini之间转移。如在下文中所述，电压Vini是将子像素11初始化的电压，且电压Vccp是使电流Ids流经驱动晶体管DRTr并且使发光元件30发光的电压。
根据从图像信号处理部21中提供的图像信号Sdisp2和从时序生成部22中提供的控制信号，数据线驱动部27生成信号Sig且将这些信号Sig施加到各条数据线DTL，所述信号Sig含有用于指示各个子像素11的发光亮度的像素电压Vsig和用于进行在下文中说明的Vth校正的电压Vofs。
通过这样的配置，如在下文中所述，驱动部20在一个水平期间(1H)内进行为了抑制由像素Pix中所包括的四个子像素11(11R、11G、11B和11W)上的驱动晶体管DRTr的元件差异施加到图像质量上的影响的校正(Vth校正)。然后，驱动部20对子像素11进行像素电压Vsig的写入，且发光元件30发射具有与写入的像素电压Vsig对应的亮度的光。
[操作和作用]
接着，说明根据参考示例的显示装置1的操作和作用。
(整体操作概要)
首先，参照图1说明显示装置1的整体操作概要。图像信号处理部21对从外部提供的图像信号Sdisp进行预定的信号处理以生成图像信号Sdisp2。基于从外部提供的同步信号Ssync，时序生成部22向扫描线驱动部23、电源控制线驱动部25、电源线驱动部26和数据线驱动部27提供控制信号，且控制它们彼此同步地进行操作。根据从时序生成部22中提供的控制信号，扫描线驱动部23依次施加扫描信号WS(WSA、WSB)到多条扫描线WSL，从而依次选择子像素11。根据从时序生成部22中提供的控制信号，电源控制线驱动部25依次施加电源控制信号DS1(DS1A和DS1B)到多条电源控制线DSL，从而控制子像素11的发光操作和消光操作。根据从时序生成部22中提供的控制信号，电源线驱动部26依次施加电源信号DS2(DS2A和DS2B)到多条电源线PL，从而控制子像素11的发光操作和消光操作。根据从图像信号处理部21中提供的图像信号Sdisp2和从时序生成部22中提供的控制信号，数据线驱动部27生成信号Sig且将这些信号Sig施加到各条数据线DTL，所述信号Sig含有与各个子像素11的亮度相对应的像素电压Vsig和用于进行Vth校正操作的电压Vofs。基于从驱动部20中提供的扫描信号WS、电源控制信号DS1、电源信号DS2和信号Sig，显示部10进行显示。
(详细操作)
接着，说明显示装置1的详细操作。
图9图示了驱动部20的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WS(WSA和WSB)的波形、(B)图示了电源控制信号DS1(DS1A和DS1B)的波形、(C)图示了电源信号DS2(DS2A和DS2B)的波形，且(D)图示了信号Sig的波形。在图9的(A)中，扫描信号WSA(k)和WSB(k)是驱动第k行像素Pix的扫描信号WS，且扫描信号WSA(k+1)和WSB(k+1)是驱动第(k+1)行像素Pix的扫描信号WS。对于电源控制信号DS1(图9的(B))和电源信号DS2(图9的(C))而言也是大致如此。
驱动部20的扫描线驱动部23依次施加具有脉冲形状的扫描信号WS到扫描线WSL(图9的(A))。在这种情况下，扫描线驱动部23在一个水平期间(1H)内依次施加脉冲到两条扫描线WSL。对于电源线PL，电源线驱动部26只有在扫描信号WS的脉冲的开始时间之后的预定期间(时间t1～t2等)内以电压Vini施加电源信号DS2，且在其他期间内以电压Vccp施加电源信号DS2(图9的(C))。对于电源控制线DSL，电源控制线驱动部25只有在含有扫描信号WS的脉冲的终止时间的预定期间(时间t3～t5等)内以高电平施加电源控制信号DS1，且在其他期间内以低电平施加电源控制信号DS1(图9的(B))。对于数据线DTL，数据线驱动部27在电源控制信号DS1变成高电平的期间(时间t3～t5等)内施加像素电压Vsig，且在其他期间内施加电压Vofs(图9的(D))。
这样，驱动部20在一个水平期间(时间t1～t6)的前半期间(时间t1～t5)内驱动在第k行像素Pix中的子像素11R和11G，且在该一个水平期间(时间t1～t6)的后半期间(时间t5～t6)内驱动在第k行像素Pix中的子像素11W和11B。同样地，驱动部20在下一个水平期间(时间t6～t8)的前半期间(时间t6～t7)内驱动在第(k+1)行像素Pix中的子像素11R和11G，且在该下一个水平期间(时间t6～t8)的后半期间(时间t7～t8)内驱动在第(k+1)行像素Pix中的子像素11W和11B。
图10是图示了在时间t1～t5期间内的子像素11R和11G的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WSA的波形、(B)图示了电源控制信号DS1A的波形、(C)图示了电源信号DS2A的波形、(D)图示了提供给子像素11R的信号Sig的波形、(E)图示了在子像素11R中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形、(F)图示了在子像素11R中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形、(G)图示了提供给子像素11G的信号Sig的波形、(H)图示了在子像素11G中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形、且(I)图示了在子像素11G中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形。在图10的(C)～(F)中，通过使用同一电压轴来图示每个波形，且同样地，在图10的(G)～(I)中，通过使用同一电压轴来图示每个波形。为了便于说明，与电源信号DS2A(图10的(C))的波形相同的波形也被图示在与图10的(G)～(I)的电压轴相同的电压轴上。
在一个水平期间(1H)的前半期间内，驱动部20初始化子像素11R和11G(初始化期间P1)、进行为了抑制由驱动晶体管DRTr的元件差异施加到图像质量上的影响的Vth校正操作(Vth校正期间P2)、以及在子像素11R和11G中写入像素电压Vsig(写入期间P3)。然后，在子像素11R和11G中的发光元件30发射具有与写入的像素电压Vsig对应的亮度的光(发光期间P4)。同样地，在一个水平期间(1H)的后半期间内，驱动部20对子像素11W和11B进行初始化操作、Vth校正操作和像素电压Vsig的写入操作。然后，子像素11W和11B中的发光元件30发光。下面详细说明对子像素11R和11G进行的驱动操作。
在时间t1～t2期间(初始化期间P1)内，驱动部20首先初始化子像素11R和11G。具体地，在时间t1时，数据线驱动部27首先将提供给子像素11R和11G的信号Sig设定为电压Vofs(图10的(D)和(G))。此外，扫描线驱动部23将扫描信号WSA的电压从低电平改变到高电平(图10的(A))。因此，子像素11R和11G中的写入晶体管WSTr导通，且子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg被设定为电压Vofs(图10的(E)和(H))。与上述同时，电源线驱动部26将电源信号DS2A从电压Vccp改变到电压Vini(图10的(C))。因此，驱动晶体管DRTr导通，且驱动晶体管DRTr的源极电压Vs被设定为电压Vini(图10的(F)和(I))。结果，在子像素11R和11G中，将驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs(＝Vofs-Vini)设定为大于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth的电压，且子像素11R和11G被初始化。
接着，驱动部20在时间t2～t3期间(Vth校正期间P2)内进行Vth校正操作。具体地，在时间t2时，电源线驱动部26将电源信号DS2A从电压Vini改变到电压Vccp(图10的(C))。因此，子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr在饱和区处进行操作，电流Ids从漏极流向源极，且源极电压Vs上升(图10的(F)和(I))。在这样的情况下，源极电压Vs低于发光元件30的阴极的电压Vcath。因此，发光元件30保持反向偏压(reverse bias)状态且电流不能在发光元件30中流动。这样，源极电压Vs上升以减小栅极-源极间电压Vgs，从而减小电流Ids。通过上述的负反馈操作，电流Ids收敛到“0”(零)。换言之，子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs收敛以等于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth(Vgs＝Vth)。
下面详细说明Vth校正的操作。通过使用接下来的表达式来表示驱动晶体管DRTr的从漏极流向源极的电流Ids。
[数学表达式1]
在这里，符号“t”表示使用Vth校正操作开始的时间t2(图10)作为基准的时间。此外，在驱动晶体管DRTr中，W表示栅极宽度、L表示栅极长度、Cox表示氧化物膜电容量、且μ表示迁移率。
将该电流Ids提供给电容Cs的所述另外一端，且电容Cs两端间的电压(＝Vgs)发生变化。通过接下来的表达式来表示这样的行为。
[数学表达式2]
通过使用表达式(1)和(2)，获得接下来的关于栅极-源极间电压Vgs的随时间变化的表达式。
[数学表达式3]
在这里，Vgs(0)等于在时间t2时的栅极-源极间电压Vgs(＝Vofs-Vini)。
这样，在Vth校正期间P2内，随着时间的消逝，栅极-源极间电压Vgs如由表达式(3)所表示的那样逐渐地减小。当经过了足够长的时间时，表达式(3)的右手边大体上等于“0”(零)。因此，栅极-源极间电压Vgs变成与阈值电压Vth处于相同的水平。
接下来，在时间t3～t4期间(写入期间P3)内，驱动部20针对子像素11R和11G进行像素电压Vsig的写入操作。具体地，在时间t3时，电源控制线驱动部25首先将电源控制信号DS1A的电压从低电平改变到高电平(图10的(B))。因此，电源晶体管DSTr关断。与上述同时，数据线驱动部27将提供给子像素11R和11G的信号Sig设定为像素电压Vsig(VsigR和VsigG)(图10的(D)和(G))。因此，子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从电压Vofs上升到像素电压Vsig(VsigR和VsigG)(图10的(D)和(G))。此外，子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs相应地再次有所上升(图10的(F)和(I))。结果，将子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs设定为与像素电压Vsig对应的电压。在这样的情况下，在像素电压Vsig不同于与黑色显示相对应的电压的情况下，栅极-源极间电压Vgs变得大于阈值电压Vth(Vgs>Vth)。因此，驱动晶体管DRTr导通，且这些驱动晶体管DRTr的源极电压Vs变得大体上彼此相等。
图11是图示了对子像素11R和11G进行的像素电压Vsig的写入操作的时序图，其中，图11的(A)图示了对子像素11R的操作，且图11的(B)图示了对子像素11G的操作。在这个示例中，写入至子像素11R的像素电压VsigR低于写入至子像素11G的像素电压VsigG。在这样的情况下，在写入期间P3内，在子像素11R中的驱动晶体管DRTr的源极电压大体上等于在子像素11G中的驱动晶体管DRTr的源极电压。即，假设不共用电源晶体管DSTr且子像素11R和11G均具有电源晶体管DSTr。在这样的情况下，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs都处在与像素电压Vsig对应的水平。此时，在像素电压Vsig为低的情况下，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs等于较低电压Vs1(图11的(A))。在像素电压Vsig为高的情况下，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs等于较高电压Vs2(图11的(B))。另一方面，在显示部10中，子像素11R和11G中的两个驱动晶体管DRTr的源极经由该两个驱动晶体管DRTr连接起来。因此，源极电压Vs大体上彼此相等。这意味着，在子像素11R和11G中，像素电压Vsig较低的子像素(在这个示例中，子像素11R)发射较暗的光且像素电压Vsig较高的子像素(在这个示例中，子像素11G)发射较亮的光。相应地，鉴于这样的行为，数据线驱动部27可以如愿地校正像素电压Vsig以便子像素可以发射具有预期亮度的光。
接着，在时间t4时，扫描线驱动部23将扫描信号WSA的电压从高电平改变到低电平(图10的(A))。因此，在子像素11R和11G中的写入晶体管WSTr关断，且驱动晶体管DRTr的栅极处于悬浮状态。因此，接着，保持着电容Cs两端之间的电压，即驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs。
在时间t5或之后的期间(发光期间P4)内，驱动部20接着使子像素11R和11G发光。具体地，在时间t5时，电源控制线驱动部25将电源控制信号DS1A从高电平改变到低电平(图10的(B))。因此，电源晶体管DSTr导通且电流Ids流经子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr。当电流Ids流经驱动晶体管DRTr时，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs上升(图10的(F)和(I))。驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg相应地上升(图10的(E)和(H))。通过这样的自举(bootstrap)操作，当驱动晶体管DRTr的源极电压Vs变得大于发光元件30的阈值电压Vel与电压Vcath之和(Vel+Vcath)时，电流在发光元件30的阳极和阴极之间流动，且发光元件30发光。即，依照发光元件30的元件差异，源极电压Vs上升且发光元件30发光。
如上所述，说明了在一个水平期间(时间t1～t6)中的前半期间(时间t1～t5)内在子像素11R和11G中的初始化操作、Vth校正操作和像素电压Vsig的写入操作。同样地，在继续的后半期间(图9中的时间t5～t6)内，子像素11W和11B进行初始化操作、Vth校正操作和像素电压Vsig的写入操作。
然后，在显示装置1中，在经过预定的期间(一帧周期)之后，发光期间P3转移到写入期间P1。驱动部20重复地驱动这一系列的操作。
(关于驱动晶体管DRTr的布置)
如在图2和图3中所示，在显示装置1中，多个子像素11(在这个示例中，两个子像素11)共用电源晶体管DSTr。在与该电源晶体管DSTr的共用有关的多个子像素11中，令人期望的是，驱动晶体管DRTr中的阈值电压Vth可以大体上彼此相等。具体地，在这个示例中，令人期望地，在属于同一像素Pix的子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth可以大体上彼此相等。同时，令人期望地，在属于同一像素Pix的子像素11W和11B中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth可以大体上彼此相等。否则，例如，会存在这样的可能性：在时间t3～t4期间内，子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs可能变得大体上彼此相等，这可能导致先前进行的Vth校正操作的结果受到干扰且可能导致图像质量下降。
驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth的差异可受到由晶体管的形成步骤中的例如多晶硅层140形成步骤所造成的巨大影响。在这个步骤中，首先在绝缘层130(图4)上形成非晶硅层。然后，通过使用ELA装置对非晶硅层进行退火处理，从而形成多晶硅层140。然后，通过使用离子注入装置将离子注入到该多晶硅层140的沟道区141和LDD 142。此外，通过使用离子掺杂装置将离子注入到接触区143。在使用ELA装置的处理中和在使用离子注入装置的处理中，对晶体管的阈值电压Vth的差异施加了影响。
图12示意性地图示了由于使用ELA装置的处理所导致的阈值电压Vth的差异。图13示意性地图示了由于使用离子注入装置的处理所导致的阈值电压Vth的差异。图12和图13图示了在大的玻璃基板99上形成多个显示部10的情况。
如在图12中所示，在ELA装置例如以大约数百Hz开启和关断条形激光束(激光束LB1)的同时，该ELA装置在扫描方向D1上扫描玻璃基板99，从而对整个玻璃基板99进行处理。此时，存在这样的可能性：激光能量在各次发射中是变化的，且在扫描方向D1上相邻的晶体管的特性相应地是变化的。在这样的情况下，与正交于扫描方向D1的方向(图12的水平方向)相比，在扫描方向D1(图12的纵向)上晶体管的阈值电压Vth是差异很大的。
此外，如在图13中所示，在离子注入装置开启条形激光束(激光束LB2)的同时，该离子注入装置在扫描方向D2上扫描玻璃基板99，从而对整个玻璃基板99进行处理。如上所述，离子注入装置是不断地发射激光束，且因此，与上述的ELA装置的情况不同的是，几乎不会导致在扫描方向D2上相邻的晶体管的差异。另一方面，在条形激光束的长轴方向(正交于扫描方向D2的方向)上，激光能量很可能是不均匀的，且在这个长轴方向上相邻的晶体管的特性很可能是变化的。在这样的情况下，与扫描方向D2(图13的横向)相比，在正交于扫描方向D2的方向(图13的纵向)上晶体管的阈值电压Vth是差异很大的。
为了解决这样的问题，如在图12和图13中所示，将由ELA装置进行的扫描方向D1和由离子注入装置进行的扫描方向D2设置为彼此正交就可以抑制在图12和图13的横向上的晶体管的阈值电压Vth的差异。
图14图示了扫描方向D1与D2之间的关系和在显示部10中的子像素11的布置。图15图示了扫描方向D1与D2之间的关系和在每个子像素11中的驱动晶体管DRTr的布置。
如在图14中所示，在显示部10中，属于同一像素Pix的子像素11R和11G在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图14的横向)上并排设置着。同样地，属于同一像素Pix的子像素11W和11B在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图14的横向)上并排设置着。
更具体地，如在图15中所示，属于同一像素Pix的子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图15的横向)上并排设置着。同样地，属于同一像素Pix的子像素11W和11B中的驱动晶体管DRTr在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图15的横向)上并排设置着。各个驱动晶体管DRTr被布置成使它的长度(L)方向与扫描方向D2相符。
因此，属于同一像素Pix的子像素11R和11G中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth变得大体上彼此相等。同时，属于同一像素Pix的子像素11W和11B中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth变得大体上彼此相等。
(比较示例)
接着，说明根据比较示例的显示装置1R。比较示例具有其中不共用电源晶体管DSTr且每个子像素11都具有电源晶体管DSTr的配置。其他的配置与参考示例(图1)的配置相同。
图16图示了根据显示装置1R的显示部10R的电路配置的一个示例。在显示部10R中，像素Pix中所包括的四个子像素19R、19G、19B和19W均具有所谓的“3Tr1C”配置。即，在根据参考示例的显示部10(图2)中，子像素11G和11B均省略了对电源晶体管DSTr的设置，且共用子像素11R和11W的电源晶体管DSTr。然而，在根据比较示例的显示部10R中，与子像素19R和19W一样，子像素19G和19B也均具有电源晶体管DSTr。
这样，在根据比较示例的显示部10R中，因为所有的子像素19都具有所谓的“3Tr1C”配置，所以晶体管的数量是大的。这增加了像素Pix的面积，使得难以提高分辨率。
与此相反，在根据参考示例的显示部10中，在像素Pix中所包括的四个子像素11之中，除去了两个子像素11G和11B的每一者中的电源晶体管DSTr，且子像素11G和11B共用子像素11R和11W的电源晶体管DSTr，因而使得能够减少晶体管的数量。因此，使像素Pix的面积变小了，且提高了显示装置1的分辨率。
[效果]
如上所述，在参考示例中，电源晶体管由多个子像素共用。因此，能够提高显示装置的分辨率。
此外，在参考示例中，因为在水平方向上彼此相邻的多个子像素共用电源晶体管，所以使操作简化。
此外，在参考示例中，由ELA装置进行的扫描方向与由离子注入装置进行的扫描方向彼此相交。因此，抑制了在与由ELA装置进行的扫描方向相交的方向上和在与由离子注入装置进行的扫描方向相同的方向上的晶体管的特性差异。
此外，在参考示例中，与电源晶体管的共用相关联的多个子像素中的驱动晶体管在与由ELA装置进行的扫描方向相交的方向上和在与由离子注入装置进行的扫描方向相同的方向上并排设置着。因此，使得它们的驱动晶体管的阈值电压大体上彼此相等，且抑制了图像质量的下降。
[另外一个参考示例1-1]
在前述参考示例中，像素Pix由红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素11配置而成；然而，并不限于此。下面详细说明本参考示例。
图17图示了根据本参考示例的显示装置1A的一个配置示例。显示装置1A包括显示部10A和驱动部20A。显示部10A的每个像素Pix具有红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子像素12。驱动部20A包括扫描线驱动部23A、电源控制线驱动部25A、电源线驱动部26A和数据线驱动部27A。
图18图示了在显示部10A中的第k行和第(k+1)行像素Pix的电路配置的一个示例。在显示部10A中，红(R)、绿(G)和蓝(B)的均具有电源晶体管DSTr的三个子像素12R、12G和12B以及红(R)、绿(G)和蓝(B)的均没有电源晶体管DSTr的三个子像素12R1、12G1和12B1并排布置。具体地，子像素12R、12G1、12B、12R1、12G和12B1在水平方向上以该顺序重复地布置。与根据上述的参考示例的显示部10一样，在显示部10A中，在水平方向上相邻的两个子像素12被配置成共用电源晶体管DSTr。此外，三个子像素12R、12G1和12B构成像素Pix，或三个子像素12R1、12G和12B1构成像素Pix。
图19图示了在显示部10A中的发光元件40的布置。图20示意性地图示了发光元件40的配置。图21图示了发光元件40的要部的横断面结构，图中的标记44图示了阳极电极层，标记47图示了阴极电极层。彩色滤光片41和开口43针对红(R)、绿(G)和蓝(B)三个发光元件40而形成。与发光层32一样，发光层42是通过将黄色发光层45和蓝色发光层46层叠起来而形成的，且发射白(W)的光。当如上所述地将发光层层叠起来时，可以改变发光层的顺序。应注意，发光层42的配置并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图22和图23中所示的发光层42A中，红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层可以分别形成于与红(R)、绿(G)和蓝(B)彩色滤光片41相对应的区域中。此外，图22中的标记40A图示了发光元件。
图24是图示了驱动部20A的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WS的波形、(B)图示了电源控制信号DS1的波形、(C)图示了电源信号DS2的波形，且(D)图示了信号Sig的波形。在图24的(A)中，扫描信号WS(k)是驱动第k行像素Pix的扫描信号WS、扫描信号WS(k+1)是驱动第(k+1)行像素Pix的扫描信号WS、扫描信号WS(k+2)是驱动第(k+2)行像素Pix的扫描信号WS、且扫描信号(k+3)是驱动第(k+3)行像素Pix的扫描信号WS。对电源控制信号DS1(图24的(B))和电源信号DS2(图24的(C))也是大致如此。
驱动部20A的扫描线驱动部23A依次施加具有脉冲形状的扫描信号WS到扫描线WSL(图24的(A))。在这样的情况下，扫描线驱动部23在一个水平期间(1H)内施加脉冲到一条扫描线WSL。与上述的参考示例的情况(图9)一样，电源控制线驱动部25A、电源线驱动部26A和数据线驱动部27A与扫描信号WS同步地向显示部10A提供各个信号。
这样，驱动部20A在时间t1～t5期间内驱动在第k行像素Pix中的子像素13，且在时间t5～t6期间内驱动在第(k+1)行像素Pix中的子像素13。同样地，驱动部20A在时间t6～t7期间内驱动在第(k+2)行像素Pix中的子像素13，且在时间t7～t8期间内驱动在第(k+3)行像素Pix中的子像素13。
在显示装置1A中，属于同一像素Pix的三个子像素12布置在水平方向上；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图25至图27中所示，它们可以被布置成横跨两行。在这些示例中，例如，该三个子像素12中的两个子像素可以布置成在水平方向上是相邻的，且该三个子像素12中的另一个像素可以布置成在垂直方向上与上述两个子像素12中的一者是相邻的。此外，在图26和图27中，视认度低的蓝(B)的子像素12可以被布置成在垂直方向上排成队。即使在这样的情况下，与显示部10A一样，在水平方向上相邻的两个子像素12被配置成共用电源晶体管DSTr。
此外，在上述的参考示例中，像素Pix由红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素11配置而成；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图28中所示，像素Pix可以由红(R)、绿(G)、蓝(B)和黄(Y)四个子像素12配置而成。
[另外一个参考示例1-2]
在上述的参考示例中，在水平方向上相邻的两个子像素11共用电源晶体管DSTr；然而，并不限于此。代替上面所述的是，三个或更多的子像素可以共用电源晶体管DSTr。在图29中，图示了三个子像素13共用电源晶体管DSTr的情况的示例。
[另外一个参考示例1-3]
在上述的参考示例中，发光元件30连接到驱动晶体管DRTr的源极端子；然而，并不限于此。如在图30中所示，例如，还可以将电容Csub连接到驱动晶体管DRTr的源极端子。在这个示例中，这个电容Csub并联到发光元件30；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，电容Csub的一端可以连接到发光元件30的阳极且DC电压可以施加到电容Csub的另一端。
[另外一个参考示例1-4]
在上述的参考示例中，在TFT的配置中，栅极电极110形成在多晶硅层140的下面；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，栅极电极可以形成在多晶硅层的上方。下面详细说明本参考示例。
图31图示了TFT的一个配置示例，其中，图31的(A)图示了横断面图，且图31的(B)图示了要部的平面图。该TFT包括栅极电极250和多晶硅层230。多晶硅层230形成在形成于基板100上的绝缘层210和220的上方。绝缘层210可以由例如氮化硅(SiNx)形成，且绝缘层220可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。与上述的参考示例的情况一样，多晶硅层230由沟道区231、LDD 232和接触区233配置而成。绝缘层240形成在该多晶硅层230上。该绝缘层240可以由例如二氧化硅(SiO2)形成。栅极电极250形成在绝缘层240上。栅极电极250可以由例如钼Mo形成。这样，在这个示例中，栅极电极250形成在多晶硅层230的上方。即，该TFT具有所谓的顶栅(top-gate)结构。在栅极电极250和绝缘层240上方，依次形成了绝缘层260和270。绝缘层260可以由例如二氧化硅(SiO2)形成，且绝缘层270可以由例如氮化硅(SiNx)形成。在绝缘层270上，形成有配线280。在绝缘层240、260和270中，开口形成在与多晶硅层230的接触区233相对应的区域中。此外，通过这样开口，将配线280形成得连接到接触区233。
[另外一个参考示例1-5]
在上述的参考示例中，驱动晶体管DRTr被布置成使其长度(L)方向可以与扫描方向D2相符；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图32中所示，驱动晶体管DRTr可以被布置成使其宽度(W)方向可以与扫描方向D2相符。
2.实施例
接着，说明根据实施例的显示装置2。在本实施例中，在垂直方向上相邻的两个子像素被配置成共用电源晶体管DSTr。在这里，用于制造本发明实施例的显示装置的方法由本实施例体现，且因此一起说明该制造方法。与根据参考示例的显示装置1的组件大体上相同的组件由与显示装置1中相同的附图标记表示，且在适当的情况下省略说明。
图33图示了根据本实施例的显示装置2的一个配置示例。显示装置2包括显示部50和驱动部60。显示部50的每个像素Pix都具有红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素15。驱动部60包括扫描线驱动部63、电源控制线驱动部65、电源线驱动部66和数据线驱动部67。
图34图示了在显示部50中的第k行像素Pix的电路配置的一个示例。像素Pix具有红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素15(15R、15G、15B和15W)。与上述的根据参考示例的显示部10一样，四个子像素15R、15G、15B和15W以两行两列的方式布置在像素Pix中。在四个子像素15R、15G、15B和15W之中，子像素15R及15G连接到扫描线WSL、电源线PL、电源控制线DSL和数据线DTL，且子像素15W及15B连接到扫描线WSL和数据线DTL。含有子像素15R的行和含有子像素15W的行共用电源线PL及电源控制线DSL。如在下文中详细所描述，子像素15R连接到子像素15W，且子像素15G连接到子像素15B。
图35图示了子像素15R和15W的电路配置的一个示例。此外，对子像素15G和15B也是大致如此。子像素15R具有写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、电源晶体管DSTr、电容Cs和发光元件30。子像素15W具有写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、电容Cs和发光元件30。子像素15R和15W共用电源晶体管DSTr。即，上述的根据参考示例的显示部10被配置成使得在水平方向上相邻的两个子像素11可以共用电源晶体管DSTr。相反，根据本实施例的显示部50被配置成使得在垂直方向上相邻的两个子像素15可以共用电源晶体管DSTr。通过这样的配置，能够减少电源晶体管DSTr、电源线PL和电源控制线DSL的数量，且因此提高了显示装置2的分辨率。在这里，在这个示例中，在子像素15R和15W中，子像素15R具有电源晶体管DSTr；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，子像素15W可以具有电源晶体管DSTr。
在子像素15R和15W每一者中，在写入晶体管WSTr中，各个栅极连接到扫描线WSL、各个源极连接到数据线DTL、且各个漏极连接到相应驱动晶体管DRTr的栅极及相应电容Cs的一端。在驱动晶体管DRTr中，各个栅极连接到相应写入晶体管WSTr的漏极及相应电容Cs的一端，各个漏极连接到子像素15R的电源晶体管DSTr的漏极等，且各个源极连接到相应电容Cs的另一端及相应发光元件30的阳极。在子像素15R中，在电源晶体管DSTr中，栅极连接到电源控制线DSL、源极连接到电源线PL、且漏极连接到子像素15R的驱动晶体管DRTr的漏极及子像素15W的驱动晶体管DRTr的漏极。
如在图34中所示，扫描线驱动部63向子像素15R和15G提供扫描信号WSA，且向子像素15W和15B提供扫描信号WSB，从而依次选择子像素15。如在图34中所示，电源控制线驱动部65向子像素15提供电源控制信号DS1，从而控制子像素15的发光操作和消光操作。如在图34中所示，电源线驱动部66向子像素15提供电源信号DS2，从而控制子像素15的发光操作和消光操作。数据线驱动部67生成含有用于指示各个子像素15的发光亮度的像素电压Vsig和用于进行Vth校正操作的电压Vofs的信号sig。
在这里，发光元件30对应于本发明的一个实施例中的“显示元件”的一个特定示例。子像素15R、15G、15B和15W各自对应于本发明的一个实施例中的“单位像素”的一个特定示例。子像素15R和15W、子像素15G和15B各自对应于本发明的一个实施例中的“单位像素对”的一个特定示例。
图36是图示了驱动部60的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WS(WSA、WSB)的波形、(B)图示了电源控制信号DS1的波形、(C)图示了电源信号DS2的波形、且(D)图示了信号Sig的波形。
驱动部60的扫描线驱动部63在一个水平期间(1H)内施加脉冲到两条扫描线WSL(图36的(A))。在两个脉冲中，开始时间(时间t21等)几乎相同；然而，结束时间是不同的(时间t24和时间t26等)。对于电源线PL，电源线驱动部66只有在扫描信号WS的脉冲的开始时间之后的预定期间(时间t21～t22等)内以电压Vini施加电源信号DS2，且在其他期间内以电压Vccp施加电源信号DS2(图36的(C))。对于电源控制线DSL，电源控制线驱动部65只有在含有扫描信号WS的两个脉冲的终止时间(时间t24和时间t26等)的预定期间(时间t23～t27等)内以高电平施加电源控制信号DS1，且在其他期间内以低电平施加电源控制信号DS1(图36的(B))。对于数据线DTL，数据线驱动部67在电源控制信号DS1变成高电平的期间(时间t23～t27等)内施加像素电压Vsig，且在其他期间内施加电压Vofs(图36的(D))。在这样的情况下，在像素Pix中的四个子像素15之中，数据线驱动部67在电源控制信号DS1处于高电平的期间内依次输出与同一数据线DTL连接的两个子像素15的像素电压Vsig。具体地，数据线驱动部67将要写入至子像素15R的像素电压VsigR和要写入至子像素15W的像素电压VsigW以此顺序输出到与子像素15R和15W连接的数据线DTL。此外，数据线驱动部67将要写入至子像素15G的像素电压VsigG和要写入至子像素15B的像素电压VsigB以此顺序输出到与子像素15G和15B连接的数据线DTL。
这样，驱动部60在时间t21～t27期间内驱动第k行像素Pix中的子像素15R、15G、15B和15W。同样地，驱动部60在时间t27～t28期间内驱动第(k+1)行像素Pix中的子像素15R、15G、15B和15W。
图37是图示了在时间t21～t27期间内的子像素15R和15W的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WSA的波形、(B)图示了扫描信号WSB的波形、(C)图示了电源控制信号DS1的波形、(D)图示了电源信号DS2的波形、(E)图示了信号Sig的波形、(F)图示了在子像素15R中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形、(G)图示了在子像素15R中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形、(H)图示了在子像素15W中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形、且(I)图示了在子像素15W中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形。在图37的(D)至(G)中，通过使用同一电压轴来图示每个波形，且同样地，在图37的(H)、(I)中，通过使用同一电压轴来图示每个波形。为了便于说明，与电源信号DS2(图37的(D))的波形和信号Sig(图37的(E))的波形相同的波形也被图示在与图37的(H)、(I)的电压轴相同的电压轴上。
在一个水平期间(1H)内，驱动部60进行子像素15R和15W的初始化操作(初始化期间P1)、进行为了抑制由驱动晶体管DRTr的元件差异施加到图像质量上的影响的Vth校正操作(Vth校正期间P2)、以及对子像素15R和15W进行像素电压Vsig的写入操作(写入期间P3)。然后，子像素15R和15W的发光元件30发射具有与写入的像素电压Vsig对应的亮度的光(发光期间P4)。与上述各操作并行地，驱动部60对子像素15G和15B进行初始化操作、Vth校正操作、和像素电压Vsig的写入操作。然后，子像素15G和15B的发光元件30发光。下面详细地进行说明。
在时间t21～t22期间(初始化期间P1)内，驱动部60首先初始化子像素15R和15W。具体地，在时间t21时，数据线驱动部67将提供给子像素15R和15W的信号Sig的电压设定为电压Vofs(图37的(E))。此外，扫描线驱动部63将扫描信号WSA和WSB的电压从低电平改变到高电平(图37的(A)和(B))。因此，子像素15R和15W中的写入晶体管WSTr导通，且将子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg设定为电压Vofs(图37的(F)和(H))。与上述同时，电源线驱动部66将电源信号DS2从电压Vccp改变到电压Vini(图37的(D))。因此，驱动晶体管DRTr导通，且将驱动晶体管DRTr的源极电压Vs设定为电压Vini(图37的(G)和(I))。结果，在子像素15R和15W中，将驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs(＝Vofs-Vini)设定为大于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth的电压，且子像素15R和15W被初始化。
接着，驱动部60在时间t22～t23期间(Vth校正期间P2)内进行Vth校正操作。具体地，在时间t22时，电源线驱动部66将电源信号DS2从电压Vini改变到电压Vccp(图37的(D))。因此，子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr在饱和区处进行操作，电流Ids从漏极流向源极，且源极电压Vs上升(图37的(G)和(I))。这样，子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs收敛以便等于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth(Vgs＝Vth)。
接着，在时间t23～t26期间(写入期间P3)内，驱动部60对子像素15R和15W进行像素电压Vsig的写入操作。具体地，在时间t23时，电源控制线驱动部65首先将电源控制信号DS1的电压从低电平改变到高电平(图37的(C))。因此，电源晶体管DSTr关断。与上述同时，数据线驱动部67将信号Sig设定为具有像素电压VsigR(图37的(E))。因此，子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从电压Vofs上升到像素电压VsigR(图37的(F)和(H))。子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs也相应地再次有所上升(图37的(G)和(I))。在时间t24时，扫描线驱动部63接着将扫描信号WSA的电压从高电平改变到低电平(图37的(A))。因此，子像素15R中的写入晶体管WSTr关断。随后，保持着子像素15R中的电容Cs两端之间的电压，即，子像素15R中的驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs。在时间t25时，数据线驱动部67接着将信号Sig的电压设定为像素电压VsigW(图37的(E))。因此，将子像素15W中的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从电压VsigR改变到像素电压VsigW(图37的(H))。子像素15W中的驱动晶体管DRTr的源极电压Vs也相应地再次有所上升(图37的(I))。
接着，在时间t26时，扫描线驱动部63将扫描信号WSB的电压从高电平改变到低电平(图37的(B))。因此，子像素15W中的写入晶体管WSTr处于关断状态。随后，保持着子像素15W中的电容Cs两端之间的电压，即，子像素15W中的驱动晶体管DRTr的栅极-源极间电压Vgs。
在时间t27或之后的期间(发光期间P4)内，驱动部60接着使子像素15R和15W发光。具体地，在时间t27时，电源控制线驱动部65将电源控制信号DS1的电压从高电平改变到低电平(图37的(C))。因此，电源晶体管DSTr导通，且电流Ids流经子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr。当电流Ids流经驱动晶体管DRTr时，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs上升(图37的(G)和(I))，且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg相应地上升(图37的(F)和(H))。通过这样的自举操作，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs变得大于发光元件30的阈值电压Vel与电压Vcath之和(Vel+Vcath)。此时，在发光元件30的阳极和阴极之间有电流流动，且发光元件30发光。
然后，在显示装置1中，经过预定的期间(一帧周期)之后，执行了从发光期间P3到写入期间P1的转移。驱动部60如此进行驱动以便重复这一系列的操作。
在这里，初始化期间P1对应于本发明的一个实施例中的“第一子期间”的一个特定示例。Vth校正期间P2对应于本发明的一个实施例中的“第二子期间”的一个特定示例。时间t23～t25期间对应于本发明的一个实施例中的“第一写入期间”的一个特定示例。时间t25～t27期间对应于本发明的一个实施例中的“第二写入期间”的一个特定示例。电压Vofs对应于本发明的一个实施例中的“第一电压”的一个特定示例。电压Vini对应于本发明的一个实施例中的“第二电压”的一个特定示例。电压Vccp对应于本发明的一个实施例中的“第三电压”的一个特定示例。
图38图示了显示部50中的子像素15的布置与由ELA装置进行的扫描方向D1、由离子注入装置进行的扫描方向D2之间的关系。图39图示了各个子像素15中的驱动晶体管DRTr的布置与扫描方向D1、D2之间的关系。
在显示部50中，属于同一像素Pix的子像素15R和15W在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向上并排设置。同样地，属于同一像素Pix的子像素15G和15B在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向上并排设置。
更具体地，如在图39中所示，属于同一像素Pix的子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图39的纵向)上并排设置。同样地，属于同一像素Pix的子像素15G和15B中的驱动晶体管DRTr在正交于扫描方向D1的方向上和在与扫描方向D2相同的方向(图39的纵向)上并排设置。各个驱动晶体管DRTr被布置成使它的长度(L)方向可以与扫描方向D2相符。
因此，使得属于同一像素Pix的子像素15R和15W中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth大体上彼此相等。此外，使得属于同一像素Pix的子像素15G和15B中的驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth大体上彼此相等。
如上所述，在本实施例中，在垂直方向上彼此相邻的子像素共用电源晶体管。因此，能够减少晶体管、电源线和电源控制线的数量。因而，提高了显示装置的分辨率。其他效果与上述的参考示例的效果相同。
[变型示例2-1]
在上述的实施例中，像素Pix由红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素15配置而成；然而，并不限于此。下面详细说明一个变型示例。
图40图示了根据本变型示例的显示装置2A的一个配置示例。显示装置2A包括显示部50A和驱动部60A。显示部50A的每个像素Pix都具有红(R)、绿(G)和蓝(B)三种颜色的子像素16。驱动部60A包括扫描线驱动部63A、电源控制线驱动部65A、电源线驱动部66A和数据线驱动部67A。
图41图示了在显示部50A中的第k行和第(k+1)行像素Pix的电路配置的一个示例。在显示部50A中，红(R)、绿(G)和蓝(B)的均具有电源晶体管DSTr的三个子像素16R、16G和16B以及红(R)、绿(G)和蓝(B)的均没有电源晶体管DSTr的三个子像素16R1、16G1和16B1并排设置。具体地，子像素16R、16G和16B以此顺序在水平方向上重复地布置。此外，在与该行相邻的行中，子像素16R1、16G1和16B1以此顺序在水平方向上重复地布置。与上述的根据实施例的显示部50一样，在显示部50A中，在垂直方向上相邻的两个子像素16被配置成共用电源晶体管DSTr。此外，三个子像素16R、16G和16B，或者三个子像素16R1、16G1和16B1构成像素Pix。
图42是图示了驱动部60A的操作的时序图，其中，(A)图示了扫描信号WS的波形、(B)图示了电源控制信号DS1的波形、(C)图示了电源信号DS2的波形、且(D)图示了信号Sig的波形。在图42的(A)中，扫描信号WS(k)是驱动第k行像素Pix的扫描信号WS、扫描信号WS(k+1)是驱动第(k+1)行像素Pix的扫描信号WS、扫描信号WS(k+2)是驱动第(k+2)行像素Pix的扫描信号WS、且扫描信号(k+3)是驱动第(k+3)行像素Pix的扫描信号WS。在图42的(B)中，电源控制信号DS1(k)是驱动第k行和第(k+1)行像素Pix的电源控制信号DS1，且电源控制信号DS1(k+2)是驱动第(k+2)行和第(k+3)行像素Pix的电源控制信号DS1。对于电源信号DS2(图42的(C))而言也是大致如此。
在两个水平期间内，驱动部60A的扫描线驱动部63A施加脉冲到两条扫描线WSL。与上述的实施例的情况(图36)一样，电源控制线驱动部65A、电源线驱动部66A和数据线驱动部67A与扫描信号WS同步地向显示部50A提供各个信号。
这样，驱动部60A在时间t31～t37期间内驱动第k行和第(k+1)行像素Pix中的子像素16，且在时间t37～t38期间内驱动第(k+2)行和第(k+3)行像素Pix中的子像素16。
[变型示例2-2]
在上述的实施例中，在垂直方向上相邻的子像素15共用电源晶体管DSTr；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，可以使得对电源晶体管DSTr的共用不是必须的。下面详细说明根据本变型示例的显示装置2B。
图43图示了显示装置2B的一个配置示例。显示装置2B包括显示部50B。
图44图示了显示部50B的电路配置的一个示例。每个像素Pix都具有红(R)、绿(G)、蓝(B)和白(W)四个子像素17(17R、17G、17B和17W)。这四个子像素17R、17G、17B和17W均具有电源晶体管DSTr。此外，在属于同一像素Pix的四个子像素17中的电源晶体管DSTr中，各电源晶体管DSTr的栅极连接到同一电源控制线DSL，且各电源晶体管DSTr的源极连接到同一电源线PL。
即使这样的配置，也能够减少电源线和电源控制线的数量。因此，提高了显示装置的分辨率。
[变型示例2-3]
在上述的实施例中，在一个水平期间(1H)内，将开始时间相同且结束时间不同的两个脉冲施加到两条扫描线WSL；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图45中所示，可以将扫描信号WSB的脉冲结束一次(图45的(B))，且在扫描信号WSA的脉冲结束之后(图45的(A))，可以再次施加扫描信号WSB的脉冲(图45的(B))。因此，在不写入像素电压VsigR的条件下将像素电压VsigW写入至子像素15W中。
[变型示例2-4]
此外，可以将上述的参考示例1-3～1-5中的一者或多者应用于本实施例。
3.应用示例
接着，说明上述实施例和各变型示例中所描述的各显示装置的任一者的应用示例。
图46图示了采用了根据实施例和各变型示例中的任一者的显示装置的TV设备的外观。这个TV设备可以具有例如含有前面板511和滤光玻璃512的图像显示屏部510。这个TV设备由上述的根据实施例和各变型示例中的任一者的显示装置配置而成。
除了应用于这样的TV设备，上述的根据实施例和各变型示例中的任一者的显示装置也能够应用于各种各样的电子设备。该电子设备的一些示例可以包括数码相机、笔记本电脑、诸如移动电话等便携式终端设备、便携式视频游戏机、以及摄像机。换言之，根据实施例和各变型示例的显示装置都能够应用于各种各样的用于显示图像的电子设备。
如上所述，参照示例性实施例、各变型示例和应用于电子设备的应用示例来说明了本技术。本技术不限于示例性实施例和各变型示例，且可以做出各种各样的变型。
在上述的实施例中，例如，在水平方向上或在垂直方向上相邻的多个子像素被配置成共用电源晶体管DSTr；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图47中所示，在水平方向上以及在垂直方向上相邻的多个子像素被配置成共用电源晶体管DSTr。在这个示例中，以两行两列的方式布置于像素Pix中的四个子像素18R、18G、18B和18W共用电源晶体管DSTr。
此外，在上述的实施例中，例如，子像素以两行两列的方式或以一行三列的方式布置于像素Pix中；然而，并不限于此。代替上面所述的是，例如，如在图48中所示，红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子像素之中的一个子像素(在这个示例中，蓝的子像素)可以被形成为在水平方向上延伸。在这样的情况下，例如，如在图48和图49中所示的发光层92A中，发射黄(Y)光的黄色发光层可以形成在与红(R)和绿(G)的彩色滤光片91A相对应的区域中。因此，当黄(Y)光穿过红(R)的彩色滤光片91A时，可以发射出红(R)光，且当黄(Y)光穿过绿(G)的彩色滤光片91A时，可以发射出绿(G)光。此外，例如，如在图50中所示，红(R)、绿(G)、蓝(B)和黄(Y)四个子像素之中的一个子像素(在这个示例中，蓝的子像素)可以被形成为在水平方向上延伸。在这样的情况下，例如，如在图50和图51中所示的发光层92B中，发射黄(Y)光的黄色发光层可以形成在与红(R)、绿(G)和黄(Y)的彩色滤光片91B相对应的区域中。因此，当黄(Y)光穿过红(R)的彩色滤光片91B时，可以发射出红(R)光；当黄(Y)光穿过绿(G)的彩色滤光片91B时，可以发射出绿(G)光；且当黄(Y)光穿过黄(Y)的彩色滤光片91B时，可以发射出黄(Y)光。作为可供选择的方案，可以使得这个黄(Y)的彩色滤光片91B不是必须的。图48中的标记90A图示了发光元件，标记93A图示了开口。图49中的标记94A图示了阳极电极层，标记95A图示了阴极电极层。图50中的标记90B图示了发光元件，标记93B图示了开口。图51中的标记94B图示了阳极电极层，标记95B图示了阴极电极层。
此外，本技术涵盖了这里所说明的且这里所包括的各种实施例的某些或全部的任何可能的组合。
从本发明的上述各示例性实施例中可知，可以实现至少下面的实施方式。
(1)一种显示装置，其包括：
多个单位像素，所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管，所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动；以及
在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单条电源线，所设置的所述单条电源线是针对单位像素对而被分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
(2)根据(1)中所述的显示装置，其中，所述单位像素对中的一个单位像素包括电源晶体管，所述电源晶体管被配置成能够导通以使所述电源线连接到该单位像素对中的各个所述驱动晶体管。
(3)根据(1)中所述的显示装置，其中，所述单位像素对中的每一个单位像素均包括电源晶体管，所述电源晶体管被配置成能够导通以使所述单条电源线连接到所述驱动晶体管。
(4)根据(2)或(3)中所述的显示装置，其中，所述单位像素对中的每一个单位像素的所述驱动晶体管包括：
栅极；
连接到所述显示元件的源极；以及
连接到所述电源晶体管的漏极。
(5)根据(4)中所述的显示装置，其还包括信号线，
其中，所述单位像素对的每一个单位像素均包括写入晶体管，所述写入晶体管被配置成能够导通以使所述信号线连接到所述驱动晶体管的所述栅极。
(6)根据(5)中所述的显示装置，其还包括被配置用于驱动所述多个单位像素的驱动部，
其中，所述驱动部在第一期间内使所述单位像素对中的两个所述写入晶体管都导通，然后使这两个所述写入晶体管中的一者在第一时间处关断且使这两个所述写入晶体管中的另一者在所述第一时间之后的第二时间处关断。
(7)根据(6)中所述的显示装置，其中，所述驱动部使所述信号线在含有所述第一时间的第一写入期间内被施加有第一像素电压，且使所述信号线在含有所述第二时间的第二写入期间内被施加有第二像素电压。
(8)根据(6)或(7)中所述的显示装置，其中，每一个所述单位像素还包括设置在所述驱动晶体管的所述栅极和所述源极之间的电容，
在所述第一期间内的第一子期间内，所述驱动部将所述单位像素对中的各个所述驱动晶体管的栅极电压保持在第一电压，且将各个所述驱动晶体管的源极电压保持在第二电压，并且
在所述第一期间内的跟在所述第一子期间之后的第二子周期内，所述驱动部将所述单位像素对中的各个所述驱动晶体管的所述栅极电压保持在所述第一电压，且通过使电流流经所述单位像素对中的各个所述驱动晶体管来改变各个所述驱动晶体管的所述源极电压。
(9)根据(8)中所述的显示装置，其中，在所述第一子期间和所述第二子期间内，所述驱动部都将所述第一电压施加到所述信号线且使所述单位像素对中的各个所述写入晶体管保持导通。
(10)根据(8)或(9)中所述的显示装置，其中，在所述第一子期间内，所述驱动部将所述第二电压施加到所述电源线，且通过使所述单位像素对中的一个或两个所述电源晶体管保持导通来将各个所述驱动晶体管的所述源极电压保持在所述第二电压，并且
在所述第二子期间内，所述驱动部将第三电压施加到所述电源线，且通过使所述电源晶体管保持导通来使所述电流流经所述单位像素对中的各个所述驱动晶体管。
(11)根据(1)至(10)中任一项所述的显示装置，其中，所述单位像素对中的所述驱动晶体管沿所述第一方向并排布置着。
(12)根据(1)至(11)中任一项所述的显示装置，其中，所述第一方向是所述单位像素对中的各个所述驱动晶体管的长度方向。
(13)根据(1)至(12)中任一项所述的显示装置，其中，所述第二方向是在制造过程中准分子激光退火装置的扫描方向。
(14)根据(1)至(13)中任一项所述的显示装置，其中，所述第一方向是在制造过程中离子注入装置的扫描方向。
(15)根据(1)至(14)中任一项所述的显示装置，其中，所述多个单位像素中的四个单位像素构成一个显示像素。
(16)根据(15)中所述的显示装置，其中，所述四个单位像素以两行两列的方式布置在所述显示像素中。
(17)根据(1)至(14)中任一项所述的显示装置，其中，所述多个单位像素中的三个单位像素构成一个显示像素。
(18)一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成晶体管的步骤，在该步骤中，由离子注入装置进行扫描的第一方向与由准分子激光退火装置进行扫描的第二方向相交；以及
形成显示元件的步骤。
(19)根据(18)中所述的制造显示装置的方法，其中，在所述形成晶体管的步骤中，沿所述第一方向并排地形成多个单位像素的单位像素对中的各个驱动晶体管，所述多个单位像素均包括所述显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的所述驱动晶体管，所述多个单位像素被排列成沿所述第一方向而被扫描和驱动，且所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
(20)一种电子设备，其设置有显示装置和控制部，所述控制部被配置用于进行对所述显示装置的操作控制，所述显示装置包括：
多个单位像素，所述多个单位像素均包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管，所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动；以及
单条电源线，所述单条电源线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，所设置的所述单条电源线是针对单位像素对而被分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。

Claims (11)

1.一种显示装置，其包括：
多个像素；以及
驱动部，配置为驱动所述多个像素，
其中，所述多个像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，
其中，所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素连接至多条电源线，并且
其中，所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的每一者都包括：
发光元件；
写入晶体管；
电容；和
驱动晶体管，
其中，所述写入晶体管电连接在数据信号线和所述驱动晶体管的控制端子之间，
其中，所述电容电连接在所述驱动晶体管的所述控制端子和所述发光元件之间，
其中，在所述红色子像素中的所述驱动晶体管的第一端子和在所述绿色子像素中的所述驱动晶体管的第一端子连接至所述多条电源线的第一点，
其中，在所述蓝色子像素中的所述驱动晶体管的第一端子和在所述白色子像素中的所述驱动晶体管的第一端子连接至所述多条电源线的第二点，且
其中，所述第二点与所述第一点不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述红色子像素还包括第一电源晶体管，
其中，所述红色子像素和所述绿色子像素共用所述第一电源晶体管，
其中，所述白色子像素包括第二电源晶体管，且
其中，所述白色子像素和所述蓝色子像素共用所述第二电源晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一电源晶体管在所述第一点以及所述红色子像素的所述驱动晶体管和所述绿色子像素的所述驱动晶体管之间，且
其中，所述第二电源晶体管在所述第二点以及所述蓝色子像素的所述驱动晶体管和所述白色子像素的所述驱动晶体管之间。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述写入晶体管、所述驱动晶体管、所述第一电源晶体管和所述第二电源晶体管中的每一者包括N沟道金属氧化物半导体(MOS)型晶体管。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述多个像素的第一像素中的所述红色子像素和所述第一像素中的所述绿色子像素中的每一者连接至所述第一点，且
其中，所述多个像素中的第二像素中的所述蓝色子像素和所述第二像素中的所述白色子像素中的每一者连接至所述第二点。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述红色子像素邻近于所述绿色子像素，且
其中，所述蓝色子像素邻近于所述白色子像素。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件配置为发射白光。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的沟道长度大于所述驱动晶体管的沟道宽度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述电容的第一电极连接至所述驱动晶体管的栅极，
其中，所述电容的第二电极连接至所述驱动晶体管的源极，且
其中，所述驱动晶体管还配置为将来自所述多条电源线的补偿电流供应至所述电容的所述第二电极。
10.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述红色子像素的所述驱动晶体管、所述绿色子像素的所述驱动晶体管、所述蓝色子像素的所述驱动晶体管和所述白色子像素的所述驱动晶体管沿一方向并排布置，并且
其中，所述一方向是沿着所述多条电源线的方向。
11.一种显示单元，其包括：
多个单位像素，所述多个单位像素包括显示元件和向所述显示元件提供驱动电流的驱动晶体管，所述多个单位像素被排列成沿第一方向而被扫描和驱动；以及
单条电源线，所述单条电源线连接至所述驱动晶体管的漏极，并且在于所述第一方向正交的第二方向上延伸，其中，所述单条电源线是针对单位像素对分配的，所述单位像素对是所述多个单位像素中的在所述第一方向上彼此相邻的两个单位像素，
其中，所述单位像素对的一个像素包括电源晶体管，所述电源晶体管配置为使得所述单条电源线连接至所述单位像素对中的每个单位像素的所述驱动晶体管，且
其中，所述电源晶体管的源极直接连接到所述单条电源线，并且所述电源晶体管的漏极直接连接到所述单位像素对的每个单位像素中的所述驱动晶体管的所述漏极。
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